Исследование переноса и накопления заряда в жидких кристаллах нематического и холестерического типа тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ литературный обзор).

§ 1.1. Общие сведения о жидких кристаллах.

§ 1.2. Основные физические свойства.II

§ 1.3. Темновая проводимость мезоморфных соединений.

§ 1.4. Механизмы генерации и переноса темновых носителей заряда в ЖК и родственных им органических соединений.

§ 1.5. Нестационарные процессы проводимости и объемный заряд в жидких кристаллах.

Выводы.

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§ 2.1. Характеристика объектов исследования.

§ 2.2. Очистка исследуемых соединений.

§ 2.3. Конструкция измерительных ячеек и подготовка образцов.

§ 2.4. Описание экспериментальной установки.

§ 2.5. Анализ точности измерений.

ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАЦИОНАРНОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ

В ЖИДКИХ КРИСТАЛЛАХ.

§ 3.1. Влияние очистки на проводимость жидких кристаллов.

§ 3.2. Температурная зависимость проводимости жидких кристаллов.

§ 3.3. Влияние электрического поля на проводимость ЖК.

§ 3.4. Влияние некоторых примесей на перенос заряда в ХЖК.

Выводы.

ГЛАВА 1У. НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ В

ЖИДКИХ КРИСТАЛЛАХ.

§ 4.1. Влияние температуры и напряжения на величину объемного заряда в жидких кристаллах.

§ 4.2. Исследование механизмов поляризации жидких кристаллов в постоянном электрическом поле.

§ 4.3. Возрастающая релаксация тока в жидких кристаллах

§ 4.4. Поляризация и темновая проводимость жидкокристаллического состояния.

§ 4.5. Подвижность и коэффициент диффузии носителей заряда в жидких кристаллах.

Выводы.

ГЛАВА У. ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА НА НЕКОТОРЫЕ

ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЖК.

§ 5.1. Влияние электрического поля на размеры рассеивающих центров в НЖК.

§ 5.2. Переориентация нематического жидкого кристалла в электрических полях различных конфигураций.

§ 5.3. Электрооптика НЖК в структуре металл-диэлектрикжидкий кристалл-металл.

Выводы.

Важнейшими свойствами жидкого кристалла (ЖК) являются упорядоченность осей молекул в пространстве и наличие ориента-ционных степеней свободы как отдельных молекул, так и всего ЖК-слоя. Именно они приводят к новым физическим эффектам,нигде ранее не наблюдавшимся [1.4], а также обуславливают высокую чувствительность структуры к незначительным внешним воздействиям: механическим, тепловым, электрическим, магнитным. Поэтому Ж широко используются в электронике [1.1о], оптической промышленности [2.20], вычислительной технике [1.22] в качестве чувствительных индикаторов температуры [2.41], электромагнитных полей [1.14], в модуляторах и преобразователях света ¡2.38], в технологии неразрушающего контроля ¡2.100].

Актуальность темы. Применение ЖК в неразрушающем контроле [2.27; 2.50; 2.54] выявило рад задач, решение которых связано с наложением к ЖК-слою постоянных электрических полей [2.6; 2.88]. В этом случае необходим учет влияния поляризационных процессов на электрооптику, что невозможно без изучения закономерностей переноса заряда в мезофазе.

Несмотря на значительное число работ по электропроводности Ж, которые отражены в обзорах и монографиях [1.3; 1.4;1.13; 2.13; 2.157], информация о переносе и накоплении заряда в ЖК при наложении постоянных электрических полей явно недостаточна.

В постоянном электрическом поле Ж, как и другие высоко-омные органические соединения, поляризуются, что проявляется в релаксации тока [2.51; 2.95; 2.158]. Т.к.Ж характеризуются ионной проводимостью [1.4], одним из механизмов поляризации является накопление ионного заряда. Однако количественные данные о величине заряда, накапливаемого в ЖК-слое под действием постоянного электрического поля, практически отсутствуют.

Носителями заряда в Ж являются ионы, которые образуются либо в объеме ЖК путем диссоциации молекул вещества или примеси, либо при инжекции носителей из электрода с последующим захватом на нейтральные молекулы [1.4; 2.157]. Конкретные условия преобладания того или иного механизма генерации носителей, а также их связь с процессами формирования объемного заряда изучены недостаточно.

Цель работы: Исследование процессов переноса и накопления заряда в мезофазе под действием постоянных электрических полей и влияния поляризационных явлений на проводимость и некоторые практически важные электрооптические эффекты в ЖК.

Из общей задачи вытекают следующие конкретные вопросы:

1) влияние очистки на проводимость ЖК;

2) изучение закономерностей накопления заряда в мезофазе;

3) влияние объемных зарядов на основные параметры электропереноса;

4) исследование электрооптических эффектов в условиях формирования объемного заряда.

Исходя из цели работы, объекты исследования должны быть достаточно изученными, чтобы иметь возможность сравнить полученные результаты с известными. С другой стороны, выбранные соединения должны отличаться по структуре, электрофизическим и термодинамическим свойствам. Это необходимо для выделения общих закономерностей, присущих мезоморфозному состоянию.

В работе исследованы соединения из рядов оснований Шиффа -дающие нематическую фазу (НЖК) с отрицательной анизотропией диэлектрической проницаемости / д£<0 /; алкоксицианобифенилов -НЖК / д £># / и п-алканоатов холестерина / д£ ~0 /.

Все эти вещества достаточно изучены, являются типичными представителями ЖК и, следовательно, могут считаться модельными. Они широко применяются в электрооптике и термографии как индивидуально, так и для создания нематических или нематохолестери-ческих систем. Для всех перечисленных соединений область существования мезофазы лежит в пределах +20° + +Ю0°С, что делает их удобными для исследования.

Электропроводность ЖК изучалась двумя методами: при постоянном наложении электрического поля и методом переходных токов. В последнем случае после выключения поля регистрировалась релаксация прямого тока, а после выключения - обратный ток деполяризации. Также выполнялись исследования накапливаемого в ЖК-слое объемного заряда, как функции напряжения, тока и времени действия поля.

Научная новизна. I. Показана выполнимость компенсационного правила в твердой фазе некоторых мезоморфных соединений, что позволяет объяснить проводимость твердой фазы с позиций туннельного механизма переноса заряда.

2. Экспериментально установлено, что заряд, накапливаемый в ЖК-слое, на 2 + 4 порядка выше значения, определяемого геометрической емкостью образца. Перенос заряда определяется суперпозицией внешнего поля и поля объемного заряда.

3. Доказано существование двух механизмов поляризации ЖК в постоянном электрическом поле: объемными и инжектированными носителями. Предложены критерии разделения этих механизмов.

4. Обнаружена и исследована возрастающая релаксация прямого и обратного токов в ЖК, связанная с эффектами сильного поля в приэлектродных слоях.

Практическое значение работы. Предложена методика определения проводимости ЖК, которая может быть использована для контроля их чистоты.

Исследовано влияние процессов поляризации на электрооптику НЖК с д£,<0 в постоянном электрическом поле. Разработаны методы визуализации рассеянных электрических полей и анализа дефектов технологических слоев в производстве изделий интегральной электроники на основе управляемого постоянным электрическим полем двулучепреломления в НЖК.

Апробация результатов. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 1У и У Международных конференциях соц. стран по ЖК (Тбилиси-1981г.,0десса-1983г.),1У Всесоюзной конференции по ЖК и их практическому применению(Иваново-1977г.),1 Всесоюзном симпозиуме по электрическим свойствам ЖК(Душанбе-1979г.)э УШ,Х1 и ХП Всесоюзных координационных совещаниях по органическим полупроводникам(Косов-1977г.,Рига-1981г.эПасанаури-1982г.)ЭШ и 1У координационных совещаниях по Ж(Киев-1979г.,Славск-1981г.), а также на совещаниях и семинарах в ряде организаций.

Публикации. Основное содержание работы отражено в 13 публикациях, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Изложена на 167 стр.,включая 55 рис., 4 табл. и список литературы из 199 наим.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОТРАЖЕНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. Гриценко Н.И., Мотель Н.В., Рогоза A.B., Тиман Б.Л. Релаксационные процессы при протекании тока в жидких кристаллах* ФТГ, 1983, т25, в11, 3286-3290.

2. Гриценко Н.И., Мошель Н.В., Тиман Б.Л. Механизмы поляризации жидких кристаллов в постоянном электрическом поле. -УФЖ, 1983, т28, № if 72-77.

3. Гриценко Н.И., Мошель Н.В. Проводимость, диффузия и подвижность носителей заряда в нематическом жидком кристалле.

УФЖ, 1980, т25, № II, 1830-1835.

4. Гриценко Н.И., Мошель Н.В. Влияние электрического поля на размеры рассеивающих центров в нематических жидких кристаллах. - УФЖ, 1978, т23, № 2, 224-228.

5. Гриценко Н.И., Мошель Н.В. Инжекционные токи в нематическом жидком кристалле. - ЖТФ, 1982, т52, № I, II4-II6.

6. Гриценко Н.И., Мошель Н.В., Рогоза A.B., Тиман Б.Л. Возрастающая релаксация тока в жидких кристаллах. - ЖТФ, 1983, т53, № 9, 1879-1880.

7. Гриценко Н.И., Коваль Ю.Д., Маркова 0.3., Мошель Н.В. Применение нематических жидких кристаллов для визуализации рассеянных электрических полей изделий микроэлектроники. - Микроэлектроника, 1980, т9, № 5, 444-449.

8. Гриценко Н.И., Добролеж С.А., Мошель Н.В. и др. Применение нематических жидких кристаллов для контроля качества технологических слоев ИС. - Электронная промышленность, 1982, 10-11, 90-95.

9. Гриценко Н.И., Добролеж С.А., Мошель Н.В. и др. Исследование распределения поверхностных потенциалов ИС с помощью нематических жидких кристаллов. - Электронная промышленность, 1982, № 10-11, 95-97.

10. Гриценко Н.И., Курик М.В., Мошель Н.В. Особенности диаграммы состояния холестерилпеларгоната. - В кн.: Тезисы докладов 1У международной конф.соц.стран по жидким кристаллам, Тбилиси,5-8 октября 1981г. Тбилиси, 1981, т1, 330-331.

11. Гриценко Н.И., Курик М.В., Мошель Н.В. Компенсационный эффект в проводимости эфиров холестерина. - В кн.: Органические полупроводниковые материалы, вып.5, ч.1. Пермь, 1982, 50-54.

12. Гриценко Н.И., Мошель Н.В., Тшценко В.Г. Влияние примесей на электрофизические свойства холестерических жидких кристаллов* В кн.: Тезисы докл.1 всес.симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979г. Душанбе, 1979, 9-10.

13. Гриценко Н.И., Коновец Н.К., Мошель Н.В. Переходные токи в жидких кристаллах. - В кн.: Тезисы докл.1 Всес.симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979г. Душанбе, 1979,27-28.

147

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Выполнены систематические исследования нестационарных процессов электропроводности в Ж при наложении постоянного электрического поля, изучены закономерности накопления в мезо-фазе объемного заряда.

2. Проводимость Ж является примесной, о чем свидетельствует снижение ее при очистке. Значение проводимости определяется как концентрацией примесей, так и их взаимодействием с основным веществом.

Закономерности протекания тока в твердой фазе согласуются с представлениями о туннельном механизме проводимости.

3. Показана и экспериментально подтверждена возможность разделения объемного и инжекционного механизмов поляризации ЖК в постоянном электрическом поле. Предложены критерии их разделения при описании нестационарных процессов, основанные на анализе соотношений между током в ЖК, соответствующим ему зарядом, приложенным напряжением и временем его действия.

В случае объемной поляризации ток изменяется со временем, как &ОСур (- £/Ъо) » а зависимость между прямым током и соответствующим ему зарядом имеет вид (Ц- /I —ВТ • При инжекции носителей » а заряд изменяется,как С-ЗУ^Т* •

4. Установлено, что в слабых полях преобладает перенос заряда равновесными (объемными) носителями (которые, как правило, имеют примесное происхождение), при повышении напряжения основной вклад в проводимость дают инжектированные носители. Преобладание того или иного механизма определяется концентрацией равновесных носителей.

Действие объемного и инжекционного механизмов поляризации Ж в постоянном электрическом поле разделено во времени: вначале происходит разделение объемных носителей и формирование приэлек-тродных пространственных зарядов, что создает предпосылки для инжекции носителей из электрода.

5. Обнаружена и исследована возрастающая релаксация тока (ВРТ) в жидких кристаллах. Закономерности протекания ВРТ имеют общий характер для ЖК с различным знаком анизотропии диэлектрической проницаемости, т.е. ВРТ связана с приэлектродными процессами. Результаты исследований показывают, что ВРТ обусловлена эффектами сильного поля в приэлектродных слоях, индуцированными полем объемного заряда.

6. Показано существенное влияние накапливаемого объемного заряда и определяемого им обратного напряжения поляризации на температурную и полевую зависимости электропроводности исследованных ЖК. Температурная и полевая зависимости электропроводности Ж коррелируют с соответствующими зависимостями заряда, накапливаемого в образце.

Предложены критерии определения действительного значения проводимости ЖК-слоя с учетом поляризационных явлений, которые могут быть использованы для контроля чистоты ЖК.

7. Выполнено сравнение различных методов определения подвижности носителей заряда. Показано, что для методов, основанных на измерении времени пролета носителей в электрическом поле, необходим учет поляризационных эффектов и связанного с ними перераспределения потенциала по толщине образца.

Независимыми измерениями коэффициента диффузии $ и подвижности носителей заряда экспериментально подтверждена применимость соотношения Нерста-Зйнштейна для ЖК-систем.

Предложена методика определения коэффициента диффузии и подвижности носителей заряда, использующая характеристические времена спадания обратных токов в ЖК. В мезофазе значения 9) и уЫ лежат в пределах:

Ю = /Ю-12 т Ю-10/м2/С;

Л = /Ю-10 4. Ю-8/м2/В-с . Они удовлетворительно согласуются с литературным» данными и указывают на ионный характер процессов переноса заряда в мезофазе.

8. Исследовано влияние накапливаемых зарядов на электрооптику НЖК в постоянных электрических полях. На основе полученных результатов разработана методика визуализации и анализа рассеянных электрических полей интегральных микросхем.

Изучены релаксационные процессы в системе металл-диэлект-рик-НЖК-металл, предложены методы контроля технологических слоев в производстве изделий интегральной электроники, использующие управляемое постоянным электрическим полем двулучепрелом-ление в НЖК.

1. Америк Ю.Б., Кренцель Б.А. Химия жидких кристаллов и мезоморфных полимерных систем. М.:Наука, 1981, 288.

2. Адамчевский И., Электрическая проводимость жидких диэлектриков, Л.: Энергия, 1972, 295.

3. Адамчик А., Стругальский 3. Жидкие кристаллы. М.: Сов.Радио, 1979, 160.

4. Блинов Л.М. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. М.: Наука, 1978, 384.

5. Болтакс Б.И.Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз,1961,462.

6. Воскресенский П.И. Техника лабораторных работ. Л.: Химия, 1970, 720.

7. Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. М.: Мир, 1970, 696.

8. Де Жен П. Физика жидких кристаллов. М.: Мир, 1977, 400.

9. Жидкие кристаллы (Под ред.Жданова И.С.). М.: Химия, 1979,328.

10. Индикаторные устройства на ЖК (Под ред.Готры Ю.З.). М.: Сов.Радио, 1980, 240.

11. Иоффе А.Ф. Физика кристаллов. М.-Л. : Госиздат, 1929, 192.

12. Казарновский Д.М., Тареев Б.М. Испытания электроизоляционных материалов. Л.: Энергия, 1969, 296.

13. Капустин А.II. Экспериментальные исследования жидких кристаллов. М.: Наука, 1978, 368.

14. Капустин А.П. Электрооптические и акустические свойства жидких кристаллов. М.: Наука, 1973, 232.

15. Кулаков М.В., Макаров Б.И. Измерение температуры твердых тел. М.: Энергия, 1981, 96.

16. Кучерук И.М., Дущенко В.П., Андианов В.М. Обработка результатов физических измерений. Киев: Высшая школа, 1981, 216.

17. Линевег Ф. Измерение температуры в технике. М.: Металлургия, 1980, 474.

18. Марк П., Ламперт М. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973, 416.119.0решкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977, 448.

19. Пикин С.А. Структурные превращения в жидких кристаллах. М.: Наука, 1981, 336.

20. Поверхностно-активные вещества (Справочник, под ред.Абрам-зона A.A. и Гаевого Г.М.). Л.: Химия, 1979, 376.

21. Применение жидких кристаллов в вычислительной технике (Под ред.Деркача В.П.). К.: Наукова думка, 1980, 172.

22. Сажин Н.П. Вещества высокой чистоты в науке и технике. М.: Знание, 1969, 69.

23. Воловьев В.А., Яхонтова В.Е. Элементарные методы обработки результатов измерений. Л.: Изд.ЛГУ, 1977, 72.

24. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергия, 1973, 328.

25. Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. М.: Наука, 1965, 511.

26. Финкелыптейн Д.Н. Чистота вещества. М.: Атомиздат,1975,223.

27. Хголст Г.ван де. Рассеяние света малыми частицами. М.:Изд-во иностр.лит., 1961, 536.

28. Чмутов К.В. Хроматография. М.: Изд-во АН СССР, 1962, 97.

29. Яшин Я.И. Физико-химические основы хроматографического разделения. М.: Химия, 1976, 214.

30. Demus D. , Demus H., Zaschke H. Flussige Kristalle in Tabellen. Leipzig: VEB Dtsch. Verl. 1977, 357.

31. Luckhurst G.R., Cray G.W. The Molecular Physics of Liquid Crystals: Academic Press, London, 1979, 494.2Л.Абдулаев Г.Б., Тагиев Б.Г., Мустафаева С.Н. Эстафетный механизм переноса заряда в тонких пленках CasE .-Изв.АН Аз. ССР, 1977, F> 4, 59-64.

32. Акопова 0., Майдаченко П., Котович JI. Некоторые особенности синтеза Г1 -оксибензонитрила. В кн.: Жидкие кристаллы и их применение. Иваново, 1980, 146-149.

33. Бабаев A.C., Тешаев Б.Т., Стафеев В.И. Вольтамперные характеристики молекулярных и тонких пленок МББА и ЭББА. ФТП, 1978, т.12, в5, 895-898.

34. Бабаев A.C., Богданов П.Р., Стафеев В.И., Тешаев Б.Т. Электропроводность холестерических жидкокристаллических пленок. -В кн.: Жидкие кристаллы. Иваново, 1977, I0I-I06.

35. Балабанов Е.И., Васильев А.И. Исследование импульсной фотопроводимости в жидком кристалле МББА. В кн.: Орган.полупроводники. Киев, 1976, 88-93.

36. Банковский Ю.В. Дефекты интегральных схем, изготовленных по изопланарнок технологии. Электронная техника. Серия 3 (микроэлектроника), 1980, т!5, в5, 66-70.

37. Барник М.И., Блинов JI.M., Гребенкин М.Ф. и др. Электрогидродинамическая неустойчивость в нематических жидких кристаллах. ЖЭТФ, 1975, 69, № 3, 1080-1087.

38. Башмакова М.И. Изменение электропроводности органических полупроводников в области плавления. Изв.ВУЗов СССР. Физика, 1973, № 4, 55-59.

39. Белоцкий Е.Д., Лев Б.И., Томчук U.M. Экранировка заряда вжидких кристаллах. УФЖ, 1981, т26, № I, 158-160.

40. Белоцкий Е.Д., Лев Б.И., Томчук U.M. Эффективная масса и подвижность ионов в нематических жидких кристаллах. УФЖ, 1981, т26, № 4, 625-630.

41. П.Березин В.И., Недранец Ю.И., Севастьянов В.П. Влияние концентрации акцепторных добавок на электропроводность и параметры динамического рассеяния в жидких кристаллах. В кн.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново,1976, 90-93.

42. Блинов Л.М. Электрооптические эффекты в жидких кристаллах.-УФН, 1974, 114, № I, 67-96.

43. Бобров В.И. Электрические свойства стероидных мезофаз.

44. В кн.:Жидкие кристаллы и их применение. Иваново, 1980,65-88.

45. Бобров В.И. Электропроводность П -гептилоксиазоксибензола-г В кн.: Сб.докл. 2 Всес.конф. по жидким кристаллам. Иваново, 1972, Иваново, 1973, II8-I2I.

46. Бобров В.И. Электропроводность холестерилмиристата. В кн.: Уч.записки Ив.ГУ. Иваново, 1974, 128, 75-82.

47. Бугадов K.M., Алиев Д.Ф., Казым-Заде А.Г. Фотоэлектрические свойства контакта жидкий кристалл кремний. - Микроэлектроника, 1983, т12, № I, 76-78.

48. Бухман Е.И., Алтоиз Б.А., Полищук Д.И. Калориметрические исследования фазовых переходов в холестерических жидких кристаллах. В кн.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, 124-130.

49. Васильев А.И., Балабанов Е.И. Исследование электропроводности и механизма движения заряда в НЖК из класса циклогек-санкарбоновых кислот. В кн.: Сб.докл. 1У Межд.конф.соц. стран по ЖК, Тбилиси,5-8 октября 1981,г.Тбилиси,1981,тII,39.40.

50. Вистинь JI.К., Чистяков И.Г. Замороженный объемный заряд в жидких кристаллах. ДН СССР, 1977, т 234, № 5,1063-1066.

51. Вистинь Л.К., Чистяков И.Г. Приборы и системы управления на жидких кристаллах. Приборы и системы управления, 1975, №3, 19-23.

52. Галицин Ю.Г. и др. Вольтамперные и релаксационные характеристики темновой проводимости Q& Дб . Неорганические материалы, 1976, т12, № 12, 2146-2150.

53. Гапушак Н.И., Гриценко Н.И., Курик М.В. Электропроводность пленок дифенилполиенов. ФТТ, 1972, т14, вЮ, 1250-1252.

54. Горина И.И., Рубцова М.Ю. Немато-холестерические смеси в постоянных электрических полях. В кн.: Жидкие кристаллы. Иваново, 1977, 59-65.

55. Горский Ф.К., Бащун М.Л. Зависимость электропроводности жидкокристаллических веществ от температуры. В кн.: Сб. докл. 2-ой Всес.конф. по жидким кристаллам, Иваново, 1972г. Иваново, 1973, 103-107.

56. ГОСТ 6581-75. Материалы электроизоляционные жидкие. Методы электрических испытаний. Изд.стандартов, 1975, 24.

57. Гриценко Н.И., Добролеж С.А., Клименко A.C., Коваль Ю.Д., Мошель Н.В. Исследование распределения поверхностных потенциалов ИС с помощью нематических жидких кристаллов. Электронная промышленность, 1982, № 10—II, 75-77.

58. Гриценко Н.И., Добролеж С.А., Клименко A.C., Коваль Ю.Д., Мошель Н.В. Применение нематических жидких кристаллов для контроля качества технологических слоев ИС. Электронная промышленность, 1982, № I0-II, 70-75.

59. Гриценко Н.И., Коновец Н.К., Мошель Н.В. Переходные токи вжидких кристаллах. В кн.: Тезисы докл. I Всес.симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979г. Душанбе, 1979, 27-28.

60. Гриценко Н.И., Коваль Ю.Д., Маркова 0.3., Мошель Н.В. Применение нематических жидких кристаллов для визуализации рассеянных электрических полей изделий микроэлектроники. Микроэлектроника, 1980, т9, в5, 444-449.

61. Гриценко Н.И., Курик М.В., Мошель Н.В. Диаграмма состояния холестерилпеларгоната. В кн.: Тезисы докл. 1У Международной Конф.соц.стран по ЖК, Тбилиси, 5-8 октября 1981г. Тбилиси, 1981, т1, 330-331.

62. Гриценко Н.И., Мошель Н.В. Влияние электрического поля на размеры рассеивающих центров в нематических жидких кристаллах. УФЖ, 1978, т23, № 2, 224-228.

63. Гриценко Н.И., Мошель Н.В. Инжекционные токи в нематическом жидком кристалле. ЖТФ, 1982, т52, в1, II4-II6.

64. Гриценко Н.И., Мошель Н.В. Проводимость, диффузия и подвижность носителей заряда в нематическом жидком кристалле. -УФЖ, 1980, т25, № II, 1830-1835.

65. Гриценко Н.И., Курик М.В., Мошель Н.В. Компенсационный эффект в проводимости эфиров холестерина. В кн.: Органические полупроводниковые материалы, вып.5, чЛ. Пермь, 1982,45-49.

66. Гриценко Н.И., Мошель Н.В., Тиман Б.Л. Механизмы поляризации жидких кристаллов в постоянном электрическом поле. -УФЖ, 1983, т28, № I, 72-77.

67. Гриценко II.И., Мошель Н.В., Тиман Б.Л., Рогоза A.B. Возрастающая релаксация тока в жидких кристаллах. ЖТФ, 1983,т53, в9, 1879-1880.

68. Гриценко Н.И., Мошель Н.В., Тиман Б.Л., Рогоза A.B. Релаксационные процессы при протекании тока в жидких кристаллах.-ФТТ, 1983, т25, в II, 3286 3290.

69. Гриценко Н.И., Мошель Н.В., Тищенко В.Г. Влияние примесейна электрофизические свойства холестерических жидких кристаллов. В кн.: Тезисы докл. I Всес.симпозиума по электрическим свойствам ЖК, Душанбе, 1979г. Душанбе, 1979, 9-10.

70. Гудков В.А. Объемный положительный заряд как фактор домено-образования в НЖК. Кристаллография, 1979, т24, вб, 12921294.

71. Дьяченко A.M., Томашевский И.Е. Исследование параметра порядка тонких пленок нематического жидкого кристалла. УФЖ, 1982, т27, № II, 1650-1653.

72. Жидкокристаллические материалы (Проспект НПО "Монокристалл-реактив", ларьков, 1976, 8.

73. Капустин А.П., Куватов З.Х., Трофимов А.Н. Электретный эффект в /2-азоксианизоле. Кристаллография,1973,т18,в2,416-417.

74. Копылов Ю.А., Немченко A.M. Регенерация носителей заряда в органических жидкостях. Изв.ВУЗОВ СССР. Физика, 1964, № 3, 50-55.

75. Крейг JI. Нематические жидкокристаллические материалы для устройств отображения. ТИИЭР, 1973, т61, № 7, 16-27.

76. Кузнецов О.Ю., Добрынин В.А. Механизм электропроводности в условиях фазового перехода смектический жидкий кристалл -твердый кристалл. ФТТ, 1982, т24, в5, I549-I55I.

77. Курик М.В., Руденко A.A. 0 фазовом переходе в холестерил-пеларгонате типа металл-сверхпроводник. Письма в ЖТФ,1978, т4, в 8, 480-483.

78. Курик М.В., Руденко A.A., Тищенко В.Г. Фазовые переходы гомологического ряда /2-алканоатов холестерина. ЖФХ, 1980, т!У, № I, 79-84.

79. Лев Б.И., Томчук П.М. Вихревые токи в жидких кристаллах. -УФЖ, 1977, т22, № 3, 420-424.

80. Литвиненко В.Ю., Кожухова О.И. Двойная эмиссия в тонких пленках антрацена. В кн.: Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, 1974, 442-445.

81. Максимов В.И., Кириченко Г.Б. Исследование изменения во времени проводимости жидкокристаллических модуляторов света. -Микроэлектроника, 1979, т8, вЗ, 276-278.

82. Молочко В.А., Курдюмов Г.М., Болотин Б.М. Метод низкотемпературного дифференциально-термического анализа в приложении к исследованию жидкокристаллических систем. В кн.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, III-118.

83. Мочалин С.Н., Пузачевич П.П. Исследование зависимости плотности холестерических мезофаз от температуры. В кн.: Сб. докл. 2 Всес.конф. по ЖК, Иваново, 1972г. Иваново, 1973,200.207.

84. Нефедов B.C., Попов В.З., Сонин М.С. Диагностика неисправностей полупроводниковых БИС с помощью жидких кристаллов. -Управление качеством и стандартизация, 1973, вб,145-150.

85. Орешкин П.Т., Старченков Б.К., Андреева Л.П. 0 миграционной поляризации в диэлектриках и полупроводниках. Изв.ВУЗОВ

86. СССР. Физика, 1970, № 5, 13-16.

87. Паникарская В.Д., Тшценко В.Т., Лисецкий Л.Н. Влияние не-мезогенных добавок на селективное отражение холестерических систем. Журн.физ.химии, 1980, т54, № 5, II47-II50.

88. Романец Р.Г., Бобыль В.Г., Дикарев Б.Н. 0 некоторых общих закономерностях темновых токов в твердых и жидких полупроводниках в постоянном электрическом поле. УФЖ, 1975, т20, в8,1.39-1341.

89. Сабуров Б.С., Бабаев A.C., Стафеев В.И. Анизотропия электрических параметров ЭББА. В кн.: Тезисы доклЛУ Межд. Конф. соц.стран по жидким кристаллам, Тбилиси, 5-8 октября 1981г. Тбилиси, 1981, т1, 86-87.

90. Самодурова И.Д., Сонин A.C. Динамическое рассеяние и концентрация рассеивающих центров в нематическом П-азоксиани-золе. ФТТ, 1974, т16, в1, 225-227.

91. Самодурова И.Д., Сонин A.C. Распределение масштабов турбулентности в нематических жидких кристаллах, найденное методом малоуглового рассеяния света. Оптика и спектроскопия, 1975, т38, в5, 980-932.

92. Старченков Б.К. К теории поляризации в неорганических диэлектриках. В кн.: Труды Рязанского радиотехн.ин-та. 1968, в13, 23-29.

93. Старченков Б.К. К теории переходных процессов в неорганических диэлектриках. В кн.: Труды Рязанского радиотехн.ин-та, 1968, в13, 30-34.

94. Сугаков В.И., Шияновский C.B. Фазовые превращения в ограниченных жидких кристаллах. Укр.физ.журнал, 1977, т22, № 9, 1439-1447.

95. Султанов Ф.К., Чирков В.Н., Гуссейнов Б.А. Особенности электрических и оптических свойств контакта фотопроводник -жидкий кристалл. В кн.: Тезисы докл. IУ Межд.конф.соц.стран по Ж, Тбилиси, 5-8 октября 1981г. Тбилиси, 1981, т.Д,., 312-313.

96. Тиман Б.Л. Эстафетный механизм переноса заряда в системе "металл-диэлектрик-металл" при инжекции носителей. ФТП, 1973, т7, в2, 225-229.

97. Тиман Б.Л., Гершун A.C. Нестационарные процессы, протекающие в системе металл-диэлектрик-металл в постоянном электрическом поле. ФТТ, 1968, т2, в4, 488-491.

98. Тиман Б.Л., Карпова А.П. Постоянство заряда в точках минимума темнового тока в высокоомных кристаллах Cd $• ФТТ,1970, т12, в5, 1554-1556.

99. Тиман Б.Л., Карпова А.П. Экспериментальное изучение эстафетного механизма протекания тока в системе металл-диэлектрик-металл. ФТП, 1973, т7, вЯ, 230-235.

100. Уразовский С.С., Каневская З.М. 0 температурной зависимости электропроводности расплавов некоторых полиморфных веществ.-Укр.хим.журнал, 1961, т27, № 3, 296-302.

101. Хейлмейер Дж.Н., Занони А., Бартон А. Динамическое рассеяние. Новый электрооптический эффект в определенных классах кристаллов. ТИИЭР, 1968, т56, № 7, 24-34.

102. Цветков В.А., Морозов H.A., Вистинь Л.К. Оптическая активность и электрооптические свойства жидких кристаллов с закруценной структурой. Кристаллография, 1974, т!9, в2, 305-308,

103. Чайковский В.И., Кузнецов В.С., Макаров Б.Н. и др. Калориметрическое изучение фазовых переходов в жидкокристаллических веществах. В кн.: Тезисы докл. 1У межд.Конф.соц.стран по ЖК, Тбилиси, 5-8.X.1981г. Тбилиси, 1981, т1, 374-375.

104. Чигринов В.Г. Ориентационные эффекты в нематических жидких кристаллах в электрических и магнитных полях. Кристаллография, 1982, т27, в2, 404-430.

105. Чистяков И.Г. Жидкие кристаллы (обзор). Кристаллография, 1960, т5, вб, 962-976.

106. Чистяков И.Г. Жидкие кристаллы. УФН, 1966, т89, № 4, 563602.

107. Чистяков И.Г., Вистинь Л.К. Фазовые переходы в жидких кристаллах, индуцированные электрическим полем. Кристаллография, 1973, т18, в4, 873-875.

108. Чувыров А.Н. Об особенностях электрооптического эффекта нематических жидких кристаллов. ФТТ, 1974, т16, в2, 321-327.

109. Шувалов И.В. Температурная зависимость электропроводности жидкокристаллических веществ холестерического типа. В кн.: Ученые записки Иванов.гос.пед.института, Иваново, 1972,т99, 95-100.

110. Barnik M.I. , Blinov L.M., Grebenkin M.P., Trufanov A.N. Dielectric regime of electrohydrodynamic instability in nema-tic liqquid crystals. Mol. Cryst. and Liquid Cryst., 1976, 37, N 1-4, 47-56.

111. Bassler H., Mayer Р., Richle N. Nuchweis der Volumen-Ionisation in organischen Plüssigkeiten. Z. Naturforsch, 1965,20 a, N 3, 394-400.

112. Bassler H., Riehl N. On the activation energy of the de conductivity of organic liquids. Phys. Lett., 1964, 12, N 2, 101-102.

113. Bodegom E., Coelho R., Gallagher T.J. Thickness dependence of the conductivity in P.C.B. liquid crystal. Rev. Phys. Appl. , 1978, J3, N 9, 427-431.

114. Bornmann J.A. Semiconductivity of naphtalene. J. Chem. Phys., 1962, 36, N 2, 1681-1692.

115. Briere G., Gaspard P., Herino R. Ionic residual conduction in the isotropic phase of a nematic liquid crystal. Chem. Phys. Lett., 1971, v9, N 4, 285-288.

116. Brown G.P., Aftergut S. Effect of purification on the semi-conduction of imidasole. J. Chem. Phys., 1963, 38, IT 6, 1356-1359.

117. Carr E.F. Anomalous alignment in the smectic phase of a liquid crystal owing to an electric field. Phys. Rev. Lett., 1970, v 24, 807-809.

118. Channin D.J. Liquid-Crystal Technique for Observing Integra-ted-Circuit Operation. IEE Trans. Electron Devices, 1974, ED-21, N 10, 650-652.

119. Chang R. The anisotropic electrical conductivity of MBBA containing alkyl aramonium-halides. Liq. Cryst. and Order Fluids, New-York-London, 1974, v2, 367-381.

120. Chang R. Richardson J.M. The anisotropic electrical conductivity of MBBA, containing tetrabutyl-ammonium tetra-phenyl-"boride. Mol. Cryst. and Liquid Cryst., 1974, 28, N 1-2, 189-200.

121. Charman Т.е., Wintle H.J. Dielectric absorption currents and surface charge on polymeric insulators. J. Appl. Phys., 1980, 51, N 9, 4898-4904.

122. Chond P., Inuiski Y. Conductivity induced by injected electrons in liquid dielectrics. Electrotechn. J. Japan, 1962, 7, N 4, 153-156.

123. Cummins P.G., Dunmur D.A., Jessup N.E. The dielectric properties of nematic MBBA in the presence of electric and magnetic fields. Liquid Cryst. and Order Fluids. New-York-London, 1974, v2, 341-350.

124. Das-Gupta D.K., Doughtu K., Brockley R.S. Charging and discharging in polyvinylidene fluoride. J. Phys. D: Appl. Phys., 1980, 13, N 11, 2101-2114.

125. Derfel G., Lipinski A. Charge carrier mobility measurements in nematic liquid crystals. In: Proceedings of the Third L.C. Conference of the Socialist Countries, Budapest, 27-31 August 1979, Budapest, Pergamon Press, 1980, 603-610.

126. Derfel G., Lipinski A., Mysielski W. Charge carrier Mobility measurements in Some Nematic Mixtures. Acta Phys. Pol., 1979, A 55, N 7, 107-109.

127. Derzhanski A.I., Grigorov L., Tenchov B. Ac conductivity of liquid crystal in electric and magnetic fields. Comptes rendus de l'Academie bulgare des Sciences. Sofia, 1972, v 25, N 2, 190-195.

128. Dir G., Adams J. Haas W. Conductivity differences in the cholesteric textures. Liq. Cryst. and Order Fluids, New-York -London, 1974, v2, 3016-3024.