Ионно-плазменное осаждение пленок a-C: H и их свойства тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА1.СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПО ПОЛУЧЕНИЮИ ИССЛЕДОВАНИЮ СТРУКТУРЕ И СВОЙСТВ ПЛЕНОК а-С:Н

1.1. Углерод и его модификации

1.2. Современные методы получения пленок а-С:Н

1.3. Исследование структуры пленок а-С:Н.

1.4.Исследование электрофизических свойств пленок а-С:Н

ГЛАВА II. ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ УСТАНОВОК

2.1 .Выбор методов осаждения и типа исходных соединений для получения пленок а-С:Н.

2.2.Описание установки для получения пленок а-С:Н магнетронным методом.

2.3.Методка и аппаратура исследования электропроводимости пленок а-С:Н

2.4.0писание экспериментальной установки для измерения фотолюминесценции пленок а-С:Н.

2.5.Методика и экспериментальная установка для измерения теплопроводности а-С:Н пленок.

ГЛАВАШ.ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВ И СТРУКТУРА ПЛЕНОК а-С:Н

3.1 .Исследование состава пленок а-С:Н методом ВИМС.

3.2.Исследование ближнего порядка пленок а-С:Н методом

ИК спектроскопии.

3.3 Структурное исследование ближнего порядка пленок а-С:Н методом электронов на отражение.

ГЛАВА 1У.ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК а-С:Н

4.1.Оптические свойства пленок а-С:Н.

4.2.Электрические свойства пленок а-С:Н.

4.3.Фотолюминесценции пленок а-С:Н.

4.4.Теплопроводимость пленок а-С:Н.

Актуальность темы:

Аморфный гидрогенизированный углерод а-С:Н, называемый иногда также алмазоподобньш углеродом, впервые был синтезирован в 1953 г. и с тех пор интерес к нему непрерывно возрастает, что особенно заметно проявилось в последние годы. Значительно увеличилось число публикаций на международных и внутренних конференциях, посвященных исследованиям этого материала, возник целый ряд новых регулярных конференций и симпозиумов по аморфному алмазоподобному углероду и родственным материалам. Такой бурный рост интереса к нанесению тонких слоев алмазоподобного углерода обусловлен уникальными свойствами этого материала. Эти свойства включают чрезвычайную твердость, химическую инертность, высокое электрическое сопротивление, оптическую прозрачность и высокую теплопроводность. Сфера практических применений таких пленок очень широка - в качества сверхпрочных покрытий, в высокотемпературной электронике, в солнечной энергетике.

Однако контролируемое получение слоев с заданными свойствами, как следует из публикаций, имеет определенные трудности разработки технологии для каждого конкретного метода нанесения пленки.

В настоящее время все большее применение находят пленки а-С:Н в качества защитных и антиотражающих покрытий в ИК - линзах, фотошаблонов. Пленки а-С:Н также являются перспективным диэлектрическим материалом для твердотельной ВЧ - электроники.

В пленках а-С:Н, полученных при определенных условиях разложения ионно-плазменым (магнетронным) распылением углеводород содержащих газов, атомы углерода образуют тетраэдрические связи. Такой материал, совместимый по технологии с a-Si:H, может использоваться для формирования гетеропереходов, сверхрешеток с a-Si:H и может быть использован при создании тонкопленочных солнечных элементов, приборов микроэлектроники, например, фотоприемников, фото -и светодиодов и т.д. Известно что в тетраэдрической углерод реализуется в виде алмаза -широкозонного полупроводникового материала, обладающего высокой твердостью, чрезвычайно важно попытаться вырастить пленки а-С:Н по структуре, приближающиеся к алмазу.

Уникальность свойств гидрогенизированных пленок углерода, возможность варьирования их параметров в широких пределах привлекают повышенный интерес со стороны создателей новых приборов и устройств, и обуславливают применение структур на основе пленок углерода в качестве пассивных и активных элементов электронной, телевизионной и оптической техники.

Наибольшее распространение пленки углерода получили в качестве износостойких и коррозионностойких покрытий в устройствах со скольжением деталей, защиты их от механических повреждений и воздействий агрессивных сред, антифрикционных покрытий [1,2].

Благодаря высокой прозрачности пленки используются в качестве защитных покрытий оптических приборов: лазеров, солнечных батарей [3], оптических резонаторов и детекторов[4,5]. Имеются разработки селективных поглотителей и фильтров излучений на основе пленок углерода[6,7,8].

В отличие от кристаллических полупроводников аморфные полупроводники ещё недостаточно изучены. Их свойства сильно зависят от условий получения:. В литературе до сих пор не сделано попыток проанализировать элементарные процессы, происходящие в плёнках аморфного углерода во время осаждения. До сих пор невозможно определить переход между гидрогенизированными и негидрогенизированными сплавами.

При исследовании электрических и оптических свойств а-С:Н остается ещё целый ряд очень интересных проблем, что представляет большой интерес для экспериментирования в этом направлении.

В последнее время, внимание многих исследовательских групп сосредоточено на изучении углеродных плёнок с алмазной структурой. Работа в этой области перспективна по нескольким причинам. С учетом уникальных физико-химических характеристик этих материалов, в том числе их полупроводниковых свойств, становится возможным изготовление приборов с нестандартными характеристиками.

Данная диссертация посвящена получению плёнок а-С:Н методом ионно-плазменного(магнетронного) распыления и исследованиюих свойства. Цель работы:

1. Совершенствование технологии выращивания тонких пленок аморфного гидрогенизированного углерода а-С:Н методом ионно-плазменного (магнетронного ) распыления из смеси аргона и гексана.

2. Исследование состав и структура тонких пленок аморфного гидрогенизированного углерода а-С:Н в зависимости от условий получения.

3. Исследование электрофизических свойств образцов тонких пленок аморфного гидрогенизированного углерода а-С:Н в зависимости от условий получения.

4. Исследование фотолюминесцентных свойств тонких пленок аморфного гидрогенизированного углерода а-С:Н.

Научная новизна работы:

1.Определены технологические режимы получения однородных пленок аморфного углерода с графитоподобными и алмазоподобными свойствами методом ионно-плазменного (магнетронного) распыления графитовой мишени на постоянном токе в аргон -гексановой атмосфере.

2.Методами дифракции электронов и ИК спектроскопии выполнены структурные исследования ближнего порядка пленок в зависимости от от условий их получения. Определены типы их связей, симметрия локального окружения атомов и радиусы координационных сфер.

3. Алмазоподобные пленки а-С:Н, полученные ионно-плазменным разложением гексана на постоянном токе, обладают фотолюминесценцией при комнатной температуре. Максимум фотолюминесценции уменьшается от 2,1 эВ до 1,8эВ нелинейно с увеличением температуры осаждения от 100°С до 250 °С.

3.Впервые фотомодуляционным методом, по частотной зависимости градиента температуры измерена теплопроводность пленок а-С:Н. Величина коэффициента теплопроводности изменялась в зависимости от условий осаждения от 600 Вт/м-К до 800 Вт/м-К.

Практическая значимость работы:

ЬВзаимосвязь между технологическими условиями осаждения, структурой и физическими свойствами аморфных пленок углерода могут быть использованы для воспроизводимого получения материала с заданными характеристиками в широком диапазоне изменения свойств.

2.Разработана технология осаждения графитоподобных и алмазопо добных пленок а-С :Н ионно-плазменным (магнетронным) распылением графитовой мишени на постоянном токе в аргон - гексановой атмосфере.

3.Алмазоподобные пленки а-С:Н, полученные ионно-плазменным разложением гексана на постоянном токе, обладают фотолюминесценцией при комнатной температуре.

4.Разработана методика для расчета оптических констант и толщины пленок на основе измерения спектральных зависимостей пропускания и отражения.

Основные положения выносимые на защиту:

1 .Ионно-плазменное (магнетронное) распыление графита на постоянном токе в аргон - гексановой плазме позволяет синтезировать однородные алмазоподобные пленки гидрогенизированного аморфного углерода.

2. Спектр фотолюминесценции пленок а-С:Н, полученных ионно-плазменным разложением гексана представляет собой широкую полосу с полушириной (0,7ч-0,9)эВ и максимумом, сдвигающимся в зависимости от условий осаждения в диапазоне энергии фотонов (1,8-5-2,1)эВ.

3. Коэффициент теплопроводности пленок а-С:Н измеренный фотомодуляционным методом, по частотной зависимости градиента температуры имеет высокие значения в диапазоне ( 600 -г- 800 )Вт/м*К. Апробация работы:

Результаты и выводы, полученные в процессе работы над диссертацией, докладывались и обсуждались на 8-ой международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам " Ломоносов 2001 МГУ, Москва, 2001 г.; на 3 -ей международной конференции " Физика и промышленность ФИЗПРОМ-2001 Москва, 2001г.; на международной научной конференции 66 Молодая наука -XXI Иванова, 2001г.; в журнале Вестник, Даггосуниверситета, Махачкала, 2001г.; на международной конференции " Silicon carbide and related materials ICSCRM2001 Япония, 2001г. и на Ежегодных конференциях профессорско - преподавательского состава физического факультета Даггосуниверситета.

Публикации: По теме диссертации опубликовано 6 печатных работ.

Структура и объем и диссертации:

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 156 наименований. Общий объем составляет 156 страниц, включая 55 рисунка и таблиц.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

ЬИсследованы вольтамперные характеристики газового разряда для аргон - гексановой смеси в технологической установке, предназначенной для получения пленок а-С:Н ионно - плазменным (магнетронным) распылением.

2.Экспериментально показано, что путем изменения технологических параметров процесса распыления можно управлять свойствами пленок аморфного углерода, получая пленки со свойствами от графитоподобных до алмазоподобных.

3.Разработана методика получения однородных пленок аморфного алмазоподобного углерода ионно-плазменным распылением графитовой мишени в аргон-гексановой смеси.

4.С помощью ИК спектроскопии исследована структура химической связи водорода со структурной сеткой а-С:Н. Показано, что во всех типах пленок а-С:Н основным видом гибридизации углеродных атомов, с которыми

3 2 связан водород, является sp . Доля водорода в sp -гибридизации составляет 5-16%.

5 .Предложена методика и разработана универсальная программа для определения оптических констант и толщины пленок на основе измерения спектральных зависимостей пропускания и отражения.

6.В пленках а-С:Н, полученных ионно-плазменным разложением гексана наблюдается фотолюминесценция при комнатной температуре. При увеличении температуры осаждения пленок от 100°С до 250°С максимум фотолюминесценции с полушириной 0,7^0,9эВ уменьшается от 2,1эВ до1,8эВ.

7.Показано, что в графитоподобных пленках а- С:Н (ст(300К)=10"3"5-10"6 (Ом-см)"1, Еа = 0, 04 ч-0,5 эВ, Eg =0,1 1эВ), полученных магнетронным распылением графитовой мишени в аргон - гексановой смеси, фотолюминесценция не наблюдается.

8.Исследована электропроводность пленок а-С:Н в зависимости от условий осаждения. Во всех случаях наблюдался активационный характер температурной зависимости проводимости. Энергия активации проводимости за счет условий осаждения могла изменяться в широких пределах от 0, 01 до 1,2 эВ.

9.Исследована электропроводность пленок а-С:Н на переменном токе в диапазоне частот от 10Гц до 106Гц, На частотной зависимости электропроводности можно выделить два участка:

- Низкочастотная область, в которой преобладает постоянная проводимость, аналогичная проводимости пленок на постоянном токе.

- Среднечастотная область имеет степенную зависимость в виде g=Acos, где s « 0,9. Это свойственно прыжковой проводимости за счет перехода носителей заряда между локализованными состояниями в щели подвижности.

Ю.Фотомодуляционным методом, по частотной зависимости градиента температуры, измерена теплопроводность пленок а-С:Н. В зависимости от условий осаждения пленок величина коэффициента теплопроводности изменялась от 600 Вт/м-К до 800 Вт/м-К. Высокие значения коэффициента теплопроводности характерны для алмазоподобных пленок а-С:Н.

11 .Исследована температурная зависимость коэффициента теплопроводности. Линейное возрастание температурной зависимости коэффициента теплопроводности обусловлено ростом числа фононов, участвующих в процессе переноса энергии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Клубович В. В., Хамчуков Ю. Д., Егоров В.Д., Спектры КР углеродных покрытий на металлической основе // ЖПС,1993,Т.59, С. 86 89.

2. Kobashi К., MutsukuraN., Mashi Y., Deposition of hard carbon films by the RF glow discharge methods // Thin solid films, 1987, V.158, P. 233 238.

3. Kudoyarova V.Kh., Zvonareva Т.К., Shvarts M.Z., Study of diamond-like carbon films for antireflective coatings // Тезисы докладов II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, 2000, С.79 .

4. Kania D., Landstrass M., Piano M. et al. Diamond radiation detectors // Diamond and Related Materials, 1993, V. 2, P. 1012 -1019.

5. Tsai H., Bogi D.B. Critical review., Characterisation of diamond-like carbon films and their application as overcoats on thin-film media for magnetic recording// J. Vac. Scl. Techn. A, 1987, V.5, P.3287-3310.

6. Hammer P. et al. , Electrical characterisation of plasma-deposited hydrogenated amorphous carbon films //Mat. Sci. & Ing, 1991, A 139, P.334 338.

7. Klein C., Diamond windows for IR application in adverse environments // Diamond and related materials, 1993, V. 2, P.1024 1032.

8. Браун Т., Лемей Г.Ю., Химия в центре наук, М., Мир, 1983, ч.1.

9. Ю.Костиков В.И., Шинков Н.Н., Калашников Я.А., Дымов Б.К.,

10. Шевяков В.П., Бубненков И.А. Графитация и алмазообразование, М., Металлургия, 1991, С.224.

11. П.Немойтин М.А., Фридленд М.Г., Шилова Г.С., Химия высоких энергий, 1979, Т. 13, N.3, С.280.

12. KrotoH.W., Smalley R. //Nature, 1985, V.318, P.162.

13. Kratschmer W. et al. //Nature, 1990, V.347, P.354.

14. Mildner D.F., Carpenter J.M. // J. Non-Cryst. Sol., 1982, V.47, p.391.

15. Arakava E.T., Williams M.W., Inagaki Т., Optical properties of arc-evaporated carbon films between 0.6 and 3.8 eV // J. of Appl. Phys., 1977, V.48, P.3176 3177.

16. Buck V., Bur am Orde J., Mausbach M., Deposition of diamond-like carbon films by the anodic arc technique // Materials science and engineering, 1991, V. 140, P. 770 774.

17. Ingram D. Diamond-like carbon fabrication and modification using ion beams//Surface Modification Technologies, 1992, V.2, P.327 342.

18. Aisenberg S., Chabot R. Ion-beam deposition of thin films of diamondlike carbon//J. Appl. Phys., 1971, V.42, P.2953-2958.

19. Scaglione S., Emiliani G. Mechanical properties of a-C:H thin films produced by dual Ion beam sputtering // J.Vac.Technol. A, 1989, V.7, P.2303 -2306.

20. Технология тонких пленок / Под ред. Майселла JI. и Гленга Р. М.: Советское радио, 1989, 2 тома, 768 с.

21. Staryga Е., Lipinski A., Mitura S. Electrical conductivity and optical absorption of carbon films produced by RF decomposition of hydrocarbon // Thin solid Films, 1986, V. 145, P. 17-21.

22. Szmidt J., Duszak M. Diamond-like layers as passivation coatings for semiconductor devices // High Performance Ceramic Films and Coatings, 1991, P. 729 734.

23. Marotta E. et al. Diamond-like carbon as an electrical Insulator of copper devices for chip cooling // Thin Solid Films, 1991, V. 206, P.188 191.

24. Абдулвагабов M. III., Шахшаев Г.М., Сафаралиев Г.К., Гамзатов А.Г., Косарев А.И., Маника И.П., Теплофизические свойства пленок а-С:Н //

25. Nataraja V. et al. Diamond-like carbon films: Optical absorption, dielectric properties, and hardness dependence on deposition parameters // J. Vac. Sci. Technol., 1985, A 3(3), P. 681 -685.

26. Hammer P. et al. Microwave plasma apparatus for deposition of hydrogenated amorphous carbon layers //Mat.Sci.& Ing., 1991, A.140, P.784 -787.

27. Smith F. Optical constants of hydrogenated amorphous carbon films // J.Vac.Phys., 1984, V.55, P. 764 771.

28. Angus J., Will Н., Stanko W., Growth of diamond-seed crystals by vapor deposition // J. Appl. Phys., 1968, V.39, P.2915 2922 .

29. Ingram D., McCormlck A. The effect of MeV ion irradiation on the hydrogen content and resistively of direct ion beam deposited diamond-like carbon // Nuclear Instrument and Methods in Physics Reasears, 1988, V. 34, P.68 73.

30. Matsumoto S., Sato Y., Kamo M., Setaka N. Vapour deposition of diamond particle from ethane//J. Appl. Phys., 1982, V.21, P.183 185.

31. Sawabe A., Inuzuka T. Diamond-like carbon films synthesis from gas phase//J. Thin solid films, 1986, V.137, P.89 94.

32. Angus J.C., Wang Y., Sunkara M. Metastable growth of diamond and diamond-like phase//Annu. Rev. Mater. Sci., 1991, V.21, P.221 -246.

33. Коншина E.A., Поглощение и ширина оптической щели пленок а-С:Н, полученных из ацетиленовой плазмы//ФТП.,1999,Т.ЗЗ,Вып.4,С.469-475.

34. Виноградов А.Я., Андронов А.Н., Косарев А.И., Абрамов А.С., Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок , осаждаемых при низкой температуре // ФТП., 2001, Т.35, Вып. 6, С.698-702.

35. Angus J.C., Stultz J.E., Shiller Р,J. Composition and properties of so-called "diamond-like" amorphous carbon films // Thin solid films, 1984, V.118, P. 311 -320.

36. Блинов И., Кожитов Л. Оборудование полупроводникового производства, М.: Машиностроение, 1986.

37. Savvides N. Optical constant and associated function of metastable DLamorphous carbon films In the energy range 0.5 -7.3 eV // J. Appl. Phys.,1986, V. 59, P. 4133 -4145.

38. Orzheshko S., Bhola N., Woolam J. et. el. Thin-film hermetically: A quantitative analysis of diamond-like carbon using variable angle spectroscopic ellipsometry // J.Appl. Phys., 1988, V. 64, N. 8, P. 4175-4180.

39. Kleber R., Dworschak W., Gerber J. et al. Investigations of the structure ofa-C:H films//Mater. Sci. andEngin., 1991, V.A140, P.775-779.

40. Sawides N., Window B. DL amorphous carbon films prepared by magnetron sputtering graphite // J. Vac. Sci. Tech., 1985, V.3, P.2386 2390.

41. Данилин B.C., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы, М., Радио и связь, 1982.

42. Morosanu С., Tomozeiu N., Cordos С., Stolka Т. Unhydro-genated DLC films obtained by magnetron sputtering. In book: NATO ASI Series. Wide band gap electronic materials / Edited by M. Prelas et al. Kluver Academic Publishers, 1995, P. 243 - 248.

43. Benndorf C. et al. Structural and mechanical properties of niobium-containing amorphous hydrogenated carbon films (Nb-C:H) // Mat. Sci. & Eng., 1991, V. 140, P. 795 -801.

44. Звонарева Т.К, Шаронова JI.B., Влияние материала подложки на скорость роста и оптические параметры слоев а-С:НУ/ ФТП., 1999, Т.ЗЗ, Вып.6, С.742-746.

45. Звонарева Т.К, Иванов-Омский В.И., Нащекин А.В., Шаронова JI.B., Особенности роста пленок а-С:Н и а-С:Н<Си> при магнетронном распылении//ФТП., 2000, Т.34, Вып.1, С.96-101.

46. Tsai Н., Bogy D.B. Characterization of diamond-like carbon films and their application as overcoats on thin-film media for magnetic recording // J.Vac.Sci. Technol. A., 1987, V.5, No.6, P.3287.

47. Плазменная технология в производстве СБИС /Под ред. Н. Аинспрука и Д. Брауна / Пер.с англ. М.: Мир, 1987, -471 с.

48. Байтингер Е.М. Электронная структура конденсированного углерода. Свердловск, 1988, 152 с.

49. Rother В., Siegel J., Muhling J. Catholic arc deposition of diamond-like carbon: effect of bias voltage and deposition angle // Mater. Sci. and Engin., 1991, V 140, P.780 783.

50. Lettington A. Optical application and improved deposition processes for diamond-like carbon coatings // SPIE,1988, V. 969, Diamond optics, P. 153 158.

51. Knight J.C. Structural and chemical characterisation of a-Si:H. In book: The Physics of hydrogenated amorphous silicon, Part 1 / Ed. G. Joannopoulos and G. Lucosky. Springer-Verlag, 1984, 285 p.

52. Меден А., Шо M. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991, 670 с.

53. Kobashi К., Nishimura К., Miyata К., Kawate Y. Surface morphology and defect structures in microwave CVD diamond films // SPIE, 1988, V. 969, Diamond optics, P. 159 167.

54. Смит А. Прикладная ИК спектроскопия, M.: Мир. 1982, 238 с.

55. Nadler P., Donovan Т., Green A. Thermal annealing study of carbon films formed by plasma decomposition of hydrocarbons// Thin solid films, 1984, V.116, P.241 -247.

56. Dischler В., Bubenzer A., Koldi P. Hard carbon coating with low optical absorption // Solid State Commun., 1983, V. 48, P 105 108.

57. Kobashi K., Nishlmura K. et al. Surface morphology and defect structures In microwave CVD diamond films // SPIE, 1988, V. 969, Diamond optics, P.159- 167.

58. Schaarschmidt G. et al. Plasma and particle flux characterisation of the a-C:H deposition process by Ion-assisted methods // Mat. Sci.&Eng., 1991, V. 140, P.788 794.

59. Клубович В. В., Хамчуков Ю. Д., Егоров В.Д. Спектры углеродных покрытий на монокристаллах хлорида натрия // ЖПС, 1993, Т.58, С. 448 455.

60. Nemanich RJ. Grown and characterisation of diamond thin films // Annu. Rev. Mater. Scl., 1991, V.21, P.535 558.

61. Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Ястребов С.Г., Голубок А.О., Горбенко О.М., Розанов В.В., Исследование морфологии поверхности пленок аморфного гидрогенизированного углероде , модифицированного медью//ФТП, 2001, Т.35, Вып.2, С.237-241 .

62. Moravec T.J., Orent T.W. Electron spectroscopy of ion beam and hydrocarbon plasma generated diamond-like carbon films// J.Vac.Sci. Technol., 1981, V. 18, No.2, P.226.

63. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 63rd ed., ed. by R.C. Weast, Boca Raton, FL,CRC, 1983, P.F-186.

64. Mori T. and Namba Y. Hard diamond like carbon films deposited by ionized deposition of methane gas // J.Vac.Sci. Technol. A, 1983, V.l, No.l, P.23.

65. Pirker K., Schallauer R., Fallmann W., Olcaytug F., Urban J., Jachimowicz A., KohlF., ProhaskaО. /ЯЪт Sol.Films, 1986, V.l38, P. 121.77,Ojha S.M., Norstrom H., McCulluch DM Thin Sol.Films, 1979, V.60, No.2, P.213.

66. Tsai H. Structure Mid physical properties of amorphous hydrogenated carbon (a-C:H) films.//Materials Science Forum, 1989, Vols.52-53, P.71.

67. Stone D., La Fontaine W.R. et al. // J.Mater.Res., 1988, V.3, No.l, P.25.

68. Morita.S. at al.// Pure Appl.Chem., 1985, V.59, P.1277.

69. Harding G.L., Craig S. Magnetron-sputtered metal carbide solar selective absorbing surfaces.//J.Vac.Sci.Technol., 1979, V. 16, No.3, P.857.

70. Angus J.C., Koidl P., Domitz S. Plasma Deposited Thin Films, in: J.Mort and F Jansen, Eds, CRC Press, Inc., Boca Raton, Florida, 1986.

71. Memming R. // Thin Sol.Films, 1986, V.143, P.279.

72. Cohen M.H., Fritzche H., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconductors alloys.// Phys.Rev.Lett., 1969, V.22, No.20,P. 1065.

73. Coudene P., Cabheline Y.// Thin Sol.Films, 1987, V.146, P.93-107.

74. Bubenzer A., Dischler B, Brandt G. and Koidl P. rf-plasma deposited amorphous hydrogenated hard carbon thin films: Preparation, properties and applications. //JAppl.Phys., 1983, V.54, No.8, P.4590.

75. Sleptsov V.V., Baranov A.M., Kuzin A. A., Elinson V.M. Electrical and optical properties of carbon films. In book "Physics and Technology of Diamond Materials". Moscow: Polaron Publishers, 1994, P. 80 - 87.

76. Stoika Т., Dragomir A. et al. Optical properties of sputtering and glow discharge a-C:H films. In book: NATO ASI Series. Wide band gap electronic materials / Edited by M. Prelas et al. Kluver Academic Publishers, 1995, P. 285-290.

77. Шулепов C.B. Физика углеграфитовых материалов. M.: Металлургия, 1972, 254 с.

78. Карасов В.Ю., Шомин С.Н. Физические свойства углеграфитовых материалов, Челябинск, 1983, 176 с.

79. Dyer Н.В., Rual F.A., Du Preez L., Loubser J.H.N. Optical absorption features associated with paramagnetic nitrogen in diamond.// Phil.Mag., 1965, V.ll, No. 112, P.703.

80. Wen L. Hsu et al. Molecular beam mass spectrometry study of chemical vapour deposition of diamond//J. Appl. Phys., 1994, V.33, P 2231 -2239.

81. Morgan M. // Thin SoLFilms, 1971, V.7, P.313.

82. MOTT H., Дэвис Э. M., Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, 1982, Т.1 и 2. 664 с.

83. G.G. Hauser. Hopping conductivity in amorphous carbon films// Sol.St.Com., 1975, V.17, No.12, P.1575.

84. Hauser JJ. Electrical, structural and optical properties of amorphous carbon.//J. Non-Cr.Sol., 1977, V.23, No.l, P.21.

85. Matsumoto S., Sato Y., Tsutsumi M., Setaka N. // J.Mater.Sci., 1982, V.17, P.3106.

86. Matsumoto S. // J.Mater.Sci.Lett, 1985, V.4, P.600.

87. Wessmantel C., Bewilogua K., Dietrich D., Erler H.-J., Hinneberg H.-J., Klose S.,NowickW.,ReisseG.// Thin Sol.Films, 1980, V.72, P.19.

88. Has Z., Mitura S., ClapaM., Szmidt J. //Thin Sol.Films, 1986, V.136, P.161.

89. Jones D.I., Stewart A.D. Properties of hydrogenated amorphous carbon films and the effects of doping. //Phil.Mag.B., 1982, V.46, No.5, P.423.

90. Graebner J.E., Golding B. // Phys. Rev. B, 1986, V.34, P.5696.

91. Lohneysen H.V. //Phys. Rep, 1981, V.79, P. 161.105 .Field J.E. , The properties of Diamond , Academic press, London, 1990, 674 p.

92. Spitsyn B.V. // Handbook of Crystal Growth.V.3.Elsevier Seience B.V., 1994, P.403.

93. Образцов A.H. , Павловский И.Ю., Ральченко В.Г., Окуши X., Ватаиабе X., Определение теплопроводности алмазных поликристаллических пленок с помощью фотоакустического эффекта //ЖТФ, 1999, Т.69, Вып.4, С.97-101 .

94. Образцов А.Н. , Павловский И.Ю., Окуши X., Ватанабе X., Влияние структурных особенностей на теплопроводности поликристаллических алмазных пленок //ФТТ, 1998, Т.40, Вып.7, С.1221-1225.

95. Ивановский Г.Ф. , Петров В.И., Ионно-плазменная обработка материалов, М. :Радио и связь, 1986, 195 с.

96. ПО.Плазменная технология в производстве СБИС, под ред. Н.Айнспрука, М. Мир, 1987, 456 с.

97. Технология СБИС, под ред. С. Зи, М.:Мир, 1986, Т.2, 400 с.

98. Ивановский Г.Ф. , Слепцов В.В., Елинсон В.М., Кондратов П.Е., Ионно-плазменное осаждение пленок углерода в производстве изделий электронной техники, Электронная промышленнностъ, N12, 1989, С.26-29.

99. Лабунов В. А. , Данилович Н. И., Уксусов А. С., Минайчев В.Е. , Современные магнетронные распылительные устройства //Зарубежная электронная техника, 1982, Вып. 10, С.2-62.

100. Swanepoel R. , Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci. Instrum., 1983, Vol. 16 , P 1214 1222 .

101. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок . -М.: Энергоатомиздат, 1989, -327с.

102. James J.F. On the use of a photomultiplier as a photon counter .Mot. NotR. AstorSoc., 1967, Vol.137, P.15.

103. Totnill A. A., Measurement of very low spectral intensities .EMI. Ltd, Document, Ref. R/P029Z70.

104. Anthony T.R., Fleisher J.L. // J. Appl. Phys., 1991, V.22, P.981.

105. Лыков A. H., Теория теплопроводности. M.: Высшая Школа, 1967, 600с.

106. Bruce R.H. ,ConnelD.S.// Phys. Rev., 1973, V.15, P.914.121 .Чеперин B.T. Ионный зонд. Киев: Наумова думка, 1981.

107. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронографический анализ.- М: Металлургия , 1970, 368с.

108. Эндрюс К. , Дайсон Д. , Киоун С. Электронограммы и их интерпретация. -М.: Мир , 1971, 256с.

109. Хирш П. , Хови А. , Пэшли Д. , Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. -М.: Мир, 1968, 574с.

110. Beeman D., Silberman J., Lguds R., Anderson M.R. Modeling studies of amorphous carbon //Phys. Rev.B, 1984, Vol.30, N2, P.970-975.

111. Гавриленко В.И., Оптические свойства полупроводников , справочник, Киев, Наукова Думка, 1987.450с.

112. Robertson J., Deposition of diamond -like carbon // Phil. Trans. R. Soc. bond. A, 1993, V.342, P.277-286.

113. Smith F. W. , Optical constants of a hydrogenated amorphous carbon films// J.Appl.Phys., 1984, V.55, No.3, P.764-771.

114. Mui R. , Basa D. K. , Smith F. W. , Coderman R., Optical constants of series of amorphous hydrogenated silicon-carbon alloy films //Phys.Rev. B, 1987, V.35, No.15, P.80-89.

115. Эмин Д. Электрические и оптические свойства аморфных тонких пленок. В кн.: Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и применение/ Под ред. Казамерзки JI. М.: Мир. 1983. 304 с.

116. Иванов-Омский В.И., Толмачев , А.В., Ястребов С.Г., Оптические свойства пленок аморфного углерода , выращенного при магнетронном распылении графита// ФТП, 2001, Т.35, Вып.2, С.227-232.

117. Spear W. Е., Le Comber P.G., Optical constant of hydrogenated amorphous carbon films //Phil.mag.B43, 1981, P.781-785.

118. Аморфные полупроводники // Под ред. Бродски М. М.: Мир. 1982.419 с.

119. Аморфные полупроводники и приборы на их основе// Под ред. Й. Хамакава. -М.: Металлургия, 1986, 576с.

120. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Оптические свойства полупроводников , Справочник, Киев, Наукова думка, 1987, С.95-106.

121. Аверьянов B.JL, Федоров В.А., Ястребов С.Г. О применении многоугловой эллипсометрии для исследования и контроля тонкослойных поглощающих оптических покрытий. //ЖТФ, 1994, Т.64, No.l, С. 103-117.

122. Пшеницын В.И., Абаев М.И., Лызлов Н.Ю. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях. JL, Химия, 1986, 152с.

123. Dischler В., Bubenser A., Koidl P., Hard carbon coatings with low optical absorption//Appl.Phys.Lett., 1983, V.42,P.636-638.

124. Anderson D., Similar a-C:H films //Phil.Mag., 1977, V.35, P.17-22.

125. Spear W. E., Allen D, Le Comber P.G., Structure investigation of thin films of Diamond like carbon //Phil.mag.B41,1980, P.419-430.

126. Elliot S. R., AC conductivity due to intimate pairs of charged defect centers //Sol. State Comm., 1978, V.27, N8, P694-751.

127. Siebert W., Carius R., Fuhs W., Jahn K. // Phys.St.Sol.(b), 1987, V.140, No.l, P.311-321.

128. Sussman R. S., Lander E. H. // J.de Phys., 1981, V.42, P.C4-1029--C41032.

129. Sussman R. S., Ogden R. // Phil.Mag., 1981, V.B44, No.l, P.137-146.

130. Masumoto Y., Kunitomo H., Shionoga Sh., Munnekata H., Kukimoto H. // Sol. St. Commum., 1984, V.51, No.l, P.209-212.

131. Васильев В.А., Волков A.C., Мусабеков E., Фототоминесценция аморфных пленок a-SiixCx:H // ФТП, 1990, Т.24, Вып.4, С.710-716.

132. Francesca D., StefFen S., Alberto Т., Photoluminescence in a-C:H films //Phy.Rev.B, 1995, No.4, V.51, P.2143-2147.

133. Xinxing Yang, Barnes A.V., Albert M.M., Albridge R.G., McKinley J.T., and Tolk N.H., Cathodoluminescence and photoluminescence from chemical vapor deposited diamond//J.Appl.Phy., 1995, V.77, No.4, P. 1758-1761.

134. Бабаев A.A., Абдулвагабов М.Ш., Особенности фотолюминесценции аморфного алмазоподобного гидрогенизированного углерода // Письма в ЖТФ, 1989, Т.15, Вып.14, С.75-79.

135. Васильев В.А., Волков А.С., Мусабеков Е„, Теруков Е.Н., Особенности фотолюминесценции пленок аморфного гидрогенизированного углерода а-С:Н // Письма в ЖТФ, 1988, Т. 14, Вып. 18, С. 1675-1679.

136. Obraztsov A.N., Okushi Н., Watanabe Н., Pavlovsky I.Yu. // Diamond and Related Materials, 1998, V.7, P. 1513-1518.

137. Но Н.Р., Lo К.С., Tjong S.C., Lee S.T. // Diamond and Related Materials, 2000, V.9, P.1312-1319.

138. Schmidt R., Franke Т., Haussler P. // Journal of Non-Crystalline Solids,1999, V.5,P.811-814.

139. Cheung A.C., Leung K.M., Sun C.? Liu B.C., Woo H.K., Lee S.T., Shi X.Q. // Diamond and Related Materials, 1999, V.8, P. 1607-1610.

140. Гамзатов А.Г. // Тезисы докладов ВНКСФ-7, С-Петербург, 2001,С.89-90.

141. Абдулвагабов М.Ш., .Шахшаев Г.М, Г Сафаралиев.К., Гамзатов А.Г., Косарев А.И., Маника И.П. // Тезисы докладов II международной конференции по микрокристалическим полупроводникам, г. С-Петербург,2000, С.56.