Исследование синтеза монокристаллических пленок системы кремний-фосфид галлия в вакууме тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

ГЛАВА I. СВОЙСТВА, ПРИМЕНЕНИЕ И ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ. Ю

§ I. Свойства и использование тонких пленок

GaP (обзор литературы). ю

§ 2. Основные результаты исследований по синтезу пленок фосфида галлия на кремнии, фосфиде галлия и сапфире.

2.1. Методы получения тонких пленок фосфида галлия.

2.2. Условия формирования пленок с заданными свойствами.

2.2.1. Требования к поверхности роста.

2.2.2. Роль остаточной среды.

2.3. Очистка поверхностей подложки и источника перед конденсацией пленок.

§ 3. Обоснование выбора метода синтеза тонких эпитаксиальных пленок и постановка задачи.

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§ I. Особенности технологии метода вакуумной конденсации.

1.1. Техника вакуумной конденсации.

1.2. Условия синтеза пленок фосфида галлия.

1.3. Устройства для нонденсации эпитаксиальных структур на основе GaP} Si » сапфира.

§ 2. Предэпитаксиальная подготовка подложек.

2.1. Выбор материала.

2.2. Подготовка источников и подложек.

2.3. Контроль температуры.

§ 3. Создание рабочих структур.

§ 4. Электронографические, оптические и электрофизические методы измерений параметров исследуемых струн тур.

Интерес к соединениям типа А3В5 обусловлен широними возможностями применения приборных структур на основе этих материалов в микроэлектронике, оптоэлектронике и интегральной оптике. Среди них особо следует выделить фосфид галлия -широкозонный полупроводник, способный излучать в видимой области спектра (от красного до зеленого в зависимости от типа легирующей примеси). Это способствует широкому использованию фосфида галлия при изготовлении светодиодов, для чего нужны толстые эпитаксиальные слои. В приборах интегральной оптики применяются тонкопленочные структуры. Большой электрооптический эффект полупроводниковых соединений А^В^ позволяет считать их перспективными для практического применения и в интегральной оптике.

Основным требованием, предъявляемым к кристаллу в интегральной оптике, является возможность изготовления из него диэлектрического волновода в виде слоя хорошего оптического качества с показателем преломления, большим, чем у подложки и окружающей среды. Это позволяет локализовать излучение в тонкопленочном волноводе. Подходящей структурой для этих целей является фосфид галлия - сапфир (показатели преломления соответственно 3,246 и 1,769 на длине волны % =0,6 мкм). Показатель преломления полупроводников может быть изменен и за счет различия электрических свойств, например, использование высоноомной пленки на подложке п-типа из того же материала. Поэтому структура GaP-GaP также представляет интерес для интегральной оптики. В настоящее время исследуются возможности использования пленок фосфида галлия на Si подложке для изготовления широкозонного эмиттера в гетеропереходных транзисторах, переключающих диодах, датчиках напряжения. Наблюдаемая эффективная инжекция является односторонней - из широкозонного материала в узкозонный и может быть реализована для увеличения коэффициента усиления транзистора. Чувствительность датчиков на диодах с гетеропереходами по выходному напряжению на один-два порядка выше, чем известных датчиков напряжения на пьезосопротивлениях.

Создание приборов и элементов пленочной микро- и опто-электроники связано с разработкой эффективных методов получения монокристаллических слоев. Подходящим технологическим приемом для этого является эпитаксиальное осаждение, поскольку оно позволяет получать наиболее структурно совершенные монокристаллические пленки с заданным типом проводимости и степенью легирования.

Для получения пленок фосфида галлия применяются различные методы: электрохимическое осаждение, газофазная и жидкостная эпитаксия. Особенности этих методов - высокие температуры синтеза ( ~ 800°С), громоздкое и дорогостоящее оборудование (характерная черта метода молекулярной эпитак-сии), наличие большого количества вспомогательных компонентов - тиглей, сложных соединений, растворителей, газов-носителей. Обычно в упомянутых методах реализуются большие скорости роста, что целесообразно для получения толстых слоев. Выращивание пленок при высоких температурах приводит к расширению области диффузионного размытия электрически-активных примесей и, как следствие, - образованию размытых р-п переходов и гетероструктур. Толщина переходного слоя на границе раздела пленка-подложка в зависимости от температуры роста достигает нескольких микрон.

Методы молекулярной и ионно-жидкостной эпитаксии,ионно-кластерное осаждение позволяют снизить температуру выращивания монокристаллических пленок фосфида галлия (до 300 -450°С), что способствует уменьшению толщины переходного слоя пленка-подложка до десятых долей микрона и получению структур с более резкими профилями. Низкие скорости конденсации делают эти методы основными для получения тонких полупроводниковых пленок. Однако техническая реализация этих методов, особенно на производстве, затруднена ввиду сложности и дороговизны. Стремление к управляемости процесса получения тонких монокристаллических пленок путем понижения температуры эпитаксии - очень важная и актуальная задача.

Для решения этой задачи необходимо, в частности, совершенствовать методы предэпитаксиальной очистки поверхности подложек. Следовательно, возрастает как научная, так и практическая важность работ по изучению условий снижения температуры эпитаксиального роста тонких сплошных монокристаллических пленок фосфида галлия на различных подложках (фосфид галлия, сапфир, кремний).

Метод вакуумной конденсации следует считать перспективным при лабораторных исследованиях (он более экономичен по сравнению с молекулярной эпитаксией).

Темой диссертационной работы явилось изучение условий предэпитаксиальной подготовки поверхности кристаллов и синтеза в вакууме тонких монокристаллических пленок фосфида галлия при пониженных температурах. Улучшение качества пленок зависит от быстрой и точной оценки параметров слоев. Поэтому одновременно с изучением условий синтеза ставились задачи и по разработке методов контроля электрофизических параметров получаемых пленок и подложек фосфида галлия.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Разработаны устройства для синтеза тонких (до I мкм) монокристаллических пленок фосфида при пониженных (до 300°С) температурах методом вакуумной конденсации из пара.

2. Предложена методика предэпитаксиальной обработки поверхности подложек ( &аР , Si , сапфир) в вакууме, позволяющая получать сплошные тонкие монокристаллические пленки фосфида галлия.

3. Созданы дрейфовые фотоприемники в диапазоне волн 0,4 * 1,1 мкм с использованием р-п переходов, полученных в результате предэпитаксиальной высокотемпературной обработки кремния.

4. Разработаны и созданы эффективно выпрямляющие (фактор качества приборов п = 1,04) барьеры Шоттки типа Me -AjB^, где металлы - &а или ( In + G-a ) эвтектика. Температура получения 289-303 К. Это практически исключает декомпозицию поверхности и позволяет использовать их для оперативного контроля качества исследуемой поверхности фосфида галлия.

5. Получены монокристаллические пленки &аР на сапфире без кремниевой прослойки при 530°С. За счет снижения температуры эпитансии достигнуто уменьшение толщины переходного слоя до 50 нм.

Представленные в данной работе результаты могут быть использованы при создании приборов на основе гомо- и гетеропереходов с определенными структурой, уровнем легирования, характером распределения примеси в каждом из слоев.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработаны устройства для получения совершенных мо~ нокристаллических тонких (до 10 нм) пленок фосфида галлия методом вакуумной конденсации из пара при пониженных (до 300°С) температурах путем создания (с целью сохранения стехиометрии) избыточного 0,1 Па) давления паров фосфора в ограниченном замкнутом объеме источник-камера осаждения-подложка.

2. Сконструировано, изготовлено и использовано в экспериментах устройство для испарения полупроводников из расплава, удерживаемого силами поверхностного натяжения в пластине.

3. Разработаны и созданы совершенные (фактор качества приборов п = 1,04) барьеры Шоттки на А^В^ с использованием а или ( In + &а ) эвтектики при температуре вблизи комнатной. Это практически исключает декомпозицию поверхности и позволяет использовать их для оперативного контроля качества исследуемой поверхности: определения высоты барьера, концентрации носителей заряда.

4. Подтверждено, что после высокотемпературной (выше 1200°С) обработки кремния в вакууме поверхность обогащается акцепторной примесью.

Показано, что глубина р-слоя и толщина испаряющегося слоя сложным образом зависят от времени прогрева кремния. В интервале времен прогрева £ = Ю-Ю3с глубина р-слоя аппроксимируется выражением Xp-n~KVl)t » где К & 3,7 при 1300°С.

5. Определен профиль концентрации электрически активных примесей в р- и п-областях. Показано, что быстрый (в течение нескольких секунд) подъем температуры подложки способствует формированию более резкого профиля распределения примеси, чем достигнутый другими исследователями. Установлено, что подвижность дырок в образующихся р-слоях (толщиной 0,24-1,6 мкм) совпадает с объемными значениями при одинаковых концентрациях акцепторной примеси.

6. Установлено, что основные акцепторные примеси в приповерхностном р-слое кремния - бор, алюминий - присутствуют в количестве 10^ * Ю^см"*^. На основе учета различия энергии связи атомов кремния между собой, с фосфором и бором показано, что инверсия типа проводимости приповерхностной области связана с накоплением бора вблизи поверхности кремния. Проведен аналитический расчет профиля распределения акцепторной примеси - получено решение уравнения диффузии с учетом процессов испарения и накопления примеси.

7. Показано, что полученные при высокотемпературном прогреве п-кремния р-п переходы эффективны для создания дрейфовых фотоприемников в диапазоне длин волн 0,4 * I.I мкм. Получены значения обнаружительной способности, превышающие лучшие зарубежные достижения ( Э* = 5*Ю12см*Гц1/2*Вт~г при /\ =1,06 мкм, f = 64 Гц, Л f = 1,22 Гц).

8. Получены совершенные монокристаллические пленки фосфида галлия на кремнии и фосфиде галлия при 300-600°С, а на сапфире - 530-660°С методом вакуумной конденсации.

9. Определена степень дефектности полученных пленок фосфида галлия на сапфире методом измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения света вблизи края фундаментального поглощения в сочетании с послойным травлением. Путем снижения температуры эпитаксии до 530°С получено уменьшение толщины дефектного переходного слоя до 50 нм.

10. Получены гетеропереходы GaP-Si и Si-GaP Исследованы распределение примесей в структуре S(—GaP и вольт-амперные характеристики для структуры GaP-Si . Исследование спектров фотоответа показало, что максимум его величины соответствует кванту с энергией, равной ширине запрещенной зоны GaP

В работе сделаны следующие методические разработки.

1. Конструкция для испарения полупроводников из расплае ва, удерживаемого силами поверхностного натяжения в пластине, разработанная при выполнении данной работы, применена сотрудниками Отдела радиационной физини и технологии полупроводников для получения эпитаксиальных слоев и аморфного . кремния.

2. Разработана методика приготовления предэпитаксиаль-ной поверхности подложек GaP . Показано, что термообработка фосфида галлия в интервале 200-б00°С приводит к значительному улучшению структуры поверхности.

3. Разработан способ изготовления совершенных барьеров Шоттки на полупроводниковом соединении А^В^ с использованием и ( In + &а ) эвтектики при температуре вблизи комнатной, практически исключающей декомпозицию поверхности.

Данный способ используется для оперативного контроля качества исследуемой структуры и определения концентрации носителей заряда.

Дана рекомендация по практическому применению высокотемпературного отжига кремниевых пластин. Для получения высококачественных фотоприемников с высокой обнаружительной способностью рекомендован следующий режим отжига Si пластин п-типа в вакууме: Р~10~8Торр,Т=1300°С в течение I(Al05c.

5. Предложена простая формула, позволяющая рассчитать зависимость глубины р-п перехода от длительности отжига,что облегчит планирование эксперимента для технологов.

6. Разработана методика определения толщины дефектного переходного слоя путем измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения света вблизи края фундаментального поглощения в сочетании с послойным травлением.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основное содержание данной работы отражено в публикациях /75,82,93,101,102,104,105/. Результаты исследований были представлены и обсуждены на У симпозиуме по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1978 г.),на У Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Моснва, 1982 г.),а также на семинарах отдела радиационной физики и технологии полупроводников и Проблемном совете по росту и структуре пленок Института физики полупроводников СО АН СССР.

По результатам исследований обработки поверхности Si и контролю качества структур на основе А^В^ имеются акты передачи.

В заключение автор приносит глубокую благодарность д.ф.-м.н., профессору Александрову Л.Н. и к.ф.-м.н. Ловяги-ну Р.Н. за научное руководство работой. Ловягин Р.Н. является основным соавтором опубликованных работ. Автор благодарит также д.ф.-м.н., профессора Смирнова Л.С., к.ф.-м.н. Стась В.Ф. и к.ф.-м.н. Энтина И.А. за постоянное внимание и интерес к работе; к.ф.-м.н. Романова С.И. за проведение структурных исследований; к.ф.-м.н. Васильева А.В., к.ф.-м.н. Болотова В.В., Баранова А.И. за помощь в обсуждении полученных результатов, а также всех сотрудников отдела радиационной физики и технологии полупроводнинов, в стенах которого была проведена данная работа.

К основным результатам работы, полученным мною лично, следует отнести:

1. Исследование свойств приповерхностной области кремния после высокотемпературной обработки в высоком вакууме,определение параметров получаемых р-слоев (гл.П, § 2,3 и гл.Ш § I, п.п. 1.2 , 1.3).

2. Теоретический анализ профиля распределения акцепторной примеси в приповерхностном р-слое нремния (гл.Ш § 2,3).

3. Создание низкотемпературных совершенных барьеров Шоттки на А3В5 и изучение их свойств в зависимости от условий подготовки поверхности (гл.П § 4 и гл.1У § I).

Глава П § I; глава Ш § I п.п.1.1 проделаны совместно с Р.Н.Ловягиным. Глава Ш § 4 проделан совместно с Р.Н.Ловя-гиным, Ю.А,Лусепом. Глава 1У § 2 - совместно с Р.Н.Ловягиным, В.Д.Ахметовым, В.В.Болотовым, С.И.Романовым.

Копия

1. Andre J.R., Hallais J., Schiller C. Heteroepitaxial growth of GaP on silicon. J.Cryst.Growth, 1975, v. 31, Ho. 12,p. 147-157.

2. Hack J., Mohling W. Epitaxial layers of GaP on silicon. -Phys.Sta.Sol. (a), 1970, v. 3, Ho. 4, p. 229-231.

3. Katoda Т., Kichi M. Heteroepitaxial growth of gallium phosphide on silicon. J.Electron.Materials, 1980, v. 9, Ко. 4, p. 783-796.

4. Igarashi 0. Two stage epitaxial growth of GaP on silicon. Jap.J.Appl.Phys., 1977, v. 16, Ho. 10, p. 1863-1864.

5. Igarashi 0. Heteroepitaxial growth of GaP on Si substrates by evaporation. J.Appl.Phys., 1970, v. 41, Ho. 7,p. 3190-3192.

6. Jordan A.S., Weiner M.E. Calculation of the liquidus iso-terms and component activities in the Ga-As-Si and Ga-P-Si ternary systems. J.Electrochem.Soc., 1974, v. 121,1. Ho. 12, p. 1634-1641.

7. Завадский В.А., Монрицкий В.А., Шобин B.C. Гетероэпитансия слоев полупроводниковых веществ из многокомпонентных растворов.- Физика и химия обработки материалов, 1977, й 4,с.233-157.

8. Завадский В.А., Мокрицкий В.А., Шобин B.C. Гетероэпитансия тонких пленон в системах. В сб."Структура и физические свойства тонких пленок". Тезисы докладов Республиканскойконференции. Ужгород, 1977, с.244-245.

9. Rosztoczy F.E., Stein W.W. The growth of Ge-GaAs and GaP-Si heterojunctions by.liquid phase epitaxy. J. Electrochem.Soc., 1972, v. 119, Ho. 8, p. 1119-1121.

10. Sugiura Т., Tanaka A., Sukegawa T. Low-silicon contamination GaP LPE layers grown at 650°C from indium solvent.- Appl.Phys.Lett., 1978, у. 33, Но, 2, p. 180-181.

11. Дорджин Г.С., Денисов А.Г. Достижения и перспективы развития метода молекулярно-лучевой эпитаксии. У1 конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Тезисы докладов. Новосибирск,21-25 июня 1982 г., т.2, с.233-234.

12. Haganuma М., Takahashi К. GaAs, GaP.and GaAs^P^ films deposited by molecular beam epitaxy. Phys.Stat.Sol. (a), 1975, v. 31, No. 1, p. 187-201.

13. Cho A.Y. Epitaxial growth,of GaP.on cleaved.and polished (111) CaP2. J.Appl.Phys., 1970, v. 41, No. 2, p. 782-786.

14. Matsushima Y., Gonda Sh. Molecular beam epitaxial growth of GaP and GaAs^P^. J.Vac.Soc.Jap., 1976, v. 19,1. Ho. 10, p. 337-347.

15. Gonda S., Matsushima Y., Mukai S., Makita Y., Igarashi 0. Heteroepitaxial.growth of GaP on.silicon by molecular.beam epitaxy.- Jap.J.Appl.Phys., 1978, v.17, Ho.6, p. 1043-Ю49.

16. Cho A.Y., Arthur J.R. Molecular beam epitaxy. Progress, in Solid State Chemistry, 1975, v. 10, part 3, p.157-191.

17. Morimoto K., Watanabe, Itoh S. Ionized-cluster beam epitaxial growth of GaP films on GaP and silicon substrate. -4th Intern.Conf. on Vapour Growth and Epitaxy. Japan,9.13 July 1978, p. 233-234.

18. Качурин Г.А., Лежейно Л.В., Романов С.И., Смирнов Л.С.,

19. Шмарцев Ю.В. Рост эпитаксиальных слоев из расплава при введении компонентов ионной бомбардировкой. ФТП, 1976, т.10, № 8, с.1549-1551.

20. Герасименко Н.Н., Лежейко Л.В., Любопытова Е.В., Шаронова Л.В., Шаршунов А.Г., Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. Электрические -и фотоэлектрические свойства гетеропереходов Si- &СкР .

21. ФТП, 1981, т.15, № б, с.1088-1092.

22. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1958 г. (вып.4). Под ред. Н.В.Агеева. М.: Ин-т научн. информации АН СССР, 1961, - 403 с.

23. Wang С.С., McFarlane S#H. Crystal growth and defect characterization of heteroepitaxial.III-V semiconductor films. -Thin Solid Films, 1976, v. 31, No. 1/2, p. 3-23.

24. Wang C.C., McFarlane S.H. III. Epitaxial growth and characterization of GaP on insulating substrates. J.Cryst. Growth, 1972, v. 13/14, Ho. 5, p. 262-267. . .

25. Wang C.C., Lodany I., McFarlane S.H. Ill, Dougherty F.C. Two-stage epitaxial growth of GaP on spinel. J.Cryst. Growth, 1974, v. 24/25, Ho. 10, p. 239-243.

26. Davey J.E., Pankey T. Structural and optical,evaluation of vacuum deposited GaP films. J.Appl.Phys., 1969,v. 40, Ho. 1, p. 212-219.

27. Таблицы физических величин. Справ.под ред. И.К.Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976. 1006 с.

28. Ill—V semiconductors for electronic devices. Sumitiomo electric industries, Ltd. Japan, 1978.

29. Zeidenbergs G., Anderson R.L. Si-GaP hetегоjunctions.,-Solid State Electron., 1967, v. 10, Ho. 2, p. 113-123.

30. Feucht D.L. Preparation and properties of Ge*"GexSi-|x » Ge-GaAs and Si-GaP heterojunctions. In: Proceed.Int. Conf. on the Phys.and Chem. of Semicond.Heterojunctions (Editor-in-chief G.Szigeti). Academiai Kiado, Budapest, 1971, v. 1, p. 39-62.

31. Мурзабаев М.М., Расулов К., Искандеров А., Турсунов М., Кадырова Р. Исследование тоновых характеристик гетеропереходов GraP~S( в прямом направлении. Изв.АН Узб.ССР.

32. Сер. физ.-шт.наук, 1977, й 3, с.40-42.

33. Koller L.R., Coghill H.D. Formation of phosphor films by evaporation. J.Electrochem.Soc., 1960, v. 107, Ho. 10, p. 973-976.

34. Lopez-Otero A. Hot wall epitaxy. Thin Solid Films, 1978, v. 49, Ho. 1, p. 3-57.

35. Gunther K#G. Interfacial and condensation processes occur-ing with multicomponent vapour. In: The use of thin films in physical investigations/ ed. by Anderson J.O. -Hew York, 1966, p. 213-232.

36. Khan I.H., Summergrade R.H. The growth of single crystal films of cubic carbide on silicon. Appl.Phys.Lett., 1967, v. 11, Ho. 1, p. 12-13.

37. Chang C.C. Contamination of chemically etched silicon surface LEED-Auger method. Surf.Sci., 1970, v. 23, Ho. 2, p. 283-298.

38. Pchelyakov O.P., Lovyagin R.H., Krivorotov E.A., Toropov A.I., Aleksandrov Ь.Н., Stenin S.I. Silicon homoepitaxy with ion sputtering. Phys.Stat.Sol. (a), 1973, v. 17, Ho. 1, p. 339-351.

39. Thomas D.J.D. Growth and structures of evaporated siliconlayers. Phys.Stat.Sol. (a), 1966, v. 13, Ho. 2, p. 359-372.

40. Александров JI.H., Ловягин P.H. Эпитансия тонких пленон германия и кремния из атомных и молекулярных пучков. -Обзоры по электронной технике, 5974, вып.2(193), 37 с.

41. Henderson R.C., Marcus R.B., Polito W.J. Carbide contamination of silicon surfaces. J.Appl.Phys., 1970, v. 42, Ho. 31, p. 1208-1215.

42. Abbink H.C., Broudy R.M., McArthy G.P. Surface processes in the growth of silicon on (111) silicon in UHV. -J.Appl.Phys., 1968, v. 39, No. 10, p. 4673-4678.

43. Allen F.G., Eisinger T. et al.Cleaning of silicon surfaces by heating in high vacuum. J.Appl.Phys., 1959, v. 30, Ho. 10, p. 1563-1571.

44. Miyao M., Goto R., Fujioka T. Preparation and activation of HEA GaP surface. -.Intern.Conf. on Solid Films and Surfaces. Tokio, 1978, 5-8 July.

45. Winters H.F., Kay E. Gas incorporation into sputtered films. J.Appl.Phys., 1967,.v. 38, No. 10, p. 3928-3934.

46. Aleksandrov L.H., Lovyagin R.H. Epitaxial germanium-silicon structures obtained in high pure vacuum. Vacuum, 1977, v. 27, Ho. 4, p. 311-315.

47. Richman D. Dissociation pressure of GaAs, GaP, InP and the nature of III-V metals. J.Phys.Chem.Solids, 1963, v. 24, Ho. 9, p. 1131-1139.

48. Yakio Yasuda. Epitaxial growth of silicon films on sapphire and spinel by vacuum evaporation. Jap.J.Appl.

49. Phys., 1971, v. 10, Ho. 1, p. 45-51.

50. Двуреченский А.В., Рязанцев И.А. Ионное легирование аморфного кремния, полученного методом испарения. ФТП, 1982, т.16, №. 8,•с.1384-1389.

51. Morin F.J., Maita J.P. Electrical properties of.silicon containing arsenic and boron. Phys.Rev., 1954, v. 96, Ho. 1, p. 28-35.

52. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.:Совет-сное радио, 1974. - 328 с.

53. Мейер Д., Эриксон Л., Дэвис Да. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. - 286 с.

54. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников.-Ленинград: Наука, 1972. 104 с.

55. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, Т973. -.655 с.

56. Chang C.Y., Sze S.M. Carrier transport across metal-semiconductor barriers. Solid State Electron., 1970, v. 13f Ho. 6, p. 727-740.

57. Crowell C.R., Sze S.M. Current transport in metal-semiconductor barriers. Solid State Electron., 1966, v. 9» No. 11/12, p. 1035-Ю48.

58. Geppert D.V., Cowley A.M., Dore B.V. Correlation of metal-semiconductor barrier height and metal work function, effects of surface states. J.Appl.Phys., 1966, v. 37, По. 6, p. 2458-2467.

59. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Сов.радио, 1974. -248 с.

60. Шека И.Л., Чаус И.С., Митюрева Т.Т. Галлий. Киев: Гос. изд.техн.лит-ры, 1963, -.296 с. .

61. Smith B.L. Near ideal Au-GaP Schottky diodes. J.Appl. Phys., 1969, v. 40, No. 11, p. 4675-4676.

62. Царенноб Б.В., Гольдберг Ю.А., Изергин А.П., Поссе E.A., Равич В.Н., Рафиев Т.Ю., Сильвестрова Н.Ф. Свойства поверхностно-барьерных структур металл-п- &аР .- ФТП, 1972, т.6, Ш 4, с.710-714.

63. Mead С.A. Metal-semiconductor surface barriers. Solid State Electron., 1966, v. 9, No. 11, p. 1023-1033.

64. White H.G., Logan R.A. GaP surface-barrier diodes. -J.Appl.Phys., 1963, v. 34, No. 37, p. 1990-1997.

65. Wronski C.R. Current-voltage characteristics of silver--n-type GaP Schottky barriers. RCA Review, 1969, v. 30, No. 2, p. 314-321.

66. Williams R. The effect of barrier recombination of production of hot electrons in a metal by forward bias injection in a Schottky diode. RCA Review, 1969, v. 30, No. 2,p. 306-313.

67. Nanichi Y., Pearson G.L. Properties of GaP Schottky barrier diodes at elevated temperatures. Solid State Electron., 1969, v. 12, No. 5, p. 341-348.

68. Batdorf R.L., Smits P.M. Diffusion.on impurities into evaporating silicon. J.Appl.Phys., 1959, v. 30, No. 2, p. 259-264.

69. Allen P.G., Buck T.M., Law J.T. P-layers on.vacuum heated silicon. J.Appl.Phys., 1960, v. 31, No. 6, p. 979-985.

70. Кучер Т.И. К задаче о диффузии в испаряющуюся твердую фа. зу. ФТТ, 1961, т.З, 1й 2, с.547-552.

71. Rice W. Diffusion on impurities during epitaxy. Proc. of the IEEE, 1964, v. 52, No. 3, p. 284-295.

72. Puller C.S., Ditzenberger J.A. Diffusion of donor and acceptor elements in silicon. J.Appl.Phys., 1956,v, 27, No. 5, p. 540-553.

73. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961. - 464 с.

74. Александров Л.Н., Бзинковская И.О., Ловягин Р.Н., Симонов Г1.А. Создание примесных неоднородностей в кремнии с атомарно-чистой поверхностью. Новосибирск, 1980. - 14 с. Статья представлена Институтом физики полупроводников СО

75. АН СССР. Деп. в ВИНИТИ 24 сент.1980 г. й 4194-80.

76. Nakhmanson R.S. A technique for directly plotting the doping profile of semiconductor wafers. Solid State Electron., 1976, v. 19, No. 1, p. 87-91.

77. Bluntritt H., Gleighmann R., Heydenreich J., Johansen H. Combined scanning (EBIC) and transmission electron microscopic investigations of dislocations in semiconductors. Phys.Stat.Sol. (a), 1979, v. 55, No. 2, p. 611-620.

78. Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов

79. Г.С. Компенсированный кремний. Ленинград: Наука, 1972.-124с.

80. Конозенко И.Д., Семенюн А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. Киев: Наукова думка, 1974. - 200 с.

81. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. Справочник под редакцией В.Н.Кондратьева. М.: Наука, 1974. - 352 с.

82. ЭО.Котрелл Т. Прочность химических связей. М.: Ин.литература, 1956. - 281 с.

83. Толомасов В.А., Васькин В.В., Овсянников М.И., Логинова Р.Г., Рубцова Р.А. Обогащение бором приповерхностной области кремния в процессе сублимации. ФТП, 1981, т.15, № I, с.104- 108.

84. Phys.Stat.Sol. (a), 1978, v. 45, Ho. 2, p. 521-527.

85. Бузанова Л.К., Глиберман А,Я. Полупроводниковые фотоприемники. Москва: Энергия, 1976. - 63 с.

86. Мосс Т., БаррелГ., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлект-роника. М.: Мир, 1976. - 432 с.

87. Александров Л.Н., Ловягин Р.Н., Пусеп Ю.А., Симонов П.А., Синюнов М.П. Обнарукительная способность р-п переходов, полученных высокотемпературным травлением п-кремния в вакууме. Микроэлектроника, 1977, т.6: № 5, с.460-461.

88. Физико-химические свойства элементов. Справочник под ред. Г.В.Самсонова. Киев: Наукова думка, 1965. - 808 с.

89. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полу. проводник. М.: Мир, 1975. - 432 с.

90. Coats R., Mitchell E.W.J. A model for the damage produced by fast neutrons in gallium arsenide. In: Proc. of the Intern.Conf. on Defects in Semiconductors. Reading (England) 1972, p. 96-102.

91. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа А^В^): Сборник статей под ред. Р.Уиллард-сона и А.Вира. М.: Мир, 1979. - 488 с.

92. Akhmetov V.D., Bzinkovskaya I.S., Bolotov V.V., Lovyagin R.H. Depth distribution of grown defects in GaP filmson sapphire synthesized in vacuum. Phys.Stat.Sol. (a), 1981, v. 65, No. 1, p. K9-K12.

93. Бзннковская И.С., Ловягин Р.Н. Исследование условий синтеза тонких монокристаллических пленок фосфида галлия. -Новосибирск, 1980. 47 с. (Препринт,Институт физики полупроводников, 47-80).

94. Hansen М., Anderko К. Constitution of binary alloys. Metallurgy and metallurgical engineering series. -Hew York Toronto - London, McGraw-Hill Company Inc., 1958. - 1306 p.

95. Взинковская И.О., Ловягин Р.Н. О свойствах гетероэпитак-сиальных пленок GaP-Si и Si-&aP , синтезированныхв вакууме. Электронная техника, Сер.б: Материалы, 1981, вып.4 (153), с.26-27.

96. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок.- Новосибирск: Наука,1978.- 272 с.

97. Yoshida М., Arai Е., Nakamura Н., Terunuma Y. Excess vacancy generation mechanism at phosphorus diffusioninto silicon. J.Appl.Phys., 1974, v. 45, No. 4, p. 1498-1506.

98. Радиационные дефекты в полупроводниках: Сборник статей под редакцией Л.С.Смирнова. Новосибирск: Наука, 1979. -224 с.