Микроволновая спектроскопия высокотемпературных свехпроводящих металлооксидов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

(Т-ПЕ^ЫРБУРГСКИЙ государственный электротехнический

ОД УШВЕРСИТЕТ

МИКРОВОЛНОВАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МЕТАЛЛООКСИДОВ

Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников и

диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на'соискание.ученой степени кандидата физико-математических наук

На правах рукописи

Богачев Сергей Викторович

Санкт-Петербург - 1993

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном-электротехническом университете. ' ..

Научный руководитель - кандидат физико-математических наук,

доцент Ильин В.А.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Баранов П.Г. кандидат физико-математических наук, доцент Сердюк A.C.

Ведущая организация - Научно-исследовательский институт

"ГИРИКОНЦ"

Защита диссертации состоится "Д5" НОЯБРЯ 1993 г. ъ/4 часов на заседании специализированного совета К 063.36.10 Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета по адресу: 19Т376, Санкт-Петербург, ул.Проф.Попова,5.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета. Автореферат разослан »<£<2 - С>/*</'1993 г.

Ученый секретарь ■

специализированного совета Окукев Ю.Т.

-г-

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Открытие высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) вызвало огромный научный интерес к этим материалам. Наиболее перспективными являются ВТСП материалы систем У-Ва-Сц-О, В1-Зг-Са-Си-0 и Т1-Ва-Са-Си-0, температуры перехода в сверхпроводящее состояние которых .превышают температуру жидкого азота. Выше температуры перехода эти материалы являются оксидными полупроводниками с дырочным типом проводимости. Ниже температуры перехода ВТСП материалы .являются сверхпроводниками II рода и обладают свойствами, характерными для гранулированных сверхпроводников.

Результаты исследований показали, что одним из основных направлений использования ВТСП материалов является техника СВЧ. В настоящее время созданы болометр, малогабаритный излучатель в СВЧ-диапазоне, микрополосковые линии передач, фильтр-ограничитель, компланарный модулятор СВЧ-сигнала, а также приборы с использованием эффекта Джозефсона. Рассматривается возможность применения ВТСП в интегральных схемах СВЧ-микрбэлектроники, в которых объединятся достоинства ВТСП материалов в качестве соединительных линий с быстродействием транзисторов на гетеропереходах А3В5.

Несмотря на практическое применение, магнитные свойства и взаимодействие СВЧ-излучения .с ВТСП материалами являются слабо изученными. Несомненна, следовательно, необходимость в надежной информации о^войствах ВТСП материалов для понимания физической природы высокотемпературной сверхпроводимости.

Метод микроволновой спектроскопии, благодаря сочетанию таких свойств, как бесконтактность, высокая чувствительность, эффективен при исследовании свойств ВТСП материалов, а также для экспресс-контроля технологических процессов.

Цель работы заключается в следующем:

1. Изучение свойств високотрмпературных сверхпроводников в- условиях воздействия СВЧ-излучения, слабых магнитных н электрических полей.

2. Изучение механизмов потерь в диапазоне СВЧ в этих материалах.

3. Использование возможностей микроволновой спектроскопии

для характеризации объемных и пленочных ВТСП по основным параметрам.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней:

- впервые исследовано критическое поведение сигнала микроволнового поглощения в области слабых магнитных полей, зависящее от постоянного магнитного поля и тока;

- установлено, что значения постоянного магнитного поля и тока, начиная с которых происходит подавление сигнала микроволнового поглощения, являются значениями первого критического поля для объема гранул и значениями критического тока для образца ВТСП;

- впервые обнаружены периодические осцилляции сигнала микроволнового поглощения в монокристаллических объемных и пленочных ВТСП;

- впервые исследована связь между геометрическими размерами, структурным совершенством пленочных образцов и периодач1-ностыэ осцилляции сигнала микроволгэвого поглощения;

- установлено, что разупорядочение структура образца приводит к подавлению эффекта периодичности.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

- разработана экспериментальная установка для исследова- . ния взаимодействия СВЧ-излучения с ВТСП материалами на базе ЭПР-спектрометра "Radlopan" 3-х см диапазона.

- разработана совокупность методик микроволновой спектроскопии для исследования ВТСП материалов и структур, позволяющая проводить характеризацию образцов в диапазоне температур 3,5 ... ЗООК, в условиях воздействия магнитного и электрических полей. Методики отличаются высокой чувствительностью и позволяют проводить бесконтактные измерения основных параметров ВТСП: критической температуры, ширины перехода, первого критического поля, а также критического тока. Метод микроволновой спектроскопии позволяет качественно определить структурную и фазовую однородность образцов, а татсже оценить размеры контуров квантования, естественным образом реализующихся в образцах ВТСП. Метод эффективен при исследовании.новых составов -и структур, а также для экспресс-контроля всех этапов технологических процессов получения ВТСП образцов.

Научные положения, внносимне на защиту:

1. В поликристаллических образцах ВТСП наблюдается критическое поведение сигнала микроволнового поглощения, зависящее от постоянного магнитного поля и транспортного тока. Значения постоянного магнитного поля и транспортного тока, начиная с которых происходит подавление.сигнала микроволнового поглощения, являются значениями первого критического поля В для объема гранул и значениями критического тока для образца ВТСП.

2. Взаимодействие СВЧ поля с монокристаллами ^ВааСиз07_д 'в слабых магнитных шлях имеет особенности в виде

периодического да . магнитному полю изменения импеданса. Квантовые осцилляции наблюдаются как в объемных, так и в пленочных образцах ВТСП с периодом, определяемым размерами контуров квантования, лежащими в плоскости (а.Ь). Величина периода не зависит от линейных размеров образца.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на I Всесоюзном совещании "Физикохкмия и технология ВТСП" (Москва, 1988 г.), I Всесоюзном совещании по высокотемпературной сверхпроводимости (Харьков, 1988 г.), ХХУ Всесоюзном совещании по физике низких температур (Ленинград, 1988 г.), II Всесоюзной конференции по ВТСП (Киев, 1989 г.), Всесоюзной конференции "Физика и химия ВТСП" (Харьков, Я989 г.), конференции "МТЭ и ТП 90" (Минск, 1990 г.), семинаре "Диагностика ВТСП материалов и структур на их основе" (Нальчик, 1990 г.), Межотраслевой конференции памяти Н.Н.Острякова, (Ленинград, 1990 г.), Международной конференции по перспективным материалам 1САМ-91 (Страсбург, Франция, 1991 г.), семинаре по магнито-микроэлектронике (Алушта,1991 г.), четырех научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ЛЭТИ им.В.И.Ульянова (Ленина).

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано три статьи и тезисы к девяти конференциям.

Структура и объем диссертации. Работа содержит введение, чеюре главы, заключение и список литературы, включающий 122 наименования. Основная часть работы излажена на 89 страницах машинописного текста. Работа содержит 59 рисунков.

СОДЕРЖАШЕ РАБОТЫ.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, ее практическая ценность, сформулирована цель и определены задачи исследования, . приведено краткое содержание работы, сформулированы научные положения, выносимые на защиту.

Первая глава. Взаимодействие микроволнового излучения с высокотемпературными сверхпроводниками. Глава носит обзорный характер. В ней рассмотрены особенности свойств ВТСЙ как множественной, даозефсоновской среды. ВТСП обладают свойствами гранулированных сверхпроводников, которые определяются тем фактом, что при • температурах ниже критической сверхпроводимость существует в каждой отдельной грануле, а гранулы связаны меаду собой слабой джозефсоновской связью. В поликристаллических образцах многосвязная джозефсоновская среда характеризуется спин-стекольными свойствами, которые проявляются при исследовании магнитной восприимчивости.

Обсуждаются теоретические модели, описывающие парамагнитные свойства ионов меди в расличных кристаллографических позициях.

Рассмотрено микроволновое поглощение в области слабых магнитных полей: форма сигнала, ее зависимость от магнитной и температурной предастории образцов ВТСП. При малых амплитудах модуляции магнитного поля на полевой зависимости сигнала микроволнового поглощения наблюдаются флуктуации, интенсивность которых растет с пониженйёМ температуры.

Подробно рассмотрены модельные представления, описывающие эти эффекты. Большинство результатов по микроволновому поглощению объясняются наличием в ЬТСП состояния типа спинового стекла в области слабых магнитных полей. Альтернативной теорией является Модель гипервихрей в джозефсоновской среде.

Описаны исследования' сигнала микроволнового поглощения при охлавдекии образцов в нулевом и конечном магнитных полях, а также исследования захвата магнитного потока по остаточной статической намагниченности объемных и пленочных образцов ЕТСП.

Вторая глава. Особенности микроволнового поглощения в ВТСП материалах.- В главе дано описание экспериментальной установки на базе Э11Р-спектрометра "ИасИорап" 3-х см диапазона. Образцы В^СП термостатировались в интервале температур 3,5... 300К.

Подробно рассмотрены ЭПР спектры Сиа + в ВТСП материалах. Типичные для монокристаллических образцов ВТСП спектры ЭПР соответствуют аксиальной симметрии центра Си2+. В результате исследований было замечено, что .интенсивность сигнала двухвалентной меди уменьшалась по мере того, как улучшались сверхпроводящие свойства ВТСП материалов. Первые ЭПР исследования, проведенные на монокристаллах У^а Си 0 б показали, что сигнал меди отсутствует как в нормальном, так и в сверхпроводящем состояниях.

При проведении ЭПР' измерений во всех сверхпроводящих образцах при больших амплитудах модуляции магнитного поля ниже критической температуры экспериментально наблюдается нёрезонансное микроволновое поглощение в области слабых магнитных полей, впервые описанное в [1,21. Исследования микроволнового поглощения в ВТСП показали, что температурные зависимости сигнала. с!Р/<1В ( где Р - поглощенная мощность, В -индукция статического магнитного шля), характерные для поликрист'зллических и монокристаллических образцов существенно отличаются друг от друга. Сигнал поглощения для поликристаллических образцов максимален при низких температурах и монотонно уменьшается при повышении температуры. Монокристаллические образцы характеризуются резким пиком в температурной зависимости сигнала йР/йВ вблизи критической температуры.

ПриЕедены зависимости амплитуда сигнала микроволнового поглощения от напряженности микроволнового поля В, и поля модуляции В .

Анализ экспериментальных зависимостей был проведен в рамках моделей потерь, возникающих за счет вязкого движения вихрей, наведенных токов, а также модели дюшного джозефсоновского перехода.

Согласно модели потерь, связанной с вязким движением вихрей 131, величина потерь увеличивается с ростом плотности

магнитного потока В, проникающего в гранулы. Поскольку микроволновое поле проникает в образец только на Лондоноаскую глубину проникновения, то микроволновый отклик определяется поверхностным импедансом образца,' з сигнал йР/бВ действительной частью поверхностного импеданса. Уравнение пви*йния флуксона в образце имеет вид

М-АУ/(И+т]7+}а=(1/сЬ «Г-Ф0,

где М - масса флуксона на единицу длины, т) - постоянная вязкости, к - постоянная силы, сдерживающей флукеон от смещения, 3 - плотность сверхпроводящего тока.-

В рамках данной . модели действительная часть поверхностного импеданса определяется выражением

1/2

и=хо. ^(-1+41+4.г2-в2/в2 )/г],

где Х0=4-ТС'и-|л.-Хь/с, В0=4-1С-<|)-р,>А.|/Ф0, Г• В/Фо - плотность свободных или слабосвязанных флуксонов.

Для расчета температурной зависимости сигнала микроволнового поглощения был использован известный закон изменения Лондоновской глубины проникновения от температуры

Лх(Т)~(1-<Т/Тс)")-1 /а.

■ В юдели наведенных токов [4} потери ' обусловлены диссипацией энергии за счет протекания токов через джозефсоновский переход, для которых уравнение баланса токов имеет вид

Сь й2ф Ь (Зф 2е (П2 2еИ <И

+ --- + ф =1 +1-С03 +1 ¿соэ и „I,

С т от М тВ тВ '

где С - емкость перехода, Я - нормальное сопротивление, 1с -критический ток, <р - разность фаз в двух гранулах, образующих

ггереход.

В рамкэх дашюй модели сигнал микроволнового поглощения определяется выражением

(1/2ImER)'/2 1;

S=

4(М0тВ/2еН)г (1+Т))3/а

dl

с

dH

H COS ф_+1 sln ф. m T0 m тс

СОЗ Ш t m

Для расчета температурной зависимости амплитуды сигнала микроволнового поглощения били использованы теоретические температурные зависимости критических токов для одиночных дкозефсоновских переходов: SIS (сверхпроводник - изолятор -сверхпроводник! и SNINS (сверхпроводник - нормальный металл -изолятор - нормальный металл - сверхпроводник).

Рассчетные температурные зависимости для первых двух моделей качественно совпадают и соответствуют типичным экспериментальным зависимостям, характерным для поликристаллических объемных и пленочных ВТСП.

Согласно модели длинного джозефсоновского переходз Î5], мощность, поглощаемая в переходе, определяется выражением

и

P=Ju(x)J(x)dx,

где К

длина перехода. При малых уровнях микроволновой

мощности сигнал dP/dfl определяется выражением

S«d-Ht AT,,

где d - иирина перехода, 3} - усредненный критический ток.

Температурные зависимости сигнала dP/dB, при расчете которых, в рамках данной модели были использованы теоретические температурные зависимости критических токов для SIS и S1ÏTIJ3 переходов, характерны для монокристаллических объемных и пленочных ВТСП.

Таким образом, анализ экспериментальных данных в рамках различных моделей потерь дал возможность качественно описать все возможные формы температурных зависимостей сигнала микроволнового 'поглощения, а также сделать вывод о доминирующем механизме потерь в образце.

При исследовании полевых и температурных зависимостей сигнала йР/сШ для поликристаллических образцов У-Ва-Си-О и В1-Бг-Са-Си-0 в диапазоне полей 0...100 мТл было обнаружено критическое поведение сигнала микроволнового поглощения. При фиксированной температуре ниже критической сигнал йР/йВ остается практически неизменным до некоторого значения поля экспозиции В^, а При превышении этого значения подавляется полем. Одновременно наблюдается смещение максимума сигнала йР/йВ в область более высоких полей. На рис.1 приведены зависимости нормированной амплитуда сигнала (ЗР/сШ и положения максимума сигнала Втах от поля экспозиции при различных температурах в системе У-Ва-Си-О. Эффекты подавления сигнала <ЗР/с}В и смещения максимума В^^ полем экспозиции усиливаются с понижением температуры. На рис.2 приведена температурная зависимость пороговых значений поля В^, для поликристаллического образца У-Ва-Си-О. Аналогичные зависимости были получены для поликристаллического образца В1-2г-Са-Си-0. • Линейная экстраполяция к нулевым температурам дает значения В^(0)=19 мТл для керамики У-Ва-Си-О и В^(0)=12,5 мТл для керамики Б1-8г-Са-Сц-0. Полученные значения В^ близки к значениям первого критического поля для монокристаллов того же состава, измеренным другими методами.

Аналогичное поведение сигнала микроволнового поглощения при воздействии постоянного тока экспериментально наблвдалось для пленочных образцов системы У-Ва-Си-О. Наблюдается хорошая корреляция между пороговыми значениями постоянного тока и значениями статического и динамического критических .токов, определенными из ВАХ образца.

Проведенные исследования позволили сделать вывод'о том, что значения постоянного магнитного поля и тока, начиная с которых происходит .подавление сигнала йР/аи, являю^^-значениями первого критического поля для с значениям! критического тока для образца ВТСГ

"Рис.1. Зависимости dP/cLB • и В „_ от величины поля

max

экспозиции Вехр для поликристаллического образца Y-Ba-Cu-О при различных температурах: 1 - 85К, 2 - 47К, 3 - 6К.

Рис.2. Температурные- зависимости В^ для поликристаллического образца Y-Ba-Cu-О ( • - из измерений dP/dB, о - из измерений В „).

Третья глава. Эффекты квантования магнитного потока в ■ДСП. В главе приводятся результаты исследования тонкой структуры сигнала микроволнового поглощения при малых амплитудах модуляции магнитного поля для объемных и пленочных образцов системы У-Ва-Си-О.

Первые исследования монокристаллов У^а Си30 ф'' при температуре жидкого азота позволили установить, что сигнал микроволнового поглощения представляет собой практически периодические по магнитному полю линии поглощения. При температуре жидкого гелия эти линии были строго периодическими (рис.З). На разных монокристаллах период был различным. Для сигнала микроволнового поглощения, приведенного на рис.З период составлял ЛВ=1,76-1СГ2 мТл, $ сам сигнал исчезал в полях, превышающих 15 мТл.

Рис.З. Периодические осцилляции сигнала ДР/сЦ} в монокристалле У1Ва2Сиз07_е при Т=4,2К.

Для объяснения экспериментальных данных была иснользована модель, в которой ВГСП рассматривается как кластер, состоящий из большого числа сверхпроводящих контуров, слабосвязанных {¿заду собой. Для такой системы, состоящей из контуров одинакового размера и ориентации, зависимость энергии от

2*10'гмТп

внешнего магнитного 'потока при низкой температуре имеет вид парабол с минимумами, почти равной энергии. Высота барьера между минимумами равна энергии контура в нормальном состоянии. При переходе из одного основного состояния в другое на гремя т=Ш"1г с происходит "разрыв" сверхпроводящего контура, при этом квант магнитного потока Ф0 проникает в контур,и в этот момент' Происходит поглощение микроволновой мощности. В рамках данной, модели плсцадь контура определяется выражением Б=Ф0/АН. Для случая на ряс.З площадь контура равна 114 мкм2, что гораздо больше размера вихря.. Абрикосова. Было высказано предположение, что сверхпроводящие токи циркулируют в областях монокристалла, ограниченных плоскостями двсйникования, через которые осуществляется слабая джозёфсоновская связь. Действительно, на поверхности ¡исследуешх 'монокристаллов с [помощью поляризационного микроскопа 'наблюдалась четко ¡выраженная периодическая двойниковая структура, образованная ют системе {110}/{110>. Поскольку наиболее устойчиво спектр

эквидистантных линий поглощения регистрировался в ориентации -»

В0х(аЬ), то был сделан- вывод 'о "том, что плоскость контуров ¡квантования лежит в плоскости (аЬ'Ь

Исследования влияния структурного совершенства образцов .па тонкую структуру сигнала 'микроволнового поглощения 'проводились на пленочных образцах У-Ба-Си-О толщиной 0,2 мкм .с поликристаллической структурой, текстурой и структурой, 'близкой к монокристаллической. Фурье-образ обнаружил резкий пик для сигнала микроволнового поглощения, соответствующий периоду 5,7-10~3 мТл, только для образца со структурой, близкой к монокристаллической. Размер Контура в этом случае "равнялся 360 мкм2, что довольно близко к типичным значениям размеров контуров квантования для монбкристалллов. Сигнал йР/йВ для других образцов был апериодическим. На основании этих исследований был сделан вывод о том, что периодические по магнитному полю . линии поглощения наблюдаются только в образцах, имеющих высокую степень совершенства кристаллической структуры. Периодические линии поглощения в мс-нокристаллкческих пленочных образцах наблюдались в магнитном поле вплоть до сотен мТл. Особенностью одного из образцов явилось ненаблюдавяееся ранее скачкообразное изменение периода

осциляяций в магнитном поде, что может бить связано с изменением размеров контуров квантования.

Четвертая глава. Бесконтактная СВЧ-диагностика объемных ^ пленочных ВТСП. В главе рассматривается" использование микроволновой спектроскопии для экспрессной характеризацш объемных и пленочных ВТСП. Из температурных зависимостей сигнала йР/сШ определялись такие параметры как температура перехода Тс, ширина перехода ДТс, а также первое критическое поле Во1 и критический ток 1с- Вследствие чрезвычайно шсокой чувствительности, метод микроволновой спектроскопии особенно эффективен для экспресс-контроля температуры,и ширины переход? тонких пленок ВТСП на различных подложках и ¡еогдасукишх подслоях. По ' виду температурной зависимости сигнала качественно определялась структурная и фазовая однородное^ образцов ВТСП. Приведены результаты исследований керамического образца нового состава 1п-К-Ва-Са-Си-0 д сверхрешегки У-Ва-Си-О/Рг-Ва-Си-О. Рассмотрено исгадьзощцйе микровадаоеой спектроскопии для контроля технологического процесса палучешя пленочных образцов У-Ва-Си-0 методом ,магнетронного нацы

В заключений перечислены основные результаты и вывода,

1. Разработана совокупность метода» микроволновой спектроскопии для исследования ВТСП материалов ¡и структур, позволяющая проводить характеризацию' образцов в диапазоне температур 3,5+300 К, в условиях воздействия магнитного и электрического поля. Методики позволяют проводить бесконтактные измерения основных параметров ВТСП:•критической температуры т , ширины перехода ДТс, первого критического поля Вг1, а также критического тока 1с для образца.

2. Исследования ЭПР Сиа+, проведенные на поликристаллах и монокристаллах ВТСП, показали, что сигнал двухвалентной меди обусловлен фазовой и структурной неоднородностью образцов и не имеет отношения к меди в регулярных позициях сверхпроводящей фазы ВТСП. По спектру ЭПР Си2* в образцах ВТСП можно не только выявить фазовую неоднородность образца, но и в. ряде случаев идентифицировать фазы.

3. Измерение температурных и полевых зависимостей сигнала микроволнового поглощения, проведенные для известных систем ВТСП, позволим установить закономерности изменения вида

зависимостей dP/dB=f(Т); обусловленные различной упорядоченностью структуры объемных. и пленочных -металлооксидов. Анализ экспериментальных данных в рамках моделей потерь за счет вязкого • движения вихрей, наведенных токов и модели длинного перехода Джозефсона дает возможность качественно ог_и ать вЬе возможные формы температурных зависимостей.

4. Исследованы .полевые и температурные зависимости сигнала микроволнового поглощения для поликристаллических ■Образцов Y-Ba-Cu-0 и Bl-Sr-Ca-Cu-0 в диапазоне' температур

(3.5..И50Ж и диапазоне токов (0...200)мА. Установлено, что йоликристаллические образцы обнаруживают критическое поведение сигнала dp/dB, зависящее от магнитного поля, температуры и йбличшш тока. Значения постоянного магнитного поля и тока, начиная с Которых происходит подавление сигнала микроволнового поглощений, являются значениями первого критического поля ВС1 для объема гранул и значениями критического тока Jc для образца ВТСП., ;

5. При -температурах ниже . критической в монокристаллических объемных и пленочных образцах Y(BazCu30T ^ впервые обнаружен эффект периодического по магнитному полю изменения импеданса, который наблюдается в широком интервале напряженностей магнитного поля. Величина периода определяется размерами контуров квантования, лежащими в плоскости (а,Ь), не зависит от линейных размеров и может изменяться под воздействием статического магнитного поля.

6. Исследовано влияние степени , структурной разупорядоченности пленок Y,,Ba2Cu30T_ö на характер толевой зависимости импеданса. Установлено, что разупорядоченяе приводит к подавлению эффекта периодичности.

Т. разработанные методики использованы для характеризации объемных и пленочных металлооксидов систем- Y-Ba-Cu-0, Bi-Sr-Ca-Cu-O, Tl-Ca-Ba-Cu-O, а также нового материала In-K-Ba-Ca-Cu-0 и сверхрешеток Y-Ba-Cu-O/Pr-Ba-Cu-O.

СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Особенности СВЧ-потерь сверхпроводящей керамики в магнитном поле / В.В.Кведер, Т.Р.Мчедлкдзе, Ю.А.Осшхьян и др. // Письма в КЭТФ. - 198?. - Т.46. - Приложение. - 0.176-179.

2. ЭПР и электромагнитные эффекты в 'системах.-. типа Ме-Ва(8г)-Сц-0 / В.Ф.Мастеров, Н.П.Герасимов, А.И.Егоров и др.// Письма в ЖЭТФ. - 1987. - Т.46. - Вып.Т. - С.289-292.

3. Microwave magneto-surface Impedance of high-To superconductors /A.M.Portis, K.W.Blazey, K.A.Mulier et. al. // Europhya. Lett. - 1688. - V.5. - 5. - B:467~472.

4. DuJeic A., Ralevln В., Eozeto M. Mechanism oi field-dependent microwave absorption in high-TQ ceramic superconductors // Еигорйуз. Let;t,. -1989; -V.10. ~tf 6. -P.593-598.

5. Кведер В.В., Мкртчян М.Р,., Шалынин А.И. К вопросу об СВЧ-поглощении ВТСП-керамики в магнитном поле // ФТТ. - 1991. - V.33. - * 4. - С.1226-1237.

ОПИСОК РАБОТ, - ОПУБЛИКОВАННЫХ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Микроволновое поглощение в монокристаллах YfBa2Cu3Q

в магнитном полз / С.В.Богачев, Г.А.Емельчекко, В.А.Ильин и др. // Письма в ЖЭ'ТФ. - 1988. - Т.47. - Выл.З. - С.166-168.

2. Богачев. C.B., Ильин В.А., Косогов О.В. Критическое поведение низкотемпературного магнитосопротивления на СВЧ сверхпроводниковых . 'металлооксидов// Тез.докл.XXV Всесоюз.совещ. по физике низких температур. 25-27 октября 1988 г. - Ленинград. - 1988. - 4.1 - С.239-240.

3. Микроволновое поглощение в сверхпроводящей ll-Ba-Ca-Cu~Q керамике / А.И.Акимов, С.В.Богачев, В.А.Ильин и др. // Тез.докл.1 Всесоюзн.совещ. по ВТСП. - 1988. - Харьков. - Т.1. - 1988. - С.137-138.

4. Получение и исследование таллиевой сверхпроводящей керамика с Тк=125 К / А.И.Акимов, С.В.Богачев, В.Б.Бойко и др. '// СФХТ. - (989. - Т.2. - Л 4. - С.41-48.

5. Исследование высокотемпературных сверхпроводящих

керамик и тонких пленок системы Tl-Ba-Ca-Cu-О / О.В.Косогов, А.И.Акимов, С.В.Богачев и др. // ФТТ. - 1989. - Т.31. - Я 10, - С.295-297.

б. Бесконтактная СВЧ-диагностика плено'пшх и объемных ВТСП / С.В.Богачев, В.А.Ильин, О.В.Косогов и др.// Физикохнмия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов: Труды I Всесоюз.с-1вещ., г.Москва: Наука. - 1989. - С.381-382 .

7.. Влияние материала подложки, режимов распыления и отжига на свойства планок Y-Ba-Cu-О / В.П.Афанасьев, С.В.Богачев, М.П.Винокуров и др.// Тез.докл. II Всесоюзн.кояф. по ВТСП. 25-29 сентября, 1989. - Киев. - 1939: - Т.2. С.274-275.

8. Физико-химические процессы изготовления и эксплуатации мишеней для получения пленок ВТСП магнетронным распылением / В.П.Афанасьев, С.В.Богачев, Ю.Б.Петров и др. // Тез.докл. Всесовзн. кснф. по фкзико-химии ВТСП. - 2-4 октября 1989.- Харьков. - 1989. - С.158-159.

9. Гальваномагнитныэ, термоэлектрические и магнитные свойства материалов керамических мишеней систем Y-Ba-Cu-О и Bi<Pb)-Sr-Ca-Cu-0 / В.П.Афанасьев, С.В.Богачев, С.И.Каминский и др.// Тез.докл. конференции "МТЭ и ТП 90". - 1990. -Минск. -1990..- Ч.1-. - С. 103-104.

10. 'Богачев C.B., Ильин В.А., Косогов О.В. Особенности •микроволнового поглощения объемных и пленочных ВТСП в ■магнитном поле // Тез.докл. семинара по магнитомикроэлектронике. - 1991. - Алушта. - С. 115.

11. "Сухая" фотолитография по пленкам ВТСП / С.В.Богачев, А.И.Ильин, И.Г.Казариц и др. // Тез.докл. семинара ,по магнитоэлектронике. - 1991. - Алушта. - 1991. - С.116.

12. Богачев C.B., Ильин В.А., Лихолетов Ю.В. Микроволяо-вое поглощение в пленках Y-Ba-Cu-О с различной структурой // Известия СПГЭТУ: Сб.научн.тр., СПГЭТУ им.В.И.Ульянова (Ленина) --С.-П. - 1992. - Вып.443, - С.52-56. '

Иэдп. к ПбЧ. 14.1р. 93г. Формат 60x84 1/16 Печ.л. 1.0; Офсетная печать Уч.«зд. лиг. 1,0. Тираж 100 экз. Зак. N 230 Бесплатно.

Ротапринт с. -Ш. ГЭГУ 197376, СЙнкт-Петербург, уд. Проф. Носова, 5