Макроскопические свойства совершенных и дефектных водородсодержащих монокристаллов сегнетоэлектриков, связанные с доменной структурой тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Латвийский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет км.П.Стучюз

На правах рукописи

КАМЫШЕВА Людмила Николаевна

УД! I. 1-3?¿.Со* ч

макроскопические ивоизтба совешшж и да&шша зодородсодее1аизчх щюкристажоб сажгоарлзсгр^коб,

с&эдшье с домшной структурой

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат

диссертация на соискенге ученей степени доктора физико-математических наук

йса - 1968

Работа выполнена на кедодра экспериментальной физики шизи-.ческаго с.ахультетс Воронежского ордена Ленина государственного университета им.Ленинского комсомола.

шше оппоненты;

доктор йлзако-математических наук, профессор Б.Н.Ролов

доктор йлзкко-датшатических наук, профессор А.С.Сагов

доктор сязико-мйтемат;:ческих наук, профессор С.П.Соловьев

Ведущая организация: Институт крис?аялогрг4да АН СОСР

Защита состоится _ 1983 г. в_ часов

на заседании сцециализированного совета Д 060.01.01 при Латвийское гоо,универеи?ете ам.П.Стучки (22603В, ц/я 12Э, Рига, бульвар Райниса, 19).

С диссертацией моано ознакомиться в библиотеке Латвийского госункверситита ы.Ц.Отучки.

Автореферат разослан "_"__1^88 г.

Ученый секратар„ (/^

саецаалжшрованного совета ^г^ц _ А.1.ШШ1'КР

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность проблемы. Физика сегнетозлектричества является самостоятельной и быстро развивающейся областью физики твердого тела, в которой рассматриваются фундаментальна вопросы (проблема структурных фазовых превращений, динамика кристаллической решетки и ее роль при фагот« переходах, закономерности образования и поведения доменной структуры), имеющие большое значение для развития не только физики твердого тела, по и других разделов физики и химии.

Благодаря удивительна« и своеобразным физическим свойствам . сегне'.-оэлектрики и родственные им материалы, «исло которых увеличивается с каждым годом, находят применение как в традиционных, ,так и в новых областях техника - в радиоэлектронике и пьеэотехнике, гидроакустике и.акустоаяектропике и т.д.

Учение о сегнетоэлектричсстзе связано с женами советских ученых И.В,Курчатова, Б.М.Вула,'Л.Д.Ландау, В.Л.Гинзбурга, Г.А.Смоленского и друг«х. Первые работы И.В.Курчатова с сотрудниками золотили основы современной науки о сэгнетоэлектричес-тве, сегодня гмачительный вклад исследования советских ученых, который относится как к теоретическим, так и к прикладным вопросам сегнетозлектричества, явлкется общепризнанным.

Научное и практическое значение физик/ сегиетоэлектрическпх яьлений нашло свое отражение-в. монографиях советских и зару-.бе.жных авторов.

Значительная рель в развитии пауки о сегнетоэлектричестве принадлежат экспериментальным исследованиям макроскопических свойств сьгнетозлектрических монокристаллов, особенно тех, которые являются г,<оделымми 'обтектами термодинамической и микроскопических (стл -лстичвс'коЯ м .динамической) теорий сегнетс-электричес-тва (например, кристаллы группы К£)Й. - и ТГС).

Возникновение в сегнетоэлектриках спонтаинс3. поляризации при переходе через точку Кюри приводит к появлению в них доменной структуры, оказывающей определяющее влияния на измеряемые значения•ватаейких параметров кристаллов - диэлектрическую проницаемость, диэлектрические и механические потери, гшро- и пьезоэлектрических активность.

Геометрия доменной структура и ее динамические свойства а

ев on очередь сильно зависят от наличия в кристаллах дефектов. Для определения влияния реальной и доменной структуры на свойства сегнстозлектрикоз, для получения информации о характере взаимодействия доменных стенок с дефектами кристаллической решетки изучают свойства кристаллов с известным количеством дефектов различно« природу.

Искусственно создавать дефекты можно облучением кристалле рентгеновскими и -квантами, потоками электронов, нейтроне других оаря'.енни?: частиц или введением в сегнетоэлектричоский кристалл лшкосей в процессе его росту. Введение ппихэсой позволяет нередко улучшить физические свойства, вачные для практического использования сегнетоэлектрпческпх материалов.

Поэтому изучен:::.) макроскопических свойств реального, т.е. разбитого на доменч и содержащего дефекты, кристалла является актуальной проблемой физики твердого тела, важной не только в теоретическом плане, но и имеющей большое практическое значение .

'Состояние проблемы. Несмотря на то, что роле доменной стр туря и дефектов кристалличаско'. решетки кристалла, во многих случаях определяющих свойства сегнетоэлектриков, была достаточно ясна и до 196Ь года, года начала настоящей работы, си-' схематические исследования в этом• направлении тс-льке качали проводиться. .

Кристаллы семеРства дигидрофосфата калия ( к DP) язляттся .уникальными' объектам:; изучения динамических свойств доменной структуры, но до 19'Н6 года я литературе отсутствовали достаток но полиыо сведения о низкочастотных диэлектрических и гиоо-электрических свойствах кристалла К'. Ке били изучен!'''диэлектрические, пироэлектрические и иные; свойства большинства кристаллов птоЗ группы, на классифицирован.« типы фазовых' превращений в ни/.. •:

Задача исследования раддоциош.огз роздаРетпия на свойства КрИСТаГЛОЬ ГХ'МОЙС'ВД К'ОР ОЩС- .КО Г!0-Т" .1-U'JHfJ.'

Дня кристалла 'If С не лени toripocu влияния рлалыюй структура Iы'у.'рммзго полк) на процессы ди.члектри-

»»t-OcfOii нелинейности и пироэлектрической актитшсстк; итглн-.е попхе пряк'Г'лческоо значение.

В при«онен>:и к -с'ткст.'.сл*? тпич'.-скнм триста.*;..-,'* ч'мозтаточ широко ИЗЯ0Г».Эч>ВСЛСИ К>*.ТР.1. ИК.-К';Ч 1С', .¡'.'ii".!' ''ричо "ro'i p'Mll

сацип, позволит^" судить об особенностях поведения искроскспиче-ской поляризации при различных внеиних зогдойстг.йях и тем са:лг4 о дг.намгческих свойствах доменной струх-гурц сегкяяоаяехтрячпмзх кристаллов.

Автору принадлежат идея постановки систематических исследований по влияют доменной и реальной структуры зедородсодеряззих сегкетоолсктрякоз на кх кахроскояическке сзоЛстза.

Работа выполнялась на кафедре экспериментальной физик*. ЗГУ. В XI пятилетке (IS3I-I935 гг.) работа по теме диссертации пилол-нялась в соответствии с Целевой комплексной научно-технической программой ГХКТ СССР по проблеме '"Получение а. применение сегпего-к пьезоэлектрических магериалоз" (З'адгиа<е О.Д.015.05.02, раздел 02,?i2 д) и Координационным планом'АН СССР в области естественна наук по направлению-1.3 "Физика твердого тела" (раздел 1.3.10 -физика сегнетоэлекгрикоз.и диэлектриков, подраздел 1,3.10«2 - физические свойства сегнетозлехтрпческих крлстаялоз, роль доменной п реальной структуры. Ме::анизш структурных превращений, дя::с?.я-ка решетки, критические явления).

Цель рзбог .-: и объекты исследования. Цель рас-оты заключалась в ясследоваикл связь мезду иакроскопачзской полярязашей воцород-содержащих сегнетоэлектрпкоз и динамически?.;! сзойстзэш доменной структуры монокристаллов как номинально. чисна, так и содержание точечные дефекты различного происхождения. В качестве объектов исследования били зкбраны одноосные сегнетозлектрики: крлсталлк группы дагидрофосфата калия (вклзчач СЭР ) К])Р-'КНгРОч, R2>P-R& Н2 P0V> CJ> ¡>- Csh'2 РОЧ} АЛА-ЯЬНЛ As Ov , CJ>A-Cs "г AsD», J)KjP-JC2 PO« 1>C2>A - Cs2j As Он а тригдицзнсульфета - TIC -

( С Hz ,Vfi2 COCH)^ И} SOj/ . Все эти.кристалла объединяет наличие водородных езязей в кристаллической структуре и существование подвижкой деленной структуры, чувствительной к вне-ткнм ВОЗДеЙСТВИЯМ.

Кристалла СЭР и ТРС принадлежат к одной точечной группе симметрии как вкие, так я иксе точки Кюря, поэтому сопоставление свойств зтюс двух кристаллов позволяет ответить на вопрос, в какой группе кристаллов - ГйР ила ТГС -.примыкает по макроскопическим свойствам квазиодномерный сегпетоэлектрпческпй кристалл СЪР.

Так как сегнетоэлектрики группы КЪР являются модельными зфистзллаш статистической, а TIC - термодинаигееской теорий сег-

нзтозлектрачества, то новые сведения о свойствах и физических явлениях б ьтих кристаллах шевт существенное значение для развитая упомянутых теорий. ,

Результата работы могут иметь значение дая создания общей теории деленной структуры ферроиков, одной из принципиальных задач физика твердого тела.

В соответствии с цельи исследования были поставлены следута-№е основные задачи:

- выявление сйдос закономерностей вклада доменной структура в гакроскош!ческл<з свойства ноьмнально чистых кристаллов (низкочастотная диэлектрическая проницаемость, проводимость, низкочастотный диэлектрические потери);

ксслэдова^лз злуяния радиационного излучения и других внеи-ккх воздействий на макроскопические сйсйства.кристаллов, интерпретация особенностей этих свойств;

.- выяснение роли реальной и домённсй структуры б явления:; диэлектрической недзаейнооти и пкрозлзктркческой активности; кс-следовачие влияния внутреннего поля, созданного дефектами разного происхиядояия, на особенности поведения какроскопической поляризации;

- изучение процессов низкочастотной релаксации макроскопической поляризации в нсминзсьно чистил и содержащих дефэкты кристаллах. .

Научнел нсп,"яна. . Впервые проведены систематические исследования низкочастотных ыакроскошческих . свойств водородосдерхащих сег-нетоэлектрихоь группы КЪР , включая С2>.° . Изучены особенности диэлектрических,: пироэлектрических и других свойств монокристаллов группы ЮР и 'С, обусловленнке наличием доменной структуры и специально введенных дефектов, позволяющие сделать вывода об общих закономерностях поведения доменной и реальной структуры монокристгл-лич'еских сегнетоэлектрикоз. ■ .

Показано, что рекордно высокие значения низкочастотной диэлектрической проницаемости кристаллов группы КНР , включая СИР , в точке Кюри (до и вблизи нее в основном обусловлены вкладом динамики доманяоЗ структуры; степень этого вклада раз.'шчна для каждого из кристаллов. Доказано, что разлячие диэлектрических свойств образцов кристаллов ЮР , называемых "мягкими'' я ".т.ест-кн'/л" связано с тем, что образца, вырезанные из одной пирамиды роста кристалла на разном удалении от его центра, содержат различную концентрацию естественных или специально заеденных дефектов.

Установлено, на основе анализа диэлектрических свойств $ -облученных кристаллов группы К2>Р , что эффект -ргдаадаоакого воздействия прл равных дозsx обратно пропордаоааден кззрю'стг дозк $ -излучения.■

йсследовашя'в области фазового"перехода показали, что тор-модгякамапеская теория' Ланд^-Ганзбургэ-Аезо1пгзра не спнсызает поведения температуры макскнума -дсэлзкгрической проницаемости хзози-.одномерного кристалла СЛР в функдаа от постешшого электряческо-го поля.

Установлено (на- пряморв- кристалла. 'ITÜ), -.что при малкх энергиях и мощностях дозк радиационного 1'здуче_шт кы положение температура мечсюума диэлектрической пронгцаемо'йти сегяотоэлехтрического 1фистаяла оказывают -злияние • ваХ ваугрекнеё пего, тек п электронная подсистема кристалла.

: Заявлен а большая роль внутреннего поля, созданного дефектами различного ''происхождения, в явлениях дкэлектр«ч«е*:с£ цатхиьйкостк (TTC) я Œipo? .ектрической акт-лзкостл кристаллов грушшКЛР a 'ITC.

На ирныере кристаллов груши- ./О«3 к TTC изучены, особенности низкочастотной.- релаксация макроскопической лодяркз'йцзи «¿ензя тег.шератур■ фазовых превращений;, обнарузено кеионотонноз поведение времоал 'релаксации. шшдигаадаи • кркстачлов ÎTC в завясюсости от температуры. "-.

ОСНОБНЬЕ ЗАЦ^ЖаНЕ ПОЛШЕНИЛ ' -

1. Вкладдоконнсл. структуры в' макроскопические свойства (низкочастотные даэл'ектрх:еску» проашхззмость, потери ■' и .проводимость) кристаллов TpyÉUK ЬЪР и- прежде ..зргго ''дакдрофосфбтов является спределяаГкИМ. По „степени уменьшения войшко'ста ' домешзх -станок кристаллы располагается. следуюцрэл образом: ••'

2. -'ЯвлОйЧе' "земорссив'аяяя" доулэняоЗ структура, ' заксочачцсеся в резком умекъаеягк 'псдзетюстя кокекнах стеяок в прззодяаее - к умекьпешщ значений дйэлектркчесглй.^рон.азаз^остл-.2 возрастанию потерь, ' является.универсальный для всех кр-егтелдоз группа Л'-З«0 , включая ¿15 Р . ;

3; • Радиационные дефекта, эозяакшак©. в • xgncv&'acax группа ЛЗ/> при 'их облучении в-.параэлоктрпчеекей фазе, язлйэтся усто'^етхл: во -времйй! и обусловливают изменения диэлектричосгсзс ceoücts хп.с-отачлов з согкетоэдоктргческой' фаза, 'хотогщз завися? от дсьы,

xvyiovm дозы гаг.ма-редкацш:, а такяе от вашчина пода»х.оста до-мошшх стенок.

4. Внутреннее доле, созданное дефектами внедрения к замецз-яия. значительно уменьшает эффективну» диэлектрическою нелинейность семетсэлектрическах кристаллов (на примере крастадка Ti'G), а такко определяет число и.знак (ориентацию) доменов, участвующих в процессах перестроек доменной структуры. При небольших экер-гкях ( ~ Зо коВ) и доза?: (со на к?) радиационного излучоиия поло-хокз теиаература фазового перехода ' сегпетоэлектрического кристалла (ка яршерэ кристалла TTC) определяется вроткзополошш дейст-

bïiek внутреннего подл к электронной подсистемы кристалла.

5. Процессы релаксации макроскопической поляризации сегнето-олехтрпческих кристаллов зависят не толы» от закачаны внешнего воздействия (постоянного электрического соля), те;.лоратурн ошта, концентрации дофактоз, но к ст. спосооа выведения кристалла из состояния термодинамического равновесия (поляризация и кереполяри-зация кристалда .поетояннш электрическим полем, деполяризация).

совокупность полученных результатов и положений диссертации состалгяет основу нового научного направления в физике кристаллических диэлектриков ~ связь реальной структуры с макроскопическими сво«ствгьж .одноосных сегнетоэлектрнков.

Практическое...значение работы. Полученные в работе результаты шеют принципиальное значения для более глубокого понимания физических процессов, протекающих в пелздошенных сегнетоэлектриках с радиационными и. прпмесадми дефектами.' ■•- .

Некоторые результате исследования свойств кристаллов (особенности свойств ■квазиодномерного кристалла CJ>P вблизи температуры фазового перехода при воздействии постоянного электрического поля, немонотонное поведение времени релаксации макроскопической поляризации кристалла ÏTC в зависимости от температуры) ставят новые задачи перед теорией сегнетоэлектричества.

Результаты исследований привели к созданию моделей строения доменных стенок в одноосных кристаллах и'механизмов взаимодействия доменных стенок с дефектами, т.е. послуэдаш основой для развития теоретических представлений о кинетике и динамике доменной структуру в сегнетоэлектриках.

Исследования показали большие возможности метода низкочастотной диэлектрической релаксации для изучения динамических свойств доменной стрз'ктурк сегнзтоэлектрических кристаллов, который кокет

быть рекомендован для использовании р других организациях, з.'ки-мявдихся исследованиями кристаллов, свчз&киих о доменной "л рук— туро^.

Получены данные о радиационная стоЯрости кристаллов группы КТ)Р . Для решения конкретных задач рздкпционно3. технологии практическое значение имеет такяе обнаруженная в этих кристаллах эффект мощности -радиации: с увеличением мощности доз« изменения диэлектрических свойств кристаллов умэььяаьтся.

Полученные в диссертации научные результаты используются автором при чтения курса "Физика сегнетсэлектпиков" для студентов физического факультета ВГУ и зоали в учебное пособие: Гриднеэ С.А., Камыдена Л.Н., Сидорккн А.С. Сегнетоэдектрическне кристаллы группы КН2Р0Ч. -Вороне«: ВПК, 1901. - Пб с.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуздались на:

Всессязных' конференциях по физике сегнетоэлектриков: ¿'(Днепропетровск, 1966), У1 (Рига. 1956), УП (Вороне-«, 1971), УШ (Ужгород, 197./, IX.(Ростов-на-Дону, 1979), X Сйикс/, 1982). XI (Черновцы, 1937);

Всесоюзных конференциях по механизмам релаксационных явлений п теердых телах: У1 (Каунас, 1973), УП (Воронеж, 1980);

. Зпропейских- конференциях по'сегнетоэлектричеству: 1У (Пор-торож, СФРЮ, 1979), У (Ейпалмадека, Испания, 1983);

Международных конференциях по сзгнетоолектричеетсу : I (Прага, Чехословакия, 1956), III (Эдинбург, Англия, 1973);

II советско-японском симпозиуме но сегнетоэлектричегтву (Киото, Япония, 1980);

Весенних школах по сегнетоэлектричестэу (Галле, ГДР, 1976, 1977, 1985);

Всесоюзных семинарах по физике сегнетсоласт.икоз: I (К&иинин, 1978) и II (Воронеж, 1982); I Межведомственном"семинаре "Влияние внешних воздействий на реальную структуру оогкето-.и пьезозлек-трикоэ" (Черноголовка, ИФТТ, 1981);

научно-технических семинарах, организованных Московский Домом научно-технической пропаганды, «негодных научных конференциях физического фзкулвтета ВГУ, а такте на ейминарзх ряда учебных учре^чениЯ (политехнический институт.,Воронех; университет им.

М.Лютера, Галле, ГДР; университет им.К.Марксе, Лейпциг,

ВЕй-ШШШЩ». Всего по теме диссертации автором опубликовано свше 60 печатных робот. Список основных публикаций (42) привода* гся в конце автореферата.

Вклад автора в разработку проблемы» Результаты диссертации получены автором в течение 196ь-1986 г. на кафедре экспериментальной физики ВГУ. V 1975 года по 1985 год автор являлся руководителем научных исследований, проводимых на кафедре. На разных этапах диссертационной работы в ней принимали участие сотрудники ка!)едрк, аспиранты и дипломники автора. В главах 1, 2, 3, 4 диссертации автор частично использовал результаты, которые входили в кандидатские диссертации Н.А.Цурдашшой (1971), Ю.С.Золототрубоэа (1975), О.Д.Миловидовсй (1975), А.С.Оидорки-на (1977), выполненныв под руководством или соруководством автора. В работу вошли результаты исследований, выполненные с участием О.К.Жукова, С.Д.Миловидовой, Н.А.ЪУрдашшой, С.Н.Дрождина, О.А.Годованной, Т.П.Пайковой, 0.М.Сордик и опубликованные в соавторстве с ними. Интерпретация некоторых экспериментальных результатов, изложенных в работе, проводилась совместно с А.С.Сидоркн-ным и Б.Н.Федосовым и отражена в совместных публикациях. В работе использовались некоторые экспериментальные результаты, полученные совместно с С.А.Гридаевым (ЕЛИ, Воронеж), Н.Д.Гавриловой и В.К.Но-виком (ШУ, Москва).

Личный вю1вд автора состоит в формулировке задач исследования, постановке экспериментальных методик, выборе объектов исследования, непосредственном участии в проведении экспериментов. Автор)' принадлежат анализ и обобщение всего цикла работ по теме диссертации, а также основные представленные на защиту положения и выводы диссертации.

Структура и объем работы., Диссертация состоит из Введения,

пяти глав, раздела "Заключение и вывода", списка цитированной литературы из 304 наименований, в том числа и работ автора. Результаты оригинальных исследований составляют содержание всех глав диссертации, обзор литературы носит целенаправленней характер п рассредоточон по главам и разделам. Общий объем работы 291 страница, в том число 81 рясу.'.ок и 7 таблиц.

В первой главе на основании результатов исследования дпэлект-

рических и других сво/юта кристаллов группы К.Т>Р и ТГС оцшмяа степень вклада доменного мех-мгкгша в измеряемые макроскопические свойства каждого вз кристаллов. Ошшэды особенности диэлектрических свойств кристаллов груяпк /С2>/) яри воздействия постоянных и переменных электрических полей и их объяснение и раджах модели взаимодействия домешшх стенок с точечными доцоятош.

Во второй главе изучено влияние радиационного излучения на макросгошпеекие свойства кристаллов, {качественно объяснен обнаруженный в кристаллах группы КДР аффект мощности лозы источзм-ка £ -радиации.

В третьей главе изучено явление "замораживания" доменной структуры в кристачлех группы К1>0. Совокупность результатов диэлектрических, механических и пироэлектрических исследований указывает на универсальность явления "замораживания" доменной структуры в кристаллах группы КРР (включая СЬР ).

В четвертой главе изучены особенности элективной диэлектрической проницаемости, обусловленные наличием внутреннего паля. Рассмотрены рег^льтаты исследования влияния электронной подсистемы на значение температуры разового перехода кристалла ТГС,

Б пятой главе описенк особенности низкочастотной релакешнш макроскопической поляризации кристаллов при воздействии ностоян-иого электрического ноля. Результаты обсуждаются в рамках »«деда взаимодействия доменных стенок с точочными дефектами.

В конце каядой главы приводятся краткие выводы.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во Введении показана актуальность проблемы, сформированы цель и звлачи работы, обоснован выбор объектов исследования, показана научная новизна, практическая ценность результатов исследования, представлены основные зещацоемне положения. Кратко изложено содержание работы по глазам.

Особенности днолектг/лческпх и пироэлектрических свойств (гл.1).

В начале главы (первый раздел) изложены сведения о кристаллической и доменной структуре исследовпшгах кристаллов, необходимые для дальнейшего рассмотрения экспериментальных результатов настоящей работы.

Основная часть глава (второй и третей разделы) посвящена изучению влияния внешних воздействий (температуры, постоянных и

подмен?.»»? ядсктрическпх полой, частоты измерительного поля), тоттш образцов и »лектродов на нпзкзгастотные доэдсггрвческне, пироэлектрические и другие свойства кристзляов груш??; ХРР . Анализ по ■"•¡о^нч^ в роботе температурных задаошттЛ диэлектрической »¡юттил'.'мости £ , диэлектрических потерь и прово-дпилстк (г (частота измерительного поля единицы кГц, амплитуда поля ~ 1 лу'ем) показал, что во всех исследованных кристаллах гругиш КНР супеотпует своя температура "зтзряапвтпя" до-мзнчей структур, которая разгргипчаваст две области с р-хли-шой поделячоегь» до;-"е,'пых с-« но«. 1 с, 1 , а 7/ , определяемая по максимумам низкочастотны^ г ) иди ицфрозву-кових механических потер., - » »* 1 юты в диапазоне гер-це'вых п кклогерцевых частот, « 1 I в зависимости от ёш-туди измерительного ноля, I J ",ч!ч , 1. и его постоянного электрического поля и концентрации п^ч » г I < I тов. При одинаковых условиях опита, указанных вмше^ швряаа оолостл "плато", где значения £ имеет порядок 104~ 10°, в кристаллах фосфатной группы почта в два раза дольше, чем в кристаллах ароепатпой группы.

Значительный вклад динамики доменной структуры в измеряемые низкочастотные значения £ и подтвержден изучением зависимостей е(т) к й«1"(Т) прл воздействии на кристаллы группы КЗР по-менных и постоянных электрических полей. С увеличением амплитуды пзмерятелмсого поля расширяется область "плато", возраста-

ют значения £ и с одновременным смещенном максимума к низким температурам, что связало с отрывом части доменных стенок от закрепляющих их точечных деГектов - ростовых тт специально введенных (при не слишком большой их концентрашш). Увеличение числя доменных стенок, колеблющихся в кристалле, подтверждается уменьшением параметра распределения псеядодиагрсш Еоула-Коула с увеличением амплитуды измерительного поля.

Обнаружено разное действие постоянного электрического поля па значения £ вблизи темпорагуры фазового проврсиения и вдали от нее. Вблязи точки Кюри, где подвижность доменных стопок патока, воздействие постоянного электрического поля приводит к частичной или полной мояодоменпза'ши кристаллов в узкой температурной области (уменьшении числа домедоых стенок), что внражяется в появлении минимумов в зависимостях диэлектрической проницаемости от температуры, Глубина мотв'Д^гмов £ вблизи Т0, как и зиачэния , при которых мш&пиуг?/ появляется, а вотем сглпмаваются. зависят от

волподш Кйзрцптшшого иолл образцов, C'y ¡цзстьо шише ышмгуиоя £■ при в03д6йс1шш ноля Е.- отшчшш ьо воск исследованных кристаллах группа КЗР , ьиллч&ч СВР , я но зависит от рода Нового превратим в точках Къра. При удалении от точки Йфя в сторону низких тоилоратур постоянное злектричсскоз иоле увеличивает значения £ , что одпт к расшдрыиш области "плато", несколько уьслич1шие*г значошш uuxiuyua потирь, екд ваодшуи смещается ьл^ш) но ткано •¡■сшиыаур., Mananmiuu рь&удьтати были получены и при вводшми HCGiijit-uiiisc концентраций примеси»

Сдвиг мьдошуиа ди.члоктрлческих потерь "1$¿т< в область низких ïuaai-atyp с увшшчшиш поля , a такзо с уиоличоццъм числа дефектов - aouou хрома, вибсышшс в кристалл при нии, объяснен с позиций шдшш взашлодейотьия домешшх стилок с

-Т

зеряхошиаш дефектами , Модель объясняет сшлдеиио макошуна цеха-ничоских потерь, но основные положения модели оеташ:ся сиргш-здяи-щи и дня дизлектричаских потерь, поскольку и механические и ди~ электрические потери обязаны своим происхождением одному «еханиз-му - азаж/лдьмствлй доменных стенок с точечными aapjcseHm^u дефек^. таыи. Согласно модели* диэлектрические потери связаны с рол<гкса~ ционншл дыишшаи домешщх стопок, взшлюдейетьушщих с точочицш: дофектаии, врет релаксацн.. с определяется выракеш«.«

где £ - заряд точечного дефекта, С - концентрация дефектов,

~ коэффициент диффузии, - ширина домена, Л, - электрически! постоянная.

В соответствии с (!) время релаксации доыонних стенок прямо пропорционально зависит от квадрата ширины домена. Прямые оати- ■ ческио исследования показывав, что в кристаллах КМР происходит измельчишь доменной структуры при увеличении ноли от нуля до 5 кВ/ом, Такое уышышше ширины доменов ведет к уменьшению времени релаксации» Исходя из условия максимума потерь » 1 и полагая, что V подчиняется активационисму закону

е-хр ['Т) (и), ш приходим к шво^, чта нрм

условии неизменности частоты измерительного поля уменьшение должно приводить к смещению шксицуыа в область низких

температур, что совпадает о оиитои. Из формулы (1) следует ташке обратно пропорциональная зависимость 2" от концентрации точечных дефоктоз. Умздшшшэ V с: росток хсицзнтрации дефектов тоже

+

(I)

ираиодлт к сдша-у иакоиуума потерь tg (f,„! в о-лр^иу низках температур по прачшшд, раисьютрешшм ыш!» Приведенная кия оценка смещьпня иаксаауиа ty<?,„t в К.ЪР под действие« ноля V 2 кй/сла даот величину ~ согласующуюся о йзьц&ишм в опыте значением 7°.

В наших исследованиях низкочастотных диалал-рнчиских свойств кристаллов фос^ашой группы и црааде всего К&Р отиечоца большая разшща в зньчыншх £П1Л/ в Tfc, при ^ и других величин, дали «¿oj-j образцы вырезаны из одной шцммиды роста кристалла» Большим значениям £тяж соответствует малые значения коэрцитивных полей £с » иизшш значениям &«** - высокие значения В с. , ЧТО ПОЗВОЛИЛО говорить О сущСЧ;-ГВСВЫ1»Ш "ИЯТКИК" к "жестких" кристаллов KJÏP » Существование двух групп кристаллов КМР, существенно отдичащахся по свойствам, отмочено и другиш авторша, шшрлио]^. Дяя выяснения причем суцзсоддошмя столь разных по &шчисквм свойства« кристаллов иод« проведены исследования диэлектрических свойств яристсЛлоп КЬР - поминально чистого и с примесью хрома. Б процессе ройТи кристалл гСЪР г С Va' сильно выклинился; он далел норавНомврну*) зам/у я окраску - от светлозеленсй, рисполокеьиой ближе к центру кристалла, до зеленой на иермферли кристалла, Наиболее интенсивно окрашены грани (100) и (010), из пирамид роста которых били вырезаны обрдецц. Химический и сдектралышй анализы показали, что ионы xporn в криитнлл входит неравномерно. Результаты исследований свойств образцов, вырезанных из одной вираыады роста кристалла, частично отрнхенц в табл.1 и подтверждаются данными работ" В первой из них пока • зано, что в кристаллах А'.ЪР и АЪР иорал/елыю граням (100) и (010) располагаются плоскости, в которых ммодчтея пустош ра&ыо-раш 4,43 а 4,73 1, которые, вероятно, Иитигснино авхватывгшт при рсоте кристаллов многовалентные иоин f¿J*t C%J*, Си**" и другие, имеющиеся в раствора.

Таблица 1

Некоторые диэлектрические хар-аитириешки кристалла t\ l)P*-Cí3'

в заштсикоети от содержания ионов хрома в образцах

Окраска Количество ионов Днншш анализов образ- хрома в растворе но содсргыию ,„ cr р .1П3 нов Xi о расчету, ионов хрома в о» ' <4>iv,iu __________Ъ üoo.________

Свезло.«

видолая 0,0033 0,001 -Ш.ОО 13,8

&ЫЫ1Ш 0,00-53 0,09 ?,?

КЦ/*Ш

0,4

0,8

Таким образом, нет "жестких" и "мягких" кристаллов ,

есть "мягкие" и "аесткие" образцы, вирезашшо из одной ¡шра^лды роста, но на разном удалении от центра кристалла. Зги образцы содержат разную концентрации ростовых или специально введенных примесей, что и обусловливает сильное различие ах макроскопических свойств.

Проведены пироэлектрические исследования кристаллов грушш КЪР вблизи температур фазовых превращений, оцепени значения поляризации насыщения и скачка поляризации в точках Кори (третий раздел). Показано, что в кристаллах Л.ЯР, АРА и СИЛ реализуется фазовое превращение 1 рода, в кристаллах СЛР и .ЧЬР- 2 рода« для кристаллов СВР и Л.2М это показано впервые. Оценены значения тор-модинамичоских коэффициентов разложения свободной энергии в ряд по степеням поляризации Р

Г= Го (Т-Та)/> * (3)

и показано, чта значения коэффициента р для "мягких" и "коот-ких" образцов кристалла ХЪР отличаются на порядок (0,42 10""^ & 4,60-10"^ ед.СГО соответственно). При удалении от точки Кари в сторону высоких температур скорость убывания коэффициента уЗ больше для "жестких" образцов.

В применении к СЭР з отановлено, что разложение (3) термодинамической теории не описывает поведение кристалла в постоянном электрическом ноле: значения коэффициента А , полученные из соотношений =:2)Е'Ь, где 3 = 0,75 , и где Л" 3,77 У , оказываются на три порядка больше знача- ' ний, определенных ии пироэлектрических измерений, при которых к кристаллу не прикладывается никаких внешних воздействий, крема теплового.

На основании результатов исследований, представленных в главе, сделан вывод о большой вкладе динамики доменной структуры в значении диэлектрической проницаемости кристаллов группы /СЗ/3; в ди-гидроарсенатах он составляет — 50 %, в дигидрофосфатах- 90 %%

Исследованы диэлектрические и пироэлектрические свойства ТГС в зависимости от толщшш образцов (чатвертый раздел). Обнаружена сильная зависимость значений Г/»4* от толщины образцов в интернале толщин от — 0,05 до 0,4 см как в номинально чистых, так и в приносных кристаллах. Сближение прямых (с1) при ма-

лых Л .для образцов беспримесных и легированных ионами хрома

показывает, что в сравнительно тонких образцах обоих кристаллов доменная структура является одинаково "жесткой", что связано с увеличением униполяряоети при уменьшении толщины образцов®. Сильная зависимость свойств от толцины исследованных образцов проявляется й при исследования температурных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости и статического пирокоэффицкента.

Обнаружено сильное влияние толщины электродов, полученных аспарешюм серебра в вакууме, на макроскопические свойства крис- ' таяла ТГС. Уменьшение значений £ к в сегаотоалектричвскоЕ области с увеличением толщины серебряных электродов от 1000 до 3600 к, а так«о при 'использовании электродов из сусального серей- • ра и песты Дегусса, отмечено и в кристаллах группы Кл)Р и явилось предметом специального исследования. Так как упругая константа кристалла К2)Р t связанная со спонтанным сдвигом, имеет

"ТО v

величину СЮ Лш/см , что в десять раз меньше соответствув-щей упругой константы для сорсбра, то серебряные.электрода следует рассматривать, как косткие обкладки, с увеличением толщины которых увеличивается механическое зажатие кристалла. Это обстоятельство играет знэчнтйлту» роль при. формировании доменной структуры при переходе кристалла через точку Кюри.

На основании сопоставления результатов исследований свойств крисаллоБ группы tel)Р, СИР и.ТГС (пятый раздел) показано, что по своим макроскопическим свойстьш С2/Р примыкает к дигидро-фосфатам группы КНР ¡, об этом свидетельствуют очень високие значения, ¿max (до 10ь): малые зиачшшя Е0 ( ~ 50 В/см при удалении от Тс на 3-5°), очень шеокзгй уровень диэлектрических потерь (до 2-3' единиц вблизи Ts> }, существование области "плато" и температуры "заморааишшя" доменной структуры, возникновение минимумов в зависимостях &Ст) вблизи Те при'воздействии посто- , янных электрических палей.

Радиационные эАгёоктн (гл.. 2). Проведены исследования влияния . радиационного излучения на низкочастотные диэлектрические свойства кристаллов группы 7CD/3 (первый - третий разделы).

Все кристаллы .группы КНР (включая СИР ) облучались при комнатных температурах <f -квантами с энергией 1,25 МэВ (источник Со^ с мощностями дозы от 1 Р/ч до 3'10й' т/ч, дозы облучения ке превышали сотен кР). Кристаллы КЪР ,HK2-P , Я2)А облучались также ¿¡"-квантами с энергией 5-Ю МэВ(дозы те ко, излучение синхротрона) , кристаллы КЪР , СЪЬ , подвергались действию

13 - °

электронов ускорителя (интегральные потоки ~ 10 * и эл/см"

с энергией 0,7 МэВ). Использовалось тагсг.с и рентгеновское излучение (облучались кристаллы CJ)f> „ £!>/>)« Мощность дозы излучения в место расположения образцов составила ~ 150 кР/ч, дозы облучения те >::е, в случае ¿МЭР - едишщы MP.

Первые исследования показала, что калле дозы радиации изменяют вид кривой £ (Т): характерное для кристаллов "плато" в температурной зависимости £ исчезает и уменьшение с попиаюш-ем температуры происходит более резко. Смещения точек Кюри кристаллов при указанных дозах облучения не каблвдалось. Обнаружен радиационный "отжиг", заключающийся в увеличении после первого облучения значений £. и "tyf . Установлено, что параметром, наиболее чувствительным к радиации, является , поэтому основное взи-

мание уделено доведении диэлектрических потерь.

Первый раздел главы посвящен описанию влияния <f-излучения на диэлектрические свойства кристалла Заметные изменения

зависимости. (Т) возникаэт при дозах 100 Р, Л^ = "2 Р/ч:

высота максимума при температуре "замораживания" доменов

начинает уменьшаться, в интервале между температурами и Тс появляется новый максимум потерь ^'«Счг. при температуре ~ -165°С; При малых дозах облучения (100-500 Р) наблздавтея два максимума потерь, при увеличении дозы облучения максимум tg^m-t уменьшается и несколько смещается в сторону высоких температур» второй ~ ~Ц<Г,„х увеличивается и расширяется без изменения положения на шкале температур. При дозе ^ 1 к? и более в зависимости "^(Т) остается только максимум та , высота его достигает насыщения. Проведенные через 15 лет после облучения измерения зависимостей

£ (Т) и ^""(Т) показали, что эфрс::т облуче1ШЯ хорошо сохра-' няется во времени. Поведение возничего максимума потерь Tg изучено при различных внешних' воздействиях: переменное и постоянное электрическое доле, частота измерительного поля, температурный отжег. Увеличение смещает максимум в сторону низких температур; поле £в уменьшает максимум вплоть до полного исчезновения (без зачетного смещения по температуре), что подтверждает его доменное происхождение. Измерения на разных частотах килогерцевого диапазона показывав®, что возникший после ■ облучения ыаксЕуум потерь имеет релакезцяоннув природу. Энергия актив,'эции движения доменных стенок з облученном кристалла -определена как по частотному сдвигу максимума потерь (с использовегаем

1С

урвикевпя (2)),' vas к по лодуе? лне его,' она. оказалась равной л-0,20 эЗ. Высказано предполскекпе, что эта величина есть 'энергия даклсния доменных • стенок, взаямодействумцих с радвайкоишот дефектами •'■■'•

При исследозании вдкшшя :<Г незлучеккя на дкалехяряческие свойства КЪР л других хфкетаглоз группы обнаружено явление, названное ^охтом мощности • дозы источника . <Г-радиации. Подобно око кзучзяо на кристаллах-' fOP и заключается в следующем:. таи равных догах обучения, мгкеимальный радиацлгашнй'эффект. достигается при менхкей мог.чссти дозы источника <f -излучения. Приведем следуяида» результаты повед&нпя максимумов и "í?^ при ис-

иол^зоза-пи источников- с разкша • . При « 1 Р/ч возникновение "^«Cní происходит при ' j).'~'50 ?, е исчезновение при Р. При а4 = 3G Р/ч значения доз соответственно равны

-1С2 к - -I04', а при 20 кР/ч - -Ю4 и более-1С6 Р.

Предложено объяснение наблюдаемому зффекту. При облучения образцовкристалла от источника с.болышши 'значениями- в кристалле в единит' времонк создается значительная плотьость дефектов к, следовательно, существует большая вероятность их рекомбинации,, С учето..! миграции 'дефектов,' •'которую' шано исключить только облучением, при .очень низких температурах. вознакавдяе. .радвэвдошше де£ег"ы являются спонтанно неустойчивыми.« ашгагюшруюг дахе. без теплового возбуждения. В результате ¡эффективнее число дефектов, влдявдее на - свойства 1фаот.аднов* становится.йзньяе. С .улюньиением Ад (при той -же 2> ) уменьшается вероятность .аннигиляции дефектов в'силу меньаей плотности дефектов, .возникающих в едкниву времени, В этом случае создаются условия для щграция дефектов на значительные расстояния-и закрепления их вустойчивых положениях равновесия, что приводит к возрастанию эффективной плотности де- . фектоз и 'большим изменениям диэлектрических свойств кристаллов.

Изучены й описаны эффекты радиационного воздействия на другие кристаллы. группы (второй раздел). Приводятся результата изменения диэлектрических свойств кристаллов группы КНР под влиялием электронов ускорителя;, доказано, что рентгеновское и jf-облучения приводят качественно,и тем'-«е'изменениям свойств, что и облучение потоками электронов. ■ .

. При облучения. (f -квантами а рентгеновскими лучами других хфястзллов фосфатной группы ( СЛР и ЯЪР ) релаксационный максимум между температурами Tf ■ а Та не возникает. Б СЪР максимум

JL7

вплотную приближается к точке Кюри, при атом ширина максимума уменьшается, т.к. правая его часть "срезается" температурой перехода. В кристалле ЮР величина смещения того же максимума к Тс меньше, наблюдается возрастание потерь мсзду температурил! 7/ и Тс. Отсутствие релаксационного максимума tg^mz в облученных кристаллах СЪР и tlDP связано, по-видимому, с тем, что при данной частоте измерительного иола ого расположение на шкале температур выходит за пределы сегкетоэлектрилескои области.

D других кристаллах группы ЛЭР релаксационный шксимуЛ! потерь t§.<Pmz обнаружен только в кристаллах 3>К$Р . В кристаллах арсонатной группы с меньшей подвижность» доменных стенок радиационное облучение нэ'вызывает каких-либо особенностей в температурных зависимостях <£ и , отмечено незначительное возрастание общего уровня потерь вблизи Тс на фоне общего уменьшения значений £ и tgcP

Показано, что температурный отаиг при 110-120 °С в течение 2 часов полностью уничтожает эффект облучения - в кристаллах фосфатной а арсенатной групп. Результаты отжига показывают, что радиационное облучение кристаллов группы ЮР в параэлектричесхой фане s указанном вше интервале доз и мощностей доз источников радиации не создает серьезных нарушений в кристаллической решетке кристаллов, радиационные дефекты легко исчезают при тепловой активации. Тем севши доказана радиационная стойкость кристаллов типа /СЭР з указанном интерволе доз и мощности доз радиации.

0 возникновении подвижных радиационных дефектов свидетельствует также и малая величина активации релаксационного процесса з облученном К7>Р t связанная с- движением доменных стенок ( 'Uv

0,20 эВ), в три рязя меньшая энергии активации электропроводности, Взаиаодейстзйб подвикннх радиационных дефектов с колеблющимися в слабом измерительном поле дшшшш отепкздл имеет, по-ви-дозгому, характер вязкого -трепля, что и приводит к появлеш-по кеха-низма дасстацщ энергии в той области тешератур, где pasee смещения стенок не сопрозоздались действием вязких сил.

В третьем разделе анализируется влияние радиационных дефектов нэ. диэлектрические потери кристаллов КЪР , высказываются предположения о природе этих дефектов. В рамках модели вздаю-дсаотвпя радиационных дефектов с деданнкии стенками, предложенной авторамобьяснек рост максицума потерь с увеличением числа дефектов и выход его на насыщение. Взаимодействие дефек-

тотз с дс.мекнют стеккада предполагается достаточно сильный, гак что з процессе дв;:;;;сш:е доменных станок а дефектов последние не васоддт из области стенки. Относительная инерционность дефектов в сравнения со стойкой помимо их совместного смещения приводит к прогибу стенки во гяшк-.ц электрическом поло. Расчет приводи? к следующему выракена» для кахсямука потерь:

t р 1 ТС сГ ^ I

где Sí - коэффициент взаимодействия стекки с радиационными дефект йл'Л, 6*- коэффициент квязиупругой силы, действующей на стеН ку, отклоненную от положения равновесия, ¿ -расстояние кезду де фекгзмк, £ - величина изгабнкх скесекий стеши. Для небольшого числа дефектов ( ) вклад лрогибпкх-смещений в общее сме-яе-

кие стекки достаточно водок, величина о, в этом случае растет _ с ростом числа дефектов ( '¿С -Ji- « "I) и, как следует из (4), это приводит к росту максимума tytfmt • При большом числе Дефектов < ) прогибные сг.да";егшя стенки затруднены, стенка смещается Зсэк целое, при этом величина £ , г значит и , ке зависит

от концентрации дефектов, т.е. при максимум потерь выходив

на насыщение.

Из выражений (2) и (4) оценено значение энергии активации ра диациошгого дефекта ( v 0,20 аЗ), которое совпадает с экспериментально измеренным. .

Радиационные дефекты, возражающие при облучении кристаллов фосфатной группы КЪР при комнатных температурах, не могут быть протонными вакансиями, т.к. энергия их активации велика к равна 0,54 оВ (но результата!/, капах измерении электропроводности кристаллов ХЪР при Т> Т , совпадевдих с данными3). Действительно,, при подстановке величины w = 0,54 аВ в выражение Аррениуса (2) при Т - 100 К, k ~ 0,01 аЗ, ¿o — 10~"и' с, получаем, что время ре;-даксадаи протонной вакансии составляет Ю^с, ока является иенодвкяней. Изучение дика в отжига ракиацконнюс дефектов, а такхе результаты исследования спектров ЗПР кристаллов /cí/0, облу-* ченных при 77 К, показывают^, что низкотемпературное облучение (при температуре кипения жидкого азота) и виоокотешературкое (при комнатных температурах) приводят к созданию в кристаллах по крайней мере двух различных типов дефектов.

Низкотемпературное облучение криста~_лсв /СЭР , проведенное К .В «Пешковым , вызывает в кристалле появление относитаяьло мал«'

подвижных дефектов,-которые приводят к закреплению доменных стенок на них, а высокотемпературное, проведенное в настоящей работе, к созданию подвиянш: дефектов. При этом дефекты первого ти-

Л'Л

па неустойчивы и при тепловой активации кристалла при повышении его температуры до ~ -80 °С превращаются в дефекты второго ' типа. Изменение окраски кристалла от красной до бесцветной при низкотемпературном облучении с повышением температуря^ указюза-ет на то, что дефектами второго типа могут быть радикалы которые наблюдались в ЭПР-спектрах.

Образование их можно представить следующим образом®. Облуче-mie .при комнатных температурах приводит к ионизации и локальному разохрезу кристалла, в результата которого четыре протона на прилегающих к данному тетраэдру водородных связях подходят к нему и образуют обычно невыгодную конфигурацию. Захват образовавшейся конфигурацией электрона приводит к ее стабилизации и образованию достаточно устойчивого комплекса ( ИцРО» ), При понижении температуры вблизи Тс отрешение протонов к упорядочению на зодород-них сачзях приводит к тому, что два протона отходят от комплекса {НчРОц) другим соседним тетраэдрам, в результате чего структура коштлекса меняется и образуются достаточно подвижные дефекты {НгРОчУ^, взаимодействие которых со стенками носат характер вязкого трения.

В четвертом разделе обсуждаются результаты исследования рентгеновского л (f -излучения на некоторые свойства ITC. Изучены особенности диэлектрических свойств. Уменьшение £ и . в

сегнетоэлектрической области обусловлено уменьшением вклада доменных стенок в измеряемые значения макроскопических величин» Прямое изучение доменной структуры кристаллов методом травления показало, что облучение приводит к возникновению параллельных цепочек доменов, направленных вдоль оси ^ , as увеличению степени униполярности образцов. Дшзовидная форма доменов сменяется из-видистой, свидетельствуя об укрупнении доменов'одного знака. В отличие от кристаллов группы КЪР в кристаллах TIC радиационные дефекты устойчивы к температурному отжигу: отжиг не приводит к образованию доменной структуры, характерной для необлученннх образцов, подвергнутых тепловому воздействию.

Приводятся результаты исследования свойств кристаллов* выращенных на-затравках, обладающих различной ß -активлоесью в. результате облучения их нейтронами з реакторе. Показано.-,, ччф знй-чс-

кия 2 кристаллов, выргжсшшх пс. облученных затравках, значительно зыез, чем у кристаллов, знраяениах на необяучешшх затравках в то:.', ке кристаллизаторе» Обнаружена зависимость значений £с от пелачпкы /-активности затравки и от положения исследованных образцов относгтельно затравки.

Проведены исследования формирования злектретного состояния радиаихошпш облучеглеи при тешературах выше точки Кори, где• на олектретпчй заряд не наклеивается заряд- пироэлектрического происхождения. Послг ойлучекия образцов рентгеновскими лучами, (дозы к? Солее сотен к?) в температурной зависимости токов гершдгполя-ркзагоя (ТДПЭ) появляется ыехеймуы в области 120-140 °С. Расчет по температурным зависимостям токов ТДПЭ оперта!: активации ловушек дает следуювде значения: дня рентгеновского облучения ы 0,9, дяк -облучения ~ 1,8 зВ. Больлее значение энергии для ¡Г-облу-ЧЗЧИЫХ образцов указывает на создание к заполнение в последнем случае более глубоких ловусек.

Явленна "заморшаваиля" доменной структура в кристаллах группы КНР (гл.ЗЬ

В первом разделе кратко излагается механизм "замораживатя" до»епко!й структури в одиооских ссгнетогдектрглгах, предкокенкыВ эз1срамкАх дл» объяснения I -«шяьких диэлектрических свойств гфг.стзллов труппы КНР .

Геометрическое рассмотрзниз показывает, что возыоннн два типа конфигурации 180-градусной доменной стоики; - тип I и Ч - чип В (каждая стрелка илй ноль отвечает значениям поляризации в определенной, ячейке кристалла), которым соответствуют разные зкер~ гая, Та из них, которая обладает меньшей энергией, является равно-веской (основной), конфигурация о больпей эноргпей называется барьерной (содловой). Кокая кденно конфшурацня является основной, а какая седловой - определяется конкретными силовыми взажлодейст-

вкяагк з кристалле. Численные расчеты строения доиешшх стенок в /СЭР ноказыьгаот, что для всей температур, кроме близких к ?с, доменная стенка в кристалле /СЭР узкая - 2-3 постоянных элементарной ячейки - для обоих типов доменной стекки.

3 интервала темпера тур от ? до у основной является конфигурация типа I, а ше Т - типа П. Энергетическая разница между седловой к основной конфигурация;® и есть .барьер, преодолеваемый стенкой при своем дакеккк» Зяерггя этих двух конфигураций. в интервале ¡яжду тс и Хр Клевки друг другу, а результирующий

барьер мал- доля эрг/см2. Малая величаяа энергетического барьера в области "плато" приводит к высокой подвхшюстя докгкных сг-е-¡гок в бездефектном кристалле. Ниже .температуры Т^ основной становится конфигурация типа П, при этом барьер, преодолеваемый стенкой, значительно возрастает. Резкий рост барьера нине приводит к стремительному- уменьшение подееткюти доменных стенок в этой области температур, в результате чего-значения £ здесь резко падают и одновременно возникает .максицум потерь TgJ'm-t . Taic-'.¥ образом, в окрестности 7/ происходит структурная перестройка в доменной стенке (вместо хадяфитурации -.типа I основной становится конфигурация типа П), которую молно трактовать, гах своеобразный фазовый переход, характеризующийся определенной.температурой.

Второй раздел главы ''посвящен.'исследованию особенностей паро-роэлектрического коэффициента кристаллов группы ЮР в зависимости от температуры вблизи ^ .

Первые исследования показали, что в кристалле СЪР , не подвергнутом никаким внешним воздействиям,' пироэлектрическая активность равна нулю во всей исследованной сегаетоэлектрической области, что свидетельствует об исключительной "мягкости"-домокной структуры и отсутствии унинолярности -кристалла. При введении в СЮР радиационных дефектов в сегаетоэлектрической области вблизи Т^? возникает максимум пироэлектрического заряда, который . может быть объяснен с помощью механизма "з-аморакивания" 'доменной струк- ' туры. В окрестности Т^е происходит структурная перестройка доменной стенки, в результате которой в температурной зависимости но-Еерхностной плотности энергии доме"ных стенок при.температу-

ре наблюдается излом . Изменение «С*, приводит к изменению . равновесной ширины демзнов cL ла основании соотношения, связывающего Slm. и d. : rj^j^y/z

XÏPf^I) , ~ толщина образца«,

В кристалле с мала'числом дефектов перестройки структуры вблизи Т^ происходят, как мояяо предположить,.синфазно во всем объеме кристалла'без изменения макроскопической поляризации. В кристалле с дефектами бЬльией концентрации ''несогласованность" движения доменных стенок, вызванная 'дефектами, приводит к появлению несксм-пенсировапногб макрозаряда на поверхности кристалла, что и выражается в.аномалии пироэлектрического коэффициента вблизи 'Ц .

Для проверки предположения о том. что перестройка доменной структуры ь районе температуры "Ц является общим явлением для

кристаллов группы, проведены пароэлектрические исследования кристаллов Ю>р и ЯМ, Показано, что в этих кристаллах, обладающих боло о "жесткой" в сравнении с СЪР доменной структурой, в естественно униполярном состоянии имеется аномалия й6" в окрестности . Эффект появлеяия вблизи Т^ аномалии пирозаряда является достаточно "тонким": он имеет место лишь при не очень больших концентрациях дефекгов, причем существенное значение имеет природа дефектов - в примесных кристаллах труднее наблюдать перестройку доменной структуры. Например, в кристаллах КЪР , легированных ионагд! Сг."'~ и-^'"'(концентрация примесей в растворе при росте кристаллов ~ 0,001 вес. %) пироакмшюсть во всем исследованном интервале температур вплоть до точки Кюри оказывается подавленной.

К такому же результату приводит и облучение кристалла Л'2>Р потоками электронов с энергией ~ 0,7 МэВ: аномалия пироэлектрического коэффициента вблизи Т^ , существующая в естественно униполярном кристалле, полностью исчезает после введения в кристалл радиационных дефектов.

С увеличением постоянного электрического поля, приложенного к естественно униполярным кристаллам, имеющим максимум ¿'<г в районе Т-р , величина аномалии уменьшается и, наконец, исчезает.

Зги исследования под/ворададт гипотезу о том, что явление "загораживания" обусловлено.перестройками докекной структура.

Влияние внутреннего голя на макроскопические свойства(гл„4)е

Первый раздел главы посвящен краткоглу обзору механизмов образования внутреннего полк и сущестБуэдш методам его численной оценка.-Во втором раздело рассмотрены особенности свойств кристаллов ТГС, связанные с наличием внутреннего поля .

Установлен!! • характерные различия поведения аффективной диэлектрической проницаемости номинально чистых и легированных ионами хрома и - аланина'образцов. Кривые име-

ют ряд особенностей, обусловленных наличием^пцплосей: с повышением тег.иературы при подходе к Тс значения не уеелзчивазот-ся, как в случае чистого кристалла, а уменьшаются» одновременно наблюдается уменьшение значений , пои которых достигаются максимальные значения ¿-¡рр для образцов всех исследованных толщин. На зависимостях {£*) впервые обнаружены минимума, глубины и ширина которых определится толщиной иссяедоьакных сб~ раздав и температурой опыта. Яоаазаво» что натачга шиоддоав в зависимостях С^-) полностью связано с существованием в крпс-

таллах внутреннего доля, созданного дефектами замещения ( -аланина) к внедрения (хрома)» На основе физической модели, учитывающей суммарное воздействие на эффективную диэлектрически проницаемость 'переменного электрического поля и внутреннего поля, действие которого кояно считать эквивалентным внешнему постоянному, объяснены особенности поведения эффективной диэлектрической проницаемости при различном удалении от температуры фазового превращения»

Изучена временная зависимость внутреннего поля в. кристаллах TTC, созданного радиационными (облучение рентгеновскими лучами) и примесными (ионы хрома) дефектами (значения внутренних полей оценивались по петлям диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц). Показано, что величина внутреннего поля достигает своего максимального значения через 25-100 часов после радиационного облучения, а затем немонотонно уменьшается» Характер временной зависимости внутреннего поля зависит как от происхождения дефектов, так к от исходной униполярности образцов - з.случае кристаллов, облученных рентгеновскими лучами. Оценены значения времен релаксации внутренних полой для кристаллов с разными типами дефектов.

В третьем раздела обсуздавтся результаты исследования зависимости температуры максимума диэлектрической проницаемости кристалла TTC от дозы рентгеновского излучения (энергия излучения 30 кзВ). Обнаружено различие в значениях коэффициента g " ^¿jf" характеризующего величину смещения от дозы облучения. При

измерении зависимости от 3 через 15-20 жнут после-облу-

чения, когда внутреннее поло еце не достигло максимального значения, отвечающего дозе облучения, .основное влияние на температуру Ц„ д.» оказывают электроны, образующиеся в-процесса облучения ( 1, ---fi-to-ffjp- )» При измерении той as зависимости через 2436 часов после облучения эффект смещения в сторону низких температур под влиянием электронов частично компенсируется противоположным действием внутреннего поля ( 12 =г0,42 град/МР). Следовательно, при небольшое энергиях s дозах радиационного облучения '(не более сотен кР),' когда аовреддающее действие радиации можно считать незначительным, положение температуры лг сегпетоэлектрического кристалла определяется вззишощютивополоннш действием внутреннего поля в электронной подсистемы кристалла».

Четвертый раздел главы посвящен исследованию ролд внутреннего поля в формировании доменной структуры сегкетоэлектрического крие-

талла (на примере кристалла ТГС) и в явлениях перестройки доменной структуры (на примере кристаллов группц Л'2»/3 )« 0 использованием метода травления показано, что если в номинально чистом кристалле ТГС существует клиновидная доменная структура, то о ростом величины внутреннего поля она постепенно (по мере уменьшения толщины исследованного образца) переходит в плоскопарал-лельну».

Пироэлектрические исследования кристаллов х-рунш КНР с радиационный! и прамесныш дефектами показывают, что внутреннее поло оказывает определяющее влияние на знак и число доменов, участвующих в процессах перестроек доменной структуры вблизи температуры 1у .

Процессы низкочасгной релаксации макроскопической поляриза-щш (гл. 5).

Глава посвящена исследованию процессов низкочастотной релаксации макроскопической поляризации двух кристаллов группы КНР -КЪР, СЦР и кристаллов ТГС - номинально чистого и содержащего дефекты. Исследованы временные зависимости величин (£ , 6г для кристаллов К$Р и , <5- "¿Г<г - для кристаллов ТГС), связанные с макроскопической поляризацией кристаллов, позволяющие судить о динамических свойствах доменной структуры кристаллов» Доменная структура кристаллов выводилась из раыюъесного состояния приложением постоянного электрического поля; зависимости £ & (Ь) и ) аппроксимировались функциями, пропорциональными ,

В первом разделе изучены процессы релаксации макроскопической поляризации в кристаллах и С2»Р . [¡оказано, что зависимость

времена релаксации поляризации от величины внешнего алектричеоко-го поля зависит от способа выведения кристалла из состояния равновесия. С увеличлшем постоянною электрического поля, приложенного к предварительно деполяризованному образцу во время измерений временник зависимостей £ и 6- (матоцц поляризации и перешоляри-зацми) время релаксации уменьшается: чем меньшое число доменных стенок совершает колебания в слабом измерительном поле, тем быстрее протекает процесс релаксации дг.иеиноИ структуры. Наоборот: чем большее иоле •' предварительно приложено к кристаллу, т»е»

чем устойчивее исходное заполдризоввкиое состоя ¡не, тем больший промежуток вре.леии требуется образцу для вааьрацина»! в цолидонен-вое состояние (метод деполяризации).

Процессы релаксации макроскопической поляризации протекай? в основном в два этапа» который отвечают разные ыоханизш дайке-ния доменных стснок со своими значоншвди времен релаксации ti я P« ( 2* определяет бошауи часть времени реляксацзотюго процесса). Для исследованных кристаллов обнаружено при приошие-шш к точке Кюри умепыюш:« времени релаксация % , не подчиняющееся активвциошюыу закону (2), что приводит к предположений

0 температурной зависимости не только анергии актиьицин процесса "вижения доменных стопок, но л предэкеионшщнальиого мношпелл Ц.

Для кристаллов ТГС как ношналыю чистых, так и легированных примесями, обнаружена немонотонная зависимость времени рел-лссшиш ( Щ и ) поляризации от температуры (второй раздел). Максимума в зависимости V (Т) приходятся на температуры (3;>-37)°С и ('31-43)°С, при которых по предположат® происходят интенсивные перестройки доменной структуры (эти результаты подтвер^дщц-ся дашшаи других авторов, использовавших иные экспериментальные ывтидак!^

Исследовались зависимости ¿f *Y¿-J ДЛЯ образцов кристаллов ITC, легированных молекулами А«* -алашша, с различными значениями внутреннего ноля. На основании анализа полученных аошошюс-тей t (т) сделан вывод о том, что внутреннее поле уменьшает абсолютные значения V и сугает температурную область перестроек доменной структуры вплоть до ее исчезновения. В области неустойчивости доменной структуры внутреннее иола задает также аиак доменов, участвующих в перестройке, что приводит к изменению уни-шмюраоота кристалла в данной области температур и проявляется в увеличении пироэлектрического заряда.

Визуальные наблюдения доменной структуры с поыощю немати-ческих жидких кристаллов доказывают, что процессы релаксации макроскопической поляризации номинально чистого и примесных кристаллов ТГС в основном определяются релаксационным двимениом домешшх стенок.

В третьем разделе рассматривается механизм взаимодействия домешшх стенок с дефектами^, который позволяет обменить наблюдаемую в опыте зависимость £ от ,

По характеру влияния дефектов на релаксационные характеристики доменной структуры выделяются по крайней мере два механизма:

1 - безотрывное двкшше доменной стошш, ьааимодействуюцей с системой подвижных дефектов, 2 ~ отрыв доменной стенки от системы случайных непокишшх дефектен» Первый механизм приводит к еле-

ду^ему выражотш уравнения Лор:.илу cu t= Za e-nu / '¿i 'л т) , в

Koi'CjHiM _ ъ,- lU'-ilTC" cL -W2L-LL

° " аг /}г тс U h 1

Здесь п» - концантрацил дцектов вдали от стенки, ч'Л, -ширила доенной стенки, и, - рнсмер олшвнтадоой ячо&ш кристалла, Lr, ¿,v - p-'.-ii'ej;u образца, - ¡энергия активации верескового .¡u:U,v.tHiiH i.oie-кта, - энергия шшнлодейсгыш дс.кеиьой стен-' и1 с до^ик'шм,

Найадшагов в иконерименте уыепыенио t с роитоы ио;и (метода поляризации и иороноляризации) объяснено уиашышииед числа дь^ьктов -л# , ооэотрывно сл»д>|ицах з& дошил ой стенкой, что в сбой очередь иьяэодо с уменьшением числа дшинних стенок ира уьишчишш £\,: .

з а к л ¡о ч к н и н и выводи

диссертация пзсьящвнб исследованию особенностей ишкочастот-них диэлектрических, пироэлектрических и других свойств монокристаллов группы K'J>P и TPJ (ысшнашю- чистых и содераадих д<»|ек— ти), обуслоалоаикх ишчаш доменной структуры. Изучено влияние малых доз (не более сотен kPJ- радиационного излучения (рентгеновских к гыа-ш-квастов), потоков электронов на низкочастотные ди-йле-ктричьскае, пироэлектрические свойства кристаллов грушш /й>Р, Кссл&довйны особенности макроскопических свойств, сьнзашшо с существованием внутреннего поля, сс&дштого щкшосшши и радиационными деректйд», Дииошч&скке свойства доменной структуры сегньто-электриков группы Ю>Р и ТГС изучались с иснользовышем метода низкочастотной релаксации макроскопическиЙ поляризации.

Основные выъодц работы:

1. Вклад доманной структуры в шикочастотау» диэлектричискув ирсииц&имость номинально чистых крастыиюв грушш А'ЭР , включая (1ЪР, составляет в кристаллах фосфатной подгруппы SO %, в кристаллах арсонг.тной иодгрушш ^ t»0 %,

2. bo всех иссльдйвшших кристаллах группы ЛЪР обнарувено явление "зшорезиьашя" доменной структуры, не шгещбе cede аналога в других одноосных ¿одородсодьржйалх сьгнетсэлектраквх. В каждом кристалле группы ' KDP , нклачая СВР , существует своя той-нература "замораживания"' доменной структур!;, уначешн которой зависит от состояния реальной доменной структур!! кристаллов к условий эксперимента,

Раднг;пс»кое обягиятв г/рл копнктиж темюртуцях пр:о?ал~ лов грунта; i\DP f ту..: f'-v-'я CIiP , прягодат к соэясчип!) yctoibEHBux pn-. даедяготих дефектов, которые изиешга ди?лектрипескяе к пироэлектрические свойства кристаллов в сегиетозлектрической области, Обц&~ ру;г.йн "радкдатопшШ отхкг" в крчет&тпах грунт'. Установлено сутст-воввнке афректа {.:сч>госгк дозн тгга-рздипции: в иктервэло ■ доз (Ю2 - iö6) Г I! кои'НостеИ доз от 1 до 1.'/* Г/ч яри равичх дозах облучечшя кялмепмше изменения свойств имеют место от мстопкякг« с еолшсЧ тччостко дозы. В облученных кристаллах КЬР ys ЛЧЪР обнаружен релаксационный максимум даэлектричееких потерь, iwmjsft домеч-*

ное прс^нохог.донне»

4. шявлеян особенности в зависимостях эф4уактаЕнен дигдектрп-псскоЯ проницаемости кристаллов 'ITC о дехектамк внедрения и зкйцл. шщ от неременного электрического поля, обусловленные супеелволмш-ем в кристаллах внутреннего поля. Внутреннее поле кристалла» ТГи достигает своего мпкеш'ольного значения через '¿5-100 часов после радиационного остучения, Установлено, что при небольших энергиях (-«30 га Б) и ' лше дозах (не более сотен к Р) роачоши значение температуры Мора определяется совместным и противоположным действием внутреннего поля, созданного облучением, и электронной подсистемы кр:"лтач?а (на примерз кристалла TTJ).

5. Процессы релаксации макрсскогагческой поляризации кркстьл-лов КЪР , CDP и ТГС, доменная структура которых выводилг-сь из состояния равновесия постоянным электрическим нолем, зависят не только от постоянного поля, температуры, концентрации дефектов, но и от способа выведения лрисгатлов из состояния равновесия. В кристаллах ТГС, номинально чистых и содсрг.ацях пршеенне и редшрюниыа дефекты, обнаружена номовотокпая зависимость времени релаксации от температуры, связываемая с неустойчивость» дсмеииой структуры при температурах (35 - 37) и (41 - 43) °С. Внутреннее пола, сушэст-вулдео в кристаллах ТГС, уменьшает абсолютные значения времени релаксации поляризации я сужает температурную область неустойчивости доменной структуры.

В работе подучен такхе ряд выводов, виовзях более част:ш& характер, важзейиие из них следующие:

I. Пироэлектрические исследования кристаллов группы КЪР »но-кашальио чистых и содоркрзшх приносные и радиационные дефекты, подтвергедм/г тхннти ''зторезя&мт* доленной структуры, прэдто-sewmä Фэдосоввм и Оодоркпквм.

е'.. Ор'^ствояанке "шлеях" и "гестах" образцов кристаллов типа Ю)Р объясняется тем, что образцы, вырезанные из одной пирамиды роста, но но разном удалении от центра кристалла, содержат различную концентрации ростовых или специально введенных при росте кристаллов примесей. Концентрация лршодных дефектов увеличивается от центра кристалла к периферии иа одш-два порядка.

3. Обнаружено и объяснено неоднозначное воздействие постоянного электрического поля иа диэлектрическую проницаемость £ кристаллов группы КОР : умеиычешо £ вблизи точки Кюри, приводящее к существовании минимумов в зависимости £(Т) , и увеличение £

в области "эаморсмнв&нпя" доменной структуры.

4. По совокупности свойств кристалл СЛР примыкает к дигидро-¿[осфстом семейства КЛР : очень высокие значения £ в точке Кори, ексокий уровень диэлектрических потерь вблизи температуры "аемора-кивания" доменной структуры; существование области "плато" и температуры "замораживания", возникновение минимумов <£ вблизи точки Кчри при воздействии постоянных-электрических полей.

Исследование влияния постоянного электрического по.ля на температуру фазового перехода кристалла СРР показало, что термодинамическая теория Лсндау-Гипзбурга-Девоиаира не описывает поведения точки Кюри этого кристалла в постоянном электрическом поло,

5. Установлено радиационная стойкость кристаллов группы ЛЭЯ в указанном выше интервале доз и мощностей доз.

6. й кристаллах группы /СЪР и ТГС существующее внутреннее поло определяет знак (ориоптацию) доменов, участвующих в процессах перестройки доменной структуры. '

7. Основным процессом, определяющим релаксацию макроскопиче-ог.ои поляризации исследованных кристаллов, является доменный.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Постников B.C., Павлов B.C., Гриднев С.А., Турков С.К. Взаимодействие 90-грапуеных доменных стенок с точечными дефектами кристаллической. решетки сегнотокерамических материалов // Физика тверд.тела. - 1968. - Т.10, # 6. ~ С.1599-1603.

2. Гладкий В.В., Желудев И.О., Сидненко Е.В. Поляризация и доменная структура монокристалла KHgTO^ в статических электрических полях // Изв. АН СССР. Сер.физ. - 1969. - Т.33,

№ 2. - С.300-306.

3. Гладкий В.В. Электрические эффекты высших порядков в области структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках: Автореф. дис. ... докт. физ.~ мат.наук, - М., 1984. - 33 с.

4. Рез И.С., Пахомов В.И., Сильницкая Г.Б., Федоров П.М, Некоторые вопросы кристаллохимии кристаллов типа KHgP04 // Изв. АН СССР. Сер. физ. - 1967. - T.3I, » 7. - C.I082-I085.

5. Еытева '-'.М. Влияние pH на рост кристаллов дигидрофосфа-та аммония в присутствии ионов fe1* и Сь3* // Рост кристаллов. - М.: Наука, 1965. •• Т.5. - C.2I9-227.

6. Диэлектрические свойства тонких кристаллов ТГС / По-шин В.Г., Новик В.К., Селнж Б.В. и др. // Кристаллография. -1974. - Т.19, № 4. - С.809-814.

7. Федосов В.Н., Сядорюш A.C. Квазиупругие смещения доменных границ в сегнетоэлектриках // Физика тверд.тела. - 1976, -18, »6, - C.I66I-I668.

8. Сидоркин A.C., Федосов В.Н. Влияние подвижных точечных дефектов на процессы переполяризации сёгнетоэлектриков //•'Физика тверд.тела. - 1977. - T.I9, * 6. - C.I756-1759.

9. Мэзон В. Пьезоэлектрические кристаллы и их применения в ультраакустике. - М., Л.: йзд-во иностр. лит. - 1952. - 443 с.

10. Пешиков Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики. -Ташкент: ФАН, 1972. - 136 с.

. 30

11. Федосов В «H., Скдоркик A.C. Вякание двукерксп упорядочения us подьпетость домзшшх границ// ¿пздка тверд, ;:а. -IS77. - Т.19, Jè'8, - С.1223-1326. '

12. йедосов В.Н., Свдоркин A.C. Подаязшость дог-сгшх границ в крлстгдлах группы КН;Р0Л( КНР ) // Кркстеллохрв^ьа. - 1976.

- Ï.2L, а 6. - C.III3-III6..

шъитао по tels wGcmi&m

1. Konyehsve Ju.tî, s Shukov O.K. On t'as non-linear properties

of ZH^O^ // Proceed. Intern. Meeting on i'erroolectricity.- Prague, 19-G< - V.2., - Г.¿00-205. ■

2. Комшссе ¿.H., Еуков O.K., Бурдаиина H.A., Кривицкаа Т.П. Нелинейные свойстйс кристалла . кгс в сальных полях // Изв.АН СССР. Сор.фкз. - 2S6?*. - Т.31, JÎ 7. - C.JIÖ0-IXS3.

3. Камышева JI.H., Бурданкна H.A., кукоз O.K., Беспамятно-ва JI.À. Влияние сильного плектра«еекого поля на диэлектрические свойства кристалла ка^о^ //Кристши:о1ра$йя. - 1969. - Î.I4, J' 1. - С.162-163. , ..

4. О диапектрЕческих свойствах кристалла KEP с добавка.1®: хрома / Кайшшза Л.И., Бурдашша К.А., -Жуков.'O.K. и др. // Кристаллография. - 1269. - T.I4, ß 5. - С.940-943.

5. Бурданшш H.A., Камшюва Л.К., Еуков O.K. Диэлектрические, свойства #*-облученного зфисталла Щ)Р //Кристаллография.

- 1970. - T.I5, 4. - C.834-C3G.

6. О диэлектрических свойствах $ -облученных кристаллов КН2рОл / Камышева Д.Н., Бурдэпияа H.A., Жуков O.K. и др. //Изв. АН СССР. Сер.физ. - 1970. - Т.34, й 12. - C.2SI2-2ÔÏS.

7. Диэлектрические потеря кристаллов триглиыднеулъфата, подвергнутых различным воздействиям / Еурданина H.A., Золототру-бов Ю.С., Камышева Л.Н. и др. "//Изв. АН СССР. Сер.физ. - JSPI,

- Т.35, Jî 9. - C.I943-IS46.

8. Камышева Л.Н., Бурданяна H.A., Дроздан С.Н. Влияние электродов на электрические свойства кристаллов 10i^P°4 ■// Электрон, техника. Сер.6. Материалы (неорганические диэлектрики). - 1972,

В 3. - C.IC9-II3.

9. Бурданипа H.A., Камышева Л.Н., Дрсадкн G.H. Влияние мощности дозы . ¿Г-излучения на свойства гфисталлоь KiypO^ // Крио-таллох^афм. - XS72. - T.I7, й 6. - 0.1171-1174.

10. Грлдкев С.А.., Камышева Л.Н., Романова Н.£. Релаксационное внутреннее трение в кристаллах КН^РО^ с добавками хрома //

3 I

Кристаллография. - 1273. - T.IS, Ш ô. - G.I234-I23S.

11. Камышева Л .II., Годсваннач O.A., Малсвадова С .Д., Коваленко А.Н. Исследование диэлектрической яеливеДлоста тряглвцин-сульфата (чистого и легированного хромок) в функаиа от соедини образцов // Крпсталлографкя.-1974. - Т.19, ß 4. - С.824-82?.

12. Диэлектрические и механические потери кристаллов КИ^О^ со специально введенными дефекта?® / Бурданина H.A., Кагльшева Ii Л.. Гриднез С.А. к др. // Механизмы релаксационных явлений в тверда* телах. - Каунас, 1974. - С.239-244.

13. Kaaysheva L.K., Zoloíoti-ubov Yu.S., Gridnev S.A. Dielectric properties of RbH^AsO^ // ?errooleotrics. - 197^.-V.3.- P.559-561.

14. Диэлектрические свойства дигидроарсената рубидия вблизи температуры фазового перехода / Камышева. I.E., Золототрубов B.C., Гриднез С.А. к др. // Механизмы релаксационных явлений в твердых телах. - Каунас, 1974. • C.273-27G.

15. Ка;лш<~-а Л.Н., Золототрубов Ю.С., Гриднез С.А., ?ез U.C. Фазовый переход в HbH?As04 //Кзз. Ш СССР» Сер. неорганические материалы. - 1975. - Î.II, Я> 10. - C.IS0I-I903.

16. Зологотрубоз Ю.С., Струков Б.А., 1'араскин С.А., Кемше-ва Л.К. Фазовый переход в кристалле ВЪЕ^.оО^ // Изв.АН CGGF. Сер. физ. - IS75. - Т.ЗЭ, X 4. - С.782-786.

17. Гриднев С.А., Кяшпева Л.Н.,. Постников B.C. Особенности низкочастотного внутреннего трения в кристаллах КН^РО^ //Изз. АН СССР. Сер. физ. - 1975. - Т.ЗЭ, S 4. - С.827-832.

18. Камшеза Л .П., Годовапкая O.A., Маловгдова С.Д., Константинова Б.П. Исследование свойств триглициясульфата, легированного хромом и об-аланлном // Изз. АН СССР. Сер.фяз. - 1975. - Т.ЗЭ, Jê 4. - C.857-8S0.

19. О влиянии нейтронного облучения затравк: на электрофизические свойства триглицинсульфата / Евсеев К .И.,. Камышева Л Л», Малоапдова С.Д. и др. // Кристаллография. - 1975. - Т.20, № 5. -C.I068-I069.

20. Гриднез С.А., Сидорквн A.C., Камышева Л.Н., Бурранина ".А. Низкочастотная релаксация в кристаллах группы КН^РО^ ( юр )/ Материаловедение (физика и ая:ляя ковденсированных сред). - Воронеж, IS75. -32. - С.245-251.

21. Kaaysheva L.lî., Zolototrubov Tu.G. , Sidorfcin A.S. Electric invôstieatioris of the КИ.^ГО^ croup crystals // Fcrroelcc-triee. - 1976. - V.-15, N 1-4. - Р-'^З.

22. йкроэ&Тш? я дяэлвгтрзтгаскяе свойства кристалла ТГС с кзкоторжж ьримосгак. / ¡'¡иювздова С.Л.,-Гаврилова Е.Д.', -Салок Б.В., Komi-ski Д.Н. и др. // Ьз. .All СССР. Сер,фпз. - 1975. - Т.39, & 5.

- С. 1020-Ю24..

23. Егдк 2Е6 электронного облучения на диэлектрические свойства кристаллов группы KH-jPO^ у' Зайототрубов Ю.С., 'йагатэва Л.Н., Etrp-денкга П..А. с . др. // -г^дйацаокная.фажа' а".твхнологдг,--ЗУла, I97i:, - C.I08-II2.

г/пуювздог?..С^Д.," К&чкюева JI.il./Зэлонова М.Р,' Влияние рент- ■ геновского в с -облучения- на токи ¿ермодеполяризацяи кристалла ТГС /" С'егкетсэлектрпк;: и пьезоэлентршш. ■.-. .¡Салипин,: 197Э. -CM4S-K9.

25. Kcnyshe'vb L.3J., Trozhdin S.M., Sidorkin A.S. Язе freezing

o' iho doaain struitviro .in. the .COT .crystal resulting iron-the steac-' tural ..veconstruc'tioa."of the domain vails // Ferroelectrics, - 19S1.

- V.5-;. - '

26. K'ftayshsva'Ii.lt«, Miiovidova S.E., Sidorkin A.S. Internal bias field in WS crystals in the vicinity of structural, phase transition ' // journ. Phys. Soc. Japan. - -¡9S0. .- S.uppl. - V.4-9..:- .P. 24-25."

27. Каджгва'Л.Н., Дрокдин C.H., Сидор^шгА.С., Д/хкая B.C. . Особенности .аодярйзавдонннх свойств. даглдро^осфата цезия, обусловленные наличием. доменной структуры // Кристаллография. - IS8I. -Т.26, 8. - С. 540-545. . . '

28." Грд'днев С.А.,; Ка^азза JT.H., 'Садоряка А.С. Сегнотоллектрп-ческпо ирксталй! группы Iffi^PV'.: ;Учзб.посо'Ьиэ.;-:--' Воронеж: НЕ,■ ч 1981. ii6-c..:: /.--.-Г -л,/;

29. iiamyalieva ;Ъ.N., Fodosov, v.I!.,: BicLorkin Л.о, Pyroeleotric. . апека11ес resulting from do-.r.ain structure reconstruction^ in ferroelectric? // Fcrroclectriac. - 1931. - V.J*. - p.27-J0.

30.'-Камаа-ева Л.Н., Скдоркин. A.C., Дурданпна' Н.А. Радиационные : эффекты в • кристаллах группа-'.Щ^ВЗ^. //. Сэгнгтоэлектрпки: при .^нош^ них воздействиях. - гешнп'рзд, 19а1, - С.92-98. . ;

31. фрданика Н.А., Сидоркин А.С., IfeviuasBa Я.Н. "Замораживание" до;,юннои структуры в облученной кристалле { 2(1-0^4

// шзн.;а тверд, тела. - 193!.. - й 10. - C.29IS-2SI5.

32. Кйныгзва Л.Ы. Диэлектрическая'рела^сашя кристаллов кяр. и * ев? //' Сегпеюэлектриди е ньезоэлгкзрзки. - Калинин, 1232. -

- С.43-52.

33. K.ilovidova S.D., .Kaiayshevn L.N., Eurdanino I?.A. The ei'fect of electronical subsysten on.the Gtructvr&l phaso transition in tri-glycine sulphate // Ferroelectrics. - 1933. - V.'fB. - P.^IJ-JISo

34. Камышева Л.Н., Сидоркзя A.C., Зиновьева И.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы KHjjPO^ // Изв.АН СССР. Сер.физ.- 1984. - Т.48, Л 6. - C.I057-I060.

35. Kamycheva L.K., Sidorkia A.S., Kilovidova Е.В. Dielectric relaxation in ferroelectric iK // Physics Stat. Sol. (a). - 198-^. -V.84. - K1-15-K120.

36. Камыкева Л.Н., Млловидова С.Д.,.Зиновьева И.Н. Релаксация внутреннего ноля в кристаллах ТГС // Сегнетоэлоктрики и пьезоэлектрики. - Калинин, 1984. - С.22-26.

37. Kaaysbcva L.N. v Gidorkin A.S. dielectric relaxation in crystals of KHgFO^ group' // Ferroelectrios. - 198^. - 7.55« -p.205-203.

38. Камышева Л.Н., Дрождин C.H., Панкова Т.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризация в кристалле ТГС // Вопросы физики формообразования и фазовых превращение. - Калинин, IS85. — C.I5I-I56.

39. Xaaysbeva -L.il., Prozbdin S.H., -Liberaan Z.A. Investisnticc of the internal field of doped 33S crystals // Physlca Stat. Sol.(?) - -19S6. - V.94-. - K69-K73.

40. Золототрубсв B.C., Камышева Л.Н., Сидоркия A.C. Ансма-лия пироэлектрического офЬекта кристаллов группу КН9Ю4 в области "замораживания" доменной структура // Оегнатсэлектрики и

пьезоэлектрики. - Калинин, 1986. - С.35-38.

41. Kanysheva L.N., Drozhdin S.K., Seriyui: O.K.. Иге influence of defects on the processes of the polarization relaxation in flJS crystals // Physica Scat. Sol.(a). - 1906. - V.97, K"U- K29-K34.

42. Kanysheva L.N., Drozhdin S.Ii. Tae peculiarities of the electrcphysical properties of the KB? Group crystals connected with the domain structure dynamics // Ferroelectrios. - 195?. -V.71. - P.231-296. ■ ' ' .