Квантово-интерференционный резонансный фототок в полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф.ИОФФЕ

Р Г 5 ОД

На правах рукописи

1 5 Ш «95

Терентьев Якоп Васильевич

КВАНТОВО-ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ ФОТОТОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

(01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 19%

Работа выполнена в лаборатории фотоэлектрических и нелинейно-оптических явлещ-Ш в полупроводниках

Физико-технического института им.А.О.Иоффе РАН.

Научные руководители: член-корреспондент РАЕН, профессор старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук

¡ТГ)д.ярошецккй|

А.П.Дмитриев

Официальные оппоненты: ' доктор физико-математических наук доктор физико-математических наук

Ю.Л.МЕанов А.С.Терехов

Ведущая организация: Санкт-Петербургский государственный технический университет

на заседании специализированного совета К-003.23.01 при Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе по адресу: 194021, Политехническая ул., 26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-технического института.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просил высылать по указанному адресу на имя ученого секретаря специализированного совета.

Автореферат разослан " с^ -1996 г.

Ученый секретарь специализированного совета K-003.Z3.01. , \ - ^

часов

\

кгньт/лат физико-математических наук

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность. Одним из перспективных направлений физики полтпроводникоБ является исследование фотогальванических токов. Речь идёт о фототоках, возникающих в однородных средах при их равномерной засветке. Такие токи могут возникать как за счёт передачи электрону импульса фотона (эффект увлечения электронов фотонами), так и за счёт асимметрии элементарных электронных процессов (фотогальванический эффект).

Эффект увлечения электронов фотонами Сил обнаружен независимо в работах [1,23. Явление наблюдалось в р-Се при возбуждении светом С02-лазера с модуляцией добротности. Ток увлечения возникал при прямых оптически? переходах между подзонами легких и тяжелых дырок. Теория явления была развита в [33. Несколько позже, в 1972 г., в полупроводниках был обнаружен фотогальванический эффект [43. В последующие годы оба типа фотогальванических токо интенсивно исследовались в различных полупроводниках как экспериментально, так и теоретически. Были установлены условия возникновения и механизмы фотогальванических токов при различных типах оптических переходов (вертикальных внутризонных, непрямых внутризонных, при фотоионизации примесных центров, межзонных, и др.). Достаточно полно была исследована ситуация, когда к полупроводнику прикладывалось неквантущее магнитное поле. В частности, было показано, что мапштоиндуцированный вклад в ток увлечения по сути является холловским током', возникающим при развороте "обычного" тока увлечения внешним магнитным полем. Мапштоиндуцированный вклад в фотогальванический эффект монет иметь также и нехолловскую компоненту.

Случай же квантующего магнитного поля исследован относительно мало. В работе [53 была предложена модель возникновения светоиндуцированного дрейфа электронов в полупроводнике при оптических переходах между уровнями Ландау. В этой модели ток увлечения ёозникает за счёт селективного (по скоростям) возбуждения электронов вследствие эффекта Допплера, и разной их подвижности на соседних уровнях Ландау . В работе [63 сообщалось об обнаружении знакопеременной фотоэде при оптических переходах между уровнями Ландау в п-ГпБЪ, резонансный контур которой отвечает зависимости, предсказанной в (53.

До настоящего времени оставался недостаточно исследованным вопрос об особенностях, механизма формирования фотогальванических токов в полупроводниках в условиях спинового резонанса электронов. Не изучены также фотогальванические токи, возникающие в области циклотронного резонанса в двумерном электронном газе, хотя в указанных ситуациях они могут иметь интересные особенности, обусловленные следующими обстоятельствами.

Как было показано в работе [7], в 1пБЬ и других кристаллах без центра инверсии типа цинковой обманки оптические перехода с переворотом спина разрешены не только в магнитодипольном, но также частично и в электродипольном приближениях. Магнитодипольные и электродипольные перехода могут интерферировать, в результате чего вероятность оптических переходов с переворотом спина зависит от взаимной ориентации векторов магнитного поля, волнового вектора света и кристаллических осей. •

Свои специфические особенности имеет магнитное*квантование в полупроводниковых гетероструктурах с двумерным электронным'газом. Согласно [81, в этой ситуации за счёт сильного взаимодействия электронов с примесями к волновым-функциям каждого уровня Ландау "подмешиваются" волновые функции-соседних уровней. Следовательно, для циклотронных переходов возможны различные пути, которые могут интерферировать между собой.

Интерференция оптических переходов в обоих рассмотренных случаях может привести ' к особому механизму формирования резшансных фотогальванических токов. Такой механизм должен иметь весьма универсальный характер, так как аналогичная ситуация может возникать не только в условиях магнитного квантования, но и в ряде других случаев при оптических переходах меаду двумя энергетическими уровнями электронов. Исходя из этого , можно говорить как о фундаментальной, так и практической значимости обозначенной проблемы. Последнее подразумевает создание основы для нового способа.спектроскопии полупроводников, суть которого заключается в измерении резонансных фототоков.

Цель работы заключается в исследования механизма формирования тока увлечения электронов фотонами, возникающего в полупроводниках под действием излучения ДИК диапазона в условиях спинового резонанса в объёмном материале, и в условиях циклотронного резонанса - в двумерном электронном газе.

Объекты исследований. Эксперименты в условиях спинового _резонанса электронов ьроводились на чистом антимониде индия n-типа. Этот материал имеет большую величину . g-фактора , и парамагнитный резонанс в нём хорошо изучен, методом измерения оптического пропускания. Для исследований в условиям циклотронного резонанса электронов использовалась

полупроводниковая гетероструктура с одиночной квантовой ямой GaSb/InAa/GaSb. Структура такого типа была выбрана, исходя из того, что в ней имеется большое количество локализованных на границах квантовой ямы рассеивающих центров; кроме того, эффективная масса двумерного электрона в ней весьма мала и хорошо измерена.

Метод исследования. Для проведения экспериментов использовалась оригинальная установка- для низкотемпературных фотоэлектрических измерений в магнитном поле. ^ототоки возбуждались излучением мощного импульсного лазера дальнего ИК диапазона с оптической накачкой TEA СО -лазером.

Научная новизна диссертации. .

1. Исследован продольный ток- увлечения, возникающий в объёмном n-InSb под действием ДИК излучения в условиях спинового резонанса электронов. Обнаружен новый эффект квантово-интерференционннй резонансный фототок (КИР35). Установлены основные закономерности явления. Построена теория КИРЗ) при оптических переходах с переворотом спина между состояниями как свободных, так и связанных электронов в n-lnSb.

2. Исследован ток увлечения электронов фотонами в одиночной квантовой яме СаБЬЯпАз/СаБЬ в условиях ЦР электронов. Обнаружены резонансы продольного и поперечного фототоков на основной частоте Ц? и на частоте первой субгармоники. Установлено, что резонансы на основной частоте ЦР связаны с эффектом увлечения, обусловленным световым давлением г,?и сильном резонансном поглощении света, а субгармонические резонансы являются проявлением КИРФ.

3. Теоретически показана возможность возникновения КИРЗ) в некоторых ситуациях при фотоионизац-м примесных уровней в полупроводниках, а также возникновения фотодрейфа в газах.

4. Обоснована возможность использования КИРФ для исследования слаборазрешёкных оптических переходов.

Практическая ценность результатов. Обнаруженный аффект возникновения КЮТ может Снть использован для определения параметров магнитооптических резонансов в условиях, когда резонансный коэффициент поглощения света много меньше фонового. Соответствующий способ измерения защищен авторским свидетельством на изобретение.

Апробация работы. Основные результаты работы доложены на 20 Международной конференции по физике полупроводников (Салоники, Греция,1990 г.), и на 9 Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем (Нара, Япония ,1991 г.)

Публикации. По материалам работы опубликовано 7 научных статей, список которых приведён в конце автореферата.

Основные положения, выносимые на защиту.

1 В п-1пБЬ в условиях спинового резонанса электронов при возбуждении интенсивным лазерным излучением дальнего ИК диапазона, направленным вдоль вектора магнитного почя, возникает сильный резонанс продольного фототока увлечения. Контур резонанса описывается зависимостью 1/Л, где Д - отстройка от резонанса, а его амплитуда превышает фоновый нерезонансный фототок. Эффект возникает только при циклотронно-неактивной поляризации света.

2. Наблюдаемый резонанс обусловлен квантовой интерференцией различных путей оптического перехода электрона и импульсом фотсна.

3. Квантово-интерференцяошшй резонансный фототок возникает при оптических переходах между состояниями как свободных, так и связанных электронов.

4. В квантовой яме СаЗЬ/1пАз/0а5Ь в условиях циклотронного резонанса электронов при возбуждении светом дальнего ИК диапазона возникают резонансы продольного и поперечного токов увлечения на основной частоте и частоте первой субгармоники. Резонанс на основной частоте ЦР связан с эффектом увлечения, обусловленным световым давлением при сильном резонансном поглощении света, а субгармонический резонанс является проявлением КИР®. .

5. КИРФ может возникать в различных физических системах, где имеются квазистационарные энергетические состояния электрона (частицы) на фоне сплошного спектра, или энергетические состояния, связанные с ним резонансным взаимодействием. При этом

вмплитуда резонанса может Сыть сравнима с фоновым нерезонансным фототоком даже в тех случаях, когда соответствующий оптический 'переход почти запрещен и резонансный коэффициент поглощения много меньше нерезонансного.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения, 2 приложений и списка цитируемой литературы из 90 названий, Объём диссертации составляет 151 страницу текста, включая 42 страниц рисунков и г - таблицы.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность направления исследований, сформулированы их цели и задачи. Изложены основные положения, выносимне на защиту.

Первая глава носит обзорный характер. Она содержит основные результаты исследований фотогальваяичееких токов

(эффекте увлечения электронов фотонами, линейного и циркулярного фотогяльванического эффекта) в полупроводниках. На основании анализа литературы делается вывод о недостаточной изученности этого класса фотовольтаических явлений в - условиях магнитного квантования и сформулированы основные задачи настоящей работы.

Вторая глава посвящена методу экспериментального исследования, использованного для выполнений работы.

Описана оригинальная экспериментальная установка, предназначенная ■ для низкотемпературных исследований фотоэлектрических явлений в полупроводниках в магнитном поле при возбуждении мощным импульсным излучением ДИК диапазона. Значительное внимание уделено мощному импульсному ДИК лазеру с оптической накачкой излучением TEA СОа~ „чазера, составляющего олнову экспериментяльной установки. Приведены данные исследованных образцов и методика измерений.

Третья глава содержит результаты исследований тока увлечения в условиях спинового резонанса алектронов в n-InSb. Эксперименты выполнялись на длине волны 90,5 мкм (интенсивность излучения на образце достигала 100 кВт/см2) при 'Г = 2К в магнитных полях 'до б Т. Исследовался продольный ток увлечения; для идентификации резонансов дополнительно измерялась фотопроводимость образцов. Результаты измерений на образце с концентрацией электронов п = б-101Э см"3 приведены на рис. 1.

2.00 -

Ч 1.50

н о f

о ©

.1.00

O.SO

0.00

-0.50 J

5.-0

О 5.70 5.80

Магнитное nono (Т)

К

V

В

о 1.40

о 1.20 H о

1.00 -

§"0.80

о н о е

5.40

TSIÍ

SR

5.50

5.60

5.70

5.80

Магнитное поле (Т)

Рис. 1.

Видно, что сшшовий резонанс как связанных на примеси, так и свободных электронов (пики 15П и Бй на кривой фотопроводимости) •сопрововдается возникновением сильного знакопеременного резонанса фотетока. "Крылья" резонансной кривой описываются зависимостью 1/ЗВ (СВ - отстройка от резонанса), а переход от минимума к максимуму происходит в пределах ширины линии спинового резонанса. При относительно низкой концентрации электронов (б-Ю13 см"3) большую амплитуду имеет примесный резонанс; в образцах с п = 5,5«1014 см"э наблюдается обратное соотношение. Обнаруженные фототоки линейны по интенсивности света, чётш го магнитному полю и возникают только при циклотронно-неактивной циркулярной поляризации света.

Предложена модель возникновения квантоео-интерференционного резонансного фотетока (КИМ), основанная на квантовой интерференции оптических переходов. Её суть заключается в следующем. Пусть в некоторой физической системе имеется дискретный энергетический уровень, взаимодействующий с состояниями сплошного спектра (рис. 2),

Под действием кванта света с энергией Ли электрон из начального состояния 1 может перейти в принадлежащее сплошному спектру конечное состояние 3 непосредственно (1 ► 3) или через отвечающее дискретному уровню К промежуточное состояние 2

(1 •» 2 •» 3). Переход 1 2 3 является резонансным и его

амплитуда Д = 0 7 /А, где я и 7 - матричные элементы р 12 р 12 р *

оптического перехода 1 2 и перехода 2 ■* 3 с уровня в сплошной спектр, а Д = е - ег - разность энергий конечного и промежуточного состояний, совпадающая с отстройкой от резонанса Ьш - ( £а~ б(). Полная вероятность перехода в состояние с импульсом р пропорциональна величине |Р + Яр|г. Для фототока, который может возникать в такой системе, можно записать (збна полагается изотропной):

3 ~ £ ря » ^ р|Рр|2 + ^ Р|Кр|г + р Ве(РрЛ'р) ,

п о п о

р р р р

где суммирование производится по всем направлениям импульса. В средах с центром инверсии может возникать только фототок, пропорциональный импульсу фотона ц. Первое слагаемое соответствует нерезонансному току увлечения, второе обращается в нуль, так как I = !• Третье, интерференционное, слагаемое, связанное с нечётной частью Яе(Р Я*), является речонансным и пропорционально ц/А'. В случае неравенства фаз матричных элементов Р и Кр интерференционный ток имеет также вклад, пропорциональный В средах без центра инверсии интерференционный резонансный фототок может иметь "фотогальваническую" компоненту, возникающую за счёт внутренней асимметрии кристалла.

В условиях примесного спинового резонанса электронов начальное состояние оптического перехода 1 -> 3 принадлежит основному примесному уровню ООО*; роль промежуточного состояния 2 составного перехода 1 -» 2 3 играет примесный уровень с противоположным направлением спина (ООО"); конечное состояние 3 находится на нижней спиновой ветке О* нулевого уровня Ландау свободных электронов. Переход 2 3 происходит за . счёт спин-орбитального взаимодействия в поле примеси.

Ситуация спинового резонанса свободных электронов отличается от предыдущей лишь тем, что состояние 1 принадлежит дну спиновой подзоны О", а состояние 2 - дну подзоны О".

Выполнен расчёт квантово-интерференционного резонансного фототока, пропорционального шпульсу фотона, для случаев спинового резонанса связанных на примеси и свободных электронов в п-1п5Ь. В первом случае фототок равен

1 - е-^-п 1015[см"31 I [ , , в; ав ]__(СВ>*_

т ,пр N [СМ'Э1 I" I <СВ>2 + г2 1 (6В)2 + г3

1

г =

Г

(щ:'

где п - концентрация электронов на примеси, К концентрация заряженных примесей, I - интенсивность света в кристалле, 1*= 5-103Вт/см? В* = 3-10"ЭТ.

В случае примесного резонанса свободных электронов для фототока имеем:

(

1 +

а

"5В

I* « 6,2-10 Вт/см3 , В* ~ 1,5-10"3Т'.

где тип- эффективная масса и концентрация электронов в зоне.

Полученные выражения для фототоков весьма точно описывают полученные экспериментальные кривые. Показано хорошее количественное согласие теории и эксперимента.

Четвертая глава посвящена исследованию тока увлечения в области циклотронного резонанса в двумерном электронном газе.

В экспериментах использовались гетероструктуры с одиночной квантовой ямой СаЗЬЯпАз/СаЗЬ, выращенные методом 'молекулярно-пучковой эпитаксии на полуизолируицих подложках Сала. Основные параметры структур были следующими: 200А,

'п » Ю1асм~а, ц = 5•104сма/В*с при Т = ТТК. Импульсное излучение с длиной волны 385 мкм (I $ 3 кВт/сма) ввогшось в образец под острым углом к плоскости с.О электронного газа; магнитное поле прикладывалось перпендикулярно ей'. Измерялись продольный и йоперечный токи увлечения. Все эксперименты проводились при Т = 4.2К.

Обнаружены ярко выраженные резонансы продольного и поперечного фототоков как в области циклотронного резонанса, так и в области его первой субгармоники (рис. За,б). В то же зремя резонанс в поглощении наблюдался только на основной частоте (рис. Зв). Обнаруженные фототоки . нечётны по <5; при обращении направления мапштного поля поперечный ток меняет знак, и

Магнитное поле (Т)

Рис. 3.

продольный. - не меняет.

Выполнен расчёт резонансных токов увлечения в рамках кинетического уравнения для актуального случая. Для образца конечных размеров в режиме короткого замыкания получено:

«« с ни ^ то

•Ьо= " «"""БТЛГ?Г ва + (бВ )2 : вт = ~ё% 5Во= 1в' ~ вс

1 Л В- 3 1 . _1_ „

•>ю- - «де -таг32 В2 + (аВо)2 ' ег сЕ|£р

ея2с2п 1 вп;ев1 4

3,»Я * ^ПЗ^Г 1 В2 + ^а ' 1В1 - 2 Во

1 л в еГеЧ 5 1

■>1." ЧГВ1 Тй^аг В2 1 ва + (вв )3 '

4 X I

где индексы и и 1 указывают на продольный и поперечный ток, а о и I - означают область основного резонанса или первой субгармоники, соответственно; в - амплитуда электрического поля световой волны, г - время релаксации импульса, ер - энергия Ферми.

В соответствии с расчётом резонансы продольного и поперечного фототоков как на основной частоте ЦР, так и на частоте первой субгармоники, имеют лоренцовскую форму (кроме продольного субгармонического тока, отвечающего - зависимости 1/.(бВ)); продольные фототоки - четны, а поперечные - нечётны по В; все токи линейны по <}. Таким образом, расчёт хорошо согласуется с экспериментом.

Анализ полученных выражений позволяет сделать следующие вывода. Продольный фототок на частоте циклотронного резонанса обусловлен эффектом светового давления и пропорционален резонансному коэффициенту поглощения. Резонансы тока на частоте первой субгармоники обусловлены интерференцией нерезонансного электродипольного перехода через уровень (п п + 2) (такой переход разрешён вследствие взаимодействия с примесями) и резонансного квадрулолъного перехода.

В пятой главе приведены примера различных физических систем, в которых может возникать квантово-интерференциояный резонансный фототок или фотодрейф.

Фототок при резонансной рассеянии на квазистациояарном уровне. Такие уровни, лежащие на фоне сплошного спектра, могут Сыть связаны с возбуждёнными состояниями глубоких структурных дефектов, примесных комплексов или отдельных примесных центров. Показано, что если электрон находился в основном 8-состоянии примеси, а затем под действием кванта света перешёл в зону с энергией, близкой к энергии квазистационарного уровня, то могут наблюдаться особенности как поглощения, так и фототока. Если состояние электрона на уровне отвечает моменту I = 1 (р-урезень), то резонансное рассеяние на нём приводит, к появлению вклада, пропорционального Л/(Л2+ Га) (Л - отстройка от резонанса, Г - полуширина уровня), в частотную зависимость как коэффициента поглощения, так и фототока. Если же электрон рассеивается на уровне, отвечающему г = 2 (¿-уровень), указанную особенность имеет .только фототок.

Фототок, обусловленный резонансным, взаимодействием с оптическим фононоы. Интерференционный фототок может возникать и в тех случаях, когда рассеивающий уровень расположен в запрещённой зоне полупроводника. При этом резонансное рассеяние свободных электронов происходит за счёт взаимодействия с оптическими. фононами. Интерференция непосредственных переходов электронов в зону с переходами, сопровождающимися их резонансным рассеянием на соответствующих уровнях за ' счёт испускания и последующего поглощения оптического фонона, приводит как к интерференционной добавке к . поглощению, так и к возникновению квантово-интер|«ренционного фототока.

Кавнтоао-интерференциошый фотодрейф . в газах. Явление, аналогичное квантово-иктерферекциокному фототоку в полупроводниках, мох&т наблюдаться и в газах. Для этого необходимо, «тобы среда представляла собой смесь двух газов -I активного и буферного . Резонансный фотодрейф возникает, когда внергия кванта излучения приближается к разности энергий основного и возбуждённого состояний молекулы активного газа. Поглощение квантов света молекулами активного газа, в результате которого последние приобретают кинетическую энергию, возможно лишь с рассеянием на молекулах буферного газа. При этом возможны два пути оптического перехода: "непрямой" в пределах основного

состояния, и составной, через возбуждённое состояние молекулы с последующим рассеянием в основную зону. Интерференция этих каналов может привести к возникновению фотоиндуцированного дрейфа частиц, пропорционального импульсу фотона.

В заключении сформулированы основные результаты, полученные в диссертационной работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РА60ТЫ

1. Создана оригинальная установка для низкотемпературных-исследований фотоэлектрических явлений в полупроводниках в магнитном поле при возбуждении интенсивным излучением дальнего ИК диапазона и разработана соответствующая методика измерений.

2. Исследованы фототокй, обусловленные импульсом ёотона, в условиях спинового резонанса электронов в п-ГпБЬ, и в условиях циклотронного резонанса электронов - в квантовой яме СаБЬЯлАэ/СаЗЬ.

3. Обнаружен' новый эффект - квантово-интерференционный резонансный фототок (КПРФ). В основе .эффекта лежит процесс квантовой интерференции оптических переходов; фототок может возникать как за счёт импульса фотона, так и за счёт асимметрии элементарных электронных процессов.

4. Предложен механизм образования КИРФ в условиях спинового резонанса свободных и связанных ка примеси электронов в п-1п8Ь. Он основан на квантовой интерференции непрямого внутризонного перехода (или перехода с примесного уровня в зону) и составного перехода, включающего промежуточное состояние на энергетическом уровне с противоположным направлением спина.

5. Построена аналитическая теория квантово--интерференциояного резонансного фототокэ, пропорционального волновому вектору света, в условиях спинового резонанса связанных и свободных электронов в объёмном п-1пЗЪ. Проведено качественное и количественное сравнение теории с экспериментом и показано их хорошее согласие.

6. Обнаружены сильные резонансы лродольного и поперечного токов увлечения на основной и первой - субгармонической частотах ЦР в квантовой яме GaSb/InAs/GaSb. В рамках классического кинетического уравнения вычислены резонансные фототоки увлечения в этой ситуации. Путём, анализа полученных выражений, находящихся в качественном согласии с экспериментом, доказано, что резонансы фототока на основной частоте ЦР обусловлены световым давлением, а на частоте первой субгармоники - квантовой интерференцией резонансного квадрупольного и нерезонансного дипольного переходов через уровень (п * п + 2).

7. Показана возможность возникновения квэнтово--интерференциогаого фототока при фотоионизации примесных центров в полупроводниках за счёт резонансного рассеяния на квазистационарном уровне, или резонансного взаимодействия с оптическим фононом. Предложена модель образования квантово-интерференционяого фогоиндуцированного дрейфа в газах.

8. Обоснована возможность использования эффекта для спектроскопии слаборазрешённых оптических переходов.

Основное содержание диссертации опубликовано в работах:

1. А.П.Дмитриев, С.А.Емельянов, .Я.В.Терентьев, И.Д.Ярошецкий.. Интерференционный резонансный фототок в полупроводниках -Письма в ЖЭТФ, 1989, т.49, в.9, с.506-509.

2. A.P.Dmitriev, S.A.Emelyanov, Y.V.Terent'ev, I.D.Yarosiietsky. Interference resonance photocurrent in n-InSb - Solid State Comm., 1989, v.72, No.11, p.1149-1¡52.

3. А'.П.Дмигриев, С. А. Емельянов, Я.В.Терентьев, И.Д.Ярошецкий. Квантово-интерфере'лционный резонансный фототок при переходах между состояниями свободных электронов - Письма в ЖЭТФ, 1990, Т.51, в.8, с.392-395.

4. А.П.Дмитриев, С.А.Емельянов, Я.В.Терентьев, И.Д.Ярошецкий. Квантово-интерференционный резонансный фототок - ЖЭТФ, 1991, Т.99, в.2, с.619-640.

5. Л.П.Дмитриев, С.А.Емельянов, 0.В.Иванов, П.С.Копъёв, Я.В.Терентьев,- И.Д.Ярошецкий. Еототок увлечения в двумерном электронном газе в области циклотронного резонанса и его первой субгармоники - Письма в ЮТФ, 1991, т.54, в.8, с.460-463.

6. A.P.Bmltrlev, S.A.Bnelyanov, S.V.Ivanov, P.S.Kop'ev, Ya.Y.Terent'ev, I.D.Yaroshetsky. Photon-drag current In 2DEG In the vicinity ol СП and its first subharmonlc - Surf. Sci., 1992, 7.263, p.659-662. '

7. A.P.Dmitriev, S.A.Snelyanov, Ya.V.Terent'ev, I.D.Yaroshetsky. Quantum interference resonance photocurrent in semiconductor^ - in the book Best of Soviet Semiconductor Physics and Technology (1989-1990), World Scientific Singapore (1996), M.E.Xevinshtein and. M.S.Shur, Editors, p.171-174.

Цитируемая литература

1. А.М.Данишевский, А.Л.Кастальский, С.М.Рыбкин, И.Д.Ярошецкий. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзоняых переходах в полупроводниках - ЖЗТФ, 1970, т.58, в.2, с.544-550.

2. A.F.Gibson, M.F.Kimmltt, A.O.Walker. Photon drag In germanium - Appl. Phys. Lett., 1970, v.17, No.2, p.75-77.

3. А.Л.Гринберг. Теория фотоэлектрического и фотомагнитного эффектов, обусловленных давлением света - ЖЭТФ, 1970, ^.58, в.З, с.989-995.

4. K.H.Herrmann, R.Vogel. СОа laser-Induced photoeffects In ' tellurxiim - Proc. 11th Int. Coni. Phys. Semlcond.,

Warsaw, 1972, v.2, p.870-876.

5. Э.М.Скок, А.Ы.Шалапш. Светоиндуцированньй дрейф электронов в полупроводниках - Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32, в.З, с.201-204.

6. Л.Ф.Кравченко, Л.М.Палкин, В.Н.Созин;.в, О.А.Шегай. Фотоэдс, индуцированная импульсом фотона при переходах между уровнями Ландау - Письма в ЖЭТФ, 1983, т.38, в.7, с.328-329.

7. M.Dobrowolska, Y.Chen, J.K.Furdyna, S.Rodriguez. Effects of photon-momentum and magnetic-field reversal on the far-infrared electrlc-dlpole spin resonance in InSb - Phys. Rev. Lett., 1983, v.51, No.2, p.134-'37.

8. D.Heitmam, M.Zlesmann, L.L.Chang. Cyclotron-resonance oscillation In InAs 0'iantum wells - Phys. Rev.B, 1986, v.34, No. 10, p.74^,3-7466.