Квазидвумерная модель тонкопленочных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

•Г 7 1 Г; О V

г к Л 1 ■ •

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛОЩ1К ЗЛЕКТРОТЕХЙИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ В.И.УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)

На правах рукописи

Перепеловсютй Вэдии Всеволодович

квазидвумерная модель тонкопленочных полупроводниковых

структур с отрицательной дифференциальной проводимостью

Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников

и диэлектриков'

автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата фпзико-иатйматическвх иаук

Санкт-Пет»1<5ург - 1992

Работа выполнена в Санкт-Петербургском ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции электротехническом институте имени В.И. Ульянова(Ленина).

Научный руководитель -

доктор физико-математических наук профессор Барыбин A.A. Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук профессор Пихтин А.Н. кандидат физико-математических наук Пригоровский В.М.

Ведущая организация - Санкт-Петербургский технический Государственный университет

Защита диссертации состоится "ДХ" 1992 г.

в час. на заседании специализированного совета К C63.36.I0 Санкт-Петербургского ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции электротехнического института имени В.И.Ульянова(Ленина) по адресу: 197375 .Санкт-Петербург , ул. Проф.Попова, 5.

0 диссертацией мокно ознакомиться в библиотеке института. Автореферат разослан " JjT" ОЛ^п -Нч!392 г.

^ Учимый секретарь

специализированного совета

/ (/—\ окупив Ю.'Г

РОССИЙСКИ I От.!--»:

БШ^'.О. ' 1 -

ОБШАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. 3 настоящее время в связи с развитием интегральной электроники СВЧ диапазона становится актуальным изучение особенностей распространения и взаимодействия волн в тонких полупроводниковых слоях(ТПС). Особое внимание привлекают к себе полупроводниковые пленки с. отрипательяой дифференциальной проводимостью (ОДП), возникающей, например, в сильных электрических полях в результате междолинного переноса электронов в полупроводниках тша п-вал^. ОДП арсе1шда галлия приводит к возникновению либо движущихся доменов, порождающих в свою очередь токовые осцилляции, либо статических доменов в виде неоднородного пространственного распределения поля и заряда. Стабилизацию электрического поля и заряда в режима ОДП обеспечивает малая толщина пленки. В этих условиях в структуре устанавливается неоднородное статическое распределение поля и возможна конвективная неустойчивость, проявляющаяся в виде нарастания волн пространственного заряда (ВПЗ). Этот эффект был воплощен в тонкопленочном усилителе бегущей волны (УЕВ), выполненном в виде четырохэлектродной пленарной структуры, сформированной на поверхности эпитаксиального слоя полупроводника. Расположенные между омическими контактами (катодом и анодом), входной и выходной электроды выполняют функцию элементов связи, осуществляющих возбуждение ВПЗ и последующее обратное преобразование усиленной ВПЗ в выходной сигнал.

Разработка пригодных для практического использования устройств сдерживается из-за нерешенности ряда задач, к которым в первую очередь следует, отнести формирование необходимого распределения поля и заряда в ТПС. Один из возможных способов управления распределением поля состоит в увеличении количества управляющих электродов, что позволяет формировать более однородное поле и приводит к увеличению коэффициента усиления приборов на ВПЗ.

Наиболее точными моделями ТПС является двухмерные и трехмерные модели. Однако, из-за больших затрат времени на ЭВМ они редко применяются при анализе многоззтворннх щютяжонных ТПС, к которым относятся устройства на ЗПЗ. Чрезмерная информативность описания, даваемая этими моделями, нередко является избыточной я инженерных приложенниях, п то время как использование одномерных

- г -

моделей ТПС чревато потерей важных эффектов.

Наиболее приемлемыми являются квазидвумерные модели (кдм). Однако, существующие кдм не учитывают поперечных неоднородаостей продольной составляющей поля в канале ТПС. Остается нерешенным в рамках кдм вопрос о корректном расчете формы токовсго канала с учетом диффузионного размытия перехода обедненная область-канал.

Цель работы. Целью диссертационной работы является построение квазидвумерной модели ТПС с отрицательной дифференциальной проводимостью с учетом диффузионного размытия границы.обедненная область-токовый канал при разогреве электронного газа в сильных электрических полях и применение этой модели для исследования распределения электрического поля и заряда в иротяженных ТПС.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Вывод квазидвуморных уравнений посредством применения операции поперечного усреднения к уравнениям Пуассона, непрерывности, го!Е-о и анализ физических процессов в ТПС с ОДП при произвольной геометрии активной части структуры.

2. Вывод квазидвумерного уравнения, определяющего границу активной области ТПС с учетом диффузионного размытия границы канала и разогрева электронного газа.

3. Исследование физической картины распределения статического поля и заряда в многозатворных протяженных ТПС с ОДП.

4. Экспериментальные исследования распределения потенциала, низкололевой подвижности в ТПС с ОДП и вольт-амперных характеристик (БАХ) управляющих электродов.

Научная новизна работы заключается в следующем :'

- получено дифференциальное уравнение, позволяющее учитывать поперечные неодно]юдности продольной составляющей поля в токовом канале ТПС с ОДП;

- учтено диффузионное размытие границы обедненная область-токовый канал;

- рассчитано распределение поля и заряда в многозатворной протяженной ТПС с: ОДП;

- исследовано влияние поперечных неоднородаостей ноля в канале ТПС на расположение границ обедненной области;

- исследовано влияние диффузионного размытия границы обедненная область-:;ан<1Л на положении эффективной границы;

- 3 -

- исследовано влияние параметров ТПС на коэффициент нарастания волн пространственного заряда в УБВ.

Практическая значимость работы:

- разработана квазидвумерная модель ТПС с ОДП;

- разработан пакет прикладных программ, позволяющий моделировать распределение поля и заряда в протяженной многозатворной ТПС с ОДП и определять коэффициент нарастания ВПЗ;

- разработана -экспериментальная установка и программное обеспечение для измерения концентрации и подвижности носителей заряда в диапазоне температур 77 К - 300 К;

- разработана экспериментальная установка и программное обеспечение для измерения ВАХ управляющих электродов.

Основные научные положения, выносиниэ на защиту.

1. Известные уравнения квазидвумерной модели необходимо дополнить уравнением rat£=o, усредненным по поперечному сечению ТПС, что позволяет, выразить напряженность ноля на границе токового канала через усредненное злэктртпеекое поло.

2. В основу анализа дч$£узиоякого разгатия гранят -токового канала положено интегральное уравнение, чолучежое из равенства краевого тока в области обеднения и тока, "вносимого" в область канала.

3. Учет двйузгопного раг»ч?т!тя грянтп токового капала дчет •поправку глубина сбедяегтия под затвором Еоттки, которая зависит

от электронной температур:: н степени нарушения алэктропэйтраль-пости в токовом канале и приводит к увеличению его ширили.

4. Разработанная кпазидвумзрная модель позволяет рассчитывать мшгозатпорше топкоиленочпыо полупроводшжовкв структура с ОДП для обеспечения режимов работ« УБВ с протятонпой областью загюрогового поля в сочетании с квазисвободпой границей дрейфового потока электронов.

Аппрсбацкя результатов работы. Основные результаты работа дотсладцвались на: Всесоюзном пэучно-тохничоско:? ссгг.шар "Прл-мэнэтаэ методов электронной и ионной технологии в прокншлен-ности" (Ленинград, IS85); отраслевом семинаре "Электрояно-ионнэя и плазменная технология"(Ленинград, 1385); Всесоюзной научно-технической коференции "Интегральная электроника СВЧ"(Красноярск, I9S8); Всесоюзной школе совещание-семинар "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-

диэлектрическими структурами"(Саратов, 1988); Научно-технических конференциях профессорско-преподовательского состава ЛЭТИ им.В.И.Ульянова(Левина) (Ленинград, 1984-1991гг).

Публикации.По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ, включая 3 авторских свидетельства на изобретение.

Структура и объ8м диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, чэтырох разделов с выводами, заключения, списка цитируемой литературы, вклотащэго 124 наименования. Основная часть работы изложена па 93 страницах машинописндго текста.. Работа содержит 48 рисунков.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цели исследования и изложены основныэ научные положения, выносимые па защиту.

Первый раздел диссертации носит обзорный характер и посвящен анализу современного состояния теоретических.и экспериментальных исследований статического распределенния поля в тонких полупроводниковых слоях с ОДП. Рассматриваются кинетические свойства полупроводниковых соединений типа А3ВЬ. В этой главо та1!же анализируются различные модели ТПС с ОДП и рассматриваются способы формирования статического электрического поля в ТПС.

Втотюй раздел посвящен построению квазидаумерной модели полупроводниковой структуры с неоднородным сечением путем применения операции поперечного усреднения к уравнениям Пуассона, >

непрерывности и го1Е=о. Построение рассматривается на примере ТПС с управляющими электродами.

В основу метода поперечного усреднения положено интеграль-

ноо соотношения дан л» а

£• . а ыз 4 л п . а аг , (i)

1с т

и аналогичное уравнение для > а о заменой в правой ч;-н:т1, скалярного умножения на векторное.

Цгириня толщина ¡хи площадь сеченая структуры

«а. ■£">=-«» -¿ >1>(у> считаем :>нни<:шцими от щюд'ишиой координаты *, ь^

А а = [ "Л (

- единичная н&'^аль к контуру, ограничивающему рассматриваемую область. Понимая- в "роторном" аналоге уравнения (I) под величиной £ потенциальное электрическое поле для которого гоъё=о, и вводя понятие усредненных величин, получаем уравнение

■1е <11г1 о - 1

У ^

е -

аз:

- е

ау Е

а у

А* О

с!у е н у

А-г. П

О- (2)

Здесь е и е

- продольнай и поперечная составляющие

напряженности электрического поля на верхней границе ув

усред-

ненные по х; е

и е - аналогичные величины на нижней гра-

ж у

ншда (верхний индекс х шею опущен), е - усредненная по сечению зсгз величина еу. В ТПС рассматривались по-отдельности токовый капал шириной отсгэ и обедненная область шириной о^съз. Такое разделение основывается на различии преобладающих компонент поля: в области токового канала ея»е , для иодзатворной обедненной области е <<е .

= У

При некоторых обоснованных получено уравнение для токового канал

допущениях

из

(2)

о сш сзе

4 а* ах

+ е

- е =0

(3)

Это уравнение совместно с другими уравнениями КДДО позволяет

определить е^" и тем самым учесть поперечную неоднородность продольнай составляющей поля в канале ТПС.

Для области обеднения, понимая в (I) под величиной а элэк-

трическое поле е, для которого ах у е = с р-чн^ус, применением операции попэречного усреднения получено уравнение:

агп о --2 е в

<12. *

п".

- о 3

У

Здесь м^сгз -усредненная концентрация ионизированных атомов

примеси (доноров), *>тв- усредненный потенциал на верхней границе токового канала, - потенциал на металлизации Оарьера Шоттки.

Полученные уравнения (3) и (4) позволяют определить положение границы между областью канала и подзатворной обедненной областью в системе координат, для которой одной из усредненных составляющих шля можно пренебречь (для обедненной области

е <<е , для области канала е <<е з. в областях стоке и истока

г у V г

(вне металлизации) эти условия выполняются в системе координат, ось у' которой проходит через край затвора и точку границы, расстояние до которой (от поверхности ТПС) требуется определить. Преобразуя уравнение из системы координат у'г' в исходную систему координат у-г, получаем

(1/п О — чЫ - () ') Л - Л

+ -2---и — + Е " — , (5)

4 2 £. О я Ь ~ Ь

с» о о

где д - расстояние вдоль поверхности ТПС от границу затвора до рассматриваемой точки границы. Выполняя аналогичные преобразования над уравнением (3), получаем

й П

т

О ° .1 Е -в

= £. - Е . (Ы

с! о а л о + д --

Таким образом, уравнения (5) и (0) позволяют определять положение границы обедненной области как под затвором Шоттки (д а о), так и вне затвора(д = о).

В работе анализируется диффузионное размытие границу обедненная область-канал. Представленный ниже подход приводит задачу моделирования ТПС с размытой границей к задаче с резкой границей. Это позволяет использовать уравнения КДМ , полученные ранее па основе модели с резкой ¡"рашщей.

Из анализа результатов двухмерного моделирования 11ТШ пред-

ставляется возможный для свободных носителей заряда в ТПС, использовать болы^акоЕское распределение в поперечном направлении („вдоль оси v)

nCy,zi = nCzD expi- -- << zJ 1} . (7)

[ kT^CzD L J J

Здесь L>cy,z3-»x:j-распределение потенциала в поперечной сечении ТПС по отношению к потенциалу канала 7< , усредненному по

ого сечению, n( z) - усредненная по сачеиию концентрация носителей заряда в канале, т fzj - электронная температура. Введем аффективную границу обедненной области в сг) равенством (см.рис.):

г>

W J* qui! у ,z3 vC у dy О

где н - общая толщина ТПС, w - ширина ТПС вдоль оси *, ify.zj -скорость носителей заряда, определяется формулой (7).

• = Щ [ q jntz^-nCy.zlj

иСу,23 dy

(8)

1АJHOP

ОБЛАСТЬ t Г 1

ОБЕДНЕННП !■>-

1 1 Н 1 1 П I !

' '■ |||„1 ' ' р|ИИ11Д I ! 1 -1-I |

К А НЛП I м ! 1 1 1

ПОППОЖКА

У

ЗА1ПОР niy.z)

ПОАЛОЖКА n<Z>

Распределение концентрации свободных носителей заряда в поперечной сечении 'ГНС

Левая часть (8) равняется току, протекающему в области I, ограниченной затвором (при у=о) и введенной эффективной границей (при у«оо) (см.рис.).

Правой части равенства (8) соответствует область II, учитывающая ток, "вносимый" в канал. Иными словами, аффективная граница, разделяющая области I и II, выбрана так, чтобы "перенос" тока из области I в область II не изменял общего тока структуры. На атом основании можем принять весь ток сосредоточенным по одну сторону от аффективной граниуы (при у>оо),а саму границу считать обладающей свойствами резкой, т.е. такой, на которой отсутствует нормальная составляющая плотности тока (.гп=о).Это позволяет применять все полученные выше уравнения КДМ, понимая в них под резкой границей введенную таким способом эффективную границу эос .

Решая уравнение (8) относительно о получаем

у -

чы СгЗ

кт с 23 псгз

Пг) »

n сгз

ЧР<23

1 - ехр Г- - 1

к т сгз-' и

О)

(Ю)

где - разность потенциалов, определяющая обедненную область без учета диффузионного размытия границы канала, гсгз-поправка к рс 23, учитывающая это размытие. Для определения элэктронной температуры тв, входящей в поправочный коаффициент, необходимо воспользоваться уравнением баланса энергии.

Полученное выражение (9), в пренебрежении диффузионным размытием границы канала преобразуется в известную формулу для ширины обедненной области Шоттки

/

2£

рСгЭ

(II)

чы с 23

Сопоставляя (9) и (II), можно заключить, что для учета .диффузионного размытия при нарушении злектронейтралъности канала

- 3 -

необходимо в уравнениях КДМ . заменить г<х) на осгэ-гсхэ. Из (10) видно, что увеличение концентрации носителей заряда в канале ТПС приводит к его расширению.

В третьем разделе рассматривается численное моделирование полупроводниковых структур с неоднородным сечением. Моделирование выполняется для однозатворннх и многозатвсрных ТПС. Рассматривается влияние диффузионного размытия границы канал-

Iобедненная область на статическое распределение е_, п, форму канала и на ВАХ ТПС.

В работе показано, что пренебрежение диффузионным размытием приводит к сужению токового капала, особенно в области запорого-вих нолей и, как следствие, к увеличению напряженности поля и рассчитываемого анодного напряжения. Благодаря учету диффузионного размытия увеличивается положительный наклон участка насыщения ВАХ ТПС. В. работе показано, что учет поперечных неоднород-ностей увеличивает область обеднения в направлении к стоку.

Влияние подложки учитывается в виде эффективного расширения канала, что достигается заменой ширины н в полученных уравнениях

КДМ, на эффективную ширину ТПС .н ■ н + d_.ii - пу т, где эффективная глубина проникновения носителей заряда в подложку.

Для численного моделирования однозатворвых ТПС использовался явный метод Рунге-Кутта. Величина шага интегрирования выбиралась автоматически, исходя из требования обеспечения заданного значения локальной ошибки. Однако для области, расположенной непосредственно за затвором, последовательное уменьшение шага интегрирования не позволяет получить приемлемой локальной ошибки вычислений, что свидетельствует о жесткости рассматриваемой систем!! дифференциальных уравнешй. При моделировании однозатворных ТПС длиной несколько микрометров потеря точности, вызванная применением явного метода Рунге-Кутта, незначительна (около 102 в сравнении с методом Гира) и несущественно влияет на результаты расчета. Однако, при моделировании многозатворных ТПС становится существенным распространение численных ошибок, что, в частности, приводит к уменьшению положительного наклона участка насыщения ВАХ.

Г', нанесен численного моделирования мног-озетаорных УБВ решалась задача определения потенциалов на управляют« электро-

дах, обеспечивающих максимальный коэффициент нарастания ВПЗ.

Таким образом, разработанные физико-топологические модели и программные средства являются рабочим инструментом, позволяющим моделировать УБВ, в частности, рассчитывать распределения статических величин (Е п, <р, V, DT) ДЛЯ n-GaAs С ДИСКрЭТНО-металлизированной поверхностью и на их основе определять амплитудно-частотные характеристики рабочих режимов УБВ.

Четвертый раздел посвящен описанию экспериментальных установок, методик измерения концетрации и низкополевой подвижности ¡ носителей, а также измерениям ВАХ и распределений потенциала на поверхности ТИС.

Приводится функциональная схема и технические характеристики установки для измерения ВАХ. Автоматизированная установка обеспечивает измерение в диапазоне токов от 5.10_хТ до 10-1А. Применение метрологической аттестации в реальном масштабе времени позволяет получить воспроизводимость результатов измерений ВАХ не хух£ 10%; Рассматриваются ВАХ омических и выпрямляющих контактов, на основании которых определялась пригодность элементов для дальнейших ксслодоваиай. Показано, что экспериментальные зависимости анодного тока от напряжения катод-анод качественно совпадают с результатами численного моделирования.

Измерение концентрации к низкополевой подвижности поизводилось па разработанной аатоматизирораной установке,использующей эффект Холла, причем ЭДС неэкштотенцизлъшета могла провисать ЭДС Холла на дза порядка. Для изко роняя високоомшх полу провод-шжовьгх образцов применялось аппаратное центрирование измеряемого сигнала в реальном масштабе времени. Автоматизированная установка позволяет избегать использования отпосителько сложных, систем стабилизация температура исследуемого образца.

Программное обеспечение позволяет (на основе построения соответствующих регрессионных моделей) получить значения концентрации и подвижности носителей заряде, значение температуры, при которой производились измерения, и осуществить конт}юль исправности экспериментального оборудования (определяя значимость коэффициентов регрессионной модели).

Характер распределения статического электрического поля при разных смещающих напряжениях исследовался с помощью

растрового электронного микроскопа. Использование электронного микроскопа позволило получить подробную картину распределения потенциала на поверхности структур«. Экспериментально полученные распределения потенциала на поверхности многозатворпой ТПС качественно совпадают с результатами численного моделирования.

В заключении суммируются основные результаты работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. В основу анализа диффузионного размытия границы токового канала положено интегральное уравнение, полученное из равенства краевого тока в области обеднения и тока, "вносимого" в область канала. Определенная таким образом граница приводит задачу моделирования ТПС с размытой границей между областью обеднения и каналом к задаче с резкой границей, что в свою очередь позволяет использовать уравнения КДМ, полученные ранее на основе модели с резкой границей.

2. Учет диффузионного размытия границы токового канала дает поправку глубины обеднения под затвором ПЬттки, которая зависит от электронной температуры и степени нарушения электронейтральности в токовом канале и приводит к увеличению его ширины.

3. Получены дифференциальные уравнения, позволяйте определять границу канала ТПС с учетом поперечной неоднородности электрического ¡юля.

4. Разработанная КДМ позволяет рассчитывать распределение поля и заряда в многозэтворных протяженных ТПС. Результаты расчета являются основой для определения коэффициента нарастания ВПЗ. Программное обеспечение, выполненное на базе разработанной КДМ, позволяет рассчитывать ТПС, реализующую протяженную область зэпорогового однородного поля в сочетании с квазисвободной границей дрейфового потока электронов.

5. Создана автоматизированная установка и методика измерения концентрации и подвижности носителей заряда в высокоомных полупроводегиковых образцах. Показано, что аппаратное центрирование измеряемого сигнала в реальном масштабе времени позволяет ;гроводить измерения ЭДС Холла на два порядка ниже ЭДС но.-эквипотенциальное™ .

(5. Создана автоматизированная установка и методика измеро-

ние ВАХ. Метрологическая аттестация в реальном масштабе времени позволяет получить воспроизводимость результатов измерений ВАХ не хуже 10% в диапазоне токов от 5.I0"11 до ТСГ^А. Экспериментальные зависимости анодного тока от напряжения катод-анод и распределения потенциала на поверхности многозатворной ТИС качественно совпадают с результатами численного моделирования.

По теме диссертации опубликованы следующие работы.

1. Барыбин A.A..Перепеловский В.В. Метод поперечного усреднения в квазидвумерной модели тонкопленочных полупроводниковых структур//Электронная техника.Сер.3.Микроэлектроника.-1991.-Вып.3(142).- С.12-15.

2. Барыбин A.A..Перепеловский В.В. Влияние поперечных неоднородностей электрического поля в квазидвумерной модели тонкопленочных полупроводниковых структур //Радиотехника.-1991.- Jill. - С.97-98.

3. Барыбин A.A..Перепеловский В.В. Влияние диффузионного размытия границ подзатворной обедненной области в рамках квазидвумерной модели//Радиотохника.-I99I.-XQ.-С.98-99.

4. Барыбин A.A.,Перепеловский В.В. Эффективная граница токового канала для "размытого" перехода обеднэная область -канал//Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-- 1991.-Вып.3(142).- С. 10-И.

5. A.c.Jü 1570582 СССР, МКИ н oi l 47Уог. Усилитель бегущей волны /В.В.Перепеловский .А.А.Дахнович, М.К.Ковалева и др.(СССР).- JMGII340;Заявлено 01.12.88;ОпубЛ.2.02.90,Бт.Я4.-4с.

6. Дахнович A.A., Перепеловский В.В.,Север C.B. Автоматизированная установка для измерения концентрации и подвижности носителей заряда в области температур 78-300 К //Приборы и техника эксперимента.- 1989.- J62.- С.241-242.

7. Перепеловский В.В., Михайлов Н.И. Исследование статических неоднородностей в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью//Тез.докл. Всесоюзная научно-техническая конференция "Интегральная электроника СВЧ".- Красноярск,14-16 июи. ,1988.- Красноярск,1988.- С.41.

8. Барыбин A.A., Перепеловский В.В., Афонин Д.Д. Усиление волн пространственного заряда в многоэлектродных тонкопленочных етруктурах//Тез.докл. III Всесоюзная школа семинар "Взаимодей-

ствие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводни-ково-диэлектрическими структурами".- Саратов, 2-8 сен. 1991.-Паратов. -1991. -С.130-131.

9. Перепеловский В.В.,Пресное В.Й.,Плоткин Л.Л. Обработка результатов измерений полученных на автоматизированной хол-ловской установке//Известия ЛЭТИ:Сб.науч.тр./ Ленингр.электро-техн.ин-т им.В.И.Ульянова(Ленина)-Л.-I988.-Вып.393.-С.29-33.

10. Перепеловский В.В., Афонин Д.Л. Моделирование статического распределения электрического поля в ТПС с ОДП.//Известия ЛЗТЙ: Сб.науч.тр./ Ленингр.электротехн.ин-т им.В.И.Ульянова (Ленина)-Л.- 1991.- Вып.437. -С.25-28.

11. А.с.*1222179(СССР) ,МКИ н о-э к Зондовая головка для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов/ В.В.Перепеловский, Л.С. Ильинский, В.Ф.Попов (СССР).- Ж3667571; Заявлено 30.II.83; Опубл.3.02.85, Бюл.*2.

12. А.с'. *1629058(СССР), МКИ о 01 к 17/ю. Мостовое измерительное устройство/В.В.Перепеловский ,А.А.Дахновнч, М.К.Ковалева и др.(СССР).- Я4661414;Заявлено.I0.03.89; Опубл.23.02.91,Бм.*7.

¡!ояп. к нач. 14.0Э.92. Офсетная печать. 11ач.л. 1,0; уч.-изд. л. 1,0. Тираж 100 зкз. Зак. & Ъ1 ?>.

I огапТ'ИНТ 1\П5Л'ГИ 1*-Т:'76. Санкт Петербург, у л. Проф. Попова, в