Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ордена лезпп1л сибирское отделше

жццим идук ссср

КНСЭТГУТ ХК'.'ШХ рвэрдого тола и перзрзботкл ?ПТН9р;«!;Н0Г0 сирья

Нз правах руксапсл УДК 5-1 Г. Ш Л 23-5-16.23

Алаев Владимир Шзгаровяч

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАК-ЮДЕИСТВШ ДИМОРМДА КСЕНОНА С ПОВЕРХНОСТЬЮ КРЕМНИЯ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ. 02.00.04. - физическая химия

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук.

Новоснбкрск-199'|

Работа каюдша в Институте ([азш полуироводшшов Сибирского отд-элэшш /Л! СССР

Кйуангй руководитель: кзщддаг лакчеааа наук, с.н.с.

Бакланов М.Р.

О^шсюйьшз ошокеяга: доктор ^«зако-магештичеишх наук, профессор Ыарафутданов Р.Г.

каидлдаг хекйчэскях наук, с.н.с. Борошш А.И.

Вздуэда оргаанзацкя: Институт неорганической химия СОАН

СССР

Защита состоится Ю .0^. 1591г. в Л часов на заседают Сйецтлязпроваяйого совета К.003.40.01. по присукдеш-га ученой степени кандидате наук по • специальности 02.00.04. (фгаичкекая хл»кя) в Институте ш® твердого тела и переработка гдщерзлъкого сырья СО АН СССР (С30031, г ЛГопос::''1рск,уд. Дер;:йЕ::ца, 18). С диссертацией 1.:о>,:ло ознакомиться в библиотеке Института хишш твердого тела к переработки минерального сырья СО АН СССР.

Автореферат разослан 07 .0^1991 г._

Ученый секретарь специализированного совета

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность теш. Сухое травлениэ полупроводниковых материалов органически вошло в технологию современной микроэлектроники. Однако новые задачи и более жесткие требования, связанные с переходом на субмикронный уровень интеграции,стимулировали интенсивный поиск новых химических реагентов и способов направленного воздействия на химические реакшга на поверхности для достижения высокой анизотропии и селективности процессов травления. Одним из таких перспективных реагентов является наиболее устойчивое соединение благородных газов хеР2, которое обладает высокой реакционной способностью по отношению к 31 и взаимодействие которого с кремнием исключительно чувствительно к ионному облучению.

Наряду с практическим значением взаимодействие ХеРо с Эх в присутствии ионного облучения имеет научный интерес, так как в 5том процессе проявляются общие закономерности иокио-сткмулированшх химических реакций на поверхности полупроводников. Особенностью этих реакций является то, что образующийся хемосорбционнкй слой оказывает существенное влияние на угловые и энергетические характеристики выхода продуктов распыления.

Целью настоящего исследования являлось выяснение

закономерностей адсорбционного взаимодействия Хе?, с поверхность» и влияния ионного облучения на здсорошкзшщб слой и образование продуктов реакции.

Основные задачи работы:

17Т*сследование динамики и кинетики адсорбции хе!^ на поверхности 21. .

2) Исследование влияния на взаимодействие ХеР2 с поверхностью з± параметров ионного облучения: плотности ионного тока, массы, энергии, угла падения ионов.

3) Анализ механизма взаимодействия Хе?? с 31 в

присутствии и без ионного облучения.

Научная новизна. Впервые эллипсочетрическим методом

Исслэдовдна-Тцш9йпса~'адсорбц1п1 на поверхности 31(100}. В паролей температурной области от -1006 до 500° определены

кинетические параметры процесса адсорбции.

Впервые установлено, что в области температур Т С О* происходят увелячекве тетины хечосорбщюгаюго слоя по экспоненциальному Бакену, я показа гель экспоненте тан «э, как и константа скорости резкими 2:'. с характеризуется

а$фекшвноЯ отрицательной анергией активации, равной 3.3 ± 0.4 ккалЛ:оль.

Впэрдоэ установлен зффект йвшальио-шоокого увеличения выхода йошо-нндущфовашзго травления при низких кнтенсивностях ионного облучения, СЕЯЗаШШЙ с роль» сверх-монослоЕной адсорбции молекул ХеР0 на поверхности кремния.

Впервые исследовали угловые зависимости выхода коино-квдуцироваяиого травления крекния в потоке ХеР?. Установление, что максимум выхода наблюдается при нормальном падения ионов.

Практическая ценность. В связи с кинетической схожестью поведения ХеР, и атомарного р при тргвлвнкн кремния дашшо по взаимодействию ХеР? с 83. в присутствии ионного облучогош являются практически ценники для анализа процессов в шроко используемых в технологии микроэлектроники ллазмохшическш: реакторах. Кроме этого. практически показана во'змогкость использования непосредственно Хе?2 для скоростного анизотропного травления кре.кшия. Получение в данной работе данные по влиянию плотности иошюго тока и молекулярного потока Хе?9 на скорость травления кремшм позволили оптимизировать установку иошо- индуцированного травления, разработанную в ПФП СО АН СССР

Апробация работы. Основные экспериментальные результаты докладшзались на 4 отраслевой конференции ''Промышленная технология и оборудование ионной имплантации" (Нальчик, 1988 г.), на 5 всесоюзной школе по фязико-ямичееккм основам электронного материаловедения (Иркутск,1933 г.) на 4 Всесоюзном семинаре по физической химии поверхности монокристаллических полупроводников (Новосибирск, 1989 г.), на 5 Всесоюзном совещании по математическому моделированию приборов микроэлектроники (ГорноалтаДск, 1989 г.)

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 3

раооту к тозисн доклада.

Структура и объем диссертации, йассертацая состоит из вввденшй четырех глав, ШШкяГ и спкска цягкруексЯ ллтератури. Объем диссертации 123 страницы, ькяэтзя 36 рксулксБ и 3 страниц (71 ссылка) пдткруег.юй литературы.

ОСНОВНОЕ содержание работы

Ео введения обосновывается актуальность работы и формулируются освоение шли исследования.

В щрвоЗ главе представлен обзор литературы. В нерпоД части обзора, которая является вводной, рассматриваются осдвв закономерности физического ионного распыления, газового травления и распыления в присутствии химически активного газа (химического распыления). Обсузхясются известные из литературы кехэнизкн химического распыления. Вторая часть посвлцена спонтанному взаимодействию кремния с Хе?2- Представлены литературные данные по продуктам реакции, кинетике реакции, составу адсорбционного слоя. ООсутгдзется механизм сггснтаниого травления. В третьей части представлеш! известные данные по влиянию иояно» бомбардировки на скорость реакции кремния с Хер?.

Вторая глава' посвящена описанию экспериментальных метода, которые шли использованы в работе.

I. Для исследования елияния ионного облучения сила разработана и изготовлена сверхвысоковакуумная установка, которая состояла из: вакуумной камеры, источника ионов Не+,Аг+,Хе+ (дуоплазмотрон),источника активного газа (ХеР0, т?), держателя образца с кварцевыми микровесами, иасспектроиетра. Предельное давление в вакуумной камере, откачиваемой турбс?юлекулярнш насосом ВМН-150, составляло ~ Ю"6 По. В экспериментах измерялась убыль веса слоя 31 (или Се) при одновременном воздействии химически активного газа и иошюго облучения. Слои кремния и германия на пластинах кварцевых резонаторов были получены напылением в сверхвысоком вакууме. Исходный материал использованный в электронно-лучевом испарителе: зх - КЭФГЮ, Ое - ГДГ-20. Получешше слои кнели поликристаллическую структуру и были

свободны от загрязнений кислородом и углеродом. Резонансная частота кварцевых микровесов - 3.3 МГц, чувствительность - 7 1СГ9г/Гц Ш.

2. Исследование адсорбции ХеР2 на 31 проводилось с помощью сверхвысоковакуумной эллипсометрической установки. Установка состояла из: автоматического эллипсометра, вакуумной камеры, источника Хер2> держателя образов. В качестве источника света в эллипсомэтре использовался гелий-неоновый лазер ЛГ-72 с длиной волны ^.=6328 А. Угол падения луча на образец составлял 70°. Чувствительность эллипсомэтра была не хука 25 угл.е., а быстродействие ^ 0,1 с. Вакуумная камера откачивалась магниторззрядным насосом, предельное давление в камере составляло = 10"^ Па. Все эксперименты по адсорбции проделаны в последовательности:

а) очистка поверхности образца при 1200°,

б) охлаждение образца до заданной температуры, не превышающее по времени = 5 глин.,

в) открывание заслонки и капуск дифторида ксенона в камеру с одновременной записью изменений поляризационных углов 6Л = 5 - д и б® = Ш - Ш, где I и 5 - начальные значения углов, а д и й - их текущие значения,

г) откачка системы до исходного давления Р ^ 10 ' Па.

3. Поскольку эллипсометрический метод не позволяет

однозначно определить динамику заполнения отдельных

адсорбционных состояний, что важно для интерпретации

кинетических зависимостей, дополнительно были выполнены

исследования методом рентгеновской фотоэлектронной

спектроскопии (РФЭС) и дифрзкцют медленных электронное имэ).

Исследования проводились на рентгеновском фотоэлектронном

спектрометре "у.о. ебсаьав". Энергия электронов в методе ДМЭ

выбиралась от 80 до 150 эВ. Разрешение полусферического

энэргоанализатора спектрометра при прецизионной загшеи'

районов Б1 2р к Р 1б - 100 мэВ. РФЗ-спектры записывались на

излучении А1 к„ (1486.6 эВ) и калибровались относительно 7 /2

значения Есв(Аи4Г )=84.0 эВ. Угол анализа фотоэлектронов при исследовании кинетических зависимостей и формы спектральных линий составлял соответственно - 45° и 30°

относительно нормали к поверхности образца.

В экспериментах по адсорбции использовались кремниевые монокристаллические образцы р-типа марки КЗФ-5 с удельным сопротивлением от 5 до 10 Ом-см и ориентацией поверхности (100). Глубокая очистка поверхности проводилась отжигом образца в сверхвысоком вакууме непосредственно певед началом эксперимента при давлении остаточных газов = Па и при температуре 1200°С в течение 30-60 с.

В третьей главе прадставлены основные экспериментальные результаты, а четвертая глава посвящена их обсуждению.

Автоматическим эллипсометром в сверхЕысоковакуумной камере"исследованы кинетические зависимости адсорбции ХеРо в области температур -85° - +600° (рисЛ,а; в работе [3] показано, что толяина адсорбционного слоя пропорциональна изменению поляризационного угла бД). Найдено, что начальная стадия адсорбции является безактивационной. Хомосорбционный слой является стабильным в области температур -85° - +400°. При температурах выше 450° наблюдается десорбция слоя с энергией активации 57 ± 5 ккал/моль. Толщина хемосорбционного слоя слабо зависит от температуры (рис.1,6) в области 0° -400°, а при понижении температуры от 0°до -85° экспоненциально возрастает с температурным коэфициентом минус 3,3 + 0,4 ккал/моль.- Эта величина хорошо согласуется с известной из литературы величиной энергзш активации процесса травления кремния в парах хер9[2]. Используя импульсный напуск хер9 до больших давлений, найдено, что величина обратимой фазы в адсорбционном слое существенно меньше монослоя во всей исследованной температурной области.

Методами Р5ЭС и ДМЭ исследованы кинетика адсорбции ХеРо ка поверхности Б1(Ю0), десорбция адсорбционного слоя и влияние ионного облучения на состояние адсорбционного слоя. Наблюдается быстрая и медленная стадии адсорбции (рис.2,а): на быстрой стадам заполняются состояния 31Р,на медленной -81Р2 и 81?3. Иэдлепаая стадия завершается образованием насыщенного хемосорбциашого слоя (р::с.3,0). При терздесарсшш насыщенного слоя сначало освобождаются состояния 31Г2 и 0 зяте?.! Обнаружено, что

■ni

6\o \o

4 \

о \

ч \

о

-:oo o eso mo em т°с

Рис Л. а) Нач&шшэ стадаи изменения поляризационного угла ¿ от экспозиции Xeïg при адсорбции на поверхности (100) крошия при тешера турах: I —85°; 2 - 23°; 3 - 400°; ö) Зависимость максимальных изменений угла_Д от уотвратуры образца в диапазоне давлений Xeï'2: 3.2-Ю"Ь - 3.2-Ю-4 Па.

(Па-с)

Есв, э8

Рис.2.а) Зависимость площади пика F Is от экспозиции в ХеР^ при комнатной температуре: I- быстрая стадия адсорбции, II- медленная стадия адсорбции;

б) Форма пика Si 2р для насыщенного состояния хемосорбционного слоя (I). Пик аппроксимирован гауссовскж.к распределениям! (2) с учетом фона (3). Дисперсия 0.57 эВ; положение пиков: 99.8 эВ - Si - объемный; 100.8 эВ - Sip; 101.8 эВ - SiP2; 103.0 эВ - SiF3.

заполнение состояния SiP на быстрой стадии адсорбции незначительно разрушает исходную кристаллическую структуру поверхности si(100) (2x1). При достижении насыщения хемосорбционный слой дает лишь фон в методе ДМЭ. Посла полной десорбции хемосорбцкснного слоя структура поверхности нэ восстанавливается; наблюдается только фон. Ионное облучение в отличие от термической десорбции приводит к относительному и абсолютному увеличению концентрации комплексов S1P. Концентрация комплексов SiP монет стать даяе больше, чем в исходном насыщенном слое.

Рассматривается схема процесса хишческого травления Si в парах ХеРо(рис.З,а). Данную схему дополняет рис.3,6, на котором показаны температурные зависимости скорости травления Si в парах ХеР2 и констант десорбции продуктов SiP2 и SiP4. При взаимодействии чистой поверхности Si с -парами ХеР2 происходит последовательное фторирование атомов Si и образование хемосорбционнах комплексов SiP, SiPg. sip3-Дальнейшее взаимодействие зависит от температуры процесса. При температуре 600 - 400° хемосорбционный слой состоит в основном из комплексов SiP, SiFg, и скорость травления лимитируется скоростью десорбции Si?2- Энергия активации десорбции составляет 57 ккал/моль. В этой области температур возможно взаимодействие комплексов SiP друг с другом с образованием комплексов SiP2 (см. раздел 4.1.3.). В области температур от 400 до 150° реализуется "ударный" механизм. Энергия активации в температурной зависимости скорости травления приблизительно равна 6 ккал/моль[4]. Лимитирующей стадией является реакция молекул ХеР2 из газовой фазы с комплексами SiFg. Образующиеся в этой реакции комплексы SiPg взаимодействуют с другими молекулами ХеР2 из газовой фазы с образованием молекул siP4, которые десорбируются с поверхности. Последняя реакция является достаточно быстрой и препятствует накоплению на поверхности комплексов SiPg. Однако при достаточно высоких давлениях паров ( р> 10 Па)Хе?2 такое накопление наблюдается [5]. С пониканием температуры на поверхности накапливаются молекулы ХеР2 в физически сорбированном состоянии. Так как время жизни молекул ХеР2 в

31 + ХеРо •> 21311']

2[ЗШхем

хем ХеР„

а)

[31Р2]Х0М -ХеР2

Г51у3]хем - 7

ХеРо

[31гх!хем + Хег28

¡Е13Ухем +ХеР2физ

700 500 кОО Ж 250 ¿00 Ш Т, К

■ -—----/3-1

10 2(1 3.0 ¿(.О 5.0 ут*10 к

Рис.3. в)Механизм травления 51 в молекулярном потоке ХеР2; 0) температурные зависимости скорости травления кремния в парах ХеР2 и констант скорости десорбции продуктов Б1Р2 и 31Р4.

физически сорбированном состоянии на ~ 5 порядков выге, чем при "ударно!.! "механизма, то физически сорбированный слой начинает играть основную роль во взаимодействии ХеРо с Зх. Тот факт, что при поштанки температуры скорость травлешш и прирост эффективной толщины хекосорбционного слоя увеличиваются с практически одинаковыми температурными коэффициентами, позволяет сделать предположение, . что накапливается продукт, принимавший участие в лимитирующей стадии реакции. Анализ РФЗС данных позволяет предположить, что таим продуктом являются комплексы Б1Р3 (см. раздел 4.1.4.). Тогда'при низких температурах лимитирующей стадией является взаимодействие комплексов £1Р3 и молекул Хе?2 из физически сорбированного слоя. Возрастание скорости травления с понижением температуры связано с накоплением комплексов 31Р3 в хемосорбционном слое. В свою очередь накопление комплексов 31Р3 обусловлено накоплением молекул ХеР2 в физически сорбированном слое, что возможно, если теплота конденсации о больше энергии активации образования комплексов Бз.]?3 на 3.3 ккал/моль. При температуре ~ -100° скорость десорбции молекул Б1Р4 падает настолько (энергия активации десорбции составляет 5 ккал/моль), что образуется слой твердой фазы 81Т4, который пространственно разделяет поверхность и конденсирующийся слой молекул ХеР2. Реакция травления прекращается.

При исследовании влияния ионного облучения на скорость травления в потоке ХеР2 установлено, что при малых плотностях ионного тока на зависимости У(,г) (рис.4,а) наблюдается особенность, которая связана со значительным увеличением выхода химического распыления при низких интенсивностях ионного облучения (рис.4,6).

Проанализированны следущие механизмы воздействия

ионов:

1) Ионная бомбардировка разруиает поверхность кристалла, создавая на нэй дополнительные активные центры.

2) Ионная бомбардировка стимулирует»десорбцию основного продукта реакции ЭхРд.

3) Ионная бомбардировка стимулирует образование

!,5Jt пкА/сн*

Рис.4. Зависимость скорости травления (а,кривая I) и выхода (б) от интенсивности ионного облучения.- Составляющие скорости травления, рассчитанные по механизму с участием и без участия флзичесзш сорбированных молекул Xa?z, показана соответственно кривыми 3 и 2(в).

продуктов реакции в хемосорбционном слое без участия физически сорбированных молекул ХеР2.

4) Ионная бомбардировка стимулирует реакцию хемосорбционных комплексов из БгРо-подобного слоя с физически сорбированными молекулами Хе?2.

Первый механизм не играет существенной рож в реакции 31 с ХеР2, хотя может привести к изменению количественного соотношения между комплексами в сторону увеличения

концентрации комплексов 31?.

Второй механизм ' определяет скорость ионно-индуцированного травления только при низких температурах, когда при отсутствии ионного облучения наблюдаются прекращение спонтанного травления и конденсация молекул ХеР2. В этой области температур скорость ионно-шщуцированного травления перестает зависеть от Т и определяется плотностью ионного тока.

Третий механизм реализуется при высоки плотностях конного тока 3 > 0,5 мкА/смл (рис.4,а,кривая 2), когда падающие ионы распыляют физически сорбированный слой молекул ХеРо и стимулируют образование продукта ЗИ1^ в хемосорбированном слое.

Четвертый механизм реализуется при малых плотностях ионного тока J < 0,5 мкА/см10, когда падающие ионы возмущают реакционную систему стимулируя реакцию адсорбированных молекул Хег9 с хемосорбпровашшми комплексами 31Р (рис.4,а,кривая 3).

Исследовано влияние величины молекулярного потока ХеР2

на вид энергетической и угловой зависимостей выхода

химического распыления 31 (У) ионам;! Хе+. Плотность ионного

тока составляла 1-2 мкА/см2, потока ХеР2 - от 3'1014 до Ю17

мол.Хер^/(смл•с). Энергия варьировалась от 50 до 1500 эВ. При

увеличении потока наблюдается сглаживание энергетической

Т7

зависимости У, и при потоке ~ 10 в области от 400 до 1500 эВ У не зависит от энергии. Угловая зависимость У имеет форму колокола с максимумом при нормально:.! падений. При уменьшении потока Хер0 от ю17 до нуля наблюдается постепенная трансформация кривой с максимумом при а = о* (а - угол

огпн.

' 0,0 0Л 0,2

10' 20' 30' 40° 50' 60" 70 80 ^

Рис.5. Угловые зависимости выхода химического распыления 51 ионами Хе+ (I КэВ, 1.1 мкА/см~) при потоках ХеР?: ут = 6.0.ю16,у2 * т.6-ю16,у3 - 1.1-Ю15,у4 = о мол.хер2/{см2-с).

яадежш относительно коркаж к псверхиэст»!; до кривой с максимумом при а = 70°, характерной дли физического распылзния (рис.5). Дкя анализа вида энергетической к угловой зависимостей У проведано моделирование процесса химического распалена», основанного на кродюложонж:, что этот процесс можно представить в виде двух независимых и последовательных стадий: I. адсорбция Хс,-Р? на поверхности Si, 2. распыление хомзсорбцпониого слоя конной бомбзрдировкой. При моделирования использованы экспериментально найденные кинетические кривые адсорбции ХеР-, на поверхности Si и р^сшлзния насыщенного хекосорбщюнного слоя. Моделирование показало: а)наблюдаемый эффект сглакавания длл энергетической зависимости Y обусловлен взаимосвязью выхода xiasreecKoro распыления и концентрации атомов р в хемосорбцконном сдое; О)слад Y при увеличении а обусловлен обеднением хеиосорбциоккого слоя атомами Р за счет прямого их выбивания падающими ионнами.

ЫШОДЫ:

I. Хемосорбция Хср,;, на поверхности si (100) является безактиьациошюй и протекает в две стадии. На первой, быстрой стадии заполняются состояния S1P, на второй, медленной - siF0 и siPg. При терт,«десорбции насыщенного слоя сначала освобождаются состояния si?9 и sii'3, а затем su?.

2. Методом ДМЭ установлено, что при заполнении состояний siP не нарушается исходная кристаллическая структура si(100) (2x1), а насыщенный адсорбционный слой дает лишь фон в методе ДйЗ. После полной десорбции адсорбированного слоя при а1 ? 6003 структура поверхности но восстанавливается.

3. При понижении температуры в области 7 i 0° происходит увеличение толикны хемосорбщюнного слоя по экспоненциальному закону. Показатель экспоненты так >::э, как. и константа скорости реакции Si с ХкГ,,, характеризуется эффективной отрицательной энергией активации, равной 3.2 ± 0.4 ккал/моль. Степень заполнешш физически адсорбированного состояния в интервале температур от 85° до 20° е^« I. -

4. Установлен эффект аномально-высокого упеллэжя выхода конно-кндушросанного травления при низких интевсявностях ионного облучения, связанный со сйовхисно-слойюй здсороызей молекул ХеР9 на поверхности крестя.

5. Показано, что в зависимости ох интенсивности кснкого

оолучения происходит изменение механизма образования

лтзодуктов вэгкцли: при J > 0.5 м;"Л/с;,г гоодукты образуется в

о

xsTOCopCtDíOHHCM. слое, при J < 0.5 мкА/см" кехвпизм аналогичен релхлш в отсутствие ионного облучения. Колное облучение везиузяет реакционную систему, симулируя вссжодзйстняе физически сорбированных молекул Xs?2 с когякексжя из хемосорбционного слоя.

6. Вид энергетической и угловой згпксимостой шхеда ионно-пндуцврованного травления креншш в потоке существенно зависит о? отяовеаия потоков молекул ХеР, и ионов. Энергетическая зависимость с ростом истока Хе?? сглаживается, а угловая - становится более выроненной. Максимум выхода наблюдается при нормальном падеикн. Бяд угловой зависимости сохраняется при переводе от тяхзлых ионов Хе+ К легким Hf;+.

7. Эмпирическое моделирование хгспеского распыления крегжия в потоке Хе?9 показало, что: а) для онергетической завнеюгаотп - наблхдаэч^й э^ф-^кт сглагнвзоя обусловлен взакг'ссвязгннсстью zazosa химического рзешлекяя п 1?снцентрш5гл атсмов ? в хемосорсцисннсм слое; 0) для углевой загиспмостп - спад выхода гажчзского распыления при уведячекта угла падения обусловлен обеднением хекссорбшонасгс слоя за счет распыления атомов Фтора.

Цитированная литература.

1. Кн.: Технология тонких плзкек. Справочник. Под ред. Ксйссела Л., Глепгэ Р.// Советское радио. IS7?. с. 145.

2. Ibbotson D.S., Plsirn B.L., ííucha J.A., Ecnnely V.Lí. Comparison of XeP„ and F-atc-гл reactions with Si and SiG0. // Appi.Phys.Lattt 1924. v.44- H12. p.1129.

3. Bootjjsa G.A., 'ieyer Г. Sllipsonetry in the sub-isonolayer region.// Gurvf.Sei., 1969- v.14. p.52-76.

4. Flamm D.L., Donnelly V.M. The design of plasma etchants./V Plasma Chem.Plasma Process. 1981. v.1. N.4. p.317.

5. MoPeely P.R. Summary Abstract: Chemical processes in fluorine-based etching reactions. // J.Vac.Soi.Teohnol.A. 1985. v. 3.K.3.p.879.

Основное содержание работы изложено в следующих работах:

1. Бакланов М.Р., Алиев В.Ш., Бадааева И.А. Кинетика и механизм взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью твердых тел. // Новосибирск. 1986. с. 3-35 (Препринт/АН СССР. Сиб. отд-ние ИФП: 3-86).

2. Алиев В.Ш., Бакланов Ы.Р., Палесский C.B. Влияние интенсивности ионного облучения на механизм взаимодействия Si с Хе?2.// Поверхность. 1938. т.5. c.95-S8.

3. Алиев В.Ш. Моделирование процесса ионноиндуцированного травления кремния■дифторидом ксенона.//5 Всесоюзная школа по физико-химическим основам электронного материаловедения: Таз. докл.- Иркутск,1988.с.146.

4. Алиев В.Ш., Кручинин В.Н., Бакланов М.Р., Реиинский С.М. Эллилсометрические исследования адсорбции ХеР2 на поверхности si (100). //Поверхность. 1990. т.п. с.53-57.

• i i • jiy

Подписано к печати 11.02.01

Сормаг бу;/;агп GO х 84/16 Печ. л, уч.-изд. л. С,Е

Заказ Д I Тирах; I0G экз.

Отпечатано на ротапринте ПТГГ.1 СО АЛ СССР 6300SC6 Повоснбцрок-ЗС, Енституская, 4/1