Исследование контактной эхоклюзии электронно-дырочной плазмы в полупроводниках конечных размеров тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

-, D i >4 J -

- Г /

акадежя 1йя украш'к i

■mimn полупговодажов m укракны

lía правах рукописи

витусевкч СВЕТЛАНА АЛЕКСАНДРОВНА

уда 321.315.693

ИССЛЕДОВАНИЕ КОНТАКТНОЙ ЭКСКЛПЗИЙ

электронно - дурочкой тшя'-а з пошрсшдшах

КОНЕЧНЫХ РАЗМЕРОВ

Специальность 01.04.10 -физика полупроводников и даэлвнтржов

АВГ0РЕ5ЕРАТ дкссоргацкк на салсканиэ учоног отепзгш кандидата фтанко-ка-кшатотэсхга наук

киев - 1991

X"/

/ - -

/

/ у'

Работа выполнена в Институте шлу проводников АН УКРАИНЫ

(г.Кков)

Научные руководители: доктор физкко-мзтоматаческих каух.

профессор МАШГЕНКО В.К. кандидат физико-математачоск1« наук, ст.научн.сотр. АКОПЯН A.A.

Официальные ошюнанты: доктор физико-математичослид внук,

профессор ДОБРОВОЛЬСКИЙ H.H. кандидат физихо-матоиатачисккх ьн.ук, ст.ваучн.сотр.ШИРШОВ Ю.И.

Вэдущая организация: Физшш-техничаский институт ли ССОР (г.Санкт-Пэтербург)

Защита состоится "ЛЯ" lbdir. в '

на за со дании Специализированного Соната К 010.25.01 при Ивстнгуте полупроводников АН УКРАИНЫ ш адресу: 252650 Г.КДОВ-2&, пр.Науки,45.

С диссартадивй можно ознакомиться в библиотека Института. Автореферат разослан "ТУ" CKrnJs£ß>J 1ЭЭ1г.

Ученна секретарь Специализированного Совета

БЕЛЯЕВ А.Е.

иигсшкЦ

?И1ГЛТЕКИ |

з,. , - мика |

. тдел {

^«ртациА 1 ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность томы. В настоящее время невозмо:дю представить развею исследования физики полупроводников и разработки нэ их основе приЗоров и интегральных схем без использования контактных явления. В то же вре;я. также актуальными являются исследования поведения о'иголяркся плазмы в полупртводниках при больших градиентах кондентрация. позволяющие создавать повью способы контроля параметров полупроводников и приборы, работающие па основе изменения проводимости биполярной компоненты. Одним из методов получения пространственно - неоднородного распределения электронно - дырочное плазмы в объема полупроводника является эффект контактной эксклюзии. Изменяя величину электрического поля, вытягивзютюго носители из полупроводника с антизапорным контактом, можно управлять пространственным распределением плазмы по объему кристалла. Использование внешних воздействия? осведакия. температуры, всестороннего давления, облучения, позволяет в более широких пределах варьировать биполярной компонентой плазмы, изменяя ев профиль распределения

На основе результатов исследования полупроводниковой плазмы с использованием явления контактной эксклюзии разработаны новые метода определения параметров полупроводников, повые полупроводниковые приборы и датчики. В частности.использование эффекта эксклюзии в фотоприемникаж на основе еь и са^ нд4 ^т» позволило улучшить их

пороговые хграетвристики. расширить рабочий диапазон до комнатной температуры за счет значительного снижения Оке-рекомбинации носителей заряда.

Несмотря на систематическое исследование явления контактной эксклюзии в СССР и за рубежом ко времени начала этой работы, оставался рад задач, требующих решения и уточнения. Так. в .отгературе при рассмотрении эффекта эксклюзии описаны два приближения: диффузионное и дрейфовое < тогда как в большинстве случаев необходимо одновременно учитывать как дрейф. так и диффузию носителей). Отсутствовали исследования влияния генерационного потока

э

носителей: боковыми поверхностями кристалла на процесс эксхлюзии. па форму вольт-амгарныг характеристике ВАЮ и продольное распределение носителэй в условиях эксклюзии- Ш рассматривалось алияниэ гидростатического давления на явление контактной оксклюзии. влияние геометрической формы образцов и формы их контактов ( которые на практике бывают самыки различными и могут приводить к существенному изменению результатов исследований и характеристик приборов). Кроме того, практически отсутствовали доследования нестационарных процессов при приложении электрического поля к антизапорному контакту. Решение торечислэнных и других проблем, возникающих при исследовании контактной аксклазш. представляет интерес как с теоретической, так и с практической точек зрения.

Наиболее подходящим материалом, результаты исследования явления контактной эксклюзии в котором можно рассматривать в качестве модели прсцзсса эксклозии в других полупроводниках,

является германий ввиду большой диффузионной длины в кристаллах с собственной проводимость», высокой степени чистоты и благодаря хорошо отработанным технологам создания антизапорного контакта и заданных ;юличин скорости поверхностной I'внерации.

Цель работы. Цэлью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное исследование контактной эксклшии в полупроводниках конечных размеров. Б связи с этим ставились следующие задачи:

- создать оптико-электрическую установку для исследований ВАК. продольных распределении потенциала и пространственного распределения свободных носите.иэй полупроводников путем оптического зондирования в ИК-об.(асти спектра;

- теоретически и экспериментально исследовать эффект ахоишин при больших отклонениях концентрации носителей от термодинамического равновесия в условиях существенного влияния на процесс истацэния как дрейфового, так и диффузионного потоков носителей заряда;

- исивдовать влияние обработки поверхности и поперечных размеров образцов различных конфигурация на основкао характеристики эксклшии.

- выявить особенности переходных процессов в условиях сильно« эксклюзии(при больших отклонениях концентрации носителей от термодинамического равновесия);

- изучить влияние гидростатического давления нз процесс

эксклюзии;

- разработать новые метода определения .шраметроз полупроводниковых материалов и создать новые приборы на основе использования полученных результатов.

Научная новизна. В диссертации впервые получены следующие результаты;

1. Теоретически и экспериментально доказано, что при большой степени обеднения полупроводника свободными -носителями, в области перехода от истощенной его части к равновесной имеется резкий скачок концентрации, параметрами которого мояно управлять. Устзношзэны условия его наблюдения, зависимость величины скачка от скорости поверхностной рекомбинации на боковых гранях, температуры, амплитуда напряжения и внешней подсветки скяьнопоглоцаемым светом.

2. Обнаружено и исследовано сильное влияние величины скорости поверхностной генерации-рекомбипации на боковых гранях образца на форму ВАХ. основные характеристики эксклюзии и на профиль пространственного распределения плазмы в объеме полупроводника. Проведен сравнительный анализ эффекта эксклюзии в образцах формы пластины и цилиндра.

3. Установлены закономерности переходных процессов при ' больших отклонениях концентрации носителей от термодинамического равновесия в условиях эксхиозии: кинотика тока, характер поведения нестационарных ВАХ. динамика пространственно-неоднородного распределения концентрации.

4- Установлены особенности переходных процессов при эксклюзии в структурах с планарпым антизапорньм конгактом: отклонение кинетики тока от закона I - и возникновение м-образного участка на нестационарных ВАХ.

5. Исследовано влияние гидростатического сжатия па стедань истощения при эксклюзии. Установлен оптимальны» уровень несобственности материала для максимальное модуляции

з

проводимости в условиях эксклюзш-

в. Установлена взаимосвязь характерных точек ВАХ с параметрами глубоких уровнее. позволяющая определять без охлаадзния образца: эффективное время жизни носителей, глубину . залегания основного рекомбинационного уровня, величину концентрации нескомшнсированноя примеси. Устанавленные закономерности изменения формы ВАХ при различных обработках боковой поверхности, позволяют опроделять величину скорости поверхностной рекомбинации.

Практическая ценность. В результате исследования эффекта эксклшии в германии :

- предложены и реализованы способ определения температуры И способ определения скорости поверхностной рекомбинации;

- обоснован принцип работы и изготовлены накатные образцы высокочувствшвльного датчика температуры;

- разработан нэ трэбукщиа охлаждения образца ыатод определения параметров глубокиж уровней полупроводника: эффективного времени жизни носителе*, глубины валвгания основного рекомбкнацаонного црнтра. величины концентрации шекомдансирсвадноя примзск.

Защищаемые положения.

I. В условиях эксклюзии при больших отклонениях ковдэнтрации носителей от термодинамического равновесия аксшрмьеятально обнаружен скачкообразный участок в распределении носителей при переходе от истощенной области к области равновесноа заселенности, связанный с аоззикноюнивм сильного диффузионного потока носителей, направленного противоположно дрейфовому.

2- Генерационные поток носителей с боковых поверхностей долупрозодшяса при конечное величина скорости поверхностное рекоийинацки приводит к изменения основных характеристик вксклюзии: изменения пространственного распределения восителаа. к уменьшению лганы эксклюзии. росту напряжения формирования эффекта эксклшии. напряжения перехода на второй смическиа участок ВАХ и напряжения отсечки.

э. Установлено, что кинетика тока в условиях контактной эксклюзив при больших отклонениях концентрации носителей ст термодинамического равновесия пэдткаястсл закону г -

о

с.» от-.ve от линейного закона изменения тока от времени при слабол зксклгозию. нестационарные ВАХ описываются корьевой зависимостью i - и1'*, длина эксклвзии пропорциональна ruó"1

4. á пластине с аланарным антизашрпым контактом чзаетдсотсл отклонение кинетик токз от закона i - t-'"". к вознигагзвение " - образного участка на нестационарных ВАХ. обусловленные различное скоростью вытягивания носителей а резко неоднородном электрическом поле.

5- Всестороннее сжатие может быть использовано как срадг/яо управления афф?ктом 'жеклюзии вслЬлятвие измегеки.я уровня нособствонности'полупроводника.

Аппроб улпя ..работы- Оспсзгс*» результаты рзбг.ты доклздчзажсь и содержатся в материала«: Эти Hcecovsiioro совещания " Физика поверхностных явления в полупроводника^" (Киэв. 1SB4); XIV -го научного семинара "Зл/яние высоких давлряиа па вещество" сКиов. 13Э1.>; докладывали«, на ксафероншях молодых исследователей Института полупроводников АН УССР (Киев 1Ш5. Í&S7, 2033. 1990 г-г. ) и Львовского государствонного университета (Льзоэ, 1S35>. а также на научных семинарах Института полупроводников Ail УССР (Киев).

Публикации. Содержание диссертации опубликовано а 11 печатных работах, из них 3 авторских свидетельств. Список основных публикация приведен в контзв работы.

Структура диссертации. Диссортзцля состоит з;з введэння. литературного обзора. методической г. лавч. чотарох оригинальных глав, выводов и списка цитируемой литературы. Обпцж объем составляет 131 страницу. из .низ машинописного текста 105 страниц. 32 рисунка, библиография внлычаот 103 наименований.

краткое содержанке работы

Во введении обоснованы актуальность и цэль работа, выявлена научная новгана и практическая ценность полученных результатов, сформулирозагы зэздщэомыо полсжскул. a такав приведэво краткое содеряанив диссертации по главам.

В первой глазе приводится обзор научная литературы.

посвященной теоретическому и экспериментальному исследованию явления контактной зксклюзии в полупроводниках и его практическому применению. Кратко изложена результаты работ пз исследованию вольт-амперных характеристик, распроделзгш электрического поля и концентрации носителей в условиях вксклюзии при различных внешних воздействиях.

Как следует из лггаратурного обзора, интерос к изучению аффекта зксклюзии возобновился в последнее время в связи с возможностью значительного увеличения модуляции проводимости при зксклюзии носителей ввиду получения полупроводников высокой степени чистоты и обнаружению значительной зксклюзии в компенсированных полупроводниках. Это послужило, в свою очередь, более широкому практическому использованию явления. Из анализа представленных работ делается вывод о том, что некоторые вопросы связанные с эксклюзива изучены недостаточно или не исследовались вообщр. Так. в» изучено влияние обработки поверхности и геометрии образца и его контактов на основные характеристики эксклшии с несмотря иа ТО. что большинство измерений проводилось на образцах с толщинами порядка диффузионной длинь». недостаточно исследовались переходные продессы и пространственное распределение носителей заряда при больших отшюнениях от термодинамического равновесия в условиях зксклюзии. отсутствуют данные по исследованию этого эффекта при гидростатическом сжатии. Все перечисленные вопросы поставлены в качестве дели настоящей работы.

Вторая глава является методической. Здесь описан выбор материала для исследований, технология приготовления образцов, методика исследований явления зксклюзии.- с помощью изучения ВАХ полупроводника при эффекте зксклюзии. продольных распределений потенциала и оптического зондирования концентрации свободных носителза полупроводников в ИК области сшкгра. Напряшние подавалось в виде прямоугольных импульсов во избежание разогрева образца. Приведена схема оггтико-электрической установки, позволяющей производить запись ВАХ. формы импульса тока и напряжения, распределения потенциала и величины сигнала пропускания оптического иалучония аптсмагичаски на

а

с.-1к0писцэ.

Исследовался р - горманий с концентрацией несяомпвнсаро-вйнной примеси N » 2.7. Ю^ск и к » &10"я"" о

диффузионной длиной 0.18 см М 0.18 см соотбвтствзкко. Образцы изготавливались в форме пластины к цилиндра. толпзшой порядка или большей биполярной диффузионной длины. Необходимая величина толщины образцов достигалась кэханичоским плифованиэм. Антизапорные контакты создавались с использованием стандартной технологии. Минимальная величина скорости поверхностной реяомбинэциксСЯР? достигалась химическим травлением в н„о2- Максимальная, механической шлифовкой. Промежуточные бэличнны СПР создавались осавдением золота из его водного раствора на боковые поверхности образцов-

В тротьей главе описаны результаты теоретического и экспериментального исследования эффекта эксклюзии в тонга« образцах германия р-типа с различными обработками боковой поверхности. Задача ровена в двумерной «одели для кристаллов в форме пластины и цилиндра с антизапорными контактами на торцах с учетом процессов генерации носителей боковыми поверхностями кристалла. В дрейфовом приближении получено пространственное распределен® носителей заряда, опредэлэны длина эксклюзии, время жизни и В АХ. Показано сильное влияние величины скорости поверхностной

рвкомбшациксзэ на основные характеристики эксклюзии: профиль пространственного распределения носителей. ЗАХ. длину эксклюзии. вплоть до исчезновения яалэния экскясзии при высоких СПР. Так, с уменьоэниэм тол-дины кристалла п^иа увеличением величины СПР на боковой грани, резко возрастает пелкчкпа тока и значение напряжения. при Котором начинается зксклшия. Сублинейная часть ВАХ расширяется и сдвигается а сторону больших напряжений, зффеэтивное время жизни и длина эксклюзии уменьшается. Приводаггся рассчитанные величины э при различных обработках поверхности, полученные с йсполъзованиэм напряжения отсечки ВАХ и их дифференциальных наклонов на сублинейном участке. Полученные значения э в диапазона от з а 10асм^с до б * 10е сз^с находятся а

инг» том I

хорошем соответствии с известными для использованных

о

обработок поверхности:.

Показано, что пространственное рэспрэде.-экю чооктолиа у учетом гхэнорационкых потоков носителей г поверхностей имеет форму желоба. Приводят.'рылшгати непосредственного измерения ¡эффективного вр; )>',;.?йк по Ергмоям восстановления концентрации пи^а-ояа п^сла скончания импульса напряжения путем использования мото^и-л СВЧ зондирования концентрации свободам цослта/вп. Соответственно увеличению величины ь- от ш*см-'с до

Зта« 10* СМУС наблюдалось уменьшении еффзктавпсго вроксии жизни с т г. 450 мкс до т . 220 мкс. Установлено более

М«* ГГЧП

сильное влияние поверхностного генерационного потока носителей на процесс истощения при зкскжсзик в образах цилиндрической формы, чем в образцах формы пластины того жэ поперечного размера.

В четвертой главе содержатся результата теоретического и сксперишнтального исследования продольного прострэнсгвонЕо-неоднородного распределения концентрации носителей при эксклвзии. Проведено аналитическое рассмотрен!« методом фазовых траекторий полной задачи аффекта зкеклюзим с учетом как дрейфа, так к диффузии носителей. Доказано, что при переходе от истосэнног зкеклюзией области к области равновесное концентрации наблюдается резкое, скачкообразное изменение концентрации носителей- Показано. что его существование обусловлено возникновением при больших отклонениях от термодинамического равновесия сильного диффузионного потока носителей, направленного противоположно дрейфовому. Установлен диапазон токов, в котором наблюдается распределение концентрации носителей со скачком-Показано, что увеличение величины концентрации свободных носителей путем внешних воздействия, приведет к более резкому распределению концентрации пар и к уменьшению длины истоденвой области.

Экспериментально изучались ВАХ. распределения потенциала И пропускание излучения (Х^-лззвра вдоль образцз б диапазоне температур т - 293+350 к. при различала обработках боковых поверхностей и три освещрнии кристалла сяп.ношглода8мыа светом. Получены ВАХ. типичные для зшшнии I - ь'^*.

ю

уусиределен'ля потвв'дналз -.цм различных гяличинэх напряжения ui»;c¡Eaicrr раслрздэлишэ олмсгретесхого поля по дхинэ tx-íp-члца. На них ммяо вьдалоть область сильного шля, где пэтйкиизл рез'.га jmñ^uíx/1'ся и область слабого поля, где его пяденда гораздо Эти да© области разд?лэны изломом

в хода рас^едглс-ш* потенциала. что свх^утвл^ствувт о скачке кондакprira» носи!влэа и. cooteütc-iDohhü. резком скачке .глякгр:г эск jro поля- О рослом напряжения излом егхаияваатся. тго свидетельствует об уменьшении величины скачка. При уьэ шчэшт спорости псверхностноя рокомйинац'и яа боковых гранях образца . паспредеогния потенциала юшгг дмвнуа рцл- с-ез куяж-.ибо рэзких талонов. В этом случав ксяиэнтрааия ¿гасителей гамз-няется в объеме плавно от ¿Tcroo'ipíüioa области к равновосао®.

Для непосредственного найтРЕряия скачка б распределении кендантрзции носителей использовалась методика по поглощению свободными носителями лазерного излучения в спвктральноа сЗлйсти за храом собствоннсго поглощвнияе <о < едхь. где ев -сирннэ запрещенной зоныэ. Сканирование проводилось ээльо. рэз'лврои порядка 140 мкм по продольной координате длинного образца спорядка 3 cao при различных величинах напряжений нв нем. Путем даИеренцирования распрэделэниа пропускания излучения. были получены кривые с каксимунаии. позполяодиз определить отяосиггольнш величины скачка. Устшшвлэно. что величина скачка в распределении концэнтрзщм носителей укэпызалась с ростом налряяеэния и СПР боковых граней и увеличивалась с ростом температуры и интенсивности силыюгоглощавиотт) света. Показано, что экспериментальные результаты хорошо согласуются с теорией.

Затем приводятся результаты исследования влияния гидростатического сжатия на процэсс эксклгаии с помощью измерения ВАХ при различных величинах дааязяка. Зксгаримептальпа установлен в диапазоне давлений Í ♦ 3 кбара оптимальные уровень несобственносгц * Б для наксинальноа модуляции проводимости в ус.швиях эксклюзии.

В пятоз ГуТзбо исслздувтся особенности нестационарных процессов при эксклюзш для высоких уровняй ЙСТОЩОКИЯ. Теоргтичасяи. цугом рогюнаи нестационарного ураэяэяия

И

напрерлшости получены врвяышъю зависимости распроделэниа носите-ши а обьеке образ;-.! . квкатика тока к характер поведения нестационарньс ВАК. оцэнены характерные времопа шрэходного процэсса. Показано, что пэреюдаой процесс имеет два этапа- Первый этап характеризуется временем пролета носагголза - "стушяька" приходит в стационарное положение по продольно?, координате образца. Второй этап характеризуется временем низеи - происходит да$фузионное расплыввнке "стушньки" с если последняя имеется в образце в стационарных условия». Установлено. что кинетика тока хороао описывается законом г - Установлена зависимость длина

эксклшии от амплитуда напряжения и времени после начала ишульса напряжения, -которая шражается в виде ~

(оч. При атом нестапмоЕзрныэ ВАХ подчиняются зависимости : -

Исследования распределений потенциала по длине образца позволили определить профиль пространственного распределения носителей при вксклвзкк. В начало процесса истошрния при зкехлвзии концэнтрацйя носигелвв в объеме полупроводника распределена резко неоднородно. и имеет почти верггикальау» грзащу кежду сильно кстошрнноа частью образца и равновесной. Затем, по вере продвикения стушньчатого распределения носитвлэч вглубь образца, происходит его диффузионное размытив к на фона плавного распределения концоатрацщ? мояшо аыдедагь рэззош скачкообразный участок. возЕЕкапдиг: в результате противополоншо направленны! и конкурирующих диффуькогвого и дрейфового ПОТОКОВ.

Кспользованвэ метсдахя -огтгичзскогс аондировазия концзятрации свободных аосителзе, позволило установить соотээтствупдув теории обратно пропорциональную зависимость времени вадерики сигнала просвет-ваняя образца в результате акс&гвзии и пряко пропорциональную зависимость скорости двявзния "стугоньКЕ" от величины азпрявенЕя.

Быяашны особенности явления эксклвзни в структурах с плаварнык контактов: огклонениэ поведения кинетих тока от закона г - бовникесвзвез м - образных ВАХ . которьо

появляется б результате различной скорости вытягивали« Еосиг&еза в неоднородно распродалзЕноа алектрическом педа б

таких структурах. Этот вывод годтаэрвдается .измерениями ВАХ при различных обработках поверхности. С ростом величины СПР амплитуда модуляции м-образного участка ВАХ .т/еныпаотся в рззультате более плавного распределения электрического шля в этом случае.

В оостоя главе рассматриваются физические основы и обосновываются преимущества щяхтических разработок, в основе которых использован эффект эксклгаии

Предложен способ определения скорости поверхностно! генерации - рекомбинации. Как следует из результатов исследования, представленных в главе з, величина СПР оказывает сильное влияние на вольт-вмтрнью характеристики полупроводника с антизапорным контактом. Использован» установленных зависимостей напряжения отсечки и дзфференциального наклона сублинейного участка ВАХ. позволяет с высокой точностью определять величину скорости поверхностное рекомбинации.

Проанализирована работа но требующего охлаждения образца способа определения параметров глубокие уровней полупроводников собственной проводимости.- эффективного времени жизни носителей, глубины залегания основного рокомбинационного уровня. величины концэнтрации кэскомтевсированноа примеси. В основу способа положена взаимосвязь характерных точек ВАХ с параметрами глубоких уровней полупроводника.

Предложен высокочувствительный способ измерения температуры и датчик для ого осущэствлвния. в своей основе использующего зависимость напряжения пробоя истощенной эксклюзива части образца от температуры. В отличие от аналогичного датчика на р - п переходе температурная чувствительность по напряжению предложенного датчика на порядок выше. V

ВЫВОДУ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Экспериментально обнаружен и исслэдован скачок концентрации носителей заряда при переходе от истооэнноа зкеклюзией области к области равновесной концентрации. Показано, что ого существование обусловлено возникновением

ярк больших отклонения* от термодилгм'/лоокыо равновесия сильного диффузионного потока носителей. направленного противололсжно дреафовому. Установлен дазпчзон токов, а котором наблюдается рзспределвниэ хонцаЕтрзциг-; носителю со скачком- Уездами® величины концовтргвми свободных носителей луге г; повьшонкя температуры или увеличением интенсивности вноинэ?. ¡подсветки сихьпопоглошаямым сзотом приводит к болеэ резкому распределению концентрации пар и к уменьшению длины мсто^нной области. Установлена зависимость величины скачка от скорости поверхностной рекомбинации на боковых гранях ...рлсталлз.

?.• Обнаружено и лсслэдовано сильное влияние величины скорости поверхностной генерации-рзкомбинэцик на боковых поверхностях образцов на форму В АХ и основныэ характеристики окскллюик пространствакное распределении .носителей, длину эксклюзии. напряжение формирования эффекта зксклюзки. напряжение ш{ЮХодэ на второй омический участок и на прямо ш® отсечки.

3. Исследовано влияние гидростатического давления на процесс эксклюзии. Эксшргаюнтально установлен в диапазоне давления 1 + 3 кйарз огпшальныг уровень несобственное™

* 5 для максимальной модуляции проводимости в условиях

зксклюзии-

4. Изучены закономерности ностационарного процесса при сильной эксклвзии. Показано, что кинетика тока описывается законом I - с-*''*, а ««стационарные волът-амгарнко характеристики I - и1'* . исследована динамика пространственно-неодаородого распределения концэнтрации-Показано. что переходной гтроцэсс га.ьет ;ава этапа. Первый этап характеризуется временен пролета носителей "стушнька" приходит в стационарное положение по продольной координате образца. Второй этап характеризуется Бременем жизни - происходит. диффузионное распшяани? "ступеньки" с если последи я я имеется в оЗрэзцэ в стационарных условиях}. Устпноалова зависимость длины якггацэнног области от времени ко ело включения кклу.льса напряжения и его амплитуд« -ель.}"* .. Показано, что скорость дамьэиия "ступэньчи" линейно увеличивается с ростом напряжения и обратно

пропорционально уменьшается с увеличением расстояния от антиззотрного контакта.

5. Установлены особенности переходных процессов в структура! с планерным знтаззпорным контактом. Обнаружено отклоненш поведения ккнеткки тока от закона i - t-""* и возникновение н-образного участке на нестационарных ВАХ. Показано, что появление особенностей переходных продасов вызвано различной скоростьо вдтяпгоания зо отгадай в неоднородно распределенном алвктричоском полв в таких структурах.

в. Г^юдложены и обоснованы преимущества нового метода определения параметров глубоких уровней а шлупроводняхах: эффективного времени жизни носятелэ». глубины залегания основного рекомбинационного уровня, величины концентрации пэскомшнсировашша примеси и метод» определения величины скорости поверхностной рекомбинации. Прэдхожэнньв методы пзрстоктивны для экспресс-анализа полупроводников ссбственной проводимости, т. к. основаны на измерении ВАК при фиксированной температуре я не трзбурт использования внешних воздействий: охлаждения, освещения я др.

7. разработан способ определения темгоратуры и датчик дхя его осудаствления. основанные на использовании явления эксклюзии-.

Содарианиа диссертации отражено в следувдих работах;

1. Зигтусввич O.A. Маюзовский D.M., Уашгенхо В.Н. Бшщдо состояния поверхности на эксклюзив носителей тока в полупроводниках. // ФТП.- 1884.- ТЛв.вш.5.- С.830-932.

2. «алютенко В.К., Ыалозовсида DiH., Шггусевич O.A. Влиянта поверхностной генерации на эксклнзию носителей тока в собственных полупроводниках- // Тезисы докладов vi it совещания "Оизиха.шаерх?остных явлений в полупроводниках-.-Киев, 1884. - -Ч.2.- С.40.

3. Шггусевич с.А. Пвдщю состояния поверхности на зксклю-зию носителей тока в полупроводниках. // Физическая злэктроника. OöopajsR.- Львов,1866.- Вып.31.- С.27-29.

4. Вахусевяч С. А. -Малозовсга^ P.U., Малхггеюш В.К. Влияние сбстопаия поверхности ва зхсялгзио носителей тоаа а

« J*

полупроводниках. //ОТП.- 1986.- Т.20,ВйП.!0.- СЛ8с1-1846.

Б. Акопян A.A., Витусевич С.А., Иаястенко В.К. Теорэтическое и экспериментальное исследование -ксктоэии в сбр'азцгх конечно« дины. Стеционарше вольт-ьшюрные характеристики.// 6ТП.- 1 Т.21.вып.10.- С.1733-1788.

в. Акошш A.A., Витусевич O.A., Малямвнкп в.К- Теоретическое и экспериментальное исследование эг.склоэии в образцах конечное дяины. Переходное процэсс пси включении поля и нестационарные вольт-амперные характеристики.// ФТП.-188В.- T.22,Bi>U.3.- С.471 - 478.

7. Акопян A.A. Витусевич С.А., Коллюх А.Г., Мадагенко В.К. Кинетика эксклюзии в iлазерных структурах на основе собственных полупроводников.// Киев, 188Э.-12с. Рукопись дап.в ВИНИТИ, N7627-B89.

8. Акопян A.A., Витусевич С.А., Машгенко В.К. Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактное эксклюзии.// ФТП.- 1890. - Т.24,вып 8.- С.1424-1426.

9. A.c. N1213510 .СССР, МКИ4 СОИ 21/66.Способ измерения скорости поверхностной генерации-рекомбинации./ Витусевич O.A. .Малютенко В.К., Налозовския D.M.

10. A.c. N1.2501СГ7 СССР, ЫКЕ4 СОИ 21/86. Способ измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках./'Витусевич С. А., Калютенко З.К,, Зюганов А.Н., Смертенко П.С.

И. A.c. Н1Б9967Б CCOF, МКИ4 G01I, 7/22. Способ измерения ■ темяэратуры и датчик для ого осуществления./ Витусевич С.А., Малотенко В.К., Мецвидь А.П., Кривич А.П.