Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

1.1. ХАРАКТЕР ЗАДАЧ, ВОЗНИКАЮЩИХ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ 9 ДИНАМИКИ И КИНЕТИКИ ПРОЦЕССОВ САМООРГАНИЗАЦИИ СТРУКТУРЫ СТУПЕНЕЙ И ОСТРОВКОВ ПСЕВДОМОРФНЫХ ПЛЕНОК НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

1.2. НАПРАВЛЕНИЕ РАБОТЫ И ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ МЕТОДЫ.

1.3. СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ.

1.4. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ДИССЕРТАЦИИ.

2.21 СТУПЕНЧАТАЯ СТРУКТУРА ВИЦИНАЛЬНОЙПОВЕРХНОСТИ. 19 v 2.3. ОСТРОВКОВЫЕ СТРУКТУРЫ.26

2.4. ЗАКЛЮЧЕНИЕ.35

3. ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ SI(001) И 37

ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЧАСТИЦ НА ЭТОЙ ПОВЕРХНОСТИ.

3.1. ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(001).37

3,1.1. Роль дальнодействующего взаимодействия, обусловленного несоот- 39 ветствием параметров решеток на формирование кластеров.

3.2 ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЧАСТИЦ НА АНИЗОТРОПНОЙ ПОВЕРХНО- 43 СТИ Si( 001). t

3.2.1. Анизотропная среда. 45

3.2.2. Анизотропия поверхности, обусловленная ее реконструкцией. 49

4. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ СТУПЕНЕЙ ПРИ РОСТЕ 57 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК.

4.1. САМООРГАНИЗАЦИЯ СТУПЕНЕЙ ПРИ РОСТЕ НАПРЯЖЕННЫХ 57 ПЛЕНОК НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ.

4.1.1. Эшелонирование ступеней на поверхности Si(OOl). 57

4.2. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ПРОЦЕССОВ 59 САМООРГАНИЗАЦИИ СТУПЕНЕЙ НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ ПРИ РОСТЕ ПЛЕНОК.

Щ *

4.2.1. Исследование влияния взаимных превращений ступеней вициналь- 59 ных поверхностей на устойчивость поверхностных наноструктур.

4.2.2. Влияние короткодействующего взаимодействия ступеней на форми- 63 рование двух-, и трехатомных ступеней и их эшелонирование. 4.2.2.1. Анализ образования гетероостровков на поверхности полупроводни- 68 * ков.

4.3. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ СИСТЕМЫ 13

СТУПЕНЕЙ.

4.3.1. Результаты моделирования и их анализ. 77

5. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ РОСТА ОСТРОВКОВ НА 78 ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 5.1. ПРИРОДА МОРФОЛОГИЧЕСКОГО ПЕРЕХОДА ТОНКИХ 78 ПЛЕНОК НА НАЧАЛЬНОЙ СТАДИИ РОСТА.

5.2. ПЕРЕХОД ОТ КИНЕТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ К 81

ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМУ ОГРАНИЧЕНИЮ РОСТА.

5.3. ФОРМИРОВАНИЕ МИКРОСТРУКТУР С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ 88

АНИЗОТРОПИИ ПОВЕРХНОСТИ, ОБЪЕМА И ИХ СОВМЕСТНОГО

ВЛИЯНИЯ. б. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ (2+1 )D ОСТРОВКОВ НА 91 ПОВЕРХНОСТИ Si(OOl).

6.1. РЕАЛИЗАЦИЯ МОДЫ РОСТА СТРАНСКИ-КРА СТАНОВ А В СИС- 93 ТЕМЕ Ge/Si(001).

6.2. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ РОСТА НА КИНЕТИКУ ФОРМИРОВА- 98 НИЯ (2+1)D ОСТРОВКОВ.

ЛИТЕРАТУРА. 104

ВВЕДЕНИЕ

Электроника по праву считается основой современного этапа научно-технического прогресса. Используемые во всех сферах деятельности общества приборы, датчики, накопители и преобразователи информации, вычислительные системы, создаваемые в микроэлектронике на основе полупроводниковых материалов, обеспечивают выполнение требований, предъявляемых современным развитием общества по быстродействию, габаритам и потребляемой мощности. Причем требования к воспроизводимости и оптимизации технологических процессов в микроэлектронике превосходят аналогичные требования в других отраслях промышленности.

Характерной чертой полупроводниковых материалов является их структурная чувствительность. Именно структурной чувствительностью объясняется важная роль, которую играют в микроэлектронике технологические методы получения и обработки полупроводниковых материалов. А этапы становления новых методов получения и контроля полупроводниковых материалов с заданной структурой соответствует этапам развития твердотельной электроники. Повышение важности исследования структур на поверхности полупроводниковых материалов обусловлено:

• существенным возрастанием с развитием наноэлектроники значения поверхности как самостоятельного объекта при создании новых приборов, по сравнению с традиционной электроникой;

• возрастанием требований к структурному совершенству (регулярности размеров и размещению квантовых структур на кристаллической поверхности), предъявляемых разработкой высокочастотных приборов;

• созданием квантоворазмерных структур пониженной размерности (квантовые точки, нити и ямы);

• интенсификацией использования новых технологий (ионное травление, раскол кристалла в сверхвысоком вакууме, лазерный отжиг, молекулярно-лучевая эпитаксия);

• широким использованием в современной микроэлектронике гетероструктур для получения материалов с требуемыми электронными свойствами;

• применением в современных технологиях интенсивных потоков энергии, частиц и т.д., что определяет существенную неравновесность процессов, приводящую к проявлению эффектов самоорганизации.

Современные экспериментальные работы по исследованию поверхности, базирующиеся на широком применении приборов и методах структурного анализа (рентгеноскопия, фотоэлектронная спектроскопия, электронная микроскопия, туннельная микроскопия), как правило, сочетаются с комплексным моделированием процессов и явлений, которое проясняет картину эксперимента и позволяет исследовать закономерности процессов на поверхности.

Одним из наиболее интенсивно разрабатываемых научных направлений микроэлектроники, и в частности, наноэлектроники, является исследование эволюции структуры поверхности полупроводников.

Исследование эволюции поверхности полупроводников представляется важным с научной точки зрения в силу сложности и многообразия процессов, происходящих на поверхности, а также тем, что открывает возможность применения полученных результатов на практике. Все чаще поверхность используется как основной объект в новейших технологиях для изготовления приборов и устройств сверхмалых размеров

Подтверждением роста интенсивности исследований в области эволюции структуры поверхности полупроводников служит гистограмма, приведенная на рис.1, которая показывает, что количество научных публикаций в год, согласно базе данных Ingenta.com по выборке «quantum dots», удваивается каждые два года за последние 10 лет.

Рост числа пусликаций по эволюции структуры поверхности

1400

1200

1000

1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002

И Рост числа пусликаций по эволюции структуры поверхности

Рисунок 1. Диаграмма роста числа публикаций пов эволиции структуры поврехности.

Развитие современных технологий, базирующихся на физических и физико-химических свойствах поверхности, связано с важнейшими практическими приложениями в микроэлектронике, эмиссионной электронике, гетерогенном анализе, производстве сверхтонких слоев на поверхности твердого тела различного назначения и т.д.

Общепризнанно, что одним из наиболее перспективных направлений, основанном на новейших методах модификации и диагностики поверхности, является создание наноразмерных поверхностных структур при гетероэпитаксии (квантовых точек, проволок).

Ключевой проблемой практического использования наноразмерных структур является контроль их размеров (1СН-100нм) и плотности (1010-г-10псм"2) при условии достаточно узкого распределения по размерам.

В настоящее время экспериментально установлено, что существует область параметров роста, при которой образование квантовых точек удовлетворяет этим требованиям, но физические механизмы, приводящие к их реализации до сих пор не выявлены. Известно, что при образовании квантовых точек в гетеросистемах SiGe термодинамическое рассмотрение предсказывает существование системы устойчивых наноразмерных островков, размер которых существенно зависит от несоответствия материалов островков и подложки. Однако, приводит ли реальный процесс роста к формированию предсказанных термодинамикой островков или формируются отличные от них островки, размеры которых определяются кинетикой протекания процесса роста, - является одним из наиболее дискутируемых в настоящее время вопросов.

Без знания закономерностей формирования и эволюции структуры поверхности полупроводниковых кристаллов невозможно решение такого центрального вопроса, как целенаправленное и контролируемое использование фундаментальных пределов технологических методов микроэлектроники.

Это и определило цели, основное направление и методы исследования диссертационной работы. В ней обобщаются выводы теоретических исследований динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников.

1. Л.Ченг, К.Плоч. Молекулярно - лучевая эпитаксия и гетероструктуры //Под ред. Л.Ченг, М.: Мир, 582с., (1989)2 . М.Херман. Полупроводниковые сверхрешетки // М.: Мир, 238с., (1989)

2. А.Я.Шик, Л.Г.Бакуева, С.Ф.Мусихин, С.А.Рыков. Физика низкоразмерных систем // Под ред. А.Я.Шика, СПб: Наука, 160с., (2001)

3. В.А.Кульбачинский. Двумерные, одномерные и нульмерные структуры и свехрешетки //М.: Физ.фак. МГУ, 164с. (1998)

4. Н.Н.Герасименко, К.К.Джаманбалин,Н.А.Медетов. Самоорганизованные наноразмерные структуры на поверхности и в объеме полупроводников //МГИЭТ, КСА, Алматы, 190с. (2002)

5. П.Хирш, А.Хове, Р.Николсон, Д.Пэшли, Д. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов // Москва: Мир, 574с. (1968)

6. A.Latyshev, A.Aseev, A.Krasilnikov, S.Stenin Transformation on clean Si (111) stepped surface during sublimation // Surf.Science, v.213, pp.157 (1989)

7. О.П.Пчеляков, Ю.Б.Болховитянов, А.В.Двуреченский, Л.В.Соколов, А.И.Никифоров, А.И.Якимов, Б.Фойхтлендер. Кремний-Германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства // ФТП, т. 34, вып.11, стр.1281 (2000)

8. V.A.Shchukin, D.Bimberg Spontaneous ordering of nanostrucnures on crystal surfaces // Rev. of modern phys., v.71(4), pp.1125 (1999)

9. J.J. de Miguel, C.E.Aumann, R.Kariotis, M.G.Lagally Evolution of vicinal Si(001) from double to single - atomic - height steps with temperature // Phys.Rev.Let, v.67, pp.2830 (1991)

10. B.S.Swartzentruber, Y.-W. Mo, R.Kariotis, M.G.Lagally , M.B.Webb Direct determination of step and kink energies on vicinal Si(001) // Phys.Rev.Lett, v.65, pp.1913 (1990)

11. M.Uwaha, Y.Saito Kinetic smoothing and roughening of a step with surface diffusion // Phys.Rev.Lett., v.68, pp.224 (1992)

12. F.Wu, X.Chen, Z.Zhang, M.G.Lagally Reversal of step roughness on Ge-Covered vicinal Si (001) // Phys.Rev.Lett. v.74, pp.574 (1995)

13. Красильник З.Ф. Новые оптоэлектронные свойства полупроводниковых структур // Изв.РАН, сер.физ., т.64(2), стр.194 (2000)

14. Востоков И.Н., Долгов И.Н., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лоба-* нов Д.Н., Молдавская Л.Д., Новиков А.В., Постников В.В., Филатов Д.О.Однородные наноостровки Ge на Si(001) // Изв.РАН, сер.физ., т.64(2), » стр.284 (2000)

15. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников // Киев, Вища шк., стр.17 (1984)

16. C.Misban, O.Pierre-Louis, A.Pimpinelli Advacancy-induced step bunching on vicinal surfaces //Phys.Rev.B v.51, pp.17283 (1995)

17. D.Kandel, J.D.Weeks Simultaneous bunching and debunching of surfacesteps: Theory and relation to experiments // Phys.Rev.Lett v.74, pp.3632 (1995)

18. Y.Saito, M.Uwaha Morphological instability caused by asymmetry in step kinetics // Phys.Rev.B, v.51, pp.11172 (1995)

19. D.-J.Liu, J.D.Weeks, M.D.Johnson, E.D.Williams Two-dimensional facet nucleation and growth on Si(l 11) // Phys.Rev.B, v.55, pp.7653 (1997)

20. D.-J.Liu, J.D.Weeks Quantitative theory of current-induced step bunching on Si(l 11) // Phys.Rev.B, v.57, pp.14891 (1998)

21. Y.Saito, M.Uwaha, Y.Saito Control of chaotic wandering of an isolated step by the driff of adatoms // Phys.Rev.Lett, v.80, pp.4233 (1998)

22. J.Krug, H.T.Dobbs Current-induced faceting of crystal surfaces // Phys.Rev.Lett, v.73, pp.1947 (1994)

23. A.Latyshev, A.Aseev, A.Krasilnikov, S.Stenin Transformation on clean Si (111) stepped surface during sublimation //Surf.Science, v.213, pp.157 (1989)

24. Y.Saito, M.Uwaha Fluctuation and instability of steps in a diffusion field // Phys.Rev.B, v.49, pp.10677 (1994)

25. Березин A.A., Морозов А.И. Ширина ступеней на шероховатой поверхности // ФТТ, т.41, №2, стр354 (1999)

26. D.Kandel, E.Kaxiras Microscopic theory of electromigration on semiconductor surfaces // Phys.Rev.Lett v.76, pp. 1114 (1996)

27. Р.М.Пелещак, Б.А.Лукиянец, Г.Г.Зегря. Влияние электрического поля на напряженное состояние гетероструктуры // ФТП, т.34, №10, стр.1223

28. J.P.v.d.Eerden, H.Muller-Krumbhaar Dynamic coarsening of crystal surfaces by formation of macrosteps // Phys.Rev.Lett, v.57, pp.2431 (1986)

29. J.Merikoski, J.Timonen, K.Kaski Adsorption on a stepped substrate // Phys.Rev.B, v.50, pp.7925 (1994)

30. D.Kandel, J.D.Weeks Kinetics of surface steps in the presence of impurities: patterns and instabilities // Phys.Rev.B, v.52, pp.2154 (1995)

31. I.Bena, C.Misbah, A.Valance Nonlinear evolution of a terrace edge during step-flow growth // Phys.Rev.B, v.47, pp.7408 (1993)

32. Воронков B.B., Жукова JI.A., Мильвидский М.Г., Симонова Т.В. Анализ факторов кинетического упорядочения вицинали при газовой эпи-таксии полупроводников // Поверхность.Физика, химия, механика, №7 (1994)

33. H.Elkinani, J.Villain Growth roughness and instabilities due to Shwoebel effect: one-dimensional model // Phys. Sec.l v. 4, pp.949 (1993)

34. A.Natory, Step structure transformation induced by DC on vicinal Si(l 11)// Jpn.J. Appl.Phys, v.31, pp.1164 (1992)

35. W.K.Burton, N.Cabrera, F.C.Frank //Phylos. Trans. R. Soc. London Ser. A 243,299(1951)

36. A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedenski Generalized Burton-Cabrera-Frank theory for growth and equilibration on stepped surfaces // Phys.Rev.A, v.44, pp.10835 (1992)

37. V.Fuenzalida Cluster-size distribution during epitaxial growth from the vapor on strongly misoriented surfaces // Phys.Rev.B, v.44, pp.10835 (1992)

38. Леванов H.A., Степанюк B.C., Хергерт В., Канцельсон А.А., Мороз А.Э., Кокко К. Структура и стабильность кластеров на поверхностях металлов // ФТТ, т.41, №7, стр.1329 (1999)

39. S.N.Luse, A.Zangwill, , D.D.Vvedenski, M.R.Wilby Adatom mobility on vicinal surfaces during epitaxial growth // Surf. Sci. v.274, L535 (1992)

40. C.Ratsch, M/D/Nelson, A.Zangwill Theory of strained-layer epitaxial growth near step-flow // Phys.Rev.B, v.50, pp.14489 (1994)

41. Пчеляков О.П., Двуреченский A.B., Марков B.A., Никифоров А.И., Якимов А.И. Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпи-таксии германия на кремнии // Изв.РАН, сер.физ., т.63(2), стр.228 (1999)

42. G.S.Bales, A.Zangwill Morphological instability of a terrace edge during step-flow growth //Phys.Rev.B v.41, pp.5500 (1990)

43. D.Kandel, J.D.Weeks Theory of impurity-induced step bunching // Phys.Rev.B v.49, pp.5554 (1994)

44. J.Tersoff, Y.H.Phang, Z.Zhang, M.G.Lagally Step bunching instability on vicinal surfaces under strees // Phys.Rev.Lett, v.75, pp.2730 (1995)

45. J.Tersoff Strees-driven alloy decomposition during step-flow growth // Phys.Rev.Lett, v.11, pp.2017 (1996)

46. K.Thurmer, D.J.Liu, E.d.Williams, J.D.Weeks Onset of step antibanding instability due to surface electromigration // Phys.Rev.Lett, v.83, pp.5531 (1999)

47. F.Li, D.Y.Petrovykh, J.Lin, J.L.Viernow, F.J.Himpsel, M.G.Lagally Creation of "Quantum platelets" via strain-controlled self-organization at steps // Phys.Rev.Lett, v.85, pp.5380 (2000)

48. M.Sakurai, C.Thirstrup, M.Aono Nanoscale growth of silver on prepat-terned hydrogen-terminated Si(001) surfaces // Phys.Rev.B, v.62, pp.16167 (2000)

49. G.Jin, Y.S.Tang, J.I.Liu, K.L.Wang Growth and study of self-organized Ge quantum wires on Si (111) substrates // Appl.Phys.Lett, v.74, pp.2471 (1999)

50. F.Liu, J.Tersoff, M.G.Lagally Self organisation of steps in growth of strained films on vicinal substrates // Phys.Rev.Lett, v.80, pp.1268 (1998)

51. T.Uchida, K.Wada Kinetics of MBE growth on flat and stepped surfaces // Appl. Surf. Sci. 60-61, pp.234 (1992)

52. Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атамарно-чистых поверхностей полупроводников // Киев, Наукова Думка, стр.58 (1983)

53. V.Repain, J.M.Berroir, B.Croset, S.Rousset, Y.Carreau Interplay between atomic and mesoscopic order on gold vicinal surfaces // Phys.Rev.Lett, v.84, pp.5367 (2000)

54. Кисилев В.Ф., Крылов O.B. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков // М., Наука, стр.23 (1978)

55. D.-J.Liu, D.Kandel, J.D.Weeks Current-induced bending instability on vicinal surfaces // Phys.Rev.Lett, v.81, pp.2743 (1998)

56. Г.Хакен Синергетика. -Москва: Мир, 1985,419 с.

57. Eaglsham D.J., Cerullo МЛ Phisical Review Letters, vol. 64. №16. pp.1943-1946, Dislokation-free Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(100)

58. Леденцов H.H., Устинов B.M., Щукин B.A., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры //ФТП, 1998г., т.32, №4, стр. 385-410

59. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур //УФН, 2001, т. 171, №7, стр. 689-715

60. Xie, Q., A.Madhukar, P.Chen, N.Kobayashi Vertically self-organized In As quantum box islands on GaAs(lOO) // Phys.Rev.Lett, v.75, pp.2542 (1995)

61. Закурдаев И.В., Байзер M.B., Садофьев С.Ю, Рзаев М.М. Исследование процесса распада упругонапряженной пленки германия на поверхности кремния // ФТП, т.34, №5, стр.67 (2000)

62. Ledentsov N.N., V.A.Shchukin, M.Grundmann and others Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanow growth // Phys.Rev.B, v.54, pp.8743 (1996)

63. Востоков H.B., Долгов И.В., Гусев C.A. и другие Упругие напряжения и состав самоорганизующихся островков GeSi на Si(001) // ФТП, т.34, №1, стр.8 (2000)

64. Вавилова J1.C, Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С. Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости // ФТП, т.34, №11, стр.1307 (2000)

65. Maradudin A.A., R.F.Wallis // Surf.Sci, v.91, pp.423 (1980)

66. Guyer J.E., P.VW.Voorhees Morphological stability of alloy thin films // Phys.Rev.Lett, v.74, pp.4031 (1995)

67. J.D.Rittner, S.M.Foiles, D.N.Seidman Simulation of surface segregation free energies // Phys.Rev.B, v.50, pp.12004 (1994)

68. G.S.Bales, A.Zangwill Microscopic model for columnar growth of amorphous films by sputter deposition // J.Vac.Sci.Technol. A, v.9(l), pp.145 (1991)

69. A.-L.Barabasi Surfactant-mediated growth of nonequilibrium interfaces // Phys.Rev.Lett, v.70, pp.4102 (1993)73J M.V.Ramana Murty Morphological stability of nanostructures // Phys.Rev.B, v.62, pp.17004 (2000)

70. Zhang Z., Detch J., Metiu H. Surface roughness in thin-film growth: The effect of mass transport between layers // Phys.Rev.B, v.48, pp.4972 (1993)

71. Pal.S., Landau D.P. Monte Karlo simulation and dinamic scaling of surfaces in MBE growth // Phys.Rev.B, v.49, pp.10597 (1994)

72. Marmorkos I.K., Das Sarma S. Atomistic numerical study of molecular-beam epitaxial growth kinetics // Phys.Rev.B, v.45, pp.11262 (1992)

73. Barkema G., Newman M., Breeman M. Model for the shapes of island and pits on (111) surfaces of fee metals // Phys.Rev.B, v.50, pp.7946 (1994)

74. McCoy J., LaFemina J. Monte Carlo simulation of growth of Sb atoms on the GaAs(l 10) surface // Phys.Rev.B, v.50, pp.17127 (1994)

75. Leroyer Y., Pommiers E., Monte Carlo analysis of percolation of line segments on square lattice // Phys.Rev.B, v.50, pp.2795 (1994)

76. Tamborenea P.I., Lai Z.-W., Das Sarma S. Molecular beam epitaxial growth: simulation and continuum theory // Sur.Sci, v.267, pp.1 (1992)

77. Kimoto Т., Matsunami H. Surface kinetics of adatoms in vapour phase epitaxial growth of SiC on 6H-SiC{0001} vicinal surfaces // Appl.Phys., v.75, pp.850 (1994)

78. H.J.W.Zandvliet. Energetics of Si(001)// Rev. Mod. Phis., v.72, №2, p.p.599-602 (2000)

79. Xun Chen, Fang Wu, Zhenyu Zhung, M.G.Lagally. Vacancy-vacancy interaction on Ge-covered Si(001)// Phys. Rev. Lett, v.73, №6, p.850, (1994)

80. D.Leonard, K.Pond, P.M.Petroff Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs //Phys. Rev. В 50, 11687(1994)

81. D.Bimberg, G.E.Cirlin, A.O.Golubok, M.Grundman, G.M.Guryanov, P.S.Kop'ev, N.N.Ledentsov, S.Ya.Tipissev Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface //Appl. Phys. Lett. 67(1), 97(1995)

82. J.M.Moison, F.Houzay, F.Barthe, L.Leprince, E.Andre, O.Vatel Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs //Appl. Phys. Lett. 64(2), 196-198(1994)

83. J.H.van der Merve, L.C.Stoop Elastic interaction between small epitaxial islands //Crystal Growth 24/25,289(1974)

84. W.B.Joyce, R.B.Marcus Electrostatic forces between small charged islands in the early stages of thin film growth II. Interaction during growth //Thin Solid Films 10, 1(1972)

85. J.Tercoff. Missing dimers and strain relief in Ge films on Si(100)//PRB, v.85, №11, pp.8833, (2001)

86. D.M.Barnett, J.Lothe An image force theorem for dislocations in anisotropic bicrystals //J. Phys. F4(10), 1618(1974)

87. A.P.Filippov, G.N.Gaidukov Formation of impurity segregation in the field of elastic stresses near dislocations //Phil. Mag. A 67(1), 109(1993)

88. Г.Н.Гайдуков, Е.А.Кожевников, Ю.В.Копаев, Препринт №58, ФИАН, М., 27 с., (1996)

89. D.M.Barnett, J.Lothe Line force leading on anisotropic half-spaces and wedges //Phys. Norvegica 8(1), 13(1975)

90. Дж. Хирт, И.Лоте Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, 600с.

91. В.Новацкий Теория упругости. М.: Мир, (1975)

92. K.C,Panday. Proceedings of the 7th International conf. Phys. of Semiconductors, ed. J.D.Chardry, p.55, (N.Y. 1985)

93. R.O. Weade, D.Vanderbilt. Proceedings of the 12th International conf. Phys. of Semiconductors, ed. M.Anastasakis, J.D.Joannopoulous, p.123, (Siga-pore, 1990)

94. Воронков B.B., Жукова Л.А., Мильвидский М.Г., Симонова Т.В. Анализ факторов кинетического упорядочения вицинали при газовой эпи-таксии полупроводников // Поверхность.Физика, химия, механика, №7 (1994)

95. Nicholas А. М., Akram В., Frederic D.Ultrahigh-Density Nanowire Lattices and Circuits//Science, v.300, Is. 5616, pp. 112-115 (2002)

96. G.S.Bales, A.Zangwill Morphological instability of a terrace edge during step-flow growth // Phys.Rev.B v.41, pp.5500 (1990)

97. Березин А.А., Морозов А.И. Ширина ступеней на шероховатой поверхности //ФТТ, т.41, №2, стр354 (1999)

98. M.Sakurai, C.Thirstrup, M.Aono Nanoscale growth of silver on prepat-terned hydrogen-terminated Si(001) surfaces // Phys.Rev.B, v.62, pp.16167 (2000)

99. C.Ratsch, M.D.Nelson, A.Zangwill Theory of strained-layer epitaxial growth near step-flow // Phys.Rev.B, v.50, pp.14489 (1994)

100. D.Kandel, J.D.Weeks Kinetics of surface steps in the presence of impurities: patterns and instabilities // Phys.Rev.B, v.52, p.2154 (1995)

101. H.Elkinani, J.Villain Growth roughness and instabilities due to Shwoebel effect: one-dimensional model // Phys. Sec.l v. 4, pp.949 (1993)

102. T.Uchida, K.Wada Kinetics of MBE growth on flat and stepped surfaces //Appl. Surf. Sci. 60-61, pp.234 (1992)

103. R.J.Phaneuf , D. Williams Surface phase separation of vicinal Si(lll) // Phys.Rev.Lett v.58, pp.2563 (1987)

104. J.-K.Zuo, R.J.Warmack, D.M.Zehner, J.F.Wendelken Periodic faceting on TaC (110): observations using high-resolution low-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy//Phys.Rev.B v.47, pp.10743 (1993)

105. J.-K.Zuo, J.M.Carpinelli, D.M.Zehner, J.F.Wendelken Scanning-tunneling-microscopy study of faceting on high-step-density TaC surfaces // Phys.Rev.B v.53, pp.16013 (1996)

106. K.Sudoh,T.Yoshinobu, H.Iwasaki,E.D.Williams Step fluctuations on vicinal Si (113) // Phys. Rev.Lett v.80, pp.5152 (1998)

107. A.C.Redfield, A.Zangwill Attractive interactions between steps // Phys. Rev. В v.46, pp.4289 (1992)

108. В.И.Марченко, А.Я.Паршин Об упругих свойствах поверхности кристаллов // ЖЭТФ, т.79, вып.1, стр.257 (1980)

109. А.Ф.Андреев, Ю.А.Косевич. Каппилярные явления в теории упругости //ЖЭТФ, т.81, вып.4, стр.1435 (1981)I

110. S.M.Bhattacharjee Theory of tricriticality for miscut surfaces // Phys. Rev.Lett v.76, pp.4568 (1998)

111. J. B. Hannon, F.-J. Meyer zu Heringdorf, J. Tersoff, and R. M. Tromp, T.J. Watson. Phase Coexistence during Surface Phase Transitions, Phys. Rev. Lett., v. 86, №21, (2001)

112. Y.H. Phang, C.Teichert, M.G.Lagally L.G.Peticolas, J.C.Bean, E.Kasper Correlated-interfacial roughness anisotropy in SiixGex/Si superlattices // Phys.Rev.B v.50, pp. 14435 (1994)

113. D.Kandel, J.D.Weeks Step-bunching as a chaotic pattern formation process // Phys.Rev.Lett v.69, pp.3758 (1992)

114. D.Kandel, J.D.Weeks Step motion patterns and kinetic instabilities in crystal surfaces // Phys.Rev.Lett. v.72, pp.1678 (1994)

115. D.Kandel, J.D.Weeks Theory of impurity-induced step bunching // Phys.Rev.B v.49, pp.5554 (1994)

116. Галицин Ю.Г., Мансуров В.Г., Мощенко С.П, Торопов А.И. Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs // ФТП т.34, №8, стр.978 (2000)

117. J.-K.Zuo, T.Zhang, J.F.Wendelken, D.M.Zehner Step bunching jn TaC(910) due to attractive step-step interactions // Phys.Rev.B v.63, p.033404 (2001)

118. J.Tersoff, C.Teichert, M.G.Lagally Self-organization in growth of Quantum dot superlattices // Phys.Rev.Lett v.76, pp.1675 (1996)

119. M. Meixner and E. Scholl, Shchukin and D. Bimberg, Self-Assembled quantum dots: crossover from kinetically controlled to thermodynamically limited growth// Phys. Rev. Lett., Volume 87, №23, p.6101, (2001)

120. J.-K.Zuo, D.M.Zehner Terrace-width and step-height enlargement: reconstruction of the TaC (310) surface // Phys.Rev.B v.46, pp.16122 (1992)

121. A Li, F. Liu, D.Y. Petrovykh, J.-L. Lin, J. Viernow, FJ. Himpsel, and M. G. Lagally Creation of Quantum Platelets via Strain-Controlled Self-Organization at Steps // Phys. Rev. Lett. v. 85, № 25, p.5380 (2000)

122. A.Vailionis, B.Cho, G.Glass, P.Desjardins, David G.Cahill, and J.E.Greene Pathway for the strain-driven two-dimensional transition during grouwth of Ge on Si(001)// PRL, V 85, №17, pp. 3672-3675, (2000)

123. Т.М.Бурбаев, Т.Н.Заварицкая, В.А.Курбатов, H.H.Мельник, В.А.Цветков, К.С.Журавлев, В.А.Марков, А.И.Никифоров Оптические свойства монослоев германия на кремнии//ФТП, том 35, выпуск 8, стр. 979-984, (2001)

124. S.P.Ahrenkiel, S.H.Xin, P.M.Reimer, JJ.Berry, H.Luo, S.Short, M.Bode, M.Al-Jassim, J.R.Buschert, J.K.Furduna Self-organized formation of composi-tionally modulated ZnSel-xTex superlattices // Phys.Rev.Lett v.75, pp.1586 (1995)

125. A.V.Osipov, SA.Kukushkin, F.Schmitt, and P.Hess, Kinetic model of forming the coherent islands in the event of selflimited growth //Phys. Rev. B, Volume 64, №20, p.5421, (2001)

126. M. Meixner and E. Scholl, Shchukin and D. Bimberg, Self-Assembled quantum dots: crossover from kinetically controlled to thermodynamically limited growth// Phys. Rev. Lett., Volume 87, №23, p.6101, (2001)

127. Ланцова О.Ю. Исследование кинетики самоограниченного роста квантовых точек в субмонослойных полупроводниковых гетеросистемах //МИЭТ, Материалы научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика 2002", стр.12 (2002)

128. Г.Н.Гайдуков, Е.А.Кожевников, Ю.В.Копаев, Препринт №58, ФИАН, М„ 1996,27с.

129. D.Leonard, K.Pond, P.M.Petroff Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs //Phys. Rev. В 50, 11687(1994).

130. J.M.Moison, F.Houzay, F.Barthe, L.Leprince, E.Andre, O.Vatel Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs //Appl. Phys. Lett. 64(2), 196-198 (1994)

131. D.Bimberg, G.E.Cirlin, A.O.Golubok, M.Grundman, G.M.Guryanov, P.S.Kop'ev, N.N.Ledentsov, S.Ya.Tipissev Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface //Appl. Phys. Lett. 67(1), 97(1995)

132. Г.Н.Гайдуков, Е.А.Кожевников, Ю.В.Копаев. Компьютерное моделирование эпитаксиального роста квантоворазмерных (2+l)D псевдо-морфных структур на поверхности кристаллов // препринт ФИАН им. П.Н.Лебедева, 27с., Москва (1997)