Исследование влияния примесей ионов Са2+, Si4+ и ионного облучения на оптические и магнитооптические свойства иттриевого феррита-граната тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

го о л

!ШЮТЕгСТВО внащ) и срвдшго шэщллъного ошшшм рвсгошшм узвдшсш

ТВКЕГГСШШ ГОСУДАРСГВЩШЙ УНИВЕРСИТЕТ

на правах рукописи

АЛИ И1РЛШ МИ

исследование втття пшесей ишов аа2+г й" ионного облучения на

ОПТИЧЕСКИЕ И МАГОИТООГШЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИТТРКЕВОГО ФЕРРИТА-ГРАНАТА

.01,04,11 - Физика магнитных явлений

А В Т,0 Р Е Ф.Е Р А Т

диссертации на соискание ученой степени кандидата фиаико-математическнх наук

Тайшет- г»

Работа выполнена в лаборатории оптики НИИ IIS ТошГУ

Научите руководители:

Доктор физико-математических наук,

профессор Мукииов K.M.

Кандидат фиэико-катематических наук,

с.н.с. , Очилов 0.0.

Официальные оппоненты:

Доктор физико-математических Наук Кувйндкков O.K.

Кандидат фиеяко-мотемотячос1а!х

Наук, 6.к.с» И'нМуратов Л.Hi

Ведущая организация:

Научно-исследовательский институт микроэлектроники Р.А.Н. ( Р. Ярославль).

Защита диссертации состоится "¿Ц"___l^Z___года

а „j^JX____Macob на еаседвшш специализированного совета

ДК 067.СЙ.24 по оащитй диссертаций на соискание ученой степени доктора физико-математических наук при Ташкентском Гооударст -пошюм Университете по адросу: 700095, г. Ташкент, Вузгородок, ТпшГУ, Оптический факультет.

С диссертацией мпхио ознакомиться в Научной библиотеке Пчикенгского Государственного Университета.

Лпторзч'ераг рэаослан ______1993 года.

УченыП секретарь Сопета,

поктор

ОЩАЯ ХАШГЕНЮША РАШШ

Актуальность йерритц-граната С1Т) допускают значительное иарнаций состава, что открывав? пзрслектиш синтеза на их сс -н«Ее материалов с аадашши физическим:! свойствами, По эюА причине, а такие благодаря ушшалыыц магнитооптическим свойствам ФГ находят гее более широкое практическое при:.:еисние в современной оптоэлектронике, интегральной оптике, СБЧ и лазерной технике, в системах ЭВМ и т.д. Запсыинаа^ие усгройстЕа на ци -дшщрических шгнюише доиеках (1Щ) оа относительно короткое врег.:я заняли лрочноэ ызого следи соапбмеишх сведем п:е.лп'н в сл-.ах различных системах, что объясняется их пасокой надалю -стью, большой и.;ксстьи, малый Биергонотреблением, икьиой чунс-■Iаителыюстыв к возде^сачлы электро«агиигшх нолей, усгойчм -яоетьп гс вииргщили, ударам, большая колебаниям темпе рагу ш и иагшйнешю окрунаощей сре.пд,

Б листоящее ь$гмя глггнеиьнз ведутся работы по иаосканий ношх применений отих материалов Б качество шсокооф1<эктш.'шх элементов памяти, работающих с сочетании с лазерным лучом в качестве управляешь кагкитш.! полем олекентон оптических .'::'лшй связи ( {.!'>;/улягор1, затвори, н г .д.), а '¿?а>с.е но многих других чувстшгееш'ЫХ устройствах, гло нокно использовать о'ояьшуо величину удельного враценил плоскости поляризации с сет а или ь:пг-НИТЯОГО ДБуПреЛСУЛСНИЯ.

Широкое иепаяозоиашз различных «елиг.'сштьческил прибс -ров (ШШ) с-гава® задачу по исследованию влияния гнеенкх воздействий на техническую характеристику МОЛ. Писемно, иго пссла сблучения койгренами ¡1 гаима иваитгим шиотея «агаитше параметра магнихопнткчевких -Ш) пленок» К ним относятся: пояе одноосной анисогрогшн, подпдалость доченлнх стопок а из»!агнкч»зн-нсс'гь насыщения, диапазоны кош спевши! и упуь:;яен:.'я. В зависимости ос дои и уигш облучения, ьлблгдасч'са реет колкчестса дебошах регистроа в Ц'ЗД какрасборках. Сбадчонм '.?Г басярши неПтрснп;.!;! уигишаог намагниченность ныст;ения, температуру " Кори, кснстеют «агкитизИ анязатропи«^ а таккз припади? н созданий а МО г.ьтерпаиь:: амор^шх ымирообкамой. Оо'луч^ш'.о ололг-роиа>.ш привод;« п увеличении до 10 % нанегничеюости наш^ыгля

и наведенной анизотропии.

В последнее срамя все чаще появляется работы, посвященные исследованию влияния ниэкоанергетичшх облучении положительными ионами кислорода О и шеокознергетичными ионами Ме , Не , N , В и т.д. но магнитооптические свойства МО материалов. Для глубокого понимания природа воздействия внешних дестабилизирующих факторов, необходимы комплексные исследования влияния ионизирующего излучения на оптические и магнитооптические свойства ЕГ. Особый интерес Кок с точки Зрения технического использования, ток и с точки зрения с^унпояеигельноЛ науки, представляют исследования влияния легирование $Г ионами Саг+и . Это в первую очередь еяошю с возможностью зорЧдоЕоП компенсации технологических примесей ионов Ге^+и которые существенно снижет добротность и прозрачность СГ в видимоП и блнжнеЛ ИК области споктрэ.

В настоящей работе в качестве объектов иослелования были шбряш достаточно хорошо изученные < с точки зрения их опти -ческих, магнитных и магнитооптических свойств) материалы - ке-лезо-иттриевые гранйты (И!Г), кок монокристаллическне пброэцн, тан и епитаколальные пленки.

Исследования проводились методом измерения оптического поглощения и магнитного кругового дихроизма ( МКД ). Выбор методов был обусловлен тем, Что сопоставление спектров оптического поглощения и МВД дает возможность получить информация о слияний внешних воздействий как но магнитные, так и на оптические своИ-отйа 8Г.

Цель» настоящей диссертационной работа было:

- исследовать влияния облучения положительными ионами кислорода не оптические и МО свойства КИТ в ближней ПК и в видимой области спектра} Р

- установить свяоь мк.-ду оптическими параметрами СГ и ти-по1! энергии и -оэоР ионизирующих облучониП;

- шяинить йлнятп легирований иптт»'и и На опти-м^дкие ч_1'!0 параметр.! ГЛГ.

- бшснить природу механизма эарядопой компенсации;

- вмлешць прирежу дштннгелыюго иоглои^ния 5Г иттрия в •"К ^'тсти "печ.гр'!.

\ Для решения поставленных задач помимо иоучожМ сданческого • поглощения и ШЭД, были «цоведены дополнительнее) исследования нанпгничегоюсти, вторично-ионного масс-спектрометрнчесКОго анализа, мессбеуропских епектрои. Среди основных результатов работы, являющихся пошит для иссладоо&шых епитоксиалымх пленок и ыононрнстоллор, можно ответить сйодуп-цес:

-• иссгедоппни спектр/ оптического поглощения и МОД я зависимости от концентрации допиросшяп« п ЕИГ иоиоп г>| 'н' и Сз2+;

- методами оптического поглощения и ¡ОД ппершо' били исследованы ыеханиэш'зарядовой г.огпсиссции з -йодоржщих ФГ. Впсрше шяснена роль ярикс-сного дополнительного поглощения в ЖИГ, легированном ионики

- слорше было исследовано влмпнио облучений положнгольш:-» попами киолоредг. на оптические и магнитооптические свойстпа ит-триосого СГ.

Но ланиту гиносятся:

1. Результат иселсдогглия концентрационных и спектра.1?>ннх эашют-ястеИ оптического поглощения к ЩД в легированием нонами

5'|и Са2* нттриопом ^оррито-Гранате п спектральном диапазона ¡300-» ПЕО шл при комнатной температуре.

2. Результата исследования глинния облучения ночами О с онергиэй 0,5 кг?В и дозами облучения по 5-ТО1® нэн/с!^ на оптическое поглощение и ГОД и элитаксиалымх пленках 5Г итгрия.

3. Результаты исследогашш влияния ионного облучения на технологически загряснеишЯ слоЛ плепки ФГ методами иторичне-ионной масс-спектроь'етрии и оптического поглощения.

JLl^l!i!J2^-LLLLC^Ltтичecк^LLУeнy^^"ьJ- Праеодонше Б работа исс-леповзнкл оптического поглощении и МКД V нанокрлеголлях £Г иттрия позволили глугт.с понять механизм ппрячотй компенсации и природу дополнительного поглощения ъ области прозрачности ^ерритоп-грпна-тов.

Исследования влияния обду-снил /¡оло.хтълшжи менами Ст* на стчг-'ескси поглощенно и в энитакслальнах пленках £Г иттрия расаиряыт лозмо::л<*;''Я улучшення НО парйчотров тонких пленок <|«р~ ритоз-граи^о»« что сточки зрения их практического использования „'ЯГ пг\'т< тея на; ¡сч; и розягипх элементах интегральном оптики.

б

Кроме того, эти исследований позволяют установить связь ыевду оптическими параметрами СГ и дозой ионизирующих обдучв -ний о целью выбора оптимальных технологически:, условий получения материалов с. задавшими свойствами,

Натериаш диссертации опубликовали z работах /I, 2/ и били доложены на IX Межвузовской конференции иолодах специалистов отрея СНГ, и г. Лагабате в октябре 1995 г.

Срдеркан^а ц оецовше результат» работи

Во_введении аргументируется актуальность теш диссертации, формулируются цели исследований, приводится краткая характеристика полученных результатов и основные положения, выносимые на эаидогу.

0_L!fE52£!~r£S£ä "рассматриваются: кристаллографическая и магнитная структури ферритов-гранатов; природа дополнительного поглощения в диапазоне длин ьолп окна прозрачности 5Г; существуйте механизмы компенсации- примесных ионов; входящих в сое -тав йГ; а таюхе результат влияния шсокознергетического и низ-ко&нергетического ионных облучений на оптические и магнитооптические свойства йГ. Дан краткий обзор акспориыентальных и теоре тических работ по отчим вопросам.

приводится описание аксньрименталыш: установок и методик исследований.

Для исследований использовались ыонокрпсхаллические образцы гранатой Д°1иФова1Ц1ие ионами Si^ii Ca*"'1" в концентрациях от 0,0025 до 0,01 и от 0,005 до 0,025 атомов на формульную единицу, соответственно, а также зпитаксиальше пленки ит~ триевого феррита-граната, подвергнутые облучении положительными ионами кислорода О с анергией 0,5 КаБ дозами от 0,5-10*® до ö-10i9 hoh/w\

Измерения спектров оптического поглощения проводились в спектральном интервале Ö00 * IIÜQ ны на автоматизированной установке, собранной на безе моно^роматора ¡.¡ДР-йЗ.

Программное обеспечение автоматизированной системы установки позволяло: проводить сканирование спектра поглощения но дли-U)ji волн; накапливать данные измерений в наынти микро 2Ш; про-

производить мстамятичоскув обработку допмх; шппппть дополни-тольнпо указания оператору для изменения режима рпботч узлоп устаиокш; шеодигь дашие результатов измерений на принтер.

Экспериментальная устанозка позволяла просолить измерения спект-рои поглощения о относительной ошибкой с волншшо кооЗДи-

ЦИСМТП ПОГЛОЩОНИЛ Я

Измерения магнитного кругопого дихроизма проподилнсь й спектральном диапазоне 5С0 •{ ПРО ш в постоянном мпгпитном поле до 5 кЭ по методике, иопольэукщеН полкриэпционнуи г,">дуляцио падающего на образец слота.

Для иодулнции оге-тозого излучения использовался пьеэоопти-чкекип наарцеьий модулятор с рабочей частстоП 0 кГц, Задгл)«

напряженно на пьезогодуляторе выбиралось таким, чтсбс ;:з дяннсЛ лл;иш пота ноляризецня света, пядо;м;сго ?ш образец, изменялось от Прагой - до лесой круговой, Регистрация пеличшы МВД -./суафиштльсь стшщартним катодом еинхроиного датекгиронация . Относительная сжибка н цоличинах МИД не преглгаела ~ 5

У_7Е£2Ьсй_1'лаве_ изломепн результаты иселодояаний МВД оп~ тпчос»:о1'о поглощения и монокристаллах о, легнровпичих

гокадо п 0а2+, а такяп о анитяксивяыьис пленках ЛИГ, подвергнутых ОблуЧСНИК! </ . Здесь ко проводится сопостсшлсннз результатов оптически:« я магнитооптических измерений с данными мзсс-епегтрскетрпи, ишерезондового и рентгеноструктурного оноли-зон.

Для гш1спсния ИрЛрОДИ ДСПО;ап1тсльного поглощения ИТ'ГрИВЕО-го феррита-граната, с/гшанного нршсспми иог.ои гс^"1" и Ре*"'', технологического происхождения, бчли проъодркн измерения спектров МВД !! оптического поглощения Н'ИГ и яанисимости сг концентрации яопирупцнх «оно?! ^¡''^н ,

Известно, что гиеленке и состав ¡/.ИГ йот» •ини-

циирует ноявяеш:е ионов Ге и Го сооагетстаенно. Счелп.чно, что при определекних коицеигр'щпях ло'шрэп&ш Й1Г нопбмн и С/'' происходит полная пли частичная ¡^'¡/п^псацня соогоьгзг « в'лпю дпух - и че-пфихг.члш'иси: ионов тс.ЧНО/ЗД! П'Мексго

пронсхо-Адеш'.я до •цо/.пал^чтного ос>с.тот*л, '-Ю до'г-.ис проявлтгь-оч в идоен'лпш рйл.-и-'шу •{й.гнизгкк «ьоЛчтэ ¡'-«Г.

о

Проведенные последе шиш спектров поглощения HIT ; Си показала, что яря малых шщьитращш;: ионов Са^т ( до 0.0025 атомов lía ф. ед.) оптическое поглощение в области длин волн 500i 1150 ш значительно снижается по сравнение с чистый ШГ. При повышении концентрации юное Са наолвдается увеличении ковффициента' поглощения в исследованной спектральной области и смещений контура полосы поглощения с центром при £00 ны в область больших длин волн.

Аналогичное поведение спектров поглощения наблюдается для 1ШР : j при ыалих концентрациях ионов Si ^ ( до 0,005

атомов на ф.ед.) наблюдается уменьшение величиш поглощения в области длин волн 600 •» ПЕО ни, в то вреыя как большие кон -центрацни ионов приводят к общему увеличения поглощения по сравнению с чистим Ш\

В качестве примера на рис. I приведены величины коэффициента поглощения ШГ: С if*1" и ЛИГ: Si в зависимости от кон -цантрацил легирующих ионов, полученные на длине волна 1150 ны. Видно, что для концентрации Са*"4-~ 0,01 атом. на ф.ед. коэффициент поглощения ЕИГ : С« в пределах ошибки эксперимента ( ~ Z ♦ '¿ %) близок и цулю. Для К!1Г : так асе наблюда-

ется значительное уменьшение поглощения для концентраций ионов 8^^0,005 атом.на ф.ед, Резкое уменьшение коэффициента пог-

')' л. A Í-

лощения йИГ при введении в сто состав ионов С а и i>i в концентрациях соответственно 0.0Í и Q.opS атом, на ф.ед., по-ви-диыому, ыошо связать с тем, что при этих концентрациях происходит компенсация аарядов основной части ионов келеза Fe/-* и

Ге'^ технологического происхождении до трехвалентного соотоя-Н1Ш*

Изменение количества примеошх ионов IV и

Fe отчетливо наблюдается в спектрах МВД исследованиях гранатов. 11а рис,2 и 3 приводятся спектральше зависимости ШЭД кристаллов «ШГ; Са^*" и Ш1: Si , для диапазона длин волн 700 1100 ни.

Известно, что полоса ШЭД ( как л полоса поглощение) в оЗ-ласти £00 -i HOD ны связана и оптическим переходом ионов F^ в о кта одической подршетке КИГ. -Рост величины Mi«,'! в записи -liociH от увеличения концентрации ионов Са*"1' указывает ни увь~ г».чыше количества ионов FeJI за счет зарядовой компенсации

Рис. I. Зависимость коэффициента поглощения от легирования y^Fe^O^ ионами ■Si7'4'и Са^4" на длине волны лазера А =1Л5 мкм с учетом коэффициента отражения А - для Si^'-A ® - для Са.

части ионов ионами Fe*+, иницилрованнымимк введением ионов в состав ЖИГ. Увеличение МВД 2!ИГ: ¿iдо концентраций ионов 0.009 атом, на ф.ед.такно указывает на то. что в составе ЕИГ увеличивается относительное число ионов Fe Большие концентрации ионов

Si* приводят к тому, что число ионов Fe^+ инициированных введением Sj^B состав ЖИГ, начинает превышать количество технологических ионов Fe . Т.о. для концентраций иоиов > 0.009 атом, на ф.ед. происходит общее уменьшение ионов Fe , что приводит к уменьшению об'дей намагничен -ности и как следствие, к уменьшению величины ЩД.

Таким образом, проведенные исследования позволяют заклю -чить, что введение в состав ШГ ионов и позволяем существенно изменять оптические и магнитооптические свойства КИТ в видимой и ближней ffií областях спектра.

Измерение спектров поглощения и ЩЦ впитаксиальных плс -нок ШГ, облученшх ионами показали, что в области длин ьолн Ü00 1150 им, содаржащей интенсивный оптический переход,

МОД,см-1

* í»

* «

t. '« o»

o t" 4.

900 1100 A. >""

Pise. 2. Спектр ШЩ y3Fe5°I2 : Ca

• - X= С .0026, O - л «=0.049 л-JMJ.OI, X-X=0

2.0

- №Д,си

-I

• »• ' ío

I.О

к»

о . 6

1,

49

•ft

IL.

Ss&H SOO

ПОО Л,им

ïVc. 3.

Спектр ¡'КД : bVl +

я-Х - С ; -X - 0.005; о Х= 0.025

- Х= 0.009

с вязании íl о ионами Ре^* & октеэдрической подрешетке граната, оптические и магнитооптические свойства заметно меняется о зависимости от дозы облучения. До доз облучения^ 3-10 ион/cj/" наблюдается уменьиение оптического поглощения болео чем на 13 % по сравнению с необлученной пленкой ШИТ, и коэффициент пропускания епитаксиальной пленки приближается к значений пропускания монокристалла ( см. рис, 4). В то же время дальнейшее увеличение дозы облучения приводит к росту поглощения. Но вставке рио, 4 представлена зависимость коэффициента поглощения эпитакси -алыюй пленки 5КИГ от доаы облучения ее поверхности нонами Сг+, полученная на длИнв волш II&0 шд. Видно, что минимум поглощения соответствует дозе 5-10^ нон/cir. Дальнейшее увеличэ ние дозы практически не сказывается на величине поглощения. Как видно из рис. 5, где приведены спектры ШД иеследовашгых пленок Г11Г, зависимость МКД от дозы облучения ионами О2* не коррелирует с поведением соответствующей зависимости коэффициента поглощения. lio мере увеличения дозы облучения до значений~1,5-10 ион/см^ наблюдается рост ШЭД после чего ецачениа ЩД несколько уменьшается. ^

Происходящие в результате облучения ионами С*"+ изменешщ в спектрах поглощения и 1ВД исследованных эпитаксиальных пленок НИГ могут бить объяснены изменениями в результате облучения структуры пленки ( состав, количество примесей, кристаллическая структура) как на ее поверхности, так и в объеме.

По мера набора доги облучения о одной сторош происходит распыление переходного слоя пленка-поверхность ростового происхождения, который как известно, обогащен приыесьо ионов РЬа+ ц РЬ ^ , являющимися основной причиной дополнительного погло -щения эпитаксиальшх пленок Я1Г. По море расшления поверхностного слоя уменьшается количество нонов свинца, что приводит к уменьшению коэффициента поглощения; наблюдаемому Экспериментально ( см. рис. 4). Это било подтверждено дополнительными исследованиями по масс-спектральному и электронно-зондовому анализу, которые показали, что в поверхностном слое облученных пленок, количество ионов сринца существенно ( более чем в 2 раза) уменьаается по сравни -нию с необлученннми.

С яругой стороны - облучение значительными дозйми ионов

Е

1'ие. 4. Спектрн поглощения пленки ОТ иттрия при резличшх дозах облучения. « — О ион/с»/*

ТО о

а - 0,5 10нонД*£ о-1,5 Юр нсн/а-^ • - 3 10^ ИОн/с!.!2 с - 5 1019 ион/ск2

приводит к пошшенип степени совершенства кристаллической структур) Л1Г вдали от поверхности, пленки ( по Крайней мера на глубине 1-2 мкм от поверхности). Это также приводит к уменьшению оптических потерь, связанных с рассеянием на дефектах кристал -лической структура.

Уменьшение количества дефектов кристаллической структуры и уменьшение примесей в пленках Ш1Г в результате ионного Облучения по-видимому, приводит к увеличении величина объемной намагниченности, и тем самым - значения МИД, которое наблюдаются окспориментально ( см.рис.Б),

Таким образом проведенные исследования показали, что метод облучения положительными нонами кислорода епитаксиальных пленок НИГ позволяет достаточно (эффективно уцучгаать их оптические и магнитооптические характеристики, что является ванным о точки зрения использования пленок Ш1 в качество материалов для элементной бязи различите МО устройств.

Основще_результаты_и-швоан

1. Разработана и создана ¡экспериментальная установка ав -топатизировонной системы регистрации и обработки спектров, которая позволяет проводить исследование спектров поглощения в спектральной области 500 + 1150 нм.

2. Показано, что дополнительное поглощение в области прозрачности монокристаллу «Г иттрия в основном связано с прйсут и сгпием ионов Та и Ре

3. Показано, что линейный рост поглощения п области проз -рачности (1,15 мкм) для Ж легированного ®Г иттрнп начина -ется с концентрации 0.005 ф.е., а в случае Са легиро -ванного ФГ иттрия оптическое поглощение почти достигает 11улл при концентрации 0.01 ф.е., что спидотольствуот о полной компён-сеции ионоп Го''*,

4.Впэршо било исоледопано влияние йиэкознергетичтх облучений пологкигсльнмми нонами кислорода на оптическое поглощенно и мэгнитшй круговой дихроизм п эпитаксиольных пленках СГ иттрия. Показано, что облучение приводит к объемным изменениям оптических и мпгнитоостических свойств пленок ®Г иТтрИл. УстаниВлено,

Рис, 5. Спзмральше зависимости ЩЦ в облучьншх i¡лайках £Г игтрнл ' —- монокристалл О? иттрия

- я- необлучоиаан пленка £Г птгрия о

- Д-облучешш!! -0.ö-ICrS ион/см2

- о - в = I.5-Ï019 иои/см2

- о - 3 I0IS исн/ctê

- а _ Б-Ю10 mn/cir

»

что облучение пучшш ионов кислорода вызывает уменьшение концентрации линейных дефектов э объеме, но при отом возрастает локальныо деформации, особенно в октаэдрическоЙ подрегаетко железа, что приводит к усилении обменной связи с ионами жолеза в тстр'5по!'решотке. В результате чего величина оффективиого локялЬ-ного поля Н^. для железо в тетрапозициях увеличивается» а Вмё-* сте с ней растет намагниченность тетраподрешеток.

5. На основе полученшх результатов било предложено ис -пользование низкоэиоргетичшх облучений положительными ионсшЯ кислорода для очищения от свинца апитаксиальшх Пленок ШГ ит -грня, выращеншх из свинецсодержащих флюсов.

Пропедсн сравнительный анализ получениях результатов по низкоэнергетичному облучению ионами 02+ и инсокоонергетич-ыМ облучением. Выяснено, что п ряде случаев как шейкознер-гетичше, так и низкознергетичше облучения приводят к одина -сошм изменениям магнитшх свойств, например, намагничешоетп эбраоцоп, пак в объеме, так и но Поверхности. Вцсокоэнергетич-Wß облучения приводят я появлению протяженных дефектов и ha -сгнсиИ, а также амортизации поверхностного слоя.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах

Очилов 0.0., Халмуратов М.Г.Ибрагим Али, Рамазонов Л.Х. Исследование спектров поглощения и магнитного кругового дихроизма y^Fe^Oj^. легировтшяого ионами SH+h Ca2*. "Узбекский физический яурнал, I9Q3, Р 5. !. Очилов 0.0., Стогний А.И., Халмуратов М.Г\, Федотова 0.В., Р??мязаноп Л.Х. Ибрагим Лли. Тезисы докл. Межвузовской няучноЛ конференции " Актуальные проблемы физики твердого тела, радиофизики и теплофизики." IS93 г., г. Ашгабат," 1.0-23 о KT.

ИШШ-ТЕМИР ШТИ ТАРКШГА КИШ1Ш1Ш Si4+ Ga?>

ЖШОДШ ВА О2 +ИОЛ-ИУРЛАИ1Ш1 УНШГ ОПТИК

ВА МАИЩТрОШК ХУСУСИШАШГА ТАЪШРИ

КИСКАЧА ШШ'»ОСИ

ИгтриЯ-темир йкут}1 (ИТЁ) кристалл« таркибига киритилган Ы1«' ва Иаг+«онлари мое 5?олатда Ге2+ па иоиларшш хосил чилади. Оптик ютмлнши ва ыагиитли доиравий дихроизм методлари ёрдаыида НТК таркибига уптириш в а ч'гида кириб цолган Ре2+ва ионлари, 31^ ва Са2т ионлари киритиш натикаеида *ссил Су л га н ya4t ионлари ордоыида уэаро компеесциялаши илшШ текшнрилади.

1'екширишлар натижасида ИТЁ: Si4+ учун тулик компенсация Si41 0,005а, , ИТЁ Са2+ уцун эса Са2+= о,01 а,б, да кэага нелади.

И'ГВ пленкадарига наст энергияли 02+ ион-нурларшшнг таъси-PH к?" щорида келтпрмлган методлар ёрдомида урганш/ди. Нурлан-тириш нативасида ИТЁ пленкиларда сиртций ва хаы.шй «згаришлар г.один булиши кузатилди. Текш^риалар- уП температурасида, 500 u.-.i д£.н 1100 им гача булган спьктрал ораликда утказилди.

IIIVESl'IGAiMOH OP 11Щ1ШСЕ OP Са2+ AMD iii4t I'GUS AIID IOU IRRADIATiOil ON omOALAMO ЫЛОМ£ТОО?1'1СА1 XIG PROPHillES

S U li К4П

аца Cti2+ admixture alloyed in VXG consequently form Pa^* aiid Уе4+-1опс with the 1ш1р ot jaethoda of optical absorption (pA) and circular uiugnetic dikhroisai (HCD).

P I. л ,

Mutual compensation of Fe" and Fe ' ions and alloying admixture of Si4+, Са2* &з YIG component is investigated.

... ----------------

As a yeault, it is established thut for Si41 2CIG lui'a. (complete) compensation in equal to Si4+» 0,005 a«f.u and for 0a2+ ¥IG is equal to Ca2+ « 0,01 a,f,u.

Influence of 1 pw energetic ion 02+ irradiation on YIG pel licJes ia investigated with the help of OA and UCD methods. It was observed thut under the irradiution influence ia YIG pelli clea surface and VQlumetrical trensior&atioas are taken place.

Spectrel measuring «yaa parried cut in 500*1.100 interval iii room temperature.

|1о,цпигано в печать 9.ХП.93 г. Объеы I п.л.Т-100 Зак. ZU2 ТипЛШШСХ. Ташкент.ул.Кары-Ннпзова,39