Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Эпитаксия соединений АПВУ1 на подложках из GaAs.

Обзор литературы)

1.1 Эпитаксия CdTe на подложках GaAs

1.2 Эпитаксия CdTe на подложках InSb(001)

1.3 Гетеропитаксия широкозонных полупроводников

1.4 Диффузия Ga в пленку AnBVI из подложки GaAs 27 Выводы к Главе

Глава 2. Методика эксперимента

2.1 Методика эпитаксиального роста

2.2 Методика определения состава

2.3 In situ методы исследования при гетероэпитаксии соединений A"BVI

2.3.1 Дифракция электронов высокой энергии на отражение

2.3.1.1 Дифракция на вицинальных поверхностях

2.3.1.2 Дифракция на двойниках.

2.3.1.3 Дифракция на одномерных объектах

2.3.2 Эллипсометрические исследования роста соединений AnBVI in situ 42 2.3.2.1 Оптические модели растущего слоя. Моделирование эволюции эллипсометрических параметров в процессе роста

2.2.2 Измерение температуры эллипсометрическим методом

Выводы к Главе

Глава 3. Влияние промежуточных соединений на структуру и состав гетероперехода ZnSe/GaAs(112)B.

3.1 Кристаллохимическое рассмотрение взаимодействия компо- 62 нентов гетеросистемы ZnSe/GaAs

3.2 Экспериментальные результаты

3.2.1 Предэпитаксиальная подготовка

3.2.2 Рост пленок ZnSe

3.2.3 Влияние условий роста на морфологию поверхности CdZnTe(112)B.

3.3 Исследование гетероструктур ZnSe/GaAs(l 12)В

3.3.1 Растровая электронная микроскопия гетеросистемы ZnSe/GaAs(l 12)В

3.3.2 Изучение состава гетероперехода ZnSe/GaAs( 112)В методом РФЭС

3.4 Сравнение экспериментальных результатов с кристаллохи-мическим рассмотрением

Выводы к главе

Глава 4. Гетероэпитаксия CdZnTe/GaAs(310).

4.1 Введение

4.2 Морфология поверхности (310)

4.2.1 Предэпитаксиальная подготовка

4.2.2 Эпитаксия теллуридов цинка и кадмия

4.3 Внедрение Ga в пленку из подложки при гетероэпитаксии 102 ZnTe/GaAs(310)

4.3.1 Эксперимент

4.3.2 Влияние условий роста на состав гетероструктуры ZnTe/GaAs(310)

4.4 Кинетика начальных стадий роста пленок ZnTe на подложках GaAs(310) и Si(310)

4.4.1 Определение скорости роста и плотности пленок на начальных стадиях роста из эллипсометрических измерений in situ

4.4.2 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии ZnTe на GaAs(310)

4.4.3 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии ZnTe на

Si(310)

Выводы к Главе

Основные положения и результаты (выводы)

Лидирующее место среди материалов для изготовления инфракрасных фотоприемников занимают твердые растворы кадмий-ртуть-теллур (КРТ). В настоящее время основные усилия направлены на развитие систем тепловидения, использующих линейки и матрицы фотоприемников в фокальной плоскости с высокой плотностью элементов, связанных с коммутаторами для обработки сигнала. В соответствии с этим направлением к технологии узкозонных материалов для ИК- фотоприемников предъявляются чрезвычайно жесткие требования - она должна обеспечивать приготовление пластин фоточувствительного материала большой площади, с большой однородностью состава и с невысокой стоимостью. Этим требованиям в наибольшей степени отвечают эпитаксиальные методы выращивания. Стоимость эпитаксиальных структур помимо сложности технологического процесса и оборудования в еще большей степени определяется стоимостью подложечного материала. Подложки CdZnTe, используемые при эпитаксии твердых растворов HgCdTe, имеют высокую стоимость и неудовлетворительные характеристики. Это обстоятельство делает необходимым тщательное изучение гетероэпитаксии пленок на «альтернативных» подложках, так как разработка технологии выращивания структур на доступных и дешевых подложках может оказаться единственным путем снижения стоимости и обеспечения массового производства эпитаксиальных структур узкозонных материалов. Под альтернативной подложкой понимают подложку из GaAs или Si, на которой выращен высокосовершенный буферный слой CdZnTe, позволяющий осуществлять эпитаксиальный рост КРТ.

Принципиальной возможностью получения гетероэпитаксиальных структур на альтернативных подложках обладают различные парофазные эпитаксиальные методы, такие как модификации молекулярно-лучевой эпитаксии и эпитаксии из паровой фазы с использованием металлорганических соединений. Молекулярно-лучевая эпитаксия является наиболее перспективным методом для создания гете-роструктур А2В6/А3В5. К преимуществам МЛЭ по сравнению с остальными методами относятся: низкая температура роста; наиболее чистые условия выращивания и, соответственно, низкий уровень фонового легирования; возможность получения многослойных объектов, включая сверхрешетки и структуры с квантовыми точками; наличие встроенных методик анализа поверхности, позволяющих in situ исследовать и контролировать ключевые стадии изготовления гетероструктур.

В пленках КРТ выращенных методом МЛЭ, присутствуют макроскопические «прорастающие» дефекты. Причина образования прорастающих дефектов заключается в следующем. Теллур поступает на поверхность в основном в виде двухатомных молекул. Низкая температура роста (180° - 200°С), обусловленная высоким давлением насыщенных паров Hg, затрудняет диссоциацию молекул теллура и десорбцию избыточного халькогена с поверхности. В результате на поверхности может происходить кристаллизация теллура, приводящая к формированию характерных прорастающих V-образных дефектов. Зарождаться прорастающие дефекты могут на различных нарушениях регулярности поверхности. К ним относятся дефекты структуры буферного слоя, выходящие на поверхность, различные загрязнения поверхности, а также неровности ростовой поверхности.

Существуют два дополняющих друг друга направления для снижения плотности прорастающих дефектов. Один из них заключается в облегчении диссоциации двухатомных молекул теллура. Как показано в работе [1], для этой цели полезно использовать разориентированные подложки с высокой плотностью ступеней. Другое направление заключается в устранении всех поверхностных дефектов буферного слоя. Для этого помимо тривиального повышения чистоты и подбора условий роста, обеспечивающих гладкую поверхность, необходимо снижать плотность структурных дефектов в буферном слое.

При создании гетероструктур типа AnBVI/AmBv за образование структурных дефектов в растущей пленке отвечают два основных процесса. Во-первых, введение дислокаций несоответствия, что связано с различием параметров кристаллических решеток пленки и подложки. Во-вторых, химическое взаимодействие компонентов гетеросистемы.

Механизмы введения дислокаций несоответствия изучены хорошо и на сегодняшний день ясна связь между рассогласованием параметров кристаллических решеток пленки и подложки и образованием дефектов [2,3,4]. Основным источником дислокаций является несоответствие параметров кристаллических решеток пленки и подложки. Поэтому избежать образования дислокаций несоответствия при эпитаксии CdTe на подложке GaAs невозможно. Сетка дислокаций несоответствия лежит на границе пленка - подложка. Свободные концы дислокаций несоответствия образуют прорастающие дислокации, которые проходят от гетероперехода до поверхности пленки. Для эпитаксии КРТ необходимо уменьшить плотность прорастающих дислокаций на поверхности буферного слоя. Для этого нужно, во-первых, подбирать условия роста, препятствующие прорастанию дислокаций несоответствия в объем пленки. Во-вторых, выращивать достаточно толстые буферные слои. С увеличением толщины буферного слоя дислокации противоположного знака рекомбинируют между собой, что приводит к снижению плотности дислокаций в приповерхностном слое на несколько порядков по сравнению с областью гетероперехода [5,6].

Проблеме химического взаимодействия внимание стали уделять относительно недавно, и сегодня не существует четких представлений о влиянии продуктов химического взаимодействия компонентов гетеросистемы на структуру растущей пленки. Известно, что на гетерогранице aiibvi/aiiibv происходит образование промежуточных соединений типа А1П2ВУ13[7]. Эти соединения могут влиять на механизм роста и дефектообразование. Наиболее глубоко на настоящий момент изучен механизм изменения ориентации пленки CdTe при эпитаксии на подложке GaAs(lOO). Для эпитаксии CdTe/GaAs(100) доказано, что ориентация растущей пленки зависит от плотности связей Ga-Te в гетеропереходе. На момент начала защищаемой работы для гетеросистемы ZnSe/GaAs(100) было установлено, что в слоях селенида цинка присутствуют дефекты упаковки, плотность которых оцениf\ Я 9 вается в разных работах в интервале 10 - 10 см" . По-видимому, их присутствие вызвано образованием в гетеропереходе соединений Ga2Se3. Однако разными авторами предлагаются совершено противоположные технологические решения для снижения плотности дефектов упаковки. Не изучены вопросы о влиянии промежуточных соединений на образование дефектов в гетеропереходе CdTe/GaAs. Не установлена связь между образованием промежуточных соединений и механизмами роста и свойствами растущей пленки в случае гетероэпитаксии на сильно разори-ентированных подложках.

Целью работы является изучение процессов, происходящих в начальный момент роста соединений А2В6 на сильно разориентированных подложках GaAs в методе МЛЭ. Основное внимание уделяется изучению влияния продуктов химического взаимодействия компонентов пленки и подложки на механизм роста и структурное совершенство растущей пленки. В результате должны быть разработаны научные основы технологии приготовления альтернативных подложек, - высококачественных буферных слоев CdTe на подложках из GaAs, пригодных для эпитак-сии твердых растворов HgCdTe.

Докладываемые результаты получены для слоев ZnSe, ZnTe и CdTe, выращенных на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гетеропара ZnSe/GaAs взята как модельная, так как она имеет минимальное рассогласование параметров кристаллических решеток, а вероятность образования промежуточных соединений в гетеропереходе наиболее высокая. Подложка GaAs(112)B наиболее часто встречается в литературе, посвященной МЛЭ KPT, a GaAs(310) позволяет приготавливать альтернативные подложки для выращивания КРТ с минимальной плотностью макроскопических «прорастающих» дефектов.

Результаты работы обсуждались на II Международном совещании по МЛЭ (г.Варшава, Польша, 1996 г.); на VII Европейской Конференции по методам анализа поверхности и границ раздела (г.Гётеборг, Швеция, 1997 г.); на VI Международной конференции по научному материаловеденью и свойствам материалов для инфракрасной оптоэлектроники (г.Киев, Украина, 2002 г.); на научных сессиях ИФП СО РАН

В заключении хочется выразить благодарность научному руководителю д.ф.-м.н. Юрию Георгиевичу Сидорову за руководство и постоянную помощь в работе. А также Валерию Георгиевичу Кеслеру за проведение РФЭС измерений; Василию Александровичу Швецу за помощь в интерпретации эллипсометрических измерений; Леониду Валентиновичу Соколову за плодотворное обсуждение дифракционных картин; Людмиле Дмитриевне Бурдиной за химическую подготовку подложек; всем соавторам, сотрудникам лаб.15 и ИФП СО РАН, помогавшим в выполнении представленной работы.

Заключение

Полученная в результате выполнения работы информация о механизмах введения структурных дефектов при гетероэпитаксии неизовалентных полупроводников и влиянии условий роста на морфологию поверхности CdTe, позволяет оптимизировать условия получения альтернативных подложек - высококачественных буферных слоев CdTe на подложках из GaAs, пригодных для эпитаксии твердых растворов HgCdTe.

В результате проведенных исследований были сформулированы условия, необходимые для выращивания совершенных слоев ZnTe и CdTe на подложках из GaAs, и выращены буферные слои для эпитаксии КРТ с полушириной рентгеновской кривой качания <100 угловых секунд. Разработанная технология выращивания буферных слоев позволяет приготавливать ГС КРТ МЛЭ на подложках GaAs(310) с высокими фотоэлектрическими параметрами: концентрацией электронов (1-10)1014 см"3, подвижностью до 150000 см2/В'с и временами жизни неосновных носителей больше 1 микросекунды, обеспечивающими создание фотоприемников с предельными характеристиками.

Результаты данной работы были использованы при разработке технологии выращивания гетероструктур МЛЭ КРТ в рамках тем ИФП СО РАН «Вега», «Основа», «Фотоника-3», «Матрица-Х», «Веко», «Лото», «Даль-ИК», ОКР «Продукт». На полученных структурах изготовлены фотоприемники (размерностью до 256x256 элементов) на диапазоны длин волн 3-5 и 8-14 мкм, работающие при 77К, и диапазон 3-5 мкм, работающие при 210К.

Работа проводилась в ИФП СО РАН в лаборатории 15 под руководством зав. лаб. д.ф.-м.н. Сидорова Ю.Г. Содержание диссертации отражено в 12 работах: 69, 104, 105, 111, 112, 113, 118, 125, 126, 127, 128, 129

1.Varavin V.S, Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. The controlled growth of high-quality mercury telluride. Thin Solid Films 1995, v.267, p. 121 - 125.

2. Matthews J.W., Blakeslee A.E.J. Defects in epitaxial multilayers J. Crystal Crowth., 1974, v.27, p. 118-123.

3. Гутаковский A.K., Пчеляков О.П., Стенин С.И., Овозможностях управления доминирующим типом дислокаций несоответствия при гетероэпитаксии Кристаллография., 1980, т.25, с. 806-811.

4. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур. УФН., 2001, т. 171, в.7, с. 689-715.

5. Tatsuoka Н., Kuwabara Н., Fujiyasu Н. and Nakanishi Y. J.Appl.Phys., 65, (1993), 2073.

6. Pesek A., Ryan T.W., Sasshofer R., Fantner E.J. and Lischka K. Investigation of the CdTe/GaAs interface by the x-ray rocking curve method. Journal of Crystal Crowth 1990, v.101, p.589-593.

7. Williams J.O., Wright A.C., Yates H.M. High resolution and conventional transmission electron microscopy in the characterisation of thin films and interfaces involving II-VI materials. J. Cryst.Growth, 1992, v.l 17, p. 441-453.

8. Nishitani K., Ohkata R., Murotani Т., J. Electron Mater., 1983, v.12, p. 619624.

9. Bicknell R.N., Ynaka R.W., Giles N.C., Schetzina J.F., Magee T.J., Leung C., Kawayoshi H. Appl.Phys.Lett, 1984, v.44, p. 313-318.

10. Billingal J.M., Takei W.J., Feldman B.J. Low defect density CdTe(l 11) -GaAs(OOl) heterostructures by molecular beam epitaxy Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, p. 599-604.

11. Chow P.P., Greenlaw D.K., Johonson D. Summary Abstract: MBE growth of (Hg, Cd, and Те) compounds J.Vac.Sci.Technol. A., 1983, v. 1, p. 562-567.

12. Mar H.A., Chee K.T., Salanscy N. Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, p. 273-278.

13. Kolodziejski L.A., Sakamoto Т., Gunshor R.L., Datta S. Molecular beam epitaxy of Cd,.xMnxTe Appl. Phys. Lett., 1894, v. 44, p. 799-804.

14. Cheung J.T., Khoshnevisan M., Magee T. Heyeroepitaxial growth of CdTe on GaAs by laser assisted deposition Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, p. 462-467.

15. Siegrist Т., Segmuller A., Mfriatte H. Holtzberg F. Growth of epitaxial films of CdTe and (CdMn)Te on GaAs substrates. Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, N 20, p. 13951399.

16. Faurie J.P., Reno J., Sivananthan S., Sou I.K., Boukerche M., Wijewarnasuriya P.S., Molecular beam epitaxial growth of CdZnTe, HgCdTe, HgMnTe and HgZnTe on GaAs(lOO). J.Vac.Sci.Technol. В., 1986, v.4, N 2, p. 585-589.

17. Kotenstein R., MacLeod B. Growth of (111) and (100) CdTe films on (100)

18. GaAs substrates by hot wall epitaxy. J. of Crystal Crowth, 1988, v. 86, p. 382-387.18 ♦

19. Snnivasa R., Panish M.B., Temkin H. Control of orientationof CdTe clian GaAs and the reconstruction of the precursor surfaces. Appl. Phys. Lett., 1987, v. 50, N 20, p. 1441-1446.

20. Mar H.A., Salanscy N., Chee K.T. Study of the initial stages of growth of CdTe on (OOl)GaAs. Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, N 9, p. 898-903.

21. Feldman R.D., Austin R.F., Kisker D.W., Jeffers K.S., Bridenbaugh P.M. Influence of Ga-As-Te interfacial phases on the orientation of epitaxial CdTe on GaAs. -Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, N 3, p. 248-253.21

22. Иванов С.Ю., Бизяев C.JL, Олынанецкий Б.З. Фазовая диаграмма поверхности GaAs(lOO) с адсорбированным Те. Поверхность, 1993, т. 10, с. 53 - 57.

23. Tatarenko S., Gibert J., Gobil Y., Feuillet G., Saminadayar K., Chami A.C. E.Legion RHEED, XPS, HRTEM and Channeling studies of molecular beam epitaxy growth of CdTe on (OOl)GaAs. Appl. Surf. Science, 1989, v. 41/42, p. 470-479.

24. Gobil Y., Gibert J., Saminadayar K., Tatarenko S. Adsorption of Те on GaAs(lOO) Surf. Science, 1989, v. 211/212, p. 969-978

25. Дворецкий C.A., Зубков В.П., Калинин B.B., Кузьмин В.Д., Сидоров Ю.Г., Стенин С.И. Исследования начальных стадий роста при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe на GaAs(lOO). Поверхность, 1991, т. 9, с. 45 - 51.

26. Otsuka N., Kolodziejski L.A., Gunshor R.L., Datta S., Bicknell R.N. Schetzina J.F. High resolution microscope study of epitaxial CdTe-GaAs interfaces. Appl. Phys. Lett., 1985, v.46, N 9, p. 860-865.

27. Ponce F.A., Anderson G.B., Ballingall J.M. Interface structure in heteroepitaxial CdTe on GaAs(lOO). Surf. Science, 1986, v. 168, p. 564-570.

28. Petruzzello J., Olego D., Ghandhi S.K., Taskar N.R., Bhat I. Transmission electron microscopy of (001) CdTe on (OOl)GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett., 1987, v. 50, N 20, p. 1423-1425.

29. Дворецкий C.A., Бударных В.И., Гутаковский A.K., Карасев В.Ю., Киселев Н.А., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Стенин С.И. Двойникование в пленках CdTe(l 11) на подложках GaAs(100). ДАН, 1989, т. 304, Н 3, с. 604-609.

30. Gibert J., Gobil Y., Saminadayar K., Tatarenko S., Chami C., Feuillet G. Le Si Dang, Legion E. Growth of (111) CdTe on tilted (OOl)GaAs. Appl. Phys. Lett., 1989, v. 54, N9, p. 828-830.

31. Koestner R.J., Schaake H.F. Kinetics of molecular-beam epitaxial HgCdTe growth J.Vac.Sci.Technol. A, 1988, v. 6, p. 2834-2839.

32. Arias J.M., DeWames R.E., Shin S.H., Pasko J.G., Chen J.S., Gertner E.R. Infrared diodes fabricated with HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. Appl. Phys. Lett, 1989, v. 54, N 11, p. 1025-1027.

33. Lange M.D., Sporken R., Mahavadi K.K., Faurie J.P. Molecular beam epitaxy and characterization of CdTe(211) and CdTe(133) films on GaAs(211)B substrates. -Appl. Phys. Lett, 1991, v. 58, N 18, p. 1988-1990.

34. Noreika A.J, Farrow R.F.C, Shirland F.A, Takei W.J, Jr. Greggi J, Wood S, Choyke W.J. Characterization of molecular beam epitaxially grown HgCdTe on CdTe and InSb buffer layers. J.Vac.Sci.Technol. A, 1986, v. 4, N 4, p. 2081-2085.

35. Fontaine C, Demay Y, Gaillliard J.P, Million A, Piaguet J. Molecular beam epitaxy ofCdTe and CdHgTe on InSb. Thin Solid Films, 1985, v. 130, N 3/4, p. 327 -333.

36. Kimata M, Ryoji A, Aoki T. Growth and interdiffusion in CdTe/InSb multilayers. Journal of Crystal Crowth, 1987, v. 81, p. 508 - 511.

37. Williams G.M, Whitehouse C.R, Chew N.G, Blackmore G.W, Cullis A.G. An MBE route towards CdTe/InSb superlattices. J.Vac.Sci.Technol. B, 1985, v. 3, N 2, p.704-708.

38. Mackey K.J, Zahn D.R.T, Allen P.M.G, Williams R.H, Richter W, Williams R.S. InSb-CdTe interfaces: A combined study by soft x-ray photoemission, low-energy electron diffraction, and Raman spectroscopy. J.Vac.Sci.Technol. B, 1987, v. 5, N 4, p.1233-1238.

39. Legendre В, Gather В., Blachnik R., Metallkd Z. 1980, v. 71, p. 588-593.

40. Golding T.D., Martinka M., Dinan J.H. Molecular-beam epitaxial growth of InSb/CdTe heterojunction for multilayer structures. J. Appl. Phys., 1988, v. 64, N 4, p. 1873- 1877.

41. Olego DJ. Effects of ZnSe epitaxial growth on the surface properties of GaAs. -Appl. Phys. Lett., 1987, v. 51, N 18, p.1422-1424.

42. Li D., Gonsalves J.M., Otsuka N., Qin J., Kobayashi M., Gunshor R.L. Structure of the ZnSe/GaAs heteroepitaxial interface. Appl. Phys. Lett., 1990, v. 57, N 5, p.449-451.

43. Tamargo M.C., De Miguel J.L., Hwang D.M., Farrell H.H. Structural characterization of ZnSe/GaAs interface. J.Vac.Sci.Technol. B, 1988, v. 6, N 2, p. 784-789.

44. Takatani S., Kikawa Т., Nakazava M. Reflection high-energy electron-diffraction and fotoemission spectroscopy study of GaAs(OOl) surface modified by Se adsorption Phys. Rev., 1992, v. 45, N 15, p.8498 - 8505.

45. Wolffram D., Evans D.A., Westwood D.I., Riley J. A detailed surface phase diagram for ZnSe MBE growth and ZnSe/GaAs(001) interface stuies. Journal of Crystal Crowth, 2000, v. 216, p. 119 - 126.1. А О

46. Kobayasi N. ZnSe/GaAs heterointerface stabilization by high temperature Se treatment of GaAs surface. J.J.Appl.Phys., 1988, v. 27, N 9, p. L1597-L1599.

47. Shizuo Fujita, Yoshimura N., Yi-Hong Wo, Shigeo Fujita. Surface reconstruction and stabilization in MOMBE of ZnSe revealed by in-situ RHEED monitoring. -Journal of Crystal Crowth, 1990, v. 101, p. 78 80.

48. Brown P.D., Russell G.J, Woods J. Anisotropic defect distribution in ZnSe/ZnS layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on (OOl)-oriented GaAs. J. Appl. Phys, 1989, v. 66, N 1, p.129-136.

49. Gaines J.M, Petruzzelo J, Greenberg B. Structural properties of ZnSe films grown by migration enhanced epitaxy. J. Appl. Phys, 1993, v. 73, N 6, p.2835-2840.

50. Tu D.-W, Kahn A. ZnSe- and Se-GaAs interfaces. J.Vac.Sci.Technol. A, 1985, v. 3, N 3, p. 922-925.

51. Meada F, Watanabe Y, Scimeca T, Oshima M. Surface structure of Se- treated GaAs(OOl) from angle-resolved of core-level photoelectron spectra. Phys. Rev. B, 1993, v. 48, N 7, p. 4956 - 4959.

52. Krost A., Richter W., Zahn D.R.T., et al. Chemical reaction at the ZnSe/GaAs interface detected by Raman spectroscopy. Appl.Phys.Letters, 1990, v. 57, N 17, p. 1981-1983.

53. Krost A., Richter W., Zahn D.R.T. and Brafman O. Compound formation and large microstrains at the interface of II-VI/III-V semiconductors detected by Raman spectroscopy. Semicond. Sci. Technol. 1991, v.6, p.A109-A114

54. Mar H.A., Park R.M. Observation of strain effects and evidence of gallium autodoping in molecular-beam-epitaxial ZnSe on (100)GaAs. J. Appl. Phys., 1986, v. 60, N3, p. 1229-1232.

55. Cockayne В., Wright P.J., W.Blackmore G., Williams J.O. A structural and compositional analysis of interfacesin ZnSe0.94S0.06 layers grown on to GaAs by OMCVD. J. Mater. Sci., 1984, v. 19, 1984, p. 3726 -3731.63

56. Wagner B.K., Oakes J.D., Summers C.J. Molecular beam epitaxial growth and characterization of ZnTe and CdTe on (001) GaAs. Journal of Crystal Crowth, 1988, v.86, p.296 - 302.

57. Dubowski J.J., Wrobel J.M., Jackman J.A., Becla P. Investigation of Ga diffusion in (001) and (111) CdTe layers grown on (001) GaAs. MRS proceedings, 1991, v.131, p.112-118.

58. Kay R., Bean R., Zanio K., Ito C., Mclntyre D. HgCdTe photovoltaic detectors on Si substrates. Appl.Phys.Letters, 1987, v. 51, N 26, p.2211-2212.

59. Cheng H., DePuydt J.M., Potts J.E., et al. Molecular beam epitaxial growth of ZnSe on (100) GaAs sabstrates, SPIE, v.796 Growth of compound semicondactors, 1987, p.91-97.

60. Сидоров Ю.Г., Дворецкий C.A., Михайлов H.H., Якушев М.В., Варавин B.C., Анциферов А.П. Молекулярно-лучевая эпитаксия узкозонных соединений CdxHg!xTe. Оборудование и технология. Оптический журнал, 2000, т.67, н 1 , с.39.68

61. Алгазин Ю.Б., Иощенко Н.Н., Леоненко А.Ф. и др. Автоматическая эллип-сометрическая аппаратура. Эллипсометрия: теория, методы, приложения, Н., 1991, С.-117.

62. Якушев М.В., Швец В.А. Использование эллипсометрических измерений для Высокочувствительног контроля температуры поверхности. Письма в ЖТФ, 1999, т.25, в.14, с. 65.

63. Wagner C.D., Riggs W.M., Davis L.M., et al. Handbook of X-ray photoelek-tron spektroscopy. Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, Eden Prairie, Minnesota, 1979, -p.350.71

64. Stenin S.I. Molecular beam epitaxy of semiconductor, dielectric and metal films. Vacuum, 1986, v. 36, N 7-9, p.419-426.72

65. Семилетов C.A. Электронография в исследовании закономерностей роста и структуры эпитаксиальных слоев. сборник Методов структурного анализа, 1989, с. 304.73 •

66. Harris J.J., Joyce В.А., Dobson P.J. Oscilations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE. Surface Sci., 1981, v. 103, p. L90.

67. Neave J.H., Dobson P.J., Joyce B.A., Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from RHEED oscillations. Appl.Phys. A, 1983, v. 31, p. 1.n с

68. Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J. Current understanding and application of the RHEED intensity oscillation technique. Journal of Crystal Crowth, 1987, v. 81, p. 1-9.76 •

69. Neave J.H., Dobson P.J., Joyce B.A. RHEED oscillations from vicinal surfaces a new approach to surface diffusion measurements. - Appl.Phys.Letters, 1985, v.47, N 2, p. 100-102.77

70. Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю.А., Фридрихов C.A. и др. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. М.: Наука,1985,-290 с.80

71. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности:

72. Утевский JI.M. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. -М.: Металлургия, 1973, 583 с.

73. Пинскер З.Г. Дифракция электронов. М.: Изд-во АН СССР, 1949, - 405 с.1. R4

74. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976, - 391 с.

75. Ohishi М., Yoneta М., Ishii S., Ohura М., Hiroe Y., Saito H. On the growth mechanism of Li- and Na- doped chalcogenides on GaAs(OOl) by means of molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Crowth, 1996, v. 159, p. 376 - 379.

76. Pickering C. Complementary in-situ and post deposition diagnostics of thin film semiconductor structures. Thin Sol. Films P, 1998, v. 406, p. 313-314.

77. Theeten J.B., Hottier F., Hallais J. Ellipsometric assessment of (Ga, Al)As/GaAs epitaxial layers during their growth in an organometallic YPE system. Journal of Crystal Crowth, 1979, v. 46, p.245.оо

78. Aspnes D.E., Quinn W.E., Gregory S. Optical control of growth of AlxGaixAs by organometallic molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1990, v. 57, N 25, p.2707-2712.

79. Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Nis I.E., Varavin V.S., Liberman V., Remesnik V.G. The growth of high-quality MCT films by MBE using in situ ellipsometry. Cryst.Res.Technol., 1994, v. 29, p.931-936.

80. Аззам P., Башара H. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981, С.-583.

81. Aspnes D.E. Optical properties of thin films. Thin Sol.Films, 1982, v. 89, p.249-254.

82. Wright S.L., Marks R.F., Goldberg A.E. J.Vac.Sci.Technol. B, 1988, v. 6, N 3, p.842-845.

83. Tomita Т., Kinosada Т., Yamashita T.,Shiota M.,Sakurai T. A new non-contact method to measure temperature of the surface of semiconductor wafers. Jap.Journ. Appl. Phys., 1986, v.25, N 11, p.L925-L927.

84. Kroesen G.M.W., Oehrlein G.S., Bestwick T.D. Nonintrusive wafer temperature measurement using in situ ellipsometry. Journ.Appl.Phys., 1991, v.69, N 5, p.3390-3392.

85. Heyd A.R., Collins R.W., Vedam K., Bose S.S., Miller D.L. Appl.Pys.Lett., 1992, v. 60, N 22, p.2776-2778.

86. Sampson R.K., Massoud H.Z. Journ.Electrochem.Soc., 1993, v. 140, N 9, p2673-2678.

87. Erman M., Theeten J.B., Chambon P., Kelso S.M., Aspnes D.E. Optical properties and damage analysis of GaAs single crystals partly amorphized by ion implantation. -Journ. Appl. Phys., 1984, v. 56, N 10, p.2664-2671.1. QO

88. Properties of Narrow Gap Cadmium-Based Compounds. Ed. By P.Gapper. INSPEC, Infra-Red Limited, London, UK, 1994, 618 c.

89. Физико-химические свойства полупроводников. Справочник. М.: Наука,1979.

90. Швец В.А, Якушев М.В, Сидоров Ю.Г. Применение метода эллипсометрии in situ для контроля гетероэпитаксии широкозонных полупроводников и характеризации их оптических свойств. Автометрия 2001, в.З, с. 20 - 28.

91. Якушев М.В, Швец В.А. Высокочувствительный эллипсометрический метод контроля температуры. Автометрия 2002, N1, с. 95 - 106

92. Kahn A. Semiconductor surface structures. Surface Science Reports, 1985, v.3, N 4/5, p. 193-300.

93. Горюнова H.A. Химия алмазоподобных полупроводников. Изд. ЛГУ им. А.А.Жданова, 1963.

94. Дей К, Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. Изд. 2-е, исправленное. Изд. Химия, 1971. - 416 с.

95. De Lyon T.J, Rajavel D, Johonson S.M, and Cockrum Molecular-beam epitaxial growth of CdTe(112) on Si(l 12) sabstrates. Appl.Phys.Lett, 1995, v. 66, N 16, p.2119-2121.

96. Rujirawat S, Almeida L.A, Chen Y.P, Sivananthan, Smith D.J. High quality large-area CdTe(l 12) on Si(l 12) grown by molecular-beam epitaxy. Appl.Phys.Lett, 1997, v.71, N 13, p.1810-1812.

97. Якушев M.B, Сидоров Ю.Г, Соколов Л.В. Двойникование на начальныхл Сстадиях эпитаксии полупроводниковых соединений А В на подложках GaAs. Поверхность, 1996, N10, стр. 35-46

98. Якушев М.В, Кеслер В.Г, Логвинский Л.М, Сидоров Ю.Г. РФЭС анализ гетеросистем ZnSe/GaAs(l 12)В полученных МЛЭ. Поверхность, 1997, N2, стр. 5867.

99. Гаврилова Т.А, Сидоров Ю.Г, Якушев М.В. О локальных неоднородно-стях вхождения Ga и As в пленку ZnSe из подложки GaAs. Письма в ЖТФ, 1995, т.21, в.1, стр.72-75.

100. Jensen J.E, Roth J.A, Brewer P.D, Olson G.L, Dubray J.J, Wu O.K., Rajavel R.D, deLyon T.J. Integrated multi-sensor control of II-VIMBE for growth of complex IR detector structures.- J. of Elec. Mater, 1999, v. 27, N 6, p. 494-499.

101. Svitashev K.K, Dvoretsky S.A, Sidorov Yu.G, Shvets V.A, Mardezhov A.S, Nis I.E., Varavin V.S, Liberman V, Remesnik V.G. The growth of high-quality MCT films by MBE using in situ ellipsometry. Cryst.Res.Technol, 1994, v. 29, p.931-936.

102. Nicholas J.F. An atlas of models of crystal surfaces. Gordon and Breach, Science Publishers, Inc., 1965.

103. Михайлов H.H., Сидоров Ю.Г., Дворецкий C.A., Швец В.А., Якушев М.В. Изучение процессов адсорбции и десорбции теллура на поверхности CdTe методом эллипсометрии. Автометрия, 2000, н. 4, с. 124 - 130.

104. Галицин Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И., Терехов А.С. Пассивация поверхности GaAs в спиртовых растворах НС1. Поверхность, 1989, н. 10, с. 140143.

105. Мигаль Н.Н., Ваулин Ю.Д., Лубышев Д.И., Мигаль В.П. Факторы, влияющие на получение атомарно-чистой поверхности GaAs. Изв. АН СССР сер. Неорганические материалы, 1989, т 25, в 11, с. 1775-1778.

106. Carbonell L., Etgens V.H., Koebel A, Eddrief М., Capelle В. Growth of ZnSe layers on (3(2x4)As, (iX3)Te, and (4x2)Ga-terminated (OOl)GaAs substrates. Journal of Crystal Crowth, 1999, v.201/202, p.502-505.1 л л

107. Александров JI.H. Кинетика образования и структуры твердых слоев. -Н.: Наука, 1972.-227 с.1IX

108. Задумкин С.Н. Приближенный расчет поверхностной энергии некоторых полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки.- ФТТ, 1960, т.2, в.5, с. 878-882.

109. Sidorov Yu.G., Yakushev M.V., Pridachin D.N., Varavin V.S., Burdina L.D. The heteroepitaxy of II-VI compounds on the non-isovalent substrates (ZnTe/Si). Thin Solid Films, 2000, v. 367, p. 203 - 209.

110. Якушев M.B., Швец B.A., Кеслер В.Г., Сидоров Ю.Г. Изучение эпитаксиальных слоев ZnTe на подложках GaAs(310) методами эллипсометрии и методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Автометрия 2001, в.З, с. 30 - 38.

111. Сидоров Ю.Г., Варавин B.C., Дворецкий С.А., Либерман В.И., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В. Рост пленок и дефектообразование в HgCdTe при молекулярно лучевой эпитаксии. Рост кристаллов, 1995, т.20, стр.45-56

112. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhhailov N.N., Liberman V.I., Yakushev M.V., Sidorov Yu.G. Pecularities of the MBE growth physics and tecnology of narrow-gap И-VI compounds. Thin Solid Films, 1997, N2, p.253-266

113. Kesler V.G., Logvinsky L.M., Petrenco I.P., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. XPS depth profiling of ZnSe/GaAs(l 12)B heterojunction. Proceedings 7th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis

114. Сидоров Ю.Г., Дворецкий C.A., Варавин B.C., Михайлов H.H., Якушев М.В., Сабинина И.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на «альтернативных» подложках. ФТП, 2001, т.35, в.9, с.1092-1101

115. РОССИЙС?^ -ГОСУДАРСТВ!-БИБЛИОТЕК/"-О- О^