Исследование радиационно-оптических свойств нестехиометрических фаз M/1-x R/x F/2+x со структурой флюорита тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.стр.

ШВА I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ И РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА

КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР ТИПА ФЛЮОРИТА (ОБЗОР).

1.1. Основные физико-химические свойства фторидов кальция, стронция и бария и некоторые сведения о смешанных фторидных кристаллах на их основе.

1.2. Собственные и примесные локальные центры и их оптические характеристики в структурах типа флюорита.

1.2.1. Собственные структурные дефекты и центры окраски в решетке типа флюорита.

1.2.2. Примесные локальные центры.

1.2.3. Оптические характеристики кристаллов mf М/-Х ИхЪх

1.3. Радиационно-стимулированные явления в щелочноземельных фторидах.

1.3.1. Радиационное дефектообразование в щ.з.ф.

1.3.2. Окислительно-восстановительные процессы в щ.з.ф. в поле ионизирующего излучения.

1.3.3. Радиационное окрашивание кристаллов щ.з.ф.

1.4. Цель и задачи исследования.

ГЛАВА П. КРИСТАЛЛЫ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Получение кристаллов .^

2.2. Нахождение условий перевода самария и иттербия в трехвалентное соотояние при их высоких концентрациях в кристаллах М .^

2.3. Методика облучения.

2.4. Экспериментальные установки

ГЛАВА Ш. РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ Мi-x R)c Fz-t/.

3.1. Спектральные характеристики гамма-люминесценции кристаллов М i-x^x + х

3.2. Температурные зависимости гамма-люминесценции кристаллов Мi-x + х

3.3. Дозные и концентрационные характеристики гамма-люминесценции кристаллов ^х ^2+х •

ГЛАВА 1У. РАДИАЦИОННОЕ ОКРАШИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ Fx+K ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ.

4.1. Радиационное окрашивание кристаллов при ^ - облучении.

4.2. Радиационное окрашивание криоталлов Mf-x RxFffx под действием излучения дефектообразующей радиации.

4.2.1. Эффекты электронного и протонного облучения кристаллов А//-Х ^х

4.2.2. Эффекты нейтронного облучения кристаллов

W/-X Лх^Д

4.3. Основные закономерности радиационно-стимули-рованных процессов в кристаллах F^+x ^

Актуальность проблемы. Среди новых перспективных для науки и техники кристаллических материалов последнего десятилетия в настоящее время широко изучаются и находят все большее применение монокристаллы иестехиометрических фаз со структурой флюорита с общей формулой М 1-хRx( M-Ca,Sг, Во • R~ У и редкоземельные элементы; X -мольная доля R F3 ) / I /.

Благодаря широкой области пропускания света от вакуумного ультрафиолета (УФ) до инфракрасной (ИК) части спектра кристаллы М |х Rx f\?+x находят наибольшее применение в качестве материала для оптических элементов как в обычных приборах, так и в приборах, работающих непосредственно в поле ядерного излучения. Эти материалы также перспективны как активные элементы оптических квантовых генераторов (ОКГ) / 2-3 /, преобразователей ИК излучения в видимый свет / 4 /, как твердые электролиты с высокой фтор-ионной проводимостью / 5 /, как конструкционные материалы в ИК технике / I, 6 /. Кристаллы на основе Со ?z и ВаГ^ могут быть применены как диэлектрики, работающие в вакуумных системах в радиационных полях для улучшения вакуума / 6 /, а также как фотохромные материалы / 7-8 /.

Перспективы широкого использования этих материалов в радиационных полях требуют сведений об их поведении под воздействием ядерных излучений, знания характера протекающих в материале ра-диационно-стимулированных процессов, постэффектов воздействия радиации, идентификации факторов, определяющих радиационные свойства.

На основе получения таких данных возможно рассмотрение вопроса о способах устранения радиационно-наведенных изменений физических характеристик и целенаправленного изменения, например, примесного состава для получения 1фисталлов с требуемыми радиационно-оптичесними параметрами.

Для кристаллов с дефектной структурой типа флюорита, образующихся в системах MF2I RF3 , ввделяют две концентрационные области, существенно различающихся по ряду свойств, в том числе по спектроскопическому поведению ионов редкоземельных элементов (р. з.э.). Эти отличия отражают изменения в атомном строении твердых растворов при росте содержания в них RF3 . Для того, чтобы в дальнейшем не повторять определений этих двух областей как слабо- и сильнолегированных RF3 флюоритовых твердых растворов, будем обозначать соответственно слаболегированные как MF2~ RF3 (формула, широко распространенная в литературе), а сильнолегированные • Это разделение достаточно условно, переход от одной к другой области меняется от системы к системе и, по мнению большинства исследователей, находится в пределах 1-5 мол % R F3 .

Радиационно-оптические свойства кристаллов типа флюорита с общей формулой MF2~RF3 (где концентрация RF3 до мол %) изучены достаточно подробно, и в том числе определены основные закономерности процессов, стимулированных радиацией в этих материалах / 9-И /.

Однако путем прямой экстраполяции перенести эти закономерности на кристаллы M,-XRXFZ+X невозможно, так как высокая концентрация (до 50 мол %) редких земель и внедряющихся с ними для компенсации заряда ионы фтора приводит к разупорядоченности анионного мотива структуры этих материалов, что в свою очередь обусловливает появление новых физико-химических свойств и особенностей протекания процессов взаимодействия с радиацией.

Таким образом, анализ радиационно-оптических свойств новых перспективных кристаллов -х/?jr^2+x является весьма актуальной задачей.

Целью исследования являлось установление радиационно-опти-ческих свойств кристаллов системы M\XRX Fz+x * идентификация факторов, определяющих эти свойства, и определение возможных способов управления радиационными характеристиками.

Эта цель определила следующие задачи работы:

1. В идентичных и контролируемых условиях вырастить полный набор кристаллов М(х Rx на основе фторидов кальция, стронция и бария, активированных всеми редкоземельными ионами в широком диапазоне концентраций ( Х= 0,1 - 0,4), соответствующем области устойчивости флюоритовых фаз на диаграммах состояния этих систем.

В связи с этим было необходимо модифицировать стандартную технологию для выращивания Mi-X Rx F2+x в случае введения в них Sm и УЬ в трехвалентном состоянии, т.к. типовые условия получения кристаллов М |х Rx Fz+x непригодны для получения таких кристаллов из-за значительного восстановления этих элементов до R

2. Исследовать спектрально-люминесцентные характеристики радиационно-стимулированного свечения кристаллов М j.^R* Fz+x.

3. Рассмотреть радиационное окрашивание объектов исследования под действием различного типа ядерных излучений и на этой основе идентифицировать закономерности образования центров окраски в зависимости от типа и концентрации редких земель, вида радиации, условий облучения, последующих фото и термовоздействий.

4. Исследовать вопросы восстановления предрадиационных люминесцентных и абсорбционных характеристик.

5* Проанализировать особенности радиационных характеристик фаз M|-x Rx Fa+x с сильными нарушениями стехиометрии в сравнении с кристаллами mf2-rf3 и идентифицировать причины этих особенностей.

Научная новизна и практическая ценность.

1. На основе модифицированной автором настоящей диссертации технологии впервые получены монокристаллы Mt-X и МVbx F2+X (X =0,1 ♦ 0,3) с хорошим оптическим качеством и содержанием 5 Hi и УЬ практически полностью в трехвалентном состоянии.

2. Впервые исследованы процессы, приводящие к радиационно-стимулированному свечению нестехиометрических фаз кристаллов щелочи о-земельных фторидов со структурой флюорита.

3. Установлены основные особенности спектрально-люминесцентных характеристик, в том числе близкие характеристики f ~ f излучательных переходов и значительные отличия между и ~~ f переходами в "квазицентрах" f] , внедренных в систему М ,.х и в оптических центрах л из системы Х г " п,з

4. Впервые установлены основные характеристики и закономерности радиационного окрашивания кристаллов типа R^Fz+x под действием у , электронного, протонного и нейтронного излучения.

5. Показано, что разупорядоченность анионного мотива структуры фаз Mt-x RxG+x и наличие значительного количества анионных вакансий приводят к определяющей роли дефектов анионной подрешетки в окрашивании исследованных систем. Показана конкурирующая роль R примесей в процессах окрашивания.

6. Установлено, что в отличие от слаболегированных редкоземельными элементами кристаллов МFj ~ RFj в сильнолегированных кристаллах ЧРИ низких температурах идет образование только сложных электронных центров окраски, включающих анионные вакансии, а образование центров типа F происходит в результате радиационных и термостимулированных процессов лишь при температурах выше ^ 250°К, допускающих диссоциацию сложных дефектов.

7. Установлено, что радиационная окрашиваемость сильнолегированных кристаллов Mi-xRy находится на уровне слаболегированных

Показано, что данное свойство обусловлено низкой эффективностью участия сложных по структуре центров R в окислительно-восстановительных процессах.

8. На основе установленных закономерностей радиационно-сти-мулированных процессов показана возможность выбора радиационно-стойких к окрашиванию составов и показаны способы целенаправленного увеличения этого параметра.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Методом Бриджмена-Стокбаргера выращены смешанные монокристаллы на основе фторидов кальция, стронция и бария со всеми редкоземельными элементами и исследовано методами ГЛ, ФЛ и оптического поглощения.

2. Впервые на основе модифицированной автором технологии роста получены с хорошим оптическим качеством монокристаллы фторида кальция, стронция и бария с высокими (10-30 мол %) содержаниями трехвалентного самария и иттербия.

3. Впервые систематически изучены люминесцентные характеристики Ri+ ионов в матрицах Mi-X Rx Fz + x .Идентифицированы излучательные переходы в ионах Ri+ в этих матрицах.

4. Методами ФЛ и ГЛ исследованы эффекты разупорядочения структуры М/-х Rx х на излучательные характеристики RZ+. Показано, что эффекты разупорядочения, в основном, сказываются на J-- d переходах в ионе 0е3+.

5. Впервые систематически изучены процессы радиационного окрашивания гамма-, электронным, протонным и нейтронным облучением кристаллов Oo,.xRxFz+x , Rx Fz+x , Bo,xRx F^+x .

Показано, что окрашиваемость этих хфисталлов вызвана образованием

2+

R , F и сложных электронных центров окраски. Проявление электронных центров окраски зависит от сродства конкретного к электрону.

6. Было установлено, что до доз 3.I07 рад электронного, 1,5.Ю15 протон/см2 цротонного и I018 н/см2 нейтронного облучения эффекты облучения этими видами радиации аналогичны эффектам jf-облучения в диапазоне доз Ю5-Ю10 рад.

7. Показано, что образование в Мi-x Rx F? -h х центров типа Г возможно только при достаточно высоких температурах, что, по-видимому, связано с диссоциацией дефектных комплексов.

8. Установлено, что радиационная окрашиваемость кристаллов Mi-x Rx Fzt-x находится на уровне слаболегированных систем Л! - Показано, что данное свойство обусловлено низкой эффективностью участия сложных по структуре центров R3 в окислительно-восстановительных процессах.

9. Установлено, что захват носителей дефектными комплексами и А активаторами носит конкурирующий характер, что позволяет управлять радиационным окрашиванием кристаллов при определенных областях спектра. Так, кристаллы ГЧ,^ У^>х не пог~ лощают в видимой части спектра при гамма-облучении вплоть до дозы Ю10 р.

В заключение пользуясь случаем, выражаю искреннюю благодарность и признательность моим научным руководителям - доктору физико-математических наук, црофессору Вахидову Ш.А. и кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Тавшунскому Г.А. - за руководство и помощь в работе, заведующему сектором физико-химической диагностики Института кристаллографии АН СССР им.А.В.Щубникова, доктору химических наук Соболеву Б.П. за руководство при выращивании кристаллов и участие в обсуждении полученных результатов.

Приношу большую благодарность всему коллективу лаборатории радиационных процессов в диэлектрических материалах ИЯФ АН УзССР и коллективу лаборатории высокотемпературной кристаллизации ИКАН СССР им.А.В.Щубникова за участие в обсуждении полученных результатов.

1. Соболев Б.П. Нестехиометрия в системах из фторидов щелочноземельных и редкоземельных элементов. :Автореф. Дис. . докт.хим.наук. - Москва, 1978. - 47 с.

2. Каминский А.А. Лазерные кристаллы. М.: Наука, 1975. -256 с.

3. КамСпзки A. A. Laser crystals. Their physics and properties. Berlin - HeideiSerg - Ne\v - Yогку Springer verl., 1981. - 457 p.

4. Gorlich P., Kotiiz 6. Mehrpkotonen absorption in Mistaken unci ihre anu/endungen. Krist. Unci Techn. 1972, Bd.7, fa 365-385

5. УадеЕ L.E., D'Keffe ' M.} Hightly-conducting fluorides refoted to fPuorite. and tusonite. „Fast Ion transp. solids. Solid State lotteries and devices. Proc. У A TO adv. study ins>t. Belgirate 1972'.' Amsterdam e.a., 1973, p. 185-172.

6. Синицын Б.В., Уварова Т.В. Фториды щелочноземельных элементов. М.: Цветметинформация, ГИРВДМЕТ, 1973. - 52 с.

7. Каинов Б., Тавшунский Г.А., Гаппаров Г. Радиационные свойства кристаллов МРг . В кн.: Радиационно-стимулированные явления в кислородсодержащих кристаллах и стеклах. Ташкент, 1978, с.140-154.

8. Ю.Каипов Б. Исследование некоторых радиационно-оптических явлений в кристаллах CoFz TR и CdFz~ TR Автореф. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Ташкент, 1969. - 19 с.

9. Тавшунский Г.А. Радиадионно-стимулированные явления в кристаллах CqF2 и CdFz , активированных ионами редких земель. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Ташкент, 1973. - 172 с.

10. Бетехтин А.Г. Минералогия. М.: Госгеолиздат, 1950. - 956 с.

11. Каминский А.А., Осико В.В. Неорганические лазерные материалы с ионной структурой. Изв. АН СССР, сер.неорган.материалы, 1965, т.1, № 12, с.2049-2087.

12. Степанов И.В., Синюкова И.А., Черневская Э.Г. Оптические монокристаллы фторидов стронция и бария. Оптика и спектроскопия, 1958, т.4, № 2, с.272-274.

13. Оптические материалы для инфракрасной техники/ Е.М.Воронкова* Б.Н.Гречушников, Г.И.Дистлер и др. И.: Наука, 1965.- 336 с.

14. Каминский А.А., Осико В.В. Неорганические лазерные материалы с ионной структурой. Изв. АН СССР, сер. неорган.материалы, 1967, т.З, № 3, с.417-463.

15. Воронько Ю.К., Каминский А.А., Осико В.В., Прохоров A.M. Новый тип кристаллов для ОКГ с оптическим возбуждением. -Изв. АН СССР, сер. неорган.материалы, 1966, т.2, №7, c.II6I-II70.

16. Багдасаров Х.С., Воронько Ю.К., Каминский А.А., Осико В.В., Прохоров A.M. Индуцированное излучение кристаллов иттро-флюорита с при комнатной температуре. Кристаллография, 1965, т.10, № 5, с.746-747.

17. Багдасаров Х.С., Воронько Ю.К., Каминский А.А., Осико В.В. Системы на основе фторвдов как активные материалы для квантовой электроники. Изв. АН СССР, сер. неорган.материалы, 1965, т.1, № 12, с.2088-2092.

18. Воронько Ю.К., Каминский А.А., Осико В.В., Фурсиков М.М. Церфлюорит с примесью неодима как активная среда для оптических квантовых генераторов. Кристаллография, 1966, т.Ц, № 6, с.936-938.

19. KaminsKil А.Д., Osii<o v.v.} Prochoroi/ А. M.t Vokohko Yu.K. Spectrat investigation of the stimulated radiation Oj- /Vd3+m CoF2-YF3-Phys.Lett. Ж6, v.22y N° 4-,p. Щ9-Ч20.

20. Каминский А.А., Осико В.В., Удовенчик В.Т. Индуцированное излучение кристаллов S>rFz LoF3 с неодимом при комнатной температуре. - Дурн.прикл.спектроскопии, 1967, т.6, № I,с. 40-44.

21. Воронько Ю.К., Дмитрук М.В., -%рина Т.М., Осико В.В. Оптические квантовые генераторы непрерывного действия на основе смешанных кристаллов типа иттрофлюорита. Изв. АН СССР, сер. неорган.материалы, 1969, т.5, $ 3, с.506-509.

22. KominsKU АА., Osiko VV.,VoronKa Yu.K. Mexecl Systems on the So sis of the fiuortdes as пш laser materials for quantum electronics. The. opticaI and emission parametrs.- Phys. Stat. SoP., Ш7i v.21, p. I< 17-К 22.

23. Батнгов C.X., Каминский A.A. 0 природе "старения" кристаллов типа флюорита и иттрофлюорита, активированных /|Id » в режиме индуцированного излучения. Журн. эксперим. и теор. физ., 1967, т.53, В 3(9), с.839-852.

24. Каминский А.А., Осико В.В. Неорганические лазерные материалы с ионной структурой, III. Изв. АН СССР, сер. неорган, материалы, 1970, т.6, № 4, с.629-696.

25. Каминский А.А. 0 методике исследования авторезонансной передачи энергии в активированных средах для 0КГ. Журн.эксперим. и теор.физ., 1968, т.54, № 6, с.1659-1674.

26. Каминский А.А. 0 высокотемпературных эффектах, наблюденных в режиме индуцированного излучения на кристаллах Со и LaFs , активированных Письма в ЖЭТФ, 1967, т.6, № 5, с.615-619.

27. Каминский А.А. Высокотемпературные спектроскопические исследования индуцированного излучения ОКГ на основе кристаллов и стекол, активированных ионами h/d , Журн. эксперим. и теор. физ., 1968, т.54, № 3, с.727-750.

28. KciminsKii A. A. High temperature spectroscopic investigation oj- stimulated emission from tasers Snsed on crystals, actii/aied uithions. Phys. ^nt. S>oL (a), 1970, v. /, №3, p. 573 - 583.

29. Каминский А.А. О возможности исследования "штарковской" структуры спектров ионов 77? 3+ в разупорядоченных фторидных кристаллических стеклах. Журн. эксперим. и теор. физ., 1970, т.58, № 2, с.407-419.

30. Каминский А.А. Спектроскопические исследования стимулированного излучения кристаллов Со F2 YF^ , активированных ионаг . Опт. и спектр., 1971, т.31, $ 6, с.938-943.

31. Гарашина Л.С., Каминский А.А., Ли Л., Соболев Б.П. Оптический квантовый генератор на основе кубических кристаллов1. S>rF2 YF3~ Nd .- Кристаллография, 1969, 14, № 5,с.925.

32. KaminsKU A, A., SoBofeu В.P., Bogdasoroi? Kh. S., КеиогкоI/ A.M., FedoroJ P.P., Sari<i£Otf 5.E. Jnuesti-qotion oj stimulated emission of the 4F3/-4l/3 transition oj A/d3+ ions in crystals. Phys. z Stot. Sof. (a), 1979, \/.2Ь,'Щ p. К63-/<65.

33. Архангельская В.А., Феофилов П.П. Перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах (обзор). Квантоваяэлектроника, 1980, т.7, Л> 6, C.II4I-II60.

34. ЪоЫеО б. A, Fedoroi/ P.P. Phase, diagrams of {he CoF2-(Y,Lh)P3 systems. I Experimental. J. Less

35. Common. Met, 1978, v.60, N°1, J3-46.

36. SoSoEeif B. P., Seiranian K.H., frarashina LSyFedorov P.P. Phase diagrams of the SrF2 ~ (Y, Ln) Fz systems. Part. J. X-ray characteristics of phases. -J. SoEid. state Chem., 1979y v. 2 8, №1, p. 51S8.

37. Осико В.В. Физико-химическая теория оптических центров в кристаллах флюорита с примесью редкоземельных элементов. -В кн.: Рост кристаллов. М., 1965, т.5, с.373-382.

38. Осико В.В. Термодинамика оптических центров в кристаллах

39. CqF2 77? . - Физ.твердого тела, 1965, т.7, & 5, с.1294-1302.

40. Архангельская В.А. Центры окраски в кристаллах типа флюорита, активированных редкоземельными элементами (обзор).

41. В кн.: Спектроскопия кристаллов. М., 1970, с.143-153.

42. Hayes W- Crystals with the fEuorite structure Electronic, vibrational and defect proper ties. -Charendon Press, Oxfordf /9/4. -4 48p.

43. Lire R.W. Jonic condictivity of CoFz crystals. -J. Chem. Phys., 1957, V. 26. №-6, p. 1363-1373.

44. A rends J. Cofor centers in ad elite i/eEg coEored

45. CaF2 and BaF2.-Phys. siat. £oE.t 1964, v. 7, №3, p. 805-815.44. £)en Hartog H. W, Are/ids J. Electronic structure Of F -centers in аЕкаЕше earth fEuorcdes. Phys. Siat. SoE.) 1967, v.23, №2., p.773-7/9.

46. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция F-центров в0qF2 . Докл. АН СССР, 1953, т.92, № 3, с.545-548.

47. Завадовская Е.К., Баранов А.И., Лисицын В.М., Калинин М.И. Радиационно-стимулированное взаимопревращение центров окраски в аддитивно окрашенных кристаллах CaFz, SrFz , &oFz. -Оптика и спектроскопия, 1972, т.32, № 2, с.335-337.

48. Корепанов В.И., Лисицын В.М., Баранов А.И., Степанов В.Г., Жапарова С. Радиационно-стимулированное превращение Г и М -центров в кристаллах CaFz . Изв. ВУЗов СССР, 1975, № 5, с.118-120.

49. Александров В.Б., Гарашина Л.С. Новые данные о структуре твердых растворов CaFz TRF3 . - Докл. АН СССР, 1969, т.189, # 2, с.307-310.

50. Cheetham А.К., Fender B.E.F., Cooper M.J. Defect structure of catciuM fEuoride contain tug excess anions- /. Brcujy scattering. 7. Phyz. С Solid Stat.

51. Phys. 1971, v.4, №18, p. 3107-3121.

52. Steele Chitds P Fender B.E.F,\ Defect structure of calcium fluoride containing excess onions:1.. Lifuse scattering, J. Phys. C: Solid Stat. Phijs.}1972, V5, №19, p. 2677-2688.

53. Cation CR.A. The defect properties onion excess, at cati ne eatth fluorides: U, Intermediote and hiqh dopant concentrations. -7. Phy£. С: Solid5tote Phys., 1976, V. 9, №10,p. 4B59-1B69.

54. Iocois P. W.M., Ong S.H., Conch J., Catlow C.R. A. Defect complexes in fEuorite crystals. In: Intern, conferenc. defects in in suEatiny crystals.1. Riga, 19R1, p. 217-218.

55. Of V-centers.~ J. Phys. Chem. Sol., 7957, V.3, p. 178-195.

56. Hayes V/., TwideEE J. IV. The self trapped hole in CqFz- Proc. Phys. S0c., 79B2, 4.7Q, №-512, p. 7295-1296.

57. Громовой Ю.С., Грачев В.Г., Тесленко В.В. ЭПР дырочных центров в СоР^. Физ.твердого тела, 1974, т.16, № I, с.122-127.

58. Каск Н.Е., Корниенко Л.С., Ложников А.А., Чернов П.В. Фото-стимулированная термолюминесценция кристаллов флюорита с цримесью ионов эрбия и гольмия. Физ.твердого тела, 1970, т.12, № 12, с.3437-3444.

59. Корниенко Л.С., Ложников А.А., Назаров В.И., Чернов П.В. Фото стимулированная термолюминесценция кристаллов флюорита с примесью редкоземельных ионов. Оптика и спектроскопия, 1973, т.35, В 6, c.II20-II25.

60. Каск Н.Е., Корниенко Л.С., Федоров Г.М., Чернов П.В. Вероятность рекомбинации дырки и примесного электрона в решетке флюорита. Физ.твердого тела, 1973, т.15, № 9, с.2789-2790.

61. Корниенко Л.С., Рыболтовский А.О., Чернов П.В. Кинетика рекомбинации Vk -центров и примесных электронов в кристаллах фторвдов кальция и стронция. Оптика и спектроскопия, 1976, т.41, № 4, с.588-593.

62. Архангельская В.А., Алексеева Л.А. Универсальная ультрафиолетовая полоса в спектрах дополнительного поглощения кристаллов MeFr, TR , облученных ^-радиацией при 77 К. -Оптика и спектроскопия, 1966, т.21, № I, с.93-95.

63. Архангельская В.А., Ерофеичев В.Г., Киселева М.Н. Автолока-лизованные дырочные центры в 1фисталлах типа флюорита, активированных редкими землями. Физ.твердого тела, 1969,т.II, № 7, с.2008-2010.

64. Корниенко Л.С., Рыболтовский А.0. Парамагнитный резонанс редкоземельных ионов в радиационно-окрашенных кристаллах флюорита. В кн.: Спектроскопия кристаллов. М., 1975, с.204-212.

65. Карпечев В.Н., Корниенко Л.С., Рыболтовский А.О., Чернов П.В. Спектры образования радиационных дефектов в кристаллах флюорита с примесью тербия. Оптика и спектроскопия, 1979,т.46, * 3, с.501-504.1. С 3 +

66. Феофилов П.П. Об ориентации ионов tu в кристаллической решетке СаР2 . докл. АН СССР, 1954, т.99, № 5,с. 731-733.

67. Степанов И.В., Феофилов П.П. 0 двух типах спектров люминесценции редких земель в искусственных кристаллах флюорита. -Докл. АН СССР, 1956, т.108, » 4, с.615-618.

68. Галкин Л.Н., Феофилов П.П. Люминесценция трехвалентного урана. Докл. АН СССР, 1957, т.114, $ 4, с.745-747.

69. Феофилов П.П. Линейчатая люминесценция активированных кристаллов (редкоземельные ионы в монокристаллах MFZ). Изв. АН СССР, сер.физ., 1962, т.26, № 4, с.435-449.

70. FeofiHov P.P. Luminescence of iri-ond BivoPen-t ions of the rare earths in crijsiak of JEuorih tupp-Acta Phys. Potonico, 19Bk, V.26, N'-3-41 Р.ЗЗ/-343.

71. Феофилов П.П. Активированные кристаллы среды квантовой оптики. - Оптико-механическая промышленность, 1968, № 12, с.62-68.

72. Феофилов П.П. Кооперативные оптические явления в активированных кристаллах. В кн.: Физика примесных центров в кристаллах: Материалы международн.семин., Таллин, 1972,с.539-563.

73. Каплянский А.А. Влияние упругой деформации одноосного сжатия и растяжения кристаллов на спектры локальных анизатрон-ных центров в кубической решетке. I. Метод. Оптика и спектроскопия, 1959, т.7, № 5, с.677-682.

74. Захарченя Б.П., Рыскин А.Я. Эффект Зеемана в спектре поглощения и люминесценции кристаллов CaFz £т++ и

75. SrFg Sjii'l"t. - Оптика и спектроскопия, 1962, т.13,$ 6, с.875-877.

76. Антипин А.А. Парамагнитный резонанс трехвалентных редкоземельных ионов в монокристаллах гомологического ряда флюорита. В кн.: Ученые записки Казанского государственного университета, Казань, 1969, с.74-100.

77. G-oEdschmidt V.M. 6-eochemische uerieiiungsgesetze der ECemente VU. Si<rift NorsKe \/id. Acad. OsPo,

78. Mat. Nat. K. /., 1953, Bd.1., №-2, 1-117.

79. Hayes W., Kirn D.L., Summers G.P. The seCf-Cropped hole and the self trapped exiton in аСкаЕте earth j£uortdes>.~ SoEid Stat. Com тип., /969, V.7. №-15, p. 1061- 1064.

80. AtoSe K., OKada Namdau/a M. H-center production in uncloped QCxaiine earth fluorides reactor irradiation at Cow te mperature.-Rodiat. 1977, v. 31, №3-4, p. 155-158.

81. Merz XL., Pershan P. S. Charge conversion of irradiated rare-eorth ions in caEcium fluoride. 1. Chorge conversion of irradiated rare-earth ions in Cof^. //, ThermoEuminescent spectra.-Phys. Re 1/., 1967, v. 182, №2, р.217~2^7.

82. Черневская Э.Г. Светопропускание синтетических кристаллов флюорита. Оптико-механическая промышленность, 1969,№ 12, с.40-43.

83. Луке Р.К., Столов А.Л. Рентгенолюминесценция и термовысвечивание кристаллов SrFzK BqFz , активированных ионами Cd3+ и Оптика и спектроскопия, 1970, т.29, № 2, с.322-327.

84. Каипов Б., Тавшунский Г.А. Спектры поглощения гамма-облу-ченных кристаллов и SrFz ~TRF3

85. Cq Fz TRF3. - Оптика и спектроскопия, 1977, т.43, № 3, с.586-588.

86. Каипов Б., Тавшунский Г.А., Гаппаров Н. Спектры поглощения-облученных кристаллов и SrP2 ~TR F*1.. SrFz~TRF3. Оптика и спектроскопия, 1977, т.43, Jfc 5, с.997-998.

87. Вахидов Ш.А., Каипов Б., Тавшунский Г.А., Гаппаров Н. Спектры поглощения наведенного ^-лучами в кристаллах

88. E>qF2 TRF3 . - Оптика и спектроскопия, 1976, т.40, 16, с.1099-1100.

89. Феофилов П.П., Каплянский А.А. Спектры двухвалентных ионов редких земель в кристаллах щелочноземельных фторидов.

90. Самарий. Оптика и спектроскопия, 1962, т.12, № 4, с.493-500.

91. Каплянский А.А., Феофилов П.П. Спектры двухвалентных ионов редких земель в кристаллах щелочноземельных фторидов.1.. Европий и иттербий. Оптика и спектроскопия, 1962,т.13, & 2, с.235-241.

92. Вахидов Ш.А., Гаппаров Н., Каипов Б., Тавшунский Г.А. Гамма-люминесценция кристаллов StF2 TRF5 и BoF2- TRF^ . -Изв. АН УзССР, сер. физ.-мат.наук, 1978, № 6, с.74-77.

93. Воронько Ю.К., Каминский А.А., Осико В.В. Анализ оптических спектров кристаллов CoF2 (тип I). - ЗНурн. эксперим. и теорет.физики, 1965, т.49, Л 2(8), с.420-428.

94. Воронько Ю.К., Каминский А.А., Осико В.В., Прохоров A.M. Избирательное возбуждение центров редкоземельных ионов в кристаллах. Письма в ЖЭТФ, 1965, т.1, В 4, с.33-39.

95. Айзенберг И.Б., Ливанова Л.Д., Сайткулов И.Г., Столов А.Л. Спектры люминесценции монокристаллов MeF^ , активированных эрбием. Физ.твердого тела, 1968, т.Ю, № 7, с.20302036.

96. Бобровников Ю.А., Зверев Г.М., Смирнов А.И. Парамагнитный резонанс и спин-решеточная релаксация Ег5* в CaFz и их связь с оптическим спектром. Физ.твердого тела, 1966, т.8, Я 7, с.2205-2212.

97. Архангельская В.А., Феофилов П.П. Явление Зеемана для ани-затропных центров в кубической кристаллической решетке. -Оптика и спектроскопия, 1958, т.4, Л 5, с.602-619.

98. Каплянекий А.А., Пржевуский А.К. Пьезоспектроскопический эффект в кристаллах рубина. Докл. АН СССР, 1962, т.142, № 2, с.313-316.

99. Воробьев А.А., Завадовская Е.К., Лисицына Л.А., Лисицын В.М. Два типа спектров дополнительного поглощения в кристаллах

100. CaFz . Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1969, Я 5, с.56-64.

101. Завадовская Е.К., Баранов А.И., Лисицын В.М. Образование собственных радиационных дефектов в CqF2 , SrF^ , BaPz под действием потока низкотемпературной плазмы. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1972, № 6, с.148-150.

102. Лисицын В.М. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуадений в кристаллах со сложной структурой решетки.: Автореф. Дис. . докт.физ.-мат.наук. Рига,1980.- 37 с.

103. Вахидов Ш.А., Гаппаров Н., Рейтеров В.М., ^устамов Я., Соколов В.А., Тавшунский Г.А., Трофимова Л.М. Свойства радиационного окрашивания кристаллов типа флюорита и- Журн.технической физики, 1981, т.51, $ II, с.2325-2328.

104. Hoyes 1л/., LomBourn R.F. Production а/ F and F- aggregate, centres in CaFz and SrFz irradiation.- Phys. Stat. Sot., (8), 1973, V. 57, №2, p. 693-699.

105. Hayes W.J LamBourn R.F. Radio tysis of strontium fluoride.-J. Phys. C-. SoEt'd State^ Phys., /973,v.6, №1, p- 11-28,

106. AtoBe K., Nanagawa M., OKada M., Shibato T. Radiation damage studies using the tow temperature irradiation fauEity. Xli. Absorption ftands in SrF2 and BaFz crystals irradiated by neutron. Annu. Repts. Res. React. Inst,

107. Kyoto Univ., 1972, №-5, p. 89-91.

108. Oxada M., AioSe K., NoKaga^a M. F~center production in undoped CaFz crystals by neutron irradiQiion at lou temperature.- Radtat.

109. Eff1973, v.19, №1, p. 65-66.

110. Alofe K., 0i<oda M.j JVaKagau/a M. The F-Sand (jrouth in undoped CaFz crystals By reactor irradiation at lour temperature.-Annu. Repts Res. React. Inst. Kyoto Unit/., /978, N9/1, p. 134-136.

111. Ato&e K. A new a/Ssorplion Band in uranium doped and undoped BoF2 irradiated 6y reactor heuirons. J. Phys. Soc.Jop.; 197Q, V.47,/V^4,p. /377- 1318.

112. BontiMck W. CoEour centers tn synthetic jfuonte crystals. -Physica, ЪееР 24, N£8, къ> 639-6^9.

113. Завадовекая E.K., Лисицына Л.А., Овчаров А.Т., Лисицын B.M. Кинетика изменения микротвердости кристаллов CqF2 под действием облучения протонами. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1967, № И, с.132-133.

114. Завадовекая Е.К., Овчаров А.Т., Лисицын В.М., Калинин М.И. Радиационное расширение кристаллов СаРг . Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1969, & 9, с.155-156.

115. ИЗ. Завадовекая Е.К., Лисицын В.М., Овчаров А.Т., Федоров В.А., Баранов А.И. Радиационные дефекты в кристаллах CaF\ . -Изв. АН СССР, сер. физ., 1971, т.35, Ш 7, с.1367-1370.

116. Завадовекая Е.К., Федоров В.А., Лисицын В.М. Изменение проводимости кристаллов CqPz при облучении электронами. -Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1971, № 2, с.128-130.

117. Завадовекая Е.К., Овчаров А.Т., Калинин М.И., Лисицын В.М. К вопросу о механизме образования собственных радиационных дефектов в кристаллах фторида кальция. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1972, J& 5, с.129-131.

118. Калинин М.И., Лисицын В.М. Радиационное изменение плотности кристаллов С a Pz , активированных ионами редких земель. -Изв.ВУЗов СССР, Физика, 1973, № II, с.144-145.

119. И7. Kirsh Y, KristianpoEEer N. Defects induced in olmiine earth fluorides for U. V irro-citation. 7. Phijs. (France), 1976(1971), V.3712, p. 216-219.

120. Kirsh Y.j KristianpoEEer N. U V induced processes Lh pure and doped SrF2 7. Luminescence,1977\ v. 15, N4, p. 35-46.

121. Воронько Ю.К., Денкер Б.И., Осико В.В. Рентгенолюминесцен-ция кристаллов CaFz: TR3+ . Физ.твердого тела, 1971, т.13, Л 8, с.2193-2197.

122. MoKot/sKy 7., Low U/., YatsiU S. Exsitation of Optical fEuorescence spectra of irorsition Clements means of x-raus.- Phys. Lett.,

123. Ш2, v. 2, /Н4. p. 186-187.121. iou w.j Mai<ot/si<y 7., YaUiiP S. Fluorescence of rare eorth ions upon x-roy exitation. -7n. Quantum EEectrontcs proceedings of the3~d internationaE congress. Paris-Ne^ Yon<, 1964, p. 655-671

124. Вахидов Ш.А., Каипов Б., Тавшунский Г.А. Свечение кристаллов CaF? TRF3 в поле jf-лучей В°Со . - Оптика и спектроскопия, 1970, т.28, № 5, с.949-954.

125. Вахидов Ш.А., Тавшунский Г.А., Каипов Б., Кирин А.Г. Свечение кристаллов Cc\Fz , активированных фторидами Pr , Nd t fiy , Но, Ти в поле у -лучей 6°Со . В кн.: Прикладная ядерная физика: материалы конф.молодых ученых, Ташкент, 1973, с.II7-125.

126. Вахцдов Ш.А., Тавшунский Г.А., Каипов Б., Кирин А.Г. Свечение кристаллов CaF2 TRF3 f вызванное радиацией.

127. В кн.: Монокристаллы, сцинтилляторы и органические люминофоры: материалы У1 Всесоюзн.конф., Черкассы, 1972, с.245-249.

128. Вахцдов Ш.А., Каипов В., Тавшунский Г.А. Новый метод в исследовании радиационно-стимулированной люминесценции кристаллов Cc,F2 TRF5 . - Письма в ЖЭТФ, 1972, т. 16, Jfc II, с.577-579.

129. Вахидов Ш.А., Каипов Б., Тавшунский Г.А. Новый метод в исследовании радиационно-стимулированной люминесценции кристаллов. В кн.: Редкоземельные ионы в кристаллах и стеклах: Тез.докл. научно-техн. семин., Свердловск, 1972, с.15-17.

130. Вахидов Ш.А., Каипов Б., Тавшунский Г.А. Некоторые спектральные характеристики стимулированного ^-лучами свечения кристаллов СаГ2 TRF3 . - Оптика и спектроскопия, 1972, т.33, № 4, с.782-784.

131. Тавшунский Г.А., Каипов Б. Некоторые особенности послесвечения кристаллов Со F2- NdF3, облученных ^-лучами Со.- Изв. АН УзССР, сер.физ.-мат.наук, 1973, № I, с.82-84.

132. Каипов Б., Тавшунский Г.А., Калеков А. Высокотемпературная термолюминесценция гамма-облученяых кристаллов CciFz- TRF5.- Изв. АН УзССР, сер.физ.-мат.наук, 1974, J& I, с.68-69.

133. Вахидов Ш.А., Тавшунский Г.А., Каипов Б. Радиационно-сти-мулированная люминесценция в кристаллах, активированных ионами редких земель. В кн.: Международная конференцияпо люминесценции: Тез.докл. Черноголовка, 1972, с.187.

134. Be.au.mont J.H., Hayes U/.; Summers (г. P., Twideft J.P. Trapped hole centers in ah<aCine eorth Jluo-rides. Softd stoi. Comm. 1968, v.6, N2 1Z, p.903-906.

135. Beaumont 1H., Hoyes W/v Kiri< fi.L, Summers 0. P. An investigation of trapped holes and iropped eyitions in аЕкаШпе eorth fCuorides.-Prac. Roy. Sac. A., 1970, v. 315, № /520, p. 69-97.

136. Калдер K.A., Малышева А.Ф. Экситонные и электроннодырочные процессы в кристаллофосфорах на основе 0qF2is. SrFz . -Оптика и спектроскопия, 1971, т.31, № 2, с.252-258.

137. Ершов Н.Н., Захаров Н.Г., Родный П.А. Спектрально-кинетическое исследование характеристик собственной люминесценции кристаллов типа флюорита. Оптика и спектроскопия, 1982, т.53, № I, с.89-93.

138. Воронько Ю.К., Осико В.В., Удовенчик В.Т., Фурсиков М.М. Оптические свойства кристаллов CaF2- Dy5* , Физ.твердого тела, 1965, т.7, № I, с.267-273.

139. Архангельская В.А., Рейтеров В.М., Смолянский П.Л. Окислительно-восстановительные процессы при выращивании активированных кристаллов флюорита. Изв. АН СССР, сер. неорган, материалы, 1976, т.12, В 9, с.1560-1564.

140. Бессонова Т.С., Рустамов Я., Соболев Б.П., Тавшунский Г.А., Федоров П.П. Анализ радиационных свойств твердых растворов М{-х Рх 00 структурой флюорита. В кн.: Тезисы докладов У1 Республиканской школы молодых физиков, Ташкент, 1981, с.124.

141. Стародубцев С.В., Вахвдов Ш.А., Каипов Б. Исследование спектра люминесценции флюорита в поле ^-лучей. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов: Труды совещ. Киев, 1967, с.296-300.

142. Тавшунский Г.А., Рустамов Я., Бессонова Т.С., Соболев Б.П., Федоров П.П. Люминесценция и поглощение монокристаллов

143. Cd/x ( У , in )х , подвергнутых действию ядерныхизлучений. В кн.: Радиационные явления в широко зонных оптических материалах: Тез. докл. Всесоюзн. семинара, Ташкент, 1979, с.168.

144. Вахидов Ш.А., Тавшунский Г.А., Рустамов Я., Бессонова Т.С., Соболев Б.П., Федоров П.П. Действие ядерных излучений на кристаллы смешанных фторидов. 1урн.технической физики, 1979, т.49, № 9, с.1943-1949.

145. Вахидов Ш.А., Тавшунский Г.А., 1^стамов Я., Бессонова Т.С., Соболев Б.П., Федоров П.П. Люминесценция и поглощение кристаллов смешанных фторидов, подвергнутых ядерному облучению. Изв. АН УзССР, сер.физ.-мат.наук, 1981, № I, с.79-82.

146. D/еке (j.HCrosswhite Н. М. The spectra о/ the doubfy and triply ionized rare earths.-AppL Optics, 1963, v.2, №7, p.675-688.

147. Каплянский А.А., Медведев B.H., Феофилов П.П. Спектры трехвалентных ионов церия в кристаллах щелочноземельных фторвдов. Оптика и спектроскопия, 1963, т.14, № 5, с.664

148. Ro&Stns D.7., Соек ay ne В., Lent B.}I)u£KUforih O.N., Ctasper 1L. Investigation oj- competence recomSinotion processes in rare-earih actufoied qarhent phospors. Phys. Reu. В., 197g, v. 19, №-12, p. 1254 -1269.

149. Or or* tic h P., К arras H., Kotitz (j., UUmonn P. ThermoEuminescense ini/estigations on doped q?kciPlne earth jEuorides. Phys. Stat. SoE., /967, V23, N4, p. 515-525.

150. Архангельская B.A., Феофилов П.П. Термолюминесцентный метод исследования высоких возбужденных состояний примесных редкоземельных ионов в кристаллах. Журнл. прикл. спектроскопии, 1966, т.4, # I, с.73-75.

151. Вахидов Ш.А., Каипов В., Тавшунский Г.А., Гаппаров Н. Радиационно-стимулированное свечение решетки кристаллов типа MFZ . Докл. АН УзССР, 1975, ft 9, с.25-27.

152. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Лущик Н.Е., Васильченко Е.А., Калдер К.А., Кинк Р.А., Соовик Т.Л. Экситонные механизмы возбуждения люминесценции примесных центров в ионных кристаллах. Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, т.37, № 2, с.334-340.

153. Вахидов Ш.А., Есемуратов Б., Юсупов А.А. Влияние центров окраски на люминесцентные характеристики кристаллов иттрий алюминиевого граната. Изв. АН УзССР, сер. физ.-мат.наук, 1976, ft 2, с.64-67.

154. Воронько Ю.К., Каминский А.А., Осико В.В. Действие жестких излучений на оптические центры ионов TR5+ в кристаллах. -Письма в ЖЭТФ, 1965, т.2, ft 10, с.473-478.

155. Каск Н.Е., Корниенко Л.С. О смещении ионов F при-облучении кристаллов Сс\ Fz . физ. твердого тела, 1967, т.9, № 7, с.2127-2128.

156. Архангельская В.А., Киселева М.Н. О радиохимическом восстановлении кристаллов CqF2 . Физ. твердого тела, 1967, т.9, J* 12, с.3523-3526.

157. Воронько Ю.К., Денкер Б.И., Осико В.В. Рентгенолюминесцен-ция Ndi+ в лазерных кристаллах. Физ. твердого тела, 1971, т.13, № I, с.178-184.

158. KatvinsKii A. A. The. nature of „Qqinq" О J CaF2-YFz~Nd5+ crystals ( type J) under Stimulated emission conditions.-Phys.

159. Slat. Sot., /967, v.20, N- /, К51~К5Ь.

160. Вахидов Ш.А., Каипов Б., Тавшунский Г.А. Свечение кристаллов CqFz-TRF в поле f -лучей Со. Оптика и спектроскопия, 1970, т.28, J& 5, с.949-954.