Конфигурации точечных дефектов в кремнии при критических концентрациях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ПНИСТЕРШО ОСВІТИ УКРАЇНИ ОДЕСЬКИЙ ЙЕРИ/ЇВІІИЯ УНІВЕРСИТЕТ . 1 п. 1.1 .ПЕЧІШКСВЯ

На правах рукопису

БЯгМБЯЙ-РУСЛАНА ПИХАЙШВНА

КОН?! ГУРЛШ Т ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІ В У КРЕПНИ ПРИ КРИТИЧНИХ КОНЦЕНТРАЦІЯХ 01.01.07 - Різика твердого тіла

ЛВТОРЕТЕРЯТ дисертації на здойуття вченого ступеня кандидата ®ізико-патепатичнин наук

Одеса - 1ЯЭЗ

Роботу виконано на кафедрі теоретичної фізики Одеського державного педагогічного інституту Ім.К.Д.Ушинського '

Науковий керівник: доктор фізико - математичних наук, професор Ків А.Ю.

Офіційні опоненти: доктор фізико - математичних наук, професор Даховскький І.В.

кандидат фізико - математичних наук, доцент Тимофєєнко В.В.

Провідна організація: Донецький фізико - технічний інститут

АН України .

Захист дисертації відбудеться ™7п—----------------------1993 р.

о годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 066.24.11 в Одеському державному університеті ім.І.І.Мечникова (270067, Одеса, Петра Великого, 2)

З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Одеського державного університету

0% фі Автореферат розіслано 7—--------"--------------------1993 р.

Вчений секретар спеціалізованої ^атовський О.В. вченої ради доктор физ.-мат. наук

ОБЩЕ ВЫВОДЫ.

1. При помоиш метода функционала электронной плотности

проводиться адекватное описание полупроводниковых кристаллов с критической концентрацией дефектов, прелварящей структурны? фазовые переходы;

2. Разработан комплекс программ для ЭВМ. реализующий

метод функционала электронной плотности в полном обьеме, с

расчетом электронной плотности и полной энергии.

3. Построен потенциальный рельеф для неадиабатического

перемещения в кристалле Б1 собственных атомов Э1 и примесных атомов СН. В. Р).

4. Исследовано образование вакансионных комплексов с п = 2 и 4. Поскольку к аморфизации приводит возникновение критической концентрации УУ - комплексов Сдивакансий малого радиуса), процесс образования дивакансий большого радиуса сдвигает наступление зморфизашш 8! в сторону более вьсоких доз.

5. Сравнение потенциального рельефа при раздвигании расположенных в соседних узлах атомов Н с картами электронной плотности свидетельствует о возможном образовании новой конфигурации Б1 - Н - Н - наряду с уже известной - Н -Э!.

В. Изучение карт электронной плотности при ударном смещении атомов кремния и фосфора подтверждает результаты моделирования демпфирования химическими связями ударного смещения атомов в ковалентном кристалле.

7. При большой концентрации В и Р в 51 возникающие на

ранних стадиях легирования пары В} и Ра , становятся неустойчивыми и распадаются с образованием новых конфигураций Р,У V Р, и В,У V В,.

8. Внедрение Н в $1 затрудняет процесс аморфизации в

связи с структурной фиксацией окружения и "залечиванием" дивакансий. '

9. При вьсоких уровнях легирования в результате распада комплексов В2 и Р2 появляется дополнительная концентрация дивакансий, обусловливашая скачкообразное приближение к стадии аморфизации. что согласуется с рядом экспериментов.

10. Анализ карт электронной плотности показывает, что

вхождение в $1 Примесей III и V групп СВ и Р) происходит по разному: в случае пары В - - характер связей ближе к

типичной картине $р3 - гибридизации, нежели в случае В - Б1.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

вкїїваьшсшлепи* п уповах сильного звудммня ивп»вправідникового.крнстапу <вяііикв концентрація решіткових та електронних дефектів) У кристалі віднуваиться структурні

ПЕРЕТВОРЕННЯ.

Одержати такий сильно зяудшений стан кристалу ппиливо різнили шляхвпи: введенняп високої концентрації допішок,

прикладанням до кристалу неоднорідних полі в<пеханічних, теплових, електричних) з вєликипи грвдіснтапи, опропінюванняп писокоєнєргетичннпи частинкапи. У граничнопу випадку такі впливи приводять до впороізвші речовини аоо до інших газових переходів.

Наїяіпьи детальні дослідження структурних пєрвтворизяНЬ та дефектів проведені в даний час для крєпнія, сапе топу пв'ектоп навого дослідження оорвний цей пптврівл.

Ваиливип етапоп у вивченні іонної іпплантації в напівпровідники нуло виявлення іонно-стилульованої апорзізвції та рекристалізації, впливу лапі шок та інших ивкторів на структурні зазові переходи Сі,23.

Ивзваиаичи на великий експегипентальний пвтвріал, накопичений до цього часу сшдо законапірностей структурних перетворень у іонно - іпплонтованих пвтєріалах, іонно -стипульовані оазові переходи та характерні дефектні конфігурації при критичних концентраціях дефектів не паить адекватного теоретичного описання. Для створення відповідних поделей нвоохідна використання адекватних теоретичних петодів. йо цього часу при розв’язанні вказаних задач

використовувались, в псновнопу, статистичні ти кінетичні петоди. Однак детальна інрорлашя про енергетичні характеристики двфєктів у критичних станах іонно -і пплантованих кристалів, про потенціальні рєльери для атопних зпітень, єнєргії активації та енергії зв'язку дотиково - дєфєктних копплексів <Д1ІК> поше вути одержана лише за доропогои оільи послідовних петодів.

Розв'язування вказаних задач на основі методів аЬ ІпНІо пас принципова значення та осзуповлюе актуальність рояоти.

пі кроскопі чних пехашзпів утворення та еволюції ДЯК < вакансійних копплексів Уп, та копплексів з сосоороп,

пороп то впднеп) в уловах критичного насичення крєпнія деоектапи.

Для досягнення поставленої лети СУЛИ сфорпульов&ні основні задачі:

1. Р.озрооити лодель криствлу крєпнію з критичною концентратсп дефектів, якв дозвиляс використати плин з петодів аЬ Іпіііо.

2. Застосувати найоїльн адекватну лодиФікація пстоду «ункціпналя електронної густини <?ЕГ> для розрахунку типових

ШК> у крслніі при великих концентраціях дєфектів. Розробити колплекс прогрйп, що реалізуе петод ?ЕГ.

3. Осмислити потенціальний рєльєр утворення та подирікйшї Л(ІК, во вкличають вакансії та типові допіики в крєпнії <оор,

Основною летои рояоти е теоретичне дослідження

•0С*0Р, ВПЛИНЬ).

1. Вивчити ЗвкОНОПІРНОСТІ перетворення вказаних ййК В УЛОВПХ критичних концентрацій дефектів, а такош, проаналізувати лошливУ роль виявлених закономірностей у юнно-стипульооаних процесах апоррізації і рекристалізації крспніп.

5. Проаналізувати &оль водно у радіашйно-стипульованих процесах утворення ПАК У крепнії .

Наукова новизна.

1. Нпєршє методом аЬ ІпНІо проведено теоретичні дослідження кристалу крєпнію з надто великипи концентратяпи дефектів. її ля цього вула розроплена модель, яка описує

- А< Я

кристал крєпнію , в якому концентрація ЙЙК N^^10 сп .

2. Створено копплвкс програм для ЕОН, який реалі зуб метод ?ЕГ у повнопу оосязі та дозволяє одержати повну єнєргію і просторовий розподіл електронної ГУСТИНИ .

3. Вперше оочислені потенціальні рєльсфи для зміщень власних

та дотикових атолів у крєпнії <вор, фосфор, водень) в уловах великих концентрацій долівок та вакансійних колплексів У крєпніі. .

Л. Знайдено конфігурації ДіІК у патриці крєпнію та пеханізпи їх утворення при великих концентраціях дєфєктів.

5. Знайдено напрямки структурних перетворень у кремнії в залежності від конфігурацій ййК.

Б. Виявлені нові деталі механізмів юнно-стимульованих процесів » крєпніг при великих лозах іонів.

Пряктичнр значення роооти. Одермані результати пошна використати у вирішенні практичних задач створення нових приладів ПІКРОЄЛЄКТРОНІКИ петодоп високодозної іонної іпплантаиі і. .

Розроблений комплекс програп поина використати для розрахунків властивостей точкових дефектів У напівпровідникових кристалах в уповах великої концентрації дефектів та допюок.

Результати допамоиуть врахувати поведінку різних допішок при оптишзацп процесів високодозної імплантації крєпнію.

Наукові положення, які винесено на захист:

1. Модель кристалу кремнію з критичною концентрацією (ШК поше оути обчислена петодоп ?ЕГ.

2. Структурні перетворення у крєпніі при критичній

концентрації вакансій істотно залежать від випадкових процесів утворення комплексів Уп, пїЕ. .

3. Роль водню полягає в стаоїліз&ціт дивакансій палого радіуса і таким чином у затриманні процесів структурних перетворень.

1. При критичній концентраті Р5 та В5 виникають копплекси Рз2 та В$2 , які оезактиваційно переходять у копплекси Р| У2р! та

вЛві-

5. Копплекси Р52 та В32 при великих концентраціях виступають як генератори дивакансій палого Радіуса У2.

Б. Пілтвєрлшуеться модель демпфірування хімічними зв'язками Ударного зміщення атомів у ковалентному кристалі.

в

7. Показана енергетична перевага утворення дефектного комплексу з кпнфігурвшєя -Ц-Н-5і.

Дпрооашя Результаті я ройптн. Основні Результати роноти доповідались та обговорігаались на Всесоюзній конференції "Радиационная оизика полупроводников и родственны* патеРиалов"<Таикент, 19В4р.), постійних Всесоюзних семінарах "Моделирование на ЗВИ сгруктурньк дефектов в кристаллах"<0деса, 198Б, ІЗВВрр.), Всесонзній конференції "Ионна-лучевая модификация патєриалов"<ЧєРноголовка, 19В7р.), иколі-сепінарі з тєорії напівпровідників<Донецьк, 1988р.>, Всесоюзній конференції "Ионно-лучевап модоФикашія патєРиалов'ЧКаунас, 19В9р.>, III Всесоизнія конференції з квантової хіпії твердого тіла<Рига, 1990р.), Всесоюзній конфєрєншї "Энергетическая структура неметаллических кристаллов с различны! типом химической связи"<Ужгород, 1991р.), 15 Пекарівськопу засіданні з теорії

напівпРовідників<гіьвів, 1992р.), семинарах кафедр ОГПІ та ОГУСОдеса, 1993).

Ошпішіії*. Головні результати дисертації викладено у одинадцяти роаотах,ш приведені в кінці автореферате.

Структура і_оп'єп родоти. Дисертація складається з вступу, трьох розділів, загальних висновків і списку цитованої літєрптури, який мас 113 назв. Повний об'єм складає ' сторінок.

ЗШ СТ РОБОТИ

У ягтупі обгрунтовано актуальність тепи, с*оРПУльовані пета роботи, наукова новизна одершаних результатів, практична значишсть та основні полошення, іпя виносяться на захист.

У пррмппу розділі дисертації приводиться огляд

теоретичних ПЄТОД1В, ЯКІ ЗВСТОВУИТЬСЯ У ДОСЛІДШЄННЯХ деіектів У кристалах. Він пістить обговорення ворпалізпу • ункшоналу електронної густини, псєвдопотвнціалів , різних зонна - структурних оочислень, засоаїв розрахунку повної єнєрг11.

Основою більшості сучасних електронно - структурних розрахунків є теорія ?ЕГ.

Обговорюються єкспєрипєнтвльні дані, які пов'язані з структурно - «азовипи переходами у крєпніі при концентраціях

4 о 20 -З

СТРУКТУРНИХ ДЄ9ЄКТІ в вище 10 сп .

У ДРУГОПУ РОЗДІЛІ обговорюється подель КРИТИЧНОГО

стану криствлу крєпнію, коли концентрація структурних 21 -і

дефектів * 10 сп , закрепа, при високодозній імплантації іонів.

В основі подалі лешить ідея сполучення достатньо палої базової копірки ,шо забезпечує об'єп розрахунків, який поше бути виконаний реально, з пошливосттю урахувати достатньо велику концентрацію де*ектів <1 де*ект на 8 атопів патриці).

Подель такої систвпи відповідає розгляду везкінечного кристалу, завдяки прийопу штучної періодичності. Будується елепентарна копірка, кількість атяпів у якій, їх сорт та розпіщення визначаються задачапи, які розв'язуються. Патіп ия копіяка транслюється у всіх напряпках <пал.1>. ‘

У копіРШ з В атолів, два з котрих поміуть вути ава дотикали ава вакансіяпи, розігруються атопні пєрввудови, які відповідають найвільа вірогіднип структурнип проиесап за критичної концентрації дефектів.

Овгрунтовується застосування електронних

псєвдопотенціалів, які завезпечують коректний опис зв'язків пик атопапи і приводять до здовуття точних значень електронної ГУСТИНИ. '

. Описані засови проведення розрахунків електронної структури педального кристалу, застосованих на тєоріі 9ЕГ та псевдопотеншалів аЬ іпіНо.

Приведені вирази та алгоритпи розв’язання рівнянь Кона-Шепа. Показано, то розклад хвильових функцій по плоских хвилях приводить до простого вигляді КОППОНЄНТІВ розрахунку. Розглядається провлепа розв'язання сєкулярного рівняння, а також застосування теорії звурєнь ііьовдіна, виконання розрахунків електронної густини, супування по зоні БРіллюена, питання сапоузгодшення результатів, вираз для повної енергії. .

Лається алгоритп і опис прогрвп, які реалізують весь колплекс розрахунків на ЕОН.

у трртьппу рпзяіпі приведені результати розрахунків ЛИК У крєпнії, який пістить високі концентрації вакансій, дивакансій, в такой копплексів отопів фосфору, оору та водню.

Почислений потенціальний рєльеф для атопних зшаїень у кристалі крблніо з високипи концентратяпи структурних ДСФБКТІВ . Приведені КВРТИ РОЗПОДІЛУ електронної ГУСТИНИ для ряду прошитих полошень атолів, то алітуються. Послідшвно утворення ййК, вірогідних в уловах високодозного легування.

Показано, то існують диваквнсп двох типів: дивакансія палого рвдіусв, коли виникають вакантні вузли нвйслишчих сусідів (аудепо її позначати У2 ) та дивакансія великого радіуса, коли зв'язанні вакантні вузли на відстані двох пішатопних парапетрів <У26р > <див. пал.2).

Оцінена порівняльна йповірность пряпого народження диввкансій палого та великого раді Уса . Характер впливу на іонно - стипульоввну впорфізвшп крєпніп дивакансія оаох типів при досягнені критичної концентрації був вивчений за допопогоп двох відповідних подельних конфігурацій. В першій - в якості атопного оазису використовувалися 8 атолів крєпніо, розташовані, у випадку початкової конфігурації, в позиціях нєспотворєноі реві тни, з наступнип зпітенняп двох СУСІДНІХ атолів крєпнія з ВУЗЛІВ у нвпрялку <111) .У ДРУГОПУ випадку зпповний тих сапи* атопів відбувалось у ввзиснопу кластері з ябсто атопапи (відсутні атоли 1 та 2 на пал. 1).Розрахунок в пвріопу випадку дає для енергетичного оор'сру в перерахунку на одну .вакансію енергію активації -

3,5 еВ, то пенте енергії утворення ошшчної вакансії ГЗІ, Експеріїпгнтальні явні, пні соїдчать про пєрєввшну роль припої генерації дивакансії, наведені у Ні.

Утворення дивакансія палого роді уса в кристалічній рємітш крєпніи з вепикоо концентратеи дивакансій великого радіуса потрєвуе, як свідчать наш розрахунки, енергії активації 1В,9 еВ,іш аїльне порівняно з єнєргіею,

потрібная для утворення дивакансії в ідеальнопу кристалі <7.07 еВ).

Такип чиноп, якнл с дивакансії великого радіуса, то в

СТРУКТУРІ З ПЄНШОИ ППОВ1РНІСТН УТВОРЮЮТЬСЯ ПРОСТІ

дивакансії, що стрипуе процес впороі заш ї.

Для визначення конфігурацій Й£ІК при великих концентраціях в патриці крєпнш допішок росоору та йору Розглядалась подель, ао на пал. 1. Дотикові атогти розпіпуввлись У сусідніх вузлах (копппекси та Вй ). При зміщенні дотикових атопів у нппряпку її 11 > встановлена пои/ливість безактиваційного утворення копплексів Р jV2P j та BjVgBj <див.пал.3>.

Такип чиноп, при великих концентраціях дотики копплекси Pj2to виступають як генератори дивакансій малого

радіуса, які дають додатковий внесок в повну кількість таких дивакансій в зоні їх критичних концентрацій, ею призводить до прискорення апороізаші [5h

Різновиди локалізації водни в кристалі крєпніи носить принциповий інтерес з точки зору його ролі у пасивації обірваних хі пічних зв’язків. Виходячи з Результатів

розрахунків потенціального рєльс*у для пігрвшт водню, проведених напи, пошна зросити висновок про сильну локалізацій двохатолного водневого комплексу. Ііей результат відповідає обчисленим картам розподілу електронної густини (див., наприклад, мал.4>. Усе це свідчить про виникнення системи Sl-H-H-Si. Таким чином, один з різновидів входшвння атомів водню до патриці крємніп є їх локалізація у вакантних вузлах крємніп з «орпуванням воднево-водневого зв'язку.

Заповнення дивакансій атопами водню рооить кристал крвпнію оільа стааїльним відносно апор«ізаші.

Результати вказують на те, по при зпішеннях атопів крємніп з вузлів у електронній системі відбуваються зміни з 30ЄРЄШВННЯП більшості ХІМІЧНИХ зв'язків, які існували в ідеальному кристалі (змінюються кути піш зв'язками та довнина зв'язків, але не відбувається "перезв’язування” атомів >. Виникають відош конфігурації повєрнутих зв'язків [ЗІ. .

Яаяі оцінюється розподіл заряду у подельнопу кристалі з точки зору нормування хіпічних зв'язків пім. атопами донора (акцептора > та атомами патриці крєпніи. Робиться висновок, во hiv «ocvopon і крєпнієп утворюється зв'язок за електронною СТРУКТУРОЮ подібній до зв'язку Si-Si, TO0TO для шсі пори виконуються умови ковалентної sps- гібридизації. У випадку вору в крємнп картина розподілу електронної густини, на відповідає sp*- гіоридизайн, поруаена.

1.3а допопогою петоду ?ЕГ проведено дослідження крєпнію з критичною концентрат сю ЛіІК , яка обумовлює структурні «азові переходи.

2.Розроблена комплекс програп для ЕОМ, шя реалізує петад ТЕГ в повнопу оосязі з обчисленням повної енергії та ПРОСТОРОВОГО РОЗПОДІЛУ електронної ГУСТИНИ.

3.Побудовано потенціальний рєльеф для неадіааатичного переміщення в кристалі крєпнію власних атолів та дотикових атолів <Н,В,Р>.

4.йослідшєно закономірності Утворення вакансійних копплексів Уп с п-2 та 4. Оскільки до аморфізашт призводить виникнення критичної концентрації М - копплексів (дивакансій палого радіуса), процес утворення дивакансій великого радіуса зпіпує початок аморФізації крєпнію у бік більш великих доз

ІОНІВ.

5.Порівняння потенціального рєльєфу при відповідних зшиеннях в рєшітш крєпнію атолів Н з картали електронної ГУСТИНИ СВІДЧИТЬ ПРО Утворення НОВОЇ конфігурації

51 - Н -Н - Б1 нврівні з уше Відопою Б1 - Н - Бі.

Б. Вивчення карт електронної густини при зміоєнні атолів крєпнію та фосфору підтверджує відопі Результати демпфірування хілічнипи зв'язками ударного зміщення атолів у ковалентному кристалі.

7. При великій концентрації В та Р у крємнії пери В2 та Р2, стають нестабільними та переходять у нові конфігурації

Р,У V Р, та В,У V В,.

В. Легування крєпнія воднеп затруднює процес апореїзації У зв’язку з структурною фіксацією атопів та "заліковуванні дивакансій воднеп.

9. При значних рівнях легування розпад копплексів В2 та Р2 дає додаткову концентрацію дивакансій, яка ооуповлюе Різке наближення до стадії апордізаші, вш погодиться з Рядоп

ЄКСПЄРИПЄНТ1В.

10. Аналіз карт електронної густини показує, па входження У крєпній допіиок III та V груп <В і Р> відсувається по-різнопу: у випадку пари Р - Бі - характер зв'язків ближче до типової картини эр3- гібРидізаші, ніш у випадку В - Бі.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНО В РОБОТАХ:

1. Баласай Р.Н., Ршепецкий В.П., Ропанюк Б.Н., Поляк З.Б. Особенности адгезии петалла на апорфизияованной поверхности полупроводника // ТТП.- 1985.- т.19.- вьп.9, с.1701-1704.

2. балаоай Р.П., Горин Б.П., Заолуда В.П., Поляк З.Б. Модель разупорядоченного пограничного слоя в пногослойньк структурах электронной техники у у В се. Моделирование на ЗВП структурночувствитєльньк свойств кристаллических патериалов. Ленинград.- 1986, с.97-98.

3. Балаоай Р.М., Аончев И.И., Ширнов В.йПашкуденко Л.Л.,

Прохоров В.Л. Модель дєпфируюоєго слоя при сопряжении рвзличньк структур в пногослойньк приоорах электронной техники у у В се. Моделирование на ЗВМ

структурночунствитєльньк свойств кристаллических материалов. Ленинград.- 19ВБ, с.99-1 ПО.

4. Балааай P.M., ґіитовченко D.H., Романвк Б.Н., Рулской И.В. Механизм Формирования скрытого диэлектрического слоя при ионной имплантации полупроводников Тез. докл. Всес. кон®. "Ионно-лучевая модификация материалов ", Черноголовка.-1987, c.10G.

5. Балавай Р.Н. Самосогласованные расчеты электронной и атомной резкой границы разделов // Материалы школы-семинара по теории полупроводников, Донецк.- 1988, с.95.

Є. Балааай P.M., Куценко ґі.й., Риепецкий В. П. Модель пограничного слоя металл-кремний /'■'В со. Моделирование на ЭВМ структурньк дефектов в кристаллах, Ленинград.- 1988, с.ІБЗ. '

7. Балавай P.M.,Дооролєм С.Д.,Ковальчук В.В.,Шавронская Я.В. Кластерная модель силииидооаразования при нанесении металлических пленок на поверхность кремния ss Спец. электроника, сер. Упр.качеством, стандартизация, метрология, испытания.- 1983,- вьп.КЗЗ), с.46-48.

В. Балааай P.M., Кив Д.Е. Условия минимизации механических напряжений в пограничньк слоях слоистьк структур на основе крепния // Тез. докл. Всес. конф. "Ионно-лучеввя модификация материалов ", Каунас.- 1989, с.59.

9. Балааай P.M. Программное ооеспечение для расчетов ab Initio твєрлотєльньк структур у/ Тез. докл. 3-й Всес. КОНФ. по квантовой химии твердого тела, Рига.- 1990, с,15.

10. Балааай P.M. Программное ооеспечение для расчетов ab

initio твврдотельньк СТРУКТУР 'S Тез. локп. Всвс. кон». "Энергетическая структурв неметаллических кристаллов с различным типом химической связи ", Ушгород.- 1991, с.95.

11. Балаоай Р.П. Расчет из первьк принципов электронньк структур и потенциальньк релье«ов кристаллического кремния с локализованный дефектами // Тез. докл. Пятнадцатого Пекаровского совещания по теории полупроводников, Львов.-1992, с.1В.

ЦИТОВЯНЯ Л! ТЕРЯТУРЯ

1. Смирнов Л. С. Тизические процессы в Облученньк полупроводниках // Новосиоирск.- Наука.-1977, 25Бс.

2. Романюк Б.М. Процеси іонно - гтимУльованного мвсопєрєносу

і гетерування у напівпровідникових пленарних структурах // Лакî. дис.- Київ.- 1992.

3. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова O.P. Пехвнизмы ооразования и миграции дефектов в полупроводниках // П.: Наука.- Г/i. ред. физ.-мвт. лит.- 1981.-ЗБВс.

Л. Емиев В.В., Клингер П.Н., Пашовец Т.В. Влияние параметров электронного оалучения на сечение ооразования саостввнньм де»ектов в кремнии //ПП.- 1991.- т.25,вьп.1. - с.45-19.

5. Лвуреченский Я.В. Радиационная модификация неупорядоченные систем на основе кремния // Докт. дис.-Новосивирск.- 19В7.

Мал. І. Конфігурація атомного базису модельного кристалу з доміткорими атомами Ар ,

Мол. 2. Кристалічний фрагмент, який ілюструй визначення дивакансіН меуюго /'!№/ та роликпго /БР/ ОйЛ.іУС«1

-2 0

-5.0

-10.0

Мал. 3. Потенціальний рельєф для зміщень атомів домішок: фосфотіу /а/ та бору /б/. По осі Х-зміщення в одиницях (і/б) А

Мал. 4. Карта розподілу електронної густини валентних електронів у плоідіїні/110/

,/!/ .// )