Инжекционные лазерные усилители бегущей волны на основе двойных гетероструктур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ПЛУ;

История вопроса и современный этап исследований.

ГЛАВА I. ОПТИЧЕСКОЕ УСИЛЕНИЕ В ИНЖЕКТИРУЕМЫХ ЛАЗЕРНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ. 1.1. Теоретическая модель для расчета оптического усиления в лазерных гетероструктурах.

1.2. Сравнение экспериментальных и расчетных данных на примерах лазерных гетероструктур в системах баММ и УпбаЖР

ГЛАВА 2. СТАЦИОНАРНЫЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ИНЖЕКЦИОННЫХ ПЛУ Расчет.!.

2.1. Стационарные передаточные характеристики гете-роусилителя при узкополосном входном сигнале.

2.2. Переходные процессы при импульсных входных сигналах.

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИХ

ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОУСИЛИТЕЛЕЙ.

3.1. Экспериментальные образцы и блок-схема эксперимента.

3.2. Определение параметров ПЛУ по характеристикам суперлюминесцентного излучения.

3.3. Прямое измерение стационарных и динамических передаточных характеристик ПЛУ.

3.4. Амплитудные шумовые характеристики ПЛУ.

3.5. Перспективы применения ПЛУ в оптических ретрансляторах

В настоящее время неуклонно растет практический интерес к достижениям полупроводниковой квантовой электроники. I

К числу наиболее важных, решаемых на данном этапе технических задач, относятся проблемы передачи, обработки и хранения информации. Развитие различных отраслей науки и техники приводит к непрерывно увеличивающемуся объему информации. Для запоминающих устройств ЭВМ в настоящее время требуется объём то памяти порядка 1Сг° бит, а требуемая скорость передачи информации для ЭВМ Ю10-Ю12 бит/с и для линий связи Ю8-Ю10 бит/с. Такие значения объёма памяти и скорости передачи информации для традиционной электроники ¡фактически недостижимы. Электронные каналы передачи информации обладают и рядом других серьёзных недостатков. Это, например, низкая помехозащищенность каналов, возникающая вследствии взаимного влияния элементов при высоком уровне плотности монтажа. Борьба с помехами требует надежного экранирования электронной аппаратуры, что в свою очередь, приводит к сложным и дорогостоящим техническим решениям.

Существующий прогресс в решении подобного рода проблем возможен при совместном использовании электронных и оптических явлений.

Бурное развитие лазерной техники, а так же привнесение методов когерентной и некогерентной оптики в современную электронику (в основном полупроводниковую) привело к появлению качественно нового направления в науке и технике - оптоэлектроники.

На базе оптоэлектроники были созданы принципиально новые приборы и опробованы принципиально новые методы, которые нашли широкое применение в электронике, измерительной технике, связи и т.д.

В настоящее время все более отчетливо наблюдается тенденция использования методов когерентной и некогерентной опто-электроники при передаче, хранении и обработке информации. Перспективы развития оптоэлектроники в данном направлении определяют такие её принципиальные достоинства как:

1. Высокая информационная ёмкость оптических каналов, обусловленная высокой частотой (Ю13-1015 Гц) оптических колебаний, на несколько порядков превышающей частоты электромагнитных колебаний.

2. Высокая плотность записи информации в оптических запоминающих устройствах (порядка 10^ бит/см2), обусловленная малой длиной волны оптических колебаний.

3. Передача информации осуществляется электрически нейтральными частицами-фотонами, что определяет высокий уровень помехозащищенности каналов информации.

Мощным стимулом в разработке и исследовании элементов оптических информационных систем явилось создание полупроводниковых инжекционных лазеров.

Обладая высокой эффективностью преобразования электроэнергии в когерентный свет, высоким быстродействием, миниатюрными размерами, допуская высокую степень интеграции и простую модуляцию излучения непосредственно током ивжекции эти приборы являются в настоящее время наиболее перспективными для использования в качестве активных элементов оптических информационных систем [15, 14+16, 31]

Наряду с созданием инжекционных полупроводниковых лазеров, важным моментом в развитии оптоэлектроники явилась разработка волокон с низкими оптическими потерями (менее 1,0 дБ/км), что обеспечило возможность их применения в качестве эффективных оптических волноводов [Г7, 98] . К настоящему времени разработаны и находятся в стадии промышленного производства инжекционные полупроводниковые ла-деры как на основе бинарных соединений (баЛв), так и на основе твердых растворов замещения ( 6сгЛбАъ ), работающие в непрерывном режиме. Причем, на последних реализован режим непрерывной генерации цри комнатной температуре с весьма низкими (10^ - 10^ А/см^) значениями плотности порогового тока [68, 69] .

Характерной особенностью лазеров на основе вышеупомянутых соединений является совпадение спектральных диапазонов излучения со спектральными диапазонами минимальных потерь в современных оптических волноводах и максимальной чувствительностью полупроводниковых фотоприёмников [16 ] . Эти предпосылки определили возможность передачи информации по волоконно-оптическим линиям связи (ВОЯС) на значительное расстояние с широкой полосой пропускания (порядка 1,0 1Гц). Распространение оптических сигналов в ВОЛС сопровождается их затуханием и искажением, что обусловлено целым рядом причин (поглощение, рассеяние, дисперсия волокна, потери в узлах стыковки, модовый состав волновода и др.). Это заставляет разработчиков искать пути решения задачи по восстановлению амплитуды и формы сигнала. Проблемы, стоящие на повестке дня, в связи с развитием волоконно-оптических линий связи указывают на необходимость расширения и углубления этих исследований.

Как известно, в технике связи задача по восстановлению амплитуды и формы сигнала с помощью соответствующих усилителей и регенераторов. В настоящее время в большинстве типов ВОЛС исполь зуются ретрансляторы, состоящие из фотоприемника, преобразующего оптический сигнал в электрический, который затем усиливается обычным радиотехническим устройством, выходной сигнал с которого, в свою очередь, подается на инжекционный полупроводниковый лазер, где он преобразуется в оптическую форму CD Основным недостатком ретранслятора такого типа является ограничение полосы пропускания B0IC полосой пропускания радиотехнического усилителя. Оптические линии связи следующего поколения, использующие узкополосные оптические сигналы и маломо-довые, слабодисперсионные оптические волноводы, позволяют расчитывать на передачу информации с тактовыми частотами, лежащими в гигагерцовом диапазоне. Возможность создания достаточно широкополосного ретранслятора указанного типа для таких линий представляет сложную техническую задачу.

Указанная задача может быть решена путем применения в ретрансляторах оптического тракта квантовых оптических усилителей, в основе работы которых лежит тот же принцип, что и у лазеров, т.е. стимулированное излучение в активной среде под воздействием внешней электромагнитной волны.

Несмотря на ряд особенностей, присущих только оптическим квантовым усилителям (большое число типов колебаний, высокий уровень спонтанного фона и т.д. ) они имеют много общего с квантовыми усилителями радиодиапазона . Основными требованиями к квантовым усилителям являются: высокий коэффициент усиления, широкополосность, низкий уровень шумов (высокая чувствительность). Эти требования способствовали цроведению многочисленных экспериментальных и теоретических исследований оптико-физических свойств квантовых усилителей. При этом было обнаружено, что выбор активной среды усилителя во многом определяет возможные сферы его применения. В частности, высокоскоростная передача оптической информации на большие расстояния требует применения усилителей, активные среда которых обладают достаточно большим оптическим усилением на единицу длины и широкой полосой пропускания [2, 7б] .

Среди большого класса активных сред, вышеупомянутыми характеристиками обладают полупроводники. Достаточно указать, что на ряде из них реализуется оптическое усиление порядка 103см"1 в полосе Ю12Гц.

Идея использования инверсии в полупроводниках для усиления слабых сигналов была предложена ещё в основополагающей работе [2] .

Однако, темпы исследования, создания и промышленного внедрения эффективных инжекционных лазеров были настолько стремительными, что исследованию свойств полупроводниковых усилителей (ПЛУ) на основе тех же лазерных структур почти не уделялось внимания. Между тем, проблемы, стоящие на повестке дня перед техникой оптической передачи и обработки информации требует, наряду с созданием эффективных излучателей, каковыми являются инжекционные лазеры, разработки и внедрения высокостабильных, широкополосных ШГУ. Необходимость исследования и реализации ПЯУ приобретает также большую актуальность в связи с развитием интегрально-оптических методов при создании элементов ВОЛС, а также в связи с возможностью использования Ш1У в оптических метрологических устройствах для усиления слабых сигналов и в ряде других сфер практического применения ¡18, 19, 81, ТОО] .

Первые литературные данные об исследовании полупроводниковых лазерных усилителей относятся к периоду 1964 - 1965 г.г. В 1964 г. появляется теоретическая работа [20,] в которой йа базе скоростных уравнений рассмотрено стационарное распределение интенсивности монохроматического света в активном слое полупроводниковых лазерных усилителей. В работах |33*3б} описываются полупроводниковые усилители, работающие в импульсном режиме при криогенных температурах. Сообщается [Зб] о получении усиления более 30 дБ при малом уровне входного сигнала на лазерных диодах из (?аАдлиной порядка 0,5 мм. при температуре жидкого азота. Для увеличения порога самовозбуждения на зеркала лазерных диодов наносились просветляющие покрытия - пленки $¿0 .По данным работы [Зб] для увеличения порога самовозбуждения можно использовать методику "раз*юстировки" зеркал резонатора путем сошлифовки торцевых граней под углом 5-8°. Там же впервые сообщается о подавлении спонтанного фона цри подаче на ПДУ мощного входного сигнала. В вышеперечисленных работах источниками сигналов служили полупроводниковые лазеры с широким резонатором Фабри-Перо, также работающие цри криогенных температурах. Наличие широкополосного сходного сигнала не позволило реализовать на данном этапе исследований предельной чувствительности усилителей. По данным работы [37] измеренная величина чувствительности полупроводникового лазерного усилителя (входная мощность, соответствующая отношению сигнал/фон на выходе усилителя равному единице) составило при широкополосном входном сигнале величину порядка 8,0 х 10 Вт.

На первоначальном этапе исследований наряду с несомненными достоинствами ПНУ (большое усиление, широкополосность, высокая чувствительность) был выявлен и основной недостаток полупроводниковых усилителей - высокий уровень собственного спонтанного излучения (суперлюминесценции), обусловленный высоким значением оптического усиления в широкой полосе спонтайного излучения (ТО12 Гд). Суперлюминесценция играет роль маскирующего фона по отношению к полезному сигналу и сильно возрастает с увеличением накачки усилителя.

В этом свете весьма актуальным выглядит проведенный в последние год во ВНИИОФЙ цикл экспериментальных и теоретических работ, посвященный исследованию оптико-физических характеристик ПЛУ при узкополосном входном сигнале [43 * 45] .

В данных работах объектом исследования явились однопроходные Ш1У (усилители бегущей волны), выполненные на базе по-лосковых лазерных гомоструктур из арсенида галлия. Усилители допускали работу в непрерывном режиме, но также как и в [Зб] требовали принудительного охлаждения. Применив в качестве / источника входных сигналов одномодовый инжекционный лазер большой мощности (более 100 мВт), авторы могли провести исследования стационарных характеристик ПЛУ в широком динамическом диапазоне и использовать спектральную селекцию выходного излучения усилителя. Основные результаты этих исследований свелись к следующему:

- максимально зарегистрированная величина усиления в линейном режиме составила 33 дБ;

- при насыщении усилителя достаточно сильным сигналом наблюдалось почти полное подавление уровня суперлюминесцентного фона;

- экспериментально измеренная чувствительность усилителя составила 40 нВт при спектральной селекции на выходе усилителя, равной 0,1 нм;

- динамический диапазон линейного режима усиления составил 20 дБ;

- быстродействие ПНУ при импульсно-кодовой модуляции составило величину порядка 1,0 не. Теми же авторами в работах [43, 4в] была показана возможность применения методов интегральной оптики для подавления спонтанного фон$ и значительного улучшения отношения сигнал/фон для ПЛУ с узкополос-'ным входным сигналом, что несомненно представляет практический интерес.

В ряде практических приложений, требуется обеспечить высокое усиление слабых оптических сигналов, в сравнительно узкой полосе частот. Этой цели служат так называемые резонансные (регенеративные) усилители. Принцип их работы основан на явлениях регенерации в активной среде, находящейся в резонаторе вблизи порога самовозбуждения, что приводит к значительному росту коэффициента усиления по сравнению с коэффициентом усиления за один проход. Коэффициент усиления такого усилителя, цри совпадении частот входного сигнала с собственными частотами резонатора ПЛУ, зависит от степени приближения усилителя к порогу генерирования (чем ближе подведен усилитель к порогу, тем выше усиление). Теоретические и экспериментальные исследования [70 * 74] относятся к ШЕУ регенеративного типа на основе гетероструктур в системе б(*ЖЛ% работоспособных цри комнатной температуре. Предлагается использовать ПЛУ такого типа в качестве цредусилителей в ретрансляторах коммерческих линиях ВОЛС [105 - 107] . Несмотря на ряд обнадёживающих результатов по применению ПДУ регенеративного типа данный тип усилителей обладает рядом недостатков, а именно: повышенными требованиями к стабильности накачки и ресурсным характеристикам. Эти недостатки носят принципиальный характер и ограничивают область применения ШУ данного типа. Исследование ПЛУ регенеративного типа выходит за рамки данной диссертационной работы.

Сфера практического применения инфекционных лазерных »усилителей стала наглядно вырисовываться после создания эффективных лазерных гетероструктур на основе твердых растворов замещения. Анализ оптико-физических характеристик таких гетероструктур, как (НаМЛ) и [14? 30] показал, что наряду с гетеролазерами и слабодиссперсныш волокнами, ин-жекционные лазерные усилители на основе гетероструктур, работоспособные при комнатной температуре, могут войти в состав элементной базы чисто оптических линий связи. В силу ряда принципиальных достоинств, таких как более высокая стабильность параметров, пшрокополосность, отсутствие прецизионных настроек, цростота управления и т.д. предпочтение в целом ряде практических применений нужно отдать ПЛУ бегущей волны.

По нашим сведениям до сих пор не проводилось систематических исследований оптико-физических свойств инжекционных ПЛУ бегущей волны.

Проведенные в одной из первых работ [б?] исследования характеристик ШУ бегущей волны на основе (баЖЛд двойной гетероструктуры (ДГС) при оптической накачке при комнатной температуре показали, что по величине коэффициента усиления она- не уступают охлаждаемым лазерным -гомо структурам.

Известные в настоящий момент работы, посвященные исследованию ПЛУ бегущей волны носят характер теоретических расчетов [49], либо посвящены возможным техническим приложениям ПЛУ данного типа [39 * 41] .

Здесь уместно отметить, что отсутствие необходимой информации по данному вопросу обусловлено, главным образом факторами, сдерживающими внедрение лазерных гетероусилителей в волоконно-оптические линии связи. Одним из таких факторов является, например, трудность эффективного ввода излучения из стекловолокна в активный волновод лазерных диодов. Если учесть, что толщина активного волновода в гетеролазерах составляет доли микрометра (обычно 0,1 - 0,2 мкм), то сложность решения этой задачи становится понятной. Несмотря на большие усиления, цредцринимаемые в этом направлении [77-80] , данная проблема пока еще не решена.

Одним из определяющих параметров излучателей и усилителей, цредназначенных для ВОЮ, является уровень их шумов, который существенно зависит от типа црибора и режимов его работы. История исследования шумов в полупроводниковых инжекционных лазерах берет своё начало со времени появления в 1964 г. пионерской работы [8б] . Проведенные в последующие годы детальные теоретические исследования [84, 85] , выявили основные закономерности поведения шумовых характеристик инжекционных лазеров, которые нашли успешное экспериментальное подтверждение в целом ряде работ [86-91] . Так, в частности, было установлено, что основным источником шума как в гомолазерах

86-88] , так и в гетеролазерах [89 - 91] является дробо-вый шум, связанный со стохастическим характером излучательных переходов, а наблюдаемые экспериментально резонансные максимумы в спектрах шумов инжекционных лазеров цри комнатной температуре в непрерывном режиме [89] свидетельства ют в пользу теоретических расчетов, проведенных в работах [84, 85] . Приведенный выше краткий перечень работ по исследованию шумов в инжекционных лазерах, опирается, в основном, на зарубежные источники информации, так как в последние годы амплитудные, частотные и фазовые шумовые характеристики полупроводниковых лазеров и резонансных ПЛУ исследуются за рубежом весьма активно. В отечественной научной периодике, за исключением [103,ш] не появлялось сведений об аналогичных исследованиях. Что касается ПНУ бегущей волны, то сведения по исследованию их шумовых характеристик вообще отсутствуют в литературе.

Целью настоящей диссертационной работы является проведение систематических исследований оптико-физических характеристик инжекционных полупроводниковых лазерных усилителей (ПНУ) бегущей волны на основе {боММ) и {%б«АР) двойных гетеро-структур и экспериментальная проверка соответствия наблюдаемых закономерностей их поведения предлагаемой теоретической модели для расчета характеристик оптического усиления в лазерных структурах при комнатной температуре.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Проведены теоретические и экспериментальные исследования спектров спонтанного излучения и оптического усиления образцов двойных гетероструктур СаМЛз И ЪбаЖР , отличающихся как по способу ограничения излучения, так и по составу легирующих примесей.

При измерении усилительных свойств лазерных гетероструктур была использована методика их определения из зависимости интенсивности и спектра суперлюминесценции от длины канала усиления, модифицированная на случай инжекционной накачки.

2. Для описания наблюдаемых экспериментальных зависимостей спектров излучения был привлечен теоретический аппарат полуэмпирической модели излучательных переходов в прямозонных полупроводниках, развитый на случай высоких температур. Показано хорошее качественное и количественное описание результатов измерений аналитическими выражениями, вытекающими из предложенной модели.

3. Проведено экспериментальное исследование стационарных передаточных характеристик инжекционных гетероусилителей бегущей волны на основе баЛСЛв ПрИ подаче на их вход узкополосных А X ^ 0,1 нм оптических сигналов.

- 138

Получены зависимости физических характеристик ПЛУ от режимов его работы и параметров входных сигналов. Проведено сравнение с аналогичными характеристиками ПЛУ на основе охлаждаемых лазерных - гомоструктур.

Максимальное зарегистрированное усиление за один проход в режиме бегущей волны при импульсной накачке составило 26,0 дБ . Отношение сигнал/фон на выходе усилителя достигало 7,0дБ без спектральной селекции и 24,0 дБ при использовании выходного фильтра с полосой 0,1 нм. Чувствительность исследованных ПЛУ составляла 100 * 200 нВт, а диапазон входных амплитуд, соответствующий линейному режиму усиления - более 20,0дБ.

В режиме непрерывной накачки достигнуто усиление порядка 20,0 дБ.

4. Исследованы переходные процессы в баЛСЛэ гетеро-усилителе при подаче на его вход сдвоенных оптических импульсов субнаносекундной длительности. Экспериментально показано, что в режиме линейного усиления ПЛУ усиливает без искажений видеоимпульсы с частотой следования до 1,0 Ггц, причем величина определяется использованной методикой измерений и регис-рирующей аппаратурой и, по теоретическим оценкам, может быть значительно повышена.

В режиме насыщения входным сигналом, характеризующимся?? лучшим отношением сигнал/фон, происходит искажение формы видеоимпульса: обострение переднего и затягивание заднего фронтов

Допустимая частота повторения импульсов в этом режиме составляет величину порядка 500 Мгц.

5. Проведено измерение спектральной зависимости коэффициента оптического усиления инжектируемой ДГС с полосковым активным волноводом из

ЗлваМР при комнатной темпера' гуре на длине волны 1,28 мкм. В этой области спектра для регистрированы следующие параметры: однопроходное усиление -до 27,0 дБ; чувствительность при полосе спектральной селекции 0,1 нм 100 нВт; динамический диапазон линейного режима усиления до 30 дБ.

Измерены амплитудные флуктуации суперлюминесцентного фона шума гетероусилителей бегущей волны на основе в непрерывном режиме накачки при комнатной температуре в полосе 0,1 - 2,0 ГГц.

6. Полученная комбинация параметров гетеро-ГШУ бегущей волны впервые зарегистрированная в данной работе, еще раз подтверждает перспективность их применения при разработке компонент оптических линий связи.

Проведена количественная оценка параметров чисто оптического ретранслятора для длинноволновой В0ЛС большой протяженности со скоростью передачи информации порядка I Гбит/сек.

Автор выражает глубокую благодарность начальнику лаборатории, доктору физико-математических наук, профессору Ривлину Льву Абрамовичу и научному руководителю кандидату физико-математических наук Якубовичу Сергею Дмитриевичу за предоставленную тему диссертационной работы, постоянное внимание, полезные рекомендации и замечания в процессе работы над диссертацией.

Автор благодарит всех сотрудников сектора когерентной оптоэлектроники и, в особенности, В.И. Малахову, В.Н. Лукьянова, А.Т. Семенова, А.Ф. Солодкова и Ю.А. Тамбиева, за потеро-ПЛУ на основе экспериментально были заре мощь при проведении экспериментальных работ и плодотворные творческие дисскуссии.

- ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе показана принципиальная возможность создания полупроводниковых усилителей бегущей волны на основе инжектируемых лазерных гетероструктур в системах баЖЛэ и УгьЁаЛъР » работоспособных при комнатной температуре.

1. Басов Н.Г. Полупроводниковые квантовые генераторы: Нобелевская лекция 1964 г. УФН, 1965, т. 85, № 4 стр. 585598.

2. Басов Н.Г., Дул Б.М., Попов Ю.М. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний. ЖЭТФ, 1959, т. 37, № 2, стр. 587-589.

3. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. Получение состояний с отрицательной температурой в р-п переходах вырожденных полупроводников. ЖЭТФ, 1961, т. 40, Я 6, стр.1879-1880.

4. R.d, Зеппех Kugs&ylP., Sottas ТЛ, Caiisofj R.K. Gdewt HgHt emission fcom Cerfs p-n junctions Pkys. Rev, Ms., JS6Z, v. % р.Ш-378

5. ПаМал H. X, Dumk W.P., Bums ЪМ f. Я,

6. Багаев B.C., Басов Н.Г., Дул Б.М., Копыловский Б.Д., Крохин О.Н., Маркин Е.П., Попов Ю.М., Хвощев А.Н., Шотов А.П. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п переходе GaJs. ДАН СССР, 1963, т. 150, В 2, стр. 275 278.

7. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе ЛСЛъ GaJs. ФТП, 1968 г., т.2, стр. 1545-1548.

8. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Портной Е.Л., 1£укан М.К. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе

9. Ш 6oJs с низким порогом генерации при комнатной температуре. ФТП, 1969 г., т.З, стр. 1328.

10. HayasU PclklsA HB., $оу P. W.

11. CL 6оъ& ttiwAoCcL zoom- kmpezaiuZ& üyedlonhsez. IEEE, J. Qucmi. S&dbor?., v S, Vi,p ZU- 212.10.

12. Haya&L 1, PctnisA HB., Fog P.W., Sumsiy S.

13. Jcuidwn Палех, wftlcßi opezate coritüzuxKly cut worn {¿mpezaiwce GLppt. Pfiys- , ¿97 0,v. P. 109.

14. Казаринов Р.Ф., Сурис P.A. Сверхинжекция носителейв варизонных р-п структурах. ШТП, 1975, т.9, № I, стр. 13-16.

15. Ривлин Л.А. Динамика излучения полупроводниковых лазеров М. "Радио и связь", 1976 г.

16. Богданович О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Гь Полупроводниковые лазеры М. "Наука", 1976 г.

17. Алферов Ж.И. Гетероструктуры и их применение в оп-тоэлектронике. Вестник АН СССР, 1976 г., т.7, стр. 28-40.

18. Носов Ю.Р. Зарубежная радиоэлектроника, 1975 г., № II, стр. 54-63.

19. Фотоника. Сборник статей под редакцией Балкански М. и Лалемана П.М. Мир, 1978 год.

20. Белов A.B., Гурьянов А.Н., Девятых Г.Г., Дианов Е.М., Неуструев В.Б., Николайчик A.B., Прохоров A.M., Хонин В.Ф., Юшин A.C. Стеклянный волоконный световод с потерями менее1.дБ/км."Квантовая" электроника" , 1977 г. т.4, № 9, стр. 2041 2043.

21. Дианов Е.М., Елисеев П.Г. II Совещание по проблеме передачи информации по волоконным световодам (УИЛЛЙАМСБУРГ,N

22. США, 22-24 февраля 1977 г.). "Квантовая электроника;' 1977 г., т.4, № 9 стр. 2059-2064.cL$fiez б. and Ste/vn Sporitasieoiis» cuioi StimulcoUoL RecomMnotion Radiation in ScmUondwc-ioz$.- PPiys. Rzv.t v. /55, p. 555-565.

23. Крохин O.H. Коэффициент усиления и эффект насыщения в полупроводниках при однородном возбуждении. ФТТ, 1965 г., т.7, В 9, стр. 2612-2616. 22

24. W.P. Optical biansctiotis Lnvo&Cng impLczituts in betniconcÜLotozs Pfiys. Rev.} ¿963,и ¿зз7 p. jss% г oo5.23'Vcccncsho V.R Band to Band RaxLicudOot ucomiinoUon in Gwup iy-Й and M~V Swucondudcisil)-Pfys. Stat. Sd.} v. 19, р. Ш- m.

25. Алексанян А.Г., Полуэктов И.А., Попов Ю.М. К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах. "Квантовая электроника", 1974 г. т. I, J£ I, стр. 62-68.

26. Грибковский В.Н. Теория поглощения и испускания света в полуцровддниках. Минск, "Наука и техника", 1975 г.

27. Леваню А.П., Осипов В.В. Краевая люминесценция пршо мозонных полупроводников. УФН, 1981 г. Л 3, стр. 427-477.

28. Кейси X. и Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М., "Мщэ", 1981 г.

29. Ривлин Л.А., Семенов А.Т., Якубович С.Д. Динамика и спектры излучения полупроводниковых лазеров. Под редакцией цроф. Ривлина Л.А. М. "Радио и связь", 1983 г.32

30. Stem Caiculcdtd spectml dependence. oft gain in eocittcL (saJfs X ttppt. 1916,p. 5582 ~ 5586.

31. Coaptand М.У., НсипШоп К. У.? and Miisotm К. ITJeaswmrent oß CLmpti^icatcon in (yaJIs injection fastz- Ptiys. 1965, v. f, p. 231-252 .34# Gvowe X W. and Qfieazn W.E. Semiconduäotкьаь сипрЩсгь IEEE* 1 Quant. Skctwr., 1966y v.Z? p. 285 - 289.

32. Ссогое X W. ourtci Gxcuq R. M. SmaM signalащуЩосаЬсог! in баЛъ Casets OLppB. Pfuyt,. МЫ.} v. W3,. p. 57-5Z.36

33. HowtiocAy W. P. and Cowely R.H. боЛъ (awt сипрЩаьъ. IEEE. 1 Quant. ZbcUon., 196%, v. 8, p. iZ5-m.37.

34. Огаеуь&у З'л/, Popov 7a. M., StlQcHoys-ky, X M.

35. SpeoUaC cSabQotezcdccs ofc tfut, injection yuan-Un/ шарЩиг РРи/ь. Stat. Sot., 1969, и tt, Wl, p. $5-61.

36. Ваковский Ю.А., Гончаров И.Г., Коотржов B.B., Узкий А.Ф., Влияние волновода на характеристики ПКГ с электронным возбуждением. ФТП, 1971 г., т.5. стр. 1666-1669.

37. Ю.А. Быковский, Гончаров И.Г., Рассохин И.Т., Узкий А.Ф. Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой цри электронной накачке. "Квантовая электроника", 1974 г., т. I, № I, стр. I4I-I43.

38. Голдобин И.С., Курносов В.Д., Лукьянов В.Н., Семе-Hôнов А.T., Сапожников С.M., 'Шелков Н.В., Якубович С.Д. Исследование двухкомпонентного инжекционного гетеролазера. "Квантовая электроника", 1980 г., т.№ II, стр. 2489-2491.

39. Шелков Н.В., Якубович С.Д. Усиление узкополосного оптического сигнала в активном волноводе. "Квантовая электроника", 1978 г., т.5, №8, стр. I84I-I843.

40. Лукьянов В.Н., Семенов А.Т., Якубович С.Д. Стационарные характеристики инжекционного квантового усилителя на основе àoJls при узкополосном входном сигнале. "Квантовая электроника", 1980 г., т.7, № II, стр. 2460-2466.

41. Лукьянов В.Н., Семенов А.Т., Солодков А.Ф., Якубович С.Д. Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя на основе . "Квантовая электроника", 1981 г., т.8, № 5, стр. 1095-1098.

42. Ярив А. Введение в оптическую электронику. М. Высшая школа, 1983 г.

43. Литвинов В.Ф., Молочев В.И., Морозов В.Н., Никитин В.В., Семенов А.С., Хатырев Н.П. Прохождение имцульса света через двухкомпонентную полупроводниковую среду. "Квантовая электроника", 1972 г., № 7, стр. 89-92.

44. Лукьянов В.Н., Семенов А.Т. Усилитель света с фильтрацией спонтанного фона. "Квантовая электроника", 1980 г.,т.7, № 6, стр. 1370-1373.

45. Шаъоиье СотроСЬгг modtt an injection

46. СоьгЪ альрЩиг -IEEE, У. Quantum. 1923, v i9, Vi, р. €5-75.50 • Sckdeiam and ¿ead&l g. GaJsM-douêb fudcwdzuctuzz. Jaseis as optccot amp£l§ùVi -IEEE У. o§ quant £Шъоп., ¿97$ WZ71. P- 65-70.

47. Голдобин И.G., Семенов А.Т., Табунов В.П., Якубович С.Д.

48. Голдобин И.С., Ривлин Л.А., Семенов А.Т., Солодков А. Ф., Табунов В.П., Тамбиев Ю.А., Якубович С.Д. Спектральная линия усиления инжекционного гетеролазера. "Квантовая электроника", 1983 г., т.Ю, № 3, стр. 598-601.59.

49. Commun., ¿976, v. ¿9, p. ïkk.61.

50. СоЫ 6. 0., £uz £ and Шыг ф. Optical gain speoita o$ Jn^QJsP douSü

51. ЫгыФшбЬхи IEEE, J к Quad. Шгоп i9791. V. ±5, W8, p. 697- 705.64' (yóSel 8. 0. ^AotolLcmíncs vwot ctnoi optical cjOsin oft GaJnJIsP QaJnJlsP Ctttoy, Semlcaridudoi^, Ео/. Peazscrtí, /982, }oU Wl&<¿ i So/75 Xío!} p. 515- 558.65

52. Vwtta. j/ К. Calculated aSsozptcon, em*on, ало/ gait, Ui 6*0>2gJso6 P0/~

53. J- Of pi. Mu/s., mo, v. 5i, W1Z, p. 6095-7000.

54. SB., PoOoci К A., Jo&nsto rt W. 2). ccnd Baxns R L. Band gap vezsus composition and demonftzcrfiotz ofi Ve^ard's £aw-УпбаЛъР taitiuL maided to ЪР- OLppt Pfys. tdk., 1978, v. 53, p. 659-665

55. Васильев М.Г., Голдобин И.С., Курнявко Ю.В., Табунов В.П., Тамбиев Ю.А., Федоров Ю.Ф., Якубович С.Д. Оптическое усиление инжектируемой Jn6aJsP- гетероструктуры в спектральном диапазоне 1,3 мкм. "Квантовая электроника", 1985 , т.12 , № 3 , стр.

56. Долгинов Л.М., Дракин А.Е., Елисеев П.Г., Свердлов Б.Н., Скрипкин В.А., Шевченко Е.Г. Инжекционные лазеры на основе Уп&ЛР/УнР с пороговой плотностью тока

57. J-n =0,5 кА/см2. "Квантовая электроника", 1984 г., т.II, № 4, стр. 645-646.

58. YccwcLtuoto У. j TsccJLiyœ Ж. Уар^алем. иле ßab&i as ¡шатрЩйл. to Огс/исш. saiiCtOöii^. oj-ucwvvi- £œxz Оиле то, р 89- 92.71.

59. KoécujrGisfbù à., КСтига. Т. (Зоьип, ало! solluïo.ilotL роих/с о^ Zibonani M6aJs 6aжг а.трЩ1еХ - ëàdzo/г. Ш. , /3 U ¡ЛагсА У980, к i€t W6 , р. 250- 252.luiai T.j Yamccmoio У. Golùi, ^ыс^и^пс^р

60. Sano/wiUi cuzoL scctuxixtion output powcx of

61. ЖбоЛ m еа&ег атрЩилл.- IEEE, У. of

62. Quad. Südxon., iSU, v. H, p /028- i03k.73.

63. KotkujsAi S.} УшпсипСгЬъ X^ Kitnuza T. OptùccJt ?M signai arnptcffaaiüotzало/ ?M noiM. rzcLutiion in ал Lnjzotùon (ocÂjuoL MGaJIs temico/iис£ог 6as€zs IEEE. X öf Quarti. Efzvbcorit v. k* P- 5U.

64. ПЬлЛоиL Т., Уатат&Ь) У., Кстигсх T. S/W ounoLегго! zcüU регЦогтапи ш JEGaJs sttwiconoLtdnt (ots&i p-iACLmptOfciMc <xncL tihzoix t&ptcUet ьу$Ы.гтъч - ш -IEEE X оЦ Qccdd. fáctzoa.j то, v.1%, WM), pJ5G045£5.

65. Лазеры на красителях. Под ред. Шефера М.,"Мир", 1977 г.,р. 2756 27€5.

66. Дураев В.П., Елисеев П.Г., Курленков С.С., Скопин И.А. Ввод в волоконные световоды излучения заращенных мезапо-лосковых инжекционных лазеров, работающих в диапазоне 1,2 -1,6 мкм. "Квантовая электроника", 1983 г., т.Ю, № 3, стр. 633-635.

67. Елисеев П.Г., Лавров В.Н., Попов Ю.М. Влияние режима работы инжекционного лазера на эффективность ввода его излучения в волоконный световод. "Квантовая электроника" 1978 г., № 9, стр. 2038-2041.

68. Дедушенко К.Б., Семенов A.C., Смирнов В.Л., Шмалько

69. A.B., Метода согласования устройств интегральной оптики и волоконно-оптических линий связи. "Квантовая электроника", 1983 г., т. 10, № 9, стр. 1733 1763.

70. Аюнц Ю.Х., Беловолв М.И., Бородулин В.И., Дианов Е.М., Пашко С.А., Филимонов В.П., Цибуля А.Б., Швейкин В.И. Согласование одномодовых световодов с полупроводниковыми лазерами. "Квантовая электроника", 1982 г., т.9, № II, стр.2197-2203.

71. Голдобин И.С., Лукьянов В.Н., Солодков А.Ф., Табунов

72. B.П., Якубович С.Д. Инжекционный лазерный усилитель бегущей волны на основе двойной (уаЛбЛъ гетероструктуры. "Квантовая электроника", 1984 г. т.II, № 2, стр. 375-381.

73. Анненков Д.М., Богатов А.П., Елисеев П.Г., Охотников

74. О.Г., Пак Г.Т., Рохвальский М.П., Федоров Ю.Ф., Хайретдинов К.А. Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекцион-ного лазера в усилителе бугущей волны с частотой до 2 ГГц. "Квантовая электроника", 1984 г., т.II, № 2, стр. 231-232.

75. BB.Jhmdro/rQ ХЛ am/ Stnitf, WJ. Jnfatsty ixLottotv* on 6qJs ¿asez emission P&ys. вш, 1965, v.my j/dA, p. ±55-164.m' fÍloicfOLfi $Х and Jtdams X Quantum пасье. in, ь^лгихжоСиctcn всиыгз SoÍ.Ccl)^1972, v. íí, p. 245-255.

76. Mt<jjfl pACpJULIbCy, tboiw. in tfiz OiyCtpwt0Ä- (Л£й<х)М ínjadio-ri ¿asezb wüh dijjfcvtsbtьЫиьЬиш ало! wa\se.^uÀcLLriy /шсАа nourris -IËËE, X cl Guard. Sbdrmi., Í982, v.iZ, Wky p. 56k 568.uÁclÍ T.j Yamamoto У. f¿o¿b-Z c/7 an

77. МбаЛъ <W амър&$й>г. IEEE, X. of Quani. EJUdbxjon.} im, v. Wk, p. 56k-- Ш.93.

78. Simon XC.y sfxvzn-nzc X.L.} Cfoavit

79. CotTipazisLofi of nocb-t díaiaoteAíbéccb Ifciê-ty /Wwet ttQV€y¿ín(j.-u/ave- ígpz s^rncccHzdactot Ьжг ampti^àz^ &hvOuh7. ttitU. f i^ih QpxLÍ №Ъ, v. i9, p. 28$- 290.- ш

80. Дианов E.M., Кузнецов A.A. Спектральное уплотнение каналов в волоконно-оптических линиях связи. "Квантовая электроника", 1983 г., T.I0, № 2, стр. 245-264.

81. Дианов Е.М., Карасик А.Я., Мамышев В.П., Онищуков Г. И., Фомичев В.А. Прямые измерения дисперсии одномодовых волоконных световодов в области 1,15 1,4 мкм. Письма ЖЭТФ, 1984, т.10, № 9, стр. 518-522.

82. Белов A.B., Брайман М.П., Грудинин А.Б., ГУрьянов

83. Голдобин И.е., Лукьянов В.Н., Солодков А.Ф., Табунов

84. B.П., Пушкина Т.Н., Якубович С.Я. Двухкомпонентный гетерола-зер с оптическим управлением. "Квантовая электроника", 1983 г.,т. 10, № 12, стр. 2498-2500.

85. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках, М. Мир, 1973 г.1 102. Бурдун Г.Д., Марков Б.Н., Основые метрологии. М. Издательство стандартов, 1975 г.

86. Васильев М.Г., Ривлин Л.А., Солодков А.Ф., Харчев А.В., Цареградский В.Б., Якубович С.Д. Высокочастотные амплитудные шумы полосковых инжекционных лазеров. "Квантовая электроника", 1984 г., т.II, № II, стр. 2085-2088.

87. Григорьянц В.В., Дворников А.А., Ильин Ю.Б., Константинов В.Н., Прокофьев В.А., Уткин Г.М. Генерация радиосигналов в системе лазер-оптическая линия задержки. "Квантовая электроника", 1984 г., т.II, № 4, стр. 766-775.

88. Коэн Л.Г., Кайзер П., Линь Ц. Методы измерения потерь в волоконных световодах. ТИИЭР, 1980 г., т. 68, № 10, стр. 41-48.

89. Кимура Т. Вопросы одномодовой передачи цифровой информации. ТИИЭР, 1980 г., т. 68, № 10, стр. 114-121.

90. Хасэгава А., Кодама Ю. Передача сигналов оптическими солитонами в одномодовом волокне. ТИИЭР, т. 69, стр.57-64.

91. Баак К., Эльзе Г., Гроскопф Г., Вальф Г., Цифровая и аналоговая передача широкополосных сигналов по оптическим линиям. ТИИЭР, 1981 г. т. 71, № 2, стр. 8 21.

92. Суэмацу Я. Волоконно-оптическая связь в длинноволновом диапазоне. ТИИЭР, 1983 г., т.71, № 6 стр. 5 39.

93. НО. Основы волоконно-оптической связи. Перевод с англ. под редакцией Дианова Е.М. М., Сов. радио, 1980 г.

94. I. Симада С. Системотехника волоконно-оптических линий передачи на большие расстояния. ТИИЭР, 1980 г. т. 68, № 10, стр. 166-172. „- ш 112 • Усстас(сс X , ШъИлЯсс £ алс1 Кстиш Г

95. ИЗ. Морозов В.Н., Шидловский В.Р., Щумы и нелинейные искажения сигналов в волоконно-оптических системах. "Квантовая электроника", 1984 г., т. II, №7, стр. 1307-1313.

96. Голдобин И.С., Лукьянов В.Н., Солодков А.Ф., Якубович С.Д. Управление пичковым режимом генерирования двухком-понентного гетеролазера. "Квантовая электроника", 1984 г., т.И, № 12, стр. 2420-2423.- ЕйсЬооп. ЙЙ., , р. 479-Ш.