Исследование механизма взаимодействия плазмы тлеющего разряда с политетрафторэтиленом. Изучение свойств плазмомодифицированных материалов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.17 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ЯВЛЕНИЯ НА ГРАНИЦЕ ПЛАЗМЫ НЕРАВНОВЕСНОГО ГАЗОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

1.1. Функции распределения электронов по энергиям

1.2. Потоки тяжелых частиц на поверхность образца

1.3. Воздействие светового излучения плазмы на полимеры.

1.4. Особенности плазменной обработки полимеров

1.5. Методы исследования поверхностей твердых тел, подвергшихся плазменной обработке

1.6. Травление поверхности полимеров под действием плазмы тлеющего разряда

1.7. Плазмохимическое получение органических пленок

1.8. Ре з ю м е

ГЛАВА П. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ.

ПЛ. Исследование действия разряда постоянного тока (РПТ) на политетрафторэтилен (1ШЭ)

П.1.1. Приготовление образцов.

П.1.2. Описание экспериментальных установок

П.1.3. Методика зондовых измерений.

П.2. Измерение спектров излучения плазмы.

П.З. ЭПР - спектроскопия.

П.4. ИК - спектроскопия.

П.5. Оптическая и электронная микроскопия

ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕЙСТВИЯ РАЗРЯДОВ ПОСТОЯННОГО ТОКА В РАЗЛИЧНЫХ ПЛАЗМ00БРАЗУЩИХ ГАЗАХ НА ГШЭ. СРАВНЕНИЕ ВУФ-Ф0Т0ЛИЗА ПТФЭ И ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

Ш.1. Экспериментаяьное исследование характеристик

ВУФ излучения РПТ и выбор разрядных условий 57 Ш.1Л. Идентификация спектров излучения РПТ в диапазоне ВУФ

Ш.1.2. Актинометрия потоков ВУЗ? излучения.

Ш.1.3. Исследование особенностей РПТ, возбуждаемых в различных плазмообразующих газах.

Ш.2. Идентификация радикалов, образующихся в ПТФЭ под действием РПТ и ВУФ-излучения

Ш.З. Кинетические зависимости накопления радикалов при плазменной обработке ГГШЭ

Ш.4. Накопление радикалов в ШФЭ под действием ВУФ излучения.

Ш.5. Особенности деструкции ПТФЭ и травления поверхности образца в условиях ВУФ-фотолиза и плазменной обработки

III.6. Исследование механизма травления ПТФЭ в плазме азота. Роль заряженных частиц.

Ш.7. Исследование образования стабильных продуктов.

Механизмы плазмохимических превращений в ПТФЭ

ГЛАВА 1У.ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И СТРУКТУРА ПЛАЗМО-МОДИФИЦИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ПОЛИМЕРОВ И ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ.

IV.1. Микрорельеф плазмообработанной поверхности

1У.2. Исследование поверхностей плазмомодифицированных резинотехнических изделий (РТИ).,. 116 1У.З. Электронномикроскопические исследования поверхности нанесенных катализаторов, содержащих комплексы никеля и кобальта на плаз-момодифицированной полиэтиленовой подложке

Большой объем исследований, выполненных за поеледайе 25 лет, показал, что в настоящее время плазмохимия рассматривается, как одно из наиболее перспективных средств современной технологии. Круг задач, решаемых с применением неравновесной плазмы газового разряда, необычайно широк сейчас и, несомненно, будет развиваться в дальнейшем. Наибольшее применение в технике находят гетерогенные процессы, позволяющие модифицировать поверхность твердого тела, т.е. изменять физико-химические характеристики приповерхностного слоя при неизменных объемных свойствах. Именно эта возможность поверхностной обработки является отличительной чертой плаз-мохимической технологии и в большинстве случаев не может быть реализована другими методами.

Характер превращений в поверхностном слое определяется многими факторами, среди которых природа плазмообразущего газа, параметры газового разряда (мощность, рессеиваемая в разряде, давление и геометрические размеры реактора) и свойства материала твердого тела являются основными и, в свою очередь, определяют область использования плазмохимического процесса.

В настоящее время большое распространение получили процессы плазменного травления, широко используемые в производстве микроэлектронных приборов [1-5]. В этом случае травлению подвергаются поверхности различных материалов - металлов,полупроводников, а также диэлектриков, включая органические диэлектрики. Травление проводится как в плазме разрядов в газах, вступающих в химическую реакцию с материалом образца (обычно кислород и галогенсодер-жащие газы), так и в химически инертных газах. В большинстве случаев в этих целях используются ВЧ разряды, возбуждаемые при давлениях сотни Па.

Традиционным процессом плазмохимии является получение органических пленок на твердых подложках, помещенных в плазму L~6-Il]. Осаждение пленок на металлы, полупроводники, неорганические диэлектрики и полимеры производится в газовом разряде, возбуждаемом в полимеризуемых плазмообразующих газах при давлениях обычно менее 100 Па. Энерговклад в такие разряды существенно ниже, чем при травлении и составляет порядка милливатт в расчете на I см^ реактора.

Поверхностное модифицирование материалов также достигается обработкой в плазме электрических разрядов, не образующих органических пленок. Такая обработка неорганических материалов часто используется в целях очистки поверхности образца перед дальнейшей обработкой [г], так как в первую очередь воздействию плазмы подвергаются сорбированные молекулы и загрязнения. Однако, в ряде случаев этот процесс имеет самостоятельное значение. Например, окисление или восстановление поверхности металла, карбиди-рование или азотирование [12], создание активных центров оксидирование Гз J.

Особое значение имеет плазменная обработка в неполимеризуе-мых газах поверхностей твердых полимеров. В контакте с плазмой газового разряда под действием химически активных компонент плазмы могут происходить изменения в поверхностном слое полимера, которые, в известной мере, аналогичны радиационно-химическим процессам

151- образование радикалов, деструкция, сшивание, образование карбонильных и карбоксильных групп [к]. В результате такого воздействия существенно изменяются контактные характеристики изделий, например, улучшается адгезия полимеров к клеям и покрытиям fl7-2l], изменяется параметр смачиваемости [17,19,22], снижается коэффициент трения [23] и др.

Настоящая работа выполнена в соответствии с планом исследований, проводимых в Отделении ИХЗ? АН СССР, по модифицированию поверхности полимеров с использованием плазмы тлеющего разряда, включая процессы: плазмоинициированной прививки [24J, создания нового класса материалов - полимеров, содержащих функциональный покров и используемых в качестве основы для нанесенных катализаторов [25], получения африкционных покрытий на резинотехнических изделиях как плазмоосажденных, так и путем нанесения тефлоновых пленок на изделия при плазменном активировании процессов [26]. Спецификой этих задач определен крут плазмохимических вопросов, рассмотренных в работе.

Целью настоящей работы является установление механизма взаимодействия плазмы тлеющего разряда низкого давления с политетрафторэтиленом (ПТФЭ): определение основных продуктов, образующихся в 1Ш>Э под действием плазмы, их распределение по глубине, установление роли отдельных компонент плазмы в образовании продуктов в твердом полимере, в особенности роли излучения плазмы в области вакуумного ультрафиолета (ВУЗ?); определение поверхностных свойств отдельных материалов и изделий, подвергнутых направленного плазмохимическому модифицированию.

ВЫВОДЫ

1. Разработаны и созданы лабораторные установки для проведения исследований механизма и кинетики превращений в ПТФЭ, подвергнутом действию плазмы тлеющего разряда низкого давления и ВУФ фотолизу, разработаны экспериментальные методики снятия зондовых характеристик разряда, измерения интенсивности и спектра ВУФ излучения плазмы, масс-спектрального анализа состава плазмообразующего газа и летучих продуктов деструкции поверхности полимера, определения концентрации свободных радикалов и стабильных продуктов в поверхностных слоях образцов.

2. Показано, что основными продуктами, образующимися в поверхностном слое ПТФЭ являются фторалкильные и концевые свободные радикалы, а также стабильные соединения, содержащие виниленовые двойные связи и карбонильные группы.

3. Установлено, что при плазменной обработке ПТФЭ разрядами в COg, азоте и воздухе образование радикалов определяется ВУФ излучением в диапазоне 140*155 нм, где 155 нм соответствует верхней границе интенсивного поглощения света для ПТФЭ, а 140 нм l интенсивного излучения возбужденных молекул СО тавляет 0,6 мкм.

4. Предложена феноменологическая модель процесса накопления радикалов под действием разряда постоянного тока, в которой образование радикалов объясняется действием ВУФ излучения плазмы, а гибель - травлением поверхностного слоя образца. Данная модель дает также удовлетворительное количественное описание кинетических зависимостей изучаемых процессов при действии тлеющих разрядов дру

Толщина слоя, в котором образуются радикалы, сос гих типов и ВУФ фотолизе.

5. Исследованы кинетика и механизм фотолиза ПТФЭ светом резонансных ламп 147 и 123,6 нм. Измерены квантовые выходы образования радикалов J47Hm = (3+1).10"^ и 4^123 6нм=^—'^

6. Показано, что плазменное травление ПТФЭ в условиях тлеющего разряда обусловлено, главным образом, потоком заряженных частиц на поверхность полимера, а не действием светового излучения плазмы.

7. Определена доля электрической мощности разряда, которая затрачивается на образование радикалов в поверхностномслое ПТФЭ. В зависимости от рода плазмообразующего газа она составляет в условиях эксперимента 0,5-1,5%. Максимальное значение этого параметра получено для разряда в COg.

8. С использованием оптической отражательной и электронной просвечивающей микроскопии изучена топография поверхности некоторых плазмомодифицированных резин, используемых в узлах трения, с нанесенным на них в процессе плазмохимического модифицирования слоем тефлоноподобного полимера.

9. Методом электронной микроскопии исследована структура поверхностных слоев материалов, полученных плазмоинициированной прививкой ряда мономеров на полиэтилен. Показано, что привитый слой содержит ориентированные монокристаллические структуры, толщина которых не превышает 1-3 нм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным результатом настоящей работы является количественный анализ процессов, происходящих на границе плазмы разряда постоянного тока с полимером (ПТФЭ). Методический подход, использованный в работе, заключался в контроле возможно большего числа параметров Газового разряда, а также в выборе таких разрядных условий, при которых изменялись характеристики одной из активнодей-ствующих компонент плазмы (в данной работе, в основном, ВУЗ? излучение плазмы и потока заряженных частиц), а параметры остальных либо оставались неизменными, либо могли быть измерены. Такой подход, на наш взгляд, оказался достаточно продуктивным и позволил в данном конкретном гетерогенном плазмохимическом процессе вцде-лить главный канал взаимодействия - установить роль ВУФ излучения плазмы в процессе образования радикалов. Естественно, что результаты данной работы являются специфичными для деструктиругощего полимера и в сшивающихся полимерах основным каналом может являться другой процесс (молекулярный отрыв водорода, образование двойных связей, поперечных сшивок и т.д.).

На основании полученных данных предложена феноменологическая модель процесса, рассматривающая образование фторалкильных радикалов под действием ВУФ излучения плазмы и их гибель в процессе плазменного травления поверхности полимера. Как было установлено, данная модель удовлетворительно объясняет явления как в разрядах других типов (ВЧ - разряд, низкочастотный разряд), так и в процессах ВУФ фотолиза резонансными лампами (147 и 123,6 нм).

1. Coburn J.W., Winters H.F. J.Vac.Sci.and Technol.,1979,v.16,p.391

2. Данилин B.C., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур, М. Советское радио, 1979.

3. Bell А.Т., in Techniques and Application of Plasma Chemistry,ed. Hollahan J.R.,Bell A.T.,Willey-Interscience,New York,1974,p.1

4. Hudis M., in Techniques and Application of Plasma Chemistry

5. Coopes L.H.,Gitins K.J. J.Macromol.Sci.,Chem.,1982,v.A17(2),Np.217

6. Иванов Ю.А. в кн. Синтез в низкотемпературной плазме, п/р Л.С.Полака, М., Наука, 1980, с.24.

7. Millard М.,in Techniques and Applications of Plasma Chemistry,ed, Hollahan J.R.,Bell A.T.,Wiley-Interscience,New York,1974,p.177

8. Yasuda H. . J.Polym.Sci.,Macromol.Rev.,1981, v.16, p.199

9. Колотыркин B.M., Гильман А.Б., Цапук А.К. Успехи химии, 1967, т.З, вып.8, с.1380.

10. Ю.Полак Л.С., Овсянников А.А., Словецкий А.И., Вурзель Ф.Б.,

11. Теоретическая и прикладная плазмохимия, М., Наука, 1975, с.304.

12. Suhr Н. Plasma Chem.and Plasma Process,1983,v.3, N 1, p.1

13. Крапивина С.А., Плазмохимические технологические процессы, Ленинград, Химия, 1981, с.247.

14. Veprec S. Chimia,1980, v.34, N 12, p.489.

15. Veprec S. Pure and Appl.Chem.,1982, v.54, N 6, p.1157.

16. Von Stiller W.,Priedrich J.2.fur Chemie,19Q1, v.21, N 3,p.91

17. Polymer Surfaces ed.D.T.Clark,W.J.Feast, Wiley,New York,1978,4411

18. Багиров M.A., Малин В.П., Абосов С.А. Воздействие электрических разрядов на полимерные диэлектрики, Баку, ЭЛМ, 1975.

19. Tezuka М. Chem.Ind.Japan,1981, v.32, N9, p.938

20. Ouellette R.P.,Barbier M.,Cheremisinoff P.N. Electrotechnology v.5, Low-temperature plasma technology application,Ann Arbor, Munch., 1980

21. Рефераты УП семинара по клеям и отделочным материалам,Мюнхен, 1983, № 1-2, р.6.

22. Kammer H.W. Acta polym.,1983, v.34, N 2, p. 112

23. Иванов С.И., ХВЭ, 1983, т.17, № 3, с.253.

24. Arnold С.,Bieg K.W.,Cuthrell R.E.,Nelson Q.C. J.Appl.Polym.Sci. 1982, v.27, N 3, p.821

25. Пономарев A.H., Крицкая Д.А., ВМС, сер.Б., 1981, т.23, № 10, с.786.

26. Крицкая Д.А., Помогайло А.Д., Пономарев А.Н., Дьячковский Ф.С., ВМС, сер.А., 1979, т.21, №5, с.1107.

27. Духовской Е.А., Оськин B.C., Пономарев А.Н., Семенов А.В., Силин А.А., Соколовский А.А., Тальрозе B.JI., Тихомиров Л.А., Хомяков А.В. Авт.свидетельство СССР № 518039 по заявке2109272 от 28.02.75 г.

28. Духовской А.Е., Клейман A.M., Пономарев А.Н., Силин А.А., Степанов Б.М., Тальрозе В.Л., Тихомиров Л.А., Хомяков А.В., Авторское свидетельство СССР № 642950 по заявке № 2521504 от 22.08.77 г.

29. Грановский В.Л., Электрический ток в газе. Установившийся ток, М., Наука, 1971, 544 с.

30. Энгель А. Ионизованные газы, М. Физматгиз, 1959, 322 с.

31. Мак-Даниэль И. Процессы столкновений в ионизованных газах, М., Мир, 1967.

32. Смирнов Б.М. Атомные столкновения и элементарные процессы в плазме, М., Атомиздат, 1968, 456 с.

33. Козлов О.В. Электрический зонд в плазме, М., Атомиздат, 1969, 291 с.

34. Спектроскопия газоразрядной плазмы, ц/р С.Э.Фриш, Ленинград, Наука, 1970, 361 с.

35. Каган Ю.М., Спектроскопия газоразрядной плазмы, Ленинград, Наука, 1970.

36. Иванов Ю.А., Полак Л.С. в сб.Химия плазмы; п/р Б.М.Смирнова,

37. M.v Атомиздат, 1975, вып.2, с.161.

38. Kay Е.,Coburn J.,Dilks A. Plasma Chemistry iii,ed.S.Veprek, M.Venugapalan, Wiley-Interscience, New York,1971,v.1,p.1

39. Venugapalan M. , in Reactions under Plasma conditions,ed M.Venugapalan, Wiley-Interscience, New York, 1971, v.1,p. 1

40. Иванов Ю.А., Кандидатская диссертация, ИНХС АН СССР, Москва, 1971 г.

41. Gupta D.R.,Gupta G.L.,Bhargava D.C. Indian J.Phys.,1972,v.46,N Jp.95

42. Beyet M.,Guerineau P. C.R.Acad.Sci.,Paris,1954, v.239,p.1029

43. Margenau H. Phys.Rev., 1958, v.109, p.6

44. Rundle H.M.,Clark D.R.,Deckers J.M. Canad.J.Phys.,1973,v.51, N 2, p. 144

45. Klagge S. Beitr.Plasma Physik,1975,v.15, N 6, p.309

46. Словецкий Д.И., Докторская диссертация, ИНХС АН СССР, Москва, 1978.

47. Coburn J.W.,Chen М. J.Appl.Phys.,1980, v.51, p.3134

48. Алекперов Г.А., Полак Л.С., Словецкий Д.И., в кн. Синтез в низкотемпературной плазме, п/р Л.С.Полака, М., Наука, 1980, с.44-66.

49. Teauka М.,Miller L.L. J.Am.Chem.Soc.,1977, v.99, p.5832

50. Winters H. Plasma Chemistry III,Acaderaic-Verlag,Berlin,1981,p.7*

51. Coburn J.W.,Kay E. J.Appl.Phys.,1979, v.50, p.3189

52. Coburn J.W.,Kay E. J.Appl.Phys.,1972,v.43, p.4965

53. Hudis M. J.Appl.Phys., 1973, v.44, N 4, p.1489

54. Talrose V.L.,Karachevtzev G.V., in Reactions under Plasma Conditions, ed. Venugopalan,Wiley-Interscience,New York,1971,v.2,p.2!

55. Полак Л.С., ХВЭ, 1972, т.6, № 3, с.266.

56. Chen K.S.,Inagaki N.,Katsuura К. J.Appl.Polym.Sci.,1982,v.27, N 12, p. 4665

57. Алекперов Г.А., в кн.Новые аспекты нефтехимического синтеза,

58. М., ИНХС АН СССР, 1978, с.93.

59. Smolinsky G.,Vasil M.J. Int.J.Mass Spect.and Ion Phys, 1975, v.16, p.137

60. Vasil M.J.,Smolinsky G. Int.J.Mass Spect.and Ion Phys,1975,v.181. P.17S

61. Vasil M.J.,Smolinsky G. Int.J.Mass Spect.andlon Phys,1976,v.21,p. 263

62. G.Smolinsky,Vasil M.J. Int.J.Mass Spect.and Ion Phys,1976,v.22,p.171

63. Smolinsky G.,Vasil M.J. Int.J.Mass Spect.and Ion Phys,1977,v.24,p.31160«Smolinsky G.,Vasil M.J. J.Macromol.Sci.Chem.,1976,V.A10, p.47361 .Kikkawa Sh.,Nomyra M.,Morita Y.,Hosokawa N. Chem.Lett.,1974,p.133

64. Capitelli M.,Molinari E., in Plasma Chemistry II,ed S.Veprek, M.Venugopalan, Springer-Verlag, Berlin, 1980, p.59

65. D'Agostino R.,Gramarossa F. ,De Benedictis S. Plasma Chem.and Plasma Proc., 1982, v.2, К 3, p.213

66. Hudis M., J.Appl.Pol.Sci., 1972, v.16, p. 2397

67. Hudis M., Prescott L.E. J.Pol.Sci.,1972,v.B10, p.179

68. Дорофеев Ю.Й., Скурат B.E., ХВЭ, 1979, т.13, № 3, с.255.

69. Partrige Р.Н. J.Chem.Phys., 1966, v.45, p.1685

70. Василец B.H., Тихомиров Л.А., Пономарев А.Н., ХВЭ, 1981, т.15, № 2, с.147.

71. Стефанович Н.П., Радциг В.А., Виленский А.И., Владыкина Т.Н., Кротова Н.А., ДАН СССР, 1971, т.199, » 2, с.198.

72. Вонсянский В.А., Мамуня Е.П., Роттер Е.А., Лебедев Я.С., ДАН СССР, 1977, т.233, № 5, с.896.

73. Сорокин В.М., Бланк В.А., ЖПС, 1968, т.9, с.827.

74. Шульман А.Р., Фридрихов С.А., Вторично-эмиссионные методы, М., Наука, 1977, с.551.

75. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., Норберг Р. и др. Электронная спектроскопия, М., Мир, 1971, с.493.

76. Formation and Trapping of Free Radicals ed.A.M.Bass,H.P.Nroida Academic Press, New York, 1960

77. Bamford С.H., Jenkins A.D. ,Ward J.С. Nature, 1960,v. 186,p.712

78. Bamford C.H.,Ward J.C. Polymer,1961, v.2,p.277

79. Василец B.H., Тихомиров JI.А., Пономарев A.H., ХВЭ, 1978, т.12, № 5, с.442.

80. Василец В.Н., Тихомиров Л.А., Пономарев А.Н., ХВЭ, 1979, № 13, № 2, с.171.

81. Василец В.Н., Тихомиров Л.А., Пономарев А.Н., ХВЭ, 1981, т.15, № I, с.17.

82. Wall L.A. ,tngalls R.B. J.Polym.Sci.,1962, v.62, p.267

83. Ingalls R.B.,Wall L.A. J.Chem.Phys., 1961, v.35, p.370

84. Ingalls R.B.,Yong W.A. J.Chem.Phys., 1965, v.43, p.1759

85. Morosoff N. ,Crist B. ,Bumgamer M. ,Hsu T.,Yasuda H. J.Ivlacromol. Sci.Chem., 1976, v.A10, N 3, p.451

86. Yasada H.,Hsu T.S. J.Pol.Sci.,Pol.Chem.,1977, v.15, p.2411

87. Millard M.M.,Windle J.J.,Pavlath A.E. J.Appl.Pol.Sci., 1 973, v.17, p.2501

88. Пшежецкий С.Я., Котов А.Г., Милинчук В.К., Рогинский В.А., Туниников В.И., ЭПР свободных радикалов в радиационной химии, М., Химия, 1972, с.480.

89. Милинчук В.К., Клиншпонт Э.Р., Пшежецкий С.Я., Макрорадикалы, М., Химия, 1980, с.264.

90. Пасальский Г.К., Лаврентович Я.И., Кабакчи A.M., Атомная энергия, 1973, т.35, № б, с.427.

91. Abe Н.,Imaizumi M.,Oho К. J.Phys.Soc.Jpn.,1973,v.35,N 5,p.1365

92. Клиншпонт Э.Р., Милинчук В.К., Пшежецкий С.Я., ХВЭ, 1969, т.З, № 4, с.357.

93. Кирюхин В.П., Милинчук В.К., ВМС, сер.А, 1974, т.16, № 4, с.816.

94. Judeikis Н.,Hedgpeth Н.,Siegel S. Radiat.Res.,1968,v.35,N 2,p.24

95. Siegel S.,Hedgpeth H. J.Chem.Phys.,1967,v.46, N 10, p.3904

96. Iwasaki M.,Sakai Y. J.Pol.Sci., A2,1968,v.6, N 1, p.265

97. Che M.,Tench A.J. J.Chem.Phys.,1976, v.64, p.2370

98. Гринберг О.Я., Дубинский А.А., Полуэктов О.Г., Лебедев Я.С., Теор. и эксп.химия, 1981, т.17, № 6, с.806.

99. Клиншпонт Э.Р., Милинчук В.К., ХВЭ, 1967, т.1, с.242.

100. Клиншпонт Э.Р., Милинчук В.К,, Пшежецкий С.Я., ВМС, 1970, T.I2A, № 7, с.1505.

101. Алекперов Г.А., Зубарев В.Е., Полак Л.С., Словецкий Д.И., ХВЭ, 1979, т.13, № 2, с.188.

102. Brookes A.,Konig Н. Stschr.Physic, 1951, v.152, p.491

103. Василец B.H. Кандидатская диссертация, МФТИ, М., 1979.

104. Nguen L.Т.,Sung N.H.,Such N.P. J.Polym.Sci.,Polym.Lett., 1980, v.18, N 8, p.541

105. Yasuda H.,Lamaze C.E.,Sakaoku K. J.Appl.Polym.Sci.,1973,v.17,p.137

106. Rice D.W.,0'Kane D.F. J.Electrochem.Soc.,1976,v.123,p.1308

107. Carlsson D.J.,Wiles D.M. Can.J.Ghem.,1970,v.48,p.2397

108. Collins C.C.S,Lowe A.C.,Nichilas D. Eur.Pol.J.,1973,v.9,p.1173

109. O'Kane D.P.,Rice D.W. J.Macromol.Sci,Chem.,1976,v.A10,p.579

110. Clark D.T.,Dilks A. ,Shuttleworth D., in Polymer Surfaces,ed.D.T.Clark,W.J.Peast,Wiley-Interscience,New York,1978,p.185

111. D.T.Clark,Dilks A. J.Polym.Sci.,1977,v.15, p.2321

112. Clark D.Т.,Wilson D.W. J.Polym.Sci.,1983,v.21 ,N 3, p.837

113. Guntherschulze A.,Meyer K. Vacuum,1953,v.3,p.360

114. Wehner G.K. Adv.Electronics Electron Phys.,1955,v.7,p.239

115. Oechsner H. Appl.Phys.,1975,v.8,p.185

116. Sigmund P. Phys.Rev.,1969, v.184,p.383

117. Thompson M.W. Phil.Mag.,1968,v.18,p.377

118. Brandt W.,Laubert R. Nucl.Instr.Methods,1967,v.47,p.201

119. Oechsner H.,Schoof H.,Stumpe E. Surf.Sci.,1978,v.76,p.343

120. Madey Т.Е.,Yates J.T. Surface Sci.,1977,v.63, p.203

121. Menzel D. Surface Sci.,1975, v.47, p.370

122. Drinkwine M.J.,Lichtman D. Progr,Surf.Sci.,1977,v.8,p.123

123. Kay,E. ,Dilks A.,Seybold D. J.Appl.Phys.,1980,v.51,N 11,p.5675

124. Heineeke R.A.H. Solid State Electron,1975,v.18,p.1146

125. Яхнин Е.Д., Дембовская Ю.В., Туркина E.C., ВМС, сер.Б., 1983, т.25, № 10, с.731.

126. Ungar G.,Grubbt D.Т.,Keller A. Polymer,1980,v.21,p.1281

127. Peterman Y.,Gleiter H. Kolloid 2.und2.fur Polymer, 1973, Bd 251, N 11, 5850

128. Безрук JI.И., Лебедев Е.В., ВМС, сер.А., 1973, т.15, с.1674.

129. Kobayashi Н.,Bell A.T.,ShenM. J.Appl.Polym.Sci.,1973,v.17,p.885

130. Westwood A.R. Eur.Polym.J., 1971, v.7, p.363

131. Thomson L.F.,Mayhan K.G. J.Appl.Polym.Sci.,1972,v.16,p.2291

132. Yasuda H.,Marsh H.C.,Tsai Y. J.Appl.Polym.Sci.,1975,v.19,p.215

133. Виноградов Г.К., Иванов D.A., ХВЭД978, т.12, № 6, с.542.

134. Виноградов Г.К., Иванов Ю.А., Полак Л.С., ХВЭ, 1980, т.14, № 2, с.174.

135. Deutsch Н. Beitr Plasma Phys.,1977, v.17, p.343

136. Lam D.K.,Baddour R.F.,Stancel A.F. J.Macromol.Sci.Chem.,1976, v.A10, N 3, p.421

137. Bell A.T., in Plasma Chemistry III,Akademic-Verlag,Berlin,1981 p. 44

138. Yasuda H.,Hsu T.S. Surface Sci.,1978, v.76, p.232

139. Kay E.,Coburn Y.W.,Kruppa G. Le Vide,1976,v.183,p.89

140. Kay E.,Dilks A. Thin Solid Films,1981, v.78, N 4, p.309;

141. J.Vac.Sci.and Technol.,1981,v.18,N 1,p.1

142. Salhi A.,Soong D.S.,Bell A.A. Polym.Eng.and Sci.,1981, v.21, N 11, p.643

143. Зайдель A.H., Шрейдер Е.Я., Спектроскопиявакуумного ультрафиолета, М., Наука, 1967, с.471.

144. Галкин А.А., Гринберг О.Я. и др. ПТЭ, 1977, № 4, с.284.

145. Салихов К.М., Семенов А.Г., Цветков Ю.Д. Электронное спиновое эхо и его применение, изд.Наука, СО, Новосибирск, 1976, с.342.

146. Харрик Н., Спектроскопия внутреннего отражения, изд.Мир, М., 1970, 335 с.

147. The catalog of infrared spectral data, Amer.Petrol.Inst.Texas

148. Atlas of Spectral data and Physical constants for organiccompounds ed. J.G.Gzasselli,W.M.Ritchey,CEC Press Inc,Cleveland

149. Беллами JI., Инфракрасные спектры атомов, изд.ИЛ., М., 1957, 44с.

150. Ромейс Б., Микроскопическая техника, М.,изд.ИЛ,1954, с.718.

151. Шиммель Г., Методика электронной микроскопии, М., Мир,1972, с.119.

152. Рабек Я. Экспериментальные методы в химии полимеров, т.2, М., Мир, 1983.

153. Kentgen G.A. Anal.Chem.,1982,v.54, N 5, p.244

154. К.Эндргос, Д.Дайсон, С.Киоун, Электронограммы и их интерпретация, М., Мир, 1971.

155. Тийт В.М., Шапкина Р.В. Атлас многолинейчатого спектра молекулярного водорода, Таллин, изд.АН ЭССР, 1981.

156. Read D.N. Phys.Rev., 1934, v.46, N 7, p.571

157. Полак Л.С., Словецкий Д.И., Федосеева Т.В., ТВТ, 1981, т.19, № 5, c.II35.

158. Вилесов Ф.И., Правилов А.И., ХВЭ, 1970, т.4, № 4, с.401.

159. Filseth S.V. Advances in photochemistry, v.10,Interscience Publication, New York,London,Sydney, p.1

160. Inn E.C.Y. J.of Geophys.Res.,1972, v.77, N 10,p.1991

161. Inn E.C.Y.,Heimerl J. J.Atmos.Sci.,1971,v.28,p.839

162. Slanger G.,Sharpless R.L.,Black G.,Filseth S.V. J.Chem.Phys., 1974, v.61, N 12, p.5022

163. Кимель Л.P., Машкович В.П., Защита от ионизирующих излучений, Справочник, М., Атомиздат, 1972, с.124.

164. Хрущ Б.И., Ершов Ю.А., Люличев А.Н., Удовенко В.Ф., Пшисуха A.M., Стрижко Г.Д., ХВЭ, 1981, т.15, №6, с.520.

165. Цветков Ю.Д., Лебедев Я.С., Воеводский В.В., ВМС, 1959, т.1, № 10, с.1510; № II, с.1634.

166. Сашков И.В., Сойфер Л.М., Шахнович М.И., в кн.Физика вакуумного ультрафиолетового излучения, изд."Наукова думка", Киев, 1974, с.59.

167. Betteridge D.,Shoko N.R.,Cudby H.E.A.,Wood D.G.M. Polymer, 1980, v.21, N 11, p.1309

168. Эмануэль H.M., Кнорре Д.Г. Курс химической кинетики, М., Высшая школа, 1974.

169. Гриневич В.Н., Максимов А.И., Рыбкин В.В., ХВЭ, 1982, т.16, № 6, с.547.

170. Коваленко В.Ф., Рожанский Д.А., Сена Л.А., ШТФ, 1934, т.4, вып.9, с.1688.

171. Hagiwara М.,Tagawa Т.,Amemiya Н.,Araki К. ,Shunohara I. J.Pol. Sci., 1976, v.14, N 9, p.2167

172. Словохотова H.A., в сб. Действие ионизирующих излучений на неорганические и органические системы, изд.АН СССР, 1958, с.295.

173. Perse A. ,Lunkwitz К. Faserforschung und Textiltechnik-Eeitsch-rift fur Polymer-£оrsehung, 1978, v.29, N 3, p.206

174. Toy M.S., Newman J.M. J.Pol.Sci.A-1,1969, v.7, p.2333

175. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов, М., Физматгиз, 1961.

176. Палатник Л.С., Папиров И.И., Эпитаксиальные пленки, М., Наука, 1971.

177. J.C.W.Wittmann, Lotz B.J. J.Polym.Sci.,Polym.Phys.Ed,1981 f v.19, p. 1837