Исследование элементного и химического состава поверхности кремния и его соединений методами электронной спектроскопии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

Введение.

ГЛАВА I. ИОНИЗАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ

ТВЕРДОГО ТЕЛА . . Щ

1.1. Введение.

1.2. Физические основы метода ИС .II.

1.2.1. Ионизационные линии в спектрах вторичной электронной эмиссии

1.2.2. Глубина информативного слоя ИС

1.2.3. Сечение возбуждения остовных уровней электронным ударом

1.2.4. Эффекты химического окружения

§ I. Влияние плотности незанятых состояний

§2. Химические сдвиги в ионизационных спектрах

1.3. Выводы.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Введение

2.2. Вакуумная система.

2.2.1, Конструктивное исполнение вакуумной системы

2.2.2.Напуск газов и контроль выдержек

2.3. Методики приготовления исследуемых поверхностей

2.3.1. Приготовление поверхности кремния

2.3.2. Получение пленок моноокиси кремния. . 5g

2.3.3. Источники щелочных металлов

2.3.4. Источники ионов и NJ

2.4. Экспериментальная установка

2,4.1, Измерительная камера

2.4.2., Электронный спектрометр

2.5. Выводы.

- а

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ

СЛОЕВ Si.Ox". SiOa.

j 0

3.2. Термодесорбция тонкого ( cl~I5 А) слоя 68

3.3. Фазовый состав пленок моноокиси кремния, сконденсированных при комнатной температуре 75

3.4. Изменение фазового состава пленки S4 при отжигах и при нанесении на нагретую подложку . .79

3.5. Выводы.83

ГЛАВА 4. СОСТАВ СЛОЕВ ОКИСЛОВ, НИТРИДОВ И ОКСИНИТРИДОВ КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ РЕАКТИВНОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЙ МЕДЛЕННЫХ ИОНОВ Q£ и . . 84.

4.1. Введение.84

4.2. Формирование окислов и нитридов кремния при воздействии ионов и NJ на Si (ЮО) 85

4.3. Электронная спектроскопия оксинитридов . 95

4.4. Зависимость величины ионизационной потери от эффективного.заряда на атоме кремния в соединении . 102

4.5. Выводы. 104

ГЛАВА 5. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ КИСЛОРОДА С ГРАНЬЮ (100) Si . 106

5.1. Введение . .106

5.2. Начальные стадии взаимодействия кислорода с кремнием. 106

5.2.1. Состав промежуточного окисла .107

5.2.2. Формы адсорбции кислорода и электронно-стимулированная диссоциация.III

5.3. Взаимодействие кислорода с гранью (100)Si, покрытой субмонослойными слоями щелочных металлов 117

5.4. Выводы.125

ГЛАВА 6. ИНТЕНСИВНОСТЬ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЛИНИЙ, ГЛУБИНА ИНФОРМАЦИОННОГО СЛОЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИН СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЙ.128

6.1. Введение.128

6.2. Интенсивность ионизационных линий от массивных мишений.128

6.3. Эффективная длина свободного пробега относительно неупругих соударений.133

6.4. Субмонослойное покрытие на массивной подложке .136

6.5. Несплошное покрытие толщиной d (dl^A) на поверхности массивной мишени.138

6.6. Применение ИС для исследования параметров слоев на поверхности кремния.140

6. 6.1. Длина свободного пробега электрона относительно неупругих соударений.141

6. 6.2. Толщина и сплошность слоев окисла кремния,полученных различными методами.145

6. 6.3. Эффективная толщина адсорбированного слояСэ на Si 149

6.7. Выводы.150

Заключение.152

Литература.156

ВВЕДЕНИЕ

Электронная структура и химический состав поверхности кремния и некоторых его соединений, таких как окислы, нитриды и оксинитриды являются определяющими для создания ряда элементов интегральной микроэлектроники, оптоэлектроники, солнечных батарей на основе кремния и его соединений, приборов эмиссионной электроники, таких как ненакаливаемые катоды на основе МДМ-структур и эффективных вторично-эмиссионных эмиттеров. Формирование слоев соединений кремния, в частности окисление монокристаллического кремния в процессе создания, например, подзатворных или туннельных слоев окисла является одним из важнейших процессов полупроводниковой технологии. Несмотря на это, ряд деталей начальных этапов роста окисных слоев, в частности, при комнатных температурах в настоящее время изучен недостаточно. Недостаточно хорошо изучены также механизмы синтеза соединений кремния при бомбардировке поверхности кремния.и соединений ионами активных газов в частности О J и . Изучение изменения электронной структуры и химического состава поверхности путем строго контролируемых воздействий на нее может позволить не только углубить знания об элементарных процессах на поверхности, но и позволить получить практически важные технологические решения.

При исследовании таких процессов необходимо применение методов, обеспечивающих достаточно высокую элементную чувствительность и локальность по глубине анализа. Этим требованиям отвечают методы электронной спектроскопии, например, хорошо известный метод электронной-Оже-спектроскопии. Необходимо также привлечение других методов электронной спектроскопии, среди которых в первую очередь представляют интерес сравнительно простые, дающие дополнительную информацию, методы реализуемые в аппаратурном исполне

- 6Снии традиционных методов. Удачным примером такого метода сложит ионизационная спектроскопия (ИС) полностью аппаратурно совместимая с электронной Оже-спектроскопией (ЭОС) и позволяющая более просто, чем в методе ЭОС, получать информацию о химическом состоянии поверхностных слоев. Развитие метода ионизационной спектроскопии в применении к исследованию фазового состава соединений кремния и явилось одной из задач поставленных в данной диссертации.

В первой главе на основании обзора литературных данных изложены физические основы ИС и ее места среди других методов диагностики поверхности.

Исследование физических свойств поверхности методами электронной спектроскопии сопряжено с рядом экспериментальных задач, в ходе решения которых был сконструирован и изготовлен сверхвысоковакуумный электронный спектрометр. Обоснование выбора конструкции, , описание и характеристики вакуумной системы, энергоанализатора и измерительного, тракта электронного спектрометра приведено во 2-й главе диссертации. Здесь же описаны и обоснованы методы получения и контроля состава поверхности объектов исследования.

Третья глава посвящена применению метода ионизационной спектроскопии для исследования процессов термодесорбции тонких слоев $\0г , а также фазового состава поверхности напыленных пленок моноокиси кремния при различных температурах подложки. Постановка подобного рода исследований диктовалась необходимостью расширения круга соединений кремния изученных методами ионизационной спектроскопии. Что касается пленок Si0 , то в литературе отсутствовали работы по исследованию фазового состава, выполненные с помощью современных методов диагностики поверхности, за исключением [i] , где исследования были проведены методом

Оже-спектроскопии. Результаты исследований, изложенные в этой главе, позволили сделать.вывод о большей информативности метода ионизационной спектроскопии при исследовании фазового состава соединений кремния, по сравнению с ЭОС.

Синтез соединений кремния при низких температурах привлекает внимание исследователей возможностью сведения к минимуму термических воздействий, ухудшающих характеристики электронных приборов из-за перераспределения примесей. Одним из таких методов может быть имплантация, ионов активных газов OjT и 33 кремний или его соединения. Кроме того, методы послойного анализа поверхностей с помощью электронной Оже-спектроскопии или вторичной-ионной мвсс-спектрометрии часто используют бомбардировку ионами активных газов. Сведений же об изменении фазового состава поверхности кремния и его соединений при ионной бомбардировке, полученных современными методами диагностики поверхности, в литературе мало. Поэтому четвертая глава диссертации посвящена исследованию фазового состава слоев окислов, нитридов и оксинитридов кремния, полученных методом реактивной ионнойимплантации.

В.пятой главе исследуется взаимодействие молекулярного кислорода с атомно чистой и покрытой субмоноатомными слоями щелочных, металлов гранью (100) Si. В этой главе экспериментально исследуются характер адсорбции кислорода, и фазовый состав окислов, образующихся на начальных этапах окисление поверхности кремния.

В шестой главе исследуется интенсивность ионизационных линий и глубина информативного слоя ИС. На основании простых моделей получены выражения, позволившие определить толщины и сплошности исследуемых слоев.

Научная новизна работы, определяемая впервые полученными экспериментальными результатами, заключается в следующем:

1. Установлена корреляция между величиной ионизационной потери и величиной энергии связи 2р электронов кремния в таких соединениях как окислы, нитриды и оксинитриды.

2. Экспериментально исследовано влияние субмоноатомных слоев щелочных металлов не кинетику образования окислов кремния при комнатных температурах. Установлено, что центрами адсорбции кислорода и образования окисных фаз являются атомы щелочных металлов.

3. Экспериментально установлен факт образования оксинитридов при реактивной ионной имплантации молекулярных, ионов и малых энергий в LM3N4 и SiО2 соответственно. Обнаружено различие в кинетике образования оксинитрида при бомбардировке Si^A ионами LI? и п? - ионами Si О,.

Определена энергетическая зависимость средней длины свободного пробега.электронов без,потери энергии в двуокиси кремния в диапазоне энергий 120-320 эв.

Практическая ценность работы состоит в том, что:

- развит метод ионизащонной спектроскопии для соединений кремния, позволяющий в едином аппаратурном комплексе с методом ЭОС существенно расширить информацию о составе, его изменении по глубине и электронной структуре соединений кремния по сравнению с методом ЭОС;

- предложена , методика определения толщины и сплошности сверхтонких слоев, пригодная для контроля параметров поверхности в ходе физического эксперимента и для контроля технологических процессов изготовления приборов микроэлектроники;

- разработана методика количественного определения содержания кислорода и азота в оксинитридах кремния по величине ионизационной потери Д.^ кремния;

-получены результаты, существенные для понимания механизмов начальных стадий образования слоев соединений кремния на кремнии в процессе окисления и реактивной ионной имплантации.

Основные результаты, выносимые на защиту:

1. Энергетическое положение и форма линий ионизационных потерь связанных с возбуждением 2р уровней кремния в соединениях зависит от химического окружения атомов кремния. При этом величина ионизационной потери Л Е 3 в кРемнии линейно зависит от эффективного зареда на атоме lH

2. Глубина анализируемого слоя в методе ионизационной спектроскопии может быть, изменена путем изменения энергии первичного пучка электронов.

3. Фазовый состав пленок Si 0 нанесенных термическим испарением: Si , SiO и S-.Di .

4. На поверхности (IOO) , покрытой субмоноатомной пленкой щелочного металла С Net f К, , С& ) при выдержках в кислороде меньших 10"3торр.сек (I03L.) образуется силикатная окисная фаза. Термодесорбция щелочного металла приводит к образованию слоя. SiO, толщиной 4ф1 А, сплошность которого определяется степенью покрытия щелочным металлом.

5. При воздействии на i\02 ионами NJ и на ионами 0J образуются оксинитриды кремния, относительное содержание кислорода и азота в которых, может быть определено по величине ионизаронной потери А Е I г 3 атомов кремния.

Основные результаты работы формулируются следующим образом:

1. Развит метод ионизационной спектроскопии, позволяющий в о,дном комплексе аппаратуры с методом электронной Оже-спектро-скопии исследовать состав, изменение состава по глубине и электронную структуру слоев соединений кремния с высокой локальностью по глубине. Разработана методика измерения толщины и сплошности слоев соединений кремния по энергетическим зависимостям интенсивности ионизационных линий.

Получены ионизационные спектры важнейших соединений кремния, таких как окислы, нитриды, оксинитрида. Обнаружено изменение формы ионизационных линий в различных соединениях, обусловленное изменением спектра незанятых состояний.

2. Впервые показано, что увеличение ионизационной потери ^а, в соединениях кремния по сравнению с чистым кремнием коррелирует с изменением эффективного зардца, на атоме кремния, связанным с ростом степени окисления атома кремния. Получена линейная зависимость от эффективного зардца на атоме кремния, рассчитанного по методу Полинга.

3. Впервые установлено наличие по крайней мере 3-х фаз: Si, Si О и Оа в пленках 5 i Ох толщиной (10*120)А нанесенных на подложки из поликристаллических Tt , Та и монокристалличе ского крешия (грань (100)), при комнатной температуре. Показно, что фаза Si0 является метастабильной и с ростом температуры разлагается на Si и Ж .

4. Обнаружено, что продуктами реактивной ионной имплантации ионами Оа и являются как стабильные, так и метастабиль-ные окислы и'нитриды кремния. Наличие метастабильных соединений связано как со случайным характером формирования химического окружения у атомов кремния, так и разрушением поверхностных слоев в процессе ионной бомбардировки. Определены толщины слоев .двуокиси кремния при дозах больших 2.10^бат.см~2 и энергиях ионов 50 и 100 эВ.

5. Показано,'что поверхность оксинитридов, полученных путем реактивной ионной имплантации молекулярных ионов и Nj> (Е=1 кэВ) в SisUlt и 2иОг соответственно, является существенно однофазной.

6. Впервые экспериментально установлена зависимость величины A&La* атомов кремния, входящих в состав поверхности оксинитридов, от содержания азота и кислорода в оксинитриде. Эта зависимость позволяет определить состав оксинитридов, не пользуясь каким-либо .другим методом количественной электронной спектроскопии. Показано, что в случае малых концентраций азота в оксинитридах V\^<\0% наблюдается образование матрицы iiOi в которой азот присутствует как примесь внедрения. Обнаружено различие в скорости образования оксинитрида при бомбардировке ионами HI И SijH^ ионами V* . Делается вывод о том, что это различие обусловлено как химической природой налетающего атома, так и характером химического окружения, в котором происходит термализация этого атома.

7. Экспериментально показано, что на начальных стадиях взадмодействия молекулярного кислорода с поверхностью кремния при комнатной температуре имеет место как молекулярная, так и диссоциативная адсорбция. Промежуточный окисел, образующийся при диссоциативной адсорбции кислорода на начальном этапе окисления отличается по электронной структуре как от .двуокиси, так и от моноокиси кремния.

8. Впервые установлено, что на поверхности кремния, покрытой субмоноатомными слоями щелочных металлов ( Nd , К , CS ) в отличие от чистой поверхности кремния наблюдается быстрая хемосорбция кислорода с последующим образованием силикатной окисной фазы кремния уже при выдержках (1+300)L в кислороде. Центрами образования окисной гоазы кремния являются атомы щелочных металлов, поэтому сплошность слоя образующегося после термодесорбции щелочного металла определяется степенью покрытия щелочным металлом. Толщина этого слоя, определенная о с помощью разработанной методики составляет (4+1)А.

9. Определена энергетическая зависимость средней длины свободного пробега без потерь энергии в двуокиси кремния в диапазоне энергий 120-320 эВ.

Таким образом, положения, вынесенные на защиту, полностью подтвердились экспериментальными результатами .диссертационной работы.

Метод ИС, нашедший в этой работе дальнейшее развитие на примерах исследования кремния, может быть использован и для исследования .других объектов, что было показано в нашей лаборатории на примерах полупроводников АщВ^ \l34] . Его развитие тлеет кроме научного и практический интерес, потому что сведения об электронной структуре, фазовом составе и химических превращений па поверхностях твердых тел необходимы при разработке и контроле технологических процессов, используемых при производстве изделий новой техники, например, таких массовых,как интегральные схемы.

В заключение хочу искренне поблагодарить моих научных руководителей Н.Г.Находкина, П.В.Мельника за постоянное внимание и поддержку при выполнении работы, С.Н.Гойсу за помощь в подготовке и проведении ряда экспериментов, Ю.И.Крынько за многочисленные полезные обсуждения результатов, а также весь коллектив лаборатории за полезные обсуждения и помощь при выполнении работы.

1. Johannessen J.С., Spicer W.E.Strausser Y.E. Phase separation in thin films of SiO„ studied by AES.-Appl. Phys.a1.tters, 1975, 27, N5, p.452-454.

2. Gerlach R.L., Houston J.E., Park R.L. Ionization spectroscopy of surfaces.-Appl. Phys. Letters, 1970, 16, N4,p.179-18I.

3. Gerlach E.L. Ionization spectroscopy of contaminated metal surfaces.-J, Vac. Sci. Technol., 1971, 8, N4, p.599-604.

4. Brundle C. Electron spectroscopy of surfaces.-Surface Sci., 1971, 27, N5, p.681-685.

5. Marton L., Simpson I.A., Fowler H.A., Swanson N. Plural scattering of 20-kev electrons un aluminium.-Phys. Rev., 1962, 126, N1, p.182-189*

6. Spadling D.R., Metherell A.^.F. Plasmon losses in Al-Mg alloys.-The Philosoph. Magazine, 1968, 18, NI5I, p.41-48.

7. Swan J.В., Otto A., Fellenzer H. Observed retardation effects on the energy of the w -surface plasmons in thinTaluminium foils.-Phys. Stat. Solidi, 1967, 25, N1, p.171-176.

8. Harris L.A. Analysis of materials by electron excited Auger electrons.-J. Appl. Phys., 1968, 59, N3, p.1419-1427.

9. Bauer E. Methods of surface studies depending on inelastic scattering of electrons.-Vacuum, 1972, 22, Nil, p.539-552.

10. Немошкаленко В.В., Алёшин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов.-Киев: "Наукова думка", 1976г., 335с.

11. Shirley D.A. Many-electron and final-state effects: beyond the one-electron picture«-In: Photoemission in Solids I. General Principles/Eds. M. Cardona. L. Ley.-Berlin etc.; Springer, I97S, p.I65-I95(Topics in Applied Physics v.26).

12. Kramer B. Electronic structure and optical properties of anorphous germanium and silicon.-Phys. Stat. Solidi(b), 1971» 47, N2, p.501-510.

13. Карлссон Т.Л. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия.-JI.:

14. Машиностроение, 198I, 431с.16, Месси Г., Бархоп Е. Электронные и ионные столкновения.1. М.: ИЛ, 1957, 604с.

15. Musket R.A. Energy dependence of the sensitivity of ionization spectroscopy: Si on Be.-Surface Sci., 1974, 44, N2, p.629-634.

16. Seah M.P., Dench W.A. Quantitative electron spectroscopy of surfaces.-Surface and Interface Analysis, 1979» I» N1» p.I-II.

17. Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Влияние возбуладе-ния поверхностных плазмонов на интенсивность пиков спектра неупруго отражённых электронов.-Физ. тв. тела, I960, 22, №5, 1294-1302с.

18. Применение электронной спектроскопии для анализа поверхностей. / Под ред. Ибаха Х.-Рига: Зинатне, 1980г., 315с.

19. Коваль И.Ф., Мельник П.В., Находкин Н.Г., Гойса С.Н. Ионизационная спектроскопия окислов кремния в системе (I00)Si:Cs-0.- Физ. тв. тела, 1978г., 20, №10, 3070-3075с.

20. Hitchcock A.P., Brion C.E. Neon K-shell excitation studied by electron energy-loss spectroscopy.-J. Phys. B, I960, 13, N16, p.3269-3273.

21. Шульман A.P., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твёрдого тела.-М.: Наука, 1977г., 284с.

22. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Анизотропия ионизационных потерь энергии электронов в монокристаллическом молибдене.-Письма в 2Г:ТФ, 1978г., 4, 864-868с.

23. Gerlach R.L., Ducharme A.R. Inner shell ionization of surface atoms by electron impact.-Surface Sci., 1972, 29, N2, p.317-323.

24. Вентцель X., Берндт К. Исследование возбуждения Зр и 3 -электронов железа и никеля с помощью спектроскопии характеристических потерь энергии электронов.-ФТТ, 1980г., 22, №10, 2912-2916с.

25. Traimar S. Electron impact spectroscopy.-Acc.Chem. Res., 1980, 13, N1, 14-20.30» Bethe H. Zur theorie des durchangs schneller korpuskular strahlen durch materie.-Ann. Phys., 1930, 5, N3, p.325-400.

26. Inocuti M« Inelastic collisions of fast charged particles with atoms and molecules the Bethe theory revisited.-Rev. Mod. Phys., 1974» 43, N 3 , p.297-347.

27. Seah M.P. Slow electron scattering from metals: II The inelastically scattered primary electrons.-Surface Sci., 1969, 17, N I, p.161-180»

28. Малышев С.В.Исследование структуры и вторичноэмиссионных свойств эпитаксиальных плёнок окислов щелочноземельных металлов. Автореферат дисс. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: Ленингр. политехи, инст., 1977г.

29. Gadzuk J.W., Doniach S. A soluble relaxation model for core level spectroscopy of adsorbed atoms.-Surface Sci., 1973, 77, N3, p.427-448.

30. Mattew J.A.D., Perkins R.S. Variation of relaxation energies with the spatial extent of core holes.-J. Phys. C., 1978, II N14, L569-L574.

31. Гомоюнова M.B. Электронная спектроскопия поверхности твердого тела.- Успехи физ. наук, 1982, 136, №1, с.105-148.37* Gerlach R.L., Tipping D.W. Ionization spectrometer for elemental analysis of surfaces.-Rev. Sci. Instrum., 1974, 42, HI, P.I5I-I52.

32. Kirshner J, Electron excited core level spectroscopies.-Topics Curr. Chemistry, 1977, 4, p.59-115*

33. Palmberg P.W. Quantitave AES using elemental sensitivity factors.-J. Vac. Sci. Technol., 1976, 13, HI, p.214-218.

34. Davies L.E., MacDonald N.C., Palmberg P.W. Handbook on

35. Auger electron spectroscopy.-2nd ed.-Physical Electronics1.d., Edina, p.1976-252.

36. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А. и др. Электронная спектроскопия.-М.: Мир, 1971г., 497с.

37. Lieske N., Hezel R. Core and valence electron excitation of amorphous silicon oxide and silicon nitride studiedby low energy electron loss spectroscopy.-Thin solid films, 1979, 61, N2, 217, p.228.

38. Lurie R.G., Wilson J.M. The diamond surface.-Surface Sci., 1977, 65, N2, p.476-487- 4

39. Lusher P.E. Energy loss mechanisms in low energy electron scattering from W(IOO) and their use as a surface sensitive spectroscopy.-Surface Sci., 1977, 66, N2, p.167-188.

40. Willis R.F., Fitton В., Painter G.S. Secondary-electron emission spectroscopy and the observation of high-energyexcited states in graphite; Theory and experiment.-Phys. Rev. B, 1974, 9, N4, p.1926-1937.

41. Koma A., Ludeke E. Core-and valence-electron spectra of clean Si surfaces by energy loss spectroscopy.-Surface Sci., 1976, 65, N2, p.735-740.55» Ludeke R., Koma A. Oxidation of clean Ge and Si surfaces. -Phys. Rev. Letters, 1975, 34, N18, p.II7I-II74.

42. Lieske N, Hezel R. Surface states on Si(111)7 7 studied by low energy electron loss spectroscopy.-Phys. Stat. Sol.(b), 1979, 92, HI, p.159-170.

43. Chang C.C. Auger electron spectroscopy.-Surface Sci., 1971, 25, N1, p.53-79.

44. Thomas S. Electron-irradiation effects in the Auger analysis of Si02.-J. Appl. Phys., 1974, 45, N1, p.I6I-I66.

45. Моррисон С. Химическая физика поверхности твёрдого тела.-М.: Мир, 1980г., 488с.62» Henrich V.E. Spurious structure in second derivative energy loss spectra.-Appl. Surface Sci., 1980, 6, p.87-89 NI.

46. Ludeke R., Esaki L. Electron energy loss spectroscopy of GaAs, Ge surface.-Phys. Rev. Letters, 1974, 33, Nil,p.653-656.

47. Akimoto K., Sakisaka Y., Nishijima M., Ohchi M. Elsstudy of initial oxidation of Ni(IOO) surfaces.-Surface Sci., 1979, 82, N2, p.349-363.

48. Sakisaka Y., Kato H., Nishijima M.f Ohchi M. Electron energy loss spectra of clean and hydrogen covered Cr(IIO) surfaces.-Solid St. Communs, 1980, 36, N4, p.353-355.

49. Цвейман E.В., Редькин B.C., Зашквара В.В., Корсунский М.И. Спектры характеристических потерь энергии в гадолинии и диспрозии.-Физ.тв.тела, 1971г., 13, JS9, 2793-2795с.

50. Цвейман Е.В., Зашквара В.В., Корсунский М.И., Редькин B.C., Тажибаева С., Киселёва С.С. Ионизационные потери в спектрах неупругого отражения электронов от поверхности редкоземельных металлов.-Физ.тв.тела, 1972г., 14, №5, I549-I55IC.

51. Зашквара В.В., Цвейман Е.В., Корсунский М.И., Редькин B.C. Спектры характеристических потерь энергии электронов, отражённых от поверхности La , Се , Ег , на .-Физ.тв.тела, 1972г., 14, JS6, I8I2-I8I4C.

52. Боровский И.Б., Комаров Е.Я. Структура спектров характеристических потерь энергии отражённых электронов Gd , тъ , Dy ,

53. Но .-Докл. АН СССР, 1976г., 231, №5, II03-II06.

54. Katzel W., Berndt К. Ionization loss spectra of FeS2.-Phys. Stat. Sol.(Ъ), 1980, 97, N2, p.541-576.

55. Curelaru I.M., Suoninen E., Ahlquist P., Minni E., Rounhult T., Strid K.-G.-Excited states of YVO^Cyttriumor thovanadate) studied Ъу electron energy loss spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy.-Phys. lev. B, 1980, 22, N10, p.4698-4709.

56. Lu&eke R., Koma A. Surface studies on clean and oxygen exposed GaAs and Ge surfaces by l&w energy electron loss spectroscopy.-CRC Crit. Rev. in Sol. St. Sci., 1975, p.259-271.

57. Jacobi K. Surface states on phosphorous- and gallium-rich

58. Ellis W.P. Anger / loss studies of uranium, uranium oxidation, U02^ U^0Q and UF^.-Surf. Sci., 1976, 61, N1, p.57-59.

59. Fortner R.J., Musket R.G. Chemical effects in Auger electron spectra of berillium.-Surface Sci., 1971» 28, N2, p.339-343.

60. Coad J.P., Riviere J.C. The combination of Auger spectroscopy and characteristic loss spectroscopy for the elements V-CO.-Phys. Stat. Sol.(a), 1971, 7, N2, p.571-575.

61. Fiermans L., Vennik J. On the use of characteristic ionizations losses in Auger electron emission spectroscopy. -Surface Sci., 1973, 38, N1,p.257-260.

62. Shubert W.K., Shelton R.N., Wolf E.L. Electron energy loss and ultraviolet-photoemission spectroscopy study of the VNX system.-Phys. Rev. B, 198I, 23, N10, p.5097-5106.

63. Goldstein В., Szostak D.J. Work function and Auger measurements of the initial oxidation of hydrogenated amorphous

64. Si and of single crystal Si.-Appl. Phys. Letters, 1978, 33, N1, p.85-87.

65. Martinelly R.U., Fisher D.A. The application of semiconductors with negative electron affinity surfaces to electron emission devices.-Proc. of the IEEE, 1974, 62, N10, p.1339-1360.

66. Белл P.Л. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством.-М.: Энергия, 1978г., 190с.

67. Tetsuji Oda, Takuo Sugano. Studies on chemically Etched silicon, gallium arsenide and gallium phosphide surfaces by Auger electron spectroscopy.-Jap. J. Appl. Phys., 1976, 15, N7, p.1317-1327.

68. Физико-химические свойства окислов. Справочник / под ред. Самсонова Г.В. М.: Металлургия, 1978г., 472с.93* Weber R.E., Peria W.T. Use of LEED apparatus for the detection and identification of surface contaminants.

69. J. Appl. Phys., 1967, 38, N1, p.4355-4359.

70. Коваль И.Ф., Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г., Гойса С.Н. Исследование фазового состава окислов кремния методами электронной спектроскопии. Всесоюзный симпозиум по ненакаливаемым катодамтТезисы докладов. Томск: 1977г., 48-49с.

71. Коваль И.Ф., Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г., Гойса С.Н. Исследование фазового состава окислов кремния методами электронной спектроскопии.-Физ. тв. тела, 1977г., 19, №9, I€81-1683с.

72. Stephenson D.A., Binkovski N.J. X-Ray photoelectron spectroscopy of silica in theory and experiment.-J. Non-Cryst. Solids, 1976, 22, N2, p.299-421.

73. Carriere D., Deville J.P., Brion D., Eskard J. X-Ray photoelectron study of some silicon-oxygen compounds.-J. Electron Spectroscopy Rel. Phenom., 1977, 10, N2, p.89-91.

74. Taylor J.A., Lancaster G.M., Rabalais J.W. Chemical reactions of N^ ion beams with group IX elements andtheir oxides.-J. Electr. Spectroscopy Rel. Phen., 1978,12, N6, p.435-444.

75. Касуэлл Х.Л. Оборудование для испарения материалов в сверхвысоком вакууме и анализ остаточных газов. В кн. "Физика тонких плёнок" / под ред. Хасса Г., т.1, М.: Мир, 1967г., I3-9IC.

76. Самсонов Г.В. Физико-химические свойства окислов.-М.: Металлургия, 1978г., 472с.

77. Коваль И.Ф., Гойса С.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Электронная спектроскопия поверхностей si , siO^ Si^N^ после реактивной ионной имплантации о^ и^+.-Физ. Тв. тела, 1980,22, №7, 2003-2009с.

78. Philipp H.R.Optical and bonding model for non-crystalline Si0x and SiO^y materials.-J. Non-Cryst. Solid, 8810. 627, 1972.

79. ЮЗ.Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Наукова Думка, Киев, 1978г., 315 с.

80. Delford J.F., Schrott A.G., Fain S.C.Jr. Nitridation of silicon (III); Auger and LEED results.-J. Vac. Sci. Technol. 1980, 17, N1, p.517-520.

81. Johannessen J.S., Spicer W.E., Strausser Y.E. LW spectra of Si, Si02 and Si^.-Phys. Scripta, 1979, 19, N4, p.355-359.

82. Solloway Р.Н. Chemical shifts in Auger electron spectra from silicon in silicon nitride.-Surface Sci., 1976,54, N3 p.506-508.

83. Thomas S., Matt ox R»J.,An attempt at the AES evaluation of the composition of offstoichiometric silicon nitride.-J. Electrochem. Soc., 1977, 124, N12, p.I942-I945.

84. Ito Т., Hujiya S., Nozaki Т., Arakawa H., Shinoda M., Fukuka ?/.,

85. Very thin silicon nitride films growth by direct thermal reaction with nitrogen.- J. Electrochemical Soc., 1978, 125, N3, p.448-452.

86. Windawi H.M., Katzer J.E., Cooper C.B. AES depth profiling with N^ ion sputtering.-Phys, Letters, 1976, 59A, N1,p.62-64.

87. Klasson M., Berndtsson A., Hedman J., Nillsson E., Nyholm E., Nordling C. Electron escape depth in silicon.-J. electron Spectrosc. Eel. Phenom.,1974,3, N4, p.427-434.

88. Ashley J.C., Adersson V.E. Energy losses and mean free path of electrons in silicon dioxide.-IEEE trans., Nucl. sci.,1.8I,NS-28, N6, p.4132-4136. И2.Добрецов Л.Н., Гомоюнова M.B. Эмиссионная электроника.1. М.:Наука, 1966г., 564 с.

89. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия.-М.: Наука, 1969, 408 с.

90. Badawi М.Н., Anand K.V. A study of silicon oxides prepared by oxygen implantation in silicon.-J. Phys.d: Appl. Phys., 1977, Ю, N9, p.1931-1942.115«Энциклопедия неорганических материалов.- Киев:Гл. ред.

91. Укр. Сов. Энциклопедии, 1977г., т.2, с.80-82. Иб.Бейкер А., Беттеридж Д. Фотоэлектронная спектроскопия.1. М.: МИР, 1975г., 196с.

92. Blane J. A revised model for the oxidation of Si by . oxygen.-Appl. Phys. Letters, 1978, 33, N5, p.424-426* 118. Garner C.M., Lindau I., Miller J.N., Pionetta P.,

93. Spicer W.E. Photoemission studies of the surface states and oxidation of group IX semiconductors.-J. Vac. Sci. Technol., 1977, 14, N1, p.372-375.

94. Spicer W.E., Chye P.W., Garner C.M., Lindau I.,

95. Pianetta P. The sirface electronic structure of 3-5 compounds and the mechanizm of Fermi level pinning by oxygen (passivation) and metals (Shottky barriers).-Surface Sci., 1979, 86, p.763-788, N3.

96. Meyer P., Vrakking J.J. The adsorption of oxygen on a clean silicon surface.-Surface Sci., 1973, 38, N2,p.275-281.

97. Hill J.M., Joyse D.G., Fadley C.S., Wagner L.F., Grunthanner J.F. Properties of oxidized silicon as determined by angular dependent X-ray photoelectron spectroscopy.-Chem. Phys. Letters, 1976, 44, N2, p.225-227.

98. Garner C.M., Lindau I., Su C.Y., Pianetta P., Spicer W. Electron spectroscopic studies of the early stages of the oxidation of Si.-Phys. Rev. B, 1979, N8, p.3944-3956.

99. Stohr J., Johansson L., Lindau I., Pianetta P. Extended-x-ray-adsorption-fine-structure studies of low Z atoms in solids and on surfaces: studies of Si^N^, Si02 and oxygen on Si(III).-Phys. Rev. B, 1979, 20, N2, p.664-680.

100. Marton D. A SIMS study of the adsorption of oxygen on ion-bombardment silicon (III) surfaces.-Appl. Surface1. Sci., 1980, 5, P.65-72

101. Malinowski J., Buroff A, Photostimulated solid state reactions.-Contemporary Bays., 1978, 19, N2, p.99-108.

102. Розова Т.Т., Фурсей Г.Н., Иванов В.Г. Адсорбция кислородана германии, стимулированная сильным электрическим полем.

103. Физ. тв. тела, 1978г., 29, Ю, с.2672-2674. Т29.Химия плазмы/ Под ред.Б.М. Смирнова,вып.1,М.:Атомиздат,1974г., 156с.

104. Johannessen J.S., Spicer W.E.j Strausser Y,E. An Auger analysis of Si02-Si interface.-J. Appl. Phys*, 1976, 47, N7, p.3028-3037.

105. Von Wienskowski J. Oxidation of cleaved Si(III) surfaces,-Phys. Stat, Solidi(b), 1978, 90, NI, p.K9-KI2.

106. Janssen A.P., Schoonmaker R«, Mattew J,A«D., Chambers A, Interfacial Auger transitions of oxidized sodium and mag-nesium.-Solid St. Communs., 1974, 14, Nil, p.I263-I267.

107. Papageorgopoulos J.M., Chen J.m. Coadsorption of cesium and oxygen on Ni(IOO).- Surface Sci., 52, NI, 1975, p.53-61.1.6,Surnev L. Oxygen adsorption on Ge(III) surface. II, Alkali metal-covered surfaces.-Surface Sci#, I9&I, 110, N2, p.458-470.

108. Петров Н.И., Эмиттеры с отрицательным сродством к электрону.(Обзор).-Журн. Технич. Физики, 1971г., 41, №12, 2473-2491с.

109. Крынько Ю.Н., Коваль И.Ф., Мельник П.В., Кошевая С.В., Находкин Н.Г. Длина свободного пробега электронов для образования плазмонов в алюминии.-Физ. тв. тела, 1975г., 17, №4, II38-II4IC.

110. I.Iwasaki H., Uakamura S.Qn energy dependence of the escape depth for electrons.-Surface Sci., 1977, 65, N1, p.345-348.

111. Вавилов B.C., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграция дефектов в полупроводниках.-М.: Наука, 1981г., 368с.

112. Крынько Ю.Н., Коваль И.Ф., Мельник П.В. Длина пробегаэлектрона без потерь энергии в германии.-Укр. физ. журнал, 1975, 20, №3, с.508-510.