Гетеро- и МДП-структуры на основе карбида кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ



АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН

НАУчно-прситоястзЕнног объепинение

ВИКА-СОЛНЦЕ" им. С. Л. АЗИМОВА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. С. В. СТАРОДУБЦЕВ А

На правах рукописи УДК 621. 315. 592 ТАДЖИБАЕВ МАШРАБЖОН

ГЕТЕРО-И МДК-СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Специальность 01.04.10 —физика полупроводников н диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации па соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ташкент- Г-СЗ

Работа выполнена в физико-техническом институте НПО «Физика-Солнце* АН Республики Узбекистан.

Научный руководитель — доктор физико-математических

наук, Ш. А. Мирсагатоз.

Официальное оппонент л — доктор физико:математических

наук, С. X. Шамирзарв, --------- - у ■

кандидат физико-математических наук, 111. Махкамов.

Ведущая организация — Ташкентский Государствен!! «й

технический университет.

Зашита диссертации состоится . /Я- • «¿/ЛЛ- 1993 г. в /<7 часов на заседании специализированного совета Д.01 о. 08.21 по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора наук при физико-техническом институте НПО „Фкзика-Солнце" АН Республики Узбекистан по адресу: г. Ташкент, ул. Г. А'авлянова, 2-6.

Отз в на автореферат присылать 700084, г.Ташкент, ул. Г. Мавлянова, 2-6, ФТИ НПО „Физика-Солнце" АН РУз.

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке АН РУз.

Автореферат разослав - * ^^ 1993 г.

Ученый секретарь Специализированного Совета, 'ЗЪ/? доктор технических наук Р. АВЕЗОВ.

- 3 -

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Карбид кремния является перспективным материалом для полупроводниковой науки и техники, благодаря таким уникальным свойствам, кал Высокая твердость и термостойкость (до<~700°С), химихгэская и радиационная стойкость, способность излучать свет в видимой .области спектра при электро- и фотовозбуждении.

Карбид кремния успешно применяется при изготовлении ряда полупроводниковых приборов: терморезисторов, высокотемпературных тензодатчиков, фоторезисторов и фотоэлементов для преобразования энергии ультрафиолетового излучения в электрическую энергию, высокотемпературных счетчиков сильно ионизирующих излучений, полевых транзисторов, зысокостабильных полупроводниковых излучателей света (светодиодов) и яр.

Несмотря на широкое практическое применение, карбид-кремниевые приборы не наили еще большого использования в технике из-за их высокой стоимости, что обусловлено сложностью технологии получения исходного материала. Поэтому нахождение путей синтезирования карбида кремния, имеющего желаемую политипную форму с контролируемой примесью и, следовательно, обладающего заданными электрофизическими свойствами, является актуальной задачей.

- , В настоящее время показаны возможности создания гетеро- и ВДП-структуры на основе карбида кремния» Но» однако, электронные процессы в этих структурах почтя не изучены.

Известно» что в определении электрофизических свойств гете-роструктур важнуи роль играют поверхностные состояния (ПС11. Их следует учитывать при' создании структур полупроводник металл СПМ), металл - диэлектрик - полупроводншгЧЗДП), поскольку их характеристики существенно зависят от концентрации ПС и ловушек, ямепцих на границе раздела ПМ и полупроводник - диэлектрик (ЦД1 и в диэлектрике. ' .

Диэлектрическая пленка на поверхность $¿0 выращивается путем термического окисления в атмосфере влажного или сухого кислорода как в случае кремния. При термическом окислении скорость роста двуокиси кремния ( §¿02^ очень низкая, а температура высокая (1200 - 1300)°С. Поэтому представляет особый интерес получение 310о термическим напылением. Скорость термического напыления можно- регулировать путем изменения электрической мощности в широком интервале, которая позволяет получить тонкие и толстые слоя Б^Оо. Окисный слой на поверхности ¿'¿С

используется в качестве защитного слоя при газовом травлении, пассивации Р - П.- перехода, идентификации полярности кристалла ' $¿0, с использованием термического окисного слоя изготовляются планарше и мезатранзисторы на основе С методом фотолитографий.

Несмотря на столь широкое применение окисного слоя в технологии создании карбид-кремниевых приборов, физический механизм электронных процессов на границе окисного слоя и 5£С изучен весьма слабо. " .

Из вышеизложенного следует, что весьма актуальным является исследование.влияния граничных электронных состояний на электрофизические свойства карбид-кремниевых гетеро- и ВДП-структур.

Изучение электрофизических свойств ВДП-структур открывает пути создания полупроводниковых приборов, принцип работы которых основан на переносе заряда вблизи самой поверхности полупроводника с диэлектриком. • ;

К числу этих приборов относятся высокотемпературные диоды Шоттки, ЩП-варикапы, Е4ДП-светодиоды, полевка транзисторы и др.

Цель и задачи работы. Основной целью настоящей работы является показать возможности использования легкоплавких металлов таких, как алюминий, в качества растворителя при выращивании , карбид-кремниевых слоев методом движущегося растворителя и изучение влияния ПС на электрофизические и лшикисцентные свойства гетеропереходов, диодов Шоттки и'ВДП-структур на основе карбида кремния гексогональнэй модификации.

Для достижения поставленной цели в диссертации были поставлена следующие, задачи: \

I. Подучить изотипный ГП между сС и - /г С и диоды Шоттки на основе п~с( $'[ С и изучить влияние ПС .на-их электрофизические свойства.

'¿. Получить ВДЯ-структурк на основе п. ~о!ЗсС методом , термического напыления ¿¿0% и. определить шкропараыетрк ЙС и встроенных зарядовых состояний дк' -«ктрика, а такке изучить влияние этих состояний на потенциальный рельеф слоя объемного заряда.

3. Определить растворимость $¿0 в рагтвэр-хэазллаяе Жу. изучить контактные явления кежгу алмешиевым расп саьеы и кристаллом $1 С .

4. Получить легированные карблд-кремнаевые слои кетодзм движущегося растворителя с использованием легкоплавкого нет «да

алвминая в качества ^Ествор-рЕоилаеа и ттглть элсктролвмянее-

центныз .свойства полученных структур.

Научная новизна полученных .результатов.

1. Показано, что электронные процессы а изотопных гетеропереходах rißSlC-ttoCSiC можно описать в модели двух барьеров ¡Доттки обратно в-слюченних друг другую

2. Вменено, что з диодах йоттяи dt -ndSiC ü JA~nd SiC высота барьера и электрические свойства целиком определяйте,*! поверхностными состояниями ма границе раздела .МЛ.

3. Показано, что в диэлектрике ( Siö2) карбид-кремниевых ЦДЯ-структур создаются встроенные зарядовые состояния» связаннее с дефектами до норного типа. При скорости нанесения 3£ 0g'

10 А/С и температуре ясцяояяя оОО°С в диэлектрике возникают встроенные зарядовые состояния с общей концентрацией ~IO^cm_w» которые изменяют.- потенциальный рельеф на граница раздела диэлектрик-полупроводник,

4. Установлено,4 что растворимости St С в расплавах влямикая повышается с увеличением. .температуры и достигает по весу 105 при 1550°С. ila исследований взаимодействия расплава алемикия с поверхностью п-о( SiC определены угол сйзчиваамости атамнкил (9—25° при Т * 1650°С), мзнфазная энергия ( 6ГЖ ä3.05 Дг.-М~2) и работа адгезия С W^ — 1.6 Дж-М"^).

исконные положения,вчносимна на зanяту.

1. Использование з качестве раствор-расплава J>t приводит к резкому понижения температуры синтеза SiC и уменьшению концентрации неконтролируемых примесей» что позволяет получить излучающие структуры в сине-зеленой области спектра.

2. Потенциальный рельеф в слое объемного заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник в ВД11-структурах. на основе ^¿Q определяется концентрацией встроенных.зарядовых состояний з диэлектрике ( S<.#2). Концентрация и закономерность распределений встроенных зарядовых состояний в диэлектрике зависят от температурного режима к кристаллографической ориентации граm $LC »

3. Использование в качестве испарителя вольфтамовой цилинд-'рйческой спирали» в которой осуществляется молекулярный контакт с испаряемым веществом двуокиси кремния, позволяет при термическом испарении получать окисные пленки* близкие по составу к

SIÖ2 » с управляемыми свойствами.

4. В изотипных гетеропереходах при/уз SiC-nc(SiC искривле-

- -О - •

иая гнар^еткчзекгг гак «близи гралицм раздела, обусловленное существованием вдверхносткых состояний, создал? два барьера Шстгкя, обратно включенных друг.другу- Импульсные свойства таких гетеропереходов определяйте» КС парауегром структуры.

Практическая цель работы. Полученные изотипныо гетероперэ- . ходы и барьеры Шоттки могут быть использованы в качества высокотемпературных импульсных диодов, а ВДП-структуры,, нак рари-каяс работающий при высокой юютер&туро и высокой доза проникавшей радиации. .

1С практической ценности работы также относится разработка шзкотеурературной технологии получения слоев 51С с контролируемыми электрофизическими свойствами.

Предложенная технология позволяет проводить легирований слоев непосредственно в процессе их выращивания и получать структуры» дащие синее и зеленое излучение при электрическом возбуждении. Яркость изготовленных светодиодов составляет '10С..ЛЬО *?д-!Г2.

Атробациг„работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на П Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах 'Ашхабад, 1978); Всесоюзной конференции но приборам с зарядовой связью (Ташкент, 1977^; И к ТУ республиканских конференциях ¡/олодых физиков,проведенных в Ташкенте я 1976 и 1978 гг$ УП Всесоюзной научной конференции "Механизмы релаксационных явлений и твердых телах" 'Воронеж,1950^5 Республиканской аколе моходах ученых и специалистов "Актуальные проблемы физики п олупро о одни к о в л (Фергана,, 19821;'ХП Всесоюзном совевании по физике взаимодействия /аарямек* жлс-чпетиц с кристаллами (Москва, 19831; У1 Всесоюзном'симпозиуме "Плаака и неустойчивости в полупроводниках" (Вильнюс, 1985^ научно-практическая конференция (Фергана,I990^, а также научных семинарах отдела йизики полупроводников и диэлектриков в Ф1И' .1Н УзССР. , " .

Публикации, По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 8 статей , 10 тезисов-докладов.

Структура работы. Диссертация состоят из введения, четырех: глаз, венозных выводов и списка цитируемся литературы из 169 наименований. Объем диссертаций составляет 203 страницы юпино-писисго текста., включая 40 рисунков и 4 таблицы.

Содержаний работй.

Во введении обоснована актуальность темы, сфорцулнровакы цель и задача диссертационной работы, показаны новизна и практическая значимость и зачищаемые положения.

В главе I рассматриваются результаты технологий получения Р - 51С газотрансфортню.! методой и исследования электрофизических свойств полученных нзотипных/г/З&'С -пс($1С гетеропереходов. В качестве источника ¡¡¿а используется иетилтрихлорсялен (СН3Зс С13)9 в котором отношение углерода и кремния равно единице. Как известно» качество и аиход эпягаксиальных пленок 5£С зависят от концентрации СН^сС!^ в парагазопоЯ смеси, его температуры разложения, скорости расхода водорода и состояния поверхности подложки. Исходя йз ешеизлохекного, найдена оптимальная концентрация СНЭ51С1Э в парогазовой снеси (— 0,7 г/л), те'.спера-тура разлогеная - (1700 - 1750)°С я скорость расхода водорода (сг8 л/ч).

Концентрация СН35£С13 в парагвзовой смеси регулируется путем измгнения те.мпература микрохолодилькиха, куда бил 'помечен' реагент, а такгг по старости расхода водорода. Определена анэргия октавгцкв процесса роста пленок р- $№■ рапная —27Х.7 «Д/даль,

Специально нэяягярзвакпгз слои р - $¿0 обладали /г-тапо" проводикоста ( р - 1...5 Са«еи) а с поядоккой образовали п.-Л -изотяпкый гетеропереход. Из-за различия постоянной кристаллической рзаетха на границе раздела этах полупроаоднаков образуется ПЗ и с бо-тьдаЯ концентрацией, Элвктрофязическке свойства тахюс ГЯ невозкоянэ объяснить по идеальной ¡аделя Андорсска. Электрофизические свойства иэотипных ГП с большими концентрациями ЯС на границе раздела объясняется модульо двух дкоцов ¡¿Ьттки,вкда-' ченншс в противоположных направлениях.

Исследованы вольтампернсе СЗДХ) Характеристики п широкой лктервале тевператур • и полная проводиг.-ость кзотапных Пс1 ?<:С гетеропереходов при различных частотах тестового сигнала <10® 10 Гц). Структура кчала резкие асиккзтрачасхпо диодные характеристика. Прямое налр&птекке тока соответствует гшотн-гэльноп полярности напряг»»:«! э S¿ С * Яря лрякэм направлена тога ЬАХ гаже? участок пкда V , СМ У ^ к Л^У 'Н :ч эбраг-¡:о'а я^У* .

Пс ? иязккх чпгтзтах < / » 54 Ю кГц) » призах зед»ггаэет* СС/ ' каблсдавтся д'.:д ияге^'а - г.ра У а 0.5 а V 1.4 В.

В области высоких часто? в С -V- характеристике наблюдается набояьаой максимум при V« 0.25 В, затем о ростом приложенного нащшсэния емкость уменьшается. Согласно эквивалентной схеме, два последовательно и обратно вклкгаз5!ных барьера Шоттки при напряжения V« 0.45 Вив интервале частот (1-ч-Д0) кГц4 выполняется равенство Я,С, « Rs£s » хотороа обуславливав? появление иккицука э С -V-характеристика» где й/с С. и Яг> Сг еоггро ткаяешэ и емкость объадкианного сяоав соответственно d. и ß"3iC .

Согласно такой эквивалентной схомз? в действительной части имшидавоа зй(У > наблюдается тжщгл при напряжении V© % ко-тороо соответствует точке порогиба а статистической БАХ. Согласно формуле

,, А Ее fCT / тР

и по разнице напряжения отсоч-ки зависимости V > при прямых и обратных направлениях найдона ^Ес=-разиос?ь электронного, сродства ci е; ß С „ которое хорошо согаасузтея с лигера-гурныкк дашима ЛЕ^лОобЭ эВ>..

Кееаздовакц пароходога характеристики изотивкьпе геторопара-ходог<„ Вромя воссуаноаяанкя абратнег-о еояротквдаикя составило около '¿'МТ^с к из завкееяо от ведаташ (шгаигуды ккпуяъса об*> ратного уока. В осщяяогракмэ отсутствует "полочка", связанная с длительностью фазы низкого сопротивления, го есть ¡зрзМЕ его зосстономии'.м состой* яэ длительного сяада "чистого" обратного тока. Характерно« fio око йочтй равйо врзмоиа, нужному для паре» зарядки барьерной эииостй гетероперэхода. Следовательно; .быстр действие опрэдезшетек сэличнной НС сбъзкного заряда». '

В главе В рас с катри г>аэт с я способ получения и результат« исследования ЕЛХ, BSX диодов Иотткй ji-nSLC к Jfi = п SLC *

Диоды Еоттки формировались напылакигм чистого алгжикия к никалп на (OOOPSi грани пластинки П -d SICочищенной путе« хикичзского к газового травления. При нашлет«? алюниная в никеля температура подложки бала (500-550''°С к (ЗЭ0-Г£0,оС соответственнов а уровень вакуума - 5-10"^ Тор, Омичгский гс;г-такт с подложкой получали наиигонкек гитана в вакууко iS-ICT® Тср> прй температур«! Tr - 650°С во получения барьера Шс^ки.Длр облегчения йайкн гибквх виводое ,на поверхность титана, нтаями слсЯ никзлй при температуре T„-S00QC. Качество похучвккст даодо:

проверилось с помощь« характерпграфа.

■ Структура с барьером ШотткчЖ ¿'¿Ск уЛ -П. обладает высоким выпрямлявшим свойством и имеет коэффициент аьшряилеш'.я к »¿7пр Ю5 при V"» 0.8 В, При чалых напряжениях в

прямом я обратном направлениях токп наблюдается линейная зависимость тока от напряжения, которая обусловлена токами утечки». При напряжениях 0.30 <У< 0.85 В'прямая ветвь ВАХ описиваяесъ ззй-ьоненциальной зависимостью

=/*7гехр (-г ^ /¡сТ)

Г Д0 , —

/зс =/1 /

Определела высота потенциального барьера для диодов

п51С& ¿й -"П,5сС тремя способами; с пог-ю:дьа прадзкс-понэншального кногеттеля » по температурной зависимости и по напряжении отсечки из емкостных измерений.

Таблица 2Л.

Тип ди- Номер Показатель эВ ^ „ пВ , % эЗ

ода образца зкспсшенти по уориуль ^ ^ /О'^

АГ I. .05 1.41 1.43 1.4е

I, I, ,02 ,10 1.47 1.42 '1.33 1.25 1,42 1.48

АЮ ' Г. ,Сю ' Ь44 1.зи Г.51

31 I. ,07 1.37 1.32 1.40

вз I. .04 •1.37 1.34 Г. 43

Во I. .03 1.41 ' 1.37 1.35

Высота барьера, определенная перечисленным* способами кая-ду собой, хорозо коррелирует и в среднем составдяо• .42 эВ

-п и */ася~г-37 эВ {XI -п $1С) . для рьзлячммх партий •дилдов. Высота потенциального барьера во ыкогоа зависит от качества обработки поверхности карбида кремния и молот изменяться з диапазон'.1 (0.8 1.5) эВ при неизменной .чонцентгацяа донора.

Анализ ВАХ диодов ¡Зоттки на основа показа.!, что ток

предстал тяет ;обой совокупность термоэмлсс.юкного н рекочбина-

ц:ич'мого токов, шд злняняем ракомбииацконного тока фактор иди-' ааьшсти ДЙО^ОБ .Шотткя ия основе SlC s бояьиикствв случаев имеет значение 1.2 -1.5. На величину фактора идеальности также вл к явт параметры тонкого окисного слоя, оставшегося посла химической обр_абитки поверхности §¿0. Поэтому основное внимание при получении диода уделялось обработке поверхности пластинки

SiC. Шло выяснено» что значение п и падение прямого напряжения цля диодов,, очицекнкх химическим травлением, больле, чем для диодов* полученных путем водородного травления. Видимо, толщина окисного слоя SiOg на поверхности кристалле SiC после химического травления больще, чам в случае водородного трав тения.

Результаты исследования покагываят, что величина V^ слабо зависит от рода металла и, следовательно, можно утверждать, что в фзрмировашн высоты потенциального барьера диодов Иотткн на SÎC работы выхода металла не является определяющей.

Исследована также переходные характеристики циодов ¡Яотткя Ж -adSiC л "¡idSiC- Определены время установления1прямого солротизясник и время восстановления обратного сопротивления, которое оказалось.Туст-1.2-10~7с и Гвосст- I.7«I0"7c. Показано, что время переклвчения зависит от RC диода. " -

Глпва 3 посвящена технологии получения и исследования электрофизических свойств ЦДЛ-структуры на основе карбида кремния. В начало главы делается литературный анализ по технологии получении двуокиси кремния на поверхности карбида кремния и на других материалах« далее приводятся результаты технологии получения SlOg катодом тершчсскогЬ налаясния на поверхности карбида крехпил я исследования ВАХ, В2Х, кривые терыостимулирозанных токов (ТИ? л термос табулированных деполяризации' (ТСД1,, получен-mIX НДП-структуры.

Для термического испарения двуокиси кремния спекается таб-• летка из поролка двуокиси кремния. Эта таблетка помещается в ползете цалиндрообразной вольфрамовой спирали, чераз которую пропускается в короткое время максимально допустимы!! ток. В ото время из таблетки двуокиси кре&шия восстанавливается гадкий кварц, который покрывает в виде капелек поверхность спирали. В дальнего си »та спираль используется для нанесения Si09. Ил-за королем теплопередачи SlOg с вольфрамом она легко испаряется. Скорость испарения плавно регулируется и удается получить пленку SiQg кетаешй то.идины.

-II - •

Для создания МДП-структури ЭЮ^ напылялись'на пэвехкость пластинки «-^¿С в вакууме ~ 2» 10 Тор при температуре подложи &600°С. Перед напылением $1поверхность $1С тщательно очищалась химическим методом»

К двуокиси кремния напылялись точечное алюминиевое электроды, а к П"Ы81С~ титановые. Таким образом, получалась.МДП— структура типа М- $1 ¿¿С, Полученные структура л£- $10о~ авЮ отжигались в низком вакууме Тор) в течение (0.5-1.0)

ч. при температуре 350°С. После отжига диэлектрические свойства (диэлектрическая лостоякнач £ , напряжение пробоя Е и 6^5 ) пленок $¿0^ улучшались. Частотная дисперсия емкости и тангенс угла диэлектрических потерь ¿^и уменьшались. Методам совместного анализа ТОТ и ТСД определялись параметры ловушек в диэлектрическом слое (см.табл.3.1). '

■7

Таблица 3.1-

Лараметры ловуяек, вычисленных по результатам измерения ТОТ и ТСД,

Глубина Концентрация Сечение зах- Коэффицнен-

залегания ловуаеко вата ловуяек ты захвата

ловушек X» ™ St > ciг* . ловулек т

, эй 5 fo.ct.; с А :

»актор прилипания ловулек, 6

0.24 0,28 -0.40 0.71

2-10

18

5.8-I017

8.3-10 L3-I0

,16

IÓ

4.X-I0"15'

1.5-1СГ13

1.6-Ю-13

3.8*10'

■15

4.4-Ю-5 5.2-IQ"3 5.2'I0"3 3.8- КГ9

5.4' 2.3< 4.2* З.о.

IO-IO-

гв ,-9 гЗ

С целью получения информации о структуре к составе диэлектрического слоя, напыленного на поверхность кристалла п-Ы SiC, снималась спектры отр-.жения на 114 спектрометре UR-20 з области частот (400-2500) см"1.

Наблюдается узкзя полоса поглощения з области частот 1003 см"1, соответствующе;! моноокисям кромляя я дополнителы&Д j,;a:fcчглум отражения на частоте 1090 с?.Г*, соответствии« дьуока-С;г кремния. Отспяа следует, что окисниЯ слог., получения катодом термического напыления состопт из смеси мэкооздси я цеуамся крдокия. .

Кссдедовакы ВАХ ЩП-сгруктуры волучектех «г» (ODD!) Si я (COOP С гранями кплс-.гг'а а - у. Si С. 3 SAX при коюттюй -¡».к-

дарвадра отчез-дкво иа&шдавтся четцре участка; линейный , квадратичный, участок реэгизге роста токе щ второй участок квадратичной saKWüvacia. Такая последовательность участков s ВАХ мнеет нзсто Ери шкогаэдцрной инжакции, когда ток ограничивается про-странстьенгшм зарядом (ТОЮ). - .

Мэкопорярность объясняется тем„ что при подаче отрицательного напряжения к алюминиевому электроду происходит инжекция электронов s пленку Stög* Иажакцив дырок со стороны ¡% SiС ноано не учитывать так как концентрация неосновных носителей а п. "dSiC црегабреишо шига. Согласно теории ТОПЗ, из ВАХ определены некоторые мшфопараметры диэлектрика, в частности концентраций./^ я глубина залегания ловушек Е$ ,

Kar« известно, скорое» окаслвнид и структура окисного слон заакси? от полярности поверхности SiC. Отсюда следует, что структура к 'электрические свойства шхешк SiOg«.полученных на разных гранях SiC». должка отличаться и а случае термического исшылеякс $iÖg» • • '

шаясдвавагвга шею занщркоети поддонок SiC на'элек-«рячзсвкй евойатаа ^Рнсздосзда» SiOg одновременно напылялс« . «а-углеродную к креинашр* трака подлоюэк» С цель» подбора оп-ти&лыат рсима полу«21«я ДВД-етруктури формировали - при разных тагарааздик itoamsss« ■ • '

• ШХ а ЩЩ-структур^ показало, что' элект-

рячзскга ь&айства шегок $i02« сформированиях при одинаковых условчйх ш р&ох&чшзс гранях SIC,- действительное отличается. , В чглтйосгйв « В5аг:як«еи температуры подложи наблюдается изменение ®ал<гггша н концентрации ловуаек а SiO^. В случай химок Stög» «олучеиных «а C000DC граня SIC, с уведи-'ченйем те«1'йрат$'ра ио'длоаех эдувяна закегензя ловувек Ей уве--лнчивается, 'а '«г концеш^йцая .уйшазветйя. Укеныаекао концентрации лоаувок показывает, чти йрй 'высших '-{¡ломки -StOj получаются более совершенным». Глубина залегания лэ'вузек Rj •в диэлектрикахs сформированных ка (OQOI)Si грив? SiC, с уменьшением Тп 5 такюг укзньяазтев, а концентрация оатгзтей почтк постоянной (таблица 3,2)„

Построены зависимости плотности пространственного ээр-тде О.* и дкфферекгояшюF. емкости С-,., от noccpxsw?Horo r..wns>i-iviti. тг.&л?,?. яуяякя пая различно!; гун^нтрвл;;*:: \зк:р"

нг*' :

Тавлщз 3.2

' Зависимость энергия 'ахтивацйя я покца:-:тр£цич лоэуввк от твкяора?зры аодаоЕвк.

Номер Полярность образца ялвстяняи

10? 108

81 02

73

74

{0301)С (0001 (СКШС С03аг>5£ (ОООПС (ОСОШл

Температура иох-осг.'г *

400 400 500 ООО

баз еао

Концентрация лздуЬек

с;з

г.юь.

1.2-Ю17

1.6-ю16

8.6-Ю15

Глубина

залегания

0.10

0.50 0.40 0.58 0.54 0.70

2£о£г£«й» расчета ядзвлыаж С - V- характеристик зля различно Я «ктдгтш гтодектряка к Ешпуппрацил носителей. Составлены ко-шгртггя! для сяредэлаияя напрггзкяя янберсин з идеальной С -У-~ дряеторягтете,

Зяеперкггйтая&нгя С - V -характеристика для структуры М-£■¿0% вкез&гсгь круга идеальной и снечзна в сторону

отряцателйгх хняряпигай. 5 такса случеэ кевозкокио применить оисо»пг.-гтзте<:Г! !-г?од "Тар-гла для определения распределения 1Ю по гаркиз гг-лртгркгзЯ аз::«.

Р (Герггяь О.Я.» ¡ЗШ, 1979, Э!эт.4, с.654), исходя

г.з звйтатотаз сЕ~гго яззддэгояишл о хяэткчиа« рссгфздедокхк лгтр9вга£>го заряда в дг:элзетрякз3 когда Гфяеутстзувт флуатуз-цг;;г' ггтГзга г^ггс^тасскзгею» что т?л!вя простраштп-энная тоэдмсгт;. ^.•.гозй?" к уЕзлсчгийз еихост» я* е?. проязгодмой по н^пргггг-.;!:;,, по ср г о 0 « V - для кг&члъниЯ ??ДП-

«труктура л об&етк 'оШеяхнекая я згабзй якдгрсгя,

Йзя|,«гекз сгогпетствув^ая добаь^а адешгзкко для ыягозг* . - л Л стя/ятурц» а величина ^ухтугнконкой .гобеяг: з ,- а у умм'-ыгаотся пр» ув8дзчгит< обэд.чггчгго ^пр^г-:■.;.*. .; С - V - крчзая будет кручо чтгV'-» г

" ■ • определены концентрация наяокленсаровггкнзг^ - >г*. :сс* <(!>*= 2.9" ТО1* см"'* и пэпегмгног :

..О

: о я Р " СП з дтал'ектрл«?*;. с.;:'

чггп ; г'х'киР слг;; сильно яомпснсирзЕек кгш;е!«?р-"-.

ловушек акцепторного и донорного типа не превылает величин

gm-*"; причем концентрация ловушек донорного типа преобладает. Эти экспериментальные результаты позволяют сделать заключение о том,- что встроенные заряды в диэлектрике в термоди-■ намическом равновесии аккумулируют основные жсители на границе раздела. С увеличением концентрации зарядовых состояний больше аккумулируются электроны и сильнее вниз на границе раздела ЦЦ изгибается дно зоны проводимости. При подаче потенциала * " полярности на металлический электрод ВДП-структуры

дно зоны проводимости на поверхности начинает выпрямиться и при V г:0,5 В образуются плоские зоньц после чего появляется обедненный слой. Далее, но мере увеличения напряжения, расширяется обедненный слой и емкость уменьшается.

В главе 4 показана возможность применения алюминия в качестве растворителя при выращивании Si С методом движущегося растворителя (МДР)- Кроме того, изучены электрояюминисцентные свойства полученных структур.

Дяя вырад?ивашя слоя "SiC ,ВДР в качестве растворителя выбран относительно легкоплавкий шталд-алшиний. Дтя выяснения пригодности алюминия в качестве растворителя определена растворимость SIC в алюминиевом расплавес изучены контактные явления между жидким ki и кристаллом SIC при высоких температурах методом яекацай капли. , •

Определена температурная зависимость, краевого угла смачива-' ния, межфазнай энергии и вычислена работа.адгезии между жидким алюминием и . кристаллом SiC, которые, при температуре 10503С составляют соотпетственно 25°? 1.6 Дж-ЬГ*" и 2.02 Дж-М"^. Растворимость SiC и At .исследовг.на в интервале темпоратур (1350 т 1750)°С. Растворимость SIC ь расплаве Л1 становится заметно" . при Т-=» 1400°С. С дальнейшие-ростом температуры растворимость поьшается и при температуре I65Ö°C составляет 10? по весу.

Малый краевой угол смачивания (Ö25°), большое значение работы адгезии ( —1.6 Дя.М-^) между адшиниевш расплавом я кристаллом SiC, а также значительная растворимость (IQ?,.по весу при I6S0°G) SiC в алюминиевом расплаве позволяет использовать At в качестве раствора?««» г.ря видщхвшш SLC из клдкой фаза.

Технология получения слоев SIC 1Щ? заклкчадасх. т. следующей. Нь очищенную поверхность SiC назыляли :uict:ir/ At то.-:;;/.;оП е20f3D) мки • npw температуре по ;да»яи i550GG в »г-.«уутле о«10~эТор.

Далее соединял» зве пластинки S ¿G сторонам;? с алтиккевыч по-крнтаем.а "сэндвич* я ставили их-на графитовый нагреватель, ике-юций специфическую фор:лу. Верхняя пластинка служила затравкой» а в нишей происходило растворение в расплаве. Перекристаллизация осуществлялась з реакторе газотранспортной установки, через которув чистый гелий или аргон продувался непрерывно.

Во время процесса перекристаллизации температура верхней поверхности мсэндвячак поддергивалась равной 1550 + 20°С. При этом по толщина "сэндвича* устанавливался градиент тепрературы 130..»150 град/мм. При таком градиента теотэратуры скорость роста слоев SiC составляетл,4 екм/кян. Выращивание осуществлялось на (0001)Si -грани кристалла SiC.

3 процессе роста эпитаксиалышэ слои легировались аявмини-см, что вело к образованию Р -п -перехода. Удельное сопротивлении р зпяглксиальннх слоев SiC леяит в пределах 0.1.,.5.0 Ом-см. Значение р в основном определяется толщиной раствор-расплава и температурой процесса.

Исследование ЗАХ, полученных структур показало, что ток ограничивается рекомбинацией в высокоомном компенсированном Р-слое. Полученная структура обладает электро^юминисцентным свойст-Люминесценция в прямом направлении происходит при постоянном токо 2 s 20 мА (53), а в обратном направлении - при

$обр * ^ НОВ). Спектр электроламинисцекЦии.исследовался дифракционным спектрометром ДЛС-12.

Яри малых уровнях возбуждения. (J/» 0.5 А/см2) спектр излучения состоит из двух полос с основная каксицумом 2,51 эВ я дополните лыпгм 2.34 эВ. При тэках J^^I*5 А/см2 s спектре излучения появляется второй дополнительная максимум 2.65 зВ» который соответствует ширине запрещенной зоны SiCCôH), С увеличением плетший» тока пергыЯ дополицтельнмЯ макся^м сдвигается а аб~ "есть больших »керг«» к-при ^ « 1.5 А/см** он составляет Г?. 42 яВ. Полуаирина спектра такгга претерпевает су^еетеегаей йз-■-ензния»- Она расширяется почти о дза palja при язкекгнжя npr.soro .■ока в три роза. Полоса излучения 2.34J 2.42; "2.51 эЗ о Уясняется. излучением доНорно-зкцззторямх пар.

Изучение комплексов: иягтЯ донор (азот- - акцептор {алкм-можно описать при помоги фор-.!улы Токае a-Xi>K.$:ma

k*.£r(Ed-Ea)lhV„r(j£)

- И т . ; ,, '

Длд чистого электродного перехода { кУ « 0) при тампарату-ps 3Û0 К, Ет •» 2.83 эВ, Ес - Е « О.Ов oS для мота, Еа - Ev * s 0.27 эВ аавкиния, /£.£„%' О, получены значения энергии нзлучегаи //У* 2.51 эВ, что хорошо согласуется с наблюдав-димися значениям энергий в наиболее "високоэкергетачвсхих пиках. Дрпол-юнеяыше пики 2.34 и 2.42 эВ связана с присутствие« других примесей. Скекгр излучения структуры» полученный на (OOOl^C грани пластинки Si С, отличается максимумом изучения, которому соответ-стЕуст энергия 2.73 зВ„ Полоса спектра t максимумом 2 = - 2.73 эВ объясняется тем, что в (0001) С грани кристалла Si С £ырг~>звался стой SiC, имеющий политипную структуру 4Н. Известно', что политоп 4rf имеет ширину запрещенной зоны Е^ » 3.1 эБ. Следовательно,, в этом случае между элитаксиальним слоем Р ~ Si С (4:0 si кристаллом затравки п.- ci Si С (6Н) образуется Р -/t-гатеропе-реход,

Насчет энергии, излучаеной фотоном, по формуле Томаса-Хок-филда част НУ ~~ 2.75 з8с что соответствует энергии, рассчитан-воЯ по максимуму спектра излучения. Вычислена яркость и эффак-тлиmzib излучателя, равная соответственно (ISO « 200) Щ/iê" н 5.10"'' - S-IÛ-*6. - •

Оскавнаэ высоди.

Д> яроаедэнньм исеяедоааяаяа са&яыш слр/ущне вызолы:

X» Показа», что нзотаоииЯ гетеропереход tipSiC-ndSlC состой? кз ппух барьеров Йэтки, вклачешах з противоположных издразденашс. Ib минимум активного состаалязадвго импвцанса

fl(V': определена разность электрокдаго срацстаа р и ci- Si С Еэ У 5 » крив их определена высота барьеров ( \/9 ^ 2.5 э8, эЗ>. Разность е\>сот (4ее—0.7, эВ) тахта соответствует разности электронного сходства р и ci- Si С.

Установлено, чго бистро действие изогипного пр SiC-nd Si С -гетеропарехоаа целиком определяется параметром КС-слоя объемного заряда б d и . f> «Si С . .Оиэ практически постоянно до температуры 350°С окружа»к;«Й среды. На базо проведенных измерений построена зонная диаграмма изогипного гетероперехода.

2. Получены диоды Ноттки mm Jt~n SiC » *Yl-n SiC, aae-кцне кээфф^иен: выкряу«шая к * J^/ Ю4 г 10® при

Vs 0.7 3. Параметры ьглх. диодов практически hie шнчатся, пп :оть до тс«пера»урц Т~350°С» Из ВАХ и &;•:•; опредетс.-на сысога бп:-ьсгов яи^-.^п ¿!атт m J С -ndSiC и ~nd$iC . Гохазгт, '•т.* ос«» не зйвиоаг «т. работа нгта-гки а равна »/^д 1.42 эй

- г7 - •

для диода Ji-ndSiC » 1.37 П для диода J,q-ndSiC ,

Выяснено, что время перзклвчЕкии определяется нз арекакем электронных процессов в структуре, а Я С-параизтрон { — Построит зонная диаграмма диодов с берыгроа Йэтткм j£~a Si С п Jfi- п Si С .

3. Разработан способ получения ЦДЛ-структур ка основе ct -SlC п- типа путем термического осаядения порошкообразного 5г'0о со специально изготовленным цилиндрообразнка испарителе«.

Установлено, что через ВДП-структури ( Л - SiO^ -ndSiC) протекает токи, ограниченные пространственными зарядами (ТОГО)»

Исследованы дифрактограмма рентгеновского излучения, спектр оптического отражения э ИК области спектра и коэффициент пропускания У-i области спектра и выявлено, что' выраженный циэлсхтричес-киЯ слой в основном состоит из SsOg.

4. Обнаружено, что C-V-характеристика »ЧДП-структур на основе n-dSiC имеет крутизну ( С'А V ), преаьигв^уи крут;гя1,у идеальной C-V -характеристики. Выяснено, что такое аномальное . поведение крутизны экспериментальной С-V-хараятерйстлх!» обусловлено влиянием встроенных зарядовых состояний в диэлектрике на потенциальный рельеф слоя объемного заряда полупроводника. В полученных ВД1-структурах крутизны С- V -характеристика остается больше идеальной дагз после облучения рентгеновскими дучана с дозой Ю^ рад. , .

Ка основе флуктуационно'й теории вычислена обдал 0-(£гЮ12 си™2} и компенсированная <0-> (¿2.3*10" си"2) концзн"-ряцня встроенных эарадоаих состояний в диэлектрике. - Этя значения 5 н <<Х> удовлетворительно согласуется с результатам, полу~ ченкюл из статических ВАХ.

5. Исилеадэакы*реальная и uhkuus части икпзданса ЦДЛ-структуры (Ji -SiOg - ndSiC ) э'¡евроиен йиаппзоиэ каяр,таг;г.{8 частот, 3 С- V-xapasTepKCTiiKe в облает« слабой якеерсж при nrw-„ ряжении (1,5 т 1.8) В я частоте переменного сягиола (0.455 -

5.ООО1 мГц пояртяются гакеимут.'у. Показан», что этк tmefcyei обусловлена наличием глубоких докеркых . уровней ка п&здрхнэс« tj! п-dSiC (sc - 0.3 за, Xt = i.&-ioio с;га ). • . .

lbучена активность взакиэдвЯствкя по углу сма'-*;«д?»«ста к«рби:г. гтг.-?мн:<я с азгаян.ч^ЗД! ряеялавем при различна ■.'wr-pary ~ pax. что с возрастанием температура ьхтиъюсгь я.**киз-.

mrvmn пэворзе-iocibn чпр5*;.<! кре?»н\*г» я-: "¡'.ч'э- .

•■'■■" • -18 - r«. ;

ется. Определены ыежфазная- энергия и работа адгезии, равные пр^ температуре 1600°С соответственно 3*0ü Дя/М"^ и wA ~ ■

г* 1.6 Дк-Г2.

7„ изучена растворимость St'G в алюминиевом расплаве. Установлено» что растворимость SIC повышается с возрастанием температуры и при 1650°С она достигнет 10% по весу.

"Методом движущегося растворителя выращены легированные алюминием эпитакснальные слои SiC гексогональной модификации политипов 6Н и 4Н» которые с подложкой п-о< St С(бН) образовав гомо- н гетеропереходы.

8. Изучение спектра электрэяшинисценции показало, что максимум энергии излучения гомоперехода.соответствует Е » 2.51 ?>В, а гетероперехода Е => 2.73 эВ, которые объясняются рекомбинвцион-ным излучением донорных (азот! к акцепторных (алюминий) пар.

■Основное содержание диссертации отражено в следующих дубли кацияхг

I. Еанобергензв Е.» Тадгабацз У.„ Хонкельдиеь Ю. Механизм переноса тока е nßSiC-ndSiC гетеропереходе./-' Тез .док. Ш-республиканской кзнферсщпи молодых физиков. - Таакент.- 1976. Наиобергенов Тодгибаев IL, Хонкельдиев Ю. .Электрофизв-.чёские к фотоэлектрические свойства пр SiC -ndSiC гетероперехода.// Тез.док, Ш республиканской конференции молодых . .физиков. - Тапкект,- 1976»'

3. Кирсагатов Q.A., Таадс'.&шв Ü. ВДП-струхТура на основе карбида кремния.// Тез.док. Всесоюзной конференции по приборам с зарядовой связью. - Ташкент. - 1977;

4. Кирсагатов O.A., Тадзкибаев К.» Ахмедова М.Ы. ВАХ изотишш nß SiC -ntfSiC 'гетеропзреходоз.// Изп АН УзССР сер. физ.-мат.наук.- 1978,- ,?3.- С. 49-52.

6. .Марсагатов S.A., Тадкябаев Й., Ахыедова Ü.M., Исследование полной проводимости изотипных nf> Ы С ~ ad SiC гетеропереходов.// Изв.АН УзССР« сер.физ.-мат.наук.- 1978,- "4,- С.47-50.

бс ШрсагатоЕ Ш.А., Тацтибаев И.„ Светодиод на основе л-« SiC изяучшдяй в обоих направлениях тока.// Тез.док= 1У республиканской конференции молодых физиков, - Ташкент,- 1370.

7. Таядибаев И. Диоды с барьерами 1*>ттхи Л~п St С и -VI - '( SiC" Тез.док. 1У республиканской кон|«ренцй>1 молодых физиков. Ташкент.-' 1978.

-

0. йигяагатоз Q.A.» .Таддабаев И. доследование лзотипных -ßSiC -m/SiС гетеропереходов.// Тез.док, Я-ой Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковшегвте-роструктурах;» Т.2.- Алхабац,- 1978.-C.I55.

9. Мире агатов Ш.А., Тадкибаев Хайруллаев ¡2. А. ВДП-струкяурэ на основе карбида кремния.// Изв. АН УзССР сер.физ,-?*ат.наук, 1980.» TS.- С. 49-32.

10. Мирсагатое i.A., Тадяибаев. М., Хайруллаев Ш.А. Диоды Еоттка jl - п Si С и Jfl- п SL С . // Изв. АН УзССР сер.фиэ-мат. наук, - 1980.- И.- C.4I-45.

11. Мирсагатоз Ш.А., Стафэев В. И.» Таджибае§ М. Исследование изотипнUKnßSiC-ndSiC гетеропереходов.// ФТП,- I98Ö.- Т»Х4„-

- C.I306-I3I0,

12. Тадкибаев iL Карбидохреынневке светодиоды» полученные методам движущегося растворителя.// Из в «АН УзССР,, сер. физ-мат. наук. -

- №2.- '¡о,- С.37-40.

13. Тадкибаев. М. Исследование изотипных rtßSiC-л d SIC гетеропереходов. Ч Тзз.док. Республиканской школы молодых ученых я специалистов "Актуальные проблемы физики полупроводников". - £ер-

. гана,- 1982.- С.57.

14. Мирсагатов !З.А.» Таджибаев М„ Сияние ионизирующего излучения на поверхностные свойства ЭДД-структуры,// Тез.док. XIII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия"заряженных частиц с кристаллами,- Москва.- 1983.-» C.I59,.

15. Мирзамахмудов Т., Тадкибаев М.. Релаксация я низкочастотные' колебания тока а ВДП-структурах.// Тез.док. УГ Всесоюзного симпозиума "Плазма и неустойчивости в полупроводниках*! -

- Вильнюс.- 1965.- С.33.

15., Мирсагатов S.A., Тадкибаев М. Определение параметров ловуиек вдп-структурк по кривым ТСТ и ТСД.// Изо."АН УзССР, с эр..фаз.-мат.наук,- 1988.-'.Т-2.- С.60-32. • . "

17. Насретдинова S.H.„ Таджибаев М. Особенности С-У-характеристик ВДЯ-структуры на основе карбида кремния.// Тез.«эк.научно-практической конференции. - ■»ергаяа, - 1990.» С.32.

18. Тад-кибаев IL 'Электрические свойства ЦЩ1-струхтура на основе карбида.кремния.// Узб.физ.хурна-!.- 1992,- 93,- С.51-53»

Кремний ¡cap&iXH асосодаги геткро- .ва иш-структу радар Тожибоев Маирабкон Кисхача шэмуни

Упбу диссертаций кремний карбиди (sic) асосида гетеро- ва MJUÎ - струкчураяар, Шоттки диодлари олиш технологияси ва бу стр-уктурапарня.электрофиэия, фотометрии ва бовда хоссаларини урга-нишга баги.аланган с

Маълуьки, sic юкоря хароратга» кимиявий таъсирларга, кучли радиацияга чидаши яримутказгич хисобланади." Шунинг учун sic асосида асбобдар яратиш хали: х^яалигида ва фан-техника учун катга ахашятга эга.

Кремний карбидининг спка эпитаксиал катламлари лаборатория сороитида асосак гаэозпитавдмя,, харакатланузчи сукн аралаштир-гич (ХСА) усуллари билан хосия килжади. Кремний карбидини хо-пи> оулиз хароратини Ka.sairr»ipna худа мухим.Чушш5 sic щорн .ха-рсратда хосид килинганда бощариб б?лмайдкгак турлк арадакка-ларнинг. микдори ортиО кетади. Бу эса sic acocwsa одингач асбоб-даркмнг ит сифатини ёмонлаштиради. ХСА. усулида кремний, хром, скандий ёки боЦа кеталдар кремний карбидинк эритувчи сифатда К$ляаюшзди .БУовай шталлар иалатилганда кремний карбидини хосип .6? лип харорати ккори сулади. Ыаокур иаяа ссои эрийдиган металл-алишнийни (ах ) цуллзниш sic хосил брлиш хароратани L00°-200°C камайтиришга ва унк ai ар&лашмали, гешиюи ртказувчанликдаги £-ic одивга иыхон берди. Слинган структуралар асосида клил (\=0.5 ькм)'ва kJî; <х=С.47 ним) рангли ёгду берувчи даодлар ясалди ва улярнииг . спектри Урганилдй.

Еундак таэдарй диссертацияда a-nstc(6H) устига вакуумда (Siûj) коплаш билан металл-оксид-ярим$тказгич (МДП) сггруктураск Хосил килинда, Еу структураларда ток билан кучлании орасидаги «онуниятлар аникланда. Кремний карбидининг а ва Р. моди.-■фшгациялэри t si с билан металл, sic билан чегарасидаги

оарядли марказларнинг ва диэлектрикдаги' потенциал Ураларнннг эичлиги ва энергетик холатини аник'даш учун сдоим, билан кучланищ орасидаги c-v борланиши, харорат таъсирида хосил б?лувчи тгжни ÎTCT) Урганишдан фойдаланилди.

МДП - стру:ггуранинг c-v богланишлари диэлектрик билан яримутказ-гич чегарасидаги ва диэлектрикдаги заряали марказларнинг такси-мотига борлаб яратилган мзвхуд назария билан тушуитириб берилди.

- Of -

HSTE:X>- AND HQS - STRUCTURES BASED CM SILICON CARBIDE Tagzhibeev M, Susunar y

The present dissertation is dedicated to silicon carbide- grawth using the travelling solvent metod (TSM) and to th» study of surf ace states effect on the barrier height, charge pattern in the spac« charge layer and on the current transport nechanisu in Shottky hatare- and MCS-struciurei based on SiC,

At present SiC is considered to be a potentially useful material for light-emitting diodes and high-teir.pers.ture electronic devices. Crystalls of the 4H and 6H polytypm-s of. SiC have been grown using the TSM on the n-aSiC substrata by tha temperature about ieOO°C.

The light-andtting diodes emitting green and blu® light whan electrolumlnescent-hiw b«an fabricated on the base of the obtained epitaxial layers.

In the technology of SiC devices the oxids layers. hnw been utilized for masking during a preferential gaf otching, passivation of p-n junctions, idtntification of th» surface polarity, and 1ight-eraitting diodes have be^n fabricated by. photolitographic tecniques using oxidation. However th«~® have been f®w s'tudies on the electrical prcps?rtif>s of S3C-M2S structures.

The results of 1-V and C-V «/mia-MRts of MOS structures on CH-SiC ara. presented in this work. The laya-r hava-

been vacuum deposited on the (OOOl) C or iOOOi )Si i~nc*> t*f 8H-SiC substrate by the temperature- baring 400. . . ©00 °C. The oxides ranged in thicknsss from EOO to 1500 5L. The bristle-down strength and the resistivity ef the oxide layers w« :> typically 10a+10* 'vVcrr. and i0*°-r lO*4 to cm .respectively.

The C-V characteristics showed clearly the thr*** regiwr. cf. accunuiation, depletion and irA-i-rsiori The density cf

fixed eha.-<res in the 2iO f ilns ic D-jter mi n»xi fro»

*

characteristics by mei-ns of theory. Jt : ^ orcvt*^

thai i charges density cr. 1 tH-SiC

p-olari ;v and SiO cc-:o-;z tier, t-^riscsruture.

2 '

Bwiudes th» effect of the cur faro state cm tb» pst,w.-.iiai barriWr formation in the stryctur^ lik«* '.solypv rj iliC -r. -.1C ivj'.aro junction and A1-nocSiC and Ni-noSiC typo Shottky dio *-"; irs ;>rpiseent.e?Q in this vorV.

Подписано в печать 25.С3.93. Юрма? бумага £0x84 1/16. СС-ьем 1,0 п.я. Тяраж ТОО экз. ?аквь й 24.

Типография УзЩЕС, 7С-ООГ-2, Теяхек?, ул. Новомоскозская, 2.