Микрофотолюминесценция полупроводниковых соединений тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Физический институт им. П.Н, Лебедева РАН

На правах рукописи УДК 621.315; 535.372

Гукасян Армен Маисович

Микрофотолюминесценция полупроводниковых соединений

Специальность (01.04.07 — физика твердого тела)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических нау к

Москва 1994

Р Г Б ОД

/

Работа, выполнена в Физическом институте им. П.Н.Лебедева Российской Академии Наук

Научные руководители:

Официальные оппойеиты:

доктор физико-математических наук, профессор A.A. Гиппиус,

кандидат физико-математических наук, В.В. Ушаков

доктор физико-математических наук, профессор А.Н. Георгобнани,

доктор физико-математических наук, профессор В.Н. Мордкович

Ведущая организация: Физический факультет Московского государственного университета им.М.В.Ломоносова Защита состоится (К/П.яХр 9 в

на. заседании Специализированного ученого совета К 002.39.01 Физического института им. П.Н.Лебедева. РАН по адресу: Москва, 117924, Ленинский проспект, 53. С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института.

Автореферат разослан "

1994 г.

Ученый секретарь Специализированного совета кандидат фазихо-математичеехах наук

В.А. Чуенков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Успешное разв...ие науки и техники тесно связано с интенсивным освоением различных полупроводниковых материалов и новых типов структур. Перспективы повышения быстродействия традиционных интегральных схем и уменьшения энергоемкости оп-тозлектроннкх приборов в значительной степени связываются с полупроводниковыми соединениями АщВу*. в первую очередь, с арсенидом галлия, фосфидом индия, тройными и четверными твердой« растворами, а такхе многослойными эпитаксиальными структурами на их основе. Эти материалы являются технологически более сложными, чем кремний, однако к ним предъявляются не менее жесткие требования по содержание остаточных примесей и точечных дефектов, дислокаций, а также по однородности материалов как в масштабах всей пластины (структуры), так и на микроуровне (на площади в несколько микрометров). Дополнительные трудности создают восприимчивость поверхностей полупроводниковых соединений к воздействию химических факторов и отсутствие стабильного естественного окисла. Детальное изучение взаимодействия примесей и дефектов, диагностика полупроводников на макро- и микроуровнях требуют применения соответствущих методов. Одним из эффективных является микрофотолюминесценция (ММ) - быстрый, бесконтактный и чувствительный метод исследования полупроводниковых материалов.

Целью настоящей работы являлосо исследование с использованием метода МФЛ взаимодействия примесей и дефектов в полупроводниковых соединениях АщВу и (баАб, 1/1Я , Cd.Se , Сс1Те) ч структурах на их основе. Как пример контроля за свойствами многослойных структур продемонстрированы также возможности и результаты №Л исследований структурных дефектов- вызывающих ускоренную деградацию полупроводниковых лазеров на основе ОаМ/МСаЛз.

Научная новизна. Показано, что в основе явления изменения умекызения) интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) под. сфокусированным лазерный пучком лежат фотоиндуцированные изменения рекомбина-ционных характеристик поверхностей образцов. Последнее имеет место в результате фотохимических реакций в слое собственного оксцаа и активного звхвата неравновесных носителей, на поверхностные состояния.

На микроуровне исследовано взаимодействие примесей и дефектов

в специально нвлегированном полуизолируете« . Установлено,

что высокотемпературный ( > П00°С) отжиг нелегированного мотеТА

риала и нейтронное трансмутационное легирование с дозой 2*5x10 нейтрон/см^ с последующим отжигом при Т~950°С материала, компенсированного хромом, могут привести к получению материала с высокой степенью однородности.

ЦФЛ изучение свойств CdTe. , полученного совмещеннш методом синтеза и многократной пересублимации при низких (500-530°С> температурах показало, что для фоновой примеси, определяющей основные свойства материала и лвминесцируюцей в области —1,3 эВ и— 1,36 эВ характерна высокая подвижность и склонность к сегрегации и ком-плексообразованию.

При ММ диагностике многослойных гетероструктур Gafis /J\£Go 4 показано, что легирующая примесь кремния из его скоплений в подложках проникает в направлении роста »питансиальных слоев. При •том, если в подложках концентрация кремния достигает 85 атомных процента, то в контактном слое, отстоящем от подложки на 9-11 мкм, его максимальная концентрация составляет ~ 0,5 атомных процента.

Практическая ценность. Результаты исследований можно непосредственно использовать для оптимизации технологии получения однородных пластин полуиэолирующего Gafis для микро- и опто- электроники.

Применительно к лазерным гвтероструктурам ОаЯв /ЛССаД^ продв монстрирована аффективность НФЛ в нерззрушающей диагностике многослойных эпитаксиальных структур.

Основные результаты работы, выносимые на защиту:

1) Понаэано, что в экспериментах с использованием техники МФЛ изменение интенсивности ФЛ под действием лазерного луче п ОаАв ,1иР , Cd.Sc и СЫ-Тс связано с фотоиндуированнш изменением поверхностных рекомбинационных характеристик.

2) Показано, что при получении нелегированного монокристаллического полуизолирующего (таЛв из расплава с дефицитом мшья-ка, а также при высокотемпературном ( > П00°С) отжиге кристаллов происходит гомогенизация материала на макро- и микроуровне в результате пространственного перераспределения центров безызлучатель-ной рекомбинации (вероятно на основе мшьяка), генерированиях на дислокациях.

3) Установлено, что нейтронное трансмутациоиное легирование

с дозой 2 * 5x10^ нейтрон/см*" монокристаллов &аЛ$* Сх> с последующим отжигом при Т ~ 950°С достаточно для получения материала с высокой степенью однородности.

4) Для кристаллов Cd.lt с предельно малой концентрацией включений второй фазы получено, что основная фоновая примесь (иэ-лучательные переходы ~ 1,3 аВ и ~1,3б зВ) обладает высокой подвижностью и склонностью к сегрегации и кошлексообразованио.

5) Комбинированные исследования многослойных лазерное гетеро-структур &аА5/Ж ОаД$иетодаыи МФЛ, электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа показали, что имеет место эффективное проникновение легирующей примеси кремния в направлении роста эпитаксиальных слоев из его скоплений (выделений второй фазы) в подложках.

Апробация работы. Результаты работы доложены на Международной конференции по электронным материалам (Страсбург, Франция, 1992 год) и на научных семинарах Отделения физики твердого тела ФИАН.

Публикации. По результатам выполненных исследований опубликовано 5 работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, перечня основных результатов, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации 145 страниц, в том числе 95 страниц машинописного текста и 50 рисунков. Список литературы включает 116 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, вдавлены особенности МФЛ метода исследования полупроводников и определена цель работы.

Главе первая посвящена литературному обзору, где рассматривается эволюция микрофотолюминесцентного метода при изучении примесей и дефектов в полупроводниковых соединениях АщВу и возможности его использования для исследования состояния поверхности полупроводников. Рассмотрено явление уменьшения интенсивности ФЛ под сфокусированида лазерным лучом (так называемой "деградации" Sil), а также вопросы ЫМ контроля технологии »питаксиальных структур.

Во второй главе представлено устройство и режимы работы автоматизированной установки низкотемпературной сканирующей 1ЙЛ полупроводников, которая позволяет проводить спектральный анализ с пространственным разрешением до 5 мкм и осуществляет МФЛ картографирование образцов на заданной длине волны. В установке реализована возможность исследования полупроводниковых пластин диаметром до 100 мм при температурах 300-100 К, прецизионное перемещение

криостата о образцами относительно сфокусированного лазерного пятна, контролируемое персональным компьютером, а талже представление сигнала 1Ш с цветовым кодированием величины интенсивности на «кране монитора и в вцие псевдотрёхмерной картины распределения интенсивности люминесценции на зсданной длине волны.

Исследовались монокристаллы и апитаксиальньи пленки СаМз , 1пР , Cd.Se, поликристаллический и монокристаллический СЖТе , а такве »питаксиальные гетероструктурч БаЛй /ЛСваА^.

Глава третья посвящена изучению явления изменения (уменьшения) интенсивности ОЛ полупроводниковых соединений СоТпР , и СсПе под сфокусированнш лазерным лучом, так называемой "деградции" ФЛ. Исследовались процессы, протекающие спустя несколько секуцг после включения лазерного луча. Измерения показывают, что аффект "деградации" имеет довольно сложный характер и зависит как от свойств исследуемого материала, гак и от условий реального вксперимента.

Для наблюдались как ухе известные черты исследуемого

явления, так и ряд новых характеристик: необратимое уменьшение интенсивности краевой ФЛ после нескольких минут экспозиции, ослабление "деградации" с уменьшением температуры, её отсутствие для материалов с высоким уровнем легирования ( И,р й 10*® см~э). Эффект "деградации" отсутствовал в ионно-имплантированных образцах, в ядрах дислокаций, т.е. там, где имелась большая исходная концентрация центров безызлучательной рекомбинации. Наибольшая скорость "деградации" наблюдалась на свежетравленных поверхностиях, ч под диэлектрическими плёнками ЭсОг » Л/у она отсутствовала.

Впервые измерены линейные размеры областей "деградации". По достижении стационарного состояния в конпе процесса "деградации" линейный размер области с модифицированными свойствами составлял не менее 40 мкм, существенно превосходя диаметр лазерного пятна

на образцах ( 4 5 мкы). При втои не было зафиксировано сколько-т будь заметной зависимости размеров областей "деградации" от характеристик исходного материала и температуры образцов (Т » 100+300 К) что определяется, видимо, особенностями диффузии носителей заряда вдоль поверхности образцов.

Особое внимание было уделено изучения зависимости явления "деградации* от состояния поверхности образцов и условий окружающей среды. Химическое удаление собственного окисла с поверхности образцов приводило к восстановлению интенсивности ФЛ в песте "деградации" до исходного уровня и в дальнейшем можно было вновь повторить процесс "деградации". Эксперименты с образцами, погруженными в деионизованную воду, привели к усиленно "деградации* на материале п-типа, к её появлению на вырожденном материале. В то же время для полуизолируюиих кристаллов после небольшого спада имело место возрастание интенсивности ФЛ. После удаления воды интенсивность ФЛ принимала значения, близкие к достигаемым при аналогичных операциях на воздухе. Это означает, что "корни" явления "деградации" находятся в сфере процессов поверхностной рекомбинации. Вследствие большого дипольного момента молекул воды последняя являлась фактором, аффективно изменяющим условий транспорта носителей к поверхности (примечательно, что в среде с нулевым диполь-ным моментом СССЧ изменение интенсивности ФЛ аналогично таковому на воздухе).

Отмеченная в экспериментах необратимость "деградации" в совокупности с литературными данными свидетельствуют о возможных структурных изменениях в слоях собственного окисла. В частности, можно предположить, что появление большого числа свободных носителей в приповерхностном слое СгйЛз стимулирует образование в слое собственного оксида центров на основе мышьяка, активных в процессах

безьгалучательной рекомбинации неравновесных носителей зарчаа. Об лучение образцов ультрафиолетом после "деградации" привело к част-тичному восстановлению интенсивности ФЛ, что означает, что кроме возможного увеличения плотности поверхностных влектронных состояний из-за структурных изменений ь собственном окисле, явление "легрвдации", по крайней мере отчасти, можно связать с захватом некоторого поверхностного заряда в слое собственного оксида, обеспечивающим благоприятные условил для увеличения темпа поверхностной рекомбинации.

Исследования фотоиндушрованных процессов на поверхностиХлР, CdSe. и CdTe, дополняют результаты для 6а Лз . На с веже травленных образцах Ih.P "деградация" ОД обусловлена, как и в случае Gafis, фотостимулированными процессами в слое собственного оксида. Необратимое уменьшение интенсивности ФЛ аналогично таковому в GaAs, однако в случае ItiP оно более замедлено и ослаблено. Для образцов со "старьк" поверхностны» окислом, по-видимому, не происходит изменений состава поверхностных центров, а имеет место обра -тимое заполнение "медленных" поверхностных ловушек. На Coi Se процессы изменения интенсивности Ш напоминают таковые для InP , однако у CdSt- эти процессы являются необратимыми (долговременным), Наблюдаемые же явления на CdTe. похожи на "деградацию" в GaJIs f особенно при помещении в среду с большим дипольным моментом молекул.

Полученные даннш об изменении скорости поверхностной рекомбинации по причине фотохимических реакций в слоях собственного оксида под воздействием неравновесных носителей имеют вполне обший характер. Ввиду «того, вероятно, только из-за малой плотности возбуждения, ранее, при "обычных" $Л исследованиях, процессам изменения интенсивности люминесценции не придавалось значения. В 10Л же

установках большая плотность интенсивности возбуждения в результа те фокусировки лазерного излучения привела к сокращению времени, ■требуемого для накопления необходимых изменений в слое собственного окисла, до нескольких минут. Это и стало причиной легко наблюдаемых э экспериментах зависимостей.

В четвертой глаЕе приведены результаты изучения с помощью ИМ взаимодействия примесей и дефектов в и йАТе. ? а также резу-

льтаты исследования возможностей ЫФЛ для контроля состояния поверхности .

Первая часть главы отведена результатам изучения взаимодействия дислокаций и стехиоыетрических дефектов в полуизолирующем

. Измерения проводились как на макроуровне (в масштабах всей пластины), так и на микроуровне с разрешением ~20 мкм. Практическое значение ятих экспериментов состояло в отработке технологических режимов гомогенизации материала на макро- и микроуровке.

Пластины полуизолирующего нелегированного СйДз диаметром 50 мм с разным процентным содержанием мыльяка в расплаве (52,1? %, 48,08 % и 45,92 %) имели практически одинаковые картограммы на макроуровне (пространственное разрешение 1,5 мм), включая величину интенсивности Ш. Однако на макроуровне, для каждого состава расплава наблюдалась своя специфическая картина распределения интенсивности. Картограммы образцов, полученных из расплава с избытком мшьяка, содержали характерные контрастные полосы малоугловых границ, на фоне "ячеистой" структуры. Последняя видоизменяется для материала, в расплаве которого содержалось 48,09 % мыльяка,. и практически исчезает не картограммах пластин, полученных из расплава с 45,92 %-чш содержанием мышьяка. При этом, по мере уменьшения содержания мыиьяка, картограммы ЫМ становятся более "пёстрыми", наблюдается уменьшение ИИ-контраста, что означает более равномер-

нов распределение глубоких центров рекомбинации, связанных, очевидно, с избыточным мыльяком. Нельзя также полностью исключить и возможные изменения в характерных особенностях микрораспределения дислокаций.

По результатам измерений МФЛ можно констатировать значительное повшекие однородности полуизолирушего неяегкрованного ОаЛз в результате послеростового термического отжига слитков при температурах 950 и ПОО°С в течение нескольких часов. Картографирование целых пластин диаметром до 80 мм с пространственна« разрешением I мм выявило отчетливое сглаживание W -обрезного профиля в распределении интенсивности ФЛ вдоль диаметра пластин с ростом температуры отжига. На макроуровне вцано, что типичная для неотожженно-го полуизолирующего нелегированного GaJSs ячеистая структура сохраняется после отжига при 950°С. При этом, однако, если до отжига интенсивность ФЛ низка внутри ячеек и велика на их "стенках" (отношение составляет 4+6), то после отжига "знак" Ш5Л-контраста изменяется: теперь уже интенсивность собственного излучения внутри ячеек превосходит величину ФЛ на их стенках в 1,5-2 разе.. Амплитуда неоднородностиЯ после отжига при 950°С таким образом сокращается более чем в 2 раза. Отжиг при Т = П00°С сопровождается дальнейшим уменьшением мигронеоднородности в распределении ФЛ и "размазыванием" ячеистой структуры. Механизмы, ответственна» за рассмотренные изменения при отжиге, пока в значительной мере остаются предметом -исследований. Вероятной причиной может служить рассасывание различного рода остаточных примесей (избыточный мшьяк) и дефектов, гет-терированных m дислокациях в процессе роста кристалла, создающих центры безызлучательной рекомбинации. Тем не менее налицо ясное превосходство отжига при максимально высоких температурах ( i И00°С) для гомогенизации материала, хотя в среднем, его свойства (интен-

сивность люминесценции) и Несколько ухудшаются.

Исследование однородности пластин полуизолирующего СаЛл ,

компенсированного хромом, который был облучен различными дозами

ТА Р

тепловых нейтронов, показало, что доза 2+5x10 нейтрон/см достаточна для получения материала с высокой степенью однородности. При втом электрофизические измерения показали, что не все атомы германия и селена, образующиеся в результате даерных реакций, находятся в активированном состоянии.

Во второй части четвертой главы приведены результаты МФЛ исследования взаимодействия примесей и дефектов в поликристаллическом Ш с предельно малой концентрацией включений второй фазы. Последнее обеспечивалось малой температурой многократной пересуб-лиыации материала, которая не превшала 550-б00°С. В спектрах низкотемпературной ФЛ образцов непосредственно после роста присутствовали полосы излучения с максимумами — 1,3 эВ и ~1,36 эВ, которые,согласно имеющимся предположениям,соответствуют переходам на центрах некоторой остаточной примеси, определяющей все основные свойства полученного материала. Наряду с »тим наблюдалась и известная "самоактивационная" полоса ФЛ с максимумом ~1,45 зВ. Идентификация всех перечисленных полос, окончательно еще не установленная. в значительной мере должна определяться результатами экспериментов по взаимодействию упомянутых центров с собственным дефектами в кристаллах. В настоящей работе для спектров 1ОД, снятых

I

вблизи ямок травления лислокаций, была обнаружена повышенная интен-

I

сивность полос —1,3 и ~1,36 эВ, но не самоактивационной полосы ;

I

—I,45 аВ. Последняя же доминировала в спектрах, снятых у межзерен-ных границ. Кроме того, максимумы интенсивности излучения полос -1,3 и —1,36 эВ приходятся на области с минимальной интенсивностью полосы —1,45 эВ. Сопоставление результатов проведенных экспе-

риментов с литературным данными согласуется с идентификацией полос —1,3 и ~1,36 эБ как излучения изолированных центров. В этом случае возрастание интенсивности полос —1,3 и —1,36 зВ у дисло-гаций связано с высокой подвижностью соответствующих центров и их склонностью к сегрегации на дислокациях и межэеренных границах. Наиболее вероятны* кандидатом на роль основной фоновой примеси в низкотемпературном Се{7е представляется медь.

В специальном разделе Главы 4 рассмотрены возможности ММ для контроля состояния поверхностей образцов. Краевое (собственное) излучение наиболее сильно подвержено влиянию безызлучательноЯ рекомбинации, в том числе и поверхностной, ввиду чего его можно использовать в качестве индикатора состояния поверхности. В данной работе это продемонстрировано на примере контроля операции снятия естественного окисла с полу изолирующего , которая сопровож-

далась изменением в распределении сигнала 55Л по поверхности пластин. Последнее, однако, не имело места для образцов с концентраци-

Т9

ей свободных носителей IX ¿с, 3x10 , которые, таким образом, не подходили для тестирования поверхности. Причина потери "чувствительности" в данном случае- заключается в том, что если в олаболеги-рованном полу изолирующем ЪаАэ ширина области пространственного зардаа может составлять несколько микрон, то при И — 10^ см-3 она составляет уже менее 0,1 мкм, что в несколько раз меньше глубины проникновения возбуждающего излучения гелий-неонового лазера (Л= 0,63 мкм) в &аАа . При этом генерированные светом носители уже в небольшой степени подвержены влиянию цен тров поверхностной рекомбинации. Таким образом, 0Л контроль поверхности возмо-

жен, в принципе, на слаболегирОванных образцах, когда "глубина" генерации неравновесных носителей не больше ыирлны области пространственного заряда.

В пятой главе представлены результаты диагностики и исследования лазерных гетероструктур полученных методом жидиофаэной эпитаксии при Т * 630°С на подложках П*- 0&Ае> . В комбинации с 1Ш были использованы электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Рассматривается влияние дефектов обработки и ростовых дефектов подложек на однородность физических характеристик гетероструктур.

Анализ спектров МОЛ подложек Л*- , легированного крем- 1 нием, вместе с данными электронной микроскопии позволил определить толщину нарушенного слоя, который следовало удалить с поверхности пластин до эпитаксии с помощью алмазных порошков с различной величиной зерна.

При исследовании влияния ростовых дефектов на свойства структур (дислокации и их скопления, вдаеления второй фазы и т.д.) выбирались подложки, заведомо не содержавшие дефектов обработки, поверхность которых была подвергнута химико-динамической обработке с последующим полирующим травлением. ММ сканирование по поверхности подложек показало в отдельных местах увеличение интенсивности: ФЛ, в других - уменьшение. Сопоставление спектров ММ в местах не-однородностей в комбинации с данными электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа выявило в точках спада интенсивности ШЛ большие плотности дислокаций, а в точках всплесков сигнала (где величина люминесценции менялась на порядок и более) - наличие, скоплений кремния. В последнем случае возрастание МФЛ сопровожда- ^

лось смещением максимума краевого излучения в сторону дливши волн,

о 1

которое достигало 300-400 А, и заметнш усилением полосы 0Л ~ 1,12

мхы, которую с учетом легирования подложек кремнием можно связать I

именно с »той примесью. Электронная микроскопия показывает наличие;

в местах всплесков шарообразных дефектов, в которых находится кре-

мниЯ. Его концентрация изменяете от долей атомных процента до 80-86 атомных процента в зависимости от неоднородности. Размеры таких шарообразных дефектов, полученные по ЫЗЛ данным, в два раза превосходят данныз рентгеновского микроанализа. Это связано, по-видимому, с более низкой чувствительностью микрорентгеновского анализа feO,I атомных процента).

Поэтапное исследование каждого эпитаксиалЬного слоя лазерных структур показало, что имеет место эффективное проникновение кремния в направлении роста эпитаксиальных слоев из его скоплений в подложках. Интенсивность ФЛ в каждом апитаксиальном слое таких структур в местах неоднородностей возрастала на несколько порядков. Спектры МФЛ, снятые в разных точках при Т = 100 К, выявили наличие смещения максимума полосы краевого излучения в длинноволновую об- '' лесть по мере приближения к центрам неоднородностей, что сопровождалось изменением контура линии собственной люминесценции и возгоранием полосы излучения ~1,12 мкм, как и для спектров подложек с дефектами роста. Рентгеновский микроанализ в местах неоднородного распределения сигнала собственного излучения показал наличие кремг ния, причем только там, где увеличение интенсивности ФЛ превышало один порядок. Это, очевидно, связано с меньшей чувствительностью кетода'рентгеновского микроанализа по сравнению с ИФЛ. При атом, »ели в подложках в местах неоднородностей максимальное содержания кремния достигало 85 атомных процента, то в контактном слое гете-зоструктур, отстоящем от подложек на расстоянии 9-1I мкм, максимальная концентрация кремния составляла ~0,5 атомных процента.

Основные результаты, полученные о рамках настоящей диссерта-деонной работы, состоят в следующем:

I. В экспериментах с, использованием техники микрофотолгминес-¡енции показана зависимость явления изменения интенсивности ФЛ

(как частный случай-явления "деградации" ФЛ) в ОаЛз, ТпР Сз/5е и СсПе, при фото воз бувдении от объемных свойств исходного материала, температуры, состояния поверхности и окружающей среды.

2. Установлено, что природа явления "деградации" ФЛ связана с фотоиндуцированным изменением рекомбинационных характеристик по верхностей образцов с результате захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния, а также фотохимических реакций в слое собственного оксида.

3. Показано, что на минроуровне гомогенизация нелегированног монокристаллического полуизолирующего ОйАв при выращивании из расплава с дефицитом мыаьяка, а также при высокотемпературном (>П00°С) отжиге является результатом пространственного перераспределения центров безызлучательной рекомбинации (вероятно на основе ), геттерированных на дислокациях.

4. Показано, что нейтронное трансмутационное легирование с дозой 2*5x10^ нейтрон/см^ монокристаллов Сг> с последу щим отжигом при Т ~ 950°С достаточно для получения материала с вы сокой степенью однородности.

5. С помощью ЫФЛ исследованы свойства Сс1Те- , полученного совмещенным методом синтеза и многократной пересублимации при низ (пордока 500-530°С) температурах. Результаты подтверждают предвар тельную идентификацию излучательных переходов—1,3 и —1,36 аВ н центрах фоновой примеси, определяющей все основные свойства полученного материала. Установлено,что эта примесь характеризуется вы сокой подвижностью и склонностью к сегрегации и комплексообразова нию. Наиболее вероятным кандидатом представляется медь.

0. Продемонстрирована высокая эффективность метода микрофото люминесценции для экспрессной неразрушающей диагностики многослой ньос гетероструктур

7. Методами микрофотолюминесценпии, электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа многослойных лазерных гетероструктур ОлЛв /JUG&Asобнаружено, что имеет место эффективное проникновение легирующей примеси кремния в направлении роста эпитакоивльных слоев из его скоплений (выделений второй фазы) в подложках. При этом, если в подложках концентрация кремния в выделениях достигает 85 атомных процента, то в контактном слое гетероструктур, отстоящем от подложки на 9-II мкм, максимальная концентрация кремния составляет ~0,5 атомных процента.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. А.М.Гукасян, С.А.Казпрян, В.Д.Нопанэв. Устройство для охлаждения фотоэлектронного .умножителя с электронньы регулированием температуры. - Краткие сообщения по физике, !? 7, 1991 г.

2. А.М.Гукасян, В.В.Ушаков, А.А.Гиппиус. "Деградация" микрофотояга-минесценции OaJIs и InР . - Краткие сообщения по физике, № 10, 1991г.

3. А.М.Гукасян, В.В.Ушаков, Л.А.Гиппиус, А.В.Марков: Зотоиндупиро-ванное образование центров поверхностной рекомбинации в арсени-де галлия. - Физика и техника полупроводников, том 26, 9 3, 1992г.

4. A.V.Kvlt, Y.V.Klevkov, S.H.OJctyabraky, A.U.Gukasian, B.G.Zhurkin. Hew aapecta for conpenoation model la CctТе. .International conference of electronic materials (ICiSIi) ..Franco, 3trasbourg (1992).

5. A.V.Kvlt, Y.V.Klevkov, 3.R.Oktyabraky, A.U.Gukaaitm, B.Q.Zhurkin. Mew aspects for compensation nschaniam nodel XnCdLTt,to be published in ProRr.Cryst.Growth Oharnct.

'4k*