Медленное разложение азидов серебра и свинца, инициированное облучением быстрыми электронами

Газенаур, Екатерина Геннадьевна

Медленное разложение азидов серебра и свинца, инициированное облучением быстрыми электронами тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Газенаур, Екатерина Геннадьевна АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Кемерово МЕСТО ЗАЩИТЫ

2000 ГОД ЗАЩИТЫ

02.00.04 КОД ВАК РФ

Диссертация по химии на тему «Медленное разложение азидов серебра и свинца, инициированное облучением быстрыми электронами»

Автореферат диссертации на тему "Медленное разложение азидов серебра и свинца, инициированное облучением быстрыми электронами"

? Го ОД

2 э 1г ■]

На правах рукописи

ГАЗЕНАУР ЕКАТЕРИНА ГЕННАДЬЕВНА

МЕДЛЕННОЕ РАЗЛОЖЕНИЕ АЗИДОВ СЕРЕБРА И СВИНЦА, ШИЦИИРОВАННОЕ ОБЛУЧЕНИЕМ БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ

(Специальность 02.00.04 - физическая химия)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Кемерово, 2000 г.

Работа выполнена в Кемеровском государственном университете на кафедре химии твердого тела.

Научные руководители: доктор физико-математических наук, доцент,

Крашенинин Виктор Иванович;

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник, Захаров Вадим Юрьевич.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор, Алукер Эдуард Давыдовнч;

кандидат химических наук, старший научный сотрудник, Образцова Ираида Ивановна.

Ведущая организация: Институт химии твердого тела и механохимш

СО РАН (г. Новосибирск).

Защита состоится "1" декабря 2000 г. в "10" часов на заседании Совета пс защите диссертаций Д064.17.01 в Кемеровском государственном университет(. (650043, г. Кемерово, ул. Красная, 6).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Кемеровскогс государственного университета.

ри^Ч/уаШ! ¿.\J\J\J 1.

Ученый секретарь Совета Д064.17.01 доктор химических наук, профессор

Г-/"А~0 ЬА Г")

Сечкарев Б. А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Важнейшей задачей химии вообще и химии твердого :ла в частности является разработка эффективных методов целенаправленного шенения скоростей химических реакций. Кроме того, в химии твердого тела эстаточно остро стоят проблемы стабильности и реакционной способности ¡ердых тел по отношению к внешним энергетическим воздействиям.

Азиды тяжелых металлов (ATM) являются типичными представителями iacca энергетических материалов, которые под действием на них внешних акторов различной природы претерпевают необратимые превращения с Зразованием инертных конечных продуктов - молекулярного азота и металла егко анализируемого традиционными физико-химическими методами). Под [иянием внешнего энергетического воздействия система может перейти как к ационарному состоянию с постоянной скоростью разложения в анионной и ггионной подрешетках, так и к самоускоряющемуся режиму, который вершается взрывным разложением образца.

Основной объем экспериментальных результатов по радиационно-[мическому разложению ATM получен на поликристаллических прессованных ¡разцах, или макрокристаллах, реальная дефектная структура которых не [итывалась. Последние исследования электрополевого и фотохимического [зложения ATM показали, что процессы медленного разложения локализованы некоторых реакционных областях, где концентрация собственных точечных :фектов выше, чем в остальной части образца.

Последние экспериментальные и теоретические исследования физико-[мических процессов, инициированных импульсным излучением, показали, что кристаллах ATM возможно протекание разветвленной цепной химической акции. Состояние кристаллов после воздействия импульсного излучения не осматривалось. В связи с чем важной и актуальной становится задача следования механизма пост-процессов, протекающих в исследуемых ществах после воздействия импульсов ускоренных электронов, с уточнением ироды реакционных областей, разработки эффективных методов управления акционной способностью азидов серебра и свинца.

Цель и задачи исследования. Целью данной работы является изучение [зико-химических процессов, инициированных в нитевидных кристаллах адов серебра и свинца действием импульсов электронов наносекундной ительности, исследование влияния электрического поля на их протекание,

разработка методов управления скоростью разложения и реакционной способностью этих материалов.

При этом в качестве основных задач исследования определены:

- изучение кинетики процессов, протекающих в азидах серебра и свинца после облучения (пост-процессов);

- установление природы реакционных областей;

- установление взаимосвязи между концентрацией краевых дислокаций i кристаллах ATM, реакционной способностью и стабильностью этш материалов к импульсному излучению;

- разработка методов управления скоростью протекания пост-процессов;

- изучение природы и свойств промежуточного продукта медленно« разложения азидов серебра и свинца;

Научная новизна работы

1. Впервые показано, что при облучении азидов серебра и свинца быстрым! электронами краевые дислокации срываются со стопоров, что приводит j разрушению реакционных областей.

2. Впервые показано, что разложение в реакционных областях происходит чере: одну минуту после прекращения облучения.

3. Впервые обнаружено, что промежуточный продукт радиационно химического разложения азидов серебра и свинца образуется во врем: протекания пост-процессов разложения.

4. Разработана методика управления амплитудой и длительностью пост процессоз, инициированных в энергетических материалах импульсам] ускоренных электронов, что позволило изменять количество промежуточног продукта.

Практическая значимость работы

Обнаружены и исследованы процессы длительной релаксации кристаллах ATM после облучения быстрыми электронами, взаимосвязь межд концентрацией структурных дефектов (дислокаций) и процессов, протекающи при воздействии импульсным излучением, предложен метод управлени скоростью твердофазной химической реакцией и способ задания реакционно способности кристаллов, которые позволяют не только прогнозировать, но управлять долговременной стабильностью и реакционной способностью ATi при импульсном воздействии. Выбор объектов исследования также определяе

рактическую значимость работы, поскольку АТМ являются инициирующими зрывчатыми веществами.

Защищаемые положения . Природа реакционных областей в азидах серебра и свинца при облучении их ыстрыми электронами.

Способ управления амплитудой и длительностью пост-процессов, нициированных импульсами электронов наносекундной длительности. . Метод управления скоростью образования и количеством промежуточного родукта.

Апробация работы

Материалы диссертации доложены на: научной конференции "Студенты и олодые ученые КемГУ" (г. Кемерово, 1994 г.), 1ой Международной онференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических атериалах» (г. Томск, 1998 г.), 7™ Международной конференции "Физико-имические процессы в неорганических материалах" (г. Кемерово, 1998 г.), :XXVII Международной конференции "Студент и научно-технический рогресс" (г. Новосибирск, 1999 г.), 10ой Международной конференции по адиационной физике и химии неорганических материалов (г. Томск, 1999 г.); I сероссийской научной молодежной школе молодых ученых "Радиационная ¡изика и химия неорганических материалов" (г. Томск, 1999 г.), 2ой 1еждународной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы неорганических материалах» (г. Томск, 2000 г.), Международной конференции гудентов и аспирантов по фундаментальным наукам "Ломоносов-2000" (г. 1осква, 2000 г.), III Баховской конференции по радиационной химии (г. Москва, 000 г.), V Международной школе-семинаре "Эволюция дефектных структур в онденсированных средах" (г. Барнаул, 2000 г.), lst International congress on adiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials (Tomsk, ООО), научно-практической конференции "Химия и химическая технология на убеже тысячелетия11^. Томск, 2000 г.).

Публикации

Основные результаты диссертации изложены в 17 научных работах, получен патент на изобретение. Список публикаций приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка литературы и содержит 135 страниц машинописного текста, 45 рисунков, 3 таблицы. Список литературы содержит 138 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранной темы, цель работы, сформулированы основные положения, выносимые на защиту, показаны научная новизна и практическая значимость работы.

В первой главе содержится аналитический обзор имеющихся экспериментальных и теоретических данных по основным вопросам химии твердого тела, затронутым в диссертации. В первом параграфе рассмотрены некоторые физико-химические свойства ATM. Приведены данные об элементарных ячейках кристаллов азидов серебра и свинца, энергетической структуре электронных состояний энергетических материалов. Второй параграф посвящен общей характеристике дефектной структуры ATM, особое внимание уделено рассмотрению линейного дефекта (дислокации) кристаллической структуры исследуемых веществ. В третьем параграфе представлены основные закономерности протекания медленного разложения азидов серебра и свинца при электрополевом разложении. Вопрос долговременной релаксации в ATM с позиций однородных и неоднородных полупроводников подробно рассмотрен в четвертом параграфе диссертации. В пятом параграфе представлены результаты исследования физико-химических процессов, инициированных в ATM импульсным излучением. Проведен анализ существующих представлений о механизмах твердофазного разложения азидов серебра и свинца. Приведены квантово-химические расчеты, подтверждающие существование устойчивого промежуточного продукта разложения в анионной подрешетке, его возможные структуры.

Вторая глава посвящена описанию методик синтеза объектов исследования, методикам изучения медленного разложения, инициированного действием облучения.

В работе использовали ншеьидные кристаллы азидов свинца и серебра с с средними размерами 10x0,1x0,03 мм3. Образцы готовили в планарном варианте геометрии, что дает возможность фиксировать выделяющийся при разложении ATM газообразный продукт и проводить наблюдения за топографией егс

испределения. В качестве источника возбуждения использовали ускоритель тектронов «Мира-2Д» со следующими параметрами: энергия электронов 0,18 4эВ; плотность тока до 1 кАсм"2; длительность импульса 30 не; скважность 0,1 Расстояние между источником и образцами составляло 2 см, время юздействия варьировалось.

Описан разработанный нами метод управления амплитудой и шителыгостью процессов, протекающих в ATM после облучения, с помощью ¡есконтактного (образец помещался между пластинами конденсатора) фодольного (Е=100^-350 В/см) и поперечного (1-15 В/см) электрических полей. Соличественный анализ продуктов разложения в анионной подрешетке ATM [роводили методом Хилла, который дает возможность исследовать топографию »аспределения образующихся продуктов в пространственных координатах, а акже методом «торцевого» газа (чувствительность составляет 10"13 моля). В [ервом случае в качестве растворителей использовали водные растворы: для зида свинца - 9 % уксуснокислого аммония, для азида серебра - 6 % иосульфата натрия и 15 % моноэтаноламина. Относительный объем р (объем 1адиолитического газа для уменьшения статистического разброса относили к [лощади поверхности кристалла, подвергнутого облучению) выделяющегося азообразного продукта определяли, фиксируя под микроскопом со шкалой шкрометра в проходящем красном свете диаметр пузырька газа. Во втором, юсле локального облучения и дополнительного действия продольного ¡есконтактного электрического поля, внешнее газовыделение наблюдали с орцов кристалла, покрытых слоем вазелинового масла (вазелиновое масло не астворяет газообразные продукты и само не разлагается при внешнем оздействии) толщиной примерно 1 мм.

В работе описан метод определения амбиполярной дрейфовой одвижности носителей заряда, применяемый для изучения процессов, ротекающих в ATM после энергетического воздействия.

Для исследования дислокационной структуры ATM использовали метод орошковых фигур и метод ямок травления.

Дозиметрия импульсного электронного излучения проводилась методом имической дозиметрии (с использованием в качестве дозиметрической системы итрата калия) и, с помощью термолюминесцентных детекторов ТЛД-К, на снове Si02.

В третьей главе представлены результаты исследования' медленного разложения, инициированного в нитевидных кристаллах азидов серебра и свинца облучением быстрыми электронами.

Типичная кривая процессов, протекающих в образцах после облучения, представлена на рисунке 1. Зависимость относительного объема радиолитического газа от времени хранения образца после облучения носит полиэкстремальный характер. По-видимому, данная кинетика отражает сложные электронные и ионные процессы, происходящие в кристалле, выведенном из состояния равновесия внешним воздействием. Кривая пост-процессов хорошо воспроизводима (отметим, что воспроизводимые результаты получаются при воздействии потоком быстрых электронов (т0бЛ) более 5 с); постпроцессы для А^з и РЬЫб качественно совпадают, однако различаются периодом колебаний.

р -104, см

Рис. 1. Кинетика пост-процессов, протекающих в нитевидных кристаллах РЬНз (кривая 1) и АдИ3 (кривая 2) после облучения потоком быстрых электронов (тоел=25 с).

Характерное значение времени периода пост-процессов позволяет сделай предположение о связи их с ионными процессами, например, со стадией рост: металлических кластеров, скорость образования которых лимитируете* диффузионно-дрейфовой стадией. Исследование поведения кривой постпроцессов при различных температурах показало: с увеличением температурь;

:риод колебаний уменьшается, с уменьшением температуры - возрастает, что кже характерно для ионной стадии. Предположим, что скорость образования Фаллических кластеров лимитируется диффузионной стадией. Тогда ютность тока диффузии ] межузельных катионов серебра А& можно выразить виде:

где е, Nl - заряд и концентрация Ag■ ; э - площадь эффективного сечения; - время ионного процесса. С другой стороны, в одномерном случае запишем:

где я, = А) • ехр(-~) - подвижность А^'; Ем - энергия активации

|движности; //0 - константа, не зависящая от температуры; к - постоянная шьцмана; Т - температура. Полагая, что ^аЛЬ] слабо зависит от температуры,

сравнивая выражения (1) и (2),получим:

~ е

(3).

Таким образом, зависимость т, от Т должна спрямляться в координатах и-, Т"1, что представлено на рисунке 2 и не противоречит высказанному выше едположению.

3 -

In Т,

2,5

3.5

хЮ!Г'

Рис.2.

Температурная зависимость периода постпроцессов (AgN3).

Отметим, что периодическое выделение газообразного продукта с верхности при радиолизе ATM ранее объяснялось последовательным

формированием и вскрытием реакционных зон (цепочка газонаполненных полостей) в приповерхностных областях кристаллов и, таким образом, уменьшение количества газообразного продукта на кривой пост-процессов можно было бы объяснить выходом газа через поверхность. Для проверки этого предположения кристалл после облучения помещали под слой вазелинового масла и вели непрерывное наблюдение под микроскопом за облученной поверхностью в течение 30-40 минут. Внешнее газовыделение отсутствует.

При изучении пост-процессов разложения, инициированных действием быстрых электронов, экспериментально. установлено, что выделение радиолитического газа происходит не со всей поверхности кристалла, а из локальных областей. Визуальные наблюдения показали, что реакционные области (РО) пространственно совпадают с ямками травления (координаты РО и ямок травления совпадают с точностью до 5 мкм), а следовательно, с местами выхода дислокаций на поверхность. Исследование поверхности облученного кристалла методом послойного травления позволило установить глубину залегания РО в приповерхностной области кристаллов (поверхность (100)) и определить их размеры. Средние размеры ямок травления азидов серебра и свинца составляют 15x20x5 мкм3 и 20x35x5 мкм3 соответственно. Для исследования топографии распределения твердофазного продукта разложения ATM при воздействии импульса электронов наносекундной длительности была использована электронная микроскопия платиноуглеродных реплик, что позволило установить образование зародышей металлической фазы в местах выхода дислокаций на облученную поверхность, а также в местах неоднородностей поверхности кристалла.

При локальном облучении (через щель шириной 300 мкм) продукт радиолиза (молекулярный азот) локализован (с точностью до 10 мкм) в облученной части кристалла. Если растворение облученных образцов проводить через 15-20 минут после энергетического воздействия, наблюдается отчетливое смещение пузырьков газообразного продукта из области воздействия (смещение составляло 0,3-0,4 мм). Такая скорость диффузии молекулярного азота или газонаполненных пор в объеме кристалла маловероятна. Дополнительное действие электрического поля, приложенного после облучения (Ga-PbNe-Ga, Е = 504-150 В/см, т = 5с, межэлектродное расстояние составляло 1мм) приводит к тому, что продукты радиолиза смещаются к отрицательному электроду. Такое

перемещение, с точки зрения механизма процессов, протекающих в ATM, в тринципе возможно, если предположить, что реакция разложения не проходит Ю конца и в кристалле остаются неравновесные носители заряда. В цепи )братимых реакций исходным реагентом является локализованная дырка квазичастица с эффективным положительным зарядом), которая дрейфует в шектрическом поле к отрицательному электроду.

Для исследования пост-процессов в нашей лаборатории был разработан шзуальный метод определения амбиполярной дрейфовой подвижности юсителей заряда в ATM: к локально облученному, на длине 1мм, кристаллу фикладывали бесконтактное продольное электрическое поле напряженностью IB/см. Время импульса варьировалось от 0,01 с до 0,025 с. Расстояние между шектродами во всех экспериментах было одинаково и составляло 1 см. 'астворение кристаллов проводили в момент максимума на кривой пост-троцессов и, используя метод Хилла, подсчитывали объем и пространственные соординаты каждого пузырька. Подвижность носителей заряда находили по формуле:

ц = г!т-Е (4),

где: г - смещение центра масс газообразного продукта; г - длительность гмпульса; Е- напряжённость электрического поля. Смещение центра масс У yd'

тределяли как: г = ^ '(5), где: >•, - смещение i -го пузырька газа от центра .-1 1

облученной области; dt - диаметр / -го пузырька.

Мы исходим из того, что газ образуется в момент растворения, кроме того, ровни прилипания не являются слишком глубокими, так что дырки, ахваченные на ловушки, находятся в термодинамическом равновесии с алентной зоной. И за время действия импульса мы имеем возможность юлностью опустошить уровни прилипания в области локального облучения. )днако смещение такой большой концентрации положительно заряженных ;ырок в столь слабом электрическом поле невозможно без компенсации их бъёмного заряда электронами, генерируемыми при облучении. Смещение лектронов в тянущем электрическом поле можно оценить по потемнению части ристалла, обусловленного образованием коллоидного металла на поверхности бразца. Для этого после энергетического воздействия локально облученный бразец помещали: 1) в 0,1 N водный раствор соли соответствующего металла

на время 15-20 с; 2) на 5 минут в ячейку с температурой 363 К и под микроскопом наблюдали пространственное положение границы потемнения поверхности кристалла. Визуальные наблюдения показали: облученная часть кристалла темнела, необлученная оставалась оптически прозрачной. Если после облучения кристалл подвергался действию бесконтактного импульсного электрического поля, область потемнения смещалась и при одинаковой длительности импульса области потемнения и выделения газообразного продукта при растворении кристалла совпадали. Таким образом, подвижность носителей заряда носит амбиполярный характер, а ее максимальные значения (4±1 см2/В-с для азида свинца и 9±1 см2/В-с для азида серебра) определяют природу носителей заряда - электроны и дырки. Из этого следует: то, что инициирует появление газообразного продукта, дрейфует в кристалле с подвижностью электронов и дырок. Отметим, что зависимость амбиполярной дрейфовой подвижности носителей заряда от времени хранения образца симбатно кинетике пост-процессов, протекающих в азидах серебра и свинца после энергетического воздействия.

Наиболее разумным объяснением наличия в образцах продолжительное время (« 6-103 с) неравновесных электронов и дырок является реализация в образце процесса генерации неравновесных электрон-дырочных пар.

Исследование радиационно-химического разложения азидов по методике «торцевого» газа показало, что в момент максимума на кривой пост-процессов с торца кристалла, в масло, пузырьки газа выделяются у положительного электрода (в при-анодной области кристалла), в момент минимума - в при-катодной области. Это объясняется тем, что дрейф пакета неравновесных электронов и дырок характеризуется амбиполярной дрейфовой подвижностью:

п-р

—+—

Мр и,

где fip, ¡Jn\\p,n - микроподвижности и концентрации дырок и электронов соответственно. Из соотношения (6) следует, что максимум подвижности соответствует неравенствур<п, а минимумр>п.

Следует отметить, что количество газа, полученного по методу Хилла (в максимумах пост-процессов) и по методу «торцевого» газа, примерно одинаково. Исследование процесса твердофазного разложения ATM в таком

арианте позволило исключить влияния процесса растворения на разложение зидов, показало обоснованность применения более простого з инструментальном плане) метода Хилла, подтвердило предположение о еализации в течение нескольких часов в ATM процесса генерации электрон-ырочных пар.

Оценим количество дырок, участвующих в образовании радиолитического аза, по амплитуде первых максимумов кривой 1,2 (см. рис. 1). Количество ырок, израсходованных в химической реакции, составляет для азида свинца римерно 7-1014 штук, для азида серебра - 5-Ю14 шт. Сопоставляя количество ырок, генерированных облучением быстрыми электронами (оценено сспериментально с учетом дозы, поглощенной исследуемой системой), и дырок, зсходуемых в реакции образования молекулярного азота, в настоящей работе энаружено несоответствие их количеств, составляющее примерно 2 порядка, то позволяет сделать предположение о протекании в РО после энергетического «действия медленного разложения по цепному механизму.

Поскольку дислокации, как отмечалось выше (см. стр. 10\являются одним 1 необходимых условий для создания в кристаллах ATM реакционных зластей, то путем воздействия на дислокационную структуру этих веществ эжно управлять их реакционной способностью. В настоящей работе для ¿ведения дислокаций использовали: а) действие магнитного поля; б) »мбинированное действие механического напряжения и тянущего 1ектрического поля. В первом случае образцы помещали в магнитное поле шряженностью 5000 Э на 1-2 минуты. Этого времени достаточно для того, обы вывести все дислокации из кристалла, которые не выявляются методом юк травления в течение суток. Во втором случае на образец, помещенный ;жду металлическими пластинами, выставляется вольфрамовый индентор (не шее чем на 1 с) с радиусом закругления 10 мкм, что создает локальное :вление примерно 5000 атм (это, в свою очередь, ведет к срыву дислокаций со опоров). Затем к образцу прикладывается электрическое поле, которое особствует выходу дислокаций из кристалла. Если обработанные таким разом кристаллы подвергнуть действию облучения (с указанными выше раметрами), то разложения не происходит (отсутствует газовыделение), по айней мере, в течение 24 часов. После этого времени в кристаллах наружены дислокации методами порошковых фигур и ямок травления, и

кристалл вновь способен разлагаться. В течение этого времени кристаллы азидов свинца и серебра химически инертны к такому виду воздействия. Это еще раз указывает на то, что дислокации играют решающую роль в образовании реакционных областей. Схожесть полученных нами результатов с полученными ранее в работах, посвященных электрополевому и фотохимическому разложению, позволяет предполагать, что после облучения быстрыми электронами процесс разложения в азидах тяжелых металлов протекает в реакционных областях, которыми являются вакансионные кластеры (ВК), образованные краевыми дислокациями в приповерхностной области кристалла.

Обнаружено, что после облучения кристаллов ATM быстрыми электронами новые дислокации в кристаллах не образуются, но после облучения дислокации имеют иные пространственные координаты, смещение дислокаций в азиде серебра составляет 25-30 мкм (результаты получены при исследовании дислокационной структуры азидов методом ямок травления и порошковых фигур). Облучение азидов серебра и свинца приводит к срыву дислокаций со стопоров и дрейфу либо в поле механических напряжений, либо в полях объемных зарядов. Срыв дислокации и ее пространственное перемещение приводит к тому, что на прежнем месте не более чем через 10 с (время ограничивается методикой) залечивается ВК и, значит, исчезает реакционная область. На новом месте, в которое переместилась дислокация, ВК образуете« примерно через 60 с, в течение которых в кристалле сохраняется неравновесная концентрация электронов и дырок, генерированных при облучении быстрым* электронами. Был поставлен вопрос, как долго может поддерживаться сверхравновесная концентрация носителей заряда в облученном кристалле. Для чего, по разработанной в нашей лаборатории методике, мы изменяли время образования ВК - гд на новом месте дислокации. Генерированные npi облучении кристаллов электроны и дырки имеют эффективное время жизни г Если тгф < гд, то при растворении кристаллов признаков разложения н< обнаруживается. Экспериментально установлено, что пост-процессь наблюдаются при гд=5±2 мин. Отсюда следует: т^ также составляет 5±; мин. Очевидно, что это время не является временем жизни, определяемы» процессом рекомбинации. Возможно два объяснения этого факта долговременная релаксация неравновесной проводимости наблюдается неоднородных полупроводниках, где возможно пространственное разделени

лектронов и дырок, что увеличивает время диффузионно-дрейфовой стадии; с ругой стороны, если предполагать, что химическая реакция разложения ATM ротекает менее интенсивно и на других дефектах, как и в РО по цепному [еханизму. Обнаружить процесс разложения на других дефектах не позволяет увствительность используемых нами методик.

Влияние электрического поля на кинетику процессов, протекающих в зидах серебра и свинца после энергетического воздействия, исследовали в двух ариантах. Как показали результаты эксперимента, с увеличением апряженности приложенного в момент облучения бесконтактного продольного пектрического поля (напряженность которого изменяли в интервале ОО-ЗООВ/см) амплитуда пост-процессов линейно уменьшается, что хорошо эгласуется с представлениями о дислокационном механизме реакций, ротекающих в исследуемых образцах после воздействия. Дополнительное гйствие электрического поля, приложенного в момент облучения, приводит к )му, что часть дислокаций выходит из кристалла и, следовательно, деньшается количество РО. Это ведет к изменению дислокационной структуры ТМ, а значит, и реакционной способности этих материалов. Если на конец зисталла перед воздействием поместить капельку галлия, что является эепятствием для выхода дислокаций из кристалла, то можно создать большую тотность дислокаций в определенной области кристалла. Часть кристалла, 5огащенная таким образом дислокациями, обладает повышенной реакционной юсобностью вплоть до взрыва. Таким образом, изменяя с помощью ;сконтактного продольного электрического поля плотность дислокаций в ггевидных кристаллах азидов серебра и свинца, можно не только управлять >ст- процессами, протекающими в них после облучения, но и задавать 1Исунок" разложения.

При хранении облученных образцов в поперечном электрическом поле =1ч-15 В/см, время хранения облученного образца в поперечном ектрическом поле варьировали) в течение пост-процессов, помимо изменения [плитуды, происходит и изменение периода пост-процессов (см. рис. 3).

Для более наглядного представления влияния поперечного ектрического поля на разложение построен график зависимости значения ;плитуды первых максимумов на кривой кинетики пост-процессов от пряженности поля (см. рис. 4).

Рис. 3. Зависимость относительного объема выделяющегося радиологического газа от времени хранения облученных кристаллов А£Кз в бесконтактном поперечном электрическом поле:

1 - Е=5 В/см, 2 - Е=10 В/см, 3 - Е=15 В/см.

Рис.4. Зависимость амплитуды первых максимумов на кривой пост-процессов от

напряженности поперечного поля, приложенного к образцу после облучения

Известно, что в РО в приповерхностной области существует изгиб зон. Генерированные в результате облучения дырки должны уходить в объем кристалла с определенной скоростью, которая зависит от величины изгиба зон. С помощью поперечного электрического поля можно изменять величину приповерхностного изгиба зон, что ведет, в зависимости от полярности электрического поля, к уменьшению, либо увеличению скорости химической реакции. В рассматриваемом выше случае изгиб зон увеличивается, следовательно, увеличивается скорость вывода дырок, а это, в свою очередь, ведет к тому, что уменьшается скорость химической реакции (поскольку дырки рассматриваются в качестве реагентов).

Известно, что кристаллы ATM разлагаются под действием внешних энергетических факшров с образованием металла и азота. Однако дальнейшие исследования твердофазного разложения азидов свинца и серебра показали, что если подвергнутые внешнему воздействию образцы выдержать в течение суток при комнатной температуре, то при последующем растворении (использовались указанные выше растворители) обнаруживается газообразный продукт,

бладающий рядом свойств, не присущих молекулярному азоту. Пузырьки азообразного продукта не всплывают, а оседают на дно кюветы, в которой 'астворяют кристаллы и, в отличие от молекулярного азота, растворяются в ечение 20 минут. Таким образом, выделяющийся газ тяжелее азота. При блучении этого газа светом в интервале длин волн от 800 до 350 нм было бнаружено, что облучение светом с длиной волны 550 ± 10 нм ведет к величению объема пузырька газа не более чем в три раза. Указанные свойства е зависят от исследуемого материала образца (азид серебра, азид свинца), а акже от растворителя (водные растворы тиосульфата натрия, уксуснокислого ммония, моноэтаноламина). Эти результаты позволяют сделать предположение, го выделенный нами продукт является промежуточным продуктом разложения анионной подрешетке. Увеличение его объема в три раза, подсветкой светом с пиной волны 550 нм, делает возможным предположение, что промежуточный родукт - N6, существование и устойчивость которого подтверждают квантово-гмические расчеты и масспектрометрический анализ продуктов твердофазного сложения азида серебра. Кинетика «накопления» газообразного продукта, лделяемого через сутки после облучения ATM потоком быстрых электронов, эедставлена на рисунке 5.

¡0

л ß-Ю4, см

Т-1-1-►

Рис.5. Зависимость относительного объема

промежуто чного продукта от времени хранения образца после облучения.

10 20 30 40 txpaH.5 ч.

Экспериментальные исследования показали, что количество N6 актически не зависит от времени облучения и промежуточный продукт дленного разложения азидов серебра и свинца, по-видимому, образуется в

пост-процессах. Дополнительным доказательством этого предположения являются следующие результаты. Выше отмечалось, что если после облучения образцы хранить в поперечном бесконтактном электрическом поле либо в момент облучения прикладывать продольное электрическое поле, то можно управлять амплитудой и длительностью пост-процессов, которые длятся для азида серебра до 200 минут и отражают процессы как в электронной, так и в ионной подсистемах ATM.

Количество молекул газа, выделяемого при растворении облученных образцов в течение пост-процессов, пропорционально количеству дырок, генерируемых в ходе химической реакции с образованием N6, в которой выделяется достаточно энергии для поддержания цепи (подробно модель описана в работах Алукера Э.Д. и сотрудников). Таким образом, интегральное количество газа, выделяющегося в пост-процессах, должно коррелировать с количеством накопленного промежуточного продукта. На . рисунке 6 представлена зависимость относительного объема N6 от напряженности поперечного электрического поля, которое включали на 60 минут сразу после облучения азида серебра быстрыми электронами. Отметим, что хранение облученных образцов в поперечном поле более длительное время (3-4 часа) не приводит к изменению количества промежуточного продукта. Отсюда следует что дальнейшее время, примерно 20 часов необходимо для формирования кластера промежуточного продукта, дает возможность наблюдать npi растворении кристалла промежуточный продукт в виде пузырька газа.

Рис.6. Зависимость относительного объема Ыб от напряженности поперечного электрического поля, приложенного к образцу сразу после облучения (азид серебра).

Отметим, сравнивая рисунки 3-6, что наблюдается корреляция межд площадью под кривой пост-процессов и количеством накопленног

Р -104, см

Е, В/см

_омежуточного продукта N6. Зависимость относительного объема ромежуточного продукта от времени хранения образца после облучения (при азличной напряженности продольного бесконтактного электрического поля, рикладываемого в момент облучения) представлена на рисунке 7.

р-104, см

•I • ^ • ?.....г 2

4 з

Рис.7. Зависимость

относительного объема К6 от времени хранения образца после облучения при различной напряженности продольного электрического поля, приложенного к образцу в момент облучения (азид серебра): 1 -100 В/см, 2 - 200 В/см, 3 - 300 В/см.

40 tspa„, ч.

Итак, полученные экспериментальные результаты показали, что, эомежуточный продукт радиационно-химического разложения азидов серебра свинца действительно образуется в пост-процессах, поскольку изменение их тлитуды и длительности ведет и к изменению его количества. Таким образом, ¡меняя амплитуду и длительность пост-процессов, протекающих длительное >емя после энергетического воздействия в анионной подрешетке ATM, можно фавлять процессом накопления промежуточного продукта.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Установлена природа реакционных областей в азидах свинца и серебра при их облучении быстрыми электронами с энергией 0,18 МэВ. Реакционными областями являются вакансионные кластеры, образованные краевыми дислокациями в приповерхностной области кристалла.

2. Визуальные наблюдения показали, что при облучении быстрыми электронами кристаллов азида свинца и серебра дислокации срываются со стопоров, что приводит к разрушению реакционных областей.

3. Реакционные области после прекращения облучения восстанавливаются в течение, примерно, одной минуты, после чего

наблюдаются пост-процессы, которые носят затухающий колебательный характер.

4. Измерены амбиполярные дрейфовые подвижности носителей заряда, максимальные значения которых составляют в азиде свинца:

4±1 см2/В-с (положительная) и 2+1 см2/В-с (отрицательная), в азиде серебра 9±1 см2/В-с и 5±1 см2/В с соответственно. Показано, что в течение пост - процессов меняется соотношение концентраций электронов и дырок, генерируемых в РО действием облучения, ч¡о ведет к периодическому изменению величины и знака ам биполярной дрейфовой подвижности носителей заряда.

5. Экспериментально установлено, что промежуточный продукт радиационно-химического разложения в анионной подрешетке ATM образуется во время пост-процессов.

6. Разработаны методики управления скоростью пост-процессов и количеством промежуточного продукта.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. Газенаур Е.Г. Пост-процессы в кристаллах азида свинца после облучения быстрыми электронами // Тез. докл. конф. "Студенты и молодые ученые КемГУ", 1994г., Кемерово. - 4.2. - С.89.

2. Крашенинин В.И., Газенаур Е.Г., Сталинин А.Ю. Способ визуального определения дрейфовой подвижности в азидах тяжелых металлов. Патент RU2080688 1997. Бюл. №15,- С.1-8.

3. Газенаур Е.Г., Крашенинин В.И. Длительная релаксация в азидах свинца и серебра после облучения быстрыми электронами // Тез. докл. 1 Междун. конф. "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах". 22-25 сентября 1998г. - Томск, 1998. - С.85-86.

4. Крашенинин В.И., Газенаур Е.Г., Цых А.Я. Амбиполярная дрейфовая подвижность носителей заряда в кристаллах азида свинца и серебра, облученных быстрыми электронами // Тез. докл. Междун. конф. "Физико-химические процессы в неорганических материалах", 6-9 октября 1998г. - Кемерово, 1998. -С.123-124.

. Газенаур Е.Г., Крашенинин В.И., Хальзова Ю.В. Пост-процессы разложения в. зидах свинца и серебра, инициированные действием быстрых электронов // Тез. ;окл. Междун. конф. "Физико-химические процессы в неорганических [атериалах", 6-9 октября 1998г. - Кемерово, 1998. - С.112-113. . Цых А.Я., Газенаур Е.Г. О механизме образования радиолитического газа в ристаллах азида свинца и серебра, облученных быстрыми электронами // Материалы XXXVII Междун. конф. "Студент и научно-технический прогресс", прель 1999, Новосибирск. 1999. - С. 121-122.

. Крашенинин В.И., Газенаур Е.Г., Цых А.Я. О дислокационном механизме азложения азидов свинца и серебра, облученных быстрыми электронами // Тез. окл. Междун. конф. по радиационной физике и химии неорганических атериалов, 21-25 сентября 1999 г. - Томск, 1999. - С.208-209. . Газенаур Е.Г, Чернышева Е.Е. Реакционная способность азидов свинца и гребра, облученных быстрыми электронами // Тез. докл. 1 Всероссийской [колы молодых ученых "Радиационная физико-химия неорганических атериалов", 21-25 сентября 1999 г. - Томск, 1999. - С.99.

Газенаур Е.Г., Крашенинин В.И. О механизме разложения кристаллов азида винца и серебра, облученных быстрыми электронами // Тез. докл. 1 «российской школы молодых ученых "Радиационная физико-химия ^органических материалов", 21-25 сентября 1999 г. - Томск, 1999. -С. 98. ). Газенаур Е.Г., Крашенинин В.И. О механизме разложения кристаллов азида нища и серебра, облученных быстрыми электронами // Труды 1 Всероссийской-колы молодых ученых "Радиационная физико-химия неорганических атериалов", 21-25 сентября 1999 г. - Томск, 1999. -С. 16-23. I. Чернышева Е.Е. Газенаур Е.Г. Разложение нитевидных кристаллов азида ;ребра, инициированное ионизирующим излучением // Материалы гждународной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным, ¡укам "Ломоносов-2000", 12-15 апреля 2000 г. - Москва, 2000. - С. 255. I. Крашенинин В.И., Газенаур Е.Г. Медленное разложение азида серебра при ¡лучении быстрыми электронами. // Тез. докл. III Баховской конференции по щиационной химии, 5-7 июня 2000 г. - Москва, 2000. - С. 42. I. Газенаур Е.Г., Крашенинин В.И. Влияние облучения на дислокационную руктуру азидов тяжелых металлов // Тез. докл. V международной школы-минара "Эволюция дефектных структур в конденсированных средах", 24-28 оня 2000 г. - Барнаул: АлтГТУ, 2000.- С. 13-14.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Газенаур, Екатерина Геннадьевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Свойства азидов тяжелых металлов.

1.1.1. Некоторые физико-химические свойства азидов серебра и свинца.

1.1.2. Кристаллическая структура азидов серебра и свинца.

1.1.3. Электронная структура азид-иона.

1.1.4. Энергетическая структура азидов тяжелых металлов.

1.2. Дефектная структура азидов тяжелых металлов.

1.2.1. Общая характеристика дефектов.

1.2.2. Линейный дефект кристаллической структуры азидов серебра и свинца.

1.3. Электрополевое разложение азидов тяжелых металлов.

1.4. Длительная релаксация в кристаллах азидов тяжелых металлов после энергетического воздействия.

1.5. Процессы, инициированные в азидах тяжелых металлов действием излучения.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ И ОБРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ.

2.1. Синтез и выращивание кристаллов азидов свинца и серебра.

2.2. Приготовление образцов.

2.3. Методика исследования пост-процессов разложения в азидах тяжелых металлов.

2.4. Волюмометрические методы анализа газообразных продуктов разложения.

2.4.1. Метод Хилла.

2.4.2. Методика «торцевого» газа.

2.4. Методика измерения дрейфовой подвижности носителей заряда.

2.5. Методика исследования дислокационной структуры азидов тяжелых металлов.

2.5.1. Метод ямок травления.

2.5.2. Метод порошковых фигур.

2.6. Дозиметрия импульсного излучения.

2.7. Статистическая обработка результатов эксперимента.

ГЛАВА 3. Медленное разложение азидов серебра и свинца, инициированное облучением быстрыми электронами.

3.1. Взаимодействие облучения с веществом.

3.2. Физико-химические процессы, протекающие в азидах свинца и серебра после облучения (пост-процессы).

3.2.1. Кинетика пост-процессов.

3.2.2. Топография распределения продуктов разложения.

3.2.3. Пост-процессы. Амбиполярная дрейфовая подвижность носителей заряда.

3.3. Влияние облучения на дислокационную структуру азидов тяжелых металлов.

3.4. Управление амплитудой и длительностью пост-процессов в азидах серебра и свинца.

3.4.1. Управление амплитудой и длительностью пост-процессов, с помощью бесконтактного продольного электрического поля, приложенного в момент облучения.

3.4.2. Хранение облученных кристаллов азидов серебра и свинца в бесконтактном поперечном электрическом поле.

3.5. О продуктах медленного разложения в анионной подрешетке азидов серебра и свинца, облученных быстрыми электронами.

Введение диссертация по химии, на тему "Медленное разложение азидов серебра и свинца, инициированное облучением быстрыми электронами"

Важнейшей задачей химии вообще и химии твердого тела в частности является разработка эффективных методов целенаправленного изменения скоростей химических реакций. Кроме того, в химии твердого тела достаточно остро стоят проблемы стабильности и реакционной способности твердых тел по отношению к внешним энергетическим воздействиям.

Азиды тяжелых металлов (ATM) являются типичными представителями класса энергетических материалов, которые под действием на них внешних факторов различной природы претерпевают необратимые превращения с образованием инертных конечных продуктов - молекулярного азота и металла (легко анализируемого традиционными физико-химическими методами). Под влиянием внешнего энергетического воздействия система может перейти как к стационарному состоянию с постоянной скоростью разложения в анионной и катионной подрешетках, так и к самоускоряющемуся режиму, который завершается взрывным разложением образца.

Основные достижения в исследовании процессов твердофазного разложения азидов связаны с изучением медленно протекающих процессов разложения, стимулированных нагреванием, воздействием электрического поля и стационарным облучением образцов. Импульсное же излучение, в основном, использовалось для инициирования взрывного разложения.

Основной объем экспериментальных результатов по радиационно-химическому разложению ATM получен на поликристаллических прессованных образцах или макрокристаллах, реальная дефектная структура которых не учитывалась. Последние исследования электрополевого и фотохимического разложения ATM показали, что процессы медленного разложения локализованы в некоторых реакционных областях, где концентрация собственных точечных дефектов выше, чем в остальной части образца.

Последние экспериментальные и теоретические исследования физико-химических процессов, инициированных импульсным излучением показали, что в кристаллах ATM возможно протекание разветвленной цепной химической реакции. Состояние кристаллов после воздействия импульсного излучения не рассматривалось. В связи с чем, важной и актуальной становится задача исследования механизма пост-процессов, протекающих в исследуемых веществах после воздействия импульсов ускоренных электронов, с уточнением природы реакционных областей, разработки эффективных методов управления реакционной способностью азидов серебра и свинца.

Целью данной работы является изучение физико-химических процессов, инициированных в нитевидных кристаллах азидов серебра и свинца действием импульсов электронов наносекундной длительности, исследование влияния электрического поля на их протекание, разработка методов управления скоростью разложения и реакционной способностью этих материалов.

При этом в качестве основных задач исследования определены:

- изучение кинетики процессов, протекающих в азидах серебра и свинца после облучения (пост-процессов);

- установление природы реакционных областей;

- установление взаимосвязи между концентрацией краевых дислокаций в кристаллах ATM, реакционной способностью и стабильностью этих материалов к импульсному излучению;

- разработка методов управления скоростью протекания постпроцессов;

- изучение природы и свойств промежуточного продукта медленного разложения азидов серебра и свинца.

Научная новизна работы:

- впервые показано, что при облучении азидов серебра и свинца краевые дислокации срываются со стопоров, что приводит к разрушению реакционных областей.

- впервые показано, что разложение в реакционных областях происходит через одну минуту после прекращения облучения.

- впервые обнаружено, что промежуточный продукт радиационно-химического разложения азидов серебра и свинца образуется во время протекания пост-процессов разложения.

- разработана методика управления амплитудой и длительностью постпроцессов, что позволило изменять количество промежуточного продукта.

Практическая значимость работы:

Обнаружены и исследованы процессы длительной релаксации в кристаллах ATM после облучения быстрыми электронами, взаимосвязь между концентрацией структурных дефектов (дислокаций) и процессов, протекающих при воздействии импульсным излучением, предложен метод управления скоростью твердофазной химической реакцией и способ задания реакционной способности кристаллов, которые позволяют не только прогнозировать, но и управлять долговременной стабильностью и реакционной способностью ATM при импульсном воздействии. Выбор объектов исследования также определяет практическую значимость работы, поскольку ATM являются инициирующими взрывчатыми веществами.

Основными положениями, выносимыми на защиту являются:

- природа реакционных областей в азидах серебра и свинца при облучении их быстрыми электронами.

- способ управления амплитудой и длительностью пост-процессов, инициированных импульсами электронов наносекундной длительности.

- метод управления скоростью образования и количеством промежуточного продукта.

Структура и объем диссертации.

Представляемая работа состоит из введения, трех глав, выводов, списка литературы и содержит 135 страниц машинописного текста, 45 рисунков, 3 таблицы. Список литературы содержит 138 наименований.

Вторая глава посвящена описанию методик синтеза объектов исследования, методикам изучения медленного разложения, инициированного действием облучения. Описан разработанный нами метод управления амплитудой и длительностью процессов, протекающих в ATM после облучения.

В третьей главе представлены результаты исследования медленного разложения, инициированного в нитевидных кристаллах азидов серебра и свинца облучением быстрыми электронами. Показано, что реакция разложения в анионной подрешетке азидов серебра и свинца протекает длительное время после облучения до образования устойчивого промежуточного продукта. Разработаны методики его выделения и накопления, изучены некоторые свойства. Описан способ управления твердофазными реакциями разложения с помощью бесконтактного электрического поля. Установлено, что процесс радиационно-химического разложения ATM локализован в реакционных областях, образованных краевыми дислокациями в приповерхностной области кристалла. Выявлено влияние дислокаций на кинетику и топографию выделения продуктов разложения.

Список литературы приведен в конце диссертации.

Автор считает своим приятным долгом выразить признательность и глубокую благодарность научным руководителям доктору физико-математических наук, доценту Крашенинину В.И. и кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Захарову В.Ю.; доктору химических наук, профессору Рябых С.М., кандидату физико-математических наук, доценту Каленскому A.B., за консультации и полезные дискуссии; кандидату физико-математических наук, докторанту Алукер Н.Л., кандидату химических наук, старшему преподавателю Пугачеву В.М., кандидату физико-математических наук, старшему преподавателю Кузьминой Л.В., научным сотрудникам Бардиной И.И., Нестерюк Л.С. за помощь и сотрудничество в работе, а также всему коллективу проблемной научно-исследовательской лаборатории «Спектроскопии твердого тела».

Заключение диссертации по теме "Физическая химия"

Основные результаты и выводы

3. Реакционные области после прекращения облучения восстанавливаются в течение, примерно, одной минуты, после чего наблюдаются пост-процессы, которые носят затухающий колебательный характер.

4. Измерены амбиполярные дрейфовые подвижности носителей заряда, максимальные значения которых составляют в азиде

О О свинца : 4+1 см /В-с (положительная) и 2+1 см /В-с

О О отрицательная), в азиде серебра 9±1 см /В-с и 5±1 см /В соответственно. Показано, что в течение пост процессов меняется соотношение концентраций электронов и дырок, генерируемых в РО действием облучения, что ведет к периодическому изменению величины и знака амбиполярной дрейфовой подвижности носителей заряда.

Заключение

Совакупность представленных выше экспериментальных результатов позволяет сделать следующие предварительные выводы.

Облучение быстрыми электронами инициирует в нитевидных кристаллах азидов серебра и свинца процессы разложения, которые, как показали результаты экспериментальных исследований, локализованы в реакционных областях, пространственно ограниченных вакансионными кластерами, образованными краевыми дислокациями в приповерхностной области кристалла.

Основная роль облучения сводится к генерации неравновесных электронов и дырок, а также уменьшению приповерхностного энергетического барьера для выхода дырок в приповерхностную область. Кинетика процессов, протекающих длительное время после воздействия (пост-процессы) носит полиэкстремальный характер, отражающий сложные электронные и ионные процессы, происходящие в кристалле, выведенном из состояния равновесия внешним воздействием

Несоответствие количества дырок, генерированных облучением быстрыми электронами и дырок, расходуемых в реакции образования конечного газообразного продукта позволяет сделать предположение о протекании в реакционных областях после энергетического воздействия медленного разложения по цепному механизму. Показано, что реакция разложения ATM в анионной подрешетке является мономолекулярной.

Экспериментально доказано существование промежуточного продукта разложения азидов серебра и свинца в твердой фазе, изучены некоторые его свойства. При анализе промежуточного продукта медленного разложения азида свинца с помощью метода описанного на стр. 107 данной работы (назовем его метод «спектроскопии разложения») отмечено существование еще одной полосы (580±10 нм) с увеличением

118 объема пузырька выделяющегося газообразного продукта в девять и более раз. По-видимому, в продуктах радиационно-химического разложения азида свинца содержатся более длинные цепи. Исследование этого эффекта является самостоятельной научной задачей, требующей разработки дополнительных методик, что выходит за рамки настоящей диссертационной работы.

В методическом плане удалось впервые: разработать методики изменения амплитуды и длительности пост-процессов, что позволило управлять не только процессами, протекающими длительное время после энергетического воздействия в анионной подрешетке ATM, но и количеством промежуточного продукта; изменяя дислокационную структуру исследуемых веществ управлять их реакционной способностью и стабильностью к воздействию импульсами электронов наносекундной длительности.

Список источников диссертации и автореферата по химии, кандидата физико-математических наук, Газенаур, Екатерина Геннадьевна, Кемерово

1. Боуден Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твердых телах. - М.: Изд. иностранной литературы, 1962. - 243 с.

2. Янг Д. Кинетика разложения твердых веществ. М.: Мир, 1996.- 263 с.

3. Химическая энциклопедия. / Под ред. Кнунянца И.Л. М.: Изд. Советская энциклопедия, 1988. - Т.1. - 623 с.

4. Багал Л.И. Химия и технология инициирующих взрывчатых веществ. -М.: Машиностроение, 1975. 456 с.

5. Evans B.L., Yoffe A.D., Gray P. Physics and chemistry of inorganic azides. // Chem. Rev. 1959. - V.59. -N.4. -P.515-569.

6. Energetic materials. Physics and chemistry of inorganic azides. / Edited by Faer H.D., Walker R.F. New York, 1977. V. 1. - 503 p.

7. Gray P. Chemistry of inorganic azides. // Quart. Rev. Chem. 1963. - V.17. -N.l. -P.771-793.

8. Muller U. Strukturchmie der azide. // Z. Anorg. Allg. Chem. 1972. - V.392. N.2. -P.97-192.

9. West C.D. The structure of silver azide. // Cristallogr. 1965. - V.95. -P.421-425.

10. Сидорин Ю.Ю., Пугачев B.M., Диамант Г.М. Структурные исследования азидов тяжелых металлов. // Деп. ВИНИТИ, 1985. №9016-в85.

11. Azarov L.V. Structural investigation of lead azide. // Cristallogr, 1956. -V.107. -P.362-369.

12. Sawkill J. Nucleation in silver azide an investigation by electron microscopy and diffraction. //Proc. Roy. Soc. 1955. - V.229. -N.1176. - P. 145-142.

13. Marr H.E., Stanford R.H. The unit-cell dimension of silver azide. // Acta crystallogr. 1962. - V.15. -P.1313.

14. Gora Т., Kemmey P.J. Charge distribution of the azide ion. // J. Chim. Phys., 1972. V.57. -N.8. -P.3579-3581.

15. Химия псевдогалогенидов. / Под. ред. Голуба A.M., Келлера X., Сконенко В.В. Киев: Высшая школа, 1984.

16. Гордиенко А.Б., Журавлев Ю.Н. Поплавной А.С. Электронная структура азидов металлов. // Тез. докл. 6 Междун. конф. «Радиационные гетерогенные процессы». Кемерово: КемГУ. 1995. - 4.1. - С.21-22.

17. Robbilard J.J. Possible use of certain metallic azides for development of fled controlleddry photografic process. // J. Photograf. Sci. -1971. V.19. -P.25-37.

18. Гордиенко А.Б., Журавлев Ю.Н. Поплавной A.C. Энергетическая зонная структура азида серебра. // Изв. Вузов, физика, 1992. №2. - С. 3843.

19. Захаров Ю.А., Колесников JI.B., Черкашин А.Е. Энергетика и природа энергетических зон азида серебра. // Изв. АН СССР, сер. неорг. материалы, 1979. Т. 14. - №7. - С.1283-1288.

20. Захаров Ю.А., Колесников Л.В., Черкашин А.Е., Баклыков С.П. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в азиде свинца. // Журнал оптика и спектроскопия, 1978. Т. 45. - В.4. - С.725-730.

21. Захаров Ю.А., Колесников JI.B., Черкашин А.Е., Кащеев С.В. Исследование методом внешней фотохимии азида серебра. // Изв. Вузов, физика, 1975. Т.44. - №6. - С.44 - 50.

22. Захаров Ю.А., Федоров Г.М. Исследование электронных состояний в азидах тяжелых металлов методом внешней фотоэмиссии электронов. // Деп. ВИНИТИ, 1977. №3235-77. - 38 с.

23. Мс Laren А.С., Rogers G.T. The optical and electrical properties of AgN3 and their relation to its decomposion. // Proc. Roy. Soc. 1958. - V.246. - P.250-253.

24. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Дробчик А.Н., Кречетов А.Г., Митрофанов А.Ю., Кукля М.М., Кунц А.Б., Юнк Э.Х. Предвзрывная люминесценция азида свинца. // Изв. Вузов, физика, 2000. Т.43. - №3. -С. 17-22.

25. Pisani С., Dovesi R., Roetti С. Hartree-Fock ab initio treatment of crystalline systems. // Lecture Notes in Chemistry. Springer Verlag, Heidelberg, 1988. -V.48.

26. Dovesi R., V.RSaunders, C.Roetti, CRYSTAL92 User Documentation, University of Torino and SERC Daresbury Laboratory, 1992.

27. Durand P., Barthelat J.C. Chem. Phys. Lett, 1974. V.27. - P. 191; Theor. Chem. Acta, 1975. - V.38. -P.283.

28. Болдырев B.B. Влияние дефектов в кристаллах на скорость термического разложения твердых веществ. Томск: ТПУ, 1963. 248 с.

29. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М: Мир, 1969. 656 с.

30. Химия твердого тела. Под ред. Гарнера В. М: Ин. лит, 1962. 544 с.

31. Захаров Ю.А. Электронно-ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических соединений: Дисс.д.х.н. 02.00.04. Томск, 1975.-481 с.

32. Захаров Ю.А., Баклыков С.П., Шечков Г.Т. Точечные дефекты и ионная электропроводность в азиде свинца. // Изв. АН СССР, серия неорган, материалы, 1980. Т. 16. - №1. - С. 62-67.

33. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. - 792 с.

34. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. - 606 с.

35. Shottky W. Uber der mechanismus der ionenbewegung in festen electroliten. //Phys. Chem. 1935. -N.4. -P.235-240.

36. Frenkel J. Uber der Warmebewegung in festen und flussigen korper. // Zs. Fur Physik, 1926. V.35. -N.819. -P.659-666.

37. Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А., Иванов Ф.И. Разложение азидов металлов в сильном электрическом поле. Топография и некоторые макроскопические закономерности разложения монокристаллов PbN6, AgN3 и TIN,. Н Химия высоких энергий, 1973. Т.7. - №3. - С.261-268.

38. Рябых С.М. Радиационно-химическое разложение азидов тяжелых металлов как гетерогенный процесс. // Химическая физика, 1985. Т.4 -№12.-С. 1654-1661.

39. Рябых С.М. Особенности радиолиза инициирующих взрывчатых веществ. // Химия высоких энергий, 1988. Т. 22. - №5. - 387-397.

40. Захаров Ю.А., Гасьмаев В.К., Баклыков С.П. Морейнс Ю.Р. Ионный и электронно-дырочный токоперенос в азиде серебра. // Физическая химия, 1978. Т.52. - вып.8. - С.2076-2078.

41. Гасьмаев В.К., Захаров Ю.А. Характер электропроводности и термическое разложение азида серебра. // Физическая химия, 1972. Т.46. -вып. 11. -С.2967.

42. Захаров Ю.А., Гасьмаев В.К., Колесников JI.B. О механизме ядрообразования при термическом разложении азида серебра. // Физическая химия, 1976. Т.50. - вып.7. - С. 1669-1673.

43. Сангвал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение. -М.: Мир, 1990.-496 с.

44. Bullough R., Newman R. Kinetik of migration point defects in dislokation. // Rep. Prog. Phys. 1970. - V.33. -N.22. -P.101-130.

45. Коттрел A.X. Дислокации и пластическое течение в кристаллах. М: Мет. Изд.- 1958. -268 с.

46. Иванов Ф.И. Роль структурно-деформационных дефектов в процессах, протекающих при фото и электрополевом воздействии в азидах тяжелых металлов. //Изв. СО АН СССР, серия хим. наук, 1985. №11. - В.4. - С.63.

47. Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. - 643 с.

48. Иванов Ф.И., Лукин М.А., Назарова Г.В. Дислокационная структура и некоторые физико-химические свойства НК азидов тяжелых металлов. // Матер. 3 Всесоюз. конф. "Нитевидные кристаллы для новой техники." -Воронеж.- 1979.-С. 181-184.

49. Кузьмина Л.В. Разложение азидов серебра и свинца в электрическом и магнитном полях. Дисс.к.ф.-м.н 02.00.04. Кемерово, 1998. - 149 с.

50. Крашенинин В.И., Иванов Ф.И., Кузьмина Л.В., Захаров В.Ю. Пластическая деформация и некоторые аспекты твердофазных реакций внитевидных кристаллах азида серебра. // Изв. Вузов, серия черная металлургия, 1996. №2. - С.68-70.

51. Иванов Ф.И., Зуев Л.Б., Урбан H.A. Влияние дислокаций на распределение продуктов фотохимического разложения нитевидных кристаллов азида свинца. // Изв. АН СССР, серия неорг. материалы, 1985. -Т.21. №5. - С.783-786.

52. Крашенинин В.И., Кузьмина Л.В., Захаров В.Ю., Сталинин А.Ю. Электрополевое разложение азида серебра: влияние поперечных электрического и магнитного полей. // Химическая физика, 1995. Т. 14. -№4. - С. 126-135.

53. Krasheninin V.l., Kuzmina L.V., and Zakharov. On the electric field effect on the decomposition rate of filament silver cristals. // Chem. Phys. Reports, 1997.-Vol. 16(4),p. 659-663.

54. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.-416 с.

55. Као К, Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. 4.1. М.: Мир, 1984.-352 с.

56. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. - 560 с.

57. Крашенинин В.И., Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. Инжекционные токи в некоторых азидах тяжелых металлов. // Изв. АН СССР, сер. неорг. материалы, 1987. Т. 23. - №9. - С. 1567-1569.

58. Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. Общие закономерности разложения твердых веществ в электрическом поле. // Сб. «Кинетика и механизм химических реакций в твердом теле». Черноголовка, 1981. - С. 152-161.

59. Иванов Ф.И., Рапопорт Г.А., Сухушин Ю.Н. Разложение азидов тяжелых металлов в сильном электрическом поле. // Сб. «Химия и химическая технология». Томск: ТГУ, 1973. - Т. 1. - С.113-116.

60. Крашенинин В.И. Управление процессом медленного разложения в азидах серебра и свинца электрическим и магнитным полями. Дисс. д.ф.-м.н. 02.00.04. Кемерово, 1999.-234 с.

61. Geurst J.A. Theory of space-charge limited currents in thin semiconductor layers. //Phys. Status Solidi, 1996. -№15. -P. 107-118.

62. Zakharov V.Yu., Krasheninin V.I., Kouzmina L.V., Zakharov Yu.A. The control of solid phase decomposition of silver azide by noncontact electric field. //SolidState Ionics. 1997. V.101-103. -P.161-164.

63. Крашенинин В.И., Захаров В.Ю., Кузьмина JI.B. Тепловой эффект при электрополевом разложении азида серебра // Химическая физика, 1997. -Т. 16. -№5.-С. 96-99.

64. Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. // Физика и техника полупроводников, 1976. Т. 10. - В.2. - С.209-233.

65. Sawkill J. Decomposition of AgN3 under influence of electrons. // Proc. Roy. Soc. London, 1955. V.229. - P. 135.

66. Evans B.L., Yoffe A.D. Absorbtion spectra and associated photoconductivity of pure and decomposed crystals of azides. // Nature, 1959. -V.183. -P.124.

67. Рябых С.М., Карабукаев К.Ш. Кинетика взрывного разложения азидов серебра и свинца, инициируемого импульсом электронов. // Межвуз. Сб. научн. трудов «Радиационно-стимулированные явления в твердых телах». Свердловск, 1988. - С.51-54.

68. Рябых С.М., Домрачев А.И. Оптическое поглощение кристаллов облученного азида серебра. // Сб. «Спектроскопия конденсированных сред». Кемерово, 1980. -С.206.

69. Рябых С.М., Коновалова Ф.И. Химические процессы при растворении облученного азида серебра. // Журнал физической химии, 1980. Т. 54. -№10.-С. 2636-2639.

70. Рябых С.М. Особенности кинетики радиационно-химического разложения азидов тяжелых металлов. // Химия высоких энергий, 1992. -Т.26. №1. С.54-58.

71. Рябых С.М. Радиационные процессы в азвдах тяжелых металлов. // Изв. АН Латв. ССР, серия физ. и техн. науки, 1984. №3. С.93-104.

72. Захаров Ю.А., Рябых С.М., Лысых Л.П. Топография выделения продуктов радиолиза азида свинца. // Физическая химия. 1971. - Т.45. -С.327-329.

73. Рябых С.М., Мешков В.А. Определение степени разложения азида серебра при радиолизе по газовыделению. // Физическая химия, 1973. -Т.47.-С. 740-741.

74. Рябых С.М., Адушев Г.П. Особенности начальных стадий радиационного газовыделения в азиде серебра. // Сб. "Химия твердого состояния". Кемерово, 1981. - С.92-101.

75. Рябых С.М. Радиационная химия азидов тяжелых металлов. Дисс.д.х.н. 02.00.04. Кемерово: КГУ, 1984.-411 с.

76. Иванов Ф.И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов и их роль в фото- и электрополевом разложении. Дисс.д.х.н. 02.00.04. Кемерово, 1997.-497 с.

77. Ivanov F.I., Urban N.A. Mechanism of Photomechanical deformation of ß-lead azide whisker crystals. // Reactivity of Solids, 1986. V. 1. - P. 165-170.

78. Иванов Ф.И. Напряженно-деформированные и зарядовые состояния в нитевидных кристаллах ß-азида свинца. // Изв. Вузов, чер. металлургия, 1996. №2. - С. 62-68.

79. Иванов Ф.И. Развитие представлений о механизме разложения и инициирования детонации в азиде свинца при энергетических воздействиях. // Сибирский хим. журнал, Изв. СО РАН, 1992. В.4. - С. 139-146.

80. Иванов Ф.И., Урбан H.A., Ситко О.Л. Влияние механической деформации на кинетические закономерности разложения азида свинца при световом воздействии. / Межвузовский сб. научных трудов. -Свердловск. 1988. С.55-59.

81. Болдырев В.В. Топохимия термического разложения твердых веществ. // Успехи химии. 1973. - Т.42. - вып.7. - С. 1161-1183.

82. Ерофеев Б.В., Беляев В.В. Дислокационный механизм эффекта Топли-Смига. // Докл АН СССР. 1978. - Т.23. - №12. - С. 1101-1102

83. Ерофеев Б.В. Дислокационный и деформационный механизм реакций с участием твердых веществ. / В кн.: Кинетика и механизм химических реакций в твердом теле. Минск, 1975. С. 17 -19.

84. Раевский А.Е., Манелис Г.Б., Болдырев В В., Вотинова JI.A. О роли дислокаций в процессе термического разложения кристаллов перхлората аммония. // Докл АН СССР. 1965. - Т. 160. - №5. - С. 1136-1139.

85. Рябых С.М., Захаров Ю.А. О некоторых закономерностях газовыделения при радиолизе азида свинца. // Изв. Вузов «Химия и химическая технология», 1970. Т. 13. - вып. 12 - С. 1737-1739.

86. Рябых С.М., Мешков В.А. Радиационно-химическое разложение азида серебра в анионной подрешетке. // Изв. Вузов. Серия химия и химическая технология, 1972. Т. 15. - С.652-653.

87. Кригер В.Г., Ханефт A.B., Колпаков О.Л. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов. / В кн.: Химия твердого состояния. Кемерово, КемГУ, 1981. - С.56-58.

88. Bartlett В.Е., Tompkins F.S., Young R.C. Decomposition of AgN3. // Proc. Roy. Soc., 1958. V.246. -P.206-215.

89. Gora T., Downs D.S., Kemmey P.J. and Sharma J. Electronic structure of the azide ion and metal azide./ In: Energetic materials. New York, Plenum Press, 1977. Y. 1.-P. 193 -250.

90. Пикаев A.K. Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты. -М: Наука, 1987. С.448.

91. Mark S. Workentin, Brian D. Wagner, Fabrizia Negri, Marek Z. Zgierski, Janusz Lusztyk, Willem Siebrand, and Danial D.M. Wayner. N^. Spectroscopicand Theoretical Studies of an Unusual Pseudohalogen Radical Anion. I I J. Phys. Chem. 1995, 99,P.94-101.

92. Кригер В.Г. Поляронный характер носителей заряда в азиде серебра. // Неорганические материалы, 1992. Т. 18. - №6. - С.960-964.

93. Кригер В.Г, Каленский A.B. Размерный эффект при инициировании разложения азидов тяжелых металлов импульсным излучением. // Химическая физика, 1996. -Т. 15. №3. - С. 40-47.

94. Кригер В.Г. Анализ механизмов и кинетика реакций твердофазного разложения некоторых солей со сложным анионом. Дисс.к.ф.-м.н. -Кемерово, 1982. -178 с.

95. Ханефт A.B., Кригер В.Г. Механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом. // 4 Всесоз. Совещание по детонации. -Черноголовка, 1988. -4,2. -С.205-211.

96. Кригер В.Г., Каленский A.B. Инициирование азидов тяжелых металлов импульсным излучением. // Химическая физика, 1995. Т. 14. - №4. - С. 152 -160.

97. Кригер В.Г., Каленский A.B. Образование очага цепной реакции при лазерном инициировании азидов тяжелых металлов. // Тез. докл. 9 Междун. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9, 1996. Томск. - С. 218-219.

98. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Захаров Ю.А., Кречетов А.Г. Исследование взрывного разложения азида серебра методами спектроскопии с высоким временным разрешением. // Изв. ВУЗов, физика, 1996. Т.39. - №11. - С. 162 - 175.

99. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Кречетов А.Г. Предвзрывная проводимость азида серебра. // Письма в ЖЭТФ, 1995. Т. 22. - В.З. - С. 203-204.

100. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Захаров Ю.А., Кречетов А.Г. Чубукин И.В. Взрывная люминесценция азида серебра. // Письма в ЖЭТФ, 1997. Т.66. -№2.- С. 101-103.

101. CimiragliaR. //Chem. Phys. Lett. 1981. V.83. -N.2. -P.317-319.

102. Saxe, P.; Schaefer III, H. F. Cyclic D6h hexaazebenzene a relative minimum on the N6 potential energy hypersurface. // The Journal of the American Chemical Society. - 1983. -V. 105. - P. 1760-1764

103. Huber H., Nguyen M.T. Is N6 an opem chain molecule. // J. Mol. Strut. -1983. -N.105. -P.351-358.

104. Hayou E., Simic M. Absorption Spectra and Kinetics of the Intermediate Produced from the Decay of Azide Radicals. // The Journal of the American Chemical Society. 1970. - V. 92, № 25. - P. 7486 - 7487

105. Engelke, R. Five stable points on the Ne hypersurface; structures, energies, frequencies, and chemical shifts. // The Journal of Physical Chemistry. 1989. -V. 93.-P. 5722-5727

106. Кригер В.Г., Каленский A.B., Булушева Л.Г. Квантово-химическое моделирование реакции 2N3-3N2. // Тез. докл. 9 Междун. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9, 1996. -Томск. С. 224-225.

107. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Гордиенко А.Б., Митрофанов А.Ю., Поплавной A.C. Спектр предвзрывной люминесценции азида таллия. // Письма в ЖЭТФ, 1999. Т. 25. - В.9. - С. 28-30.

108. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Дробчик А.Н., Кречетов А.Г., Митрофанов А.Ю. Взрывная люминесценции азида серебра. // Деп. ВИНИТИ Per. №1122-В99, от 14.04.99. -41 с.

109. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Кречетов А.Г. Предвзрывная люминесценции азида серебра. // Химическая физика, 1997. Т. 16. - №8. -С.130-136.

110. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Кречетов А.Г., Митрофанов А.Ю. Модели взрывного разложения азидов тяжелых металлов. // Деп. ВИНИТИ Per. №1124-В99, от 14.04.99.-41 с.

111. Иванов Ф.И., Зуев Л.Б., Лукин М.А., Мальцев В.Д. О выращивании нитевидных кристаллов азидов серебра и свинца. // Кристаллография, 1983.-Т.28.-№1.-С. 194-196.

112. HealH.G. Amicrogazometric procedure. //Nature, 1953. V.172. - Р.30.

113. Вонсовский C.B. Магнетизм. -М.: Наука, 1971. 1031 с.

114. Пикаев А.К. Химические методы дозиметрии импульсного электронного излучения. // Успехи химии, 1972. Т.41. - №9.- С. 16961712.

115. Штольц В., Бернхардт Р. Дозиметрия ионизирующего излучения. -Рига: Зинатне, 1982. 142 с.

116. Воробьев A.A., Кононов Б.А. Прохождение электронов через вещество. Изд-во ТГУ: Томск, 1966. 177 с.

117. Уильяме У.Дж. Определение анионов. М: Химия. 1982. -145 с.

118. Шварц К.К. Грант З.А., Меже Т.К., Грубе М.М. Термолюминесцентная дозиметрия. Рига: Зинатне, 1967. - 180 с.

119. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979.-С.252.

120. Вайсбурд Д.И. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. М: Наука,1982.-С.224.

121. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Дейч Р.Г., Чернов С.А. Быетропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1987. - С. 183.

122. Евдокимов О.Б., Королев Ю.Д., Пономарев В.Б. Метод упрощенного расчета распределения потерь энергии быстрых электронов. / В кн. Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии: Труды СО АН СССР. Новоссибирск, 1983. -С.85-93.

123. Применение статистики Херста для обработки кинетики постпроцессов в азиде серебра. // Химическая физика, 2000. Т. 19. - №5. -С.94-95.

124. Федер Е. Фракталы. М: мир, 1991.

125. Рябых С.М., Холодковская Н.В. Расслоение на реакционные зоны кристаллов инициирующих взрывчатых веществ в поле излучения. // Физическая химия, 1991. Т.65. - №6. - С.1522-1528.

126. Грицаенко Г.С., Звягин Б.Б., Боярская Р.В. Методы электронной микроскопии минералов. М: Наука. -1969. - 312 с.

127. Диамант Г.М., Сидорин Ю.Ю., Куракин С.И., Пугачев В.М. Двойникование кристаллов азида серебра под действием механического напряжения. // Кристаллография, 1987. Т.32. - вып.4. - С. 1058-1059.

128. Крашенинин В.И., Газенаур Е.Г., Сталинин А.Ю. Патент РФ. № 93043944/25, 27.05.97. Бюл. № 15.

129. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Л.: Изд. Химия, 1973.-576 с.

130. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. - 392 с.

131. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах. //Изв. АН. Серия физическая, 1997. Т.61. - №5. - С.850-859.

132. Иоффе А.Ф. Прохождение электричества через кристалл. / В кн. Избранные труды. Л.: Наука, 1974. - С. 153.

133. Крашенинин В.И., Кузьмина Л.В., Иващенко В.Е. Время формирования вакансионного кластера. // Тез. докл. Кемерово: Изд. КемГУ. 1998,-4.1.-С. 127.