Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Получение и физико-химические свойства пористого кремния.

1.1. Формирование пористой структуры при анодной электрохимической обработке монокремния.

1.2. Структура и физико-химические свойства пористого кремния.

1.3. Электрические свойства пористого кремния.

1.4. Емкостные свойства пористого кремния.

Постановка задачи диссертационной работы.

Глава 2. Характеристика образцов и методика проведения экспериментов.

2.1. Характеристика исследуемых образцов.

2.2. Методика измерения вольт-емкостных и частотно-емкостных характеристик.

2.3. Методика измерения вольтамперных характеристик высокоомных структур. Определение удельного сопротивления приповерхностных слоев пористого кремния и переходного сопротивления контактов А1/пористый кремний.

Глава 3. Диффузия водорода в матрицу пористого кремния при порообразовании и пассивация примесных атомов.

3.1. Процессы диффузии водорода в кремниевую матрицу во время анодной электрохимической обработки.

3.2. Анализ экспериментальных результатов для макропористого кремния.

3.2.1. Модель пассивации примесных атомов водородом.

3.2.2. Обеднение за счет искривления зон на стенках пор.

3.2.3. Модель захвата носителей на дефектах на стенках пор.

3.3 Влияние кратковременного термического отжига на удельное сопротивление пористого кремния с различной структурой пор. Анализ полученных результатов с точки зрения модели пассивации примесных атомов водородом.

3.4. Влияние кратковременной термообработки на переходное сопротивление контактов А1/пористый кремний.

3.5. Влияние лазерного отжига на свойства А1 контактов и удельное сопротивление пористых кремниевых слоев.

Глава 4. Исследование емкостных свойств структур с толстыми высокоомными слоями пористого кремния.

4.1. C-V и G-V характеристики структур на частоте 1 МГц.

4.2. Частотная зависимость емкости.

4.3. Зависимость диэлектрической проницаемости пористого кремния от пористости. Анализ диэлектрической проницаемости пористого кремния в рамках двухфазной системы.

Глава 5. Процессы переноса носителей заряда в структурах с толстыми слоями пористого кремния при пористости 50-70%.

Основные результаты диссертационной работы.

Благодарности.

Кремний широко используется в электронике и является хорошо изученным полупроводниковым материалом. Кремний может быть получен в монокристаллической, поликристаллической, микрокристаллической, нанокристаллической и аморфной формах. Еще одна структурная модификация кремния - пористый кремний (ПК) известна чуть более сорока лет. Возможность превращения монокремния в пористый кремний при анодной электрохимической обработке была открыта Ухлиром (Uhlir) [1]. С конца 60-х годов пористый материал нашел свое применение в технологии микроэлектроники. Окисление ПК для изоляции областей в микросхемах было практически использовано в 1969 г. корпорациями Sony и NTT. Дальнейшее изучение свойств этого материала привело к разработке целого ряда оригинальных технологических решений, позволяющих изготавливать полупроводниковые приборы и микросхемы с улучшенными характеристиками. Изоляционные методы, основанные на окислении ПК, получили название IPOS-технологии (Isolation by Porous Oxidized Silicon). Были разработаны разнообразные IPOS-модификации (EPOS- р-типа, IPOS- n-типа и т.д.) как возможная альтернатива изоляции р-n переходом и изопланарным методам. В середине 70-х годов была разработана FIPOS-технология (Full IPOS), подразумевавшая полную диэлектрическую изоляцию, основанную на пористом материале. Все это в дальнейшем привело к появлению целого класса технологий КНИ (кремний на изоляторе). Предполагалось применение ПК для получения толстых (более 1 мкм) диэлектрических пленок, создания антиотражающих покрытий солнечных батарей, формирование резисторов интегральных микросхем с широким диапазоном создаваемых номиналов и других функциональных элементов ИМС. Открытие Канхамом (Canham) [2] в 1990 году интенсивной видимой фотолюминесценции ПК при комнатной температуре, свойство - которым не обладает обычный кремний, вызвало огромный интерес к технологиям, основанным на ПК. Работы по исследованию оптических свойств ПК позволили выявить новую область применения ПК, а именно: создание оптопар -фотоприемников и излучателей полностью на основе кремния, а также электролюминесцентных приборов. На сегодняшний день применение ПК было предложено и частично опробовано на практике для множества устройств [3-5]. Сюда входят плотноупакованные элементы динамической памяти, функциональные элементы сверхбольших интегральных схем, КНИ-структуры, солнечные батареи, фотодетекторы, светодиоды, фотонные кристаллы, электролюминесцентные дисплеи, термоизоляторы, волноводы, конденсаторные структуры, а также разного рода датчики, газоанализаторы, сенсоры. ПК нашел применение в медицине (биосенсоры, биоматериалы, биоинтегрированная электроника), технике (мониторинг воздуха и влажности), электротехнике, микро-и наноэлектронике и др. Вместе с этим остаются нерешенными многие вопросы, касающиеся ПК. Это и единая теория электрохимического формирования ПК из монокремния (МК) и теория фотолюминесценции пористого материала, а также универсальная концепция электрических свойств ПК. В настоящее время отсутствует теория процессов переноса носителей заряда в ПК и единое представление о причинах высокого удельного сопротивления пористого материала. Одновременно недостаточно исследованы емкостные свойства и не разработаны методы стабилизации электрических и люминесцентных свойств пористых слоев, противоречивы сведения о свойствах переходов пористый кремний-металл и пористый кремний-монокремний и т.д.

Данная диссертационная работа посвящена изучению электрических свойств структур А1/ПК, А1/ПК/МК/А1 со слоями пористого кремния, полученного методом анодной электрохимической обработки, на пластинах р- и n-типов проводимости, толщиной от 17 до 190 мкм и пористостью от 5 до 68% с целью выявления процессов протекающих в пористых кремниевых слоях и определения электрических параметров ПК и переходов А1/ПК.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Проведен анализ пассивирующего действия водорода на примесные атомы в ходе формирования ПК и показано влияние этого эффекта на величину удельного сопротивления пористых кремниевых слоев.

2. Продемонстрировано, что термическое воздействие на пористый материал приводит к эффектам депассивации примесных атомов и изменению проводимости слоев ПК.

3. Установлено, что наличие или отсутствие аморфизированной пленки на поверхности пористого слоя влияет на сопротивление контактов А1/ПК и поверхностное сопротивление слоя ПК.

4. Предложен метод определения электрических параметров высокоомного ПК на основе применения тестовых структур с толстыми (d>50 мкм) слоями ПК. Определены величины диэлектрической проницаемости пористого слоя в зависимости от пористости, частоты и температуры, получены значения подвижности носителей заряда и концентрации ловушек в пористом материале.

Практическая значимость диссертации заключается в следующем:

1. Показана возможность использования структур А1/ПК/МК/А1 с толстыми пористыми слоями для определения электрических параметров ПК. Наличие толстого слоя пористого материала приводит к подавлению нелинейных явлений на контактах и к возможности получения результатов, относящихся к пористому материалу.

2. Предложено использование модифицированного четырехзондового метода для проведения измерений электрических параметров приповерхностных слоев ПК на Si подложках.

3. Предложены методы снижения переходных сопротивлений алюминиевых контактов к слою пористого кремния различной морфологии.

Содержание диссертации изложено в пяти главах. В первой главе представлен обзор литературных данных по механизмам образования пористых кремниевых слоев в процессе анодной электрохимической обработки МК и по их структурным, электрическим и емкостным свойствам. Показано, что в литературе отсутствует единая концепция высокого удельного сопротивления ПК, для структур А1/ПК/МК/А1 имеются противоречивые сведения об электрических свойствах переходов А1/ПК и ПК/МК и характере процессов переноса носителей заряда в них. Проведен анализ результатов емкостных свойств ПК и сделан вывод об отсутствии информации о зависимости диэлектрической проницаемости ПК от пористости, частоты и температуры.

Во второй главе диссертации описан метод получения исследованных структур и основные параметры пористых слоев, подвергавшихся изучению, а также стандартные методики измерения вольт-емкостных характеристик, частотно-емкостных характеристик, вольтамперных характеристик, переходного сопротивления контактов к пористому слою и удельного поверхностного сопротивления ПК.

Третья глава посвящена исследованию процессов диффузии водорода в кремний в результате анодного травления последнего с образованием слоя пористого материала. Водород может проникать внутрь кремниевой матрицы и лишать электрической активности атомы примеси, что определяет рост сопротивления ПК по сравнению с МК. Расчеты для возможного интервала значений коэффициента диффузии водорода в кремний показали, что при комнатной температуре при различном времени травления водород способен приводить к образованию обедненных областей вокруг пор. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных значений эффективной объемной пористости для макропористого кремния в рамках концепций пассивации водородом, искривления энергетических зон на стенках пор и захвата носителей заряда на поверхностных дефектах. Было показано, что первая из указанных моделей лучше всего описывает экспериментально полученные результаты. В главе также представлены данные по термическому воздействию на сопротивление слоев ПК разной морфологии и А1 контактов к ним. Показано, что термоотжиг и лазерная обработка поверхности приводят как к уменьшению, так и к росту сопротивлений пористых слоев и контактных сопротивлений. Главным фактором, влияющим на уменьшение сопротивления, является депассивация примесных атомов в обедненных областях, окружающих поры, и эффузия водорода из кремния, приводящая к росту проводимости пористого слоя. Помимо этого в главе представлены полученные впервые величины переходных сопротивлений алюминиевых контактов к пористому слою различной морфологии, которые зависели от термического воздействия на слои ПК и проведения плазмохимического травления пористой поверхности.

В четвертой главе описаны экспериментальные данные по изучению емкостных свойств ПК с применением тестовых структур с толстыми пористыми слоями. Показано, что емкость структур А1/ПК/МК/А1 с толстыми слоями ПК от 36 до 190 мкм не зависит от приложенного смещения. Частотная зависимость емкости s имеет два участка. В интервале 50 - 700 кГц емкость изменяется согласно закону C~Fa, а= -(0.3+0.1), на участке 700 кГц - 25 МГц изменение емкости невелико и составляет 10-20%. Представлены вычисленные значения диэлектрической проницаемости пористого слоя, зависящие от показателя весовой пористости. В главе приведены результаты вычислений диэлектрической проницаемости ПК как двухфазной системы в рамках различных моделей, представляющей монокремниевый остов с диэлектрической проницаемостью ei=12, помещенный в среду с неким значением е2. Использование воздуха в качестве второй фазы с 82=1 не смогло согласовать теоретические и экспериментальные зависимости диэлектрической проницаемости от объемной пористости. Там же показано, что данные зависимости можно привести в соответствие, если применить в качестве второй фазы диэлектрическую смесь сложного химического состава с бг>1. Это также подтверждается, представленными, температурными исследованиями диэлектрической проницаемости пористого слоя в интервале 130 - 295 К. В главе приведены получающиеся при этом значения диэлектрической проницаемости второй фазы £2=2.3-4.8.

В последней пятой главе работы отражены результаты анализа процессов переноса носителей заряда в пористом материале с высокой пористостью на основе использования структур с толстыми слоями ПК. Исследовались температурные зависимости статических ВАХ, имевших нелинейный симметричный вид для прямой и обратной ветвей. Полученные вольтамперные характеристики описываются законом I~Un, где показатель степени п различен в разных интервалах смещения. Эти зависимости хорошо трактуются в рамках теории токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ), на которые существенное влияние оказывают ловушки от примесей и дефектов. В области нелинейности ВАХ было обнаружено явление гистерезиса, которое исчезало с ростом толщины пористого слоя. Получены данные о величине подвижности носителей заряда для

ПК на p-Si и n-Si, равной соответственно 0.05 - 0.31 см2/В с и 0.01 - 0.25 см2/В-с, а

1") также о концентрации ловушек в пористом слое, находившейся в пределах 10 -1013 см-3. 9

Проведенные исследования позволяют вынести на защиту следующие положения:

1. Основной причиной высокого удельного сопротивления макро- и мезопористых слоев кремния является диффузия водорода в кремний в ходе анодной электролитической обработки, приводящая к пассивации примесных атомов и образованию обедненных областей вокруг пор.

2. Применение структур металл/ПК/МК/металл с толстыми высокоомными слоями ПК (более 50 мкм) позволяет полностью исключить нелинейные явления на контактах металл/ПК и ПК/МК и провести точное определение электрических параметров пористого материала.

3. Зависимости диэлектрической проницаемости ПК от величины пористости (30 -70%) и температуры (130 - 295 К) подтверждают существование в ПК фазы с диэлектрической проницаемостью 6=2.3-4.8, окружающей кремниевые кристаллиты.

4. Проводимость ПК и переходное сопротивление контактов А1/ПК по-разному изменяются при температурном отжиге в инертной среде (450 - 550 °С), что связано с морфологией ПК, структурой обедненных областей и процессами разрушения комплексов "кремний-примесной атом-водород".

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Зимин С.П., Комаров Е.П. Емкость структур с толстым слоем пористого кремния// Письма в ЖТФ. - 1996. - Т.22, вып. 19. - С.69-73

2. Зимин С.П., Комаров Е.П. Влияние кратковременного отжига на проводимость пористого кремния и переходное сопротивление контакта алюминий- пористый кремний// Письма в ЖТФ. - 1998. - Т.24, вып.6. - С.45-51

3. Зимин С.П., Комаров Е.П. Анализ диэлектрической проницаемости пористого кремния в рамках двухфазной модели// Изв. ВУЗов Электроника. - 1998. - №3. -С.48-51

4. Зимин С.П., Комаров Е.П., Рябкин Ю.В. Процессы переноса носителей заряда в структурах с толстыми слоями пористого кремния// Изв. ВУЗов Электроника. -2000. - № 1. - С. 15-20

5. Комаров Е.П. Емкость пористого кремния как двухфазной системы/ Сборник научных трудов молодых ученых, аспирантов и студентов "Актуальные проблемы физики". - Ярославль, 1997. - С.61-67

6. Zimin S.P., Komarov Е.Р., Kuznetsov V.S., Ognetov S.V. Carrier transport in porous silicon/single-crystal silicon heterotransitions/Book of Abstracts E-MRS 1996 Spring Meeting. - Strasbourg (France),1996. - P.L-12

7. Зимин С.П., Комаров Е.П. Емкость кремниевых структур с пористым слоем/ Труды третьей всероссийской научно-технической конференции. - Таганрог, 1996.-С.153

8. Zimin S.P., Komarov E.P. The change of electrical properties of the aluminum-porous silicon contact by thermal annealing/ Abstracts of the European Workshop «Materials for Advanced Metallization» (MAM' 97). - Villard-de-Lans, France, 1997.-P. 161

9. Zimin S.P., Komarov E.P. Dielectric permittivity of porous silicon: experiment and theory/ Тезисы докладов XII Уральской Международной зимней школы по физике полупроводников «Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур». - Екатеринбург, 1997. - С. 14

Ю.Зимин С.П., Комаров Е.П. Изучение электрических свойств пористого кремния на модельных структурах с толстыми пористыми слоями/ Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика". - Москва, Зеленоград, 1997. - С. 167-168

П.Зимин С.П., Комаров Е.П. О возможности определения величины пористости в пористом кремнии из емкостных измерений/ Тезисы докладов II Всероссийской научно-технической конференции «Методы и средства измерения физических величин». - Нижний Новгород, 1997. - Ч. 1. - С.32

12. Зимин С.П., Комаров Е.П. Переходное сопротивление омических контактов алюминий пористый кремний/ Труды IV Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы электроники и микроэлектроники». - Дивноморское,1997. - С.49

13. Зимин СП., Комаров Е.П., Световой В.Б. Влияние термоотжига и лазерной обработки на параметры контактов алюминий-пористый кремний. Проводимость и емкость толстых слоев пористого кремния/ Тезисы докладов третьей Всероссийской конференции по физике полупроводников "Полупроводники-97", ФИАН. - Москва, 1997. - С.301

14. Зимин С.П., Комаров Е.П. Анализ диэлектрической проницаемости пористого кремния на основе двухфазной модели/ Тезисы докладов второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Электроника и информатика - 97". - Москва, Зеленоград, 1997. - Ч. 1. - С. 14

15. Комаров Е.П. Частотная дисперсия емкости пористого кремния/ Тезисы докладов межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика - 97». - МИЭТ, 1997. - С.65

16. Комаров Е.П. Емкостные характеристики пористого кремния и структур на его основе/ Сборник тезисов областной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых. - Ярославль,1997. - С.31

17.Zimin S.P., Komarov Е.Р. Dielectric permittivity of porous silicon/ Book of abstracts EMRS-98. - Strasbourg (France), 1998. - P.B22

18.Zimin S.P., Komarov E.P. Investigation of electrical properties of porous silicon with the help of structures with thick layer of porous material/ Materials of the international conference "Porous semiconductors - science and technology". -Mallorca Spain, 1998. - P. 138

19. Зимин С.П., Комаров Е.П. Моделирование процессов диффузии водорода в матрицу пористого кремния при анодной электрохимической обработке/ Тезисы 3-ей международной научной конференции "Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, динамики, управления в конденсированных системах и других средах". - Тверь, 1998. - С.49

20. Комаров Е.П. Диффузия водорода в кремниевую матрицу в процессе анодной электрохимической обработки/ Тезисы Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов. - Зеленоград, 1998. - С. 122

21.Комаров Е.П., Зимин Д.С., Зимин С.П. Электрические параметры пористого кремния и особенности формирования MSM-фотопреобразователей на его основе/ Труды межд. научного конгресса "Молодежь и наука - третье тысячелетие". - Москва, 1997. - Т.2. - C.I-6

22.Zimin S.P., Komarov Е.Р. Electrical characteristics of porous silicon sublayer for IV-VI semiconductors epitaxy on silicon substrates/ Abstr. Book of Intern. Conf. MSMPIRO 1996. - Uzhgorod, 1996. - P. 167

1. Uhlir A. Electropolishing of silicon// Bell Syst. Techn. J. 1965. - Vol.35. - P.333-338

2. Canham L.T. Silicon quantum array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers// Appl. Phys. Lett. 1990. - Vol.57, №10. - P. 1046-1048

3. Frohnhoff St., Arens-Fischer R., Heinrich Т., Fricke J., Artzen M., Theiss W. Characterization of supercritically dried porous silicon// Thin Solid Films. 1995. -Vol.255, №1-2.-P. 115

4. Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions// J. Electrochem. Soc. 1958. - Vol.5, №7. - P.402-405

5. Memming R., Sckwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric solutions// Surface Science. 1966. - Vol.4, №2. - P. 109-124

6. Beale M.I.J., Benjamin J.D., Uren M.J., Chew N.G., Cullis A.G. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon// J. Crystal Growth. 1985. - Vol.73. - P.622-636

7. Gaspard F., Bsiesy A., Ligeon M., Muller F. and Herino R. Charge exchange mechanism responsible for p-type silicon dissolution during porous silicon formation//J. Electrochem. Soc. 1989.-Vol.136,№10.-P.3043-3046

8. Ronda I., Bsiesy A., Gaspard F., Herino R., Ligeon M., Muller F. Electrical characterization of the silicon-electrolyte interface in the conditions of porous silicon formation//J. Electrochem. Soc. 1991. - Vol.138, №5. -P. 1403-1407

9. Smith R.L., Chuang S.-F., Collins S.D. A theoretical model of the formation morphologies of porous silicon// J. Electr. Materials. 1988. - Vol.17 №6. - P.533-541

10. Smith R.L., Collins S.D. Porous silicon formation mechanisms// J. Appl. Phys. -1992.-Vol.71, №8.-P.R1

11. Lehmann V., Goselle U. Porous silicon formation: a quantum wire effect// Appl. Phys. Lett. 1991. - Vol.58, №8. - P.856-858

12. Zhang X.G., Collins S.D., Smith R.L. Porous silicon formation and electropolishing of silicon by anodic polarization in HF solution// J. Electrochem. Soc. 1989. -Vol.136, №5.-P. 1561-1565

13. Searson P.C., Macaulay J.M., Prokes S.M. The formation, morphology, and optical properties of porous silicon structures// J. Electrochem. Soc. 1992. - Vol. 139, №11. -P.3373

14. Lehmann V. The origin of electrochemical oscillations at silicon electrodes// J. Electrochem. Soc. 1996. - Vol.143, №4. - P. 1313-1319

15. Foil H., Carstensen J., Christophersen M., Hasse G. A new view of silicon electrochemistry// Phys. Stat. Sol. (a). 2000. - Vol.182, №7. - P.7-16

16. Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions//J. Electrochem. Soc. 1980. - Vol.1, №2. - P.109-124

17. Unagami Т., Seki M. Structure of porous silicon and heat-treatment effect// J. Electrochem. Soc. 1978. - Vol.125, №8. - P. 1339-1344

18. Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films// J. Electrochem. Soc. Vol. 124, №2. - P.285-295

19. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко B.E. Пористый кремний в полупроводниковой электронике// Зарубежная электронная техника. М.: ЦНИИ "Электроника". - 1978. - №15. - С.3-46.

20. Watanabe Y., Arita Y. et al. Formation and properties of porous silicon and its application//J. Electrochem. Soc. 1975. - Vol.122, №10. -P.1351-1355

21. Meek R.L. Electrochemically thinned n/n+ epitaxial silicon method and applications// J. Electrochem. Soc. 1971. - Vol. 118, №7. - P. 1240-1246

22. Лабунов B.A., Бондаренко В.П., Глиненко ji.k. Формирование пористого кремния на кремнии п+-типа проводимости// Изв. АН БССР. 1983. - №1. -С.55-59

23. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К., Басманов И.Н. Исследование процесса формирования пористого кремния и автоэпитаксии на его поверхности// М.: Микроэлектроника. 1983. - Вып. 1. - С. 11 -16

24. Мороз Г.К., Жерздев А.В. Квопросу о механизме формирования пористого кремния// ФТП. 1994. - Т.28, №6. - С.949

25. Бучин Э.Ю., Проказников А.В., Чурилов А.Б., Образцова Е.Д., Ушаков В.В. Особенности формирования пористого кремния при механической дефомации// Микроэлектроника. 1996. - Т.25, №4. - С.303-310

26. Изидинов С.О., Блохина А.П., Исмайлова JI.A. Контролируемое изменение кинетики электроформирования и структуры поверхностного пористого слоя на n-кремнии воздействием оптического излучения// Физика и химия обработки материалов. 1987. - №2. - С.92-96

27. Doan V.V., Sailor M.J. Photolitographic fabrication of micron-dimension porous silicon structures exibiting visible luminescence// Appl. Phys. Lett. 1992. - Vol.60, №5.-P.619-620

28. Беляков JI.B., Горячев Д.Н., Сресели O.H., Ярошецкий И.Д. Роль света в процессах формирования пористого кремния на подложках р-типа// ФТП. -1993.-Т.27, вып.11/12.-С.1961-1964

29. Компан М.Е., Шабанов И.Ю. О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом водном травлении// ФТП. 1995. -Т.29, вып. 10. - С. 1859-1869

30. Hou X.-Y., Fan H.-L., Хи L., Zhang F.-L., Li M.-Q., Yu M.-R., Wang X. Pulsed anodic etching: An effective method of preparing light-emitting porous silicon// Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol.68, Iss.17. - P.2323-2325

31. Nakagawa Т., Koyama H., Koshida N. Control of structure and optical anisotropy in porous silicon by magnetic field assisted anodization// Appl. Phys. Lett. 1996. -Vol.69, Iss.21.- P.3206-3208

32. Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon// J. Appl. Phys. 1997. - Vol.82, Iss.3. - P.909-965

33. Wei G.-P., Zheng Y.-M., Huang Z.-J., Li Y., Feng J.-W., Mo Y.-W. Porous silicon and its application test for photovoltaic devices// Sol. Eng. Mat. And Sol. Cells. -1994.-№35.-P.319-324

34. Копылов А. А., Холодилов A.H. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол// ФТП. 1997. - Т.31, №5. -С.556-558

35. Earwaker L.G., Farr J.P.G., Grzeszezyk Р.Е. et al Analysis of porous silicon// Nucl. Instr. in Phys. and Research. 1985. - Vol.3. - P.317-320

36. Lehmann V., Hofmann F., Muller F., Gruning U. Resistivity of porous silicon: a surface effect// Thin Sol. Films. 1995. -Vol.255. - P.20-22

37. Berbezier I., Halimaoui A. A microstructural study of porous silicon// J. Appl. Phys. -1993. Vol.74, №9. - P.5421-5425

38. Chuang S.-F., Collins S.D., Smith R.L. Preferential propagation of pores during formation of porous silicon: a transmission electron microscopy study// Appl. Phys. Lett. 1989. - Vol.55, №7. - P.675-677

39. Balucani ML, Bondarenko V., Lamedica G. et al. Investigation of morphology of porous silicon formed on N* type silicon/ Materials of the International Conf. "Porous Semiconductors Science and Technology". - 1998. - Mallorca, Spain. - P. 14-15

40. Propst E.K., Kohl P. A. The electrochemical oxidation of silicon and formation of porous silicon in acetonitrile// J. Electrochem. Soc. 1994. - Vol.141, №4. - P. 10061015

41. Rieger M.M., Kohl P. A. Mechanism of (111) silicon etching in HF acetonitrile// J. Electrochem. Soc. 1995. - Vol.142, №5. - P.1490-1495

42. Ponomarev E.A., Levy-Clement C. In pits and pores: Formation, properties and significance for advanced luminescent materials// The Electrochem. Soc. Proc. Series. Eds. PV 97-7. 1997. - Pennington, NJ. - P.319-328

43. Wehrspohn R.B. Porous amorphous silicon pore formation and photoluminescence properties: Ph. D. - Ecole Polytechnique. - Paris, France. - 1997

44. Bomchil G., Herino R. Le silicium poreux: du materian aux dispositifs electroniques// L 'Echo des Recherches. 1988. - Vol. 131.- P.25-36

45. Lehmann V., Fohl H. Formation mechanism and properties of electrochemically etched tranches in n-type silicon// J. Electrochem. Soc. 1990. - Vol.137. - P.653-659

46. Бучин Э.Ю, Проказников A.B. Управление морфологией пористого кремния п-типаИ Письма в ЖТФ. 1997. - Т.23, №6. - С.80-84

47. Dorofeev A., Gaponenko N., Bondarenko V. et al. Erbium luminescence in porous silicon doped from spin-on films// J. Appl. Phys. 1995. - Vol.77, №7. - P.2679-2683

48. Kimura Т., Yokoi A., Horiguchi H. et al. Electrochemical Er doping of porous silicon and its room-temperature luminescence at ~ 1.54 \mdl Appl. Phys. Lett. 1994. -Vol.65, №8.-P.983-985

49. Bondarenko V., Dolgyi L., Dorofeev A. Porous silicon as low-dimensional host material for erbium doped structures// Thin Solid Films. 1997. - Vol.297, №1-2. -p.48

50. Hejjo Al Rifai M., Christoffersen M., Ottow S. et al. Potential, temperature and doping dependence for macropore formation on n-Si with backside illumination/

51. Materials of the International Conf. "Porous Semiconductors Science and Technology". - 1998. - Mallorca, Spain. - P. 18

52. Lehmann V. The physics of macropore formation in low doped n-type silicon// J. Electrochem. Soc. 1993. - Vol.140, №10. - P.2836-2841

53. Levy-Clement C., Lagoubi A., Tomkiewicz M. Morphology of porous n-type silicon obtained by photoelectrochemical etching// J. Electrochem. Soc. 1994. - Vol.141, №4. - P.958-967

54. Goudeau P., Naudon A., Bomchil G., Herino R. X-ray small-angle scattering analysis of porous silicon layers// J. Appl. Phys. 1989. - Vol.66, №2. - P.625-628

55. Бондаренко В.П., Дорофеев A.M., Табулина JIB. Влияние режимов анодной обработки и высокотемпературного отжига на удельную поверхность пористого кремния// Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. - Т. 10. - С.64-69

56. Bomchil G., Herino R., Barla К. et al Pore size distribution in porous silicon studies by absorption isotherms// J. Electrochem. Soc. 1983. - Vol. 130, №7. - P. 1611

57. Benedetto G., Boarino L., Spagnolo R. Evaluation of thermal conductivity of porous silicon layers by a photoacoustic method// Appl. Phys. A. 1997. - Vol.64. - P. 155159

58. Образцов A.H., О куш и X., Ватанабе X., Тимошенко В.Ю. Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния// ФТП. 1997. - Т.31, №5. - С.629-631

59. Kaltsas G., Nassiopoulou A.G. Novel C-MOS compatible monolithic silicon gas flow sensor with porous silicon thermal isolation// Sens. & Act. A. 1999. - Vol.76, №1-3.-P.133

60. Baumgarat H., Frye R.C., Trimble L.E. Laser processing of porous silicon/ Materials of MRS Meeting. 1981. - Boston, USA

61. Биленко Д.И., Абаньшин Н.П. и др. Электрофизические и оптические свойства пористого кремния// ФТП. 1983. - Т. 17, вып. 11- С.2090-2092

62. Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of the electrical properties of porous silicon//J. Electrochem. Soc. 1991. - Vol.138,№11. -P.3406-3411

63. Зимин С.П. Эффект Холла в низкоомном пористом кремнии// Письма в ЖТФ. -1994. Т.20, вып.7. - С.55-59

64. Зимин С.П. Концентрация носителей заряда в монокристаллической матрице пористого кремния// Письма в ЖТФ. 1995. - Т.21, вып.24. - С.46-50

65. Simons A.J., Cox T.I., Uren M.J., Calcott D.J. The electrical properties of porous silicon produced from n+ silicon substrates// Thin Solid Films. 1995. - Vol.255. -P. 12-15

66. Read A.J., Needs R.J., Nash K.J., Canham L.T., Calcott P.D.J., Qteish A. First-principles calculations of the electronic properties of silicon quantum wires// Phys. Rev. Lett. 1992. - Vol.69, №8. - P. 1232-1235

67. Tsu R., Babic D. Doping of a quantum dotЛ Appl. Phys. Lett. 1994. - Vol.64, №14. -P. 1806-1808

68. Timoshenko V.Yu., Lysenko V., Dittrich Th., Koch T. Electrical conductivity of meso-porous Si: effects of the condensation of polar liquids// Phys. Stat. Sol. (a). -2000. Vol. 182, № 1. - P. 163-168

69. Grosman A., Ortega C. Dopants in porous silicon// in "Properties of porous silicon" ed. by L. T. Canham. EMIS Datareviews Series INSPEC. - 1997. - №18. - P.328-333

70. Лебедев Э.А., Полисский Г., Петрова-Кох В. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии// ФТП. -1996. Т.ЗО, вып.8. - С. 1468-1472

71. Е.А. Lebedev, Е.А. Smorgonskaya, G. Polisski Drift mobility of excess carriers in porous silicon// Phys. Rev. B. 1998. - Vol.57, №23. - P. 14607-14610

72. Peng C., Hirschman K.D., Fauchet P.M. Carrier transport in porous silicon light-emitting devices// J. Appl. Phys. 1996. - Vol.80, №1. - P.295-300

73. Слободчиков C.B., Салихов X.M., Руссу Е В. О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd-спористый Si>// ФТП. 1998. - Т.32, №9. - С. 1073-1075

74. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Мередов М.М., Ялычева А.И. Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd-p°-Si-p-Si с разупорядоченным промежуточным р°-слоем// ФТП. 1997. - Т.31, №1. - С.15-18

75. Ben-Chorin М., Moller F., Koch F. Nonlinear electrical transport in porous silicon// Phys. Rev. B. 1994. - Vol.49, №4. - P.2981-2984

76. Астрова E.B., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. Оптические и электрические свойства пористого кремния// ФТП. 1994. - Т.27, №3. - С.493-497

77. Балагуров JI.А., Смирнов Н.Б., Кожухова Е.А. и др. Характеристики контакта металл-пористый кремний// Известия АН Сер. Физическая. 1994. - Т.58, вып. 7. - С.78-82

78. Ben-Chorin М, Muller F., Koch F., Schirmacher W., Eberhard M. Hopping transport on a fractal: ac conductivity of porous silicon// Phys. Rev. B. 1995. - Vol.51, №4. -P.2199-2213

79. Di Francia G., La Ferrara V., Maddalena P., Ninno D., Odierna L.P., Cataudella V. AC conductivity of porous silicon: a fractal and surface transport mechanism?// IL Nuovo Cimento. 1996. - Vol.18D, № 10. - P. 1187-1196

80. Cruz H., Luis D., Capuj N.E., Pavesi L. Two-dimensional tight-binding model of ac conductivity in porous silicon// J. Appl. Phys. 1998. - Vol.83, №12. - P.7693-7698

81. Lubianiker Y., Balberg I. Two Meyer-Needel rules in porous silicon// Phys. Rev. Lett. 1997. - Vol.78, №12. - P.2433-2436

82. Lubianiker Y., Balberg I. A comparative study of the Meyer-Neldel rule in porous silicon and hydrogenated amorphous silicon// J. Non-Cryst. Solids. 1998. -Vol.227-230. - P. 180-184

83. Balberg I. Transport in porous silicon: the pea-pod model// Philosophical Magazine B. 2000. - Vol.80, №4. - P.691-703

84. Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of porous silicon for vapour sensing// Sens. And Act. Ser.A. 1990. - Vol.23, Iss. 1-3. - P.835-839

85. Демидович B.M., Демидович Г.Б., Добренкова Е.И., Козлов С.Н. Адсорбционно-чувствительный диод на пористом кремнии// Письма в ЖТФ. 1992. - Т. 18, вып.14. -С.57

86. Ben-Chorin М. et al. Adsorbate effects on photoluminescence and electrical conductivity of porous silicon// Appl. Phys. Lett. 1994. - Vol.64, №4. - P.481-483

87. Mares J.J., Kristofik J., Hulicius E. Influence of humidity on transport in porous silicon// Thin Solid Films. 1995. - Vol.255, Iss. 1-2. - p.272

88. Foucaran A., Pascal-Delamnoy F., Giani A., Sackda A., Combette P., Boyer A. Porous silicon layers used for gas sensor applications// Thin Solid Films. 1997. -Vol.297, Iss.l-2.-P.317

89. Ben-Chorin M. Mechanism of conductivity enhancement by adsorption of polar molecules/ Materials of the International Conf. "Porous Semiconductors Science and Technology". - 1998. - Mallorca, Spain. - P.64-65

90. Demidovich V.M., Demidovich G.B., Karibyants V.R., Kozlov S.N. Stabilization dynamics of the Si porous Sistructure/ Materials of the International Conf. "Porous Semiconductors - Science and Technology". - 1998. - Mallorca, Spain. - P. 179-180

91. Cadet C., Deresmes D., Vuillaume D., Stievenard D. Influence of surface defects on the electrical behavior of aluminum porous silicon junctions// Appl. Phys. Lett. -1994. -Vol.21. -P.2827-2829

92. Deresmes D., Marissael V., Stievenard D., Ortega C. Electrical behaviour of aluminium-porous silicon junctions//Thin Sol. Films. 1995. - Vol.255. -P.258-261

93. Diligenti A., Nannini A., Pennelli G., Pieri F. Current transport in free-standing porous silicon// Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol.68, №5 - P.687-689

94. Ben-Chorin M., Moller F., Koch F. Band allignment and carrier injection at the porous silicon crystalline silicon interface// J. Appl. Phys. - 1995. - Vol.77, №9. -P.4482-4488

95. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M.: Мир, 1984. - 456 с.

96. Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrovicheva G.A., Petrova E.A., Orlov A.F., Andryushin S.Ya. Highly sensitive porous silicon based photodiode structures// J. Appl. Phys. 1997. - Vol.82, №9. - P.4647-4650

97. Нао P.H., Hou X.Y., Zhang F.L., Wang X. Energy band lineup at the porous silicon/silicon heterointerface measured by electron spectroscopy// Appl. Phys. Lett. -1994. Vol.64. - P.3602-3604

98. Матвеева А.Б., Константинова E.A., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии// ФТП. 1995. - Т.29, вып. 12. - С.2180-2188

99. Dittrich Th., Rappich J., Timoshenko V.Yu. Blocking effect of charge transfer at the porous silicon/silicon interface// Appl. Phys. Lett. 1997. - Vol.70, №20. -P.2705-2707

100. Зимин С.П., Кузнецов B.C., Перч H.B., Проказников A.B. К вопросу о механизме токопереноса в структурах с пористым кремнием// Письма в ЖТФ. -1994.-Т.20. С.22-26

101. Pavesi L. Porous silicon: a route towards a Si-based photonics?// Microelectronics J. 1996. - Vol.27. - P.437-448

102. Martin-Palma R.J., Perez-Rigueiro J. et al. Behavior of aluminium Schottky contacts to porous silicon/ Materials of the International Conf. "Porous Semiconductors Science and Technology". - 1998. - Mallorca, Spain. - P.251

103. Аверкиев H.C., Марков И.И., Смирнова Г.Ф. и др. Контактные явления в системе проволок из пористого кремния/ Тез. росс. конф. "Микроэлектроника -94". 1994. - Москва. - С.99-100

104. Averkiev N.S., Shik A.Ya., Contact phenomena in quantum wires and porous silicon// Semiconductors. 1996. - Vol.2. - P. 112-116

105. Аверкиев H.C., Шик А.Я. Контактные явления в квантовых нитях и пористом кремнии// ФТП. 1996. - Т.30, вып.2. - С. 199-207

106. Аверкиев Н.С., Капитонова JI.M., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Смирнова Н.Н., Шик А.Я. Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния// ФТП. 1996. - Т.30, вып.12. - С.2178-2182

107. Theip W., Henkel S., Arntzen M. Connecting microscopic and macroscopic properties of porous media: choosing appropriate effective medium concepts// Thin Solid Films. 1995. - Vol.255. - P. 177-180

108. Theip W. The dielectric function of porous silicon how to obtain it and how to use it// Thin Solid Films. - 1996. - Vol.276. - P.7-12

109. Аверкиев H.C., Капитонова Л.М., Лебедев А.А. и др. Зависимость емкости наноструктур из пористого кремния от магнитного поля// Письма в ЖТФ. -1996. Т.22, вып. 17. - С. 15-17

110. Wu Z.Y., Hall S., Keen J.M. Electrical properties of thermally oxidized porous silicon//J. Electrochem. Soc. 1996. - Vol.143, №9. - P.2972-2980

111. Lehmann V., Honlein W., Reisinger H., Spitzer A., Wendt H., Wilier J. A novel capacitor technology based on porous silicon// Thin Sol. Films. 1996. - Vol.276. -P. 138-142

112. Imai K., Unno H. FIPOS (Full Isolation by Porous Oxidized Silicon) technology and its applications to ISI's// IEEE Trans. Electr. Dev. 1984. - Vol. ED-31, №3. -P.297-302

113. Валиев К.А., Дягилев B.H., Лебедев В.И., Лубашевский А.В. Микромощные интегральные схемы. М.: Сов. радио, 1975. - 256с.

114. Pearton S. J., Corbet J. W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors// Appl. Phys. A. 1987. - Vol.43. - P.153-195

115. Allongue P., Henry de Villeneuve C., Bernard M.C., Peon J.E., Boutry-Forveille A., Levy-Clement C. Relationship between porous silicon formation and hydrogen incorporation// Thin Sol. Films. 1997. - Vol.297. - P. 1-4

116. Stavola M., Pearton S.J., Lopata J., Dantremont-Smith W.C., Vibrational characteristics of acceptor hydrogen complexes in silicon// Appl. Phys. Lett. 1987. -Vol.50, №16.-P. 1086-1088

117. Poliski G., Kovalev D., Dollinger G., Sulima Т., Koch F. Boron in mesoporous Si where have all the carriers gone?// Physica B: Condensed Matter. - 1999. -Vol.273-274, №1-4. - P.951-954

118. Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrova E.A. Electronic transport in porous silicon of low porosity made on a p+ substrate// Mater. Scien. & Eng. B. 2000. - Vol.69, №70.-P. 127-131

119. Курова И.А., Лупачева A,H., Мелешко H.B., Ларина Э.В. Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок ot-Si:H// ФТП. 1994. -Т.28, вып.6. - С. 1092-1096.

120. Курова И.А., Мелешко Н.В., Ларина Э.В., Хлебникова О.П., Громадин АД Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором// ФТП. 1996. - Т.30, вып.1. -С.12-16

121. Fukata N., Sasaki S., Fujimura S., Haneda H., Murakami K. Hydrogen passivation of donors and hydrogen states in heavily doped n-type silicon// Jpn. J. Appl. Phys. -1996. -Vol.35, №7. -P.3937-3941

122. Allongue P., de Villeneuve C.H., Pinsard L., Bernard M.C. Evidence for hydrogen incorporation during porous silicon formation// Appl. Phys. Lett. 1995. - Vol.67, №7,- P.941-943

123. Мукашев Б.Н., Тамендаров М.Ф., Токмолдин С.Ж. Сосотояния водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии// ФТП. 1992. - Т.26, вып.6. - С.1124-1134

124. Juretschke Н. J., Landauer R., Swanson J. A. Hall effect and conductivity in porous media// J. Appl. Phys. 1956. - Vol.27, №7. - P.838-839

125. Кучис E.B. Гальвано-магнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. - 264с.

126. Stievenard D., Deresmes D. Are electrical properties of an aluminium-porous silicon junction governed by dangling bonds?// Appl. Phys. Lett. 1995. - Vol.67, №11.-P. 1570-1572

127. Sopori B.L., Deng X., Benner J.P., Rohatgi A., Sana P., Estreicher S.K., Park Y.K., Robertson M.A. Hydrogen in silicon: a discussion of diffusion and passivation mechanisms// Sol. Energy Mat. And Sol. Cells. 1996. - №41/42. - P. 159-169

128. Парахонский a.ji., Феклисова O.B., Карелин C.C., Ярыкин Н.А. Последовательные превращения золотосодержащих комплексов в кремнии п-типа проводимости при насыщении атомарным водородом// ФТП. 1996. -Т.ЗО, вып.4. - С.670-675

129. Srivastva Р.С., Singh U.P. Hydrogen in semiconductors// Bull. Mater. Sci. 1996. - Vol.19, №l.-P.51-60

130. Рытова H.C., О пассивации электрически активных центров в полупроводниках нейтральным атомарным водородом// ФТП. 1991. - Т.25, вып.2.-С.316-322

131. Van de Walle C.G. Theoretical aspects of hydrogen in crystalline semiconductors// Physica В. 1991. - Vol.70. - P.21 -32

132. Thewalt M.L.W., Lightowlers F.C., Pankove J.I. Photoluminescence studies of the neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen// Appl. Phys. Lett. 1985. -Vol.46, №7. - P.689-691

133. Маркевич В.П., Мурин Л.И., Lindstrom J.L., Suezawa М. Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода// ФТП. 2000. - Т.34, вып.9. -С. 1039-1045

134. Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И., Гутаковский А.К. Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния с подложкой с использованием имплантации водорода// ФТП. 2000. - Т.34, вып.9. - С. 1095-1098

135. Зимин С.П., Брагин А.Н. Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки// ФТП. 1999. - Т.ЗЗ, вып.4. - С.476-479

136. Горелкинский Ю.В., Мукашев Б.Н., Абдулин Х.А. Обнаружение низкотемпературной диффузии примесных атомов алюминия в имплантированном водородном кремнии// ФТП. 1998. - Т.32, №4. - С.421-425

137. Яркин Д.Г. Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл/пористый кремний/c-Si// ФТП. 1999. - Т.ЗЗ, вып.2. - С.211-214

138. Астрова Е.В., Белов С В., Лебедев А.А. Некоторые свойства структур на основе пористого кремния, полученного методом окрашивающего травления// ФТП. 1994. - Т.28, вып.2. - С.332-337

139. Астрова Е.В., Белов С.В., Лебедев А.А. Термостимулированная емкость в диодах на основе пористого кремния// ФТТ. 1996. - Т.38, №3. - С.702-710

140. Koshida N., Koyama Н., Suda Y., Yamamoto Y., Araki М., Saito Т., Sata N., Shin S. Optical characterization of porous silicon by synchrotron radiation reflectance spectra analyses//Appl. Phys.Lett. 1999. - Vol.63, Iss.20. - P.2774-2776

141. Lugo J.E., del Rio J.A., Taguena-Martinez J. Influence of surface coverage on the effective optical properties of porous silicon modeled as a Si-wire array// J. Appl. Phys. -1997. Vol.81, Iss.4. - P. 1923-1928 .

142. Von Behren J., Tsybeskov L., Fauchet P.M. preparation and characterization of ultra-thin porous silicon films// Appl. Phys. Lett. 1995. - Vol.66, №13. - P. 16621664

143. Якобсон P. Неоднородные и совместно напыленные однородные пленки для оптических измерений// Физика тонких пленок М.: Мир. 1967. - Т.8. - С.61-105

144. Смас Ч. Диэлектрические явления// Физика и химия твердого состояния органических соединений. М.: Мир, 1967. - С.621-659

145. Aspens D.E., Theeten J.B. Dielectric function of Si-SiC>2 and Si-Si3N4 mixtures// J. Appl. Phys. 1979. - Vol.50. - P.4928-4935

146. Сканави Г.И. Физика диэлектриков. M.: Физматгиз, 1949. - 525с.

147. Черемской П.Г., Слезов В В., Бетехтин В.И. Поры в твердом теле. М.: Энергоатомиздат, 1990. -376с.

148. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982.-621с.

149. Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Сресели О.М. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система// ФТП. 1998. - Т.32, вып.9. - С. 1122-1124

150. Магунов АН. Температурная зависимость показателя преломления монокристалла кремния в диапазоне 300-700 К// Оптика и спектроскопия. -1992. Т.73, вып.2. - С.352-354

151. Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Бормонтов Е.Н. Адсорбционно-емкостная порометрия// ФТП. 2001. - Т.35, вып.7. - С.850-853

152. Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Кашкаров В.М. Определение структурно-фазовых параметров пористого кремния из измерений емкости// ЖПХ. 2000. -Т.73, вып.7.-С. 1071-1074

153. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. -416с.

154. Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Смирнова Н.Н. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии// ФТП. 2001. - Т.35, вып.5. -С.609-611

155. Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Смирнова Н.Н. Перенос носителей заряда в пористом кремнии// ФТП. 2002. - Т.36, вып.З. - С.355-359