Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле

Дмитриевский, Александр Александрович

Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Дмитриевский, Александр Александрович АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Тамбов МЕСТО ЗАЩИТЫ

2000 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле»

Автореферат диссертации на тему "Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле"

на правах рукописи

РГВ од

.:// авг гт

ДМИТРИЕВСКИЙ Александр Александрович

КВАНТОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПРОЦЕССЕ РЕЛАКСАЦИИ ПОДСИСТЕМЫ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

Специальность 01.04.07 - Фишка твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Тамбов 2000

Работа выполнена на кафедре теоретической и экспериментальной физики Тамбовского государственного университета им. Г.Р. Державина.

Научные руководители: Заслуженный деятель науки РФ,

доктор физико-математических наук, профессор Головин Ю.И. кандидат физико-математических наук, доцент Моргунов Р.Б.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Нечаев В.Н. кандидат физико-математических наук Орлов В.И.

Ведущая организация: Сибирский государственный

индустриальный университет г. Новокузнецк.

Защита состоится « 1 » июля 2000 г. в 1530 часов на заседании

диссертационного совета К_113.49.03 при Тамбовском

государственном университете им. Г.Р. Державина по адресу: 392622 г.Тамбов, Интернациональная, 33, корпус 2, аудитория 141.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Тамбовского государственного университета им. Г.Р. Державина.

Автореферат разослан « 29 » мая 2000г.

Ученый секретарь Диссертационного Совета кандидат физико-математических наук

ВЗ'ЦЗ^ОЗ

&316.3.03

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы обусловлена возрастающим интересом к новым нетрадиционным методам управления пластичностью твердых тел. Около десяти лет назад был обнаружен парадоксальный, на первый взгляд, эффект влияния постоянного магнитного поля (МП) с индукцией В ~1 Тл на пластичность диамагнитных ионных кристаллов. Поэтому особое внимание стали уделять исследованию влияния энергетически слабых МП (g|xBB«kT, где, g -фактор спектроскопического расщепления парамагнитной частицы, цв - магнетон Бора, кТ - тепловая энергия) на физико-химические процессы при пластическом деформировании. В начале 90-х годов Алыпиц В.И. и Молоцкий М.И. предложили интерпретировать магнитопластический эффект (МПЭ) в ионных кристаллах на основе теории спин-зависимых процессов в химических реакциях [1,2], разработанной Бучаченко A.JL, Франкевичем E.JL, Са-лиховым K.M., Молиным Ю.И., Соколиком И.А., Brocklehurst В., Kaptein R., Oosterhoff L.J. с соавторами и другими, применяя ее к рассмотрению взаимодействия неспаренных электронов, локализованных в дислокационных ядрах и точечных стопорах [3,4]. В [5] теоретически предсказана возможность резонансного разупрочнения твердых тел в скрещенных постоянном и микроволновом МП. Авторами [6] этот эффект был обнаружен экспериментально, что подтверждает спиновую природу МПЭ. В ряде работ были также сняты термодинамические противоречия, связанные с малостью энергии (по сравнению со средней энергией термических флуктуаций), передаваемой слабым МП электронам, локализованным на структурных дефектах. Однако, данных, позволяющих установить конкретный тип дефектов, вовлеченных в спин-зависимые реакции, и предложить кинетическую модель процессов, инициируемых МП в ионных кристаллах, получено не было. Использование в упомянутых выше работах лишь чисто механических методов исследования отклика кристалла на внешнее МП существенно ограничивает возможности интерпретации природы МПЭ на микроскопическом, электронном уровне. Можно надеяться, что привлечение методов оптической спектроскопии позволит получить независимые данные об электронной структуре магниточувствительных объектов в диамагнитных кристаллах и облегчит их идентификацию.

В соответствии с вышесказанным были сформулированы цели работы:

1. выявление объектов, вовлеченных в спин-зависимые реакции в ионных кристаллах, выяснение роли основной примеси в формировании этих объектов, их атомарной структуры и характера ее изменения в результате действия МП.;

2. определение электронно-оптических характеристик магниточувствительных точечных дефектов.

В соответствии с поставленными целями были сформулированы задачи исследования:

1. Установить основные микропараметры, характеризующие примесные

комплексы в ионных кристаллах, чувствительные к МП, их исходную мультиплст-ностъ, полный спнн и тип ионов, из которых они состоят.

2. Выяснить природу, продолжительность и кинетические характеристики отдельных стадий, через которые проходит релаксационный процесс, инициируемый в метастабильных примесных комплексах магнитным полем.

3. Исследовать влияние электронных возбуждений, создаваемых в подсистеме структурных дефектов светом оптического диапазона, на МПЭ и спектры электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), детектируемые по изменению пластичности.

4. Предложить и сопоставить возможные механизмы влияния МП на пластические свойства ионных кристаллов.

Йаучнан новизна работы заключается в следующем:

1. Обнаружен и исследован эффект влияния скрещенных постоянного (В0= 0 - 0.8 Тл) и микроволнового (\'=9.5 ГГц, В] ~2 мкТл) магнитных полей на микротвердость кристаллов ИаС1, легированных различными примесями, в условиях ЭПР в электронной подсистеме структурных дефектов. Обнаружено совпадение количества и положений резонансных пиков разупрочнения, полученных измерением микротвердости и подвижности индивидуальных краевых дислокаций в кристаллах ЫаС1:Са в условиях действия скрещенных постоянного и микроволнового МП.

2. Показано, что в формировании пластических свойств кристаллов необходимо учитывать обменное взаимодействие в парах дебетов, которые могут быть образованы: 1) точечным дефектом и дислокацией, 2) несколькими точечными дефектами примесного происхождения (например, в легированных кристаллах ЫаС1 эти пары содержат ионы основной примеси Са или Ей, преднамеренно введенной в кристалл). Разделены вклады, вносимые этими типами дефектов в процесс разупрочнения кристаллов под действием МП.

3. Установлено, что короткоживущие магшггочувствитсльные состояния дефектов генерируются термическими флуктуациями с длительностью ожидания -КГ' с й кристаллах №С1: Са при температуре Т = 293 К.

4. Обнаружены возможности управления МПЭ с помощью света оптического диапазона и термообработки. Установлены условия и режимы воздействия внешними факторами, как усиливающими МПЭ, так и приводящими к его полному подавлению. Определено положение уровней магни-точувствительных центров в запрещенной зоне.

5. Обнаружена анизотропия магниточувстаггелъных точечных дефектов по отношению к плоскополяризованному свету, указывающая на вхождение в состав магниточувствительных комплексов примесно-вакансионных диполей.

Йаучнаи ценность п практическая значимость работы.

1. Установлена последовательность, длительность и кинетика отдельных стадий многоэтапного процесса релаксации подсистемы структурных дефектов, инициируемого МП в ионных кристаллах, а также выделена ста-

дня, чувствительная к МП.

2. Показано, что МП, изменяя спиновое состояние радикальной пары, приводит к атомарным перестройкам внутри исследуемых магниточувстви-тельных точечных дефектов, состоящих из нескольких примесно-вакансионных диполей. Перестроенные или распавшиеся точечные комплексы легче преодолеваются дислокациями, что отражается на макропластиче-ских характеристиках кристаллов.

3. Выявлены условия и режимы воздействия светом оптического диапазона на состояние подсистемы структурных дефектов, позволяющие как увеличивать, так и уменьшать чувствительность кристаллов к действию МП.

4. Практическая значимость работы обусловлена возможностью использования результатов в качестве физической основы для создания новых энергосберегающих технологий обработки материалов, в частности, нетермических методов увеличения пластичности и селективного ускорения релаксации дефектов, находящихся в метастабильном состоянии, с помощью совокупности магнитных полей определенных параметров и света определенного спектрального состава.

Апробация работы. Полученные результаты были представлены на следующих конференциях и семинарах: XXXIV Международный семинар «Актуальные проблемы прочности», (Тамбов, 1998); XX Международная конференция «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 1999); E-MRS 1999 spring meeting (Strasbourg, France, 1999); XXXV семинар «Актуальные проблемы прочности» (Псков, 1999); VI Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы материаловедения» (Новокузнецк, 1999); Всероссийская молодежная научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлекгронике (С-Петербург, 1999); XVIII Всероссийский симпозиум молодых ученых по химической кинетике (Московская обл., 2000)

На защиту выносятся следующие основные положения и результаты:

1. За резонансное уменьшение микротвердости ионных кристаллов в скрещенных постоянном (В0 = 0 - 0.8 Тл) и высокочастотном (v = 9.5 ГГц, В] ~2 мкТл) МП ответственен резонанс в парах двух типов, образованных: 1) парамагнитными точечными дефектами, магнитостимулированная атомарная перестройка которых приводит к уменьшению их способности тормозить движение дислокаций, 2) парамагнитным центром на дислокации и парамагнитным точечным дефектом в объеме кристалла.

2. Изменение количества и положения резонансных пиков на зависимости микротвердости от величины индукции постоянного МП (полученной в условиях действия скрещенных полей), связанное с изменением типа основной примеси, свидетельствует о том, что ионы основной примеси входят в состав исследуемых магниточувствительных точечных дефектов.

3. МП способно изменять мультиплетность радикальных пар лишь во время коротких стадий возбуждения мета стабильных структурных дефектов. В возбужденное магниточувствительное состояние дефекты переходят под действием термических флуктуации с длительностью ожидания ~10"6 с, при Т = 293 К в кристаллах NaCl. Малое время жизни возбужденных состояний радикальных пар обеспечивает изоляцию спиновой системы от термических флуюуаций на время спиновой конверсии в МП, что позволяет наблюдать МПЭ в слабых МП.

4. Предварительная фотоэкспозиция кристаллов в ультрафиолетовом диапазоне частот приводит к изменению электронного состояния комплексов точечных дефектов, в результате которого они теряют чувствительность к МП. Самопроизвольное восстановление чувствительности кристаллов к МП может быть ускоренно инфракрасным светом, или светом F-полосы, в радиационно облученных кристаллах. Максимум эффекта гашения магнито-чувствительности обеспечивается при энергии фотонов, соответствующих глубоким уровням, расположенным примерно посередине запрещенной зоны (6.6 эВ для LiF, 3.6 эВ для NaCI и 2.8 эВ для KCl), а сенсибилизации к МП -при энергии фотонов 1.57 эВ (для кристаллов NaCl:Ca)

5. Магниточувствительные примесные комплексы обладают оптической анизотропией и имеют максимум чувствительности к плоскополяризованному свету при ориентации плоскости поляризации вдоль кристаллографического направления [110], что соответствует преимущественной ориентации примесно-вакансионНых диполей, из которых состоят мапшточувствительные комплексы.

Структура и объем диссертации: Диссертация состоит из введения, пяти глав и списка цитированной литературы, содержащего 136 наименований. Полный объем составляет 131 страницу машинописного текста, в том числе оглавление, 28 рисунков и 2 таблицы.

Личное участие соискателя в получении результатов, изложенных в диссертационной работе. В работах, написанных в соавторстве, автору принадлежит разработка, создание и отладка экспериментальных установок, проведение экспериментов, обработка полученных данных, а также участие в планировании экспериментов, обсуждении результатов и написании статей.

Диссертационная работа выполнена при финансовой поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (проекты № 97- 02-16074 и № 00-02-16094) и федеральной программы «Университеты России - фундаментальные исследования» (проект № 381)

Публикации. Основные результаты диссертационной работы отражены в 14 публикациях, список которых приведен в конце автореферата.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, определены цели и задачи исследования, новизна и практическая значимость работы, сформулированы основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава представляет собой литературный обзор основных экспериментальных работ, посвященных исследованию влияния МП на пластические свойства ионных кристаллов. Рассмотрены современные теоретические представления о природе магнитопластичности и других магнитных эффектов в ионных кристаллах. Приведен ряд экспериментальных данных, свидетельствующих о возможности наблюдения спин-зависимых реакций между структурными дефектами в неорганических материалах. Проанализированы условия, необходимые для реализации таких реакций в неорганических твердых телах с дефектами. Обоснованы причины, по которым эти реакции могут влиять на пластичность. Сформулированы цели и задачи дальнейшего исследования МПЭ.

Вторая глава посвящена анализу экспериментальных условий, позволяющих избежать артефактов при исследовании характеристик пластичности в условиях действия магнитного поля и описанию:

- особенностей использования двух независимых взаимодополняющих методик исследования влияния МП на пластические свойства ионных кристаллов: 1) измерение длин пробегов индивидуальных краевых дислокаций, смещение которых инициирует МП; 2) измерение микротвердости после действия МП.

- экспериментальных условий для оптического возбуждения магниточувст-вительных точечных дефектов.

- подготовки образцов перед экспериментами и способов контроля их состояния.

В третьей главе приведены экспериментальные результаты измерения микротвердости (Н) и длин пробегов индивидуальных краевых дислокаций (Ь) в кристаллах ИаС1 с двумя типами примесей: Са и Ей, а также КВг: 1и после их экспозиции в скрещенных постоянном (В0=0 - 0.8 Тл) и микроволновом (у = 9.5 ГГц, В) ~2 мкТл) МП.

Экспозиция кристаллов ЫаС1 с примесью Са в скрещенных МП в течение 15 мин приводила к появлению 3 резонансных пиков на кривой зависимости Н(В0) в условиях ВДВ! (Рис.1). Если постоянное и высокочастотное МП были приложены в конфигурации В0| |ВЬ резонансного разупрочнения не наблюдалось.

Аналогичные результаты были получены ранее при измерении пробегов индивидуальных краевых дислокаций (Ь), причем количество и положение пиков на зависимостях Н(В0) и Ь(В0) совпадали. В специальной серии экспериментов установлено, что за разупрочнение кристаллов ответственен резонанс в парах, образованных точечными дефектами (Р...Р), и в парах дислокация - точечный дефект ф...Р) Три резонансных максимума в кристаллах ИаО.Са, отвечающие резонансу в комплексах Р...Р могут отвечать разрешенным переходам при g = 2 и запрещенным при g = 4 и ё = 6 переходам в системе с полным спином б = 3/2 (Рис. I).

При исследовании пластичности кристаллов с другим типом примеси (№С1:Еи) изменилось количество и положение резонансных пиков. Их стало во-

семь (рис.2), а в кристаллах KBrln наблюдалось четыре пика (рис.4). Положение резонансных пиков на зависимости Н(В0), для кристаллов NaCl:Eu, практически совпадает с положением пиков, полученных с помощью стандартного ЭПР спектрометра на свежезакаленных кристаллах NaCl:Eu (0.1%) [7] (рис.2). Это совпадение позволяет приписывать различным линиям спектра переходы между хорошо исследованными подуровнями иона Еи2+ со спином 7/2 (рис.2) [8].

постоянного МП В0 « условиях совместного действия постоянного (В0 -0-0. Н Тл) и Микроволнового (у - 9.5 ГГц, В1 = 2 мкТл) МП и соответствующая схема спиновых переходов в вочоужденных флуктуациями тримерах с потным спином 5 - 3/2, содержащих три парамагнитных иона Са' со спинами .т = 1/2. На врезках покачаны последовательности процедур, где 1 - введение дислокаций,* - травление, прямоугольник -жспочиция в скрещенных МП. -1- с надписью «инд.» - измерение микротвердости.

Во, Тл

ции кристаллов ИаС1:Еи в скрещенных постоянном и микроволновом 9.5 ГГц) МП - 1, интенсивности сигнала стандартного ЭПР спектрометра I, полученная на саежечакаленных кристачпах МаС1:Еи(0.]%) [7] - 2 от индукции постоянного магнитного папя Во. и соопшетствукнцая схема возможных спиновых переходов в комплексах точечных дефектов в условиях ЭПР. Буквами а, Ь, с... обозначены переходы, .V. V иг - служат для обозначения направлений и плоскостей, в которых распределена электронная плотность в соответствующих состояниях.

В отдельной серии экспериментов исследовали влияние амплитудной модуляции микроволнового МП прямоугольными импульсами различной длительности на микротвердость при В0=0.32 Тл, т.е. в условиях резонанса. При уменьшении до 10"4 с величина разупрочнения ДН начинала уменьшаться и станоЬилась равной нулю при ^ = 10"6с, если экспозиция в скрещенных МП происходила при Т=170 К. Т.е. уменьшение разупрочняющего действия МП при малых длительностях микроволновых «пакетов» связано с тем, что она становится недостаточной для реализации элементарного акта преобразования структурных дефектов. Повышение температуры, при которой производили экспозицию кристаллов в скрещенных МП от 170 К до 490 К, приводило к уменьшению Ъ* (середины нисходящего участка зависимости НО;)) в-100 раз (рис.З).Следовательно пороговый характер зависимости Н(10 обусловлен оЖиданием термической флуктуации, необходимой для преобразования точечных дефектов в МП.

Рис.3 Зависимость микротвер-0-------доспш кристаллов ЫаСЬСа измеренной при Т=293 К после экспозиции в постоянном МП (В0=0.32 Тл) и перпендитляр-ном ему микроволновом пале (V- 9.5 ГП{), модулированном прямоугольными импульсами, от длительности импульсов t¡ при разных температурах Т экспозиции в МП: I -Т=170 К, 2 - Т = 490 К. Суммарная длительность действия микроволнового паля 27, 2 103 с одинакова во всех опытах. На вречке -зависимость пороговой длительности микроволновых «пакетов» I, от обратной температуры в полулогарифмических координатах.

Таким образом, обнаружена пластификация 1фисталлов в условиях электронного парамагнитного резонанса. Установлен тип объектов, вовлеченных в магнитный резонанс в ионных кристаллах. Показано, что наблюдаются, по-меньшей мере, два типа магнитопластическич эф(]>ектов. вызванных влиянием МП на: а) установление и разрыв ковалентной связи между точечным де(|юктом и дислокацией, б) спиновое и атомарное строение метлстабильных комплексов точечных дс(|>сктов. включающих в свой состав ноны Ей или Са. Обе причины приводят к раз\ прочнению ионных кристаллов, что в последнем случае обусловлено распадом комплексов и уменьшении их тормозящего действия для движения дис-

локаций. Выявлены спектры парамагнитного резонанса, соответствующие каждому из этих каналов влияния МП на пластичность. Установлена последовательность и длительность процессов, инициируемых МП в ионных кристаллах при их пластическом деформировании.

Четвертая глава посвящена изучению влияния света оптического диапазона на состояние магниточувствительных точечных дефектов в ионных кристаллах. Предварительное облучение кристаллов светом с энергиями квантов Е= 1.5-6.2 эВ уменьшает чувствительность кристаллов к МП. Максимальное подавление МПЭ достигается после 15-ти минутной фотоэкспозиции кристаллов при Е=2.8; 3.6 и 6.6 эВ для КС1, №С1 и Ьй7 соответственно. Самопроизвольное восстановление чувствительности точечных дефектов к МП, которое происходит в темноте в течении часа, можно ускорить освещением «красным» светом с энергией квантов 1.5 эВ для кристаллов ИаС1:Са и светом Р-полосы (к = 450 нм) в радиационно облученных кристаллах №С1:Са.

•Обнаружена оптическая анизотропия магниточувствительных точечных дефектов, выражающаяся в неравноверояшом смещении дислокаций во взаимоперпендикулярных направлениях под действием МП в кристаллах №С1:Са, предварительно облученных плоскополяризованным светом с Е = 3.6 эВ. Установлено, что вероятность смещения дислокаций в выделенном направлении под действием МП зависит от угла а, образованного плоскостью кристалла (010) и плоскостью поляризации света и имеет максимум при а = 45°. Это свидетельствует о том, что фоточувстаительные дефекты образованы несколькими примесными ионами, объедененными коваленгными связями, что характерно для примесно-вакансионных комплексов, состоящих из нескольких диполей.

Рис.4. Зависимость микротвердости у-облученных кристаллов КВгЛп от индукции постоянного МП Во, которое было использовано для создания парамагнитного резонанса в комплексах точечных дефектов совместно со скрещеннът микроволновым полем с частотой 9.5 ГГц: 1-е отсутствии подсветки, 2- после 10 с освещения кристаллов светом Р-полосы

(X = 630 нм).

Вп, Тл

Установлено, что предварительное освещение у-облученных кристаллов К.Вг:1п светом F-полосы (X = 630 нм) приводит к исчезновению двух резонансных пиков на зависимости Н(В0) (Рис.4), что может быть обусловлено изменением исследуемых МТД в результате захвата F-электрона на один из уровнен МТД и частичной компенсации их магнитного момента (полного спина), или опустошением F-центров, которые сами давали вклад в резонансное разупрочнение кристаллов.

Таким образом, обнаружено фотовозбуждение магниточувствительных стопоров, подавляющее магнитопластический эффект в ионных кристаллах. Показано, что светом оптического диапазона можно восстанавливать чувствительность точечных дефектов к МП.

Пятая глава посвящена анализу и сопоставлению возможных механизмов влияния МП. на пластичность ионных кристаллов.

На рис.5 приведена наиболее вероятная последовательность процессов, инициируемых слабым магнитным полем в подсистеме метастабильных комплексов парамагнитных дефектов в ионных кристаллах. Термические флуктуации возбуждают комплекс, например, путем растягивания ковалентной связи, имеющей в синглетном S-состоянии длину Ra. В отсутствие МП комплекс из возбужденного S* состояния возвращается в исходное состояние в силу запрета на изменение полного спина. В присутствии МП запрет частично снимается и изменивший свою мультиплетность комплекс переходит в новое электронное триплетное возбужденное Т*- состояние с нулевой проекцией спина на направление МП и новым равновесным расстоянием между парамагнитными ионами RT.. После этого происходит релаксация возбужденного состояния в долгожи-вущее ангисвязывающее состояние Т и следуют атомарные перестройки, возможность которых связана с кратковременным уменьшением энергии связи комплекса. Длительная экспозиция кристаллов в скрещенных МП необходима для накопления достаточного (для изменения макросвойств) количества таких актов. Показано, что одной из наиболее вероятных реализаций предложенной схемы является ситуация с участием тримера в качестве исходного метаста-бильного комплекса (рис.5). Тример 1 (например, состоящий из примесно-вакансионных диполей Eu_t-V) с энергией связи, в которую дает вклад обменное взаимодействие, с длительностью ожидания ~1 мкс при 293 К возбуждается термическими флуктуациями в промежуточное связанное состояние димср-диполь с длительностью жизни ~10 не, в котором расстояние Rs между пара-магнигными ионами Еи2+ (со спином s=7/2) R.s->Rs. В отсутствии МП мультиплетность комплекса с возбужденной ковалентной связью сохраняется, а упругое и электростатическое взаимодействие за время, меньшее длительности спин-решеточной релаксации, восстанавливает структуру исходного тримера 1. В присутствии МЛ термовозбужденная система димер-диполь переходит в триплетное состояние Т*, из которого затем, в силу антисвязывающего поведения волновых функций, образуется квазиравновесная электронная Т и соответствующая ей атомарная конфигурация с Rr>Rs- которая имеет меньшую энергию связи по сравнению с тримером 1 на величин)' AES] »kT. Потеря энергии reí разрыв ковалентной связи компенсируется выигрышем в упругой и электростатической энергии необменного происхождения. Этим заканчивается переход комплекс! из

метасгабильного состояния в новое более выгодное термодинамически. В дальнейшем флуктуации, не изменяя спинового состояния, способствуют вращениям квазиизолированного диполя и, таким образом, путем вращений и прыжков остальных диполей ведут к дальнейшему преобразованию комплекса в тример 2 с большей энергией связи, чем в исходном тримере 1. Следующие бимолекулярные стадии релаксации, по-видимому, заключаются в образовании тетрамеров, более сложных агрегатов, фазы Судзуки и т.д. Эти агрегаты в конечном итоге образуются и в отсутствие МП, однако по другому пути и за гораздо более длинное время, поскольку рассмотренный нами «быстрый» канал релаксации оказывается запрещенным в силу действия закона сохранения полного спина в реакции.

¡¡в*

чн- 1 1 К:: 'Т1 Г-Н— 1 I -ю---/14" ' 1 1

■ ( 1>... 1 1 -п---

I., 0'

■И.

5 - Т переходы

, в МП

Т И, т

димер-диполь (2)

ковалентная связь

ДЕ„

ЧН— 1 1 г 11 г-н— 1 1 -1-П---44--

11 1 ).-- I 1

димер-диполь (3)

ДЕТ

4-1— 11

■ ■ 1 >■-. У— 1 ■ -\->— -О — . /

-я®

"41-

- 1 1 М-Ц—: 1 1 -НЗ--

1 1 1 у — 1 1 --- -О--/

кТ

тример 1 (О

димер-днполь

(4)

ДЕ 1

ковалентная

связь 4 отсутствует

/г

Ч-

4-1- ц- гн— -Ц- -¿4 —

1 I 1 У — У— V- 1 1 -ы---

тример 2 (5)

Рис.5. Схематическое изображение последовательности процессов, протекающих в комплексах точечных дефектов в МП в шкале энергий комтекса Е. Б - долгожи-вупцее метастабтыюе синглетное состояние комплекса, Б* - промежуточное, возбужденное термическими флуктуациями синглетное состояние комтекса, Т* - промежуточное возбужденное тришетное состояние, переход в которое разрешен только в присутствие К {П. Т- даягажияущее метастабильное триплетное состояние. Сплошная и прерывистая линии, соединяющие парамагнитные ионы комплекса, обозначают кова-лентную связь в равновесном и возбужденном состояниях, соответственно, кТ - термо-спшкгулированный процесс, и Ят- равновесные значения длины ковалентной связи в Б и Т состояниях комплекса. □- вакансия, • - примесный парамагнитный ион, например, Ей2*.

Поскольку упомянутые выше комплексы точечных дефектов различаются полями упругих деформаций, создаваемых в кристаллической решетке, они по-разному взаимодействуют с движущимися дислокациями. Поэтому рассмотренные магнитостимулированные изменения комплексов, являющихся стопорами для дислокаций, приводят к изменению подвижности последних в МП. Построенная схема процессов удовлетворительно объясняет основные закономерности МПЭ и устанавливает взаимосвязь между спиновой, молекулярной и химической динамикой в парах структурных дефектов со спинами. Описанная модель может быть применена для объяснения влияния МП на взаимодействие дислокаций с парамагнитными точечными дефектами.

Заключение и выводы по работе.

4 н й « 6, а для ЫаС1:Еи при 8 значениях g-фaкгopa, совпадающих с положением максимумов поглощения электромагнитной энергии в обычном ЭПР-спектрометре, что свидетельствует о вхождении в магниточувствительные комплексы атомов основной примеси);

2. Выявлены объекты в ионных кристаллах, на которые действует МП с индукцией ~1 Тл, стимулируя изменение пластичности кристаллов. Ими являются: 1) метастабильные примесно-вакансионные комплексы точечных дефектов, создаваемые при выращивании кристалла или генерируемые искусственно (в ЫаС1 эти комплексы могут содержать ионы Ей или Са в зависимости от типа основной примеси), 2) комплексы, образованные дислокацией и парамагнитными точечными центрами в объеме кристалла.

3. Установлен минимальный набор и последовательность стадий релаксационного процесса, инициируемого действием скрещенных постоянного и высокочастотного МП в примесных комплексах Са или Ей в ионных кристаллах. Показано, что магнитные спин-зависимые состояния комплексов генерируются термическими флуктуациями. Энергия активации в №С1:Са составляет —0.2 эВ, что требует при Т = 293 К времени ожидания ~1 мкс. В отсутствии МП комплекс возвращается в исходное состояние. После завершения спин-зависимой стадии начинаются следующие стадии релаксационного процесса, не зависящие от спина и нечувствительные к МП. Эти стадии также имеют термоактивируемый характер и бимолекулярный тип кинетики, они сопровождаются длительными (до нескольких месяцев в №С1 при Т=293 К) вариациями параметров макропластичности, микротвердости, подвижности индивидуальных дислокаций;

4. Методами оптической спектроскопии обнаружены и исследованы эффекты оптического гашения и сенсибилизации ионных кристаллов к МП.

Установлено, что максимум эффекта гашения МПЭ обеспечивается при энергии фотонов, соответствующих глубоким уровням, расположенным примерно посередине запрещенной зоны (6.6 эВ для LiF, 3.6 эВ для NaCl и 2.8 эВ для KCl), а сенсибилизации к МП - при энергии фотонов 1.57 эВ (для кристаллов NaCl:Ca). В у-облученных кристаллах KBnln облучение светом F-полосы (X. = 630 нм) приводило к исчезнобению двух пиков разупрочнения из четырех, возникавших в условиях электронного парамагнитного резонанса;

5. Обнаружено, что магнигочувствительные примесные комплексы обладают оптической анизотропией и имеют максимум чувствительности к плоскополяризованному свету при ориентации плоскости поляризации вдоль кристаллографического направления [110], что соответствует преимущественной ориентации примесно-вакансионных диполей, из которых состоят магнигочувствительные комплексы.

6. На основе представлений о спин-зависимых реакциях, на которые может оказывать влияние МП, и данных об атомарной структуре примесно-вакансионных агрегатов проведен анализ возможных перестроек этих агрегатов в результате действия внешних МП и показано, что за МПЭ отвечают, главным образом, модификация и распад тримеров.

Цитированная литература

1. Бучаченко А.Л., Сагдеев Р.З., Салихов K.M. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях// Новосибирск: Наука. - 1978. - С. 296.

2. Зельдович Я.Б., Бучаченко AJL, Франкевич E.JI Магнитно-спиновые эф-([ккгы в химии и молекулярной физике // УФК -1988. - Т. 155. Вып. 1. - С. 3-45.

3. Алыыиц В.И., Даринская Е.В., Перекалина Т.М., Урусовская A.A., О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ. - 1987, - Т. 29. - № 2. - С. 467-470.

4. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнигопластического эффекта // ФТТ. - 1991. - Т. 33. -№ 10. - С. 3112-3114.

5. Molotskii M., Fleurov V. Work hardening of crystals in a magnetic field// Phil. Mag. Letters. - 1996. - V. 73. - P. 11-15.

6«, Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тюрин AR, Иволгин В.И. Магнитный резонанс в короткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl//Доклады Академии наук. - 1998. - Т. 361. -№ 3. - С. 352-354.

7. Opyrchal H., Nierzevvski K.D., Drulis H„ Effects of y-irradiation on EPR spectra of Eu2+ doped KCl and NaCl crystals. // Phys.Stat.Sol.(a). - 1983. -V.118.-K 125.

8. Rubio J.O. Doubly-valent rare-earth ions in halides crystals // J.Phys.Chem.Solids. - 1991. - V. .52. -№ 1. - P. 101-174.

Результаты диссертационной работы опубликованы и следующих статьях и тезисах докладов:

1. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Дмигриевскии A.A., Шмурак С.З. Влияние света на магнитостимулированную релаксацию напряжении в ионных кристаллах // Известия РАН (серия физическая). - 1998. - Т. 62. - № 7. - С. 1296-1302.

2. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Дмитриевский A.A. Электронный парамашигный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl // Письма в ЖЭТФ. - 1998. - Т. 68. - № 5. - С. 400-405.

3. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A. Радиочастотные спектры парамагнитного резонанса, детектируемые по смещению дислокаций в монокристаллах NaCl // ФТТ. - 1999. - Т. 41. - № 10. - С. 1779-1784.

4. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Dmitrievskii A.A. Influence of a weak magnetic field on spin-dependent relaxation of structural defects in diamagnetic crystals // Mat.Sci.Eng. -2000. - V. 115. - P. 345-347.

5. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Дмитриевский A.A. Электрошплй парамагнитный резонанс в короткоживущих дефектах как фактор селективного управления пластичностью кристаллов // Конденсированные среды и межфазные границы. -2000. - Т. 2. - № 2. - С. .345-349.

6. Головин Ю.И, Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмигриевскии A.A. Эффекты разупрочнения кристаллов, Ьызванные изменением спиновых состояний структурных дефектов и условиях парамагнитного резонанса//ЖЭТФ.-2000. -Т. 116.-№6.-С. 1-13.

7. Головин Ю.И, Моргунов Р.Б., Дмитриевский A.A., Шмурак С.З. Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта в монокристаллах NaCl // Кристаллография. - 2000. - Т. 45. - № 1. - С. 154-155.

8. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Бадьигевич М.В., Дмигриевскии A.A. Фотостимулированный распад магнигочувствительных дислокационных стопоров в кристаллах NaCl// Вестник ТГУ (серия есгественнотехническая). - 1997. -Т. 2. -№ 1. -С. 101-103.

9. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Иванов В.Е., Лопатин Д.В., Дмитриевский A.A., Ликсутин С.Ю., Баскаков A.A., Бадылевич М.В. Влияние магнитного ноля на релаксацию метастабильных структурных дефектов и пластичность кристаллов // Актуальные проблемы прочности: Тез. докл. XXXIV Международного семинара. 22 -25 сентября 1998 г. - Тамбов, 1998. - С. 273-274

10. Головин Ю.И.. Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A. Релаксация метас табильных структурных дефектов в условиях электронного парамагнитного резонанса // Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл. XX Международной конф. 19 - 22 октября 1999 г. - Воронеж, 1999. - С. 18.

11. Головин Ю.И.. Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A. Пластификация ионных кристаллов в условиях парамагнитного резонанса в короткоживущих состояниях структурных дефектов // Актуальные проблемы прочности: Тез. докл. XXXV семинара. 15 - 18 сентября 1999 г. - I Ickob, 1999. - С. 8 - 13.

12. Головин Ю.И.. Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A. Влияние скрещенных микроволнового и постоянного магнитных полей на пластичность кристаллов // Актуальные проблемы материаловедения: Тез. докл. VI Международной паучПо-технической конф. октябрь 1999 г. - Новокузнецк, 1999. - С. 94.

13. Дмитриевский A.A. Релаксация метастабильных структурных дефектов в условиях электронного парамагнитного резонанса // Всероссийская молодежная научная конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и иапоэлектро-нике: Тез. докл. - С-11етербург 1999. - С. 108.

14. Дмигриевскии A.A. Пластическая деформация как мера твердофазных химических реакций в подсистеме структурных дефектов // XVIII Всероссийский симпозиум молодых ученых но химической кинетике: Тез. доки - Московская обл. - 2000. - С. 18.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Дмитриевский, Александр Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ

И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О ВЛИЯНИИ МАГНИТНОГО

ПОЛЯ НА ПЛАСТИЧНОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ.

1.1. Магнитопластические эффекты в ионных кристаллах.

1.2. Влияние внешних факторов немагнитной природы на МПЭ в ионных кристаллах.

1.3. Механизмы влияния магнитного поля на пластичность кристаллов и противоречия между имеющимися теоретическими представлениями и экспериментальными результатами.

1.4. Электронный парамагнитный резонанс, детектируемый по изменению пластичности ионных кристаллов.

1.5. Выводы и формулировка задач исследования.

Глава 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

2.1. Методики измерения параметров пластичности после действия магнитного поля.

2.2. Создание экспериментальных условий для детектирования парамагнитного резонанса по изменению пластичности кристаллов.

2.3. Создание экспериментальных условий для оптического подавления магнитопластического эффекта.

2.4. Подготовка и контроль состояния образцов перед экспериментами.

2.5. Выводы.

Глава 3. РАЗУПРОЧНЕНТЕ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ, ВЫЗВАННОЕ ДЕЙСТВИЕМ СКРЕЩЕННЫХ ПОСТОЯННОГО И МИКРОВОЛНОВОГО МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ В УСЛОВИЯХ ЭЛЕКТРОННОГО ПАРАМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА.

3.1. Спектры парамагнитного резонанса, детектируемого по изменению микротвердости и пробегов индивидуальных краевых дислокаций.

3.2. Чувствительность спектров магнитного резонанса, детектируемых по изменению пластичности, к примесному составу и предварительной магнитной обработке.

3.3. Кинетические и термодинамические аспекты магниторезонансного разупрочнения кристаллов.

3.4. Возможные схемы электронно-спиновых переходов, приводящих к пластификации ионных кристаллов.

3.5. Выводы.

Глава 4. ВЛИЯНИЕ СВЕТА ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА НА СОСТОЯНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.

4.1. Оптическое гашение магнитопластического эффекта и спектры поглощения света магниточувствительными точечными дефектами, детектируемые по изменению подвижности дислокаций.

4.2. Кинетика фотостимулированного преобразования магниточувствительных комплексов точечных дефектов.

4.3. Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта.

4.4. Влияние Р-света на чувствительность пробегов дислокаций к магнитному полю в радиационно окрашенных кристаллах.

Введение диссертация по физике, на тему "Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле"

Актуальность работы обусловлена возрастающим интересом к новым нетрадиционным методам управления пластичностью твердых тел. Около десяти лет назад был обнаружен парадоксальный, на первый взгляд, эффект влияния постоянного магнитного поля (МП) с индукцией В ~1 Тл на пластичность диамагнитных ионных кристаллов. Поэтому особое внимание стали уделять исследованию влияния энергетически слабых МП (g|iaB«kT, где, g - фактор спектроскопического расщепления парамагнитной частицы, цв - магнетон Бора, кТ - тепловая энергия) на физико-химические процессы при пластическом деформировании. В начале 90-х годов Алыпиц В.И. и Молоцкий М.И. предложили интерпретировать магнитопластический эффект (МПЭ) в ионных кристаллах на основе теории спин-зависимых процессов в химических реакциях, разработанной Бучаченко A.JL, Франкевичем E.JL, Салиховым K.M., Молиным Ю.И., Соколиком И.А., Brocklehurst В., Kaptein R., Oosterhoff L.J. с соавторами и другими, применяя ее к рассмотрению взаимодействия неспаренных электронов, локализованных в дислокационных ядрах и точечных стопорах. Молоцким М.И была теоретически предсказана возможность резонансного разупрочнения твердых тел в скрещенных постоянном и микроволновом МП. Группой Головина Ю.И. и Моргунова Р.Б. этот эффект был обнаружен экспериментально, что подтверждает спиновую природу МПЭ. В ряде работ были также сняты термодинамические противоречия, связанные с малостью энергии (посравнению со средней энергией термических флуктуаций), передаваемой слабым МП электронам, локализованным на структурных дефектах. Однако, данных, позволяющих установить конкретный тип дефектов, вовлеченных в спин-зависимые реакции, и предложить кинетическую модель процессов, инициируемых МП в ионных кристаллах, получено не было. Использование в упомянутых выше работах лишь чисто механических методов исследования отклика кристалла на внешнее МП существенно ограничивает 7 возможности интерпретации природы МПЭ на микроскопическом, электронном уровне. Можно надеяться, что привлечение методов оптической спектроскопии позволит получить независимые данные об электронной структуре магниточувствительных объектов в диамагнитных кристаллах и облегчит их идентификацию.

В соответствии с вышесказанным были сформулированы цели работы:

2. определение электронно-оптических характеристик магниточувствительных точечных дефектов.

В соответствии с поставленными целями были сформулированы задачи исследования:

1. Установить основные микропараметры, характеризующие примесные комплексы в ионных кристаллах, чувствительные к МП, их исходную мультиплетность, полный спин и тип ионов, из которых они состоят.

4. Предложить и сопоставить возможные механизмы влияния МП на пластические свойства ионных кристаллов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Обнаружен и исследован эффект влияния скрещенных постоянного (Во= 0 - 0.8 Тл) и микроволнового (у=9.5 ГГц, В] ~2 мкТл) магнитных полей на микротвердость 8 кристаллов ЫаС1, легированных различными примесями, в условиях ЭПР в электронной подсистеме структурных дефектов. Обнаружено совпадение количества и положений резонансных пиков разупрочнения, полученных измерением микротвердости и подвижности индивидуальных краевых дислокаций в кристаллах ЫаС1:Са в условиях действия скрещенных постоянного и микроволнового МП.

2. Показано, что в формировании пластических свойств кристаллов необходимо учитывать обменное взаимодействие в парах дефектов, которые могут быть образованы: 1) точечным дефектом и дислокацией, 2) несколькими точечными дефектами примесного происхождения (например, в легированных кристаллах №С1 эти пары содержат ионы основной примеси Са или Ей, преднамеренно введенной в кристалл). Разделены вклады, вносимые этими типами дефектов в процесс разупрочнения кристаллов под действием МП.

3. Установлено, что короткоживущие магниточувствительные состояния дефектов генерируются термическими флуктуациями с длительностью ожидания ~10"6 с в кристаллах ЫаС1:Са при температуре Т = 293 К.

4. Обнаружены возможности управления МПЭ с помощью света оптического диапазона и термообработки. Установлены условия и режимы воздействия внешними факторами, как усиливающими МПЭ, так и приводящими к его полному подавлению. Определено положение уровней магниточувствительных центров в запрещенной зоне.

5. Обнаружена анизотропия магниточувствительных точечных дефектов по отношению к плоскополяризованному свету, указывающая на вхождение в состав магниточувствительных комплексов примесно-вакансионных диполей.

Научная ценность и практическая значимость работы.

2. Показано, что МП, изменяя спиновое состояние радикальной пары, приводит к атомарным перестройкам внутри исследуемых магниточувствительных точечных дефектов, состоящих из нескольких примесно-вакансионных диполей. Перестроенные или распавшиеся точечные комплексы легче преодолеваются дислокациями, что отражается на макропластических характеристиках кристаллов.

Апробация работы. Полученные результаты были представлены на следующих конференциях и семинарах: XXXTV Международный семинар «Актуальные проблемы прочности», (Тамбов, 1998); XX Международная конференция «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 1999); E-MRS 1999 spring meeting (Strasbourg, France, 1999); XXXV семинар «Актуальные проблемы прочности» (Псков, 1999); VI Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы материаловедения» (Новокузнецк, 1999); Всероссийская молодежная научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С-Петербург, 1999); XVIII Всероссийский симпозиум молодых ученых по химической кинетике (Московская обл., 2000);

На защиту выносятся следующие основные положения и результаты:

1. За резонансное уменьшение микротвердости ионных кристаллов в скрещенных постоянном (Во = 0-0.8 Тл) и высокочастотном (v = 9.5 ГГц, В] ~2 мкТл) МП

10 ответственен резонанс в парах двух типов, образованных: 1) парамагнитными точечными дефектами, магнитостимулированная атомарная перестройка которых приводит к уменьшению их способности тормозить движение дислокаций, 2) парамагнитным центром на дислокации и парамагнитным точечным дефектом в объеме кристалла.

3. МП способно изменять мультиплетность радикальных пар лишь во время коротких стадий возбуждения метастабильных структурных дефектов. В возбужденное магниточувствительное состояние дефекты переходят под действием термических флуктуаций с длительностью ожидания -10"6 с, при Т = 293 К в кристаллах NaCl. Малое время жизни возбужденных состояний радикальных пар обеспечивает изоляцию спиновой системы от термических флуктуаций на время спиновой конверсии в МП, что позволяет наблюдать МПЭ в слабых МП.

4. Предварительная фотоэкспозиция кристаллов в ультрафиолетовом диапазоне частот приводит к изменению электронного состояния комплексов точечных дефектов, в результате которого они теряют чувствительность к МП. Самопроизвольное восстановление чувствительности кристаллов к МП может быть ускоренно инфракрасным светом, или светом F-полосы, в радиационно облученных кристаллах. Максимум эффекта гашения магниточувствительности обеспечивается при энергии фотонов, соответствующих глубоким уровням, расположенным примерно посередине запрещенной зоны (6.6 эВ для LiF, 3.6 эВ для NaCl и 2.8 эВ для KCl), а сенсибилизации к МП - при энергии фотонов 1.57 эВ (для кристаллов NaCl:Ca)

5. Магниточувствительные примесные комплексы обладают оптической анизотропией и имеют максимум чувствительности к плоскополяризованному свету при ориентации плоскости поляризации вдоль кристаллографического направления [110], что соответствует преимущественной ориентации примесно-вакансионных диполей, из которых состоят магниточувствительные комплексы.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Обнаружен и исследован эффект резонансного уменьшения микротвердости монокристаллов ЫаС1 с примесью Са или Ей в скрещенных постоянном (Во<0.8 Тл) и микроволновом (у= 9.5 ГГц В] ~2 мкТл) МП при выполнении условий электронного парамагнитного резонанса (для №С1:Са при g & 2, g я 4 и g я 6, а для КаС1:Еи при 8 значениях g-фaктopa, совпадающих с положением максимумов поглощения электромагнитной энергии в обычном ЭПР-спектрометре, что свидетельствует о вхождении в магниточувствительные комплексы атомов основной примеси);

2. Выявлены объекты в ионных кристаллах, на которые действует МП с индукцией ~1 Тл, стимулируя изменение пластичности кристаллов. Ими являются:

1) метастабильные примесно-вакансионные комплексы точечных дефектов, создаваемые при выращивании кристалла или генерируемые искусственно (в эти комплексы могут содержать ионы Ей или Са в зависимости от типа основной примеси),

2) комплексы, образованные дислокацией и парамагнитными точечными центрами в объеме кристалла.

3. Установлен минимальный набор и последовательность стадий релаксационного процесса, инициируемого действием скрещенных постоянного и высокочастотного МП в примесных комплексах Са или Ей в ионных кристаллах. Показано, что магнитные спин-зависимые состояния комплексов генерируются термическими флуктуациями. Энергия активации в №С1:Са составляет ~0.2 эВ, что требует при Т = 293 К времени ожидания ~1 мкс. В отсутствии МП комплекс возвращается в исходное состояние. После завершения спин-зависимой стадии начинаются следующие стадии релаксационного процесса, не зависящие от спина и нечувствительные к МП. Эти стадии также имеют термоактивируемый характер и бимолекулярный тип кинетики, они сопровождаются длительными (до нескольких месяцев в ЫаС1 при Т=293 К) вариациями параметров макропластичности, микротвердости,

117 подвижности индивидуальных дислокаций;

4. Методами оптической спектроскопии обнаружены и исследованы эффекты оптического гашения и сенсибилизации ионных кристаллов к МП. Установлено, что максимум эффекта гашения МПЭ обеспечивается при энергии фотонов, соответствующих глубоким уровням, расположенным примерно посередине запрещенной зоны (6.6 эВ для LiF, 3.6 эВ для NaCl и 2.8 эВ для KCl), а сенсибилизации к МП - при энергии фотонов 1.57 эВ (для кристаллов NaCl:Ca). В у-облученных кристаллах KBr.In облучение светом F-полосы (X = 630 нм) приводило к исчезновению двух пиков разупрочнения из четырех, возникавших в условиях электронного парамагнитного резонанса;

5. Обнаружено, что магниточувствительные примесные комплексы обладают оптической анизотропией и имеют максимум чувствительности к плоскополяризованному свету при ориентации плоскости поляризации вдоль кристаллографического направления [110], что соответствует преимущественной ориентации примесно-вакансионных диполей, из которых состоят магниточувствительные комплексы.

118

Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Дмитриевский, Александр Александрович, Тамбов

1. Startcev V.l., Dislocations in solids, ed. by F.R.N.Nabarro (North Holland, Amsterdam, 1983), v.6, p.143-233.

2. Судзуки Т., Есинага X., Такеути С., Динамика дислокаций и пластичность, М.Мир, 1989, С. 115.

3. Кравченко В.Я., О влиянии магнитного поля на электронное торможение дислокаций. Письма в ЖЭТФ, 1970, т. 12, С.551 554.

4. Нацик В.Д., Потемина Л.Г. Торможение дислокаций электронами металлах в сильных магнитных полях, ЖЭТФ, 1974, т.67, № 1(7), С.240-248.

5. Каганов М.И., Кравченко В.Я., Нацик В.Д., Электронное торможение дислокаций в металлах, УФН, 1973, т.111, N4, С.655-682, Гришин A.M., Канер Э.А., Фельдман Э.П., ЖЭТФ. 1976, т.70, С. 1445-1458.

6. Чеботкевич Л.А., Урусовская A.A., Ветер В.В., Движение дислокаций под действием магнитного поля, Кристаллография, 1965, т. 10, N5, С.688-692, Hayashi S., et al., J.Phys.Soc Japan, 1971, v.30, p.38.

7. Бобров B.C., Лебедкин M.A. Разупрочнение монокристаллов никеля при перестройке доменной структуры в магнитном поле, ФТТ, 1985, т.27, № 3, С.820-824.119

8. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А., «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления, ФТТ, 1991, т. 33, № 10, С.3001-3010.

9. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта, ФТТ, 1991, т.ЗЗ, № 10, С.3112-3114.

10. Бучаченко А.Л., Магнитные эффекты в химических реакциях, Успехи химии. 1976. Т. 45. №5. С. 761.

11. Бучаченко АЛ, Физическая химия: Соврем. Проблемы, Под ред. Я.М.Колотыркина. М.: Химия. 1980.

12. Зельдович Б.Я., Бучаченко A.JL, Франкевич E.JI. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике, УФН. 1988. Т. 155. С. 3-45.

13. Бучаченко А.Л., Радиоизлучение и другие магнитные эффекты в химических реакциях, Новое в жизни, науке, технике. Серия ХИМИЯ. 7. 1979.

14. K.M.Salikhov, Yu.N.Molin, R.Z.Sagdeev and A.L.Buchachenko, Spin polarization and magnetic field effects in radical reactions, edited by Yu.N.Molin, 1984, Elsevier, Amsterdam.

15. Buchachenko A.L., Berdinsky V.L., The Journal of Physical Chemistry, Spin Catalysis of Chemical Reactions, 1996, v.100, N47. p.18292-18299.

16. Бучаченко А.Л., Химия на рубеже веков: свершения и прогнозы, 1999, т.68, N2, С.99-117.

17. Бучаченко А.Л., Сагдеев Р.З., Салихов К.М., Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях, Новосибирск: Наука. 1978. С. 296.

18. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Перекалина Т.М., Урусовская А.А., О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля, ФТТ, 1987, т. 29, № 2, С.467-470.

19. Загоруйко Н.В., Действие постоянного электрического и импульсного магнитного поля на движение дислокаций в LiF, Кристаллография, 1965, т. 10, № 1, С. 81-86.120

20. Смирнов А.Е., Урусовская A.A., Влияние предварительной магнитной обработки на микротвердость кристаллов LiF:Ni, ФТТ, !987, т.29, N3, С.852-854.

21. Тяпунина H.A., Красников B.JL, Белозерова Э.П., Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF, ФТТ, 1999, т.41, N6, С. 1035-1041.

22. Белозерова Э.П., Светашов A.A., Красников B.JI, Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов, Изв. РАН, Сер. физ, 1997, т. 61, № 2, С.291-297.

23. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl, Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 58. № 3. С. 189-192.

24. Дистлер Г.И., Каневский В.М., Москвин В.В. и др., О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел, ДАН СССР, 1983, т. 268, №3, С. 591-593.

25. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Роль внутренних механических напряжений в магнитостимулированном движении дислокаций, Кристаллография. 1998. Т. 43. №4, с.689-693.

26. Никитенко В.И., Фарбер Б.Я., Иунин Ю.Л., Экспериментальное исследование динамики кинков на дислокационной линии в монокристаллах полупроводников, ЖЭТФ, 1987, т. 93, №4, С. 1304.

27. Иунин Ю.Л., Никитенко В.И., Орлов В.И., Фарбер Б.Я., Экспериментальное изучение процессов образования и движения кинков на дислокациях в монокристаллах германия, ФТТ, 1991, т.ЗЗ, N4, С.1262-1269.

28. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л., Влияние концентрации примеси Ca на магнитный порог магнитолластического эффекта в кристаллах NaCl, ФТТ, 1998, т. 40, №1, С. 81-84.

29. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л., Михина Е.Ю., Петржик Е.А., Магнитопластический эффект: релаксация дислокационной структуры в121ненамагниченных кристаллах под действием магнитного поля, Изв.АН СССР. Сер физ., 1993, т.57, №11, С.2-11.

30. Alshits V.I., Darinskaja E.V., Kazakova O.L., Mikhina E.Yu., Petrzhik E.A. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction, J. of Alloys and Compounds, 1994, v. 211/212, p.548-553.

31. Светашов А.А., Красников B.JI., Белозерова Э.П., Особенности размножения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах при совместном действии магнитного и ультразвуковых полей, Кристаллография, 1997, т.42, N3, С.493-498.

32. Каневский В.М., Дистлер Г.И., Смирнов А.Е., Герасимов Ю.М. и др., Исследование влияния импульсного магнитного поля на растворимость кристаллов NaCl, Изв. АН СССР. Сер. физ., 1984, т.48, № 12, С. 2408-2413.

33. Чарльз Ж. Мак Махон, Микропластичность, перевод Захарова Е.К., Калинина В.П., Рахштадта Ю.А., М.: Металлургия, 1972, 338 С.

34. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl: Са, Физика твердого тела. 1995. Т. 37. №7. С. 2118-2121.122

35. Альшиц В.И., Беккауэр H.H., Смирнов А,Е., Урусовская A.A. Влияние магнитного поля на предел текучести кристаллов NaCl, ЖЭТФ, 1999, т.115, N.3, С. 951-958.

36. Molotskii M.I., Kris R.E., Fleurov V., Internal friction of dislocations in a magnetic field, Phys. Rev. В., 1995, v. 51, № 20, p.12531-12535.

37. Головин Ю.И., Моргунов P.Б., Лопатин Д.В., Баскаков A.A., Влияние импульсного магнитного поля до 30Т на подвижность дислокаций в монокристаллах №С1//Кристаллография, 1998, Т.43, N6, С.1115-1118.

38. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А., Магнитопластический эффект в кристаллах Csl и LiF, ФТТ, 1993, т.35, С.320 323.

39. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч., Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах, М.: Наука, 1989, 231 С.

40. Даринская Е.В., Колдаева М.В., Магнитостимулированное упрочнение кристаллов NaCl(Pb), Письма в ЖЭТФ, 1999, т.70, N3, С. 226-228.

41. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Лопатин Д.В. Релаксационные процессы, стимулированные слабым магнитным полем в подсистеме точечных дефектов в ионных кристаллах, Кристаллография, 1999, Т.44, N5, С.885-889.

42. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тютюнник A.B., Жуликов С.Е., Афонина Н.М., Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl, ФТТ, 1998, T.40,N12, С.2184-2188.

43. Воробьев А.А. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах, Томск, 1968, 388 С.; Dalai M.L., Sivaraman S., Murti Y.V.G.S., Thermal dissociation energy of F-centers in alkali halides, Phys.Stat.Sol.(b), 1982, v.l 10, p.349-356.

44. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Казакова O.JL, Влияние рентгеновского облучения на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, Письма в ЖЭТФ, 1995, т.62, №4, С.352-357.

45. Алыииц В.И., Даринская Е.В., Казакова O.JL, Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF, ЖЭТФ, 1997, т.111, С.615-626.

46. Кисель В.П., Влияние электрических и магнитных полей на пластичность ионных кристаллов, Тез. докл. II Всесоюзн. конф., Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов, ч. 1., Юрмала. 1990, С.20.

47. Гриднев С.А., Дрожжин К.С., Шмыков В.В., Влияние постоянного магнитного поля на диэлектрическую релаксацию в кристалле молибдата гадолиния, Кристаллография, 1997, т.42, N6, С.1135-1136.

48. Gridnev S.A., Drozhdin K.S., Smykov V.V., Effect of a permanent magnetic field on chaotic oscillations in a ferroelectric TGS crystals, Phys.Stat.Sol.(b), 1999, v.214, R7.

49. Sharp E.J., Avery D.A., Magnetic polarization of electrons on dislocations in alkali-halides crystals, Phis. Rev. 1967. V. 158. № 2. P. 511-514.

50. Дерягин А.И., Павлов B.A., Власов К.Б., Влияние пластической деформации на парамагнитную восприимчивость монокристаллов ниобия, ФММ, 1972, т.34, N.2, с. 279-282.

51. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов, Письма в ЖЭТФ, Т. 70, вып. 11, С. 749-753.

52. Moloiskii M.L, Fleurov V.N., Magnetic effects in electroplasticity of metals, Phys. Rew. B, 1995, v. 52, № 22, p.15829-15834.124

53. Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Найден Е.П., Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем, ФТП, 1989, т. 23, №9, С.1596-1600.

54. Levin М., Maslovsky V., Correlation of electric parameters change and structural changes in silicon systems by pulsed magnetic field treatment, Mat.Res.Soc.Symp.Proc., 1994, v.319, p.429-433.

55. Molotskii M., V.Fleurov, Work hardening of crystals in a magnetic field, Phil. Mag. Lettei 1996, v.73,p.l 1-13.

56. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тюрин А.И., Иволгин В.И. Магнитный резонанс в короткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl, Доклады Академии наук, 1998, Т.361. N3. с.352-354.

57. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние слабого магнитного поля на состояниеструктурных дефектов и пластичность ионных кристаллов, ЖЭТФ. 1999. Т.115. N2. С. 605-624.

58. Франкевич Е.Л., Лесин В.И., Приступа А.И., Магнитный резонанс короткоживущих промежуточных комплексов реакции гашения триплетных экситонов радикалами, ЖЭТФ, 1978, т.75, N2, С. 415-427.

59. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, М.А. Легеньков, В.А. Морозов, Движение дислокаций в кристаллах NaCl при комбинированном воздействии механических и электромагнитных импульсов, создаваемых электронным пучком, Ф.Т.Т., 1999, Т. 41, вып. 11. С. 2004-2006

60. Jacobs P.W.M., Alkali halide crystals containing impurity ions with the ns-2 ground-state electronic configuration, J. of physics and chemistry of solids, 1990,v.51,№ l,p. 35-68.

61. Jacobs P.W.M. Impurity ions ground-states in ionic crystals, J. of Physics and chemistry of solids. 1990. V. 51. № 1. P. 35-50.

62. Шмурак C.3., Сенчуков Ф.Д., Взаимодействие дислокаций с электронными и дырочными центрами в ЩГК, ФТТ, 1973, т.15, №10, С.2976-2979. Канер Э.А., Фельдман Э.П.,125

63. Влияние дислокаций на плотность электронных состояний в магнитном поле, ЖЭТФ, 1970, т.58, N5, С.1803-1813.

64. Molotskii M.I., Electronic excitation during the plastic deformation and fracture of crystals, Soviet Scientific Rewies, edited by Vol'pin, Harwood, London, 1989, Sec.B, v.13, part 3, p.1-85.

65. Рожанский В.H., Степанова В.М. Подвижность дислокаций, ДАН СССР, 1960, т. 133, № 4, С.804-807.

66. Боярская Ю.С., Грабко Д.З., Кац М.С., Физика процессов микроиндентирования, ред.Вальковской М.И., Кишинев, «Штиинца», 1986, 294С.

67. Рудковский В.Н., Заметан В.И., Никифоров И.Я. Динамика развития экзоэлектронной эмиссии после разрушения кристаллов NaCl и LiF, ФТТ, 1984, т.26, № 12, С.3709-3711.

68. Герасимов Ю.М., Дистлер Г.И. Исследование быстропротекающих электрических процессов при раскалывании монокристаллов, Известия АН СССР, (Серия физическая), 1977, т. 41, № 11, С.1204-1211.

69. Зуев Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. Новосибирск: Наука, 1990, С. 120.

70. Осипьян Ю.А., Петренко В.Ф., Савченко И.Б., Инфракрасное гашение фотопластического эффекта в сульфиде кадмия, Письма в ЖЭТФ, 1971, т. 13, С.622-624.

71. Осипьян Ю.А., Петренко В.Ф., Шихсаидов М.Ш., Примесный фотопластический эффект (ФПЭ) в монокристаллах ZnS:Al, Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, С.363.

72. Голосовский М.А., Сойфер Я.М., Исследование природы фототорможения дислокаций в кристаллах NaCl с F-центрами, ЖЭТФ, 1981, т.80, С.2068-2077.

73. Горидько Н.Я., Новиков H.H., Влияние некоторых примесей на фотомеханический эффект в NaCl, ФТТ, 1970, N5, С. 1268-1269.

74. Коровкин Е.В., Лебедкина Т.А., Двухступенчатая фотопроводимость в гамма-облученных кристаллах NaCl при низкой температуре, ФТТ, 1987, т. 29, № 9, С. 2807-2809.126

75. Opyrchal H., Nierzewski K.D., Drulis H., Effects of y-irradiation on EPR spectra of Eu2+ doped KC1 and NaCl crystals, Phys.Stat.Sol.(a), 1983, v.l 18, K125.

76. Rubio J.O., Doubly-valent rare-earth ions in halides crystals, J.Phys.Chem.Solids, 1991, v.52, N1, p. 101-174.

77. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно-Сибирское кн.изд. 1977. 207 С.

78. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.В. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах, Физика твердого тела. 1997. Т.39. № 4. С. 634-639.

79. Закис Ю.Р., Канторович Л.Н., Котомин Е.А., «Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами», Рига, изд. «Зинанте», 1991, 382 С.

80. Франкевич Е.Л., Приступа А.И., Кобрянский В.М., Новый эффект магниторезонансного изменения сопротивления органического полупроводника: слаболегированный полиацетилен, Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, N1, С.13-15.

81. Бучаченко А. Л. Второе поколение магнитных эффектов в химических реакциях, Успехи химии. 1993. Т. 62. № 12. С. 1139-1149.

82. Ермаков Г.А., Коровкин Е.В., Сойфер Я.М., Кинетика фотопластического эффекта в окрашенных кристаллах NaCl, ФТТ, 1974, т.16, N13, С.697-701.

83. Ермаков Г.А., Коровкин Е.В., Сойфер Я.М., Исследование фотопластического эффекта в гамма-облученных кристаллах NaCl, ФТТ, 1974, т.16, N6, С.1756-1760.

84. Golosovskii М.А., Soifer Ya.M., The Photodamping of dislocations in KC1 single crystals, J.Phys.Chem.Sol., 1983, v.44, N10, p.991-997.

85. Коровкин E.B., Эффект последействия в гамма-облученных кристаллах NaCl при гелиевых температурах, ФТТ, 1981, т.23, N9, С.2545-2548.

86. Горидько Н.Я., Новиков Н.Н., Влияние некоторых примесей на фотомеханический эффект в NaCl, ФТТ, 1970, N5, С.1268-1269.127

87. Голосовский М.А., Сойфер Я.М., Исследование природы фототорможения дислокаций в кристаллах NaCl с F-центрами, ЖЭТФ, 1981, т.80, С.2068-2079.

88. Clark C.D., Crawford J.H., The interaction of colour centres and dislocations, Phil.Mag., 1973, v.592, p.l 17-205.

89. Ahlquist C„ Carroll M.J., Stroempl P., J.Phys.Chem.Sol., 1972, v.33, p.337.

90. Андроникашвили Э.Л., Дохнер Р.Д., Роль анизотропных точечных дефектов в радиационно-механическом упрочнении ЩГК, ФТТ, 1981, т.23, N1, С.298-300; Топчян И.И., Упругое взаимодействие тригональных диполей с дислокациями, ФТТ, 1984, т.26, N3, С.838-840.

91. Феофилов П.П., Каплянский А.А., Скрытая оптическая анизотропия кубических кристаллов, содержащих локальные центры, и методы ее исследования, УФН, 1962, т.76, N2, С.201-238.

92. Bannon N.M., Corish J., A theoretical study of the formation and aggregation of vacancy-impurity dipoles in divalently doped alkali halides crystals, Phil.Mag.A, 1985, v.51, N6, p.797-814.

93. Strutt J.E., Lilley E., Structural aspects of clustering reactions in alkali halides doped with divalent impurities, Phys.Stat.Sol.A, 1976, v.33, p.229-239.

94. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1982. 375 С.

95. Закревский В.А., Шульдинер А.В., Образование электронных центров захвата при деформировании кристаллов LiF и NaF, ФТТ, 1985, т.27, N10, С.3042-3046.

96. Hoffmann К., Linke Е., Formation of Vk centers by mechanical treatment of LiF single crystals, Phys.Stat.SoL(a), 1975, v.32, K67.

97. Wollbrandt J., Bruckner U., Linke E., Investigation of mechanically induced excited states on cleavege planes of ionic crystals (I).Method and apparatus or charge and electron emission measurements, Phys.Stat.Sol.(a), 1983, v.32, K67.128

98. Кац М.Ц., Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений, 1960, изд. Саратовского университета, 271С.-у

99. Jacobs P.W.M., Alkali halide crystals containing imputity ions with the ns ground-state electronic configuration, J.Chem.Solids, 1991, v.52, N1, p.35-67.

100. Kessler A., Kupca S., Investigation of the hardening and near UV-absorption of NaCl:OH, 1974, v.25, K69.

101. Эгембердиев К.П., Анизотропные примесные центры окраски и рекомбинационная люминесценция кристаллов KCl-Sn и КС1-РЬ, авт.канд.дисс., 1980, Инст.Физики Эстонской АН., Тарту.

102. Dreyfus R.W., Laibowitz R.B., Anelastic and dielectric relaxation due to impurity-vacancy complexes in NaCl crystals, Phys.Rev., 1964, v. 135, N5A, p. 1413-1422.

103. Dreyfus R.W., Dielectric relaxation due to impurity-vacancy complexes in NaCl crystals, Phys.Rev., 1961, v.121, N6, p.1675-1687.

104. Грачев В.Г., Дейген М.Ф., Двойной электронно-ядерный резонанс примесных центров в неметаллических кристаллах, УФН, 1978, т.125, N4, С.631-664.

105. Orozco С., Soullard M.J., Zaldo С., Agullo-Lopez F., Hardening of NaCl single crystals induced by Eu obstacles, Phil.Mag.A, 1984, v.50, N3, p.425-440.

106. Garcia J. M., Hernandez J.A., Carillo E.H., Rubio J.O., Dissolution of a secondary europium phase in monocrystalline sodium chloride, Phys.Rev.B, 1980, v.21, N11, p.5012-5022.

107. Zaldo C., Orozco E.M., Mendoza A.A., Rubio J.O., Eu precipitation in plastically deformed alkali halides, J.Phys.D:Appl.Phys, 1985, v. 18, p.247-258.

108. Suszynska M., Grau P., Szmida M., Nowak-Wozny D., Correlated studies of Vickers hardness and the yield stress of NaCl crystals doped with Ni2+, Ca2+ and Eu2+, Mat.Sci.Eng.A, 1997, v.234-236, p.747-750.129

109. Cook J.S., Dryden J.S., Kinetics of aggregation of divalent cation impurities in alkali halides: comments on a paper by Unger and Perlman, Phys.Rew.B, 1975, v.12, N12, p.5995-5996.

110. Unger S., Perlman M.M., Reply to comments of Cook and Dryden on: Dimerization of impurity-vacancy dipoles in alkali halides, Phys.Rev.B, 1975, v.12, N12, p.5997-5998.

111. Zaldo C., Agullo-Lopez F., Optical monitoring of the precepitation-induced hardening in NaCl:Sr and NaCl:Ca, Phys.Stat.Sol.A, 1986, v.93, p.535-542.

112. Guss W., Feldmann J., Goebel E.O., Taliani C., Mohn H., Muller W., Haussler P., H.U.ter Meer, Phys.Rev.Lett., 1994, v.72, N16, p. 2644.

113. Wasilewski M.R., O'Neil M.P., Lykke K.R., Pellin M.J., Gruen D.M., J.Am.Chem.Soc., 1994, v.l 13, p.2774.

114. Молоцкий М.И, Отрицательный магнитопластический эффект в немагнитных кристаллах, ФТТ, 1993, т.35, № 1,С.11-14.

115. Вонсовский С.В., Магнетизм, М., Физматгиз, 1971,1031С.

116. Парфианович И.А., Пензина Э.Э., Электронные центры окраски в ионных кристаллах, Восточно-сибирское изд., Иркутск, 1977, 208 С.

117. Кайзер Дж., Статистическая термодинамика неравновесных процессов, М., Мир, 1990. 607С.

118. Puis М.Р., Dipole tensors and changes in elastic constants produced by defects in ionic crystals, Phil.Mag.A, 1985, v.51, N6, p.893-911.

119. Даринская E.B., Петржик E.A., Ерофеева C.A., Кисель В.П., Магнитопластический эффект в InSb, Письма в ЖЭТФ, 1999, т.70, N4, С.298-302.

120. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Бадылевич М.В., Дмитриевский А.А., Фотостимулированный распад магниточувствительных дислокационных стопоров в кристаллах NaCl, Вестник ТГУ (серия естественнотехническая). 1997. Т. 2. № 1. С. 101-103.

121. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Дмитриевский А.А., Шмурак С.З., Влияние света на магнитостимулированную релаксацию напряжений в ионных кристаллах, Известия110

122. РАН (серия физическая), 1998, Т.62, N7, с.1296-1302.

123. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Дмитриевский A.A. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl, Письма в ЖЭТФ, 1998, Т.68, N5, с.400-405.

124. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A., Радиочастотные спектры парамагнитного резонанса, детектируемые по смещению дислокаций в монокристаллах NaCl, ФТТ, 1999, T.41,N10, с.1779-1784.

125. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Dmitrievskii A.A., Influence of a weak magnetic field on spin-dependent relaxation of structural defects in diamagnetic crystals, Mat.Sci.Eng., 2000, V.l 15, p.345-347.

126. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Дмитриевский A.A., Электронный парамагнитный резонанс в короткоживущих дефектах как фактор селективного управления пластичностью кристаллов, Твердые тела и межфазные границы, 2000, Т.2, N2. С.345-349.

127. Головин Ю.И, Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский A.A., Эффекты разупрочнения кристаллов, вызванные изменением спиновых состояний структурных дефектов в условиях парамагнитного резонанса, ЖЭТФ, 2000, Т.116, N6, с.123-135.

128. Головин Ю.И, Моргунов Р.Б., Дмитриевский A.A., Шмурак* С.З., Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта в монокристаллах NaCl, Кристаллография, 2000, Т.45, N1, С.154-155.

129. Ю.И.Головин, Р.Б.Моргунов, В.Е.Иванов, А.А.Дмитриевский, Пластификация ионных кристаллов в условиях парамагнитного резонанса в короткоживущих состояниях структурных дефектов, Тезисы докладов XXXV семинара «Актуальные проблемы прочности», Псков 1999г.

130. Дмитриевский A.A. Пластическая деформация как мера твердофазных химических реакций в подсистеме структурных дефектов, Тезисы докладов XVIII Всероссийского симпозиума молодых ученых по химической кинетике, Московская обл. 2000г.