Исследование электронных транспортных свойств поверхностных фаз In и Cr на Si(III) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ri о им

о / НОЯ РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

На правах рукописи УДК 537.311.322.

Бондарев Виктор Васильевич

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ТРАНСПОРТНЫХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТНЫХ ФАЗ In И Сг НА Si(111).

Специальность: 01.04.07.-физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Черноголовка 1993

Работа выполнена в Институте физики твердого тела РАН.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук Гаспаров В.А.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук Галаев A.A. доктор физико-математических наук Молотков С.Н.

на заседании специализированного совета Д.003.12.01 при Институте физики твердого тела РАН по адресу: 142432, Московская обл., Ногинский р-н, Черноголовка, ИФТТ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики твердого тела РАН.

Ведущая организация: Институт кристаллографии РАН.

Защита состоится "

,1993г. в

Автореферат разослан

Ученый секретарь специализированного совета доктор

физико-математических наук

В.Д.Кулаковский

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность теш. Развитие электроники идет по пути дальнейшей миниатюризации приборов и интегральных схем. На основе тонкопленочной технологии создаются новые приборы, компоненты различных электронных устройств. Толщина применяемых в промышленности пленок в настоящее время лежит в пределах от сотен ангстрем до нескольких микрон. Дальнейшая миниатюризация связана с уменьшением этих размеров до толщин близких к атомным монослоям, что позволит создать предпосылки для разработки приборов нового поколения. С созданием сверхвысоковакуумных установок у исследователей появилась возможность не только получать пленки металлов монослойной толщины на атомарночистой поверхности полупроводников, но и сохранять их длительное время для проведения необходимых исследований. Изучение электрофизических свойств таких пленок представляет как научный, так и практический интерес.

Свойства пленок металлов близких к монослойным толщинам на атомарночистой поверхности полупроводников отличаются от свойств объёмных металлов и определяются взаимодействием адатомов металла друг с другом и с атомами подложки. Адатомы металла на поверхности полупроводника могут формировать двумерные решетки - поверхностные фазы (ПФ), структура которых, во-первых, не характерна для трехмерного металла, и во-вторых, имеет параметр решетки задаваемый подложкой, т.е.существенно больший, чем для объемного металла. Такие ПФ обладают собственной электронной структурой, исследования которой представляют несомненный интерес. Сведения об этой электронной структуре могут быть получены из электронных транспортных свойств.

Исследования электронного транспорта в субмонослойных пленках металлов на поверхности полупроводника по существу не проводились. Известны лишь работы для сверхслоев Ад на ее и пленок т на се [1,2]. Для исследования электронного транспорта в субмонослойных пленках металлов были выбраны системы: з1(111)-1п и (111)-сг. Система зз.(Ш)-1п была выбрана по

двум причинам: I)si/in интерфейс является очень резким и однородным, 2)монослойные поверхностные фазы in на si(iii) могут быть легко сформированы при напылении in на чистую поверхность si(iii)-7x7, с последующим отжигом в сверхвысоком вакууме при Т=400°С. Система si(iii)-cr представляет большой интерес из-за высокой термостабильности силицидов хрома и совершенного совпадения параметров . кристаллической решетки пленок с параметрами кристаллической решетки кремния в плоскости (ill). Хотя электрофизические свойства толстых пленок силицидов хрома были исследованы раннее, вместе с тем вопрос об электрофизических свойствах ПФ si-cr и ультратонких эпитаксиальных пленок силицидов сг на si(iii) остается открытым.

Цель данной работы - исследование электронных транспортных СВОЙСТВ ПФ Si(lll)-In(lxl)R30°, Si(lll)-Cr(/7 X /7)К30° и ультратонких пленок crsi2 и crsi, покрытых пленкой аморфного кремния, в сильном магнитном поле 10Тл в диапазоне температур I.2K-300K,

- исследование электронных транспортных свойств ПФ si(iii)-in(ixi)R3o° и островковых пленок in на поверхности si(in) in situ в сверхвысоком вакууме, в диапазоне температур 40К-300К, с использованием Оже-электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов для контроля состояния поверхности s(iii) и пленок in,

- получение информации об электронном спектре, концентрации носителей и их подвижности в ПФ и ультратонких пленках in и сг на si (Hi),

- исследование зависимости контактной разности потенциалов (КРП) от количества in на поверхности si(iii).

Научная новизна.

1. Создана методика для in situ исследований электронных транспортных свойств ПФ в сверхвысоком вакууме в диапазоне температур 40-ЗСЮК с использованием Оже-анализа, ДМЭ и КРП для контроля состава и структуры поверхности полупроводника и осаждаемого металла'.

2. Впервые экспериментально исследованы электронные транс-

портные явления в ПФ металлов (т, сг). на поверхности полупроводника (б х(111)).

3. Показано, что поверхностные фазы зд.-т-аз1 и з1-1п имеет полупроводниковый характер температурной зависимости поверх-ностното сопротивления, с п-типом носителей, энергией активации Еакт «94мэВ и подвижностью электронов превышающей подвижность носителей в подложке эл..

4. Выделен вклад в проводимость металлических островков 1п на поверхности З1(ш) и показано, что он носит немонотонный характер.

5. Показано, что поверхностная проводимость монослойной поверхностной фазы зд.-сг-аз1 больше минимальной металлической проводимости и описывается степенной зависимостью о-(т) - т0,4, что не находит объяснения, как в рамках теории перехода металл-диэлектрик, так и теории локализации.

6. Обнаружено, что ультратонкие (16А) пленки сгэ! на 31(111) имеют металлический характер проводимости, со слабой температурной зависимостью и имеют поверхностное сопротивление на порядок меньше, чем для пленки сг312.

7. Показано, что эпитаксиальные пленки сгзл.2 (ЮОА) также проявляют металлический электронный транспорт. Низкотемпературная часть <гп(т) описывается логарифмической температурной зависимостью и свидетельствует об определяющем вкладе электрон-электронного взаимодейс твия.

8. Показано, что проводимость пленок силицидов сг носит дырочный характер с металлической концентрацией дырок р = 3-1015см-2, практически не зависящей от температуры. Холловская подвижность дырок весьма мала д * 7см^/В-сек.

На защиту выносятся:

- результаты экспериментального исследования электрофизических СВОЙСТВ ПФ 31-1п-а31 и 31-1П,

- результаты исследования проводимости металлических островков 1п на поверхности вмш),

- результаты исследования электрофизических свойств ПФ

31-сг-а3г.

- результаты исследования проводимости ультратонких пленок

силицидов Cr на si(iii).

Практическая ценность.

Информация об электрофизических свойствах ПФ металлов на поверхности полупроводников представляет интерес, для производства полупроводниковых приборов на основе ультратонких пленок металлов на поверхности полупроводников.

Используя свойства ПФ и зная условия их получения, представляется возможным изготовление дельта-слоев на основе этих ПФ со строго фиксированным количеством металла.

Количественные и качественные данные об электрофизических свойствах ПФ si-cr и ультратонких пленок силицидов сг необходимы при реализации сверхвысоковакуумных технологических процессов в микроэлектроннике, при изготовлении контактных площадок, сверхтонких проводников и т.д.

Обоснование и достоверность результатов, полученных в диссертационной работе, подтверждается:

- повторяемостью результатов в серии экспериментов на образцах с ПФ si-in, полученных в условиях сверхвысокого вакуума, с использованием высокочистых материалов и контролем параметров экспериментов с высокой точностью,'

- использованием известных методов и методик исследования.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались И Обсуждались: на 9th European Conference on Surface Science, Lucern, Switzerland, 1987; на 25-OM

Всесоюзном совещании по физике низких температур, Ленинград, 1988; на Всесоюзной конференции "Поверхность-89", Черноголовка, 1989; на 7th International Conference on Solid Surfaces, Cologne, Germany, 1989; Ha 4th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, Jülich, Germany, 1993.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, перечисленных в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и содержит

страниц, включая рисунквби список литературы из наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении показана актуальность темы,сформулирована цель работы, кратко описана структура диссертации, приведены защищаемые положения, научная новизна и практическая ценность.

В первой главе изложены основные сведения, относящиеся к электрофизическим свойствам двумерных систем и приведены экспериментальные результаты электрофизических исследований двумерных систем, ультратонких пленок металлов и ПФ "на поверхности полупроводников.

В этой главе также обсуждаются вопросы формирования ПФ in и сг и ультратонких пленок силицидов сг на атомарночистой поверхности si(iii), которые представляют собой ультратонкие пленки с собственной электронной структурой, кристаллографией и свойствами.

Вторая глава состоит из трех разделов и содержит описание методов, аппаратуры исследования, а также методик приготовления образцов.

В первом разделе сделан краткий обзор методов исследования поверхности: ЭОС, ДМЭ и КРП, которые использовались для контроля чистоты и структуры поверхности Si(lll), ПФ In-Si и ультратонких пленок in на si(iii).

Во втором разделе дано описание двух экспериментальных методик для электрофизических исследований: (i) в гелиевом криостате со сверхпроводящим соленоидом и (ii) in situ исследований в сверхвысоковакуумной камере спектрометра las-620, с проточным гелиевым низкотемпературным криостатом. Измерения проводились по четырехточечной схеме по методу ван дер Пау. Кроме этого, приводится описание разработанного держателя для поверхностных и электрофизических исследований в сверхвысоковакуумной камере, позволящего: прогревать образец до 1200°С для получения 'атомарночистой поверхности Si(iii)-7x7, получать ПФ металлов на si(iii)-7x7, производить анализ с помощью методик ЭОС, ДМЭ и КРП, а также производить электрофизические исследования ПФ в диапазоне температур

4QK-300K. Также приводится описание методики измерения работы выхода с помощью электронной пушки ДМЭ по методу задерживающего потенциала [3].

В третьем разделе описывается методика подготовки образцов si(iii), получение атомарночистой поверхности si(iii)-7x7 и ПФ si(iii)-in(ixi)R3o°. При их получении контролировались чистота поверхности - по ЭОС, ее структура - по ДМЭ, температура - по току нагревателя и по пирометру, что позволило обеспечить воспроизводимость результатов.

Образцы с ПФ Si(lll)-In(lxl)R30°-aSi, Si(lll)-Cr(/lix/I) R30°-asi и ультрат'онкие пленки crsi и crsi2 были приготовлены в Институте автоматики и процессов управления ДвНЦ РАН [4-7]. Образцы приготовлялись в сверхвысоковакуумной .установке, напылением in и сг на атомарночистую поверхность si(ill)-7x7. Полученные ПФ запылялись in situ тонкой (40А) аморфной пленкой si при комнатной температуре.

Третья глава посвящена исследованиям электрофизических свойств поверхностных фаз in на si(iii)-7x7.

В первом разделе приведены исследования ПФ si(iii)-m(ixi)R30°-asi. Исследования проводились в криостате со сверхпроводящим соленоидом на 10Тл, в диапазоне температур 4.2К-300К. Исследовались температурные зависимости сопротивления в нулевом магнитном поле и компонент тензора магнетосопротивления rxx и rxy в поле Н=8Тл,-для образцов si

С ПФ Si(111)-In(lxl)r30°-aSi И ДЛЯ СЭМОЙ ПОДЛОЖКИ Si(lll), после. удаления ПФ. Было обнаружено, что ПФ si(in)-in(ixi)r30°-asi имеет полупроводниковый характер зависимости сопротивления от температуры. Из зависимостей r„„(t) для образцов si-in-asi и подложки n-si показано, что

ху

носителями в ПФ являются электроны. Из анализа зависимостей Rxx<T> И Rxy<T> ДЛЯ Образцов Si-In-aSi и подложки Si в рамках' двуслойной модели [8,9] была рассчитана поверхностная температурная зависимость концентрации носителей Ng для самой ПФ. Принимая во внимание, что и b-hs»i (см. ниже)

можно записать уравнение:

<-*2 2 _ +

В -с

□

+ N.

________ ^

2 2 ? 2 (1+ В

2,2 пи а

^ Гп п 1

^-в2

которое позволяет определить Здесь пу и - объемная концентрация и подвижность носителей в подложке 31, и и3 -поверхностная концентрация и подвижность носителей в ПФ, пау-усредненная концентрация носителей в образце з1-т-аз1 и а -толщина пйдложки и образца з1-т-а31. Это уравнение является неполным уравнением четвертой степени относительно и имеет два действительных решения (одно положительное, другое отрицательное) и два комплексных. Действительное положительное решение для в зависимости от обратной температуры представлено на рис.1 вместе с зависимостью от

ю

J_I_1_I_1_I_1_1_I_I_1_I_I_I_1_1_I_1_I_1_1_I_I_I_1_I_1_

2 о 3

1/Т(К_1)Д0"2

Рис.1 Зависимость объемной концентрации электронов пу в подложке в! и поверхностной концентрации электронов *г3 в ПФ

з1(1И)-1п(1х1)нзо°-а31 от обратной температуры.

обратной температуры объемной концентрации электронов в подложке Б!. Можно видеть, что концентрация объемных

электронов п в подложке Б!

уменьшается при низких »49 мэВ. Концентрация

температурах с энергией активации

электронов в ПФ N при 80К равна Ю12см"2 и также резко падает с уменьшением температуры. Тем не менее энергию активации определить не удалось из-за того, что температурный интервал в котором были измерены поверхностная проводимость самой ПФ сгп(т) и иху(т) с достаточной точностью, слишком мал. Из поверхностной проводимости ПФ о- и концентрации электронов в ПФ была определена дрейфовая подвижность д3 носителей в ПФ. Результаты для дз, дрейфовой и холловской подвижностей для подложи 81 как функции от Т представлены на рис.2. Из этого рисунка можно видеть, что подвижность электронов в сверхслое значительно больше, чем в объеме при Т-50К

(д =6- Ю4см2В~1сек"1).

'а10

си

0

тН

1

га

«

2 ю о

л'

е-н

О •

О

К га ч:

о

С ю

I I 11111 I. I | I I I 11 11 I 11 I I I I I 1111 | 11 I I 11 I I I -

■"л ^О-В 0-а.ц

-в. 1п(0) 'а.

О-еов-о---Е

8г(0)

>---о--о : Бг(8Т) :

' ' ■ ' ' ' ' ' ' | ........ I I I I I ■ I I I I I I I I I I 1 I I I I

10 30 50 70 90

ТЕМПЕРАТУРА(К)

Рис.2 Температурные зависимости дрейфовой подвижности

носителей в ПФ 81(1И)-1п(1х1)Е30о-аз1, дрейфовой и холловской подвижностей в подложке Б1.

Необходимо отметить, что ПФ si(iii)-in(ixi)r30° была покрыта аморфным si толщиной 40А. Для того,чтобы выяснить влияние asi на электрофизические свойства ПФ si(iii)-in(ixi)r30° были проведены in situ исследования этой ПФ без asi.

Во втором разделе представлены in situ исследования электрофизических свойств ПФ si(iii)-in(ixi)R30° и ультратонких пленок in на подложке si(iii), полученых в сверхвысоковакуумной камере спектрометра las-620, методом молекулярнолучевой эпитаксии на атомарночистой поверхности si(in)-7x7. Пленки in отличались величиной покрытия, определенной по отношению амплитуд оже-пиков in и si.

Анализ температурных зависимостей проводимостей ca(T)=R'"1(T) образцов si-in показал (см.рис.3), что большей проводимостью обладают толстые поликристаллические пленки in с отношением амплидуд оже-пиков in и si равного 9:1. Картина ДМЭ таких пленок представляла собой слабые рефлексы от

ю -

■ I I I I I I I 1 I I I I I I 1 I I I 1 1 I I

PQ о Оч

С

+ 1:3 RRT-3m

х 1:9

□ 1:2 Rrt=7KQ

10

о.оо

(температура', к)-1

0.01 0.02

0.03

Рис.3. Зависимость проводимостей пленок in и ПФ si(in)-in(lxi)r30° на подложке si с на=ЗКом и ПФ si(in)-in(lxi)r30° на подложке si с rd=7Kom.

структуры 51(И1)-1х1 на сильном диффузионном фоне. Несколько меньшей проводимостью обладают пленки с соотношением оже-пиков т и равного 3:1, которые были получены в результате слабого прогрева поликристаллической пленки ш. При этом на картине ДМЭ, наряду с рефлексами от структуры 51(111)-1x1, проявлялись слабые рефлексы от атомов 1п на сильном диффузионном фоне.

Зависимости ст(т) для самой ПФ с соотношением амплитуд оже-пиков т и Б1 равно 2:1, свидетельствует о полупроводниковом характере зависимости сг(т). При этом картина ДМЭ представляла собой четкие диффракционные пятна на слабом фоне. При этом следует отметить, что зависимость'проводимости от температуры ПФ 51(111)-1п(1х1Жзо0 измереная з.п Бо^и, качественно согласуется с зависимостью проводимости от' температуры, этой же ПФ покрытой оБо..

Анализ зависимостей проводимостей сп (т) для самой ПФ

111)-1п(1x1)нзо0 и пленок 1п, при различных их толщинах, показал, что сга (т) для ПФ не ' зависит от удельного сопротивления подложки и при Т<45К уменьшается с энергией активации Еакт_~ 94мэВ, а также, что проводимость для ПФ меньше, чем для более толстых пленок т. При этом энергия активации для подложки кремния равна 50мэВ. Как показали наши микроскопические исследования,, это обстоятельство связано, по-видимому, с увеличением числа островков т на поверхности 81, при этом пространство между островками т покрыто ПФ 51(1И)-1п( 1x1 )р?зо° [6]. Следует отметить, что толщины пленок соответствующие отношениям амплитуд оже-пиков 9:1 (6,4А), 3:1 (3,7А) и 2:1 (ЗА) носят лишь качественный смысл.

Считая вклады проводимостей от ПФ и островков 1п аддитивными, было обнаружено, что суммарная проводимость т на ¡35.(111) при соотношениях оже-пиков 9:1 и 3:1 с уменьшением температуры возростает, и становится тем больше, чем больше концентрация островков. Зависимости <г(т) для разных толщин пленок лежат паралельно друг другу, и общий ход зависимости носит металлический характер. В тоже время при температурах Т<50К наблюдается резкое падение проводимости обусловленное,

по-видимому, переходом металл-диэлектрик в кластерах in.

В третьем разделе приведены результаты исследований контактной разности потенциалов (КРП) между подложкой si(iii)-7x7 и образцами si-in в зависимости от толщины покрытия in. Было обнаружено, при толщине покрытия е>2 монослоев, КРП не зависит от величины покрытия и равняется 0,7эВ, при этом она имеет тот же знак и близка к-величине разницы работ выхода между атомарночистой поверхностью si(iii) и чистого in (1,1эВ). По-видимому, определяющий вклад в измеряемую КРП дают островки in покрывающие поверхность ПФ. При е<2 монослоев происходит уменьшение КРП, что обусловлено уменьшением количества и размеров островков. При покрытии е<1 монослоя, где присутствует лишь ПФ КРП слабо зависит от величины покрытия и равняется 0,32эВ.

В четвертой главе рассмотрены ■ исследования

ЭЛеКТрофИЗИЧеСКИХ СВОЙСТВ ПФ SiUllJ-Crí/ll х /~3)R30°-a:Si и ультратонких пленок crsi и crsi2, напыленных на подложку p-si(iii), в диапазоне температур 2К-300К.

В первом разделе рассмотрены свойства ПФ si(iii)-

-сг (/I х y^3)R30°-asi. Анализ температурной зависимости поверхностного сопротивления ПФ si-cr-asi показал, что поверхностная проводимость сверхслоя доминирует над проводимостью подложки при Т*40К (рис.4).

Было обнаружено, что зависимость поверхностной проводимости от температуры может быть выражена в форме о-п(т)=<тот0'4. Такую зависимость следует ожидать из теории рассеяния при переходе металл-диэлектрик для 3-х мерных проводников, которая предсказывает близкую зависимость до-=ат1/2 вблизи и закон сг(т)=сто+ьт1/3 вдали от перехода металл-диэлектрик [10,11]. Тем не менее, следует отметить, что исследуемая ПФ имеет толщину 4А и даже с asi (40А) может рассматриваться как 2D система, где следует ожидать логарифмическую температурную зависимость.

К сожалению для ПФ si(iii)-cr(v^3 х /~3)R30°-asi не удалось определить холловскую концентрацию носителей из-за высокого

поверхностного сопротивления при низких температурах.

Во втором разделе рассмотрены свойства ультратонких пленок сгБ1 и сгб12. Было обнаружено, что ультратонкие эпитаксиальные пленки сгБ1 (а=1бА) и сгз12 (<з=юоА) на 31(111), проявляют металлический электронный транспорт с поверхностным сопротивлением 1?а=370ом и нп=2.2Ком, соответственно. Проводимость в сгб± и сгБ12 носит дырочный характер, с металлической концентрацией дырок р ~ З-Ю^см-2, практически не зависящей от температуры при Т<40К. Холловская подвижность дырок очень мала д^7см2В~^сек~1.

Анализ зависимости сопротивления сгб12 от температуры обнаружил логарифмический рост сопротивления с уменьшением температуры. Наблюдаемое небольшое и положительное магнетосопротивление показывает, что зависимость °"а(т) согласуется с теорией электрон-электронного взаимодействия для неупорядоченных 2б металлических систем [12].

ТЕМПЕРАТУРА(К)

Рис.4. Температурная зависимость поверхностного сопротивления ПФ si(iii)-cr(/7 х у^з)R30°-asi, и эпитаксиальных пленок crsi (d=I6A) и crsi2 (d=IOOA) на si(iii), а также образца si-asi. Пунктиром указан предел максимального металлического сопротивления R =<т~}.

Выводы по диссертации.

1. Исследованы температурные зависимости электропроводности, диагональные и недиагональные компоненты тензора магнетосопротивления поверхностной фазы si(iii)-in(ixi)R30° покрытой пленкой аморфного si.

2. Показано, ЧТО носителями В ПФ Si(lll)-In(lxl)R30°-aSi являются электроны, определена их поверхностная концентрация и подвижность.

3. Из in situ исследований показано, что' проводимость ПФ si(in)-in(lxi)R30° имеет полупроводниковый характер зависимости от Т, как и поверхностная фаза с аморфным si, с Еакт>«94мэВ.

4. Выделен вклад в проводимость металлических островков in на поверхности si(iii) и показано, что он носит металлический характер при Т>50К и обнаруживает переход металл-диэлектрик при Т<50К.

5. Поверхностная проводимость монослойной поверхностной фазы

si(iii)-cr(/"3 х /"3)R30°-asi больше минимальной металлической проводимости и описывается степенной зависимостью ст(Т)=о-от0-4:, что не находит объяснения в рамках теории перехода металл-диэлектрик.

6. Ультратонкие пленки силицидов сг на si(iii) имеют металлический характер проводимости, со слабой температурной зависимостью.

7. Низкотемпературная часть о-(т) пленок crsi2 описывается логарифмической температурной зовисимостыо и свидетельствует об определяющем вкладе электрон-электронного взаимодействия. Проводимость силицидов сг носит дырочный характер, с металлической концентрацией дырок р=3-ЮГ5см~2, и весьма низкой холловской подвижностью дырок й57см2В~-'-сек-1.

Цитированная литература.

1. Burns М.J., Lince J.R., Williams R.S. and P.M.Chaikin // Sol.St.Comm.- 1984.- V.51, No.11.- P.865-869.

2. Dwir B. and Deutsher G.// Phys.Rev.B.- 1989,- V.40,No.17-P.11880-11891.

3. Fritz J.H. and Haque C.A. // Rev.Sci.Instrum.- 1973.-V.44, No.4.- P.394-395.

4. Галкин Н.Г., Лифшиц И.Г., Плюснин Н.И. // Поверхность:' Физ.Хим.Мех.-1887.- Т.12.- С.50-58.

5. Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Каменев А.Н, Лифшиц И.Г., ЛоОа-чев С.А.// Поверхность¡Физ.Хим.Мех.- 1989.- Т.9.- С.55-61.

6. Акилов В.Б., Заводинский В.Г., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.// Поверхность: Физ.Хим.Мех.- 1986.- Т.6.- С.54-60.

7. Бехтерева О.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.// Поверхность: Физ.Хим.Мех.- 1988.- Т.8.- С.54-60.

8. Субашиев В.К. и Полтинников С.А. // Физ.Твер.Тела.- 1960.-Т.2.- C.II69-II77.

9. Smith R.A. // in: Semiconductors (Cambridge University Press)- 1978.- P.113.

10.Mott N.F. and Kaveh M. // Advan.Phys.- 1985.- V.34, No.3.-P.329-401.

Il.Imry Y. and Ovadyahy Z. // J.Phys.C. (Solid State Phys.)-1982.-V.15,- L327 .

I2.Ando Т., Fowler A. and Stern F. // Rev.Mod.Phys.- 1982.-V. 54, No.2.- P.527.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ ОТРАЖЕНЫ В СЛЕДУЮЩИХ ПУБЛИКАЦИЯХ.

I. Gasparov V.A., Grazhulis V.A.,Bondarev V.V.,Lifshits V.G., Akilov V.B., Huguenin R. Investigations of the surface phase of Si(lll)-In(lxl) interface with thin Si amorphic film//Proc.of 9th European Conference on Surface Science.-Lucern. Switzerland.- 1987.

2. Гаспаров В.А., Гражулис В.А., Бондарев В.В., Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюонин Н.И., Чурусов Б.К. Электрофизические свойства поверхностных фаз металлов на si(ill)//Тез. докл. на 25-ом Всесоюзном совещании по физике низких температур. Ленинград.- 1988.- ч.З.- с.130-131.

3. Бондарев В.В., Гаспаров В.А., Гражулис В.А., Бычкова Т.М., Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И..Чурусов Б.К. Электрофизические свойства поверхностных фаз сг и in на si(iii) // Тез. докл. на Всесоюзной конференции "Поверхность;89".-Черноголовка.- 1989.- с.97.

4. Gasparov V.A., Grazhulis V.A.,Bondarev V.V.,Bychkova T.M., Lifshits V.G., Churusov B.K., Galkih N.G., Plusnin N.I. Electrophysical properties of the surface phases of In and Cr on Si(111)//Vacuum.-1990.- Vol.41,No.4-6p.1207-1210.

5. Gasparov-V.A., Grazhulis V.A.,Bondarev V.V.,Bychkova T.M., Lifshits V.G., Galkin N.G.,Plusnin N.I. Electron transport

in the Si(lll)-Cr( Гъ x v^3)R30°-aSi surface phase and in epitaxial films of CrSi, CrSi2 on Si(111) // Surface Science.- 1993.- \J. 232.-1 ¿04

6. Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V.,Bychkova T.M, Lifshits V.G., Churusov B.K. Electrophysical properties of surface phases of In on Si(lll) // Solid State Com.-1993,- \l.S%,//o,i.~P.Sl-SSr.

7. Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V. In situ investigations of the electron trasport properties of the surface phases Si(lll)-In // Surface Science.- 1993.-(in press).

8. Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V. In situ investigations of the electrical properties of Si(lll)-In(lxl) surfaces // Proc. of 4th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces.- Jülich, Germany.- 1993. p.126.