Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Список условных обозначений и сокращений

ВВЕДЕНИЕ Ю

ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ДЛЯ СПЕКТРАЛЬНЫХ

КОМПОНЕНТ СПЕКТРОВ ФОТООТРАЖЕНИЯ

1.1. Особенности спектров электроотражения и фотоотражения и проблематика количественного анализа модуляционных спектров

1.2. Объекты исследований

1.3. Моделирование электромодуляционной Е0-компоненты в рамках одноэлектронного приближения

1.3.1. Эффект Франца - Келдыша

1.3.2. Модель приповерхностной области полупроводника

1.3.3. Общие выражения для описания электромодуляционных сигналов

1.3.4. Различные режимы измерения электромодуляционных компонент

1.3.5. Среднеполевая теория электроотражения Аспнеса

1.3.6. Учет энергетического уширения

1.3.7. Моделирование электромодуляционных компонент в случае неоднородного электрического поля. Многослоевая модель Гобрехта

1.3.8. Обобщенная многослоевая модель

1.3.9. Сравнение различных литературных моделей для среднеполевых Е0-компонент

1.3.10. Низкополевой режим измерения спектров

1.3.10.1. Низкополевая теория Аспнеса

1.3.10.2. Обобщенная низкополевая теория

1.4. Экситонные эффекты в области фундаментального перехода

1.4.1. Модели для описания модуляционных компонент в области локализованных в запрещенной зоне экситонных состояний

1.4.1.1. Модель свободного от экситонов приповерхностного слоя

1.4.1.2. Модель первой производной. Модуляция диэлектрической проницаемости в области экситонных переходов

1.4.2. Экситонный континуум

1.5. Неэкситонная модуляция отражения в энергетической области ниже энергии фундаментального перехода

1.5.1. Модуляция сигнала отражения от задней поверхности образца

1.5.2. Модель первой производной. Модуляция диэлектрической проницаемости в области примесных переходов

1.6. Компоненты спектров ФО, возникающие в области границы раздела

Ни один кусочек, взятый сам по себе, не содержал в себе абсолютно никакого смысла. Однако, взятые вместе, они позволяли предположить, что за ними скрывается что-то большее.

Т. Преттчет

Актуальность темы. Создание модуляционной спектроскопии в середине 60-х гг. было крупным шагом в развитии экспериментальных методов физики конденсированного состояния. Хотя первоначальной целью модуляционной спектроскопии было исследование зонной структуры полупроводников, анализ первых же измеренных спектров показал, что информация, содержащаяся в спектрах, не ограничивается одной только энергетикой зонной структуры, а охватывает широкую палитру параметров исследуемых образцов. В настоящее время наиболее часто применяемыми техниками модуляционной спектроскопии являются электроотражение (ЭО) и фотоотражение (ФО). Уже в начале 70-х гг. было доказано, что ЭО и ФО превосходят другие модуляционные техники по величине сигнала и остроте спектральных структур, высокому спектральному разрешению в широком интервале температур и по количеству содержащейся в спектре информации. Исторически сложилось, что еще до начала 90-х гг. ЭО применялось значительно чаще, чем ФО. Однако за последние 10 лет техника ФО стала бесспорным лидером как в исследовательских лабораториях, так и в индустрии. Спектроскопия ФО неразрушающая, бесконтактная, не требует специальной обработки или подготовки образца и сравнительно проста в реализации. Бесконтактность методики позволяет ее использование как для анализа готовых полупроводниковых структур, так и для контроля процессов их изготовления (in situ).

Сущность ЭО состоит в периодическом возмущении приповерхностной области полупроводника при помощи приложенного внешнего электрического поля. При ФО, являющимся модификацией ЭО, для модуляции используется периодическое лазерное возбуждением образца с энергией фотонов, превосходящей ширину его запрещенной зоны. При измерении спектров ЭО(ФО) спектральные структуры регистрируются только в области прямых межзонных переходов. Из-за сильного воздействия эффектов энергетического уширения электронно-оптических переходов на форму линии модуляционного спектра наиболее эффективным является измерение спектров ФО и ЭО в области прямого межзонного электронно-оптического перехода с наименьшей энергией.

Теоретические основы техники ЭО были заложены работами AcnHeca(Aspnes) и Кардоны (Cardona). Этими авторами было доказано, что случае электромодуляции области пространственного заряда в качестве физического эффекта, ответственного за возникновение компоненты в области прямого перехода "валентная зона - зона проводимости", выступает эффект Франца-Келдыша. Этот эффект заключается в изменении оптических свойств диэлектрических и полупроводниковых кристаллов в области оптических электронных переходов 'валентная зона-зона проводимости' под действием внешнего электрического поля. Теоретический анализ показал, что при помощи количественного анализа электромодуляционной Е0-компоненты может быть получена информация не только о типе и энергии межзонного электронно-оптического перехода, но и об эффективной массе носителей заряда в зонах, напряженности электрического поля на поверхности или в области скрытой в глубине образца границы раздела, степени неоднородности электрического поля в области возникновения сигнала, электрическом потенциале, плотности электронных состояний и положении уровня Ферми на поверхности или границе раздела, концентрации носителей заряда или концентрации легирующей примеси, структурном качестве кристалла и/или его поверхности, толщине выращенных эпитаксиальных слоев, механических напряжениях в эпитаксиальных слоях, химическом составе исследуемого материала, а также о таких поверхностных феноменах, как адсорбция или окисление. В последние 10 лет с помощью ЭО(ФО) широко исследуются квантовые низкоразмерные структуры.

Несмотря на значительное теоретическое, аппаратурно-техническое и измерительно-методическое развитие спектроскопии ФО(ЭО) за последние 30 лет, ее широкое применение сдерживается проблемой адекватного извлечения заложенной в экспериментальных спектрах информации. Эта проблема вызвана тремя причинами:

Во-первых, до последнего времени не была создана полная модель для основных носителей информации Е0-спектров ФО - электромодуляционных компонент, возникающих в области фундаментального перехода. Известные из литературы модели различаются по количеству и комбинациям параметров моделирования, обусловливая тем самым неоднозначность оценок параметров. Кроме этого, оставался открытым вопрос о влиянии на эту компоненту эффектов кулоновского взаимодействия для свободных носителей заряда в зонах и нарушения трансляционной симметрии на поверхности кристалла.

Во-вторых, несмотря на то, что область перехода Е0 представляет собой набор близко лежащих оптических переходов различной природы, до сих пор изучались только модуляционные процессы для фундаментального перехода, а возможность возникновения спектральных компонент в области низкоэнергетических переходов либо игнорировалась, либо считалась феноменом, относящимся к диапазону низких температур. Присутствие уширенных низкоэнергетических компонент в спектрах, измеряемых при комнатной температуре, приводит к эффектам спектрального наложения и столь сильному искажению формы линии электромодуляционной Е0-компоненты, что высокоточный анализ экспериментального спектра при помощи его однокомпонентного моделирования становится невозможным. Известные из литературы попытки идентификации многоком-понентного характера часто не имеют под собой физического обоснования, базируются на использовании вторичных данных или требуют проведения довольно длительных, дорогих и/или разрушающих образец экспериментов.

В-третъих, для спектров ФО тонкопленочных структур задача количественного анализа дополнительно усложняется присутствием спектральных вкладов из различных пространственных областей. Между тем до сих пор не были выработаны надежные экспериментальные методики для идентификации и разделения спектральных вкладов из приповерхностной области и от скрытых границ раздела.

Таким образом, анализ современного состояния литературных данных показывает, что, несмотря на широкое использование спектроскопии ФО, до сих пор отсутствуют единые представления о механизмах формирования Е0-спектров. Автору не известен ни один обзор или серия работ, где бы были учтены и рассмотрены в полном объеме все аспекты формирования фотомодуляционного спектра. Также не известны работы, в которых были бы просуммированы экспериментальные методики анализа многокомпонентных спектров и их комплексное применение.

На основе вышеизложенного основной целью работы являлась идентификация механизмов формирования спектров фотоотражения и определение электронно-энергетической структуры полупроводников группы AInBv на основе развития и применения новых оригинальных экспериментальные методик измерений.

В ходе выполнения работы необходимо было решить следующие задачи: анализ основных модуляционных механизмов для оптических переходов в области фундаментального перехода Е0; проверка достаточности одноэлектронного приближения для моделирования электромодуляционной Е0- компоненты, возникающей в области прямого межзонного перехода в результате эффекта Франца

Келдыша, и создание обобщенной модели для ее описания; разработка экспериментальных методик для идентификации многокомпонентного характера измеряемого спектра ФО и природы его компонент; проведение измерений на полупроводниковых образцах со специальными электрофизическими характеристиками с целью проверки адекватности выбранных моделей и идентификации типичных реакций спектральных компонент на изменение параметров лазерного возбуждения; изучение динамики возникновения сигнала для различных модуляционных механизмов;

- установление различий при формировании сигнала в области поверхности и скрытой границы раздела; развитие общего подхода к анализу многокомпонентных спектров ФО и выработка универсальной стратегии для проведения высокоточного анализа. В качестве основных объектов исследования были выбраны полупроводниковые структуры на основе наиболее широко используемых в современной микро- и оптоэлектронике полупроводниковых соединений группы

AmBv - GaAs и InP.

Научная новизна. В диссертационной работе впервые:

1. Посредством систематических исследований спектров ФО полупроводников группы АШВУ и полупроводниковых структур на их основе предложена концепция формировании фотомодуляционных оптических спектров в области фундаментального перехода Е0.

2. Экспериментально доказано присутствие в Е0-спектрах ФО, измеряемых при комнатной температуре, спектральных компонент, возникающих в области дискретных экситонных и примесных переходов, и изучены модуляционные механизмы, приводящие к их возникновению.

3. Изучена динамика и идентифицирован замедленный характер модуляционных процессов по отношению к фотовозбуждению.

4. Идентифицированы типичные реакции компонент на изменение таких параметров измерения спектров, как плотность, длина волны и частота модуляции лазерного возбуждения, и на этой основе созданы экспериментальные методики для идентификации компонент.

5. Создан и практически реализован метод высокоточного анализа многокомпонентных модуляционных спектров ФО, включающий в себя а) применение комбинации оригинальных методик измерения спектров для установления числа спектральных компонент, определения пространственных областей их возникновения и идентификации их природы (энергетического перехода и модуляционного механизма) и б) основывающийся на достигнутой идентификации выбор адекватной модели для каждой из спектральных компонент и проведение многокомпонентного количественного анализа спектра.

6. Создана обобщенная многослоевая модель для электромодуляционной компоненты спектров ФО прямозонных полупроводников, учитывающая такие физические параметры, как напряженность и степень модуляции поверхностного электрического поля, профиль его спада в области пространственного заряда и энергетическое уширение перехода.

7. Изучен модуляционный механизм и создана модель для описания одной из наиболее характерных особенностей спектров ФО тонкопленочных систем -низкоэнергетических осцилляций.

Научная значимость работы заключается в определении механизмов формирования многокомпонентных спектров ФО в области фундаментального перехода Е0. Показано, что возникновение фотомодуляционных спектров в общем случае не может быть объяснено в рамках теории, учитывающей только межзонные электронно-оптические переходы. Созданная обобщенная многослоевая модель позволяет понять механизм формирования оптических сигналов в пространственно неоднородной среде. В работе исследован механизм модуляции электрических полей при фотогенерации неравновесных носителей заряда, благодаря чему расширено представление о процессах, протекающих в области поверхностей и границ раздела полупроводников при фотовозбуждении. В рамках представленной работы практически реализована одна из важнейших задач физики конденсированного состояния - высокоточное (с точностью до 1 мэВ) определение энергии электронно-оптических переходов в широком интервале температур. Созданная оригинальная методика фазового анализа спектров может эффективно использоваться для разделения спектрально наложенных сигналов.

Практическая ценность работы: Разработанный метод высокоточного анализа многокомпонентных спектров ФО позволяет получить детальную информацию о различных электрофизических характеристиках исследуемого объекта. Представленная в работе обобщенная многослоевая модель в настоящее время используется для количественного анализа спектров в спектроскопических лабораториях Воронежского государственного университета, университета Мартина Лютера (г. Галле, ФРГ), технических университетов г. Брауншвайга и г. Берлина (ФРГ) и Национального микроэлектронного исследовательского центра г. Корк (Ирландия). В работе впервые был проведен количественный анализ спектров ФО лазерных гетероструктур GaAs/Si и InP/Si и гетероструктур с высокой плотностью дефектов в области границы раздела. Полученные результаты имеют важное практическое значение для эффективного использования спектроскопии ФО in situ и для диагностики готовых полупроводниковых структур. Изученная в работе динамика возникновения оптического отклика на приложенное извне возмущение должна быть учтена при моделировании некоторых типов быстродействующих оптоэлектронных приборов. Научные положения, выносимые на защиту:

1. Е0-спектры ФО прямозонных полупроводников GaAs и InP при комнатной температуре формируются благодаря модуляционным процессам в области фундаментального перехода и близлежащих низкоэнергетических экситонных и примесных переходов. Относительная интенсивность соответствующих спектральных вкладов зависит от электрофизических характеристик образца и параметров процесса измерения спектра.

2. Одноэлектронное приближение для трехмерной модели кристалла позволяет провести адекватное моделирование электромодуляционной компоненты, возникающей в области фундаментального перехода

3. Моделирование электромодуляционной компоненты в рамках обобщенной многослоевой модели приводит к высокоточной оценке следующих фундаментальных параметров полупроводника: энергии межзонного перехода, величины и уровня модуляции поверхностного электрического поля, энергии уширения перехода, глубины области пространственного заряда и соотношения между величинами спектральных вкладов из различных подзон.

4. Возникновение спектральных компонент в области экситонных и примесных переходов при комнатной температуре вызвано двумя одновременно протекающими модуляционными процессами: быстрым процессом генерации неравновесных носителей заряда и относительно медленным процессом электромодуляции области пространственного заряда.

5. Алгоритм многокомпонентного количественного анализа Е0-спектров применим только после идентификации спектральных компонент и энергетической области их измерения.

6. Динамика возникновения модуляционных компонент определяется не только модуляционным процессом, но и пространственной удаленностью области их формирования.

7. Разработаны оригинальные экспериментальные методики для идентификации и спектрального разделения компонент спектров ФО на основе вариации параметров лазерного возбуждения.

Личный вклад автора. Автору принадлежит выбор направлений работы, постановка и реализация конкретных задач, решение которых позволило обосновать положения, выносимые на защиту, создание новых оригинальных экспериментальных методик, а также формулировка основных гипотез исследования. Автор самостоятельно провел большинство экспериментов и предпринял обобщение полученной информации, принимал непосредственное участие в обработке спектральных данных и обсуждении результатов. Вклад автора в работы, написанные в соавторстве, заключается в постановке и предложении методов решения рассматриваемых в них задач, исследовании наиболее сложных для анализа вопросов и анализе полученных результатов.

Апробация работы: Основные результаты докладывались и обсуждались на II семинаре по оптическим методам исследования поверхностей и границ раздела полупроводников в г. Берлине в 1991г. ("ЕРЮРТ1С"), на Хаймбахском семинаре по методам исследования поверхности в 1991 и 1992гг. (г. Люхен, ФРГ), на ежегодных конференциях немецкого физического общества в 1992г. (г. Регенсбург), 1993г. (г. Регенсбург), 1995г. (г. Берлин), 1996г. (г.Регенсбург), на школе-семинаре по оптическим методам исследования полупроводников (Технический университет, г. Берлин, 1992г.), на международной конференции Европейского исследовательского общества "Техника диагностики полупроводниковых материалов и контроль процессов их изготовления" (г. Страсбург, Франция, 1992г.), на семинаре по методам исследования механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах (университет им. Гумбольдта, г.Берлин, 1994г.), на европейско-американском семинаре по методам оптических исследований электронных материалов (г. Галле, ФРГ, 1994г.), на международной конференции по оптическим методам исследования полупроводников "HOLSOS" (г.Рим, 1995г.), на заседании американского исследовательского общества (г.Бостон, США, 1995г.), на международной конференции по изучению дефектов и моделированию процессов в полупроводниках (г. Аспен Лодж, Колорадо, 1995г.), на школе-семинаре университета Мартина-Лютера, г.Галле, ФРГ по прикладным методам физики твердого тела (1997г.), на 10-ой международной конференции по методам анализа поверхности (г.Бирмингем, Великобритания, 1998г.), на Всероссийских межвузовских научно-технических конференциях

Микроэлектроника и информатика" ( г. Зеленоград, 1998 и 1999гг.), на XVI научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (г. Ижевск, 1998), на Второй Российской конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния "Кремний-2000" (г. Москва, 2000г.), на международной конференции по методам анализа поверхностей и границ раздела в г. Пекине (2000г.). Кроме этого, результаты работы неоднократно докладывались на проблемных семинарах кафедры физики твердого тела и на ежегодных сессиях физического факультета ВГУ.

Публикации: Основной материал опубликован в 22 печатных работах в реферируемых отечественных и зарубежных журналах, а также в материалах конференций и семинаров.

Структура и объем работы: Диссертация состоит из введения, 5 глав, выводов и приложения. Общий объем работы составляет страниц текста, включая 159 рисунков, 15 таблиц и список литературы из 340 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Объединение фазового анализа с проведением серии измерений спектра ФО при различных значениях длины волны, плотности и частоты лазерного возбуждения в рамках одного эксперимента позволяет однозначно определить число спектральных компонент многокомпонентного спектра, пространственные области их возникновения и энергетические области их измерения, а также сделать выводы о природе модуляционных механизмов. В результате этого достигаются две основные предпосылки для проведения высокоточного многокомпонентного количественного анализа: определение числа спектральных компонент и обоснованный выбор адекватной модели для описания их спектральной формы.

Эффективность разработанного метода высокоточного анализа спектров ФО доказана на широком круге полупроводниковых материалов типа AUIBV и тонкопленочных структур, используемых в современной микро- и оптоэлектронике.

На основании проведенных исследований можно сформулировать следующие основные выводы:

1. Модуляционные процессы, протекающие при измерении при комнатной температуре Е0-спектров ФО прямозонных полупроводников группы AmBv, воздействуют не только на характеристики электронно-оптического перехода "валентная зона- зона проводимости", но и на оптические переходы в области дискретных экситонных и примесных переходов. Относительный вклад соответствующих компонент определяется как параметрами процесса измерения спектра, так и характеристиками исследуемого объекта.

2. Компонента Е0-спектров ФО, формирующаяся в области фундаментального перехода, возникает на основе эффекта Франца-Келдыша в результате электромодуляции области пространственного заряда. В использованном диапазоне значений плотности лазерного возбуждения 0.01Вт/см2-10 Вт/см2 величина электромодуляционного сигнала является линейной функцией фотонапряжения.

3. Моделирование электромодуляционной Е0-компоненты может быть проведено в рамках одноэлектронного приближения для трехмерной модели кристалла без учета кулоновского взаимодействия для свободных носителей заряда в зонах. В качестве адекватной модели для ее описания предлагается обобщенная многослоевая модель, описывающая возникновение сигнала в неоднородной по оптическим свойствам среде.

4. Количественный анализ среднеполевой электромодуляционной компоненты на основе обобщенной многослоевой модели позволяет провести высокоточную оценку следующих параметров: энергии фундаментального перехода, напряженности невозмущенного поверхностного электрического поля, глубины области пространственного заряда, уровня модуляции электрического поля при освещении, энергии уширения перехода, соотношения между величинами спектральных вкладов из различных подзон валентной зоны.

5. Возникновение спектральных компонент в области экситонных и примесных переходов при комнатной температуре вызвано двумя одновременно протекающими модуляционными процессами: быстрым процессом генерации неравновесных носителей заряда и относительно медленным процессом электромодуляции области пространственного заряда. Адекватной моделью для описания этих компонент является модель первой производной характеристики оптического перехода по модулируемому параметру.

6. Значение характеристической временной постоянной спектральной компоненты, представляющей собой время запаздывания модулированного сигнала отражения по отношению к сигналу возбуждения, определяется как видом модуляционного процесса, приводящего к ее появлению, так и пространственным расположением области возникновения этой компоненты.

7. Многокомпонентность измеряемого спектра устанавливается при помощи построения фазовой диаграммы, получаемой в рамках оригинальной методики фазового анализа. В случае спектрального наложения двух компонент форма линии каждой из компонент может быть получена в неискаженном виде при помощи измерений с предустановкой фазы фазочувствительного усилителя.

8. На основании различной зависимости амплитуд спектральных компонент от плотности лазерного возбуждения разработана методика идентификации модуляционных процессов для энергетических состояний в области фундаментального перехода.

9. Обнаружено, что изменение длины волны лазерного возбуждения воздействует на величину сигнала ФО, возникающего в области скрытой границы раздела тонкопленочной структуры, что позволяет произвести пространственную идентификацию компонент.

Разработанные теоретические положения и предложенный на их основе метод анализа спектров фотоотражения в совокупности можно квалифицировать как новое крупное научное достижение в области физики полупроводников - идентификация компонент модуляционных спектров фотоотражения и определение электронно-энергетической структуры прямозонных полупроводников группы AmBv.

Благодарности

Мне хотелось бы сердечно поблагодарить своего научного консультанта, д. ф-м. н., профессора Домашевскую Э.П. за помощь в выборе темы исследований и постоянную поддержку при выполнении работы и оформлении манускрипта.

Особую признательность автор выражает д-ру Ю. Шрайберу (естественнонаучный факультет университета им. Мартина Лютера, г. Галле, ФРГ) за прием в руководимую им группу, разрешение пользоваться находящимся в распоряжении группы оборудованием, за многочисленные дискуссии и идеи при проведении экспериментов.

Мне хотелось бы также выразить особую признательность д-ру С. Хильдебрандту за плодотворное сотрудничество при решении некоторых проблем, а также за ценные советы, оказавшие большую помощь при формулировке отдельных пунктов.

Мне хочется поблагодарить к. ф-м. н. А.В. Ганжу за его помощь при проведении экспериментов и количественном анализе данных.

Большинство использованных для исследований образцов были предоставлены в распоряжение проф. А. Шлахецким (технический университет Брауншвайг), проф. В. Рихтером и д-ром Н. Ессером (Берлинской технический университет) и так рано ушедшим от нас проф. Б.И. Сысоевым (Воронежская технологическая академия). Им выражается за это горячая признательность.

Автор также выражает благодарность всем сотрудникам кафедры твердого тела Воронежского государственного университета.

Автор глубоко признателен Немецкому Исследовательскому Обществу и Российскому Фонду Фундаментальных Исследований за финансовую поддержку исследований в рамках грантов Schl 9/25-1/2 (НИО) и 96-15-96496 (РФФИ).

1. Кардона М. Модуляционная спектроскопия.// Москва, Мир. -1972.-416с.

2. Adachi S. Physical properties of III- V semiconductor compounds.//New York, John Wiley and Sons.-1996.-318p.

3. Тягай В.А., Снитко O.B. Электроотражение света в полупроводниках.// Киев, Наукова думка. -1980.-304с.

4. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Volumen 17. Semiconductor. / Edittedby: O. Madelung, M. Schutz, K. Weiss. // Springer Verlag, Berlin. -1984.-582p.

5. Оптические свойства полупроводников. Справочник./ В.И. Гавриленко, А.М Греков, Д.В. Корбутяк. В.Г. Литовченко.// Киев, Накова думка.-1987.-608.с.

6. Fisher J.E., Aspnes D.E. Modulation spectroscopy. Parts I-III. // Comments on Solid State Physics B. -1973. P. 39-44, 131-137,159-165.

7. Enderlein R. Grundlagen, Stand und Entwicklung der Modulationsspektroskopie. // Z. elektr. Inform, u. Energietechnik, Leipzig.-1974.-Bd. 4.-Nr.6.- S.353-361.

8. Seraphin B.O. Electroreflectance Studies in GaAs. // J. Appl. Phys.-l 966,- V. 37.-No.2. -p.721-728.

9. Seraphin B.O. Optical Field Effect in Si. // Phys. Rev.- 1965,- V. 140. -No.5A.- p. A1716-A1725.

10. Seraphin B.O, Bottka N. Band-Structure Analysis from Electro-Reflectance Studies. // Phys. Rev.-1966. -V.145.- No.2.- p.628-636.

11. Seraphin B.O, Bottka N. Franz-Keldysh Effect of the Refractive Index in Semiconductors. //Phys. Rev. -1965. -V.139.-No.2A.-p. A560-A565.

12. Photoreflectance charakterization of OMVPE GaAs on Si. / N. Bottka, D.K. Gaskill, R.J.M. Griffiths, R.R. Bradley, T.B. Joyce, C. Ito, D. Mclntyre. // Journal of Crystal Growth. -1988- V.93.-p.481-486.

13. Modulation spectroscopy as a tool for electronic material characterization. / N. Bottka, D.K. Gaskill, R.S. Sillmon, R. Henry, R. Glosser. // Journal of Electronic Materials. -1988.- V.17.-No.2.-p.l61-170.

14. Fisher J.E., Aspnes D.E. Electroreflectance: a status report. // phys. stat. sol. (b). -1973- V. 55.-p.9-29.

15. Evangelisti F., Fischbach J.U., Frova A. Dependence of exciton reflectance on field and other surface characteristics: The case of InP. // Phys. Rev. В.- 1974.-V.9. No.4. - p.1516-1524.

16. Evangelisti F., Frova A., Patella P. Nature of the dead layer in CdS and its effect on exciton reflectance spectra. // Phys. Rev. В.- 1974,- V.10.-No.10,- p.4253-4261.

17. Evangelisti F., Frova A., Fischbach J.U. Electric-field-induced interference effects at the ground exciton level in GaAs. // Phys. Rev. Lett.-1972.- V.29.-No.l5.-p.1001-1004.

18. Nahory R.E., Shay J.L. Reflectance modulation by the surface field in GaAs. // Phys. Rev. Lett.-1968.-V.21.-No.23.-p. 1569-1571.

19. Gal M., Shi R., Tann J. On the nature of photoreflectance line shape in GaAs. // J. Appl. Phys. -1989.-V.66.-No.12.-p.6196-6198.

20. Glembocki O.J., N. Bottka, J.E. Furneaux. Effects of impurity transitions on electroreflectance in thin epitaxial GaAs and Ga^A^As/GaAs layers. // J. Appl. Phys.- 1985,- V.57.-No. 2.-P.432-437.

21. Room-temperature observation of impurity states in bulk GaAs by photoreflectance. / A.N. Pikhtin, V.M. Airaksinen, H. Lipsanen, T. Tuomi. // J. Appl. Phys. -1989. -V.65.-No. 6,- p.2556-2557.

22. Shay J.L. Photoreflectance line shape at the fundamental edge in ultrapure GaAs. // Phys. Rev. B. -1970.-V.2.-No.4.-p.803-807.

23. Photoreflectance from GaAs and GaAs/GaAs interfaces. / M. Sydor, J. Angelo, J.J. Wilson, W.C. Michtel, M. Y. Yen. // Phys. Rev. В. -1989,- V.40.-No.l2.-p.8473-8484.

24. Dow J.D. Final state interactions in the optical spectra of solids: elements of exciton theory. Chapter 2 in "Optical properties of solids. New developments". / Edited by B.O. Seraphin. // Amsterdam-Oxford-New York.-1976.- p.33-79.

25. Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in semiconductors: the excitonicabsorption edge. // Phys. Rev. В.-1970,- V.l.-No.8.-p.3358-3371.

26. Dow J.D., Redfleld D. Theory of exponential absorption edges in ionic and covalent solids. // Phys. Rev. Lett.-1971.-Y.26,- No.13.- p.762-764.

27. Lao B.Y., Dow J.D., Weinstein F.C. Excitonic theory of electroabsorption: Phonon-assisted indirect transitions in Si and Ge. // Phys. Rev. B. -1971.-V.4.-No.12- p. 4424-4438.

28. Lao B.Y., Dow J.D., Weinstein F.C. Excitons in indirect electroabsorption. // Phys. Rev. Lett. -1971,- V.26.-No.9.-p. 499-501.

29. Pond S.F., Handler P.Flatband electrorefletance of GaAs: 1. Experimental results. // Phys. Rev. В.-1972,- V.6.-N0.6.- p. 2248-2257.

30. Pond S.F., Handler P. Flatband electrorefletance of GaAs: Comparison of theory and experiment. // Phys. Rev. В.- 1973.-V.8.-No.6.-p. 2869-2879.

31. Silberstein R.P., Pollak F.H. Observation of exciton quenching in GaAs at room temperature using electrolyte electroreflectance. // Sol. State Commun. -1980.-Vo.33.-p.ll31-1133.

32. Weinstein F.C, Dow J.D., Lao B.Y. Optical response of semiconductors in electric fields: excitonic effects. // Phys. Rev. B.-1971.-V. 4. -No.10.-p.3502-3517.

33. Modelling of electrolyte electroreflectance of heavily doped n-type GaAs. / J.M.A. Gilman, R. Hutton, A. Hamnett, L.M. Peter. // Phys. Rev. B.-1993.-V.47.-No.20.-p.13453-13461.

34. Gilman J.M.A., Hamnett A., Batchelor R.A. Franz-Keldysh and band-filling effects in the electroreflectance of highly doped p-type GaAs. // Phys. Rev. B-1992.-V. 46.-No.20,- p.13363-13370.

35. Aspnes D.E. Modulation spectroscopy. Electric field effects on the dielectric function of semiconductors .In "Handbook on Semicondactors". / Ed. M. Balkawski. // North-Holland, New York. 1980,- Vol. 2,- p. 109-154.

36. Semiconductors and Semimetals.Vol.9. "Modulation Techniques". / Editted by R.K. Willardson, A.C. Beer. // Academic Press, New York and London.- 1972.-557p.

37. Semiconductors and Semimetals. Vol.32. "Strained-Layer Superlattices: Physics". / Editted by R.K. Willardson, A.C. Beer. Volume Editor T.P. Pearsall. // Academic Press, New York and London.-1990.-276p.

38. Glembocki O.J, Shanabrook B.V. Photoreflectance spectroscopy of micro structures. In: The spectroscopy of semiconductors and semimetals. // Academic Press, New York and London.- 1992.-V.36,- p.221-292.

39. Pollak F.H. Contactless electromodulation investigations of surface/interface electric fields in semiconductor microstructures. // Journal of Vacuum Science & Technology B. -1993.-V.ll.-No.4. -p.1710-1716.

40. Pollak F.H. Modulation spectroscopy of semiconductor microstructures. // Superlattices and microstructures.- 1991.-V.10.-No.3.-p.333-346.

41. Pollak F.H., Cardona M. Piezo-Electroreflectance in Ge, GaAs and Si. // Phys. Rev.- 1968.-V.172.-No.3.-p.816.

42. Pollak F.H., Cardona M., Shaklee K.L. Piezoelectroreflectance in GaAs. // Phys. Rev. Lett. 1966. -V.16.-No.21.-p.942-944.

43. Pollak F.H., Shen H. /Modulation spectroscopy characterization of MOCVD semiconductors and semiconductor structures. // J. of Crystal Growth.-1989.-V.98.-p.53-64.

44. Pollak F.H., Shen H. Modulation spectroscopy in superlattices. // Superlattices and Microstructures. -1989.-V.6.-No.2.-p.203-212.

45. Pollak F.H., Shen П. Modulation spectroscopy of semiconductors: bulk/thin film, microstructures, surfaces/interfaces and devices. // Materials Science and Engineering. -1993.-V. RIO.-p.275-374.

46. Pollak F.H., Shen H. Photoreflectance charakterization of semiconductors and semiconductor heterostructures. // J. of Electronic Materials.-1990-V.19.-No.5.-p.399-406.

47. Gay J. G., Klauder L. T. Mechanism for the photoreflectance effect. // Phys. Rev.-1968.- V.17.- No.3.- p. 811-812.

48. Vacuum electroreflectance, electrolyte electroreflectance and photoreflectance study of highly doped GaAs. / S.L. Mioc, Z. Zhang, J.W. Garland, P.M. Raccah.

49. SPIE.-1993.-V.1985.-p. 426-432.

50. Fourier transform analysis of electromodulation spectra: Effects of the modulation amplitude. /V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A. S. Terekhov, R.L. Tober. //Appl. Phys. Lett. -1997.-V. 71.-No.19. -p.2788-2790.

51. Mochizuki Y., Mizuta M. Electroreflectance investigation of trapping states at Si02/GaAs interfaces. // Appl. Surf. Sci.- 1997.-V.117/118.-p.614-618.

52. Aspnes D.E. Schottky-barrier electroreflectance in Ge: Nondegenerate and orbitally degenerate critical points. //Phys. Rev. B.-1975.-V.12.-No.6.-p. 22972309.

53. Use of the electroreflectance technique in Pt/GaAs Schottky barrier sensor characterization/ L.M. Lechuga, G. Armelles, A. Calle, D. Golmayo, F. Briones. // Sensor and Actuators A.-1992.-V.32-p. 354-356.

54. Shi Z.Q, Andereson W.A. Electroreflectance and deep-level transient spectroscopy studies of metal/n-InP interfaces. // J. Appl. Phys. -1991.-V.70.-No. 6.-p.3137-32140.

55. Wang D.P. Electroreflectance of Ag/GaAs. // Journal of Vacuum Science & Technology B.-1994.-V.12.-No.6.- P.3103-3106.

56. Electroreflectance of surface-intrinsic- n+-type doped GaAs. / D.P. Wang, K.M. Huang, T.L. Shen, K.F. Huang, T.C. Huang. //J. Appl. Phys. -1997-V. 82.-No. 6.-p.3089-3091.

57. Aspnes D.E., Frova A. Ge-aqueous-electrolyte interface: Electrical properties and electroreflectance at the fundamental direct threshold. // Phys. Rev. В. -1970,-V.2.-No.4.-p. 1037-1052.

58. Line shape of electromodulation in uniform electric field of delta -doped GaAs. / T.M. Hsu., Y.A. Chen, M.N. Chang,. N.H. Lu, W.C. Lee. // J. Appl. Phys. -1994.-V.75.-No.11.-p.7489-7492.

59. Silberstein R.P., Pollak F.H. Investigation of the semiconductor-oxide electrolyte interface in GaAs utilizing electrolyte electroreflectance. // J. Vac Sci. Technol.-1980.-V.17.-No.5.-p. 1052-1056.

60. Tiong K.K., Shou T.S. Anisotropic electrolyte electroreflectance study of rhenium-doped MoS2. // J. Phys.: Condens. Matter.-2000.-V. 12. -p.5043-5052.

61. Gilman J.M.A. Batchelor R.A. Hamnett A. /Surface processes at electrolyte/highly doped semiconductor interfaces analysed by electroreflectance modelling. // Journal of the Chemical Society Faraday Transactions.-1993.-V.89.-No.ll,-p.1717-1722.

62. Mioc S.L., Raccah P.M., Garland J.W. New technique for obtaining the electroreflectance spectrum: vacuum electroreflectance. // SPIE. -1992,- V. 1678,-p.296-305.

63. Mioc S.L., Raccah P.M., Garland J.W. Vacuum electroreflectance: overcoming the difficulties of electrolyte electroreflectance and photoreflectance. // Mat. Res. Soc.- 1992.-V.261.-p. 45-50.

64. Contactless electromodulation for in situ characterization of semiconductor processing. / X.Yin, X. Guo, F.H. Pollak, Y. Chan, G.D.Pettit, D.T. Mclnturff, J.M. Woodall. //Appl. Surf. Sci.-1993.-V.63.-p.163-166.

65. Nature of band bending at semiconductor surfaces by contactless electroreflectance. / X.Yin, X. Guo, F.H. Pollak, G.D.Pettit, J.M. Woodall, T.P. Chin, C.W. Tu. //Appl. Phys. Lett. -1992,- V.60.-No.ll.-p.l336-1338.

66. Yin, X., Pollak P.H./Novel contactless mode of electroreflectance.// Appl. Phys. Lett. -1991. -V.59.-No.18. -p.2305-2307.

67. A study of the Franz-Keldysh oscillations in electromodulation reflectance of Si-delta-doped GaAs by a fast Fourier transformation. / W.-H. Chang, T.M. Hsu, W.C. Lee, R.S. Chuang. // J. Appl. Phys.-1998.-V.83,- No.l2.-p.7873-7878.

68. Temperature dependence of the band-edge exciton of Zn088Mg() j2S0 i8Se0 82 epilayer on GaAs. / H.J. Chen, D.Y. Lin, Y.S. Huang, R.C. Tu, Y.K. Su, K.K. Tiong. // Semicond. Sci. Technol.- 1999.-V.14.-p.85-88.

69. An analysis of temperature dependent piezoelectric Franz-Keldysh effect in

70. AlGaN. / Y. Т. Hou, K.L. Teo, M.F. Li, K. Uchida, T. Hiroki, A. Nakao, M. Koh. //Appl. Phys. Lett.-2000.- V.76.-No. 8.-p.l033-1035.

71. Shen H., Dutta M. Sweeping photoreflectance spectroscopy of semiconductors. // Appl. Phys. Lett.-1990.- V.57.-No.6-p.587-589.

72. Aspnes D.E. Third-Derivative Modulation Spectroscopy with Low-Field Electroreflectance. // Surf. Sci. -1973.-V. 37,- p.418-441.

73. Shen H., Dutta M. Franz-Keldysh oscillations in modulation spectroscopy. // J. Appl. Phys. -1995.-V.78.-No.4.-p.2151-2176.

74. Petsch H.U. Photoreflexions- und Photolumineszenzuntersuchungen an GaAs-Oberflachen. Diss. A, Halle.-1986.-152S.

75. Neumann H. Comparative consideration of photoreflectance and electroreflectance spectra of semiconductors (1). Theoretical relations. // Cryst. Res Technol. -1992,-V.27.-No.3.-p.395-401.

76. Neumann H., Bouamama K. About the reliability of approximate methods for analysing photoreflectance spectra of semiconductors. // Cryst. Res. Technol.-1992.-V.27.-No.6.-p.851-861.

77. Estrera J.P., Duncan W.M., Glosser R. Complex Airy analysis of photoreflectance spectra for III-V semiconductor. // Phys. Rev. В. -1994,- V.49.-No.ll-p.7281-7294.

78. Bouamama Kh., Neumann H. Comparative consideration of photoreflectance and electroreflectance spectra of semiconductors (2). // Cryst. Res. Technol.-1992-V. 27.-N0.4. -p.491-502.

79. Идентификация многокомпонентной природы Е0-спектров фотоотражения на среднелегированных подложках GaAs. / Р.Кузьменко, А.Ганжа, Й.Шрайбер, С.Хильдебрандт. // ФТТ,- 1997.-Т.39.-№12.-с.2123-2129.

80. Фазочувствительный анализ спектров фотоотражения n-GaAs. /А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. // ФТП.-1998,-Т.32 -№3.-с. 272-277.

81. Деформационно-индуцированные спектры фотоотражения в области перехода Е0 на гетероструктурах GaAs/Si и InP/Si. / Р.В. Кузьменко, А.В.

82. Ганжа, О.В. Бочурова, Э.П. Домашевская, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт, Ш.Мо, Э. Пайнер. // ФТТ.-1999.-Т.41.- №4,- С.725-731.

83. Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Домашевская Э.П. Комбинированная методика исследования многокомпонентных спектров фотоотражения полупроводников. // ФТП,- 2002-Т.36-№1 -С. 52-58.

84. Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. Идентификация электронно-оптических переходов в области примесных состояний в Е0-спектрах фотоотражения GaAs. // ФТП -2002- Т.36.-№3.-С.278-281.

85. Cardona М., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectance at a Semiconductor-Electrolyte Interface. // Phys. Rev. V.154.-No.3.-p.696-720.

86. Temperature dependence of the direct band gap of InxGa!xAs (x=0.06 and 0.15). /Z. Hang, D. Yan, F.H. Pollak, G.D. Pettit, J.M. Woodall. // Phys. Rev. B.-1991 .-V.44.-No. 19.-p.10546-10550.

87. Photoreflectance of GaAs and Ga0 82A1018As at elevated temperatures up to 600 °C. / H.Shen, S.H. Pan, Z. Hang, Jing Leng, F.H. Pollak, J.M. Woodall, R.N. Sacks. // Appl. Phys. Lett.-1988.-V.53.-No.l2.-p.l080-1082.

88. Interband critical points of GaAs and their temperature dependence. / P.Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, M. Cardona. // Phys. Rev. B. -1987.-V.35.-No.17.-p. 9174-9189.

89. Hang Z., Shen H., Pollak F.H. Temperature dependence of the E0 and E0+A0 gaps of InP up to 600 °C. // Sol. State Commun. -1990.-V.73.-No. 1.-p. 15-18.

90. Lautenschlager P., Garriga M., Cardona M. Temperature dependence of the interband critical-point parameters of InP. // Phys. Rev. B.-1987.-V.36.-No.9-p.4813-4820.

91. Stress induced E0 photoreflectance spectra on GaAs/Si and InP/Siheterostructures. /R. Kusmenko, A. Gansha, J. Schreiber, W. Kircher, S. Hildebrandt. / /phys. stat. sol. (a).- 1995 V.152.-p. 133-146.

92. Investigations on epitaxial and processed InP by optical photoreflectance spectroscopy. / S. Hildebrandt, J. Schreiber, R. Kusmenko, A. Gansha, W. Kircher, L. Horing. // IOP.- 1996,- Vol.149. p.165-170.

93. Quantitative photoreflectance experiments on indium phosphide surfaces and structures. / S. Hildebrandt, J. Schreiber, R. Kusmenko, A. Gansha, W. Kircher, L. Horing. //Mat. Res. Soc. 1996 - Vol. 406. -p. 259-264.

94. Photoreflectance study on the effect of lattice defects in InP on (001) Si. / S. Mo, E. Peiner, A. Bartels, G.-P. Tang, A. Schlachetzki, R. Kusmenko, S. Hildebrandt, J. Schreiber. // Jpn. J. Appl. Phys.-1996- Vol. 35,- No. 8.- p.4238-4246.

95. Determination of the fundamental and split-off band gaps in zinc-blende CdSe by photomodulation spectroscopy. / W.Shan, J.J. Song, H. Luo, J.K.Furdyna. // Phys. Rev. В.-1994,- V.50.-No.ll.-p.8012-8015.

96. Rowe J.E., Aspnes D.E. Approximate treatment of exciton effects in electric field modulation via the Slater-Koster interaction. // Phys. Rev. Lett.-1970.-V.25.-No.3.-p.l62-165.

97. Interbandubergange in Si im Bereich (3.4) eV. / H. Roppischer, B. Feldmann, R. Juferev, W. Kiunke, J. Eisele. // Vortrag, Fruhjahrstg. des Arbeitskr. Festkorperphys. bei der Dt. Phys. Gesell., AG "Halbleiterphysik", Berlin.- 1995.

98. W. Franz. EinfluB des elektrischen Feldes auf optische Absorptionskante. // Z. Naturforsch.-1958,- V.13.-No.6.- S.484-489.

99. Л.В.Келдыш. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. // ЖЭТФ,- 1958,- Т.34.-№5,- с. 1138-1141.

100. Photoreflectance study on the surface states of n-type GaN. / W. Liu, M.F. Li, S.J. Chua, N. Akutsu, K. Matsumoto. // Semicond. Sci. Technol.-1999.-V.14.-p.399-402.

101. Evolution of electronic properties at the p-GaAs(Cs,0) surface during negative electron affinity state formation. / V.L. Alperovich, A.G. Paulish, H.E. Scheibler,

102. A.S. Terekhov. //Appl. Phys. Lett. -1995.-V.66.-No.16.-p. 2122-2124.

103. Alperovich V.L, Paulish A.G., Terekhov A. S. Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs(Cs,0) at room temperature. // Phys. Rev. B. -1994. V.50.-No.8.-p.5480-5483.

104. Alperovich V.L., Paulish A.G., Terekhov A.S. Unpinned behavior of the electronic properties of a p-GaAs(Cs,0) surface at room temperature. // Surf. Sci. -1995.-V.331-333. p.1250-1255.

105. In-situ reflectance-difference spectroscopy of GaAs grown at low temperatures. / G. Apostolopoulos, J. Herfort, W. Ulrici, L. Daeweritz, K.H. Ploog. // Phys. Rev.

106. B.-1999.-V.60.-No.8.-p.R5145-R5148.

107. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs(100) surfaces. / W. Chen, M. Dumas, D. Mao, A. Khan. // J. Vac. Sci. Technol. B.-1992.-V.10.-No.4.-p.l886.

108. Reflectance-difference spectroscopy studyof the Fermi-level position of low-temperature-grown GaAs. / Y.H. Chen, Z. Yang, R.G. Li, Y.Q. Wang, Z.G. Wang. // Phys. Rev. B. -1997.-V.55.-No.12.-p. R7379-R7382.

109. Effects of electron cyclotron resonance etching on the ambient (100) GaAs surface. / O.J. Glembocki, J.A. Tuchman, K.K. Ко, S.W. Pang, A. Giordana, R. Kaplan, C.E. Stutz. //Appl. Phys. Lett.- 1995.-V.66.-No.22.-p. 3054-3056.

110. Fermi level of low-temperature-grown GaAs on Si-delta-doped GaAs. / T.M. Hsu, W.C. Lee, J.R. Wu, J.-I. Chyi. //Phys. Rev. B.-1995.-V.51.-No.23.-p.l7215-17218.

111. Photoreflectance of semi-insulating InP: Resistivity effects on the on the exciton phase. / A.K. Berry, D.K. Gaskill, G.T. Stauf, N. Bottka. // Appl. Phys. Lett-1991,- V.58.-No.24.-p.2824-2826.

112. Characterization of InP 5-doped with Er by FFT photoreflectance. / J. Nukeaw, J.

113. Matsubara, N. Fujiwara, Y. Takeda. // Appl. Surf. Sci.-1997.-V.117-118.-p.776-780.

114. Observation of trap states in Er-doped InP by photoreflectance. / J. Nukeaw, N. Yanagisawa, Y. Matsubara, Y. Fujiwara, Y. Takeda. // App. Phys. Lett.-1997.-V.70.-No.l.-p.84-86.

115. Built-in electric field and surface Fermi level in InP surface-intrinsic-n+ structures by modulation spectroscopy. / J.S. Hwang, W.Y Chou, M.C. Hung, J.S. Wang,

116. H.H. Lin. //J. Appl. Phys.-1997.-V.82.-No.8.-p.3888-3890.

117. Пасынков B.B., Чиркин JI.K. Полупроводниковые приборы. // Москва, Высшая школа. -1987.-479с.

118. Ditchfield R., Llera-Rodriguez D., Seebauer E.G. Semiconductor surface diffusion: Nonthermal effects of photon illumination. // Phys. Rev. B.-V.61.-No.20.-p. 13710-13720.

119. Hecht M.H. Role of photocurrent in low-temperature photoemission studies of Schottky-barrier formation. // Phys. Rev. B.-1990.-V.41.-No.ll.-p.7918-7921.

120. Paget D., Daineka D.V. Photoreflectance spectroscopy investigation of the temperature dependence of the photovoltage of clean and cesiated GaAs(OOl). // Surf. Sci. -1999.-V.441.-P.149-157.

121. Photoreflectance study of H2S plasma-passivated GaAs surface. / H. Shen, W.Zhou, J. Pamulapati, F. Ren. // Appl. Phys. Lett. -1999.-V.74.-No.10.- p. 14301432.

122. Photoreflectance study of the surface Fermi level at (001) n-type and p-type GaAs surfaces. / X. Yin, H.-M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. WoodaU. // J. Vac. Sci. Technol. А.-1992,- V.10. -No.1.-p. 131-136.

123. Dynamics of photoreflectance from undoped GaAs. / H. Shen, M. Dutta, R. Lux, W. Buchwald, L. Fotiadis, R.N. Sacks. // Appl. Phys. Lett. -1991.-V.59.-No.3.-p. 321-323.

124. Deep-level characterization on n-type GaAs by photoreflectance spectroscopy. / T. Kanata, M. Matsugana, T. Takakura, Y. Hamakawa, T. Nishino. // J. Appl.

125. Phys. -1991.-V.69.-No.6.-p.3691-3695.

126. Enderlein R., Keiper R., Tausendfreund W. Theory of Stark effect in crystalls. // phys. stat. sol.-1969.-V.33.-p.69-83.

127. Aspnes D.E. Electric Field Effects on Optical Absorption near Thresholds in Solids. / Phys. Rev. -1966.-V.147.-No.2.- p.554-565.

128. Study of surface field in n-type GaAs before and after surface doping with H2 / L. Kassel, J.W. Garland, P.M. Raccah, C. Coluzza, A. Neglia, A. DiCarlo. // Appl. Surf. Sci.-1992.-V. 56-58.-p. 356-362.

129. Kusmenko R. Photoreflexionsspektren an Oberflaechen und Grenzflaechen von n-GaAs. // Dissertation A, Halle.-1993,-119S.

130. Aspnes D.E. Electric Field Effects on the Dielectric Constant of Solids. // Phys. Rev. -1967. -V.153. -No.3.- p.972-982.

131. Aspnes D.E. Band nonparabolicities, broadening and internal field distributions: The spectroscopy ofFranz-Keldysch-Oszillations. // Phys. Rev. B. -1974. -V.10.-No.10.- p.4228-4238.

132. Aspnes D.E., Studna A.A. Schottky-Barrier Electroreflectance: Application to GaAs. // Phys. Rev. B. -1973. -V.7.-No.l0.-p.4605-4625.

133. Optical characterization of the electrical properties of processed GaAs. / O.J. Glembocki, J.A. Dagata, E.S. Snow, D.S. Katzer. // Appl. Surf. Sci. -1993.-V.63,-p.143-152.

134. Determination of surface state density for GaAs and InALAs by room temperature photoreflectance. / G.S. Chang, W.C. Hwang, Y.C. Wang, Z.P. Yang, J.S. Hwang. //J. Appl. Phys. -1999.-V. 86.-No.3.-p.l765.

135. Effect of modulating field on photoreflectance simulated by electroreflectance. / S.J. Chiou, Y.G. Sung, D.P. Wang, K.F. Huang, T.C. Huang, A.K. Chu. //J. Appl. Phys.-1999.-V. 85,- No. 7.-p.3770-3773.

136. Behn U, Roppischer H. Effect of back-surface reflection on electroreflectance spectra of GaAs.// phys. stat. sol. (b).-1987.-V.141.-p. 325-332.

137. Grover J., Koepen S., Handler P. Electro-Optic Functions for Interpretation of Exprimental Data. // Phys.Rev. B.-1971.-V4. No.8.-p.2830-2833.

138. Enderlein R. The influence of collisions on the Franz-Keldysh effect. // phys, stat. sol. -1967.-V.20.-p.295-299.

139. Enderlein R., Keiper R. On the dielectric function of a semiconductor in an external electric field, //phys. stat. sol.- 1967.-V.23. -p.127-136.

140. Lautenschlager P., Allen P.B., Cardona M. Photon-induced lifetime broadenings of electronic states and critical points in Si and Ge. // Phys. Rev. B.-1986.-V.33.-No.8.-p.5501-5511.

141. Photomodulation study of partially strained h^Ga^As layers. / J.H. Chen, W.S. Chi, Y.S. Huang, Y. Yin, F.H. Pollak, G.D. Pettit, J.M. Woodall. // Semicond. Sci. Technol.-1993-V.8.-p. 1420-1425.

142. Aspnes D.E., Frova A. Influence of spatially dependent perturbations on modulated reflectance and absorbtion of solids. // Solid State Commun.- 1969.-V.7.-p.155-159.

143. Gobrecht H., Thull R., Baurschmidt P. Die Struktur von ER-Spektren dotierter Halbleiter. //Z. Naturforsch. -1971.-B.26a.-S. 2039-2043.

144. Batchelor R.A., Brown K.W., Hamnett A. Theoretical and experimental results for p-type GaAs electrolyte electroreflectance. // Phys. Rev. B. -1990.-V.41,-No.3.-p.1401-1412.

145. An electroreflectance study of n- and p-type GaAs in aqueous electrolytes. / R.A. Batchelor, A. Hamnett, R. Peat, L.M. Peter. // J. Appl. Phys. -1991- V.70.-No.l-p.266-276.

146. Batchelor R.A., Hamnett A. A Franz-Keldysh model for photoreflectance from GaAs/GaAlAs heterojunction structures. // J. Appl. Phys. -1992.-V.71.-No.5.-p. 2414-2422.

147. Batchelor R.A., Hamnett A. E, electrolyte electroreflectance of GaAs modeled by Franz-Keldysh theory. //J. Appl. Phys. -1992.-V.71.-No.3.-p. 1376-1382.

148. Behn U., Roppischer H. Field-iiAomogeneity-induced lineshape rotation observed in room-temperature electroreflectance spectra of GaAs. II J. Phys. С.-1988,-V.21.-p.5507-5519.

149. Jackson P.L., Seebauer E.G. Accurate methods for simulating electroreflectance and photoreflectance spectra of GaAs. II J. Appl. Phys. -1991.-V.69.-No.2.-p.943-948.

150. Analysis of synchronousphase, pump power and wavelength dependent complex PR spectra from GaAs MBE structures. / S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber. //phys. stat. sol. (a). 1995,-Vol. 152,- p.147-160.

151. Jaeger A., Weiser G., Wiedemann P. Inhomogeneous exciton broadening and mean free path in In^GaxASyP, y-InP heterostructures. // IEEE Journal of selected topics in quantum electronics.-1995.-V.l.-No.4.-p.lll3-1117.

152. Hughes P.J., Weiss B.L, Hosea T.J.C. Analysis of Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra of a AlGaAs/GaAs single-quantum well structure. // J. Appl. Phys.-1995.-V.77.-No.12.-p. 6472-6480.

153. A study of Franz-Keldysh oscillations of GaAs/Si/GaAs and AlAs/Si/AlAs heterostructures. /М. Melendez-Lira, S. Jimenez-Sandoval, M. Lopez-Lopez, I. Hernandez-Calderon, T. Kawai, К. Рак, H. Yonezu. // J. Appl. Phys. -1994.-V.76.-No.6.-p.3616-3619.

154. Unambiguous photoreflectance determination of the electric fields using phase suppression. / S.L. Tyan, Y.C. Wang, J.S. Hwang, H. Shen. // Appl. Phys. Lett.-1996.-V.68.-No.24.-p.3452-3454.

155. Wang, D.P., Chen C.T. Fast Fourier transform of photoreflectance spectroscopy of delta-doped GaAs. //Appl. Phys. Lett.-1995-V. 67.-No.14.-p. 2069-2071.

156. Franz-Keldysh oszillations originating from a well-controlled electric field in the

157. GaAs depletion region. / C. Van Hoof, K. Denette, J. De. Boeck, D.J. Arent, G. Borgons. // Appl. Phys. Lett. -1989-V.54.-No.7.-p. 608-610.

158. Shen H., Pollak F.H. Generalized Franz-Keldysh theory of elektromodulation. // Phys. Rev. В.-1990,- V.42.-No.ll.-p. 7097-7102.

159. Del Sole R. Surface effects in electroreflectance. // Solid State Commun. -1976,-V.19.-p.207-211.

160. Del Sole R. Surface effects on reflectance: role of the crystal termination. // J. Phys. C.-1975.-V. 8. -p.2971-2984.

161. Blossey D.F. Wannier Exciton in an Electric Field. I. Optical Absorption by Bound and Continuum States. // Phys. Rev. B.-1970.-V.2.-No.l0.-p.3976-3990.

162. Blossey D.F. Wannier Exciton in an Electric Field II.Electroabsorption in Direct-Band-Gap Solids. // Phys. Rev. B.-1971.-V.3.-No.4.-p. 1382-1391.

163. Aspnes D.E. Direct Verification of the Third-Derivative Nature of Electroreflectance Spectra. //Phys. Rev. Lett.-1972.-V.28.-No.3.-p.l68-171.

164. Hader J., Linder N., Doehler G.H. k*p theory of the Franz-Keldysh effect. // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-No.ll.-p.6960-6974.

165. Determination of Charge Carrier Concentration from Low-Field Electroreflectance Spectra. /R. Wolf, W. Kiihn, R. Enderlein, H. Lange. //phys. stat. sol. (a).-1977.-V.42.-p.629-637.

166. Aspnes D.E., Rowe J.E. High -resolution interband energy measurements from electroreflectance spectra. //Phys. Rev. Lett.-1971. -V. 27.-No.4.-p.l88-190.

167. Determination of accurate critical-point energies, linewidths and line shapes from spectroscopic ellipsometry data. / J.W. Garland, C.C.Kim, H. Abad, P.M. Raccah. // Thin Solid Films. -1993-V. 233.-p.l48-152.

168. Determination of accurate critical-point energies, linewidths and line shapes from optical data. / J.W. Garland, C.C. Kim, H. Abad, P.M. Raccah. // Phys. Rev. B.-1990 .-V .41 .-No. 11 .-p.7602-7610.

169. Garland J.M., Raccah P.M. Generalized theory of electroreflectance with applications to material characterization. // SPIE.-1986.-V.659.-p.32-43.

170. Structural and optical properties of CuInS2 bulk crystals. / M. Angelov, R.

171. Goldhahn, G. Gobsch, M. Kanis, S. Fiechter. // J. Appl. Phys. -1994.-V.75,-No. 10.-p.5361-5366.

172. Nolte D., Melloch M. Bandgap and defect engineering for semiconductor holographic materials. Photorefractive quantum wells and thin films. // MRS BULLETIN, MARCH 1994.-p. 44-49.

173. Кравченко А.Ф., Терехов A.C. Влияние экситонных эффектов на осцилляции электропоглощения GaAs. // ФТП.-1975.-Т.9.-№1.-с. 125-129.

174. Dynamics of electric field screening in a bulk GaAs modulator. / H. Heesel, S. Hunsche, H. Mikkelsen, T. Dekorsy, K. Leo, H. Kurz. // Phys. Rev. В.-1993,-V.47.-No.23.-p. 16000-16003.

175. Adachi S. Excitonic effects in the optical spectrum of GaAs. // Phys. Rev. B. -1990.-V.41 -No.2.-p. 1003-1013.

176. Albers. W.A. Screening of bound-state excitons in modulated reflectance. // Phys. Rev. Lett.-1969.-V. 23.-No.8.-p.410-413.

177. Excitonic transitions in GaAs/Ga^Al^As quantum wells observed by photoreflectance spectroscopy: Comparison with a first-principles theory. // W.M. Theis, G.D. Sanders, C.E. Leak, K.K. Bajaj, H. Morkoc. //Phys. Rev. В.-1988,-V. 37.-No.6.-p.3042-3051.

178. Semi-insulating InP characterized by photoreflectance. / D.K. Gaskill, N. Bottka, G. Stauf, A.K. Berry. // ЮР.-1992,- V.120.-p.259-262.

179. Below gap photoreflectance of semi-insulating GaAs. / H. Roppischer, N. Stein, U. Behn, A.B. Novikov. // J. Appl. Phys. -1994.-V.76.-No.7-p.4340-4343.

180. Wang R., Jiang D. Photoreflectance spectroscopy of semi-insulating GaAs. II J. Appl. Phys. -1992.-V.72.-No.8.-p.3826-3828.

181. Isotope effects on exciton energies in CdS. / J.M. Zhang, T. Ruf, R. Lauck, M. Cardona. // Phys. Rev. B.-1998.-V.57.-No.l6.-p.9716-9722.

182. Optical study of band bending and interface recombination at Sb, S and Se covered gallium arsenide surfaces. / S. Hildebrandt, J. Schreiber, W. Kircher, R. Kusmenko. II Appl. Surf. Sci.- 1993. Vol.63 .-p. 153-157.

183. Silberstein R.P., Pollak F.H. Optical and modulated optical investigation of thesemiconductor-oxide-electrolyte interface in GaAs. // Surf. Sci.-1980.-V.101,-p.269-276.

184. Mohler E. Excitonic electroreflectance of CuCl. // phys. stat. sol. -1970.-V.38,-p.81-87.

185. Gay J.G. Screening of excitons in semiconductors. // Phys. Rev. B.-1971.-V.4.-No.8.-p.2567-2575.

186. Bicelli L.P. Excitonic interference phenomena in electrolyte electroreflectance: application to n-CuInSe2. // J. Appl. Phys.-1987.-V.62.-No.ll.-p.4523-4527.

187. Gahwilier C., Harbeke G. Excitonic effects in the electroreflectance of lead iodide. //Phys. Rev. -1969.-V.185.-No.3.-p.l 141-1150.

188. Ганжа A.B. Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы AnIBv и полупроводниковых структур на их основе. // Кандидатская диссертация, Воронеж.-2000.-121с.

189. Simulation der PR-Spektren an E0- und E r Uebergaengen von III-V-Verbindungshalbleitern. /R. Kusmenko, W. Kircher, J. Schreiber, S. Hildebrandt. // Heimbach-Seminar "Grenzflachenanalyse" der TU Berlin, Lychen. 1991.

190. Моделирование и анализ тонкой структуры в спектрах фотоотражения прямозонных полупроводников в области фундаментального перехода. /

191. Р.В. Кузьменко, А.В. Ганжа, Э.П. Домашевская. // XVI научная школа-семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь", Ижевск. 1998.-c.26.

192. Lange Н. The influence of an electric field on the B, n=l ground state exciton line of CdS andCdSe single crystals, //phys. stat. sol. (b).-1971.-V.48.-p.791-795.

193. Line shape of the optical dielectric function. / J.W. Garland, H. M. Abad, P.M. Viccaro, P.M. Raccah. // Appl. Phys. Lett. -1988.-V.52.-No.14.-p.-l 176-1178.

194. An electroreflectance study of CdTe. / W.S. Enloe, J.C. Parker, J. Vespoli, Т.Н. Myers. II J. Appl. Phys.-1987.-V.61.-No.5.-p.2005-2010.

195. Temperature dependence of the energies and broadening parameters of the interband excitonic transitions in wurtzite GaN. / C.F. Li, Y.S. Huang, L. Malikova, F.H. Pollak. // Phys. Rev. B.-1997.-V.55.-No.l5.-p.9251-9254.

196. Shields A.J., Klipstein P.C., Apsley N. Lineshape broadenig and polarisation dependence of electroreflectance spectra of single quantum wells. // Semicond. Sci. Technol. -1989,- V.4.- p. 476-485.

197. Pollak F.H., Glembocki O.J. Modulation spectroscopy of semiconductor microstructures: an Overview. // SPIE.-1988.-V.946.-p.2-35.

198. Shanabrook B.V., Glembocki O.J., Beard W.T. Photoreflectance modulation mechanisms in GaAs-Al^Ga^As multiple quantum wells. // Phys. Rev. В.-1987,-V.35.-No.5.-p.2540-2543.

199. Hosea, T.J.C. Improved three-point and four-point methods of analysing modulated reflectance spectra. // phys. stat. sol. (b).-1993.-V.178.-p.K47-K52.

200. Grover J., Handler R. Comment of electroreflectance curve fitting. // Phys. Rev. B.-1972.-V.6.- No.8.-p.3145-3147.

201. Dow J.D., Weinstein F.C. , Lao B.J. Electroreflectance line-shape analysis. // Phys. Rev. В.-1972,- V.6.-No.8.-p.3148-3150.

202. Raman and photoreflectance studies of electronic band bending at ZnSe/GaAs interfaces. / O. Pages, H. Erguig, V. Wagner, A. Zaoui, J.P. Laurenti, J. Gueurts, H. Aourag, R.L. Aulombard, M. Certier. // Thin Solid Films.-1998.-V.336.-p.381-385.

203. He L., Anderson W.A. The influence of plasma etching on trap levels in InP. // Journal of Electronic Materials.-1992.-V. 21.-No.l.-p.39-43.

204. He, L., Anderson, W.A. Photoreflectance and electrical charakterization of Si-implanted GaAs. //Journal of Electronic Materials.-1991.-V. 20.-No.5.-p.359-364.

205. He L., Shi Z.Q., Anderson W.A. Photoreflectance study of plasma etching effect on InP. // Conf. Title: Third International Conference. Indium Phosphide and Related Materials, IEEE.- 1991,- p. 531-539.

206. Oh Y.T., Kim T.W., Kang T.W. Effect of thermal annealing on the optical properties of Li+-implanted GaAs. //Appl. Surf. Sci.-1999.-V.147.-p.ll4-118.

207. Interpretation of near-band-edge photoreflectance spectra from CdTe. / Z.Yu, S.G.Hofer, N.C. Giles, Т.Н. Myers, C.J. Summers. // Phys. Rev. B.-1995.-V. 51.-No.l9.- p.13789-13792.

208. Lange H., Gutsche E. Electroabsorption of CdS and CdDe single crystals in the exciton region. // phys. stat. sol. -1969.-V.32.-p.293-309.

209. Tober R.L., Bruno J.D. Modulation effects near the GaAs absorption edge. // J. Appl. Phys. -1990-V.68.-No.12.-p. 6388-6392.

210. Bhimnathwala H., Borrego J.M. Surface characterization of LEC SI-GaAs using photoreflectance with sub-bandgap excitation. // Solid-State Electronics.-1992,-V.35.- No.10.-p.1503-1511.

211. Optical and structural properties of low temperature GaAs layers grown by molecular beam epitaxy. / A.A. Bernussi, C.F Souza, W. Carvalho, D.I. Lubyshev, J.C. Rossi, P. Basmaji. // Brazilian Journal of Physics.-1994.- V.24.-No.l.-p.460-465.

212. He L., Anderson W.A. A study of defects induced in GaAs by plasma etching. // Solid-State Electronics.-1992.-V.35.-No.2.-p. 151-156.

213. Photoreflectance characterization of CdTe thin films grown by molecular beamepitaxy on GaAs(lOO). / M. Melendez-Lira, I. Hernandez-Calderon, D.W. Niles, H. Hochst. //Applied Physics А.-1994,- V.58.-No.3.-p. 219-222.

214. Williams E.W., Rehn V. Electroreflectance studies of InAs, GaAs and (Ga,In)As alloys. //Phys. Rev.-1968.-V.172.-No.4.-p. 798-810.

215. HarrickN.J. //Phys. Rev. -1962.-V. 125.-p.1165.

216. Interface and surface photoreflectance spectra for GaAs/SI-GaAs structures. / K. Jezierski, J. Misiewicz, P. Markiewicz, M. Panek, B. Sciana, M. Tlaczala, R. Korbutowicz. //phys. stat. sol. (a).-1995.-V.147.-p.467-475.

217. Mochizuki Y., Ishii Т., Mizuta M. Role of minority-carrier diffusion in photoreflectance measurements of epitaxial GaAs wafers. // Jpn. J. Appl. Phys. Parti.- 1995.-V.34.-No.ll.-p.6106-6111.

218. Pires P.M.,. Souza P.L , von der Weid J.P. Novel wide-band time-resolved photoreflectance measurement technique. // Appl. Phys. Lett. -1994.-V.65.-No.l.-p.88-90.

219. Seebauer E.G. Oxidation and annealing of GaAs (100) studied by photoreflectance. // J. Appl. Phys. -1989.-V.66.-No.l0.-p.4963-4972.

220. Dependence of the photoreflectance of semi-insulating GaAs on temperature and pump chopping frequncy. / H.Shen, Z. Hang, S.H. Pan, F.H. Pollak, J.M. Woodall. //Appl. Phys. Lett.-1988.-V.52.-No.24.-p.2058-2060.

221. Photoreflectance study of electric field distributions in semiconductors heterostructures grown on semi-insulating substrates. / H. Shen, F.H. Pollak, J.M. Woodall, R.N. Sacks. // J. ofElectronic Materials.-1990.- V.19.-No.3.-p.283-286.

222. Elucidation of photoreflectance mechanisms by phase resolution spectroscopy: Application to 5-doped GaAs. / V.L. Alperovich, A.S. Yaroshevich, H.E. Scheibler, A. S. Terekhov. //phys. stat. sol. (b).-1993.-V.175.-p. K35-K38.

223. Lock-in phase studies of E0 PR spectra on GaAs. / J. Schreiber, W. Kircher, S. Hildebrandt, A.Gansha, R. Kusmenko. // in 'Highlights of light spectroscopy on semiconductors', World Scientific. 1996,- p.29-32.

224. Studies on phase sensitivity of E0 PR spectra on GaAs. / J. Schreiber, W. Kircher, S. Hildebrandt, A.Gansha, R. Kusmenko. // Highlights of light spectroscopy onsemiconductors 'HOLSOS 95', September, Rom. 1995.

225. Excitation wavelength and pump chopping frequency dependence of photoreflectance in Hg^CdJe. / A.Ksendzov, F.H. Pollak, P.M. Amirtharaj, J.A. Wilson. //Journal of Crystal Growth.-1988-V. 86.-p. 586-592.

226. Wagner E.R, Manselis A. Intensity dependence of the photoreflectance amplitude in semiconductors. //Phys. Rev. B.-1994.-V.50.-No.l9.-p.l4228-14236.

227. Lipsanen H.K., Airaksinen V.M. Interference effects in photoreflectance of epitaxial layers grown on semi-insulating substrates. // Appl. Phys. Lett. -1993.-V 63.-No.21.-p.2863-2865.

228. Yoshita M., Takahashi T. Photoreflectance spectra from a surface and an interface of n-type GaAs epitaxial layers and their modulation frequency dependence. // Appl. Surf. Sci.-1997.-V.115.-p.347-354.

229. Photoreflectance study on residual strain in heteroepitaxial GaAs on Si. / T. Kanata, H. Suzawa, M. Matsugana, T. Takakura, Y. Hamakawa, H. Kato and T. Nishino. //Phys. Rev. B.-1990.-V.41.-No.5.-p.2936-2943.

230. Photoreflectance study of surface Fermi level in GaAs and GaAlAs. / H. Shen, M. Dutta, L. Fotiadis, P.G. Newman, R.P. Moerkirk, W.H. Chang, R.N. Sacks. // Appl. Phys. Lett. -1990-V.57.-No.20.-p. 2118-2120.

231. Shay J.L., Nahory P.E. Exciton reflectance and photoreflectance in GaAs. // Solid State Commun. -1969.-V.7.-p.945-948.

232. Wui Y.H., Kang T.W., Kim T.W. The dependence of the optical properties on the 57Fe doping concentration in GaAs epilayers. // Appl. Surf. Sci.-1999.-V. 147.-p.119-124.

233. Photoreflectance study of surface photovoltage effects at (lOO)GaAs surfaces/interfaces. / X.Yin, H-M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D.Pettit, J.M. Woodall. //Appl. Phys. Lett. -1991.-V.58.-No.3.-p. 260-262.

234. Lee W.C., Hsu T.M., Chyi J.-I. Photoreflectance of low-temperature-grown GaAs on Si-8-doped GaAs. //Appl. Surf. Sci. -1997.-V. 113-114.-p.515-518.

235. Temperature dependence of Fermi level obtained by electroreflectance spectroscopy of undoped n+-type doped GaAs. / K.M. Huang, K.L. Wang, D.P. Wang, K.F. Huang, T.C. Huang, A.K. Chu. // Appl. Phys. Lett.-1997.- V.71.-No. 26.-p.3889-3891.

236. Franz-Keldysh oscillations of delta -doped GaAs. / T.M. Hsu, Y.C. Tien, N.H. Lu, S.P. Tsai, D.G. Liu, C.P. Lee. // J. Appl. Phys. -1992-V.72.-No.3.-p.l065-1069.

237. Photoreflectance measurements on Si-5-doped GaAs samples grown by molecular-beam epitaxy. / A.A. Bernussi, F. Iikawa, P. Motisuke, P. Basmaji, M. Siu Li, O. Hipolito. // J. Appl. Phys. -1990.-V.67.-No.9.-p.4149-4151.

238. Photoreflectance studies of GaAs containing a Si-S-doping layer. / W. Zhou, C.H. Perry, L. Ma, K.-S. Lee. //J. Appl. Phys. -1991.-V.69.-No.7.- p.4075-4079.

239. Kaneta A., Adachi S. Photoreflectance study in the Ej and Ej+A, transition regions of CdTe. //J. Appl. Phys.-2000.-V.87.-No.l0.-p.7360-7365.

240. Kaneta A., Adachi S. Photoreflectance study of hexagonal CdSe. // J. Phys. D.1999.-V.32.-p.2337-2341.

241. Excitonic properties in (lll)B-grown (In,Ga)As/GaAs piezoelectric multiple quantum wells. / P. Ballet, P. Disseix, J. Leymarie, A. Vasson, A.M. Vasson, R. Grey. //Phys. Rev. B.-1997.-V.56.-No.23.-p.l5202-15210.

242. Origin of short period oscillation near GaAs band-gap energy in photoreflectance. /1. Hwang, J.-E. Kim, H.Y. Park, C.D. Lee, S.K. Noh. // Solid State Commun.-1997.-V. 102.-p.283-286.

243. Modelling of photoreflectance phenomena in layered media. / M. Liu, M.B. Suddendorf, M.G. Somekh, S.J. Sheard. // Semicond. Sci. Technol. -1993.-V.8.-p.1639-1647.

244. Hergert W., Hildebrandt S., Pasemann L. Theoretical Investigations of Combined EBIC, LB 1С, CL, and PL Experiments. The Information Depth of the PL Signal, //phys. stat. sol. (a).-1987.- V.102.- p.819-828.

245. Differential photoreflectance from modulation-doped heterojunctions. / M. Sydor, A. Badakhshan, J.R. Engholm, D.A. Dale. //Appl. Phys. Lett. -1991.-V.58.-No.9.-p.948-950.

246. Glosser R., Bottka N. Comparative responses of electroreflectance and photoreflectance in GaAs. // SPIE.-1987.- V. 794.-p.88-95.

247. Photoreflectance characterization of surface Fermi level in as-grown GaAs(lOO). / T. Kanata, M. Matsugana, T. Takakura, Y. Hamakawa, T. Nishino. // J. Appl. Phys. -1990.-V.68.-No.l0.-p.5309-5313.

248. Cho Y.J., Lee K.H., Park H.L. Characteristics of three-beam photoreflectance in ZnTe/GaAs with deep traps. // Solid State Commun.-1999.-V.l 10-p.605-609.

249. Dittrich Т., John S., John W. Characterization of the n-GaAs surface after CF4, SF6, CC12F2 and CC^F2 :Q plasma treatment by photoreflectance. // phys. stat. sol. (a)-1991.-V.128.-p.435-446.

250. Woodall J.M. Contactless electromodulation charakterization of compound semiconductors surfaces and devices structures. // Mat. Res. Soc. -1994.-V. 324,-p.141-152.

251. New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. / W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeath, C.Y. Su, I. Lindau. // J. Vac Sci. Technol.-1979.-V.16.-No.5.-p. 1422-1433.

252. Lathinen J.A. Electroreflectance study of the Burstein-Moss shift of InP. // Phys. Rev. В.-1986,- V.33.- No.4. -p.2550-2553.

253. Noncontact doping level determination in GaAs using photoreflectance spectroscopy. / L. Peters, L. Phaneuf, L.W. Kapitan, Theis W.M. // J. Appl. Phys. -1987.-V.62.-No. 11 .-p.4558-4562.

254. Brierley S.K., Lehr D. S. Correlation between the photoreflectance impurity peak in semi-insulating GaAs and the bulk acceptor concentration. // J. Appl. Phys.-1990.-V.67.-No.8.-p.3878-3880.

255. Huang D., Mui D., Morkoc H. Interference effects probed by photoreflectance spectroscopy. //J. Appl. Phys. -1989.-V.66.-No.l.-p.358-361.

256. Correlation of interference effects in photoreflectance spectra with GaAs homolayer thickness. / N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. // J. Appl. Phys.-1990-V.68.-No.9.-p.4656-4661.

257. Gaskill D.K., Bottka N., Sillmon R.S. Photoreflectance surface Fermi level measurements of GaAs subjected to various chemical treatments. // J. Vac. Sci. Technol.B.-1988.-V.6.-No.5.-p.l497-1501.

258. Photoreflectance of AlxGa1.xAs/GaAs and GaAs/GaAs interfaces at high light intensities. / E.M. Goldys, A. Mitchell, T.L. Tansley, R.J. Egan, A. Clark. // Optics Communications. -1996.-V.124.-p. 392-399.

259. Hughes P.J., Weiss B.L. Application of phase-sensitive photoreflectancespectroscopy to a study of undoped AlGaAs/GaAs quantum well structures. // Journal of Vacuum Science & Technology B.-1996.-V.14.-No.2.-p. 632-637.

260. Nakanishi H., Wada K., Walukiewicz W. Photoreflectance study on the behavior of plasma-induced defects deactivating Si donors in GaAs. // J. Appl. Phys. -1995.-V.78.-No.8.-p. 5103-5108.

261. Photoreflectance spectra of a GaAs/AlGaAs type I hetero-n-i-p-i structure. / U.D. Keil, S. Malzer, K. Schmidt, G.H. Dohler, J.N. Miller. // Superlattices and Microstructures.-1992.-V.ll.-No.l.-p.41-46.

262. Optimierung von III-V/Si-Heterostrukturen. / S. Mo, A. Schlachetzki, E. Peiner, R. Kusmenko, J. Schreiber, A. Gansha, S. Hildebrandt. // Berichte der DFG. -Februar 1997- B. 428/ 2. S.l-52.

263. Quantitative photoreflectance experiments on indium phosphide surfaces and structures. /S. Hildebrandt, J. Schreiber, R. Kusmenko, A. Gansha, W. Kircher, L. Hoering. // 'Materials Research Society Fall Meeting', Boston. 1995,- p. 85.

264. Pashley M.D., Haberern K.W. Compensating surface defect induced by Si doping of GaAs. //Phys. Rev. Lett.-1991.-V.67.-No.19.-p.2697.

265. Different Fermi-level pinning behavior on n- and p-type GaAs(OOl). / M.D. Pashley., K.W. Haberern, R.M. Feenstra, P.D. Kirchner. //Phys. Rev. В.-1993,1. V.48.-No.7.-p.4612.

266. Shen H., Pollak F.H., Woodal J.M. Photoreflectance study of Fermi level changes in photowashed GaAs. // J. Vac. Sci. Technol. B.-1990.-V.8.-No.3.-p.413-415.

267. Snyder P.G. Photoellipsometry determination of surface Fermi level in GaAs (100). // J. Vac. Sci. Technol. A. -1993.-Vll.-p.l075-1082.

268. Изолирующее покрытие для GaAs. / Б.И. Сысоев, В.В. Антюшин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргунов. // ЖТФ. -1986,- Т. 56.-№3.-с.913-915.

269. Enhanced electronic properties of GaAs surface chemically passivated by Se reactions. / C.J. Sandroff, M.S. Hedge, L.A. Farrow, R. Bhat, J.P. Harbison, C.C. Chang. // J. Appl. Phys.-1989,- V.67.-No.l.-p.586-588.

270. Turco F.S. , Sandroff C.J., Hedge M.S., Tarmago M.C. // J. Vac. Sci. Technol. В.- 1990.-V.8-p.856.

271. Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком. / Н.Н. Безрядин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Г.И. Котов, Р.В. Кузьменко, М.П. Сумец. // ФТП.- 1999,- Т.ЗЗ. №6. - С.719-722.

272. Бир Г.Д., Пикус Т.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. // Москва, Наука,- 1972.-584с.

273. Study of deposition dependent characteristics of gold on n-GaAs by photoreflectance spectroscopy. / A. Badakhshan, J.L. England, P. Thompson, P. Cheung, C.H. Yang, K. Alavi. // J. Appl. Phys.-1997.-V.81.-No.2.-p.910-916.

274. Hwang J.S., Hang Z. Study of Schottky barrier formation in InP (110) by photoreflectance. // Fourth International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IEEE.-1992.-p.518-521.

275. Wang D.P., Shen T.L. Barrier height temperature dependence of Au/InP from photoreflectance spectroscopy. //J. Appl. Phys.-1993. V.74.-No.5.-p.3447-3450.

276. Near-band-edge optical properties of molecular beam epitaxy grown ZnSe epilayers on GaAs by modulation spectroscopy. / R.C. Tu, Y.K. Su, C.F. Li, Y.S. Huang, S.T. Chou, W.H. Lan, S.L. Tu, H. Chang. // J. Appl. Phys.-1998.- V.83.-No.3.-p. 1664-1669.

277. Effect of temperature on the built-in electric field in GaAs/GaAlAs:Si heterostructures. / J.M.V. Martins, L.M.R. Scolfaro, C.A.C. Mendonca, E.A. Meneses, J.R. Leite. // Superlattices and Microstmctiires.-1991-V.10.-No.2.-p. 239-242.

278. Новиков Б.В., Roppischer G., Талалаев В.Г. Управление толщиной безэкси-тонного приповерхностного поля в кристаллах ZnSe. // ФТТ.-1979,- Т.21,-№3.-с. 817-822.

279. Влияние поверхности на экситонные характеристики полупроводников. / В. Г. Литовченко, Н.Л. Дмитрук, Д.В. Корбутяк, А.В. Сорик. // ФТП,- 2002,-Т.36.-№4.-с.447-452.

280. Kuroiwa A., Saito Н., Shionoya S. Exciton reflection spectra under high-intensity excitation in CdS and CdSe. // phys. stat. sol. (b).-1979-V.96.-p.483-486.

281. Кузьменко P.B., Ганжа A.B., Домашевская Э.П. Низкоэнергетические осцилляции в Ео-спектрах фотоотражения гомоэпитаксиальных образцов n GaAs / n+-GaAs (п=1015см"3 -1016 см"3 /п+«1018см"3 ). // Оптика и спектроскопия.-2000- Т.89.-№4-С. 601-608.

282. Spectral photoreflectance measurements on MBE layers GaAs/n+-GaAs. / R.

283. Kusmenko, W. Kircher, R. J. Schreiber, S. Hildebrandt. // 13th Gen. Conf. Of the Cond. Matter. Div. Of the Europ. Phys. Soc. gem. mit Arbeitskr. Festkorperphys. bei der Dt. Phys. Gesell., Devision Semiconductors, Regensburg.- 1993.

284. Casey Н.С., Sell D.D., Wecht K.W. Concentration dependence of the absorption coefficient for n- and p-type GaAs between 1.3 and 1.6 eV. // J. Appl. Phys. -1975.-V.46.-No.l.-p.250-257.

285. Kudykina T.A. Indexes of refraction of AinBv compounds in the region of fundamental absorption, //phys. stat. sol. (b).-1995.-V.188.-p. K39-K41.

286. Mendoza-Alvarez J.G., Nunes F.D., Patel N.B. Refractive index dependence on free carriers for GaAs. // J. Appl. Phys. -1980.-V.51.-No.8.-p.4365-4367.

287. Kasahara K., Kumihino K., NishizawaH. J. // Stat. Electron.- 1995.-V.38.-p. 1221.

288. Strain in GaAs at the heterointerface of ZnSe/GaAs/GaAs. / M.E. Constantino, H. Navarro-Contreras, M.A. Vidal, B. Salazar-Hernandez, A. Lastras-Martinez, I. Hernandez-Colderon, M. Lopez-Lopez. // J. Phys. D.- 1999.-V.32-p.l293-1301.

289. Wang Z., Shihong P., Shanming M. Photoreflectance of GaAs/SI-GaAs interface, //phys. stat. sol. (a).-1993.-V. 140.-p. 135-143.

290. Stress induced Е0 photoreflectance spectra on GaAs/Si and InP/Si heterostructures. / R.Kusmenko, A. Gansha, J. Schreiber, W. Kircher, S. Hildebrandt. // US-European Workshop 'Optical Characterization of Electronic Materials, Halle, 5-7 October 1994.

291. Кузьменко Р.В., Ганжа A.B. /Фотоотражательные исследования остаточных механических напряжений в системах III-V(GaAs, InP)/Si. // Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика-98", МИЭТ, Зеленоград.-1998.

292. Комбинированные фотоотражательные/фотолюминесцентные измерения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников. / Р.В. Кузьменко, А.В. Ганжа, Э.П. Домашевская, С. Хильдебрандт, И. Шрайбер. // ФТТ.-2000.-Т. 42.-№12-с. 2136-2139.

293. Комбинированные фотоотражательные/фотолюминесцентные измерения для исследования стабильности пассивации поверхности полупроводника. / Р.В. Кузьменко, А.В. Ганжа, Э.П. Домашевская, П.В. Рясной. // ЖТФ,-2002- Т.72.-№2.- С.84-87.

294. PR spectroscopy for studies of surfaces and interfaces of III-V semiconductors. / W. Kircher, J. Schreiber, S. Hildebrandt, R. Kusmenko, A. Gansha. // US-European Workshop 'Optical Characterization of Electronic Materials, Halle, 5-7 October, 1994.

295. Photoreflectanzuntersuchungen an GalnP/GaAs-Heterostrukturen. / C. Walter, J. Schreiber, R. Kusmenko, W. Kircher. / Friihjahrstg. des Arbeitskr. Festkorperphys. bei der Dt. Phys. Gesell., AG"Halbleiterphysik", Berlin. 1995.

296. Terahertz radiation from delta-doped GaAs. / D. Birkedal, O. Hansen, C.B. Sorensen, K. Jarasiunas, S.D. Brorson, S.R. Keiding. // Appl. Phys. Lett. -1994.-V.65.-No.l.-p.79-81.

297. GaAs and other compound semiconductors on Si. / S.F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoc, H. Zabel, C. Choi, N. Otsuka. // J. Appl. Phys. -1990-V.68.-No.7.-p.R31-R58.

298. Van der Ziel J.P, Dupuis R.D., Logan R.A., Pinzone C.J. // Appl. Phys. Lett.-1987.-V.51.-P.89.

299. Residual strains in heteroepitaxial Ш-V semiconductor films on Si(l00) substrates. / M. Sugo, N. Uchida, A. Yamamoto, T. Nishoka, M. Yamaguchi. // J. Appl. Phys.-1989.-V. 65.-No.2.-p. 591-595.

300. Wehmann H.-H., Tang G.-P. , Schlachetzki A. Strain relaxation and threading dislocation density in lattice-mismatched semiconductor systems. // Solid State Phenomena.-1993.-V. 32-33.-p.445-450.

301. Optical determination of strains in heterostructures: GaAs/Si an example. / G. Landa, R. Carles, C. Fontaine, E. Bedel, A. Munoz-Yagiie. // J. Appl. Phys. -1989.-V.66.-N0.I.-p.196-200.

302. F.H.Pollak. The effects of strain on the electronic and vibrational properties of semiconductor and semiconductor microstructures. //. Annual Reports, Materials research society Fall Meeting, Boston. -1995.-45p.

303. Photoreflectance measurement of strain in epitaxial GaAs on Si. / A. Dimoulas, P. Tzanetakis, A. Georgakilas, O.J. Glembocki, A. Christou. // J. Appl. Phys. -1990,-V.67.-No. 9.-p. 4389-4392.

304. Photoreflectance study of GaAs grown on Si. / M. Dutta, H.Shen, S.M. Vernon, T.M. Dixon. //Appl. Phys. Lett. 1990.-V.57.-No.ll.-p.l775-1777.

305. Effect of mismatch strain on band gap in III-V semiconductors. / C.P. Kuo, S.K. Vong, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. // J. Appl. Phys. -1985.-V.57.-No.12,-p.5428-5432.

306. Temperature effects on the photoluminescence of GaAs grown on Si. / Y. Chen,

307. A. Freunlich, Н. Kamada, G. Neu. 11 Appl. Phys. Lett. -1989.-V.54.-No.l.-p.45-47.

308. Papadimitriou D., Liarokapis E., Richter W. Development and Application of Instrumental Methods for Strain Analysisof Semiconductor Layers and Devices. // Mikrochimica Acta.-2001.-V.136.-p. 165-169.

309. Biaxial and uniaxial stress in GaAs on Si: A linear polarized photoluminescence study. /Н. Shen, M. Dutta, D.W. Eckart, K.A. Jones, S.M. Vernon, T.M. Dixon. //, J. Appl. Phys.-1990.-V.68.-No. 1 .-p.369-371.

310. Laser induced degradation of GaAs photoluminescence. / M.Y.A. Raja, S.R.J. Brueck, M. Osinski, J. Mclneniey. // Appl. Phys. Lett. 1988. - V.52.- P.625-627.

311. Suzuki Т., Ogawa M. //Appl. Phys. Lett.- 1977.- V.31.- P.473.

312. Haegel N.M., Winnacker A. // Appl. Phys.- 1987. V. А42,- P.233.

313. Guidotti D., Hasan E., Hovel H-J., Albert M. // Appl. Phys. Lett.- 1987,- V.50.-P.912.

314. Ogawa J., Tamamura K., Akimoto К., Могу Y. // Appl. Phys. Lett. 1987. V.51. P. 1949.

315. Model for degradation of band gap photoluminescence in GaAs. / D. Guidotti, E. Hasan, H.J. Hovel, M. Albert. // II Nuovo Cimento.- 1989.-V. 1 l.-No. 4.-p.583-613.

316. Photoreflectance study of InP/InGaAs(l-5 ML)/InP single quantum well. / J. Nukeaw, R. Asaoka, Y. Fujiwara, Y. Takeda. //.Thin Solid Films.-1998.-V.334,-p.44-48.

317. Behn U., Gobsch G. Observation of room-temperature exciton quenching in GaAs/AlGaAs superlattices by electroreflectance. // Solid State Commun. -1987,-V.64.-No.l2.-p. 1451-1454.

318. Hosea, T.J.C., Hughes P.J., Weiss B.L. Analysis of phase shifts due to etching in photoreflectance spectra af a GaAs/AlGaAs single quantum well structure. // J. Appl. Phys.-1995.-V. 77.-No.6.-p. 2672-2678.

319. Quantum confined Stark effect in InGaAs/GaAs quantum wells under high electric fields. / J. Kavaliauskas, G. Krivaite, A. Galickas, A. Simkiene, U. Olin, M.

320. Ottosson. //phys, stat. sol. (b).-1995.- V.191.-No.l.-p.l55-159.

321. Photoreflectance spectroscopy as a powerful tool for the investigation of GaN-AlGaN quantum well structures. / T.J. Ochalski, B. Gil, P. Lefebvre, N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux. // Solid State Commun.-1999.-V.109.-p.567-571.

322. Tit N. Ordering of conduction band states in thin-layer (AlAs)m(GaAs)n superlattices. // J. Phys.: Condens. Matter.-1999.-V.ll.-p.2909.

323. Photoreflectance spectroscopy of vertically coupled InGaAs/GaAs double quantum dots. / G. Sek, K. Ryczko, J. Misiewicz, M. Bayer, F. Klopf, J.P. Reithmaier, A. Forchel. // Solid State Commun. -2001.-V.117,- p.401-406.