Исследование магнитной фазовой диаграммы YBa2Cu3O7 СВЧ методом в сверхсильных магнитных полях до 500 ТЛ тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

р Г Б ОД

РОССИЙСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЯДЕРНЫЙ ЦЕНТР -ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ФИЗИКИ

КУДАСОВ Юрий Борисл.гвовнч

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНОЙ ФАЗОВОЙ ДИАГРАММЫ УВа2Сиз07 СВЧ МЕТОДОМ В СВЕРХСИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ ДО 500 ТЛ

Специальность 01.04.01 - техника физического эксперимедгга, физика приборов, автоматизация фнзическш исследований

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-иатематичесия наук

Арзамас - 16 1995

Работа выполнена в Российском Федеральном Ядерной Центре -Всероссийское научно-исследовательском институте эксп ер им ент&ты гай флэшей

Научный руководитель

Официальные оплоне1гш:

Ведущая организация:

Кандидат фиэ. - мат. наук О.М.Таценко Доктор физ. - иат. наук, профессор А.К. Звездин Кандидат физ. - мат. наук Н.В. Завьялов Физический ннештут РАН им. Лебедева, т. Москва

Защита состоится МИУ^С' 1996г. В_час. На заседании

диссертационного совета ССК. 124.02.02. РФЯЦ - ВНИИЭФ

С диссертацией можно ознакомится в библиотеке отделения 04 РФЯЦ - ВНИИЭФ.

Автореферат разослан.

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физико-математических

11Я\К

БЛ.Вороннн

з

I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теми. УВа2Спз07 принадлежит к новому классу сверхпроводников, называемых высокотемпературными (ВТСП), который был открыт в 1986 году и обладает чрезвычайно высокими критнчеозгми температурами (7с), достигающими 135 К л, возможно, даже более высоких значений. После открытия ВТСП были проведен« обширные исследования их свойств, и обнаружен ряд новых необычных свойств. Из всех БТСП соединении с критической температурой выше температуры кипения азота УВагСи^О; является наиболее и хорошо изученным Еешеством.

Большой интерес к изучению ВТСП объясняется возможностью создания на их основе СП устройств (СКВИДы, устройства михроэлектроншз!, криогенные двигатели и т.д.). в которых используется дешевый охладитель -жидкий азот. Одной из особенностей ВТСП являются высокие значения верхнего критического поля (/¡с:), которые при нлзигх температурах достигают нескольких сот Тл. Почто му исследование магнитной фазовой диаграммы ВТСП при низких температурах невозможно без применения сверхсильных магнитных полей (СМП). Измерение Пс? Бажно для термодинамического описания сверхпроводящего состояния. Зная Пс] можно определит!,, например, длину когерентности, паулевский и спин-орбитальный вклады в магнитную г.оспрщ1мчивость сверхпроводника. Зависимость Пс^Т) при низких температурах может дать ключ к пониманию микроскопического механизма сверхпроводимости. Кроме НС7 представляют интерес и фазовые переходы между различными состояниями самой сверхпроводящей фазы (например, типа вихревое стекло - гихревая решетка).

Целью настоящей работы являлось исследование магнитной фазовой диаграммы ВТСП в СМП. Для достижения этой цели перед автором были постаалены следующие задачи:

1. Создать метод вишеления комплексной проводимости тонкой пленки, напыленной на длэлыггрическоЙ подложке, по экспериментальным значениям комплексных коэффициенте г, пропускания и отражения. Провести лабораторную проверку метода.

2. Усовершенствовать измерительный узел, для того чтобы проводить измерения коэффн1П1е1ггов пропускания и отражения тонких пленок г. полях до

500 Тл при начальной температуре образца от 4,2 К до 100 К. Оптимизировать стык диэлектрических волноводов в измерительном узле для улучшения отношения полезного сигнала к фоновому. Проанализировать основные методические ошибки, возюисающне при измерении коэффициентов пропускания и отражения тонких ВТСП пленок в СМП.

3. Измерить комплексные коэффициенты пропускания и отражения тонкой пленки таа2Сиз07 б СМП для ориентации кристаллографической оси с пленки перпендикулярно направлению магнитнэго поля при различных температурах. Вычислить комплекс! гую проводимость пленкн по измеренным коэффициентам пропускания и отражения. Построить качественный вид зависимости Ыс/Т).

4. Построить модель, адекватно описывающую результаты проведенных экспериментов л согласующуюся с предшествующими работами. Определить точки фазоЕЫх переходов и построить магнитную фазоБую диаграмму УВазСизОу в СМП.

Научная новизна работы определяется, прежде всего, уникальным характером проведенных экспериментов и полученных результатов:

1. Впервые измерены комплексные коэффициенты пропускания и отражения тонких пленок УВа20^07 и вычислена их комплексная проводимость в полях до 500 Тл в температурном диапазоне от 4 К до Тс.

1. Впервые выполнены прямые измерения верхнего критическою поля пленок УВагСи^О? по их комплексной проводимости для ориентации кристачлографической оси с пленки перпендикулярно направленшо магнитного поля в СМП при низких температурах. Установлен качественный вид зависимости На от температуры дтя этой ориентации.

3. Впервые исследована фазовая диаграмма УВа^СизОу для ориеюации кристаллографической оси с плегеси перпендикулярно направленшо магнитного поля б СМП при 1изких температурах.

Практическая и научная значимость работы

1. Предложенный и апробировадшый в работе метод вычисле:ння комплексное! проводимости пленок по коэффициентом пропускания и отражения может быть использован для исследования СП и нормальных металлов, а также полупроводниковых и магнитных материалов в СМП.

2. Усовершенствованный измерительный узел позволяет выполнять измерения коэффициентов пропускания и отражения тонких пленок одновременно с измерением магнитного поля в полях до 500 Тл. При этом возможно охлаждение пленок ларами и жидким гелием до температур от 4,2 К до 100 К.

3. Проведешсые измерения позволяют установить качественный вид зависимости верхнего крипгческого поля от температуры для YBaiCujOj во всем диапазоне температур. В области низких температур полученная зависимость является единственным прямым измерением верхнего критического поля для ориентации оси с перпендикулярно магнитному полю.

4. Проведенный анализ раскрывает причины расхождений между различными методами измерений Hqi, в частности, почему определение Вез по гистерезису в импульсном магнитном поле является некорректным.

5. Определена граница фазового перехода вихревое стекло - вихревая решетка при низких температурах (-Í0 Тл при 5 К), которая согласуется с результатами работы. При этом переходе начинается резкое уменьшение критического тока ВТСП, что необходимо учитывать при разработке перспективных магнитных систем на основе ВТСП.

6. Полученные фундаментальные характеристики ВТСП мог/г быть использованы при проектировании устройств сильноточной электроники, а также других изделий на основе BTCII.

Апробация.

Различные аспекты затронутых г. диссертации вопросов обсуждались на семинарах во ВНИИЭФ, ИПФ АН (г. Нижний Новгород), ФИАН (г. Москва), ЛАНЛ (Лос-Аламос, США) и Национальной Лаборатории Сильных Магнитных Полей (г. Таллахасси, США). Результаты данной работы докладывались на 4 международных конференциях; по теме диссертации опубликовано 22 статьи, 3 отчета ВНИИЭФ, 2 препринта и отчет ЛАНЛ.

Структура и обхем диссертации.

Содержание диссертации изложено со введении, 4 главах и заключении. Диссертация содержит 10S стр., 44 рисунка. Использовано 117 литературных источника.

II. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во квело ми обоснована актуальность диссертационно]! работы. Сформулированы цели исследования. Кратко изложено основное содержание диссертации по главам.

Первая глава является кратким обзором свойств сверхпроводников 2-ого рода и, в частности, ВТСП в сильных магнитных полях. Сравниваются различные модели высокочастотных свойств ЕТСП: модель одиночного вихря, .модель птервнхря, модель Портиса и модель Коффе-Клемма.

Анализируются методы л результаты предшествующих исследований УВа:С1]:,0;.х е СМП. Во ВНИИЭФ исследования выполнялись разлнчньтъш метода>.ш на полукристаллических массивных образцах и тонких пленках состава УВагСи^О;.!. На цилиндрических поликристаллических образцах проводились измерения магнитного момента. Было обнаружено существование ¿"-образных особенностей на второй производной магнитного момента по Бремени. Магнитное поле, в котором происходило исчезновение этих особенностей, интерпретировалось как //сг= 1&(Ь36Тл при стартовой температуре образца 4,2 К. Исследования проводимости поликристалгшческих тонких дисков проводились на высокой частоте (20 МГц) бесконтактной высокочастотной иццукцшч-шай методикой. При начальной температуре 4,2 К Не-2 оценивалось как 164±2б Тл. Для исследования проводимости тонких ориентированных пленок использовалась СВЧ методика. Зондирующее излучение подводилось к пленке, напыленной на диэлектрической подлмске, при помощи диэлектрических волноводов. Еа определялось как поле, при котором сигнал пропускания (отражения) выходил на плато. При ориентации кристаллографической оси е перпендикулярно магнитному полю оценивалось как 110±15 Тл. Заметим, что в этой работе использовались образцы 1шзкого качества: с невысогалш значенияьш Тси большой шириной перехода.

В Токийском университете были выполнены исследования магнитного гистерезиса в монокристаллах УЬаг&ьОу.*. Хотя лиши необратимости, определяемая в таких экспериментах, не соответствует 'Кс2> в этой работе приводились аргументы г. пользу того, что линию необратимости можно отождествить с На в случае, если скорость нарастания магнитного поля больше, чем скорость диффузии магнитного поля в ВТСП. При ориентации

j.-piiсталлограф!тоской оси с перпендикулярно магнитноьгу полю при 30 К было получено ИС2 около 110 Тл.

Б ЛАНЛ лроБод]ип1сь конгашные измерения проводимости на тонких ориентированных пленках, напыленных в виде тонких (60x0,1 мкм) длинных полосок (типа меандр) уже при температуре на 10 К ниж* критической было получено значение ПС2 около 110 Тл.

Было показано, что предшествующие результаты сильно расходятся, а иногда просто противоречат друг другу.

Во второй главе описана использованная экспериментальная техника. В данной работе использовались два чипа взрывомагнитных генераторов СМП. Исследования в полях до 500 Тл проводились в магнитокумулятивном генераторе МК-1, разработанным во ВНИИЭФ под руководством А.И.Павловского. В настоящее время этот генератор выпускается межой серией во ВНИИЭФ. Он обеспечивает хорошую воспроизводимость магнитных полей до 1000 Тл. Эксперимент в маиштном поле до 150 Тл был выполнен в двухступенчатом генераторе, разработанном в ЛАНЛ, где он выпускается тоже мелкосерийно. Магнитное поле измерялось магнитооптическим (фарадеевским) и двумя индуюдаотгными датчиками. То'шость измерения магнитного поля составляла 3

Измерительный узел схематически изображен на рис. 1. Он является усовершенствованным вариантом измерительного узла, который уже использовался в СМП до 150 Тл. Внесенные в конструкцию криостата изменения позволяют: (а) выполнять измерение пропускания и отражения исследуемого образца в 4-мм диапазоне одновременно с измерением магнитного поля до 500 Тл, (б) надежно контролировать температуру образца перед подрывом, в том числе и при охлаждении пэрами гелия, (в) улучшить обтекание образца парами или жидким гелием, (г) улучшить отношение полезного сигнала к паразитному.

2 6 1 Л Л.

Рис. 1. Усовершенствованный измерительный узел. 1 - подложка с пленкой, 2 - диэлектрический волновод, 3 - датшки температуры, 4 - гелиевый канал, 5 - индукционные датшки, б - фарадеевскии магнитооптический датчик.

Измерительный узел представляет собой разъемный пенопластовый проточный криостат, состоящий из двух частей. В нем проделаны каналы для протока гелия и введения диэлектрических волноводов. В ней также проделаны сквозные отверстия для фарадеевских датчиков и глухое отверстие для индукционного датчика. Расположение датчиков магнитного поля выбиралось таким образом, чтобы их разрушение оболочкой генератора МК-1, сживающей поток, происходило как можно позже (не ранее того момента, когда магнитное поле достигнет 500Тл). Для экспериментальной проверки разрушения датчиков магнитного поля был выполнен отдельный эксперимеш с генератором МК-1.

Термоциоды, с помощью которых проводился контроль температуры, размешались на "холодных" стенках гелиевого канала до и после измеряемого образца.

Оптимизация стыка волноводов проводилась для улучшения отношения полезного сигнала к фоновому по двум параметрам: углу заточки волновода и расстоянию между волноводами.

СВЧ интерферометр, использовавшийся в опытах в СМП имел зондирующую частоту 94 ГГц. Пленки УВа1С1ь07.х были напылена магнетронным способом на подложки А^Оз размером 3,4x3,4/0,5 мм" с подслоем оксида церия. Критическая температура была не ниже 86 К, а ширина перехода не более 4 К.

В проведенных нами исследованиях есть два основных типа методических погрешностей, которые могут оказать сильное влияние на результаты. Во-первых, в ситу условий наших невозможно было проследить изменение температуры пленки во время импульса магнитного поля. Во-вторых, подлетающая к оси генератора МК-1 оболочка могла оказать влияние на распространение зондирующего излучения по диэлеприческим волноводам.

Расчет разогрева в магнитном поле для импульса генератора МК-1 выполнялся с учетом теплопередачи из пленки в подложку. Было показано, что при начальной температуре птенки 5 К в поле 300 Тл оценка максимальной температуры составляет 10,5 К.

В отдельном эксперименте было показано, что оболочка генератора МК-1 не влияет на С.ВЧ диагностику, по крайней мере, до 600 Тл.

В третьей главе теоретически обоснован метод определения комплексной проводимости плени) по коэффициентам пропускания и отражения. Прохождение плоской электромагнитной волны через систему пленка-подложка анализируется при помощи метода пересчета тшедансов. Получены формулы для коэффициентов пропускания I! отражения. Паразитная связь между еол} го водами и паразитное отражение учитывается введением постоянных коэффициентов. Показано, что на конце волновода формируется плоская электромагнитная волна. Калибровка производилась при медленном охлаждении перед импульсом магнитного поля по известной температурной зависимости проводимости плензги от 100 К до 300 К.

Экспериментальная проверка работоспособности метода проводилась по температурной зависимости пленки ниже критической температуры. По начальному наклону мнимой части проводимости вблизи Тс в рамках двухазадкостнои модели вычислена лондоновская глубина проникновения, которая составила 5000 А. Эта величина совпадает с результатами измерения

независимой методикой в СВЧ области.

В четвертой главе приведены результаты опытов в СМП, а также их обсуждение. Величина мнимой части проводимости в опыте вблизи Тс (Т=Тс~5 К) была мата. Это указывает на преимущественно вязкое движение Еихрей под действием зондирующего излучения. В поле около 15 Тл мнимая часть проводимости исчезала полностью. Это жггерпретируется в модели

Портиса как переход вихрей к полностью депиншшгованному режиму движения. Такой переход при вблизи Тс неоднократно наблюдался в ВТСП в СВЧ диапазоне, и его обычно связывают с плавлением вихревой решетки. В случае вязкого движения иирей в сверхпроводнике выход вещественной части проводимости на плато можно интерпретировать как достижение верхнего критического поля Нс2 (Тс-5Л7=45±10 Тл. Это значение совпадает в пределах

экспериментальной погрешности с известными результатами измеретш в

статических и импульсных магнитных полях.

При низких температурах (см. рис. 2) в слабых полях в проводимости пленки доминировала мнимая часть. В поле примерно 75 Тл (точка А на графике рис. 2) началось быстрое увеличение вещественной части проводимости и уменьшение мнимой части. Это можно представ]гть как вращение комплексного вектора а/, как показано на рис. 3. Это вращение наблюдается до поля примерно 210Тл (точка В). С точки зрения модели одиночного вихря невозможно объяснить возрастание вещественной части проводимости одновременно с увеличением магнитного поля (о«Я"1). В рамках модели Портиса вращение вектора комплексной проводимости можно

А

С

Рис. 3. Вращение вектора проводимости на комплексной плоскости. Буквенные обозначения соответствуют рис. 2.

объяснить следующим образом. Проводимость ВТСП пленки может быть представлена согласно формуле как

о-1 Л/—£_Г Л I'1, (1)

где и Сг - вещественные константы, причем С^Сч, ДТ) - доля свободных вихрей. Таким образом, считая долю свободных вихрей не только функцией температуры, а и магнитного поля можно объяснить поведение проводимости между точками ' А и В резким увеличением доли свободных вихрей.

Хотя выше 210 Тл остается небольшая часть запиннингованных вихрей (в проводимости имеется мнимая часть), образец находится преимущественно в режиме бязкого движения потока. Исчезновению мнимой части проводимости и выходу вещественной части проводимости на плато (точка С) соответствует #£2(8±3 К)=340±40Тл.

Аналогичный переход наблюдался при начальной температуре 30 К. Точке А также соответствует поле примерно 75 Тл, но в данном случае начало изменения вещественной части проводимости было размыто. Начатая с поля примерно 210 Тл в вещественной части проводимости возник шумовой сигнал, природа которого неясна. Предполагая, что это квантовые осцилляции (типа эффектов де Гааза - ван Альфена, Шубникова - де Гааза и т.д.), был

перестроен в единицах обратного магнитного поля У Л' а затем было

выполнено преобразование Фурье. Отчетливых отдельных пиков, сильно превосходящих уровень фонового шума, на этом графике не наблюдается, поэтому, вероятнее всего, этот шум не связан с квантовыми осцилляцпями. Друтой возможной причиной шума может быть возникновение неустойчиЕостей при движении магнитного потока в ВТСП. Верхнее критическое поле определялось по исчезновению мнимой части проводимости; оно составило П^2О0±1 К) =290x40 Тл.

Магнитное поле (Тл)

Рис. 2. Вещественная и мнимая части проводимости пленки ВТСП в опыте с начальной температурой 5 К. 1 - вычисленная по сигналам пропускания, 2 - по сигналам отражения. Буквенные обозначения см. текст.

g

t=i О

и

« 200

о

К

н

К

И

t-,

£

' i ; i i i Ii i i | i i И I ! I i I | I i I l II I l I | I i I i I I I I I | I 1^1 I I I I I |

0

100

20 40 60 80

Температура (К)

Рис. 4. Фазовая магнитная диаграмма УВагСизО; с ориентацией кристаллографической оси с перпендикулярно магнитном;.' полю. Темные кружки - Н^2' полученное в данной работе, светлый кру;кок - Н^ по резистивным измерениям на пленке, сплошная прямая линия - начальный наклон кривой IIТ) вблизи Тс по статическим измерениям на монокристаллах, линия 1 подгонка всех этих результатов к зависимости

Я,

С 2

1-

21

,темный квадрат - начало подъема зетцеетЕеннон части

проводимости (точка А на рис. 2), переход к режиму вязкого движения вихрей (точка В рис.2), линия 2 - исчезновение гистерезиса. На вставке зависимость (Ъ, полученная из резистивних измерений на пленках YBa^CujOj.

В слабых магнитных полях и низких температурах ВТСП находится в режиме вихревого стекла. Наиболее вероятной причиной сильного увеличения доли свободных вихрей в низкотемпературных опытах мы считаем переход от режима с большой плотностью це1пров пиншшга (Еихревое стекло) к режиму с малой плотностью центров пиншшга (вихревая решетка с дефектами) по мере нарастания магнитного поля (и плотности вихрей).

С другой стороны, известно, что переход к резмму с малой плотностью центров пиннинга приводит к уменьшению эффективности пиншшга на постоянном токе и, следовательно, к снижению критического тока. Таким образом, исчезновение гистерезиса в монокристаллах УВа2С\1з07.х нужно интерпретировать как следствие того же перехода к режиму с малой плотностью це1пров пнюинга, а не как переход в нормальное состояние.

При сравпешш полученных ".пи.-- результатов с предшествующими измерениями верхнего критического поля привлекает внимание уменьшение анизотрошш верхнего критического поля при низких температурах. Так, вблизи

Тс отношение ^С7 (Т) составляет, согласно измерениям исчезновения

нУт)

диамагнетизма, 5,53. С др-.той стороны, отношение ^с: (0) > полученное из

Я«2(0)

сравпешш критических полей данной работы и по данным резистивной, методики получением ранее, оказывается равным всего 2,43.

Это связано с тем, что при температуре примерно £0 К в УВ атСльС) 7 происходит переход от режима трехмерной (30) сверхпроводимости к квазидг>умерному (2Б) режиму. В модели эффективной массы (ЗЦ) выполняется соотношение

Нс7(Т) _ (2)

Н12{Т) $

и анизотропия верхнего критического поля оказывается независящей от температуры. При переходе к 20 режиму отношение критических полей для различных ориентации магнитною поля определяется следующие заражением

Н^(Т) 2УЗ>^(0) » <3>

НЬ(Т) ( т \1-тс)

1А

(

где мн, как ооычно, предположили, что ^к _ \ . Анизотропия верхнего

критического поля теперь стала фуюохией температуры. Из (40) видно, что в 2Т> режиме анизотропия верхнего гриппеского поля уменьшается по мере

уменьшения температуры. При О К имеем ^сг (0) _ (0) > т е полученное

0)" й

выше экспериментальное отношение критических полей приводит к значению

^(О^З^А (¿/=11,7 А). Эта величина согласуется с известными оценками

длины когерентности.

В Заключении формулируются основные результаты и выводы диссертации, которые состоят в следующем.

1. Теоретическое обоснование и экспериментальная апробация метода определения комплексной проводимости тонкой проводящей пленки, напыленной на диэлектрической подложке, по коэффициеютм пропускания и отражения.

Метод определения комплексной проводимости тонкой пленки по коэффициентам пропускания и отражения может в дальнейшем использоваться для исследования проводимости нормальных и сверхпроводящих металлов в СМП.

2. Усовершенствованный измерительный узел, позволяющий проводить измерения коэффициентов пропускания и отражения тони« проводящих пленок, напыленных на диэлектрических подложках, в миллиметровом диапазоне волн в СМП до 500 Тл. Начальная температура пленки (до включения магнитного поля) может быть задана в диапазоне от 5 К до 300 К.

Улучшено крепление измеряемого образца меа;ду волноводами и обдув его парами гелия. Исследованы режимы охлаждения образца. Найдена геометрия стыка диэлектрических волноводов, позволяющая улучшить

отношение полезного сигнала к паразитному. Показано, что движущаяся оболочка генератора МК-1 не влияет на СВЧ диагностику 4-мм диапазона до полей порядка 600 Тл. Проверена работоспособность датчиков магнитного поля до 550 Тл.

Усовершенствованный измерительный узел позволяет в дальнейшем выполнять измерения комплексных коэффициентов пропускания и отражения тонких проводящих пленок на миллиметровых волнах в СМП до 500 Тл. При этом возможно охлаждение образца как потоком жидкого гелия, так и его парами.

3. Впервые измерены комплексные коэффициенты пропускания и отражения тонкой пленки YBajCujOj с ориентацией кристаллографической оси с перпендикулярно магнитному полю до 500 Тл при разшгашх температурах. Вычислена комплексная проводимость пленки. Показано, что независимые вычисления проводимости по отражению и пропусканию качественно (а в некоторых случаях и количественно) согласуются между собой.

4. Выделены три различные фазовые области YBajCujO; при низкой температуре в СМП: вихревое стекло, переходная область вихрево; стекло -вихревая решетка и вихревая решетка с малой концентрацией центров пиннинга. Построена качественная зависимость II¿2 01 температуры. Показано, что полученные результаты качественно согласуются с моделью, предполагающей существование двух сортов вихрен (запиннингованных и свободных). Показано, что уменьшение анизотропии Hei при низких температурах связано с переходом к квазидвумерному режиму СП. Из

анизотропии критических полей при низкой температуре получена оценка

•

длины когерентности в кристаллографической плоскости ab: |±(0)«<S,5 А.

Построен качественный вид зависимости удельного сопротивления пленки ВТСП в нормальном состоянии при температурах, ниже критической.

Положешм. выдвигаемые к защите:

1. Метод определения комплексной проводимости тонкой проводящей пленки, напыленной на диэлектрической подложке, по коэффициентам пропускания и отражения, полученным в измерительном узле.

1. Конструкция усовершенствованного измерительного узла, позволяющего выполнять измерение коэффициентов пропускания и отражения тонких проводящих пленок в 4-мм диапазоне длин волн в магнитном поле до 500 Тл при темперзтурах от 4,2 К до 100 К.

3. Результаты измерения комплексных коэффициешов пропускатшя и отражения, а также оцененную из этих коэффициентов комплексную проводимость тонкой пленки YBajCujCb с ориентацией кристаллографической оси с перпендикулярно магнитному полю до 500 Тл при различных температурах.

4. Модель, описывающая магнитную фазовую диаграмму YBajCuiO,- в сверхсильных магнитных полях. Интерпретация перехода от режима гшншгнга к режиму вязкому течению потока при низкой температуре. Интерпретация уменьшения анизотропии Ееj при низких температурах и оценка длины когерентности вдоль кристаллографической оси с.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В РАБОТАХ:

1. AJ.Basovich, S.V.Gaponov, E.B.Kluenkov, N.P.Kolokolcliikov, Yu.B.Kudasov et al..Measurement of upper critical field and magnetic field dependence of the microwave resistance of YBaCuO thin film// Phys. Lett. A.- 1992,- V.163.-P.322-325

2 A.I.Golovashlin, O.M.Ivanenko, Yu.B.Kudasov et al., Low temperature measurement of Hq in HTSC using megagauss magnetic fields// Phyrica C.- 1991.- V.1S5-1S9.- P.1S59-1S60

3 A.I.Golcvashkin, O.M.Ivanenko, Yu.B.Kudasov et al., Low temperature measurement of Hq in. HTSC using megagauss magnetic fields// Phy sic a B.-1992,- V. 177.- P. 105-108

4. Yu.B.Kudasov. A.I.Pavlovskiy V.V.Platonov, et al., Investigation of High-Temperature Superconductors in Pulsed Ultraliigli Magnetic Fields//Sixth International Conference on Megagauss Magnetic Field Generation and Related Topics, November S-11,1992, Albuquerque, USA (PA f'A in boot of abstracts)

5. А. И. Быков, Л.Р.Висер, Дж.Д.Гслти и др. (Ю.Б.Кудасов). Комплексная проводимость п фазовая диаграмма YBajCujC^ в магнитных полях до 500 Тл// Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника.-1995,- Т.8.-No.l.-C.37-46.

6. A-I.Bykov, M.I.Dolotenko, С.М.Fowler et al. (Yn.R.Kudasov). Complex microwave conductivity of YBajCu^Oj in magnetic field up to 500 T// Proceedings of the 4th International Symposium on Research in High Magnetic Field., ed. A.AJ.Perenboom- 1995.- Elsevier Science B.V.- P.248

7. A.I.Bytov, M.I.Dolotenko, C.M.Fowler et al. (Yu.B.Kudasov). Complex microwave conductivity of УВа2Сиз07 in magnetic field up to 500 T// M2S-HTSC IV Fourth International Conference on Materials and Mechanisms of High Temperature Superconductors.- 1994.- Grenoble, France

8. AT.Byiov, M.I.Dolotenko, C.M.Fowler et al. (Yu.B.Kudasov). Complex microwave conductivity of YBanCu^O; in magnetic field up to 500 T// Physica В.- 1995,- Vol.211.- P.24S-250