Неравновесные фотоэлектронные процессы в аморфном гидрированном кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

¿'ГВ ил

1

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УШВЕРШ^ ; : имени Ы.В.ЛОЫНОСОВА

«ИЛЧЕСКИИ ФАКУЛЬТЕТ

На правах рукописи УДК 621-315.592

КАЗАНСКИЙ Андрей Георгиевич

НЕРАВНОВЕСНЫЕ ФОТОЭДЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В АМОРШШ ГИДРИРОВАННОМ КРЕМНИИ

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков.

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора фазико-математическпх ааук

Москва - 1993

Работа выполнена на физическом факультете Московского Государственного университета им М.В.Ломогэсога.

Официальные оппоненты:

доктор физихо-матеыатическлт наук, профессгр А.А.Айвазов, доктор физико-математических наук- профессор Э.Н.Воронкоь, доктор физико-математических наук, -орофессор С.Н.Козлов.

Ведущая организация: 5 ззикс-техниче жих инлитут РАН им. А.Ф.Иоффе.

Защита состоится .............1993 г.

в ¿!Г.}~1 ч. на заседании специализированного совета Д.0Е3.05.40 по защгг диссертаций на соискание учеыэй степени доктор" физико-математических на>к цри МГУ им. Ы.В.Ломоносовэ по адресу: 11989? Москва, Ленинские горч, МГУ, физический факультет, криогенный корпус, а/д. 2-ОЬ.

С диссертацией мстно озна"омиться в библиотеке физического Заиулътета Мрт.

Автореферат рароелаг

■ -а-.АйУйй......... ..1993 г.

,гченый сьщ зтар^ специализированного совета Д.053.05.40 при МГУ им. М.В.Ломоносова, .-рофессор, доктор физико-математичьских наук

С.А.Ншситин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Аморфаые гидрированные тетраэдрически координированные полу-провоайхг'л привлекли к себе внимание специалистов в области физики полупроводников и электроники в 1975 году после' появившегося сообщеттия У. Спира я П. Ле Комбера о возможности легирования аморфного гидрированного кремния (а-Б!!) и изменения его свойств. С этого времени гроисгодит интенсивное развитие физ^^си г мореных гидрирован: ах полупроводников, к которым помимо а-31:Н относятся соединения на его основе ^а-БЮегН. а-БЮгН, а-БШ:Н), а также материалы а-Се:Н и а-С:Н. Возможность направленного изменения свойств аморфных гидрированных полуприводни-ков позволила создать на их основе не только прибора, явх лща-ся аналогами приборов на кристалличеких полупроводниках, но и открыла возможности для развития нового направления в электронике - электроники больших площадей.

Понимание механизмов физических процессов, связанных с электронно! и атомной подсистемами в акор^ягг гидрированных полупроводниках, отстает от успехов, достигнутых в оиластя их ис • пользования в электтюнт'ке и гелкоэнэргетике. Это связано с рядом специфических особ9Шостзй, присущих дащшм материалам, а имение, - высокой-чувствительностью их параметров к условиям по. уче"чия н различным внешним воздействиям. Это приводит к существенному разбросу и прота-зорвчиюсти результатов, получаемых в различных лабораториях, и затрудняетению выяснение основных закономерностей ч поведении ^эзличвлх физических параметров.

В основе большей части приборов, использующих аморфные гидрированные полупроводники, лежит взаимодействие с ними электромагнитного излучения. Наличие квазинепрэрывного раслределения плотности состояний в щели подвижности определяет специфику ре--акцш электронной подсистемы на электромагнитное возбуждение. В частности, процессы фотогенерац-и, переноса и рекомбинациг неравновесных носителей в аморфных гидрированных полупроводниках оказываются существенно сложнее, чем в их кристаллических аналогах.

В ряду а\^рфных гидрированных тетраэдрически координирован-

ных полупроводников ведуще - место занижает a-Sl:H, обладакигй наименьшей плотгэстью состояний щели подьижн^сти, а значит з наибольшей фотопроводимостью. К моменту провегзния представленных в диссертации ^следований считалось установленным, что основную роль в процессах рекомбинации неравновесных носкгелей ь a-Si:E играют состояния ochj:ных дефектов, присутствующих в данном материале - оборвагчнх связеГ. В то 1_з врэмя учет лишь концентрации дефектов и их состояний в качестве определяющих фотопроводимость факторо" не позволял объяснить некоторые s :с-периментальные данные. Недостаточно были исследованы легированные материалы, а ряд имеющихся результатов противоречил дрт другу. Это отчасти связано с отмеченной выше высокой чувствительностью параметров материале к условиям получения и .летним •воздействиям.

Взаимосвязь тг-лх факторов, как уровень легироватт, концентрация дефектов, плотность состояний затрудняла получение основных закономерностей влияния каждого из них на фотопроводимость. Поэтому „еобхо.'тшо было провести кс.лиексные ч систематические экспериментально исследования, позволяющие выявить роль каждого из указанных факторов в формировании неравновесного состояния элзкттонной годелстемы, вызванного освещением. При этом вчеокая чувсгзиаальность плотности состояний и концентрами дефектов гзк х условиям получения, так и к внешним воздействиям позволяет испопьзовг ъ данное воздействия в качестве инструмента напрагпенного изменения указанных параметров.

Отме^лм также, что особенности свойств a-Sí:H ь струкгтзы плотности оостоуий в щели подвижности, а также необходимость контроля за их чзм-нешим, требуют развития специфических, достаточно простых и корректных методов измерения.

Основная особ.нность взаимодействия агорфных гидрированных полупроводников с электромагнитным излучением видимого диапазоне состоит в том, что освещение указанных полупроводников ггои-1.j дит не только к нарушению равновесия электронной подсистема, но также вызывает метастабильные изме^елия всей совокупности свойств, характеризующих материал, - проводимости, фотопроводимости, люминесценции и т.д. Изменение свойств a-Si:H в результате его освещерчя ставило вопрос о возможности использования данного материала в приборах оптоэлектроники и треоовало выяс-

'го1ыя механизмов происходящих изменений п их возкоешй шшиш-зации.

Ошсанному эффекту, известному как гйзкт Стеблера- . Вронского, посвящено значительное число работ, в которое предлагались различные модели его возникновения. Высказывалась предположения, что освещение приводит к возникновению метаста-бильных оборванных связей. На это указывали имевшеся к началу выполнения назих исследований результаты работы по исследованию ЭПР в a-Si:H, сигнал которого однако в значительной степени чувствителен к поверхности материала. При этом, в большинстве случаев не рассматривалась возможность изменения всего спектра плотности состояний в результате освещения, fiaorae еыводы, сделанные в работах, посвящегных влиянии освещения на свойства а-Sl:H, оказали-зь противоречивыми. В значительной степеи это связано с тем, что для выяснения правильности той или иной модели исследовалось влияние освещения на различные явления в а-' Si:H, в частности, проводимость и фотопроводимость. Отсутствие ззэ полного и ясного представления о взаимосвязи ксслэдовгяна* явлений с плотностью состояний п концэЕтрацирЦ де$зктсз нэ позволяло па основания ззуче:птя данных явлений полгпгхь г-аррэктщ^ информацию о прозеходкцзх в результате освецэндя.цпт.'.зе-знзях плотности состояний. нвобходеко било проеэстй йокплэксеео SitC- .

перттмечтолышэ исследования влияния освещения на апттвехт, электрические п фотоэлектрические свойства материала в спрокой области температур, концентраций дефектов, и уровней лзпзровэ-ния.

Таким образом, постановка насто-щей работа: определялась, с одной стороны, пшраюм использованием аморфных гидрираванких полупроводников в опто&лектронике. С другой стороны,, спещгфикз фотоэлектронных процессов в данных материалах я. их зависимость' от большого числа параметров обуславливала необходимость снсте-" матичоского, комплексного исследования указанных процессов и особенностей плотности состояния в щели подбиености.

Цель работы состояла з кошленсном, экспериментальном исслэ-дованш влияния электромагнитного излучения в видиком и блпжзм ИК диапазоне на электронную годсистеузу в анорфннх гидрированных тетраэдричест я координированных полупроводниках с целью выясне-ниг основных закономерностей и механизмов происходящих при этом

неравновесных электронных троцессов, а также в изучении измен«-н"я данных процессов в резу^татг различны... вс действий на исследуемый материал, в .ом члсле - освещения.

В качестве объекта исследований использовался аморфный гидрированный кремний. Выборобъекта исследований определяйся тем, что, с одной стороны, а-Б1:а наиболее ярко проявляет эффекты, связанные со структурой аморфных тетчаэдриче^ки гоордаштюван-ных полупроводников и присущими им оссЦенностями плотности состояний в щели подвижности. С другой стороны, он наиболее широко применяется в приборах, использующих уникальные свойства аморфных гидрированных полупил.водников.

Задачи работы состояли в следующем:

- Разработка фотоэлектоичесиг методов определения концентрации дефектов и плотности состояний в щели подвижности фоточувствительных ам<рфных полутроводников.

- Исследование влияния легировгидя, температуры на плотность состояний в щели подвииюс-ги и положение уровня Ферми в не."еги-рованном и легированном донорами и акцепторами а-Б1:Н.

- Исследование влияния условии получения и внешних воздействий на шкуыость состояний, к~нцентрацшо дефектов и фотоэлектрические параметры аморфного тздрированыэго кре;,_ния.

- Установление онезных закономерностей изменения фотопрово-Х. аьости в аморфном гидрированном кремнии при изменении концентрации дефектов, плотности состояний, уровня и типа легирования, температуры с целью выяснения механизмов рекомбинации неравновесных "осит^лей в аморфных гидрированных полупроводниках и построения модел!», объяснялцей наблюдаемые закономерности.

- Исследование в"ияни.: облучения нелеггрованного и легированного а-Б1:Н светом в видимой области спектра на плотность состояний, концентрг'ош дефектов и фотоэл кпические параметры с целью установления взаимосвязи наблюдаемых изменений электрических, фотоэлектрических свойств а-Б1:Е и происходящих изменена плотное.л ссотоян"й в щели подвижности.

На;у-шая новизна представленной работ: определяется, с одной стороны, использование л но^ых, развитых в ней фоиэлектрически^ методик измерения плотности состояний в щели подвижности аморф-е :х полупроводников, с другой стороны, комплексным подходом к изучению оитических, электрических и фотоэлектрических свойств

г итпользованием разлпшх сособов их изт. энения в широком диапазоне температур, концентраций дефектов и уровней легирования. .

Научная новизна и положения, выьосимые на защиту-

1. Трвдлотен и применен метод постоянного фототока для получения информации о концентрации дефектов-и плотности-состояний в щели подвижности фотечувствительных аморфных гидрированных полупроводников. Определены типы оптических перехлдов, ответственные за поглощение, измеряемое данной методикой. Рассмотрены возможности использования метода постоянного фототока в области малых и больших поглощений, а также в ус-ювиях фонового V жзон-ного возбуждения.

г.' Развиты методы исследований плотности состояний зблизи зоны цроводимости и дрей^эвой подвижности электронов в а-31:Н, ^снованные на измерении нестационарной фотопроводимости. Обнаружено уменьшение дрейфовой подвижности электронов в нелегированных пленках а-Б1:Н после их зака,:_ш и облучения светом. Показано, что легирование." фосфором7 уменьшает величину дрейфовой поц-Зткости электронов.

3. 0бнаругэ"О увеличение "дефектного" поглощения в пленка? а-31:Н, легированных фосфором, в результате их быстрого охлав-дения. Установлено влияние скорсгш охлаждения на тегшературяуп зависимость проводимости нелегнрованных пленок. На основании. полученных экспериментальных даклых сделан вывод о том, что равновесные концентрации дефектов и электрически актшшх примесей возрастают- с повышением тб«шературы.

4. Обнаружено мэто.стабильное увеличение "де4^ктногои поглощения после облу:ения а-Б1:Н шзкоэкергвтшшыш электронами (20 кэВ) и свез, им видгюго диапазона, что^ свидетельствует об увеличении объемной концентрации метастабильных дебетов прп указанных воздействиях. Экспериментально установлено, '.то динамика метастабильногс изменения проводимости в результате освещения пленок а-БЛгН п-типа в значительной степени определяется плотностью состояний вблизи уровня Ферми. Показано, что заполнение состояний хвоста зош проводимости существенно влияет,на динамику изменения фотопроводимости в результате освещения пленок а-Б1:Н п-типа. Экспериментально установлено; что штаста-бильное изменение проводимости пленок а-Б1:П р-типа в результа-

те их освещения определяемся тремя процессами, от"осительнкй к лад которых в изменение п^овогмости заблей; от температуры освещения. Показано, ч/о одлн из указанные процессов уменьшает проводимости и имеет объемную природу, в ~о время i jí два других увеличивают проводимость и связаны с поверхностью.

5. Показано, что состояние хвостов зон оказывают существенное влияние на заполнение состояний дефектов, определяющих рекомбинацию неравновесных носителей в a-Si:Н. Экспериментально установлено слабое влияние концентрации дефектов и уровня легирования на фотопроводимости в области комнатных температур пленок a-Si:H р-типа. Покг-Зино, что это связано с существеьло неравновесным запошенгэм состояний оборванных связей в пленках р-типа, которое определяется большой протяженностью хвоста валенной зоны, 'экспериментально установлены основные условия, определяющие возш-кновение гффекта температурного гащгчи« фотопроводимости в пленках a-Si:H n-гипа и. связанные с энергиеН возбуждающего кванта, .ллозганием уровня (Е^), концентрацией дефектов к плотностью состояний в хеэсто валентной зоны. Показало, что в основе эффекта, имеющего объемную природу и возникащаго при 1в>>1,2 эВ в пленках с (Ес-Е^)>0,55 эВ, леш.г существенная перезарядна состояний оборванных связей, зависящая как от концентраций дефектов, так и чт плзтноста состояний в j-зооте-валентгой зоны.

6. На основании исследований статистического сдвига уровня Ферми в лленках a-Si:H, легированных фосфором и бором, показано существезание минимума плотности состояний в области энергий (Ес-Е)=(0,1-0,454эВ в пленках n-тша и в нижней половине щели подвижности в тентах р -типа.

Практическая ценность работы заключается в том, что экспериментально устано-лены основные особентос"^ влияния структуры плотности состояний в и^ли подвииности аморфных гидрированных почупроводников на оптические, электрические и фотоэлектричестве параметры, опредетяющие эффективность функционирования приборов на основе данных материалов.

Проведенные исследования влияния различных воздействий hj указанные выше характеристики a-Sl:H позволяют прогноезровать изменение параметров приборов, созданных на его основе, при данных воздействиях.

Развитые в работе методики могут быть использовали в качестве эффективных и простых методов контроля качества фоточувств-"■ельгых аморфных гидрированных полупроводников, используемых в электронных приборах и приборах оптоэлектроники.

Согэкупность получе:шых в диссертационной работе результатов можно рассматривать как вклад в развитие перспективного научного направления - неравновесные электронные процессы в аморфных гидрированных полупроводниках.

Апробация работы. Результаты диссертации докладывались на следующих всесоюзных и международных конференциях: Всесоюзная конференция по физике полупроводников (Баку 1982г.); 2 Республиканская конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса 1982г.); Всесоюзный симпозиум "Полупроводниковые преобразователи солнечной энергии" (Киев 1982г.); Третье зсесок.лое совещание "Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы" (Кемерово ID82r.); Научная конференция "Ломоносовские чтения" (Москва 1983г.); Научно координационное совещание "Методы получения н исследования пленок аморфного кремния и фотопреобразоват-злей на их основе" (Ленинград 1983г.); УТ Всесоюзная конференция по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом (Паланга 1983г.);

tv

Всесоюзный семинар по проблеме "Аморфный кремний и другие А " (Ленинград 1983, 1984, 1987гг.); Всесоюзное совещание "Аморфяый кряшшй и его использование в солнечной энергетике" (Ленинград 1984г.); 12 Международная конференция по аморфным а жидким полупроводникам (Прага 1987г.); 5 Международная школа по физиге конденсированного состояния (Варна 1988г.); I н 2 Всесоюзный научный семинар-совещание "Новые материалы для гелиоэнергетикп" (Геленжик 1988, 1990гг.); Внезная сессия секщги стеклообразных и аморфных полупроводников АН СССР (Ивано-Франковск 1938г.); 13 Международная конференция ло аморфным и жидким полупроводникам (Эшвил 1989г.); Всесоюзная конференция "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ташкент I989r.)í I Всесоюзная школа-семинар "Аморфные полупроводники и приборы на их основе" (Ал:га-Ата 1989г.); 9 Международная конференция "Некристаллические полупроводники 89" (Ужгород 1389г.); Всесоюзное совещание-семинар "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике" (Одесса 1989г.); 9 Международное совещание по фо-

тоэлектричвскин'и оптическим явлениям ч твердых телах (Варна 1939г.); Научно-техническое :овеи"Ш1е "Элек^рирзская релаксация в высокоомных материалах (Одесса 1990г.Всесоюзный саыннар "Аморфные гидрированные полупроводники и vx применение" (Легтш-град 1991г.); Отраслевая конференция "Физические процессы в элементах интегральных схем" (Зеленоград 1991",); 3 Всеросийс-кий семинар "Новые материалы для гелиоэнер^етики" (ГелеЕ-зас 19у2Г.);

Результаты диссертационной работы докладывались треке на научных семинарах на физическом факультет") МГУ, на физическом факультете университета Ез_еда (Япония), на физическом факультете Ысрбургского университета (Германия), на физическом факультете Мадридского автономного университета (Испания), в ФТИ АН СССР

А.Ф.Иоффе.

Публикации. По теме диссертации' имеется 52 публикац!31. Ос-новйшГ^езультаты диссертации со„ерхатся ь 35 работах. Список-основных работ приведел в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссврта*аюнная работа состоит из введения, сегли глао, заключения и списка литературы. Подкуй объем работы составляет 356 страниц машинописного tükoti, вклачая список литературы и? 555 наименований. и 105 страниц, содержащих рисунки.

СОДКРКАШЕ РАБОТы.

Во гзед&1_ли обосновывается актуальность теш диссертации и выбор объекта исследований, формулируются. цели и задачи работы, ее научрая нов^знг и практическая ценность.

Ь первой главе приведено itpaTKOs описание технологической установки, создгмной автором для'получения a-Si:H методом разложений моносилана в Bv. тлеидем разряде. Описаны основные тех- -вопогичеекке условия напыления пленок. Усмотрено влияние ма-сериала no^iosci^i на свойства формируемых пленок. С помогаю метода лазерной масспектроскопш показан" значительное содержание щелочных металлов (К, Na, Са) в шюнках a-Sl:H осазденных "а стекла. Рассмотрено возможное влияние ионов щелочных металлов ла результаты электрофизических измерений. В этой еэ главе приведены условия измерений и вкратце описаны экспзриментальные

1 зтановки, использов&лшэ прл проведении' исследований оптических, электрических и фотоэлектрических параметров пленок.

Во второй главе предложен метод постоянного фототока и обоснована возможность его использования д"Я изучения плотности состояний в щели подвижности и концентрации дефектов в фоточувствительных аморфных полупроводниках.

В начале главы даны основные представления о плотности состояний в щели подвижности а-31:Н и ее свята со структурой'материала. Указаны оптические перехода между характерными областями плотности согтоягий, определящие спектральную зависимость коэффициента поглощения в области крал поглощения. Рассмотрены методы фотоакустичеикой и фотопреломлящей спектроскопии, широко используемые для измерения слабого поглощения в тоннах пленках.

Представлены рззулыаты измерений спектральных зависимостей стационарной и нестационарной фотопроводалости, а также времени фотоответа для нелегированного а -31:Н. Показано, что характер спектральных зависимостей фотопрово дш,юстя зависит.'от ■ частоты модулящ : и интенсивности Еозбуадащего света. На основании данных иссмидований обоснован метод постоянною фототока гля получения спектральной зависимости коэффициента поглощения (а) в области малых поглощений. Проанализирована спектральная зависимость а, полуденная методом постоянного фототока, в области больших поглощений. Проведено сравнение спектральных зависимостей а, полученных методом постоянного фототот-а и из спектров пропускания. На основании исследований влшшия температл>- на зависимости а (Иг)) для пленок а-Г1:Нп- и р-дша показано, что для пленок п-т,ла вклад в зависимость а(1та>), полученную катод .м постоянного фототека, в области края поглощения дают переходы из локализованных состояний в зону проводимости, в то время как в пленках а-31:Н р-тхша заметен вклад оптических дереходов в хвост валентной ьоны.

Проанализирована возможность получения информации о концентрации дефектов и распределении их состояний в щели подвижности из спектров а(1гу), получеиных методом постоянного фототока. Показано, что в случае дефектов с положительной энергией корреляции для получения инфорлации о зависимости концентрации .дефектов от уровня легирования необходимо учитывать смещение уровня

Фарьи с лагированнезл.

- Изучено влияние фоновой ьэазошоЁ ка пнглТрахщ&и

зависимость а, получению езтодои постоянного фототека. Сказано, что дополнительная подсветка позволяет сканировать цель подвижности ,и исследовать форму распределения плотности состояний.

В третьей гла^е представлены результаты исследований. влшигя условий осакдения (температуры подлога: з тв) н различных воздействий (высокотемпературной дегидрогенизации, электронного обучения, "закалки") на оптизеекпа, злзкчршеские а фотоэлектрические параметры нелегър^ванных пленок а-Б1:Н.

Показано, что увеличение температуры осаждения приводит к немонотонному изменению концентрации дефектов и .смещению уровня Ферми к зоне проводимости. Рассмотрены возможны- пшчины данного смещения. Установлено, что изменение - фотопроводимости при: изменены Т8 не коррелирует с изменением концентрации дефактог и определяется сшщешим уровня Фэрвлк.

На основание измерений, проведенных шгодом постоянного фототока, показано, что дегидрогенизация приводит к увеличении концентрации дефектов н плотности состояний в хвосте валэнтной зоны. Корреляция их. -нчмененияш согластэтся с данннна,

;полученными другими- г.зтодаш. Исследована корреляция цезду параметром Урбгха, характеризующим плотность ■■ состояний в хьостб валентной зоны, к концен-рацией дефектов. Полученная зависимость соответствует теоретической модели образования равновесных дефектов в аморфных гидрированных полупроводниках, которая указывает на существенную роль состояний, расположенных вблизи валентной зоны в процессе образования Порванных связей. Показано, что положение максимума распределения состояний дефектов относительно зон" проводимости не изменяется в процессе дегидрогенизации и составлязт »-Ю.ЭзВ. Проанализированы возмогшие фякторы, определяющее изменение фотопроводимости при дегидрогенизации а-£1:Н.

Исследовано влияние облучения нелегировашого а-31:Н мало-внеугетичными электроламп <20 кэВ) на оптические, электрические и фотоэлектрические параметры. Обнаружено мзтастабильжп увеличение концентрации дефектов. Показано, что в условиях метаста-бильного увеличения концентрации дефектов при электронной, облу-

"вШ-А параметр Урбаха не изме.т^тся. Исследована корреляция изменения фоюпроводкмости и концентрации дефектов при электронном облучении.

На основании изучения указанных выше воздействий на фотопроводимости сд.лан вывод о существенной роли состояний хвостов зон в процессах рекомбинации неравновесных носителей в а-Б1:Н.

Исследовано влияние скорости охлаждения предварительно нагретых пленок на поглощение в дефектной области и температурную зависимость проводимости н^легированных и легированных фосфором пленпс а-£1:В. Эбнгружено увеличение концентрации дефектов в результате быстрого охлаждения ("закалки") легированных ¿ленок и влияние скорости охлаждения на температурную зависимость про-чодкмости нелегир^ванных гленок. На основании полученных результатов сделан вывод о'" угеличении с ростом температур- равновесной концентращл дефектов и электрически активных примесей.

Четветрая глава посвящена исследованию влияния температуры на полойвше уровня Ферми в нэлзгировгкном и легированном фос-фг рои и бором а-Б1:Н.

В начале главы растаюгренн тазюцгзся экспериментальные дан -вне и теоретические модели, объясняйте характер температурных зависимостей проводимости и еэ связь с плотностью состояний в щели подьжсности. .

В результате исследований температурных зависимостей проводимости установлены зависимости от температуры положения уровня Ферми в пленках а-31:Н, легированных донораш и акцепторами. На основании анализа полученных зависимостей показано существование минимума ллотности состояний в области энергий (Ес-Е)=(0,4-0,45 )эВ в ышнках п- типа и в цяжней половине щели подвижности в пленках р-типа. Рассмотрены факторы, ог^зеделящиа поведение уровня Ферми в области высоких и низких температур, разде ленных характерной температурой Т . Сделан вывод, что в то время, как при Т<ТК смещение уровня Фер,ги определяется стртис-тическим сдвигом, в области Т>ТК слабая зависимость уровня Ферми от температуры срчзана с процессам! установления равновесия в структуре материала. В а-51:Н, легированном акцепторами, с ростом уровня легирования величина тк уменьшается. Рассматривайте ч возможные прич.шы данного эффекта.

Для планок а-£1:Н п-тшк_ получена корреляция меж; у' энергией акгивации теышрчтурной зависимости проводы*гос*и прч комнатнеЧ: температуре и положенном уровня Ферми, а ■гака") его температурным коэффициентом, доказано, что использое 1нае значс.шя энергии активации, температурной зависимости проводимости для определения положения уровня Ферзи может привести к существенным ошибкам.

В пятой главе представлены результат исследования фотопроводимости недатированного и легированного фосфором и бором а-

В начале главы проанализированы имеющиеся в литератур^ экспериментальные данные и существующие представления о механизмах генерации, переноса и бе^излуча^зльной рекомбинации неравновесны:. носителей в а-Б1:Н. Обоснована необходимое!о систематических исследований фотопроводимости, учитывающих специфику свойств аморфных гидрированных полупроводников, в широком ин-тер-ала температур, уровней легирования и концентраций дефектов.

Исследовано влияние интенсивности,•энергии кванта везбувде-шш в области 0,8-2,5 эВ и коадентрацки дефектов на эффект температурного Г£Е8Н7Т фотопроводимости, наблвдаеый в пленках а-Б1:Н п-типа. Показ но, что еф£лет температурного гашения, шэю-Мй объемную :ргг«ду, возшхаэт прч возбуждении неравновесных электродов квантами ^ энергией Ь'>1,15*8. Определены характерные состояния в щели подвижности, ответственные за возникновение температурного гашения фотопроводимости. Изучение пленок, еодергапщх разл^чаую концентрацию дефектов, позволяет сделать вывод, у?о эффект темизратурного гашан:^ фотопроводимости не 1вляется "привилегией" малодефек-ных пленок. Экспериментально установлено, что гешературнов гапение фотопроводимости наблюдается лишь в пленках, у которчх уровень Ферми расположен глубже чем 0,55эВ от крчя зоны проводимости, исследованы темпеоа-аурныз зависимости произведения подвижности на врегч гиз;л электронов в условиях неизменного с температурой положения квазиуровня Ферми для электронов. На основании проведенных измере-„ний сделан вывод о том, что фактором, определяющим возыкнове-ьле ,*ешературнот,о гашения фотопроводимости, является существенная перезарядка состояний оборванных связей. Показано, что

.теъзнь перэзарлдки зависит от протяженности хвостов зон, концентрации дефектов и положения уровня 4орми.

Исследовано влияние уровня и типа легирова!.ля на фотопроводимость пленок а-Б1:Н в области комнатвс.1 тс .оторатуры. Установлена сла'ая зависимость фотопроводимости пленок р-типг от уровня легирования и концентрации дефектов. В результате проведенного численного моделирования и аналитических расчетов показано, что в отличие от материалов п-ткпа в а-"1:Н р-типа в условиях подсЕетки заполнение состояний оборванных связей сущеиг-е ;нн~ отлпчаетсл о\ равновесного и определяется заполнением состояний хвоста валентной зоне. Это связано о ра^ли^ной иротя-зхенностыо хвостов зоны проводимости и валентной зоны. На основании полученных . .энных сг.елан вывод о том, что в отлыие от пленок п-типа, где с преде лягнет фотопроводимость при комнатной температуре фак^ораьл являются концентрация дефектов и положение уровня Форми, в пленках а-31:Н р-типа фотопроводимость определяется, в основном, плотностью состояний в хвосте валентной зоны.

11сследог.лш 'шшэратурные зависимости г^отппроводимости пленок а-Б!:!! с розлачиш ур вчем легирования бором, показано, чти в области нззкпх температур в слаболегированных пленках фото-проводиглость определяется переносом электронов. Температура перехода о* цроводйлости п- к проводимости р-типа уменьшается с рос :ом яегироЕэнпа. Расскотоено влияние температуры на механизмы рекомбанациз неравновесных ды^ок. Показано, »то в области коггаатных и высогчх температур рекомбипаита определяется, соответственно, неррвновеенш и равноь~снш.! заполнением состояний дефектов.

Обнаружен температурный гистерезис фотопроводимости слабо легированных бореи пленок а-Б1:Н. Показано, что он сьлзан с ме-тастабильтал изменением параметров пленок в процессе измерений. ^ Шестая глава посвящена исследованию влияния предварительного освещения на оптические, электрические л фотоэлектрические параметры ппенок а-31:Н.

В начале главы рассмотрены экспериментальные данные и имеющие ;я в литературе представления о влиянии освещения на параметры а-31:Н. Показана противоречивость ряда данных, касащих-ся, в основном, фоиэлектричеетдах свойств, и недостаточное ис-

следование легированных материалов.

■ Обнаружено мртастабильное увеличение по.лощения в дефектной области спектра после освещения пленок, чго свидетельствует об объемном увеличении концентрации дефектов Из сопоставления изменения концентрации дефектов и происходящем при этом смещении уровня Ферма показано, что в нелегированнок. a-Si:H максимум распределения во^никавдих дефектов р?сположен в области энер^7ий (Ес-Е)=(0,9-0,95)эВ. Динамика увеличе ния концентрации дефектов в лучшей степени описывается растянутой экспонентой. Показано, что динамика изменения те,.довел проводимости в пленках a-Sl:H п-типа в результате осъедения в значительной степени определяется плотностью состояний в области смещения уровня Ферми.

Исследовано влияние дегидрогенизации пленок на измерение их оп:ических, электрических и фотоэлектрических параметров в результате оевзщени,.. Показан." роль водорода в процесса-'', определяющих лиленение данных параметров. На основании полученны:-дакных рассмотрена возможность трансформации существующих в пленке дефектов в результате освещения.

Исследовано влияние о~вещенил на электрические, фотоэлектрические и оптические параметра пленок a-Sl:H, легированных фосфором. Показано, ,1гто освещенгэ данных пленок прлводит к существенному изменению спсктральнс": зависимости времени фотоответа. Анализ наблюдаемых -изизпввтй спектра дефектного поглощения в результате освещения указшает на возможность смещения максимума распределения состояний дефектов к зоне проводимости в легированны:: фосфором пленках a-Sl:H. Установлено влияние Зсшолне-ния состо-ний хроста зоны проводимости на наблюдаемую динамику уменьиенчя фотопроводимости в результате освещения.

Исследовано влияние освещения при различных температурах П90-440К) на электрические, фотоэлектрические и оптические параметры пленок a-Sl:H, легированных бором. Изучена динамика изменения проводимости пленок с различным уровнем легирования в результате jx оовеще: ля, а также динамика от^и^га изменений проводимости, вызванных освещением. Устансзлено, что изменение измеряемой проводимоста пленок р-типа в результате освещения определяется тремя процессами, один из которых уменьшает проводи-¡..ость и связан с образованием дефектов в объеме, в то время как два других увеличивают проводимость и связаны с поверхностью

¡сап:". '..р'г^гс;.? зуфииогизряся р:злично,1 скорость»

л т£!зэратуро:3 cinara назвапих sus пгченвЕИй (330-3S0K, 360-'.00К, 400-440К).. С ростом уровня легирования характерные температура откига уменьшаются. Получеы: энергии активации отжига дефектов в пленках а-Ы:Е р-тнпа. Рассмотрены возможные меха-визга процессов, происходящих вблизи поверхности плешей и приводящее к увеличению измеряем» проводтаэстя в результате освещения. Исследована дянаака изиэнения в резуль ате освещения фотопрсводшости и поглощения в дефектной области пленок a-S? :Н р-типа. Получение результата проанализированы в рамках развитой в пятой главе модели рекпмбинащш неравновесных дгрок в плешеах a-Si:H р-тппз

Е седьмой главе исследована нестационарная фотопроЕо; тмость нелёгйрованных и легированных фосфором пленок a-Si:H и рязвиты летодн ¿гаучешя плотности состояний вблизи, зоны проводимости и дрейфовой подвижности электровоз, используаде измерений неста-цнонарт"1'1 ^отопро^одг—сс^л и переходных процессов.

По^„з о '"с '— - гиое йсиеренйэ закютюстгй стацио-iTrpj» с""-» 'С" '1 -iопройодппсти ст интенсивности све-

та, а - оы* —*гызрет:э зависимостей стационарной

фотопрзвсдшсста и вршзня фотоответа от интенсивности света позволяют получать кнфзр^зцнп о распре делении, плотности состояний в хвосте зош уроводакоста, которая согласуется с данными, получонныг-га ;;руг?™я изтодышш.

Предложен «зтод г.сслодо.-гння дрейфовой подвижности электронов, исксвакЕкЗ на нгшреЕип нарастания фотопроводимости n~cj.e вкст-гешш свата. С помощью данной и^тодяс: прозодеш исследования валяная Д9П,1рогекнзац2н, легирования н продолжительного освещения плзкен на дрейфовую подвизкость электронов. Показано, что дбгидрогевззацкя п легирование уменьшают дрейфорта подвижность электронов. Обнаружено углепьсенпэ дрейфовой подвижности электронов после предварительного освещения пленок и иг "закалка". Полученные результаты свидетельствуют об увеличении плотности состояний з хвосте' зоны проводимости после указанных воздействий на a-Si:H.

В заключении сформулированы основные результаты и еыводы работы!

заюшчение и основньч вывода.

В -иссертации предст^лвлены результаты комплексных экспериментальных исследований оптических, электрически-: и фоте электрических свойств пленок гидрированного аморфного крзмния, тв-ляю^егося ведущим (в пршипрой области) представителем группы аморфных гидрированных тетраэдрически коор,тдаитюванных пс.цгпро-водников.

Развитые в работе методики измерения концентрации .дефектов и плотности состояний в вили ьодвихшос-'и, а так~е проведенные исследования влияния различных воздействий (облучат светом, электронным пучком, высокотемпературная дегидрогенизация, "закалка") на оптические и фотоэлектрические параметры материала позволили получить основные закономерности изменения и понять природу неравновесных электронных процессов, происходящих при взаимодействии а-Б1:Н с электромагнитным излучением.

Основные полученные результаты мо^ут быть сформулированы следующим образом:

х. Предложен и обе тнован метод постоянного фототока для определения спектральной зависимости коэффициента поглощения в области его мата значена* (ай<<1) а фоточузствительных аморфных гидрировантх лолупроведннках. Рассмотрены основные условыг : применимос-и данного метода для определения концентрации дефок-тов с положительной энергией корреляции и распределеим их состояний в щелч подвижности.

Исследовано влияние температуры, фоновой межзоннол подсветки, уровня легирования на спектральную зависимость коэффициента поглощения ч "дефектной" области стктра. Установлено, что в случае материалов п-типа основной вклад в поглощение, измеренное методом "остоянного фототока, дают перехода из состо.ший дефектов в зону проводимости. В случае материалов р-типа вклад в "дефектное" поглощение дают также перехода из состояний дефектов ьа состоянг-я хвоста валентной зоны. Показано существенное влияние положения уровня Ферми тг коэффициент поглощения в ■дефектной" области в легированных материалах, содержащих. дефекты, которым соответствуют состояния с положительной энергией корреляции.

2. Исследовано влияние температуры на положение уровня Ферми

п гэлегаровавных л лег'фовгчк jx фосфором и бором пленках а-Si:H. Полуенше закиязгоств характеризуются двумя темпер?тур-чыки областям!, разделенными температуроЯ Тк, величина которой уиеньпаэтся с ростом легирования, .¡оказано, что в области Т<ТК смещегле уровня Ферт определяется статистическим сдвигом, в то время как в области Т>ТК положение уровня Форгп слабо зависит от температура и опрзде::яотся процессами установления равновесия в структуре a-Si:H. Анализ тешоратурного r-лещения уровня Ферш j области Т<ТК для пленок a-Sl:H с различным уровнем ."е-гированпя позволяет сделать вывод о существовании минимума плитностп состояний в щели подгаштостп, расположенного в области энергий (Ес-Е)= (О,1-0,45)эВ в нелегированннх я легированных донорами пленках a-Si:H, и в шкнйй половине щели подвиг-ости в пленках a-Si:H, легированных акцепторам!.

3. ¡хследовано р таяние условий получения (температуры осаждения) и внешних воздействий (облучение электронным пучком, высокотемпературная дегидрогенизация) па оптические и фотоэлект- , рическьв параметры пленок a-Sl:IL Показано, что увеличение тем-пч^атури счаздепия нелеглровашюго v-Sl:H приводит к "кещэнию уровня Ферта к зоне проводимости и немонотонному тмэнввкп концентрации дефзктсз. Высскотеьяературная дегедрогеппзация увеличивает концентрацию дефектов в a-Si:H. Наблюдаемая корреляция между параметром Урбаха Е0, характврвэуъдаа плотность состояний в хвосте валентной зоны, л концентрацией дефектов, пзмонйедейся в результате дегздрогенкзычи, удовлетворительно описывается в райках терадшга'.аческой кз,-эла образованкя равновесных деТв*:-тов.

Обнаружено штзстабальное увеличение концентрации дефектов в пленках a-Si:H после ir облучентэ иэлоэнергвтичныш электронами (20 кэВ). Параметр Урбаха при мзтастабильнои увеличении концентрации дзфэктов не изменяется.

Показано, что иг: всех указанных вниз воздействиях, приводящих к росту концентрации дефэк-:оз, ф* топроводолость a-Si:H в оольшинствэ случаев уггзнызается сильнее, чем в соответствии с . зависимостью И^. На основашгл этого сделан вывод о существенной роли состояний хвостов зон з процесах рекомбинации неравновесных носитчлэй.

4. Исследовано влиякпо скорости охлаждения предварительно

нагретых пленок на электрические и оптические параметры нелеги-рэванных и легированных донорами пленок а-Б1:Н Обнаружено увеличение концентрации дефектов цри быстром охлаадении ("закалке") легированных пленок а-81:Е и изменение температурной зависимости проводимости неле1'ированных пленок. На основанги полученных результатов сделан вывод об увеличении равновесной, концентрации дефектов и электрически активных примесей с ростом тёшгературы. В случав быстрого охлаждения пленок концентрации дефектов и электрически активных примесей превышают их равновесные значения, соответствующие данной температуре.

5. Проведены систематические экспериментальные исследования фотопроводимости а-Б1:Н и влияния на лее концентрации дефектов, легирования донорами и акцепторами, температуры, энергии воз-бувдащего кванта.

Экспериментально установцены основные факторы, опте делящие возншшовэние эффекта температурного гашения фотопроводимости в пленках а-Б1:Н п-типа: энергия возбуждающего кванта, положение уровня Ферми, концентрация дефектов и плотность состояний в хвосте валентной зоны. Показано, что в основе эффекта, шенцего объемную природу ъ. возникающего при 1в»1,15 эВ в пленках с (ЕС~Е|.);0,55 эВ, леккт существенная перезарядк? состояний оборванных связей, зависящая как от концентрации дефектов, так и от -лотяости состояний -В хвосте валентной зоны и зоны проводимости.

Для пленок а-Б1:Н, легированных акцепторами, установлена слабая зависимость фотоприводимости в области комнгтной температуры от уровня легирования и концентрации дефектов, а такке изменение типа проводгшости в области низких температур для пленок а-Б1:Н, слаболегированных бором. Показано, что причиной существенного отличия влияния уровня легирования и концентрации дефектов на фотопроводимость пленок а-31:Н п- и р-типа при ком- . натноп тешературе является различие плотности состояний в хвостах ао:и проводимости и валентной зоны.

Проведено численное моделирование процессов рекомбинации не-раьловесных носителей в а -51:Н. Получены основнгэ закономерности изменения фотопроводимости при изменении характерных параметров, характеризующих состояния дефектов т хвостов зон. На основании экспериментальных данных и численного моделирования

разлита модель рекомбинации неравновесных носителей, удовлетворительно олясыващая основные закономерности изменения фот .проводимости в нелегировагном и легированном а-Б"" :Н. Согласно данной модели существенную роль в процессах рекомбинации играют состо.ап'я хх эстов зон, определяющие заполнение состояний оборванных связей, через которые происходит рекомбинация неравновесных носителей.

6. Проведены комплексные исследования в^ияти предварительного освещения на оптические, электрические и фотоэлектрические "тар?четры нелегярованвых и легированных донорами и акцепторам пленок а-Э1:Н.

Обнаружено увеличеию поглощения в дефектной области спектра после предварительного освещения пленок, что свидетельсизует об увеличении концентрации де^ктов в объеме пленок. В не,легированных пленках а-3_:Н максимум распределения состояний данных дефектов расположен в области энергий (Ес-Ь)=(0,9-0,95)эВ. Увеличение концентрации дефектов описывается растянутой экспонен-той. Данный результат, а таюпо результаты экспериментов по све-:эьой дегр дации дегидрированных пльлон указывает на существенную роль в процессе образования дефектов водорода, содержащег'4-ся в слабосвязаннсй или кластерной форме. Показано, что уменьшение фотопроводимости в результате освещение пленок мо::ет быть вызвано помимо увеличения "собственных" дефектов иными процес-сгли. Среди них возможно возникновение "метастабильнкх" дефектов с отличными от "собстве'шых" дефектов параметрам, а таккэ захват неравновесных носителей состояниями пространственно коррелированных дефектов и происходящей при этом их трансформацией.

Установлено, что диашжа ысленения теговой проводимости в результате освещения пленок п-типа определяется распределением плотности состояний в области смещения тестового уровня Фэрмя. .Это объясняет болеь сильное влияние освещения на темновую проводимость пленок, слаболегироврных-'фосфором. Показано, ч^о для пленок п-тша динамика уменьшения 'фотопроводимости в результате предварительного освещения в значительной степени определяется уменьшением (в результате смещения уровня Ферми к середине щели подвижности; вклада состояний хвоста зоны проводимости в процессы, определяющие заполнение рекомбинационшх состояний де-

фэктов. Это объясняет влш~1ие интенсивгэсти возбуждающего (фотопроводимость) света на дакамикг уменьшена фотопроводимости

Установлено, что нинка^ a-Si:H р-типа изменение в результате освещенья измеряемой темновой проводимости определяется .ре; мя процессами, имеющими различные скорости и характерный температуры отжига вызванных ими вменений. Один лз указанных цро-цессов приводит к уменьшению проводи?-ости и гюет объемную природу, в то время как два других увели^-авают измеряемую проводимость и связаны с поверхностью пленки. Исследованы основные параметры данных процессов ь рассмотрены возможные их механизмы.

7. Предложены и разьл/ы методы измерения плотности состояний в хвостах зон и дрейфовой подвижности носителей в фотопроводя-щих аморфных гидрированных полупроводниках, основанные гз изме-pe ini нестационарной фотопроводимости и переходных процессов при включении и 7.лодачении освещения. Рассмотрены осповше условия ислсльзования данных метода«

С помощью развитых методик обнаружено уменьшение дрейфовой подвижности электронов в делегированном a Si:H после его "закалки" и длительного освещения. Показано, что легирование а-Sl:H фосфором и ех-о дегидрогенизация приводят к уменьшению дрейфовое подвижности электретов. Это свидетельJTByeT оо увеличении плотности состояний в х-»сте зо'ш проводимости в резуль-ra'ie указанны."7 воздействий.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих

работах- '

I. Гордзег С.Н., Зарифьянц Ю.А., Казанский А.Г. О форме кривой спектрального расгрэде^зния фототока в "морфном гидрогенизиро-ванни« 'кремнии. — ФГП, 1982, т.Тв, Ш, с. 182-184. 2 Вавилов B.C., Дрызек А., Казанский .'.Г Температурная зависимость спектра фотопроводимости гидоогенизированного аморфного а кремния. - ФГП, 198?., т.16, N2, с.357-359. Г. Гордеев З.Н., Загчфьянц Ю.А., Казанский А.Г. Исследование энергетического распределения ловушек е гдорфном гидрогенизиро-' ванъом кремнии методе ! неигационарной фотопроводимости. - ®DL, 1982, тЛ6, N9, с.1683-1684.

^'.Вавилов B.C., Казанский А.Г., Миличевич L.H. Поглощение в аморфном г*1Дрогенизированном кремнии в области энергий, меньших

сптыеской ширины запрещенной ¿от. - ФТП, ¿982, т. 16, H.Ii, с.2051-2053.

L. Ва±я!лов B.C., Казане лй А.Г., Миличевич Е.Г. Изменение поглощения в области энергий, меньших оптический ширины запрещений зоны гидрогенизированного аморфного кремния, при эффекте Стеблера-Вронского - ФТП, 1982, т.16, N.12, с.2192-2194. 6. Казански* А.Г., Миличевич Е.П. Нестационарная фотопроводимость в аморфном гидрогенизированном крем-тш. - ФТП, 1983, Т.17, Ы2,. C.22II-22I3.

7 Казанский А.Г., Миличевич Е.П. Влияние энергии возбуждения на механизм фотопроводимости гидрогенизированного аморфного кремния. - ФТП, 1984, 'i.I8, N10, с.1919-1922.

8. лазанский А.Г., Миличгтич E.Ii. Влияние фоновой ме1.оонной подсветки на пектры фот прсзодимости аморфного гидроген- жированного кремния. - ФЛ1, 1985, т. 19, N3, с.522-524.

9. Казанский А.Г., Король A.C., Миличевич Е.П., Чукичев М.В. Влияние облучения электронами на фотопроводимость аморфного гидрогенизированного ниемния. - 4ГП, 1986, т.20, 119, с. 1594-1597. IL. Казанский А.Г., Коробов O.E., Лупачева А.Ч., Мшшчеьлч Е.П. Поглощение в Дефектной с 1ласти" и фотопроводимосга в аморфно:, гидрогенизированном кремнии. - ФТП, 1937, т.21, N3, с.411-414.

11. Казанский А.Г., Миличевич Ь,.П. Динамика .эффекта Стеблера-В^онскто в аморфном гидрогенизированном кремнии. - ФТП, 1987, T.2I, Г7, 0.1253-12^5.

12. Kasanskil A.G., Millche'. ich Е.Р., Vavilov V.S. Dynamics oi Staebler-Wronski effect in hydrogenated amorphous silicon. -J.Non-Cryst.Solids, 1987, ^.787-790.

13. Буторин O.B., Казанский А.Г. Исследование дрейфовой подвижности- электронов в аморфном гидр^генизиревг^том кремнии методом нестационарной -фотопроводимости. - ФТП, 1988, т 22, N.1, с.84-86.

14. Кпзанский А.Г., Аличевич Е.П., Айдарова Р.К. Неравновесные дефекты в аморфном гидрогенизитэванном кремнии. - ФТП, т988, Т.22, N12, с.2232-2235.

15. Буторин О.В., Казанский А.Г. Влияние фоновой подсветки • на велчину дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном к^змнии. - Депонирована в ВИНИТИ, 1988, И2764-В88.

16. Болд 3., Казанской А.Г., Климашин И.В., Миличевич Е.П., Те-

pjKOB Е.И. - Влияние экергои возбуаденЕ! на температурное гагое-¿гле фотопроводимости в аморфном гидрогенизирсзанн^м кремнии -ФШ, 1988, т.22, Ш2, с.2173-2176.

17. Казанский А.Г., Мшшчешп Е.П. Дефек"ообразоваше в а-_.1:Н при дегидргенизации и оптической деградации. - ФТП, I9S3, т.23, N11, с.2027-2029.

18. Буторин О.В., Казанский А.Г. Влияние ловушек на перечарддку оборванных связей в аморфном гидрированном кремнии. - Депонировано в ВИНИМ, 1989, N3848-389. .

19. Казанский А.Г., Климаиин И.В. Влияние температуры на механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в алорфном гидрированном крэшта, - Депонировано в ЦНИМ "Электроника", 1989, ¡1 P-5I96.

20. Kazanskli A.G., Kllmashln I.V. The influence of temperature on reccaMnatlor. of carriers In undoped a-Si:H. - J.Non-Cryst.Solids, 1989. v.114, p.313-.315.

21- Казанский А.Г., Мишчевич Е.П.., Уразоаева P.A. Температур-ноз гашение фотопроводимости в аморфном гидрированном креглнш, слабо легированном борок. - ®И1, 1990, т.24, N6, с.1143-1145.

22. Казанский А.Г. Температурная зависимость положения уровня Форш! в аморфногл гидрированном кремния п-типа. - ФТ11, 1990, ■т.24, 113, с.556-558. .

23. 'Казгдски? А.Г., Коныкл О.И., Теруков Е.И. Электрофазцчес-Кйв. свойства плзкок ' аыорфтого гидрированного кремния, ^олучен-рах. прз; высоких тешэратурах. - Изв. АН .СССР. Сер. Неорг. материалы, 7.990, Т.26, Ш, с Л458-1461.

24. Казар-лгай А.Г. Эффект Стеблера-Вронского в аморфной гидрированном кремнш, лзги! званном фосфором. - ФТП, 1990, т.24, Ы8, c.I4Ô2-I466. ;

25. Казанский A V., Климашин И.В., Коньков О.И., Теруков Е.И. Тешер«-гурное гааение флопроводамости в нелэгированных образ- 1 цях аморфного гпдряоованного кремния, полученных при различных температурах осакденгя. - Вест. Московского университета, серия

3 "ф-лзта, астрономия", 1990, т.31, N5. с.102-104.

26. ■ Казанский А.Г., "Хлимлшн И.В., Кузнецов C.B. Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного JopoM a~Si:H. - ФТП, 1990, т.24, N9, с.1628-1631.

27. Kazansüll A.G., Pubs ÏÏ., Meli H. On the Fermy-Ievel poslti-

nn m a-Si:H (P). - Phys.Statub Solldl (b), 1^90, v. ¡60, р.Ккб-K28.

°8. Кэзанский А.Г., Кузнецов С.В. Температурна" зависимость фотопроводимости в a-Si:H р-тша. - win, 1991 т.25, N8, с.1456-1459.

29. Kazanskil A.G., Kuznetsov S.V. Statistical shift of the Fermi-level position lu hydrogenated amorphous silicon. -Phys.Status Solid! (b), 1991, v.167, p.K39-F42.

30. Ka^anskll A.G., Kuzne+sov S.V. Temperature dependence jf the nhotoconduc+ivity In p-type a-Sl:H. - Phys.Status Solldl (b), 1991, v.168, N1, p.K19-K21.

31. Казанский А.Г. Эф£зкт Стеблера-Вронского в пленках a-Sl:H р-тьла. - Вест. Московского университете, Серия 3 "Физикь, астрономия", 1992, т.33, N4, c.^O-W.

JZ. Вавилов B.C., Кгзанский А.Г., Миличеьич Е.П. Изменение поглощения в области энергий, меньших оптической ширины запрещенной зоны гидрогенизированного аморфного кремния при эффекте Стеблера-Вронского. - Сб. трудов Всесоюзной конференции по фи-згч^ полупроводников. Баку, 1982, ч.И, с.105-106. 33. Kazanskli I.G., Konco" 0.1., Kudoyarova V.Kh., Terukov E.I Electrical properties of amorphous hydrogenated films, deposited at hight temperatures. - Ir.: Proc. of 5Inter. School on Ccndens. Matter. P£ys. "Bisorded Systems and New Materials". Varna, Bulgaria, 1988, c.t30-667.

o4. Казанский А.Г., Климашин И.В. Влияние температуры на механизмы рекомбинации неравновесных носителей в аморфном гидрированном кремнии. - Со. трудов 9-оГ Международной конференции "Некристао лическис полупроводники 89". Ужгород, 1989, с.148-150.

35. Казанский А.Г., Миличевич Е.П. Дефектообразованиг в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации. - Сб. трудов 9-ой Международной конференции "Некристаллические полупроводники 89". Ужгород, 1989, с.4-6.