Исследование фотоэлектрических и кинетических характеристик модифицированных сплавов халькогенидов свинца тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЗОННАЯ СТРУКТУРА, ПРИМЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОДИФИЦИРОВАННЫХ СПЛАВОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА.

1.1 Кристаллическая и зонная структура полупроводников А4В

1.2 Особенности глубоких примесных состояний в сплавах А4В6.

1.3 Создание фото приемных устройств на основе материалов А4 В6.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗЦЫ.

2.1 Методики синтеза и структурный анализ образцов.

2.1 Л Получение эпитаксиальнфх. пленок

РЬТе(Оа) и РЬ [ ху5пхОеуТс(1п) методом «горячей стенки».

2.1.2 Синтез монокристаллов РЬТе(Са) методом «пар-жидкость-кристалл».

2.1.3 Исследование структурных параметров образцов.

2.2 Устройство низкотемпературной камеры и монтаж образцов.

2.3 Описание и блок-схемы экспериментальных установок.

2.4 Оценка ошибок измерений.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК

ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА, ЛЕГИРОВАННОГО ГАЛЛИЕМ.

3.1 Свойства образцов пленок п-РЬТе(Оа) в диэлектрическом состоянии • • • 53 ЗЛ.ЬСпектры фотопроводимости и температурные зависимости удельного сопротивления при экранировании и ИК-подсветке.

3.1.2 Кинетика переходных процессов при релаксации.

3.1.3 Определение параметров неравновесных носителей заряда.

3.1.4 Обсуждение кинетических зависимостей фотопроводимости.

3.2 Свойства образцов пленок п-РЬТе(Са) в металлическом состоянии.

3.2.1 Температурные зависимости удельного сопротивления образцов с эффектом отрицательной фотопроводимости.

3.2.2 Кинетика релаксации отрицательной фотопроводимости.

3.2.3 Теория отрицательной фотопроводимости: Модель примесного уровня двухвалентного атома Оа" на фоне разрешенных состояний ■ • • ■

ГЛАВА IV. ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ МЕТАСТАБИЛЬНЫМИ ПРИМЕСНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ ИНДИЯ, В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ ТЕЛЛУРИДОВ СВИНЦА-ОЛОВА-ГЕРМАНИЯ.

4.1 Температурные зависимости удельного сопротивления.

4.2 Переходные процессы при ИК-подсветке, явление низкотемпературной неустойчивости (бистабильности) фотоотклика образцов.

4.3 Кинетические явления, обусловленные метастабильными примесными состояниями: Пики термостимулированных токов.

ГЛАВА V. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И ВОЛЬТ

АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАРЬЕРА ШОТТКИ

НА КОНТАКТЕ ИНДИЙ - ТЕЛЛУРИД СВИНЦА.

5.1 Температурные зависимости сопротивления омического

Р1— [р-РЬТе(Оа)]) и неомического (1п— [р-РЬТе(Оа)]) контактов.

5.2 Вольт-амперные характеристики контакта 1п—[р-РЬТе(Са)] при экранировании и ИК-подсветке.

5.3 Теория неомического контакта 1п—[р-РЬТе(Са)].

В настоящее время оптические сигналы инфракрасного (ИК) спектрального диапазона широко применяются для активного и пассивного обнаружения различных объектов, земной и космической связи, оценки состояния окружающей среды, теплопеленгации, распознавания образов и во многих других областях [1—3]. В связи с особой важностью задач ИК-оптоэле^роники ее основная часть - полупроводниковое материаловедение — интенсивно развивалась последние десятилетия. Современная технология фотоприемных устройств (ФПУ) направлена на создание фоточувствительных мультиспектральных матриц, сопряженных с коммутирующими устройствами и электронно-вычислительными машинами (ЭВМ). При этом основное внимание при конструировании ФПУ уделяется не столько самому материалу, сколько целому комплексу «материал + физические принципы построения матриц ФПУ + физические принципы считывания и обработки сигналов».

Разнообразие спектральных диапазонов и задач ФПУ определяет использование для их построения различных полупроводниковых соединений. /

Главные критерии отбора включают в себя такие параметры, как технология очистки исходных материалов, степень развития технологии выращивания, стоимость производства, рабочие температуры синтеза и функционирования, наличие подходящих подложек, возможность создания фоточувствительных элементов с идентичными параметрами, а также принципиальная возможность вариации быстродействия и граничной длины волны; здесь особое значение приобретает необходимость сопряжения полученных элементов с известными коммутирующими устройствами. Кроме того, важнейшей характеристикой для специальных целей является радиационная стойкость материалов [4].

Основная проблема полупроводникового материаловедения для ИК-оптоэлектроники тесно связана с тем, что диапазон длин волн принимаемого излучения простирается от видимого спектра до сверхвысоких частот (СВЧ), что соответствует весьма протяженному интервалу энергий: от 1 мэВ до 1 эВ. Очевидно, что этот достаточно широкий диапазон не может быть "перекрыт" с использованием какого-либо одного полупроводника с соответствующей характерной энергией. В этой связи приобретают все большую актуальность целенаправленный поиск и исследование разнообразных полупроводниковых материалов. Некоторые из применяемых веществ (так, например, примесные кремний и германий) стали уже традиционными [5], другие же являются сравнительно новыми. /

К числу перспективных полупроводниковых материалов для изготовления приемников ИК-излучения в настоящее время относят модифицированные сплавы халькогенидов свинца (МСХС) [6—8]. Модификация физических свойств проявляется как качественные изменения энергетического спектра полупроводников группы А4В6 при введении в них легирующих примесей, образующих глубокие уровни [9,10]. Как было установлено, данные материалы характеризуются двумя фундаментальными свойствами: стабилизацией положения уровня Ферми (УФ) при введении достаточного количества легирующей примеси, а также наличием долговременных релаксационных процессор (ДРП) при возбуждении с помощью внешних физических воздействий (например, ИК-облучением) при низких температурах [8—11]. В частности, в ФПУ на основе МСХС времена релаксации неравновесных носителей заряда могут достигать величин нескольких минут и даже часов (до 105 с) при температуре жидкого гелия. Последнее обстоятельство делает очень заманчивой перспективу использования данных материалов как интеграторов / счетчиков ИК-фотонов.

К настоящему времени список изученных веществ класса МСХС, на основе которых принципиально возможно построение приемников ИК-излучения, весьма многообразен [7]. Основным их компонентом является теллурид свинца (РЬТе), в который дополнительно вводятся теллуриды олова (БпТе), германия (СеТе) или марганца (МпТе), образующие непрерывный ряд твердых растворов (при этом возможно также использование других халькогенидов, например, селенидов или сульфидов). Полученный твердый раствор далее легируют элементами III группы (1п, Оа, Т1), либо переходными й-элементами (Сг, Сс1) или лантанидами (УЬ, Тш, вё). Как результат, в зависимости от состава сплава значительно варьируются электрофизические и фотоэлектрические характеристики материала, что позволяет получить ИК-приемник с требуемыми параметрами.

Несмотря на то, что в области физики легированных полупроводников группы халькогенида свинца к настоящему времени уже проведены достаточно обширные экспериментальные исследования, почти все они описывают свойства монокристаллических образцов, в то время как фотоэлектрические свойства и кинетические параметры пленочных объектов ранее практически не исследовались. Последнее обстоятельство особенно относится к МСХС, где легирующей примесью является галлий, в которых наблюдаются рекордные температуры появления фотопроводимости (Тс=80 К). Поскольку именно пленочные структуры, полученные по эпитаксиальным технологиям, являются базовыми объектами для создания оптоэлектронных приборов, то для прикладных целей систематические исследования фотоэлектрических и кинетических характеристик эпитаксиальных пленок материалов группы А4В6 представляются наиболее интересными и актуальными. Кроме того, большую важность для современной ИК-оптоэлектроники представляет создание и исследование высокофоточувствительных диодных структур.

Цель работы. Общая задача настоящей диссертационной работы состояла в комплексном исследовании электрофизических, фотоэлектрических и кинетических свойств и явлений в эпитаксиальных пленках и диодных структурах, полученных на базе наиболее фоточувствительных соединений семейства .теллурида свинца, с целью определения основных временных и энергетических параметров неравновесных носителей заряда при ИК-возбуждении, а также с целью изучения энергетического спектра и тонкой структуры примесных состояний галлия и индия в сплавах теллурида свинца, и, в частности, метастабильных уровней, обуславливающих ряд особенностей кинетики фотопроводимости при низких температурах.

Конкретные задачи включали в себя:

1. Исследование фотоэлектрических и кинетических характеристик эпитаксиальных пленок РЬТе(Са), в зависимости от содержания легирующей примеси, температуры, толщины эпитаксиальных слоев, материала подложки, длины волны и интенсивности ИК-излучения, с целью выяснения перспектив у использования данного материала в оптоэлектронике, определения временных и энергетических параметров неравновесных носителей при фотовозбуждении, а также для уточнения существующих концепций энергетического спектра примесных центров галлия в теллуриде свинца.

2. Исследование низкотемпературных переходных процессов при ИК-фотовозбуждении эпитаксиальных пленок РЬ1х.у8пхОеуТе(1п), обусловленных метастабильными состояниями БХ-подобного примесного центра, методами термоактивационной токовой спектроскопии, с целью идентификации и определения энергетических параметров данных мета стабильных состояний.

3./Изучение фотоэлектрических свойств и диодных вольт-амперных характеристик барьера Шоттки на неомическом контакте 1п—[р-РЬТе(Са)], с целью выяснения механизма легирующего действия примеси галлия в теллуриде свинца в области р-типа проводимости.

Научная новизна и положения, выносимые на защиту.

В результате проведенных исследований:

1. Установлено, что в эпитаксиальных пленках п-РЬТе(Са) температура появления фоточувствительности монотонно повышается с уменьшением толщины образца с! и достигает величин Тс~150 К при с1=0.2 мкм (интенсивность источника ИК-излучения 10-5-10-4 Вт/см2), что превосходит почти вдвое соответствующие значения (Тс=80 К) для монокристаллических образцов; данное обстоятельство открывает многообещающие предпосылки для использования пленочных структур теллурида свинца с галлием в качестве датчиков ИК-излучения в области азотных температур.

2. Исследованы основные кинетические параметры и характеристики (мгновенные времена переходных процессов, релаксационные зависимости, спектральная чувствительность) для эпитаксиальных пленок п-РЬТе(Оа); в том числе также определена величина рекомбинационного барьера, разделяющего примесное и зонные состояния неравновесных носителей заряда.

3. Обнаружено и изучено явление отрицательной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках п-РЬТе(Са) при температурах ниже Т-^40 К. Для объяснения наблюдаемых эффектов предложена и обоснована теоретическая модель, предполагающая наличие примесного уровня двухвалентного галлия на фоне разрешенных состояний в зоне проводимости теллурида свинца, что находится в соответствии с результатами спектральных исследований.

4. Установлено, что эпитаксиальные пленки РЬ1ху8пхСеуТе(1п) обладают высокой фоточувствительностью при Т<( 35-40) К, сильно зависящей от содержания германия в образцах. В условиях низкой интенсивности ИК-/ подсветки описаны явления термической неустойчивости (бистабильности) при нагревании или дополнительном И К-возбуждении образцов.

5. Методами термоактивационной токовой спектроскопии в образцах эпитаксиальных пленок РЬ ] ху5пхС еуТе( I п) зафиксированы единичные пики термостимулированных токов (ТСТ) в температурном диапазоне (6-14) К, обусловленные термическим возбуждением неравновесных электронов из метастабильного примесного уровня индия в зону проводимости; исследованы зависимости положения пиков ТСТ от магнитного поля и определены энергии данных метастабильных примесных состояний.

6. ^Изучены фотоэлектрические свойства и диодные вольт-амперные характеристики барьера Шоттки на неомическом контакте 1п—[р-РЬТе(Са)]; для объяснения полученных результатов предложена модель формирования фоточувствительных областей РЬТе(Оа) п-типа вследствие искривления зон вблизи неомического контакта либо вследствие неравномерного распределения легирующей примеси галлия в объеме монокристалла р-РЬТе(Са).

Практическая ценность диссертационной работы состоит в том, что:

1. Полученные данные о фотоэлектрических и кинетических свойствах и характеристиках эпитаксиальных пленок PbTe(Ga) и Pb|xySnxGeyTe(In) в широком температурном диапазоне 4.2<Т(К)<300 могут быть использованы для / управления параметрами данных материалов при проектировании приборов для ИК-оптоэлектроники.

2. На базе эпитаксиальных пленочных структур соединений PbTe(Ga) и PbjxySnxGeyTe(In) могут быть построены эффективные ИК-фотоприемные устройства и приборы, работающие в режиме периодического накопления (интегрирования) и быстрого сброса полезного фотосигнала.

Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в настоящей диссертации, докладывались и обсуждались на:

• II и III Международных школах-коференциях «Физические проблемы материаловедения полупроводников» (Черновцы, Украина, 1997 и 1999 гг.)

• Осенних сессиях американского сообщества материаловедов — «MRS Fall Meetings» (Бостон, США, 1997 и 1999 гг.)

• I'll Всероссийской конференции по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН, 1997 г.)

• V Международной конференции «Высокотемпературные сверхпроводники и современная инженерия неорганических материалов» (Москва, Россия,

1998 г.)

• Международных конференциях студентов и аспирантов по фундаментальным наукам "Ломоносов-98, 99, 2000" (Москва, Россия, 1998,

1999 и 2000 гг.)

• VIII и IX Международных конференциях «Мелкие уровни в полупроводниках» (Монпелье, Франция, 1998 г. и Хиого, Япония, 2000 г.)

• IV и V Международных конференциях «Материаловедение и свойства материалов для инфракрасной оптоэлектронники» (Киев, Украина, 1998 и

2000 гг.)

• IX Международной конференции «Узкощелевые полупроводники» (Берлин, Германия, 1999 г.)

• II Международной конференции «Фундаментальные проблемы физики» (Саратов, Россия, 2000 г.)

• II Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000 г.)

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы. Первая глава содержит литературный обзор по теме исследования, вторая глава — описание методов синтеза и структурного анализа образцов, а также низкотемпературных экспериментальных установок и методик, применяемых в работе. Каждая из последующих трех глав содержит оригинальные результаты, полученные автором.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Для эпитаксиальных пленок п-РЬТе(Оа) в диэлектрическом состоянии наблюдаются рекордные для легированных полупроводников группы А4В6 температуры появляния задержанной фотопроводимости, Тс=(Ю0+150) К, в зависимости от толщины образцов, с1=(4-4-0.2) мкм. Отношение удельного сопротивления в темноте и при подсветке (интенсивность ИК-источника ~10~4 Вт/см2) достигает для наиболее фоточувствительных образцов величин 200^300 при температуре 77 К, что позволяет считать пленки теллурида свинца с галлием перспективным материалом для ИК-оптоэлектроники.

2. При исследовании кинетических зависимостей фотопроводимости для наиболее тонких ((1=0.2 мкм) образцов эпитаксиальных пленок п-РЬТе(Са) в диэлектрическом состоянии определено значение энергетического барьера \У при рекомбинации неравновесных носителей заряда, \¥=(26.5±2) мэВ, а также рассчитаны величины быстрых времен релаксации х в условиях импульсной ИК-подсветки в области гелиевых температур, т~10~2 с.

3. Для эпитаксиальных пленок п-РЬТе(Са) в металлическом состоянии обнаружено явление отрицательной фотопроводимости при температурах ниже Т]ч|=40 К, характерные времена релаксации т для которой составляют ~10~5 с, что на 3 порядка меньше, чем в случае положительной фотопроводимости. Для объяснения наблюдаемых эффектов была предложена теоретическая модель, предполагающая существование глубокого уровня двухвалентного галлия (Оа11) на фоне разрешенных состояний в зоне проводимости теллурида свинца. Выдвинутая гипотеза находится в соответствии с результатами спектральных исследований, согласно которым, в спектре фотопроводимости п-РЬТе(Са) наблюдается пик внутризонного поглощения, соответствующий примесному уровню Оа11 в разрешенной зоне теллурида свинца, на -40 мэВ выше дна зоны проводимости.

4. Для эпитаксиальных пленок РЬ| ху8пхСеуТе(1п) установлено, что при ИК-облучении времена релаксации неравновесных носителей заряда х резко уменьшаются при увеличении величины энергии примесной термоактивации Ед=(4-ь68) мэВ, соответствующему повышению доли германия в сплаве. При низких интенсивностях подсветки (порядка Ю-6 Вт/см2) описаны эффекты термической неустойчивости (бистабильности) фотоотклика при нагревании или дополнительном ИК-возбуждении образцов.

5. При исследовании кинетических процессов в эпитаксиальных пленках РЬ1ху8пхОеуТе(1п) методами термоактивационной токовой спектроскопии обнаружены единичные пики термостимулированных токов (ТСТ), максимумы которых соответствуют температурному диапазону Тм=6-г-14 К. Полученные результаты интерпретируются как прямое экспериментальное подтверждение ранее выдвигавшихся гипотез о существовании метасгабильных примесных уровней индия, расположенных в энергетическом спектре сплавов теллурида свинца непосредственно под дном зоны проводимости. Количественные оценки энергии перехода возбужденнных электронов из метастабильных состояний дают значения (5-5-1.5) мэВ, что согласуется со спектроскопическими оценками. Тонкую структуру пиков ТСТ зафиксировать не удалось, в том числе и в экспериментах с магнитным полем (Н<5 Тл).

6. Исследованы и описаны фотоэлектрические свойства и вольт-амперные характеристики диодного типа для неомического контакта 1п—[р-РЬТе(Оа)], величина барьера Шоттки фВ на котором составляет «110 мэВ (при Т=4.2 К).

Наблюдаемые зависимости объясняются в рамках гипотезы формирования фоточувствительных областей РЬТе(Оа) с п-типом проводимости вследствие искривления зон вблизи неомического контакта 1п— [р-РЬТе(Са)], а также в / результате неравномерного распределения легирующей примеси галлия в объеме монокристалла р-РЬТе(Оа).

1. Фотоприемники видимого и ИК-диапазонов. Под ред. Р.Дж. Киеса. //М.: Радио и связь, 1985.

2. Аксененко М.Д., Бараночников M.JI. Приемники оптического излучения. //М.: Радио и связь, 1987.

3. Богомолов П.А., Сидоров В.И., Усольцев И.Ф. Приемные устройства ИК-систем. //М.: Радио и связь, 1987.

4. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. //М.: Наука, 1988.

5. Sclar N. Properties of Doped Silicon and Germanium Infrared Detectors. //Progr. Quant. Elect., 1984, v. 9, pp. 149-257.

6. Абрикосов H.X., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений А^вб. //м.: Наука, 1975.

7. Акимов Б.А., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Перспективные материалы для ИК-оптоэлектроники на основе соединений группы А^В^. //Высокочистые вещества, 1991, № 6, с. 22-35.

8. Lead Telluride: Physics and Applications. Ed. D.R. Khokhlov. //Gordon and Breach^ New York, 2001.

9. Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics. Ed. G. Holer, v. 98, pp. 1-117 (G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow-Gap Lead Salts) //Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 1983.

10. Кайданов В.И., Равич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа А4в6. //УФН, 1985, т. 145, № 1, с. 51-86.

11. Akimov В.A., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L.I. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials. //Phys. Stat. Sol. (a), 1993, v. 137, № 1, pp. 9-55.

12. Волкцв Б.А., Панкратов О.А. Кристаллические структуры и симметрия электронного спектра полупроводников группы А^В^. //ЖЭТФ, 1978, т. 75, № 4, с. 1362-1379.

13. Littlewood Р.В. The crystal structure of IV-VI compounds: I. Classification anddescription. //J. Phys. С, 1980, v. 13, pp. 4855-4873.

14. Kawamura H.H. Phase transition in IV-VI compounds. //Lect. Notes Phys., 1980, v. 133, pp. 470-494.

15. Maselsky R., Lubell M.S., Kramer W.E. Phase studies of the group 1V-A tellurides. //J. Chem. Phys., 1962, v. 37, № 1, pp. 45-47.

16. Wagner J.W., Willardson R.K. Growth and characterization of single crystals of PbTe-SnTe. //Trans. AIME, 1968, v. 242, № 3, pp. 366-371.

17. Rety A.M., Jena A.K., Bever B.B. On the solid solutions of tin telluride. //Trans. AIME, 1968, v. 242, № 3, pp. 371-373.

18. Жукова Т.Б., Заславский A.M. Исследование фазового превращения и структуры a-GeTe. //Кристаллография, 1967, т. 12, № 1, с. 37-41.

19. Hohnke D.K., Holloway H., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe-GeTe. //J. Phys. Chem. Sol., 1972, v. 33, № 11, pp. 2053-2062.

20. Лебедев А.И. Сегнетоэлектрические фазовые переходы в полупроводниках группы A4ß6, обусловленные нецентральными примесями. //Дисс, на соиск. учен. степ. докт. физ.-мат. наук, М.: МГУ, 1993.

21. Dimrnock J.O., Wright G.B. Band edge structure of PbS, PbSe and PbTe. //Phys. Rev., 1964, v. 135, № 3, pp. 821-830.

22. Couklin J.В., Johnson L.E., Pratt G.W. Energy bands in PbTe. //Phys. Rev.,1965, v. 137, № 4, pp. 1282-1294.

23. Lin P.J., Kleinmann L. Energy bands of PbTe, PbSe and PbS. //Phys. Rev.,1966, v. 142, № 2, pp. 478-489.

24. Kohn S.E., Yu P.X., PetrofTY., Shen Y.R., Tsung Y.W., Cohen M.L. Electronic band structure and optical properties of PbTe, PbSe and PbS. //Phys. Rev. B, 1973, v. 8, № 4, pp. 1477-1488.

25. Martinez G., Schlüter M., Cohen M.L. Electronic structure of PbSe and PbTe. I. Band structures, densities of states and effective masses. //Phys. Rev. B, 1975, v. 11, № 2, pp. 651-670.

26. Herman F., Kortum R.L., Ortenburger I.B., Van Dyko J.P. Relativistic band structure of GeTe, SnTe, PbTe, PbSe and PbS. //J. Phys., 1968, v. 29, № 11-12,pp. 62-77.

27. Tsung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe. //Phys. Rev., 1969, v. 180, № 3, pp. 823-826.

28. Rabii S. Energy-band structure and electric properties of SnTe. //Phys. Rev., 1969, v. 182, № 3, pp. 821-828.

29. Dimmock J.O., Melngailis I., Strauss A.J. Band structure and laser action in

30. PbixSnxTe. //Phys. Rev. Lett., 1966, v. 16, № 26, pp. 1193-1196.

31. Dimmock J.O. k-p theory for the conduction and valence bands of Pb.xSnxTe and of PbixSnxSe alloys. //The Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors, eds. Carter D.L., Bate R.T. (Pergamon Press, New York, 1971), pp. 319-329.

32. Dixon J.R., Bis R.P. Band inversion and the electrical properties of PbixSnxTe. //Phys. Rev., 1968, v. 176, № 3, pp. 942-949.

33. Cohen M.L., Tsung Y.W. Theory of the electronic structure of some IV-VI semiconductors. //J. Phys. Chem. Solids, 1972, v. 32, № 1, pp. 303-317.

34. Lewis A.V., Nicholas R.J., Ramage G.S., Bauer G., Stradling R.A., Lopez-Otero A. Effective masses in n- and p-type Pb|xGexTe. //J. Phys. C, 1980, v. 13, № 4, pp. 561-569.

35. Takaoka S., Murase K. Band edge structure transformation due to the ferroelectric transition in PbixGexTe alloy semiconductors. //J. Phys. Soc. Jpn., 1982, v. 51, № 6, pp. 1857-1864.

36. Bangert E., Bauer G., Fantner E.J'., Pascher H. Magnetooptical investigation of phase-transition-induced band-structure changes of Pb.xGexTe. //Phys. Rev. B, 1985, v. 31, № 12, pp. 7958-7978.

37. Gibson A.F. The absorption spectra of single crystals of lead sulphide, selenideand telluride. //Proc. Phys. Soc., 1952, v. 65, Pt. 5, № 389B, pp. 378-388.

38. Аверкин A.A., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. //ФТП, 1971, т. 5, № 1, с. 91-95.

39. Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Черник И.А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. //ФТП, 1973, т. 7, № 4, с. 759-762.

40. Лыков С.Н., Черник И.А. Осцилляционные явления Шубникова-де Гааза в теллуриде свинца с примесью индия. //ФТП, 1980, т. 14, № 1, с. 47-54.

41. Вейс А.Н., Кайданов В.И., Костылева H.A., Мельник Р.Б., Уханов Ю.И. Примесные состояния галлия в теллуриде свинца. //ФТП, 1973, т. 7, № 5, с. 928-930.

42. Аленина Л.Ф., Вейс А.Н., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. Примесные состояния галлия и таллия в теллуриде свинца: В сб. «Легированные полупроводники» под ред. Абрикосова Н.Х. //М.: Наука, 1975, с. 27-31.

43. Ерофеев P.C., Овечкина В.Н. Поведение Ga в РЬТе. //Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1978, т. 14, № 2, с. 243-246.

44. Лазаренко М.А., Гаськов А.М., Зломанов В.П., Новоселова A.B. Легирование теллурида свинца галлием. //ДАН СССР, сер. «Физика», 1981, т. 259, № 6, с. 1375-1378.

45. Гришечкина С.П., Журавлев A.A., Моллманн К.-П., Херрманн К.Х. Резонансный внутри центровой переход в теллуриде свинца, легированном галлием. //ФТП, 1991, т. 25, № 4, с. 677-683.

46. Вейс А.Н., Кайданов В.И., Немов С.А., Емелин С.Н., Ксендзов А.Я., Шалабутов Ю.К. Примесные состояния таллия в теллуриде свинца. //ФТП, 1979, т. 13, № 1, с. 185-187.

47. Тетеркин В.В., Сизов Ф.Ф., Прокофьева Л.В., Громовой Ю.С., Виноградова М.Н. Резонансные состояния примесей переходных элементов (Ti, Cr) в РЬТе. //ФТП, 1983, т. 17, № 5, с. 782-785.

48. Vulchev V.D., Borisova L.D. Impurity states of chromium in lead telluride. //Phys. Stat. Sol (a), 1987, v. 99, pp. K53-K56.

49. Акимов Б.А., Вертелецкий П.В., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Тананаева

50. О.И., Широкова H.A. Осцилляции Шубникова де-Гааза в PbTe(Gr). //ФТП,1989, т. 23, № 2, с. 244-249.

51. Grodzicka Е., Dobrowolski W., Story Т., Wilamowski Z., Witkowska В. A study of the resonant Cr donor in IV-VI lead compounds. //Cryst. Res. Technol., 1996, v. 31S, pp. 651-654.

52. Чащин С.П., Барышев Н.С., Гужова И.П., Харионовский Ю.С., Аверьянов И.С. Электрофизические свойства of n-PbjxSnxTe(Cd). //ФТП, 1982, т. 16, № 3, с. 525-527.

53. Акимов Б.А., Гаськов A.M., Рябова JT.И., Хохлов Д.Р. Перестройка энергетического спектра в сплавах PbixSnxTe(Cd) под действием давления. //ФТП, 1987, т. 21, № 9, с. 1588-1593.

54. PartiivD.L. Lead telluride doped with rare-earth elements. //J. Appl. Phys., 1985, v. 57, № 15, pp. 1977-1999.

55. Grodzicka E., Dobrowolski W., Story Т., Slynko E.I., Vygranenko Yu.K., Willekens M.M.H., Swagten H.J.M., De Jonge W.J.M. Resonant state of 4f14/13 -Yb ion in PbixGexTe. //Acta Phys. Pol. (A), 1996, v. 90, № 4, pp. 801-804.

56. Skipetrov E.P., Chernova N.A., Slyn'ko E.I., Vygranenko Yu.K. Energy spectrum and parameters of deep impurity level in PbjxGexTe alloys doped with Yb. //Phys. Rev. B, 1999, v. 59, № 20, pp. 12928-12934.

57. Акимов Б.А., Коробейникова E.H., Рябова Л.И., Тамм М.Е. Влияние Ттна свойства теллурида свинца. //ФТП, 1991, т. 25, № 2, с. 342-344.

58. Story Т., Arciszewska М., Lazarczyk P., Lusakowski A., Gorska М., Dobrowolski W., Witkowska В., Grodzicka Е., Galazka R.R. Transport and magnetic study of Gd ions in PbbySnyTe. //Acta Phys. Pol. (A), 1997, v. 92, № 5, pp. 997-1000.

59. Лыков C.H., Черник И.А. О зарядовом состоянии примеси индия в теллуриде свинца. //ФТП, 1980, т. 14, № 9, с. 1861-1863.

60. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примеси на положительно и отрицательно заряженные состояния. //ФТП, 1981, т. 15, № 4, с. 625-648.

61. Драбкдн И.А., Квантов М.А., Компанией В.В., Костиков Ю.П. Зарядовые состояния In в РЬТе. //ФШ, 1982, т. 16, № 7, с. 1276-1277.

62. Ерасова Н.А., Ефимова Б.А., Захарюгина Г.Ф. Кайданов В.И. Примесные состояния In в некоторых твердых растворах на основе РЬТе. //Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1978, т. 14, № 5, с. 870-874.

63. Bauer G., Burkhard H., Heinrich H., Lopez-Otero A. Impurity and vacancy states in PbTe. //J. Appl. Phys., 1976, v. 47, № 3, pp. 1721-1725.

64. Heinrich H. Defects in IV-VI compounds. //Narrow Gap Semiconductor Physics and Applications, ed. Zavadski W., Lecture Notes in Physics, 133 (Springer, Berlin, 1980), pp. 407-426.

65. Сизов Ф.Ф., Пляцко С.В., Лакеенков В.М. Глубокие уровни в РЬТе. //ФТГТ, 1985, т. 19, № 4, с. 592-596.

66. Lischka К. Deep level defects in narrow gap semiconductors. //Phys. Stat. Sol. (b), 1986, v. 133, № 1, pp. 17-46.

67. Lent C.S., Bowen M.A., Allgaier R.S., Dow J.D., Sanker O.F., Ho E.S. Impurity levels in PbTe and Pb!xSnxTe. //Solid State Commun., 1987, v. 61, № 2, pp. 83-87.

68. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Никифоров B.H. Доменная электрическая неустойчивость в сплавах Pbj.xSnxTe(In). //Письма в ЖТФ, 1983, т. 9, № 23, с. 1438-1442.

69. Акимов Б.А., Климонский С.О., Рябова Л.И. Долговременныерелаксационные процессы, индуцированные электрическим молем в диэлектрической фазе сплавов PbjxSnxTe(In). //В сб. «Структура и свойства соединений AIVBVI», М.: Металлургия, 1990, с. 106-113.

70. Akimov В.А., Brandt N.B., Ryabova L.I., Sokovishin V.V., Chudinov S.M. Band edge motion in quantizing magnetic field and nonequlibrium states in Pbj.xSnxTe alloys doped with In. //J. Low Temp. Phys., 1983, v. 51, № 1/2, pp. 9-32.

71. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Богословский C.A., Рябова Л.И., Чудинов С.И. Неравновесное металлическое состояние в сплавах PbixSnxTe(In). //Письма в ЖЭТФ, 1979, т. 29, № 1, с. 11-14.

72. Волков Б.А., Панкратов О.А. Ян-теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов а полупроводниках А^В^. //ДАН СССР, сер. «Физика», 1980, т. 255, № 1, с. 93-97.

73. Волков Б.А., Панкратов О.А. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках А4Вб. //ЖЭТФ, 1985, т. 88, N° 1, с. 280-293.

74. Волков Б.А., Осипов В.В., Панкратов О.А. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. //ФТП, 1980, т. 14, № 7, с. 1387-1389.

75. Chadi D.J., Chang K.J. Theory of the atomic and electronic structure of DXcenters in GaAs and AlxGa.xAs alloys. //Phys. Rev. Lett., 1988, v. 61, № 7, pp.873.876. /

76. Chadi D.J., Chang K.J. Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGa,xAs alloys. //Phys. Rev. B, 1989, v. 39, № 14, pp. 10063-10074.

77. Mooney P.M. Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors. //J. Appl. Phys., 1990, v. 67, № 3, pp. R1-R26.

78. Park C.H., Chadi D.J. First-principles study of DX centers in CdTe, ZnTe, and CdxZnbxTe alloys. //Phys. Rev. B, 1995, v. 52, № 16, pp. 11884-11890.

79. Wilamovski Z., Suski Т., Jantsh W. DX puzzle: Where are we now? //Acta Phys. Pol. (A), 1992, v. 82, № 4, pp. 561-571.

80. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Панкратов О.А., Трофимов В.Т. Двухэ^ектронный захват и параметры ян-теллеровского центра в PbixSnxTe(In). //Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, № 1, с. 3-6.

81. Винчаков В.Н., Кайданов В.И., Лыков С.Н., Рыков С.А. Туннельная спектроскопия квазилокальных примесных состояний индия в теллуриде свинца. //Письма в ЖЭТФ, 1986, т. 43, № 8, с. 384-386.

82. Кайданов В.И., Рыков С.А., Рыкова М.А., Сюрис О.В. Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии. //ФТП, 1990, т. 24, № 1, с. 144-151.

83. Драбкин И .А., Ефимова Б.А., Захарюгина Г.Ф., Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Нельсон И.В. Оптические свойства твердых растворов Pb^xInxTe. //ФТГГ, 1973, т. 7, № 4, с. 794-797.

84. Голубев В.Г., Гречко Н.И., Лыков С.Н., Сабо Н.П., Черник И.А. Электрические свойства твердых растворов PbixInxTe при температурах жидкого гелия. //ФТП, 1977, т. 11, № 9, с. 1704-1708.

85. Бочарова Т.В., Вейс А.Н., Дашевский З.М., Котельников В.А., Крупицкая

86. Р.Ю. Исследование коэффициента поглощения в тонких слоях РЬТе, легированных индием. //ФШ, 1981, т. 15, № 1, с. 175-178.

87. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Курбанов K.P., Рябова Л.И., Хасанов А.Т., Хохлов Д.Р. Фотоэлектрические явления в РЬТе, легированном индием. //ФТП, 1983, т. 17, № 9, с. 1604-1608.

88. Акимов Б.А. Энергетический спектр, глубокие квазилокальные уровни иметастабильные электронные состояния в халькогенидах свинца и олова. //Дисс. на соиск. учен. степ. докт. физ.-мат. наук, М.: МГУ, 1984.

89. Хохлов Д. Р. Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы. //Дисс. на соиск. учен. степ, докт. физ.-мат. наук, М.: МГУ, 1992.

90. Рябова Л.И. Энергетические спектры и кинетические явления в твердых растворах на основе теллурида свинца и теллурида индия и их модификация примесями. //Дисс. на соиск. учен. степ. докт. физ.-мат. наук, М.: МГУ, 1994.

91. АлбутгА.В. Кинетические явления и задержанная фотопроводимость в твердых растворах PbixSnxTe(In) и In.„хТ1хТе. //Дисс. на соиск. учен, степ. канд. физ.-мат. наук, М.: МГУ, 1987.

92. Андреев Ю.В., Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвеенко A.B., Можаев Е.А., Мойжес Б.Я. Электрические свойства Pbj xSnxTe с примесью индия. //ФТП, 1975, т. 9, № 10, с. 1873-1878.

93. Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвеенко A.B., Можаев Е.А., Парфеньев Р.В. Аномальные электрические свойства слоев Pb . xSnxTe с примесью индия. //ФТП, 1977, т. И, № 5, с. 846-854.

94. Акимов Б.А., Рябова Л.И., Чудинов С.М., Яценко О.Б. Перестройкаэнергетического спектра в сплавах PbixSnxTe с примесью In при изменении их состава и под давлением //ФТП, 1979, т. 13, № 4, с. 752-759.

95. Weiser К., Klein А., Ainhorh М. Electrical properties of indium-doped lead tin telluride. //Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, p. 607.

96. Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Киселева К.В., Бритов А.Д. Свойстваэпитаксиальных слоев твердых растворов Pb}xSnxTe, легированных индием. //Изв. АН СССР, сер. Неорг. матер., 1979, т. 15, № 2, с. 231-234.

97. Zemel A., Eger D., Shtrilman Н., Tamari N. Electrical properties of indium-doped LPE layers of PbixSnxTe //J. Elect. Mater., 1981, v. 10, № 2, pp. 301312.

98. Akimqv B.A., Brandt N.B., Klimonskiy S.O., Ryabova L.I., Khokhlov D.R. Dynamics of the semiconductor-metal transition induced by the infrared illumination in the PbixSnxTe(In) alloys. //Phys. Lett. A, 1982, v. 88A, № 9, pp. 483-486.

99. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. О фотопроводимости PbixSnxTe, легированного In. //ФТП, 1983, т. 17, № 6, с. 969-972.

100. Панкратов О.А., Фойгель М.Г. Фотопроводимость твердых растворов PbixSnxTe:In. //ФТП, 1984, т. 18, № 7, с. 1203-1209.

101. Акимов Б.А., Албул А.В., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Фотоэлектрические явления в сплавах Pbo.75Sno.25Te с различным содержанием индия. //ФТП, 1984, т. 18, № 10, с. 1778-1783.

102. Takaoka S., Itoga Т., Murase К. Investigation of transport properties in PbixSnxTe doped with indium. //Jpn. J. Appl. Phys., 1984, v. 23, № 2, pp. 216222.

103. Martinez A., Abbundi R.J., Houston В., Davis J.L., Allgaier R.S. Effect of illumination and magnetic fields on the electron transport properties of Pb0.75Sn0.25Te doped with indium. //J. Appl. Phys., 1985, v. 57, № 4, pp. 1165-1170.

104. Martinez A., Santiago F., Davis J.L., Houston В., Drew H.D. Decay kinetics ofphotoconductivity of PbSnTe doped with indium. //J. Appl. Phys., 1985, v. 58,12, pp. 4618-4620.

105. Засавицкий И.И., Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb.xSnxTe:In. //ФТП, 1986, т. 20, № 2, с. 214-220.

106. Акимов Б.А., Албул А.В., Никорич А.В., Рябова Л.И. Фотопроводимость в

107. РЬ().75$п0.25Те(1п) с изовалентными примесями замещения. //ФТП, 1986, т. 20, № 4, с. 629-633.

108. Засавицкий И.И., Матвеенко A.B., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Бесфоновый спектр поглощения PbixSnxTe<In> и зависимость фотопроводимости эпитаксиаьных слоев от толщины. //ФТП, 1987, т. 21, № 10, t. 1789-1795.

109. Акимов Б.А., Албул A.B., Никорич A.B., Широкова H.A., Рябова Л.И. Неравновесные состояния, индуцированные ИК-подсветкой, в сплавах PbixSnxTe(In) (х~0.22) с различным содержанием индия. //ФТП, 1988, т. 22, № 2, с. 248-254.

110. Akimov В.А., Ryabova L.I., Shumskiy V.N., Petikov N.I. An operating regime based on switching effects for photodetectors of PbixSnxTe(In) MBE films. //Infrared Phys., 1993, v. 34, № 4, pp. 375-378.

111. Вейс A.H., Ерасова H.A., Захарюгина Г.Ф., Кайданов В.И., Уханов Ю.И. Примесные состояния индия в твердом растворе Pb}xGexTe. //ФТП, 1984, т. 8, № 9, с. 1798-1800.

112. Бочарова Т.В., Вейс А.Н., Ерасова H.A., Кайданов В.И. Особенности Электрофизических и оптических свойств твердых растворов Pb. xGexTe с примесью индия. //ФТП, 1982, т. 16, № 8, с. 1462-1465.

113. Абдуллин Х.А., Лебедев А.И. Спектры и кинетика примесной фотопроводимости легированных индием твердых растворов PbixGexTe. //Письма в ЖЭТФ, 1984, т. 39, № 6, с. 272-274.

114. Лебедев А.И., Абдуллин Х.А. Исследование электрических свойств PbixGexTe с примесью индия в области фазового перехода. //ФТП, 1984, т. 18, № 4, с. 624-627.

115. Акимов Б.А., Никорич A.B., Рябова Л.И., Широкова H.A. Переход металл-диэлектрик в твердых растворах PbixMnxTe(In). //ФТП, 1989, т. 23, № 6, с. 1019-1024.

116. Акимов Б.А., Львова H.A., Рябова Л.И. Кинетика фотопроводимости в твердых растворах PbixMnxTe(In) при изменении их состава. //ФТП, 1996,т. 30, № 9, с. 1647-1652.

117. Абдуллин Х.А., Лебедев А.И. Примесная фотопроводимость в твердом растворе PbixySnxGeyTe, легированном индием. //ФТП, 1985, т. 19, № 10, с. 1725-1730.

118. Lebedev A.I., Abdullin Kh.A. Impurity photoconductivity and electrical properties of PbjxySnxGeyTe doped with indium. //Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v. 91, № 1, pp. 225-234.

119. Chishko V.F., Hryapov V.T., Kasatkin I.L., Osipov V.V., Slyn'ko E.I., Smolin O.V., Tretinik V.V. High sensitive photoresistors based on homogeneous PbixySnxGeyTe:In epitaxial films. //Infrared Phys., 1993, v. 33, № 3, pp. 197201.

120. Третиник В.В. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок

121. РЬ. xySnxGeyTe:ln с перестраиваемыми дефектами и фоторезисторы на их основе. //Дисс. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук, М.: МФТИ, 1993.

122. Mollmann К.-Р., Siche D., Zajnudinov S. Doping of PbTe with Ga during growth from the vapor phase. //Cryst. Res. Technol., 1986, v. 21, № 10, pp. 1273-1280.

123. Бушмарина Г.С., Грузинов Б.Ф., Драбкин И.А., Лев Е.Я., Мойжес Б.Я., Супрун С.Г. Изменение концентрации носителей тока при легировании РЬТе галлием. //Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1987, т. 23, № 2, с. 222-227.

124. Белоконь С.А., Верещагина Л.Н., Иванчик И.И., Рябова Л.И, Хохлов Д.Р. Характер изменения свойств PbTe(Ga) при изменении степени легирования. //ФТП, 1992, т. 26, № 2, с. 264-269.

125. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Гаськов A.M., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Примесные состояния и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe(Ga). //ФТП, 1983, т. 17, № 1, с. 87-92.

126. Лебедев А.И., Айтикеева Т.Д. Фотопроводимость и процессы рекомбинации в РЬТе, легированном Ga. //ФТП, 1984, т. 18, № 11, с. 19641969.

127. Сизов Ф.Ф., Троян Ю.Г., Линник Л.Ф. Фотоэлектрические свойства системы PbTe:Ga. //УФЖ, 1985, т. 30, № 8, с. 1225-1228.

128. Троян Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Лакеенков В.М. Фотоэлектрические свойства высокоомных монокристаллов PbTe(Ga). //ФТП, 1986, т. 20, № 10, с. 17761781.

129. Троян Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Лакеенков В.М. Времена релаксации неравновесных носителей тока и токовые неустойчивости в высокоомных монокристаллах PbTe:Ga. //УФЖ, 1987, т. 32, № 3, с. 467-471.

130. Васильев А.Н., Волошок Т.Н., Гайдуков Ю.П., Данилова Н.П. О природе задержанной фотопроводимости в PbTe(Ga). //Письма в ЖЭТФ, 1993, т. 58, № 12, с. 970-974.

131. Акимов Б.А., Албул A.B., Рябова Л.И. Кинетика фотопроводимости PbTe(Ga). //ФТП, 1995, т. 29, № 12, с. 2158-2168.

132. Скипетров Е.П., Некрасова А.Н., Пелехов Д.В., Рябова Л.И, Сидоров В.И. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами //ФТП, 1994, т. 28, № 9, с. 1626-1635.

133. Akimov В.А., Egorov K.N., Nikorich А.V., Ryabova L.I. Photoconductivity of PbixMnxTe(Ga) alloys. //Abstracts VIII Int. Conf. «Ternary and Multinary Compounds», Kishinev, USSR, 1990, p. 189.

134. Акимов Б.А., Белоконь C.A., Дашевский 3.M., Егоров К.Н., Лакеенков В.М., Никорич A.B., Рябова Л.И. Энергетический спектр и фотопроводимость твердых растворов PbixMnxTe(Ga). //ФТП, 1991, т. 25, № 2, с. 250-254.

135. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Фотопроводимостьсплавов Pbj.xSnxTe, легированных Al, Ga, In, Cd. //Письма в ЖТФ, 1980, т. 6, № 20, с. 1269-1273.

136. Новоселова A.B., Зломанов В.П., Гаськов A.M., Рябова Л.И., Лазаренко М.А., Лисина Н.Г. Легирование PbjxSnxTe (х=0.00 и 0.20) галлием и кадмием. //Вестник МГУ, серия хим., 1982, т. 23, № 1, с. 3-17.

137. Выграненко Ю.К., Слынько В.Е., Слынько Е.И. Глубокие состояния втвердых растворах PbjxSnxTe, легированных галлием. //ФТП, 1993, т. 27, № 8, с. 1387-1389.

138. Бушмарина Г.С., .Грузин ов Б.Ф., Драбкин И.А., Лев Е.Я., Нельсон Н.В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах PbixGexTe, легированных Ga. //ФТП, 1977, т. 11, № 10, с. 1874-1881.

139. Акимов Б.А., Албул А.В., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Слынько Е.И., Хохлов Д.Р. Влияние легирования галлием на свойства твердых растворов PbixGexTe. //ФТП, 1993, т. 27, № 2, с. 351-354.

140. Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Skipetrova L.A., Belousov V.V., and Mousalitin A.M. Gallium-induced defect states in PbixGexTe. //J. Cryst. Growth, 2000, v. 210, № 3, pp. 292-295.

141. Скипетров Е.П., Зверева E.A., Белоусов В.В., Скипетрова Л.А., Слынько Е.И. Глубокий уровень галлия в сплавах Pb|xGexTe. //ФТП, 2000, т. 34, № 8, с. 932-934.

142. Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Belousov V.V., Skipetrova L.A. Effect of negative photocpnductivity in PbixGexTe alloys doped with gallium. //Phys. Stat. Sol. (b), 2000, v. 221, № 1, pp. 549-552.

143. Зверева E.A. Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца. //Дисс. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук, М.: МГУ, 2000.

144. Выграненко Ю.К., Слынько Е.И., Слынько В.Е. Электрические свойства твердых растворов Pb.xGexTe, легированных иттербием. //Изв. РАН,

145. Неорг. Матер., 1995, т. 31, № 10, с. 1338-1339.

146. Выграненко Ю.К., Слынько Е.И. Фотоэлектрические свойства твердых растворов PbxGexTe<Ga,Yb>. // ФТП, 1996, т. 30, № 10, с. 1876-1878.

147. Чернова H.A. Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца. //Дисс. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук, М.: МГУ, 2001.

148. Lopez-Otero A. Hot wall epitaxy. //Thin Solid Films, 1978, v. 49, № 1, pp. 357.

149. Васин О.И., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Шумский В.Н. Молекулярная эпитаксия пленок Pb.xSnxTe на подложках Ge, Si, GaAs, InSb, BaF2- //Поверхность: физика, химия, механика, 1985, № 7, с. 66-72.

150. Вдсин О.И., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Свешникова JI.B., Шумский В.Н. Получение чистой поверхности подложек BaF2 для эпитаксиального роста соединений AJVBVI. //Поверхность: физика, химия, механика, 1988, № 12, с. 55-60.

151. Васин О.И., Неизвестный И.Г., Торлин М.А., Шумский В.Н. Рентгеноспектральный анализ растущей пленки в процессе молекулярнолучевой эпитаксии. //Поверхность: физика, химия, механика, 1989, № 10, с. 89-93.

152. Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М., Копыл А.И., Летюченко С.Д.

153. Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых /материалов. //Авт. свид. СССР № 1587964, 1990.

154. Глазов В.М., Зломанов В.П. Физико-химические основы легирования полупроводников. //М. : Наука, 1967.

155. Зломанов В.П., Штанов В.И., Яненко З.Г. Способ получения кристаллов PbixSnxTe. //Авт. свид. СССР № 1536872, 1989.

156. Новоселова А.В., Пашинкин А.С. Давление пара летучих халькогенидов металлов. //М.: Наука, 1978.

157. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р-Т-Х диаграммы состояния систем металл-халькоген. //М.: Наука, 1987.

158. Гуро'Г.М., Калюжная Г.А., Мирзоев Ф.Х. Шелепин Л.А. О механизмах внешних воздействий на рост кристаллов. //Труды ФИАН им.

159. П.Н.Лебедева, 1987, т. 177, с. 85-98.

160. Зломанов В.П., Гаськов A.M. Собственные и примесные дефекты в соединениях группы А4В6. //В кн.: «Рост полупроводниковых кристаллов и пленок», ч. 2, Новосибирск: Наука, 1984, с. 116-133.

161. Akimov В.А., Gaskov A.M., Glonty V.N., Ivanchik I.I., Putilin F.N., Ryabova L.I. Laser deposited PbTe(Ga) films. //Phys. Stat. Sol. (a), v. 142, № 1, pp. 8589.

162. Белогорохов А.И., Слынько Е.И., Хохлов Д.P. Аномалии спектров фотопроводимости PbTe(Ga). //Письма в ЖТФ, 1992, т. 25, № 3, с. 207-209.

163. Акимов Б.Б., Албул А.В., Ильин В.Ю., Некрасов М.Ю., Рябова Л.И. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe(Ga). //ФТП, 1995, т. 29, № 11, с. 2015-2023.

164. Belogorokhov A.I., Ivanchik I.I., Khokhlov D.R., Ponomarev S. Local lattice mode-induced far-infrared selective photoconductivity in PbTe(Ga). //Braz. J. Phys., 1996, v. 26, № 1, pp. 308-312.

165. Lo I., Mitchel W.C., Manasreh M.O., Stutz C.E., Evans K.R. Negative persistent photoconductivity in the Alo.6Gao.4Sb/InAs quantum wells. //Appl. Phys. Lett., 1992, v. 60, № 6, pp. 751-753.

166. Lo Iv Mitchel W.C., Kaspi R., Elhamri S. Observation of a negative persistent photoconductivity effect in Ino.25Gao.75Sb/I11As quantum wells. //Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 8, pp. 1024-1026.

167. Chaves A.S., Chacham H. Negative photoconductivity in semiconductor heterostructures. //Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, № 6, pp. 727-729.

168. Wang F.-C., Zhang W.E., Yang C.H., Yang M.J., Bennett B.R. Observation of electrically resettable negative persistent photoconductivity in InAs/AlSb single quantum wells. //Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, № 10, pp. 1417-1419.

169. Lo I., Chen S.J., Lee Y.C., Tu L.-W., Mitchel W.C., Ahoujja M., Perrin R.E.,

170. Tu R.C., Su Y.K., Lan Y.K., Tu S.L. Negative persistent photoconductivity in II

171. VI ZnSi-xSex/Znj-yCdySe quantum wells. //Phys. Rev. B, 1998, v. 57, № 12, pp. /1. R6819-R6822.

172. Казьмин C.A., Кайданов В.И., Шевченко С.С. Медленная релаксация фотопроводимости в пленках теллурида свинца. //ФТП, 1985, т. 19, № 3, с. 530-531.

173. Матвеенко А.В., Медведев Ю.В., Пашковский М.В. Характер медленных релаксаций фотопроводимости эпитаксиальных пленок теллурида свинца. //ФТП, 1986, т. 20, № 11, с. 2016-2020.

174. Засавицкий И.И., Матвеенко A.B., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Отрицательная фотопроводимость в PbixSnxTe:In. //Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 37, № 10, с. 456-459.

175. Засабицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Параметры глубокого центра в пленках PbjxSnxTe:In в зависимости от состава. //ФТП, 1989, т. 23, № И, с. 2019-2023.

176. Волков Б.А., Ручайский О.М. Межцентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и энергетический спектр примесей III группы в IV-VI узкощелевых полупроводниках. //Письма в ЖЭТФ, 1995, т. 62, № 3, с. 205210.

177. Белогорохов А.И., Волков Б.А., Иванчик И.И., Хохлов Д.Р. Модель «DX-подобных» примесных центров в PbTe(Ga). //Письма в ЖЭТФ, 2000, т. 72,3, с. 178-182.

178. Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Попович 3., Ромчевич Н., Хохлов Д.Р. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы. //ФТП, 1998, т. 32, № 6, с. 679-683.

179. Romcevic М., Romcevic N., Khokhlov D.R., Ivanchik I.I. Raman spectroscopy of impurity states in gallium-doped PbTe. //J. Phys. Cond. Mat., 2000, v. 12, № 40, pp. 8737-8744.

180. Акимов Б.А., Албул A.B., Брандт Н.Б., Рябова Л.И. Электротермические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga). //ФТП, 1997, т. 31, № 2, с. 133-136.

181. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. //М.: Наука, 1991.

182. Сизов Ф.Ф., Сава A.A., Тетеркин В.В., Бунчук С.Г., Белоконь С.А. Исследование вольт-амперных характеристик неомических контактов Си— и 1п-р-РЬТе. //Известия АН СССР, Неорг. матер., 1990, т. 26, № 7, с. 1193-1196.

183. В заключение я пользуюсь приятной возможностью и выражаю искреннюю и глубокую благодарность:- академику РАН и декану Факультета Наук о Материалах,

184. Я хотел бы также выразить свою признательность всему коллективу кафедры физики низких температур и сверхпроводимости за прекрасно созданную атмосферу доброжелательности и научного творчества.