Фотопроводимость и фотолюминисценция льда In тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

218' 0 5,

российская академия наук

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Яа правах рукоПися

ХУСНАТДИНОВ Нияз Наильевич

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ И «ОГОШМШСШШШ ЛШ Специальность 01.04,07- ®изика твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

. Черноголовка 1992

/

Работа выполнена в Института физики твердого тела РАН.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук В.Ф.Петренко

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук В.К.Долгшюв кандидат физико-математических, наук 0.А.Андреева

Ведущая организация: Институт физической химии РАН

Запита состоится Ц/О//-*- 1992г. в /<0 час

на заседают специализированного ученого совета Д 003.12.01 при Институте физики твердого тела РАН по адресу: 142432, Московская область, Ногинский район, п. Черноголовка, ИФГТ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики твердого тела РАН.

Автореферат разослан < » 1992г.

Ученый секретарь специализированного совета доктор

физико-математических наук В.Д. Кулаковский

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы.

Лед- одно из простейших молекулярных твердых веществ с водородной связью широко распространенное на Земле и в космосе. Действительно, ледники занимают Их земной поверхности, а снег 14х суш. Несмотря на активные исследования свойств льда, многие из них до сих пор остаются малоизученными. Это относится, например, к природе квазижидкого слоя, открытого еще Фарадеем, к природе свехпластичности льда, к механизму переноса заряда во льде и т.д. Во многом остаются малоизученными оптические и электрические свойства льда. Как правило это связано с отсутствием специально разработанных и неприменимостью стандартных методик, применяемых для большинства твердых тел.

Лед нельзя отнести к чисто упорядоченным структурам, обладающими трансляционной симметрией <к кристаллам). ввиду того,, что протонная подсистема льда разупорядочена. Поэтому, при изучении электронных свойств льда к нему нельзя применять стандартную зонную модель. С другой стороны, лед нельзя рассматривать и как чисто аморфное вещество, так как кислородная подсистема в нем упорядочена. Это проявляется, например, в двулучепреломлении или в огранке монокристаллов И).

С точки зрения электронной проводимости лед следовало бы отнести к диэлектрикам <Едар"Ю.9 эв [2]). Однако, при такой ширине запрещенной зоны лед обладает аномально высокой электропроводностью о-« Ю"7 ом-1 -м"1 при Т= -1(Яс, которая обусловлена движением дефектов в протонной подсистеме: Н^О*, ОН" ионов и и- и дефектов [3]. Так как энергия, необходимая для образования пары ионов, составляет 0.96 эв, то лед относят к 1тротонным полупроводникам.

Дефектами протонной подсистемы во многом определяются не только электрические свойства (дисперсии электропроводности и диэлектрической проницаемости льда), но и механические (пластическая деформация Ир, пьезоэлектрические (псевдопьезозффект 15]) и поверхностные свойства [6]. Поэтому нахождение способа обратимого изменения концентраций данных дефектов может дать мощный метод для изучения вышеперечисленных свойств. Одна из возможностей- это управление концентрациями дефектов с помощью света. Поискам подобных фотопроцессов, в частности поискам протонной фотопроводимости чистого льда, были посвящены многие попытки, но до сих пор были они были безуспешными [7,8].

Целью данной работы является I) обнаружение и исследование протонной фотопроводимости льда ih, 2) изучение влияния легирования льда кислотой или щелочью на характер фотопроводимости, 3) исследование фотолюминисценции льда в диапазоне 180- 300 нм.

Научная новизна. . I.Обнаружена протонная фотопроводимость чистого льда, возбуждаемая светом с энергией квантов hi« 6.5 эв.

2.Исследовано влияние легирования льда щелочами и кислотами на характеристики фотопроводимости.

3.Изучена люминесценция льда в диапазоне 180- 300 нм. Обнаружен дополнительный пик возбуждения при 193 нм.

4.Изучена термолюминесценция льда, возбуждаемая светом.

5.Разработан новый метод роста монокристаллов чистого и легированного льда.

6.Обнаружен пороговый характер образования перекиси водорода HgO^ во льду в процессе облучения светом, возбуждающим

фотопроводимость.

7.Обнаружен процесс внутренней фотоионизации льда при ь^* 6.3 зв через реакцию " автоионизации".

Научная и практическая ценность работы.

Изучение процессов фотопроводимости и фотолкминисценции позволяет продвинуться в понимании электронного спектра льда, взаимодействия электронной и протонной подсистем, а также механизма влияния протонной подсистемы на различные физические свойства льда- неупругая релаксация, псевдопьезоэффект, поверхностные свойства льда и др.

В работе показано, что во льду, как и в воде, при энергиях света ьс® 6.5 эв возможно образование И накопление сольватированных электронов. Ранее сольватированные электроны во льду получали только с помощью высокоэнергетических излучений.

Исследование термолюмишсценции льда, возбуждаемой светом, позволит определить характеристики ловушек без радиационного разрушения.

Новый способ роста монокристаллов льда позволяет получать кристаллы за времена - 10 минут и с аномально высокими концентрациями примесей » 10_1моль/л. Это расширяет возможности изучения влияние высокой степени легирования на различные физические свойства монокристаллов льда. Например, при исследовании фазового перехода льда -> XI.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы обсуждались и докладывались на VII и VIII Международных симпозиумах по физике и химии льда в Гренобле в 198? и в Саппоро в 1991 годах, на Мевдународной конференции по физике полупроводников в Варшаве в 1988 году, на Всесоюзной конференции по физике криокристаллов в Красном Лимане

В 1991 ГОДУ.

Публикации. Основные результаты, положенные в основу диссертационной работы, опубликованы в 5 статьях, в 4 тезисах 2 конференция, в двух препринтах и в одном авторском свидетельстве.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 141 страниц, включая рисунка и список литературы на 142 библиографи-

ческих наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении сформулированы основные цели работы, • ее актуальность и научная новизна. Дано краткое содержание диссертации по главам.

Первая глава представляет собой литературный обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных описанию и исследованию структуры льда, его электрических, оптических свойств, фотоломинисценции и поискам протонной фотопроводимости.

Вторая глава посвящена описанию основных экспериментальных методик, использованных для получения результатов, представленных в диссертации. Приводятся описание экспресс метода роста монокристаллов льда, методика создания омических электродов и основные характеристики экспериментальной установки.

Для получения льда использовалась вода, подвергавшаяся различным способам очистки, к которым относятся дистилляция, деионизация, дегазация и фильтрация.

Для получения монокристаллов чистого и легированного льда использовались стандартный метод управляемой кристаллизации из раствора или специально разработанный автором экспресс метод.

Для получения образцов льда нужной формы заготовки

вырезались из исходного монокристалла пилой, затем шлифовались абразивной Оумагой и полировались мягкой фланелевой тканью. Металлические электрода примораживались ко льду пол давлением. Пэред измерениями образцы льда отжигались в течении нескольких суток.

Для измерений на переменном токе использовались чистые металлические электроды из золота au, платины Pt шш нержавеющей стали. Для измерения на постоянном токе применялись электроды двух типов: приготовленные путем пропускания электрического тока в процессе замораживания образца (9], либо электроды на основе палладий- рутениевого i'd-яи сплава.

Для изучения изменения электропроводности льда в частотном диапазоне 10 Гц - 100 кГц применялась стандартная мостовая схема, с которой снимался, сигнал, пропорциональный активной части проводимости. Для измерений на постоянном токе использовались стандартные схемы с использованием охранного кольца.

В качестве источника возбуждения в спектральном диапазоне 170- 400 нм использовалась дейтериевая лампа ДЦ(D). Для спектральных измерений использовались светосильный молохромагор с торроидальной решеткой и стандартная набор оптических фильтров. Регистрация оптического излучения производилась фотоэлектронным умножителем, окно которого било покрыто тонким слоем салишигата натрия.

Определение концентрации перекиси водорода п2о2 производилось калориметрическим способом [íoj.

Для оптических и электрических измерений применялся азотный -оптический криостаг.

В третьей главе приведены описания экспериментов по обнаружению и изучению основных свойств фотопроводимости чистого

льда ih. Делается вывод о том, что фотопроводимость является объемной и не зависит от содержания случайных примесей во льду и в этом смысле является собственной.

Фотопроводимость льда ih была обнаружена при его освещении белым светом дейтериевой лампы. По характеру изменения проводимости можно выделить обрвтимую <тг и необратимую <rit части. Величина обратимой части фотопроводимости не зависела от чистоты исходной воды из которой выращивался образец, т.е. от содержания случайных примесей. В этом смысле она является характеристикой самого вещества, т.е. является собственной.

Характерное время релаксации обратимой части проводимости <гг составляет хгв1« 60 сек., в то время как для необратимой части фотопроводимости она достигает нескольких часов.

Характерные дисперсии проводимости <r(f) и диэлектрической . проницаемости c(f) льда до и после длительного (60 минут) облучения дейтериевой лампой приведены на рис.1. Светлыми фигурами обозначены дисперсии до облучения, темными- дисперсии, измеренные через 10 минут после выключения лампы. Видно, что необратимых изменений диэлектрической проницаемости c(f) в результате облучения не происходит. В частности, не изменяется низкочастотная диэлектрическая проницаемость cQ, определяемая концентрацией основных дефектов (ь- и d- дефектов), а также Дебаевская частота релаксации fD. Можно предположить, что не изменяются и сами концентрации ь- и i>- дефектов, что подтверждается характером изменения проводимости на высокой и низких частотах. Видно, что относительное изменение проводимости на высокой частоте f*fD (определяемой основными носителями) много меньше, чем на низкой частоте fsfD, где проводимость определяется неосновными носителями заряда- Но0+ и ОН" ионами, т.е. bajv^

Рис.1. Дисперсии проводимости <r(f) и диэлектрической проницаемости е( п льда до и после длительного (60 минут) облучения дейтериевоП лампой.

Рис.2. Спектральная зависимость фотопроводимости (сплошная кривая) и поглощения льда (штриховая линия).

Необратимые изменения низкочастотной проводимости «<г0 Могут на порядок- два превосходить первоначальную проводимость

V

На рис.2 приведена спектральная зависимость фотопроводимости (сплошная кривая»« нормированная на спектральную плотность излучения дейтериевой лампы, с учетом поглощения льда в данном спектральном диапазоне (штриховая линия). В качестве величины, характеризующей спектральную зависимость фотопроводимости льда, использовалось значение производной по времени л*^« в начальный момент времени после включения лампы, т.е. начальный наклон кривой <г0(Ь1 .

Для доказательства того, что фотопроводимость является объемной, а не поверхностной или связанной с приэлектродньми процессами (например, с возможной фотоинжекиией из электродов) был проведен ряд экспериментов.

1.Фотопроводимость подтвердилась при измерении на переменном токе с использованием чисто блокирующих электродов. Для получения блокирующих электродов между льдом и металлическими электродами помещалась тефлоновая пленка толщиной 5 мкм. Таким образом, ОТ не связана с приэлектродными процессами типа фотоинжекшш носителей заряда из электродов или с какими либо изменениями свойств переходного слоя металл- лед.

2.Для доказательства того,, что ФП является объемным, а не поверхностным эффектом был проделан эксперимент с промежуточным удалением поверхностного слоя (-0.5 мм) и заменой электродов на новые. Величина проводимости после удаления поверхностного слоя с хорошей точностью совпадала с проводимостью на момент прерывания облучения. Таким образом( было установлено, что необратимые изменения проводимости происходили в объеме льда.

3.Фотопроводимость подтвердилась при измерениях на постоянном токо с использованием экспериментальной ячейкиг в которой электроды и приэлектродныв области не освещались.

Для доказательства того, что процессы, приводящие' к Фотопроводимости льда, можно возбудить при температурах шив т* -30°С, производилось низкотемпературное облучение образцов льда. Сравнение же проводимостей до и после облучения производилось при высокой температуре. В случае отсутствия низкотемпературного облучения проводимость льда не изменялась, а, если облучение производилось, то достигало 50* 100х.

Четвертая глава посвящена изучению влияния легирования льда кислотой или щелочью на основные характеристики ФП и выяснению вопроса о природе фотоносителей. Изучается характер фотообразования перекиси водорода п2о2. Делается вывод о том» что причиной изменения электропроводности льда является увеличение под воздействием света отношения концентраций НдО+ и 01Г ионоз (другими словами уменьшение водородного показателя льда рН=-1д{[п30+])).

Изучвя влияние света на низкочастотную проводимость <г0 при разных начальных соотношениях концентраций НдО+ и ОК" ионов (достигаемое с помощью легирования) можно определить- меняется ли это начальное соотношение Н30+ и ОН" ионов в процессе облучения или нет. Такой анализ можно провести путем сравнения изменений электропроводности льда при легировании и при освещении.

Было обнаружено, что фотопроводимость льда, легированного кислотой (например, нг.нси, всегда положительная. Для льда, сильно легированного щелочью- (нн3,кош фотопроводимость всегда отрицательная. Для образцов льда, слаболегированннх щелочью, за время порядка эксперимента наблюдается смена знака ФП. При этом

проводимость достигает минимума <г0||1п и затем начинает расти. При т- -15^ »с,!,,« 5-Ю"11 ом"1-«"1.

Поскольку изменения проводимости в основном определяются необратимой частью сг1г* а обратимые изменения проводимости невелики и<г1г» а*,), то анализ был проведен только для первой компоненты. При этом измерялась производная логарифма необратимой части проводимости <?1г( о в начальный момент облучения э-

На рис.3 представлена зависимость р от логарифма начальной проводимости 1п(<го(ь-0)). Кривая I построена для образцов льда, легированных ашиаком кп4он. Кривая 2 - для образцов льда, легированных плавиковой кислотой И7. По мере увеличения легирования льда величина 101 проходит через максимум и долее 101-» 0. Штриховой линией изображена кривая, полученная пересчетом из экспериментальной зависимости электропроводности льда от его рН Ц11. В качестве коэффициента подобия был использован удвоенный показатель кислотности льда х» 2-рн« 1д(10Н~))/([Нз0+]). Лучшее согласив достигается, если Лх/И' 5-Ю-3 мин-1. Из факта совпадения зависимостей на рис.3 мояно сделать вывод о том, что в процессе облучения льда светом с энергией фотонов Ьу* 6.5 эв электропроводность льда а0 изменяется вследствии изменения соотношения концентраций Н30+ и ОН" ионов. Из знака ФП следует,что в процессе облучения концентрация Нз0+ ионов увеличивается, т.е. рН льда уменьшается. Учитывая, что равновесная концентрация ионов НдО+ в чистом льде п+= Ю13 см"3. <ЛНзО+]/<ии 5-Ю10 ионов/мин. Квантовый выход реакции фотообразования НдО+ ионов составляет ч» 1(Г4.

В работе показано, что легирование льда кислотами или щелочами не приводит к изменению спектра ФП.

Рис.3. Зависимости э- производной логарифма проводимости <rir(t) в начальный момент облучения от логарифма начальной проводимости in(<r0(t»o>

1Х> СЧ1

ш

ш

й

лб|»6беУ

-цгНДп

1 /¿Сер

ПАЯ ^

Vopor - Voter

Рис.4. Схема внутренней фотоионизации воды ¿oi(eq) согласно реакции " автоионизащпГ :

H20(aq) —»HgO^aq) + e^q AG^aq) *6.5ЭВ.

Обнаружено, что в процессе облучения льда светом, возбуадавдим фотопроводимость, в нем образуется перекись водорода %02. Это свидетельствует об образовании во льду ОН' радикалов. Кинетика образования перекиси водорода проявляет немонотонный характер. Перекись водорода начинает образовываться только при достижении определенной величины дап в изменении электропроводности льда. Для сильнощелочного льда д<гц=0. По мере увеличения кислотности льда величина порога д<гп увеличивается и выходит на насыщение в районе рН» 7 <д<гп=3-10~10ом~* -см-1 при Т=-15Яс> и далее при рН* 7 уже остается постоянной величиной.

Учитывая, что образование перекиси водорода Н^ во льду подразумевает образование ОН' радикалов, а также учитывая зависимость |э| от рН, можно придти к выводу, что наиболее вероятным является следуший механизм:

Н20 + 1и> —> Н20* (I)

П20* + Н20 —> Н30+ + он' + е~ (2)

Пятая глава посвящена изучении фотолшинисценции льда в спектральном диапазоне 180♦ 300 ям. Изучается тормолюминисценция льда, возбуздаемая светом. На основании результатов четвертой и пятой главы делается вывод о том, что во льду протекает реакция " автоионизацииГ , которая до этого была подтверждена только в воде [ю,12]. Обсуждается возможный механизм этой реакции.

Люминесценция льда обладает широким спектром излучения от 350 до 650 нм с максимумом при *В1а)С= 430 нм («2.8 эв). Спектр измерялся в режиме послесвечения. Задержка после выключения возбуждающего света перед измерением составляла 5 мсек. Форма и параметры спектра излучения не зависят от длины волны возбуждения. Характерное время релаксации излучения составляет

т«5 сек.

В спектре возбуждения люминесценции наблюдаются два хорошо различимых максимума при х=193 нм и при л=285 нм. Форма спектра возбуждения одинаковая для всей полосы излучения от 350 до 650 нм. Максимум при х» 193 нм наблюдается впервые.

Энергия активации люминисценции с учетом уменьшения активных центров при нагреве образца составляет Еа= 0.07 эв в диапазоне Т=140-200К. Наиболее вероятным источником фотолюминесценции льда может рассматриваться аналог триплетного состояния молекулы воды а3в1 в твердой фазе.

Кривая термолкминесценции льда 1(т), вследствие слабой интенсивности излучения, измерялась без монохроматора при полностью открытом окне ФЭУ. На кривой высвечивания хорошо различимы два пика при 116К и при 153К. Отношение их интенсивностей зависит от способа приготовления образца льда, времени отжига и предистории (например, от полной дозы облучения и времени релаксации перед повторным облучением). Анализ пика при 153К был проведен в предположении первого порядка термолюминисцешши. Определено, что глубина ловушек Е,.г=0.52±0.04 эв, частотный фактор Ю14 гц. Было установлено, что термолюминисцешшя льда возбуждается светом лишь с энергией фотонов более, чем 6.5 эв, спектр излучения термолшинисценции лежит в диапазоне х=350-550 нм.

Обнаружение термолкминесценции и фотопроводимости льда в одном и том же оптическом интервале х < 190 нм дает основание предполагать о возможности протекания в нем реакции " автоионизации" . При низких температурах Т* 130К сольватированные электроны е~ захватываются на ловушки с глубиной Е,.г=0.52±0.04 эв. При нагреве образца электроны активируются и становятся

подвижными е~-» е~. Излучение термолюминесценции может происходить либо в результате непосредственной рекомбинации е~ мобильного электрона с ионами ^О*. Нд0+, ОН', либо в результате внутримолекулярных переходов возбужденных продуктов рекомбинации 1^0*, НдО*. ОН"*.

Представим схему (рис.4) для оценки энергии внутренней ионизации воды лс1(а<г) в предположении, что для льда справедливо аналогичное рассмотрение.

Здесь 12.6 эв есть энергия ионизации молекулы воды в

вакууме, е4= 10.06 эв - пороговая энергия внешней ионизации воды (внешний фотоэффект). ло0 р= -2.13 эв - изменение свободной энергии при внесении иона Н20+(<Згу) в воду из вакуума, учитывающее вклад электронной поляризации воды в суммарную свободную энергию сольватации данного иона д<зв(Н20+)=-4.39 эв. Другая часть вклада это свободная энергия реорганизации структуры ДСг=-2.26 эв, включающая ионную и дипольную поляризацию воды. ао(Н20)=-0.4 эв - энергия сольватации молекулы воды, ла^ е =-1.2 эв - энергия мобильного электрона е~ в воде по отношению к уровню в вакууме. дов(е~)=-1.63 эв - свободная энергия сольватации электрона в воде. Из приведенной схемы (рис.5.7) следует, что для воды дв^ая)« 6.6 эв.

В заключении главы сделан вывод о том, что для льда справедливы аналогичные реакции:

Н^ОИсе) —» 1св) + е~, ДС1(1се)'»-6.5 эв (3)

21^0(106) Нз0+(1се) + 0Н'(1се) + е~, дс«-5.8 эв (4)

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ.

В заключении приведены основные результаты и выводи диссертации, которые можно сформулировать следующим образом:

I.Обнаружена и исследована прогонная фотопроводимость (ФП) чистого льда, возбуждаемая светом с анергией квантов более Ьиг 6.5 эв. Сделан вывод о том,.что ФП является объемной и не зависит от содержания примесей и в этом смысле является собственной.

2.Исследована ФП льда, легированного кислотой или щелочью. Сделан вывод о том, что в процессе облучения льда отношение концентраций Н30+ и ОН" ионов увеличивается. Показано, что для чистого льда и льда, легированного кислотой знак фотопроводимости является положительным. Для льда, сильно легированного щелочью, знак фотопроводимости отрицательный. Для слабощелочного льда знак ФП в процессе облучения изменяется с отрицательного на положительный.

3.Показано, что в процессе облучения льда светом, возбуждающи* ФП, в нем образуется пэрекись водорода Н2О2. Обнаружено, что процесс образования перекиси водорода носит пороговый характер. Порог связан с изменением низкочастотной проводимости на определенную величину, характерную для каждой степени легирования льда.

4.Изучена люминисценция льда, возбуждаемая светом в диапазоне 180-300 нм. Обнаружен новый пик возбуждения при л-193 нм. Люминесценция имеет широкую непрерывную полосу излучения от 350 нм до 650 нм с максимумом при х>420 нм и временем жизни т» 5 сек. Изучена температурная зависимость люминесценции.

5.Обнаружена и изучена термолшинисценшя льда, возбуждаемая светом при энергиях 111« 6.5 эв.

6.Предложен новый способ 'получения монокристаллов чистого и

легированного льда. Способ характеризуется высокой скоростью роста монокристаллов v- 1-10 см/сек. Показано, что данным способом удается вырастить легированные монокристаллы с рекордными концентрациями примесей -вплоть до с« ю-1 моль/литр.

7.Обнаружено, что в процессе облучения льда светом в области собственной оптической прозрачности с энергией фотонов более 6.5 эв, возбуждается реакция " автоионизацииГ, которая приводит к образованию сольватированных электронов и положительных ионов воды.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1.Petrenko V.P.,Khusnatdinov N.N.,and Zaretskii A.V., "Investigation of proton- exchange processes at the ice- plasma and ice- metal Interfaces", VII Symposium on the Physics and Chemistry of Ice", Abstracts, p.43, Grenoble^ (1986).

2.Khusnatdinov N.N., Petrenko V.F. and Zaretskii A.V., "Investigation of the proton-exchange processes at the ice- metal interface", J.de Physique, col.l,_48_, 105- 108, (1987).

3.Хуснатдинов H.H., Петренко В.Ф., Зарецкий А.В.."Исследование процессов обмена протонами на границе лед- металл", Препринт ИФГТ АН СССР, Черноголовка, (1987).

4.Хуснатдинов Н.Н., Петренко В.Ф., Туранов А.Н.."Собственная фотопроводимость гексагонального льда", Препринт ИФТТ АН СССР, Черноголовка, (1988).

5.Khusnatdinov N.N.»Petrenko V.F.,and A.N.Turanov,"Intrinsic Photoconductivity of Hexagonal IceH,Phys.Stat.Sol.(a), 118 ,401-408, (1990).

fi.KhuBnatdinov N.N.,and Petrenko V.F.,"The photoconductivity of doped ice Ih", in "Physics and Chemistry of Ice", 170-174, ed. by

N.Млeno and Т.Hondoh, published by Hokkaido University Preaa, Hatch X992.

7.Khusnatdinov H.N.,and Petrenko V.F.,"Photoluminescence of ice Ih in spectral region 180+300 nm", 163-169, ibid. B.Khusnatdinov N. N. and Petrenko V.F.„"Express method of single crystal growth for pure and doped ice ih", 395-390, ibid.

9.Khusnatdinov H.N.,and Petrenko V.F.,"Photoluminescence of ' ice in spectral range 180+ 300 nn". Summaries of International

Symposium on Physics and Chemistry of Ice, Sapporo, 97, (1991).

10.Khusnatdinov N.H.,and Petrenko V.F.,"The photoconductivity of doped ice Ih", ibid., 98, (1991).

11.Khusnatdinov N.N.,and Petrenko V.F.,"Express method of single cryetal growth for pure and doped ice Ih", ibid., 163- 164, (1991).

.Д2.ХУСН8ТДИН0В H.H., Авторское свидетельство № S0-151579O, "Способ получения монокристаллов льда", приоритет от 6 февраля 1987.

Цитируемая литература. l.Hobbs P.V.,"Ice Physics", Clarendon Press, Oxford, (1974). 2.Seki M.,Kobayashi K.,and Nakahara J.,"Optical Spectra of Hexagonal Ice",J.Phys.Soc. Jpn., 50, 2643-65,(1981).

3.Bjerrum N.,"Structure and properties of ice I. The position of the hydrogen atoms and zero-point entropy of ice", K.danske Vldensk.Selsk.Skr., J7_ ,1-56, (1951).

4.Glen J.W.,"The effect of hydrogen disorder on dislocation movement and plastic deformation of ice", Phys.kondens.Haterie, _7_ , 43-51,(1968).

5.Evtushenko A.A.,Maeno.N.,Petrenko V.F.,and Ryzhkln I.A.,

"Peeudopieroelectrlc effects In lea", J. Physique, «8 t COliClr sup.3.C1-109-113,(1987).

Fletcher N,П.,"Surface Structure of Hater and Ice", Phil. Hag., 18 .1287-1300, (1968).

7.Camp p.R,, and Spears D. L.,"Conductivity Changes Produced In Ice by Optical Irradiation 0.8 to 2.7 M",int Physics of Snow and Ice, Proc«Internat.€onf.Low Temperature Science, _1_ ,181- 206, (1967).

ff.Petrenko V.F.,Ebinuma T.,and Паеno N. ,"Protonic photoconductivity of ice",Phys.St,Sol.(a),,695-702,(1986).

9.Евтушенко А.А.. Мартиросян M.Б., Петренко В.Ф., "Экспериментальные исследования электрических свойств льда, выращенного в постоянное электрическом поло", ФГТ, _30_, 2133-38, (1988).

10. Boyle «J.W. ,Ghormley J.A.,Bochanadel С. J.,and Riley J.Г., "Production of Bydrated Electrons by Plash Photolysis of Liquid Water with Light in the First Continuum",J.Phys.Chem., 73 ,2886-90, (1969).

11.Levi L., Milman 0.,and Suraski B.,"Electrical Conductivity and Dissociation Constants in Ice Doped with HF and NH} in Different Ratios", Trans. Faraday Soc., _59_ ,2064-75, (1963).

12.Hikogosyan D.N.,Oraevsky A.A.,and Rupasov V.I.,"Two-photon ionization and dissociation of liquid water by powerful laser uv radiation",Chem.Phys.,_77_,131-43,(1983).