Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЭЛЕКТРО ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ CdJEIg^Te И ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ НА ИХ ОСНОВЕ

Литературный обзор).

1Л. Свойства твердых растворов CdHgTe.

1Л Л. Зонная структура CdHgTe.

1Л .2.Ширина запрещенной зоны.

1Л .3.Эффективные массы носителей.

1Л .4.Концентрация носителей в зонах.

1Л.5. Время жизни носителей заряда.

1Л.6. Подвижность носителей заряда в CdHgTe.

1.2 Основные характеристики фотодиодов на основе

CdHgTe.

1.2 Л .Технология изготовления фотодиодов.

1.2.2.Вольт-амперные характеристики диодов на основе CdHgTe.

1.2.3. Токи утечки по поверхности.

1.2.4.0бнаружительная способность фотодиодов на основе CdHgTe.

1.3. Основные результаты, полученные по исследованию характеристик диодов на основе CdHgTe и их деградации при механических и температурных воздействиях.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Технология изготовления n-р переходов на основе CdHgTe.

2.1.1. Технология изготовления n-р переходов на основе объемных кристаллов CdHgTe.

2.1.2. Технология изготовления n-р переходов на гетероэпитаксиальных пленках CdHgTe.

2.2. Экспериментальные методы исследования границы раздела CdHgTe - Si02Si3N4.

2.2.1. Эллипсометрический метод.

2.2.2. Масс-спектрометрия вторичных ионов.

2.2.3. Методика электрофизических измерений МДП структур.

2.2.4.Методика измерений электрофизических параметров диодов.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ n-р ПЕРЕХОДОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ГЕТЕРО

ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ

CdHgTe/GaAs.

ВВЕДЕНИЕ.

3.1. Исследование n-р переходов, полученных методом термодиффузии ртути из анодного окисла на подложках MH3CdHgTe р-типа.

4.1. Исследование характеристик п-р переходов, изготовленных на основе o6beMHoroCdHgTe.112

Заключение.123

4.2. Влияние температурных воздействий на параметры границы раздела CdHgTe - (Si02-Si3N4).125

Заключение.134

4.3. Влияние температурного воздействия на параметры пр переходов, изготовленных на объемных кристаллах

CdHgTe.135

Заключение.142

4.4. Выводы главы VI.143

ГЛАВА V. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.147

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.152

Список обозначений

Eg- ширина запрещенной зоны Т - температура

Яс0 - граничная длина волны фотоприемника ипр - подвижность электронов в полупроводнике р-типа jdpn - подвижность дырок в полупроводнике п-типа

Nс — эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Nv - эффективная плотность состояний у потолка валентной зоны т0 - масса свободного электрона тп0 - эффективная масса электронов mhh - эффективная масса тяжелых дырок mih- эффективная масса легких дырок ss - относительная статическая диэлектрическая проницаемость £оо - относительная высокочастотная диэлектрическая проницаемость

8 - диэлектрическая проницаемость вакуума ппо - равновесное значение концентрации электронов в зоне проводимости рро - равновесное значение концентрации дырок в валентной зоне Efn - уровень Ферми для электронов Efp - уровень Ферми для дырок fit - собственная концентрация г - время жизни носителей

Та - время жизни носителей по-отношению к Оже рекомбинации tr - излучательное время жизни носителей

Tg.r - время жизни носителей, по-отношению к рекомбинации

Шокли-Рида тпр - эффективное время жизни электронов в полупроводнике р-типа трп - эффективное время жизни дырок в полупроводнике п-типа Na- концентрация акцепторов Nd - концентрация доноров

Ес - энергетическое положение зоны проводимости

Ed - энергетическое положение доноров

Ev- энергетическое положение валентной зоны

Еа - энергетическое положение акцепторов

Et - энергетическое положение ловушек стп - сечение захвата электрона на уровень ловушки jp - сечение захвата дырки на уровень ловушки

Vte - тепловая скорость электрона

Vth - тепловая скорость дырки

Ei - положение собственного уровня Ферми

Id - диффузионный ток в n-р переходе

Igr - генерационно-рекомбинационный ток в n-р переходе

V- напряжение смещения

Уы - контактная разность потенциалов

Е - напряженность электрического поля

Vfb - напряжение плоских зон в МДП структуре

Cfb -емкость плоских зон в МДП структуре

Cd~ емкость диэлектрика в МДП структуре

Qfix -фиксированный заряд в диэлектрике

W - ширина области пространственного заряда

Wm- максимальная ширина области обеднения

Cmin - минимальный уровень емкости МДП структуры

S - площадь электрода в МДП структуре

D - толщина диэлектрика 7

Nss - плотность заряда в поверхностных состояниях

Nit - плотность медленных состояний на границе раздела so - скорость поверхностной рекомбинации хр - ширина обеднения р-области n-р перехода хп - ширина обеднения п-области n-р перехода

G/w - проводимость МДП структуры w — частота переменного сигнала, подаваемого на структуру Сп и Ср - коэффициенты захвата электронов и дырок, соответственно, на уровень ловушки

R0 - дифференциальное сопротивление диода при нулевом смещении

А - площадь n-р перехода

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В инфракрасном (ИК) диапазоне имеется два окна прозрачности атмосферы - 3.5 и 8-14 мкм, на которые ориентируются разработчики фотоприемников. В диапазоне З.5мкм широкое применение в качестве чувствительных элементов получили фотоприемники на основе антимонида индия. Разработка тепловизионных приборов, предназначенных для контроля тепловых полей в спектральном диапазоне 8.12мкм главным образом проводится на основе полупроводниковых твердых растворов CdxHgixTe. Приемниками излучения могут быть фоторезисторы, МДП структуры, фотодиоды, наиболее перспективными из которых являются фотодиоды. Одним из основных параметров, определяющих качество фотодиодов является произведение R0A, где ^„-дифференциальное сопротивление диода при нулевом смещении, А - его площадь. Величина R0A чувствительна к смене механизма протекания тока через переход. Чтобы оптимизировать эту величину необходимо изучить механизмы переноса заряда в диодах. Основными механизмами переноса заряда в диодах являются диффузионные, генерационно-рекомбинационные и туннельные токи, как в объеме полупроводника, так и вблизи поверхностей. Источником информации для исследования этих механизмов могут являться зависимости тока и дифференциального сопротивления диодов от температуры и напряжения смещения.

Механизмы переноса заряда в диодах, изготовленных на объемных кристаллах CdHgTe^ достаточно хорошо изучены. Их параметры обычно ограничены поверхностными токами утечек, вызванными наличием центров вблизи поверхности CdHgTe-диэлектрический слой. Наличие этих центров на границе раздела

CdHgTe - диэлектрик и до настоящего времени остается одной из существенных проблем изготовления диодов. В связи с этим, перспективным является изготовление диодов на слоях CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), так как этот метод позволяет увеличивать ширину запрещенной зоны полупроводника вблизи поверхностей увеличением содержания CdTe в пленке и, таким образом, уменьшать влияние поверхностного заряда на характеристики диодов. Однако, существуют некоторые технологические проблемы при присоединении фотоприемной матрицы на МЛЭ CdHgTe с кремниевым коммутатором. Соединение обычно осуществляют через индиевые микростолбы, напыляемые как на матрицу, так и на коммутатор при механическом сдавливании столбов при комнатной температуре, либо без сдавливания при температуре плавления индия (150°С). Однако, и механическое и температурное воздействия могут приводить к изменению характеристик диодов, расположенных под столбами.

Необходимо исследование механизмов переноса заряда в МЛЭ CdHgTe диодах, так как на данный момент они еще недостаточно изучены. Кроме этого, необходимо дополнительное исследование влияния механического и температурного воздействия на изменение механизмов переноса заряда в CdHgTe диодах.

Целью работы являлось исследование особенностей механизмов переноса заряда в n-р переходах на основе гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/GaAs, объемных кристаллов CdHgTe и их изменений при механическом и температурном воздействиях.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- установлено, что механизмы переноса заряда в n-р переходах на гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных на подложках GaAs, определяются диффузионными, генерационно-рекомбинационными и туннельными механизмами. Показано, что поверхностные утечки в этих структурах пренебрежимо малы;

- предложен метод контроля ловушек в CdHgTe по характеристикам дифференциальной проводимости диодов от напряжения и метод нахождения энергии их залегания по экстремумам, соответствующим туннелированию электронов через уровни ловушек при прямом смещении на диоде;

- обнаружено 3 типа ловушек в гетероэпитаксиальных слоях, выращенных на подложках GaAs;

- определено, что 2 типа ловушек из обнаруженных связаны с дислокациями в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe;

- установлено, что RoA диодов на гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe (xs0.22) определяется диффузионными механизмами токопрохождения в рабочем диапазоне температур;

- найден способ химической очистки поверхности CdHgTe от примесей во фторсодержащем травителе, который позволил уменьшить плотность состояний вблизи поверхности, улучшить однородность характеристик диодов и на порядок увеличить их фоточувстительность;

- обнаружен эффект изменения величины и знака заряда на границе

раздела CdHgTe-диэлектрик при отжиге в вакууме перед нанесением диэлектрических слоев;

- установлено, что деградация диодов при температурном воздействии происходит вследствие образования вблизи поверхности центров рекомбинации.

Практическая ценность. Предложен метод определения энергии залегания ловушек в диодах на основе CdHgTe. Найдены способы управления зарядом на границе раздела CdHgTe-диэлектрик в процессе химических и термических обработок. Показано, что увеличение степени легирования р-области перехода является одним из способов повышения RoA фотодиодов на основе МЛЭ CdHgTe.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Энергии залегания ловушек в диодах на основе МЛЭ CdHgTe/GaAs, определенные из максимумов на зависимости дифференциальной проводимости, связанных с туннелированием носителей, составляют Ets0.32Eg, Ets0.4Eg, Ets0.55Eg

2. Туннельный ток через ловушки с энергиями залегания Et=0.32Eg, и Et=0.4Eg увеличивается при механическом воздействии на диоды. Предполагается, что эти ловушки связаны с дислокациями в МЛЭ CdHgTe.

3. Уменьшение плотности зарядовых состояний вблизи границы раздела CdHgTe - Si02-Si3N4 достигается химической обработкой поверхности CdHgTe во фтор-содержащем растворе.

4. Знак заряда на границе раздела CdHgTe - диэлектрический слой может быть изменен с положительного на

12 отрицательный посредством отжига в вакууме перед нанесением диэлектрических слоев. Изменение знака заряда объясняется испарением ртути из естественного окисла.

Апробация работы. Материалы диссертации доложены на 7ом Международном симпозиуме по пассивации (Германия, 1994), 2-ой Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), IV Международной конференции по материаловедению и ИК оптоэлектронике (Киев, 1998), на конференции по II-IV полупроводникам (Германия, 1999), на IV Конференции по узкозонным полупроводникам (Берлин, 1999), на IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999).

Публикации. Основные материалы диссертации опубликованы в 13 печатных работах, в том числе получено положительное решение о выдаче патента РФ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и списка литературы. Работа содержит 140 страниц машинописного текста, включая 75 рисунков и 2 таблицы. Список литературы включает 101 наименование. Общий объем диссертации 150 страниц, она разделена на 5 глав, введение и заключение.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. L.Romashko, A.Myasnikov, V.Ovsuk, V.Vasilyev, T.Zemtsova Formation of oxide films on CdHgTe after fluorine-consist etching Abstracts of 7th international symposium on passivity August 21-26 Germany p.l 18, 1994

2. L.Romashko, A.Myasnikov, V.Ovsuk, V.Vasilyev, T.Zemtsova Formation of oxide films on CdHgTe (MCT) after fluorine-consist rinsing, Materials Science Forum vol. 185-188, p.209-216, 1995

3. Патент № 2097871 Способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках CdxHgi„xTe/ ВасильевВ.В., Мясников А., Овсюк В.Н., РомашкоЛ.Н., Ободников В.И, Земцова Т.А. Опубл. в Б.И, 1997, №33

4. В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, Л.Н.Ромашко, Н.Х.Талипов и др.

Релаксация избыточных туннельных токов в диодных структурах, изготовленных на основе p-HgCdTe 2-ая Российская конференция по физике полупроводников Тезисы, т1.стр155, 1996

5. A.F.Kravchenko, V.N.Ovsyuk, L.N.Romashko, Klimenko Influence of Dislocations on the Performance of 8-12 mm HgCdTe Photodiodes Proceedings of SPIE San-Diego, 1998

6. А.Ф. Кравченко, В.Н.Овсюк, Л.Н.Ромашко Механизмы переноса заряда в диффузионных n-р переходах, изготовленных на основе t

CdHgTe Автометрия N478-87, 1998

7. Л.Н.Ромашко, В.Н.Овсюк, А.Г.Клименко, А.О.Сусляков, А.Ф.Кравченко, В.В.Васильев, В.Н.Войнов, Т.И.Захарьяш Деградация диффузионных МЛЭ CdHgTe n-р-переходОв при механическом воздействии Автометрия N5, 1998

8. S.A.Buldigin, D.Y.Protasov N.N.Mikhailov, V.N.Ovsyuk, L.N.Romashko, V.V.Vasil'ev, V.S.Varavin Investigation of MBE Cdo.218 Hgo.7B2 Те/ GaAs Photodiodes Abstracts, Kiev, 1998

9. L.Romashko, A.Klimenko, N.Mikhailov, V.Ovsyuk, V.Vasirev Dislocations in MBE HgCdTe(x=0.22) grown on GaAs. Abstracts, Workshop on II-IV Semiconductors 45, 1999

10. S.Buldigin, D.Protasov, L.Romashko, V.Ovsyuk, Y.Sidorov, V.Varavin etc. Investigation of MBE HgCdTe/GaAs films Abstracts, Workshop on II-IV Semiconductors 64, 1999

11. Л.Н.Ромашко, В.Н.Овсюк, А.Г.Клименко, В.В.Васильев, Н.Н.Михайлов, А.Е.Плотников Влияние дислокаций на характеристики МЛЭ CdHgTe/GaAs фотодиодов Тезисы, Новосибирск, 1999

12. L.N.Romashko, S.A.Buldigin D.Y.Protasov N.N.Mikhailov, V.N.Ovsyuk, V.V.Vasil'ev, V.S.Varavin Investigation of MBE MCT (x=0.216) photodiodes // Proceedings of IV Conference on Narrow Gap Semiconductors, Berlin, 1999

151

Автор выражает крайнюю признательность научным руководителям д.ф-м.н В.Н. Овсюку, и к.ф-м.н. В.В.Васильеву, ведущему технологу Т.И.Захарьяш, к.ф-м.н. Н.Х.Талипову, инженерам Т.А.Земцовой, Л.В.Кучиной, Е.К.Медведевой, И.В.Дубинкиной, Л.Г.Трубицыной, М.Д.Притыченко за проведение технологических операций при изготовлении диодов и МДП структур, заведующему сектором № д.ф-м.н. А.Г.Клименко, В.В.Войнову, Т.А.Недосекиной за проведение механических давлений на п-р переходы и изготовлению контактов к измеряемым приборам, д.ф-м.н. А.Ф.Кравченко и А.О.Суслякову за полезные обсуждения, Д.Ю.Протасову и С. А.Булдыгину за измерение концентрации, подвижности и времени жизни носителей в МЛЭ CdHgTe образцах, А.М.Мясникову и В.И.Ободникову за СИМС измерения, заведующему лаборатории №15 д.ф-м.н. А.Г.Сидорову, к.ф-м.н. С.А.Дворецкому, В.С.Варавину, Н.Н.Михайлову за предоставление МЛЭ CdHgTe образцов, Н.Н.Михайлову и Р.М.Латушкиной за помощь в проведении травлений пластин CdHgTe на выявление дислокаций.

Заключение

Найдено, что характеристики диффузионных п-р переходов с низкой концентрацией основных носителей в п и р областях, изготовленных на объемных кристаллах CdHgTe с малым количеством генерационно-рекомбинационных центров, слабо зависят от встроенного заряда в диэлектрике (при Nf<3 101'см"2), а определяются в основном параметрами генерационно-рекомбинационных центров вблизи поверхности полупроводника. Установлено, что при температурном воздействии концентрации носителей в п и р- областях диффузионного перехода практически не изменяются. Вследствие миграции ионов ртути или диффузии примеси из естественного окисла, в полупроводнике вблизи поверхности образуются центры, наличие которых приводит к усилению процессов генерации-рекомбинации и туннелирования. Энергия залегания центров при Т=12К равна Et«Ev+0.0653B.

Предполагается, что центры, образующиеся вблизи поверхности при температурном воздействии, связаны с междоузельной ртутью, либо с вакансиями ртути.

1. Kinch М.А., Buss D.D. The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors. - Ed. By D.L. Carter, R.T.Bate, 1970.

2. Wiley J.D., Dexter R.H. Helicons and nonresonant cyclotron absorption in semiconductors. Pt.II: HgixCdxTe //Phys.Rev., Semic.series.-1969.-Vol.181, No3 p.1181-1190.

3. Scott M.W. Energy gap in Hgi.xCdxTe by optical absorption // J.Appl.Phys. -1969. -Vol.40, N10 -p.4077-4081.

4. Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in HgixCdxTe. J.Appl.Phys 1982, Vol. 53, No. 10,p. 7099 -7101

5. Hansen G.L., Schmit J.L. Calculation of intrinsic concentration in Hg!„xCdxTe. J.Appl.Phys 1983, Vol. 54, p. 1639

6. Nemirovski Y.,Finkman E. Intrinsic carrier concentration of Hgb xCdxTe//J.Appl.Phys.-1979.-Vol.50, N12.-p.8107-8111.

7. Verie C. Sur la structure de bsndes des alliages HgTe-CdTe //Phys.Stat.Sol. -1966. -Voll7,N2. -p.889-901

8. Beattie A.R. Quantum efficiency in InSb //J.PhysChem.Solids.-1962.-Vol23,N8.-p.1049-1056

9. Beattie A.R., Smith G. Recombination in semiconductors by a light hole Auger transition //Phys.Stat.Sol. I067.-Voll9, N2.-p.577-586

10. Petersen P.E. Auger recombination in HgixCdxTe // J.Appl.Phys. 1970.-Vol.41, N8.-p.3465-3467

11. Casselman T.N., Petersen P.E. A comparison of the dominant Auger transitions in p-type (Hg,Cd)Te //Solid-St.Comm.-1980.-Vol.33, N6. -p.615-619

12. Casselman T.N. Calculation of Auger lifetime in p-type HgixCdxTe //J.Appl.Phys. 1981, vol.52, N2, p.848-854

13. Kinch M.A., Brau M.J., Simmons A. Recombination mechanisms in 8 14 -mkm HgCdTe.// J.Appl.Phys. 1973, Vol. 44, No. 4, p. 1649 -1663

14. Van Roosbroeck W., Shockley W. Photon-radiative recombination of electrons and holes in germanium //Phys.Rev. 1954. Vol94, N6. P-1558-1580

15. Shockley W.,Read W.T. Statistics of recombinations of holes and electrons//Phys.Rev. 1952. Vol.87, N5. P.835-842

16. Kinch M.A. Electronic properties of HgCdTe //J.Vac.Sci. and Tech.-1982.-vol.21,N1 p.215-219

17. R.G.Pratt, J.Hewett, P.Capper et al. Minority carrier lifetime in doped and undoped n-type CdHgTe// J.Appl.Phys.-1966. Vol.60, N7. P.2377-2385

18. Lacklison D.E., Capper P. Minority carrier lifetime in doped and undoped p-type CdHgTe //Semic.Sci.Technol.-1987, vol.2,N1 .p.33-43

19. Fastow R., Goren D., Nemirovslci Y. Shockly-Read recombination and trapping in p-type HgCdTe //J.Appl.Phys. 1990, vol.66, N7, p.3405-3412

20. Dornhaus R., Nimte G. The properties and applications of the HgixCdxTe alloy system //Berlin: Narrow-gap Semiconductors, 1986, p.119-271

21. Scott W., Stelzer E.L., Hager R.J. Electrical and far-infrared optical properties of p-type Hgj.xCdxTe //J.Appl.Phys. -1976. Vol.47, N4. P.1408-1414

22. Nimtz G., Bauer G.,Dornhaus R., Muller K. Transient carrier decay and transport properties in Hgi„xCdxTe //Phys.Rev.B, 1974. Vol 10,N8, p.3302-3310

23. Chattopadhyay D., Nag В., Mobolity of electrons in HgixCdxTe //J. Appl.Phys., 1974, vol.45, N 3, p.1463-1465

24. J.Dubowski, Т. Dietl, W. Szymanska, R. Galazka //J.Phys.Chem.Solids. 1981. Vol. 42 N5, p,351-362

25. Meyer J.R., Bartoli F.J., Hoffman C.A. Majority-carrier mobility in p-type HgixCdxTe //J.Vac.Sci.Technol.A., 1987, vol5, N5, p.3035-3039

26. W.Zawadski, A.Mauger, S.Otmezguine, C.Verie Spin-flip electron scattering in the zero-gap semiconductor Hg0.785Cd0.2i5Te //Phys.Rev.B, 1977, vol.15, N2, p.1035-1038

27. Hass K.S., Ehrenreich H.,Velicky В Electronic structure of Hg).xCdxTe //Phys.Rev.B., 1983, vol.27, N2, p.1038-1100

28. Ehrenreich H. Screening effects in polar semiconductors //J. Phys. Chem.Sol. 1959, vol.8, N1, p. 130-135

29. C.J.Summers,B.Darling, B.J. Martin Computer modeling of carrier transport in (Cd,Hg)Te Photodiodes J.Appl.Phys.,59,7,1986, p.2459

30. O.P.Agnihotri, C.A.Musca and L.Faraone Current status and issues in the surface passivation technology of mercury cadmium telluride infrared detectors//Semicon.Sci.Technol 13, pp.839-845, 1998

31. Marine J., Motte C. Infrared photovoltaic detectors from ion-implanted Hgi„xCdxTe //Appl. Phys.Lett. 1973, vol23, N9, p.450-452

32. Igras E., Piotrowski J. Investigation of ion implanted graded gap (Cd,Hg)Te photodiodes //Electr.Technol. -1977. VollO, N4. P.63-70

33. Spears D.L. Planar HgCdTe quadrantal heterodyne arrays with GHz response at 10,6 mkm //infr.Phys. 1977, voll7, N1, p.5-8

34. Th.Harman Controlled p-type Sb doping in LPE Grown HgixCdxTe epilayers J. Electr.Mater. v.22, N9, 1993

35. G.L.Destefanis Electrical doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment //J.Crist.Growth, 86 (1988), p.700-722

36. G.L.Destefanis Indium ion implantation in Hgo.78Cdo.22Te/CdTe //J.Vac.Sci.Technol. A 3(1), Jan/Feb 1985

37. L.O.Bubulac, W.E.Tennant, D.S.Lo Ion implanted junction formation in HgixCdxTe J. Vac.Sci. Technol.A5,1987

38. W.Li, J.D.Patterson Deep defects in narrow-gap semiconductors Physical Review B, 15 november, 1994, 14903-14910

39. S. Murakami, T.Okamoto, K. Maruyama, H.Takigawa Iodine doping in mercury cadmium telluride (Hgi.xCdxTe) grown by direct alloy growth using metalorganic chemical vapor deposition //Appl.Phys.Lett. 63 (7),16 August 1993

40. Войцеховский А.В., Кирюшкин E.M. и др Ускоренная диффузия индия в HgixCdxTe под воздействием облучения ионами при Т=300 К//ФТП, том.22, вып.12, 1988

41. Талипов Н.Х. Формирование слоев n-типа проводимости при радиационно-термических обработках кристаллов р- HgixCdxTe // Диссерт. На соиск.канд. физ-мат.наук., Новосибирск, 1994.

42. Rogalski A., Piotrowski J. Progr. Quant. Electron., v. 12 (2-3), 87-289,(1988)

43. Briggs R., Shanley J Hg diffused HgixCdxTe photodiodes for LWIR detect applications //Int. El. Dev.Meet. Washington, N.Y., 1984. P.393-396

44. Н.Х.Талипов, В.П.Попов, И.Г.Ремесник, З.А.Налькина Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов р- CdHgTe (х=0,2) ФТП, 2261,310 (1992)

45. Fiorito G., Gasperrini G.,Svelto F. Properties of Hg implanted Hgi xCdxTe infrared detectors //J.Appl.Phys. 1978. Vol.17,N1, p.105-110

46. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto Advance in Hg implanted HgbxCdxTe photovoltaic detectors //Infr.Phys. 1975, vol.15, N4 p.287-293

47. Chih-Tang Sah, Robert N.Noyce, William Shockley Proceedings of the IRE, 1228-1243 (September 1957)

48. W.W.Anderson Tunnel contribution to HgixCdxTe and PbixSnxTe p-n junction diode characteristics // Infrared Physics v.20, 353-361 (1980)

49. W.W. Anderson Trap-assisted tunneling in CdHgTe Appl.Phys.Lett. 41(11), 1080-1082 (1982)

50. Jacob Y. Wong Effect of trap tunneling on the performance of long-Wavelength Hgi.xCdxTe photodetectors 11 IEEE Transitions on Electron Devices, vol. ed-27, (1), 48-57, (1980)

51. T. Ipposhi, K.Takita, K.Murakami and K.Masuda Hg content and thermal stability of the anodic sulfide films on HgixCdxTe investigated by 30-40MeV 05+ ion backscattering //J.Appl.Phys, 63 (1), January 1988

52. C.R. Helms Properties of HgixCdxTe native oxide interface //J.Vac.Sci.Technol.A (2),Mar/Apr. 1990

53. S.M. Zse Physics of Semiconductor Devices John Wiley & Sons, New York, 1981

54. E.H.Nicollian, J.R.Brews MOS Physics and Technology John Wiley & Sons, 1982

55. B.H.Овсюк Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда Новосибирск, 1984

56. Y.Nemirovski J.Vac Sci.Technol А8 1185, 1990

57. Beck J.D., Kinch M.A., Esposito E.J., Chapman R.A. MIS physics of native oxide- Hgi.xCdxTe interface J.Vac.Sci.Technol, 21(1),1982

58. J.A. Wilson, V.A.Cotton Electrical properties of the Si02:HgCdTe interface J. Vac.Sci.Techn A3(l),1985

59. H. Huang, F. Tong,D.Tang Experimental evidance for the transition of different indirect tunneling processes in p-HgCdTe Appl.Phys.Lett.,V.72, N 11, p.1377-1379, 1998

60. Vishnu Gopal Variable-area diode data analysis of surface and bulk effects in HgCdTe photodetector arrays // Semic,Sci,Technol. N9, p.2267-2271, 1994

61. R.K. Bhan, S.K.Koul, V.Dhan, S.Gupta Tunnel contribution in CdHgTe Semicond.Sci.Techn., N11, p.1901, 1996

62. O.P. Agnihorti,C.A.Musca and L.Faraone Current status and issues in the surface passivation technology of mercury cadmium telluride infrared detectors Semicon.Sci.Technol 13,p.839-845, 1998

63. V.Dhar, R.K.Bhan, R.Ashokan and V.Kumar Quasi-2D analysis of the effect of passivant on the performance of long-wavelength infrared HgCdTe photodiodes //Semicon.Sci.Technol., 11 (1996) 1302-1309

64. R.E.DeWames, G.M.Williams, J.G.Pasko and H.B.Vanderwyck Current generation mechanisms in small band gap HgCdTe p-n junctions fabricated by ion implantation //J.Crys.Growth., 86 (1988), 849-858

65. R.K. Bhan, S.K.Koul, V.Dhar and Sudha Gupta Identification of trap-assisted tunneling in a constant-current mode in HgCdTe photodiodes // Semic.Sci.Technol., 11, 1996, 1901-1905

66. H.Heukenkamp and Hoerstel Trap Tunneling on HgCdTe n+-p Junctioms Fabricated by Ion Implantation //Phys.Stat.Sol. (a) 120,485 (1990)

67. Placzek-Popko E., Pawlikowski J.M. Non-elastic tunneling in CdHgTe IEEE Trans. Electron. Dev., , vol. ED-32, (4), 842-844, (1985)

68. B.B. Тетеркин, С.Я.Сточанский, Ф.Ф.Сизов Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-HgixCdxTe и свойства диффузионных р+-п переходов на их основе //ФТП, 1997,т.31, N3, р.350-354

69. R.S.List Electrical effects of dislocations and other Cristalographic defects in Hgo.7sCdo.22Te n-on-p photodiodes Journal of Electronic Materials, v.22, N8, 1993

70. J.Yoshino, J.Morimoto, Study of deep levels in mesa type HgCdTe Device Jpn.J.Appl.Phys vol.37 (1998) p.4027-4031

71. Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G. et al. The growth of high-quality MCT films by MBE using in-situ ellipsometry// Cryst.Res.Technol 1994, 29, p.931

72. D.G.Esaev A.I.Kozlov A.G.Klimenko A.I.Krymsky et al. Focal plane arrays based on HgCdTe epitaxial layers MBE-grown on GaAs substrates Proseedings SPIE, v. 3061, p.956-966, 1997

73. T.Kanno, M.Saga, et al. Development of LPE grown HgCdTe vol 2020 Infrared Technology XIX, pp 49, 1993

74. Arwin H., Aspnes D, Rhiger D Properties of HgCdTe and some native oxides by ellipsometry // J.Appl.Phys. 1983, 54, p.7132

75. А.А.Денисов, Г.С.Дорджин и др.Релаксационная спектроскопия глубоких уровней Обзоры по эл. Технике вып 8(1202), 1986

76. D.Aspnes and Н.Arwin Nondestructive analysis of HgCdTe by spectroscopic ellipsometry J.Vac.Sci.Technol., A2(3), 1309 (1984)

77. N. Mainzer, E.Weiss, D.Laser, M.Shaanan Effects of anodic fluoro-oxide on stability of HgCdTe J. Vac.Sci.Technol., A7(2), 460 (1989)

78. Nakhmanson R.S. MIS device physics Phys. Stat. Sol. t.7, 3439 (1965)

79. Васильев В.В., Дроздов В.Н., Салеева Г.Ю. Свойства слоев Si02, полученных окислением моносилана кислородом при 100С// Хим.физика, 1992, 1 1, 1683

80. Аззам 3., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М:Мир, 1981

81. М.С.Gold and D.A.Nelson Variable magnetic field Hall effect measurements and analyses of high purity Hg vacancy (p-type) HgCdTe J.Vac Sci. Technol. A4 (4), 1986

82. А.Г.Клименко, В.Г.Войнов, А.Р.Новоселов Устройство и метод измерения пластической деформации образцов микронных размеров ПТЭ, 1996, №4, С1

83. I.Harnert and M.Schenk New defect etchents for CdTe and CdHgTe, J. Crys.Growth 101, 251-255,1990

84. Михайлов H.H., Мищенко A.M, Ремесник В.Г. Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHg|.xTe", Патент №2022402, зарегистрирован в Государственном реестре 30.10.94

85. А.В.Войцеховский и В.Н. Давыдов Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников, Радио и связь, Томск (1990) ISBN 5-256-00498-083.

86. П.И.Баранский, А.Е.Беляев, О.П.Городничий, С.М.Комиренко Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdHgTe ФТП, т.24, №1, 1990

87. С.Г.Гасан-заде, Е.А.Сальков, Г. А.Шепельский Фотоэлектрические явления в n-CdHgTe при одноосной деформации ФТП, т.17, №11,1983

88. В.В.Васильев В.Г.Войнов Д.Г.Есаев И.В.Марчишин А.Г.Клименко и др.Фокальные фотоприемные матрицы на основе гетеро- эпитаксиальных слоев КРТ, выращенных методом МЛЭ на подложках из GaAs. Оптический журнал № 1, 1998 г

89. D.G.Esaev, A.G.Klimenko, A.I.Krymsky, I.V.Marchishin, V.N.Ovsyuk & etc. Focal plane arrays based on HgCdTe epitaxial layers MBE-grown on GaAs substrates Proseedings SPIE v 3061, p.956-966, 1997