Интерференционный лазерный отжиг полупроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ.2

Глава I. ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ЕГО МЕХАНИЗМЫ 7

§ I. Модификация свойств материалов под действием лазерного излучения.7

§ 2. Механизмы лазерного отжига .13

§ 3. Постановка задачи.31

Глава П. УСТАНОВКИ ДЛЯ ИМПУЛЬСНОГО ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО 3/

ОТЖИГА ПОЛУПРОВОДНИКОВ.34

§ I. Импульсные лазерные установки.34

§ 2. Способы создания интерференционной засветки. . 41

§ 3. Влияние геометрии оптической схемы на резуль- таты МО., до

Глава Ш. ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖГ АМОРФНЫХ НАПЫЛЕННЫХ И И0НН0-ИМ1ШНТИР0ВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.67

§ I. Определение плотностей энергии лазерного излучения, необходимых для отжига аморфных напыленных и ионно-имплантированных полупроводников . 67

§ 2. ИЛО как метод контроля эпитаксиальной кристаллизации полупроводниковых материалов .83

Глава 1У. ТЕПЛОВАЯ МОДЕЛЬ МО И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕКУЧЕСТИ ПОЛУШЮВОДНЖОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ЛА

ЗЕРНОМ ВОЗГОДЕНИИ.94

§ I. Тепловая модель МО.94

§ 2. Исследование текучести полупроводникового материала при воздействий лазерного излучения.

107

Задачи современной полупроводниковой технологии и, в первую очередь, микро- и оптоэлектроники требуют не только совершенствования известных, но и создания принципиально новых технологических методов. К их числу относится лазерный отжиг (ЛО) полупроводников [I], появившийся в 1974 году как метод отжига дефектов в кристаллах, подвергнутых ионной имплантации. Такая уникальная возможность лазерного воздействия, как локальная модификация поверхности материала без изменения свойств матрицы, предопределила бурное развитие лазерного отжига. Сегодня импульсное лазерное воздействие находит все более широкое применение в решении практических задач полупроводниковой технологии и далеко перешагнуло за рамки традиционной области своего применения.

Для успешного развития работ по лазерному отжигу необходима разработка принципиально новых методов исследования тех специфических явлений, которые происходят при лазерном воздействии. К их числу относятся особенности распространения фронта плавления и кристаллизации в зависимости от параметров лазерной генерации и условий облучения. Кроме того, практическое использование лазерного отжига во многом затруднено из-за отсутствия экспрессных и дистанционных способов определения оптимальных режимов отжига, дающих информацию о таких величинах, как пороги плавления и разрушения полупроводниковых материалов и глубинах кристаллизованных областей.

Целью диссертационной работы являлась разработка комплекса новых методов исследования и их применение для изучения процессов, имеющих место при импульсном лазерном воздействии на полупроводники.

Для решения поставленной задачи автор обратился к использованию когерентности световых пучков, генерируемых оптическими квантовыми генераторами, т.е. к такому свойству лазерного излучения, которое традиционно являлось мешающим в экспериментах по лазерному отжигу. Работы в этом направлении начали развиваться с 1980 года в ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР и получили название интерференционного лазерного отжига полупроводников (ИЛО). Под интерференционным лазерным отжигом понимается воздействие на полупроводниковый материал лазерным излучением, являющимся когерентной суперпозицией двух и более световых пучков, интерферирующих между собой на поверхности или внутри полупроводника.

Настоящая диссертационная работа представляет собой цикл исследований, базирующихся на использовании когерентности лазерных пучков, проведенных автором в период с 1981 по 1983 годы в группе лазерного отжига ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР.

Работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

Первая глава носит обзорный характер. В ней рассмотрены преимущества и недостатки импульсного лазерного воздействия на полупроводники. Анализируется механизм лазерного отжига. По итогам обзора сформулирована цель работы.

Вторая глава посвящена описанию экспериментальных установок. В ней рассмотрены различные типы импульсных лазеров милли-, нано-и пикосекундной длительности, использовавшиеся в работе. Рассмотрены методы создания интерференционной засветки, факторы, влияющие на качество интерференционной картины. В этой же главе описываются эксперименты по исследованию влияния геометрии оптической

- 4 схемы на результат воздействия лазерным излучением в условиях ИЛО.

Третья глава включает в себя получение периодических оптических неоднородностей на поверхности аморфных напыленных и ионно-имплантированных полупроводников и использований полученных дифракционных решеток для определения плотностей энергии лазерного излучения, необходимых для отжига.

В этой же главе описан метод контроля эпитаксиальной кристаллизации под действием импульсного лазерного излучения, основанный на ИЛО в сочетании с селективным химическим травлением.

Разработанные методы быди использованы для исследования особенностей кристаллизации аморфных пленок фосфида галлия и кремния, напыленных на монокристаллические подложки фосфида галлия в различных условиях облучения.

Четвертая глава посвящена изучению механизмов импульсного лазерного отжига. В ней проведен теоретический анализ ИЛО в рамках тепловой модели и рассмотрены ситуации, которые могут возникать при облучении полупроводниковых материалов когерентной суперпозицией световых пучков.

В этой же главе проведено описание экспериментов по наблюдению текучести приповерхностного слоя полупроводника при воздействии импульсного лазерного излучения. Цроведен анализ полученных экспериментальных данных с точки зрения различных механизмов лазерного отжига.

Основные положения, выносимые на защиту:

I. Разработан экспрессный и дистанционный способ определения порога отжига и порога разрушения аморфных напыленных и ион-но-имплантированных полупроводников, позволяющий при однократном облучении определить весь диапазон плотностей энергии, необходимых для отжига.

2. На основе ИЛО в сочетании с селективным химическим травлением разработан метод исследования эпитаксиальной кристаллизации напыленных аморфных пленок. Этим методом исследованы особенности эпитаксиальной кристаллизации напыленных слоев фосфида галлия и кремния на монокристаллических подложках фосфида галлия, и выявлено влияние параметров лазерного излучения и способов облучения на форму гофрированной дифракционной решетки.

3. В рамках тепловой модели проведено рассмотрение МО для случая интерференции двух плоских волн. Показано, что МО позволяет исследовать развитие процесса не только в глубину, но и по поверхности полупроводника.

4. Предложен метод прямого определения порога плавления и глубины расплавленной области полупроводника под действием импульсного лазерного излучения.

5. Наблюдена текучесть полупроводникового материала при воздействии лазерного излучения с длительностями импульсов вплоть до

-1Т

10 с. Показано, что полученные результаты могут быть интерпретированы только в рамках тепловой модели.

Научная новизна:

1. Разработан и реализован комплекс новых методов исследования процессов, имеющих место при импульсном лазерном воздействии на полупроводники. В основу методов положено использование когерентных свойств лазерного излучения.

2. Впервые исследовано влияние параметров лазерного излучения и условий облучения на форму гофрированной дифракционной решетки, получаемой при МО напыленных аморфных полупроводников.

3. Впервые наблюдена текучесть полупроводникового материала под действием импульсного лазерного излучения.

Практическая значимость полученных в работе результатов включает в себя два аспекта. Первый из них связан с разработкой комплекса методов, базирующихся на использовании когерентности световых пучков, которые позволяют:

- исследовать развитие процессов не только в глубину полупроводника, но и по его поверхности;

- осуществлять контроль кристаллизации под действием лазерного излучения и использовать для контроля традиционные оптические методы;

- экспрессно определять оптимальные режимы лазерного отжига;

- варьируя шаг интерференционной картины, изменять условия лазерной кристаллизации.

Второй аспект связан с перспективой, которую открывает ИЛО в технологии создания элементов и устройств оптоэлектроники, включающих в себя периодическое изменение оптических свойств материала.

Результаты, полученные в диссертационной работе, докладывались на XI Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Ереван, 1982 г.) и на Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982 г.). По результатам проведенных исследований опубликовано 8 научных работ.

3 А К Л Ю Ч Е Н И Е.

Таким образом, настоящая работа посвящена развитию нового направления в импульсном воздействии на полупроводниковые материалы, базирующемся на использовании когерентности - свойства, естественно присущего лазерному излучению. Из всех возможных вариантов интерференционного лазерного отжига в работе рассмотрена только ситуация, возникающая при интерференции двух плоских волн на поверхности полупроводника. Однако даже этот наиболее простой вид-ИЛО позволяет осуществить разработку экспрессных и дистанционных методов определения оптимальных режимов воздействия и создать новые способы контроля кристаллизации под действием импульсного лазерного излучения. При этом указанный методы обладают также и тем достоинством, что дают возможность исследовать развитие процессов, имеющих место при лазерном облучении, как в глубину полупроводника, так и по его поверхности.

Необходимо также отметить, что ИЛО позволяет не только использовать традиционно оптические методы для исследования особенностей лазерной кристаллизации, но и создать новые условия протекания физических процессов при импульсном облучении, Так, в ¡ХОв/ с помощью ИЛО были созданы условия, позволившие впервые получить аморфизацию монокристаллического кремния с ориентацией (100) при воздействии ультракороткими световыми импульсами с длиной волны излучения 0,53 мкм.

Другой перспективный аспект ИЛО связан с развитием новых технологических методов создания элементов и устройств интегральной оптики. Это прежде всего элементы, функционирование которых обусловлено взаимодействием света с периодическим оптическими неоднородностями. Приведенные в диссертации результаты показывают возможность создания дифракционных решеток на поверхности полупроводниковых материалов как в случае аморфных напыленных и ионно-имплантированных полупроводников, так и при воздействии импульсного лазерного излучения на моюкристаллические зеров с распределенной обратной связью, обусловленной модуляцией усиления в активной области, созданной лазерным излучением

В заключение кратко сформулируем основные результаты работы:

1. Предложен метод прямого определения порога плавления и глубин расплавленной области полупроводниковых материалов под действием импульсного лазерного излучения.

2. На основе ИЛО разработан экспрессный и дистанционный способ определения порогов отжига и разрушения аморфных напыи ленных и ионно-имплантированных полупроводников, позволяющим при однократном облучении определить весь диапазон плотностей энергии, необходимых для отжига.

3. На основе МО в сочетании с селективным химическим травлением разработан метод исследования эпитаксиальной кристаллизации напыленных аморфных полупроводников. Он позволил выявить особенности эпитаксиальной кристаллизации аморфных пленок фосфида галлия и кремния на монокристаллических подложках фосфида работе [108] показана возможность получения решеток путем аморфизации монокристаллических образцов кремния и арсенида галлия в пучностях интерференционной картины. Кроме того, с помощью МО нами получен новый тип ламалой длительности галлия при различных условиях облучения.

4. В рамках тепловой модели проведено рассмотрение МО в случае интерференции двух плоских волн равной интенсивности. Показано, что выбором шага решетки всегда может быть реализована ситуация, при которой положение края отожженной полосы совпадает с положением фронта расплава в момент окончания лазерного импульса.

5. Впервые наблюдена текучесть приповерхностного слоя полупроводника под действием импульсного лазерного излучения милли-, нано- и пикосекундной длительности. Проведенный анализ показал, что полученные результаты могут быть интерпретированы только в рамках тепловой модели. нтсовая электроника. Справочник. - Киев: Наукова думка, 1975. - 704 с.

119* Lee D.B. Anisotropic etching of silicon. - J.Appl.Phys.,

1969, vol.40, No.11, p.4569-4574« 120. Алферов Ж.И., Каландаришвили К.Г., Ковалъчук Ю.В., Портной Е.Л., Смирнтщкий В.Б., Соколов И.А. Гетеролазер с распределенной обратной связью, полученной интерференционным лазерный отжигом. - В кн.: Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике. Ереван, 1982, ч.1, с.64-65.

Я выражаю благодарность научному руководителю профессору Ю.И.Островскому.

Свою особую признательность мне хочется выразить руководителю группы Ю.В.Ковальчуку, без руководства и непосредственного участия которого выполнение настоящей работы было бы невозможно.

Я также благодарен заведующим лабораторий академику Ж.И. Алферову и профессору В.Е.Голанту за поддержку и интерес к настоящей работе.

Искреннюю признательность я хочу выразить также Е.Л.Портному, В.Н.Абакумову, Ю.В.Погорельскому, Г.В.Островской, О.В. Смольскому и В.Б.Смирнщкому за помощь в проведении экспериментов и обсуждение полученных результатов.

- №

1. Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Баязитов P.M., Лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев. -ВИНИТИ, 1974, Деп. $ 2061-74, с.1-31.

2. Штырков Е.И., Хайбуллин И.Б., Галяутдинов М.Ф., Зарипов М.М. Ионнолегированный слой новый материал для записи голограмм.-Опт. и спектр., 1975, т.38, в.5, с.1031-1034.

3. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование полупроводников.-М.: Энергия, 1975. 128 с.

4. Технология ионного легирования / Под ред. С.Намбы М.: Сов. радио, 1974. - 158 с.

5. Физические процессы в облученных полупроводниках / Отв. ред. Л.С.Смирнов Н.: Наука, СО, 1977. - 256 с.

6. Штырков Е.И., Хайбуллин И.В., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Баязитов P.M. Локальный лазерный отжиг ионнолегированных полупроводниковых слоев. ФТП, 1975, т.9, в.10, с.2000-2002.

7. Зарипов М.М., Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И. Отжиг ионнолегированных слоев под действием лазерного излучения. УФН, 1976, т.120, в.4, с.706-708.

8. Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Смирнов JI.C. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением. ФТП, 1975, т.9, в.7, с. I428-1434.

9. White C.W., Narayan J., Young R.T. Laser annealing of ion-implanted semiconductors. Science, 1979, vol.204, Np.4392,p.461-468.

10. Gat A., Gibbons J.F. A laser-scanning apparatus for annealing of ion-implantation damage in semiconductors. Appl.Phys. Lett., 1978, vol.32, No.3, p.142-144.

11. Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Зарипов М.М. Лазерный отжиг имплантированных полупроводников. Изв. АН СССР, сер.физическая, 1981, т.45, в.8, с.14641473.

12. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. - 207 с.

13. Lau S.S., Tseng W.F., Nicolet М.А. et al. Epitaxial growth of deposited amorphous layer by laser annealing. Appl.Phys. Lett., 1978, vol.33, No.2, p.130-131.

14. Narayan J., Young R.T., White C.W. A comparative study of laser and thermal annealing of boron-implanted silicon. J. Appl.Phys., 1978, vol.79, No.7, p.3912-3917.

15. Мейер Дж., Эриксон JI., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. -.: Мир, 1973. 296 с.

16. Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Попов А.И. Дефектообразование в цриповерхностных областях Si при лазерном воздействии. -ФТП, 1982, т.16, в.6, C.I078-I082.

17. Качурин Г.А., Ловягин P.H., Нидаев E.B., Романов С.И. Эпитак-сиальная кристаллизация слоев фосфида галлия на кремнии нано-секундными лазерными импульсами.-ФТП,1980,т!4,в.3,с.460-463.- i26

18. Филиппов С.Л., Мусатов A.JI., Коротких В.Л. Очистка поверхности фосфида индия мощными импульсами рубинового лазера. -Поверхность, 1982, № 6, с.49-50.

19. Barnes Р.А., Leamy H.J., Poate J.M., Ferris S.D., Williams

20. J.С., Celler G.K. Ohmic contacts produced by laser-annealing Te-implanted GaAs. Appl.Phys.Lett., 1978, vol.33, No.11, p.965-967.

21. Oraby A.H. , Murakami K., Yuba Y. , Gamo K., Namba S., Masuda Y. Laser annealing of ohmic contacts on GaAs. Appl.Phys.Lett., 1981, vol.38, No.7, p.562-564.

22. Geis M.W., Flanders D.C., Smith H.I. Crystallographic orientation of silicon on an amorphous substrate using an artificial surface-relief grating and laser crystallization, Appl. Phys.Lett., 1979, vol.35, No.1, p.71-74.

23. Shibata Т., Gibbons J.F., Sigmon T.W. Silicide formation using a scanning cw laser beam. Appl.Phys.Lett., 1980, vol.36, Ho.7, p.566-569.

24. Van Gurp G.J., Eggermont G.E.J., Tamminga Y., Stacy W.T., Gijsbergs J.R.M. Cellular structure and silicide formation in laser-irradiated metal-silicon systems. Appl.Phys.Lett., 1979, vol.35, No.3, p.273-275.

25. Tsu R., Hodgson R.T., Tan T.Y., Baglin J.E. Order-disorder transition in single-crystal silicon induced by pulsed uv laser irradiation. Phys.Rev.Lett., 1979, vol.42, No.20, p.1356-1358.

26. Liu P.L., Yen R., BloniDex^a** «., Hodgson R.T. Picosecond laser-induced melting and resolidification morphology on Si. -Appl.Phys.Lett., 1979, vol.34, No.12, p.864-866.

27. Greenwald A.C., Comer J.J. Pulsed electron beam liquid epitaxy. In: Laser and electron beam processing of materials.-и? -N.Y.: Acad.Press, 1980, p.575-580.

28. Hodgson R.T., Baglin J.E.E., Pal R., Neri J.M., Hammer D.A. Ion beam annealing of semiconductors. Appl.Phys.Lett., 1980, vol.37, No.2, p.187-189.

29. Bomke H.A., Berkowitz H.L., Harraatz M., Kronenberg S., Lux R., Annealing of ion-implanted silicon by an incoherent light pulse. -Appl.Phys.Lett., 1978, vol.33, No.11, p.955-957.

30. Cohen R.L., Williams J.S., Feldman L.C., West K.W. Thermally assisted flash annealing of silicon and germanium . Appl. Phys.Lett., 1978, vol.33, No.8, p.751-753.

31. Lau S.S., Von Allmen M., Golecki I., Nicolet M-A., Kennedy Б.Р., Tseng W.P. Solar furnace annealing of amorphous Si layers. Appl.Phys.Lett., 1979, vol.35, No.4, c.327-329.

32. Блинов Л.М., Вавилов B.C., Галкин Г.Н. Изменение оптических свойств и концентрация носителей заряда в Si t/lGciAs щ>ж интенсивном фотовозбуждении рубиновым ОКГ. ФТП, 1967, т.1, в.9, с.1351-1357.

33. Зуев В.А., Литовченко В.Г., Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Сукач Г.А., Линник Л.Ф. Процессы рекомбинации носителей тока на поверхности^ и*й при лазерном возбуждении. ФТПД972, т.6, в.10, с.1936-1944.

34. Вайткус Ю., Гривицкас В., Стораста 10. Электронно-дырочное рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии при высоком уровне возбуждения.-ФТП,1975,т.9,в.7,с.13391345.

35. Baeri P., Campisano S.V., Foti G., Rimini E., A melting model for pulsing-laser annealing of implanted semiconductors.-J.Appl.Phys., 1979, vol.50, No.2, p.788-797.

36. Surko C.M., Simons A.L., Auston D.H., Golovchenko J.A., Slusher R.E., Venkatesan T.N.C. Calculation of the dynamics of surface melting during laser annealing. Appl.Phys.Lett.,1979, vol.34, No.10, p.635-637.

37. Schultz J.G., Collins R.J. A computer simulation of laser annealing silicon at 1.06 urn. Appl.Phys.Lett. 1979, vol.34, No.1, p.84-87.

38. Lietoila A., Gibbons J.P. Computer modeling of the temperature rise and cattier concentration induced in silicon by nanosecond laser pulses. J.Appl.Phys., 1982, vol.53, No.4,p.3207-3213.

39. Bertolotti M., Vitali G., Rimini E., Foti G. Structure transitions in amorphous Si under laser irradiation. J.Appl. Phys., 1979, vol.51, No.1, p.259-265.

40. Sigmon T.W., Gibbons J.F. Crystallization of ion implanted silicon using a multiple pulse ruby laser. In: Ion implantation: The Second USA-USSR Seminar, Pushkino, 1979, p.122-139.

41. Gat A., Gibbons J.F., Magee T.J. et al. Physical and electrical properties of laser-annealed ion-implanted silicon. -Appl.Phys.Lett., 1978, vol.32, No.5, p.276-278.

42. Williams J.S., Brown W.L., Leamy H.J. et al. Solid phase epitaxy of implanted silicon by cw Ar ion laser irradiation. -Appl.Phys.Lett. 1978, vol.33, No.6, p.542-544.

43. Takai M., Tsou S.C., Tsien P.H., Roschenthaler, Ryssel H., Nd-YAG Laser annealing of gallium-implanted silicon. Appl.

44. Larson B.C., White C.ff., Noggle I.S., Mills D. Synchrotron X-ray diffraction study of silicon during pulsed-laser annealing. Phys.Rev.Lett., 1982, vol.48, No.5, p.337-340.

45. Murakami E., Takita K., Masuda K. Measurement of lattice temperature during pulsed-laser annealing by time-dependent optical reflectivity. Jap.J.Appl.Phys., 1981, vol.20, No.12, P.L867-L870.

46. Suski J«, Rzewuski H. Ionization-enhanced crystallization of phosphorus implanted silicon layers. Radiat.Eff., 1979» vol.40, p.82-85.

47. Germain P., Squelard S., Bourgoin J. Ionization enhanced crystallization in amorphous germanium. J .Non-Crystal. Solids, 1977, vol.23, No.2, p.159-165.

48. Алферов Ж.И., Абакумов B.H., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Портной Б. Л», Сшфнвдкий Б .Б., Соколов И. А. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников. ФТН, 1983, т.17, в.2, с.235-241.

49. Van Vechten J.A., Tsu R., Saris F.W. Nonthermal pulsed laser annealing of Si; plasma annealing. Phys.Lett., 1979* vol. A74, No.6, p.422-426.

50. Heine V., Van Vechten J.A. Effect of electron-hole pairs on phonon frequencies in Si related to temperature dependence of band gaps. Phyfc.Rev. B, 1976, vol.13, No.4, p.1622-1626.

51. Bok J. Effect of electron-hole pairs on the melting of sili- J32. con. Phys.Lett., 1981, vol.84A, No.8, p.448-450.

52. Yoffa E.J. Dynamics of dense laser-induced plasmas Phys. Rev.B, 1980, vol.21, No.6, p.2415-2425.

53. Dumke W.P. On laser annealing and lattice melting. Phys. Lett., 1980, vol.A78, No.5-6, p.477-480.75« Combescot M. Hydrodynamics of a dense plasma created during laser annealing pulses. Phys.Lett., 1981, vol.85A, No.5, p.308-312.

54. Van Vechten J.A., Compaan A.D. Plasma annealing state of semiconductors; Plasmon condensation to a superconductivitylike state at 1000 K? Solid State Com., 1981, vol.39, No.8, p.867-873.

55. Tan Vechten J.A. Experimental tests for boson condensation and superconductivity in semiconductors during pulsed beam annealing. Solid State Com., 1981, vol.39, No.12, p.1285-1291.

56. Van Vechten J.A. The gentle electronic nature of pulsed beam annealing, or does it really go superfluid? In: Laser and electron-beam interactions with solids. - N.Y.: Elsevier, 1982, p.49-60.

57. Van Vechten J.A., Wautelet M. Variation of semiconductor band gaps with lattice temperature and with carrier temperature when these are not equal. Phys.Rev.B, 1981, vol.23, No.10, p.5543-5550.

58. Wautelet M., Van Vechten J.A. Carrier diffusion in semiconductors subject to large gradients of excited carrier density.- Phys.Rev.B, 1981, vol.23, No.10, p.5551-5554.

59. Von der Linde D., Fabricius N. Observation of an electronic plasma in picosecond laser annealing of silicon. Appl.Phys.- /33 1.tt., 1982, vol.41, No.10, p.991-993.

60. Lo H.W. and Compaan A. Pulsed Raman measurement of onset of recrystallization in laser annealing. Appl.Plays.Lett. ,1981, vol.38, No.3, p.179-181.

61. Stritzker B., Pospieszyk A., Tagle J.A. Measurement of lattice temperature of Si during pulsed laser annealing. Phys.Rev. Lett., 1981, vol.47, No.5, p.356-358.

62. Bhattacharyya A., Streetman B.G., Hess K. Comments on the plasma annealing model to explain the dynamics of pulsed laser annealing of ion-implanted silicon. J.Appl.Phys.,1982, vol.53, No.2, p.1261.

63. Narayan J., Fletcher J., White C.W., Christie W.H. Melting phenomena and pulsed-laser annealing in semiconductors. -J.Appl.Phys. 1981, vol.52, No.12, p.7121-7128.

64. Wood R.F., Lowndes D.H., Jellison G.E., Modine F.A. and Jr. Melting model and Raman scattering during pulsed laser annealing of ion-implanted silicon. Appl.Phys.Lett«, 1982, vol.41, No.3, p.287-290.

65. Von der Linde D., Wartmann G., Raman scattering with nanosecond resolution during pulsed laser annealing of silicon. -Appl.Phys.Lett., 1982, vol.41, No.8, p.700-702.

66. Aydinli A., Compaan A., Lo H.W., bee M.C. Time-resolved transmission of GaAs under intense laser excitation. Phys. Lett., 1981, vol.86A, No.3, p.199-202.

67. Lowndes D.H. Time-resolved optical transmission and reflectivity of puised-ruby-las er irradiated crystalline silicon.-Phys.Rev.Lett., 1982, vol.48, No.4, p.267-271.94* Gidotti D. et al., unpublished.

68. Liu J.M., Kurz H., Bloembergen N. Picosecond time-resolved plasma and temperature-induced changes of reflectivity and transmission in silicon. Appl.Pbys.Lett., 1982, vol.41, No.7, p.643-646.

69. Маркин А. С. Дискриминация типов колебаний и явление самосинхронизации в ОКГ на твердом теле с просветляодимся фильтром.-Труды ФИАНа. М.: Наука, 1971, т.56, с.1-34.

70. Sooy W.R. The natural selection of modes in a passive Q-switched laser. Appl.Phys.Lett., 1965, vol.7, No.2, p.36-37.

71. Алум Х.П., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Смильгявичюс В.И., Пискарскас А.С., Соколов И.А. Теневые исследования лазерной искры в воздухе, образованной серией пикосекундных лазерных импульсов. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, в.З, с.165-170.

72. Кольер Р., Беркхарт К., Лин 1. Оптическая голография. М.: Мир, 1973. - 686 с.

73. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970. -855с.

74. Ю1. Алум Х.П., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Портной Е.Л.,- №

75. Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Смирницкий В.Б., Смоль-ский О.В., Соколов И.А. Внутрирезонаторный лазерный отжиг полупроводников.- Письма в ЮТ, 1982, т.8, в.IS,с.917-920.

76. Cullis А.6., Webber Н.С., Poate J.M., Chew N.G. ТЕМ study' of silicon laser annealed after the implantation of low solubility dopants. J.Microsc. (Gr.Brit.), 1980, vol.118, No.1, p.41-49•

77. Хирд Г. Измерение лазерных параметров. М.: Мир, 1970.-539с.

78. Алферов Ж.И., Ковальчук Ю.В., Смольский О.В., Соколов И.А. Аморфизадия монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, в.15, с.897-900.

79. Портной Е.Л., Ковальчук ЕЗ.В., Островская Г.В., Пискарскас А.С., Скопина В.И., Смильгявичуо В.И., Смирницкий В.Б. Лазерный отжиг слоев фосфида галлия, полученных ионно-плаз-менным распылением.-Письма в Ю, 1962, т.8,в.8,е.462-465.

80. Абакумов В.Н., Ковальчук Ю.В., Портной Ё.Л., Соколов И.А. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников. В кн. : Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982, т.2, с.3-4.

81. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М. : Наука, 1972. - 735 с.

82. Comerford L., Zory P. Selectivity etched diffraction gratings in GaAs. Appl.Ph.ys.Lett., 1974, vol.25, Ho.4, p.208-210.

83. Барановский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупровод- 138