Исследование пространственного рапределения радиационных дефектов в монокристаллах W, Mo, Nb, Al и Si методом обратного рассеяния протонов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§ 1.1. Радиационные дефекты в твердых телах общие сведения)

§ 1.2. Основы теории ориентационных эффектов заряженных частиц на монокристаллах и их применение к исследованию радиационных дефектов . 1?

1.2.1. Определение местоположения примесных атомов и атомов собственного внедрения в кристаллической решетке монокристалла.2?

1.2.2. Изучение концентрации и пространственного распределения радиационных дефектов в монокристаллах

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1. Конструкция и принцип работы экспериментальных установок

2.1.1. Установка для исследования эффекта блокировки

2.1.2. Принцип работы установки для изучения эффекта каналирования.Щ

§ 2.2. Геометрия эксперимента.

§ 2.3. Материалы исследования и условия облучения.

§ 2.4. Обработка результатов эксперимента.

ГЛАВА Ш. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

§ 3.1. Исследование монокристаллов вольфрама,молибдена, ниобия, алюминия и кремния, облученных ионами гелия и водорода

3.1.1. Изучение параметров эффекта блокировки на монокристалле вольфрама

3.1.2. Пространственное распределение радиационных дефектов в монокристаллах вольфрама, молибдена, ниобия и алюминия, имплантированных ионами гелия и водорода.$

§ 3.2. Исследование профилей распределения радиационных дефектов по глубине и кинетики повреждения монокристалла кремния в зависимости от дозы и энергии облучения ионами водорода . .ш

Постоянный интерес к исследованиям структурных состояний облученных материалов обусловлен рядом причин. Во-первых, большое научное значение имеет изучение природы, свойств и характера распределений дефектов, образующихся в результате бомбардировки кристаллов. Во-вторых, радиационные повреждения оказывают существенное влияние на физические и механические свойства материалов.

Особое внимание в последнее время уделяется первому аспекту проблемы, а именно: изучению пространственного распределения радиационных дефектов, отжига последних, определению местоположения смещенных атомов и атомов примесей в кристаллической решетке, кинетики повреждения в процессе облучения, аморфизации и т. д. . Эти вопросы являются фундаментальными вопросами радиационной физики твердого тела.

Следует отметить, что существующие теории пока еще не позволяют однозначно решить ни одну из этих задач. Основной причиной этого, по-видимому, является сложность самого процесса дефектообразования, который зависит не только от энергии и массы бомбардирующих частиц, но и от природы и свойства облучаемых материалов, дозы и плотности имплантируемых ионов, вида и условий поелерадиационной обработки и т.д. В связи с этим, решающее значение при рассмотрении указанных вопросов приобретает эксперимент.

Определенные успехи при изучении радиационных повреждений в кристаллах достигнуты благодаря применению электронной и автоионной микроскопии, а также методов, основанных на анализе изменений физико-механических свойств материалов в процессе облучения.

В последние годы при решении ряда важных задач радиационной физики твердого тела начали широко применяться ядерно-физические методы исследования. Среди них весьма успешным оказался метод обратного рассеяния с применением эффектов каналирования и блокировки заряженных частиц на монокристаллах, известных в литературе под общим названием "ориентационные" эффекты.

Преимуществами данного метода по сравнению с другими методами исследования являются: возможность изучения кинетики повреждения в процессе облучения, анализ дефектов в приповерхностных слоях мишени, чувствительность к любым нарушениям структуры, не-разрушающий характер анализа и др.

Целью настоящей работы является изучение радиационного повреждения в приповерхностных слоях монокристаллов тугоплавких и полупроводниковых материалов в зависимости от дозы и энергии облучения ионами водорода и гелия с помощью ориентационных эффектов.

Для исследования были выбраны монокристаллы вольфрама, молибдена, ниобия, алюминия и кремния, имеющие различную кристаллическую структуру. При этом учитывались следующие факторы:

1) В настоящее время важной проблемой при инженерном освоении термоядерных установок является подбор материалов, особенно для первой стенки вакуумной плазменной камеры - бланкета. Прежде всего, наряду с жаропрочностью, они должны обладать высокой радиационной стойкостью. Так как материалы первой стенки должны работать при температурах до Ю00-1200°С, то наиболее перспективными являются тугоплавкие металлы такие как вольфрам, молибден, ниобий и сплавы полученные на их основе.

2) Кроме тепловой нагрузки материалы первой стенки бланкета подвергаются комплексному воздействию интенсивного потока высокоэнергетических нейтронов, /-квантов, нейтральных атомов, ионов водорода и гелия, постоянно сопровождающие плазму. Причем, наиболее разрушительное действие на поверхность стенки оказьн вают ионы водорода и гелия с энергией от нескольких сот электрон-вольт до сотни килоэлектрон-вольт, в результате которого происходит эрозия, образование блистеров, шелушение и разрушение поверхности первой стенки бланкета со стороны плазмы. В образовании этих явлений, приводящих к существенным изменениям в физико-механических свойствах материалов, важную роль играет количество и пространственное распределение радиационных дефектов в приповерхностных слоях.

Выбор монокристаллов алюминия и кремния для данных исследований был обусловлен рядом причин. Эти материалы имеют большое практическое значение и успешно применяются в различных областях науки и техники. Например, алюминий и его сплавы являются теми конструкционными материалами, без которых не работает ни одна современная установка, действующая в поле ядерного излучения. Кроме того, в последние годы, данный элемент широко используется в качестве сверхпроводящего материала, полученного путем ионной имплантации.

Что касается кремния, то он составляет основу полупроводниковой промышленности, на базе которого создаются новые приборы с заданными свойствами. В настоящее время для получения э.тих приборов, в основном, применяют метод ионного легирования, который обладает несомненным преимуществом по сравнению с традиционными (диффузия, сплавление, легирование расплава и др.) способами введения примесей. С помощью ионной имплантации можно вводить атомы любого элемента в любом количестве, а также следить за чистотой введимых примесей. Однако, процесс легирования сопровождается образованием большого количества радиационных дефектов, которые оказывают заметное влияние на параметры получаемых изделий. Поэтому, дальнейшее развитие метода ионной имплантации и эффективность его практического применения во многом зависит от знания характера распределения имплантируемых ионов и радиационных дефектов, образующихся при этом, отжига последних, местоположения смешенных атомов и атомов примесей в кристаллической решетке.

Таким образом, актуальность поставленной задачи обусловлена как практическим применением указанных элементов, так и необходимостью получения подробнейшей информации о состоянии веществ после облучения, а также отсутствием сведений о характере повреждения в приповерхностных слоях монокристаллов вольфрама, молибдена, ниобия, алюминия и кремния, возникающего в процессе бомбардировки ионами водорода и гелия в интервале энергий (504-150) кэВ.

Первая глава работы посвящена описанию теории ориента-ционных эффектов заряженных частиц на монокристаллах, краткому обзору современного состояния изучения радиационной повреждаемости материалов, а также анализу возможностей применения эффектов каналирования и блокировки для исследования количества и пространственного распределения радиационных дефектов в монокристаллах.

Во второй главе описаны конструкция и метод работы экспериментальных установок, созданных для исследований в области радиационной физики твердого тела с применением ориентационных эффектов заряженных частиц на монокристаллах, а также методика эксперимента и обработки результатов.

В третьей главе представлены результаты исследований монокристаллов вольфрама, молибдена, ниобия, алюминия и кремния, данные о характере распределения радиационных дефектов вдоль основных кристаллографических направлений монокристаллов в зависимости от энергии и дозы облучения ионами водорода и гелия. Кроме того приводятся результаты исследования (эффекта "тени"о^ блокировка )частиц вокруг кристаллографического направления <11р монокристалла вольфрама, в зависимости от глубины проникновения протонов в монокристалл в интервале энергий (2,5-5-5,5) МэВ.

Впервые исследованы угловые и энергетические распределения обратнорассеянных частиц в окрестности оси <Ш> монокристалла вольфрама при начальной энергии падающих протонов 2,5; 4; 5 и 5,5 МэВ. Изучены изменения полуширины углового распребины проникновения протонов для указанных энергий.

Получены профили распределения, образующихся в процессе облучения ионами гелия-3 с энергией 50 и 100 кэВ, радиационных дефектов по глубине вдоль основных кристаллографических направлений монокристаллов молибдена, вольфрама, ниобия. Показано, что дефекты, возникающие при имплантации монокристаллов молибдена и вольфрама ионами гелия-3 с энергией 100 кэВ, не занимают какого-либо преимущественного положения в кристаллографической решетке и распределены по объему кристалла более-менее равномерно.

Впервые исследованы и детально проанализированы профили распределения радиационных дефектов по глубине вдоль кристаллографических направлений <113> монокристалла вольфрама и <Ш> монокристалла алюминия, имплантированных ионами водорода с энергией 50-г -гТОО кэВ в широком интервале доз облучения. Показано, что независимо от энергии падающих ионов, центры тяжести максимумов концентрации дефектов смещены в среднем на 10*15$ к поверхности образца по сравнению с глубиной залегания максимр/га концентра

Научная новизна деления величины минимального ции имплантированных ионов водорода.

Получены профили распределения радиационных дефектов по глубине вдоль кристаллографических направлений <Ш> и <П0> монокристалла кремния, облученного ионами водорода в интервале 1016-*1,6-1018Н+ см~2 с энергией 50*150 кэВ.

При дозах 1016*5,7«1017Н+ см"2 центры тяжестей максимумов концентрации радиационных дефектов смещены к поверхности образца в среднем на 18% по сравнению с центрами тяжести кривых распределения имплантированных ионов водорода. Показано, что в данном интервале доз облучения дефекты, образующиеся при имплантации ионов водорода с энергией 75 и 100 кэВ»не занимают какого-либо преимущественного положения в кристаллической решетке и распределены равномерно по объему кристалла.

Впервые получены значения критических доз внутренной аморфизации монокристалла кремния при облучении ионами водорода с энергией 50; 100 и 150 кэВ и предложен новый метод восстановления профилей распределения имплантированных ионов водорода при концентрации последнего выше 10^Н+. см"2.

Автор защищает

1. Результаты исследования углового и энергетического распределения обратнорассеянных частиц в окрестности оси<111) монокристалла вольфрама при начальной энергии падающих протонов 2,5; 4; 5 и 5,5 МэВ, а также экспериментальные данные о характере изменения распределения в зависимости от глубины проникновения протонов для перечисленных энергий.

2. Результаты изучения пространственного распределения радиационных дефектов, образующихся в процессе облучения ионами гелия-3 с энергией 50 и 100 кэВ при дозе 5»10*%+.см~2 по глубине, вдоль кристаллографических направлений <111>£Ю0> и <П0> для монокристалла молибдена, <Ш>, <110> для монокристалла вольфрама и длййнокристалла ниобия, сведения о концентрации дефектов и их положении в кристаллографической решетке.

3. Результаты исследования распределения радиационных дефектов по глубине вдоль кристаллографических направлений <Е00>, <ЕП> монокристаллов вольфрама и алюминия в интервале доз облучения Н+. ионами водорода с энергией 50, 75, 85 и 100 кэВ; информацию о числе смещений в расчете на один падающий ион, а также зависимость суммарной концентрации радиационных дефектов от дозы имплантированных ионов для указанных энергий,

4. Результаты исследования распределения радиационных дефектов, образующихся в процессе бомбардировки ионами водороте т п да с энергией 50, 75, 100 кэВ в интервале доз (2*10х *5,7*10х') Н+.см~^, по глубине вдоль кристаллографических направлений <П1> <Г10> монокристалла кремния; сведения о числе смещений в расчете на один падающий ион, информации о суммарной концентрации радиационных дефектов и их зависимости от дозы и энергии облучения ионами водорода.

5. Результаты исследования динамики повреждения монокристалла кремния при бомбардировке ионами водорода с энергией 150 кэВ, в интервале доз (4*101'7+1,6,1018)Н+'См"2; информацию о характере изменения глубинного распределения, перемещения максимума концентрации радиационных дефектов; сведения о величине дозы облучения, при которой в районе остановки бомбардирующих ионов водорода образуется аморфный слой; а также приоритет наблюдения "провалов в энергетических спектрах рассеянных протонов для неориентированного положения монокристалла кремния, связанных с накоплением водорода в образце.

6. Полученные профили распределения имплантированных

Т7 4. —? ионов водорода в кремнии при концентрации 10 Нт.см и более.

7, Конструкцию универсальной экспериментальной установки для исследований в области радиационной физики твердого тела с применением эффектов каналирования и блокировки заряженных частиц на монокристаллах и методику обработки результатов на основе программы разработанной для ЭВМ типа БЭСМ-6, учитывающей форму энергетических спектров обратнорассеянных частиц.

Основные результаты диссертации южно представить в следующем виде:

1. Спроектирована и создана универсальная экспериментальная вакуумная установка с гониометрической головкой, имеющая пять степеней свободы; три вращательных и два поступательных движения.

2. Создана система дистанционного управления для гониометрической головки.

3. Освоена методика и создана программа на языке ФОРТРАН (для ЭВМ БЭСМ-6) для обработки результатов эксперимента.

4. Впервые исследованы угловые и энергетические распределения обратнорассеянных частиц в окрестности оси <Ш> монокристалла вольфрама при начальной энергии протонов 2,5; 4; 5 и 5,5 МэВ. Показано, что модель парного столкновения, разработанная авторами работы /84/ удовлетврительно описывает результаты эксперимента.

5. Изучены изменения полуширины углового распределения и величины минимального выхода (теп ) от глубины проникновения протонов для указанных энергий. Показано, что при малых глубинах значение ( 2 ) независимо от энергии падающих протонов резко падает. В дальнейшем, в отличие от эффекта каналирования /88/ происходит монотонное снижение значения полуширин ( 2 ) с глубиной вплоть до полной остановки частиц. Эти результаты находятся в удовлетврительном согласии с данными расчета на основе решения двумерного кинетического уравнения с учетом изменения энергии "блокированных" частиц при их движении вдоль атомных рядов.

6. Впервые получены профили распределения радиационных дефектов по глубине вдоль основных кристаллографических направлений монокристалла молибдена, вольфрама и ниобия, образующиеся в процессе облучения ионами гелия-3 с энергией 50 и 100 кэВ при дозе б.Ю^^Не/см2 и показано, что полуширины распределения и глубины залегания максимумов концентрации радиационных дефектов мало зависят от кристаллографических направлений монокристаллов и находятся в удовлетворительном согласии с данными расчета /105/.

7. Смещенные атомы, образующиеся при облучении монокристаллов молибдена и вольфрама ионами гелия с энергией 100 кэВ не занимают преимущественных мест в кристаллической решетке и распределены равномерно по всему объему кристаллов.

8. Впервые получены и детально проанализированы профили распределения радиационных дефектов по глубине вдоль кристаллографических направлений <100> монокристалла вольфрама и <1П> монокристалла алюминия, имплантированных ионами водорода с энергией (50-100) кэВ в широком интервале доз облучения.

9. Показано, что глубины залегания максимумов концентрации радиационных дефектов, образующихся при бомбардировке ионами водорода с энергией 50,75,85 и 100 кэВ для указанных монокристаллов смещены в среднем на 10-15$ к поверхности образца по сравнению с центрами тяжести максимумов концентрации имплантированных ионов водорода.

10. Впервые получена кривая зависимости суммарной концентрации дефектов от дозы облучения ионами водорода в интервале энергий (50-5-100) кэВ. Показано, что независимо от энергии падающих ионов насыщение в росте дефектности монокристалла воль

17 + —2 фрама наступает в среднем при дозе 2,5*10 1Г\см .

11. Впервые получены профили распределения радиационных дефектов по глубине в монокристалле кремния, возникающие при бомбардировке ионами водорода с энергией 50, 75, 85, 100 и 150 кэВ для широкого интервала доз облучения.

12. Показано, что независимо от энергии падающих ионов в интервале доз облучения (2'I0I6-f5,7*I0I^)H+.cM~2, центры тяжести максимумов концентрации радиационных дефектов смещены к поверхности образца в среднем на 18% по сравнению с центром тяжести кривых распределения имплантированных ионов водорода.

13. Анализ результатоы, полученных для кристаллографических направлений <III> и <Г10> монокристалла кремния показал, что при имплантации ионов водорода с энергией 75 и 100 кэВ в интервале доз облучения (2*10 *5,7*10 )Н .см , смещенные атомы не занимают преимущественных положений в кристаллической решетке и распределены равномерно по всему объему кристалла.

14. Впервые получены значения критических доз внутренной аморфизации монокристалла кремния при облучении ионами водорода с энергией 50, 100 и 150 кэВ. Показано, что толщина аморфного слоя возрастает с дозой облучения и при 1,6*10^%+.см~^ для ионов водорода с энергией 150 кэВ достигает величину 1,2 мкм, что составляет 80% от проекционного пробега имплантированных ионов водорода для указанной энергии.

15. Впервые для ионов водорода с энергией 50, 100 и 150

Т7 —2 кэВ при дозах облучения выше 10 Н .см на энергетических спектрах рассеянных протонов для неориентированного положения монокристалла, обнаружены провалы, связанные с накоплением водорода в матрице кремния.

16. Предложен метод получения профилей распределения планированных ионов водорода в кремнии при концентрации послед

Т7 -I- 9 него более 10 Н .см .

В заключение автор выражает глубокую признательность своему научному руководителю академику АН КазССР, профессору Ибрагимову ШЛИ. за предоставленную тему и постоянное внимание к работе. Автор благодарен также профессору А.Ф.Тулинову за интерес к работе и предоставленную возможность проведения часть исследований в своей лаборатории, Куликаускаса B.C., за непосредственное участие в измерениях и помощь в обработке результатов. Автор благодарен коллективу циклотрона ШФ АН КазССР и линейного ускорителя НИИЯФ МГУ за обеспечение стабильной работы ускорителей.

-155

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. D.Kaletta, The influence of temperature on the blister behavior of Vanadium and Binary V-Ti-Allays during 200 and 2000 keV Helium irradiation-J. Nucl. Mater., 1976, v.63, p.347-355.

2. J.W.Corbett, R.R.Smith, R.M.Walker. Recovery of electron-Irradiation Copper-Close Pair Recovery-Phys. Rev., 1959, v.114, p.1 452-1459.

3. V/.DeSarbo, D.Turunbull, Kinetics of Vacancy Mo,tion in High-Purity Aluminium-Phys. Rev., 1959, v.115, p.560-563.

4. W.DeSarbo. Colarimetic Studies an Annealig Quenched-In Defects in Gold-Phys. Rev., 1960, v.117, p.444-450.

5. J.Silcax, P.B.Hirsch. Dislacation Loops in neutron-irradiated Copper-Philos. Mag,, 1959, v.4, p.1356-1374.

6. C.Lehmann, G.Leibfriedr Long-Range Channeling Effects in Irradiated Crystals-J, Ap£l. Phys., 1963, v.34, p.2821-2836.

7. C.Erginsoy, H.E#Weyner, W.M.Gibson. Anisotropic energy Loss of Light particles of MeV energies in thin Silicon Single Crystals-Phys.Rev. Lett.,1964, v.13, p.530-534.

8. J.A.Davies, J.Friesen, J.D.McIntyre. Radia-Cheraical technique for Studying range-energy relationships for Heavy Ions of keV energies in Aluminium-Can.J,Chem., 1960, v.38, p.1526-1534.

9. O.Almen, G.Bruce. Sputtering exprlments in the High energy region-Mud. Instrum. Methods, 1961, v.11, p.279-289.

10. E.Acerbi, C.Birattari, B.Candani, M.Costiglioni, D.Dutto, F.к

11. Fait, C.Stlcci. Cannelling and Blocing Phenomena in Thick Crystals Cyclotron Energies-Lettere al Nuovo Cimento, 1969, v.11, p.805-809.

12. E.Bjrfgh, J.A.Davies, K.O.Nielsen» Experimental evidence for the extinction of (P,^) yields in Single Crystals-Phys. Lett., 1964, v.12, p.129-130.

13. M.W.Thompson. Effect of proton channeling of 2,8 MeV on the Cu^(P,n)Zn^Reaction rate in a Single Crystal of Cu-Phys.

14. Rev. Lett., 1964, v.13, p.756-760.

15. Н.Линдхард. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц-УФН, 1969, т.99, с.249-296.

16. Л.Шифф. "Квантовая механика", М.,Из-во ИЛ, 1959, 473 с.

17. А.Ф.Тулинов. Об одном эффекте, сопровождающем ядерные реакции на монокристаллах и о его использовании в различных физических исследованиях-ДАН СССР, 1965, т.162, с.546-548.

18. А.Ф.Тулинов. "Автореферат докторской диссертации", М., МГУ, 1967.

19. G.N.Watson."Theory of Bessel Euctions", England, 1958, 200p.

20. E.B^gh. Defect Studies in Crystals by means of Channeling-Can. J, Phys., 1968, v.46, p.517-525.

21. J.U.Andersen. Axial and Planar dips in reaction yield for energetic ions Lattic-Kgl. Danske Videnselskab Mat.-Fys. Medd 1967, v.36, N7, p.1-26.

22. J.A.Davies, J.Dentartog, J.L.Whitton. Channelid of MeV projectiles in Tungsten and Silicon-Phys. Rev., 1968, v.165» p.345-356.

23. D.S.Gemmell, R.E.Holland. Blocking Effects in the Energence о of Charged Particles from Single Crystals-Phys.Rev. Lett., 1965, v.14, p.945-948.

24. D.Blamchin, I-C.Paizat, J.Remillieux, A.Sarozin. Experimental determination of the energy Loss of protons Channelled Through an Aluminium Single-Crystal-Nucl. Instrum. Methods, 1969, v.70, p.98-102.

25. Г.П.Похил, А.Ф.Тулинов, В.Я.Чумаков. Образование тени от кристаллической плоскости на толстом кристалле- В кн.:"Труды III всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами", М., МГУ, 1972, с.127-133.

26. J.H.Barret. Monte Carlo Channeling Calculations-Phys. Rev., 1971, v.3B, p.1527-1547.

27. J.U.Andersen, E.Uggerh^j. Investigation of the energy and ternperature dependence of the String Effects-Can. J. Phys., 1968, v.46, p.517-525.

28. R.B.Alexander, G.Dearnaley, D.Y.Morgan, J.M.Poate. The interpretation of Channelled ion beam measurements for foreign and Location in Crystals-Phys. Lett., 1970, v.32A, p.365-366.

29. J.U.Andersen, O.Andersen, J.A.Davies, E.Uggarhjój. The Use of Channeling-effect techniques to Looceite in testitial forei-gh atoms in Silicon-Radiat. Eff., 1971, v.7, p.25-30.

30. B.Dameij, G.Fladda, N.G.L.Johonson. Anomalous by High yiel1 ?ds of elasticaly scattered С -ions from Zn, Hf, T1 and Hg atoms implanted into Silicon-Radiat. Eff., 1970, v.6, p.155-160.

31. G.Poti, F.Grasso, R.Qoattrachi, I.P.Quercia, E.Rimini. Electronic and Nuclear Contributions to Dechanneling-Lettere al Nuovo Cimento, 1970, v.4, p.707-710.

32. В.В.Белощицкий, Ю.В.Булгаков, М.А.Кумахов, Ю.В.Рогачев, Фан Чук Лонг. Деканалирование быстрых легких ионов-В кн.:"Труды III всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частицс монокристаллами", М., МГУ", 1972, с.118-126.

33. S.T.Picraux, G.Amsel, L.G.Feldman. Selected Low energy Nuclear reaction-"Catania Warking data a Compilation for Ion Beam Análisis. Using the Methods of Backscattering, Nuclear reaction, X-ray Emission" US, Italy, Seminar, p,.1 -1-75-N.

34. B.Dameij. Crystal Lattice effects in the emission of charged particles from monocrystalline Sources-Nucl. Instrum. Methods, 1965, v.38, p. 207-209.

35. E.UggerMj, J.U.Andersen. Influence of Lattice structure on motion of positrons and electrons through Single Crystals-Can. J. Phys., 1968, v.46, p.543-550.

36. D„S#Gemmell. Channeling and related effects in the motion of Charged particles through Crystals-Rev. of Modern .Phys., 1974, v.46, p.129-227.

37. L.Eriksson, J.A.Davies, U.G.P.Johonsson, J.W.Mayer. Implantation and Annealing Behavior of Group III and V Dopants in Silicon as Studied by Channeling Technique-J. Appl. Phys., 1969, v.40, p.842-854.

38. Дд.Мейер, Л.Эриксон, Дж.Дэвис."Ионное легирование полупроводников", М., из-тво "Мир", 1973, 151 с.

39. P.H.Eisen, E.Uggerh/5j. Experimental investigation of the energy and depth of flux peabing-Radiat. Eff., 1972, v.12, p.233-240.

40. R.B.Alexander, P.T„Callaghan, J.M.Poate. Use of the Channeling Technique and Calculated Angular Distributions to Locate Br Implanted into Pe Single Crystals-Phys. Rev., 1974, v.9B, p.3022-3030.

41. Н.П.Дикий. "Автореферат кандидатской диссертации", г.Харьков, 1979.

42. J^Lindhard, M.Sharff, H.Schiott. Range Concepts and heavy Ion Ranges-Mat.-Fys.Medd.Dan.Selsk., 1963, v.33,N14, p.1-41.

43. J.F.Ziegler, Determination of Lattice Disorder profiles in Crystals by Nuclear Backscattering-J. Appl. Phys., 1972, v.43,p.2973-2981.

44. J.E.Westmoreland, J.W.Mayer, F.H.Eisen, B.Welch. Production and annealig of Lattice disorder in Silicon by 200 keV boron IonsAppl. Phys. Lett., 1969, v.15, p.308-310.

45. S.T.Picraux, J.E.Westmoreland, J.W.Mayer, R.R.Hart, O.J.March. Temperature dependence of Lattice disordes created in Si by40 keV Sb Ions-Appl. Phys. Lett., 1969» v.14, p.7-9.

46. J.A.Davies, J.Denhartog, L.Eriksson, J.W,Mayer. Ion implantation of Silicon. I. Atom Location and Lattice disorder by Means of I MeV Helium Ion Scattering-Can. J.Phys., 1967, v.45, p.4053-4071.

47. J.W.Mayer, L.Eriksson, S.T.Picraux, J.A.Davies. Ion implantation of Silicon and Germanium of I MeV Helium Ion Scattering-Can. J. Phys., 1968, v.46, p.663-670.

48. D.A.Marsden, G.R.Bellavance, J.A.Davies, M.Martini, P.Sigmund. The Energy Dependence of Lattice disorder in Ion-Implanted Si-licon-Phys. Stat. Sol., 1969, v.35, p.269-275.

49. В.В.Белощицкий, Г.А.Гуманский, М.А.Кумахов, И.С.Ташлыков. К интерпретации экспериментов по определению числа радиационных дефектов методом обратного рассеяния каналированных ионов- ДАН СССР, 1974, т.217, с.1277-1280.

50. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.^брагимов. Установка для исследования эффекта каналирования-Известия АН Каз.ССР, серия физ.-мат., 1974, №6, с.23-29.

51. В.Джазаиров-Кахраманов, Г.Т.Ждан, Ш.Ш.Ибрагимов. Экспериментальная установка с дистанционным управлением для изучения ориентационных эффектов заряженных частиц на монокристаллах

52. В кн.: "Труды У1 веесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами", М., МГУ, 1975, с.474-482.

53. Г.Д.Ведьманов, Н.Ф.Нешов. Схема мониторирования пучка частиц циклического ускорителя- В кн.: "Труды У всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами",1. М., МГУ, 1975,.с.461-465.

54. В.С.Полилов, И.К.Зайцев. " Электротравление и электрополирование металлографических шлифов", Москва, Гостехиздат, 1964, 160 с.

55. D.V.Morgen, D.VanVliet. The Computer Simulation and classicalinterperation on fast ion emission profiles near planes-Radi-at. Eff., 1970, v.5, p.157-160.

56. К.А.Комар. "Ускорители", M., Атомиздат, 1972, 360с.

57. E.I.Sirotinin, A.F.Tulinov, A.Fiderkevich and K.S.Shishkin. The determination of energy Losses from spectrum of particles scattered by a thick target-Radiat. Eff., 1972, v.15, p.149-154#

58. R.Behrich, B.M.U.Scherzer. Rutherfordbackscattering as a tool to determine electronic Stopping powers in Solids-Thin Solid Films, 1973, v.19, p.247-257.

59. C.Ellegaard, N.O.Lassen. Streng Effect With 5 MsV protons and 20 MeV alpha particles on Bismuth-Kgl.Danske Vidensk. Selskab. Mat.-Fys. Medd., 1967, v,35, N16, p.1-16.

60. H.E.Jack. Same general features of random elastic Scattering spectra-Thin Solid Films, 1973, v.19, p.267-271.

61. F.Fujimoto, K.Kamaki, H.Nakayama, M.Ichii. Temperature and Energy Dependences of Axial Channeling of protons in Silicon Crys-tals-Phys. Stat. Sol., 1971, v.6A, p.623-633.

62. A.S.Rudnew", K.S.Shyskin, E.I.Sirotinin, A.F.Tulinov. The determination of energy Losses of Channelled particls from the Back-scattering spectra-Radiat.Eff1974, v.22, p.29-33.

63. Г.П.Похил, А.Ф.Туликов. О форме плоскостной тени б случае рас- ■ сеяния частиц на толстом монокристалле-ФТТ, 1972, т.14, с.1927-1932.

64. В.В.Белощицкий, М.А.Кумахов. Многократное рассеяние каналиро-ванных ионов в кристалле-ЖЭТФ, 1972, т.62, с.1144-1155.

65. J.U.Andersen, L.C.Peldman. Comparison of Averge-potetial Models and Binary. Collision Models of Axial Channeling and Bloc-king-Phys. Rev. B, Solid State, 1970, v.1, p.2063-2069.

66. M.R.Altman, L.C.Peldman, W.M.Gibson. Determination of Channeling probability from Transmitted-Particle Energy Spectra- Phys Rev. Lett., 1970, v.24, p.464-468.

67. А.Ф.Тулинов. Влияние кристаллической решетки-на некоторые атомные и ядерные процессы-УФН, 1965, т.87, вып.с.585-598.

68. М.А.Кумахов, В.А.Муралев, В.И.Телегин. Двумерное кинетическое уравнение при исследовании каналирования- В кн.:"Труды У всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц смонокристаллами", М., ЖУ, 1974, с.41-44.

69. D.V.Morgan, D.VanVliet. Critical approach distances and Critical angles for Channelig-Radiat. Eff., 1971, v.8, p.51-61 .

70. M.Kaminsky, S.K.Das. Blistering of pollycrystalline and monocrystalline Niobim-Radiat. Eff,, 1973, v.18, p.245-250.1 A

71. Ji.А.Казак. "Автореферат кандидатской диссертации" г.Свердловск, 1977.

72. W.Bauer, G.J.Thomas. Helium and Hydrogen re-emission during implantation of molybdenum, Vanadium and Stainless Steel-J. Nuol. Mater., 1974, v.53, p.127-133.

73. Д.Калетта. Имплантация ионов легких элементов в металлы- В сб.: "Ионные имплантации в полупроводники и другие материалы", М.,1980, с.269-304.

74. J.K.Erents, G.M.McCracton. Trapping and re-emission of fast deu terium ions from Ni-J. Phys., 1969, D2 , p.1397-1405.

75. M.Kaminsky. Surface effects in fusion device operation- В КН.:; „ Труды УН международной конференции по атомным столкновниямв твердых телах", М., МГУ, 1980, т.2, с.294-305.

76. P.P.Proriko, J.B^ttiger, J.A.Davies, J.B.Mitchell. Backscatter-ing Analysis of Ion Bombardment Damage in ЖЬ- Radiat» Eff,, 1974, v.21, p,25-30.

77. В.Джазаиров-Кахраманов, Л.И.Иванов, В.С.Куликаускас, H.A.Max-лин, А.Ф.Тулинов. Радиационные дефекты в монокристаллах Мо, VV и , облученных ионами гелия-3 с энергией 50-100 кэВ

78. В кн.:"Тезисы докладов IX всесоюзного совещания по физике вза-имоднйствия заряженных частиц с кристаллами", М, МГУ, 1978, с.51.

79. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.Ибрагимов. Изучение радиационной повреждаемости монокристаллов Мо, \Л/ и S/f) методом обратного рассеяния протонов- Известия АН Каз.ССР, серия физ.-мат., 1980, №6, с.70-76.

80. H.H.Andersen, J.F.Ziegler. "Stopping and Ranges of Ions in Mater", New York, 1977, part 2.106. м.Томпсон. "Дефекты и радиационные повреждения в металлах", М.,

81. Изд.-во, "Наука", 1971, 367 с.

82. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.Ибрагимов. Применение метода обратного рассеяния протонов к исследованию монокристалла вольфрама, облученного ионами водорода-В кн.¡"Радиационные дефекты в металлах", г.Алма-Ата, Изд-во "Наука" Каз.ССР, с.63-70.

83. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.Ибрагимов. Радиационные дефекты в вольфраме, рблученном ионами водорода с энергией 100 кэВ-В кн.:"Тезисы докладов XI всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", М., МГУ, 1981, с.143.

84. В.Smith. "Ion Implantation Range data for and Germanium device technologies", England, Harwell, Oxford, 1977.

85. В.L.Crowder, R.S.Title. The Distribution of damage produced by ion implantation of Silicon of room temperature-Radiat.1. Eff., 1970, v.6, p.63-70.

86. В.В.Ганн.и др. "Атлас по стандартным профилям пространственного распределения повреждений в металлах", г.Харьков, ХФТИ, 1977.

87. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.Ибрагимов. Распределение радиационных дефектов в алюминии, облученном ионами водорода с энергией 85 кэВ- Известия АН Каз.ССР, серия физ.-мат., 1981, №4, с.62-68.

88. J.Р.Gibbons, W.S.Jonson."Projected Range Statistics", Stras-burg-Pannsylvances, 1975» part I,

89. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.Ибрагимов. Профили радиационных дефектов в кремнии, облученном ионами водорода с энергией 50 кэВ- В кн. :"-Тезисы докладов XI всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", М., МГУ, с.142.

90. В.Н.Гоштольд, Н.Н.Герасименко, А.В.Двуреченский, Л.С.Смирнов. Профили дефектов при имплантации ионов в кремний- ФТП, 1975, т.9, вып.5, с.835-839.

91. П.Б.Придачин, Л.С.Смирнов. Особенности накопления радиацин-ных дефектов при бомбардировке кристаллов ионами- ФТТ, 1971, т.5, с.166-167.

92. A.I.Gerasimov, E.I.Zorin, P.V.Pavlov, D.I.Tetelbaum. On the peculiarities of Silicon Amorphization at ion bombardment-Phys. Stat. Sol., 1972, V.12A, p.679-685.

93. И.А.Аброян, А.И.Титов. Распределение дефектов по глубине при облучении легкими ионами- В кн.:"Труды второго советско-американского семинара по ионной имплантации", г.Новосибирск, 1979, с.335-340.

94. W.K.Chu, R.H.Kastl, R.Р.Lever, S.Mader and B.J.Masters. Distribution of irradiation damage in Silicon bombarued with hydrogen-Phys. Rev., 1978, V.16B, p.3851-3859.

95. R.A.Langly. Stady of the response of Silicon-barrier detectors to protons and d-particles-Nucl. Instrum. Methods, v.113, p.109-112.

96. Е.И.Зорин и др. "Ионное легирование полупроводников", М., 1975, 160 с.

97. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.Ибрагимов. Исследование процесса аморфизации монокристалла кремния, методом обратного рассеяния протонов- Известия АН Каз.ССР, серия физ.-мат., 1983, №2, с.1-4.

98. R.L.Kleinhens, Y.A.Lex, W.A.Wingh, P.M.Mconney, A.Jowwrowski, L.M.Roth, J.G.Corelli, J.W.Corbett. Studies of the States of Hydrogen in Silicon- "Proc. Inter. Conf. on Defects and Rad. Effects in Silicon", Nice, 1978, p.11

99. В.Джазаиров-Кахраманов, Ш.Ш.Ибрагимов. Использование неориентированного спектра монокристаллов к определению профилей распределения имплантированных ионов- В кн.:"Радиационные дефекты вметаллах", г.Алма-Ата, 1984, с.52-56.