Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ЕДЕНИЕ. ша 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Особенности структуры и плотности состояний в a-Si:H.

1.1.1. Структура a-Si:H.

1.1.2. Распределение плотности состояний в a-Si:H.

1.1.3. Оптическое поглощение в a-Si :Н.

1.2. Темновая проводимость в a-Si:H.

1.3. Фотопроводимость в a-Si:H.

1.3.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей в a-Si:H.

1.3.2. Экспериментальные результаты по фотопроводимости в a-Si:H.

1.3.3. Численный расчёт температурных зависимостей фотопроводимости.

1.4. Влияние предварительного освещения на величину темновой проводимости и фотопроводимости в a-Si:H. лава 2. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ.

2.1. Приготовление плёнок аморфного гидрированного кремния.

2.2. Установка для фотоэлектрических измерений.

2.3. Определение спектральных зависимостей коэффициента поглощения методом постоянного фототока.

2.4. Определение спектральных зависимостей коэффициента поглощения в условиях сильного фонового возбуждения.

Глава 3. СТАТИСТИЧЕСКИЙ СДВИГ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПЛЁНКАХ a-Si:H, ЛЕГИРОВАННОГО БОРОМ.

3.1. Температурные зависимости темновой проводимости.

3.2. Статистический сдвиг уровня Ферми.

Глава 4. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ a-Si:H, ЛЕГИРОВАННОГО

БОРОМ.

4.1. Определение концентрации оборванных связей с помощью спектра коэффициента поглощения.

4.2. Зависимость величины фотопроводимости a-Si:H от уровня легирования бором.

4.3. Уравнение электронейтральности для a-Si:H/?-типа.

4.4. Объяснение слабой зависимости величины фотопроводимости от положения уровня Ферми.

4.5. Температурные зависимости фотопроводимости исследованных плёнок a-Si:Hр-типа.

4.5.1. Первая температурная область.

4.5.2. Вторая температурная область.

4.5.3. Третья температурная область.

4.6. Зависимость величины фотопроводимости от интенсивности возбуждающего света.

4.7. Влияние предварительного освещения на температурные зависимости фотопроводимости a-Si:H, легированного бором.

4.8. Влияние значения температуры, при которой происходит предварительное освещение, на температурные зависимости фотопроводимости слаболегированного бором a-Si:H.

4.9. Перезарядка D-центров в нелегированных плёнках a-Si:H, в которых наблюдается температурное гашение фотопроводимости.

4.9.1. Метод получения спектра коэффициента поглощения a(hv) из спектра фотопроводимости, полученного в условиях сильной подсветки.

4.9.2. Спектры коэффициента поглощения a(hv) нелегированных пленок a-Si:H в условиях сильной подсветки.

Глава 5. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ.

5.1. Модель.

5.2. Выбор параметров.

5.3. Результаты численного расчёта.

5.3.1. Зависимость величины фотопроводимости от положения уровня Ферми.

5.3.2. Зависимость концентрации D0 -центров от положения уровня Ферми.

5.3.3. Влияние концентрации оборванных связей на вид ТЗФ.

5.3.4. Влияние параметров эффективного уровня, характеризующего хвост валентной зоны, на вид ТЗФ.

5.3.5. Влияние параметров эффективного уровня, характеризующего хвост зоны проводимости, на вид ТЗФ.

5.3.6. Влияние величины темпа оптической генерации на вид ТЗФ.

5.3.7. Выводы к главе 5.

Актуальность темы. После получения солнечной батареи на основе аморфного гидрированного кремния (a-Si:H) в 1974 году и сообщения о возможности легирования a-Si:H в 1975 году сильно возрос интерес к этому материалу. Последовавшие за этим исследования плёнок a-Si:H показали, что они обладают возможностью эффективного легирования, большим коэффициентом поглощения и высокой фоточувствительностью (отношение фотопроводимости к темновой проводимости может принимать значение 104 и выше). Возможность направленного изменения свойств a-Si:H и относительная дешевизна этого материала (по сравнению со стоимостью получения кристаллических полупроводников) обеспечили его широкое использование в солнечной энергетике и оптоэлектронике. Однако, несмотря на многочисленные исследования свойств a-Si:H в настоящее время остаётся много вопросов в понимании физических процессов, связанных с транспортом и рекомбинацией носителей, ролью дефектов и т.д. Трудности исследований свойств a-Si:H обусловлены прежде всего высокой чувствительностью параметров этого материала к условиям его получения. Это приводит к разбросу и противоречивости результатов, полученных в разных лабораториях, и затрудняет выяснение основных закономерностей в поведении физических параметров.

Среди плёнок a-Si:H с разным типом легирования наименее исследованы плёнки />-типа (плёнки, легированные акцепторами, как правило, бором). Несмотря на широкое использование a-Si:H р-типа до сих пор нет ясности в понимании характера влияния уровня легирования акцепторами на фотоэлектрические свойства a-Si-H. Также недостаточно изучено влияние предварительного освещения, приводящего к изменению распределения плотности состояний в щели подвижности, на фотоэлектрические свойства a-Si:H р-типа. Отсутствие таких исследований обусловливает сложность понимания характера зависимости такого важного параметра, как фото6 проводимость, от положения уровня Ферми и концентрации дефектов в а-Si:H /?-типа.

Цель работы состояла в исследовании влияния уровня легирования бором и предварительного освещения на величину фотопроводимости и характер температурных зависимостей фотопроводимости a-Si:H.

Научная новизна результатов, полученных в диссертационной работе:

1. Проведены комплексные исследования электрических, оптических и фотоэлектрических свойств плёнок a-Si:H р-типа с различным уровнем легирования в широком интервале температур (от 120 до 450К);

2. Обнаружено, что, в отличие от плёнок a-Si:H «-типа, фотопроводимость плёнок a-Si:H /?-типа слабо зависит от уровня легирования бором и концентрации дефектов типа оборванной связи в области комнатных температур. Показано, что при этих температурах предварительное освещение не оказывает существенного влияния на фотопроводимость легированных бором плёнок a-Si:H;

3. Проведено численное моделирование процессов рекомбинации, определяющих фотопроводимость в нелегированных и легированных плёнках a-Si:H. Построены зависимости фотопроводимости от температуры, положения уровня Ферми в щели подвижности, концентрации дефектов. Результаты расчёта показывают, что между a-Si:H п- и /ьтипа имеется существенное различие в заполнении локализованных состояний в щели подвижности в условиях освещения: в a-Si:H «-типа заполнение состояний оборванных связей при комнатной температуре совпадает с равновесным заполнением, а в a-Si:H р-типа - существенно отличается от равновесного. Это различие, обусловленное разной "протяжённостью" хвостов валентной зоны и зоны проводимости, успешно объясняет экспериментально наблюдаемые в a-Si:H п- и р-типа различия влияния на фотопроводимость уровня легирования, концентрации дефектов и предварительного освещения. 7

Практическая ценность.

Полученные результаты позволяют совершенствовать технологические методы получения a-Si:H р-типа с заданными свойствами. Обнаруженная "устойчивость" величины фотопроводимости a-Si:H/ьтипа при температурах от 200 до 300 К к предварительному освещению может служить рекомендацией для использования данного материала при создании оптоэлек-тронных приборов со стабильными при световом воздействии параметрами.

Научные положения, выносимые на защиту;

1. Обнаружено, что в области комнатных температур величина фотопроводимости в плёнках a-Si:H р-типа не зависит от положения уровня Ферми и концентрации дефектов типа оборванных связей.

2. Обнаружено, что предварительное освещение легированных бором плёнок a-Si:H при комнатной температуре не оказывает существенного влияния на величину фотопроводимости при температурах, когда функция заполнения локализованных состояний в щели подвижности является существенно неравновесной (Т~ 200-300 К).

3. На основании численного расчёта фотопроводимости показано, что величина фотопроводимости в плёнках a-Si:H р-типа определяется концентрацией нейтральных оборванных связей, которая при температурах ниже комнатной существенно отличается от равновесной и в свою очередь определяется величиной неравновесного положительного заряда в хвосте валентной зоны, а при температурах выше комнатной - положением уровня Ферми и полной концентрацией оборванных связей.

4. С помощью численного моделирования процессов рекомбинации показано, что экспериментально обнаруженные в плёнках слаболегированного a-Si:H /?-типа при низких температурах смена типа фотопроводимости и температурное гашение фотопроводимости являются результатом существенной перезарядки состояний оборванных связей.

Содержание работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка публикаций автора и списка цитируемой литературы. Объём работы составляет 160 страниц, включая 50 рисунков. Библиография содержит 116 наименований.

Основные результаты, полученные в настоящей работе, могут быть сформулированы следующим образом:

1. Исследованы температурные зависимости темновой проводимости плёнок a-Si:H с различным уровнем легирования бором. На их основе рассчитан статистический сдвиг уровня Ферми и обосновано наличие минимума распределения плотности состояний в нижней половине щели подвижности исследованных плёнок.

2. Проведены комплексные исследования влияния уровня легирования и температуры на фотопроводимость плёнок a-Si:H р-типа. Обнаружено, что, в отличие от плёнок a-Si:H и-типа, фотопроводимость плёнок a-Si:H р-типа слабо зависит от уровня легирования бором и концентрации дефектов типа оборванной связи в области температур от 200 до 300К;

3. Обнаружено, что предварительное освещение не оказывает существенного влияния на фотопроводимость легированных бором плёнок а-Si:H в интервале температур от 200 до 300 К;

4. Получено аналитическое выражение, определяющее характер зависимости величины фотопроводимости в a-Si:H р-типа от темпа фотогенерации, температуры, концентрации оборванных связей и параметров эффективного уровня, характеризующего хвост валентной зоны. Экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с полученным аналитическим выражением для фотопроводимости.

5. Предложена интерпретация экспериментальных результатов, согласно которой величина фотопроводимости в плёнках a-Si:H р-типа при средних и высоких температурах (Т > 200К) определяется

149 средних и высоких температурах (Т> 200К) определяется рекомбинацией свободных дырок и электронов через нейтральные оборванные связи. Обосновано, что в неравновесных условиях в плёнках a-Si:H р-типа неравновесный положительный заряд локализован в хвосте валентной зоны, а неравновесный отрицательный заряд - на состояниях оборванных связей. Показано, что при этом величина неравновесного положительного заряда определяется условиями измерения (температура, интенсивность света) и распределением плотности состояний в хвосте валентной зоны и не зависит от положения уровня Ферми и полной концентрации оборванных связей в широком интервале их изменений. Это приводит к независимости концентрации нейтральных оборванных связей (основных рекомбинационных центров для дырок) от уровня легирования и полной концентрации оборванных связей. Сделан вывод, что существенно неравновесное заполнение оборванных связей в a-Si:Hр-типа при Т< ЗООК обусловлено

1) различной "мощностью" хвоста зоны проводимости и хвоста валентной зоны и

2) асимметричностью распределения плотности состояний оборванных связей относительно середины щели подвижности.

6. Проведено численное моделирование процессов рекомбинации, определяющих фотопроводимость в плёнках a-Si:H. Построены зависимости фотопроводимости от температуры, положения уровня Ферми в щели подвижности, концентрации дефектов. Из анализа результатов численного расчёта следует, что различное влияние легирования и предварительного освещения на фотопроводимость a-Si:H п- и р-типа является проявлением имманентного свойства этого материала, обусловленного разной "мощностью" хвостов валентной зоны и зоны проводимости.

150

В заключение автор выражает глубокую благодарность своему научному руководителю, ведущему научному сотруднику кафедры физики полупроводников Андрею Георгиевичу Казанскому. Автор очень признателен руководителю группы Евгению Ивановичу Теру-кову (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) за поддержку и неформальный интерес к работе. Автор благодарен сотрудникам кафедры физики полупроводников Игорю Петровичу Звягину, Идее Александровне Куро-вой и Александру Эммануиловичу Юновичу за консультации по теоретическим вопросам. Также автор выражает благодарность аспиранту Игорю Витальевичу Климашину за сотрудничество при проведении численного моделирования и научному сотруднику Екатерине Предраговне Миличевич за удовольствие от жарких дискуссий по вопросам физики аморфного гидрогенизированного кремния. Представленные в этой работе результаты не были бы получены без образцов, любезно предоставленных профессором Вальтером Фусом (Марбург-ский университет).

151

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. - под ред. Дж.Джоунопулоса и Дж.Люковски. Выпуск 1., М. Мир. 1988.

2. P. Kocian, Influence of the plasma parameters on the properties of a-Si:H films prepared by glow-discharge deposition method. J. Non-Cryst. Solids, 35&3 6, 195-200 (1980)

3. Аморфные полупроводники./ред. М.Бродски.-М.:Мир,1982.

4. H.Fritzsche, J. Non-Cryst. Solids, 59, 1289 (1983).5. 155. Street R.A. Doping and Fermi energy in amorphous silicon. Phys. Rev. Lett., 1982, v.49, N16, p. 1187-1196.

5. LeComber P.G., Spear W.E. The energy of the dangling-bond. Phil. Mag. B, 1986, v.53, N1, p.Ll-L7.

6. W.B. Jackson, N.M. Amer. Direct measurement gap state absorption in hydrogenated amorphous silicon by photothermal deflection spectroscopy.- Phys. Rev. В 25, N8, 5559-5562 (1982).

7. J.D. Cohen, J.P.Harbison, K.W. Wecht. Identification of the dangling-bond state within the mobility gap of a-Si:H by depletion-width-modulated ESR spectroscopy. Phys. Rev. Lett., 48, 109-112 (1982).

8. Johnson N.M., Biegelsen D.K. Identification of deep gap-states in a-Si:H by photodepopulation-induced electron-spin resonance. Phys. Rev. B, 31, 4066-4069 (1985).

9. R.A. Street, K. Winer. Defect equillibria in undoped a-Si:H. -Phys. Rev. B, 40, N9, 6236-6249 (1989).

10. Tanaka K., Okushi H. Defect states and carrier processes in a-Si:H. J. Non-Cryst. Solids, 66,N1&2, 205-208 (1984).

11. Smith Z.E., Wagner S. Implication of "defect pool" concept for "metasta-ble" and "stable" defects in amorphous silicon. In: Amorphous silicon and related materials. Singapour: World Scien. Publ. Сотр., 409-460, 1988.152

12. J. Kakalios, R.A. Street. Electronic transport in doped silicon. Phys. Rev. B, 34, N8, 6014-6017 (1986).

13. Branz H.M. Charge trapping model of metastability in doped a-Si:H. -Phys. Rev. B, 1988, v.38, N11, 7474-7479.

14. Street R.A., Hack M., Jackson W.B. Mechanism of thermal equilibrium im doped amorphous silicon. Phys. Rev. B, 37, N8, 4209-4224 (1988).

15. U. Voget-Grote, W. Kummerle, R. Fisher, J. Stuke. The influence of spin defects on recombination and electron transport in amorphous silicon. -Phil. Mag. B, 41, N2, 127-140 (1980).

16. Kocka J. The density of states in undoped and doped amorphous hydro-genated silicon. J. Non-Cryst. Solids, 1987, v.90,p.91-98.

17. J.Tauc. Absorption edge and internal electric fields in amorphous semiconductors. Mater. Res. Bull., 5, N8, 721-730, (1970).

18. Beyer W., Overhof H. Doping effects in a-Si:H. In:Semiconductors and Semimetals. London: Academic Press Inc., 21, part C, 258-307 (1984).

19. Smith Z.E., Chu V., Shepard K., Aljishi S.A, Slobodin D, Kolodzey J., Wagner S. Photothermal and photoconductive determination of surface and bulk defects dencities in amorphous silicon films. Appl. Phys. Lett. 1987, v.50, N21, p.1521-1523.

20. Pierz K., Hilgenberg В., Mell H., Weiser G. Gap-state distribution in n-type and p-type a-Si:H from optical absorption. J. Non-Cryst. Solids, 1987, v.97&98, p.63-66.

21. Kakalios J., Street R.A. Electronic transport in doped silicon. Phys. Rev. B, 1986, v.34, N8, p.6014-6017.

22. Overhof H., Thomas P. Electronic transport in hydrogenated amorphous semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics. 1989, v.l 14, p.286.153

23. Mott N.F. Phil. Mag. 26, 1015 (1972).

24. Mott N.F. The preexponential factor in the conductivity of amorphous silicon. Phil. Mag. 1985, v.51, N1, p.19-26.28.0verhof H. in "Disordered Semiconductors" ed. by M.A. Kastner, G.A. Thomas, S.R. Ovshinsky.-Plenum, New-York (1987).

25. Lang D.V., Cohen J.D., Harbison J.P. Measurement of the density of gap state in hydrogenated amorphous silicon by space charge spectroscopy. -Phys. Rev. В, \ 1982, \ v.25, \ N8, \ p.5285-5300.

26. D.A. Anderson, W. Paul., Phil.Mag.B, 1982, v.45.

27. Vaillant F., Jousse D., Bruyer J.C. Recombination at dangling bonds and band tails: Temperature dependence of photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon. Phil. Mag. B, 1988, v.57, N5, p.649-662.

28. И.П. Звягин, Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках.- М.: МГУ, 1984.

29. Simmons J.G., Taylor G.W. Nonequilibrium steady-state statistics and associated effects for insulators and semiconductors containing an arbitrary distribution of traps. Phys. Rev. B, 1971, v.4, N2, p.502-511.

30. Vanier P.E. The effect of light soaking on the low temperature photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon.- Solar Cells, 1983, v.9. N2, p.85-93.154

31. LeComber P.G., Spear W.E. The energy of the dangling-bond.- Phil. Mag. B, 1986, v.53, N1, p.Ll-L7.

32. Spear W.E., Steemers H.L., LeComber P.G., Gibson R.A. Majority and minority carrier lifetimes in doped a-Si junctions and the energy of the dangling-bonds state. Phil. Mag. B, 1984, v.50, N3, p.L33-L40 .

33. Street R.A., Zescht J., Thompson M.J. Effect of doping on transport and deep trapping in hydrogenated amorphous silicon. Appl. Phys. Lett., 1983, v.43, N7, p.672-674.

34. Бьюб P. Фотопроводимость твёрдых тел./под ред. Т.М. Лифшица, М.: Издательство иностранной литературы, 1962.

35. Fritzsche Н. Density of states distribution in the mobility gap of a-Si:H. -J. Non-Cryst. Solids, 1985, v.77&78, p.273-280.

36. Hack M., Guha S., Shur M. Photoconductivity and recombination in amorphous silicon alloys. Phys. Rev. B, 1984, v.30, N12, p.6991-6999.

37. Street R.A., Biegelsen D.K., Weisfield R.L. Phys. Rev. B, 1984, 30, N3, p.1710-1714.

38. Spear W.E., Loveland R.J., Al-Sharbaty A. The temperature dependence of photoconductivity in a-Si. J. Non-Cryst. Solids,1974, v.15, N3, p.410-422.

39. Hoheisel M., Carius R., Fuhs W. Low temperature photoconductivity in a-Si:H films. J. Non-Cryst. Solids, 1983, v.59&60, p.457-460.

40. Anderson D.A., Spear W.E. Photoconductivity and recombination in doped amorphous silicon. Phil. Mag. B, 1977, v.36, N3,p.695-712.

41. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.:Мир, 1966.

42. Vaillant F., Jousse D. Recombination at dangling bonds and steady-state photoconductivity in a-Si:H. Phys. Rev. В, \ 1986, v.34, N6, p.4088-4098.

43. Dersch H., Schweitzer L., Stuke J. Recombination processes in a-Si:H: Spin-dependent photoconductivity. Phys. Rev. B, 1983, v.28, N8, p.4678-4684.155

44. Vanier P.E. IR-induced quenching and enhancement of photoconductivity and photoluminescence. In: Semiconductors and Semimetals. London: Academic Press Inc. 1984, 21, partB, 329-357.

45. Halpern V. The statistics of recombination via dangling bonds in amorphous silicon. Phil. Mag. B, 1986, 54, N6, p.473-482.

46. McMahon T.J., Xi J.P. Photoconductivity and light-induced changes in a-Si:H. Phys. Rev.B, 1986, 34, N4, p.2475-2481.

47. Hoheisel M., Fuhs W. Drift mobility in n- and p-conducting a-Si:H. Phil. Mag. B, 1988, v.57, N3, p.411-419.

48. Vomvas A., Fritzsche H. The temperature dependence of the photoconductivity of и-type a-Si:H and the effect of Staebler-Wronski effect. J. Non-Cryst. Solids, 1987, v.97&98, p.823-826.

49. E. Morgado, Phil.Mag. B63 (1991) 529.

50. Bube R.H., Redfield D. Variation of photoconductivity and optical degradation in hydrogenated amorphous silicon. J. Appl. Phys., 1989, v.66, N7, p.3074-3081.

51. Hack M., Guha S., Shur M. Photoconductivity and recombination in amorphous silicon alloys. Phys. Rev. B, 1984, v.30, N12, p.6991-6999

52. Staebler D.L., Wronsky C.R. Reversible conductivity changes in discharge produced amorphous Si. Appl. Phys. \ Lett., 1977, v.31, N4, p.292-294.

53. Staebler D.L., Wronsky C.R. Optically induced changes in discharge-produced hydrogenated amorphous silicon. J. Appl. Phys., 1980, v.51, N6, p.3262-3268.

54. Wronsky C.R., Daniel R. Photoconductivity, trapping and recombination in discharge-produced hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. B, 23, 794-804, 1981.

55. Guha S., Narasimhan K.L., Pietruszko S.M. On light-induced effect in amorphous hydrogenated silicon. J. Appl. \ Phys., 1981, v.52, N2, p.859-860.

56. Powell M.J., Easton B.C., Nicholls D.H. The effect of annealing and illumination on the field effect conductance of amorphous silicon. J. de Physique, C-4, Suppl. 10, 1981, 42, p.379-382.

57. Tanielian M.H., Goodman N.B., Fritsche H. Photo-creation of defects in plasma-deposited a-Si:H. J. de Physique, C-4, Suppl. 10, 1981, v.42, p.375-378.

58. Dersh H., Stuke J., Beichler J. Light-induced dangling bonds in hhydro-genated amorphous silicon. Appl. Phys. Let., 1981, 38, N6, p.456-458.

59. Stutzmann M, Jackson W.B., Tsai C.C. Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. B, 1985, v.32, N1, p.23-47.

60. Stutzmann M, Jackson W.B., Tsai C.C. Kinetics of the Staebler-Wronsky effect in hydrogenated amorphous silicon. A systematic study. Appl. Phys. Lett. B, 1984, 45, N10,1075-1077.

61. Schauer F., Kocka J. Study of light induced metastable defects by means of temperature modulated space-charge-limited currents. Phil. Mag. B, 1985, v.52, Nl,p.L25-L30.

62. Gu В., Han D., Li C. Kinetic behaviours of the time dependence of photoconductivity in a-Si:H. J. Non-Cryst. Solids, 1985, v.77&78, p.405-408.157

63. Jackson W.B. Role of band-tail carriers in metastable defect formation and annealing in hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. B, 1990, v.41, N2, .1059-1075.

64. Adler.D. Origin of photo-induced changes in hydrogenated amorphous silicon. Solar Cells, 1983, v.9, p. 133-148.

65. Fuhs W., Mell H., Stuke J., Thomas P., Weiser G. Photo-induced metastable effects in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). Annalen der Physic, 1985, b.42, h.2, s.187-197.

66. Yokomichi H., Kumeda M., Morimoto A., Shimizu T. ESR studies on the light-induced effect in Si-based amorphous semiconductors. Jap. J. Appl. Phys., 1985 v.24, part 2, N8, L569-L571.

67. Jackson W.B., Stutzmann M. Effect of temperature during illumination on annealing of metastable dangling bonds in hydrogenated amorphous silicon. Appl. Phys. Let., 1986, v.49, N15, p.957-959.

68. Stutzmann M., Jackson W.B., Tsai C.C. Annealing of metastable defects in hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. B, 1986, v.34, N1, p.63-72.

69. Beyer W., Wagner H. Determination of the hydrogen diffusion coefficient in hydrogenated amorphous silicon from hydrogen effusion experiments. -J. Appl. Phys., 1982, 53, N12.

70. Kumeda M., Yokomichi H., Morimoto A., Shimizu T. Light-induced effects and their annealing behaviour in a-Si:H. Jap. J. Appl. Phys., part 2,1986, v.25, N8. P.L654-L656.

71. Tzeng W., Tsai H., Lee C. Degradation and annealing characteristics of amorphous silicon-hydrogen alloys after a longtime test. J. Appl. Phys.,1987, v.62, N5, p.1856-1861.

72. Guha S., Huang C.Y., Hudgens S.J., Paison J.S. Effect of light soaking at different temperatures on the properties of hydrogenated amorphous silicon alloys. J. Non-Cryst. Solids, 1984, v.66, N1,2, p.65-70.158

73. Guha S., Huang C.Y., Hudgens S.J. Annealing behavior of light-induced defects in hydrogenated amorphous silicon alloys. Appl. Phys. Let.,1984, 45, N1,50-52.

74. Glade A., Beichler J., Mell. Temperature dependent creation of light-induced defects in a-Si:H Schottky barrier diodes. J. Non-Cryst. Solids,1985, V.77&78, p.393-400.

75. M. Zhu and H. Fritzsche. Photo-creation of metastable defects in a-Si:H at different temperatures. -Proc. Of the Int. Workshop on amorphous semiconductors / ed. H. Fritzsche, pp. 185-188, 1987.

76. Han D., Fritzsche H. Study of the light-induced creation of defects in a-Si:H by means of single and dual-beam photoconductivity. J. Non-Cryst. Solids, 1983, V.59&60, p.397-400.

77. Moddel G., Anderson D.A., Paul W. Derivation of low energy optical-absorption spectra of a-Si:H from photoconductivity. Phys. Rev. B, 1980, v.22, N4, p.1918-1923.

78. C.H. Гордеев, Ю.А. Зарифьянц, А.Г. Казанский. О форме кривой спектрального распределения фототока в аморфном гидрогенизиро-ванном кремнии. ФТП, 16, вып.6, 182-184, 1982.

79. Vanecek М., Kocka J., Stuchlik J., Triska A. Direct measurement of the gap states and band tail absorption by constant photocurrent method in amorphous silicon. Solid State Communic.,1981, v.39, N11, p. 11991202.

80. Jan Z.S., R.H. Bube, Knights J.C. J. Appl. Phys., 51, 3278-3283.

81. Wang X., Bar-Yam Y., Adler D., Joanopoulos J.D. Dc conductivity and Meyer-Neldel rule in a-Si:H. Phys. Rev. В., 1988, 38, N2, p.1601-1604.

82. Tsang C., Street R.A. Phys. Rev. B, 19, 3027, 1977.

83. Street R.A., Kakalios J., Tsai C.C., Hayes T.M. Thermal equilibrium in doped amorphous silicon. Phys. Rev. B, 1987, v.35, N3, p.1316-1333.

84. Yoon B.G., Lee C. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, N16, p.1248-1251.

85. A.G.Kazanskii, Soviet.Phys. Semicond. 24 ,915 (1990).159

86. Nebel C.E., Bauer G.H. Deep valence band trap defect conversion by light soaking of a-Si:H. J. Non-Cryst. Solids, 1989, v.114, p.600-602.

87. Ganguli G., Ray S., Barua A.K. Photo-induced changes in the properties of undoped and boron-doped a-Si:H films. Phil. Mag. B, 1986, v.54, N4, p.301-309.

88. Jang J., Park S.C., Kim S.C., Lee C. Increase of doping efficiency by light soaking in boron-doped hydrogenated amorphous silicon. Appl. Phys. Lett., 1987, v.51,N22, 1804-1806.

89. Branz H.M. Charge trapping model of metastability in doped a-Si:H. Phys. Rev. B, 1988, v.38, N11, 7474-7479.

90. Qian Z.M., Nils J., Michiel H., Van Ammel A., Mertens R. photoconductivity self-recovery effect and self-annealing behaviour of undoped a-Si:H by homogeneous chemical vapour deposition. Solid State Com-mun., 1989, v.71, N7, p.595-597.

91. Aker В., Fritzsche H. Photoinduced metastable surface effects in boron-doped hydrogenated amorphous silicon films. J. Appl. Phys., 1983, v.54, N11, 6628-6633.

92. Aker В., Peng S.-Q., Cai S., Fritzsche H. Effect of surface oxide on transport properties in a-Si:H. J. Non-Cryst. Solids, 1983, v. 59&60, p.509-512.

93. Yamaguchi M, Fritzsche H. Effect of surface conductance of hydrogenated amorphous silicon. J.Appl.Phys., 56, N6, 1984, 2303-2308.

94. А.Г. Казанский, Эффект Стеблера-Вронского в плёнках аморфного гидрированного кремния р-типа. - Вестник Московского университета, сер.З, Физика, Астрономия, 33, N4, 70-73, 1992.

95. А.Г. Казанский, И.В. Климашин, С.В. Кузнецов. Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si:H. ФТП, 1990, 24, с.1016.

96. А.Г. Казанский, С.В. Кузнецов. Температурная зависимость фотопроводимости в a-Si:Hр-ттлш. ФТП, 1991, 25, с.1456.160

97. A.G. Kazanskii and S.V. Kuznetsov. Statistical shift of the Fermi-level position in p-type hydrogenated amorphous silicon. Phys. Status Solidi (b), 167, K39,(1991).

98. A.G. Kazanskii, and S.V. Kuznetsov. Temperature dependence of the photoconductiveity in p-type a-Si:H. Phys. Status Solidi (b), 168 , K19, (1991).

99. W. Shockely and W.T. Read, Statistics of the recombinations of holes and electrons, Phys. Rev. B, 87, 835, (1952).

100. D. Dunstan, Kinetics of dinstant-pair recombination I. Amorphous silicon luminescence at low temperature, Phil. Mag. В 46, 579 (1982).

101. B.Cleve and P. Thomas, Mat.Res.Soc.Symp.Proc., 192, 317 (1990).

102. E. Morgado, Thermal quenching and photo-enchansment of jut products in a-Si:H the role of dangling bonds and band tails. Mat.Res. Soc.Symp.Proc., 336, 419 (1994).

103. J.-H. Zhou, S.R. Elliot, Tunneling recombination and the photoconductivity of amorphous silicon in the temperature region around 100K, Phys. Rev. B, 48, 1505, (1993).

104. S.V. Kuznetsov. New feature of the photoconductivity in p-type a-Si:H: independence of photoconductivity ofp- type a-Si:H films on doping level and defect concentration. Thin Solid Films, 383, p.261, (2001).