Исследование тонких ВТСП пленок и структур на их основе методами низкотемпературной растровой электронной микроскопии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ МУК ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им.А.Ф.ИофЮ

ГАЕВСКИЙ МИХАИЛ ЭРИКОВИЧ

На правах рукописи

. (С

. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ВТСП ПЛЕНОК И СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ МЕТОДАМИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

Специальность: 01.04.07 - Физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург -1995

Работа выполнена в Санкт-Петербургском Государственном техническом университете им. Петра Великого.

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук,

профессор С.Г.Конников.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук,

профессор В.Г.Флейшер, кандидат физико-математических наук,

доцент A.B.Прихотько.

Ведущая организация - Санкт-Петербургский Государственный Университет.

Защита состоится 1995 г. в / часов

на заседании специализированного совета № К 003.23.02 в Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН по адресу: I94021, Ленинград, Политехническая ул., 26.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просьба высылать по вышеуказанному адресу на имя учЭного секретаря специализированного совета.

Автореферат разослан

1995 г.

Учвный секрете специализированного совета

кандидат физико-математических наук С.И.Баходцин

- о -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена исследованию пространст-эиного распределения сверхпроводящих параметров (критической емпературы Т0, ширины перехода в сверхпроводящее состояние ЛТ0, лотности•критического тока 30) в тонких УВа2Си307_х-пленках на азличных подложках с использованием как ряда традиционных етодик растровой электронной микроскопии (РЭМ), так и азработанной новой методики картографирования критических емператур; а также проведению сравнительного анализа езультатов этих исследований с данными, полученными другими етодами диагностики.

Актуальность темы. Важное место в развитии современной риоэлектроники занимает разработка и создание приборных труктур на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Несмотря на то, что с момента открытия ВТСП был синтезирован елый ряд сверхпроводящих купратов с Т0 выше предсказываемого еорией Бардина-Купера-Шрифера предела, на которых проводились ак теоретические, так и экспериментальные исследования, до сих ор нет общепризнанной теории, описывающей все аспекты этого вления. Наиболее полно, к настоящему времени, изучены свойства оединения УВа2Си30?_х (УВСО). Хотя этот купрат не обладает екордно высокой температурой перехода (Т0«93К), тем не менее, ехнология его получения наиболее проста по сравнению с другими ТСП-соединениями, имеющими Т0 выше температуры кипения азота, а го исследование не требует привлечения сложной криогенной эхники.

Следует также отметить, что большая часть фундаментальных сследований ВТСП-матРшалов проводилась на монокристаллических Оразцах, в то время как практический интерес вызывает рименение тонких ВТСП-пленок, особенно в области изготовления риборов СВЧ электроники, сверхбыстродействующих БИС, приемников К- излучения, СКВИК-магнетометров. Прогресс в этой области зязан , в первую очередь, с возможностью ' достижения высоких ритических токов в тонкопленочннх ВТСП-структурях и иптогронии гих структур с другими приборами тпордотр.пыюА :>."октр<>мш<:и.

Одной из характерных особенностей ВТСП-пленок является сильная пространственная неоднородность их транспортных свойств, что обусловлено не только сложным строением кристаллической решетки ВТСП-материалов и малой длиной когерентности, но также влиянием подложки. Кроме того, ВТСП-материалы легко деградируют под воздействием внешних факторов, что приводит к появлении дополнительных дефектов и неоднородностей. Для количественного анализа процессов токопротекания, избыточного НЧ-шума, захвата магнитного потока, воздействия внешних электрического и магнитного полей, электромагнитного излучения, деградации и др. в таких сложных системах необходимо иметь информацию о пространственном распределении параметров перехода в сверхпроводящее (СП) состояние по площади исследуемой структуры, а именно критической температуры TQ и ширины перехода ДТ0, т.е. Т - карту.

Перспективным методом для изучения локальных СП-свойств ВТСП-пленок и приборов на их основе является метод низкотемпературной растровой электронной микроскопии (НТРЭМ). Этот метод был эффективно использован для визуализации областей с различными значениями как критической температуры TQ, так и плотности тока j0 в классических низкотемпературных СП. Следует подчеркнуть, что в большинстве работ применение метода НТРЭМ носило лишь качественный характер. Это было обусловлено тем, что, во-первых, основное внимание уделялось анализу изображений (микрофотографий) исследуемых объектов, во-вторых, при интерпретации получаемых этим методом данных не принимался во внимание ряд важных аспектов, таких как неоднородное распределение плотности тока по образцу, особенности профиля распределения неравновесной температуры вблизи точки падения электронного зонда для конкретной структуры, влияние на результаты поглощенного тока и т.д. Таким образом для получения количественной информации методом НТРЭМ необходим новый подход к аппаратурному исполнена, методике ' получения и обработке экспериментальных данных, а также привлечению дополнительных методов исследования (рентгеновской дифрактометрии, KFC, ПЭМ, шумовой диагностики) .

. Целью настоящей работы является исследование пространственной неоднородности сверхпроводящих параметров Т0> ДТ0, ,)0 и механизмов влияния. этой неоднородности на трансдортные свойства ВТСП-ггленок и структур на их основе.

Для достижения поставленной цели в диссертационной работе решаются следующие основные задачи.

1. Разработка метода, основанного на регистрации и последующей матеметичоской • обработке •сигнала напряжения, индуцированного электронным зондом (НИЭЗ) в РЭМ, для получения количественных данных с разрешением «1мкм о локальных значениях сверхпроводящих параметров Т0, ЛТ0, в структурах и приборах на основе ВТСП-материалов.

2. Экспериментальное исследование пространственного распределения сверхпроводящих параметров в тонких УВСО-пленках на различных подложках и проведение сравнительного анализа результатов этих исследований • с данными, полученными другими методами диагностики.

3. Получение изображений токопротекания и их интерпретация для высокотемпературной и низкотемпературной части СП-перехода.

4. Разработка на основе результатов локальных исследований ВТСП характеристик тонких пленок адекватных моделей токопереноса и избыточного фликкер-шума в области СП перехода.

5. Исследование процессов деградации ВТСП пленок, а также влияния на эти процессы структурного совершенства пленок.

6. Определение основных факторов, влияющих на элетрофизические параметры приборов' на основе планарных ВТСП-структур, в том числе многослойных структур сверхпроводник -изблятор-металл, сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник.

Научная новизна работы определяется следующими

результатами:

- разработан метод, позволяющий получать количественные данные о пространственном распределении СП-параметров в тонких ВТСП-пленках и структурах на их основе;

- определены характерные особенности токопротокпття в тонких пленках на различных подложках п просф'шствпннчм разрешением 1мкм;

- изучено влияние Функции распределения фрагментов пленки по температурам перехода на транспортные характеристики пленки;

- для широкого ряда пленок и структур на их основе получены карты критических температур;

- на основе экспериментальных результатов для пленок, состоящих из двух фаз.рассчитаны температурные зависимости сопротивления, плотности тока и НЧ-шума для каждой из фаз;

- на основе микроскопических измерений проведен анализ локального разрушения сверхпроводимости магнитным полем и тепловым воздействием, а также исследована модификация локальных свойств пленок под действием воды.

Практическая ценность работы.

В диссертации разработан комплексный подход к исследованию электрофизических и структурных свойств тонких пленок с использованием ряда новых, модифицированных традиционных методик низкотемпературной растровой электронной микроскопии, а также обобщенных данных структурной диагностики, полученных на каждом этапе формирования приборов на основе ВТСП. Результаты исследований били использованы при разработке и оптимизации технологических процессов получения приборных структур криогенной электроники, таких как приемники ИК излучения, конденсаторные планарные структуры, СКВИД-магнитометры. Новый метод быстрой диагностики приборных матриц позволил не только производить отбраковку дефектных элементов, но и группировать элементы с заданными параметрами для изготовления сложных криогешшх устройств.

Основные положения, выносимые на защиту .

I. Разработанный метод определения пространственного распределения сверхпроводящих параметров Т , ДТ0, 30 в ВТСП-пленках. позволяет проводить комплексные исследования, включающие :

а)картографирование критических температур по площади структуры с пространственным разрешением «1 мкм;

б Определение объемной доли и псостранственного руспред^л-эшы сверхпроводящей фазы при заданной температуре;

в Обнаружение слабых связей и межгранульных границ путем регистрации локальных температурных зависимостей напряжения, индуцированного электронным зондом;

г)визуализацию распределения плотности тока при температурах ниже критической с пространственным разрешением выше 1 мкм.

2. Температурная зависимость сопротивления R(T) эпитаксиальных. пленок YBCO на подложках MgO, SrTlO-j, MgO с гетероэпитаксиальным подслоем BaQ fSrQ 4ТЮ3 (ВЗТО) в области СП-перехода определяется функцией распределения фрагментов пленки по температурам перехода Г(Тс). СП-переход в таких пленках носит перкаляционный характер;

3. Критическая температура включений с осью с параллельной плоскости подложки (в-ориентация) в пленках YBCO/BSTO/MgO с. осью с, направленной перпендикулярно поверхности подложи (с-ориентация), сформированных при температуре подложки 650К и скорости роста 1.5 нм/с, на 1.5-2 К выше, чем в- окружающей пленке. Сравнительный анализ данных Т -картографирования и шумовых измерений позволяет сделать вывод, что наличие в-ориентированных включений в пленках YBCO/BSTO/MgO приводит к появлению дополнительного максимума спектральной плотности Sy(T) в области температур, соответствующей СП-переходу включений.

4. В гранулированных пленках YBC0 на подложках А1203, Zr02/Si с с-ориентацией и пленках с а-ориентацией, полученных на поверхности (ПО) подложки LaAlO^, температурная зависимость R(Т) в низкотемпературной части СП-перехода определяется распределением слабых связей на границах между отдельными гранулами, составляющими пленку, по значениям критических токов.

5. Степень неоднородности токопротекания в YBCO-пленках зависит как от конкретного вида функций í(TQJ и наличия слабых связей, так и от пространственного распределения фрагментов пленки с различными критическими параметрами. Максимальная плотность тока в области СП-перехода превышает сроднее по пленке значение плотности тока для исследованной систем» УВСО/РГЛ'О/М^.) в 3 раза, а для YBOO/LaAlO., более чем в 10 раз.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на XXX Совещании по физике низких температур Дубна, 1-994), VII Вильнюсской конференции "Флуктуационные явления"в физических системах"(Паланга, 1994), VII и VIII Трехсторонних Германо- Российско-Украинских семинарах по ВТСП (Munlh, 1994 и Львов, 1995), VII Международном симпозиуме по сегнетоэлектрикам"(Colorado, 1995), Международном совещании по сканирующей микроскопии (Houston, 1995), XIII Международной конференции "Шум в физических системах и 1/Г флуктуации"(Паланга, 1995), IX Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования (Черноголовка,I995), на научных семинарах ФТИ им А.Ф.Иоф&э РАН.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано I научных работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объбм диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, а также списка литературы, включающего НО наименований. Работа содержит 120 страниц машинописного текста, 49 рисунков и 6 таблиц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТУ. .

Во введении обоснована актуальность темы, сформулирован! основные цели работы, показаны ее научная новизна и практическа: значимость порученных результатов, даны сведения о структуре i содержании работы и приведены положения, выносимые на защиту.

Глава I. Тонкие ВТСП-пленки и микроскопические методы и исследования (Литературный обзор). Данная глава содержит обзо литературы, посвященной вопросам структуры и электрофизически свойств ВТСП, и аналигу перспективности различных ВТСП дл практических применений в криоэлектронике. Отмечается, что дл создания криоэлоктронных устройств наиболее перспективны пленк соединения YBC0. Далее проводится обзор технологических методе гырпдиг.ания пленок YBC0, других оксидов со структурой перовскит

[ многослойных систем. Приводятся данные об основных микроскопи-1бских методах исследования ВТСП пленок, особенное внимание где'лено электронно-зондовым методам. Дана краткая характеристика >сновных сигналов РЭМ, применяемых при исследовании твердотель-шх структур. Рассмотрены механизмы формирования этих сигналов, зиды контрастов, пространственное разрешение, а также информация, которая йожет быть получена при их использовании.

Показано, что электронно-зондовые методы имеют ряд преиму-цеств по сравнению с другими, в том числе оптическими методами, л позволяют проводить комплексный неразрушающий анализ сверхпроводниковых структур и приборов на их основе. Подробно анализируются возможности метода НГРЭМ при визуализации областей с различными значениями как критической температуры Тс, так и плотности критического тока ;)с в классических низкотемпературных сверхпроводниках, а также при изучении джозефсоновских переходов.

В заключение первой главы на основе анализа литературных данных сформулированы основные задачи диссертации.

Глава 2. Низкотемпературная растровая электронная микроскопия ВТСП-пленок. Данная глава посвящена развитию метода низкотемпературной растровой электронной микроскопии, использующего сигнал напряжения, наведенного электронным зондом (НИЗЗ). В первом разделе излагаются основные принципы формирования сигнала НИЭЗ и анализируются особенности методики исследования . в случае тонких ' ВТСП-пленок. Описывается экспериментальная установка. Показано, что при локальном разогреве участка пленки электронным зондом (ЭЗ) при постоянном токе смещения пропускаемом через пленку, изменение напряжения

на потенциальных контактах может быть выражено следующим образом:

Э(Т) = ,--

•'"Ыав

- ш

гдо .](г, Т)-локальная плотность тока, а ДрКеа1.(г,Т)-локально( изменение удельного сопротивления под действием ЭЗ меньше удельного сопротивления пленки р(г,Т)). Отмечается, чтс при слабом разогреве пленки электронным зондом (ДТ-0 Др1аеа(_(г,Т)= (<Эр/<ЭТ)ДТ, и в приближение прямоугольного профши распределения тепла в' пленке выражение (I) может быть упрощено

;Г(Т) (<Эр/<ЭТ) ДТ V

Э(Т) = - , (2

"'"Мае '

где V .- объем пленки, подверженный разогреву.

Во втором разделе подробно исследуется влияние на сигна. НИЭЗ особенностей профиля распределения неравновесной температуры Еблизи точки падения электронного зонда и предлагается -спосо< повышения разрешающей способности НТРЭМ с использованием Фурье-преобразований .

Проводится анализ процессов формирования сигнала НИЭЗ ка] в рамках приближения сферически симметричного распределени: энергии первичных электронов зонда, так и с учетом реально] функции распределения этой энергии в образце. Приводится выво, аналитического выражения для пространственной зависимости температуры перегрева образца под действием ЭЗ. Исследуется ълияни термосопротивления пленка-подложка. Демонстрируется возможном оценки степени кристаллического совершенства по форме темпера туриых зависимостей сигнала НИЭЗ.

Предлагается способ выделения из сигнала НИЭЗ составляющей обусловленной влиянием поглощенного тока ЭЗ, и использования в' для измерений температурных зависимостей сопротивлений заданны: участков. Показано значительное влияние на точность измерени неоднородного распределения плотности тока по образцу, для учет которого используется метод последовательных, приближений осно ванный на решении системы уравнений Кирхгофа в рамках модел сетки сопротивлений. На основе предложенной модели разработан методика получения Т(>- карты, а также пространственного распре д<№ния СИ-фазы и плотности тока при заданной температуре пространственным разрешением не хуже 1мкм.

В третьем разделе для двухфазных систем со случайным ^определением фрагментов каждой фазы разработана методика ггределения усредненных по объему каждой фазы температурных ависимостей плотности тока и удельного сопротивления. Расчет в ;апном случае проводился в приближении эффективной среды, что гозволило существенно упростить задачу.

Глава 3.Исследование дефектов и локальных неоднотюдностей ВТСП-пленок методами НТРЭМ. В этой главо обсуждаются результаты [(¡следований тонких УВСО-пленок на подложках №03, ¡а^г, _ХТЮ3/М20 (ВЗТО), А1203, 1аАЮ3, БгЛОд, гг02/Б1.. Проводится сравнительный анализ их кристаллического совершенства, ?ранспортных свойств и СП-характеристик, а также исследуется влияние на последние внешних воздействий (электрического и маг-гатного полей, Нп0 и е~).

Показано, что исследуемые пленки можно разделить на два гипа. Наиболее характерный пример пленок типа I - пленки на тодложке А1203, а типа П-пленки на подложке М^О с гетороэпитак-зиальным слоем ВБТО. Пленки типа I имели- гранулированную структуру. шум в таких пленках связан с процессами в слабых связях лежду зернами и хорошо описывался перкаляционной моделью "пи-яума" (р-по1эе). Пленки типа II обладали высоким кристаллическим зовершенством, демонстрировали очень низкий уровень шума (при Г=300К минимальный параметр Хоуге а=0.04) и их шумовые характеристики не укладывались в известные модели.

Приведено описание модели объемного "пи-шума", позволяющей количественно описать температурную зависимость спектральной тлотности шума сопротивления вблизи Тс. В модели предполагалось иаличие в пленке дефектов-флуктуаторов с внутренней степенью свобода, способных менять Тс в своей непосредственной окрестности. Показано, что это может приводить к случайному изменению фазового состояния небольших фрагментов,

критическая температура которых 'Т, попадает в некоторый интервал температур 2Т в окрестности температуры пленки Т, полуширина которого Т является Функцией концентрации и силы флуктуаторов. Форма температурной зависимости шума в данной модели определяется видом функции Г(Т,).

Приведены результаты экспериментального определения Г(ТС с использованием Тс~картографирования пленок с пространственны! разрешением В пленках на BSTO обнаружены Ь-ориентированны< включения, которые имели Тс на 2К выше с-ориентированной пленки что позволило рассматривать эти пленки как двухфазные системы Для определения температурных зависимостей удельных сопротивлений и средней- плотности тока для каждой из фаз в отдельност] использовалась специальная процедура обработки данных НТРЭ1 измерений для двухфазных систем. Этим методом также определялас степень анизотропии удельного сопротивления включения рдЬ/рс среднее отношение его длины к ширине А, и объемная доля включени v. В пленки с минимальным уровнем шума раа/рсс=1/67, Л.=3, v=\ А%.

Шумовые характеристики BSTO пленок рассчитывались в рамка предложенной модели объемного р-шума с учетом двухфазност ■ системы. Из их сравнения с экспериментальщми данными определял ся предел применимости приближения эффективной среда (для плени с минимальным уровнем шума - R>0-°2Ellorm).

Обнаружено, что R(T) и SR(T) - характеристики демонстрируй сильную зависимость от величины тока смещения. Показано, что двухфазных системах увеличение тока смещения приводит к сужеш СП-перехода за счет локального разогрева и разрушения сверхпрс водимости в высокотемпературной фазе магнитным полем.

Глава 4. Исследование многослойных структур на основе ВТСП тонких пленок. Данная глава посвящена анализу результате исследований приборных структур на основе ВТСП. Приводят! результаты исследования болометрических структур, полевых тра] зисторов, варикапов. Показано, что управляющее напряжение д. полевых транзисторов, полученных методом лазерного напылени; ограничивается токами утечек на краях сверхпроводящего канала, также в местах, где изолирующий слой нарушен из-за присутств: макрочастиц и включений. Демонстрируется возможность контро геометрических параметров планарных конденсаторных структур основе ВТСП пленки методами НТРЭМ. Показано, что ухудшен добротности таких струТур связано с наличием закороток меж пластинами и неоднородностью СП-свойств в обкладк конденсатора.

Приводятся результаты исследования мезаструктур YECO/ZrOg/Si с использованием сигнала НИЭЗ. Показано, что при нанесении YBC0 методом молекулярно-лучевой эпитаксии на меза-структуры, сформированные ионным травлением из эпитаксиального злоя ZrOg на подложке Si(100), сверхпроводящие свойства сохраняются только у YBC0 пленки на участках, защищенных буферным злоем Zr02, критическая температура таких участков варьировалась з интервале 8S.8-87.K, ширина СП-перехода - 3.5-4.0 К. В то зремя как пленка на незащищенных участках полностью деградировала в процессе роста, что обеспечило высокую степень токового ограничения в пределах мезаструктур.

Разработана методика быстрого контроля ВТСП свойств для создания и исследования приборных матриц, позволяющая сгруппиро-зать элементы с близкими ВГСП-свойствами. Приводятся результаты исследования пространственного распределения плотности тока в ЖВИДах на бикристаллической подложке SrTi03.

В Заключении кратко сформулированы основные результаты, юлученше в работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1 .На основе моделирования сигнала напряжения, шдуцированного электронным зондом, с учетом реального профиля iT, распределения плотности тока смещения и тока поглощенных !лектронов ЭЗ разработан метод определения пространственного iacnpeделения сверхпроводящих свойств в тонких ВТСП пленках, юзволяющий одновременно проводить:

а картографирование распределения критических температур по :лощади структуры;

б)определение' объемной доли и пространственного аспределения сверхпроводящей фазы при заданной емпературе;

визуализацию распределения плотности тока пги емпературах ниже критической;

гОбнаружение слабых связей и межгранульных границ путем огистрации локальных температурных зависимостей напряжения, нлуцированного электронным зондом.

2. Проведено картографирование критических температур широкого ряда пленок и структур. Изучено влияние функции распределения фрагментов пленки по температурам , перехода на транспортные характеристики пленки.

3. Исследована связь между локальными ВТСП свойствами, морфологией, внутренней деформацией и вариациями катионного состава YBaCuO-пленок.

4.Получены двумерные изображения характерного распределения плотности тока по площади пленок на различных подложках. Установлена связь процессов токопротекания в ВТСП пленках с особенностями их состава и дефектами структуры.

5. Исследовано влияние кристаллического совершенства и ориентации ВТСП пленки на процесс ее деградации под действием воды. Показано, что увеличение локальных значений критической температуры в с-ориентированшх УВа2Си30т_х-пленках с х<0.05 при взаимодействии с дистиллированной водой достигает 2К.

■6. Исследована связь неоднородностей сверхпроводящих свойств ВТСП структур и спектральной плотности НЧ-шума SV(T) в области СП перехода.

Основные материалы диссертационной работы опубликованы в следующих работах:

1.Гаевский М.Э., Конников С.Г., Соловьев ■ В. А., Соловьев С.А. Определение локальных параметров (Tc,dTc) ВТСП пленок. Письма в КТФ. Т.18. N21.с.20-23 (1992).

2.Гаевский М.Э., Демидов Д.М., Денисов Д.В., Конников С.Г., Кулагина М.М., Смольский О.В., Чалый В.П. Мезаструктуры с ВТСП слоем YBaCuO. Письма в ЖТФ. Т.20. N1.с.44-48 (1994).

3.Бобыль A.B., Гаевский М.Э., Карманенко С.Ф, Кютт Р.Н., Сурис P.A., Ткаченко А.Д., Хребтов И.А. Фликкер шум нормальной фазы пленок YBaCuO на различных подложках. Тезисы СФНТ-30. Дубна. Россия, с.40 (1994).

4.Бобыль A.B., Гаевский М.Э., Карманенко С.Ф, Кютт Р.Н., Соловьев В.А., Сурис P.A., Ткаченко А.Д., Хребтов И.А. Картина протекания тоКа и шум в YBaCuO пленках с в-ориентировашшми включениями. Теписы ('.ФНТ-30. Дубна. Россия, с.38-39 (1994).

5.Bobyl A.V., Gaevskl M.E., Karmanenko S.P., Khrebtov I.A., Konnikov S.G., Kutt R.N., Shantsev D.V., Solov'ov V.A., Surls R.A., Tkachenko A.D. Structural disorder as a source of 1/f noise In YBaCuO thin films on the verlous substrata. Abstract FPPS-7. Palanga. Lithuania, p.62 (1994).

6.Boby1 A.V., Gaevskl M.E., Karmanenko S.F., Khrebtov I.A., Konnikov S.G., Kutt R.N., -Shantsev D.V., Solov'ov V.A., Surls R.A., Tkachenko A.D. Structural disorder as a source of 1/f noise in YBaCuO thin films on the verlous substrata. In "Fluctating phenomena in phycical slstems" ed. by V.Palenskis "Vilnus University Press." Lithuania, p.297-300 (19'94).

7.Suris R.A., Bobyl A.V., Gaevskl M.E., Karmanenko S.F., Khrebtov I.A., Konnikov S.G., Kutt R.N., Shantsev D.V.,' Flicker noise and current percolation In c-orlented YBaCuO films In the vicinity of T„. Abstract VII Trilateral German-Russlan-Ukrlnlan Seminar on HTSC. Munich. Germany, p.37

(1994).

8.Bobyl A.V.,' Gaevskl M.E., Karmanenko S.F., Khrebtov I.A., Konnikov S.G., Kutt R.N., Shantsev D.V., Solov'ov V.A., Surls R.A., Tkachenko A.D. Flicker noise In the 'vicinity of Tc in c-orlented YBaCuO films with different degree of structural disorder, in "Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations". World Scientific. Singapore, p.127-130 (1995).

9.Bobyl A.V., Gaevskl M.E., Khrebtov I.A., Konnikov S.G.,Shantsev D.V., Solov'ov V.A., Suris R.A., Tkachenko A.D. Reslstence flicker noise and current percolation in c-orlented YBaCuO films in the vicinity of TQ. Physica C. V.247. p.7-33

(1995).

10.Gaevskl M.E., Konnikov S.G..Shantsev D.V., Solov'ov V.A. Investigation of HTSC structures by low-temperature scanning electron microscopy. Abstract IX Russian Simposium on SEM and Analytical . methods of solids Investigations. Chernogolovlm. Russia, p.94-95 (1995).

Отпечатано в типографии П1ДО

Зак.544, тир.100,уч.-изд.л.О,7; 2Я/ЛЧ-ТТГ> Бесплатно