Исследование влияния примесей ионов Ca2+, Si4+ и ионного облучения на оптические и магнитооптические свойства иттриевого феррита-граната тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

ШШЮТЕРСТВО ШОнЕГО и СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО ОНРАЗОВЛШа! РОЗПУЕЛИКИ УЗБЕКИСТАН ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЖШЕРаИГЕГ

на правах «уксдиси

АЛИ ИБРАГИМ АЛИ

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛЙЖШЯ ПРШЕСЕЙ ИЩОВ Са2+, И ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТООПтаЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИТТРИЕВОГО ФЕРРИТА-ГРАНАТА

.01,04,11 - Физика магнитных явлений

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой отвпани кандидата фиаико-математкчегких наук

Тацшеах' НЯЗ г

Робота выполнена в лаборатории оптики НИИ ПФ ТоиГУ

Ноучше руководители:

Доктор физико-математических наук, профессор

Кандидат <$изйко-катематических наук, с.н«с.

Официальные оппоненты:

Доктор <$иоико-математкческих наук Конладот фиэико-математическИх Наук* ô.H.c. Ведущая организация:

Ибучно-исследовательсгаЛ институт микроэлектроники Р.А.Н, ( Р. Ярославль).

Занята диссертации состоится _______года

в ________масоЬ на васеданш! специолпзпроилнного совета

ДК 0G7.0P..24 по йащитй диссертаций lia соискание ученой степени доктора фйэико-матейЬтическик наук при Ташкентском Государст -■зонном Униеерситето по адресу : 700095, г. Ташкент, Вуэгородок, ТягсГУ, физический факультет.

С диссертацией i.who ознакомиться и Научной библиотеке Гп/ш:онтского Государственного Университета.

Автореферат раоослан ______199ГЗ года.

УчешП гекретаръ Совета, поктор

În?HKr>-f."iT«j><eTJp>c;Kiitî ?|<зук Кпту.чевский Ь.А.

МуКИМОВ К.M. Очилов 0.0.

Кувандиков O.K. ИшМуратов Л.Н»

ОЩШ ХАРАКГ£РИСГШ(Л РАШГН

Феррита-граната ('¿Г) допускаат значительные вариации состава, что открываем иорспектиш синтеза на :i:t сс -ксше материалоп с заданными фиэнческнна свойствам!!. По згой причине, а также благодаря уникальным магнитооптическим свойствам $Г нахо.пят ссе более широкое практическое применение в соз-рс-ыенаоа оптоэлактроиике, шюогралыюИ оптике, СВЧ и лазерной технике, а системах 0К4 и т.д. Запсщлта'^ио уотройстпа на ни -линдричеекпх шшктшх доменах (!£.!Д) за атаатепыю коротав Е©01.:я заняла лречнеэ j-iüOTü спади еоьсаыашх сведем пандан а c-í'.lix различных системах, что объясняется их тоской надежно -стыо, большой еухсеты), иаиал анергог-о-греблшшем, hksxoíí чувс-яангелькастыо к аездейеваил электромагнитных полей, устоШш -nocí i,-; к виораципи, удераи, болшкм колебаниям яемператуш и ¡заганалении охруаавдей срода,

3 нас^отцее spfMíí интенсивно зедувся работа по изысканна ношх применен;:!! этих уатеркалоз с качестве шсексаффективш:: олбмситоБ памяти, рсг-Зотшсадх в сеиояашш с лаэоршм дучоп в качостае упразляеких когнвпзд полем окацентов сетниеских линий связи ( модулятора, зстворл, и т.д.), a vaicr.e uo имтпх других чувствительных устройствах, где можно использовать йольауп величину удельного ирецения плоскости поляризации света или пзг-н'лгного двупрзлсмлепил.

Широкое испэяьзанаииз рао'яичшх мапшягемшяееких приба -рои (МОП) стапкт зздачу по исследзншотэ тнтп-я ¿umn¡:i »содействий на техническую характеристику МОП. ¡{йвеоуио, что псола еблучаш иэйгргиамн и гз!а/.а кааитагда повяохся пжтткые пзра-metpj иагтггеептнчеоких (ЬЮ) плзчок. К ним стносчтсл: пс-че одноосной иннсстрсшш, пода«»иг;сть домегошх стенок' л ньмагначен-нсесь насодеш'-Л, диапазоны поля сменка ц упрааленкл. П mvuí-сн'юсти с? до cu ü «гика облучения, найдгдаетсп рист кс;:кчест;;а дефектная рзгяотрэв в Щ кккрссборгицс, Облучение СГ бзездима уусншае? намапшеияееть ниацен'ля, температуру " Ks-рм, константа иагштаизй ашетреппн, a sansa приводи® í$ йса-данию 5з НО i;avepnar,í.x аморфна* ык:срссбкассй?1. Ой'кученна алейронами приводи« я уаеличенпо до 10 # наыагннченассгн Ha«sr,£ir.№

н наведенной анизотропии,

В последнее время все чаще появляется работы, посвященше исследованию влияния ниэкоанергетичшх облучений положительными нонами кислорода О4"^ и шеокоэнергетичными ионами Ne , Не , N , В и т.д. но магнитооптически« свойства U0 материалов. Для глубокого понимания природа воздействия внешних дестабилизирующих факторов, необходим комплексные исследования влияния ионизирующего излучения на оптические и магнитооптические свойства (SP. Особый inrrepoc jioit с точки арения технического использования, так н с точки орешш $уппаме1ггальной науки, представляют исследования влияния легирование ФГ тнпми Саг+н Si<(+ , Это в первую очередь вязано с возможностью эор.'ИавоП компенсации технологических примесей ионов которые существенно снижают добротность и прозрачность ®Г я видимой н блин-лей ИК области спектра»

Б настоящей работе в качестве пб7»ектос исследования были шбршм достаточно хорошо изученные ( с точки орения их оптИ -ческих, магнитных и магнитооптических свойств) материалы - г.е-лепо-иттриевые гранаты (КИП, как монокристаллические образцы, тан и йпитакоиальные пленки.

Исследования Проводились методом измерении оптического поглощения и магнитного кругового дихроизма < МВД ). Выбор Методов бмл обусловлен тем, что сопоставление спектров оптического поглощения И МВД дпет еоэыоглость получить шгаорпация о влияний внешних воздействий Kau нэ магнитный, так и на оптические СВОЙСТВ ®Г.

Цель») настоящей диссертационной работа било:

- исследовать влияние облучения шлоглитольшни ионами кислорода на оптические и МО свойства КИГ в ближней ЮС и в ви-яимой области спектра; е

- установить связь Mtv-ду оптическими параметрами С*Г и тиши энергии и "пиой облучений;

- шяимить iwwiHn легирований нпня».'и Si'l+it на оптические ».Ми паргметрн

- выяснить природу механизме эсрядпвэй компенсации;

- Бмлйшаь пг!!!>о;;г дотяшмелыгого иъг.пценип 5Г' Иттрия в П' г^лпет" спепгрп.

Для решения поставленных задач пошло иаучвниЖ оптического 1 поглощения и МВД, были проведеш дополнительные исследования намагниченности, вторично-ионного масс-спектрометричесжого анализа, мессбауровских спектров, Среди основных реэульяатов работа, являющихся новыми для псследоавнных епитакаиальныХ пленок и монокристаллов, можно отметить следующее:

- исслеппппны спехтрт оптического поглощения и МВД п зависимости от концентрации допированних п ЕИГ ионйй и Са£+;

- методами оптического поглощения и МВД впервые били исследованы ыехшшзш ¡зарядовой коипенсации а5н+и йодоряащих С'Г. Впервые выяснена роль привесного дополнительного поглощения в ЖИГ, легированном ионами ',+и Сп**+;

- гперше было исследовано влияние облучения положительным*, нонами кислорода на оптические н магнитооптические свойстлз нт» триового СГ.

На пахоту шносятся:

1. Реэульт&ты исследования концентрационных и спектральдах зависимостей оптического поглощения и МВД в легированном ионами

61и Са2+ иттриетм ^-еррито-гранате в спектральном диапазоне БООч 1150 №.1 при комнатной температуре.

2. Результаты исследования влияния облучения ночами СГ+ с опершей 0,5 кг,В и дозами облучения по 5• 10 нон/а^ т оптическое поглощение и МВД в эпитаксиальных пленках 5Г иттрия.

3. Результата исследования влияния ионного облучения на технологически аагряоненнай слоЯ пленки ФГ методами иторичне-ионной масс-спектрометрии и оптического поглощения,

^2^1>аяА^1фаотическая_уеннос2ьл- Црасоденше в работе нсс-гепоюяннл оптического поглощения и ШЩ в монокристаллах 55Г иттрия позволили глубже понять механизм ппрячлппЯ компенсации и природу дополнительного погло0(ения в облпоги прозрачности <1:срритщ-гроиа-тов.

Ох.

Исследования влияния облучения положительными ионами СУ- на оптическое поглощений» и 1ШД а эпитаксиальных пленках ФГ иттрия расширяют ьозмо;.ик»:ти удучиения МО параметров тонких пленок фер-ритоэ-гронг.'го»« что сточки зрения их практического использования ),'ИГ япяястся вм'шм в различиix элементах интегральной оптики.

б

Кроив «ого, эти исследования. позео;шот установить сьааь между оптическими параметрами ЕГ и дозой ионизирующих облуча -

о цедья шбора ошишашых технологически;. условий получений материалов с эадп!ши;.ш свойствами.

Цатериаш диосйргации опубликовав ^ работах /1, 2/ и би— • л л долечены на II Мсжвузовской конференции иолодох специалистов отргщ СШ1, и г. Лшгабате с октябре 1593 г,

Во_введещш аргументируется ак-гуаяыюсть теш диссертации, формулируются цели исследований, приводится краткая характеристика г.олучбнш.х результатов и основные положения, шнозишз на заэдту.

"рассматривается: кристаллографическая и магнитная структуру ферритов-гранатов; природа дополнительного поглощения I) диапазоне длин волн окна прозрачности С5Г; существуете ыехаииош к оь: п ю ащ ш п р и.ч е с} ц х лоно б; входящих в сос -тав £'Г; а такие результат влипши шсокоэиергетического и низко она рг ет ич е с к ого поншх облучений до оптические и магнитооптические свойства -5Г. Дан краткий оекзор экспериментальных и тюре тичоскш: работ по атл вопросам.

приводится описание окспериментальшх установок и методик исследований.

Дня исслодосйниЛ иегюльаовалнеь шнокриеталлнческне образец гранатой У^'й.-^О^ > допированши ионами н Са в концентрациях от 0,0СК5 до 0,01 и от 0,005 до 0,02Ь атомов на формуль-нуо единицу, соответственно, а также эвитаксиальше пленки ит-триевого феррита-граната, подвергнутые облучению пояокительшми ионами кислорода 0 с энергией 0,5 КэБ дозами от 0,5-10^ до Ь-1019 нон/с^.

Измерения слектрОБ оптического поглощения провопилясь в спектральном интервале 500 * И£Ю ны на автоматизированной установке, собранной на база моно^роматора ¡¡!ДР-2о.

Программное обеспечение автоматизированной системы установки позволяло: проводить сканирование спектра поглощении по длин 11 волн; накапливать данные намерений и памяти микро ЭШ; про-'

производить математичискув обработку денных; адяарвть дополнительные указания оператору для изменения режима работа уэяоя установки; выводить данные результатов измерений на принтер.

Экспериментальная установка позволяла проводить измерения спектров поглощения с относительной ошибкой ю величина коэффициента поглощения 2

Измерения магнитного кругового дихроизма проводились с спектральном диапазоне ЙСО 4 1150 нм в постоянном мпгиитном поле до & кЭ по методике, использующей поляризационная модуляцию падащего на образец спета.

Для модуляции светового излучения использовался пьезоопти-ческий каарцевий яо.'^лятор с рабочей частотой ~ 120 кГц. Задающее напряженно на пьезсдадуляторе выбиралось таким, чтсбк из данной ллили роллы поляризация света, пэдстеого но образец, изменялось ох Прагой - до левой круговой. Регистрация пеличиш 1Щ осуществляясь стандартлим катодом синхронного детектирования. Относительная сшибка в воличи.чях ¡ОД не прокипала ~ 5

излояенн результата иссл&дозэшй ШЭД оптического поглощения в монокристаллах У^Го^Од), лепфопшпых уонаии н Са2+, а такяо в »иотяксизлыпх пленках /{ИГ, подвергнутых облучении ноцпми Здссь ко проводится сопоставлошо результатов оптических и магнето?1ггги"Оск;пс измерений с данными масе-спектроыетрии, микрозондового и рентгенаструктурного анализов.

Для выяснения природа дополнительного поглощения иттриево-го феррита-граната, вызванного примесями ионов Гс^* и Ре , технологического происхождения, были ярс«%едрцы измерения спектров Г.ПСД и оптического поглощения ХАГ и пависимости от концентрации попирупщих ионов ¿И+и Сэ^4",

Известно, что введение л состав ИГ ионов $1 ини-

циирует появлеш:е ионов и Го'^ соответственно. Очевилно, что при определеншх концептрмилл;; допирования ШГ ионам« ¿И1'* и С;/'+ происходит полная или частичная т/пснсация соохпстзт •• венно двух - и чешрехвплентных ионов яалиэя технологического происхождения до •цо/.валечтного сог.тялшзь ино долгою проявляться в изменении релг^-чму {иаччозтм «аоОста КЛГ.

о.

Проведенные наследования спектров поглощения П1Г : Са'*'1' показали, что при ыалих концентрации:: ионов Cûs,"r ( до 0.0025 атомов на од.) оптическое поглощение в области длин волн 600* II5Q ш значительно снияаеюя по сравнений с чистим ИИ'. При повышении концентрации ионов Са^+ наблюдается увеличение коэффициента' поглощения в исследованной спектральной области и смещение контура полосы поглощения с центром при 900 ни в область больших длин волн»

Аналогичное поведение« спектров поглощения наблюдается для ВДР : j при иалих концентрациях ионов Si ( до 0,005

атомов на ф.ед.) наблюдается уменьшение величина поглощений в области длин волн 600 4 UEO ни, в го время каг: больиио кои -центрации ионов приводят к общему увеличения поглощения по оравнению с чистым Ш\

Б качества примера на рис. I приведены^ьеличшм коэффициенте поглощения &ЙГ; Се4"* и ЕИГ: Si в зависимости от кон -цантрациа легирующих ионов, полученные на длине волны 1150 ны. Видно, что для концентрации Сь ~ 0,01 атом, на ф.ед. коэффициент поглощения ЕИГ : Са з пределах ошибки эксперимента ( ~ Z * 3 %) близок и нулю. Для ЮТ : Si*1* так же наблюдается значительное уменьшение поглощения для концентраций ионов

.005 атом.на ф.ед. Резкое уменьшение копСЗ'ИЦиента поглощения '¿¡if при введении в его состав ионов Сь*"+ и концентрациях соответственно 0.01 u 0.0Q5 атом, на ф.ед., по-ви-диыому, чолто овяоать с тем, что при этих концентрациях происходит компенсация зарядов основной части поной железа Ге'"н' и Fo технологического происхождения до трехвалентного состояния .

Изменение количества пршесшх ионов Г« и Fi! + отчетливо наблюдается в спектрах МВД исследованиях гранатов. На рис.2 и 3 приводятся спектральные зависимости МИД кристаллов £Ж; Са2+ и Ш1: Si , для диапазона длин волк 700 4 1100 ни.

Известно, что полоса ЩД ( как и полоса поглощения) в области £00 л 1100 нм связана с оптическим переходом шшои Ре^ б октао'фкческой подршетка ИГ. Рост величины Mlv'( в заиисн -мости от увеличения концентрации ионов Си''* указывает на уве~ течение количества ионов Fe*^ за счет зарядовой компенсации

20

10

К си 1

0.01 07б2 ' Х.а/рг

Рио. I, Зависимость коэффициента логлощения оа-легирования У-Ге^О^ ионами *** и на длине волны лазера Л =1Л5 ыкм с учетом ковф^ицнента отражения Л - для А ~ * - для Са.

части ионов нонами Ре'^1", инициированнымиыи введением ионов в состав ЖИГ. Увеличение ЫКД ЙИГ: ¿¡"до концентраций ионов ~ 0.009 атом, на ф.ед.таюяе указываем на то» что в составе КИТ увеличивается относительное число ионов Ге Большие концентрации ионов

приводят к тому, что число конов инициированных введением Л^в состав Ж11Г, начинает пре-шшать количество технологических ионов Ре. Т.о. для концентраций ионов 0.009 атом, на ф.ед. происходит общее уменьшение ионов Ре , что приводит к уменьшению общей намагничен -ности и как следствие, к уменьшению величины 1ВД.

Таким образом, проведенные исследования позволяют заклю -чить, что введение в состав ЙИГ ионов Са**+ и позволяет-существенно изменять оптические и магнитооптические свойства КИГ в видимой и ближней ИК областях спектра.

Измерение спектров поглощения и ¡>ЩД впитаксиальных иле -нок ШГ, облученшх ионами 0^* показали, что в области длин волн Ц)0 •* 1150 ш, содержащей интенсивный оптический переход,

2.0 ^ИЩ.сй"1

|40

* ."V

*

«4 * Ч.

-—V-

1 900 1Ю0 Л ,нч

Рис. 2. Спектр МВД У5Твь0^ : Са

• - х= с.ооеб, о-!: =0.0049 Д-Х-0.01, х-х«0

2.0

1.0

МКД|Си"

и

• »• *

О • I

• ;

I- , __Ш—

и 1100 л'нм

Гис. 3. Спектр 1Л(Д У^е^О^ :

Я-Х = 0;*-Х - 0.005; о - Х-0.009 Х= 0.025

I

_ 3v

связанный с ионеми ra а октаэдрической подрешетив граната, оптические и магнитооптические свойства заметно меняйте« в зависимости от дозы облучения. До доа облучения ó 3-Ю*9 ион/см^ наблюдается уменьшение оптического поглощения более чем на 13 % по сравнению с необлученной пленкой ЖИГ, и коэффициент пропускания эпитаксиалььой пленки приближается К зиачешю пропускании монокристалла ( см. рис, 4), В то же время дальнейшее увзличо-ние дозц облучения приводит к росту поглощения. На вставке риз, 4 представлена зависимость коэффициента поглощения эгштаксн -алыюй пленки ЖИГ от дозы облучения ео поверхности нонами Сг+, полученная на длине волш IISQ ач. Видно, что минимум поглощения соответствует дозе5-I0*9 ион/см^, Дальнейшее уаеличо -нив дозц практически не сказывается на величине поглощения. Куц видно из рис. 5, где приведены спектры !1КД исслодоваших пленок Ш1, зависимость ЩЦ от дозы облучения ионами Сг+ не коррелирует с поведением соответствующей зависимости коэффициента поглощения. По мере увеличения дозы облучения до значений~1,5-10 ион/см^ наблюдается рост МИД пооле чего значение 1ЛЩ несколько уменьшается. о

Происходящие в результате облучения ионами изменения ь спектрах поглощения и ПОД исследованных зпитаксиальных плонак Ш1Г могу» бить объяснены изменениями в результате облучения структуры пленки Í состав, количество примесей, кристаллическая структура) как на ее поверхноег'н, так и в объеме.

По мерз набора дозы облучения о одной стороны происходит распыленна переходного слоя пленка-поверхность ростового происхождения, который как известно, обогащен примесью ионов РЬа+ ц РЬ , являющимися основной причиной дополнительного ногло -щения опптаксиальшх пленок ЖИР. По море распыления поверхностного слон уменьшается количество монов свинца, что приводит к уменьшению коэффициента поглощения; наблюдаемому Экспериментально ( см. рис, 4), Это било подтверждено дополнительными исследованиями по масс-спсктрильиоыу и электрошю-зондовому анализу, которые показали, что о поверхностном слое облучонных пленок, количество ионов сринца существенно ( более чем в 2 раза) уменьшается по сравни -нию о необлученннми.

С лругой сторош - облучение значительными доз&мн ионов G'*+

Рис.. 4. Спектры поглощения пленки ФТ иттрия при различных дозах облучения. . « - 0 ион/см2

4-0,5 10 ^ ион/ом2 о -1,5 10ион/с!-^ • - 3 Ю» ион/сы2 о - 5 101<г ион/с!.!2

приводит к погашению степени совершенства кристаллической стру^ ктури 2П1Г вдали от поверхности, пленки ( по крайней мере на глубине 1-2 мкм от пгверхности). Это также приводит к уменьшению оптических потерь, связанных о рассеянием на дефектах кристал -лической структуры.

Уменьшение количества дефектов кристаллической стру1стури и уменьшение примесей п пленках ЖИГ в результате ионного Облучения по-видимому, приводит к увеличению величины объемной намагниченности, и тем самым - значения МКД, которое наблюдаются. экспериментально ( см.рис.5).

Таким образом Проведенные исследования показали, что метбд облучения положительными ионами кислорода епитаксиальных пленок Н'ЛГ позволяет достаточно эффективно улучшать их оптические И м.агнитооптическио характеристики, что является важным о точки зрения использования пленок ПЭТ в качество материалов для элементно!) бази различных МО устройств.

0сЦО5Ш§_£езультаты_и_швозн

1. Разработана и создана экспериментальная установка эв -томатизированной системы регистрации и обработки спектров, кото-рол позволяет проводить исследование спектров поглощения й спектральной области 500 + 1150 нм.

2. Показано, что дополнительное поглощение В области прозрачности монокристалла ФГ иттрия п основном связано с прйсут етвием ионов Г<Т+ и Ге .

.3. Показано, что линейный рост поглощения п области прбз -рачпости ( 1,15 мкм) для Я!-'1*" легированного ЙГ иттрия начина -ется с концентрации 0.005 ф.е., а в случае С?г+ легиро -

ванного ФГ иттрия оптическое поглещшшо почти достигает ¡¡уля при концентрации 0.01 ф.о., что свидетельствует о полной компён-сеции ионов .

4.Виорпь;е было исследовано влияние 1Ызкоэнергетиуш5С облучений поло-ительнмми ионами кислорода на оптическоо поглощение и магнитнмй круговой пцхроизм в згаггаксиэльшХ пленках йГ иттрия. Показано, что облучение приводит к объемным изменениям оптически* и магнитооптических свойств пленок СГ иТтркя. Устенойлено,

Рис. 5. Спектральные зависимости ЩД в обяучемшх плата;: £Г и^грид ■ - — иснзкрпмалл С»? НТТрШ

- й- необлучоиная пленка £Г нттрля

- Д-облучелшЯ -D -G.S-1019 non/cifi -0-2) ■ L5-Í019 ¡¡он/см2

А « - 3 I019 Iiaí/cifi

- ö _ sao19 кпн/см-

что облучение пучкеои Ионоп кислорода вызывает уменьшение концентрации линейных дефектов в объеме, но при отом возрастают локальные деформации, особенно в октаэдрическоЙ лодрегаётко железа, что приводит к усилении обменной связи с ионами жолеза в тстр.пподрешотке. В результате чего величина эффективного локалЬ-^ ного поля Нэф^. для железо в тетрапозициях увеличивается! Й Ьмб-^ сте с ней растет намагниченность тетроподретеТnit.

5. На оснопе получении* результатов било предлояено йс -пользование низкозиергетичшх облучений положительными цойямй кислорода для очищения от свинца опитаксиальных пленок ит -трил, шращеншх из свинецсодервшцих флюсов.

6. Провелсн сравнительный анализ полученных результатов по низкоонергетичному облучению ионами и внсокобнергетич-ным облучением. Выяснено, что в ряде случаев как пысйкоэнер-гетичЕые, так и низкооиергетичше облучения приводят к едина -кошм изменениям магнитных свойств, например, намагниченности образцов, как в объеме, так и на поверхности. Високоэнергстич-ньте облучения приводят к появлению протяженных дефектов и па -каисий, а также амортизации поверхностного слоя.

Основные результата диссертации опубликованы

1. Очилов 0.0., Халмуратов 1.1 .Г., Ибрагим Лли, Рамазанов Л.Х. Исследование спектров поглощения и магнитного кругового дихроизма i'oFctjOj^, легировогаого ионам» SH+h Саг+. "Узбекский физический курнал, 1293, И 5.

2. Очилов 0.0., Стопшй А.И., Халмуратов М.1\, Федотова В.В., Ремазанов Л.Х. Ибрагим Лли. Тезисы докл. Межвузовской науаюй конференции " Актуальные проблемы физики твердого тела, радиофизики и теплофизики." 1993 г., г. Ашгабат, 18-23 окт.

в работах

ЦШШ-ТЕМИР ЁКИИ ТАРКИЩГА КИБЛИЛГА;! Са^

ИОНЛАРИНИ ВА 0^+И0Н-ИУРЛАРИНИ УНЦИГ 0ГШ1К

ДА МАЩ1ТООП'Щ ХУСУСИЯТЛАРИГА ТАЪСИРИ

IWCKA4A МАЪНОСИ

Цттрий-темир йкутц (ИТё) криеталли таркибига киритилгпн зх4 в« Чаг+ цоапари мое *олатда îe2+ ионларини косил цилади.

Оптик ютилиши ва ыагнитли доиравий дихроизм методлари ёрдамида ИТЁ таркибига устириш вацтида кириб колгаи Ре2+ва F«4* ионлари, Si^t pa Ca2t ионлари киритиш натихшеида хесил булган Ре2+ва Pp4t ионлари ёрдамида узаро компееациялаши илыиИ текширилади.

Текширишлар натижасида ИТЁ: Si4+ учун тулик компенсация Si4 0,005а, ИТ12 Са2+ уцун эса Са2+= 0,01 а,б, да »ззага келади.

ИТЕ плеикаларигй папт энергиялн о2+ ион-нурларининг таъои-ри хрн ю^орида келтирилган методлар ёрдамида ургаиилди. Нурлан-Tiipsna натижасида HTlî пленкаларда сиртций са ^аммий узгаришлар содир булмши кузагнлди. Текшришлар уП температурапида, 500 им дан IIÔ0 нм гача булган спектрал ораликда утказмлди.

IHVESTIGAÏIOH ОР 1ИЩШСЕ ОР Са2+ AHD Si4 + IONS AIID ЮН IRRADIATION 01J OfïICAl - А1Ш MAGHETOOMICAL ïia РЦОШШЕЗ

S U К II A li ï

Si4+ еда Ca2+ admixture alloyed in VIO consequently form J?e2+ arçd Fe^'iono with the help ot methods of optical absorption CpA) and circular magnetic dikhroism (ЫСЕ).

Mutual compensation of Fe^ apd ions and alloying admixture of Ca2* as YIC component ia investigated. ------------------

As a result, it is established thut for Si4i XXQ ruio. (complete) compensation la equal to 0,005 a.f.u and

for Oa2+ XIÛ is equal to Ca2+ » 0,01 a,f,u.

Influence of low energetic ion 02+ irradiation on ÏIG pel-lic3es ia Investigated with the help of OA and 11CD methods. It was pbserved that under the irradiation influence ia YIG pellicles surface and vplumetyical traneformiitiOAa ara taken place.

Spectral measuring «yas çarriod out in 50Q+11C0 interval irç room tèmpe^-ature.

Подписано 9 по»ЦкТЬ 9.ХП.93 г. Объеи I п.л.Т-100 Sait.

ТигьВДШМСХ. Ташкент,ул.Кары-Ннязора,59