ИК-фоточувствительные твердые растворы CdHgTe: физико-технологическая оптимизация параметров и дефектной структуры тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

НАЦЮНАЛЬНА АКАДЕМ1Я НАУК УКРА1НИ J- g Q Д 1НСТИТУТ Ф13ИКИ НАШВПР0ЕЗДНИК1В

■5 ^ л ! ,¡.11

На правах рукопису

КАРАЧЕВЦЕВА ЛЮДМИЛА АНАТОЛПВНА

1Ч-Ф0Т0ЧУТЛИВ1 ТВЕРД! РОЗЧИНИ CdHgTe: Ф13ИК0-ТЕХН0Л0Г1ЧНА 0ПТИМ13АЦ1Я ПАРАМЕТР® ТА ДЕФЕКТНО! СТРУКТУРИ

(01.04.10 - ф!3ика налшпровщникш та Д1електриюв)

Автореферат дисертацм на здобуття наукового ступени доктора ф'изико-математичних наук

Khïb-1996

Дисертац1ею е рукопис

Робота виконана в 1нститут1 ф1зики нап1впров1дник1в HAH

Укра1ни (ы. Ки1в)

Науковий консультант: доктор ф1зико-иатематичних наук

професор ЛЕВЧЕНКО 0лекс1й В1кторович

0ф1ц1йн1 опоненти: доктор ф1зико-иа теыа тнчних наук

професор ЛАШКАРЬОВ ГеоргЛй Вадимович доктор ф1зико-ыатематичних наук професор ШЕНДЕРОВСЬКИИ Василь Андр1Яович доктор ф1зико-иатеиатичних наук професор БЕРЧЕНКО Школа Миколайович

Пров1дна орган1зад!я: 1нститут прикладно! ф1зики ЛьВ1вського ун!верситегу

Зашст в1дбудеться "Ж " kÄsTitS 1996 р. о 14— годан1 на зас1данн1 спец1ал1зовано! вчено! ради Д.50.07.01 при 1нститут1 ф!зики нап1впров1дник1в HAH Укра1ни за адресов 252650 UOI, КиХв £8, проспект Науки, 45.

3 даоертац1ею цожна ознайошггись в б1бл1отец1 1нституту ф1зики нап1впров1дник1в HAH Укра1ни

Автореферат роз1слапий 9Z! " 1996 р.

Вчений секретар

спец1вл1зовано1 вчено! ради ЗИцуС^- ВДНКО С.С.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТЙ

Актуальн1сть проблема. Основною задачею фотоелектрон1ки е виявлення гранично слабких джерел електронагн!тного випро-м1нювання на р!вн! фонового. В наш час перспектавн1сть цього вапрямку визначаеться прогресом технолог!! виготовлення ба-гатоелементних матрнць або неперервних л!н!йних фотоггрийча-ч!в-перетворювач!в зображення, а таких можлив!стю реал!зац11 граничит фотоелектричних параиетр1в окрешх елеиент1в матриц! та вс1е! структури. Для виявлення св!тлового сигналу у д!апазон! максимально! тггоыо! потужност! випром!нювання зеивих об'ект!в (300 ± 50 К), зокреиа, у в!кн! прозорост1 814 икм, сьогодн! найб!лыа перспектавним матер!алои е твердай рОЗЧИН Телуриду каДЦ1ю-ртут! (с«1 нд^^е, х м 0.2), який вя-користовуеться у д!апазок1 влвсного оптичного поглтвння ! мае велик! значения в!дношення рухливостей електрон1в та д!-рок. Це забезпечуе високу фоточутлив1сть та ефективн!сть де-тектування, близьку до пороговоГ. Саые тоиу Сйн9Те займас близько 60% загальносв!тового ринку 1Ч-фотоприйиач1в.

Поряд з безумовшши перевагаыи цього матер!алу !снуе ряд проблем, пов'язяних з його технолог!чшш в1дтворвванням та огтш1зац1еп ф!зичних параметр!в. Для твердих розчин!в селите одн!ею з основних задач е одеряяння однор1дного за складом цатер!алу з м1н!мально допустимою концентрац!ев просторовях дефект!в, як! форыуються у процес! росту. Окр!ы цього, значн! в1дхилення е1д стех!оиетр!1 (специф!ка фазово! д1аграми с^дТа) забезпечуоть високий вы!ст електрично ак-тивних власних дефект1в у вирощених кристалах. Тому стех!о-ыетризуюча термообробка е чи не основною технолог!чною опе-раЩею (поряд з бездефектною обробкою) на шшху створення фотоприймально! структури.

На початку 80-х рок!в у результат! в!дпрацгоаняя нових ыетод!в внроцування телуриду кады!ю-ртут1 та п1двищення р!в-ня очищения вотМдних компонент було одержано• катер1ал на р!вн! термодинаШчно! неупорядкованост! твердого розчипу за складом 2-ЗХ. Окр1м цього, до середшш 80-х рок1в було дсс-татньо докладно досл1двено фазову д!аграыу твердого розчину (зокреиа, для складу х = 0.2), цо дозволило в1дпрацвватп прециз!йн1 метода низькотемпературного стех!оыетризуючого

в1дпалу. У даноиу технолог1чноцу npocropi проблеиа оптиы1за-ц11 та в1дтворювання параиетр1в 1Ч-фотоприйиач1в на ochobI cdHgTe поБ'язана з (I) пошукои та обгрунтувашиш нових ф!зи-ко-технолог1чних процес1в п1деищення фоточутливост1 сандте, (2) адекватшш досл1дкенняы рекоиб1нац1йних та к1нетичнт процес!в у цьоиу матер1ал1, (3) встановленняы ыехан!зи1в принципового (теоретичного) обыежекня параиетр1в 1Ч-фотопри-йыач1в на основ! реальних кристал1в i гетероструктур з роз-вияеною системою точкових та просторових дефект1в.

Робота виконувалась зг!дно з постановами ПрезидП АН УРСР n 604 в1д 25.12.80 р. "Коиплексн1 ф1зико-х1м1чн1 досл1-дяення нап1впров1дник1в у зв'язку з технолог1ею одержання та оСробкою" та n 320 в!д 10.09.86 р. "Досл1даення ф!зико-х1и1-чних процес!в у систеи1 нап1впров1даик-активоване середовшце з нетою створення наунових основ бездефектних технолог 15 одержакня, обробки та контролю нап!впров1дникових ыатер1а-л!в"; розпорядженшш ПрезидП HAH УкраЗСни n 160 в1д 19.02.92 "Пошук та досл!даення ф1зико-технолог1чних принцип1в фориу-вання та лараиетричного контролю нвп1впров1дникових багато-шарозих структур для ресстрацИ та перетворення випроы1нюва-ння в рентген1вськоыу, оптичному та 14 д1апэзонах спектру"; Програмою ДКНГ Укра1ни 7.1 "Матер1али електронно! техн1ки" (Постанова ДКНТ Укра!ни ы 19 в!д 24.07.92 р.); госпдоговора-1W uls 1иститутоы фХзики нап1впров1дник1в HAH Укра1ни 1 п1д-приеыстваии УкраХни та Pocil.

Мета роботи. Включав пошук та наукове обгрунтування ре-яил1в ф!зико-технолог1чних продес1в опт1ш1зац!1 параметр1в структурно-дефектних твердих розч1ш1в телуриду кадц1ю-ртут1 для одерхання порогово! ефективност1 детектування П-випро-и1нввання. Виконання поставлено! мети пов'язане з вир1шеншш сл1дуючих задач:

- розробити ыетоди п1двищення фоточутливост1 телуриду кадц1ю-ртут1;

- розробити ыетоди контролю параиетр1в сандте (х ~ 0.2), адехватн! р1вню технологи 1х одерхання та обробки, як1 вкшочають вш«1рювання зонних параметр1в, метрику "слабкого" р-типу пров1даост1, лроф1льно1 неоднор1дност1;

- вивчити к!нетичн1 та рекоыбинац!йн1 процеси у фоторези-

отавному ссж9те для вироблекня к!льк!сних критерНв обиежен-ня фоточутливост! (детектувчо! здатност1) у результат! направлено! терм!чно! та термоакустично! модиф!кац!1 точково-дефектно! структур«;

- визначитя гранично допустиы1 концентрацИ типових рос-тових ыакродефект1в (дислокац!й м0 та границь субзерен ) у сенате, як! принципово (теоретично) обыехугггь робоч! пара-метри ГЧ-фотоприйнач1в;

- вивчити вплив проф!льно1 неоднор!дност! гетеропероход1в СсМдТе/с<1Те<Бе, Тп> на технолог!чну в1дтворюван1сть пвраыет-р!в еп!такс!йного шару.

Наукова новизна роботи. Кошлексн! досл1даення процес1в <$1зико-технолог!чно1 оптим1зац!1 та иехан!зи1в обмехекня па-раметр!в сйндте дозволили одерзати так! науков1 результата, загальн! для вузькощ!линних твердих розчин1в:

1. Виявлено ефехт п1даищення часу життя нер1вноважнях носПв заряду в п-ссШдТе для вих1дного ступеня компенсацИ ыатер!алу К « 0.5 у результат! низькотемпературного коипен-суючого в!доалу шляхом введения рекомбинац!йно-активних ак-цептор!в (ваканс!й ртут1).

2. Встановлено, що акустостииульована дифуз1я точкових дефект1в у сандте супроводяуеться процесами генерацИ або "зал!ковування" ваканс!Я ртут1 у залеаност! в1д !нтенсив-ност! термоакустичного впливу та вих!дно* концентрацИ ваканс!й.

3. Виявлено значний вплив терыоакцептор1в на концентраций^ зале*н!сть електронно! рухливост! та р1вень щупу типу

у той ге час низькотемпературний х!д рухливост! елект-трон!в визначаеться непарабол!чн!стз енергетичного спектру нос!1в заряду у вузькощ!линних нап!впров1дниках (р!зкоо теы-пературною та концентрац!йною залеян!стю енергИ електро-н1в). .

4. Розроблено ф1зичн1 модел! та визначено гранично допустим! концентрацИ типових просторовах дефект1в (даслока-ц1й, границь субзерен) у фоторезистивноиу санвтв. Границ! субзерен, як гетери точкових дефект!в, п!двшцують фоточут-лив!сть Ссшот® при N^<100 сы-1, у той час як ростов! дисло-кац!1 однозначно знижують рухлив!сть та час хиття нер!внова-

жних носИв заряду з р!зкиы пад1нняы фоточутливост1 при кон-центрацЛях, вшцих порогово! (мс £ 8.Ю5 си-2).

5. Встановлено, що рад1ус д1! макродефекту, як стоку нер1вновахних носПв заряду, не сп1впадае з дифузЛйною дов-жиною фотоносИв 1 залетать лише в1д конф1гурацИ та розм1-ру просторового дефекту (рекоиб1нац1йно-розм1рн1Я ефект).

6. Рсзроблено метода та екслерхшентяльно визнзчено еле-ктроф1зичн! паранетри основних 1 неосновних носИв заряду, а такс* власно! концентрацП носИв по д1лянц1 анал!тично просто! (квадратично!) ыагн1топольово! залежност! коеф1ц1енту Холла в1д'ешюго знаку, який реал1зуеться у нап1впров1дниках "слабкого" р-ткпу пров1дност1.

7. Визначен1 уыови фориування и1н1ыуму поперечно! компонента тензору електрспров1дност1 ы!ж областями "замага1чу-вакня" носИв заряду одного знаку у багатошарових п-р-структурах на ОСИОВ1 Нап1впр0в1дник1в типу СйНоТе .

3. Встановлено кореляц1ю ы1ж структурною досконалЛстю п!даладки, параметрами еп!такс1йного шару та висотою потен-, ц!йного бар'еру для 1зотипних гетероструктур р-сандТе/р-сс1Те, яка визначаеться вм1стои 1 розпод1лом макродефект1в та, як нашивок, форкуванняы високорухпиво! електронно! компонента пров1дност1.

Практична ц!ин1сть

1. Кошлексн1 досл!дження, узагальнення велико! к1ль-кост! статистичного матер1алу, п1двшдення точност1 иетод1в контролю та управл!ння ф1зичниии параиетраии дозволили виро-бИТИ КрИТерИ ЯКОСТ1 фОТОреЗИСТИВНИХ КрИСТЭЛ1В С£)НдТе, як1 були використвн1 п1дприемством-вяготовувзчеы (АН "Чист1 метали", м.Св1тловодськ) при в1дпрацюванн1 технолог1чних операнд легування та термов1дпалу. К1льк1сн1 характеристики вшшву просторових дефект1в структура (дислокац1й, малоку-тових граничь) були використан1 при формуванн1 техн1чних умов одеряання цього иатер1алу.

2. 0птиы1зац1я часу аиття нер1Бноваяних нос11в заряду п1сля введения компенсуючих ваканс1й ртут1 або !х внутр1и-кього гетерування забезпечила вх1д у потр1бний для фоторези-стивних ГЧ-прийиач1в д!апазон концентрац1й електрон1в та до-сягнення порогово! детектуючо! здатност!, що п1двищило вих1д

ыатер1алу у придатку продукц1ю.

3. Запропонований епос1б терноакустично! об робки нап1в-пров1дник1в типу cdHQTe дозволяе управляти концентрац!ею го-чкових дефект1в без використання ртутно! атмосфери, високих температур та довготривалих процес1в терыов1дпалу.

4. Розроблений иетод контролю електроф1зичних парамет-р1в нап!впров1дник1в "слабкого" р-типу пров1дност1 забезпе-чуе надЛйну в1дбраковку ыатер1алу при виготовленн1 фоторези-стивн1х приймач1з; кр1м цього метод розшрюе перспектива використання CdHgTe "СЛабКОГО" р-типу ГфОВ1Д1!ОСТ1, як конху-рентноздатного для виготовлення датчикЛв слабких магн1тнях пол1в.

5. Характеристичн1 д1лянки у к8гн1топольоеих залезшос-тях коеф1ц1енту Холла (точка перегину) i поперечного uarai-тоопору (насичення др/р) багатошарових структур на ссноз1 нап1впров1дник1в типу cdn9Te? е опоршши для розробки методик контролю електроф!зичних параыетр1в hocIïb заряду та ïx про-ф1льно! неоднор1дност1.

6. Встановлення природа фориування небазано! електрон-boï компонента пров1дност! в 1зотнпних гетеропереходах Р-CdHgTe/p-cdTe дозволяе п1двищити в1дтворпван1сть технологи шфощування еп1такс!5них шар1в сандте та ефективн1сть в1д-брвковки п1дкладок сате по спектрах фотолга1несценцП.

7. Методики розд1льного визяачення електроф1зичних пп-раиетр1в нап1впров1дник1в та термоакустично! обробки кристалл телуриду кадц1в-ртут1 впровадяено на AT "Чист1 метали", як нововведе1ШЯ.

Еконоц1чний ефект у 1987 - 1989 роках склав 1120 тис. крб. (* 224 ООО).

Основн! полояення, як! виносяться на захист

I. У твердих розчинах типу cdHQTe реал1зувться ф1зико-технолог1чн1 процеси п1двщення фоточутливост!, як1 визна-чавться:

- низькотеыпературниы в1дпалом та введениям рекошИна-ц1йних акцептор1в при вих!даому ступен1 кошенсацИ ыатер1а-лу К ? 0.5;

- вкустоспшульованою дифуз1ев точкових дефект1в у гра-д1ент1 температуря 1 пруяних пол1в та "зал1ковуванням" вака-

нс1Я рту71;

- очищениям об'ему суОзерен иалокутовини г^анидями, як гетерами точкових дефект!в.

2. Термоакцелтори визначають концентраЩЯну зале*н1сть рухливост1 електрон1в у нелегованому п-санзТе, а такса зада-ють квадрэтичну залехн1сть р1вня шуму типу 1/г; низькотенае-ратурний х1д рухливост! електрон1в визначаеться непарабол1ч-н1стю енергетичного спектру носИв заряду.

3. 1снують критичн1 концентрацП иакродефект1в р1зного типу (дислокацШ, границь субзерен), визце яких фоточутли-BiCTb нап!впров1дникового матер!алу р1зко падае. Рад1ус ре-комб1кац1йно! активност! дислокац!й, як ctokIb нер1внозажшх носИв заряду, менше дифуз1йно1 довжини матер1алу, а границь суОзерен - б!льше.

4. У н0п1ЕПров1днику "слвбкого" р-типу пров!дност1 реа-л1зуеться д1лянка анал!тично просто! (квадратично!) магк1то-польово! зялекност1 коеф1ц1енту Холла, яка е спорною для од-ночасного визначення електроф1зичних параметр1в- основних i неосновних носИв заряду.

5. У багатошарових структурах 1 однор1дних нап1впров1д-нихах з к1лькона сортами носИв заряду одного знаку ulHi-мум поперечно! компонента тензору електропров!дност1 реал!-зуеться лише при умов! значно! р1зниц1 як рухливостей нос1-!в заряду, так I в1дпов1дних компонент пров1дност1.

Апробац1я робота. Ыатер1али дисертацП допов!далися та обговорювалися на; и-й I ш-й Всесоюзних конференц1ях "Материаловедение халькогенидных и кислородсодержащих полупроводников" (Черновцы, 1986, 1991), ВсесовзнХй нарад1 "Акусто-оптические и фотоэлектрические метода исследования полупроводников" (Киев, 1988), The 10th International Conference on Noise in Physical Systems (Budapest, 1989», 1-Й РеСПубЛ1КВН-

ськ1й конференцИ "Физика и химия поверхности и границ раздела узкощелевых полупроводников" (Алушта, 1990), Всесоюзному сем1нар! "Многослойные структуры на основе узкозонных полупроводников" (Нукус, 1990), М1зшарода1й конференцИ "<81за-ка в Укра1н1" (Ки!з, 1993), п Укра1нськ1Я конференцИ "Ма-тер1алознавство 1 ф1зяка нап1впров1дникових фаз зм1нного складу" (Н1ЖИН, 1993), NATO Advanced Study Institute» "For—

■nation and Interaction of Topological Defects" (Cambridge, 1994) and "Photonic Band бар Materials" (Crete, 1995), VIII

научно-технической конференции "Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов" (Ужгород, 1994), iumrc

International Conference on Electronic Materials (Taiwan, 1994), International Conference "Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro— and Quantum Electronics" (Kyiv, 1993), 6th Conference of Surface and Interface Analysis (Montreux, 1993), The Third IUMRS International Conference in Asia (Seoul, 1995).

Публ1кац11 по робот!. Основний зм1ст дисертвцН викло--дений у 43 публ!кац1ях (у тому числ1 34 статтях, 3 авторсь-ких св1доцтвах на винаходи).

Обсяг та структура днсертацП. Дисертац1я викладена на 360 стор1нках, вклвчагчи 87 рисунк1в, 21 таблицп та б1бл1о-грвф1в з 336 найыенувань. Бона складаеться з вступу, восыа розд!л1в, заключения, загальних висновк1в та додатку.

Конкретней внесок автора. У робот1 узагальнеШ результата досл1дзень, як! були виконан1 автором та сп1вроб1тника-ни II науково! групи. Дисертанту налеяить 1н1ц1атива у конкретно постановил задач та вибор1 напряык!в дослЛдгень, бе-зпосередня участь у 1х виконанн!, пров1дна роль в обробЩ та ЛнтерпретацП результатЛв експерименту.

ОСНОВНШ 2.MICT Р0В0ТИ

У периоиу розд1л1 наведено критичний анал1з стану дос-ЛЛдсеНЬ 0СН0ВШХ napaUSTplB ТВерДИХ рОЗЧИН1в CdHgTe, як прийиачЛв 1Ч-випроШнгваяня, з урахуванням особливостей фа-зово! дЛаграыи та фЛзико-технологЛчних процес1в управл1ння дефектной структуро1).

Показано, що для раал!зац11 перспективного класу безпе-рервних лЛнЛДних фотоприймальних структур, якЛ основан1 на ефектЛ витягування носПв заряду, поряд з виыогою високо! одаор1дност1 по складу твердого розчину кеобхЛдне лоретке обиегення значения рЛвноважно! концентрацИ hocIIb заряду, ыЛнЛмалъний виЛст просторових дефектЛв та, як насл!док цьо-го, висока фоточутливЛсть (ефективнАсть детектувашгя).

Розваток ыетодЛв управл!ння точково-дефектноп структурою CdHgT« (термЛчних, акустачных) потребують адекватного

вивчення механ1зиш оомех;;ння рухливост1 та часу життя нос1-1в заряду п уловах дов!лького виродхення електронного газу, у эв'язку э протир1ччяы данях по ыехан1зиах та параметрах цекгр1в р^кои01нац1Х, а такох з-за Фрагыентарнсст1 результата для мндГе з р1г.нопахною концентратею нос1!в заряду, близько» до влясно!.

Высока електрична активи!сть просторегшх дефект1в у ыа-тер!влах типу телур1ду клды11ьртут1 оСумоалрс кео011дн1сть вмзнячекня критерии обмехешш параыетр!в фотопряймач1в рос-тов1ши ыакродефектами.

Неоднор1дн1сть розпод!лу доыЮок, дефект1в та компонент твердого розчину в еп1такс1Яних структурах на основ! телуря-ду ксдИю-ртут! успладдае проблему технолог!чно! в1дтворгаа-ност! га очтик1зап11 параметров таких структур, п1двкцус ш-мопг до Гх контролю в уыовэх профШлю! неодаор1дчост1.

У .другому розд!л1 проенал1зован1 та нэведеШ метода контроль зоинях рараиетр1в санат«г (Шфина заборонено! зонн, пляска концентрация носПв заряду), "слрОкого" р-типу провоюет! по ко)с;е)гграц11 та рухливост1 електрон!в 1 д1рок; проанзл1зован! датчики Холма на основ1 такого матер1алу.

Пор1вияльний анал!з рял? ф1дичних метод1в оц!нки ширянн заборонено! зонм 1 складу твердого розчину сандт» та базового ре нтгг; неструктурного методу (м!кроанал1затор -сол«ь«><* ) показав, що перевахаотни Сектором п1дпид«шя похибки контролю цях параыегр1в телуриду кади1ю-ртут! оптичтоы 1 фотоеле-ктрич^заш ыетодсми е вяродягекня електронного газу (ефект Бурштейна-Мосса) з п1двищеншш теыператури 1 знихенням складу твердого розчину.

Управл1ння кояцеятрвц1сю ваканс16 ртут1 на р1вн1 ду^ в Ю14 сы~3 створило передумови стаб1льного одержання материну "слябкого" р-типу пров1даост1 (дои1рн1 п- 1 р-компонента лров1дност1). ЗПдно з проведенный оц1нкаыи, такий ыатер1ал е перспективный для виготовлення датчиков слабких иагн1тншс пол1в в област1 абсолютного максимуму коеф1ц1екту Холла. 3 1кшого боку, для нап1впров1дник1в з великим в!дношенням рух-лиаостей електрон1в та д1рок контроль електроф1зичних параметр^ в умовах зм1иано! пров1дност1 е досить складним. Для охремого назначения концентрацИ 1 рухливост! електрон!в те

д1рок у такоиу иатср1ал1 було розроблено метод, якиЯ не потребую« Е1ш1рсаага1я теиператур!мх ззлехностей кшетичних кое -ф1ц1еит1в та силышх (квантупчлх) иагн!тшх пал1в. Встанов-лено, что саме для "слабкого" р-типу ггров1дност1 реал1зуетъ-ся участок просто! (квадратичж>1) иагп1тшольово1 залохност! коеф1ц1енту Холла нихче точки 1каерс11 йог-о знаку:

"н Е "я

[г тп Ц _ _ -.-1

» ♦ ( 1 - ->=■) ^ ]'

(I)

Яд - акачекня коеф1ц1енту Холла у слаб кому иагн1тноиу пол1.

Для невиродхено! статистил! газу носИв заряду, цо с харзктерним для нап1впров1дник1в 1з зи1ланос гтров1дн1стю, параметра носИв вазкачеоться р1ьнясиои:

а»"1»

р •• П./П I

о 1 о

"р -

о

(1

(2)

РН(В)

Ешюрастання хвадратично! д1лягаи (I) залехиост1

дозволило вперпе експераментальпо аизначити величину власно1

концектрацИ носИв заряду пра рэбоч1Я тецлерагур1 фотоприй-

иача (77 К, ряс.1). Пра цьоиу збереглась тевденц1я, встзнов-

лена автораш с 1з - перевицення даних експериыенту над ро-_з

сы зрахунхои, яке зростае прп

зннженк1 температуря. Анал1з причин в1дхнлекня експериме-нталышх результат!^ в1д ро-зрахунку (обробка поверхн1, 2ООН флуктуац11 складу) вказаз па перевагний вшше флуктуац1й складу на р1вн1 природньо! (териодннаШчно!) неупоряд-кованост1 сйндТо. У ц1лоыу, вЛдхилення тоШряного значения п1 в1д розрахункового характеризуе як1сть твердого 0.20 0.21 0.22 X розчину.

рдС<1 Для к1лък1сно1 ОЦ1НКД

1017

1016

1015

1014

10

,13

--С 25

----с 1з

* х - С 1э

ч в - нага, дан!

*н„а ♦ д) (

електронно! компонента пров1дност1 у третьому розд!л1 дос-л!даено к1нетичн1 явища 1 розраховано температурн1, концент-рац1йн1 та молярн1 залехност1 електронно! рухливост1 п1сля легування донорами або компенсацИ кристал!в п-сандТе акцепторами ваканс1Я ртут1 на р1вн1 лу,, = Ю14 см-3.

HQ '

Розрахуиок температурних залехностей холл1всько! рухли-вост1 проведено для двох груп резистивних кристал1в СсЖаТ» (рис.2)« з р1зним ем!стом ваканс1й ртут! у залежност1 в1д рехииу терлов!дпалення (а) та з р1зною концентраЩев легую-чо! дояорно! дои1тки 1п (б). Холл1вську рухливЮть електро-н!в було розраховано для довольного ступеня виродаення елек-тронного газу при визначенн1 оператор1в з1ткнень для санаги вар1ац1йним методом р1шення р1вняння Больцмана сЗз. Шдгоно-чними параметрами теор1! були потенц1ал розс1ввання де при розрахунках компонента розс1ввашщ на неоднор1дностях сплаву »а концентрац1я 1он1в дом1шок - для дом1пково! компонента розс!ювашш. Встановлено, що коеф!ц1ент г, який характеризуе

1 2 1 2 10 10 10 10

т, К т, К

Рис.2. Експерпыентальн! (точки) та теоретичн1 (крив1) температуры! залехност! мп кристал!в сандТе: а - п0 = 2Л015см~3 (I); 2.4.1014см~3(2), на вставЩ - в1дпов1дн1 температурн1 залехност!. (1.2) та Ер (1-.2*); б - г>о = 4.8.10 си-3 (I), йЛ014сы"3(2); а - розс1явання на вкустачних фононах; о - на оптичних фононах; 1^2 * на 1°нах ДоиЛшок; С1,С2 - сплавний ыехан!зи розс!ввання

шзькотемпературний х1д рухливост1 елеКтрон1в (мп ~ Т^), зростае при Езеденн! акцептор!в (вакансий ртут1, рис.2а) тэ згогаенн! концентрацП донор1в (рис.20). Зг1дно з проведении анал1зом, Головины фактором, ккиЯ визначае зале*н1сть рп(т), в непарабол!чн1сть енергетичного спектру носИв заряду у ву-зько:ц1лшпшх нап1впров1дниках та, як нэсл1док цього, р1зка температурка 1 концентрац1йна залехнЮть екергИ електрону (р!вня Ферм1, вставка на ркс.2а). У той час, як залежи1сть ^п(по> визначасться виЮтом 1он!в дои1ток 1 длл реальних кристал1в оСиеяена двозарядшоот някакс1ями ртут1. При цьоыу сл1д урахувати також иолярну залеянХсть електронно! руиигоо-ст1, флуктуац11 яко1, зг1дно з проведенный оц5.нкаык, досяга-ють 15% (77 К) 1 25% - (4.2 К) для р1вня природньо! (тсрмо-дакаи1чко£) кеупорядкованост! твердого розчину &х ы 5.10"^.

Дан! по концентрад1йниЯ зале*ност1 рухливост! електро-н!в у сандте (х « 0.2) п1дтвердили спряведлив1сть модел! розс1ювчих цептр1в, яка визначае при 77 К р1вень низкочастотного пулу типу 1/т, як альтернативы фононнЛй ыодел1. Б1льы того, встановлено, що основне даерело думу цього типу поз'язане з акцепторами 1 задов!льно апроксимуется залеяиЮ-•го « ~ м2 (а - пост1Лна Хооге).

а

У четвертоцу розд1л! дослЛдкено статистику рекомС1ка-ц11 у вузько!ц1линноиу телурид1 кады1»-ртут1 з коитрольсва-ноо зм1ною концентрацП одного типу дефект1в, зокрема, вака-нс1й ртут1 в результат! компенсуючого низькотемперятурного в1дпалу.

Розглянута статистика шокл1-р1д1вськоХ рекоыб1нац11 через двозарядн1 (вакансИ ртут1) та однозарядк1 (фоков1 дотики) акцептори в умовах дов1льно! концентрацП центр1в реко-ыб1нац11 та ступеня' коыпенсацИ ыатер1алу. Розрахунки п1д-твердили дом1нування озе-механ1зму рекомбинац11 в п-саидте (х м 0.2) при концентрац1ях електрон1в, б1льш1х за 1015см_3. В р~област1 концентрац1йна залежн1сть т носить активацШшЙ характер з енерг1ев процесу, яка визначасться глибоким акцептором, а для високочутливого СсЖат» "слабкого" р-типу про-в1дност1 переважае рекоыб1нац1я через однозаряда1 р1ви1 ак-цептор1в фонових дои1шок. Для п-област1 мае и!сце немонотонна залехн1сть * (п ), природу яко! розглянеыо докладн!ша.

3 уряхуьакняы реальних сп1вв1днотень м1ж рекомб1нац1Я-юши параметрами кристал!в п-сандТе (термичн! концентрацИ ыся » Nvai ра « ) загальне вирахення для електрон-

ного часу гиття значно спрощуеться:

n + n

т - -(3)

с п n п о а

зв1дки сл1дуе, що часом життя нер!вновахних електрон1в (фо-точут.шв!стю иатер1алу) при ф!ксовэн1й температур! можна уп-равляти за допомогою двох параметр!в: концентрац!ями реком-б!нац!йних центр!в та електрок!в. Способ!в 1х вар!ац!1 ноже Сути дек!лька в залежност! в!д виду обробки матер!алу. Зм1на концентрац!! донор!в з-за мало! енергП активац!! у вузько-щ1.шкному сандТе управляз лише р1вновагною ЕОнцентрац!еп електрон!в, внасл!док чого час ккття кос!!в заряду монотонно росте !з зкяхенняы ^. Монотонна залехнЮть т (п ) иав мЛсце ! при введенн! ы!лких ашдепторЛв, як! не е центрами рекомсИнацП.

Зм!на концентрацИ глибоких рекомб!над!Яних акцептор1в значно зм1шос ситуац!ю (рис.3): в залегностЛ ) з'являб-ться м1н1мум. При переход! у (3) до одн!е! зм1нно! (ступ!нь ксмпенсац!!) одеряуемо:

с + к ги 2ы

г ------ с , -V*-. К - (4)

с n . ( 1—к) к n. n.

n d d ■ d

Координата м!н1муму визначен! для екстремуму функцП (4) к . = С <41 + I/C - г 1 в1дпов!дають к » 0.5 у великому д1-

min

алазон! зм!ш кондентрац!! донор!в. Досл!даення двох груп кристал!в cdhgte, як! в!др1зшпоться вих1даим ступеней k0u-пенсац!! (к < 0.5 1к > 0.5), експериментально п!дтвердило зростання часу життя фотоносНв при к > О. 5 та його знихення при к < 0. 5 пЛсля низкотемпературного в1даалу (рис.3, точки). Таким чином, кошенсувчий термов!дпал моле управляти чесом зиття електрон!в в обидв! сторони, у тону числ! п1дви-щувати фоточутлив!сть матер1алу в результат! введения реком-б!нац13них акцептор!в.

3 урахуванням конкуренц1! двох основних механ1зм1в реко-itëiiisqiï (Oie та Шокл!-Р!да) проведено анал!з температуршх

том фонових дом1шох с

та

10

-6

залегкостей часу хиття електронлв. у сйндте з р!знкм ем1с-

ваканс!й ртут!. Оц1кеко параметры рекоиС1нэц!йних. р!зн!в.-(I) концентрац!ю по температур 1 переходу до участка ак~ тивац!! т; (2) перерЛз захвату електрон1в по низькоте-л5 нпературн1й полц! та максимуму залеяност! т(?); (3) еиерг!» активацИ по участку активацИ т. Встзнэвлеко, ио основною причиною розбросу Е1ш1рювано1 енерх'И активацИ р1вня рекомб!нацИ е по-хибка 11 визначення, пов'я-зана, по-перзге, з вшивом оге-кошоненти рекомб1нац11 1, по-друге, г високиы вылетом рек.омб1нац1йних центр!в.

Рис.3. Експеримент (точки) 1 розрахунок (1-8) г (ло) для N , 10 си"3: 1-5,2-10,3-15,4-20, 5-25,6-30,7-40,8-100. Пунктир-езе-компонентя рекоыб!нацП

Одержан! результата по концентрац1йних та температурних залеяностях часу життя нер!вноватних носПв заряду подтвердили справедлив!сть модел! рекомб!нац!йного акцептора для п-сйндТе, як альтернатива досить посирен1й модел! рекомб!на-Щйного глибокого донора.

У п'ятому розд!л! приведено кошлексн! експериментальн1 та теоретичн! результата досл1даень рекоыб!нац!йних та елек-роф!зичшх характеристик телуриду кадм1ю-ртут! у залеаиост! в1д вм!сту типових ростових просторових дефект!в: ыалокуто-еих граничь та дислокаЩй.

МАЛ0КУТ0В1 ГРАНИЦ. Досл!деено пластики санэте складу

к = 0.2 - 0.22, для яких виы!рювана концентрац!я електрон!в

дор!внюе (1-7).1014си~3, л!н1Яна густина мзлокутових граничь

зы1нх>еться в!д = 5 см'-1 до 300 см-1. При цьому було вив-

чено кристали сандте, шр!зан! з одн1е! пластини, в як!Я ко-

нцентрац1я малокуторих границь зм!нювалася в д!апазон! ыдЬ =

5 - 100 см-1. При дослЛдженн! рекомб!нац1йних процес1в вим!-

пластини з N. я 200 -■ь

рввались такоа спец!альж> в!д1бран! 300 си

1С

м„. см

,-2

Залехн1сть г в!д ибЬ<*)

Рис.4,

н0(х)при 77К; 1,2 - в!дпов!дн! розрахунки; 3,4-розрахунок т з урахуванням знихення ы

ю ю

т, к

Рмс.5.Температурн1 залехнос-

т! н„(1-3) 1 д_(4-6) для ы : Н . о 1> к еР

-а ю4сн-2,2.-з. ю5.

3-10и

, ю14см"3: 4-5, 5-10,

6-25

В рамках пол!кристал!чно1 модел! оц1нено параметра ма-локутових граничь. При цьому в некомпенсованих кристалах зм1на електроф1зичних параметр!в з ростом в1дпов1дае модел! з високоомними границями субзерен, а для компенсованих кристал!в "працюе" пол1кристал1чна модель з пров1дними гра-шщями.

Вим!рюваниЯ час хиття для некомпенсованих кристал!в

=5-100 см

,-1

Для компенсованих

зм1нюеться слабо при ывЬ кристал!в г зростае з п1двищенням концентрацП граничь субзерен до 100 см-1 (рис.4) наймов!рн1ше внасл!док гетеруючо! д!1 границ! субзерна у процес! стех!ометризуючого в!дпалу. Об*емкий характер эростання часу хиття подтвердили залехнос-т1 т(Т). При б!лыпих концентрац!ях малокутових границь (200 - 300 см-1) т спадаё незалежно в!д значения р1вновахно! концентрацП електрон!в.

ДИСЛОКАЦИ. Для одерхання зразк!в з р!зною концентрац!-ею ростових дислоквц1й (мв) досл1дяен! пластини сандТе було спец!ально оброблено. Неодаор1да!сть розпод1лу дислокац1й в1д ы0 > Ю5 см-2 до < 10б см-2 досягалася шляхом в1дпалу пластин в насичен!й пар! ртут! у- град!ент! температур 880 -

ВЭО К, тоОто в уыовах, при яких мае ы1сце переповзанпя дислокации. Пот1и прозодилася низькогеицературна стех1ометризу-ча обробка для одержакня ыатер1ялу п-типу пров1дност1.

Електропр1водн1сть та коеф1ц1ент Холла кристал1в сандт® з р!зниы ви!стом ростових дислокац1й практично не зи1н»сться при тешератур1 р1дкого азоту з п1деищенняи N до 2.10бси-2. При цьому коеф!ц1с1ГГ Холла не залегать в1д температуря та концентрацП дислокац1й. Отже, п1сля высокотемпературного в!дпалу у град1ент1 теыператури та низькотенпературяого сте-х1оибтризуючого в1дпзлу дом1шков1 та влзсн1 дефекта достат-ньо р1вном1рно розпод1лен1 в оброблек1й пластш:1 незалеяно в1д выХсту дислокаций. I т1льки при Т < 50 К зросташи концентрацП дислокац1й б1лыяе, н1я на порядок, призводять до зниженкя рухливост1 у 1.5 рази (рис.5). Розрахунок (Т) проведено з урахуванняы розс1свання на заряджених дислокац1-ях с4з (рис.5, суц1лъя1 крив1), що узгоджуеться з експеркме-нтальнши данный для двократно зарядкеного оборваного зв'яз-ку дислокацИ. Розрахункова залежн!сгь сумарно! рухливост1 носИв у сандТо в!д кута в и!з направленняы дислокаЩй 1 струму виявила, що найб1лыяа зы1на рухлизост! при перпендикулярному направлекн! струму до ос1 дислокац1йко! трубки не перевищуе двократного зкиження ^.

Ростов! дислокацИ обмежують час життя нер1вновагтих носИв заряду з р1зким пад1нняы фоточутливост1 при м0 ~ 8» Ю5 сы-1 (рис.4), цо п1дтверджзно також температурнин ходои г як в облает1 дои1шково1 рекоыбинацИ, так 1 оже-гас1нш1.

Для к1льк1сно! оц!нки рекоыб1нац1йно! активност1 ыакро-дефект1в була використана ыатеыатична модель, яка враховуе поряд з ы1язоншш та дон11вковиы ыехан1зыами рекоыб1нац11 об-ыехення т просторовими дефектами, як стоквии фотоносИв с5з. Р1зниця ы!л рекоыб1нац1йн1ШИ параметрами схЗ'еыу кристал1в та геоыетрично! грающ1 ызкродефекту створве дифуз!йний пот1к нер1вноважних носИв заряду (ННЗ), який характеризуемся швидк1ств поверхнево! рекоыб1нац11 на границ1 "дефект-матри-ця". Р1шення в1дпов1дних р1внянь неперервност1 описуе спад ННЗ за допоыогою ыодиф1кованих функц!й Бесселя «о (х) 1 хо (к) для ц1л1ндрично! поверхн1 рекомб1нац13.

3 розглянутих моделей рекоыбинац1йно-актавних ыакродефе-

кт1в виходить рози1ряий ефект - залежн!сть характеристично! довжини спаду НШ и* в1д конф!гурац!1 та розч1ру дефекту гс (рис.б). Встановлено, що !_*< и (I. - дифуз1йна довжина ННЗ) для дефект!в з випуклою поверхнею (сферичн! включения, дис-локац1Ян! трубки), у той же час > ц для дефект1в з вогнутою поверхнею (границ! субзерен).

3 урахуванням теоретичних та експерименталышх концен-трац1йних залежностей т- (рис.4) визначен! рад!ус рекомб СВИНЬЮ! аКТИВНОСТ1 ростоеих ДИСЛОКЗЦЛЙ у ссшдте (|"с« 0.4 ШШ) 1 ееидк1сть поверхнево! рекомб1нац!1 на границ1 "дефект-мат-риця" (в * Ю5 си/с). Критачн! концентрацИ дислокац!й, як1 хорактеризують як!сть п-сенндТе по г, в1дпов1дають М!ЖДИСЛ0-

кац!йн!й в!дстан1 я = |_*= 0.2и, що п1дтверджуЕ реко-мб!нац!йно-розм!рний ефект.

У шостому розд1л! до-сл!джено иехан1зш акусти-. чно! цодиф!к8ц!1 точково-дефектно! структури крис-тал1в телуриду кадм!ю-рту-т!, як! в1др!зняються ви-х!дною концентрацию ва-канс1й ртут1.

Попередн! результата вкустично! обробки сенате були одержан! для зразк!в з р!з-ною, часто не ф!ксованою, структурою точкових та просторових дефект!в 1 не в!дпов!дали на основке питання: ягаш чином та за рахунок яких дефект!в в!дбуваються так! зм!ни? Р1шення ц!с! проблеми важливе при в!дпрацшанн! керовано! методики оптаи!зац11 паранетр!в телуриду кадм!ю-ртут1 у результат! териоакустично! обробки, як альтернативи довготривалому ни-аькотешературному в1доалу. Для цього були в!д!бран1 кристалл сенате з р!зиою вих1дною концентрац!сю ваканс!й ртут1. Эалеяност! норыованих по 4-5 зразках в1дносних значень концентрацИ та рухливост! електрон!в в!д 1нтенсивност! ультра-звуково! обробки наведено на рис.7. Для некомпенсованих кристалл (I) концентрбц1я електронЛв з ростом енергИ ультразвуку практично не зм1нвсться, рухлив!сть зростае, проходить

-6 в ю

с /\- Малокутова граница

1.2

1.0

0.8

I. /L

Рис.6

1.4

1.2

1.0

1.2

1.0

0.8

через максимум 1 пот1м спадае. Для компенсованих кристал1в (з великим вих!дним bmIctom ваканс!Д ртут1) характерк! немо-нотонн!, з максимумом, залехност1 концентрацИ та рухлиЕос-т1 електрон1в (2).

Експериментальн1 температуры! залехност! електронно! ру-хливост! та ïx розрахунок ва- р/</ р!ац!Дним методом св!дчать i.a про знизгешш концентрацИ до-нор1в та акцепторХв на д1лян-ц1 зростання рп в результат! акустично! обробки. А при !нтенсивкостях ультразвуку, як! знкжують рухлив!сть, ок- п/п^ р1м з01льшення концентрацИ 1он1в дом1шок мае: м1сце зростання розс1Еючого потенц1алу для сплавного ыехан!зыу роз-с!ювання внасл!док росту м!к-рофлуктуаЩй компонент твердого розчину.

Концентрзц1йи! залежност1 часу життя електрон!в п1сля термоакустично! обробки в1др.1з-няються в!д результат1в низькотемпературного компенсувчого в1дпалу: якщо в останньсму випадку т<п0> зи1кюеться практично по !зоконцектрац!йних (в1дносно донор!в) л1н1ях (рис.3), то терыоакустична обробка супроводжуеться яге знияенняы, так 1 п1двищенням концентрацИ донор!в.

Для !нтерпретацИ результат1в термоакустично! обробки використано механ!зм взаемодИ ультразвуково! хвил! з дисло-кац1йними ст1нками гра1пщь субзерен с 7д. Обробка ультразвуком призводить до локального нагр!ву по периметру субзерен (тому обробка була названа термоакустичнов). Результатом цього найв!рог1дн!ше е акустостимульована дифуз!я дом!шок та надлишкових компонент твердого розчину з облает! просторово-го дефекту в об*ем субзерен та в1дпов1дна зм1на параметр1в нап!впров1дника. Динам1ка зм1ни абсолютних величин ! температурного ходу рухливост! та концентрацИ електрок1в, а та-кох концентрацИ центр!в розс!ювання дозволила зробитя вис-

Рис. 7

новок про те, що основными процесами е генерац!я та изал!кс-вування" ваканс1й ртут! в залехност! в1д !нтенсивност! тер-мовкустичного вшшву та еих1дно! концентрацИ ваканс!й.

Шдсумовуючи результата ф1зико-технолог!чно! оптим!за-ц11 параметр1в cdiigie шляхом введения ваканс1й ртут1 (розд!-ли 3, 4), терыов1дпалу за участи процесу гетерування дефек-т1в гранидяии субзерек (розд!л 5) 1, насаик!нець, термоаку-стичко! обробки, було оц!нено данам!ку пороговых характеристик фотоприймач!а (детектуючу зд1бн!оть d*). Встановлено, що для досл1дкеного сан^те при 2.1014 см-3 реал!зуються

значения гранично! d*, обмехено! фоном при 300 К.

У сьоиому розд1л1 розглянуто особливост! магн!тспольо-вих залетаостей к1нетичних коеф!ц1ент1в (поперечкий ыагн1то-onlp, коеф!ц!ент Холла) у багатошарових структурах cdHgte з штою контролю про$1льно! неоднор1дност!, зокрема, ёп!такс!-йних нап1влров1дш1ковмх структур з великий в1дношеншш рух-ливостей електрон1в та д1рок. Досл1дхено також моделый п-р-сгруктури, сформован! в результат! теры!чно!, нехан!чно! обробок та шпульсним лазерним випрои!нюванням.

В n-р-«-структурах на основ! кристал!в CdH9-re (х= 0.22) was м!сце немснотонний (з точкою перегину) спад коеф!ц1енту Холла в1д'емкого знаку. Аналог!чна залежн!сть характерна для кристал1в p-cdHgTe з велико» товщинов порушеного шару (рис.8), видалгная якогс призводить до зростання коеф!ц1ента Холла з класичною залегнЮтю rh(B) в однородному матер1ал1. Для еп!таксЮких шар1в р~ссжате з приповерхневим п-шаром конденсату аномально! залехност! RH(B) не було виявлено.

см^/Кл

Рис.8. ЗалегнЮть RH(B) для п-р-структура при в1дносн1й ТОВЩИН1 п-Шару dj/d=0. I ! nj= 4.1014см~3(1-и 1= Ю3см2/В.с, 2-5Л03,3- Ю^-бЛО5); 5-nt =I0I5,w ,= I03cu2/B.c. Пара-

nl тс о

метри р-шару:р0= 1.4.10см " Р =150 с^/В.с, n2= 4.6.I012, й о а 1.3Л05

в, Тл

Теоретичний анал!з умов формування точки перегину проведено з вшсористаншш модел! паралелыюго електричного з'с-днання для компонент пров!дност1 нос1!в р!зного сорту в структурах з проф!льною неоднор!дн1стю (рис.а, встзвка).

Результата розрахунку rh для двопарово! n-р-структур:! (рис.8) п1дтвердили 1снування точки перегику, але не для любого набору параыетр1в. Анал1з компонент тензору електропро-в1дност! засвЛдчив, що точка перепшу у залешюст! rh(B) was Micye лише при наявност! м!н!муму у магн!топольов!3 залезпго-ст! о-ху, тобто при розд!ленн! областей "замагн!чування" р!з-ного сорту hocIIb заряду, що мае м!сце при сп!зв1днопенн! парэметр!в двошарово! структури: мр<<мп1<<Рп0 та n1dJ« n2<i2* <йп2в>-2 (о>г < с2> . Ц1 умови виконуяться для досл1дгеких rip-структур з поручении шаром i не виконуэться для еп!такс!Я-них структур. Д1ЙСН0, компонента, пов'язана з високопров1д-ниии електронами, для проявления у залегностях RH(B) повинна перевазгати над компонентою пров1дност! менп рухлявях елект-рон1в (рис.8). Уыови формування м1н!иуыу а мсзуть бути вя-користан1 також для досл!дження процес1в переносу в нап!в-пров!даиках за участю легких та ваякнх kocISb заряду (лока-л!зац!я носИв, пров1дн!сть по доы!шков1й зон!).

Польов! залеяност! поперечного ыагн!тоопору n-р-структур носять ступ!нчастий характер. Облает! иасичення залегать в!д сп!вв1дасшенкя компонент пров!дност! носИв р!зного сорту ! являються характеристичними для розд!льного контролю електроф!зичних параметр!в к!лькох сорт!в носИв заряду. При цьоыу для Т = 77 К ! клзеично сильних ыагн!тних пол!в фактор, пов'язанкй з р!зшцею рухливостей носИв р!зного сорту, значно силья!ше впливае на величину rh та ьр/р His поправки, як! пов'язан! з неупорядкован!стю твердого розчину або непарабол!чн!стю енергетичного спектру нос!1в заряду.

Нодиф!кац!я точково-дефектно! структури високопров!дно-го приповерхневого n-шару (конденсат) в еп!такс!йних пл1в-ках p-cdHgTe шляхом обробки сильнопоглинаючим лазершш вип-рои!нвванням при допорогових дозах опром!нення (0.1 Дк/см2) аналоПчна зняттю'цього шару методом х!м!чного травления. При зб1льшенн1 дози опром1нення до 2.4 Дг/cu2 формуеться двошарова р+-р-структура. При цьому знакопост!йна магн!тсоо-

льова залежн1сть коеф1ц1енту Холла иае точку перегину на д1-лянц1 зростання (В) додатнього знаку, цо пов'язане з "за-иагн1чуванням" високорухливо! електронно! компонента у р-аар1.

ВосьмиЯ розд!л присвячений досл1джекням впливу профЛль-но! неоднор1дност1 розпод1лу структурных та ф1зичних характеристик гетероперехода Р-сйНдТе/Р-сйТе<Бе,гп> на тегноло-г1чну ст8б1льн1сть пораиетр1в еп1такс1йних шар1в сан9т>.

Досл1дхено еп1такс1Ян1 пари с<1н3Тв (х - 0.2) р- та неба-*ано! зм!шано! пров1дност1, вирощен1 на п1дкладках сат«, "чистих" та з 4% компонент б» вбо . Еп1такс1йн1 шари тов-щиною 25-30 шш були вирощен! методой р1диннофазно! еп1так-сП в замкнутому об'ем1 1з збагачених телуром розчин1в-роз-• плав!в на В-поверхн1 с III] п!дкладок сате (виготовлено на АТ "Чист1 метали").

Еп1такс1йн1 шари зм1шаного типу пров1дност1 в1др1зшш-ться б1льшим вм!стом дислокац1й, вклвчень телура, а таксис ком1рковою структурою перех1дного шару пор1вняно з еп!шарами р-типу, як1 м1стять лшпе с1тку дислокацЮ нев1дпов1дност1 в област1 металургШю! границ!.. Окр 1м цього пл!вки зм1шаного типу пров1дност1 неоднор!дн1 по товщин1 1 м1стять закорочу-ючий високопров1дний п-шар, який прилягае до перех1дно! ва-р1зокно! област1.

В спектра* фотолвм!несценц!1 п1дкладок сот® зареестро-вана донорно-акцепторна смута зх< = 875 ны, 1нтенсивн1сть яко! р1зко п1двщуеться !з зростаншш електронно! компонента пров1дност1 в еп!такс1йному шар! (в!дпов1дно в п1дкладц1) 1 в даному технолог1чному простор1 е характеристикою структурно! досконалост1 сате. Природа донор1в пов'язана з в1дхилен-ням в!д стех!ометр!1 переважно внасл!док формуванкя прецап!-тет!в Те 1 в!дпов1дного зниження телурово! компонента.

В 1зотипних гетероструктурах р-санате/рч^те у вузьк1й област1 максимального град1енту складу твердого розчнну, яка прилягае до металург!йно! границ!, форыуеться потенц1йний бар'ер. Висота бар'еру (до 0.5 еВ) 1стотно залешть в!д вм1-сту иакродефект1в структура: при п1даищенн1 1х концентрац11, коли знихуеться оп1р перех!дного шару, потенц1йний бар'ер невисокий або в!дсутн1й.

Таким чином, в!дтворюван1сть парзмсгр1в гетероструктур на ochobI cdhgte визначаеться, головним чином, bmIctom та розпод1лом просторових дефект1в та кснтролюеться у дяному технолог!чному простор! (I) !нтенсивн!стю донорно-акцептор-hoï смути фотоло11несценц11 п1дкладки cdTo, (2) bhcotod по-текц!йного бар*еру у перех1дноиу шар1 та (3) buIctom елект-ронко! компонента пров1дност1 в еп!такс1йному пар!.

О С H О В H I В И С H О В К И

Пошук та обгрунтування ф1зико-технолог!чних процес!з оптш|1зац11 параметр1в cdHgT» дозволили пияяити нов1 способа п1двищекня фоточутливос?! цього иатер!алу, встпновита мэха-н1зми 1 виробити ф1зичн1 критерП обиеяення параметр1в 14-фотоприЯмач1в на основ! кристал1в та гетероструктур cdHgT« з пестех!оыетричшши точковими i просторовиш дефектами:

1. Упраал1ння р1шюв?ж!ою електрошюи ко1щектрац!ею п-cdHgr» тляхоы зм1ни вм!сту рекоцб1кац1йких гкцептор!в (ва-канс!й ртут1) призводать до немонотонно! (з м1н1лумом для ступеня компенсацП К ». 0.5) ко1щентрац!ЙноХ залежност! часу хиття нер1вновазших носИв заряду та пЗдвщення фсточутливо-ст! при К > 0.5. Кош1енсац1я вакакс1ями н9 дозволяв досяття порогово! ефективнсст! детектува!шя, оСиатеноХ фоном пря 300 К.

2. Термоакустична обробка телуриду кадм!*>-ртут! знкяув кокце::трац1с вакапс1Я ртут1 в результат! стимулъованоХ ультразвуком дафузП точковнх дефект1в у град!ент! температурят 1 прухних пол1в. PiEeirb "очищения" матер!алу зале&ить в!д 1н-тенсивност1 акустичного впливу на границ! субзерен та внх!д-ноХ концентрацИ ваканс!й.

3. Еироблено к1льк1сн! критерИ обмехеккя рухливост1 електрон1в сандте в результат! низькотеыперзтуряого компен-сугчого в!доалу з урахуванням дов!льного виродаення елект-роиного газу при розв'язанн1 р1вняння Больциана вар1ац!Яниц методой. Непарабол1чн1сть енергетичного спектру носИв заряду у вузькозонних нап1впров1даиках 1, як насл1док цього, pi-зка температурка та концентрац1йна залешйсть енергИ елект-рон1в задають шзькотемпературний х1д рухлнвост1. А на кон-центрац!йну залеян!сть рухгашост! електрон!в та р!вень пуму

типу 1/1 суттево впливвють термоакцептори (вакансН ртут1).

4. РозроСлен1, розрахован! та експерииентально п!дтвер-джен! модел!, рекоиб!нац!1 та розс!ювання електрон!в границами субзерен 1 дислокац!ями в сандте:

- Встановлено, що границ! субзерен високоомн! в неконпенсо-ваних кристалах сандте 1 низькоомн1 - в кошенсованоиу иате-р1ал1. Вони п1двищують фоточутлив1сть санэте при < 100 си-1, виступаючи як гетери точкових дефект1в.

- ДислокацИ однозначно знижують час життя нер!вноважних носИв заряду з р!зким пад!нняы фоточутливост! при ы0 > 8» Ю5 си-2. Дислокац1йна кошонента розс!ювання знияуе рухли-в!сть електрон1в лише в област1 тешератур Т < 50 К.

5. Обмеження часу життя нер!вновахних носИв заряду " просторовими дефектами визначаеться як 1х концентрац!ею, так

1 рад!усои рекомб!нац!йно! активности. При цьоыу рад!ус д!1 макродефекта (1_*) як стока нер!вноважних носИв заряду зале-хить в1д його конфигурацП та розы!ру: для дефект!в з випук-лою поверхнею рекомб!нац!1 (дислокац1йн1 трубки, сферичн! включения) и* < и, а для дефект!в з вогнутою поверхнею (границ! субзерен) I.* > и.

6. У нап!впров1дниках !з зм!шаною пров!дн!стю з ураху-ванням анал1тично просто! (квадратично!) ыагн1топольово! залежност! коеф!ц!ента Холла визкачен! електроф!зичн! пара-иетри основних та неоснов1шх носИв заряду, а також власна концентрац!я нос!!в . При цьоыу в!дхилення експерииентально вии1ряного значения п1 в!д розрахунхового визначаеться переважно флуктуац!ями складу 1 характеризуе як!сть твердого розчину. ':

7. Обгрунтовано доц1льн!сть використашя твердих розчи-н1в телуриду кздо!ю-ртут!, завдяки висок1й рухливост! елект-рон1в та великому значению в!дношення рухливостей носИв заряду > 102), для розробки датчик1в слабких магн!тних пол!з. Показано, що чутлив!сть в екстремум! концентрац!йно1 залежност! коеф1ц!ента Холла суттево перевшцуе ыагн!точутли-в1сть датчиков на основ! сполук А^В^.

8. У багатошарових структурах та однор1дних нап1впров1-дниках з к1лькома сортами носИв заряду одного знаку м!н1иу11 поперечно! компонента тензора електропров!дност! фориуеться

лише при умов! значно! р!зняц! як рухливостей, так ! в1дпо-в!дних компонент прсв!дност! hocIïb. При цьому в знакопост1-йн!й магн!топольов!й залежност! коеф1ц!ента Холла формуеться характерна область з точкою перегину, яка розд!ляе участки "замагн!чування" носПв р!зного сорту.

9. Встановлена кореллц1я м!л розпод1лом просторових де-фект1в, типом пров1даост1 еп!?аксШшх шар!в cdHgT<?, iirren-сивн1стю спектр!в фотолюиинесценцИ п!дкладок cdTa та величиною потенц!йного бар'еру на границ! CdHgTe-cdTe. Показано, що основною причиною технолоПчно! нестаб!льност! 1зопшних гетероперех0д1в p-CdHgTe-p-CdTe с ыакродефекти, як! формують небажану електронну компоненту пров1дност1.

Ю.ПотенцШшй бар*ер в 1зотипних гетеропереходах р-cdHgTe/p-cdTe формуеться у вузьк1й облает! максимального град!енту складу твердого розчину, яка прилягае до неталур-г1йно1 границ!. Висота бартеру суттсво залетать в!д Ем1сту просторових дефект1в; при п!двииен1й концентрацИ макродефс-кт!в, як! знихують onip перех!дного пару, потенц1йний бар'ер в1дсутн!й.

0CH0BHI РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦН ОПУБЛШОВЛН1 У РОБОТАХ:

1.Карачевцева Л.А., Любченко A.B., Хихняк Б.И. Определение параметров носителей заряда в полупроводниках с большим отошекием подвижностей методом импульсного эффекта Холла // Физическая электроника.- 1987.- ЕЫп.35,- С.122-127.

2.Елизаров А.И., Карачевцева Л.А., ЛукинскиЯ Ю.Л. Определение собственной концентрации носителей заряда в твердых растворах cdxHgJ_xTe а Вопросы оборон. техники.- l987.-сер.И, N 4.- С. 11-19.

3.Лукинский Ю.Л., Карачевцева Л.А., Рябиков В.М. Определение зависимости ширины запрещенной зоны от состава са Нэ^^т». - Вопросы оборон, техники.- 1988. - Сер.II, n 4,- С.17-19.

4.Карачевцева Л.А., Любченко A.B., Лукинский Ю.Л. Рекомбинация через компенсированные акцепторные состояния в кристаллах сандТе р-тяпа в области смешанной проводимости // Вопросы оборон.'техники.- 1988.- Сер.II, n 4.- С.20-23."

Б.Бакш И.С., Гринь В.®., Карачевцева Л.А. и др. Влияние дефектов структуры на интенсивность l/f шума В n-Cd^Hgj^Te

// Физика и техника полупроводн.- i989.- Т.23, n 3.-С. 571-573.

6.Горлей П.Н., Демина И.К., Карачевцева Л.А. и др. Низкотемпературная зависимость подвижности электронов в кристаллах Мхн91_>те//Укр.физ.журн.-1Э89.- Т.34, N 12.- C.I86I-I865.

7.Ергаков В.К., Карачевцева Л.А..Курбанов K.P..Любченко A.B. Влияние компенсирующего низкотемпературного отжига на время ЖИЗНИ электронов в n-CdQ 2Hg1_Q gTe //Вопросы оборон, техники.- 1989. - Cep.II, n 2*.- С.24-29.

' 8-Ергаков В.К., Карачевцева Л.А..Курбанов K.P.«Любченко A.B. Влияние компенсирующего низкотемпературного отжига на электрофизические параметры n-CdQ 2Hg0 gTe Jj Вопросы оборон, техники.- 1989,- Cep.II, N 3.-" С.23-26.

• 9.Карачевцева Л.А., Любченко A.B., Мысливец К.А., Олих Я.М. Особенности акустического воздействия на кристаллы cdHgTe с разным содержанием собственных акцепторов // Укр. физ. журн.- 1990.- Т.35, N 3.- С.468-472.

Ю.Друзь Б.Л., Карачевцева Л.А., Лукьяненко В.И. и др.- Дефекты структуры и электрофизические свойства гетероэпитак-сиальных пленок cdxHg1_xTe, выращенных из газовой фазы в изотермических условиях//Неорганические материалы.- 1990. -Т.26, N 3.- С. 433-434.

Н.Горлей П.Н., Карачевцева Л.А. , Кушнир Н.Я. и др. Влияние акустического воздействия на точечно-дефектную структуру n-cdxHg1_xTe // Электрон, техника, сер.Материалы.- 1990.-Вын8/253/ДСП. - С.32-34.

12.Bakshee I.S., Karachevtseva L.A., Lyubchenko A.V. et al. Superposition of Burst Noises as the Origin of 1/f Noiee due to Grain Boundaries in CdxHd^_xTe // Phye. Stat. Sol • <a> .- 1990.- V. 117, N 1.- P.K37-K39.

13.Григорьев H.H., Кврачевцева Л.А., Курбанов K.P. Влияние ростовых дислокаций на время ЖИЗНИ электронов В n-CdhgTe // Физика и техника полупроводн.- 1991.- Т.25, n 3.-С. 464-466.

14.Гршч>рьев H.H., Ергаков В.К., Карачевцева Л.А. и др. Электронное время жизни в кристаллах са^нд^т® с разной плотностью малоугловых границ // Физика и техника полупроводн. -i99i.- Т.25, n 9,- С. i649-1652.

15.Бакши И.С., Карачевцева Л.А., Любченко A.B. и др. Влияние компенсирующего отжига на i/t шум в cd)(Hg1_j(Te // Физика и техника полупроводн.- 1992.- Т.26, n I.- С.173-176.

16. Карачевцева Л.А., Любченко A.B., МалоЕичко Э.А. Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах сахнд1_хге // Физика и техника полупроводн.- 1992.- Т.26, N 3.- С.535-538.

17. Карачевцева Л.А., Любченко A.B. К вопросу о собственной концентрации носителей заряда в твердых растворах cdHgT» // Физика и техника полупроводн. - 1992.- Т.26, n 7.-C.I342-I346.

IB.Дейта И.К., Ергаков В.К., КарачеЕцева Л.А. и др. К вопросу об электрической активности малоугловых границ в твердых растворах cdxH9j_xTe // Оптозлектроника я полупроводн. техника.- 1992.- Вып.22.- С.40-43.

19.Карачевцева Л.А., Любченко A.B. Энергия активации рекои-бинационных центров в компенсированных кристаллах Сйн9те // Оптозлектроника и полупроводн. технике.-1992.-Вкп.22,-С.43-46.

20.Карачевцева Л.А., Любченко A.B., Соболев В.Д. Гальвапоиа-

ГНИТКЫе ЗффеКТЫ В МНОГОСЛОЙНЫХ структурах Cd Hg Те со

смешанной проводимостью // Укр. физ. жури.- i992.- Т.37, N 6.- С.924-929.

21.Гнатюк В.А., Карачевцева Л.А., Мозоль П.Е. Влияние импульсного лазерного облучения на точечно-дефектную структуру пленок Cdxn9l_xTe // Оптозлектроника и полупроводн. техника.- 1992.- Вып.23.- С.53-56.

22.Карачевцева Л.А., Любченко A.B., Соболев В.Д. Рекомбинация через акцепторные состояния в компенсированных кристаллах Cdj<Hg1_ Те // Укр. фИЗ. журН. - 1993.- Т.38, N 7.-С.1071-1075.

23. Горлей П.Н., Карачевцева Л.А., Кушнир Н.Я. и др. Влияние ростовых дислокаций на величину холловской подвижности в n-CdxHg1_xTe // Укр. фИЗ. ЯурН.- C.I076-I080.

24.Карачевцева Л.А. .Ергаков В.К., Курбанов K.P. Влияние компенсации собственными акцепторам на время яязни в твердых растворах n-cdxHg1_xTe // Оптозлектроника и полупроводн. техника.- 1993.- Вып.26.- С.52-56.

2Г

25.Карачевцева Л.А., Маловичко Э.А., Нужная Т.П. и др.Структурно-морфологические особенности эпитаксиальных слоев cdHgte р- и смешанного типов проводимости // Оптоэлектро-ника и полупроводн. техника.- 1995.- Вып.29.- C.I4-I8.

26.Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Вирт И.П., Елизаров А.И. Особенности ыагнитополевых зависимостей коэффициента Холла в сэндвич-структурах cdxHg1_xTe // Матер.Всес.семина-нара: Многослойные структуры на основе узкозонных полупроводников." Нукус, 1990.- С.65-67.

27.Bakshee I.S., Grin V.F., Karachevtseva L.A. et.il. Influence of Defect Concentration on 1/f Noise in п-Cd^Hg

// Mat. of 10th International Conference on Noise in Physical Systems - Budapest.- 1989.- P.239-241.

■ 28.Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Мысливец К.A., Олих Я.М. Акустостимулированные изменения электрофизических параметров кристаллов n-cdxHg1_xTe // Сб."Акустоэлектрические и фотоакустические методы .исследования полупроводников".-Киев.-1989.- С.89-92. .

29.Lyubchenko A.V., Karachevtseva L.A. Electron Lifetime and Macrodefects in Semiconductor Alloy Systems.- Solid. State Physices Proc. Contributed Papers of Intern. Conf. "Physics in Ukraine".- Kyiv.- 1993.- P. 127-12B.

30.Карачевцева Л.А., Любченко А.В.,Меринов B.H.-,Соболев В.Д. Потенциальный барьер в переходном слое гетероструктур cd)(Hg1_xTe/cdTe.-'UaTep.II УкраЗСнсько! конф.: Матер1ало-знавство i ф!зика нап1впров1дникових фаз зм1нного складу. - Н1жин, 1993.- 4.1, с.35-37.

31.Карачевцева Л.А., Кладько В.П., Маловичко Э.А., Нудная Т.П. Структурно-морфологические особенности эпитаксиальных слоев cd^Hgj_xTe р- и смешанного типов проводимости.-Матер.II Укра1нсько1 конф.! Матер1алознавство 1 ф1зика нап1впров1дникових фаз зы1нного складу."- Н1жин, 1993.4.1, с.140-142.

32. Karachevtseva L. A., Lyubchenko A.V., Sobolev V.D. Potential Barrier Formation in HgCdTe/CdTe Heterojunctions..-Proc.IUMR8 Int.Conf. on Electronic Materials <D>.-Taiwan, 1994.-P.123-131.

33.Karachevtseva L.A., Lyubchanko A.V., Hilinova N.B'.Struc-

tural Morphology Features and Photoluminescence Spectroscopy of IR-Photosensitive CdHgTe/CdTe.- Proc. Int.Conf.« Optical Diagnostics for Opto-, Micro- and Quantum Electronics.- Kiev, 1995.— P.316-319.

34 •Karachevtseva l.a., Lyubchenko a.v. Thermostimulate Optimization of CdHgTe 3R-photodetector Parameters.- Ibid.-P.702-710.

35.A.c. n 1554679 (СССР). МКИ4 н oi l 21/463. Способ контроля электрофизических параметров полупроводников / Л.А. Карачевцева, А.В.Любченко, Е.А.Сальков и др.- Зарег. 02.11.87 г.

36.А.с. n 1556436 (СССР), МКИ4 н oi l 21/463. Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых

р i •

соединений типа А В / Л.А.Карачевцева, А.В.Любченко, Я.М.Олих и др.- Зарег. 29.07.88 г.

37-А.с. N 1723962 (СССР). МКИ4 н oi l 31/0295. Способ получения полупроводникового материала n-cdj<Hci1_i(Te / Л.А.Карачевцева, А.В.Любченко, Э.А. Маловичко. -Зарег.07.08.89 г.

38. Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Ергаков В.К. и др. Время ЖИЗНИ электронов В Cd Нэ Те С рЗЗЛИЧНОЙ ПЛОТНОСТЬЮ UD-лоугловых границ // Сб."Физика и химия поверхности и границ раздела узкощелевых полупроводников".-19Э0.- С.25-26.

39.КарачеЕцева Л.А., Любченко А.В., Маловичко Э.А. Магнито-полевые зависимости кинетических коэффициентов в ыкого-слойных п-р-структурах cdxHg1_j<Te // Матер. ш Всес. конференции: Материаловедение халькогенидных полупроводников.- Черновцы, 1991.- Ч.П.- С.28.

40.Карачевцева Л.А., Кушнир Н.Я., Горлей П.Н., Скицко А.И. Ростовые дислокации И ПОДВИЖНОСТЬ В n-Cd^g^Te // Матер. hi Всес. конференции: Материаловедение халькогешд-

« них полупроводников.- Черновцы, 1991.- Ч.П.- С.31.

41.Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Маловичко Э.А. Структурно-морфологические особенности и потенциальный барьер в изотипных гетеропереходах cdHgTe/cdTe.- Матер, viii научно-технической конференции: Химия и технология халькоге-нидов и халькогалогенидов.- Ужгород, 1994.- С.56.

42.Karachevtseva L.A. Lyubchenko A.V..Sobolev V.D. Interface Structure and Current Flow in Isotype HgCdTe/CdTe ¿>th

Conference on Application of Surface and Interface Analysis.- Montreux, 1993.- P.37.

43.Karachevtseva L.A., Lyubchenko A.V., Olikh Ya.tl. Thermo-acoustic Cleaning of Kulticompound CdHgTe Type Semiconductors.- The Third IUMRS International Conference in Asia.- Seoul, 1995.- P.33.

ЦИТОВАНА Л1ТЕРАТУРА

1.Hansen G.L.,Schmit J.L. Calculation of Intrinsic Carrier Concentration of Hg^^Cd^Te //J. Appl. Phys.- 1903.- V.54, N 3.- P.1639-1640.

2.Finkman F. Intrinsic Carrier Concentration in Hg, Cd Те//

"1-х x

J. Appl. Phys.- 1983.- V.54, N 12.- P. S107-8111.

•З.Горлей П.Н., Шендеровский B.A. Вариационный метод в кинетической теории.- Киев: Нар:, думка, 1992.- 294 с.

4.0szwaldowski М. Scattering of Electrons by Charged Dislocations in InSb-type Semiconductors // J. Phye. Chem. Solids.- 1985.-V.46, N 7.- P. 791-796.

й.Власенко А.И., Гаврилюк Ю.Н., Латута В.З. и др. Время жизни в кристаллах cdxHg1_j(Te, ограниченное флуктуацияш состава и выделениями второй фазы // Письма в вурн. техн. физики.- 1979.- Т.5, N 16.- С. I0I3-I0I7.'

6.Вирт И.С., Григорьев Н.Н., Любченко А.В. Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках //Физика и техника полупроводн.-1988,- Т.22, N 3.- С.- 409-411.

7.Любченко А.В., 0лих Я.Ы. Электрические эффекты, стиыулиро-вашше колебательной деформацией в полупроводниковых кристаллах // Физика твердого тела. - 1985.- Т. 27, n 8.-С. 2505-2506.

Karachevtseva L.A. IR-photosensitive CdHgTe Alloy: Physico-tecnological Optimization of Parameters and Defect Structure The thesis for scientific doctor's degree in physics and mathematics sciences on speciality 01.04.10 — physics of semiconductors and dielectrics, Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, 1996.

40 scientific works and 3 inventor's certificates are defended. For encrease of IR—radiation detection efficiency physico—tecnological processes of CdHgTe parameter's optimization were substantiated. There were established that for CdHgTe type alloy the mechanisms of photosensitivity elevation were realized and predetermined by (1) mercury vacancies addition, <2> acousto-stumulated diffusion and (3> point defect gettering by low angle boundaries. So there were worked out criteria of principal (theoretical) limitation of CdHgTe threshold photoelectrical characteristics by nonstoi— chiometric point and extended defects.

Карачевцева Л.А. ИК-фоточувствительше твердые .растворы CdHgTe: физико-технологическая оптимизация параметров и дефектной структуры.

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10- физика полупроводников и диэлектриков, Институт физики полупроводников НАН Украина, г.Киев, 1996.

Запдаается 40 научных работ и 3 авторских свидетельства, в которых обоснованы физико-технологические процессы оптимизации параметров CdHgTe для повышения эффективности обнаружения ИК-излучения. Установлено, что в твердых растворах типа CdHgTe реализуются механизмы фотоочувствления, определяемые (I) введением вакансий ртути, (2) акустостиыулированной диффузией и (3) генерированием точечных дефектов малоугловыми ш границами. В связи с этим выработаны критерии принципиального (теоретического) ограничения пороговых фотоелектриче-их характеристик CdHgTe нестехиометрическпш точечными и протяженными дефектами.

Ключов1 слова: телурнд кадм1ю-рту*г1, твердий розчин, 14-фоточутлив!сть, явища переносу, рекоыб1нац1я.

1

ПЦп. до Формат SûyJV//6 Патр ûtfjC Друк. офс.

Друк. офс. Умовн. друк. арк. /,С Обл.-вяд. арк. /,/ Тир. //-О

За *.6-//f$___

Кв»вська квкжкова друкарня науково! книги. Krîe, Б. Хмельницьхого, 19.