Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК СОЕДИНЕНИЙ АШВУ В СИСТЕМАХ ГФЭ И МЛЭ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1 Применение гетероструктур в микроэлектронике.

1.2 Газофазовая эпитаксия соединений AinBv.

1.2.1 Стадии ГФЭ.

1.2.2 Доставка ростового материалах поверхности кристалла.

1.2.3 Механизмы кристаллизации из газовой фазы.

1.2.4Хлоридная ГФЭ AIUBV.

1.2.5 Адсорбционные слои при ГФЭ AUIBV.

1.2.6 Выращивание гомоэпитаксиальных структур методом ГФЭ.

1.2.7 Выращивание гетероструктур методом ГФЭ.

1.2.8 Возможность химического перемешивания границы раздела за счет подтравливания подложки на начальных стадиях роста.

1.3 Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений AmBv.

1.3.1 Механизмы роста из молекулярных пучков.

1.3.2 Термодинамическое описание процесса МЛЭ АШВУ.

1.3.3 Дефекты микрорельефа пленок AnIBv.

1.3.4 Структура границ раздела гетероструктур, выращенных в МЛЭ.

1.3.5 Низкотемпературная МЛЭ A1HBV.,.

Выводы по главе 1.

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК

ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

2.1 Методы исследования поверхности.

2.1.1 Электронная микроскопия угольных реплик.

2.1.2 Метод дифракции отраженных быстрых электронов (ДБЭО).

2.2 Исследования внутренней структуры пленок.

2.2.1 Метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) фольг.

2.2.2 Метод рентгеновской дифрактометрии.

2.3 Исследования химического состава пленок.

2.3.1 Метод вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС).

2.3.2 Метод Оже — электронной спектроскопии (ОЭС).

2.4 Исследования электрофизических характеристик методом Ван-дер-Пау.45 Выводы по главе 2.

ГЛАВА 3. РАСЧЕТЫ СОСТАВОВ АДСОРБЦИОННЫХ СЛОЕВ, ФОРМИРУЮЩИХСЯ ПРИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ В УСЛОВИЯХ, ХАРАКТЕРНЫХ ДЛЯ ГФЭ И МЛЭ [186-189].

3.1 Адсорбционные слои при ГФЭ.

3.1.1 Методика расчета.

3.1.1.1 Структура грани (001) GaAs.

3.1.1.2 Газовая фаза над поверхностью.

3.1.1.3 Поверхностные конфигурации адсорбированных частиц.

3.1.1.4 Спектр собственных колебаний частиц и оценка численных значений силовых постоянных химических связей.

3.1.1.5 Параметры для проведения расчетов.

3.1.2 Адсорбционные слои на грани GaAs(OOl) при осаждении InP.

3.1.2.1 Зависимость состава адслоя от входного давления РС13.

3.1.2.2 Зависимость состава адслоя от температуры подложки.

3.1.2.3 Зависимость состава адслоя от доли свободной поверхности подложки .64 3.2 Адсорбционные слои при МЛЭ.

3.2.1 Адслои в системе Ы/Р4 на поверхности GaAs(lOO).

3.2.2 Адсорбционные слои при гомоэпитаксии GaAs, легированного Si.

3.2.2.1 Расчет с учетом основных ростовых компонентов.

3.2.2.2 Расчет без учета основных ростовых компонентов.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. НАЧАЛЬНЫЕ СТАДИИ РОСТА И ФОРМИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ СЛОЕВ ПРИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИINP НА GAAS В СИСТЕМЕ ГФЭ [11,190-193]

4.1 Начальные стадии роста InP на подложках (001) GaAs.

4.2 Релаксация фронта кристаллизации и образование «слоистых» неоднородностей в пленке.

4.3 Применение газового травления при подготовке подложек для гетероэпитаксиального роста.

4.3.1 Гомоэпитаксия InP на подложках после химико-механической полировки.

4.3.2 Гомоэпитаксия InP на подложках после газового травления.

4.3.3 Исследование процесса газового травления подложек GaAs для гетероэпитаксии InP.

4.3.3.1 Рост пленки (Vnp> 0).

4.3.3.2 Травление подложки (Vnp< 0).

4.5 ОЦЕНКИ ХАРАКТЕРНЫХ ВЕЛИЧИН ПОВЕРХНОСТНЫХ ПРОЦЕССОВ.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4.

ГЛАВА 5. СОСТОЯНИЕ РОСТОВОЙ ПОВЕРХНОСТИ И ВНУТРЕННИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ INGAAS, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МЛЭ [194-200].

5.1 Влияние условий роста на микрорельеф пленок InGaAs.

5.1.1 Изменение морфологии и структуры поверхности высокотемпературных слоев InGaAs при варьировании соотношения потоков элементов Vи IIIгрупп.

5.1.2 Влияние температуры кристаллизации на состояние ростовой поверхности и структуру слоев InGaAs.

5.1.3 Влияние давления мышьяка на структуру ростовых поверхностей при низкой температуре роста.

5.2 Структурные особенности слоев МЛЭ InGaAs и их модификация при послеростовом отжиге.

5.2.1 Электронномикроскопические исследования.

5.2.2 Рентгеноструктурные исследования.

5.3 Электрофизические свойства пленок НТ МЛЭ InGaAs.

Выводы по главе 5.

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ.

ч

Прогресс в развитии технологии получения гетероэпитаксиальных полупроводниковых структур дал возможность разработки и создания новой элементной базы микро-, нано- и оптоэлектроники. Движущей силой развития перспективных приборов стало изготовление оригинальных композиционных материалов на основе многослойных, тонкопленочных структур, вплоть до структур с квантоворазмерными эффектами (квантовых ям, проволок, точек). Активные исследования в данной области полупроводникового материаловедения за последние два десятилетия позволили накопить значительный объем знаний о свойствах гетероструктур.

В качестве основных методов выращивания гетероструктур применяются жидкофазовая, газофазовая и молекулярно-лучевая эпитаксия (ЖФЭ, ГФЭ и МЛЭ, соответственно). При изготовлении устройств на основе гетероэпитаксиальных структур необходимо учитывать возможность образования в материале уже на этапе роста или послеростовой обработки фазовых и структурных микронеоднородностей.

Ясного представления о механизмах формирования микронеоднородностей гетероструктур на основе полупроводниковых соединений типа AniBv можно достичь, выделив основные факторы, способствующие их появлению. К таковым следует отнести: 1) влияние неравновесной границы раздела на состав, структуру и рельеф гетероэпитаксиальной плёнки на начальных стадиях роста; 2) влияние условий роста, в частности соотношения компонентов, на рельеф и структуру пленки на поздних стадиях роста.

При рассмотрении влияния неравновесной границы раздела чаще всего ограничиваются двумя предельными случаями проявления неоднородностей: структурной неоднородностью в виде сетки дислокаций несоответствия (ДН) при формировании резкой границы и фазовой неоднородностью в виде переходного слоя в случае протяженной границы. Первый случай реализуется в системе МЛЭ и детально описан в литературе [1]. Второй случай характерен для систем ГФЭ и ЖФЭ. Для ЖФЭ показано, что перемешивание материалов на границе может происходить за счет локального обмена компонентами между подложкой и пограничным слоем жидкой фазы [2]. Для ГФЭ чаще всего подразумевается, что возникновение переходного слоя гетероструктуры связано с инерционностью газодинамической системы. Тогда на границе должен возникать однородный в латеральном направлении переходный слой, подавляющий возникновение ДН. Однако, термодинамический анализ лежащей в основе метода ГФЭ системы химических реакций [3] позволяет предположить протекание обменного процесса между подложкой и газовой фазой, подобно случаю ЖФЭ, как фундаментального механизма перемешивания в ходе зарождения гетероэпитаксиальной плёнки. Ещё одним не рассмотренным ранее фактором является релаксация неравновесного рельефа гетероэпитаксиальной пленки, который должен формироваться при нуклеационном механизме образования. Совокупность двух последних факторов должна проявиться в неоднородном строении переходного слоя не только в нормальном к подложке направлении, но и в латеральном.

Влияние соотношений потоков компонентов на рельеф и микроструктуру гетероэпитаксиальной плёнки наиболее удобно изучать в системе МЛЭ. В этом случае, во-первых, легко избежать влияния перемешивания материалов на границе раздела на характеристики гетероструктуры, а во-вторых, легко управлять потоками поступающих на поверхность компонентов. Известно, что при МЛЭ гомоэпитаксиальных плёнок соединений АШВУ отклонение от стехиометрических условий роста приводит к изменению фазового состояния поверхности [4] и неоднородному (нестехиометрическому) встраиванию компонентов в плёнку [5]. При этом чаще всего игнорируется влияние условий роста на микрорельеф и внутреннюю структуру, считается, что поверхность сохраняет планарность, а материал - однородность в широком диапазоне температур и соотношений потоков. Систематическое описание влияния условий роста на микрорельеф, структуру и фазовую однородность гетероэпитаксиальных пленок в литературе отсутствует.

Таким образом, представляется актуальным изучение процессов формирования фазовых микронеоднородностей гетероэпитаксиальных пленок, связанных с процессами формирования границы раздела "пленка-подложка" и неоднородным (сверхстехиометрическим) захватом компонентов, образующих пленку.

В качестве исследуемой системы интересным представляется выбор пары полупроводников InP — GaAs и твердых растворов на их основе. Это связано, во-первых, с широким практическим применением материалов данной группы в микро-, нано- и оптоэлектронике и, во-вторых, с термодинамической способностью полного взаимного растворения компонентов в этой системе, что позволяет предположить интенсивное перемешивание материалов на границе. При этом сравнение двух, значительно отличающихся по специфике реализации ростовых систем — ГФЭ и МЛЭ позволит оценить степень влияния химического перемешивания на начальном этапе роста на характеристики пленки.

Исходя из вышеперечисленных посылок, была определена цель диссертационной работы, как выявление причин и исследование механизмов образования структурных и фазовых неоднородностей при росте гетероструктур InP/GaAs, полученных методом газофазовой эпитаксии, и InGaAs/InP, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Для достижения поставленной цели в диссертационной работе решаются следующие задачи:

1. моделирование состояния адсорбционного слоя, формирующегося на начальных стадиях ГФЭ InP на поверхности GaAs(lOO), с учетом возможности химического травления поверхности компонентами газовой фазы;

2. исследование начальных стадий роста InP на GaAs в хлоридной газотранспортной системе и установление механизма формирования неоднородности в виде переходного слоя переменного состава на границе раздела плёнка/подложка;

3. изучение влияния перестройки рельефа ростовой поверхности при переходе от стадии трехмерного роста к послойному росту на электрофизические свойства гетероэпитаксиальной плёнки InP;

4. выявление особенностей формирования структурных неоднородностей, связанных с модификацией состояния поверхности и внутренней структуры при варьировании условий роста, в гетероэпитаксиальных слоях InGaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках InP.

Диссертация состоит из пяти глав и выводов с заключением. Положения, выносимые на защиту

1. На начальных стадиях осаждения плёнок InP на подложке GaAs в условиях ГФЭ происходит химическое перемешивание материала подложки и пленки, обусловленное травлением свободной поверхности подложки, и приводящее к образованию на гетерогранице концентрационной неоднородности в виде переходного слоя InGaAsP переменного состава.

2. Нуклеационный механизм образования плёнки InP на GaAs при ГФЭ приводит к долговременным релаксационным изменениям рельефа поверхности роста и, как следствие, к изменению коэффициента захвата примеси.

3. При низкотемпературном росте плёнок твердого раствора InGaAs на подложках InP в системе МЛЭ гладкие, морфологически однородные поверхности роста формируются в условиях, когда соотношение элементов V и III групп в пучке поддерживается близким к стехиометрическому. Отклонение от стехиометрии в сторону In и Ga приводит к формированию на ростовой поверхности микрокапель расплава InGa и, в результате, к локальному изменению механизма роста от "пар-кристалл" к "пар-жидкость-кристалл". Отклонение от стехиометрии в сторону As приводит к формированию на планарной ростовой поверхности дефектов роста в виде ямок.

4. Захват сверхстехиометрических In и Ga в объем пленки InGaAs в условиях их избытка в молекулярном пучке происходит с образованием фазовых неоднородностей в виде микровключений. Захват сверхстехиометрического As в условиях его избытка в молекулярном пучке происходит путем формирования точечных дефектов и приводит к образованию пересыщенного мышьяком твердого раствора InGaAs; микровключения As (кластеры) образуются на этапе послеростового отжига.

Научная новизна работы

1. Установлено, что при хлоридной ГФЭ перемешивание материала на границе раздела гетероструктуры InP/GaAs обусловлено нуклеационным механизмом образования плёнки InP и химическим травлением свободной поверхности подложки хлористым водородом, выделяющимся в ростовой реакции.

2. Обнаружено влияние релаксации ростового рельефа пленки InP при переходе от трехмерного роста на начальной стадии образования гетероструктуры к ступенчато-слоевому росту на концентрацию носителей заряда вблизи границы раздела.

3. Впервые проведены детальные исследования зависимости состояния микрорельефа ростовой поверхности от соотношения потоков элементов V и III групп в молекулярном пучке для слоёв InGaAs, выращенных методом МЛЭ при температуре 150°С. 9

4. Экспериментально установлено влияние ростовых дислокаций на распределение нестехиометрического мышьяка в пленках InGaAs, выращенных методом МЛЭ при низких температурах.

5 Выполнены численные оценки коэффициентов поверхностной диффузии компонентов на основе полученных экспериментальных данных о рельефе поверхностей роста/травления гетероструктур InP/GaAs в системе ГФЭ.

Практическая значимость работы.

1. Создан комплекс программ для расчета состава адсорбционных слоев на поверхности соединений АШВУ ориентации (001) и (111), находящейся в контакте с газовой фазой.

2. Даны конкретные рекомендации по улучшению качества гетероэпитаксиальных структур InP/GaAs 2°(001), выращенных методом ГФЭ, за счёт применения режима полирующего газового травления подложек GaAs 2°(001) в потоке газовой смеси H2tfnCl/P4/As4/HCl.

3. Определены режимы получения гладких, морфологически однородных пленок InGaAs методом МЛЭ на подложках InP при температуре роста 150°С.

Основные результаты работы были представлены на Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998 г.), Международной конференции по росту и физике кристаллов (Москва, 1998 г.), 2-ой региональной конференции «Материалы Сибири» (Барнаул, 1998 г.), 7-ой Всероссийской конференции «Арсенид галлия» (Томск, 1999 г.), 3 АРАМ Topical Seminar (Новосибирск, 1999 г.), IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999 г.), IX национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2000 г.), конференциях молодых ученых Сибирского физико-технического института (Томск, 1998 и 1999 гг.), 5 Multinational Congress on Electron Microscopy (Lecce, Italy, 2001 г.), а также обсуждались на научных семинарах в Сибирском физико-техническом институте (Томск) и Institut fiir Technische Physik I der Universitat Erlangen-Niirnberg (Erlangen, Germany).

Материалы диссертации опубликованы в 16 печатных работах, из них 6 статей в научных журналах.

Диссертационная работа выполнена в Сибирском физико-техническом институте при Томском госуниверситете. Часть исследований была проведена в Институте физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). В ходе выполнения работы в ней принимали участие сотрудники СФТИ при ТГУ, ИФП СО РАН (Новосибирск), ГНПП "НИИПП" (Томск), НИИ Ядерной физики при Томском политехническом университете. Выращивание эпитаксиальных структур методом ГФЭ проводилось Тарзимяновым А.Н.(ГНПП "НИИПП"). Выращивание эпитаксиальных структур методом МЛЭ и in situ исследования методом ДБЭО — Семягиным Б.Р. и Путято М.А. (ИФП СО РАН). Ренттенодифракционные исследования проводились Якубеней М.П. (СФТИ при ТГУ). Исследования электрофизических характеристик — Вилисовой М.Д. (СФТИ при ТГУ). Оже-спектроскопические исследования выполнил сотрудник НИИЯФ при ТПУ Шулепов И.Т. Автор выражает благодарность всем научным работникам, принимавшим участие в проведении исследований.

167

Личный вклад автора состоит в следующем.

1. Создание комплекса программ расчетов состава адсорбционных слоев и проведение соответствующих расчетов.

2. Проведение электронномикроскопических и электроннодифракционных (ex situ) исследований поверхности и внутренней структуры образцов, проведение исследований химического состава образцов методом ВИМС.

3. Обработка и интерпретация расчетных и экспериментальных данных, представленных в диссертационной работе.

Автор выражает благодарность Ивонину И.В. за поддержку и научное руководство работой, Лаврентьевой Л.Г., Вилисовой М.Д., Бобровниковой И.А., Эрвье Ю.Ю. и Преображенскому В.В. за полезное обсуждение результатов, а также Гутаковскому А.К. за руководство в проведении исследований методом ПЭМ.

Заключение

1. Дж. X. Ван-дер-Мерве Несоответствия кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками // Монокристаллические пленки. — М.: Мир, 1966.

2. КХБ.Болховитянов Арсенид галлия и твердые растворы соединений А3В5: кинетика роста из жидкой фазы, легирование, начальные стадии гетероэпитаксии. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Новосибирск, 1985, —295 с.

3. M.Yoshida, H.Watanabe Thermodynamic comparison of InGaAsP vapor phase epitaxy by chloride, hydride and metalorganic hydride methods // J. Electrochem. Soc. — 1985. — V. 132, №7.— P. 1733-1740.

4. L.Daweritz, K.Ploog Contribution of reflection high-energy electron diffraction to nanometre tailoring of surfaces and interfaces by molecular beam epitaxy // Semocond. Sci. Technol. — 1994. — V.9. — 123 136.

5. C.-Y.Hung, A.F.Marshall, D.-K.Kim, W.D.Nix, J.S.Harris, R.A.Kiehl Strain directed assembly of nanoparticle arrays within a semiconductor // J. of Nanoparticle Res. — 1999. — V. 1. —P. 329-347.

6. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник. — М.: Мир, 1975

7. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. — М.: Мир, 1990. —488 с.

8. Шефталь Н.Н., Кокорин Н.П., Красилов А.В. Кристаллизация монокристаллических слоев кремния и германия из газовой фазы // Изв. АН СССР, сер. физ. — 1957. — Т. 21, №1. —С. 146- 152.

9. П.Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Лукаш B.C., Субач С.В., Черников Е.В., Тарзимянов А.Н. Начальные стадии роста и образование неоднородностей при гетероэпитаксии InP на GaAs // Изв. вузов. Физика. — 1996, №6. — С.85 90.

10. Квантовый эффект Холла.— М. :Мир, 1986.

11. Андо Т., Фаулер А., Стерн ф.-М. Электронные свойства двумерных систем. — М.: Мир, 1985. —416 с.

12. Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Средин В.Г. Оптоэлектронные приборы на квантово-размерных структурах. — М.: Минобороны РФ, 1999. — 176 с.

13. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. — М.: Мир, 1989. — 240 с.

14. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1990. — 688 с.

15. Шоу Д.У. Механизмы эпитаксиального роста полупроводников из газовой фазы // Рост кристаллов. Т1 / под ред. К. Гудмана. — М.: Мир, 1977. — С. 11 74.

16. Левер Р.Ф. Перенос твердого вещества через газовую фазу при одном гетерогенном равновесии // Металлургия в электронике / под ред. Н.Г. Рябцева, Ф.А. Кузнецова. — М.:Металлургия, 1970. — С. 11-16.

17. Kirwan D.J. reaction equilibria in the growth of GaAs and GaP by chloride transport process// J. Electrochem. Soc. — 1970. —V. 117, №12. — P.l 572- 1577.

18. Современная кристаллография. Т.З. Образование кристаллов / под ред. Б.К. Вайнштейна. — М.: Наука, 1980. — 407 с.

19. Рузайкин М.П. Влияние гомогенных химических реакций на скорость роста кристаллов в диффузионном режиме // Кристаллография. — 1982. — Т.27, №2. — С. 368-374.

20. Дефекты в кристаллах полупроводников / под ред. С.Н. Горина. — М.: Мир, 1969. — 375 с.

21. Дорфман В.Ф. Газофазовая металлургия полупроводников. — М.: Металлургия, 1974. —190 с.

22. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. — М.: Металлургия, 1985. — 160 с.

23. Гурченок Г.А. Расчет коэффициентов взаимной диффузии ростовых компонентов при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. — 1980. — Т. 16, №12. — С. 2099 2102.

24. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. — М.: МИСиС, 1995. — 493 с.

25. Калдис Э. Принципы выращивания монокристаллов из паровой фазы // Рост кристаллов. Т1 / под ред. К. Гудмана. — М.: Мир, 1977. — С. 75 238.

26. Стрикленд-Констэбл Кинетика и механизм кристаллизации. — Л.: Недра, 1971. — 412 с.

27. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. — М.: Мир, 1974. — 540 с.

28. Бакли Г. Рост кристаллов.—М.: И.Л., 1954. — 406 с.

29. Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности // Элементарные процессы роста кристаллов / под ред. Г.Г. Леммейна, А.А. Чернова. — М.: И.Л., 1959. — С. 11 109.

30. Чернов А.А. Слоисто спиральный рост кристаллов // У.Ф.Н. — 1961. — Т.73, №2.1. С. 277-331.

31. Hoshino М. Growth of InGaAsP quaternary by chloride VPE // Jap.J.of Appl.Phys. — 1984. — V.23, №12. — P. 928-930.

32. Lyons M., Faktor M., Moss R. Vapour phase growth of mixed III-V compounds in the Ga-In-As-P system // J.of Cryst. Growth. — 1984. — V.66. — P. 269-288.

33. Seki H., Koukitu A. Thermodynamic calculation for the quaternary alloy composition of vapor growth InGaAsP // Jap. J. of Appl.Phys. — 1979. — V.18, №8. — P. 567-569.

34. Чернов A.A., Рузайкин М.П. Поверхностные процессы адсорбции и газофазовой эпитакси полупроводников // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1982. — №2.1. С. 94-108.

35. Гиваргизов Е.И. Роль адсорбционного слоя при химическом осаждении из газовой фазы/в кн. Рост кристаллов. Т. 13. — М.: Наука, 1980. — С. 27-33.

36. Swartzentruber B.S. Fundamentals of surface step and island formation mechanisms // J.of Cryst. Growth. — 1998. — V.188. —P. 1 10.

37. Чернов А.А., Папков H.C. Адсорбционный слой и образование зародышей при кристаллизации в системе Si-H-Cl // Докл. АН СССР. — 1976. — Т.228. — С. 1083 -1086.

38. Чернов А.А., Папков Н.С. О механизмах роста кристаллов при химических реакциях // Кристаллография. — 1977. — Т.22, №1 — С.35 43.

39. Рузайкин М.П. К теории роста кристаллов полупроводников с участием газотранспортных реакций. Диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук. Томск, 1981,— 167 с.

40. Кубо Р. Статистическая механика. — М.: Мир, 1967. — 452 с.

41. Chernov А.А., Rusaikin М.Р. Adsorbed layers on (111) InAs faces in contact with In-As-Cl-H gas phase and the possibility transitions in the adsorbed layers // J. of Cryst. Growth. — 1981.—V.52. —P. 185- 193.

42. Chernov A.A. Equilibrium adsorbtion and some interfacial growth processes in gaseous solutions and CVD systems // J. Jap. Assoc. Cryst. Growth. — 1978. — V.5, №2. — P. 227 -247.

43. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. — М.: Наука, 1964. — 567 с.

44. Рузайкин М.П. Теоретический расчет состава многокомпонентных адсорбционных слоев // Математические методы химической термодинамики / под ред. Г.А. Коковина. — Новосибирск: Наука, 1982. — С. 63 70.

45. Chernov А.А., Rusaikin М.Р. Theoretical analysis of equilibrium adsorption layers in CVD systems // J. of Cryst.Growth. — 1978. — V.45. — P. 73-81.

46. Теоретическое исследование механизмов кристаллизации и эпитаксии полупроводников из молекулярных пучков // Отчет по НИР / Рук. Вяткин А.П., Томск -1990,109 с.

47. Бобровникова И. А., Вилисова М.Д., Лаврентьева Л.Г., Рузайкин М.П. Закономерности легирования и формирования примесно вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия. — Томск: Изд. Томского ГУ, 1990. — Препринт №9. — 32 с.

48. Ивонин И.В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой1. Ч сэпитаксии полупроводников А В . Диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук. Томск, 1998, — 350 с.

49. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. — Новосибирск: Наука, 1978. — с. 248.

50. Лукаш B.C., Толстихин Ю.Л., Ананко С.Ю., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. Исследования процесса газового травления арсенида галлия ориентации (111)А // Изв. вузов. Физика. — 1993. — Т.36, №9. — С. 122 123.

51. Александрова Г. А. Газовое травление пластин арсенида галлия хлористым водородом, образующимся при разложении AsCl3 // Эл. техника, С.2. — 1972. — Вып. 3(67). —С.110-120.

52. Ивонин И.В., Красильникова Л.М., Лаврентьева Л.Г., Лымарь Г.Ф. Кинетика формирования дефектов типа ЦТС при газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. — 1979. — Т.22, №6. — С. 119 123.

53. Ивонин И.В., Криволапов Н.Н., Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П. О роли подложки в формировании дефектов структуры типа ЦТС в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия // Изв. вузов. Физика. — 1992. — Т.35, №1. — С. 64 65.

54. Стенин С. Дефекты дислокационного типа в полупроводниковых пленочных структурах. Диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук. Москва, 1983.

55. Coudenys G., Moerman I., Demeester P. Influence of nucleation and annealing on InP layers grown on GaAs by MOCVD. // J. of Cryst. Growth. — 1991.— V. 114. — P. 314 -320.

56. Horicawa H. Heteroepitaxial growth of InP on GaAs substrate by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. // Appl. Phys. Lett. — 1988. — V. 53. — P. 397 399.

57. Yoshikawa A. Direct MOVPE growth of InP on GaAs substrates. // J. of Cryst. Growth. — 1988, —V. 93.—P. 532-538.

58. Chen W. Indium-phospide on gallium-arsenide heteroepitaxy with interface layer grow by flow-rate modulation epitaxy. // Appl. Phys. Lett. — 1989. — V. 55, № 8. — P. 749 -751.

59. Lee M.K., Wuu D.S., Tung H.H. Heteroepitaxial growth of InP on GaAs by low-pressure metallorganic chemical vapor deposition // J. of Appl. Phys. — 1987— V. 62, №8. — P. 3209-3211.

60. Cazaux J. Concentration gradient at an InP/GaAs interface deferminated by Auger annalysis on a chemical level // J. of Appl. Phys. — 1986.— V. 59, №10. — P. 3598 3601.

61. Tae-Il Oh, Wallance B. Redistribution effects for OMVPE InP/GaAs. Adv. in mat. proc. and devices III-V сотр. semiconductors. Symp.1998. — Mater. Res. Soc., 1989.:— P. 79 -84.

62. Beuchet G., Clemensat D., Thebault P. Multichember reaction: a solution to the problem of graded heterointerfaces in hot-wall VPE systems. // J. de Physique. — 1982. — T. 43,C5. — P. 259-266.

63. Komeno J. The growth of an InGaAs-InP superlattise by the chloride VPE // Ext. abstracts of the 15th conf. on solid state device and mat. Tokyo 1983. — P. 57 - 60.

64. McDermott B. Atomic layer epitaxy of GalnP ordered alloy // Appl. Phys. Lett. — 1990. — V.56, №12. — P. 1172-1174.

65. Rai Choudhury P. Thermodynamics of Ga-AsCl3-H2 system and dopant incorporation // J. ofCryst. Growth. —1971.—V. 11. —P. 113-120.

66. Александрова Г.А. Об условиях полирующего газового травления арсенида галлия галогеноводородами // Эл. техника, С.2. — 1972. —Вып. 1(65). — С.136 147.

67. Mizuno О. Vapor growth of InAsP // Jap.J.of Appl.Phys. — 1974. — V. 13, №12 — P. 1955 1959.

68. Stringfellow G.B. A critical appraisal of growth mechanisms in MOVPE // J. of Cryst. Growth. — 1984. —V. 68. —P. Ill 122.

69. Эсаки JT. Молекулярно-лучевая эпитаксия и развитие технологии полупроводниковых сверхрешеток и структур с квантовыми ямами // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Л. Ченга и К. Плога. — М: Мир, 1989.1. С. 7-36.

70. Artur J.R. Gallium arsenide surface structure and reaction kinetics: field emission microscopy//J. of Appl. Phys. — 1966. — V. 37, №8. — P. 3057 3064.

71. Artur J.R. Interaction of Ga and As2 molecular beam with GaAs surface // J. of Appl. Phys.1968. — V. 39, №18. — P. 4032 4034.

72. Foxon C.T., Joyce B.A.-Interaction kinetics of As4 and Ga on {100} GaAs surfaces using modulated molecular beam technique // Surf. Sci. — 1975. — V. 50. — P. 434 450.

73. Foxon C.T., Joyce B.A. Interaction kinetics of As2 and Ga on {100} GaAs surfaces // Surf. Sci. — 1977. — V. 64. — P. 294 296.

74. Joyce B.A. Molecular beam epitaxy // Rep. Prog. Phys. — 1985. — V. 48. — P. 1637 -1697.

75. Ploog K. Molecular beam epitaxy of III-V compounds: technology and growth process // Ann. Rev. Mater. Sci. — 1981.—P. 171-210.

76. Foxon C.T., Joyce B.A. Surface processes controlling the growth of GalnAs and GalnP alloy films by MBE // J. of Cryst. Growth. — 1978. — V. 44. — P. 75 83.

77. Preobrazhenskii V.V., PutyatoM.A., Pchelyakov O.P., SemyaginB.R. Experimental determination of the incorporation factor of As4 during molecular beam epitaxy of GaAs // J. of Cryst. Growth.— V. 201/202. — P. 170 173.

78. Преображенский B.B. Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск, 2000, — 229 с.

79. Менх У. МЛЭ и исследования поверхности // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Л. Ченга и К. Плога. — М: Мир, 1989. — С. 93 126.

80. Van Bommel A.J., Crombeen J.E., Van Oirschot Т. LEED, AES and photoemission measurements of epitaxially grown GaAs (001), (111) and (Ш)В surfaces and their behavior upon Cs adsorption // Surf. Sci. — 1978. — V. 72. — P. 95 108.

81. Praten P., Ranke W., Jacobi K. Composition and structure of differently prepared GaAs (100) surfaces by LEED and AES // Surf. Sci. — 1978. — V. 77. — P. L162 L166.

82. Farrell H.H., Palmstrom C.J. RHEED characteristic absences in GaAs (001) (2x4)-As: A tool for determining the surface stoichiometry // J. Vac. Sci. Technol. B,— 1990. — V. 8, №4.—P. 903 -907.

83. Joyce B.A., Neave J.H., Dobson P.J., Larsen P.K. Analysis of reflection high-energy electron diffraction data from reconstructed semiconductor surfaces // Phys. Rev. B, — 1984, — V.29, №2.— P. 814-819.

84. Neave J.H., Dobson P.J., Joyce B.A., Zhang J. Reflection high-energy electron diffraction oscillations from vicinal surface - a new approach to surface diffusion measurements // Appl. Phys. Lett. — 1985. — V.47, №2.— P. 100 - 102.

85. Wood C.E.C. RHEED intensity oscillations during MBE of GaAs // Surf. Sci. — 1981. — V. 108. —P.L441-L443.

86. Полинг JI. Общая химия. — М.: Мир, 1964.

87. Hata М., Watanabe A., Isu Т. Surface diffusion length observed by in situ searching microprobe reflection high-energy electron diffraction // J. of Cryst. Growth. — 1991. — V. 111.—P. 83 87.

88. Cho A.Y., Hayashi I P-n junction formation during molecular beam epitaxy of Ge-doped GaAs // J. of Appl. Phys. — 1971. — V. 42, №11. — P. 4422 - 4425.

89. Harris J.J., Joyce B.A., Dobson P.J. Oscillations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE//Surf. Sci. — 1981. — V. 103. — P. L90 L96.

90. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P. J., Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from RHEED observation // Appl. Phys, A. — 1983. — V.31.— P. 1 8.

91. Sakamoto Т., Funabashi H., Ohta K., Nakagawa Т., Kawai N.J., Kojima T Phase-locked epitaxy using RHEED intensity oscillation // Jap. J. of Appl. Phys. — 1984. — V.23, №9.—P.L657-L659.

92. Stoyanov S., Michailov M. Non-steady effects in MBE-oscillations of the step density of the cristal surfaces // Surf. Sci. — 1988. — V. 202. — P. 109 124.

93. P. Хекиигботтом Применение термодинамики для описания процесса молекулярно лучевой эпитаксии // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Л. Ченга и К. Плога. — М: Мир, 1989. — С.65 - 92.

94. Egorov A.Yu., Kovsh A.R., Ustinov V.M., Zhukov A.E., Kop'ev P.S., Tu C.W. A thermodynamic analysis of the growth of III-V compounds with two volatile group V elements by molecular-beam epitaxy // J. of Cryst. Growth. — 1998. — V.188. — P. 69-74.

95. Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С. Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений А3В5 при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GalnPAs // Ф.Т.П. —- 1997.

96. Т.31, №10. — С. 1153- 1157.

97. Takaaki Kawamura Surface-morphological information in RHEED // Surf. Rev. and Lett. — 1998. — V. 5,№3&4. — P. 711-718.

98. Bimberg D., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Krost A., Heinrichsdorff F. Formation of self-organized quantum dots at semiconductor surfaces // Appl. Surf. Sci. — 1998. — V.130-132. —P. 713-718.

99. Ramachandran T. R, Madhukar A., Mukhametzhanov I., Heitz R, Kalburge A., Xie Q., Chen P. Nature of Stranski-Krastanow growth of InAs on GaAs (001) // J. Vac. Sci. Technol. B. 16, —1998. —V.3-P. 1330- 1333.

100. Chow A.Y. Growth of III-V semiconductors by molecular beam epitaxy and their properties // Thin Solid Films. — 1983. — V. 100. — P. 291-317.

101. Bafleur M., Munoz-Yague A. Crystal, impurity-related and growth defects in molecular beam epitaxial GaAs layers // Thin Solid Films. — 1983. —V.101. — P. 299-310.

102. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. — М.: Наука, 1977.

103. Kazuo Nanbu, Junji Saito, Kazuo Kondo Analysis of surface defects on GaAs grown by molecular beam epitaxy // FUJITSU Sci. Tech. J. — 1986. — V. 22, №5 — P. 427-433.

104. Izumi S., Nayafuji N., Sonoda Т., Takamiya S., Mitsui S. Less than 10 defects/cm2-)n,m in molecular baem epitaxy grown GaAs by arsenic cracking // J. of Cryst. Growth. — 1995.1. V. 150. —P. 7-12.

105. Verschuren C.A., Leys M.R., Rongen R.T.H., Vonk H., Wolter J.H. Morphology of homo-epitaxial vicinal (10 0) IIIV surfaces // J. of Ciyst. Growth. — 1999. — V. 200. — P. 19-31.

106. Lee H.Y., Crook M.D., Hafich M.J., Quigley J.H., Robinson G.Y., Li D., Otsuka N. InGaP/GaAs superlattices grown by gas-source molecular baem epitaxy // Appl. Phys. Lett.1989. — V. 55, №22. — P. 2322 2324.

107. Kohki Mukai, Mitsuru Sugawara, Susumu Yamazaki Interdiffusion process in lattice-matched InGaAsP/InP and GaAs/AlGaAs quantum wells // Phys. Rev. B. — 1994. — V.50, №4. —P. 2273-2276.

108. Evans K.R., Kaspi R., Ehret J.E., Skowronski M., Jones C.R. Surface chemistry evolution during molecular beam epitaxy growth of InGaAs // J. of Vac. Sci. Technol., B.1995. —V. 13, №4. —P. 1820 1823.

109. Dehaese O., Wallart X., Mollot F. Kinetic model of element III segregation during molecular beam epitaxy of III-III'-V semiconductor compounds // Appl. Phys. Lett. — 1995. — V. 66, №1 — P. 52 54.

110. Mozume Т., Kashima H., Hosomi K., Ouchi K., Sato H., Masuda H., Tanoue Т., Ohbu I. Optimization of interfaces in InGaAs/InP heterostructures grown by gas source molecular-beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. В —1995 — V.13, №2, P. 276 280.

111. Reaves С. M., Pelzel R. I., Hsueh G. C., Weinberg W. H., DenBaars S. P. Formation of self-assembled InP islands on a GaInP/GaAs(311)A surface // Appl. Phys. Lett. — 1996. — V.69, №25 P. 3878-3880.

112. Preobrazhenskii V.V., Semiagin B.R., Putjato M.A., Nizamov R.I. Study of GaAs/AlAs heterointerface formation during MBE on (311)A GaAs surface by RHEED. Inst. Phys. Conf. Ser. №155, 1997, IOP Publishing Ltd., P. 315-318.

113. Kin Man Yu, Kaminska M., Liliental-Weber Z. Characterization of GaAs Layers grown by low temperature molecular beam epitaxy using ion beam techniques // J. of Appl. Phys.1992. — V. 72, №7. — P. 2850 2856.

114. Yu P.W., Robinson G.D., Sizelove J.R., Stutz C.E. 0.8-eV photoluminescence of GaAs grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures // Phys. Rev. B. — 1994. — V.49, №7. — P.4689 4694.

115. Rogers Т. J., Nichols К. В., Kopp W. F., Smith F. W., Actis R. Pseudomorphic high-electron-mobility transistors with low-temperature-grown GaAs buffers // J. Vac. Sci. Technol. В — 1996. —V.14(3). — P.2236-2239.

116. Yang Z. et al. Temperature dependence of the Fermi level in LT grown GaAs // Appl. Phys. Lett. — 1998. —V. 72, №15. — P. 1866 1869.

117. Feng W. et al. Role of arsenic clusters in carrier recombination in LT-grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells // Appl. Phys. Lett. — 1998. — V. 72, №12. — P. 1463- 1467.

118. Hsu T.M., Lee W.C., Wu J.R., Chyi J.-I. Fermi level of low temperature grown GaAs on Si-5-doped GaAs // Phys. Rev. B. — 1995. — V. 51, №23. — P. 215 218.

119. Landman J.I., Morgan C.G., Schick J.T. Antisite-related defects in GaAs grown at low temperature // Phys. Rev. B. — 1995. — V. 74, №20. — P. 4007 4010.

120. Chen N.-F., Wang Y., He H., Lin L. Effacts of point defects on lattice parametrs of semiconductors // Phys. Rev. B. — 1996. — V. 54, №12. — P. 8516 8521.

121. Hung C.-Y. , Marshall A.F. , Kim D.-K. , Nix W.D. , Harris J.S., Kiehl R.A. Strain directed assembly of nanoparticle arrays within a semiconductor // J. of Nanoparticle Res. — 1999. — V. 1.— P. 329-347.

122. Zakharov N.D., Liliental-Weber Z., Swider W., Brown A.S., Metzger R. Structure of GalnAs epitaxial layers grown on InP substrates at different temperatures // Appl. Phys. Lett. — 1993. — V. 63, №20. — P. 2809 2811.

123. Ibbertson J.P., Mirin R.P., Mishra U.K., Gossard A.C. Effect of As4 flux on reflection high-energy diffraction oscillations during growth of GaAs at low temperatures // J. of Sci. Technol. B. — 1994. — V. 12, №2. — P. 1050 1052.

124. Suzuki D., Yamaguchi H., Horikoshi Y. Scanning tunneling microscopy study of GaAs (001) surfaces grown by migration-enhanced epitaxy at low temperatures // Jpn. J. of Appl. Phys. — 1998. — V. 37. — P. 758 761.

125. Методы электронной микроскопии минералов / под ред. Грицаенко М: Наука, 1969.312 с.

126. Карупу В.Я. Электронная микроскопия. К.: Высшая школа, 1984. 208 с.

127. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия 1982

128. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности М Мир 1989 568с.

129. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел / под ред. Н.Г. Рамбиди.—М.:Наука, 1985

130. Спенс Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения. М.: Наука, 1986.—320 с.

131. Хирш П., Хови А., Николсон., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968.576 с.

132. Томас Г., Горинж М. Просвечивающая электронная микроскопия материалов.— М.: Наука 1983

133. Утевский J1.M. Дифракционная электронная микроскопия в материаловедении. — М.: Металлургия, 1973

134. Электронно-микроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки. Справочное руководство.— М.: Наука, 1976.144. www.jeol.com

135. Хейкер Д-М. Рентгеновская дифрактометрия монокристаллов Л.: Машиностроение 1973 256 с.

136. Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников. М.: Металлургия 1969. 496с.

137. Мак-Хью И.А. Вторичная ионная масс-спектрометрия // Методы анализа поверхностей / под ред. А. Зандерны М Мир 1979 сс.276-341

138. Черепин, Васильев Методы и приборы для анализа поверхности материалов Киев Наукова думка 1982

139. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок М Мир 1989 с342

140. Рихтер Масс-спектрометрия вторичных ионов и ионный микрозонд // Избранные методы исследования в металловедении М Металлургия 1985 280-299

141. Морабито И., Льюис Р. Применение ЭОС и ВИМС в микроэлектронной технологии // Методы анализа поверхностей / под ред. А. Зандерны М Мир 1979 342400

142. Иоши А., Дэвис Л., Палмберг П. Электронная Оже-спектроскопия // Методы анализа поверхностей / под ред. А. Зандерны М Мир 1979, 200-275

143. Анализ поверхности методами ожэ- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха М.:Мир 1987 600с.

144. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: Советское радио. 1976. 104 с.

145. Baumeister H., Veuho E., Popp M., Heinecke H. GRINSCH GalnAsP MQW laser structures grown by MOMBE // J. of Cryst. Growth. — 1998. — V.188. —P. 266 274.

146. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия. — М.: Мир, 1991.

147. Show D. A comporative thermodynamic analysis of InP and GaAs deposition // J. of Phys.Chem. Solids. — 1975. —V.36, №2. —P.l 11 118.

148. Caneau C. Bhat R., Koza M. et el. Etching of InP by HC1 in an 0MVPE reactor // J. of Cryst. Growth — 1991. — V. 107. — P. 203 208.

149. Хьюбер К.П., Герцберг Г. Константы двухатомных молекул. Т1,2 — М.: Мир, 1984.

150. Кольрауш К Спектры комбинационного рассеяния. — М.: ИЛ, 1952.

151. Молекулярные постоянные неорганических соединений / под ред. Краснова. — Л.: Химия, 1979.

152. Герцберг Г. Спектры и строение двухатомных молекул. М.: ИЛ, 1949.

153. Коттрелл Т. Прочность химических связей. — М.: ИЛ, 1956.

154. Герцберг Г. Электронные спектры и строение многоатомных молекул. — М.: Мир, 1969.

155. Rocher A., Snoeck Е. Studies of metamorphic III-V heterostructures by digital processing of HREM images // Thin Solid Films. — 1998. — V. 319. — P. 172 176.

156. Ikarashi N., Ishida K. <110> HREM of interfacial structures in semiconductor heterostructures // Microscopy Res. and Tech. — 1998. — V.40. — P. 187 205.

157. Schwoebel R.L. Step motion on crystal surfaces I I J. of Appl. Phys. — 1969. — V.40.1. P. 615-618.

158. Свечников А.Б. Квантово-химическое исследование адсорбции атомов и молекул на гранях (111) и (100) кремния. Диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук. Томск, 1988, — 163 с.

159. Daweritz L., Hey R Reconstruction and defect structure of vicinal GaAs (001) and AlGaAs(OOl) // Surf. Sci. — 1990. — V.236. — P. 15 22.

160. Newstead S.M. Practical application of MBE surface phase diagrams // J. of Cryst. Growth. — 1987. —V. 81. —P. 49-54.

161. Bert N.A., Veinger A.I., Vilisova M.D. et el. Gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy at low temperatures: crystal structure, properties, superconductivity // Phys. Solid State — 1993. —V. 35, №10. — P. 1289 1297.

162. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. — М.:Мир, 1968.

163. Ньюкирк Д.Д., Верник Д.Х. Прямое наблюдение несовершенств в кристаллах. — М.: Металлургия, 1964.

164. Kennedy J.K., Potter W.D. The effects of various growth parameters on the formation of pits and hillocks on the surface of epitaxial GaAs layers. // J. of Cryst. Growth. — 1973.1. V.19. —P. 85 -89.

165. Hung C.-Y., Harris J.S., Marshall A.F., Kiehl R.A. Annealing cycle dependence of preferential arsenic precipitation in AlGaAs/GaAs layers // Appl. Phys. Lett. — 1998. — V. 73, №3.— P. 330-332.

166. S. Dankowski Non-toichiometric (Al)GaAs as a key material for ultrafast electronics and optics static and dynamic investigations of electroabsorption. — Erlangen, Germany: Lehrstuhl fur Microcharakterisierung FAU Erlangen-Nurnberg, 1998.

167. Ruvimov S., Dicker Ch., Washburn J., Liliental-Weber Z. Twin formation in As precipitates in low temperature GaAs during high-temperature annealing // Appl. Phys. Lett.1998. — V. 72, №2. — P. 226 228.

168. Вилисова М.Д, Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г. и др. Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно лучевой эпитаксии при низкой температуре. // ФТП. — 1999. - Т. 33. - С. 900-905

169. KiinzelH., Bottcher J., GibisR., Urmann G. // Appl.Phys.Lett, 1992. - V. 61. - P. 1347-1349.

170. Nakahara H., Ishikawa M., Stoyanov S. Surface diffusion and two-dimensional nucleation around atomic steps during molecular-beam epitaxial growth. // Surf. Sci. — 1995. —V. 329, —P. 115-120.

171. Лубышев Д.И. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при сильном легировании кремнием и бериллием и изовалентном легировании индием. Диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск, 1993, — 180 с.

172. Бобровникова И. А., Вилисова М.Д. и др. Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs / Материалы 7ой Российской конференции "Арсенид галлия", Томск-1999, с. 101.

173. Полтавец И.Ю., Субач С.В.Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте // Современные проблемы физики и технологии (сборник статей молодых ученых). — Томск: изд. НТЛ, 2000. — С. 54-55.

174. Полтавец И.Ю., Субач С.В. Адсорбция Si на поверхности GaAs: расчет в рамках равновесного подхода. // Тезисы докладов IX Нац. конф. по росту кристаллов. — Москва, 2000. — С. 567.

175. Ивонин И.В., Кораблева Т.В., Лукаш B.C., Субач С.В.Особенности образования гетероэпитаксиальных структур InP/GaAs при хлоридной газофазовой эпитакии. // Электронная промышленность. — 1998. — №1-2, — С. 65-68.

176. Вилисова М.Д., Кораблева Т.В., Лаврентьева Л.Г., Лукаш B.C., Субач С.В., Якубеня М.П. Образования переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs в хлоридной газотранспортной системе. // Изв. вузов. Физика. — 1999. — т.42, №1. — С.18-21.

177. Ивонин И.В., Субач С.В., Формирование фазовых микронеоднородностей на границах раздела при гетероэпитаксии АЗВ5 в системах газофазовой эпитаксии. // Тезисы докладов IX Нац. конф. по росту кристаллов. — Москва, 2000. — С. 553.

178. Гутаковский А.К., Ивонин И.В., Преображенский В.В., Субач С.В., Влияние ростовых дефектов на нестехиометрический захват мышьяка при НТ МЛЭ InGaAs. // Тезисы докладов IV Росс. конф. по физике полупроводников.—Новосибирск, 1999. — С.160.