Исследование и модификация локальных свойств тонкопленочных структур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Методы зондовой микроскопии в изучении локальных свойств тонкопленочных структур. Методы получения ориентированных пленок на неориентирующих подложках (Обзор литературы)

1.1. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур.

1.1.1. Применение методов СЗМ для исследования полупроводниковых структур с квантовыми ямами и точками

1.1.2. Зондовая микроскопия морфологии и неоднородности структуры эпитаксиальных пленок высокотемпературного сверхпроводника УВа2Сиз07-5.

1.2. Методы получения ориентированных пленок на неориентирующих подложках

ГЛАВА 2. Аппаратура и методы сканирующей зондовой микроскопии

2.1. Принципы сканирующей зондовой микроскопии

2.2. Устройства для прецизионных микроперемещений объекта

2.3. Конструкции сканирующих туннельных микроскопов (СТМ).

2.3.1. Вакуумный СТМ с атомарным разрешением

2.3.2. СТМ с большим полем обзора.

2.3.3. СТМ, совмещенный с ближнепольным оптическим микроскопом

2.4. Аппаратные и программные средства системы управления сканирующими зондовыми микроскопами

2.4.1. Общая характеристика аппаратных средств системы управления

2.4.2. Программные средства системы управления

2.5. Краткие выводы

ГЛАВА 3. Исследование локальных свойств тонкопленочных структур методами зондовой микроскопии

3.1. Исследование локального фототока в полупроводниковых структурах ОаАз/ОаЫАБ с квантовыми ямами и точками

3.2. Исследование локальной фотолюминесценции в гетероструктурах ОаАз/ОаГпАБ с квантовыми ямами

3.3. Исследование неоднородностей в эпитаксиальных пленках УВа2Сиз07.5, обусловленных частицами вторичной фазы СиО, методами сканирующей зондовой микроскопии

3.4. Краткие выводы

ГЛАВА 4. Влияние анизотропных упругих напряжений на процессы ориентированного роста пленок на неориентирующих подложках.

4.1. Химический потенциал упруго напряженного твердого тела.

4.1.1. Химпотенциал в одномерной модели твердого тела.

4.1.2. Химпотенциал однородно деформированного твердого тела.

4.1.3. Химпотенциал неоднородно деформированного твердого тела.

4.1.4. Анизотропия кристаллизационного давления.

4.2. Роль упругих напряжений в процессах ориентированного роста пленок на неориентирующих подложках.

4.2.1. Механизм ориентированного роста пленок под действием анизотропных упругих напряжений

4.2.2. Влияние упругих напряжений на процессы рекристаллизации пленок на подложках с поверхностным рельефом

4.2.3. Ориентированный рост пленок в поле упругих напряжений при лазерном отжиге с неоднородным распределением интенсивности

4.2.4. Ориентирующее действие упругих напряжений в процессе твердофазной рекристаллизации тонкопленочных структур

4.3. Краткие выводы

Актуальность темы

Одним из основных направлений развития современной микроэлектроники является создание планарных приборных структур с элементами субмикронного масштаба и интегральных схем на их основе. В связи с этим возникает целый ряд технологических и физических задач, решение которых невозможно без изучения локальных свойств тонкопленочных структур различных материалов и возможностей управления их параметрами на нанометровых масштабах, а также без развития новых адекватных методов диагностики свойств тонкопленочных структур с нанометровым разрешением.

В последнее десятилетие бурное развитие получило совершенно новое направление в исследовании свойств поверхности твердого тела с высоким пространственным разрешением - сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ). ч

Применение различных зондовых микроскопов, таких, как сканирующий туннельный (СТМ), атомно-силовой (АСМ), ближнепольный оптический (БОМ), а также различных их комбинаций позволяет получать уникальный набор информации о свойствах поверхности. Первая часть представленной работы посвящена развитию методов зондовой микроскопии и их применению для исследования свойств перспективных тонкопленочных структур, таких, как эпитаксиальные пленки высокотемпературных сверхпроводников, представляющих интерес для создания приборов криомикроэлектроники, работающих при температурах выше температуры жидкого азота, а также полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми ямами и точками, являющиеся основой для создания эффективных инжекционных лазеров.

Одной из проблем технологии создания интегральных схем является получение структурно совершенных тонких слоев различных материалов на аморфных прослойках и подложках. Перспективным подходом к решению данной проблемы является применение методов искусственной эпитаксии, основанных на возможности управления кристаллографической ориентацией получаемых слоев с помощью локальных (субмикронных) пространственно-периодических воздействий различной природы. Вторая часть данной работы посвящена исследованию возможностей применения анизотропных упругих напряжений, целенаправленно создаваемых в тонкопленочных структурах, для формирования ориентированных (с определенной кристаллографической ориентацией) тонких пленок на неориентирующих (аморфных) подложках. Интерес к данному методу получения ориентированных пленок обусловлен, в основном, тем, что для его реализации не требуется специальный микрорельеф, необходимый для большинства методик искусственной эпитаксии, что дает важные преимущества при его использовании в технологии создания интегральных микросхем.

Цели и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы являлось исследование локальных (на нанометровых масштабах) свойств тонкопленочных структур, имеющих важное значение для приложений в микроэлектронике, и влияния внешних воздействий на процессы релаксации неравновесных состояний в тонкопленочных структурах. Это потребовало создания комплекса экспериментального оборудования, включающего установку для импульсного лазерного отжига пленок, установку для наблюдения in situ процессов твердофазной рекристаллизации, несколько типов сканирующих зондовых микроскопов.

Основными задачами данной работы являются:

1. Исследование методами зондовой микроскопии локального фототока и неоднородности фотолюминесценции в полупроводниковых гетероструктурах IrixGa^xAs/GaAs с квантовыми ямами и точками.

2. Исследование особенностей морфологии поверхности и неоднородности электрических свойств тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника УВа2Сиз075 методами сканирующей зондовой микроскопии.

3. Изучение влияния упругих напряжений в системе пленка-подложка на кристаллографическую ориентацию пленок, выращиваемых на аморфных подложках. f.

Научная новизна

1. Предложена оригинальная СТМ методика регистрации спектральных зависимостей локального фототока в полупроводниковых квантоворазмерных структурах с высоким пространственным разрешением. Исследованы СТМ спектры фототока в гетероструктурах ГпхОа^АзЛЗаАз с квантовыми ямами и квантовыми точками, расположенными на различной глубине относительно приповерхностной области пространственного заряда. Для квантовых точек 1пАб, расположенных вблизи поверхности образца в области пространственного заряда, впервые получены спектры фототока, содержащие особенности, связанные с переходами носителей между уровнями размерного квантования в смачивающем слое 1пА8 и квантовых точках.

2. Исследована пространственная неоднородность интенсивности фотолюминесценции в полупроводниковых лазерных гетероструктурах ¡пОаРЛЗаАзЛпОаАБ/ваАэ/ТпОаР. Впервые показана возможность локального гашения фотолюминесценции в таких структурах за счет диффузии примеси Сг с поверхности образца к люминесцирующему слою, стимулированной излучением, выходящим из оптического зонда сканирующего зондового микроскопа.

3. Методами сканирующей зондовой микроскопии исследованы неоднородности в тонких пленках высокотемпературных сверхпроводников ¥Ва2Сиз07.§, обусловленные формированием обогащенных медью преципитатов вторичных фаз (СиО). Впервые установлено, что вокруг частиц вторичных фаз в пленках УВа2Си3078 существуют области размером порядка 500 нм с измененным рельефом и пониженной туннельной проводимостью, которые существенным образом влияют на параметры приборов, формируемых на основе УВа2Си307.5 пленок.

4. В представленной работе впервые предложен метод ориентированного роста пленок на аморфных подложках, основанный на использовании ориентирующего действия анизотропных упругих напряжений в системе пленка-подложка. Экспериментально показана возможность формирования ориентированных пленок на аморфных подложках под действием анизотропных упругих напряжений в процессе лазерного отжига с неоднородным симметричным распределением температурного поля и процессе твердофазной рекристаллизации тонких слоев на анизотропно деформированных подложках.

Практическая значимость

1. Создан комплекс сканирующих зондовых микроскопов, включающий сканирующий туннельный микроскоп с атомарным разрешением, адаптированный для работы в условиях высокого вакуума; сканирующий туннельный микроскоп с большим полем обзора для исследования крупномасштабных шероховатостей поверхности; ближнепольный оптический микроскоп, совмещенный со сканирующим туннельным микроскопом. Разработанные микроскопы позволяют проводить комплексные исследования свойств поверхности твердого тела с высоким пространственным разрешением.

2. Разработано несколько устройств для прецизионных микроперемещений, отличающихся малыми габаритами и способностью перемещать объект в пространстве независимо по трем некомпланарным осям. Данные устройства могут использоваться в конструкциях измерительных головок сканирующих зондовых микроскопов для сближения зонда с образцом и выбора места для сканирования.

3. Предложена методика регистрации спектральных зависимостей и пространственного распределения локального фототока в полупроводниковых квантоворазмерных структурах, позволяющая изучать энергетический спектр квантовых точек и неоднородности состава квантовых ям с высоким пространственным разрешением.

4. Предложен метод формирования пленок с выделенной кристаллографической ориентацией на аморфных подложках, основанный на ориентирующем действии анизотропных упругих напряжений в системе пленка-подложка. Данный метод позволяет управлять кристаллографической ориентацией кристаллитов в пленке без использования специального микрорельефа на поверхности подложек, что обеспечивает его преимущества при использовании в технологии микроэлектроники.

Апробация результатов

Результаты диссертационной работы докладывались на российских и международных конференциях, рабочих совещаниях, в том числе:

- "V Всесоюзное совещание по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом" (Ленинград, 1981 г.);

- "VI Всесоюзная конференция по росту кристаллов" (Цахкадзор, 1985);

- "International Symposium on Scanning Tunneling Microscopy" (Chemnitz, Germany, 12-14 November, 1991);

- Всероссийское совещание "Зондовая микроскопия - 97" (Н.Новгород, 1997 г.);

- III Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники'97" (Москва, ФИАН, 1 - 5 декабря, 1997 г.);

- "The second international symposium Modern Problems of Laser Physics" (Novosibirsk, Russia, July 28 - August 2, 1997);

- Всероссийское совещание "Нанофотоника" (Н.Новгород, 1999 г.);

- Всероссийское совещание "Зондовая микроскопия - 99" (Н.Новгород, 1999 г.); th

- 7 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1999);

- International Symposium "Nanomeeting-99", Minsk, Belarus, May 17-19, 1999;

- XI Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, (п. Черноголовка, 1999 г.);

- 7th International Superconductive Electronics Conference, June 21-25, 1999, Claremont Resort, Berkley, CA, USA;

- IV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники'99" (Новосибирск, 25 - 29 октября 1999 г.);

- Всероссийское совещание "Нанофотоника" (Н.Новгород, 2000 г.);

- Всероссийское совещание "Зондовая микроскопия - 2000" (Н.Новгород, 2000 г.);

- 8th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 19-23, 2000);

- International Conference "Advanced optical materials and devices" (Vilnius, Lithuania, August 16-19, 2000).

Публикации

Результаты работы отражены в оригинальных статьях в отечественных и зарубежных журналах, в авторских свидетельствах, сборниках трудов и тезисах докладов на научных конференциях. Всего по материалам диссертации опубликовано 38 работ, из них 14 журнальных статей. Список публикаций автора по данной теме приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, двух приложений, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 153 страницы. В диссертации содержится 37 рисунков. Список литературы включает 169 наименований.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Создан комплекс сканирующих зондовых микроскопов, включающий СТМ атомарного разрешения, адаптированный для работы в условиях высокого вакуума; СТМ с большим полем обзора для исследования крупномасштабных неровностей поверхности, работающий на воздухе; ближнепольный оптический микроскоп, совмещенный со сканирующим туннельным микроскопом. Разработанные микроскопы позволяют проводить комплексные исследования морфологии, электрических и фотоэлектрических свойств поверхности твердого тела с высоким пространственным разрешением.

2. Предложена методика регистрации спектральных зависимостей локального фототока в полупроводниковых тонкопленочных структурах с высоким пространственным разрешением с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Исследованы СТМ спектры фототока в гетероструктурах ¡Пхва^хАз/СаАз с квантовыми ямами и квантовыми точками, расположенными на различной глубине относительно приповерхностной области пространственного заряда. Для квантовых точек ГпАб, расположенных ¡'близи поверхности образца непосредственно в области пространственного заряда, получены спектры фототока, содержащие особенности, обусловленные переходами носителей между подзонами размерного квантования в смачивающем слое 1пАз, а также между уровнями размерного квантования в квантовых точках 1пАб.

3. Методами сканирующей зондовой микроскопии исследованы неоднородности в тонких пленках высокотемпературных сверхпроводников УВа2Си3075, обусловленные формированием преципитатов вторичных фаз, обогащенных медью (СиО). Установлено, что вокруг частиц вторичных фаз существуют области пленки с характерными размерами порядка 500 нм с измененным рельефом и пониженной туннельной проводимостью, которые существенным образом влияют на параметры приборов, формируемых на основе пленок УВа2Си3078.

4. Предложен метод получения ориентированных пленок на аморфных подложках, основанный на эффекте ориентирующего действия анизотропных упругих напряжений в системе пленка-подложка. Развит термодинамический подход к описанию фазового равновесия систем, одна из фаз которых представляет собой упруго деформированное твердое тело. Показано, что величина химического потенциала упруго деформированных кристаллов зависит от ориентации осей симметрии кристаллической решетки по отношению к главным осям тензора деформаций. На основании решения задачи термоупругости для пленки на подложке с поверхностным рельефом, показано, что анизотропные напряжения, возникающие в такой системе при отжиге, могут быть одним из факторов, вызывающих ориентированную твердофазную рекристаллизацию.

5. Экспериментально показана возможность формирования ориентированных пленок на аморфных подложках под действием анизотропных упругих напряжений в процессе лазерного отжига с неоднородным симметричным распределением температурного поля и в процессе твердофазной рекристаллизации тонких слоев на анизотропно деформированных подложках.

В заключение выражаю свою искреннюю благодарность научному руководителю Гапонову Сергею Викторовичу за чуткое руководство и постоянный интерес к данной работе.

Благодарю всех своих многочисленных соавторов - Ю.А.Битюрина, Д.Г.Волгунова, С.В.Гапонова, А.А.Гудкова, И.А.Каськова, М.Г.Кузеванова,

A.А.Петрухина, С.Г.Петрова, А.П.Чириманова, Ю.Я.Платонова, И.А.Дорофеева,

B.Ф.Дряхлушина, А.Ю.Климова, Р.Е.Кононова, А.Ю.Лукьянова, А.И.Панфилова, Д.Г.Ревина, А.К.Воробьева, Н.В.Востокова, Е.Б.Клюенкова, В.Я.Алешкина,

A.В.Бирюкова, З.Ф.Красильника, В.М.Данильцева, А.В.Муреля, О.И.Хрыкина,

B.И.Шашкина за плодотворное сотрудничество; Н.Н.Салащенко, А.А.Фраермана -за многочисленные полезные дискуссии, а также весь коллектив ИФМ РАН за доброжелательную атмосферу сотрудничества, поддерживаемую в институте и оказавшую существенную помощь при проведении данной работы.

Заключение

1. G.Binnig, H.Rohrer Scanning tunneling microscopy. // Helv. Phys. Acta, 1982, v. 55, №6, p. 726 -735.

2. G.Binnig, H.Rohrer, Ch.Gerber, E.Weibel Tunneling through a controllable vacuum gap. // Appl. Phys. Lett., 1982, v. 40, p. 178.

3. D.W.Pohl Optical near-field scanning microscope. // European patent application No. 0112401, December 27, 1982.

4. D.W.Pohl, W.Denk, M.Lanz Optical spectroscopy: image recording with resolution X/20. //Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, p. 651 - 653.

5. J.R.Matey, J.Blanc Scanning capacitance microscopy. // J. Appl. Phys., 1985, v. 57, № 5, p. 1437 - 1444.

6. C.C.Williams, H.K.Wickramasinghe // Appl. Phys.Lett., 1986, v. 49, № 23, p. 1587.

7. G.Binnig, C.F.Quate, Ch.Gerber Atomic force microscope. // Phys. Rev. Lett., 1986, v. 56, №9, p. 930 - 933.

8. Y.Martin, H.K.Wickramasinghe Magnetic imaging by force microscopy with 1000 A resolution. // Appl. Pys. Lett., 1987, v. 50, № 20, p. 1455 - 1457.

9. W.J.Kaizer, L.D.Bell Direct investigation of surface interface electronic structure by ballistic-electro-emission microscopy. // Phys. Rev. Lett., 1988, v. 60, № 14, p. 1406 - 1409.

10. K.Takata, T.Hasegawa, S.Hosaka, S.Hosoki, T.Komoda Tunneling acoustic microscope. // Appl. Pys. Lett., 1989, v. 55, № 17, p. 1718 - 1720.

11. G.Binnig, H.Rohrer Scanning tunneling microscopy - from birth to adolescence. // Rev. Mod. Phys., 1987, v.59, № 3, p. 615 - 625.

12. В.И.Панов Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности.//УФН, 1988, т.155,№ 1,с.155 - 158.

13. В.С.Эдельман Сканирующая туннельная микроскопия. // ПТЭ, 1989, № 5, с. 25 -49.

14. В.С.Эдельман Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии. //ПТЭ, 1991, № 1, с. 24-42.

15. J.E.Griffith, D.A.Grigg Dimensional metrology with scanning probe microscopes. // J. Appl. Phys., 1993, v.74, № 9, p. R83 - R109.

16. D.Courjon, C.Bainier Near field microscopy and near field optics. // Rep. Prog. Phys., 1994, v. 57, p. 989- 1028.

17. R.J.Hamers Scanning probe microscopy in chemistry. // J. Phys. Chem., 1996, v. 100, p. 13103 - 13120.

18. С.Н.Магонов Сканирующая силовая микроскопия полимеров и родственных материалов. // Высокомолекулярные соединения, 1996, т. 38, № 1, с. 143 - 182.

19. В.А.Быков, М.И.Лазарев, С.А.Саунин Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности. // "Электроника: наука, технология, бизнес"., 1997, № 5, с. 7 - 14.

20. А.П.Володин Новое в сканирующей микроскопии. // Приборы и техника эксперимента, 1998, № 6, с. 3 - 42.

21. И.В.Яминский , В.Г.Еленский Сканирующая зондовая микроскопия: библиография. // Москва, Научный мир, 1997, 318 с.

22. D.L.Abraham, A.Veider, Ch.Schonenberg, H.P.Meier, D.J.Arent, S.F.Alvarado -Nanometer resolution in luminescence microscopy of III-V heterostructures. // Appl. Phys. Lett., 1990, v. 56, № 16, p. 1564 1566.

23. R.Berndt, J.K.Gimzewski Injection luminescence from CdS (1120) studied with scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev., v. В 45, № 24, p. 14095 - 14099.

24. L.Samuelson, A.Gustafsson, J.Lindahl, L.Montelius, M.-E.Pistol, J.-Q.Malm, G.Vermeire, P.Demeester Scanning tunneling microscope and electron beam induced luminescence in quantim wires. // J. Vac. Sci. Technol., 1994, v. В12, №4, p. 2521 -2526.

25. T.Tsuruoka, Y.Ohizumi, S.Ushioda, Y.Ohno, H.Ohno Light emission spectra of AIGaAs/GaAs multiquantum wells induced by scanning tunneling microscope. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 14, p. 1544 - 1446.

26. O.J.Glembocki, E.S.Snow, C.R.K.Marrian, S.M.Prokes, D.S.Katzer Nanoscale photovoltaic imaging using the scanning tunneling microscope. // Ultramicroscopy, 1992, № 42-44, p. 764 - 770.

27. R.J.Hamers, K.Markert Surface photovoltage on Si (111) - (7x7) probed by optically pumped scanning tunneling microscopy. // J. Vac. Sci. Technol., 1990, v.A8,№ 4, p. 3524- 3530.

28. D.G.Cahill, R.J.Hamers Surface photovoltage of Ag on Si (111) - (7x7) by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. В., 1991, v. 44, № 3, p. 1387 - 1390.

29. T.Takahashi, M.Yoshita Laser irradiation effects on tunneling properties of n-type GaAs and InAs by scanning tunneling microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, №24, p. 3479-3481.

30. S.Gwo, A.R.Smith, K.-J.Chao, C.K.Shih, K.Sadra, B.G.Streetman Cross-sectional scanning tunneling microscopy and spectroscopy of passivated III-V heterostructures. // J. Vac. Sci. Technol., 1994, v. A 12, № 4, p. 2005 - 2008.

31. H.Chen, R.M.Feenstra, R.S.Goldman, C.SilfVenius, G.Landgren Strain variation in InGaAsP/InGaP superlattices studied by scanning probe microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 14, p. 1727 - 1729.

32. H.Yamamoto, T.Takahashi Cross-sectional observation of p-n GaAs multilayers by STM under laser irradiation. // Proceedings of 10th Conference on scanning tunneling microscopy STM' 99, 19-23 July 1999, Seul, Korea, p. 287 - 288.

33. R.D.Grober, T.D.Harris, J.K.Trautman, E.Betzig, W.Wegscheider, L.Pfeiffer, K.West Optical spectroscopy of GaAs/AIGaAs quantum wire structure using near-field scanning optical microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 11, p.1421 - 1423.

34. M.S.Unlii, B.B.Goldberg, W.D.Herzog, D.Sun, E.Towe Near-field optical induced current measurements on heterostructures. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 13, p. 1862- 1864.

35. Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, В.А.Щукин, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. // ФТП, 1998, том 32, № 4, с. 385 - 410.

36. V.Bressel-Hill, S.Varma, A.Lorke, B.Z.Nosho, P.M.Petroff, W.H.Weinberg -Island scaling in strained heteroepitaxy: InAs/GaAs (001). // Phys. Rev. Lett., 1995, v. 74, № 16, p. 3209-3212.

37. V.Bressel-Hill, C.M.Reaves, S.Varma, S.P.DenBaars, W.H.Weinberg -Characterization of InP islands on InGaP/GaAs (001): Effect of deposition temperature. // Surface Science, 1995, v. 341 (1/2), p. 29 39.

38. G.E.Cirlin, G.M.Guryanov, A.O.Golubok, N.N.Ledentsov, P.S.Kop'ev, M.Grundman, D.Bimberg Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № l,p. 97-99.

39. А.О.Голубок, С.А.Маслов, Н.Б.Пономарева, В.Н.Петров, С.Я.Типисев, Г.Э.Цирлин Исследование квантовых точек на поверхности эпитаксиальных полупроводников А3В5 методом сканирующей туннельной микроскопии. // Поверхность, 1998, № 2, с. 70-75.

40. А.Н.Титков Исследование закономерностей роста и испарения квантовых точек InAs на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении 001], методом атомно-силовой микроскопии. // Поверхность, 1998, №2, с. 64-69.

41. Р.З.Бахтизин, К.-К.Щуе, Ю.Хасегава, Т.Сакурай СТМ исследование атомарной структуры напряженных эпитаксиальных слоев InAs на поверхности GaAs (001). // Труды всероссийского совещания "Зондовая микроскопия - 99", Н.Новгород, 1999, с. 7-13.

42. Y.Hasegawa, H.Kiyama, Q.K.Xue, T.Sakurai Atomic structure of faceted planes of three-dimensional InAs islands on GaAs (001) studied by scanning tunneling microscope. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 18, p. 2265 - 2267.

43. Р.З.Бахтизин, Т.Сакурай, Т.Хашицуме, К.-К.Щуе, Атомные структуры на поверхности GaAs (001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии. // УФН, 1997, т. 167, № 11, с. 1227 - 1241.

44. I.Tanaka, I.Kamiya, H.Sakaki, N.Qureshi, S.J.Allen, P.M.Petroff Imaging and probing electronic properties of self-assembled InAs quantum dots by atomic force microscope with conductive tip. // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, № 6, p. 844 - 846.

45. M. Grundman, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, Y. Gosele, J.Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov,

46. A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots. Phys. Rev. Lett., 74(1995), p. 4043-4046.

47. M.Markmann, A.Zrenner, G.Bohm, G.Abstreiter STM-cathodoluminescence of self-assembled InGaAs quantum dots. Physica Status Solidi A - Applied Research 1997, Vol 164, Iss 1, PP 301-305.

48. J.Lindahl, M.-E.Pistol, L.Montelius, L.Samuelson Stark effect in individual luminescent centers observed by tunneling luminescence. // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, № 1, p. 60-62.

49. J.-Y.Marzin, J.-M.Gerard, A.Izrael, D.Barrier, G.Bastard Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs. // Phys. Rev. Lett, 1994, v. 73, № 5, p. 716 - 719.

50. P.Castrillo, D.Hessman, M.-E.Pistol, S.Anand, N.Carlsson, W.Seifert Band filling at low optical power density in semiconductor dots. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 13, p. 1905 - 1907.

51. A.Chavez-Pirson, J.Temmyo, H.Kamada, H.Gotoh, H.Ando Near-field optical spectroscopy and imaging of single InGaAs/AlGaAs quantum dots. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 26, p. 3494 - 3496.

52. G.A.Alvarez, M.Matsuda, M.Koyanagi Structural and morphological characterization of high quality YiBa2Cu3Ox epitaxial films by atomic force and high resolution scanning electron microscopies. // Cryogenics, 1995, v. 35, № 6, p. 361 -366.

53. M.Ece, E.C.Gonzalez, H.-U.Habermeier, B.Oral Evolution of morphology, crystallinity, and growth modes of thin supercinducting YBa2Cu307.x films on SrTi03 and NdGa03 substrates. // J. Appl. Phys., 1995, v. 77, № 4, p. 1646 - 1653.

54. S.L.Penny cook, M.F.Chisholm, D.E.Jesson, R.Feenstra, S.Zhu, X.Y.Zheng, D.J.Lowndes Growth and relaxation mechanisms of YBa2Cu307.x films. // Physica C, 1992, v. 202, p. 1 - 11.

55. C.L.Bai, C.F.Zhu, X.W.Wang, P.C.Zhang, Q.Li, C.Wang, B.R.Zhao, L.Z.Zheng, L.Li Atomic force microscopy study of the growth mechanism of ultrathin YBa2Cu307 (YBCO) films. // Thin Solid Films, 1996, v. 289, p. 70-73.

56. L.Luo, M.E.Hawley, C.J.Maggiore, R.C.Dye, R.E.Muenchausen Spiral growth in epitaxial YBa2Cu305 thin films produced by high deposition rate chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, № 5, p. 485 - 486.

57. H.Haefke, H.P.Lang, R.Sum, H.J.Giinterdodt, L.Berthold, D.Hesse Growth and structure of YBa2Cu307.§ thin films studied by scanning tunneling microscopy and electron microscopy. // Thin Solid Films, 1993, v. 228, p. 173 - 177.

58. C.S.Chuang, H.T.Chen, T.T.Chen Scanning tunneling microscopy study of surface morphology and tunneling spectroscopy on YBa2Cu307.s thin films. // Physica C, 1995, v. 255, p. 30 - 36.

59. J.Gao, W.H.Wong Investigation on surface morphology of sputtered YBa2Cu3Ox thin and ultrathin films. // Physica C, 1995, v. 251, p. 330 - 336.

60. J.Gao, W.H.Wong, J.Xhie Formation of outgrowths at the initial growing stage of YBa2Cu3Ox ultrathin films on Zr02 substrates. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 15, p. 2232-2234.

61. B.Schulte, M.Maui, P.Husser, H.Adrian Compositional effects in YxBayCu207.§ thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, № 6, p. 633 - 635.

62. Y.J.Tian, L.Li, L.P.Guo, et al. Correlation between distribution of outgrowth and microwave resistance for YBa2Cu307 thin films. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 18, p. 2356-2358.

63. J.A.AIarco, G.Brorsson, H.Olin, E.Olsson Early stages of growth of YBa2Cu307.5 high Tc superconducting films on (001) Y-Zr02 substrates. // J. Appl. Phys., 1994, v. 75, № 6, p. 3202 - 3204.

64. Е.И.Гиваргизов Искусственая эпитаксия. // M., Наука, 1988, 176 с:

65. E.I.Givargizov Oriented crystallization on amorphous substrates. // New York, Plenum Press, 1991, 370 p.

66. Н.Н.Шефталь, Н.А.Бузынин Преимущественная ориентация кристаллитов и влияние царапин // Вестн. Моск. ун-та., Сер. геол., 1972, т. 27, № 3, с. 102-104.

67. Н.Н.Шефталь Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. // в кн. - Рост кристаллов -М.: Наука, 1974, т. 10, с. 1471 - 1480.

68. В.И.Клыков, Р.Н.Шефталь, Н.Н.Шефталь Ориентированная кристаллизация на аморфных и поликристаллических подложках : Искусственная эпитаксия. // в кн. - Процессы реального кристаллообразования / Под ред. Н.В.Белова. - М.: Наука, 1977, с. 144 - 150.

69. V.I.Klykov, N.N.Sheftal, E.Hartman Artificial epitaxy (diataxy) of silicon and germanium//Acta Phys. Sci. Hung., 1979, v. 47, № 1-3, p. 167 - 183.

70. E.I.Givargizov, N.N.Sheftal, V.I.Klykov, Diataxy (graphoepitaxy) and other approaches to oriented crystallization on amorphous substrates /7 Current Topics in Material Science / Ed. Ekaidis. - Amsterdam, 1982, v.10, p. 687 - 691.

71. H.I.Smith, D.C.Flanders Oriented crystallization on amorphous substrates using artificial surface-relief gratings. // Appl. Phys. Lett., 1978, v. 32, № 6, p. 349-350.

72. M.W.Geis, D.C.Flanders, H.I.Smith Crystallographic orientation of silicon on an amorphous substrates using artificial surface-relief grating and laser crystallization. // Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, № 1, p. 71 - 74.

73. H.Mori 2-D grating graphoepitaxy of silicon films from silicon - gold supersaturated solution. // Jpn. J. Appl. Phys., 1981, v. 20, № 12, p. L 905.

74. M.Tomura, H.Tomura, T.Tokuyama Si bridging epitaxy from Si windows onto Si02 by Q-switched ruby laser pulse annealing. // Jpn. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, № 1, p, L 23 - L 26.

75. J.Sakurai, S.Kawamura, H.Mori, M.Nakane Lateral epitaxy growth in poly - Si film over Si02 from single - Si seed by scanning cw laser annealing. // Jpn. J. Appl. Phys., 1981, v. 20, № 3, p. L 176 - L 178.

76. B.-Y.Tsaur, J.C.C.Fan, M.W.Geis et al. Improved techniques for growth of large - area single - crystal Si sheets over Si02 using lateral epitaxy by seeded solidification. // Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, № 7, p. 561 - 563.

77. Y.Hayafuji, T.Yanada, S.Usui et al. Laterally seeded regrowth of silicon over Si02 through strip electron beam irradiation // Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, № 5, p. 473-475.

78. D.R.Bradbury, T.I.Kamins, C.-W.Tsao Control of lateral epitaxial CVD of silicon over insulators. // J. Appl. Phys., 1984, v. 55, № 2, p. 519 - 623.

79. L.Jastrzebski, J.F.Corboy, J.T.McGinn, R.Pagliaro Growth process of silicon over Si02 by CVD: epitaxial lateral overgrowth technique. // J. Electrochem. Soc., 1983, v. 130, №7, p. 1571 - 1580.

80. Y.Ohmura, Y.Matsushita,M.Kashiwagi Solid-phase lateral epitaxial growth onto adjacent Si02 film from amorphous silicon deposited on single-crystal silicon substrate. // Jpn. J. Appl. Phys., 1982, v. 21 № 3, p. LI52 - LI54.

81. H.Ishiwara, H.Yamamoto, S.Furukawa et al. Lateral solid phase epitaxy of amorphous Si films on Si substrates with Si02 pattern. // Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, № 11, p. 1028- 1030.

82. Л.К.Бейзитер, И.К.Витол Об условиях выращивания тонких монокристаллических слоев полупроводников на немонокристаллической подложке. // Кристаллография, 1964, т. 9, № 2, с. 308 - 310.

83. J.C.C.Fan, B.-Y.Tsaur, R.L.Chapman, M.W.Geis Zone melting recrystallization of 3-in-diam Si films on Si02 coated Si substrates. // Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, №2, p. 186- 188.

84. J.C.C.Fan, B.-Y.Tsaur, M.W.Geis Graphite-strip-heater zone-melting recrystallization of Si film. // J. Cryst. Growth, 1983, v. 63, № 3, p. 453 - 483.

85. M.W.Geis, H.I.Smith, C.K.Chen Characterization and entrainment of subboundaries and defect trails in zone-melting-recrystallized Si films. // J. Appl. Phys., 1986, v. 60, № 3, p. 1152-1160.

86. J.P.Colinge, E.Demoulin, D.Bensahel, G.Auvert Use of selective annealing for growing very large grain silicon on insulator. // Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, №4, p. 346-347.

87. J.P.Colinge p-i-n photodiode made in laser-recrystallized silicon-on-insulator. //IEEE Trans. Electron Dev., 1986, v. ED 33, № 2, p. 203 - 205

88. W.D.Dozier, C.E.Piatt Graphoepitaxy of YBa2Cu307.8 thin films. // Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, № 17, p. 2048 - 2050.

89. S.Miyazawa, M.Mukaida Atomic graphoepitaxy: A growth model for c-axis in-plane-aligned, a-axis oriented YBa2Cu3Ox thin films. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 16, p. 2160-2162.

90. S.Miyazawa, M.Mukaida Formation of stacking-fault in atomic graphoepitaxy a -axis YBa2Cu3Ox thin films on SrLaGa04 substrates. // Jpn. J. Appl. Phys., 1996, v. 35, part 2, № 9B, p. LI 177 - LI 180.

91. S.Miyazawa, M.Mukaida, MSasaura Thin film crystallinity and substrate materials in atomic graphoepitaxy of YBa2Cu3Ox. И Acta Phys. Polonica, 1997, v. 92, № l,p. 85-97.

92. E.I.Givargizov Oriented crystallization on amorphous substrates. // Heterogeneous Chemistry Reviews, 1995, v. 2, p. 69 - 78.

93. Д.И.Блохинцев Основы квантовой механики. // Москва, "Наука", 1983 г.

94. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц Теоретическая физика том 3 - Квантовая механика. //М.: Физматгиз, 1963.

95. J.Simmons General fdormula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film. // J. Appl. Phys., 1963, v. 34, p. 1793.

96. G.Binnig, H.Rohrer Scanning tunneling microscopy. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 4, p. 355 - 369.

97. М.С.Хайкин, А.М.Трояновский Сканирующий туннельный микроскоп с модуляцией туннельного промежутка в жидкой среде. // Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, № 20, с. 1236 - 1241.

98. А.А.Бухараев, Д.В.Овчинников, А.А.Бухараева Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии. 7/ Заводская лаборатория, 1997, №5 с. 10-27

99. U.T.Durig, D.W.Pohl, F.Rohner Near field optical-scanning microscopy. // J. Appl. Phys.,1986, v. 59, № 10, p. 3318 - 3327.

100. U.Ch.Fisher, U.T.Durig, D.W.Pohl Scanning near field optical microscopy (SNOM) in reflection or scanning optical tunneling microscopy (SOTM). // Scanning Microscopy, 1989, v. 3, № 1, p. 1 - 7.

101. D.Courjon, C.Bainier Near field microscopy and near field optics. // Rep. Prog. Phys., 1994, v. 57, № 10, p. 989 - 1028.

102. E.Betzig, P.L.Finn, J.S.Weiner Combined shear force and near-field scanning optical microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1992, v. 60, № 20, p. 24842486.

103. E.Betzig, J.K.Trautman, T.D.Harris et al. // Science, 1991, V. 251. p.1468.

104. E.Betzig, J.K.Trautman, R.Wolfe et al. // Appl. Phys. Lett., 1992, v. 61, p. 142.

105. T.D.Harris, R.D.Grober, J.K.Trautman, E.Betzig // Appl. Spectroscopy, 1994, v. 48, p. 14a.

106. R.Uma, Maheswari, H.Tatsumi, Y.Katayama, M.Ohtsu // Opt. Commun., 1995, v. 120, p. 325.

107. M.H.Jerricho, D.C.Dahn, B.L.Blackford Scanning tunneling microscope with micrometer approach and thermal compensation // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, №8, p. 1349- 1352.

108. O.Marti, B.Drake, P.K.Hansma Atomic force microscopy of liquid - covered syrfaces: atomic resolution images. // Appl. Phys. Lett., 1987, v. 51, № 7, p. 484-486.

109. Douglas P.E.Smith, Gerd Binnig Ultrasmall scanning tunneling microscope for use in a liquid-helium storage Dewar // Rev. Sci. Instrum., 1986, v. 57, JSfe 10, p. 2630 - 2631.

110. A.P.Fein, J.R.Kirtley, R.M.Feenstra Scanning tunneling microscope for low temperature? High magnetic field, and spatially resolved spectroscopy. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 10, p. 1806 - 1810.

111. J.G.H.Hermsen, H. van Kempen, B.J.Nelissen, L.L.Soethout et al. New mechanical construction for the scanning tunneling microscope. // Surface Science, 1987, 181, p. 183 - 190. >

112. M.Anders, M.Thaer, C.Heiden Simple micropositioning devices for STM. // Surface Science, 1987, 181, p. 176 - 182.

113. K.Besocke An easily operable scanning tunneling microscope. // Surface Science, 1987, 181, p. 145 - 153.

114. B.L.Blackford, M.H.Jericho, M.G.Boudreau A vertical/horizontal two-dimensional piezoelectric driven inertial slider micropositioner for cryogenic applications. // Rev. Sci. Instrum., 1992, v. 63, № 4, p. 2206 - 2209.

115. B.L.Blackford, M.H.Jericho A hammer - action micropositioner for scanning probe microscopes. // Rev. Sci. Instrum., 1997, v. 68, №. 1, p. 133 - 135.

116. D.W.Pohl Some design criteria in scanning tunneling microscopy. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 4, p. 417 - 427.

117. H.van Kempen, G.F.A. van de Walle Applications of a high-stability scanning tunneling microscope. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 5, p. 509 - 514.

118. B.L.Blackford, D.C.Dahn, M.H.Jerricho High-stability bimorth scanning tunneling microscope. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 8, p. 1343 - 1348.

119. Ch.Gerber, G.Binnig, H.Fuchs, O.Marti, H.Rohrer Scanning tunneling microscope combined with a scanning electron microscope. // Rev. Sci. Instrum., 1986, v. 57, №2, p. 221 -224.

120. G.Binnig, D.P.E.Smith Single - tube three - dimensional scanner for scanning tunneling microscopy. // Rev. Sci. Instrum., 1986, v. 57, № 8, p. 1688 - 1689.

121. S.Vieira the behavior and calibration of some piezoelectric ceramics used in the STM. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 5, p. 553 - 556.

122. И.Г.Закревский, С.В.Черепов Дилатометр с индукционным датчиком. // ПТЭ, 1987, №5, с. 223 -225

123. P.T.Squire, M.R.J.Gibbs Fibre - optic dilatometr for measuring magnetostriction in ribbon samples. // J. Phys. E: Sci. Instrum., 1987, v. 20, p. 499 - 502.

124. J.R.Matey, J.Blanc Scanning capacitance microscopy. // J. Appl. Phys., 1985, v. 57, №5, p. 1437- 1444.

125. P.Hansma, J.Tersoff Scanning tunneling microscopy. // J. Appl. Phys., 1987, v. 61, №2, p.Rl -R23.

126. P.J.Bryant, H.S.Kim, Y.C.Zheng, R.Yang Technique for shaping scanning tunneling microscope tips. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 6, p. 115.

127. Дж.Фиринг, Ф.Эллис Изготовление игл для растровых туннельных микроскопов методом травления. // ПНИ, 1990, № 12, с. 159 - 161.

128. P.Murait, D.W.Pohl, W.Denk Wide range, low-operating-voltage, bimorph STM: Application as potentiometer. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 5, p. 443 -450.

129. М.С.Хайкин Сканирующий туннельный микроскоп с большим полем обзора. // Приборы и техника эксперимента, 1989, № 1, с. 161 - 165.

130. В.Ф.Дряхлушин, А.Ю.Климов, В.В.Рогов, С.А.Гусев Зонд сканирующего блжнепольного оптического микроскопа. // Приборы и техника эксперимента, 1998, № 2, с. 138 - 139.

131. M.Aguilar, P.J.Pascual, A.Santisteban Scanning tunneling microscope automation. // IBM J. Res. Develop, 1986, v. 30, № 5, p. 525 - 532.

132. S.Park, C.F.Quate Theories of the feedback and vibration isolation systems for scanning tunneling microscope. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 11, p. 2004 - 2009.

133. А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, Д.В.Нахабцев Аппаратные и программные средства сканирующего туннельного микроскопа. // Сборник "Научное приборостроение", выпуск "Электронно - ионная оптика", 1989, Ленинград, "Наука", с. 77 - 84.

134. А.М.Трояновский Цепь обратной связи и управление сканирующим туннельным микроскопом. // ПТЭ, 1989, № 1, с. 165 - 170.

135. В.А.Быков, А.В.Иконников, С.Н.Кацур, С.А.Саунин Электроника и программное обеспечение универсальных сканирующих зондовых микроскопов HT - МДТ. // Труды Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия - 99", 1999 г., ИФМ РАН, Н. Новгород, с. 327 - 334.

136. G.Binnig, H.Rohrer, Ch.Gerber, E.Weibel Tunneling through a controllable vacuum gap. // Phys Rev. Lett., 1982, v. 49, №1, p. 57 - 61.

137. Leitch A.W., Ehlers H.L.// Infrared Phys., 1988, v. 28, № 6, p. 433-440.

138. Н.В.Востоков, В.М.Данильцев, Ю.Н.Дроздов, А.В.Мурель, О.И.Хрыкин, В.И.Шашкин Формирование и заращивание квантовых точек InAs в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии. // Поверхность, 2000, №7, с. 17-21.

139. S.K.Buratto, J.W.P.Hsu, E.Betzig, J.K.Trautman, R.B.Bylsma,C.C.Bahr, M.J.Cardillo Near-field photoconductivity: Application to carrier transport in InGaAsP. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, №. 21, p. 2654 - 2656.

140. T.D.Harris, D.Gershoni, R.D.Grober, L.Pfeiffer, K.West, N.Chand Near-field optical spectroscopy of single quantum wires. // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, №7, p. 988-990.

141. M.Grundmann, O.Stier, D.Bimberg InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electronic structure. // Phys. Rev. B, 1995, 52, № 16, p. 11969-11981.

142. O.Stier, M.Grundmann, D.Bimberg Electronic and optic properties of strained quantum dots modeled by 8-band kp theory. // Phys. Rev. B, 1999, v. 59, № 8, p. 11969-11981.

143. L.R.Fonseca, J.L.Jimenez, J.P.Leburton, R.M.Martin Self-consistent calculation of the electronic structure and electron-electron interaction in self-assembled InAs-GaAs quantum dot structures. // Phys. Rev. B, 1998-1, 57, № 7, p. 4017 - 4026.

144. J.Kim, L.Wang, A.Zunger Comparison of the electronic structure of InAs/GaAs pyramidal quantum dots with different facet orientations. // Phys. Rev. Lett., v. 57, № 16, p. R9408 - R9411.

145. А.И.Ансельм Введение в теорию полупроводников. // M.: Наука, 1978.

146. Д.В.Казанцев, Н.А.Гиппиус, Дж.Ошиново, А.Форхель Спектроскопия микроструктур • GaAs/AlGaAs с субмикронным пространственным разрешением с помощью сканирующего микроскопа ближнего оптического поля. // Письма в ЖЭТФ, 1996, т. 63, вып. 7-8, с. 523 - 527.

147. E.Waffenshmidt, K.H.Waffenshmidt, F.Arndt, E.Boeke, J.Musolf, X.He, M.Heuken, K.Heime Local stoicheometry measurement of Y-Ba-Cu-0 thing layers grown by metal organic chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys., 1994, v. 75, № 8, p. 4092-4096.

148. T.Yoshitake, W.Hattori, S.Tahara Effects of copper deficiency on the structure and microwave properties YBa2Cu307.5 films deposited by laser ablation. // J. Appl. Phys., 84(4), 1998, p. 2176-2180.

149. Yu.N.Drozdov, S.V.Gaponov, S.A.Gusev, E.B.Kluenkov, Yu.N.Nozdrin, V.V.Talanov, B.A.Volodin, A.K.Vorobiev Microstructure and electrical properties of YBCO films. // Supercond. Sci. Technol., 1996, № 9, A166 - A169.

150. Electronic Applications of Superconductivity in Japan, WTEC Panel Report, July 1998, http://144.126.176.216/scel96/toc.htm.

151. Yu.N.Drozdov, S.V.Gaponov, S.A.Gusev, E.B.Kluenkov, Yu.N.Nozdrin, V.V.Talanov, A.K.Vorobiev Morphology, microstructure and electrical properties of Y-Ba-Cu-0 thin films. // IEEE Trans, on Appl. Supercond., 1997, vol. 7, №.2, p. 1642-1645.

152. И.И.Голденблат Нелинейные проблемы теории упругости. // М., Наука, 1969.

153. Дж.Най Физические свойства кристаллов. // М., Издат иностр. Лит., 1960.

154. В.В.Сычев Сложные термодинамческие системы. // М.: Энергия, 1977.

155. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц Теория упругости. // М., Наука, 1965.

156. К.Корренс Рост и растворение кристаллов под действием одноосного давления. // в кн. : Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии. Сборник 2, Рост кристаллов, М., Издат иностр. Лит., 1950, с. 77- 83.

157. В.Я.Хаимов Мальков - К термодинамике кристаллизационного давления. // в кн. : Рост кристаллов, т. 2, М., Изд. АН СССР, 1959, с. 5 - 16.

158. А.А.Чернов Кристаллизационное давление. // в кн.: Современная кристаллография, т. 3, М., Наука, 1980, с. 12.

159. О.Андерсон Определение и некоторые применения изотропных упругих постоянных поликристаллических систем, полученных из данных для монокристаллов. // в кн.: Физическая акустика, т. 3, часть Б, Динамика решетки. М., Мир, 1968, с. 62-121.

160. Р.Лодиз, Р.Паркер Рост кристаллов: Пер. с англ. / под ред. А.А.Чернова, А.Н.Лобачева - М.: Мир, 1974, 540 с.

161. М.Д.Бернштейн Структура деформированных металлов. -М.: Металлургия, 1977,431 с.

162. С.С.Горелик Рекристаллизация металлов и сплавов. - М.: Металлургия, 1978,568 с.

163. В.М.Иевлев, Л.И.Трусов, В.А.Холмянский Структурные превращения в тонких пленках. --М.: Металлургия, 1982, 248 с.

164. Э.Мелан, Г.Паркус Термоупругие напряжения вызываемые стационарными температурными полями. - М.:Физматгиз, 1958, 167 с.

165. M.W.Geis, D.A.Antoniadis, D.J.Silversmith, R.W.Mountain, H.I.Smith Silicon graphoepitaxy using a strip-heater oven. // Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37, № 5, p. 454-456.

166. Список работ автора по теме диссертации

167. А1. Ю.А.Битюрин, С.В.Гапонов, А.А.Гудков, В.Л.Миронов Направленная кристаллизация при лазерном отжиге пленок. // Квантовая электроника, 1984, т. 11, № 1, с. 181 - 183.

168. А2. Ю.А.Битюрин, С.В.Гапонов, А.А.Гудков, В.Л.Миронов Кристаллизация в поле упругих деформаций. // Препринт ИПФ АН СССР, N 75, 1983, 28 стр.

169. A3. Ю.А.Битюрин, А.А.Гудков, В.Л.Миронов О возможном механизме искусственной эпитаксии на подложках с поверхностным рельефом. // Поверхность, 1986, № 7, с. 105 - 110.

170. А4. Yu.A.Bityurin, S.V.Gaponov, A.A.Gudkov, V.L.Mironov Artificial epitaxy in the elastic strain field. // Journal of Crystal Growth, 1986, v. 73, № 3, p. 551 - 558.

171. А5. Ю.А.Битюрин, Д.Г.Волгунов, С.В.Гапонов, А.А.Гудков, В.Л.Миронов -Химический потенциал упруго деформированных твердых тел. // Препринт ИПФ АН СССР, № 208, 1988, 20 стр.

172. А6. Ю.А.Битюрин, Д.Г.Волгунов, С.В.Гапонов, А.А.Гудков, В.Л.Миронов

173. Структурные изменения и массоперенос в упругонапряженных пленках. // В кн. Рост кристаллов т. 17, с. 60-69, М. : Наука, 1987.

174. А7. Ю.А.Битюрин, Д.Г.Волгунов, А.А.Гудков, И.А.Каськов, М.Г.Кузеванов, В.Л.Миронов, А.А.Петрухин Сканирующие туннельные микроскопы для исследования поверхности твердого тела."// Препринт ИПФ АН СССР, № 197, 1988, 24 стр.

175. А8. Д.Г.Волгунов, А.А.Гудков, В. Л.Миронов Устройство для микроперемещений объекта. // Авторское свидетельство N 1537088 от 15.09.88.

176. А9. Ю.А.Битюрин, Д.Г.Волгунов, А.А.Гудков, И.А.Каськов, М.Г.Кузеванов, В.Л.Миронов, А.А.Петрухин Сканирующий туннельный микроскоп для исследования процессов роста пленок. // Письма в ЖТФ, 1988, т. 14, в. 24, с. 2273- 2277.

177. A.Ю.Лукьянов, В.Л.Миронов, А.И.Панфилов, А.А.Петрухин, Д.Г.Ревин,

178. B.В.Рогов Сканирующий комбинированный ближнепольный оптический / туннельный микроскоп. // ПТЭ, 1998, № 2, с. 132-137.

179. А16. Д.Г.Волгунов, С.В.Гапонов, В.Ф.Дряхлушин, А.Ю.Климов, Р.Е.Кононов,

180. A.Ю.Лукьянов, В.Л.Миронов, А.И.Панфилов, А.А.Петрухин, Д.Г.Ревин,

181. B.В.Рогов Ближнепольный оптический микроскоп для исследования и модификации свойств поверхности. // Поверхность, 1998, № 2, с. 28-31.

182. А17. А.К.Воробьев, Н.В.Востоков, С.В.Гапонов, Е.Б.Клюенков, В.Л.Миронов -Исследование неоднородностей в тонких пленках высокотемпературных сверхпроводников методами сканирующей зондовой микроскопии. // Письма в ЖТФ, 1999, вып. 4, с. 68-73.

183. А21. А.К.Воробьев, Н.В.Востоков, С.В.Гапонов, Е.Б.Клюенков, В.Л.Миронов -Исследование фазовых неоднородностей в Y-Ba-Cu-0 тонких пленках методами сканирующей зондовой микроскопии. // Поверхность, 2000, № 7, с. 79-82.

184. Тезисы докладов и доклады в сборниках трудов конференций:

185. Т2. Ю.А.Битюрин, С.В.Гапонов, А.А.Гудков, В.Л.Миронов Структурные превращения в твердой фазе в поле упругих деформаций. // Тезисы докладов "VI Всесоюзной конференции по росту кристаллов", т. 3, Цахкадзор, 1985, с. 10 - 11.

186. ТЗ. Д.Г.Волгунов, С.В.Гапонов, В.Ф.Дряхлушин, А.Ю.Климов, Р.Е.Кононов,

187. A.Ю.Лукьянов, В.Л.Миронов, А.И.Панфилов, А.А.Петрухин, Д.Г.Ревин,

188. B.В.Рогов Ближнепольный оптический микроскоп для исследования и модификации свойств поверхности. // Труды Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия - 97", Н.Новгород, 1997 г, с. 86 - 90.

189. XI7. V.Ya.Aleshkin, A.V.Biryukov, S.V.Gaponov, V.M.Danil'tsev, V.L.Mironov, A.V.Murel, V.I.Shashkin STM investigation of a strong electric field affect onlocal photocurrent spectra in InAs/GaAs quantum dot heterostructures. //th

190. Proceedings of 8 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 19-23, 2000), p. 326-329.