Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ТЕЛЛУР И ЕГО СВОЙСТВА (обзор) II

§ I.I. Основнаые сведения о теллуре II

§ 1.2. Гальваномагнитные свойства теллура при низких температурах

§ 1.3 Исследование МОП структур на теллуре

ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В Те НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК

§ ПЛ. Методика эксперимента

§ П.2. Экспериментальные результаты измерений C(\l)~ и JМ-характеристик и определение параметров

ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ГМЬВАНОМАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ОБОГАЩЕННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТЕЛЛУРА В КВАНТУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

§ Ш.1. Методика эксперимента

§ Ш.2. Сильные квантующие магнитные поля. Экспериментальные результаты и их анализ

ГЛАВА 1У.КЛАССИЧЕСКИ СЛАШЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ (<^«1).

ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЭФФЕКТОВ НА ОБРАЗЦАХ Те С АС ПРИ СВЕРХНИЗКИХ

ДО 0,4 К) ТЕМПЕРАТУРАХ

§ 1У.1. Анализ зависимости квантовых поправок к двумерной проводимости вырожденных носителей от температуры и магнитног» поля

§ 1У.2. Обзор экспериментальных работ по исследованию квантовых поправок к двумерной проводимости

§ 1У.З. Квантовые поправки к проводимости двумерных дырок в теллуре.

§ 1У.4. Результаты измерений магнитосопротивления образцов чистого Те с сильным АС. Предварительный анализ

§ 1У.5. Зависимость квантовых поправок от поверхность ной концентрации в АС и от температуры. Качественное подтверждение формулы (1У.14)

§ ТУ.6. Количественный анализ эффекта АПМС и обсуждение полученных результатов

ВЫВОДЫ

Одним из активно развивающихся направлений физики полупроводников в настоящее время является физика поверхности. Начало этому направлению положила работа И.Е.Тамма [I], которая была посвящена теоретическому анализу роли границы кристалла в формировании разрешенных энергетических состояний электронов вблизи его поверхности. Большой интерес к исследованию свойств поверхности полупроводниковых материалов определяется фундаментальным характером рассматриваемых проблем и практическим значением результатов этих работ.

Практическое значение исследований в области поверхностных и контактных явлений связано с тем, что объектом исследований является узкая рабочая область полупроводниковых приборов (транзисторов, диодов, гетеропереходов, МОП структур). Поэтому результаты исследований могут служить основой как для улучшения имеющихся, так и для создания принципиально новых устройств.

С точки зрения физики большой интерес к исследованию свойств поверхности связан, в частности, с возможностью создания на поверхности полупроводниковых материалов или на границе раздела в полупроводниковых структурах очень интересных объектов физических исследований: двумерного или квазидвумерного электронного газа. Исследования электропроводности двумер ных носителей заряда, например, дает возможность прямой опытной проверки основных постулатов квантовой механики[2-4].

Теллур - один из четырех элементарных полупроводников с самой узкой запрещенной зоной « 0,3 эВ). В чистом виде для создания полупроводниковых приборов Те не нашел еще широкого применения, хотя ширина запрещенной зоны, совпадающая энергетически с одним из окон прозрачности атмосферы, позволяет считать этот материал перспективным для создания фотоприемников инфракрасного излучения. В настоящее время он широко используется в различных полупроводниковых соединениях ( Ну Те^ CdTe, Pbhx Snx Te) £d,x HfaTe )i применяемых для создания полупроводниковых приборов.

Как будет показано в обзоре литературы, в настоящее время можно считать, что основные параметры энергетической структуры теллура установлены. Тем не менее, существует целый ряд особенностей физических свойств этого материала, не нашедших надежного объяснения и затрудняющих практическое применение Те • Из этих особенностей можно выделить следующие: исключительно дырочный тип проводимости Те при низких температурах, независимо от концентрации и типа легирующей примеси, отсутствие температурного вымораживания носителей заряда вплоть до 0,05 К [5], сильное влияние способа обработки поверхности образцов на их гальваномагнитные свойства [б].

Необходимость выяснить природу этих аномалий в первую очередь определяет актуальность исследований электронных состояний на поверхности Те . Интерес к исследованию физики поверхности теллура обусловлен еще тем, что его кристаллическая решетка обладает низкой (тригональной) симметрией. Это привело к ряду интересных физических эффектов, обнаруженных при исследовании объемных свойств теллура.

При изучении электронных процессов на поверхности полупроводников можно выделить два направления исследований:

I. Исследование физической природы поверхностных состояний, определение параметров этих состояний, характера взаимодействия со свободными носителями заряда, распределения их по энергии.

2. Исследование кинетики носителей заряда в узкой приповерхностной области полупроводника, в которой свойства носителей заряда определяются узким потенциальным барьером.

Исследование электронных состояний на поверхности теллура проводилось по этим двум направлениям.

Научная новизна работы состоит в следующем.

Впервые проведено комплексное исследование поверхностных состояний на границе раздела окисел-полупроводник, определены их параметры и предложена физическая модель этих состояний.

При исследовании кинетических свойств размерно квантованных носителей заряда в аккумулирующем слое на поверхности (0001) Те при гелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Т обнаружены аномально большие квантовые осцилляции эффекта Холла. Предложена физическая модель для объяснения этого явления. Детальный анализ всей совокупности полученных результатов позволил впервые раздельно определить параметры носителей заряда в размерно квантованных подзонах и их вклад в полную проводимость образца. Сделан вывод о преимущественном вкладе в электропроводность образца проводимости по аккумулирующему слою.

Обнаружен эффект аномального поперечного магнитосопротивления в классически слабых магнитных полях ( COcz« Ii где U>c- циклотронная частота) и при низких (вплоть до и,4 К) температурах. Экспериментально доказана связь наблюдаемого эффекта с проводимостью по двумерному аккумулирующему слою. Анализ полученных зависимостей позволил установить, что за обнаруженные эффекты ответственны квантовые поправки к проводимости двумерного газа. Проведено численное сравнение экспериментальных результатов с теорией слабой локализацией, разработанной для Те с учетом особенностей его зонной структуры. Получено удовлетворительное согласие теории с экспериментом.

Диссертация состоит из четырех глав.

В первой главе сделан краткий обзор научных публикаций, в которых были установлены современные представления о структуре зон в Те . Далее показано, что аномалии гальваномагнитных свойств Те при низких температурах особенно ярко проявляются на самых чистых образцах, а также подчеркнуто сильное влияние обработки поверхности Те на его свойства. Подробно сделан обзор литературы по исследованию поверхностных свойств Те , выполненных другими авторами.

В главе П изложены результаты исследований поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-окисел в МОП структурах на поверхности Те . Описана методика и аппаратура, примененная в этих исследованиях, математический аппарат для анализа полученных зависимостей, представлен экспериментальный материал. На основании целого ряда обнаруженных эффектов предложена физическая модель образования ПС.

В начале Ш главы сделано подробное описание экспериментальной установки двойного дифференцирования по магнитному полю. Далее представлены результаты исследований в квантующих магнитных полях образцов Те. с сильным аккумулирующим слоем на (OOOI) поверхности. Сделан математический анализ полученных результатов и предложена модель для объяснения аномально больших осцилляций эффекта Холла, обнаруженных экспериментально.

Подробно дано объяснение способа раздельного определения параметров размерно квантованных носителей заряда в подзонах аккумулирующего слоя.

В главе 1У изложены результаты исследований магнитосо-противления при низких (до 0,4К) температур в классически слабых магнитных полях. В области классически слабых магнитных полей обнаружено аномальное поведение магнитосопротивления. Подробно обсуждены особенности строения зон Те и эффекты, связанные с инверсией времени, которые необходимо привлекать при анализе обнаруженных явлений. Совокупность полевых, температурных, концентрационных зависимостей интерпретированы в рамках теории слабой локализации невзаимодействующих частиц. Сделаны численные оценки и проведено сравнение теории с экспериментом.

В конце каждой из глав перечислены основные результаты, полученные в ней.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. Разработана технология термической обработки МОП структур на основе Те , существенно улучшающая, по сравнению с описанной в литературе, параметры границы раздела окисел-полупроводник.

2. Проведено комплексное исследование МОП структур на теллуре до и после термической обработки. Установлено распределение поверхностных состояний по запрещенной зоне, определены характерные времена их перезарядки. Анализ влияния отжига на ряд параметров МОП структур (гистерезис вольт-фарадных характеристик, количество. . медленных поверхностных состояний и характерные времена их перезарядки, концентрацию поверхностных состояний и их распределение по энергии) позволяет сделать вывод об амортизации границы раздела окисел-полупроводник при анодном выращивании окисла. Сделан вывод, что разупорядочение границы определяющим образом влияет на свойства поверхностных состояний. Обнаружены аномалии фото-электрических характеристик МОП структур, получившие свое объяснение в рамках предположения о существовании сильного объемного прилипания в Те ,

3. Исследованы гальваномагнитные свойства носителей заряда в размерно квантованном аккумулирующем слое на поверхности (0001) Те при гелиевых температурах в сильных (cvei: ^ I) магнитных полях. Экспериментально обнаружены аномально большие по сравнению с магнитосопротивлением осцилляции эффекта Холла. Сделан анализ парциальных вкладов подзон в полную проводимость образца и определены параметры носителей заряда в каждой из подзон. На основании результатов проведенного анализа наблюдаемые осцилляции эффекта Холла в каждой из подзон объяснены в рамках теории, учитывающей рассеяние на короткодействующем потенциале и дополненной учетом особенности проводимости по аккумулирующему слою с несколькими размерно квантованными подзонами. Сделан вывод о существенном вкладе дырок в аккумулирующем слое в полную проводимость образца.

4. Обнаружены положительное и отрицательное аномальное магнитосопротивление образцов с аккумулирующим слоем в классически слабых магнитных полях при низких (до 1,5 К) и сверхнизких (до 0,4 К) температурах. На основании анализа температурных, концентрационных и полевых зависимостей наблюдаемых эффектов доказано, что обнаруженные аномалии связаны с существованием квантовых поправок к проводимости двумерных носителей заряда в аккумулирующем слое. Проведено численное сопоставление теории слабой локализации невзаимодействующих электронов, учитывающей особенности строения Те , с наблюдаемым аномальным положительным магнитосопротивлением. При этом определены численные параметры, характеризующие процесс сбоя фазы волновой функции электрона. Их значения оказались в удовлетворительном согласии с теоретическими оценками.

ВЫВОДЫ

1. Проведено детальное исследование МОП структур на основе Те . При этом получены следующие результаты: а) Разработана технология изготовления МОП структур на основе теллура с низкой плотностью поверхностных состояний. б) Методом c(v) и ^^-характеристик исследован спектр поверхностных состояний и показано, что он имеет вид плавной кривой с минимумом вблизи центра запрещенной зоны, где плотность поверхностных состояний не превышает значения 2-5,Юпсм2/эВ. в) Обнаружеа ряд особенностей фотоемкостного и фотоволь-таического эффектов на МОП структурах на основе Те , для объяснения которых необходимо привлечь представление об объемных уровнях прилипания для неосновных носителей заряда (электронов).

Вся совокупность данных по исследованию МОП структур на теллуре позволяет сделать заключение, что основным их источником является нарушенный при окислении поверхностный слой кристалла на границе раздела теллур-окисел теллура (аморфизация теллура).

2. С использованием специально разработанной методики двойного дифференцирования проведено исследование квантовых кинетических явлений в АС на теллуре. При этом показано, что: а) Электронный спектр в АС в результате размерного квантования разбит на три подзоны. б) Во всех трех подзонах, наряду с осцилляциями магнитосопротивления типа ШГ, наблюдаются противофазные им и превосходящие их по амплитуде осцилляции холловского напряжения. в) Совместный анализ как осциллирующей, так и монотонной составляющих гальваномагнитного тензора позволил раздельно определить вклады в проводимость образца от объема и поверхности. Показано, что АС естественного происхождения на теллуре обладает повышенной по сравнению с объемом электропроводностью. Этот факт особенно важно учитывать при анализе аномалий в поведении гальваномагнитных коэффициентов Те при низких температурах.

3. Экспериментально обнаружено и доказано существование квантовых поправок к электропроводности двумерных носителей заряда в аккумулирующем слое на Те . Обнаруженные особенности проявления квантовых поправок хорошо согласуются с предсказаниями теории слабой локализации невзаимодействующих частиц,развитой с учетом особенностей проявления симметрии относительно инверсии времени в Те . Численная обработка экспериментальных результатов, полученных при исследовании АПМС, позволила определить характерные времена сбоя фазы, которые оказались в удовлетворительном согласии с величинами, предсказанными теорией.

4. Проведено два внедрения: а) На предприятии МЭП осуществлено внедрение технологии изготовления МОП структур на основе Те б) На ОХМЗ ГИРЕДМЕТа (Мин.цвет.мет.) внедрена методика выполнения измерения концентрации и подвижности дырок в монокристаллах Те с учетом свойств их поверхности.

В заключение хочу выразить свою благодарность и признательность моему руководителю - старшему научному сотруднику доктору физико-математических наук И.И.Фарбштейну за постановку задачи, постоянный интерес к работе, обсуждение результатов и ценные замечания при написании диссертации.

Также хочу поблагодарить сотрудника теоретического отдела ФТИ Шеланкова А.Л. за плодотворное сотрудничество, Га-лецкую А.Д. за обеспечение работы высококачественными монокристаллами и всех соавторов, чье участие в работе способствовало ее успешному завершению.

Я благодарен заведующему сектором доктору физико-математических наук Парфеньеву Р.В. и младшему научному сотруднику

Шамшуру Д.В. за помощь в проведении работ с использованием ч изотопа Не .

Хочу поблагодарить весь коллектив сектора за доброжелательное ко мне отношение, помогавшее в работе.

Материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Иванов Ю.Л., Березовец В.А., Фарбштейн И.И. Исследование границы раздела МОП структур на теллуре.- Тезисы доклада на УХ Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках, Киев 1977,ч.1с.115.

2. Березовец В.А., Галецкая А.Д., Иванов Ю.Л., Ткаченко А.Ю., Фарбштейн И.И. Исследование электронных состояний на теллуре на границе раздела окисел - полупроводник.- Тезисы доклада на Международной Осенней Школе по Системам МДП, Добогокё, ВНР,1979, с.47.

3. Березовец В.А., Галецкая А.Д., Фарбштейн.И.И., Иванов Ю.Л., Сейсян Е.Л., Ткаченко А.Ю. Исследование поверхностных состояний в МОП структурах на теллуре.-ФТП,1980,т,14,№7,с.1343-1349.

4. Березовец В.А., Галецкая А.Д., Фарбштейн И.И. Обнаружение квантовых осцилляций эффекта Холла в обогащённом слое на поверхности теллура.- Тезисы доклада на ХХП Всесоюзном совещании по физике низких температур. Кишинёв,1982,ч.2,с.58-59.

5. Березовец В.А., Галецкая А.Д., Фарбштейн И.И., Шеланков А.Л. Квантовые осцилляции эффекта Холла в размерно квантованном аккумулирующем слое на поверхности теллура.- В сборнике трудов Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982,т.2,с.82-84.

6. Березовец В.А., Галецкая А.Д., Фарбштейн И.И., Шеланков А.Л. Осцилляции холловской проводимости в 2 -аккумулирующем слое на теллуре.-ФТТ,1983,т.25,№5,ем 1526-1528.

7. Березовец В.А., Фарбштейн И.И., Шеланков А.Л. Квантовые кинетические явления в размерно квантованном аккумулирующем слое на поверхности теллура.- ФТТ,1983,т.25,МО,с.2988-2995.

- 166

8. Березовец В.А, Фарбштейн И.И., Шеланков A.JI. Слабая локализация в условиях снятого спинового вырождения (двумерный слой на поверхности теллура).-Письма в ЖЭТШ, 1984,т.39,№2, с.64-66.

9. Березовец В.А., Фарбштейн И.И., Шеланков A.JI. Квантовые кинетические явления в размерно квантованном аккумулирующем слое на поверхности теллура.-Тезисы докладов XXI Международной конференции стран-членов СЭВ по физике низких температур, Варна, Болгария, 1983 г.с. 249-250.

1. Phgs. dev. Lett., 19gO? v. lfSJri6i p.

2. Носкин В.А., Фарбштейн И.И., Шалыт С.С. Гальваномагнитные свойства теллура при низких температурах. ФТТ, 1968,т.10, М, C.III2-III7.

3. Парфеньев Р.В., Погарский A.M., Фарбшейн И.И., Шалыт С.С. Гальваномагнитные свойства теллура. Структура валентнойзо зоны. ФТТ, 1963, т.4, №12, с.3596-3611.

4. Погарский A.M. Исследование некоторых явлений переноса в теллуре. Диссертация канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1968. с.61, II7-I57.

5. Кеевгъ Hottzapfci Ж/5., Shuetz Н. Effect of press,иге on the cdom positions in Se ccud 7er — Phgs. Rev. B3 /W,аио} р.ът-щг.

6. Jowh. С hem. Phys.; /957} и 2.J «И p H- 16.

7. Ширсов Ю.А. К вопросу о структуре электронного спектра в решётках типа теллура.-ЖЭТФ,1957,т.32Д=6,с.1350Ж1367.

8. Уи-iin М. CoptzCiuiioH а В'etude theotapue des energies eCecit-onCtpues et des pzopztetes o/u teseoou dans cze'staax de hteuьг. flhn. 1963) v. 2} d9-10} p.

9. HuBw M. ECectzon Sand gtzuctuve. of teBEutiuno. -Joum. Phgs. Cfiem. So6ids> 1966> v.Zl, Ы2} .

10. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. -М., Наука, 1978. 141 с.

11. Maschke. К. The <f2 spectzum of tzigonaC Те (pseudo-potentCaB cctecu&Ltion). - Phys. S0e.(i\ 1971 ^ Vrt2) p. 511-518.

12. Кгсипеч. ВMagchke K%} Laude LP- £6ec,ttonic spectw of ttipjona.£ and deso^dezzd phases of teOutturn and selenium . I Шогу.-РЬуь. Rev. 3, v8} HlZ,p. SH1-5m

13. LthgtiUzh W.} Stake J,} U/cisen (j.^ Tzeuschlempexajtuze -depz-noLehb eie.ctx.oa.в sorption on the indirect edpt of tx.igon<xd teeewiCuM. Phtps. 2ev. B-j /912} vS^ л/2}p. 2^2-252.

14. Tutihasi fo&zts S.g.} foezes P.S.} Dtens.H.S. OptccaC pzopeztizs of 7e in the funda me nia.6 agsuzptcon teg ion. -Ptys. Zev.j 1969, V. 1?7) a/3} p. /Ш- 1150.

15. Stake ^ KeC&z И, Optc'&c/ie eigentch after? ut>d tfanoktiuk-tur Cm system Se- Те. Php. Stat. So^ 196*f> к7; /V-/, p. 129-205

16. Louuicle L.U y Кгатег S.? Maschke K. £€eatzoncc 6/>ectza of tbL^ono.6 cuzol dizozdezed phases of te€€uz.cum ajtd sefe/u'aw E expezcment. — Php. Zev. BJ 1973y vl} p- 5794-5*20.

17. PoweCE H. $.^ Spicei w. E. Photoemcliioh ihve.btcgatcofi ofpo-^cz^staCCcne and anozphous teticczucm. Phys. Per. &> 197^ V. 10} a/4, p. 1601 - 1616.

18. Mocscfikt K.) Lcucole L, Dt> Kt&rnez в. Potato'sation effects in tht photcemcsicon spectza of tzc^ono-в teCiuxium, — So£. State Communs>.} /gj^, v. 16} f7S} p. 593 $96.

19. Staik toff Т.^ Joлпорои 60s J. £ The ejection ccs sttuctuze of tzL(jona.C Se and Те fotpie bs иге fie&z the pfrasa tza.ns>i-tion pocnts. Jouw.Cfiem. Ptys.} 1972i i/fS, fil2lp.5?9-5&k.

20. PicaxefM.} Huicn M. A pseudopotentiat appzoaeh to thee bet го n в and stzuctuze of Ыбигсим. Ptys. Stat. SoC.^ 1967, 1/. 23} fl/2, p. 5*63-570.

21. Lofezzkff J. Thfzaz&ol optical pzopeztics of single czys -Ы& of ШеигСит. Ph(/s,. Pev.} 195'4} tf 93;p 707-716.

22. Btakemou J. S^ tfomocxa K. S. Intzinsic optica? afeozp-tCon ih ЫСигшуг), Phyz. Hev^ 196Z; 1/. 127, r1lf} p. 102 4-1029.

23. C.} Pzithon ftfpezt (j. Magnetoafeozptcoh ih Ы-CutCum, — A^s. Sedenum and Tef&tzium ; Pzoc. In be?, fywp. Мопг&ав, 1967: Pezgamoh Pzess^ №9} p 3/-4S.

24. ColCo/wM P.S., Fan H. Y. Opticae pzopeztces of teeeuzcum and setehCun. Phy&. 1959, v. Щ, p. 66675.3CL Uo-idff P? PiffCLux С. Tzansctcoh intezSccnde o/es tzous dang ее feCeuze. 5>of. State Gmihu*s.t 4967} V.5, fJ <1?p№-$92.- 170

25. Stout. Sot, 1969, v. 36y p 573-596.

26. H&idy Д} fUgaax С. OpticnC сснЫ magneto optica? studies о/ the. LfrtzziалЫ izjCLnsctiOft of hotes си tettuZLum, — Php. Stat See., 1970> i/.З^ h!Z) p. 799- Ш.

27. Moaza M Yoshtzaki Tanaka. S. Ihfzazcd atsozptioninteztasid transition of hoin tettuzium. Sot.

28. Stat. Communs.j 1969y v.7} *117) p. 119b-119$.

29. MCcaa Tanaka S. Ihtez-vatence fland magneto-sozption ih tdiutium. Phyz. Start Sot {fi\ 19T-Oyd 1^.257-266.

30. Дубинская JI.С., Пикус Г.Е., Фарбштейн И.И., Шалыт С.С. Эффект Шубникова-де Гааза в теллуре.- ЖЭТФ,1968,т.54,№3,с.754-761.

31. Дубинская Л.С., Носкин В.А., Тагиев И.Г., Фарбштейн И.И., Шалыт С.С. К вопросу об эффекте Шубникова-де Гааза в теллуре.- Письма в ред.ЖЭТФ,1968,т.8,№2,с.79-81.

32. Bzesfex М. S.} Fazistein 1.1.} Mashot/etz & ^ Kosfch kin Yu.t1es>etago V.(jr. EzpezcmefttaE detezmination of the shape . of the hote Ftzmi £ иг face in tttluziu/r> P/y£. Lett 19691 V. 294 23-24

33. ЦеВтаяп Qcgocux CJ Suffezgnski M. Conduction 4<zndedge oj ttUuxium, Sod State. Communs^ 1941^ v. 9irt p. <02 {- 1023

34. Doc T.} Камсюига. H.^ Shitino H.} Yoshcz&kc £>.} TanaJkaS. ConduttCon tfcLHcf structures of tedfai- Ргос. I^tezn Cohf Set*. WazbzcLwa.^ vf> p 162-Ш.

35. To, kit а. К.} 0- ho-to. Mclsuc/a Kt Waff netopho поп oscc£-iation in the cofrduc. icon tfa*d сто/ pfrotwti o/zag - еиЬст-ced mei<jnttophoftoh peak of tkezmoeZectccc power oj- ttiCa-ziirn. Physica> /923} 111 Ш& p. 2^-2^6 .

36. Бреслер M.C., Веселаго Ю.Г., Косичкин Ю.В., Пикус Т.Е., Фарбштейн И.И., Шалыт С.С.-Структура энергетического спектра валентной зоны теллура.-ЖЭТФ,1969,т.57,Щ1,с.1479-1494.57. flhtih V. В.} Szesfcz /W.S.} FaxSstdh Kostchkin Yu. ^ I/es>etk

37. V(j. Thbtaiand ntogmtCc tizzakdowh cm tet!£uzium.

38. Phys. £fat. Sot -fg^ Ыi> p. 4/7

39. Займан Дж. Принципы теории твёрдого тела. М., Мир, 1974, с.362-364.

40. Азбель М.Я. Квазиклассическое квантование вблизи особых классических траекторий.- ЖЭТФ,I960,т.39,№5,с.1276-1285.

41. Зильберман Г.Е. Движение электрона по траекториям, имеющим самопересечение.- ЖЭТФ,1958,т.34,№3,с.748-749.

42. Шалыт С.С. Гальваномагнитные свойства теллура при низких температурах. Ш, 1957, ХХУП,М, с .189-204.

43. Дубинская Л.С. Примесные состояния вблизи валентной зоны теллура. ФТП, 1972, т. 6, Jf6, с. 1457-1463.

44. Thanh О. Effective mass appt&csimation foz acceptozg in Tt. Set. State Communs.} 1911 } у. 9.? d/3^. 631- 631.

45. Й-taka M.j Yoshizccki L} Талака S. Pa.z infzazed aSsozption itj acceptoz states in tetCuzcum.— State Communs., №3? v. /3; /V7, p. 849- $51.

46. Ноекин B.A., Фарбштейн И.И., Шалыт С.С. Гальваномагниные свойства теллура при сверхнизких температурах.- ФТТ,1968, т.10,№4,с.III2-III7.

47. Аронов А.Г., Кригель В.Г., Фарбштейн И.И. Рассеяние на квазистационарном состоянии в теллуре,- Письма в ЖЭТФ,1971,т.14,№3,с.307-310.

48. PaxSshtein I. L} Dutfihskaga L Sptziget V. (j. Pennant

49. Scattzihg and puezottangpozt of puze tettuziuno cct to и/ tempezatuze,- Phgs. Sfat Sot(G)) и 7Sf ar^p. K№-цШ.

50. Парфеньев P.В., Погарский A.M., Фарбштейн И.И,, Шалыт С.С. Гальваномагнитные свойства теллура. Структура валентной зоны.- ФТТ, 1962, т .4, И2, с.3597-3611.

51. Von Ptctzikg К. у Land wehz (j. Su г face aj/uantUm states cn ieteuzium, Sot. State Comnuns^ 1971} к ^ N24 p. 220f-2205.

52. SitSezmann Laudwehz (f. Surface t^ua^tum vscittatiohs cn aczumuta-tcon and cnvezsion Paget s, оя беретам. So&d. State Communs^ 1975} \Z.16} ) p. 1055-105$.

53. JhucCeoez J.C. Surface aantizatcon (in tettuziuno. Co-focj/UZ Ihtew. da CA/fS Vo 242 Phgs. sous champs mag-hetofaes Menses, §zeno£ee? -193.

54. Boatj.} Thuitdez J. C. Suzface quanta n> tmnspozt in tzttuzium invezstoh {ogezs. — Suzface Science, 1978, v. ?3} p. 52% -536.

55. Baatff^ Thuil&tzff.C. Catcueatcon of suzface «fuantunn Pe-vets cn tettuziun^ tni/ezsion Pagezs. — ffouzh. Phgs. (Pazis) 19Hf v.39, p. 1193- 1197-. *

56. Silfftxmann Lowdwthx Quantized ejections a.id ho fez in ttCluzium surfaces. — Suzface Science} 1916} v. 5~X} p. 2S2253.

57. K&czmcizek. Et) Banyczt E. Calculation of suzface states in accumulation layer, of te66uzium. — SoC. State Communs,}v. 22} 8} p. 165-/68.

58. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников.- М. , Наука, 1971.

59. Зуев В.А., Саченко А.В., Толпыго К.Б. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах.- М., Советское радио, 1977.

60. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.- Киев, Наукова думка, 1978.

61. C-V методы измерения параметров МОП-структур: обзор подред. В.М.Колешко М.Микроэлектроника, серия 3, 1977.97. (fa-trett (/ (/у &zattaih W.M. Physical theczy of semiconductor surfaces. Phys. 1955, V. 59^ лЛ?p. -3Z7.

62. Kingston k. H.} rleustadtex S. Catcut&tioh of the space chazge, electzcc fietdb and fzee Caziiez consentzatioh oci the sulfate of a semcconductoz. — ^foazn. of flppf. P/tyS. 1955} v. 26, ы6} p. m 720.

63. A ezzet £ F SafrC.T. Quamtative amuses of the effects of steady state, iMum in at ion on the MOS- capaci-Loz. 7. Theozg. Sot State £&ctzt) 4970} V. 13269-ZSS.

64. Sachenco P. Sue у V. #t) Litovchenko I/. g.) Peikov P. Ch. photacapacctive effect cn MIS stzuctuzes (V. Theozy)-PhifS. Stat. So^(al 7974, V. 2/, a/1^p. MS-35$

65. N&khmanson &S. Pcgh- and Pow frequency steady-s-tate MIS capacitance. — phys. stat Sot.(a)) /9$0}v. 57y p. 515- 527,

66. Lam К W.j Rhode-uah £ //. Surface state density and surface potential in MIS capacitors ty surface photovoC-fage measuzer»ents, J. - ffouza. Phys. iQ71> v.p, 1176 -1379

67. Johnson 8.0. Loxgt -signaC surface photo uottc^>c studies with gezmanium. ph^s. Rev., 195%^ к 111, N /,p, 153-16I{,

68. Lam Y. M, Surface -state density and suzface poten-tia.6 ш MTS capasitozs $<f suzface photovottage measu-zemcnts. I -Jouzn. Phys. 1971, v. .1370-1375:

69. Lornfl&z,d P.? Thuittiez J. С. F cctd effect on топостуд-ta.6tine teffuzCur» at flow tempetatuzes. — Ptys- $>t<x£. So6.(a)> 197l} y.S, p K117-K119.

70. Т^исСйсч J. C. MOS capajcitoz on faeCuziur» at <W tempezataze. Phgs. Stair, Sof.fa^ 1971^.6^1^. 91 ~9?.

71. Pezaita L.} Thuitiicz J. С. stcmu fated Cazzents fzoM MOS stzuctuze on tefPuzium. Phgs. Stat. Sop. (a),1974, К p. 4 73-W.- 178

72. ПО. Иванов Ю.Л., Фарбштейн И.И. Фотоэффект в МОП структуре на основе теллура.- ШТП,1973,т.7,1Ю,с.1826-1828.

73. Иванов Ю.Л., Фарбштейн И.И. Примесный фотоэффект в МОП структурах на теллуре.- ФТП,1977,т.II,№11,с.2240-2243.

74. Белотелов С.В., Фёдоров В.Н. Полуавтоматическое устройство для исследования электрофизических параметров структур ме-,талл-диэлектрик-подупроводник.-Эл.техн.сер.3,Микроэлектроника, 1978,в.1 (73), с.93-97.

75. Глушков М.В., Ицкевич Е.С., Косичкин Ю.В., Надежденский А.И. и др. Магнитная инверсия эффекта Холла в теллуре.-ЖЭТФ,1976,

76. Cjzovz fi.S,} Dead В.£,} Show Е. Н.} Sah С. Т. Investigation of tkeimaddy oxtc/csec/ sidiccn suzfaces using Metat- Oxide-Semiconduetoz stzuctuzei. Sot State. 8dectzv 1965, v.%3 tf p.

77. Fedtz H% Inftuznee of an impurity pzofide on the cieUz-mi nation of intexfa.ee states. Sod. State. Sdectz,} 197%} v. 21 ЫЩ p. 4221 - 1230.

78. Rzhanov Й- V, Continuous spectza of enezgg and cross -sections of surface states on the germanium -geimanium dicade interface, phys. Stat. Sot(a)} 19Щ v. 34^1^.323-330.

79. Fdiethez H., Mgo Duong Sihh, Cha.zac.1cz of Si-Si 0 г interface states from ccnadjsis of the CV term spectza, Phgs. Stat. Sod, (a)} v.31} л/2, p. 533- 539.

80. Shotkdeg M, Head W. T. Statistics of the zecomSihatioh of hodes and edechons. ptys. Pev.} v. ь/^р 835-$Ь2.

81. Caynina S,F.} Show E.H. Properties of godd doped MOS stzactuzes. ^ouzn. of the idectzochem. Soc /96% V.1<k} Д/11) p. H65-H1-3.- 179

82. Фарбштейн И.И. Электрические свойства теллура при низких температурах и структура его валентной зоны.- Диссертация канд. физ.-мат. наук, Ленинград, 1965.

83. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М., ФМ литература, 1963.

84. Johnson £ 0. Measuiement of minozity Cazziet lifetimes wcth the surface fotovottcufe. Jo aw. fippt Phys.? 1951^ V. 289 p. /349 - 1355.

85. Johnson 5,0. Ldzye -signal suzface photovottage studies with yezmanium, Phys. 195$, V.1H\ ap. 153- 16k.

86. Litovcheneo V.g.^ fyoiSan A. P.} Kovtasfuk I/. P. Kinetics of the (поьоробал conductivity in the space chazye zeyion in пои ejui-&{z ium state of the sent icon otuc to z t/otume. Phys. Stat. Sodt №5} V. 12} Д(1}р 225-235.

87. Примаченко B.E., Снитко O.B. Влияние внешнего электрического поля на конденсаторную фото-э.д.с. в германии и кремнии- УФЖ,I960,т.5,М,с.483-503.

88. Пшеничников ГО.П. Выявление тонкой структуры кристаллов.-М., Металлургия, 1974 -310 с.

89. Хэррис Ф.Дж. Использование окон при гармоническом анализе методом дикретного преобразования Фурье. ТИИЭРД978,т.66,И, с.61-96.128* ttndo Т., Fowtez А Stezn F. Ctectzcnic pwpezties of two-dimensional systems.- Hey, of Modezn Phys^ 1982^ v.5^^2 p. 43?-.

90. Абрикосов А.А. Гальваномагнитные явления в металлах в квантовом пределе.- ЖЭТФ,1969,т.56,№4,сЛ391-1406.

91. Поллак Э. Численные методы оптимизации. М.,Мир,1974 -349с.

92. Вир Г.Л., Парфеньев Р.В. Квантовые осцилляции продольного магнитосопротивления в р -Гь S4 -ФТТ, 1974, т. 16, №17, с. 25952606.- 180

93. Горьков Л.П., Ларкин А.И., Хмельницкий Д.Е. Проводимость частицы в двумерном случайном потенциале.- Письма в ЖЭТФ,1979,т.30,№4,с.248-252.

94. Pfvachams Е} Pndezson P.W.y licccazdetto Д Pam&kzishпап X V. Seating iheozy of Pocatization: aisence of (juantum diffusion in two dimensions. phgs. 2ev. Lett., 1979} v. 42, tJ 10} p. 673- 675

95. Pndezson P. W^ QSzahams £ Pamakzc&h nan LV. PossiPte exptancdioh of twn CinoJti conductivity Cn a thin- fUrn Me tat wizes- Phgs,. dev. Utt.} 1979} I/. 43, hJlO, p. 412 720.

96. Альтшулер Б.Л., Аронов А.Г., Ларкин А.И., Хмельницкий Д.Е. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках.-ЖЭТФ,1981,т.81,№2,с.768-783.

97. Pzgnwi Cj< e fustic Pife-time of the conduction etectzons in some noPPe metat fiPms. Zeitschzi/t fiiz Phgsik B- Condensed Mattez> 1922, V.48, p. 5-/5.

98. Van Haestndonck С., Vain den dzieg I BzugnsezaedeJ., Z>ect£-schez (f. Locad'zaii'on and negative magnetozest stance in thin eoppti fams.-Phys. Pev. 1922> к 25/2, p. 5090

99. Гершензон M.E., Губанов З.Н., Журавл';в Ю.Е. "Слабая" локализация и процессы рассеяния электронов в тонких плзнках серебра.- Писька в НЭТФ, 1982., т. 35, MI, с,467-469.

100. MGU.kieu/LCS £ S. Haxzcs LA. Tu/o-otimensionaC resistivity of uCtzathib metat ft Cms. Ptys.Pev. Lett, v,tf6i л/ р.ЦкЯ- 11 S3.

101. Hoffma.nn H.} Hoff mo-nn F.} Schoepe W. Magneto zest'stanee and. non-Qhmic eonofuatitfttg of thin ptatifiur" films dt few tern-pezatuzes. Ptys, b)8. 5563-5S70.

102. Савченко А.К., Луцкий B.H., Рылик А.С. О влиянии квантовых поправок на сопротивление тонких плёнок висмута.- Письма в

103. ЖЭТФ»1981,т.34,Р6,с.367-371•

104. Гусев Г.М.,Квон З.Д., Неизвестный К.Г., Овсюк В.И., Пал-кин А,Ш» Аномальное магнитосопротивление в двумерном дырочном газе.- Письма в ЖЗТФД931,т.35»Ь"5,с.206-209.

105. Зинчик О.С., Козырев С.В., Полянская Т.А. Отрицательное магнитосопротивление в двумерном электронном газе.- Письма в ЪЖ>, 1981, т. 33, J'5, с.278-282.

106. Ларкин А.И. Магнитосопротивление двумерных. систем.- Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31»)Г4, с.239-243.152, Be shop Tsui P. C. Dynes С ЫонтеЬа№с conduction in ehtttoh invasion Capers at Ibw tempezatuzes. P^ps. £ev. Lett.^ ^ t/!9, p. 11 S3- HSG.

107. Wtshulez Hhml'nitzkii D.i Lazkin к.2.з Lee P. ft. Морисioreu'sta-nce and Hate effect in a disozdezed two-otimensio -nat ебесЫп gas. Phys. fa* В; /Щ v.22} H/2} p Sib 2 - 375*3.

108. Pukuyama H. Halt effect Cn two -dimensional ofisozdezd system. —Joutji. Php/%. Soc.Japcu?fj 1380, v. p 6M- Ш.

109. Uzen M.J.; Dou/iei £. Pepptz. M. The c^sezvation of intezaetcon and tooatisation effects cn a two-dimensionat eteetzon pas at Cow tzhnpeza tuxes. Jouzn. Phgs. C} 19Щ к/3 L 985-L 993.

110. Кичигин Д.А., Игуменов В,Г., Миронов О,А., Чистяков С.В. Исследование квантовых поправок к гальваномагнитным коэффициентам квазидвумерных Зчс&тронов гетероэпитаксиапьных структур IhSi/fafte,-Письма п НЖ, 1982, т. 36, М, с Л 21-123.

111. Бул. B.I'/i*, Заварицкап Э.К., Заварицкий В.Н. Об электропроводности в двумерной среде при низких температурах.- Письма в ЖЭТФ, 1983,т.37,Ш,с.87-83.

112. Еариков О.В., Крутенчж Ю.К. О проводимости поверхностного инверсионного слоя Г/»Asp-типа в структурах Ти-Ihfoyi Ca-bfts при низких температурах. -Пис.,1983,т.38,К2,с. 4.5-47.