Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

БУРХАНОВ Анвер Идрисович

МЕДЛЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ И РОДСТВЕННЫХ

МАТЕРИАЛАХ

Специальность 01.04.07 - Физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Воронеж- 2004

Работа выполнена в Волгоградском государственном архитектурно-строительном университете

Научный консультант доктор физико-математических наук, профессор

Шильников Аркадий Владимирович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор

Нечаев Владимир Николаевич ; доктор физико-математических наук, профессор Сидоркин Александр Степанович;

доктор физико-математических наук, профессор Греков Анатолий Андреевич

Ведущая организация Московский государственный институт

радиотехники, электроники и автоматики (технический университет).

Зашита состоится 19 октября 2004 г. в 1400 часов в конференц-зале на заседании диссертационного совета Д212.037.06 Воронежского государственного технического университета по адресу: 394026 г.Воронеж, Московский просп.,14.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного технического университета.

Автореферат разослан «15 » сентября 2004г.

Ученый секретарь диссертационного совета

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. В последние десятилетия центр тяжести исследований физики конденсированных сред все более смещается в область изучения всевозможных неупорядоченных систем: стеклоподобных объектов, различной природы; монокристаллических структур с точечными, линейными и поверхностными дефектами; твердых растворов, керамик и текстур, полученных с применением различных технологий.

Особое место среди этих исследований занимают поиски ответов на фундаментальные вопросы о физической природе медленных релаксационных процессов, протекающих в сегнетоэлектриках (СЭ) и родственных материалах при размытых фазовых переходах (РФП), так как эти материалы являются уникальными объектами моделирования процессов, происходящих в комплексных системах. Кроме того, СЭ с размытым фазовым переходом в силу своих особых свойств являются наиболее перспективными для применений в различных отраслях современной техники, например, в изготовлении миниатюрных многослойных керамических конденсаторов,

микропозиционеров и микродвижителей, применяемых в сканирующих электронных микроскопах , в адаптационных зеркалах, световых затворах и дисплеях, в чувствительных инфракрасных датчиках, в поглотителях сверхвысокочастотных электромагнитных волн и многом другом. При этом важной проблемой использования СЭ и родственных им материалов была и остается проблема стабильности их свойств во времени - так называемая проблема старения и усталости материала.

В ряде работ (А.В. Шильников и др.) показано, что медленные электрофизические процессы и связанные с ними эффекты старения наиболее адекватно отражаются в характере низко- и инфранизкочастотных (НЧ-ИНЧ) диэлектрических спектров. Это привело, особенно в последнее время, к значительному расширению применения исследователями в разных странах инфранизкочастотной методики для изучения сегнетоэлектриков с РФП — релаксоров и других неупорядоченных (неравновесных) структур.

Однако, несмотря на значительный объем экспериментальных и теоретических результатов, полученных к настоящему времени при исследовании медленных процессов в СЭ - релаксорах, большая часть проблем остается открытой. При этом совершенствующиеся различные методы изучения (например, результаты нейтронных исследований или методы компьютерного моделирования) заставляют по-новому смотреть на полученные ранее результаты. Все это свидетельствует о безусловной актуальности изучения медленных неравновесных процессов в неупорядоченных СЭ и родственных им материалах.

Тематика работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН (раздел 1.2 - «Физика конденсированных состояний вещества). Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики

РОС НАЦИОНАЛЬНАЯ БИБЛИОТЕКА С.П«ер«грг/л/ 09 W0Y»nf10 Г ,

Волгоградского государственного архитектурно-строительного университета: вначале по координационному плану Государственного комитета по науке и технике : проект №37-37-10 «Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков и родственных материалов», и в дальнейшем по грантам Российского фонда фундаментальных исследований и грантам Минобразования России (проекты: №95-02-06366 «Влияние доменных и фазовых границ, а также дефектов недоменной природы на макроскопические физические свойства некоторых пьезо-сегнетоэлектрических монокристаллов и керамик», 97-0-7.1-43 «Медленные электрофизические процессы в неоднородных (неупорядоченных) структурах на основе сегнетоэлектриков и родственных материалов (высокоомных полупроводников), №98-02-16146 «Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и родственных материалах в связи с их реальной структурой»; №Е02-3.4-424 «Исследование физической природы различных эффектов последействия в сегнетоэлектрических и родственных материалах»; по научно-технической программе: «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» - №202.03.02.04 «Роль доменных и фазовых границ в проявлении макроскопических физических свойств многокомпонентных сегнетопьезокерамик».

Цель работы — формирование и развитие представлений о механизмах медленной релаксации поляризации в сегнетоэлектрических и подобных им объектах с размытым фазовым переходом. В связи с этим решаются следующие, задачи:

-на основе экспериментальных исследований вида НЧ-ИНЧ спектров комплексной диэлектрической проницаемости и эволюции параметров этих спектров в связи с предысторией, дефектной структурой, соотношением концентрации компонентов в твердом растворе изучаемых объектов выявить, характер и природу влияния этих факторов на протекание долговременных, электрофизических процессов в СЭ с РФП - релаксорах;

- обобщить выявленные закономерности и в рамках полученных результатов определить возможности прогнозирования макроскопических физических свойств материалов, создаваемых для практических нужд.

Основные подходы и методы решения

Используя прецизионный метод НЧ-ИНЧ диэлектрической спектроскопии, разработанный на кафедре физики ВолгГАСУ, методы измерения токов поляризации и деполяризации, метод резонанса-антирезонанса при измерении пьезоэлектрических характеристик, провести комплексные исследования (широкий интервал температур, амплитуд и частот измерительных и смещающих полей) ряда сегнетоэлектрических монокристаллов и керамик в зависимости от предыстории, включающей в себя различные времена выдержки при постоянной температуре, различную степень воздействия постоянных (смещающих) полей, различные дозы "жесткого" гамма и (или) нейтронного облучения.

При обобщении, анализе и интерпретации экспериментальных результатов в качестве основных будут учитываться теоретические подходы рассмотрения размытых фазовых переходов (Г.А. Смоленский, В.А. Исупов, В.Я. Фрицберг, М.Д. Глинчук, Е. Кросс, В. Вестфаль и др.), несоразмерной фазы (А.П. Леванюк, Д.Г. Санников, К. Хамано и др.), влияния точечных дефектов (А.С. Сигов, А.С. Сидоркин, В.Н .Нечаев, А.В. Морозов и др.). Объекты исследования

Для исследования процессов медленной и сверхмедленной релаксации поляризации в неупорядоченных объектах были выбраны типичные представители СЭ с размытым фазовым переходом, так называемые релаксоры:

-твердые растворы цирконата титаната свинца, модифицированного лантаном -РЬ|.хЬа,(2г<)б5Т1о.з5)Оэ (ЦТСЛ), приготовленные в виде горячепрессованной керамики;

-многокомпонентная сегнетопьезокерамика на основе ЦТС - РЬТЮ3 - РЬ2Ю3 РЬЫЬг/згп^Оз - РЬ\У1/2 М&д О - РЬ\У3/5 Ом 03 при РЬТЮ3 - 34,89 то1% с добавлением модификатора;

-твердые растворы системы ниобата бария стронция -5гхВа|^Ь2Об (8БК), приготовленные в виде монокристаллов оптического качества, как «чистые», так и с добавлением лантана.

Основные результаты и выводы работы могут быть распространены и на другие сегиетоэлектрические материалы с РФП. Научная новизна

•Впервые для всей области размытого фазового перехода выявлены типы временных асимптотик, описывающих долговременный спад диэлектрической проницаемости в релаксорных сегнетоэлектриках.

• Впервые обнаружены и интерпретированы эффекты диэлектрической памяти при долговременных процессах релаксации поляризации, проведены комплексные исследования данных эффектов и процессов, рассмотрены и получены некоторые их практические применения.

• Впервые на основе сопоставления экспериментальных результатов по изучению медленной релаксации поляризации в неупорядоченных материалах -релаксорной керамике ЦТСЛ и монокристаллах-релаксорах 8БК-доказывается необходимость использования двух подходов (моделей) при описании долговременных релаксационных процессов в такого рода системах: а) для области температур лежащих ниже характеристической температуры модель пиннинга фазовых и доменных границ на диффундирующих к этим границам точечных дефектах; б) для области температур Т„^>Т>Тц - модель стеклоподобного состояния в релаксоре, где учитывается возможность "замораживания" полярных кластеров в локальных областях образца (в областях концентрации дефектов структуры) и возникновения особых кластеров -фрактокластеров (микроэлектретов).

. «Впервые при исследовании эффектов последействия в монокристаллах релаксорах 8БК выявлено, что высокие значения Р, (сравнимые с теоретическими), определяемые с помощью петель поляризации, получаются лишь в начале цикла переполяризации, тогда как при дальнейшей переполяризации значения Р, существенно уменьшаются, что вызвано процессами стеклоподобного «замораживания» в неупорядоченных материалах.

Научная и практическая ценность результатов работы. Выявленные

закономерности в характере долговременных процессов поляризации в системах с размытым фазовым переходом позволяют прогнозировать характер диэлектрических, пироэлектрических, пьезоэлектрических, упругих и других свойств перспективных материалов — релаксоров. Это, в частности, подтверждает факт наличия авторского свидетельства «Релейный датчик температуры. АС № 1525480. Опубл. в БИ №44. 30. 11. 1989 г.», полученного на основе результатов исследования эффектов диэлектрической памяти релаксорной керамики ЦТСЛ. Научные положения, выносимые на защиту-

1. Экспериментальное обоснование необходимости описания процессов долговременной релаксации поляризации в области размытого фазового перехода не одной, а несколькими функциональными зависимостями, вид которых определяется положением исследуемой температурной точки Т, относительно характеристических температур релаксора :

2. Обнаружение различных эффектов диэлектрической памяти (температурной

-ЭТП, постоянного —ЭПП и переменного ЭППП полей, механической — ЭМП), присущей релаксорам при долговременных процессах. Интерпретация этих эффектов с позиций пиннинга межфазных (доменных) границ на точечных дефектах (область температур - Т<Т¿) и/или с позиций стеклоподобного «замораживания» (интервал температур

3. Экспериментальные результаты, устанавливающие особенности процессов релаксации поляризации в так называемых, промежуточных («слабых») релаксорах на основе твердых растворов цирконата-титаната свинца. Эти особенности обусловлены сосуществованием полярных фаз различной симметрии в области температур ниже Г,„ и сосуществованием полярной и неполярной фаз в области

4. Экспериментальные результаты, отражающие изменения в характере медленных процессов релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ после воздействия различных типов радиации. Данные изменения обусловливаются существенным перераспределением частот релаксации поляризации облучаемого материала.

5. Экспериментальное доказательство обязательного существования токов деполяризации при нагревании короткозамкнутого образца из релаксорного материала (в независимости от его предварительной поляризации). Эти токи возникают благодаря распаду при нагревании крупных полярных

кластеров, формирующихся в релаксоре как под действием внешнего смещающего электрического поля, так и в процессе старения материала в нулевом поле при температурах, расположенных ниже Тт. 6. Результаты сравнительного анализа характера медленных процессов переполяризации, при различных величинах постоянных смещающих полей, частотах и амплитудах переменного поля, в температурной области (Т-Т) для двух релаксорных систем (монокристаллы SBN и керамики. ЦТСЛ), устанавливающие, что как в монокристалле-релаксоре SBN, так и в случае релаксорной керамики ЦТСЛ индуцируемый полем фазовый переход из релаксорной фазы в СЭ фазу является ФП первого рода. Апробация работы. Основные положения диссертации докладывались и обсуждались на 11-ой (Киев-Черновцы, 1986), 12-ой (Ростов-на-Дону, 1989), 13-ой (Тверь, 1992) 14-ой (Ивановой 995), 15-ой (Ростов-на-Дону, Азов, 1999) и 16-ой (Тверь,2002) Всесоюзных и Всероссийских конференциях по СЭ, на выездной сессии Научного совета АН СССР по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков (Волгоград, 1985). Положения диссертации докладывались также на различных международных конференциях и семинарах: 6-ой, 8-ой Европейских конференциях по СЭ (Познань, 1987, Найемеген, 1995); 1, 4, 5 семинарах по доменной структуре (Волгоград, 1989, Вена, 1996, Пенсильвания, 1998); научно-практических конференциях «Релаксация -93, 94, 97, 2000» (С.Петербург, 1993, 1994, 1997, 2000); семинарах по релаксационным явлениям в твердых телах (Воронеж, 1993,1995), 6, 7, 9 (4) семинарах по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 1994, Казань, 1997, Воронеж,2003); 6-ой конференции по электрокерамике (Авейро, 1996); семинарах по релаксорным СЭ (Дубна, 1996, 1998, 2000); 9 и 10 Всемирных конференциях по СЭ (Сеул, 1997, Мадрид, 2001), 5-ой конференции по приложению полярных диэлектриков (Рига, 2000), Российско-Балтийско-Японском симпозиуме по физике сегнетоэлектриков (С.-Петербург, 2002), научно-практическим конференциям «Пьезотехника» (2000, 2002, Москва, Тверь), «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2001, 2003) «INTERMATIC 2003» (Москва, МИРЭА) и др.

Публикации. По теме диссертации автором опубликовано 156 работ, основные из которых перечислены в конце автореферата.

Личный вклад автора. Все результаты, изложенные в диссертации, получены автором лично или совместно с сотрудниками руководимой проф. А.В. Шильниковым лаборатории по изучению НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств СЭ и родственных материалов. Часть экспериментальных результатов была получена совместно с СЮ. Шишловым, Р.Э. Узаковым, А.В. Сопитом, А.Д. Даниловым, И.В. Оцаревым, А.А. Завьяловой (Оцаревой), О.Н. Старцевой. Другие соавторы публикаций принимали участие в ряде экспериментов и обсуждении результатов (А.Г Лучанинов, А. Штернберг, К Борманис, Е Бирке, Е.Г Надолинская, В.Н. Нестеров, С.А. Сатаров, Р.А. Лалетин, А. С. Кудашев, Ю.Н Мамаков., С В. Кравченко).

На протяжении почти 20 лет автор работал вместе с бывшим научным руководителем по кандидатской диссертации, а затем и его научным консультантом - профессором А.В.Шильниковым. Его влияние в огромной степени способствовало формированию научных взглядов автора и появлению данной работы.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитированной литературы. Диссертация содержит 307 страниц текста, включающего 98 рисунков и 7 таблиц. Список литературы содержит 304 наименования.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Глава 1 посвящена обзору литературы по теме диссертации. Выполнен целенаправленный анализ литературных данных по СЭ с размытыми фазовыми переходами — релаксорам. Обобщены и систематизированы литературные данные, характеризующие современное состояние исследований физических свойств СЭ с размытым фазовым переходом. Выделены особенности различных свойств релаксоров, представлены исследования микроструктурных характеристик ( рентгено — и нейтроннографический анализ, высокоразрешающая электронная микроскопия) модельных релаксоров типа РМК.

Рассмотрены основные, наиболее часто используемые модели, позволяющие описать поведение физических свойств (в том числе и выраженную долговременную релаксацию диэлектрического отклика) релаксорных материалов во всей области размытого фазового перехода. Приведены результаты, иллюстрирующие существенную зависимость отклика данных систем от предыстории материала.

Отмечено, что несмотря на весьма значительное количество работ, посвященных исследованию диэлектрических свойств СЭ с размытым фазовым переходом, комплексного подхода с применением таких методик, как низко- и (особенно) инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия, к изучению данных неупорядоченных систем, проявляющих и сегнетоэлектрические и стеклоподобные свойства, судя по имеющейся литературе, вообще не проводилось. На этом основании сформулированы цель и задачи работы. Глава 2 посвящена изложению методик измерений: комплексной диэлектрической проницаемости в низко- и инфранизкочастотном

диапазоне измерительных полей при напряженности измерительного поля В/см; токов поляризации и деполяризации; комплексному исследованию петель диэлектрического гистерезиса на низких и инфранизких измерительных частотах, при различных амплитудах полей в широком температурном интервале, включающем наиболее вероятную температуру фазового перехода. В главе 3 приводятся результаты исследований влияния термической и электрической предыстории на низко- и инфранизкочастотный диэлектрический отклик релаксорных сегнетокерамик на основе ЦТС.

В разделе 3.1 выделяются особенности кинетики диэлектрического отклика при различных температурах и временных интервалах выдержки образцов в области РФП (относительно положенияхарактеристических температур Тт и [1]) в релаксорной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35.

Рис.1 иллюстрирует поведение г'(0 для двух температур (Г]=0°С<Г(/ и Тг=1Л°С>Тц), а также

логарифмическую аппроксимацию данных зависимостей по соотношению типа:

Видно, что имеет место "временная" область, где прямые пересекаются. Центральную часть данной области можно рассматривать как среднее время релаксации поляризации т в данном материале. Установленные таким образом значения соответствовали интервалу от мин.

В таблице 1 представлены значения параметра В из (1), определяющего «скорость спада» е' для различных температур в ЦТСЛ-9/65/35 для частоты 1Гц.

Таблица 1

Значения параметра В, определяющего «скорость спада» е' с течением времени при

Т, "С -18,5 -0,8 22 32 46 58 86,5 109,5

¿Не'СоЬе'ОУЛ!^') *о 267 383 667 867 667 500 250 100

Видно, что данный параметр имеет экстремум при некоторой температуре 7"„, =32°С, также как это наблюдается и для значения т(7). При этом выявлено, что в области температур Г<7"„, выполняется Аррениусовская зависимость типа: В~ехр(ир/кТ) с активационным параметром 11р ~0.2эВ.

Рис.2 иллюстрирует характер изменения диэлектрических спектров с'(у) в релаксорной керамике ЦТСЛ при выдержке образца при Т=22°С. Видно, что с течением времени все более выраженным становиться перегиб зависимости

е'(у) в области 100-1000Гц. При этом в достаточно широком диапазоне частот становится возможным описать зависимость е'(у) соотношением типа (2):

е'(у) -К-М- 1п(у/у0), (2)

где К -значения с' при у=у0 (в условиях данного эксперимента при самой низкой частоте 0.1 Гц), Л/ -параметр, характеризующий скорость изменения значений с ростом частоты. Данное соотношение характерно для неупорядоченных (стекольных) систем при температурах ниже температуры стеклования Т8{2,3]. Как видно из рис.2,

эффективная глубина дисперсии с течением времени существенно

уменьшается, указывая на постепенное выключение

релаксаторов различного типа из процесса релаксации поляризации. Данное выключение связано как с пиннингом фазовых и доменных границ, так и со стеклоподобным замораживанием кластерного состояния материала.

Подобное, относительно быстрое, изменение с течением времени значений е' в НЧ области, по сравнению с ВЧ диапазоном, отмечалось в [4] при выдержке образца ЦТСЛ-8/65/35 в смещающем поле Е-. Эти и другие данные (например [5]), наряду с экспериментальными результатами, полученными в настоящей работе при помощи метода ИНЧ диэлектрической спектроскопии, позволяют считать, что при старении релаксора в нем формируется существенное внутреннее смещающее поле Е,, которое как и внешнее Е [4] может значительным образом влиять на характер релаксационных процессов, связанных с медленными флуктуациями (переориентациями) полярных кластеров и их границ в материалах с РФП.

Нами установлено, что в релаксорной керамике ЦТСЛ, также как это было показано в [5] для релаксора РМ^РТ, логарифмический закон (1) не всегда однозначно может описывать временной характер диэлектрического отклика во всей температурной области существования РФП. Анализ экспериментальных кривых е'(0 показал, что наиболее точно временной спад е'(<), например, в релаксорной керамике ЦТСЛ-8/65/35+0.1Еи при температурах выдержки превышающих описывается соотношением типа:

' Г (

А£(0 = Аг(/0)-ехр - 1п —

где Дб(0 определяет НЧ-ИНЧ вклад релаксаторов различного типа в диэлектрическую проницаемость в текущий момент времени, Дб(/„)- вклад в начальный момент времени /„. При этом Р<1. Оценка времени

релаксации в ЦТСЛ-8 по (3) показала, что оно составляет порядка 10 2-1013 минут, что превосходит время х, полученное для ЦТСЛ-8 (также для Г(>7'1/) при экстраполяции логарифмическими зависимостями (1).

Сопоставление результатов настоящей работы с литературными данными позволяет заключить, что характер процессов долговременной релаксации поляризации в релаксоре будет определяться положением исследуемой температуры относительно характеристических температур : или

температуры Фогеля-Фулчера Подобная температурная зависимость

характера долговременных процессов имеет место и для релаксации намагниченности в спиновом стекле (представленной, например, в обзорах [2,3]), где по мере понижения температуры и приближении к наблюдается изменение типов временных зависимостей от кольраушевской к логарифмической. Аналогичные изменения в ходе релаксации происходят и при рассмотрении явлений ползучести в твердых телах. Так, в [6] на основе спин-стекольного подхода показано, что временная зависимость скорости ползучести, обусловливаемая эволюцией дефектной структуры, при приближении к температуре плавления имеет последовательный переход от закона Кольрауша к квазистепенному, а затем к логарифмическому. При этом в [6] выражение для скорости неустановившейся ползучести дается в виде:

где Д£(0 — скорость ползучести, А -некоторая- постоянная, Q -высота потенциального рельефа, температурная зависимость а аппроксимируется в виде. Видно, что выражение (4) подобно экспериментальной

аппроксимационной функции (3) для временного спада диэлектрической проницаемости в релаксоре ЦТСЛ 8+0.1 Еа Вероятно, полученная зависимость (3), вид которой близок к степенной ( также как и (4)), является наиболее общей для случаев, когда объект имеет либо сильно развитую дефектную, либо гетерофазную структуру как у релаксоров. Аналогия релаксоров и систем типа спиновых стекол прослеживается и в различных эффектах старения и/или последействия.

Из рис.3 видно, что в области температуры выдержки образца ЦТСЛ-8+0.1 Ей при 7/=29°С проявляются аномалии в виде локальных минимумов или плато на кривых При этом, чем выше частота измерительного

поля, тем слабее выражены данные аномалии. Врезка на рис.35 иллюстрирует

Дт= АеХр{-[Т -1П( )]'"} ,

(4)

температурную зависимость эффективной глубины дисперсии Де(*) =е'|Гц-е'1»Гц,

на которой локальный минимум при 7} выражен наиболее четко.

Столь же существенные изменения отклика имеют место и в поведении токов • поляризации (деполяризации) в короткозамкнутых образцах

ЦТСЛ8+0.1Еи, наблюдаемых как без предварительной выдержки образца (рис.4а), так и после его выдержки при 7/(рис.4б). Из рис.45 следует, что длительная выдержка при приводит к появлению двух максимумов вместо одного размытого максимума в области характеристической. температуры Таким

образом, если максимум (Т) на рис.4а и первый максимум ¡(Т) на рис.4б связаны с проявлением пироэффекта в области размытого фазового перехода [8], то

второй "высокотемпературный" обусловливается проявлением токов деполяризации в «состаренном» образце релаксорной керамики ЦТСЛ. Данная деполяризация является следствием полного распада наведенного внутренним, полем Et униполярного состояния материала.

Оценка активационного параметра Uj по известным методам анализа токов деполяризации [9] показала, что он достигает значений 0.8эВ. Такая величина существенно превосходит энергию активации поляризации Еа, получаемую из соотношения. Фогеля-Фулчера при анализе частотной зависимости 7"m(v). Например, по данным [10] для ЦТСЛ-9/65/35 Еа ==0,0135, что авторы связывают с активацией отдельных невзаимодействующих полярных кластеров. Столь существенное различие Uj и Е„ позволяют сделать вывод о том, что при старении релаксора возникают относительно большие полярные образования (скопления кластеров) типа «твидов» [11], или фрактокластеров -«микроэлектретов» [А 12, А27], разрушение (распад) которых и приводит к появлению высокотемпературной аномалии тока.

В настоящей работе, с учетом подходов [12], где зависимость внутреннего поля Et дефектов от временного фактора в сегнетокерамиках на основе ЦТС и ВаТЮ3 представляется как:

E,(t,T)~An(t,T)a3Pü , (5) (An(t.T) - количество соориентированных дефектных диполей, а- параметр ячейки, - поляризация диполя), делается вывод о том, что для случая релаксорного СЭ в качестве таких «дефектных» диполей, формирующих внутреннее поле, выступают полярные кластеры. Данный подход при описании релаксора вполне правомерен для области температур T>Tj, где имеет место термическая флуктуация полярных нанообластей по различным кристаллографическим направлениям [13]. В этом случае такого рода «макродиполи» при постепенной соориентации и последующем «замораживании» вдоль какого-либо • преимущественного направления могут стать источниками существенного внутреннего поля:

где п- количество «макродиполей», V„ - объем «макродиполя» и Рс — его дипольный момент. При этом скопление кластеров («макродиполей») можно назвать фрактокластером-«микроэлектретом» ([А12,А26]) вследствии «замороженного» ненулевого суммарного момента данного образования.

В области температур ниже долговременная релаксация и последующие эффекты старения являются следствием существования различных механизмов взаимодействия фазовых (ФГ) и доменных (ДГ) границ относительно крупных полярных образований (фрактокластеров, доменов) с точечными дефектами, обусловливающими пиннинг данных границ, подобно тому, как это происходит в обычных (с неразмытым фазовым переходом СЭ) [14-17].

В разделе 3.2 на основе анализа экспериментальных результатов исследований

эффектов диэлектрической памяти в ЦТСЛ доказывается адекватность представленных в разделе 3.1 подходов (модель пиннинга фазовых (доменных) границ и модель стеклоподобного "замораживания" кластерного состояния) в интерпретации долговременных явлений в неупорядоченных СЭ с размытым

фазовым переходом.

Рис.5, наряду с рис.Зб, где было показано проявление эффекта температурной памяти (ЭТП), иллюстрирует еще один эффект диэлектрической памяти в виде «запоминания» полевой предыстории материала. В данном случае запоминается поле выдержки образца £,., когда в реверсивных зависимостях в области

возникает локальный минимум и, таким образом, проявляется эффект полевой памяти (ЭПП). При этом такое «запоминание» температуры или поля выдержки образца проявляется всегда, если температура Т, устанавливалась в области размытого фазового перехода, а величина Е, не превосходила так называемых полей индуцирования (£,„„,) СЭ состояния в релаксоре, или коэрцитивных полей для данного материала

Образование локального минимума г'{Т) или е'(£) после длительной выдержки релаксора при =const , соответственно, связано с тем, что в области фазовых (или доменных) границ с течением времени образуется критическая концентрация дефектов, при которой ФГ или ДГ существенным образом могут быть выключены из процесса релаксации поляризации. В данном случае ситуация такая же, как это происходит при пиннинге доменных границ в СЭ при диффузии точечных дефектов к границам, рассмотренном, например в [17], где, в частности, приводится соотношение, определяющее критические пороговые поля при таком взаимодействии ДГ и ТД в виде :

£с= "/"ехр [ив/Ц го

где па -критическая концентрация дефектов, и„ - энергия взаимодействия доменной границы с дефектами, Ри- спонтанная поляризация. При этом определенные в настоящей работе значения активационного параметра (/р~0.2 эВ при анализе В(Т) (таблица 1) хорошо согласуются с приводимыми в [17] возможными значениями ио.

При последующем (после выдержки) охлаждении образца (или увеличении поля £, при Тгсош) полярные кластеры начнут увеличиваться (согласно экспериментов по рентгеноскопии и нейтронногорафии [18]). Следовательно, фазовая граница переместится в новое состояние, соответствующее большему объему кластера при выбранных температуре Т, и поле £,.. Таким образом, ФГ «освобождается» из поля дефектов и появляется дополнительный вклад в е*, выражающийся в росте Де{Т) и е'(Г) (рис.Зб, рис.6).

Переход в режим нагрева (или уменьшения поля в случае е'(£-)) вновь приводит к существенному уменьшению значений г'(Т) (особенно на ИНЧ) в области 7^=7/ (рис.Зб, рис.б-кривая 2) или, соответственно е'(£_), в области £=£,ь (рис.5). Это происходит за счёт того, что кластер вновь начинает «сокращаться» и при Т~Т, (или при £-£,_) он становится близким по форме к сохранившемуся "остову" ТД. Таким образом, ФГ оказывается практически в том же поле дефектов, в котором она была до охлаждения и, следовательно, вновь произойдет ее пиннинг. Дальнейший нагрев образца до Т>Т, (или дальнейшее уменьшение £,) приводит к тому, что полярный кластер станет меньше «первоначального» размера и ФГ вновь "сорвется" с остова дефектов, давая дополнительный вклад в с* (рис.Зб, вставка).

Состояние материала существенным образом изменится только при нагреве образца до Т„, и выше (или при воздействии £ >ЕШЮ). При Т>Т„, процесс термической активации существенным образом ускорит диффузионные процессы, что приведет к разрушению пиннингующего «остова» дефектов, а при £„>£,„„/ исчезнет кластерное состояние при индуцировании полем СЭ фазового перехода. Таким образом, после нагрева образца до Т>Т„ и при последующем его охлаждении локальный минимум е'(Г) исчезает (рис.6, кривая 3) - ЭТП «стирается», а после воздействия £.>£„,„, в реверсивных зависимостях исчезает локальный минимум е'(£-) в области Е,^ - «стирается» ЭПП.

Однако в последнем случае (полевое стирание ЭПП) объяснение исчезновения эффекта памяти не столь однозначно как при термическом отжиге, так как здесь структура дефектов (пиннингующий остов) остается практически неизменной во время относительно короткого изменения поля (это отмечено и в [12]). В данном случае исчезновение ЭПП вероятнее всего связано тем, что при температурах, лежащих существенно ниже Т„, индуцированное при £->£,„„) СЭ состояние сохраняется достаточно долго и диэлектрический отклик материала в частных циклах е'(Е.) будет, в основном, определяться

поведением доменной структуры. Так как данная структура менее лабильна, чем фазовые границы кластеров, эффект памяти если и проявится, то уже иным образом (например, так как это показано в [19], когда наблюдался эффект памяти формы в ЦТСЛ).

Как отмечено выше, хорошим доказательством применимости модели пиннинга для области температур 7} < Т^ является поведение эффективной глубины дисперсии Де(7")(рис.3б, врезка), когда при срыве ФГ или ДГ с точечных дефектов возникает вклад в е* как ниже Т-,, так и выше 7). В случае температуры выдержки Т), расположенной выше 7/, как показал целый ряд исследований различных релаксоров, например [А12,А22,А23], на кривой Де( 7) вместо ожидаемого (по модели пиннинга) локального минимума в

области температуры выдержки при 7} имеет место лишь спад Де(7) с последующим выходом на плато (рис.7а, вставка). Такое поведение параметра Де(7) (а также полевое стирание ЭПП) для случая Т^ТР'Т^ хорошо (в отличие от модели пиннинга) укладывается в рамки рассмотрения-долговременных явлений в релаксорах с позиций существования стеклоподобного состояния в керамике ЦТСЛ.

Рис. 7. Температурные зависимости а) диэлектрической проницаемости е'(Т) на частотах 1-0.1ГЦ, 2- 1Гц, 3- 10Гц, 4- 1кГц. 5- ЮкГц и эффективной глубины дисперсии Де'(Т)= £ |Гц - £ |кГи в релаксорной керамике ЦТСЛ-10/65/35; б) магнитной восприимчивости X'(v,T) на частотах I- 11Гц, 2- 245Гц, 3- 2735Гц в спиновом стекле FeosMgu^Cb (данные no Feo 5Mg(i 45CI2 согласно представленным в [2]).

Так, учитывая очень большие значения т (до Ю12 - 10" мин), получаемые при T>Tj с применением аппроксимационных зависимостей типа (3), можно считать, что в релаксоре, так же как и в стекольной системе, при конечной скорости охлаждения образца от Т>Тт до 7), скорость изменения состояния материала всегда будет меньше скорости его охлаждения. То есть, при стабилизации Т, в релаксоре возникает существенно неравновесная структура и процесс релаксации поляризации будет аналогичным процессу стеклования (замораживания) в таких неупорядоченных объектах, как спиновые [2,3] или дипольные [20] стекла. Отмечаемое в [5] и в [А6,А27]

я^лроиз. ел

20 0 2« 40 СО 10 Т,4С

понижение частот релаксации ; ур (сдвиг области дисперсии е*) с течением времени, вероятнее всего, связано с постепенным замедлением (замораживанием) флуктуации (переориентации) относительно больших полярных кластеров («твидов» [11], фракгокластеров-«микроэлектретов») и возникновением стекло подобно го состояния в релаксоре.

Таким образом, температура выдержки (старения) Т\ при данном рассмотрении становится подобной температуре "стеклования" Это хорошо проявляется при сопоставлении поведения частотно-температурной зависимости г'{\,Т) в ЦТСЛ-10 (рис.7а) и магнитной восприимчивости х'(у>7) в спиновом стекле Рео.5М£о45СЬ (рис.75), где дисперсия е' и х' имеет место лишь в области Tg и ниже. При нагреве образца от низких температур "вымерзшая" (перешедшая в стеклоподобное состояние) часть объема релаксора не будет давать вклад в е* в области температур выдержки 7} (или так называемой температуре "стеклования"). Поэтому значения параметра Ас, характеризующего вклад релаксаторов различного типа, с увеличением температуры уменьшаются (рис.7а, врезка), что отличает данную ситуацию от рассмотренного выше случая «срыва» ФГ или ДГ с точечных дефектов, сопровождаемого ростом Де(Г) при Т> Ъ (рис.Зб, врезка). Такое (рис.7а) поведение диэлектрического отклика будет продолжаться до тех пор, пока температура образца не превысит некоторую критическую температуру, при которой возможно «размораживание» стекольного состояния в релаксоре. Об этом, в частности, свидетельствует и появление дополнительных «высокотемпературных» максимумов токов деполяризации ¡(Т) (рис.4а).

Если учесть, что в релаксоре внутреннее поле (6) образуется как следствие скопления различного типа полярных кластеров («микроэлектреты»), то природа эффекта полевой памяти будет определяться как результат совместного воздействии внутреннего и внешнего полей на динамику кластеров и их границ. В данном случае такого рода воздействие будет "запирать" или "освобождать" в зависимости от соотношения так называемых локальных полей переключения Еккл и возникающего при старении (или выдержки в поле ) поля Е, . В случае превышения полей индуцирования все эффекты памяти стираются, так как при происходит (согласно

терминологии [18]) "разрушение стекольного состояния" в релаксоре при индуцировании полем ФП из релаксорной (стеклоподобной) фазы в СЭ фазу. Следовательно, фрактокластеры-«микроэлектреты» исчезнут, также как и стекольное состояние, а вместе с ними исчезнут и внутренние поля (6) и, соответственно, исчезнут эффекты памяти (полевой или термической). Таким образом, полученные результаты могут свидетельствовать о принципиальном отличии явлений памяти в СЭ-релаксорах от известных эффектов памяти доменной структуры, наблюдаемых в СЭ-полупроводниках типа 8Ь81, где определяющую роль играет электронная подсистема материала [21].

В разделе 3.3 впервые достаточно полно представляется картина изменений вида параллельно с видом петель поляризации (ПП),

иллюстрирующих характер индуцируемого полем ФП из релаксорной фазы в СЭ фазу как ФП первого рода (рис.8). Это, в частности, следует из сопоставления полученных кривых б'(£-) и ПП с расчетными (из поведения термодинамического потенциала Е(Т)) зависимостями е'(Е-) и Р(Е). Так, представленная на рис.8 эволюция е'(£.) и ПП полностью совпадает с феноменологическим описанием поведения диэлектрического отклика при ФП первого рода, проиллюстрированного, например, в [22].

10 -5 0 5 10 Е. хВ/см -10 -5 0 5 10 Е.кВ/см

Рис. 8. Реверсивная диэлектрическая проницаемость с'(Е-) в ЦТСЛ-8/65/35 при 25,42,46 н 56°С. Врезки: ПП на частоте 0 025Гц в Ц'ГСЛ-8/65/35 при 7"=25(а), 42(6), 46(в) и 56"С(г); (при Т=56°С врезка 2 иллюстрирует ПП на 0,005 Гц).

Как было показано выше (рис.5), эффект памяти поля проявляется в так называемых частных циклах зависимостей е'(Е.), когда максимальное поле Е. < Е„и„ (или меньше Е). То же самое имеет место и в проявлении ЭПП в петлях

а) 61 в)

Рис. 9. Частные циклы петель поляризации в ЦТСЛ-8/65/35 при Т=83°С и частоте 0.1 Гц; а - ПП, измеренные в начальный момент после охлаждения образца от Г>Г„; б- ПП, измеренные через 12 часов выдержки образца при Т=83°С; в - после выдержки образца в течение 12 часов при £.(= 2.5 кО/см и Г, = 83°С. Максимальная амшпгтуда 4,8 кВ/см .

поляризации, что иллюстрирует рис.9 для поля выдержки Е,.-О (б) и для £,.=2,5кВ/см (в). Хорошо видно, что перетяжка петли возникает при той величине Е0 , которая по амплитуде соответствует полю выдержки Е-, , и может, также как и локальный минимум при Еш, ,

характеризовать существование ЭПП.

В разделе 3.4 проводится сравнение особенностей

диэлектрического отклика описанного выше модельного релаксора ЦТСЛ и промежуточного (между релаксором и обычным СЭ) материала -многокомпонентной сегнетопьезо-керамики (МКСПК) на основе ЦТС. Исследование поведения реверсивных зависимостей, петель поляризации и НЧ-ИНЧ дисперсии Е* МКСПК позволили провести достаточно четкое разделение областей температур и полей, где вклады в отклик материала обусловлены, с одной стороны, доменной структурой, а с другой - поведением кластеров сосуществующих полярных (или полярной и неполярной) фаз в области характеристических температур -

температура размытого структурного фазового перехода из ромбоэдрической фазы в тетрагональную. Вторая (Г„,~210оС, рис.10) -температура сегнетоэлектрического размытого фазового перехода из тетрагональной в кубическую фазу.

Данное представление эволюции фазового состояния МКСПК хорошо согласуется и с результатами структурного анализа [23], и с выводами [24], где отмечается, что динамика различного типа кластеров в области структурных ФП может существенным образом влиять на поведение измеряемых параметров пьезосегнетоэлектрика. Следует заметить, что подобного типа особенности диэлектрического отклика, вызванные существованием размытых структурных ФП как в МКСПК, отмечаются в [А14, А35, А43] и для других многокомпонентных систем - PMN-PZT и PNN-PZT, обладающих выраженной гетерофазностью структуры.

Глава 4 посвящена изучению влияния радиации и механических напряжений на характер протекания медленных процессов релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ.

В разделах 4.1-4.2 представлены результаты, иллюстрирующие особенности температурного поведения диэлектрического отклика в НЧ-ИНЧ диапазоне релаксорной керамики ЦТСЛ -х/65/35, подвергнутой различному

Рис. 10. Температурные зависимости МаКСПМаЛЫЮН ПОЛЯрИЗаЦПИ PmaxfD в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе ЦТС. Значения получены из петель поляризации для частоты 0,1 Гц при различных Еа : 1-1730 B/cm, 2-3400 B/cm, 3- 4243 B/cm, 4- 5072 B/cm, 5- 5937 B/cm. 6- 6785 B/cm, 7- 8412 B/cm

типу облучения: гамма (Г) облучение, смешанное гамма-нейтронное (ГН) облучение при преобладающем гамма облучении, нейтронно-гамма (НГ) облучение при преобладающем нейтронном облучении.

На основе полученных экспериментальных результатов делается вывод о том, что указанные выше (при обсуждении гл.З) подходы (или качественные модели) о природе долговременной релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ хорошо объясняют наблюдаемые особенности диэлектрических

свойств облученных

неупорядоченных материалов.

Так, процессы пиннинга радиационными дефектами фазовых и доменных границ полярных образований приводят к

частот релаксации поляризации

существенному перераспределению (рис.11). Из рис.11 видно, что в отличие от необлученного образца, в ЦТСЛ-8+ГН появляется релаксационный максимум е"(у), свидетельствующий о таком перераспределении частот. При этом важно отметить (рис.11), что максимум, е"(у) с течением времени смещается в сторону более низких частот. Такое поведение частотно-временных зависимостей е*(У,/) хорошо согласуется с представлениями о постепенном замедлении флуктуации различ» ого типа кластеров при выдержке релаксора в области РФП, что отмечалось выше при обзоре гл.З. и в [5].

В разделе 4.3 выделяются особенности в проявлении долговременных явлений (эффектов памяти) после воздействия облучения.

Выявлено, что при нейтронном облучении, являющемся наиболее сильным воздействием на материал, эффекты памяти практически не проявляются. Так, из рис.12 следует, что в НГ-облученных составах ЦТСЛ вместо локального минимума наблюдается только "плато" Е\Т) в области температуры выдержки Т.. Данное поведение диэлектрического отклика в НГ-облученных составах ЦТСЛ однозначно указывает на существенное выключение (пиннинг) отмеченных выше релаксаторов (ФГ, ДГ, отдельные полярные нанообласти), определяющих природу эффекта термической диэлектрической памяти в релаксоре.

При этом после НГ-облучения и сам максимум £'(Г) при Тт существенным образом

подавляется (рис.12), что (наряду с другими причинами) может свидетельствовать о значительных механических напряжениях, возникающих при данном типе облучения, как это отмечается и в обычных

СЭ [25]. существования механических вследствии структуры релаксора делает

Возможность значительных напряжений искажения облучаемого актуальным

сопоставление результатов по влиянию "жесткой" радиации с результатами влияния

внешнего (так называемого статического) механического воздействия на систему ЦТСЛ. В разделе 4.4 приводятся результаты исследования. влияния» давления, прикладываемого перпендикулярно к большим граням образца (давление на пластину) на НЧ-ИНЧ диэлектрический отклик системы ЦТСЛ-х/65/35 при различной

термической и электрической предыстории материала. Выявлено, что данный способ механического воздействия приводит к понижению и температуры Т„, и максимальных значений е'(7") (рис.13). Вероятнее всего, это обусловливается таким распределением напряжений в релаксорной керамике ЦТСЛ, когда следует рассматривать их

усредненное воздействие на отдельные полярные

сегнетоэлектрические или

сегнетоэластические кластеры как относительно низкое

гидростатическое давление,

прикладываемое к сегнетоэлектрику типа смещения [1]. При этом установлено, что приложение нагрузки к образцу и охлаждения его к низким температурам вызывает существенное увеличение значений скорости «спада» е' - (ск?/<П) при некоторой температуре 7» (рис. 13). Данное увеличение (кИЛГ при ,

вероятнее всего, указывает на то, что вызываемые нагрузкой механические напряжения в релаксоре могут «стабилизировать» (замораживать) флуктуации полярных нанообластей и, таким образом, выключать их из процесса релаксации поляризации в исследованном диапазоне частот. О процессах стеклоподобного замораживания при температурах свидетельствуют и

эффекты механической памяти, наблюдаемые в ЦТСЛ как запоминание величины механической нагрузки (подобно ЭПП), действовавшей на образец [А2, А5, А7, А27].

При обсуждении результатов влияния давления на диэлектрические свойства керамики- ЦТСЛ интерпретация проявления ряда особенностей данного отклика в нагруженных образцах проводилась с точки зрения неоднородного фазового состояния материала (сосуществование кластеров полярной и неполярной фазы). В то же время в керамиках (особенно, приготовленных методом горячего прессования) уже существуют достаточно сильные механические напряжения, безусловно, влияющие на физические свойства материала, в том числе и на диэлектрические, что отмечалось еще в [8]. Насколько существенно могла повлиять "технологическая" природа на проявление релаксорных свойств исследуемой керамики ЦТСЛ (например, на поведение долговременной релаксации поляризации), можно было ответить лишь при сопоставлении результатов воздействия механических нагрузок на релаксорную керамику с подобным воздействием на релаксорный монокристалл.

В главе 5 рассматривается характер НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика монокристаллов 8БК-61 и 8БК-75 при различной предыстории материала. Сопоставление НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика модельного релаксора 8БК-75 и СЭ монокристалла с относительно слабым проявлением релаксорных свойств - 8БК-61 позволили выявить особенности диэлектрических свойств подобно тому, как это было сделано с выше представленными системами -модельный релаксор - керамика ЦТСЛ и «слабый» релаксор многокомпонентная СЭ керамика на основе ЦТС.

В разделах 5.1-5.2 анализируется ход температурных зависимостей с'{Т) и е"(7) в монокристаллах 8БК в области фазовых переходов в данных материалах.

Из сопоставления поведения НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика механически «нагруженного» образца релаксорной керамики ЦТСЛ и «нагруженного» образца релаксора-монокристалла структуры калий-

вольфрамовой бронзы 8В1Ч-75 следует, что как в том, так и другом материале имеет место уменьшение с приложением Это позволяет сделать заключение о том, что механизмы, вызывающие такое поведение НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика, одни и те же. При этом данный результат

однозначно показал, что в релаксорной керамике ЦТСЛ «керамическая» природа играет второстепенную роль в проявлении релаксорных свойств как у данного поликристалла, так и у другой релаксорной керамики РБЫ [А13, А16, А21.А38].

В разделах 5.3 и 5.4 представлены результаты исследования долговременного спада £*(/) в монокристалле 5ВЫ-75 в интервале температур существования релаксорной фазы и эффекты памяти в данном материале.

Рис.14 иллюстрирует прояв-

лю3

450

Рис. 14. Реверсивные зависимости ъ'(Е^) в монокристалле 5ВЫ-75, измеренные после выдержки образца в течение /=5000 мин. при Е.,: =0 (а) и Е-,: = 350 В/см (б). Т1=42°С, величина изм. поля Ео~0,5 В/см.

ление ЭПП (локальный минимум €(Е.) в области поля выдержки Е^) в монокристалле 5В№75. Хорошо видно, что форма минимума е!(Е.) не меняется от того, выдерживался ли образец при £,-.=0 или при Е^О. Из вставок на рис.14, где представлены начальные кривые б '(£-) в увеличенном масштабе, видно, что существенный рост е'(£-) имеет место лишь при преодолении некоторого порогового поля £,|,. При этом в достаточно протяженном интервале полей за пределами £л наблюдается линейный рост б'(£-):

е' = е'(£,0 + а«,£иУ(Л£) , (8) где б'(£,-) -значение б' сразу после выдержки при £,- , аппроксимационный характеризующий приращения • б' при

а(Ш -

параметр, скорость изменении

внешнего смещающего поля и зависящий как от величины размытия ФП (а~ 1/£), так и от величины измерительного поля £„ (сс~£0). В (8) АВ=Е= - Е,, при Е>Е^ и ДЕ= £,- - Ео при £.<£,- . Данное поведение £'=/(£,), также как и наличие эффекта памяти указывает на проявление "стекольного" характера диэлектрического отклика релаксора при его выдержке при 7>Г«/ в поле, не превосходящем £,„„,. Из таблицы 2 видно, что в случае измерительного поля Е0= 10 В/см величина порогового поля £,а будет существенно меньше, чем при Еи = 0,5 В/см. Особенно заметным такое уменьшение £,* наблюдается при выдержке образца в поле £/. =350 В/см. Последнее указывает на то, что измерительное и смещающие поля действуют аддитивным образом при возбуждении различного типа релаксаторов, определяющих вклад в е*.

Из таблицы 3, где представлены результаты исследования влияния на характер ЭПП промежутка времени между моментом установки температуры Т,

и моментом приложения к образцу поля выдержки E, следует, что величины локальных минимумов и е'(Е„), и £"(•£=) (А' И А" , соответственно) в зависимости от момента подачи поля выдержки Е,. (спустя 2 или 100 часов) меняются незначительно. В то же время значения пороговых полей Е,ь и Еа,"

Таблица 2

Значения параметра а в (8) и пороговых полей Еф для 5ВЫ-75 при 7/=42°С и различных величинах как поля выдержки £,., так и измерительного поля Ео

Е,., В/см Ео, В/см а, 1/В £,/,, В/см

0 0,5 13,0 95

10 16,7 65

350 0,5 12,5 100

10 20,0 55

Таблица 3

Величины локальных минимумов г'(Е ) - Д' и е"(£ ) - Л", а также соответствующих значений коэффициентов а' и а" и пороговых полей И £,/," при различном времени старения образца 5ЕШ-75 до подключения к нему смещающего поля =350 В/см.

Время выдержки при ¿.=0 Л'. % А". % Е,ь. В/см В/см а' а"

2 часа 23 52 120 100 14,3 14,3

100 часов 25 47 140 160 13.4 13,4

после предварительного "старения" в течении 100 часов заметно возросли, по сравнению с 2 часами "старения" образца. Это хорошо согласуется со сделанным на основе результатов исследования временных зависимостей и в монокристалле SBN-75, и в керамике ЦТСЛ выводом

о том, что релаксор после предварительного старения или времени ожидания при E,=0 становится «более твердым» или «жестким» для возбуждения внешним полем, подобно спиновому стеклу в аналогичных условиях [3].

В разделе 5.5 представлены результаты влияния выдержки (старения) монокристаллов SBN-75 и SBN-61 на поведение токов поляризации и деполяризации. Установлено, что и в монокристаллах-релаксорах, также как и в релаксорных керамиках ЦТСЛ, проявляются токи деполяризации в

независимости • от того, поляризовался или нет образец во внешнем. поле. Наличие данных токов в состаренных или выдержанных в поле образцах SBN свидетельствует о размораживании стеклоподобного состояния в релаксоре-монокристалле.

В разделе 5.6 на основе результатов исследования НЧ и ИНЧ петель поляризации в монокристаллах 5ВМ-61 и 5ВЫ-75 при средних (Е0<ЕС) и сильных амплитудах измерительных полей проводится сравнительный

анализ характера медленных

переполяризационных процессов для всей температурной области существования РФП двух релаксорных систем: монокристаллы SBN и керамики на основе ЦТС.

Установлено, что в монокристалле SBN-61 при Т^Тт возможен индуцируемый полем ФП из релаксорной фазы в СЭ фазу также, как это было в случае ЦТСЛ (рис.8). При этом из вида петель поляризации на ИНЧ (рис. 15а) следует, что при имеет место квазинасыщение

относительно узкой ПП, характеризующей стеклоподобное состояние системы при данных условиях. Превышение приводит к резкому росту Р , указывающее на индуцирование полем фазового перехода в СЭ состояние в данном материале (рис.156). При этом петля поляризации принимает вид,

характерный для релаксоров для температур - появление

«перетяжки» в области относительно слабых полей (рис.8г) [1,7].

При исследовании эффектов последействия в монокристаллах SBN выявлено, что в ходе «циклирования» поля при низких температурах постепенно «выключается» большая часть переполяризующегося объема образца вследствии выраженных процессов «замораживания» в

релаксорах. Это иллюстрирует рис.16, откуда видно, что при повторном проходе реверсивной зависимости эффективной глубины дисперсии Де'(£..) и потерь е"(£~) значения

данных параметров существенно уменьшаются. Подобный характер реверсирования имеет место и в релаксориых керамиках [А 14, A35, А39].

В главе 6 рассматривается влияние примеси лантана на характер отмечаемых выше долговременных процессов релаксации поляризации в системе SBN.

В разделах 6.1- 6.2 представлены результаты, иллюстрирующие поведение НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика монокристаллов SBN-61+0.1 La (8В1ЧЬ-61) в ультраслабых полях в широкой области температур.

В таблице 4 даны значения и температуры максимумов диэлектрических потерь для трех составов : 8В1Ч-75, 8В1Ч-61 и 8В1ЧЬ-61. Из таблицы 4 следует, что кроме сдвига вниз по температурной шкале допирование системы 8В1Ч-61 лантаном привело к более выраженному, чем в 8В1Ч-61, частотному сдвигу что свидетельствует о заметном

проявлении релаксорного характера максимумов е'(Т) в отмеченном диапазоне частот.

Таблица 4

Значения температур максимумов е'(7) и е"(Т) для монокристаллов Б1Ш-75 и 5ВЫ-61 и БЕШЬ-б! на частоте 1 Гц и 1 кГц для режима охлаждения в нулевом смещающем поле

Состав 8ВЫ-75 БВЫ-б! БВМЬ-61

частота 1 Гц 1 кГц 1 Гц 1 кГц 1 Гц 1 кГц

Тт(Е'т), °С 37 43 79 81 41,5 45

Тт(£"т), °С 33 35 77 78 37 40

В то же время, по сравнению с модельной системой SBN-75, величина Д7",„ в БВМЬ-61 остается существенно ниже. Исследования поведения эффективной глубины дисперсии Де'(Г) и "глубины" потерь -ДЕ"(7")=Е"|Ги"Е"|»Ги выявили следующую особенность диэлектрического отклика в 8В1Ч-61 и 8В1ЧЬ-

61. В зависимостях ^[Де'(7")] и.

проявляются две аномалии (рис.17). Одна -в области что является обычным явлением для данного диапазона частот,

характеризующим проявление вклада ДГ, ФГ и флуктуации полярных нанообластей в НЧ-ИНЧ дисперсию в области фазового перехода [14]. Другая

аномалия в виде излома 1§[Ле(7)] и размытого максимума ^[Дс"(7)] проявляется в области очень низких температур по отношению и к в

8В1Ч-61 и 8В1ЧЬ-61. В данном случае (рис.17) температура излома кривых может соответствовать температуре, так называемого "замораживания" или выключения осцилляции доменных границ, как это происходит в известном СЭ типа КГ)Р [17]. При этом из характера поведения 1£[Ае"(Т)] (рис.17) следует, что примесь лантана может заметно влиять на механизмы движения ДГ в области температуры замораживания, определяя существенный рост ИНЧ потерь, по сравнению с НЧ областью, что свидетельствует о перераспределение частот релаксации поляризации при допировании системы SBN-61 лантаном.

В разделах 6.2-6.3 представляются результаты влияния смещающих полей на НЧ-ИНЧ диэлектрический отклик SBNL-61. Выявлены температурные интервалы, где характер диэлектрического отклика определяются: а)процессами стеклоподобного замораживания (Т«Тт), как в модельной системе (8В1Ч-75), б) процессами доменного переключения {Т<Т„) и в) процессами индуцирования полем СЭ состояния

В разделе 6.4 представлены результаты, иллюстрирующие проявление эффектов старения и эффектов последействия в монокристалле SBNL-6L Показано "ослабление" эффектов памяти в составе SBNL-61 по сравнению с модельными релаксорами 8В1Ч-75 или ЦТ СЛ. При анализе частотных зависимостей параметра, характеризующего скорость спада с

течением времени, выявлено, что в монокристаллах 8В1Ч-61 и 8В1ЧЬ-61 значения В начинают существенно увеличиваться при у<2-3 Гц. Такое поведение отличается от монотонного роста наблюдаемого в

релаксорной керамике ЦТСЛ (рис. 1,2) с понижением частоты. Вероятнее всего, отклонение от логарифмического типа, иллюстрирующего

стеклоподобный характер функции распределения частот релаксации поляризации у, в ЦТСЛ [10] и в других разупорядоченных материалах [20], здесь, в монокристаллах SBN-61, обусловливается существенным уменьшением параметра распределения уг. В данном случае (при «сужении» спектра) самая большая скорость спада в монокристаллах будет вблизи значения которых достаточно близки к указанному интервалу (2-3 Гц и ниже). Это хорошо согласуется с моделью [5], где предполагается, что наибольшая скорость спада при старении релаксора (вызванная сдвигом дисперсии в сторону низких частот) имеет место именно при

В разделе 6.5 представлена температурная эволюция петель поляризации и выявленный из ПП ход поляризационных (переполяризационных) характеристик в SBNL-61. На основе полученных результатов и сопоставления характера диэлектрического отклика 8В1ЧЬ-61 в слабых полях делается вывод о том, что несмотря на существенное снижение при допировании лантаном монокристалла SBN-61, относительно мало увеличивается размытие фазового

перехода в данном материале. Это свидетельствует о том, что разупорадочение в SBNL-61 остается существенно меньше, чем в модельном релаксоре -монокристалле SBN-75, подобно тому, как это следует из сравнения-модельного релаксора - керамики ЦТСЛ и «слабого» релаксора -многокомпонентной керамики на основе ЦТС.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В настоящей работе впервые проведены систематические исследования НЧ-ИНЧ спектров диэлектрической проницаемости и токов деполяризации широкой группы модельных и «слабых» релаксоров, позволившие установить общие и особенные закономерности протекания медленных процессов релаксации поляризации в подобных материалах. При этом сформулированы следующие выводы:

1. Выявленные закономерности в поведении временных ассимптотик е* релаксоров указывают на необходимость описания процессов долговременной. релаксации поляризации не одной, а несколькими функциональными зависимостями в области размытого фазового перехода. При этом характер долговременной, релаксации поляризации и его описание определяется положением исследуемой температурной точки 7} относительно характеристических температур релаксора:

2. В "смешанных" СЭ системах, таких как релаксоры, где одновременно имеют место и СЭ (дальнодействие), и стекольные свойства (короткодействие), различные эффекты диэлектрической памяти могут быть качественно интерпретированы как с позиций пиннинга межфазных (доменных) границ на точечных дефектах (область температур - Т<Т,/), так и с позиций стеклоподобного «замораживания» (интервал температур

3. Особенности долговременных процессов релаксации поляризации в промежуточных («слабых») релаксорах на основе твердых растворов ЦТС обусловлены сосуществованием полярных фаз различной симметрии в области температур ниже Т„ и сосуществованием полярной и неполярной фаз в области Т>Тт.

4. Изменения в характере медленных процессов релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ после воздействия различных типов радиации связаны с существенным перераспределением частот релаксации поляризации в облучаемом материале, что, в свою очередь, проявляется в ослаблении или усилении эффектов диэлектрической памяти в данном материале.

5. На основе экспериментальных результатов исследования токов поляризации и деполяризации в различных релаксорах доказано, что при нагреве короткозамкнутого образца всегда (в независимости от его предварительной поляризации) имеет место наложение на пиротоки, вызываемые изменением поляризационного состояния материала при РФП, токов деполяризации. При этом токи деполяризации обусловливаются разрушением (распадом) крупных полярных кластеров (фрактокластеров-

«микроэлектретов»), формирующихся в релаксоре как под действием внешнего смещающего электрического поля, так и в процессе старения материала при температурах, расположенных ниже Тт.

6. Из результатов сравнительного анализа характера медленных процессов переполяризации при различных величинах постоянных смещающих полей, частотах и амплитудах переменного поля, в температурной области (Г</-Гт) для двух релаксорных систем (монокристаллы SBN и керамики ЦТСЛ) следует, что как в монокристалле-релаксоре SBN, так и в случае релаксорной керамики ЦТСЛ индуцируемый полем фазовый переход из релаксорной фазы в СЭ фазу является ФП первого рода.

Список цитируемой в автореферате литературы >

1. Лайнс М., Гласе А. Сегнетоэлектрические и родственные им материалы: Пер. с англ. /Под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского.- М: Мир, 1981. 316 с.

2. Коренблит И.Я., Шендер Е.Ф. Спиновые стекла и неэргодичность // УФН.

1989. Т. 157.Вып.2. С. 267-310.

3. Доценко B.C. Физика спин-стекольного состояния //УФН. 1993. Т. 163. №6.СЛ-37.

4. Cheng Z.-Y. and Katiyar R.S. Dielectric spectrum and its relationship with time

for PLZT 8/65/35 ceramics under DC bias. // J. ofthe Kor. Phys. Soc. V. 32, Feb. 1998, pp. S1042-S1045.

5. Pan W.Y., Shrout T.R., Cross L.E. Modeling the ageing phenomena in 0.9PMN-

0.1PT relaxor ferroelectric ceramics //J.Mater. Scince Lett. 1989.V.8. P.771-776.

6. Олемской А.И., Скляр И.А. Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации//УФН. 1992. Т. 162. №6. С.29-79.

7. Штернберг А.Р. Электрооптическая сегнетокерамика (обзор): Сб. науч. тр.

Рига: ЛГУ. 1977. С.5-105.

8. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика: Пер. с англ. /Под

ред. Л.А.Шувалова. М.: Мир, 1974.288 с.

9. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных диэлектриков и полупроводников. М.: Наука, 1991.248с.

10. Levstik A., Kutnjak Z., FilipiC С. and Pirc R. Glass-like freezing in PMN and PLZT relaxor systems. // J. ofthe Kor. Phys. Soc. V.32. Feb. 1998. P.S957-959.

11. Viehland D., Kim M. Y., Z.Xu, and Jie-Fang Li. Effects of quenched impurities on ferroelectric phase transformations in the system. // Work of International Conference "Electroceramics V edited by J.LBaptista, J.A.Labrincha, P.M.Vilarino.1996. University of Aveiro,Portugal,Book 1. P.97-103.

12. Robel U., Schneider-Stormann and Arlt G. Dielectric aging and its temperature

dependence in ferroelectric ceramic. // Ferroelectrics. 1995.V.168.P.301-311.

13. Исупов В.А. Поляризационно-деформационные состояния сегнетоэлек-триков с размытым фазовым переходом //ФТТ.1996.Т.38.№5 .С. 1326-1330.

14. Шильников А.В. Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия некоторых сегнетоэлектрических кристаллов и керамик // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. Т.51.№10. С.1726-1735.

15. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1995.301 с.

16. Нечаев В.Н., Рощупкин A.M. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэластиках и сегнетоэластиках-сегнетоэлектриках //Изв. РАН. Сер.физ. 1995. Т.59.№9.С.11-25.

17. Сидоркин А. С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физматлит, 2000. 240 с.

18. Вахрушев СБ. Процессы микроскопической перестройки структуры в сегнетоэлектриках с размытыми фазовыми переходами и родственных материалах: Дис. • • д-ра физ.-мат. наук /ФТИ им. Иоффе, СПб., 1998. 86 с.

19. Schmidt G., Boczek J. Pseudoelasticity and shape memory of PLZT ceramic // Phys. Status solidi. 1978, V. A50. N1. P. 109-111.

20.Gridnev S.A. Dielectric relaxation in disordered polar dielectric. // Ferroelectrics. 2002. V.266.P. 171 -209.

21. Медленные релаксационные процессы и экранирование в сегнетоэлектрике

полупроводнике / В.М. Фридкин, А.А. Греков, Н.А. Корчагина, Е.Д. Рогач, А.И. Родин, Э.А Савченко // Полупроводники-сегнетоэлектрики. Сб. науч. тр. Р-на/Д. РГПИ. 1986. №4. С.106-112.

22. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Виша шк, 1980. 398 с.

23. Konstantinov G.,Bogosova Ya. and Kupriyanov M. Diffusion of phase transition in PZT ferroelectric ceramics //Ferroelectrics. 1992,v.l31, pp.193197.

24. A.V.Turik. Features of domain and cluster structures in connection with physical properties and phase transition in ferroelectrics// Ferroelectrics. 1999. V.222. P.33-40.

25. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках /Под ред. Л.А.Шувалова, И.С.Хизниченко. Ташкент: Фан, 1986. 215 с.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах

Публикации в изданиях по перечню ВАК РФ

А1.Шильников А.В., Бурханов А.И., Бирке Е.Х. Эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ //ФТТ.1987.Т.29. №3. С.899-902.

А2.Шильников А.В., Бурханов А.И. Новые эффекты диэлектрической памяти в керамике ЦТСЛ // ЖТФ. 1988. Т.58. № 5. C.792-793.

АЗ.Шильников А.В., Бурханов А.И., Шуваев М.А. Пьезодиэлектрический эффект в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ //Изв. РАН. Сер.физ.1992Л\56.№П. С.168-170.

А4. Формирование напряженного состояния в керамике ЦТСЛ - 10/65/35 после термического и механического воздействий/ А.В. Шильников, М.Д. Катрич, А.И. Бурханов, И.И. Беспальцева // Известия РАН. Сер. Физ. Т.57, № 3. 1993. С. 108-109

А5. Долговременные процессы релаксации, поляризации и эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ-Х/65/35 / А.В. Шильников, А.И. Бурханов В.Н. Нестеров, А. Штернберг, В. Димза // Изв. РАН Сер. физ. 1993. Т. 57, №3. С. 101-107.

А6. Диэлектрическая релаксация в легированной и у-облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 / А.И. Бурханов, А.В. Шильников, СЮ. Шишлов, А. Штернберг, В. Димза //ФТТ. 1994. Т.36,№8, С.2320-2327.

А7. Влияние допирования и гамма-облучения на эффект механической памяти в системе ЦТСЛ /А.И. Бурханов, А.В. Шильников, СЮ. Шишлов, А. Штернберг, В. Димза // Изв. РАН Сер. физ. 1995. Т.59, № 9.С97-101.

А8. Процессы поляризации и переключения в неупорядоченных материалах типа керамики PLZT в присутствии примесей металлов / А.И. Бурханов, А.В. Шильников, В.Н. Нестеров, В.И. Димза // Изв. РАН Сер. физ. 1995. Т.59, № 9. С.93-96.

А9. Доменные процессы в кристалле Sr<j 75Взо ^sNbzOft в широком интервале амплитуд низко- и инфранизкочастотных полей/ А.В. Шильников, А.И. Бурханов, Р.Э. Узаков, МЛ. Шуваев, В.И.Сильвестров // Изв. РАН. Сер. физ. 1995. Т.59. № 9.C.65-6S.

А10. Влияние гамма- и нейтронного облучения на длительные процессы релаксации диэлектрической поляризации в системе ЦТСЛ /А.И. Бурханов, А.В. Шильников, СЮ. Шишлов, А. Штернберг,// Изв.РАН. Сер.физ. 1997Л\61.№2.С.268-271.

АИ. Бурханов А.И., Шильников А.В. Влияние постоянного электрического поля на эффект механической памяти в прозрачной керамике ЦТСЛ-8, легированной европием //Изв.РАН. Сер. физ. 1997. T.6I. №5. С.903-905.

А12. Бурханов А.И., Шильников A.B., Узаков Р.Э. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле // Кристаллография. 1997. Т.42. №6.С. 1069-1075.

А13. Фазовые переходы в неупорядочных системах : сегнетокерамике PSN и монокристаллах SBN при воздействии механического давления/ А.В. Шильников, А.И. Бурханов, А.В. Сопит, Р.Э. Узаков, СЮ. Шишлов, А. Штернберг//Изв. РАН. Сер .физ. 1998.Т.62. №8.СЛ541-1544.

А14. Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики

(l-x)PMN-xPZT/ А.И. Бурханов, А.В. Шильников, А.В. Сопит, А.Г. Лучанинов. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 5. С. 910-916.

А15. Диэлектрический отклик в системе ЦТС в области сосуществования фаз/ А.Д. Данилов, А.В. Шильников, А.И. Бурханов, В.Н. Нестеров, Г.М. Акбаева, Е.Г. Надолинская //Изв.РАН.Сер.физ.2000.Т.64.№6.С.1236-1241. А16. Влияние предыстории на физические свойства скандониобата свинца с различным содержанием бария/ А.В. Шильников, А.И. Бурханов, Ю.Н. Мамаков, А.А. Завьялова, А.В. Сопит, А. Штернберг, К. Борманис //Изв. РАН. Сер.физ. 2001. Т. 65, №8, С.1156-1161. А17. Особенности электрофизических свойств при размытых фазовых переходах в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе ЦТС/ А.И. Бурханов, А.В. Шильников, Ю.Н. Мамаков, Г.М. Акбаева//ФТТ.2002. T.44,N9.C.1665-1672. А18. Релаксационные и гистерезисные диэлектрические процессы на низких (НЧ) и инфранизких (ИНЧ) частотах в тонких золь-гель-пленках типа Ni/PZT/Pt / А.В.Шильников, Л.Р. Лалетин, А.И. Бурханов, А.С. Сигов, К.А. Воротилов // Изв. АН. Сер.физ. 2003. Т.67. №8. С.1166-1171. А19. Особенности диэлектрического отклика в сегнетоэлектрических плёнках ЦТС/ А.И. Бурханов, А.С. Кудашев, А.В. Шильников, И.Н. Захарченко, С.Г. Гах, В .А. Алешин //Кристаллография. 2ОО4.Т.49.№1. С. 142-144. А20. О доменном- вкладе в диэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических золь-гель пленок ЦТС на низких и инфранизких частотах/ А.В.Шильников, Л.Р. Лалетин, А.И. Бурханов, А.С. Сигов, К.А. Воротилов // Кристаллография. 2ОО4.Т.49.№1. С.145-150. А21. Диэлектрические свойства разупорядоченной сегнетоэлектрической керамики PSN-PT/ А.И. Бурханов, С.А. Сатаров, А.В. Шильников, К. Борманис, А. Штернберг, А. Калване // Изв. РАН. Сер.физ. 2004. Т.68. №7. С.978-980.

Статьи в изданиях, не входящих в перечень ВАК РФ

А22. Шильников А.В., Бурханов А.И., Надолинская Е.Г. Особенности диэлектрических свойств керамики ЦТСЛ на низких и инфранизких частотах//Физика диэлектриков и полупроводников: Сб. науч. трудов. "Материалы выездной сессии. Науч. совета АН СССР по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков, Волгоград, 16-20 сент. 1985.В ПИ. Волгоград, 1986. С.45-56. A23.Shilnikov A.V., Burkhanov A.I., Dontsova L.I., Nadolinskaya E.G. Dielectric properties of PLZT transparent ferroelectric ceramics at low and infralow frequencies // Ferroelectrics.l986.V.69.P.l 11-116 A24.Shil'nikov A.V., Burkhanov A.I., Sternberg A.R, Birks E. Dielectric memory ef-fect in ferroelectric ceramics of PLZT and PMN.//Ferroelcctrics.l988.V. 81.P.317-321.

A25. Burkhanov A.I.,Shilnikov A.V., Sternberg A. Aging and after-effects in PLZT-x/65/35 ferroelectric ceramics. // Ferroelectrics.l989.V.90.P.39-43.

A26.Burkhanov A.I., Shilnikov A.V., Dimza V. Dielectric Memory Effects of (Mn, Fe, Co, Cu, Eu) Doped PLZT Ceramics// Ferroelectrics.l992.V.131.P.267-273.

А27.Бурханов А.И. Сверхмедленные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах с размытыми фазовыми переходами // Релаксационные явления в твердых телах: Тр. междунар. семинара. Воронеж, 1996. Ч.1.С.89-110.

A28.Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V., Shishlov S.Yu., Sternberg A. Low and infralow frequency dielectric responce of у and n-irradiation PLZT ceramics //Ferroelectrics.l996.V.186.P.145-149.

A29. Диэлектрические свойства монокристалла ниобата бария-стронция

допированного лантаном/ А.В. Шильников, А.И. Бурханов, О.Н. Старцева, Р.Э. Узаков, А.А. Завьялова //Конденсированные среды и межфазные границы. ВГТУ. Воронеж. 2000. С. 241-245.

АЗО. ShiPnikov A.V., Burkhanov A.I., Nesterov V.N. Mechanisms of motion of domain interface boundaries and their computer simulation// Ferroelectrics.

1996.V.175.P.145-149.

A31. Shishlov S.Yu., Shil'nikov A.V., Burkhanov A.I., Sternberg A. The behaviour of relaxor of PLZT system after y- irradiation //Ferroelectrics,

1997.V.190.P.155-160.

A32. Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V., Uzakov R.E. Long-term effect of bias field on dielectric properties of SBN optical crystal with diffuse phase transition. // SPIE. 1997. V.2967. P.199-201.

A33. Uzakov R.E., Burkhanov A.I., Shirnikov A.V. The influence of the thermal and electrical prehistory on physical properties of relaxor SBN // Journal of Korean Phys.Soc.V.32, February, 1998. P.S1016-S1018.

A34. ShiFnikov A.V., Uzakov R.E., Burkhanov A.I. The processes of polarization and repolarization in relaxors with the tungsten bronze structure// Ferroelectrics. 1999. V.223. P.I 19-126.

A35. ShiPnikov A.V., Sopit A.V., Burkhanov A.I., Luchaninov A.G., Uzakov R.E. The dielectric response of electrostrictive (l-x)PMN -PZT ceramics.// Journal, of Euro. Ceramic Soc. 1999 . V.19. P.1295-1297.

A36. Shirnikov A.V., Otsarev I.V., Burkhanov А.1., Nesterov V.N., Akbaeva G.M., Uzakov R.E. Peculiarities of dielectric properties of some composition of PZT-based ferroceramics//Journal of Euro. Ceramic Soc.l999.V.19.P.l 197-1200.

A37. Bormanis K., Burkhanov А.1., Shil'nikov A.V., Sternberg A., Satarov S.A., Kalvane A. Feature of dielectric polarization in PSN-PT ferroelectric ceramics// Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2004.V.6. No.l.P.337-341.

A38. Burkhanov A.I., ShiFnikov A.V., Mamakov Yu.N., Zavjalova A.A., Sternberg A., Bormanis K. Polarization and depolarization currents in Pbi. „BaxSco.sNbo^Oa ferropiezoelectric ceramics // Ferroelectrics. 2001. V.257 (1-4).Part I. P.85-90.

A39. Burkhanov A.I., ShiPnikov A.V., Zavjalova A.A., Sternberg A., Bormanis K. Dependence of dielectric permittivity on bias field in

Ferroelectrics. 2001. V. 257 (l-4).Part I. P.91-98.

A40. Stemberg A., Bormanis K., Kalvane A., Burkhanov A.I., Satarov S.A. Mamakov Yu.N. and Shil'nikov A.V. Nonlinearity of dielectric parametrs of PbNi|/3Nb2/303-Pb(Zr,Ti)C>3 ferroelectric solid solution.// Ferroelectrics 2002. V.268. P.375-380.

A41. Низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства релаксорной керамики ЦТСЛ-Х/65/35 при нейтронном облучении/ А.И. Бурханов, А.В.Шильников, А. Штернберг, В.А. Федорихин //«Радиационная физика твердого тела». Тр. XIII Междунар. совещания. М.: МГИЭМ. 2003.С.404-408.

А42. Особенности низкочастотной релаксации диэлектрических свойств в области размытого фазового перехода в монокристалле-релаксоре PBSN-6/ А.И.Бурханов, СВ. Кравченко, А.В. Шильников, И.П. Раевский, Е.В. Сахкар, В.П. Сахненко //«Порядок, беспорядок и свойства оксидов». Сб. тр. Междунар.симпозиума. 2003. г.Сочи, Р-н/Д: НИИ РГУ. С.47-50.

A43.Burkhanov A.I., Shirnikov A.V., Satarov SA. Bormanis К., Sternberg A., Kalvane A. Specifics polarization switching in PbNii/jNbAOa — PbTiO3 -PbZrCb ferroelectric ceramics.// Journal ofthe European Ceramic Society. 2004. V.24.No.6. P. 1541-1544.

A44. Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V. Super slow polarizaition relaxation in PLZT relaxor ceramics //Ferroelectrics. 2004. V.299. P. 153-156.

A45. Burkhanov А.1., Shil'nikov A.V., Startseva O.N., Prygunov A.P., Uzakov R.E., L.I.Ivleva. The slow processes of polarization relaxation in the SBN and

dopedSBN single crystals with tungsten bronze structure // Ferroelectrics.2004. V.299. P.191-196.

Подписано в печать 14.09.2004. Формат 60x84/16. Бумага для множительных аппаратов.

Усл. печ. л. 2,0. Тираж 90 экз. Зак. Воронежский государственный технический университет 394026 Воронеж, Московский просп., 14

П

у

Ш 17158

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. РЕЛАКСОРНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ (РСЭ). ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА И НЕКОТОРЫЕ МОДЕЛИ, ОПИСЫВАЮЩИЕ ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ОБЛАСТИ РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В РСЭ.

1.1. Особенности макроскопических свойств релаксоров.

4 1.2. Исследования микроструктурных характеристик РСЭ.

1.2.1. Рентгенографический анализ.

1.2.2. Высокоразрешающая электронная микроскопия (ВРЭМ).

1.3. Модельные представления РСЭ.

1.3.1. Модель флуктуации состава (модель Исупова В.А.Смоленского Г.А.).

•) 1.3.2. Другие модели, основанные на представлении о флуктуации состава в РСЭ.

1.3.2.1. Модель суперпараэлектрического состояния.

1.3.2.2. Модель дипольного и спинового стекла.

1.3.2.3. Модель случайного поля.

1.3.2.4. Модель колебания фазовых границ.

1.4. Долговременные релаксационные процессы в СЭ

I и родственных материалах. , \ 1.4.1. Процессы диэлектрического старения в СЭ.

1.4.2. Долговременная релаксация в РСЭ и сегнетоэлектриках с несоразмерной фазой (НСФ).

1.4.2.1. Долговременная релаксация в РСЭ.

1.4.2.2. Изменение физических свойств со временем в области несоразмерной фазы.

1.5. Краткие выводы по обзорной главе.

ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА, МЕТОДИКА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ И ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ.

2.1. Экспериментальные установки по измерению диэлектрического отклика материала при различных частотах и амплитудах измерительного поля.

2.2. Методики измерения временных зависимостей диэлектрических параметров материалов.

2.3. Методика измерений токов.

2.4. Образцы.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРЕДЫСТОРИИ НА НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК РЕЛАКСОРНЫХ СЕГНЕТОКЕРАМИК НА ОСНОВЕ ЦТС.

3.1. Кинетика диэлектрического отклика сегнетокерамики ЦТС Л в различных временных интервалах выдержки образца при температурах соответствующих размытому фазовому переходу.

3.1.2. Влияние выдержки образца на поведение температурных зависимостей диэлектрических параметров и токов поляризации (деполяризации) в сегнетокерамике ЦТСЛ -8/65/35+0.1Еи.

3.2. Эффекты диэлектрической памяти в сегнетокерамике

ЦТСЛ-х/65/35.1.

3.2.1. Обсуждение эффектов термической памяти в ЦТСЛ.

3.3. Реверсивная диэлектрическая проницаемость и петли поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/

3.4. Подобия и отличия в проявлении релаксорных свойств многокомпонентной сегнетопьезокерамики на основе

ЦТС (МКСПК) и модельного релаксора ЦТСЛ.

3.4.1. Поведение НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика МКСПК в слабых измерительных полях до и после воздействия смещающего поля.

3.4.2. Реверсивные зависимости и петли поляризации в МКСПК в широкой области температур.:.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ И МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ

ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОКЕРАМИКЕ ЦТСЛ-Х/65/35.

4.1. Особенности температурного поведения НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика в облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/

4.2. Влияние различных типов облучения на поведение петель поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/

4.3. Временная зависимость диэлектрических параметров в облученной сегнетокерамики ЦТСЛ-х/65/35.

4.3.1. Изменение характера дисперсии е* при длительной изотермической выдержке ГН-облученного образца ЦТСЛ-8/65/35.

4.3.2. Проявление эффектов термической и полевой памяти в облученных образцах ЦТСЛ-х/65/

4.4. Влияние давления на процессы релаксации поляризации в ЦТСЛ-х/65/35 (эффекты механической памяти).

4.4.1. Влияние постоянного электрического поля на проявление эффекта механической памяти.

4.4.2. Проявление эффекта полевой памяти в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 при различной механической предыстории материала.

4.5. Выводы.

ГЛАВА 5. ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИОННЫЕ

ЯВЛЕНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛЕ SBN.

5.1. Влияние механического напряжения на диэлектрические свойства SBN-75.

5.2. Изменение диэлектрических параметров с течением времени в области размытого фазового перехода в монокристалле SBN.

5.3. Эффекты диэлектрической памяти в монокристалле-релаксоре SBN-75. 5.3.1. Эффект термической памяти.

5.3.2. Эффект полевой памяти.

5.4. Токи поляризации и деполяризации в монокристалле SBN при различной предыстории материала.

5.4.1. Обсуждение результатов по поведению токовых характеристик.

5.5. Поляризационные и переполяризационные процессы в монокристалле SBN.

5.5.1. Эволюция петель поляризации в области характеристических температур Та и Тт в монокристаллах SBN.

5.5.2.Температурные зависимости поляризационных и переполяризационных характеристик.

5.5.3. Влияние предыстории на характер поляризационных и переполяризационных процессов в монокристаллах SBN.

5.6. Выводы.

ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ ДОПИРОВАНИЯ ЛАНТАНОМ НА НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛА SBN-61.

6.1. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости е\Т), потерь в"(Т) и эффективной глубины дисперсии Аг\Т) в SBNL-61.

6.2 Влияние смещающего поля на диэлектрический отклик 8ВЫЬ-61.

6.3. Реверсивные зависимости г\Е=) в монокристалле 8ВМЬ-61 в широкой области температур.

6.4. Кинетика диэлектрической проницаемости и эффекты памяти в монокристалле 8ВМЬ-61.

6.5. Процессы низко- и инфранизкочастотной переполяризации в монокристалле 8ВЫЬ-61.

6.6. Выводы.

Актуальность проблемы. В последние десятилетия центр тяжести исследований физики конденсированных сред все более смещается в область изучения всевозможных неупорядоченных систем: стеклоподобных объектов различной природы; монокристаллических структур с точечными, линейными и поверхностными дефектами; твердых растворов, керамик и текстур, полученных с применением различных технологий.

Особое место среди этих исследований занимают поиски ответов на фундаментальные вопросы о физической природе медленных релаксационных процессов протекающих в сегнетоэлектриках (СЭ) и родственных материалах при размытых фазовых переходах (РФП), так как эти материалы являются уникальными объектами моделирования процессов происходящих в комплексных системах. Кроме того СЭ с размытым фазовым переходом в силу своих особых свойств являются наиболее перспективными для применений в различных отраслях современной техники, например, в изготовлении миниатюрных многослойных керамических конденсаторов, микропозиционеров и микродвижителей применяемых в сканирующих электронных микроскопах , в адаптационных зеркалах, световых затворах и дисплеях, в чувствительных инфракрасных датчиках, в поглотителях сверхвысокочастотных электромагнитных волн и многое другое. При этом важной проблемой использования СЭ и родственных им материалов была и остается проблема стабильности их свойств во времени — так называемая проблема старения и усталости материала.

В ряде работ (А.В.Шильников и др.) показано, что медленные электрофизические процессы и связанные с ними эффекты старения наиболее адекватно отражаются в характере низко- и инфранизкочастотных (НЧ-ИНЧ) диэлектрических спектров. Это привело, особенно в последнее время, к значительному расширению применения исследователями в разных странах инфранизкочастотной методики для изучения сегнетоэлектриков с РФП -релаксоров и других неупорядоченных (неравновесных) структур.

Однако, несмотря на значительный объем экспериментальных и теоретических результатов, полученных к настоящему времени при исследовании медленных процессов в СЭ - релаксорах, большая часть проблем остается открытой. При этом совершенствующиеся различные методы изучения (например, результаты нейтронных исследований или методы компьютерного моделирования) заставляют по-новому смотреть на полученные ранее результаты. Все это свидетельствует о безусловной актуальности изучения медленных неравновесных процессов в неупорядоченных СЭ и родственных им материалах.

1. Тематика работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН (раздел 1.2. — «Физика конденсированных состояний вещества. Работа является частью комплексных исследований проводимых на кафедре физики Волгоградского архитектурно-строительного университета: вначале по координационному плану Государственного комитета по науке и технике : проект №37-37-10 «Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков и родственных материалов») и, в дальнейшем, по грантам Российского фонда фундаментальных исследований и грантам Минобразования России (проекты: №95-02-06366 «Влияние доменных и фазовых границ, а также дефектов недоменной природы на макроскопические физические свойства некоторых пьезо-сегнетоэлектрических монокристаллов и керамик», 97-07.1-43 «Медленные электрофизические процессы в неоднородных (неупорядоченных) структурах на основе сегнетоэлектриков и родственных материалов (высокоомных полупроводников), №98-02-16146 «Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и родственных материалах в связи с их реальной структурой»; №Е02-3.4-424, «Исследование физической природы различных эффектов последействия в сегнетоэлектрических и родственных материалах»; по научно-технической программе: «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» - №202.03.02.04 «Роль доменных и фазовых границ в проявлении макроскопических физических свойств многокомпонентных сегнетопьезокерамик».

Цель работы - формирование и развитие представлений о механизмах медленной релаксации поляризации в сегнетоэлектрических и подобных им объектах с размытым фазовым переходом. В связи с этим решаются следующие задачи:

-на основе экспериментальных исследований вида НЧ-ИНЧ спектров комплексной диэлектрической проницаемости (с*) и эволюции параметров этих спектров в связи с предысторией, дефектной структурой, соотношением концентрации компонентов в твердом растворе изучаемых объектов, выявить характер и природу влияния этих факторов на протекание долговременных электрофизических процессов в СЭ с РФП - релаксорах; - обобщить выявленные закономерности и в рамках полученных результатов выявить возможности прогнозирования макроскопических физических свойств материалов создаваемых для практических нужд. Основные подходы и методы решения

Используя прецизионный метод НЧ-ИНЧ диэлектрической спектроскопии, разработанный на кафедре физики ВолгГАСУ, методы измерения токов поляризации и деполяризации, метод резонанса-антирезонанса при измерении пьезоэлектрических характеристик провести комплексные исследования (широкий интервал температур, амплитуд и частот измерительных и смещающих полей) ряда сегнетэлектрических монокристаллов и керамик в зависимости от предыстории, включающей в себя различные времена выдержки при постоянной температуре, различную степень воздействия постоянных (смещающих) полей, различные дозы "жесткого" гамма и (или) нейтронного облучения.

При обобщении, анализе и интерпретации экспериментальных результатов, в качестве основных, будут учитываться теоретические подходы рассмотрения размытых фазовых переходов (Г.А.Смоленский, В.А.Исупов, В.Я.Фрицберг, М.Д.Глинчук, Е.Кросс, В.Вестфаль и др.), несоразмерной фазы (А.П.Леванюк, Д.Г.Санников, К.Хамано и др.), влияния точечных дефектов (А.С.Сигов, А.С.Сидоркин, В.Н.Нечаев, А.В.Морозов и др.) Объекты исследования

Для исследования процессов медленной релаксации поляризации в неупорядоченных объектах были выбраны типичные представители СЭ с размытым фазовым переходом, так называемые, релаксоры: -твердые растворы цирконата титаната свинца модифицированного лантаном -РЬ1хЬах(2го.б5'По.з5)Оз (ЦТСЛ), приготовленные в виде горячепрессованной керамики;

-многогомпонентная сегнетопьезокерамика на основе ЦТС - РЬТЮз - PbZrOз - РЬ№>2/з2п1/зОз - РЬ"^/2 О - РЬ\Уз/51л2/5 0з при РЬТЮ3 - 34,89 шо1% с добавлением модификатора;

-твердые растворы системы ниобата бария стронция -БгхВаьхЫЬгОб (БВЫ), приготовленные в виде монокристаллов оптического качества, как «чистые», так и с добавлением лантана.

Основные результаты и выводы работы могут быть распространены и на другие сегнетоэлектрические материалы с РФП.

Научная новизна

•Впервые для всей области размытого фазового перехода выявлены типы временных асимптотик, описывающих долговременный спад диэлектрической проницаемости в релаксорных сегнетоэлектриках. • Впервые, обнаружены и интерпретированы эффекты диэлектрической памяти при долговременных процессах релаксации поляризации, проведены комплексные исследования данных эффектов и процессов, рассмотрены и получены некоторые их практические применения.

•Впервые, на основе сопоставления экспериментальных результатов по изучению медленной релаксации поляризации в неупорядоченных материалах - релаксорной керамике ЦТСЛ и монокристаллах-релаксорах БВЫ, доказывается необходимость использования двух подходов (моделей) при описании долговременных релаксационных процессов в такого рода системах: а) для области температур лежащих ниже характеристической температуры Та - модель пиннинга фазовых и доменных границ на диффундирующих к этим границам точечных дефектах; б) для области температур Тт>Т>Тс1 - модель стеклоподобного состояния в релаксоре, где учитывается возможность "замораживания" полярных кластеров в локальных областях образца (в областях концентрации дефектов структуры) и возникновения особых кластеров -фрактокластеров (микроэлектретов).

•Впервые при исследовании эффектов последействия в монокристаллах релаксорах 8ВЫ выявлено, что высокие значения Рх (сравнимые с теоретическими), определяемые с помощью петель поляризации, получаются лишь вначале цикла переполяризации, тогда как при дальнейшей переполяризации значения Рх существенно уменьшаются, что вызвано процессами стеклоподобного «замораживания» в неупорядоченных материалах.

Научная и практическая ценность результатов работы. Выявленные закономерности в характере долговременных процессов поляризации в системах с размытым фазовым переходом позволяют прогнозировать характер диэлектрических, пироэлектрических, пьезоэлектрических, упругих и других свойств перспективных материалов - релаксоров. Это, в частности, подтверждает факт наличия авторского свидетельства «Релейный датчик температуры. АС № 1525480. Опубл. в БИ.№44. 30. 11. 1989 г.», полученного на основе результатов исследования эффектов диэлектрической памяти релаксорной керамики ЦТСЛ.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Экспериментальное обоснование необходимости описания процессов долговременной релаксации поляризации в области размытого фазового перехода не одной, а несколькими функциональными зависимостями. Вид которых определяется положением исследуемой температурной точки Ть относительно характеристических температур релаксора : , Тт и/или 7}.

2. Обнаружение различных эффектов диэлектрической памяти (температурной -ЭТП, постоянного -ЭПП и переменного ЭГПТП полей, механической -ЭМП) присущей релаксорам при долговременных процессах. Интерпретация этих эффектов с позиций пиннинга межфазных (доменных) границ на точечных дефектах (область температур - Т<Т и/или с позиций стеклоподобного «замораживания» (интервал температур

3. Экспериментальные результаты, устанавливающие особенности процессов релаксации поляризации в т.н. промежуточных («слабых» релаксорах) на основе твердых растворов цирконата-титаната свинца. Данные особенности обусловлены сосуществованием полярных фаз различной симметрии в области температур ниже Тт и сосуществованием полярной и неполярной фаз в области Т>Тт.

4. Экспериментальные результаты, отражающие изменения в характере медленных процессов релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ после воздействия различных типов радиации. Данные изменения обусловливаются существенным перераспределением частот релаксации поляризации облучаемого материала.

5. Экспериментальное доказательство обязательного существования токов деполяризации при нагревании короткозамкнутого образца из релаксорного материала (в независимости от его предварительной поляризации). Данные токи возникают благодаря распаду при нагревании крупных полярных кластеров, формирующихся в релаксоре как под действием внешнего смещающего электрического поля, так и в процессе старения материала в нулевом поле при температурах расположенных ниже Тт.

6. Результаты сравнительного анализа характера медленных процессов переполяризации при различных величинах постоянных смещающих полей, частотах и амплитудах переменного поля, в температурной области (7>ГИ) для двух релаксорных систем (монокристаллы БВЫ и керамики ЦТСЛ), устанавливающие, что как в монокристалле-релаксоре БВИ, так и в случае релаксорной керамики ЦТСЛ индуцируемый полем фазовый переход из релаксорной фазы в СЭ фазу является ФП первого рода. Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на 11-ой (Киев-Черновцы, 1986), 12-ой (Ростов-на-Дону, 1989), 13-ой (Тверь, 1992) 14-ой(Иваново,1995), 15-ой(Ростов-на-Дону,Азов,1999) и 16-ой(Тверь,2002) Всесоюзных и Всероссийских конференциях по СЭ, на выездной сессии Научного совета АН СССР по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков (Волгоград, 1985). Положения диссертации докладывались также на различных международных конференциях и семинарах: 6-ой, 8-ой Европейских конференциях по СЭ (Познань, 1987, Найемеген, 1995); 1, 4, 5 семинарах по доменной структуре (Волгоград, 1989, Вена, 1996, Пенсильвания, 1998); научно-практических конференциях «Релаксация -93, 94, 97, 2000» (С.Петербург, 1993, 1994, 1997,

2000); семинарах по релаксационным явлениям в твердых телах (Воронеж, 1993,1995), 6, 7, 9 (4) семинарах по физике сегнетоэластиков (Воронеж,1994, Казань, 1997, Воронеж,2003); 6-ой конференции по электрокерамике (Авейро,1996); семинарах по релаксорным СЭ (Дубна 1996, 1998, 2000); 9 и 10 Всемирных конференциях по СЭ (Сеул, 1997, Мадрид

2001), 5-ой конференции по приложению полярных диэлектриков (Рига,2000), Российско-Балтийско-Японском симпозиуме по физике сегнетоэлектриков (С.-Петербург, 2002), научно-практическим конференциям «Пьезотехника» (2000, 2002, Москва, Тверь), «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2001, 2003) «Интерматик 2003» (Москва, МИРЭА) и др.

Публикации. По теме диссертации автором опубликовано 156 работ, основные из которых перечислены в конце автореферата. Личный вклад автора. Все результаты, изложенные в диссертации получены автором лично или совместно с сотрудниками руководимой проф. А.В.Шильниковым лаборатории по изучению НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств СЭ и родственных материалов. Часть экспериментальных результатов была получена совместно с Шишловым С.Ю., Узаковым Р.Э., Сопитом A.B., Даниловым А.Д., Оцаревым И.В., Завьяловой (Оцаревой) A.A., Старцевой О.Н. Другие соавторы публикаций принимали участие в ряде экспериментов и обсуждении результатов (Лучанинов А.Г., Штернберг А., Борманис К., Бирке Е., Надолинская Е.Г., Нестеров В.Н., Сатаров С.А., Лалетин P.A., Кудашев A.C., Мамаков Ю.Н., Кравченко C.B.).

На протяжении почти 20 лет автор работал вместе с бывшим научным руководителем по кандидатской диссертации, а затем и его научным консультантом - профессором А.В.Шильниковым. Его влияние в огромной степени способствовало формированию научных взглядов автора и появлению данной работы. И хотя скоропостижная смерть Аркадия Владимировича Шильникова прервала это плодотворное сотрудничество, светлая память о нем останется навсегда, чему подтверждением будут новые труды его учеников.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитированной литературы. Диссертация содержит 307 страниц текста, включающего 97 рисунков и 7 таблиц. Список литературы содержит 304 наименования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В настоящей работе впервые проведены систематические исследования НЧ-ИНЧ спектров диэлектрической проницаемости и токов деполяризации широкой группы модельных и «слабых» релаксоров в широкой области температур, позволившие установить общие и особенные закономерности протекания медленных процессов релаксации поляризации в подобных материалах. При этом сформулированы следующие выводы:

1. Выявленные закономерности в поведении временных ассимптотик с* релаксоров указывают на необходимость описания процессов долговременной релаксации поляризации не одной, а несколькими функциональными зависимостями в области размытого фазового перехода. При этом характер долговременной релаксации поляризации и его описание определяется положением исследуемой температурной точки Г,-, относительно характеристических температур релаксора : Та,Тт и/или 7}-.

2. В "смешанных" СЭ системах, таких как релаксоры, где одновременно имеют место и СЭ (дальнодействие), и стекольные свойства (короткодействие), различные эффекты диэлектрической памяти могут быть качественно интерпретированы как с позиций пиннинга межфазных (доменных) границ на точечных дефектах (область температур - Т<Т^), так и с позиций стеклоподобного «замораживания» (интервал температур 7^-Тт). :

3. Особенности долговременных процессов релаксации поляризации в промежуточных («слабых») релаксорах на основе твердых растворов ЦТС обусловлены сосуществованием полярных фаз различной симметрии в области температур ниже Тт и сосуществованием полярной и неполярной фаз в области Т>Т

1 -1 /я*

4. Изменения в характере медленных процессов релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ после воздействия различных типов радиации связаны с существенным перераспределением частот релаксации поляризации в облучаемом материале, что, в свою очередь, проявляется в ослаблении или усилении эффектов диэлектрической памяти в данном материале

5. На основе экспериментальных результатов исследования токов поляризации и деполяризации в различных релаксорах доказано, что при нагреве короткозамкнутого образца всегда (в независимости, от его предварительной поляризации) имеет место наложение на пиротоки, вызываемые изменением поляризационного состояния материала при РФП, токов деполяризации. При этом токи деполяризации обусловливаются разрушением (распадом) крупных полярных кластеров (фрактокластеров-«микроэлектретов»), формирующихся в релаксоре как под действием внешнего смещающего электрического поля, так и в процессе старения материала при температурах расположенных ниже Тт.

6. Из результатов сравнительного анализа характера медленных процессов переполяризации при различных величинах постоянных смещающих полей, частотах и амплитудах переменного поля, в температурной области для двух релаксорных систем (монокристаллы БВК и керамики ЦТСЛ) следует, что как в монокристалле-релаксоре БВИ, так и в случае релаксорной керамики ЦТСЛ индуцируемый полем фазовый переход из релаксорной фазы в СЭ фазу является ФП первого-рода.

БЛАГОДАРНОСТИ

Выражаю глубочайшую признательность и благодарность безвременно ушедшему от нас Аркадию Владимировичу Шильникову — моему научному консультанту. На протяжении многих лет творческое общение ним поддерживало и обогащало меня в научном поиске. Его влияние в огромной мере способствовали формированию моих научных взглядов и появлению данной работы. Светлая память о нем останется навсегда в моем сердце.

Выражаю благодарность всем сотрудникам кафедры физики ВолгГАСУ за внимание и помощь в работе; сотрудникам Института физики твердого тела Латвийского университета Андрису Штернбергу и Карлису Борманису за представление образцов керамики различных составов и постоянный интерес к проводимым исследованиям; сотрудникам Института физики Ростовского госуниверситета Владимиру Павловичу Сахненко, Игорю Павловичу Раевскому, Галине Михайловне Акбаевой, Ирине Николаевне Захарченко за представление различных образцов сегнетоэлектрических материалов; сотруднику Института общей физики РАН Людмиле Ивановне Иевлевой за представление образцов монокристаллов 8ВИ различного состава; а также всем сотрудникам Воронежской лаборатории сегнетоэлектриков руководимой Станиславом Александровичем Гридневым, где во время своих пребываний автор всегда получал радушный прием, поддержку, взыскательную, но благожелательную критику при всестороннем обсуждении результатов.

Выражаю глубокую благодарность Анатолию Георгиевичу Лучанинову, который всегда интересовался проводимыми исследованиям, что выражалось и в дискуссиях, и в его советах, ценность которых с течением времени лишь увеличивается, несмотря на то, что его уже нет с нами.

1. Смоленский Г.А. Фазовые переходы в некоторых твердых растворах, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами. / Смоленский Г.А., Исупов В.А.//ДАН СССР. 1954. т. 9, № 1. с. 653-654.

2. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов станната-титаната бария. / Смоленский Г.А., Исупов В.А.// ЖТФ. 1954. т. 24, №8. с. 1375-1386.

3. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов цирконата бария в титанате бария. / Смоленский Г.А., Тарутин Н.П., Трушин Н.П. // ЖТФ. 1954. т. 24, вып. 9, с. 1584-1593.

4. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом. /Смоленский Г.А., Исупов В.А., Аграновская А.И., Попов С.Н. // ФТТ. 1960, т. 2, вып. 11, с.2906-2918.

5. Боков В.А. Электрические и оптические свойства монокристаллов-сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. / Боков В.А., Мыльникова И.Е.// ФТТ, 1961, т. 3, вып. 3, с. 841-855.

6. Физика сегнетоэлектрических явлений. /Смоленский Г.А., Боков В.А.,

7. Исупов В.А., Крайник H.H., Пасынков P.E., Соколов А.И., Юшин Н.К. -Л.: Наука, 1985,396 с.

8. Лайнс М. Сегнетоэлектрические и родственные им материалы. / Лайнс М.,

9. Гласс А. Москва.: "Мир", 1981, 316 с.

10. Шильников A.B. Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия некоторых сегнетоэлектрических кристаллов и керамик. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. т.51, №10. с.1726-1735.

11. Low frequency dielectric response of PbMgi/3Nb2/303 /Colla E.V., Okuneva N.M.,

12. Koroleva E.Yu., Vakhrushev S.B.// J. Phys. Condensed Matter, 1992, v. 4, pp. 3671-3677.

13. Бурханов А.И. Сверхмедленные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах с размытыми фазовыми переходами. // Труды междунар. семинара "Релаксационные явления в твердых телах". Воронеж, 5-8 сентября 1995г. Ч. I. С.89-110.

14. Бурханов А.И. Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах типа ЦТС Л и (l-x)PMN-xPSN. // Дисс. кан. физ.-мат. наук: 01.04.07. Воронеж, 1989. 125 с.

15. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics. // Ferroelectrics 1987. У.16. N1-2. P.241-267.

16. Cross L.E. — Relaxor ferroelectrics: an overview. // Ferroelectrics. 1994. V.151. P.3 05-320.

17. Кириллов B.B. Исследование диэлектрической поляризации PbMgi/3Nb2/303св диапазоне частот 10 4-10 Гц. / Кириллов В.В., Исупов В.А.// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1969.Т.ЗЗ. № 2.С.313-315.

18. Кириллов В.В. Релаксационная поляризация сегнетоэлектрика PbMgi/3Nb2/3 с размытым фазовым переходом. / Кириллов В.В., Исупов В.А. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т.35. №12. С.2602-2606.

19. Kirillov V.V. Relaxation polarization of PhMgi^Nb^Cb — ferroelectric with adiffused phase transition. / Kirillov V.V., Isupov V.A. // Ferroelectrics. 1973. V.5. №1-2. P.3-9.

20. Viehland D. Deviation from Curie-Weiss behavior in relaxor ferroelectrics. / Viehland D., Jang S.J, Cross L.E, Wuttig M. // Phys. Rev. B. 1992. V.46. №13. P.8003-8006.

21. Исмаилзаде И.Г. Рентгенографическое исследование системы Pb3NiNb209 -Pb3MgNb209//Кристаллография. 1960. T.5. С.316-325.

22. Bonneau P. Structural study of PMN ceramics by X-ray difraction between 297 К and 1023 К / Bonneau P., Gamier P., Husson E., Morell A.// Mat. Res. Bui. 1989.V.24.№2. P.201-206.

23. A structural model for the relaxor PbMgi/3Nb2/303 at 5 K. / de Mathan N., Husson E., Galvarin G., Gavarri J.R., Hewat A., Morell A. //J.Phys.:Condens. Matter. 1991. V.3.№12. P.8159-8171.

24. Вахрушев С.Б. Процессы микроскопической перестройки структуры в сегнетоэлектриках с размытыми фазовыми переходами и родственных материалах. // Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Санкт-Петербург, 1998, 86 с.

25. Nuclear magnetic resonance study of ion ordering and ion shifts in relaxor ferroelectrics. /Glinchuk M.D., Laguta V.V., Bykov I.P., Nokhrin S., Bovtun V.P., Leschenko M.A., Rosa J., Jastrabi'k L.// J. Appl. Phys. 1997. V.81. №8. Ptl.P. 3561-3569.

26. NMR Investigation of mixed relaxors xPMN-(l-x)PSN. / Glinchuk M.D., Bykov I.P., Laguta V.V. and Nokhrin S.// Ferroelectrics. 1997. V.199. P.173-185.

27. Bruce A.D. Structural phase transitions. / Bruce A.D., Cowley R.A. // London: Taylor and Francis, 1981, 407 p.

28. Keve E.T. Structure-property relations in PLZT ceramic materials // Ferroelectrics. 1976. V.10. №1-4. P.169-174.

29. Rossetti G.A. X-ray and phenomenological study of lanthanum-midified leadzirconate-titanates in the vicinity of the phase transition region. / Rossetti G.A., Nishimura T. and Cross E.- / J. Appl. Phys. 1991.V.70.№ 3.P. 1630-1637.

30. Burns G. Glassy polarization behavior in ferroelectric compounds Pb(Mgi/3Nb2/3)03 and Pb(Zn1/3Nb2/3)03. / Burns G., Dacol F.N.// Solid State Commun. 1983.V.48.№ 10.P.853-856.

31. Konstantinov G. Diffusion of phase transition in PZT ferroelectric ceramics /

32. Konstantinov G., Bogosova Ya., and Kupriyanov M. //Ferroelectrics. 1992.V.131.P.193-197.

33. Веневцев Ю.Н. Сегнето-и антисегнетоэлектрики семейства титананта бария. /Веневцев Ю.Н., Политова Е.Д., Иванов С.А. //М.: Химия. 1985.-256с.

34. Абдулвахидов К.Г. Влияние структурных несовершенств сегнетоэлектрических кристаллов PbSco.5Nbo.5O3 (PSN) и PbIno.5Nbo.5O3

35. PIN) на их физические свойства./ Абдулвахидов К.Г., Куприянов М.Ф. // Изв.РАН Сер.физ. 1995. Т.59. 9. С.73-76.

36. Kinetics of compositional ordering in РЬгВ'ЕГОб crystals. / Bokov A.A., Rayevskii I.P., Smotrakov V.G., and Prokopalo O.I. // Phys. stat. sol. (a). 1986.V. 93. P. 411-417.

37. Боков А.А. Кинетика размытого фазового перехода в кристаллах с замороженным беспорядком. // ФТТ. 1994. Т.36. №1. С.36-45.

38. Transmission electron microscope observation of relaxor ferroelectric Pb(Mg,/3Nb2/3)03. / Yoshida M., Mori S., Yamamoto N., Uesu Y., Kiat J.M. // J. of Kor. Phys. Soc. February 1998. V. 32. P. 993-995.

39. Bratkovsky A. / Bratkovsky A., Salje E.K. H. and Heine V // Phase Transition, 1994. V.52. pp.77-89.

40. Schmidt G. Eigenschaften von Relaxatorferroelektrika und inkommensurablen NaN02. / Schmidt G., Grutzmann D. // Wiss.Beitr.M-Luter-Univ.:Halle-Wittenberg. 1985. V.O .№16.S.24-35.

41. Kleemann W. Dynamics of Nanodomains in Relaxor Ferroelectrics. // J. of Korrean Phys. Soc. 1998. V.32. P.S939-S941.

42. Toulouse J. Collective Behaviors in the Disordered Ferroelectrics KLT and KTN. / Toulouse J., Pattnaik R. // J. of Korrean Phys. Soc. 1998. V.32.P.S942-S946.

43. Ролов Б.Н. Размытые фазовые переходы. //Рига, Зинатне. 1982. 203с.

44. Ролов Б.Н., Юркевич В.Э. Физика размытых фазовых переходов.// Ростов-на-Дону, РГУ. 1983. 320с.

45. Ищук В.М. Аномальное размытие фазовых переходов в ЦТСЛ / Ищук В.М., Галкин А.А., Завадский Э.А. // ФТТ. 1982. Т.24. №12. С. 3684-3688.

46. Завадский Э.А. Метастабильные состояния в сегнетоэлектриках. / Завадский Э.А., Ищук В.М.// Киев, Наукова думка. 1987,240 с.

47. Ishchuk V.M. Investigation of the phase transition in the system Pbi.^Li^La^x (Zr.yTiy)03./ Ishchuk V.M., Ivashkova N.I., Lakin E.E. // Ferroelectrics.1992. V.131. P.177-181.

48. Фрицберг В.Я. Роль фазовых флуктуаций при сегнетоэлектрических фазовых переходах в твердых растворах со структурой типа перовскита. // ФТТ. 1968. Т. 10. № 2. С. 385-390.

49. Фрицберг В.Я. Особенности фазовых переходов в твердых растворах ЦТСЛ / Фрицберг В.Я., Штернберг А.Р.// Физические свойства сегнетоэлектрических материалов: Сб.науч.трудов, Рига. ЛГУ. 1981.С.З-12.

50. Reineke Т. Disorder in ferroelectrics. / Reineke Т., Ngai К.// Solid State Commun. 1976.V.18.№ 18-P. P. 1543-1547.

51. Sternberg A. Transparent ferroelectric ceramics recent trend and status quo. // Ferroelectrics.1992. V.131. P. 13-23.

52. Zuo-Guang Ye. Relaxor ferroelectric Pb(Mgi/3Nb2/3)C>3: properties and present understanding.//Ferroelectrics. 1996. V.184. P. 193-208.

53. Исупов B.A. Поляризационно-деформационные состояния сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. // ФТТ. 1996. Т. 38. № 5. С.1326-1330.

54. Isupov V.A. New approach to phase transition in relaxor ferroelectrics. //Phys.Stat. Sol. (b). 1999. V.213. P.211-218.

55. Исупов B.A. //ЖЭТФ. 1956. T.26. C.1912-1915.

56. ТЕМ Study of PLZT ceramics. / Wang P.C., Chen Z.L., He X.W. et al.// Ferroelec. Lett. Sec. 1985. V. 4. № 2. P. 47-51.

57. Bikyashev E.A. Phase transitions and electostriction in the PMN-PT ceramical solid solutions . / Bikyashev E.A., Lisnevskaya I.V., Sakhnenko V.P.// Abstractsof VII Intern. Seminar on ferroelastics, Kazan. 1997. P.01-5.

58. Бикяшев Э.А. Синтез, фазовые состояния и электрострикция керамики на основе магнониобата свинца. // Автореферат на соискание ученой степени канд. хим. наук. Ростов-на-Дону. 1999. 22с.

59. Исупов В.А. Сегнетоэлектрики со слабо размытыми фазовыми переходами. // ФТТ. 1986. Т.28. №7. С. 2235-2238.

60. Isupov V.A. Diffuse ferroelectric phase transition and PLZT ceramics // Ferroelectrics. 1992. V.131. P.41-48

61. Исупов B.A. Явления при постепенном размытии сегнетоэлектрического фазового перехода. // ФТТ. 1992. Т.34. №7. С.2025-2030

62. Isupov V.A. Parametrs of ferroelectric phase transitions diffuseness in PMN-PT and PMN-PNN solid solutions. / Isupov V.A., Pronin I.P., Ayazbaev T.// Ferroelectrics. 1998. V.207. P.507-517.

63. Размеры областей Кенцига и размытие фазового перехода в керамике PMN-PZT./ Цоцорин А.Н., Гриднев С.А., Рогова С.П., Лучанинов А.Г. //Изв.РАН. Сер.физ. 1998. Т.62. №4. С.1579-1583.

64. Цоцорин А.Н. Диэлектрическая релаксация и размытые фазовые переходыв твердом растворе PMN-PZT. // Автореф. дисс. на соискание ученой степени к. ф.-м. н., Воронеж. 1999. ВГТУ. 16 с.

65. Гриднев С. А. Электрострикционные свойства твердого раствора магнониобата свинца цирконата- титаната свинца. / Гриднев С.А., Цоцорин А.Н., Лучанинов А.Г. // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1999. Вып. 1.5. С.85-89.

66. Гриднев С.А. Механизмы низкочастотных потерь вблизи точек фазовых переходов 2-го рода. / Гриднев С.А., Даринский Б.М., Нечаев В.А.//ФТТ. 1981.Т.23.№8. С.2474-2481.

67. Гриднев С.А. Механизмы внутреннего трения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках. Автореф.дис. . д.-ра физ.мат.наук. ЛПИ. Ленинград. 1984. 34с.

68. Bell A.J. Calculations of dielectric properties from the superparaelectric model of relaxors. // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V.5. №46.P. 8773-8792.

69. Toulouse J. Relaxor and superparaelectric behavior in the disordered ferroelectrics KLT and KTN / Toulouse J. and Pattnaik R. // Ferroelectrics. 1997.V.199. P.287-294.

70. Burns E. Crystalline ferroelectrics with glassy polarization behavior. / Burns E., Dacol F.H. II Phys. Rev. B. 1983. V.28. № 5. P.2527-2530.

71. Glass-like freezing in PMN and PLZT relaxor systems. /Levstik A., Kutnjak Z.,

72. Filipic C. and Pirc R.//J. of the Kor. Phys. Soc. V. 32. Feb. 1998. P. S957-959.

73. Dielectric spectra and Vogel-Fulcher scaling in Pb(IN0.5Nbo.5)03 relaxor ferroelectric./ Bokov A.A., Leschenko M.A., Malitskaya M.A. and Raevski I.P

74. Щ' II J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V.l 1. P. 4899-4911.

75. Коренблит И.Я. Спиновые стекла и неэргодичность. / Коренблит И .Я., Шендер Е.Ф. IIУФН. 1989. Т.157. Вып. 2. С. 267-310.

76. Burkhanov A.I. Aging and after-effects in PLZT-x/65/35 ferroelectric ceramics. * / Burkhanov A.I., Shilnikov A.V., Sternberg A. // Ferroelectrics. 1989. V.90.1. P.39-43.

77. Диэлектрическая релаксация в легированной и у-облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 . /Бурханов А.И., Шильников А.В., Шишлов С.Ю., Штернберг А., Димза В. // ФТТ. 1994. Т.36. №8. С.2320-2327.

78. Long-time relaxation of the dielectric response in lead magnoniobate. /Colla E.V., Koroleva E.Yu., Okuneva N.M., Vakhrushev S.B. // Phys. Rev. Lett. 1995.V. 4. № 9. P. 1681-1684.

79. Schmidt G. Pseudoelasticity and shape memory of PLZT ceramic / Schmidt G.,Boczek J.// Pbys. Status solidi. 1978. V.A50.№1. P. 109-111.щ.

80. Roth P. Gedächtnis effect on Ferroelektrika by tiefen Temperaturen / Roth P., Hegenbarth E. // Wiss.Beitr.M-Luter-Univ.:Halle-Wittenberg. 1990. V.O. №33, S. 102-106.

81. Шильников A.B. Эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ. / Шильников A.B., Бурханов А.И., Бирке Е.Х. //ФТТ. 1987. Т.29. №3. С.899.

82. Dielectric memory effect in ferroelectric ceramics of PLZT and PMN. /Shil'nikov

83. A.Y., Burkhanov A.I., Sternberg A.R, Birks E.// Ferroelectrics, 1988. V. 81.1. P.317-321.

84. Бурханов А.И. Комплексное исследование эффектов диэлектрической памяти в ЦТСЛ в области размытого фазового перехода. /Бурханов А.И., Шильников A.B. //Тез. док. III Междувед. семинара выставки. Рига: ЛГУ. 1988. Т.1.С.116-118.

85. Шильников A.B. Новые эффекты диэлектрической памяти в керамике ЦТСЛ. /Шильников A.B., Бурханов А.И. // ЖТФ. 1988. Т.58. № 5. С.792-793.

86. Burkhanov A.I. Dielectric Memory Effects of (Mn, Fe, Co, Cu, Eu) Doped PLZT Ceramics/ Burkhanov A.I., Shilnikov A.V., Dimza V.// Ferroelectrics. 1992. V.131. P.267-273

87. Долговременные процессы релаксации поляризации и эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ-Х/65/35. /Шильников A.B., Бурханов А.И. Нестеров В.Н., Штернберг А., Димза В. // Изв. РАН Сер. физ. 1993. Т. 57. №3. С. 101-107.

88. Влияние допирования и гамма-облучения на эффект механической памяти в системе ЦТСЛ /Бурханов А.И., Шильников A.B., Шишлов С.Ю., Штернберг А., Димза В.// Изв. РАН Сер. физ. 1995. Т.59. № 9. С. 97-101.

89. Доценко B.C. Физика спин-стекольного состояния. // УФН. 1993. Т.163.6. С. 1-37.

90. Kleeman W. Random-field induced antiferromagnetic, ferrolectric and structural domains states. //Int. J. Mod. Phys. B. 1993. V. 7. №3. P. 2469-2507.

91. Westphal V. Diffuse phase transition and random-field-induced domain states of the "relaxor" ferroelectric РЬМ£1/з№>2/зОз . /Westphal V., Kleeman W. and Glinchuk M.D.// Phys. Rev. Lett. 1992. V.68. №6. P.847-850.

92. Glinchuk M.D. Relaxor ferroelectrics in the random field theory framework ./ Glinchuk M.D., Farhi R. and Stefanovich V.A.// Ferroelectrics. 1997.V.199. P.l 124.

93. Круминь А.Э. Прозрачная сегнетокерамика в качестве объекта физических исследований, оптические и электронные свойства. // Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках: Сб.науч.трудов. Рига, ЛГУ. 1984. С. 3-62.

94. Сандомирский В.Б. Аномальные фото-э.д.с. в модели сильно легированного и компенсированного сегнетоэлектрика / Сандомирский В.Б., Халилов Ш.С., Ченский Е.В. //ФТТ. 1982. Т.24. №1. С.3318-3326.

95. Круминь А.Э. Случайные поля и фазовые переходы в прозрачной сегнетокерамике ДТСЛ //Сегнетоэлектрики: Сб.науч.трудов. Минск. МПИ. 1985. С.72-78.

96. Круминь А.Э. Структура и электрофизические свойства прозрачной сегнетокерамики .// Автореф. Дис. .д-ра физ.мат наук . Институт физики Латвии , Саласпилс, 1986. 39с.

97. Glinchuk M.D. Nonliner dielectric response of relaxor ferroelectrics. / Glinchuk

98. M.D. and Stephanovich V.A. //Ferroelectrics. 1998. V.217. P.253-261.

99. Glinchuk M.D. Random field, dynamic properties and phase diagram peculiarities of relaxor ferroelectrics. /Glinchuk M.D. and Stephanovich V.A. // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P.S1100-1103.

100. Glinchuk M.D. Theory of nonlinear susceptibility of relaxor ferroelectrics. / Glinchuk M.D. and Stephanovich V.A. // J.Phys.: Condens.Matter. 1998. V.10. P.l 1081-11094.

101. Стоунхам В. Теория дефектов в твердых телах. // М.: Мир, 1978, 320с.

102. Viehland D., Jang S.J., Cross L.E. and Wutting M. //J.Appl.Phys. 1991. V.69. P.414.

103. Tagantsev A.K. Mechanism of polarization response in the ergodic phase of a relaxor ferroelectric. /Tagantsev A.K. and Glazounov A.E. //Phys. Rev. (B). 1998. V.57.№1.P.18-21.

104. Tagantsev A.K. Dielectric non-linearity and the nature of polarization response ofPbMg1/3Nb2/303 relaxor ferroelectric. /Tagantsev A.K. and Glazounov A.E. // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P.S951-S954.

105. Glazounov A.E. Evidence for domain-type daynamics in ergodic phase of PbMgl/3Nb2/303 relaxor ferroelectric. /Glazounov A.E., Tagantsev A.K. and Bell A.J.//Phys. Rev.B. 1996. V.53.P. 11281-11289.

106. Glazounov A.E. A "breathing" model for the polarization response of relaxor ferroelectrics. /Glazounov A.E., and Tagantsev A.K. // Ferroelectrics. 1999. V. 221. P. 55-66.

107. Nattermann T. Nucleation, pinning and hysteresis effects at the incomensurate-commensurate transition //J. Phys. C: Solid State Phys. 1985. V.18. №30. P.5683-5996.

108. Nattermann T. Dielectric tails in K2ZnCl4: no evidence for an intrinsic chaotic state. //Phys. Stat. Sol. 1986. V.B133. №l.P.65-70.

109. Шильников A.B. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах ТГС. // Тезисы докл. VII науч. конф. по сегнетоэлектричеству. Воронеж. 1970. С. 136.

110. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах сегнетовой соли /Шильников А.В., Попов Э.С., Рапопорт C.JL, Шувалов JI.A. // Кристаллография. 1970. Т.15. С. 1176-1181.

111. Шильников А.В. Некоторые диэлектрические свойства полидоменных монокристаллов сегнетовой соли, триглицинсульфата и дигидрофосфата калия. // Дис.канд.физ.мат.наук. 1972. Волгоград. ВГПИ. 224с.

112. Kittel С. Domain bondary motion in ferroelectric crystals and the dielectric constaant at high frequency // Phys.Rev. 1951. V.83. №2. P.458-463.

113. Санников Д.Г. Дисперсия в сегнетоэлектриках. //ЖЭТФ. 1961. Т.41. Вып.1. С.133-138.

114. Санников Д.Г. К теории движения доменных границ в сегнетоэлектриках // Изв.АН СССР Сер.физ. 1964. Т.28. №4. С.703-707.

115. Kittel С. Ferromagnetic domain theory. /Kittel С., Gait J.K.// Solid State Physics. New York: Acad.Press INC. 1956.V.3.P.437-564.

116. Простейшая классификация механизмов движения доменных стенок в низко- и инфранизкочастотных электрических полях. /Шильников А.В., Галиярова Н.М., Горин С.В., Васильев Д.Г., Вологирова JI.X. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991. Т.55. №3. С.578-582.

117. Dielectric properties of Ki.xLixTa03 at frequences 10'2 103 Hz. /Smolensky G.A. , Nadolinskaya E.G., Yushin N.K., Shilnikov A.V. // Ferroelectrics. 1986. V.69. №3-4. P.275-281.

118. Andrews S.R. X-rays scattering study of the random electric dipol system KTa03:Li //J.Phys.C. 1985. V.18. P.1387-1376.

119. Shirnikov A.V. Mechanisms of motion of domain interhase boundaries and their computer simulation /Shirnikov A.V., Nesterov V.N. and Burkhanov A.I. //Ferroelectrics. 1996. V.175. P. 145-149.

120. Нестеров B.H. Динамика доменных и межфазовых границ в сегнетоэлектрических твердых растворах на основе цирконата титанатасвинца ( компьютерный анализ) // Дис. канд.физ.мат.наук. Волгоград.1. ВолгГАСА . 1998. 172 с.

121. Галиярова Н.М. Медленная релаксация поляризации и особенности низкочастотного диэлектрического спектра триглицинсульфата в области фазового перехода. // ФТТ. 1989. Т.31. №11. С. 248-251.

122. Galiyarova N.M. Infralow frequency dispersion on dielectric permittivity due to irreversible domain walls motion near phase transition point in triglycine sulfate. // Ferroelectrics. 1990. V. 111. P. 171-179.

123. Galiyarova N. Fractal Dielectric Response of Multidomain Ferroelectric from the Irreversible Thermodynamic Standpoint. // Ferroelectrics. 1999. V.222. P. 381-387.

124. Galiyarova N. Response of some fractal nonlinear systems /Galiyarova N., Korchmaryuk Ya. // Ferroelectrics. 1999. V.222. P. 389-395.

125. Мисарова А. Старение монокристаллов титаната бария // ФТТ. I960. Т.2. №6. C.I276-I282.

126. Моравец Ф. Изменение ширины доменов в кристаллах триглицинсульфата со временем /Моравец Ф., Константинова В.П. // Кристаллография. 1968. Т. 13. №2. С.284-289.

127. Константинова В.П. Исследование доменной структуры триглицинсульфата при старении . / Константинова В.П., Станковская Я. // Кристаллография. 1971.Т. 16. № 1. C.I58-163.

128. Донцова Л.И. Влияние термических и электрических воздействий на процесс старения сегнетоэлектриков // Дис.канд.фиэ.-мат. наук. Калинин. КГУ. 1969. 238с.

129. Камышева Л.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2Р04 / Камышева Л.Н., Сидоркин А.С., Зиновьев И.Н. // Изв.АН СССР. Сер.физ. 1984. Т.48. №6. С.1126-1130.

130. Fernandez J.F. Dielectric and piezoelectric aging of pure and Nb-doped ВаТЮз /Fernandez J.F., Duran.P, and Moure C.// Ferroelectrics. 1990. V.106. P.381-386.

131. Plessner K.W.// Proc. Phys. Soc. 1956. V.69. P.1261-1272.

132. Ikegami S. Mechanism of Aging in Polycrystalline ВаТЮз /Ikegami S. and Ueda I. //J.Phys.Soc.Jpn. 1967. V.23. P.725-734.

133. Diderichs Н. and Arlt G. //Ferroelectrics. 1986. V.68. P.281-287.

134. Струков Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. /Струков Б.А., Леванюк А.П.//М.: Наука. 1983. 239с.

135. Arlt G. Aging and fatigue in bulk ferroelectric perovskite ceramics. /Arlt G. and Robel U. // Integrated Ferroelectrics. 1993. V.3. P.343-349.

136. Robel U. Dielectric aging and its temperature dependence in ferroelectric ceramic. / Robel U., Schneider-Stôrmann and Arlt G. // Ferroelectrics. 1995. V. 168. P. 301-311.

137. Peculiarities of dielectric properties of same composition of PZT-based ferroceramics /Shilnikov A.V., Otsarev I.V. Burkhanov A.I. Nesterov V.N. AKbaeva G.M, Uzakov R.E. //J. of European Ceramic Society. 1999. V.9. P. 1197-1200.

138. Диэлектрический отклик в системе ЦТС в области сосуществования фаз /Данилов А.Д., Шильников А.В., Бурханов А.И., Г.М.,Нестеров В.Н., Надолинская Е.Г., Акбаева Г.М. //Изв.РАН. Сер физ. 2000. Т.64. №6. С.1236-1241.

139. Kondo M. Temperature dependence of Piezoelectric Constant of properties of 0.5 PbNii/3Nb2/303- 0.5(РЬТЮ3- PbZr03 ) ceramics. /Kondo M., Tsukada M., Kurihara K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V.38. №9B. P.5539-5543.

140. Нечаев B.H. О равновесии фаз в твердых телах с точечными дефектами /Нечаев В.Н., Рощупкин A.M. // ФТТ. 1988. Т. 30. №11. С.3431-3435.

141. Нечаев В.Н. Влияние точечных дефектов на динамику когерентных межфазных границ в твердых телах / Нечаев В.Н., Рощупкин A.M. // ФТТ. 1988. Т.30. №9. С.2576-2576.

142. Кудряш В.К. Инфранизкочастотная механическая релаксация в чистых собственных сегнетоэлектриках KH3(Se03)2 и KD3(Se03)2 //Дис. . канд.физ.-мат.наук. Воронеж. ВПИ. 1981. 182с.

143. Морозова Г.П. Исследование доменной "памяти" в сегнетоэлектрическихкристаллах методом генерации звука /Морозова Г.П., Сердобольская С.Ю., Тихомирова Н.А. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т.43.№ 10.С. 488-491.

144. Дистлер Г.И. Реальная структура сегнетоэлектрических кристаллов и влияние воздействия на элементы этой структуры // Сегнетоэлектрики при внешних воздействиях: Сб.науч.трудов. Ленинград. ФТИ. 1981. С. 17-29.

145. Shulze W.A. Dielectric Aging in PLZT System. /Shulze W.A. and Biggers J.V. // Ferroelectrics. 1975. V.9. P.203-217.

146. Borchardt G. Aging of Stronium Barium Niobat and PLZT Ceramic / Borchardt G., J.von Cieminski, Schmidt G. // Phys.Status Solidi. 1980. V.59a. №2. P.749-754.

147. Dielectric ageing effects in doped lead magnesium niobat: lead titanate relaxor ferroelectric ceramics. /Pan Wugi, Furman E., Dayton G.O. et al.// J.Mater.Sci.Lett. 1986. V.5. №6. P.647-649.

148. Pan W.Y. Modeling the ageing phenomena in 0.9PMN-0.1PT relaxor ferroelectric ceramics. /Pan W.Y., Shrout T.R., Cross L.E. // J.Mater.Scince Lett. 1989. V.8.P.771-776.

149. Hung С .Ling. Aging behavior of xPtyFe^Wj^Cb -(1-х) Pb(Fe,/2Nb,/2)03 ceramic. / Hung C.Ling, Man F.Yan and Warren W.Rhodes. //J.Am.Ceram.Soc. 1991.V.74. №2. P.287-289.

150. Баранов А.И. Критическое поведение длговременной диэлектрической релаксации в новом классе протонных стекол / Баранов А.И., Кабанов О.А., Шувалов Л.А. / Письма в ЖЭТФ. 1993. Т.58. №7. С.542-546.

151. Proton glass Cs5H3(S)4)4 хН20 : relaxation dynamics /Baranov A.I., Shuvalov L.A., Yakushkin E.D. and Synitsyn V.V.// Ferroelectrics. 1997. V.199. P.307-316.

152. Диэлектрическая релаксация в легированной и у-облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35. /Бурханов А.И., Шильников А.В., Шишлов С.Ю., Штернберг А., Димза В.//ФТТ. 1994. Т.36. №8. С.2320-2327.

153. The lead magnoniobate behavior in applied electric field. /Colla E.V., Koroleva

154. E.Yu., Nabereznov A.A., Okuneva N.M. // Ferroelectrics. 1994. V. 151. P. 337342.

155. Zuo-Guang Ye. Optical, dielectric and polarization studies of the electric field-induced phase transition in Pb(Mgi/3Nb2/3)03 PMN. /Zuo-Guang Ye and Hans Schmid. //Ferroelectrics. 1993. V.145. P. 83-108.

156. Alberici F. Non ergodic aging in lithium-potassium tantalate crystals. /Alberici

157. F., Doussineau P. and Levelut A. // J.Phys. I France. 1997. V.7. P.329-348.

158. Леванюк А.Я. Теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках с образованием сверхструктуры не кратной исходному периоду/ Леванюк А.Я., Санников Д.Г. //ФТТ. 1976. Т.18. №2. С.423-428.

159. Санников Д.Г. Новый тип фазовой диаграммы с несоразмерной фазой / Санников Д.Г., Головко В.А.//ЖЭТФ. 1987. Т.92. №2. С.580-538.

160. Санников Д.Г. Термодинамическая теория несоразмерных фазовых переходов в сегнетоэлектриках //Изв.АН СССР. Сер.фиэ. 1985. Т.49. №2. С.227-233.

161. Hamano Katsumi. Transient dielectric behavior during the commensurate-to-incommensurate phase transition in Rb2ZnCl4 /Hamano Katsumi, Sakata Hideaki, EmaKenji//J.Phys.Soc.Jap.l985.V.54,№5. P.2021-2031.

162. Hamano K. Incommensurate Phases in Dielectrics I. // Modern problems in Condensed matter: North-Holland, Amsterdam, 1986, ed. by R.Blinc and A.P.Levanyuk. P. 365

163. Unruh H.G. Dielectric dispersion in the incommensurate phases of N(CH3)4, CoCI4 and K2ZnCL4 // Solid State Commun. 1985. V.53. №11. P.l023-1 025.

164. Особенности диэлектрических свойств кристаллов прустита в области несоразмерной фазы/ Алексеева З.М., Вихнин.В.С., Рябченко С.М. и др.//ФТТ. 1985. Т.27. №3. С.870-876.

165. Струков Б.А. Влияние электрического поля на фазовый переход несоразмерная-соразмерная фаза в кристаллах (NH4)BeF4 / Струков Б.А.,

166. Арутюнова В.М., Куруленко Е.П. //Кристаллография. 1985. Т.ЗО. №4. С.726-728.

167. Диэлектрическая проницаемость K2Se04 при фазовом переходе в полярную фаэу. /Леманов В.В., Бжезина. Б., Есаян С.Х. и др.// ФТТ. 1984. Т.26. №5. С.1331-1333.

168. Moudden А.Н. Thiourea under a high electric field X-ray studies. /Moudden

169. A.H., Moncton D.E., Axe J.D. // Phys.Rev.Lett. 1983. V.51. №26. P.2320-2393.

170. Nonlinear optical properties of Rb2ZnCl4 in the incommensurate and ferroelectric phases./Sanctuaiy R., Judt D., Baumert J.G et al. // Phys.Rev.B.: Condens.Mater. 1985. V.32. №3. P.l649-1660.

171. Ultrasonic study of the normal-incommensurate-commensurate phase transitions in N(CH3)4, K2ZnCl4 . /Berger J., Benoit J.P., Gorland C.W et al. //J.Phys.(Fr). 1986. V.47. №3. P.483-489.

172. Difraction study of solid solution (thiorea)i.x (urea)x /Onodera Akira,Takahashi Isao,Koto Yoshitake et al. //Jap. J.Appl.Phys. 1985. V.24. №2. P.841-843

173. Струков В.А. Диэлектрические свойства кристаллов NaN02 в окрестности фазовых переходов в несоразмерную фазу /Струков В.А., Арутюнова

174. B.М. Уесу И. //ФТТ. 1982. Т.24. №10. С.3061-3068.

175. Tilo Hauke. Dynamics of polarization reversal in purified Rb2ZnCl4 . /Tilo Hauke, Volkmar Muller, Horst Beige and Jan Fousek. //Ferroelectrics. 1997. V.191. P.225-230.

176. Влияние предыстории на поведение диэлектрической проницаемости кристаллов Rb2ZnCl4 в области аномального термического гистерезиса /Шувалов Л.А., Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Горбатенко В.В. //Изв. АН СССР Сер.физ. 1990. Т.54. №4. С.721-725.

177. Гриднев С.А. Солитонный и доменный вклады в неравновесную диэлектрическую проницаемость в Rb2ZnCl4 /Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Горбатенко В.В. //ФТТ. 1990. Т.32. Вып.7. С.2172-2174.

178. О двух временах релаксации в кристаллах с несоразмерной фазой /Гриднев С .А., Прасолов Б.Н., Шувалов JI.A., Санников В.Г. // ФТТ. 1989. Т.31. С.97-99.

179. Land C.J. Electrooptic Ceramics. /Land С.J., Thacher P.D., Haertling Cr.H. //Applied Solid State Sciene. N.Y.I974. V.4. P. 137-233.

180. Yin Zih-Wen. Ferroelectric ceramics research in China // Ferroelectrics.1981. V.35.№l-4. P.161-166.

181. Wolters M. The electric field-induced antiferroelectric to ferroelectric phase transition in some (Pb,La)Zr0.55Ti0.45O ceramics. /Wolters M., Thieme C.L.H., Burggraaf A.J. //Mater.Res.Bull. 1976. V.l 1. P.315-322.

182. Ищук B.M. Сосуществование фаз и размытые фазовые переходы в ЦТСЛ /Ищук В.М., Завадский Э.А., Пресняков О.В. //ФТТ. 1984. Т.26. №3. С.724-729.

183. Ищук В.М. Размытые фазовые переходы в твердых растворах ЦТС, обусловленные сосуществованием сегнето- и антисегнетоэлектрической фазы /Ищук В.М., Завадский Э.А., Гулиш O.K. //ФТТ. 1986. Т.28. №5. C.I502-I504.

184. Savenko B.N. Neutron diffraction studies on SrxBaixNb206 single crystals. /Savenko B.N., Sangaa D., Prokert F. // Ferroelectrics. 1990. V.l07. P.207-212.

185. Prokert F. Accurate determination of 1С modulation in SrxBaixNb206 from second-oder satellites of neutron diffraction spectra. /Prokert F., Savenko B.N., Balagurov A.M. // Сообщения объед.института ядер.исслед.: Дубна. 1993. №Е14-93-279. С.1-10.

186. Prokert F. Neutron diffraction study of SrxBaixNb206 crystals. /Prokert F., Sangaa D., Savenko B.N.// Abstract of The eith international meeting on ferroelectricity (IMF 8) , 8-13 august 1993. P.338.

187. Диэлектрические и электрооптические свойства сегнетоэлектрика Ba0.54Sr0.46Nb2O6, легированного Y, La, Тт. /Вайвод В.В., Воронов В.В., Ивлева Л.И., КузьминовЮ.С.//ФТТ. 1977. Т.19.№ 10. С.3163-3165.

188. Chun М.Р. The dielectric relaxation behaviors of (Sr0.6Bao.4)i-2y(Li, Dy)yNb206

189. Chun M.P., Yang J.H., Choo W.K. // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V.32. P.S970-S973.

190. Влияние примесей редкоземельных элементов на фазовый переход и пьезоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция. /Салобутин В.Ю., Волк Т.Р., Педько Б.Б., Ивлева Л.И. и Иванов В.В. // Изв.РАН. Сер.физ. 2000. Т.64. №6. С.1154-1158.

191. Mashiyama Н. Relaxation of the modulated structure near the lock in transition in K2 ZnCU /Mashiyama H., Kasatani H. //Jap.J. Appl.Phys. 1985. V.24. №2. P.802-804.

192. Kinetic evolution in the incommensurate phase of K2ZnCl4 ./Onodera A., Watanabe O., Yamashita., Haga H. and Shiozaki Y. //Abstract of 8- international meeting on ferroelectricity (IMF-8), 8-13 august 1993. P.215.

193. Влох О.Г., Каминский Б.В., Китых Л.В. и др. //ФТТ. 1986. Т.28. С.1226-1230.

194. Weakening of pinning effect in purified Rb2 ZnCU crystal. /Hamano Katsami, Sakata Hideaki, Jsumi Haruhiko et al. //Jap. J.Appl.Phys. 1985. V.24. №2.-P.796-753

195. Прасолов Б.Н. Медленные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках. //Дис. док.физ.-мат.наук. Воронеж. ВПИ. 1992. 355с.

196. Jamet J.P. Memory effect in thiourea: SC(ND2)2 /Jamet J.P., Lederer P. //Ferroelec.Lett. Sci. 1984.V.1. №5-6. P.139-142.

197. Folcia C.L. Termal hysteresis and memory effect in ferroelectric incommensurate tetramethilammonium tetrachlorocobalt. /Folcia C.L., Tello M.J., Perer-Moto J.M. //Solid State Commun. 1986. V.60. №7. P.581-585.

198. Эффект термической памяти в кристаллах группы А2ВХ4. /Влох О.Г., Каминский Б.В., Китых Л.В. и др. //ФТТ. 1985. Т.27. №1. С.3436-3439.

199. Kiat J.M. Influence of a frozen defects density wave on the incommensurate modulation in BSN / Kiat J.M., Calvarin G., Schneck J. // Jap.J.Appl.Phys. 1985. V.24.№2. P.832-834.

200. Optical birefringence investigation of the memory effect in barium sodium niobate / Toledano J.C., Errandonea G., Schneck J. et al. // Jap .J. Appl. Phys. 1985. V.24. №2. P.290-292.

201. О нелинейных электромеханических свойствах несоразмерной фазы кристаллов фторбериллата. /Джабраилов A.M., Киряков В.А., Гладкий

202. B.В. и др. //ФТТ. 1985. Т.27. №11. С. 3465-3470.

203. Гринберг Е.С. Прямое наблюдение закрепления фазы несоизмеримой волны на парамагнитных дефектах. /Гринберг Е.С., Ефимов В.Н., Силкин Н.И. //Тезисы XI Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков, сентябрь, 1986, Черновцы-Киев. Т.2. С.127.

204. Багаутдинов Б.Ш. Дифракционные свидетельства образования волн плотности дефектов в несоразмерных модулированных структурах. /Багаутдинов Б.Ш., Шмытько И.М. // Письма в ЖЭТФ. 1994. Т.59. Вып.З.1. C.171-175.

205. Багаутдинов Б.Ш. Динамические структурные изменения в области фазовых переходов в сегнетоэлектриках //Автоеферат дис. на соискание ученой степени канд.- физ.-мат. наук. Черноголовка. 1994. 20с.

206. Бурханов А.И. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле Sr0.75Ba0.25Nb2O6. /Бурханов А.И., Шильников A.B., Узаков Р.Э. // Кристаллография. 1997. Т.42. № 6. С.1069-1075.

207. Влияние предыстории на параметры низкочастотной диэлектрической проницаемости в кристаллах сегнетовой соли /Шильников A.B.,

208. Галиярова Н.М., Горин C.B. и др. //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. Т.47.4. С.820-824.

209. ASTM-D 150-70 Методы определения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь твердых электроизоляционных материалов при переменном токе. // Сборник стандартов США. -М. 1979. ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ №25. С. 188-207.

210. Теория диэлектриков. /Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев A.A., Тареев Б.М. //M.-JL: Энергия. 1965.253с.

211. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. Учеб. Пособие для специальности «Полупроводники и диэлектрики» вузов. М., «Высшая школа». 1977. 448 с.

212. Яффе Б. Пьезоэлектрическая керамика. /Яффе Б., Кук У., Яффе Г. (Перевод с английского под ред. Л.А.Шувалова) // М: Мир. 1974. 288с.

213. Гороховатский Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных диэлектриков и полупроводников. /Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. //М: Наука. 1991. 248с.

214. Garlick g.F.J, Gibson A.F. //Proc.Phys.Soc. London. 1948. V.60. P.574-590.

215. Парфинович И.А. ЖЭТФ. 1954. T.26. №6. C.697-703.

216. Дудкевич В.П. Физика сегнетоэлектрических пленок. /Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. //Ростов-на Дону. РГУ. 1979. 192с.

217. Scott J.F. The Physics of Ferroelectrics Ceramic Thin Films for memory Applications. //Ferroelectrics Review. 1998. V. 1. № 1. P. 1 -129.

218. Сигов A.C. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике //Соросовский Образовательный Журнале. 1996. №10. С.83-91.

219. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука .1968. 403с.

220. Токи термодеполяризации в кристаллах триглицинсульфата. / Миловидова

221. С.Д., Гаврилова Н.Д., Камышева JT.H., Новик В.К., Кременчугский В.Г., Гурьянов М.Н. //Полупроводники-сегнетоэлектрики. Науч.сб. РГУ. Ростов-на-Дону. 1978. С.137-139.

222. Штернберг А.Р. Современное состояние в технологии получения в исследовании и применении электрооптической сегнетокерамики. (Обзор). // Электрооптическая сегнетокерамика.: Сб. научных трудов. ЛГУ. Рига. 1977. С.5-104.

223. Sternberg A. Transparent ferroelectric ceramics recent trend and status quo. //Ferroelectrics. 1992. V.131. P.13-23.

224. Akbaeva G.M. Ferroelectric solid solution with low coercive force for memory devices. /Akbaeva G.M., Dantsiger A.,Ya, Razumovskaya., O.N. //Proceedings of the Intern. Conf. "Electroceramic IV", Aachen, Germany. 1994. V.1.P.535.

225. Okadsaki K. Developments in fabrication of piezoelectric ceramics. //Ferroelectrics. 1982.V. 41 .P.77-96.

226. Панич A.E. Физика и технология сегнетокерамики. /Панич А.Е., Куприянов М.Ф.//Ростов-на-Дону. РГУ. 1989. 176с.

227. Пьезоэлектрическое приборостроение. Том I. Физика сегнетоэлекткрической керамики. /Под ред. проф. А.В.Гориша. //Предприятие журнала «Радиотехника» М:. 1999. 367с.

228. Сахненко В.П. Энергетическая кристаллохимия твердых растворов соединений кислородно-октаэдрического типа и моделирование пьезокерамических материалов. /Сахненко В.П., Дергунова Н.В., Резниченко JI.A. //РГПУ. Ростов-на-Дону. 1999. 323с.

229. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. //М.: Наука. 1982. С.100-175.

230. Сегнетоэлектрическая доменная структура в кристаллах SBN (статика и динамика). /Иванов Н.Р., Т.Р.Волк, Ивлева Л.И., Чумакова С.П., Гинзбург А.В. // Кристаллография. 2002. Т.47. №6. С. 1092-1099.

231. Cheng Z.-Y. Dielectric spectrum and its relationship with time for PLZT 8/65/35 ceramics under DC bias. / Cheng Z.-Y. and Katiyar R.S.// J. of the Kor. Phys. Soc. V.32. Feb. 1998. P.S1042-S1045.

232. Олемской А.И. Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации / Олемской А.И., Скляр И.А. //УФН. 1992. Т. 162. №6. С.29-79.

233. Богомолов А.А. Исследование пироэлектрических свойств сегнетокерамики ЦТСЛ динамическим методом. /Богомолов А.А., Дабижа Т.А.// Тезисы докладов II Междувед. семинар-выставки .Рига., 8-10 апреля 1985г. Рига. ЛГУ. 1985. С.110-112.

234. Особенности температурной зависимости диэлектрический проницаемости и пироэффекта сегнетомягкой керамики на основве ЦТС /Захаров Ю.Н., Акбаева Г.М., Бородин В.З., Дудко В.А., Наскалова О.В. // Изв РАН. Сер.Физ. 2000. Т.64. №7.С. 1446-1449.

235. Bogomolov А.А. Study of the pyroelectric properties of PLZT ceramic by dynamic method. / Bogomolov A.A., Dabizha T.A. //Ferroelectrics. 1987.V.74.№l-2. P.81-84.

236. Da Zhi Sun. Relationship between the Pyroelectric Effect in Ferroelectric Ceramics and their Structurral Parametrs. / Da Zhi Sun and Shen Wei Lin. // J. of Kor. Phys. Soc. February 1998. V.32. P.S205-S207.

237. Pyroelectric charge release in rhombohedral PZT. / Beatiz Noheda, Ning Duan, Noe Cerceda and Julio A.Gonzalo. // J. of Kor. Phys. Soc. February 1998. V.32. P. S256-S259.

238. The dielectric response of electrostrictive (l-x)PMN -PZT ceramics / ShiPnikov A.V., Sopit A.V., Burkhanov A.I., Luchaninov A.G., Uzakov R.E. //J. of Euro. Ceramic Soc. 1999. V.19. P.1295-1297.

239. Jae-Hwan Park. Ferroelectric-Paraelectric Phase Transisition and Dielectric Relaxation in PMN-PT Relaxor Ferroelectrics. / Jae-Hwan Park and Yoonho

240. Kim.// Journal of Korean Phys.Soc.V.32. February. 1998. P.S967-S969.

241. Влияние предыстории на физические свойства скандониобата свинца с различным содержанием бария. /Шильников А.В., Бурханов А.И., Мамаков Ю.Н., Завьялова А.А., Сопит А.В., Штернберг А., Борманис К. //Изв. РАН. Сер.физ. 2001. Т. 65. №8. С. 1156-1161.

242. Polarization and depolarization currents in Pbi.xBaxSc0,5Nbo,503 ferropiezoelectric ceramics /А.1.Burkhanov, A.V.ShiPnikov, A.A.Zavjalova, Yu.N.Mamakov, A.Sternberg, K.Bormanis // Ferroelectrics. 2001. V. 257. №14. Part I. P.85-90.

243. Burkhanov A.I. Polarization currents in thermal depolarized PLZT relaxor ferroceramics / Burkhanov A.I., ShiPnikov A.V. // Abstracts book of ISRF-2.

244. Dubna. Russia, June 23-26, 1998. P. 100.

245. Uzakov R.E. The influence of the thermal and electrical prehistory on physical properties of relaxor SBN / Uzakov R.E., Burkhanov A.I., ShiPnikov A.V. // Journal of Korean Phys.Soc.V.32. February. 1998. P.S1016-S1018.

246. Нечаев B.H. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэластиках и сегнетоэластиках-сегнетоэлектриках. /Нечаев В.Н., Рощупкин A.M. //Изв. РАН. Сер.физ. 1995. Т.59. №9.С.11-25.

247. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материала.// Москва: Физматлит. 2000. 240с.

248. Пустовал Л.Е. Синтез и свойства пироэлектрических материалов на основе цирконата-титаната и феррониобата свинца. // Автореф. дис. к-та хим. наук. Ростов-на-Дону. 1999. РГУ. 16с.

249. Field and frequency dependence of the dielectric response of Zr-rich PZT at the Frl-Frh and Frh-Pc phase transitions. /Duan N, Gereceda N., Nheda B. and Gonzalo J. A. //Journal of Korean Phys.Soc.V.32. February. 1998. P.S273-S276.

250. Доменные процессы в кристалле Sro.75Bao.25Nb2C>6 в широком интервале амплитуд низко- и инфранизкочастотных полей. /Шильников А.В., Бурханов А.И., Узаков Р.Э., Шуваев М.А., Сильвестров В.И. // Изв. РАН. Сер. физ. 1995. Т.59. № 9.С.65-68.

251. M.E.Drougard. Domain clamping effect in barium titanate single crystals /M.E.Drougard, D.RJoung. //Phys.Rev. 1954. V.94. №6. P.1561-1566.

252. Коротков Л.Н. Динамика перехода в состояние протонного стекла в смешанных кристаллах дигидрофосфатата калия-амония. //Автореферат диссертации на соискание уч.степени к.ф.-м.н. Воронеж. 1984. ВГТУ. 15с.

253. Gridnev S.A. Dielectric relaxation in disordered polar dielectric. //Ferroelectrics. 2002. V.266. P. 171-209.

254. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. //Виша шк., Киев. 1980. 398с.

255. Structure and dielectric and optical properties of Mn, Fe, Co, Eu doped PLZT ceramics. /Dimza V.I., Sprogis A.A., Kapenieks A.I., Shebanov L.A., Plaude A.V., Stumpe R. and Books M. // Ferroelectrics. 1989.V.90. P.45-55.

256. Фрицберг В.Я. Иследование реверсивной нелинейности в керамике ЦТСЛ. /Фрицберг В.Я., Гаевскис А.П., Капениекс А.Э. //Межв.сборник. «Электроптическая керамика». Рига.1977. ЛГУ. С.127-137.

257. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы. /Иона Ф.,Ширане Д. // М.: Мир. 1965. 552с.

258. Лучанинов А.Г. Пьезоэлектрический эффект в неполярных гетерогенныхсегнетоэлектрических материалах. //Волгоград. ВолгГАСА. 2002. 276с.

259. Изменение структуры сегнетокерамики на основе ЦТС, обладающей стеклодипольным сосотоянием, под влиянием электрического поля. /Константинов Г.М., Богосова Я.Б., Абдулвахидов К.Г., Куприянов М.Ф. // Изв.РАН. Сер.физ. 1995. Т.59.№9. СС.89-92.

260. Электромеханические и диэлектрические свойства релаксорной электрострикционной керамики PMN-PZT. /Сопит А.В., Лучанинов А.Г., Шильников А.В., Бурханов А.И. //Изв.РАН.Сер.физ. 2000. Т.64. №8. С.1658-1661.

261. Особенности электрофизических свойств при размытых фазовых переходах в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе ЦТС /Бурханов А.И., Шильников А.В., Мамаков Ю.Н., Акбаева Г.М. //ФТТ. 2002. Т.44, N9. С. 1665-1672.

262. Особенности низко- и инфранизкочастотной релаксации поляризации в области морфотропной фазовой ганицы системы PNN-PT-PZ / Шильников А.В., Бурханов А.И., Сатаров С.А., Калване А., Борманис К.Я., А.Р.

263. Штернберг //Материалы Международной научно-технической конференции "Полиматериалы 2001" 26-30 ноября 2001г. Москва. МИРЭА. С.49-52

264. Nonlinearity of dielectric parametrs of PbNii/303-Pb(Zr,Ti)03 ferroelectric solid solutions. /Sternberg A., Bormanis K., Kalvane A., Burkhanov A.I., Satarov S.A., Mamakov Y.N., ShiPnikov A.V. //Ferroelectrics. 2002.V.268.P.375-380.

265. Specifics polarization switching in PbNii/3Nb2/303 PbTi03 - PbZr03 ferroelectric ceramics./ Burkhanov A.I., ShiKnikov A.V., Satarov S.A. Bormanis K., Sternberg A., Kalvane A., // Journal of the European Ceramic Society. 2004. V.24. №6. P.1541-1544.

266. Диэлектрические свойства разупорядоченной сегнетоэлектрической керамики PSN-PT. /Бурханов А.И, Сатаров С.А., Шильников А.В., Борманис К., Штернберг А., Калване А. //Изв.РАН. Сер.Физ. 2004. (в печати)?????

267. Chynoweth A.G. Radiation damage effects in ferroelectric Triglycine Sulfate //

268. Phys.Rev. 1959. V.l 13. №1. P.159-166.

269. Юрин В.А. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов ТГС, облученных Г-квантами. /Юрин В.А., Сильвестрова И.М., Желудев И.С. //Кристаллография 1962. Т.7. Вып.З. С.394-402.

270. Доменная структура у-облученных кристаллов триглицинсульфата /Юрин В.А., Белугина Н.В., Мелешина В.А., Анкудинов М.А. и Желудев И.С. //Изв.АН СССР. Сер физ.1971. Т.35, №9 . С.1927-1930.

271. О диэлектрических свойствах у-облученных кристаллов КН2РО4 /Камышева JI.H., Бурданина Н.А., Жуков O.K., Даринский Б.М. и Сизова Л.Н.//Изв. АН СССР. Сер.физ. Т.34. №12. 1970. С.2612-2616.

272. Донцова JI.И. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата. / Донцова Л.И., Тихомирова H.A., Гинзберг A.B. // ФТТ. Т.30. №9. 1988. С.2692-2697.

273. Пешиков Е.П. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. // Ташкент. Изд-во ФАН. Узбекской ССР. 1986. 186 с.

274. Получение и исследование монокристаллов твердых растворов Pbj. xBaxSc0.5Nb0.503. /Раевский И.П., Еремкин В.В., Смотраков В.Г., Гагарина Е.С., Малицкая М.А. //Кристаллография. 2001 Т.46. №1. С.144-148.

275. Sternberg A. Influence of irradiation on physical properties in PLZT and Pb(Sco.5Nbo.5)03 transparent ceramics. //Ferroelectrics. 1989. V.91. P.53-62.

276. Radiation effects in PLZT and PSN ceramics. /Sternberg A., Krumina A., Sprogis A. et al. //Ferroelectrics. 1992. V.131. P.275-282.

277. Radiation effects on lead-containing perovskite ceramics. /Sternberg A., Shebanov L., Birks E. et al. //Ferroelectrics. 1996. V.183. P.301-310.

278. Шильников A.B. Пьезодиэлектрический эффект в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ / Шильников A.B., Бурханов А.И., Шуваев М.А. //Изв.РАН. Сер.физ. 1992. Т.56. №11. С. 168-170.

279. Бурханов А.И. Влияние постоянного электрического поля на эффект механической памяти в прозрачной керамике ЦТСЛ-8, легированной европием. /Бурханов А.И., Шильников A.B. //Изв.РАН. Сер. физ. 1997. Т.61. №5. С.903-905.

280. Гейфман И.Н. Особенности электрополевого эффекта в ЭПР Gd3+ в монокристалле КТаОз. /Гейфман И.Н., Сытиков A.A., Круликовский Б.К. //ФТТ. 1986. Т.28. Вып.4. С.971-276.

281. Geifman I.N. Phase transition in Ki.xLixTa03 . //Ferroelectrics. 1992. V.131. P.207-212.

282. Гейфман И.Н. Разворачивающаяся петля диэлектрического гистерезиса в (Ki.x: 1Лх)ТаОз // Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков. Черновцы, сентябрь 1986г. ИФ АН УССР. 1986. Том 2. С.263.

283. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлктриков в электрическом поле. /Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Нехлюдов С.В. // ФТТ. 1999. Т.41. Вып.З. С.499-504.

284. Lente М.Н. Frequence dependence of the switching polarization in PZT ceramics. /Lente М.Н. and Eiras J.A. // Ferroelectrics. 2001. V.257. P.227-232.

285. Mulvihill M.L. Dynamic motion of the domain configuration in relaxor ferroelectric single crystals as a function of temperature and electric field. /Mulvihill M.L., Cross L.E., and Uchino K. // Abstract book, Nijmegen, The Netherlands, 1995. PI6-08.

286. Santos I.A. Pyroelectric properties of rare earth doped strontium barium niobate ceramics from 20K to 450K. /Santos I.A., Garcia D., and Eiras J.A. // Ferroelectrics. 2001. V. 257. P. 105-110.

287. Abrahams S.C. Atomic displacement relationship to Curie temperature and spontaneous polarization in displacive ferroelectrics. /Abrahams S.C., Kurtz S.K., Jamieson P.B. // Phys. Rev. 1968. VI. 172. № 2. P.551-553.

288. Glass A.M. Investigation of the electrical properties of SrixBaxNb206 with reference to pyroelectric detection. //J.Appl.Phys. 1969. V.40. P.4699-4713.

289. Аномалия поляризации сегнетоэлектрического релаксора. / Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В. Т.В.Волк, Ивлева Л.И. //Письма в ЖТЭФ. 2000. Т.71. Вып.1. С.38-41.

290. Ferroelectric phenomena in holographic properties of strontium-barium niobate crystals doped with rare-earth elements. / Volk Т., Woike Th., Doerfler U., Pankrath R., Ivleva L. and Woehlecke M. // Ferroelectrics. 1997. V.203. P.457-470.

291. Dielectric measurements on SBN:Ce. . /Wittier N., Greten G., Kapphan S., Pankrath R., Seglins J. // Phys. status solidi. B. 1995. V. 189. № 1. P. k37-k40.

292. Effect of different cations on the ferroelectric properties of modified strontium barium niobate ceramics. /Murthy S. Narayana, Umakantham K., Murthy K.V. et al И J. Mater Sci. Lett. 1992. V.l 1. № 9. P. 607-609.

293. Диэлектрические свойства монокристалла ниобата бария-стронция допированного лантаном . /Шильников А.В., Бурханов А.И., Старцева О.Н., Узаков Р.Э., Завьялова. А.А. // Вестник ВГТУ. Конденсированные среды и межфазные границы . 2000. С.241-245 .

294. Huang Y.N. Domain freezing in KDP and TGS. /Huang Y.N., Wang Y.N., Li X. and Ding Y. // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V.32. P. S733-S736.

295. Dependence of dielectric permittivity on bias field in Pbi.xBaxSco,5Nbo,503. /Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V., Zavjalova A.A., Sternberg A., Bormanis K. // Ferroelectrics. 2001. V.257 (1-4). Part I. P. 91-98.