Исследование процессов перемагничивания двухслойных FeNiCo/CoW и трехслойных FeNiCo/Fe/FeNiCo пленок тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

ГОСКОМИТЕТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО ВЫСШЕМУ ОБРАЗОВАНИЮ 1РКУтШ11Й ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

1 3 ИЮН 1995

На правах рукописи УДК 538.245; 539.216.2.

КОШКИНА ОЛЬГА «АЛЕРЬЕВНА

ИССЛВДОПДНИЕПРОЦЁССОЬ ПЕРЕМЛПШ'ШВАШ!Л ДВУХСЛОЙНЫХ 1<еМ1Со/СоУУ И ТРЕХСЛОГП1ЫХ ¿сКчСо/Та/ГеМСя И Л С!К)1{

АВТОРЕФЕРАТ диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук 0i.04.ll - физика магнитных явлений

Иркутск -1995

Работа выполнена в проблемной лаборатории физики магнитных явлений при Иркутском государственном педагогическом институте

КнмП.Д. (г. Красноярск) ■

Захаров Ю.В. (г. Красноярск) "

Ведущая организация: Институт металлофизики НАН Украины Защита состоится " " 1995 г. в часов

на заседании специализированного совета Д002.67.02 при Институте физики им. Л.В.Киреиского СО РАН по адресу: 660036, Красноярск, Академгородок, Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Институте физики им. Л.В.Киренского СО РАН-

Автореферат разослан ММ 1995 г. -

©

Ученый секретарь специализированного совета Ц 002.67.02

доктор физико-математических наук ^^^гл^ф^^^г Вальков В.В.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

кандидат физико-математических наук

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы:

Интерес к изучению природы взаимодействия между слоями В многослойных магнитных пленках вызван их широким применением в запоминающих устройствах, мапшторезистивных датчиках » магнитных головках. По сравнению с однослойными многослойные пленки являются более сложным физическим объектом, так как имеют значительно больше вариантов комбинаций магнитных Параметров слоен. Это позволяет не только в широких пределах изменять известные свойства пленок , но и получать новые, не присущие однослойным образцам, свойства. В связи с этим возникает потребность н проведении физических исследований для выявления природы взаимодействии между слоями и его влияния па поведение пленок во внешних магнитных полях.

Область исследований двухслойных пленок ранее определялась в основном их техническим применением в устройствах памяти (ферритовых сердечниках). Эго вызывало концентрацию усилий на изучении процессов вращения намэптчйшостн п ннзкокоэрцигивных слоях. Исследования структуры • и смещения доменных границ в двухслойных 'пленках не носили систематического характера и касались в основном проверки теоретических моделей структуры границ. При этом, как показал проведенный анализ научной литературы, большинство исследований проводились на низкокоэрцитивных пермаллоевых (Ге№) пленках, обладающих невысокими значениями поля одноосной анизотропии. Такие вопросы, как процессы перемапшчиваиия двухслойных пленок с резко различающимися параметрами слоев, взаимодействие движущейся доменной границы одного слоя с другим слоем, влияние изменяющейся в процессе

перемагничиваиия магнитной структуры одного ' споц (ia _ процесс перемагничивания другого слоя, оставались слабо изученными. Однако именно эти вопросы в последнее время становятся актуальны«!! в азази с применением двухслойных пленок в запоминающих устройствах (ЗУ «а плоских магнитных доменах) и в ыагниторезистивных элементах.

В устройствах памяти.на плоских магнитных доменах для осуществление направленного продвижения доменов ¡1 повышения их устойчивости к . самопроизвольному стирашнр на шикокоэрцитирную пленку наносится высококоэрцитнвныГ! слой. Материалом для шркокозрштншого слоя евляетса FeNiCo сплав, который по сражению с FeNi сдоаром имеет белее высокое значение поля одноосной анизотропии, что в свою очередь позволяет достичь больших величин скорости движения дешенны? граадщ. Материал»» для высококоэрцнтивного слоя аадяется CoW сплав. Такоу способ* позышеаиа коэрцитивной силы магн!(томагкого •. слил вызывает необходимость, р исследовании механизма взаимодействия чету' цагиитсасестким и. магнитомягким слоями. ■ , .

В магниторезмстивнш элемента* для осуществления иного'расирсдсяашя намагниченности в слоях используется магнитостатическа« саязь форми или связь через РККИ-обмсиное взаимодействие,' ярмейдящзя' к аитапаралвальней • ориентации намагниченности в слоях (отрицательная связь). При згегг существования взаимодвйртсия между сяззмч, стрзмядагеся к устанослешно параялельирй ориентации ыздапшчюшастн а ;<нх (^1игяэй«тиа.асй ' сыли}, нежелательно. Однэдо пэдиэтр ■ -У^тцаинтя г.эжъитсъыю/} ¡сыт из-за дальноденстина мапйггсст(да1'}с«г;5к яадзй дгермь в«»$ий»80, что смзыраст •¡:зобхаднмогть учета ее rÄismp и» карц'.'гтер njsoasw»? Пч^смогвичиоакиг ыапшторездетивных зг»г«?!1тсЕ. .

»

Йрименение многослойной технологии позволяет, используя различные комби-яеиш) слоев со стандартными параметрами, достаточно просто получать образцы с Необходимыми свойствами. При этом многослойные образцы обладают мегнптиыми параметрами, находящимися в более сложной зависимости от параметров слоев, чем простое их усреднение.

Цок !) заяп'!11 исследования.

Цель настоящей работы состояла в изучении природы взаимодействия высо-коюэрцитиЬного CoW и шпкохоэрцитивного FeNiCo слоги, а также двух Низ-ксяоэрШгМимшх FeNiCo слоев, разделенных промежуточным слоем, н плмми»-: этого ззакмодейсшияну осуществление процессов псрсмагцнчмвгншя и данных нленках. Для достижения поставленной цели 'были сформулированы и psufeilu следующие задачи:

- изучить Процессы перейагиячльштя двухслойных FeNrCo/CoW пленок и зависимости "от содержанием вольфрама в высококозрцитнвном CoW слое;

- установить влияние толщины высоко(соэрцптивно+о-Со\У Слоя на динамику дшженля доменных границ в FeNiCo слое: • • . . . '

- «¡сслеДооать природу магнитостатического взаимодействия в двухслойных F' Ni'Co пленке х с иемагапткымй нромежуго'тыйи.сяоямн.

1 'ауп т копчзна. •

/¿сторон» ^следтезпь'еззикюдеистоие .\(е;кду Ьлоями FeNiCo и. CoW и двумя Fe/HCo слоя?.;;!, а также era влияние на'процессы перемагнкчиваиня. В результате: *

- показа;:», что между слоями FeNiCo и CoW в пленке преобладает магнито-етатtivetxoe взаимодействие. Оно обусловлено существозат/ем в высококозрии-тивйой СаЛУ слое магнитных иеоднородностей из-за областей с разными магнитными фазами.. Мапигтос+атическое взаимодействие приводит к смещению

петли гистерезиса и к повышению коэрцитивной силы РеМЮо слоя. Предложено объяснение зависимости величины смещения петли гистерезиса по оси полей от размеров областей магнитных фаз в Со\У слое. К магннтостатиЧескому взаимодействию также может приводить образование в Со\У пленке и другого вида магнитных неоднородностей - полосовой доменной структуры, возникающей во внешнем магнитном поле;

- установлено, что повышение коэрцитивной силы РеЫЮо слоя происходит и . вследствие взаимодействия полей рассеяния от границы Ре№Со слоя с Со\У слоем. На этом основании объясняется характер зависимости скорости движения доменных границы от величины перемагничнвающего магнитного поля;'

- показано, что сквозная доменная структура, наблюдаемая при квазистатическом перемагннчивании, может отсутствовать в динамике. Увеличение внешнего, магнитного поля приводит к расслоению доменной структуры;

- исследованы процессы иеремапшчивання двухслойных Ре№Со пленок с несквозной доменной структурой. Основное влияние на взаимодействие слоев оказывает магнитостатическое взаимодействие от заряженных доменных границ и проявляется во взаимопроникновении доменов из одного слоя в другой.

На защиту ..выносятся следующие положения и результату:

- экспериментальные результаты исследования процессов перемагннчиаания -двухслойных Ре№£о/Со\У пленок, устанавливающие природу взаимодействия слоев, и модель, объясняющая особенности тетере?целых свойств Ре№Со сдоя в зависимости от содержания вольфрама в вымжокоэ^цитеоном Со\5/ слое;

- экспериментальные результаты исследования перемагничизания высококоэрцитивного Со>№ слоя полями рассеяния от заряженных доменных границ, что по-зроляет оптимизировать .магнитные н геометрические параметры элементов для запоминающих устройств;

- исследования влияния СсМ слоя на динамические свойства доменных границ Ие^Со слоя, позволившие выявить механизм магнитостатического взаимодействия, заключающийся в перемагничиешши участков Со\У слоя полями рассеяния от границ РеМСо сЛоя;

- результаты исследований двухслойных ТеМСо пленок, выявившие возникновение нгсквоэной доменной структуры в процессе перемагничивания и зависимость условий существования сквозной доменной структуры от параметров слоев и внешнего магнитного поля;

- экспериментальное I сслгдовання процесса перехода доменов из одного слоя в другой и предлагаемый механизм этого явления, связанный с неодинаковой скоростью Протекания процессов перемагничивания в разных слоях. Практическая значимость работы

Нгг основе предложенной модели магнитостатического взаимодействия вследствие гетерофазйости одного иэ взаимодействующих слоев получен патент "Способ получения магнптостатическн связанных пленок" (Ы 1822504, 1993 г.). Результаты исследований двухслойных РеМСЬ/СоТУ и РеМСо пленок, разделенных промежуточным слоем, использовались при разработке опытного запоми-нпющеп? устройства на плоских магнитных доменах в НПО. "Импульс" (г. Саякт-Яетербург). Результаты исследований двухслойных РеМСо пленок с не-

скеозиоЯ домелцой структурой могут быть использованы при разработке уст-

о

роЯста чЯ мзгкиторез(5стканых элементах памяти. Апробаякя рмЗоты »

Материалы дпссертацнИ'докладывались и обсузедалнсь на: - Всесоюзпои семинаре "Запоминающие .устройства и элементы вычислительной техники" (Таллин, 1588 г.);

- Всесоюзной школе-семинаре "Новые магнитные материалы для микроэлектроники" (Новгород, 1990 г., Астрахань, 1992 т.);

-XIX Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений (Ташкент, 1991 г., г. Москва, 1994 г.),

- Всесоюзном семинаре по мапшгомнкроэлектронике (Симферополь, 1991 г.);

- Всероссийских координационных совещаниях педвузов по физике магнитных явлений (Иркутск, 1990 г., 1992 г.),

- международной конференции по магнитомикрозлектронике (Красноярск, 1992 г.), '

- международной конференции "INTERMAG" (Стокгольм, 1593г.); -

- международном коллоквиуме "Thin magnetic films and surfaces" (Дюссельдорф, 1994 г.).

Щбщщщщ! . "

По материалам диссертации опубликовано 20 работ. Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав с краткими выводами, заключения и списка цитируемой литературы. Материал диссертации изложен на 105 страницах машинописного текста, содержит 47 рисунков и библиографию с 110 , наимено^ндащ«..

р ICPmWE СОЛ,ТЛ> Ж АШIЕ í'ABOTbJ Во сеедешщ обосдовзда актуальность темы исследования, сформулированы обшая и конкретная задачи работы, указаны основные научные положения и результаты, выносимые на защиту.

В первой главе дан обзор теоретических и экспериментальных работ, посвя-

* • - - . ■

щенных изучению обменного и магнитостатнческого взаимодействий между слоя-

я-

ми в многослойных пленках н влияния этого взаимодействия на процессы пере-

магничивання многослойных пленочных систем.Рассмотрены существующие к моменту начала работы Над диссертацией механизмы обменного и магнитоста-тического Взаимодействий слоев. Из обзора видно, что многослойные пленки являются предметом активных исследований, что обусловлено нх применением в качестве элементов памяти и магниторезистпвных датчиков. При этом в исследованиях принимались во внимание либо магнитостатическое взаимодействие, обусловленное формой элементов, либо обменное взаимодействие между слоями. Влияние других видов магпитостатического взаимодействия на процессы перемагничивания двухслойных пленок не рассматривалось.

Оставались не изученными и пленки с силыю различающимися по коэрцитивной силе слоями, взаимодействие движущейся доменной границы одного слоя с другим, влиянйе изменяющейся в процессе перемагничивания магнитной структуры одного слоя па процесс перемагничивания другого слоя. Эти вопросы оказались актуальными в связи с разработкой запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ЗУ на ГШД) и на магниторезистпвных элементах.

Во второй главе кратко изложена методика получения исследуемых образцов и описаны «методы исследования процессов перемагничивания двухслойных Ре№Со/СоУ/ и двухслойных РеМСо пленок, разделенных промежуточным немагнитным слоем. В качестве ннзкокозрцитивного слоя использовался . 64%Ре21°/э№13%Со слой, па который наносился высококоэрцитивн'ый Со\У слой с меняющимся содержанием вольфрама (0 - 20 % ат. вес.). Для определения влияния содержания вольфрама на структурное \г магнитное состояние CoW слоя использовались экспериментальные результаты электронографического структурно-фазогого анализа однослойных Со\У пленок,

Гпстерезнсные свойства образцов изучались на вибрационном магнитометре. Визуальные наблюдения доменной структуры и доменных границ в двухслойных

V

Ре№Со/Со\У и Ре№Со пленках проводились с помощью магнитооптического эффекта Керра, порошковой техники н электронной микроско-шш.Использование порошкового метода при исследовании двухслойных Ре№Со пленок с промежуточным немагнитным слоем позволило наблюдать одновременно доменные границы обоих слоев. Сочетание используемых экспериментальных методов позволило установить природу взаимодействия слоев и ее влияние на процессы перемагннчнвания двухслойных пленок.

В третьей глазе рассмотрены результаты исследования процессов перемагннчнвания двухслойных Ре№Со/Со\У пленок. Толщвдна ре№Со слоя составляла 60 -80 нм, Со\у слоя - до 40 нм. Коэрцитивная сила Ре№Со слоя до нанесения иа него слоя составляла 2-4 Э, Со1»1/ слоя - зависела от Процентного содержания вольфрама к достигала 400 Э. • .. '

Изучение гистерезисных характеристик, проведенные с помощью вибромагнетометра показали, что петля гистерезиса низкокоэрцитнъного слоя, снятая при нама. ниченном Со\У слое,

оказывается смещенной по оси полей. Величина

, ■ Рис. I. Зхспа>имагталь))пя ависимость смещения зависит от содержания вольфрама шсп.ешы п,С1фгадо1-По оси

полей от содержания иодьфрамв а читак, как показано на рнс.1. Видно, что цйкс(г- сашкозрдапшюмСоВДГ сдое.

мальнаа валичина^смсщения петель гнстёреэнса наблюдается при содержании вольфрама 10%, при содержание вольфрама более Зр% смещение петель гистерезиса не наблюдается..

■' С

Анализ причин таких гистерезисных свойств Ре№Са/Со\У пленок показывает, что ни одна из существующих моделей взаимодействия слоев «е дает полного объяснения изменения густерезисных характеристик с ростом процентного содержания вольфрама. В связи с этим возникла необходимость установления мехзннз-

ма взаимодействия, ответственного за наблюдаемый характер поведения двухслойных пленок.

Рентгеноструктурные исследования Со\У пленок показали, что они являются магнитнонеоднородными. "В Со\У пленках наблюдаются фазы твердого раствора Со\У и Соэ\У, различающиеся по намагниченности насыщения.

Полученные результаты позволяют полагать, что на границах раздела областей с разными , магнитными фазами возникают периодические разрывы намагниченности,-являющиесяисточннком полей рассеяния. Их наличие приводит к магннто-статическон связи между реЫ1Со и Со\У слоями. При этом увеличивается коэрцитивная сила Ре№Со слоя. Конфигурация полей рассеянна зависит от формы и размеров областей магнитных фаз. На рис.2 приведено рассчитанное 0Л1)

е..

для Ре^Со, слоя распределение составляющей поля рассеяния вдоль осн легкого намагничивание. Существующая асимметрия полей рас-

11«

ШШ1. б>

сеяния приводит к смешению петли Р(1с 2 Распредела!1|е

полей рассеяти (б) над маг-ингионеоднородшШ пленкой (а).

гистерезиса при перемагничиванмп . -

FeNiCo слоя.. Проведенные расчеты дают зависимость поля смещения от размеров разнофазных областей, качественно согласующуюся с экспериментальной зависимостью на. рис. I. '

При содержании вольфрама в Со\У слое < 5% коэрцитивная сила Ре№Со слоя меньше поля одноосной анизотропии л перемагничнвание происходит смещением домещшх границ. При Э10М петля гистерезиса Ре№Со слоя является несмещенной по оси полей. Исследования-зависимости скорости V движения доменных границ ре№Со слоя от амплитуды перемагничнвающего поля Н выявили некоторую

И

. особенность, не характерную для однослойных образина: в. двухслойных ГеМ1Со/Со\У пленках дифференциальная подвижность домен-

Рис. 3. Зависимость скоросш .ишжота доменных границ V НЫХ Границ С РОСТОМ ПОЛЯ от внешнего мапштого пиля дня ртмпчиих ииь

ЧеШШ ТОЛЩИНЫ 11ЫСОК0К-)р1иН11П1Ю1'0 CoW СЛОЯ. »- ОДЛОСЛОЙ-мая рсЬЦСо пленки ,х-60им, *-100нм.

Н на начальном участке

зависимости У(Н) возрастает (рис.3). С ростов толщины Со\У Слоя подвижность границ на этом участке уменьшается. Экспериментально было обнаружено, что такой характер зависимости У(Н) связан с перемагничнваннем границей ГеЬПСо слоя иысококозрцит»иного СоУ/ слоя (рис.4). При этом возникают дополнительные потери энергии движущейся границе)!, что приводит к уменьшению ее подвижности. С ростом скорости движения границы время воздействия поля рассеяния на участок Со\\' слоя уменьшается. Когда оно становится соизмеримым со временем перемагничивания, подвижность начинает возрастать.

При разработке конкрет- р"с- '^срсмвпигчинаннс нолями рассеяния от 1уашт > I пнжоко^риитилпого реЫ|Со с:1оя участкои высоко-

коэршм'шшого СоЛ* слоя (;< н Ь - начальное и конеч-• ных технических устройств |,ое положение соответствию).

для создания направленного продвижения информационных доменов в двухслойном массиве Ре№Со/Со\У вытравливают низкокоэрцитивные каналы. После нескольких циклов персмагничнвания ннзкокоэрцитивного слоя возможно пере-

а>

О 41/

О Пг Рг 1 СоУУ

/ / /

■ / I

® ГС, £>, РеЫЮо / Г / /7.7

'/ '/•"/ г/,//////1//

' " * У ' г ! ! / ' Г /

Ь)

о 41/ о м/ о

О г| •

>, /. '

магннчивание высококоэрцнтивного слои полями рассеяния от доменных границ, что необходимо учитывать прн разработке запоминающих устройств. Полученные соотношения позволяют определить магнитные и геометрические параметры слоев, при которых нежелательный эффект может быть устранен.

О четвертой главе представлены результаты исследования двухслойных РеМЮо пленок, разделенных немагнитной прослойкой из Та. Толщина Ре№Со слоев составляла 15-40 нм, прослоек - от 2 до 15 км,

В двухслойных РеМСо пленках основной вклад во взаимодействие слоев вносит магнитостатнческое взаимодействие, осуществляемое различными механизмами. Величина энергии магннтостатнческого взаимодействия между слоями ^ двухслойных образцах определяет наличие как сквозной или несквозной доменной структуры. В зависимости от целен технического применения в пленках необходимо реализовывать то или иное доменное состояние. В связи с этим является важным выявление условий перехода от сквозной к несквознон доменной структуре. ■

Исследования позволили установить, что наличие сквозной или несквозной доменной структуры в двухслойных пленках зависит не только от магнитных н геометрических параметров, но и от величины перемагничиающего ноля. Это приводит к тому, что в образцах, имеющих неступенчатую петлю гистерезиса и сквозную доменную структуру при квазистатнческом перемагничивании, может возникать нескрозная доменная структура в импульсных полях. Подучены условия перехода от сквозной к несквозной доменной структуре, связывающие магнитные и геометрические параметры слоев.

Наблюдения порошковым методом доменной структуры двухслойных Ге№Со пленок с несквозной доменной структурой выявили особенность процессоре пе-ремагничивания, которая заключается А смене механизма смещения доменных

границ вращением намагниченности . Это проявляется в визуально наблюдаемых переходах доменов из одного слоя в другой при движении'зигэагообразных доменных границ (рис. 5). •

-6)

. Рис. 5. а) Порошковая картина поверхийст!! двухслойной Яе№Со шс!/кл с домсмамЛ, Переходящими 1п слоя н слой (более контрастные границы выявляют ф.иищи верхнего слоя, менее контрастные - нижнего с.чо*); 6) схема распределении иама| инченпосш в слоях.

В местах переходов доменов т слоя в слой выявляются 180-градусные спаренные разноименно заряженные доменные гранит» лежашие друг над другом в разных слоях (рис.6).

а) б)

Рис. 6. а) 180-градусная домст1ая таряжеитя Гранина перехода домена )п слоя В с;1ой. 6) На схеме 1 - гратпш верхнего слоя, 2 • 189-градусная заряженная Граница перехода домена.

Г4

Возникновение таких доменных конфигурации происходит в результате зарождения доменов во втором слое вблизи вершин зигзагообразных границ. Это объясняется наличием локальных магнитостатических полей рассеяния от верхушек заряженных доменных границ. Суммарное действие этих полей и внешнего магнитного поля приводит к тому, что в локальной области на участок второго слоя действует поле Н+Нр>Ик, где Нр - поле рассеяния от верхушки зигзагообразного домена, Н - внешнее магнитное поле. Вследствие этого во втором слое происходит процесс вращения намагниченности, сопровождающийся образованием домена. Однако с ростом внешнего магнитного поля процесс переходов доменов из слоя в слон прекращается. Это свидетельствует о том, что условие Н+Ир>Цк является недостаточным для осуществления переходов доменов. Для объяснения наблюдаемого явления необходимо принять во внимание разную зависимость от поля Н скоростей протекания процессов смещения1 доменных границ и вращения намагниченности, происходящих в разных слоях. Более предпочтительным является протекание того процесса, который обеспечивает большую скорость диссипации энергии.

В заключении сформулированы основные результаты диссертационной работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИИ 1. В двухслойных пленках ¡?е№Со/СоУ/ (1-20 ат % V/) основной вклад во взаимодействие слоев вносит магнитостатическое эзаимодействие, обусловленное гете-рофазностью СоАУ слоя и проявляющееся в зависимости величины смещения петли гистерезиса РеЬИСс слоя по оси пйлей от содержания вольфрама в Со]V слое. Предложена модель, объясняющая-обнаруженный эффект влиянием полей рассеяния, образующихся в Со\У сплаве вследствие наличия двух магнитных фаз: твердого раствора Со(№) и Соз^?. Показано, что расчетная 'зависимость смещения

1Ъ

петли гистерезиса от размеров магнитных неоднороднсстен качественно согласуется с экспериментом. . . ' .

2. Установлен механизм, приводящий к повышению коэрцитивной силы смешения

доменных границ магнйтомягкого РеЬЧСо слоя при напь1лени(1 на него магннто-

жесткого Со\У слоя,, заключающийся в перемагянчНБанни магннтожесткого слоя е О

полями рассеяния доменных границ магнйтомягкого слоя.. Это приводит к • уменьшению ее подвижности на начальном участке зависимости скорости V движения доменных границ От внешнего магнитного поля Н- При дальнейшем увеличении поля И происходит рост дифференциальной подвижности с!\'/с1Н границ, чго гпязано с уменьшением времени воздействия ноля рассеяния гратщи-на мап1итажс1.гкнн слой.вследствие роста ее скорости движения.

3. Покачгно, что в диухглонных пленках, имеющих в отсутствии гголя сквозную доменную структуру н неступенчагую петлю гистсрезнса, с ростом амплитуды перемигничнвающего поля может происходить послоИное пгремигинчяаиннс. Получена зависимость условий существования скаозпон доме)гной структуры от магнитных и геометрических параметров слоса.

»

4. Исследованы процессы перемапшчнвания двухслойных 1Ч-Ы!Со пленок, сопровождающиеся визуально, наблюдаемьш;: переходами доменоа из одного слоя к другой. Установлено, что это обусловлено локальными полям)! рассеяния от верхушек доменов одного слоя, которые при суммарном действии с внешним магнитным полей вызывают домеиообразоьзнле в другом слое. При этом необходимо также, чтобы скорость диссипации энергии яри доменообразоЬанни вращением намагниченности б>ыла выше, чем скорость диссипации энергии пленки при смещении доменных границ.

По теме диссертации огтублнжовины следующие работы:

1. Гаврилюк Б.В., Кошкина O.B. Зависимость индукционного сигнала считывания от амплитуды внешнего магнитного поля И 5 Всероссийское координационное совещание ВУЗов по физике магнитных материалов: Тезисы докладов - Астрахань,

а- ■

1989.-С. 74. г .

2. Кошкина О.В., Газрилюк A.B., Гаврилюк Б.В., Семиров A.B. Влияние магнитных неоднородностей- в ферромагнитных пленках на взаимодействие слоев II Физика магнитных материалов; Межвузовский сборник научных трудов

- Иркутск, 1990. - С. 68.

3. Гаврилюк С.В-.Кошкнна О.В. Перемагиичивание двухслойных ферромагнитных пленок с различными значениями коэрцитивной силы слоев // XIX Всесоюзная конференция по физике мзгннтцых язлсинй.-Тезисы докладор-Ташкент, 1931. -4.3-C.17fi. -

4. Гаврилюк 5.В., Кошкина 0.0., Гаррилюк A.B., Иоскоо AJ}. Наблюдение ква-зНграл.иц Нееля » двухслойных FeNiCo пленках II Х[И Всесоюзная школа-семинар "Новые магнитные материалы микроэлектроники": Teïucu докладов

- Астрахань. 1992. - СЛО.

5. Гаврилюк A.B., Гаврилюк Б.В., Кошкина О-В. Способ получения получения магннтоостатически связанных г,менок. Авторское свидетельство,

-N 18 22504.-1993, - '

6. Koshkina О. V., Noskov A.N. InveS{igation of Romain walls in double layer i-'cNiCo films // ?8lh annual conference on magnetism and magnetic materials: Digest of cpnfefeîïce-Mirwaîcta, 1993'. -1\ 17. ■

7. Gavrtly'uk Ö.V., Qjvrllyiik АЛ'.. ЦсиМфц investigation of fnagiie'feaßon reversai process in doable layer FeNjCo/ColV films /ДЕЕЕ Trans.on Маиь. - ISS! г У.29. -N6. - Р.ЗН7.

f?-

8. Гаврилюк Б.В., Кошкина О.В. Исследование процесса возникновения взаимопроникающих из слоя в слой доменных структур в двухслойных ферромагнитных пленках // Физика магнитных материалов: Межвузовский сборник научных трудов -Иркутск, ¡993.- С. 138-141.

ч

9. Gavrilyuk ^g.V., Koshkina O.V. Magnetostatic coupling in mullifayred films // In publish of J.Magn.and Magn.Mat..

Подписано в печать 15 мая 1995 г. Формат 60x84 1/16. Бумага типографская. Печать офсетная. Усл.печ.л. 1,25. Тираж 60 экз. Заказ N_

Редакцнонно-издательскнй отдел Иркутского государственного университета 664000, Иркутск, бульвар Гагарина,36.