Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава I. Влияние электрического и магнитного полей на поглощение света в полупроводниках. Фоточувствительность р-п-переходов.

§ I.I. Край основной полосы поглощения полупроводников и его изменение в электрическом поле. П

§ 1.2. Энергетические состояния в магнитном поле и магнитооптическое поглощение

§ 1.3. Теоретические выражения для фоточувствительности электронно-дырочных переходов

Выводы.

Глава П. Техника эксперимента. Исследование диффузионных длин избыточных носителей заряда в магнитном поле

§ 2.1. Методика изготовления р-п-переходов

§ 2.2. Методика измерений спектральных и вольтфарэдных характеристик р-п-переходов

§ 2.3. Получение и измерение магнитных полей

§ 2.4. Методика измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда.

§ 2.5. Определение диффузионных длин неосновных носителей заряда. Исследование влияния магнитного поля на диффузионные длины электронов и дырок

Выводы.

Глава Ш. Спектры коэффициента поглощения р-п-структур на основе антимонида индия

§ 3.1. Методика определения коэффициента поглощения в области энергии tiw <:

§3.2. Методика определения коэффициента поглощения в области энергии Ъ^г,

§3.3. Экспериментальные результаты по определению коэффициента поглощения.

А, Область энергии "fcw-s^.

Б. Область энергии ? ^.

§ 3.4. Экспериментальные результаты определения коэффициента поглощения света в 1и Sg р-п-структурах в магнитном поле. Ю

Выводы.

Глава 1У. Влияние электрического поля слоя объемного заряда на фоточувствительность In5К п+-р--переходов вблизи края основной полосы поглощения

§ 4.1. Образцы для исследования

§ 4.2. Экспериментальное исследование влияния электрического поля на фоточувствительность IhSE п+-р--перехрдов.

§ 4.3. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами и литературными данными

Выводы.

Глава У. Исследование спектров фототока сурьмянистоиндиевых р-п-переходов в квантующих магнитных полях

§ 5.1. Постановка задачи

5.1.1. Условия проведения эксперимента

5.1.2. Образцы для исследования

5.1.3. Требования к геометрии р-п-структур

§ 5.2. Экспериментальные осцилляционные спектры фототока в магнитном поле.

§ 5.3. Изменение магнитооптического спектра фототока при изменении обратного смещения на р-п-переходе

Выводы.

Растущие потребности народного хозяйства в новой технике стимулируют интенсивное развитие полупроводниковой электроники, микроэлектроники, оптоэлектроники. Для успешного решения задач, стоящих перед полупроводниковой техникой, необходимо совершенствовать технологию получения высококачественных полупроводниковых материалов и всесторонне изучать их свойства.

Исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниках, во-первых, служит мощным источником получения важной научной информации об их зонной структуре, энергетическом положении примесных уровней, поведении неосновных носителей заряда, о влиянии электрических и магнитных полей, в том числе квантующих, на свойства изучаемых материалов и во-вторых, представляет большой практический интерес для непосредственного использования этих явлений в чувствительных малоинерционных приемниках электромагнитного излучения.

В качестве объектов исследования в настоящей работе выбраны структуры с р-п-переходом на основе энтимонида индия - замечательного полупроводника группы А^В^.

Сравнительно узкая ширина запрещенной зоны (~0,23 эВ при

Г о

78К), высокая подвижность (до 10 см /В.с) и малые времена жизни ( Г = 10~бь И"11) носителей заряда делают этот материал чрезвычайно подходящим для изготовления высокочувствительных быстродействующих приемников инфракрасного излучения спектрального диапазона 2,0 5,5 мкм, высокочувствительных датчиков магнитного поля на основе эффекта Холла и магнетосопротивления, приборов криогенной электроники (для температур 78 ь Ц- К) и оптоэлектроники.

Благодаря развитию технологии в настоящее время успешно выращиваются достаточно совершенные и чистые монокристаллы антимони-да индия сравнительно большого диаметра и длины, что делает этот материал модельным для исследования свойств прямозонных полупроводников.

Несмотря не то, что после предсказания и обнаружения (1952г.) полупроводниковых свойств антимонида индия Н.А.Горюновой [94] и АЛ*.Регелем [951 с сотрудниками этот материал интенсивно исследуется в СССР и за рубежом и его свойствам посвящено большое количество работ (см., например, обзоры [101] ), интерес исследователей к этому полупроводнику не ослабевает. Активно исследуются, в частности; экситоны [97,98,138] , магнитопоглощение [96, 97,138J , глубокие примеси в ангимониде индия [99, 100].

В большей части известных публикаций исследуется антимонид индия в виде однородного материала. В тоже время особенней интерес представляет изучение свойств антимонида индия в реальных структурах с р-п-переходами, которые в процессе изготовления неизбежно подвергаются термическим, механическим и другим воздействиям. Эти воздействия и само наличие р-п-перехода в кристалле могут влиять, в частности, на времена жизни и диффузионные длины носителей заряда, на спектры коэффициента поглощения и для правильного понимания фотоэлектрических процессов в различных приборах необходимо изучение фотоэлектрических свойств антимонида индия в реальных структурах. Необходимость в таких исследованиях продиктована расширяющейся потребностью в полупроводниковых фотоэлектрических и оптоэлектронных устройствах различного назначения, а также определена возможностями разработки фотоэлектри

- б ческих методов изучения и контроля свойств полупроводниковых материалов и приборов.

Таким образом, исследование фотоэлектрических явлений в структурах с р-п-переходом на базе антимонида индия представляет собой актуальную задачу как с научной, так и с практической точек зрения.

Настоящая диссертационная работа является составной частью научно-исследовательской работы, выполняемой на кафедре физики ЛЭТИ им.В.И.Ульянова /Ленина/.

Целью работы являлось комплексное исследование структур с р-п-переходом с целью дальнейшего расширения и углубления представлений о характере физических процессов, протекающих в них при воздействии световых потоков, электрического и магнитного полей, а также, получения из таких исследований данных о зонных параметрах полупроводника, примесных уровнях, диффузионных длинах неосновных носителей заряда.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- впервые исследованы осциллирующие спектры фототока р-п-пе-реходов в антимониде индия в квантующих магнитных полях, показана возможность изучения с их помощью оптических переходов между подзонами Ландау;

- установлено, что основные осцилляционные максимумы фототока обусловлены теми же оптическими переходами, которые обнаруживаются в осцилляционных спектрах магнитопоглощения монокристалла антимонида индия;

- установлено, что дополнительные максимумы, обнаруживаемые в осцилляционных спектрах фототока, обусловлены оптическими переходами, связанными с присутствием электрического поля р-п-пе-рехода;

- впервые исследовано влияние электрического поля р-п-переходов в антимониде индия на спектры фоготока вблизи фундаментального края;

- в спектрах приращения фототока в электрическом поле обнаружены максимумы при энергиях фотонов 226, 221,6, 219 мэВ, отстоящие от края запрещенной зоны на ~ 4: ~8, -10,3 мэВ. Наблюдаемые максимумы связаны с примесным фотоактивным поглощением;

- определены спектральные зависимости коэффициента поглощения света структур с резким несимметричным р-п-переходом как в отсутствии магнитного поля, так и в магнитных полях до 3 Тл;

- в компенсированном антимониде индия р-типа обнаружены явления "возгорания" коэффициента поглощения с включением и увеличением магнитного поля и "гашения" при дальнейшем увеличении поля;

- определены диффузионные длины неосновных носителей заряда в п- и р- Iи S S в магнитных полях до 3 Тл. Установлено, что относительное изменение диффузионных длин дырок и электронов в слабых и средних магнитных полях подчиняются зависимости ^-l/4^, п = 1,25, jn - подвижность неосновных носителей заряда. Аналогичной зависимости подчиняется и относительное изменение фототока в максимуме спектра фототока для глубоко залегающего р+-п-перехода.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

- разработаны методики определения коэффициента поглощения в области энергии и titпо спектрам фототока короткого замыкания р-п-перехода;

- разработана методика определения спектральной зависимости коэффициента собирания неосновных носителей заряда структур с р-п-переходом;

- предложен принципиально новый метод изучения эффектов, связанных с. оптическими переходами между подзонами Ландау, преимущества которого перед обычной техникой поглощения или отражения включают высокое отношение сигнал/шум и простоту эксперимента;

- предложена методика определения подвижностей неосновных носителей заряда;

- измерены диффузионные длины неосновных носителей заряда и в р- и в п- в магнитных полях, что позволяет учитывать на практике изменение эффективной области собирания носителей заряда приборов с р-п-переходом.

Результаты исследований используются на кафедре физики ЛЭТИ им. В.И.Ульянова /Ленина/ в дальнейших исследованиях структур с р-п-переходом. Кроме того, предложенный в нашей работе фотоэлектрический метод наблюдения осцилляционных эффектов, связанных с оптическими переходами между подзонами Ландау, был успешно использован в физическом отделении университета г.Оттавы (Канада) для исследования осцилляционных спектров структур на базе Inp [82]. В работе канадских авторов - П.Рошона и И.Фортэна - имеется ссылка на нашу публикацию [81] с признанием достоинств описанной в ней методики.

Совокупность представленных в диссертации экспериментальных данных позволяет сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту;

1. Электрическое поле слоя объемного заряда в InS g р-п-пе-реходах увеличивает фототок в области края фундаментального поглощения за счет увеличения коэффициента поглощения света в электрическом поле при энергиях tiuj< .

2. В р-п-переходах вблизи края фундаментального поглощения возникает фототок, обусловленный примесным поглощением; при этом чем сильнее электрическое поле в слое объемного заряда, тем сильнее фотоактивное примесное поглощение.

3. Осцилляции фототока In .SB р-п-переходов в квантующих магнитных полях обусловлены осцилляциями коэффициента поглощения; при этом, увеличение электрического поля в слое объемного заряда уменьшает глубину осцилляций в результате уменьшения интенсивности разрешенных оптических переходов и увеличения интенсивности запрещенных оптических переходов в отсутствии электрического поля.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались в научно-исследовательском институте прикладной физики (Москва, 1983 г.), Л<КГИ им. А.Ф.Иоффе (Ленинград, 1984 г.), на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ЛЭТИ им.В.И.Ульянова /Ленина/ (Ленинград, IS73-I983 гг.).

По своей структуре диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. В первой главе рассмотрены основные теоретические и экспериментальные результаты исследования края основной полосы поглощения и влияния на поглощение ряда факторов, в частности, электрического, магнитного и скрещенных полей и экситонных состояний. Во второй главе описаны методики создания структур с р-п-переходом. Описана методика эксперимента. Приведены результаты измерения диффузионных длин электронов и дырок как в отсутствии магнитного поля, так и магнитых полях до 3 Тл. Третья глава посвящена исследованиям оптических свойств антимонида индия с помощью структур с р-п-переходом, а также, влияния магнитного поля на оптические свойства антимонида индия. Четвертая глава посвящена исследованию влияния электрического поля р-п-переходов на спектры фототока вблизи фундаментального края. В пятой главе приведены результаты исследования влияния магнитного поля на спектры фототока

Основные результаты работы сводятся к следующему: I. Исследовано поведение неосновных носителей заряда в антимониде индия:

1.1. Проведены исследования концентрационной и температурной зависимостей диффузионной длины электронов. Установлено, что диффузионная длина электронов подчиняется зависимости =А р~п, Lh в мкм, р в м"3, А = 5,85.10^, п = 0,265. Установлено, что в интервале температур 90-I20K диффузионная длина электронов меняется слабо (на 20-30^), при дальнейшем росте температуры до I60K она увеличивается в 2-3 раза по сравнению со своим значением при 90К.

1.2. Определены диффузионные длины неосновных носителей заряда в п- и р- в магнитных полях до 3 Тл. Установлено, что относительное изменение диффузионных длин дырок и электронов в слабых и средних магнитных полях подчиняется зависимости — = и ' 1 '(jtife3 , п = 1,25, Jt - подвижность неосновных носителей заряда.

Аналогичной зависимости подчиняется и относительное изменение фототока в максимуме спектра фототока короткого замыкания для глубоко залегающего р+-п-перехода.

1.3. Предложена методики определения подвижности неосновных носителей заряда.

1.4. Определены подвижности неосновных носителей заряда коэффициенты диффузии и времена жизни из спектральных измерений фототока короткого замыкания.

П. Исследованы спектры коэффициента поглощения в р-п-структурах:

ПЛ. Разработаны и реализованы методики определения спектральной зависимости коэффициента поглощения в структурах с резким несимметричным р-п-переходом в области энергий W ^ и о г dg.

П.2. Определены спектральные зависимости коэффициента поглощения в р-п-структурах в интервале энергий 217^290 мэВ как без магнитного поля, так и в магнитных полях до 3 Тл.

П.З. В компенсированном антимониде индия р-типа обнаружены явления "возгорания" и "гашения" коэффициента поглощения в магнитном поле.

П.4. Обнаружена инверсия спектральных осцилляций фототока короткого замыкания.

Ш. Исследовано электропоглощение в антимониде индия:

1H.I. Обнаружено увеличение фоточувствительности п+-р-пере-ходов при обратном смещении перехода в области края собственного поглощения.

Ш.2. Обнаружено качественное согласие спектра электропоглощения и характера его изменения от электрического поля в области "Й^ * с предсказаниями одноэлектронной теории эффекта Франца-Келдыша. Экспериментально наблюдаемая величина электропоглощения значительно превышает расчетную.

Ш.З. Обнаружены максимумы приращения фототока при энергиях фотонов 226, 221,6, 219 мэВ, отстоящие от края запрещенной зоны на ~10,3 мэВ. Наблюдаемые максимумы связаны с примесным фотоактивным поглощением.

Ш.4. Показано, что изменение фототока при обратном смещении в области энергий t>w ■> £ej обусловлено изменением толщины слоя объемного заряда.

1У. Исследовано магнитопоглощение в антимониде индия:

1У.1. Предложен и реализован новый метод исследования межзонных магнитооптических переходов, преимущества которого перед обычной техникрй поглощения или отражения включают простоту эксперимента и высокое отношение сигнал/шум,

1У.2. Установлено, что основные осцилляционные максимумы фототока обусловлены теми же оптическими переходами, которые обнаруживаются в осцилляционных спектрах магнитопоглощения монокристалла антимонида индия.

II.Ъ. Установлено, что дополнительные максимумы, обнаруживаемые в осцилляционных спектрах фототока, обусловлены оптическими переходами, связанными с присутствием электрического поля р-п-перехода .

1У.4. Определены из экспериментальных спектров фототока в магнитных полях ширина запрещенной зоны, эффективные массы элект^ рона, легкой дырки и g - фактор: - f230±0,5) мэВ, m* = = (0,0145 ± 0,0005) Мо , ^ре. =(0,016 ± 0,0004)то , J=-(48±2).

Результаты выполненной работы показывают, что исследование р-п-структур позволяет получить сведения о физических явлениях, происходящих в таких структурах, анализ которых дает сведения о свойствах самих полупроводников, на основе которых изготовлены исследуемые р-п-структуры. Исследование р-п-структур позволяет получить комплексную, полную информацию о свойствах базовой области р-п-пеоеходов экспериментально сравнительно более просто.

Полученные в диссертации данные позволяют осуществить постановку дальнейших исследований. Например, провести исследования при других более низких температурах, чем температуры жидкого азота, уделить большее внимание р+-п-структурам, учитывая практический интерес к их использованию.

Основные материалы работы изложены в следующих печатных работах:

1. Белов Н.А., Ким Рван Дё, Косогов О.В., Марамзина М.А.

О спектральных осцилляциях вентильной фото-ЭДС в антимониде индия в квантующих магнитных полях. - Ш1, 1973, т.7, в.II, с.2179.

2. Граммаков А.Г., Ким Гван Дё, Косогов О.В., Марамзина М.А. Спектр фотоответа редиффузнойного р-п-перехода в магнитном поле. - Известия ВУЗов, сер."Физика", 1975, № 5, с. 97.

3. Косогов О.В., Ким Гван Дё, Марамзина М.А. О подвижности и диффузионной длине электронов в дырочном антимониде индия. -Известия ВУЗов, сер."Физика", 1976, № 5, с, 46.

4. Гуткин А.А., Ким Гван Дё, Косогов О.В., Марамзина М.А. Спектральное распределение фототока п+-р-переходов вблизи длинноволнового края основной полосы поглощения. - <ЙГП , 1980, т. 14, в.2, с. 282.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. -М.: "ИЛ", 1961.

2. Смит Р. Полупроводники. -М.: "ИЛ", 1962.

3. Джонсон Е. Поглощение вблизи края фундаментальной полосы. -В кн.: Оптические свойства полупроводников ( полупроводниковые соединения типа /Под ред. Р.Уиллардсона и А.Вира. М.: "Мир", 1970.

4. Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. -М.: "Мир", 197I.

5. Elliott R.I. Intensity of Optical Absorption by exciton. -Phys.Rev., у.108, 1956, p.1030.

6. Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. -ЖЭТФ, 1958, т.34, C.II38.

7. Franz W. Influence of an electric field on an optical absorption edge.- Zs. Naturforsch, 1958, v.I3a, p.484.

8. Batra I.P. Electroabsorption below the Band G-ap. J. Phys. Soc. Japan, 1969, v.26, p.I4I9.

9. Tharmalingam K. Optical absorption in the presence of a uniform field. Phys.Eev., 1963, v.130, p.2204.

10. Callaway J. Optical absorption in an electric field. Phys. Eev., 1964, v.I34, p.A998.

11. Лавдау Л.Д. и Лифщиц E.M. Квантовая механика.-M.:"Наука",1963.

12. Wannier G-. Wave functions and effective Hamiltonian for Bloch Electrons in an Electric-Field. Phys.Rev., I960, v.117,p.432.

13. Aspnes D.E. Electric-Field Effects on Optical Absorption near Thresh-olds in Solids. Phys.Rev., 1966, v.147, p.554.

14. Кардона M. Модуляционная спектроскопия. -M.: "Мир", 1972.

15. Франц В. Туннельные явления в твердых телах.-М.: "Мир",1973.

16. Вавилов B.C., Брицын К.И. Влияние сильного электрического поля на поглощение света кремнием. -ФТТ, I960, т.2, с.1937.

17. Вавилов B.C., Брицын К.И. Влияние электрического поля высокой частоты на край основной полосы оптического поглощения кремнием. -ФТТ, 1961, т.З, с.2497.

18. Frova A., Handler P. Franz-Keldysh Effect in the Space-Charge Region of Germanium p-n Junction. -Phys.Rev., 1965, v.137, P.AI857.

19. Frova A., Handler P. Direct Observation of Fhonons in Silicon Ъу Electric-Field-Modulated Optical Absorption. Phys.Rev., Lett., 1965, v.14, p.178.

20. Frova A., Handler P., Germano F.A., Aspnes D.E. Electro-absorption Effects at the Band Edge of Silicon and Germanium.-Phys.Rev., 1966, v.142, p.575.

21. Yacobe Y. Bulk Measurement of the Franz-Keldsh Effect in Si.-Phys.Rev., 1966, v.142, p.445.

22. Handler P. Optical Properties of Space-Charge Regions. -Phys.Rev., 1965, v.137, p.AI862.

23. Hamakawa Y., Germano F.A., Handler P. Interband Electro-Optical Properties of Germanium. -Phys.Rev., 1968, v.167, p.703.

24. Aspnes D.E. Electric Fields Effects on the Dielectric Constant of Solids. Phys.Rev., 1967, v.153, p.972.

25. Aspnes D.E., Handler P., Blossey D.F. Interband Dielectric Properties of Solids in an Electric Field. -Phys.Rev., 1968, V.I66, p.921.

26. Aspnes D.S., Frova A. Ge-Agueous-Electrolyte Interface: Electrical Properties and Electroreflectanse at the Fundamental Direct Threshold. Phys.Rev., 1970, v.B2, p.1037.

27. Чаликян Г.А., Субшиев В.К., Кишан П. Эффект Франца-Келдыша в фосфиде галлия. -ФТТ, 1968, т.10, с.442.

28. Gasakov 0., Nasledov D.N., Slobodchikov S.V. Franz-Keldysh Effect on Indirect Transitions in GaP. -Phys.Stat.Sol., 1969, v.35, p.139.

29. Гуткин А.А. Фотоэлектрические явления и поглощения света в структурах с потенциальншл барьером на основе полупроводников А В . Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат.наук. -Л.: ФТИ АН СССР, 1977.

30. Penchina C.M., Frova A., Handler P. Franz-Keldysh Effect in GaAs p-n Junstion. -Bull.Am.Phys.Soc., 1964, v. 9, p.714.

31. Михайлова М.П., Наоледов Д.Н., Слободчиков С.В. Сдвиг спектральной фоточувствительности р-п-переходов InAs в электрическом поле. -ФТТ, 1965, т.7, о.1272.

32. Lambert L.M. Optical Absorption in an Electric Field in Semi-Insulating Gallium-Arsenide. -J.Phys.Chem.Solids, 1965, v.26, p.1409.

33. French B.T. Effect of a Uniform Electric Field Upon the Optical Absorption of Semi-Insulating Gallium Arsenide. -Phys. Rev., 1968, v.174, p.991.

34. Кушев Д.Б., Соколов В.И., Субашиев В.К. Электропоглощение арсенида галия. -ФТТ, 1971, т.13, о.2965.

35. Landau L.D. Paramagnetism of metals. -Z.Physik,I930,v.64,p.629.

36. Peierls R.E. Theory of the Absorption Spectra of Solid Bodies.-Ann.D.Physik, 1932, v.32, p.905.

37. Зейтц Ф. Современная физика твердого тела. -М-Л.:ГИИТЛ, 1949.

38. Самойлович А.Г., Коренблит JI.Л. Квантовая теория кинетических явлений в полупроводниках. -ЖТФ, 1957, т.27, с.2673.

39. Luttinger J.M. Quantum Theore of Cyclotron Resonanse in Conductors; General Theory. -Phys.Ееv., 1956, v.102, p.1030.

40. Presselhaus G., Kip A.F., Kittel C. Cyclmtron Resonanse of Electrons and Holes in Silicon and Germanium Crystals. -Phys.Rev., 1955, v.98, p.368.

41. Цвдильковский И.М. Зонная структура полупроводников. -М.: "Наука", 1978.

42. Г росс Е.Ф., Захарченя Б.П., Павинский П.П. Диамагнитные уровни экситона и циклотронный резонанс. -ЖТФ, 1957, т.27, с.2177.

43. Zwerdling S., Lax В. Oscillatory Magneto-Absorption of the Direct Transition in Germanium. -Phys.Rev., 1957, v.I06,p.5l.

44. Burshtein eE., Picus G.S. Interband Magneto-Optic Effects in Semiconductors. -Phys.Rev., 1957, v.105, p.II23.

45. Zwerdling S., Roth L.M., Lax B. Direct Transition Exciton and Fine Structure of the Magneto-Absorption Spectrum in Germanium. -Phys.Rev., 1958, v.109, p.2207.

46. Burshtein E., Picus G.S., Wallis В., Blatt P. Zeeman-Type Magneto-Optical Studies of Interband Transition in Semiconductors. -Phys.Rev., 1959, v.113, p.15.

47. Zwerdling S., Lax В., Roth L.M., Button K.J. Exciton and Magneto-Absorption of the Direct and Indirect Transitions in Germanium. -Phys.Rev., 1959, v.114, p.80.

48. Lax В., Nishina Y. Theory of Interband Earaday Rotation in Semiconductors. -Phys.Rev.Lett., I96l, v.6, p.464.

49. Mitchell D.L., Wallis R.E. Interband Faraday Rotation in Germanium. -Phys.Rev., 1963, v.I31, p.1965.

50. Aggarwal R.L. Oacillatory Magnetopiezoreflection for the Lirect Optical Transition from the Splitoff Valence Band to Conduction Band in InSb. -Bull.Am.Phys.Soc., 1967, v.12, p.100.

51. Grovs S.H., Pidgion C.R., Eeinleib J. Infrared Magnetoelectro-reflectance in Ge, GaSb and InSb. -Phys.Rev.^ett., 1966,v.I7., p.643.

52. Zwerdling S., Kleiner W.H., Therault J.P. Oscillatory Magneto-absorption in InSb Under High Resolution. -J.Appl.Phys.Suppl., I96I, v.32, p.2118.

53. Pidgion C.R., Brown R.N. Interband Magneto-Absorption and Ea-raday Rotation in InSb. -Phys.Rev., 1966, v.146, p.575.

54. Pidgeon C.R., Mitchell D.L., Brown R.N. Interband Magneto-absorption in InAs and InSb. -Phys.Rev., 1967, v.154, p.737.

55. Zwerdling S., Lax В., Button K.J., Roth M. Oscillatory Magne-toabsorption in GaAs. -J.Phys. Chem.Sol., 1959, v.9, p.320.-х

56. Piller Н., Zaeschar G. Edge Shift and me in GaSb as a Function of Fermi Level. -Bull.Am.Phys.Soc., 1963, v.8, p.245.

57. Hobden M.V. The Raman cpectrum of Gallium Phosphide. -Phys. Rev.Lett., 1965, v.16, p.1077.

58. Vrehen Q.H.F. Crossfield Magnetoabsorption in Gallium Arsenide. -Bull.Am.Phys.Soc., 1965, v.10, p.534.

59. Galeener F.L., Wright G.B. , Krag W.E., Quist T.M., Zeiger H.J. Evidense for the role of donor states in GaAs electroluminescence. ~Phys.Kev.Lett., 1963, v.10, p.472.

60. Mitchell D.L. , Palik E.D., Jensen J.D., Schoolar R.B., Zemel J. Interband Magnetоoptical Absorption in Epitaxial РЪТе. -Bull.Am.Phys.Soc., 1964, v.9, p.292.

61. Palik E.D., Mitchell D.b., 2emel J.IT. Magneto-Optical Studies of the Band Structure of PbS.--Phys.Rev., 1964, v.135, p.A763.

62. Hopfild J.J., Thomas E.G. Fine Structur and Magneto-Optical Effects in Exciton Spectrum of CdS. -Phys.Rev.,1961,v.122,p.35.

63. Wheeler R.G., Dimmock J.O. Exciton Structure and Zeeman Effects in Cadmium Selenide. -Phys.Rev., 1962, v.125, p.1805.

64. Miklosz J.C., Wheeler R.G. Exciton Structure and Magneto-Optical Effects in ZnS. Phys.Rev., 1967, v.153, p.913.

65. Halpern J. Oscillatory Magnetoabsorption of the Direct Transition in the Layer Compound GaSe at I.5K. -Bull.Am. Phys. Soc., 1966, v.II, p.206.

66. Keyes R.J., Zwerdling S., Kolm H.H., Lax B. Infrared Cyclotron Resonance in Bi, InSb With High Pulsed Magnetic Fields. -Phys.Rev., 1956, v.104, p.1804.

67. Roth L.M., Lax В., Zwerdling S. Theory of Optical Magneto-Absorption Effects in Semiconductors. -Phys.Rev., 1959, v.II®,p.90.

68. Коровин Л.И., Харитонов E.B. Эффект Фарадея в сильном магнитном поле в кристаллах в области края собственного поглощения.-ФТТ, 1962, т.4, с.2806.

69. Kolodzie^czak J., Lax В., Nishina Y. Semiclassical Dispersion Theory of Interband Magneto-Optical Effects. -Phys.Rev., 1962, v.I28, p.2655.

70. Коровин Л.И., Харитонов E.B. Теория формы линий мевдузонного магнитооптического поглощения в случае упругого рассеяния.-ФТТ, 1965, т.7, с.2162; К теории междузонного магнитооптичес-поглощения в случае рассеяния на примесях. ФТТ, 1966,т.8, с.181.

71. Аронов А.Г. Осцилляция коэффициента поглощения света в скрещенных электрическом и магнитном полях.-ФТТ,1963,т.15,с.552.

72. Elliott R.J, Loudon R. Thenrry of fine structure on the absorption edge in semiconductors. -J.Phys.Chem.Sol., 1959, v.8,p.382.

73. Hasegawa H., Howard R.E. Optical absorpion spectrum of hydro-genic atoms in a strong magnetic field. -J.Phys.Chem.Solids, 1961, v.2I, p.179.

74. Edwards P.P., Lazazzera V.J. Exciton and Magneto-Optical Effect in Strained and Unstrained Germanium. -Phys.Rev., I960, v.120, p.420.

75. Буляница Д.С.,Павинский П.П. О сплошном спектре поглощения света в кристалле в магнитном поле.-Вестник ЛГУ, серия физики и химии, 1965, т.22, с.75.

76. Жилич А.Г., Монозон Б.С. Квазиклассическое рассмотрение спектра водородоподобной системы в сильном магнитном поле.1. ФТТ, 1966, т.8 , с.3559.

77. Johnson E.I. Observation of Exciton Pine Structure in the Interband Magnetoabsorption of InSb and Ge. -Phys.Rev.^ett., 1967, v.I9, p.352.

78. Сейсян P.П. Осцилляции магнито-поглощения и экситоны в кристаллах германия. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук. -Л.: ФТИ АН СССР, 1968.

79. Efros A1.L., Kanskaya L.M., Kokhanovskii S.I., Seisyan R.P. Diamagnetic Excitons and the Indium Antimonide Energy Band Parametrs. -Phys.Stat.Sol.(b), 1982, v.114, p.373.

80. Белов Н.А., Ким Г.Д., Косогов О.В., Марамзина М.А. О спектральных осцилляциях вентильной фото-ЭДС в антимониде индия в квантующих магнитных полях. -ФТП, 1973, т.7, с.2179.

81. Rochon P., Fortin Е. Photovoltaic effect and interband magneto-optical transitions in InP. -Phys.Rev.B, 1975,v.12,p.5803.

82. Rochon P., Fortin E. Photovoltaic spectra and magneto-optical transitions in InSb. -Phys.Rev.B, 1977, v.15, p. 2025.

83. Cummerov R.L. Photovoltaic Effect in p-n Junction. -Phys.Rev., 1954, v.95, p.16.

84. Рывкин G.M. К вопросу о механизме действия германиевых фотодиодов. -ЖТФ, 1955, т.25, с.21.

85. БирГ.Л., Пикус Г.Е. Влияние поверхностной рекомбинации на коэффициент полезного действия фотоэлемента с р-д-переходом.-ЖТФ, 1857, т.27, с.467.

86. Мойжес Б.Я. К теории фотоэлементов с р-п-переходом. -ФТТ, I960, т.2, с.221.

87. Субашиев В.К. Вентильный фотоэффект на р-п-переходе произвольной функции генерации. ч&ТТ, 1961, т.З, с.3571.

88. Равич Ю.И. К теории фотоэлемента с неоднородным передним слоем и сильным полем в нем. -Радиотехника и электроника, 1962, т.7, с.1002.

89. Субашиев В.К., Равич Ю.И. К теории вентильного фотоэффекта на р-п-переходе. -Phys.Stat.Sol.,1962, v.2,р.1043.

90. Burstein Е. Anomalous Optical Absorption Limit in InSb. -Phys.Rev., 1954, v.93, p.632.

91. Косогов О.В., Марамзина М.А. Фотодиоды с фильтрующим п-слоем.-ФТП, 1969, т.З, C7I736.

92. Косогов О.В., Ким Г.Д., Марамзина М.А. О подвижности и диффузионной длине электронов в дырочном антимониде индия. -Известия ВУЗов, серия "Физика", 1976, Ж5, с.46.

93. Горюнова Н.А., Обухов А.П. Серое олово-Электронный полупроводник. Материалы 7-го Совещания по свойствам полупроводников (Киев,1950). -Известия АН СССР, сер.Физическая, 1952, т.16,в.2, с.139.

94. Блюм А.Н., Мокровский Н.П., Регель А.Р. Изучение электропроводности полупроводников и интерметаллических соединений в твердом и жидком состояниях. Известия АН СССР, серия физическая, 1952, т.16, в.2, с.139.

95. Менушенков, А.Л, и др. Спектральные осцилляции поглощения деформированного п—1пБЪ в квантующем магнитном поле. -ФТП, 1979, т.13, с.1319.

96. Канская Л.М., Кохановский С.И., Сейсян Р.П., Эфрос Ал.А. Диамагнитные экситоны и параметры энергетических зон кристаллов сурьмянистого ицция. -ФТП, 1982, т.16, с.2037.

97. Каменев Ю.Е., Парфентьев Р.В., Эфрос Ал.А, Язева Т.В. Дискретная структура диамагнитного экситона в осцилляциях фотомагнитного эффекта и проводимости в inSb в квантующих магнитных полях. -ФТП, 1984, т.18, с.206.

98. Заитов Ф.А. О природе глубоких акцепторов в 1пБЪ . -ФТП, 1981, т.15, с.1230.

99. Даргис А.Ю. и др. О глубокой примес и хрома в п- inSb ФТП, 1980, т.14, с.455.

100. Ю1. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 5 групп. М.: "Мир", 1967.

101. Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа А3В? -М.,: "ИД", 1963.

102. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. /Под ред. Хогарта К. -М.: "Мир", 1968.

103. Ю4. Полупроводниковые соединения А3В5. /Под ред. Виллардсона Р. -М.: "Металлургия", 1967.

104. Ю5. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. -М.: "Сов. радио", 1970.

105. Ю6. Галаванов В.В., Зияханов У., Наследов Д.Н. Вольтамперные характеристики р-п-переходов на базе р- InSb . -ФТП, 1964, т.9, с.1416; Прямая ветвь вольтамперной характеристики р-п-переходов на базе антимонида инлия р-типа. -ФГП, 1962, т.II, с.2039.

106. Ю7. Александров А.Н., Никитин В.А. О выборе нормалей и методах градуировки призменных инфракрасных спектрометров. -УФН, 1955, t.lyi , в.1.

107. Галаванов В.В., Картузова И.А., Наследоа Д.Н. Измерение длины диффузионного смещения неравновесных носителей в InSb . -ФТТ, 1961, т.З, с.2973.

108. Ю9. Наследов Д.Н., Сметанникова Ю.С. Температурная зависимость времени жизни носителей тока в сурьмянистом ицции. -ФТТ, 1962, т.4, с.181.

109. НО. Kurnick S.W., Zitter R.N. Photoconductire and Photoslectro-magnetic Effects in InSb. -J.Appl.Phys. , 1956, v.27, p.278.

110. Wertheim G-.E. Crrier Lifetime in Indium Antimonide. Phys, Rev., 1956, v.104, p.662.

111. Zitter R., Strauss A., Attard A. Recombination Processes in p-Type Indium Antimonide. -Phys.Rev., 1959, v.115, p.266.

112. ИЗ. Марамзина М.А. Исследование сурьмянистоиндиевых фотодиодов. Диссертация на соискание ученой степени кадцдцата физ.-мат.наук. -JI.: ЛЭТИ, 1968.

113. Ohamura Y., Wakatuki М. Ionization energies and their pressure dependence of Cu and Ag in InSb. -J.Phys. Soc. Japan, 1966, v.2I, p.2431.

114. H5. Гуткин А.А., Ким г.Д., Косогов О.В., Марамзина М.А. Спектральное распределение фототока InSb л+-р-переходов вблизи длинноволнового края основной полосы поглощения. -ФТП, 1980, т.14, с.282.

115. Wright G.B., Lax В. Magnetoreflection experiments in inter-metallics. -J.Appl.Phys.Suppl., 1961, v.32, p.2II3.

116. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Справочник-полупроводниковая оптоэлектроника.-Киев:"Наукова думка", 1975.

117. Gobeli G.W., Fan H.Y. Infrared Absorption in Semiconductors.-Report on Progress in Physics, 1956, v.29, p.107.

118. Валяшко Е.Г., Карин Германн. Температурная зависимость собственного поглощения в слаболегированном р- InSb . -ФТП, 1968, т.2, с.1297.

119. Касенманлы Ф.П., Мальцев Ю.В., Наследов Д.Н., Уханов Ю.И., Филипченко А.С. Магнитооптические исследования зоны проводимости InSb .-ФТТ, 1966, т.8, с.1176.

120. Gobeli G.W., Pan H.I. Infrared Absorption and Valence Band in Indium Antimonide. -Phys.Rev., I960, v.119, p.6l3.

121. Шалимова K.B. Физика полупроводников. -M.:"Энергия", 1071.

122. Большаков Л.П., Наурызбаев А., Филипченко А.С. Структуры потолка валентной зоны антимонвда иддия.-ФТП,1980,т.14,с.1712.

123. Годияк Г.В., Лозовик Ю.Е., Обрехт М.С. Биэкситон в сильном магнитном поле. -ФТТ, 1983, т.25, в.4.

124. Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in Semiconductors: The Excitonic Absorption Edge. -Phys.Rev., 1970,v.Bl,p.3358.

125. Меркулов И. A., lie рель В. И., Материалы 6-ой зимней школы по физике полупроводников.-Л.:ФТИ АН СССР, 1974, с.220.

126. Виноградов B.C. Теория поглощения света в постояном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем. -ФТТ, 1971, т.13, с.3265.

127. Мосс Т., Барелл Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-ника. -М.: "Мир", 1976.

128. Penchina С.М. Phonon-Assisted Optical Absorption in an Electric Eield. -Phys.Rev., 1965, v.138, p.A924.

129. Brugiel J.C., Braunn H.J. Electroabsorption by Substitutional Copper Impurities in GaAs. -J.Appl.Phys., 1969,v.40,p.2583.

130. Brugiel J.C. Electric-Eield- Induced Infrared Absorption in GaAs p-n Junctions. -App1.Phys.Lett., 1966, v.9, p.389.

131. Мурзин B.H., Демешина A.M., Умаров A.M. Длинноволновые инфракрасные спектры InSb р-типа. -ФТП, 1969, т.З, с.434.

132. Johnson E.J., Ean H.Y. Inpurity and Exciton Effects on the Infrared Absorption Edge of 3-5 Compounds. -Phys.Rev., 1965, v.I39, P.AI99I.

133. Lax В., Mavroides J.G., Zeiger H.J., Eeyes R.J. Cyclotron Resonance in InSb at High Magnetic Eields. Phys.Rev., 1961, v.I22, p.31.

134. Галаванов В.В., Новак И.И., Шевчук Д.С. Температурная зависимость спектра собственного поглощения чистого inSb р-типа. -ФТП, 1971, т.5, 0.2365.

135. Зенченко В.П., Синявский Э.П. Механизм поглощения светао св собственных полупроводниках типа А°В . -ФТТ, 1973, т.15, в.З, с.918.

136. Asnin V.M., Rogachev A.A. Exciton Absorption in Doped Germanium. -Phys.Stat.Sol., 1967, v.20, p.755.

137. Канская JI.M., Кохановский С.И., Сейсян Р.П., Эфрос Ал.Л. Экситон Ванье-Мотта на краю поглощения кристаллов сурьмянистого индия и его квазиодномерное состояние в сильном магнитном поле. -ФТП, 1981, т.13, с.1854.

138. Johnson E.J., Dickey D.H. Infrad Cyclotron Resonance and Related Experiments in the Conduction Band of InSb. -Phys.Rev., 1970, v.BI, p.2676.

139. Александров А.С., Быковский Ю.А., Елесин В.Ф., Кулямзин А.П., Менушенков А.П., Протасов Е.А., Черемных П.А. Фотоэлектрическая спектроскопия антимондца идция в магнитных полях до

140. Тл. -Известия АН СССР, сер.физическая, 1978, т.42, с.1242.