Ионолюминесценция и дефектообразование в широкощелевых кристаллах при воздействии тяжелых заряженных частиц тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

1. СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ

ВОЗБУЖДЕНИЙ И ДЕФЕКТОВ В ДИЭЛЕКТРИКАХ

1.1. РАДИАЦИОННЫЕ ПОВРЕЖДЕНИЯ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

1.1.1. Элементарные акты взаимодействия ионизирующего излучения с веществом

1.1.2. Смещение атомов в твердых телах при облучении

1.1.3. Смещение атомов при взаимодействии фотонов и нейтронов с твердым веществом ■'

1.1.4. Смещение атомов при взаимодействии электронов и ионов с твердым телом

1.1.5. Радиационные дефекты в кристаллах

1.1.6. Особенности треков заряженных частиц и распределения энергии в них

1.2. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ В ВеО и а-А

1.2.1. Дефектообразование в процессе роста кристаллов. Легирование примесями

1.2.2. Аддитивное и субстрактивное окрашивание

1.2.2. Радиационное окрашивание

1.2.3. Оптические свойства собственных дефектов

1.3. ОСТОВНО-ВАЛЕНТНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ 32 1.3.1. Спектрально-кинетические характеристики.

Механизм остовно-валентных переходов

1.3.3. Особенности высокоэнергетического возбуждения

1.4. ЗАДАЧИ НАСТОЯЩЕЙ РАБОТЫ

2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1.1. Кристаллы оксидов бериллия и алюминия

2.1.2. Кристаллы фторида бария и хлорида цезия

2.2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.2.1. Ускоритель тяжелых заряженных частиц

2.2.2. Радиационно - оптический комплекс на канале циклотрона

2.2.2. Исследование катодо- и фотолюминесценции

2.2.3. Обработка результатов эксперимента и модельные расчеты

3. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ОКСИДАХ БЕРИЛЛИЯ И АЛЮМИНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

3.1. Ионолюминесценция и дефектообразование в ВеО

3.2. Образование метастабильных дефектов в кристаллах ВеО под воздействием электронов

3.3. Ионолюминесценция и дефектообразование в кристаллах а-А

Выводы к главе

4. ОСТОВНО-ВАЛЕНТНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ CSCL И BAF2 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ

4.1. Ионолюминесценция кристаллов CsCl и ВаГ при воздействии тяжелых заряженных частиц

4.2. Катодолюминесценция кристаллов CsCl и ВаГ2 при облучении электронным пучком различной плотности

4.3. Рекомбинационное создание катионных экснтонов и тушение OBJI при больших плотностях возбуждения

Выводы к главе

Актуальность темы. Различные сферы деятельности, связанные с использованием радиационной техники и технологий требуют разработки многофункциональных материалов, устойчивых к воздействию интенсивных и многокомпонентных радиационных полей. Необходимость создания таких материалов определяется сверхактивными физическими процессами, которые приводят к быстрой деградации рабочих сред, изделий и невозможности их дальнейшего использования. Стабильность физических и конструкционных параметров материалов в потоках ионизирующих частиц и квантов определяется процессами диссипации поглощенной энергии в результате совокупности неэлементарных актов релаксации электронных возбуждений (ЭВ).

Модельные представления о релаксации ЭВ в неорганических диэлектриках в основном были выработаны на основе изучения процессов диссипации энергии в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). Развитые для ЩГК представления определили стратегию исследований неравновесных процессов с участием собственных и околопримесных ЭВ для других классов широкозонных диэлектриков, в том числе бинарных и сложных оксидов, фторидов, силикатов редкоземельных и щелочноземельных металлов. Эти материалы превосходят традиционно используемые ЩГК по таким ключевым параметрам, как быстродействие, радиационная, термическая и химическая стойкость, возможность работать в экстремальных условиях. Уникальное сочетание свойств определяется, прежде всего, отсутствием, либо крайне низкой эффективностью типичного для ЩГК механизма подпорогового дефектообразования. Поэтому, для изучения специфики процессов дефектообразования в таких материалах необходимо использовать корпускулярные излучения с энергиями, близкими и превышающими пороговые энергии ударного смещения компонентов кристаллической решетки. Отсутствие процесса подпорогового дефектообразования позволяет в чистом виде исследовать динамику радиационных последствий упругого соударения.

С другой стороны, особенности эволюции ЭВ при воздействии излучений различного вида и энергии являются физической основой методов селективной регистрации многокомпонентных радиационных полей. Так, недавними исследованиями установлено, что остовно-валентная люминесценция (ОВД) в некоторых широкощелевых кристаллах эффективно возбуждается рентгеновскими лучами и практически отсутствует при воздействии а-частиц. Этот факт требует системного изучения механизмов возбуждения ОВД излучениями разного типа, энергий и может быть положен в основу раздельной регистрации компонент смешанных радиационных полей. Отсутствие систематического исследования в данном направлении физики твердого тела обусловлено сложностью и трудоемкостью его практической реализации. Необходимость использования широкого ассортимента пучков тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) с регулируемым диапазоном энергий в сочетании со сложными спектрометрическими измерениями предъявляет жесткие требования к уникальному оборудованию эксперимента.

Цель настоящей работы - создание экспериментального комплекса, реализующего метод люминесцентно-оптической спектроскопии на циклотроне Р-7М Уральского государственного технического университета (УГТУ), систематическое исследование радиационно-оптических свойств широкозонных кристаллов при возбуждении ТЗЧ со средними энергиями 1 МэВ/нуклон и импульсными пучками электронов с энергиями вблизи порога ударного дефектообразования. Объекты исследования. Для изучения специфики ЭВ и образования дефектов при воздействии высокоэнергетичного корпускулярного излучения в широкощелевых материалах нами выбраны хорошо известные своей радиационной устойчивостью бинарные оксиды бериллия и алюминия (ВеО и а-А120з), фторид бария (BaF2) и типичный представитель класса ЩГК - хлорид цезия (CsCl). Исследуемые материалы уже нашли широкое применение в сфере радиационных и лучевых технологий. Оксид бериллия используется в качестве конструкционного материала ядерной энергетики и рабочего вещества тканеэквивалентных дозиметров. Оксид алюминия - элемент силовой оптики квантовых генераторов, подложка элементов микроэлектроники, рабочее вещество термолюминесцентного детектора ТЛД 500К. Фторид бария - широко используемый быстрый сцинтиллятор. Научная новизна. 1. На циклотроне УГТУ создан и внедрен в практику экспериментальный комплекс, реализующий люминесцентный метод исследования радиационно-оптических свойств твердых тел при возбуждении ионами FT, Не+, С+3, N*3, 0+4 и в диапазоне энергии-0.7-28 МэВ.

2. Впервые изучена ионолюминесценция кристаллов ВеО, а-А1203, BaF2, CsCl при возбуждении ионами Н+, Не+, N+3 со средней энергией 1 МэВ/нуклон.

3. Экспериментально обнаружено образование стабильных поверхностных F-центров в кристаллах ВеО и а-А1203 при воздействии ТЗЧ. Обнаружена и исследована ориентационная зависимость создания F-центров в кристаллах оксида бериллия от флюенса ТЗЧ.

4. Установлена специфика накопления F- и Р+-центров в кристаллах а

А12Оз, отличающихся исходной концентрацией дефектов, при облучении

16 2

ТЗЧ. При флюенсе 10 см" обнаружена агрегатизация элементарных дефектов. Определена температура разрушения агрегатных центров.

5. Экспериментально исследована остовно-валентная люминесценция в кристаллах CsCl и BaF2 под воздействием ионов Н4", Не+, 1ST1"3 различных энергий. Установлено влияние плотности возбуждений в треках частиц на световыход ОВД. Предложен механизм тушения ОВД при облучении ТЗЧ.

Практическая ценность работы. 1. На базе циклотрона УГТУ внедрен в практику экспериментальный комплекс для исследования радиационно-оптических свойств твердых тел при облучении ионами Ы, Не+, С+3, N+3, 0+4 и Аг+6.

2. Полученные в работе результаты являются научной основой понимания природы и прогнозирования радиационной устойчивости оптических сред на основе широкозонных диэлектриков в смешанных радиационных полях.

3. Созданные тяжелыми заряженными частицами поверхностные дефектные слои контролируемой толщины модифицируют свойства дозиметров (например, ТЛД 500 К на основе а-А1203) и расширяют их функциональные возможности для селективной дозиметрии короткопробежных заряженных частиц в многокомпонентных полях излучений.

4. Установленная избирательность возбуждения ОВЛ к типу и энергии излучения является физической основой метода селективной регистрации компонент радиационных полей.

Автор защищает. 1. Результаты исследований ионолюминесценции широкозонных кристаллов ВеО, а-А1203, BaF2, CsCl при возбуждении ионами Н4", Не+, N+3 различных энергий.

2. Эффект образования стабильных поверхностных F-центров в кристаллах ВеО и а-А12Оз при воздействии ТЗЧ.

3. Существование в кристаллах ВеО ориентационной зависимости создания F-центров при возбуждении ТЗЧ.

4. Условия агрегатизации одиночных F-центров в кристаллах оксида алюминия с различной начальной концентрацией дефектов.

5. Предложенный механизм тушения остовно-валентной люминесценции в кристаллах CsCl при облучении ТЗЧ низких энергий. Апробация работы. Основные результаты и выводы диссертации опубликованы в 14 работах и представлены на VIII, IX и X Межнациональных совещаниях «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 1998, 1999 и 2000 гг.), на 12 Международном конгрессе по твердотельным детекторам (Испания, 1998 г.), на XXIX Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1999 г.), на Международной конференции по неорганическим сцинтилляторам и их применению «SCINT'99» (Москва, 1999 г.), на конференции по радиационной физике Кыргизской республики (Бишкек, 1999 г.), на Семинаре по твердотельным детекторам (г. Заречный, 2000 г.), на первом Международном конгрессе по радиационной физике, сильноточной электронике и модификации материалов (Томск, 2000 г.).

Выводы к главе

В результате экспериментального изучения ОВЛ в кристаллах CsCl и BaF2 при возбуждении пучками ТЗЧ и электронов установлено:

1. Световыход ОВЛ при возбуждении мощными наносекундными импульсами электронов обнаруживает переход от линейного роста к стадии насыщения в области значений объемных плотностей возбуждения 1019 Эв • см"3.

2. Эффективность возбуждения остовно-валентной люминесценции ионами Н+, Не+, N+3 снижается с уменьшением энергии и ростом массы частиц и становится ничтожно малой при плотностях возбуждения в

20 3 треках ТЗЧ - 10iU Эв •см" . Использование режима каналирования ТЗЧ с целью снижения удельных ионизационных потерь и объемных плотностей возбуждения неэффективно для многокомпонентных кристаллов, каковыми являются объекты исследования.

3. Рекомбинационное образование катионных экситонов при больших плотностях возбуждения выступает как конкурирующий с ОВП канал преобразования энергии и доминирует при экстремально высоких объемных плотностях возбуждения. in

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На циклотроне Уральского государственного технического университета создан и внедрен в практику экспериментальный комплекс, реализующий люминесцентный метод исследования радиационно-оптических свойств твердых тел при облучении ионами Н+, Не+, С+3, N*, 0+4 и Аг+6 в диапазоне энергий 0.7-28 МэВ.

Изучены ионолюминесценция и процессы дефектообразования в широкозонных оксидах бериллия и алюминия, специфика возбуждения остовно-валентной люминесценции в кристаллах хлорида цезия и фторида бария при возбуждении пучками тяжелых заряженных частиц и электронов. Анализ полученных результатов позволяет сформулировать следующие основные выводы:

1. При воздействии тяжелых заряженных частиц в кристаллах ВеО образуются стабильные F-центры. Эффективность их образования зависит от флюенса возбуждающих частиц и ориентации образца. В кристаллах а-А120з ускоренные ионы создают F+- и F-центры, а при высоких флюенсах - агрегатные дефекты. Процессы образования и накопления центров окраски отличаются для образцов с различной исходной дефектностью.

2. При воздействии электронов с энергиями вблизи порога ударного дефектообразования в кристаллах оксида бериллия образуются метастбильные Р+-центры. Установленное направление деформации решетки при образовании метастабильных дефектов совпадает с оптической осью низкосимметричного кристалла ВеО.

3. Эффективность возбуждения свечения остовно-валентных переходов в кристаллах CsCl и BaF2 при воздействии ТЗЧ снижается при увеличении объемной плотности возбуждения и становится ничтожно

20 3 малой при значениях последней в 10iU Эв •см" . Рекомбинационное образование катионных экситонов при больших плотностях возбуждения выступает как конкурирующий с ОВП канал преобразования энергии и доминирует при экстремально высоких объемных плотностях возбуждения в кристаллах хлорида цезия и фторида бария.

Автор выражает огромную благодарность своему научному руководителю, профессору А.В. Кружалову за постоянную поддержку и всестороннюю помощь в проведении эксперимента, обсуждение результатов и работе над диссертацией.

Огромное спасибо научным консультантам доценту В.Ю.Иванову и с.н.с. Ф.Г.Нешову за участие в экспериментах и квалифицированную помощь в обсуждении полученных результатов.

Особую признательность автор выражает академику Лущику Ч.Б. и коллективу Института физики Тартусского университета под его руководством за совместные экспериментальные работы и плодотворное обсуждение научных идей, постоянную дружескую поддержку и сотрудничество.

Автор также благодарит коллективы циклотрона Р7-М УГТУ-УПИ во главе со Сметаниным Г.И. и Электро-физической лаборатории во главе с Нешовым Ф.Г. за непрерывное техническое обеспечение работы. Отдельное спасибо коллективу лаборатории импульсных процессов института Электрофизики УрО РАН за проведение экспериментов на ускорителях электронов.

Автор признателен профессору В. А. Пустоварову, доцентам А.Ю.Кузнецову, К.В.Баутину, аспиранту А.В. Коротаеву за участие в обсуждении научных результатов и поддержку.

Огромная благодарность своей жене, сыну, родителям, родственникам и всем друзьям за понимание и поддержку во время учебы в аспирантуре и написании диссертации.

1. Wigner Е.Р. Theoretical Physics in the Metallurgical Laboratory of Chicago // J.Appl. Phys. 1946. V.17. P.857.

2. Lind S.C. Chemical Effects of a-Particles and Electrons // N.Y. Chemical Catalogue Company, 1928.

3. Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел // Перев. с англ. Атомиздат, 1970 г., 240 с.

4. Seits F., Koehler J. // Solid State Phisics / Ed. F.Seits, D.Turnbull.-N.Y.: Acad.press, 1956. V.2. P.305-448.

5. Clarke E.D. Disc. Farad. Soc. 1961. V.31.

6. Lucasson P.G., Walker R.M. Production and Recovery of Electron-Induced Radiation Damage in a Number of Metals // Phys. Rew.1962. V.2. P.127.

7. Беляев P.А. Окись бериллия. Изд.2, перераб. и доп. М.: Атомиздат, 1980, 224 с.

8. Pells G.P.and Phillips D.C. Radiation Damage of a-Al203 in the HVEM.l. Temperature dependence of the displacement threshold// J. of Nuclear Matireals. 1979. V.80. P.1208-1214.

9. Лущик Ч.Б., Эланго M.A. Электронное возбуждение и радиационное окрашивание ионных кристаллов // Тр. ИФА АН СССР. 1969. №36. С.57-108.

10. Kinchin G.H., Pease R.S. Reports on Progress in Physics. 1955. N.18.1. P.l.

11. Oen O.S., Holmes D.K. Cross Sections for Atomic Displacements in Solid by Gamma Rays // J.Appi.Phys. 1959. V.30. P. 1289.

12. Лущик Ч.Б., Эланго M.A. О механизмах радиационного окрашивания ионных кристаллов // Тр. ИФА АН ЭССР. 1964. Т.26. С.93-111.

13. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках.-М.: Наука, 1981.-368 с.

14. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах.-М.: Наука, гл. ред. физ.-мат. лит., 1989.-264 с.

15. Brinkman J. On the Nature of Radiation Damage Metals // J.Appi.Phys. 1954. У.25. P.961.

16. Biearsack J.P., Haagmark L.G. A Monte-Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets // Nuclear Instrum. and Methods. 1980. V.174. P.257-269.

17. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. -М.: Физматгиз, 1963.-315 с.

18. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах / перевод с англ. -М.: Мир, 1971. 240 с.

19. Sharp J.V.Rumsby D. // Radiat. Eff. 1973. V.17. N.l. P. 65-68.

20. Williams R.T. Discussion of the time and temperature dependence of the F-center formation in alkali halides // Semiconductors and Insulators. 1983. V.5. P. 457-472.

21. Balzer R., Peisl H., Wiadelich W. Gitterfehlordung in KC1 mit Farbzentren // Ztschr. Phys. 1967.

22. Clinard F.W., Hobbs L.W. Radiation effects in non-metals // Physics of radiation effects in crystals / Ed. by R.A. Johnson, A.N.Orlov.- Amsterdam etc.: Elsevier Sci. Publ. 1986. P. 387-472.

23. Clinard F.W., Hurley G.F., Hobbs L.W. Neutron irradiation damage in MgO, A1203 and MgAl204 ceramics // J. Nuclear Materials. 1982. V.108/109.-P.655-670.

24. Шварц K.K., Экманис Ю.А. Диэлектрические материалы: Радиационные процессы и радиационная стойкость. Рига: Зинатне, 1989. -187 с.

25. Ш. Вайсбурд Д.И., Мелик-Гайказян И.Я. Уравнения радиационного накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах//ДАН СССР. 1965. Т.165. № 5. с.1029-1032.

26. Механизм радиолиза воды. И Мат. совещ. по радиац. химии МГУ. М.: 1968. С.70.

27. Аллен А.О. Радиационная химия воды и водных растворов. М.: Госатомиздат. 1963. 203 с.

28. Стародубцев С.В. Т. 2. Ядерная физика. Взаимодействие излучения с веществом. Издательство ФАН Узбекской ССР. 1970. 379 с.

29. Вайсбурд Д.И., Меликян JI.A., Тереньтьев Н.Л. Кинетика обратимой коагуляции Fi в Fn центры в треках протонов кристаллов NaCl // Изв. ВУЗов СССР. Физика. 1970. № 12. С.33-39.

30. Стародубцев С.В. Радиационная физика. Ташкент: ФАН АН УзССР. 1970. Т.4. 331 с.

31. Вайсбурд Д.И., Воробьев А.А., Меликян Л.А. Эффективные поперечные сечения треков протонов и а-частиц в ионном кристалле // Атомная энергия. 1971. Т.30. № 6. С.538.

32. Мильман И.И. Термостимулированные процессы в облученных широкозонных оксидах с нарушенной стехиометрией: Дисс. доктор физ.-мат. наук. Екатеринбург. 1999. 426 С.(Уральский государственный технический университет).

33. Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости -М.: Наука, 1977, 252 с.

34. Воробьев А.А. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах.-Томск: ТГУ, 1968.-390 с.

35. Горбунов С.В. Центры окраски в кристаллах оксида бериллия: Дисс. канд. физ.-мат. наук. Свердловск. 1986. 209 С.(Уральский политехнический институт).

36. Lee K.H. and Crowford J.H. Luminescence of F-centers in Sapphire // Phys. Rew. B. 1979. V.19. N.6. P.3217-3221.

37. Валбис Я.А. и др. Дефекты решетки и люминесценция монокристаллов а-А1203. I. Аддитивное окрашивание кристаллов // Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ. и техн. Наук. 1997.№ 5. С.51-57

38. Кружалов А.В., Горбунов С.В., Шульгин Б.В., Маслов В.A. F-центр в облученных и аддитивно-окрашенных кристаллах ВеО // Письма в ЖТФ. 1984. Т.10. В.24. С.1503-1507.

39. Evans B.D. and Stapelbroek М. Оптический колебательный спектр поглощения в сапфире, облученном нейтронами с энергией 14 МэВ // Solid State Comm. 1980. V.33. Р.765-770. '

40. Вахидов Ш.А. и др. Некоторые оптические характеристики центров поглощения и люминесценции кристаллов корунда, наводимых реакторным излучением // Изв. АН УзССР. 1976. № 4. С.65-67.

41. Вахидов Ш.А. и др. Люминесцентные характеристики нейтронно наведенного дефекта в кристаллах корунда // Изв. АН УзССР. 1976. № 4. С.69-72.

42. Bunch J.M. Повреждения монокристаллов а-А1203 нейтронами с энергией 14 МэВ К J. American Ceramic Society. 1974. Y.56. N6. Р.279-280.

43. La S.V.F+-neHTpbi в окиси алюминия облученной в реакторе // J. Phys. Chem. Solids. 1979.V.34. Р.1079-1086.

44. Evans B.D. Соотношение повреждений в окиси алюминия, вызванных тормозными нейтронами и нейтронами деления // J. of Nuclear Materials. 1979. Y.85, 86. Р.472-502.

45. Акимович И.Н. и др. Оптические свойства рубина, облученного электронами больших энергий // УФЖ. 1974. Т.19. № 3. С.402-404.

46. Compton V.D. and Arnold G.W. Radiation effects in fused silica and a-Al203 // Discussion of thr Faraday Society. 1961. N31. P.130-139.

47. Arnold G.W. Влияние атомных смещений и ионизации на оптическое поглощение и структурные свойства ионно-имплантированного а-А1203 //Appl. Phys. Lett. 1974. У.IS. N10. Р.540-542.

48. Чайковский Э.Ф. и др. Образование центров окраски в монокристаллах лейкосапфира, облученного ионами аргона // ЖПС.1982. Т.37. В.4. С.860-862.

49. Кружалов А.В., Горбунов С.В., Шульгин Б.В., Маслов В.А. F-центр в облученных аддитивно-окрашенных кристаллах ВеО // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. №.24. С.1503-1507.

50. Анцыгин И.Н., Иванов В.Ю., Кружалов А.В. Новый парамагнитный центр в оксиде бериллия //ЖТФ. 1988. Т.58.В.З.С.635-637.

51. Анцыгин И.Н., Горбунов С.В., Кружалов А.В., Карнер Т.Н. Образование и свойства V0 центра в кристаллах оксида бериллия // ФТТ.1990. Т.32. №.8. С.2470-2472.

52. Анцыгин И.Н., Горбунов C.B., Кружалов А.В. и др. Центры окраски в нейтронно облученных кристаллах оксида бериллия // Тезисы доклада VI Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1986. С.359-360.

53. Анцыгин И.Н., Горбунов С.В., Кудяков С.В. Агрегатные центры в кристаллах оксида бериллия при высоких флюенсах нейтронного облучения // Тез. докл. II Респ. конф. «Физика твердого тела и новые области ее применения». Караганда, 1990. С.184.

54. Кружалов А.В., Огородников И.Н., Кудяков С.В. Излучательная релаксация низкоэнергетических электронных возбуждений и точечные дефекты в оксиде бериллия // Известия ВУЗов. Физика. 1996. Т.39. № 11. С.76-93.

55. Иванов В.Ю., Пустоваров В.А., Горбунов С.В., Кружалов А.В. Релаксация электронных возбуждений в оксиде бериллия: 1. Автолокализованные экситоны // ФТТ.1994. т.36.№ 9. С.2634-2647.

56. Ivanov V.Yu., Pustovarov У.А., Kruzhalov A.V., Kirm M., Zimmerer G. and Zinin E.I. Fast relaxation in oriented BeO crystals after pulse X-ray and VUV excitations // Proc. Of 11th Conf. On Radiation Physics and Chemistry. Tomsk 2000. P.204-207.

57. Lee K.H., Holmberg G.E., Crawford J.H. Optical and ESR studies of hole centers in irradiated a-Al203 // Phys. Stat. Sol. 1977. V.31. P.669-674.

58. Gamble F.T., Bartram R.H., Yang C.G., Gilliam OR., Levy P.W. Electron-spin resonances in gamma ray irradiated aluminium oxide // Phys. Rew. 1964. V.134. N.3. P.589-595.

59. Cox R.T. Electron-spin resonance studies of holes prapped at Mg, Li and cattion vacancies in a-Al203 // Sol. St. Comm. 1971. V.9. P. 1989-1992.

60. Lee K.H., Crawford J.H. Electron centers in single crystal A1203 // Phys. Rew. B. 1977. V.15. N.8. P.4065-4070.

61. Валбис Я.А., Спрингис M.E. Дефекты решетки и люминесценция монокристаллов а-А1203.1. Аддитивно окрашенные кристаллы // Изв. АН Латв.ССР. Сер физ. и техн. Наук. 1977. № 5. С.51-57.

62. Сюрдо А.И., Кортов B.C., Мильман И.И. Генерация агрегатных F-центров при облучении корунда быстрыми электронами // Письма в ЖТФ.1985. Т.11. № 15. С.943-947.

63. Кулис П.А. Процессы излучательной рекомбинации и автолокализация электронных возбуждений в кристаллах а-А1203: Дисс.канд. физ.-мат .наук. Рига. 1987. 153 С.(Латвийский государственный университет имени Петра Стучки).

64. Кулис П.А., Рачко З.А., Спрингис М.Е., Тале И.А., Янсонс Я.Л. Люминесценция автол окал изованных экситонов в а-А^Оз // Тез. докл.УН Всесоюзн. конф. по физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействием с веществом ВУФ-86, Рига, 1986. С.53.

65. Майсте А.Л., Саар А.А., Эланго М.А. Экситонные и зонные эффекты в К-спектрах Li в ионных соединениях // ФТТ.1974. Т. 16. № 6. С.1720-1724.

66. Родный П.А., Иванов В.А. // Тез. докл. VIII Всесоюзной конф. по сцинтилляторам. Харьков. 1981. С.67-68.

67. Родный П.А. Остовно-валентные переходы в широкозонных ионных кристаллах// ФТТ.1992. Т.34. № 7. С.1975-1998.

68. Александров Ю.М., Махов В.Н., Родный П.А., Сырейщикова Т.И., Якименко М.Н. Собственная люминесценция BaF2 при импульсном возбуждении синхротронным излучением // ФТТ. 1984. Т.26. № 6. С.2865-2867.

69. Родный П.А. // Тез. докл. XXX Всесоюзного совещ. по люминесценции. Ровно. 1984. С.117.

70. Валбис Я.А., Рачко З.А., Янсос Я.Л. Коротковолновая ультрафиолетовая люминесценция кристаллов BaF2, обусловленная перекрестными переходами // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т.42. № 4. СЛ40-142.

71. Александров Ю.М., Куусманн И.Л., Либлик П.Х., Лущик Ч.Б. Махов В.Н., Сырейщикова Т.И., Якименко М.Н. Излучательные переходы между анионной и катионной валентными зонами в кристаллах CsBr // ФТТ. 1987. Т.29. № 4. С.1026-1029.

72. Makhov Y.N. Investigation of fast luminescence in ionic crystals under pulsed synchrotron radiation excitation at the S-60 electron synchrotron // Nucl. Inslr. Methods. 1991. V.A308. P. 187-189.

73. Kuusmann I., Kloiber Т., Laasch W. and Zimmerer G. Radiat. Effects and Defects in Solids Intrinsic and extrinsic crossluminescence in ionic crystals // 1991. V. 119. P. 21 -26.

74. Van Eijk C.W.E. Development of inorganic scintillators // Nucl. Instr. Methods. 1997. V.A392, P.285-290.

75. Combes C.M., Dorenbos P, Hollander R.W., Van Eijk C.W.E. // Nucl. Instr. Methods. 1998. V.A416, P.364-370.

76. Махов B.H. Разрешенная во времени люминесцентная спектроскопия широкозонных кристаллов с использованием синхротронного излучения // Дисс. докт. физ.-мат. наук. Москва. 1997. (Физический институт им. П.Н. Лебедева, РАН).

77. Родный П.А. Остовно-валентные переходы в ионных кристаллах// Опт. и спектр. 1989. Т.67. № 5. С.1068-1074.

78. Poole R.T., Jenkin J.G., Liesegang J. Leckey R.C.G. Electronic band structure of the alkali halides. I. Experimental parametrs // Phys. Rew. B. 1975. V.l 1. N.12. P.5179-5189.

79. Smith J.A., Pong W. Ultraviolet photoelectron spectra of cesium halides // Phys. Rew. B. 1975. V. 12. N 12. P.5931-5936.

80. Inouye C.S., Pong W. Ultraviolet photoelectron spectra of rubidium halides // Phys. Rew. B. 1977. V.l5. N4. P.2265-2271.

81. Poole R.T., Szajman J., Leckey R.C.G., Jenkin L.C., Liesegang J. Electronic structure of the alkaline-earth fluorides studied by photoelectron spectroscopy // Phys. Rew. B. 1975. V.12. N 12. P.5872-5877.

82. Головин A.B., Захаров Н.Г., Родный П.А. Механизм коротковолновой люминесценции фторида бария // Опт. и спектр. 1988. Т.65. № 1.С. 176-180.

83. Акерман С.Г. Люминесценция CsCl выше температуры фазового перехода// Опт.и спектр. 1981. Т.51. № 5. С.932-933.

84. Ермаков JI.А., Родный П.А., Старостин Н.В. Расчет плотности состояний и вероятности оптических переходов в кристаллах BaF2, SrF2 и CaF2 // ФТТ.1991. Т.ЗЗ. № 9. С.2542-2545.

85. Kubota S., Itoh М., Ruan (Gen) J., Hashimoto S., Sakuragi S. Observation of interatomic radiative transition of valence electrons to outermost-core hole states in alkali halides // Phys. Rew. Lett. 1988. V.60. N22. P.2319-2322.

86. Kubota S., Itoh M., Ruan (Gen) J., Hashimoto S., Sakuragi S. A new type of luminescence mechanism in large band-gap insulators: proposal for fast scintillation materials // Nucl. Instr. Methods. 1990. V.A289. N.2. P.253-260.

87. Rodnyi P.A. and Terrekhin M.A. Radiative core-valence transitions in alkali halides//Phis. Stat. Solid. B. 1991. V.166. N.l. P.283-288.

88. Kubota S., Itoh M., Hashimoto S., Sakuragi S. Auger-free luminescence due to interatomic transitions of valence electrons into coreholes in BaF2 // Solid State Comm. 1988. V.65. N.6. P.523-526.

89. Kubota S., Kanai N., Ruan (Gen) J. Fine structure of fast luminescence component from BaF2 crystal excited by fast electrons // Phis. Stat. Solid. B. 1987. V.139, N.2. P.635-637.

90. Schotanus P., Van Eijk C.W.E., Hollander R.W., Pijpeling J. Development study of a new gamma camera II IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. V.NS-34. N.l. P.272-276.

91. Moszynski M., Gresset C., Vacher J., Odru R. Properties of CsF, a fast inorganic scintillator in energy and time spectroscopy // Nucl. Instr. Methods. 1981. Y.179. N.l. P.271-276.

92. Kimara K., Matsujama Т., Kumagai H. // Radiat. Phys. Chem. 1989. V.34. N.4. P.575-579.

93. Satpathy S. Electron energy bands and cohesive properties of CsCl, CsBr and Csl // Phis. Rew. B. 1986. V.33. N.l2. Pt.2. P.8706-8715.

94. Saguawara H., Sasaki Т. Photoelectric yield spectra of K-, Rb- and Cs-halides in photon energy range 10 to 40 eV // J. Phys. Soc. Jap. 1979. V.46. N.l. P.132-142.

95. Shi C., Kloiber Т., Zimmerer G. // Proc. of Conference on Synchrotron Radiation Applications. China. 1990. P.468-471.

96. Карлсон Т. Фотоэлектронная Оже-спекгроскопия. М.: Мир, 1981. ЮО.Валбис Я.А., Рачко З.А. Кросслюминесценция сложныхгалогенидных кристаллов // Известия Росс. АН., Сер. Физ. 1992. Т.56. № 2. С.96-102.

97. Денисов И.П., Кравченко В.А., Моловичко А.В., Яковлев В.Ю. Двух галоидная дырочная автолокализация и люминесценция в галогенидах тяжелых металлов // ФТТ. 1989. Т.31. № 7. С.22-25.

98. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // под. пед. Д. Бриггз, М.П. Сих. М.: Мир, 1987.598 с.

99. Kimura K. and Wada J. Excitation-density-dependent competition between radiative and nonradiative annihilations of core holes produced by ion irradiation of a single-crystalline BaF2 // Phys.Rev. B. 1993 V.48. N.21. P.15535-15539.

100. Кулябин Б.Е., Лобач B.A., Кружалов А.В. Зонная структура и параметры основного состояния оксида бериллия // ФТТ. 1990. Т.32. №12. С.3685-3687.

101. Юб.Грум-Гржимайло С.В., Классен-Неклюдова М.В. Основные свойства монокристаллов рубина и лейкосапфира по литературным данным.- В кн.: Рубин и сапфир. М.: Науку, 1974. С. 11-17.

102. Мейельман M.JI., Самойлович М.И., Введение в спектроскопию ЭПР активированных монокристаллов. М.: Атомиздат. 1977. 272 с.

103. Evarestov R.A., Ermoshkin A.N., Lovchikov V.A. The energy band structure of corundum // Phys. Stat. Solid. B. 1980. V.99. P.387-396.

104. Batra I.P. Electronic structure of a-Al203 // J. Phys. C: Solid St. Phys. 1982. V.15. N.26. P.5399-5410.

105. Ciraci S., Batra I.P. Electronic structure of a-aluminia and it's defect states // Phys. Rew. 1983. V.28. N.2. P.982-992.

106. Reilly M.H. Temperature dependence of the short wave length transmittance limit of vacuum ultraviolet window materials II Theoretical, including interpretations for UV spectra of Si02, Ge02 and A1203 // J. Phys Chem. Sol. 1970. V.31. P.1041-1056.

107. Эварестов P.А., Котомин E.A., Ермошкин A.H. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощклевых твердых телах. Рига. Зинатне. 1983. 287 с.

108. Ильма Е.Р., Кузнецов А.И. Фотопроводимость А1203 в области края собственного поглощения // ФТТ. 1972. Т.14. № 5. С.1464-1471.

109. Balzaroti A., Bianconi A. Electronic structure of aluminium oxide as determined by X-ray photoemission// Phys. Stat. Sol. B. 1976. V.76. P.689-694.

110. Маслов В.А. Исследование условия выращивания и свойств кристаллов оксида бериллия: Дисс. канд. техн. наук. Свердловск. 1981. 167 с. (Уральский политехнический институт).

111. Growth of ВеО monocrystals from solution-melt by Czochralski-Kiropulos method // International union of crystallography: XV Congress and General Assembly. Bordeaux. 1990. PS-13.03.02.

112. Бокий Г.Б. Введение в кристаллохимию M.: Изд-во МГУ. 1954. 491 с.

113. Акустические кристаллы. Справочник / Блистанов А. А., Бондаренко B.C., Чкалова В.В., , Переломова Н.В., Стрижевская Ф.Н. подред Шаскольской М.П. М.: Наука. Главная редакция физ.-мат. литературы, 1982. 632 с.

114. Мельчаков Е.Н., Родный П.А., Рыбаков Б.В., Смаков А.Я., Терехин М.А. Излучательные остовно-валентные переходы в кристаллах CsCl и CsCaCl3 // ФТТ. 1989. Т.31. № 5. С.276-278.

115. Комар Е.Г. Основы ускорительной техники. М.: Атомиздат. 1975. 368 с.

116. Лущик Ч.Б., Савихина Т.В., Мерилоо А.И., Соовик Х.А. Электронные возбуждения и люминесценция ортофосфатов и галофосфатов щелочных металлов // Тр. ИФА АН ЭССР. 1982. т.58. С. 123141.

117. Kirm М. Investigation of wide gap crystals and highly charged ions in the vacuum ultraviolet using synchrotron radiation and accelerated ions // Academic Anhandling. Department of Physics. University Lund. 1995. P. 13-15.

118. Ibragimov R.U., Savikhin F.A. Cross and interband luminescence of CsCl crystals // Phys. Sol. State. 1993. V.35. N.6. 744-748.

119. Котов Ю.А., Соковнин С.Ю. '// Частотный наносекундный ускоритель электронов УРТ-0,2 // ПТЭ.1997. Т.4. С.84-86.

120. Kotov Yu.A., Sokovnin SYu. Repetitive pulsed electron accelerator URT-0.5 // Abstracts of 12th Intern. Conf. On High Power Part. Beams. Haifa. Israel. 1998. P.5.

121. Экспериментальные ' исследования оптического излучения твердых тел при бомбардировке тяжелыми заряженными частицами / Рябухин О.В., Иванов В.Ю., Кружалов А.В., Нешов Ф.Г. // «Применение нейтронов в онкологии»: сб. тр., Томск, 1998. С.26.

122. Dexter D.L. X-ray coloration of alkali-halides // Phys. Rew. 1954. V.93. N.5. P.985-992.

123. Вайсбурд Д.И., Кравец A.H., Меликян JI.A., Минаев С.М. Механизм разрушения Р2-центров в треках протонов в щелочногалоидных кристаллах// ФТТ. 1970. Т. 12. № 10. С.2788-2790.

124. Вайсбурд Д.И., Матлис С.Б. Симметрия дырочных состояний и порог рекомбинационно-ударного механизма генерации френкелевских пар дефектов // Сб. тез. III Всесоюзного совещ. по радиационной физике и химии ионных кристаллов // Рига, 1975. С.33-34.

125. Точечные дефекты в твердых телах: сборник статей, перевод с англ. под ред. БолтаксаБ.И. и др.-М.: Изд. "Мир", 1979.-384 с.

126. Исследование кросслюминесценции при возбуждении тяжелыми заряженными частицами / Рябухин О.В., Иванов В.Ю., Кружалов А.В., Нешов Ф.Г. // Известия Академии наук. Сер. Физическая. 2000. Т.64, №11. С.2207-2208.

127. Вайсбурд Д.И., Воробьев А.А., Меликян Л.А. Атомная энергия. Т.ЗО. №6. С. 538-539.

128. Рябов В.А. Эффект каналирования. -М.: Энергоатомиздат. 1994. -240 с.

129. Кумахов М.А., Ширмер Г. Атомные столкновения в кристаллах. -М.: Атомиздат, 1980.-192 с.

130. Pabst A.G., Palmer D.W. Rad. Damage and Defects in Semiconductors. -Institute of Physics, London, 1973.

131. Vaisburd D.I. and Semin B.N. Intraband radioluminescence of dielectrics // Bull. Rus. Acad. Sci. Phys: Ser. 1992. Y.56. P.201-206.

132. Э.Р.Ильмас, Р.А.Кинк, Г.Г.Лийдья, Ч.Б.Лущик. Взаимное превращение электронных возбуждений в ионных кристаллах // Труды

133. Инст. Физ. АН Эстонской ССР 1963 № 23. С. 221-224; Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1965. Т.29, № 1. С.28-35.

134. Ибрагимов К.У., Лущик А.Ч., Лущик Ч.Б., Фрорип А.Г., Яансон Н.А. Экситонные и электрон-дырочные процессы в кристаллах CsCl и CsCl:Tl // ФТТ. 1992. Т.34. № 11. С.3421-3428.

135. Kamada М. Fujii Y., Fukui К. Proc. 10th Intern. Conf, YLV Radiation Physics. Paris. 1992. P.41.

136. V.N.Makhov, M.A.Terekhin, I.H.Munro, C.Mythen, D.A.Skan Temperature dependence of cross-luminescence bandwidth // J.Lumin.1997. V.72-74. P.114-115.

137. V.N.Makhov, L.Kuusmann, J.Becker. M.Runne, G.Zimmerer. Crossluminescence at high temperature // J. El. Spectr. Rel. Phen. 1999. V.101-103. P.817-820.