Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Основные механизмы встраивания азота в кристаллическую решетку твердого тела и процессы дефектообразования

1.2. Легирование соединений А2В6 с использованием активированного азота с

1.2.1. Основные реакции легирования

1.2.2. Процессы дефектообразования при р-легировании А В соединений 14 1.2.2а. Обзор теоретических моделей дефектообразования 17 1.2.2Ь. Экспериментальные исследования дефектов в 2п8е:М

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ

Развитие электроники базируется на изучении свойств и разработке технологий получения новых материалов. В последнее десятилетие чрезвычайно интенсивные исследования проводятся в области широкозонных полупроводниковых материалов, что связано с практической необходимостью развития коротковолновой оптоэлектроники (200-500 нм) для решения задач увеличения емкости оптических запоминающих устройств, повышения скорости обмена информацией, реализации полноцветных дисплеев, развития аналитического приборостроения с использованием результатов в экологии, медицине и т.д. [1,2]. Наибольшие успехи в этой области достигнуты с использованием гетероструктур широкозонных полупроводниковых соединений А2В6 и нитридных соединений А3Ы. В настоящее время уже реализованы светодиодные и

2 6 лазерные структуры, как на материалах А В (с рабочей длиной волны Х==460-520 нм [3]), так и А N (Х=357- 430 нм [4,5]). Однако до сих пор остаются нерешенными проблемы повышения качества этих гетероструктур до уровня необходимого для их устойчивой работы в непрерывном режиме при комнатной температуре в требуемом диапазоне длин волн. Время жизни лазеров на основе А2Вб ограниченно несколькими сотнями часов, а для лазерных диодов на основе А3И соединений существенные проблемы возникают при увеличении рабочей длины волны более 430 нм. Другой важной и перспективной областью применения А3Ы соединений является СВЧ-электроника вследствие их исключительных электронных транспортных свойств в сочетании с высокой температурной, химической и радиационной стойкостью данных материалов [6]. На основе гетероструктур АЮаЫ/ОаК недавно были изготовлены полевые транзисторы с двумерным электронным газом [7].

Одной из основных технологий получения широкозонных материалов эпитаксиального качества является молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ). Разрабатываемая с начала 70-х годов, эта технология обеспечивает уникальные возможности точного контроля параметров растущих слоев, в т.ч. и на атомарном уровне, необходимого при изготовлении квантоворазмерных структур [8]. Возможность роста при сравнительно низких температурах подложки, отсутствие водородного загрязнения в выращенных слоях являются важными достоинствами МПЭ по сравнению с другими технологиями роста на основе газофазной эпитаксии (ГФЭ)(хлоридно-гидридной ГФЭ и ГФЭ из металлоорганических соединений).

В случае МПЭ широкозонных материалов возможности традиционной технологии ограничены и требуется разработка новых методов, в т.ч. с использованием газового разряда для получения активированного пучка азота (АПА). Именно использование активаторов азота с высокочастотным индуктивным разрядом, как было предложено R.M. Park [9] и, независимо от него, К. Ohkawa [10] в 1990 году, позволило решить проблему р-легирования ZnSe и через год получить первые лазерные структуры на основе

9 f\ "Я соединений AB [11]. При росте AN соединений, в которых азот является ростовым материалом, требуются еще большие потоки АПА, и в данном случае принято говорить о технологии МПЭ с плазменной активацией (МПЭ ПА). Необходимость активации вызвана низкой химической активностью молекулы азота в основном состоянии (обозначаемым как N2(X) или N2) с энергией диссоциации 9.9 эВ [12,13]. К активированным частицам азота, способными взаимодействовать с поверхностью твердого тела, относятся как атомарный азот в основном (N) и возбужденных состояниях (N*), так и молекулы в электронно-возбужденных (прежде всего метастабильных) состояниях (N2* или N2(A)). Кроме нейтральных частиц в АПА практически всегда присутствуют молекулярные (N2+) и атомарные (N4) ионизованные частицы.

К моменту начала диссертационной работы технология МПЭ с использованием АПА находилась на начальном этапе развития и практически отсутствовал комплексный подход в изучении особенностей данной технологии, лежащей на стыке различных областей физики и требующей последовательного рассмотрения нескольких процессов: активацию азота в газовом разряде, дальнейший транспорт АПА к подложке и взаимодействие активированных частиц с поверхностью эпитаксиального слоя.

Главной особенностью всех процессов в МПЭ ПА является их сильная неравновесность. Практически все типы газового разряда низкого давления (<10 Topp), используемые в МПЭ ПА, характеризуются существенной разницей в энергиях основных частиц разряда и, кроме того, основные разрядные параметры (концентрации частиц, напряженности электрических полей, скорости реакций и т.д.) не стационарны и проявляют сильную пространственную неоднородность [12-15]. Процессы взаимодействия активированных частиц с поверхностью твердого тела также характеризуются большей степенью отклонения от термодинамического равновесия по сравнению процессами, лежащими в основе стандартной МПЭ, где рост и легирование осуществляется из источников с термическим испарением твердотельных материалов или газофазных источников. В стандартной МПЭ, несмотря на некоторое отклонение от равновесия, система "термически испаренный пучок (или газ)-подложка" тем не менее может описываться теоретическими моделями, в основе которых лежит термодинамический подход [8]. Это связано с высокими значениями коэффициентов аккомодации поступательной энергии частиц и отсутствием их внутреннего возбуждения, что позволяет определить единую температуру системы и химические потенциалы элементов и растущего слоя. Для активированных частиц кроме кинетической энергии необходимо учитывать энергию, распределенную по внутренним степеням свободы молекулы или атома, величина которой (до нескольких эВ) на несколько порядков превышает типичную тепловую энергию подложки и ее передача подложке происходит сложным образом. Это исключает термодинамическое описание реакций легирования и роста с использованием АПА и требует изучения кинетических механизмов протекания этих реакций, которые будут определяться, как параметрами пучка, так и температурой роста, типом подложки, стехиометрическими условиями и т.д.

ЦЕЛЬ диссертационной работы заключалась в комплексном исследовании физико

2 6 химических аспектов процессов р-легирования широкозонных соединений А В и роста соединений нитридов Ш группы методом МПЭ с применением пучка азота, активированного разрядами различного типа, а также в использовании результатов исследований для подбора, оптимизации и научного обоснования соответствующих технологических режимов МПЭ ПА.

Для достижения поставленной цели решались следующие ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ:

- разработка конструкций активаторов азота с магнетронным разрядом различного типа и исследование процессов генерации активированного азота с целью управления интенсивностью и составом пучка;

- изучение механизмов встраивания различных частиц активированного азота (N, N2*) в кристаллическую решетку ZnSe, приводящих, как к появлению мелкого акцепторного уровня Nse, так и к генерации различных дефектов; отработка режимов р-легирования ZnSe, тройных и четверных соединений на его основе, обеспечивающих электрически стабильное поведение акцепторной примеси во внешних электрических полях;

- поиск способов активации азота для роста GaN и A1N методом МПЭ ПА с целью достижения необходимой скорости роста (~1 мкм-ч"1) и минимизации дефектности эпитаксиальных слоев;

- разработка in situ методов контроля стехиометрических условий роста A3N соединений в процессе МПЭ ПА; анализ процессов роста GaN с участием различных частиц активированного азота.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА И ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ РАБОТЫ состоит в проведении комплексных исследований широкого круга проблем, связанных с развитием принципиально новых (сильно неравновесных) процессов молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием АПА для легирования и роста широкозонных материалов. Предложено использовать для активации азота магнетронные разряды различного типа с коаксиальной геометрией электродов. Теоретические и экспериментальные исследования механизмов и особенностей возбуждения азотных разрядов в специально разработанных конструкциях данных активаторов позволили в широких пределах управлять интенсивностью и составом АПА и, кроме того, установить режимы возбуждения разрядов, позволяющие регулировать интенсивность активированного пучка без изменения его состава, что практически невозможно при использовании известных источников активированного азота.

- Определены особенности р-легирования эпитаксиальных слоев на основе соединений А2Вб с участием атомарного и молекулярного электронно-возбужденного азота и впервые установлены преимущества последнего типа частиц для получения электрически стабильного р-легирования необходимого для приборных структур на основе А2Вб материалов с концентрацией электрически активной акцепторной примеси в ZnSe и ZnMgSSe на уровне 8 х1017см"3 и 1х1017см"3 соответственно.

Показано, что нестабильность примесных атомов азота, возникающая при легировании атомарным пучком, связана с высокой долей атомов, занимающих междоузельное положение и продемонстрирована связь этих атомов с мелким донорным уровнем в слоях ZnSerN.

- Впервые продемонстрирована возможность роста GaN эпитаксиального качества с необходимыми скоростями роста (~1 мкм-ч"1) методом МПЭ ПА с распространением интенсивной плазмы в ростовую камеру при сохранении молекулярного режима течения пучков ростовых материалов, что резко отличает данный метод от стандартных реализаций МПЭ ПА с азотным разрядом, локализованным в разрядной камере активатора.

С использованием данного режима была разработана новая методика in situ контроля стехиометрических условий роста A3N соединений на основании измерений оптических эмиссионных спектров разряда, что позволило добиться высокого качества эпитаксиальных слоев GaN, твердых растворов в системе (AlGa)N и квантоворазмерных структур на их основе.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

1. Легирование ZnSe и рост GaN методом молекулярно-пучковоя эпитаксии с применением активированных пучков азота возможно с использованием коаксиальных магнетронных разрядов как постоянного тока, так и с высокочастотным емкостным возбуждением разряда, которые обеспечивают плотность потока активированного пучка азота от Ю10 до 101S cm"V в зависимости от конструкции активатора (DC-VAS и RF-CCM) и режима возбуждения разрядов.

2. Диссоциативная адсорбция метастабильных электронно-возбужденных молекул азота, селективно происходящая на атомах цинка в процессе роста ZnSe.N, обеспечивает более стабильное поведение встроенного азота во внешних электрических полях по сравнению с непосредственным встраиванием атомарного азота, предварительно диссоциированного в газовом разряде активатора. В последнем случае атомарный азот, наряду с мелким акцептором замещения Nse образует так называемую "(100) расщепленную междоузельную конфигурацию" с мелким донорным уровнем в запрещенной зоне ZnSe.

3. Эпитаксиальные слои GaN могут выращиваться МПЭ ПА с необходимыми скоростями роста (~1 мкм/ч) при использовании оригинального ^-активатора RF-CCM на основе высокочастотного емкостного магнетронного разряда возбуждаемого в у-режиме с распространением плазменной области отрицательного свечения разряда в ростовую камеру МПЭ ПА установки («протяженная» мода). Данный тип разряда обеспечивает возможность регулировки интенсивности активированного пучка азота без изменения его состава, а низкая энергия ионов, бомбардирующих подложку в процессе роста не приводит к появлению заметной концентрации радиационных дефектов в эпитаксиальных слоях GaN.

4. Оптический эмиссионный спектр протяженной плазменной области RF-CCM разряда, регистрируемый непосредственно в процессе МПЭ ПА GaN, несет информацию не только об активированном пучке азота (атомы, ионы, возбужденные молекулы), но и об интенсивности потока атомов Ga, возбуждаемых в разряде и излучающих на длине волны 417.1 нм. Контроль соотношения интенсивностей спектральных линий Ga и N позволяет поддерживать оптимальную стехиометрию растущей пленки при различных скоростях и температурах роста.

5. При росте GaN методом МПЭ ПА на рассогласованных подложках с-сапфира морфология, структурные и люминесцентные свойства слоев существенно улучшаются при точном и непрерывном контроле соотношения интенсивностей потоков Ga:N вблизи (1:1) и температуры подложки 720-750°С, а также при оптимальных параметрах проведения начальных стадий роста, а именно: при температуре отжига подложки 780°С, ее нитридизации при 730°С в течение 10 мин с последующим ростом буферного слоя Alo.1Gao.9N толщиной 100 А при 720°С. Получаемые при этих параметрах роста эпитаксиальные слои GaN характеризуются полушириной рентгеновского дифракционного симметричного максимума GaN(0002) 240 и 35 угл. сек для ® - и © -2© режимов сканирования соответственно, и доминированием в спектрах фотолюминесценции экситонных линий (в т.ч. и свободных экситонов) с минимальной полушириной линий 8 мэВ при 15 К.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских и международных конференциях и симпозиумах: 1st International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, 1996; 23rd International Conference on Compound Semiconductors, St.-Petersburg, Russia, 1996; 10th International Conference on MBE, Cannes, France, 1998; IX International Conference on П-VI Compounds, Kyoto, Japan, 1999; XXTV International Conference on Phenomena in Ionized Gases, Warsaw, Poland, 1999; 4th International Conference on Nitride Semiconductor, Denver, USA, 2001; Всероссийской Конференции "Нитриды галлия, индия и аллюминия- структуры и приборы",Москва, 2001; 1st European Gallium Nitride Workshop, Rigi, Switherland, 1996; 6th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, Russia, 1998; International Symposium PLASMA'99 «Research and applications of plasmas» Warsaw, Poland, 1999; International Workshop on Nitride Semiconductors, Nagoya, Japan, (2000); 8th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, Russia, 2000, а также на научных семинарах лаборатории квантоворазмерных гетероструктур ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.

Перечень публикаций, раскрывающий основное содержание диссертационной работы представлен на стр.146.

Основные выводы:

Таким образом, основная технологическая задача в процессе роста эпитаксиальных слоев GaN заключается в поддержании в процессе роста единичного стехиометрического соотношения между интенсивностями потоков Ga и активированного азота (Ga/N) в условиях одновременного протекания прямой реакции синтеза соединения и обратных реакций тепловой десорбции Ga и разложения нитридного соединения. Кроме того, необходимо исключить воздействие высокоэнергичных ионов (>20 эВ) на поверхность растущего слоя и оптимизировать начальные стадии роста для минимизации влияния рассогласования между подложкой и растущим слоем.

-321.4. Генерация активированного азота в газовых разрядах низкого давления

1.4.1 Пороговые реакции активации азота и гетерогенные реакции деактивации

Существенной особенностью разрядов низкого давления (р< 10 Topp) является их сильная неравновесность и поэтому применение классической аррениусовой кинетики с единой температурой системы становится невозможным и возникает необходимость в информации об уровнях возбуждения и форме потенциальных кривых молекул и атомов, вероятностях спонтанных переходов, включая радиационные и безрадиационные. Среди последних отметим предиссоциирующие состояния, через которые протекает диссоциация в условиях газового разряда низкого давления (<1 Topp). Низкие давления разряда обуславливают и важную роль гетерогенных процессов на границе газовый разряд - твердое тело. Основную роль в формировании АПА в случае разрядов низкого давления (<1 Topp) играют пороговые прямые реакции из основного состояния азота с образованием и гибелью [12]:

I Колебательно-возбужденных молекул:

N2(X) + е" ->N2(X,v) + е" (прямое возбуждение) (1.11а)

N2(X,v) + W ->N2(X,v-n) (n=T,2.25, v>n) (W-стенкаразрядного объема) (1.1 Ib)

II Электронно-возбужденных молекул:

N2(X, v=0) + е" ->N2(Y,v>1) + е" (Y=A,B,C,a,b.) (прямое заселение) (1.12а)

N2(X) + е" ->N2(Z,v)—>N2(Y) + е" + hv (Z>Y) (прямое каскадное заселение) (1.12Ь)

N2(Y,v) + W —>N2(X) (W-поверхностъ твердого тела) (1.12с)

III Атомарного азота:

N2(X) + е" ->N2(Y) N(Q) + N(R)(Y>9.93B, Q,R=X,S,P,D.) (преддисоциация) (1,13a)

N2(X) + e" —+N (диссоциативная ионизация) (1.13b)

N+S -> (NS) (адсорбция атомов на активных поверхностных центрах S) (1.13с)

N+(NS) <-> N2+S (рекомбинация по механизму Или-Ридила) (1.13d)

NS)+(NS) <-» N2+2S (рекомбинация по механизму Лэнгмюра-Хиншелвуда) (1.13е) IVМолекулярных ионов:

N2(X) + е" —> N2+(X) + 2е" (ионизация в основное состояние) (1.14а)

N2(X) + е" —> N2+(B) + 2е" (ионизация в возбужденное состояние) (1.14Ь)

N2+(X) + W —> N2(X) (поверхностная рекомбинация) (1.14с) где А,В,С,а -молекулярные, а 8,Р,Б атомарные возбужденные состояния азота, энергетическое положение которых иллюстрируется на рис. 1.7 [34]. Уровневый

Межатомное расстояние, А Рис. 1.7. Энергетические диаграммы электронно-возбужденных состояний молекулы и атома азота [34,128].

100 1000

Энергия электронов, эВ

Рис. 1.8. Зависимости сечений основных электрон-молекулярных реакций от энергии электронов:

1- суммарное сечение возбуждения нижних триплетных электронно-возбужденных состояний N2(A), N2(B), N2(C) (D. Cartwrigte et al. [114]);

2- диссоциации молекулы (вместе с диссоциативной ионизацией) (Н. Winters [23]);

3- ионизации (D.Rapp et al. [113]). коэффициент скоростей e-N2 реакций определяется согласно [12] k(ve) = Wve)-Ve-fe(ve)dve (1.15) где ст(уе) -сечение реакции, определяемое квантовомеханическими расчетными методами или экспериментально; ve-лГ^/ " скорость электронов с энергией Ее и функцией

V / П1е распределения по скоростям f(ve) • Коэффициент скорости гетерогенной дезактивации рекомбинации) в условиях кинетического режима (при отсутствии диффузионных ограничений на движение частиц) может быть определен

Ks= у S/V (1.16) где у- вероятность дезактивации (рекомбинации) при единичном столкновении активированной частицы с поверхностью твердого тела с поверхностью S и объемом V.

Знание полных коэффициентов скоростей этих реакций (суммирование проводится по всем возможным путям получения продукта реакции) позволило бы, в принципе, составить систему балансных кинетических уравнений, описывающих газовый разряд и выходной пучок активированных частиц. Однако, функция распределения электронов по скоростям (энергии) в условиях неоднородных и переменных электрических полей высокой напряженности имеет немаксвелловский и нелокальный характер и поэтому полная детализация системы при современном состоянии вычислительной техники практически невозможна и важно предварительно выбрать наиболее значимые процессы.

В первую очередь необходимо отметить прямые и каскадные процессы заселения нижних триплетных уровней (N2(A3IU+), N2(B3ng), N2(C3nu)) поскольку они служат основным источником заселения метастабильного состояния N2(A) с временем жизни ~2 с и, кроме того, ими определяется излучение разряда в оптическом диапазоне, в котором выделяют т.н. первую (1+: переход N2(B) —>N2(A) с частотой (1-2)-105сек1) и вторую положительные (2+: переход N2(C) —>N2(B) с частотой 2.2107сек"1) системы полос излучения [12]. Важно отметить, что скорость прямых каскадных процессов заселения (1.12Ь) верхнего триплетного уровня N2(C) относительно низка, и это позволяет использовать излучение 2+ системы для оценок энергии электронов разряда.

Из потенциальной кривой молекулы азота (рис. 1.7) следует, все электронно-возбужденные состояния лежащие выше N2(B,v>13) уже обладают энергией большей энергии связи молекулы (9.9 эВ). Наиболее важно то, что данные состояния эффективно взаимодействуют с нестабильными (диссоциирующими) состояниями молекулы азота 5£g, 7£„,5,57tu), для которых прямое возбуждение из основного состояния запрещено правилами отбора по спину. Данный процесс непрямой диссоциации, называемый предиссоциацией, является основным механизмом диссоциации в разрядах низкого давления (<0.1 Topp) [112]. Кроме того при высоких значениях энергии электронов возрастает роль диссоциативной ионизации [113].

Важной проблемой в условиях разрядов низкого давления является экстраполяция сечений e-N2 реакций в область больших значений Ее. При этом чаще всего используется приближение Борна-Оппенгеймера и R-центроиды, согласно которому сечение любой е-N2 реакции достигает максимума при некоторой значении энергии электронов (Ееш) [12]. Данные теоретических расчетов и экспериментальных измерений [114], приведенные на рис.1.8, показывают, что для прямого возбуждения нижних триплетных состояний (А,В,С) характерны невысокие значения Еет= 10-15 эВ с максимальным значением суммарного сечения реакций =1x10"16 см"2, которое с ростом Ее относительно резко падает. В случае возбуждения состояний с более высокой энергией возбуждения (синглетные оптически разрешенные состояния, ридберговские и сверхвозбужденные состояния с энергией возбуждения 8-10 эВ, 13-15 эВ и >20эВ соответственно), играющих важную роль в процессах диссоциации азота, значения Ееш существенно выше от (40 до 100 эВ) и значения этих сечений относительно слабо зависят от Ее. При этом оказывается, что зависимости сечений диссоциации и ионизации от Ее при высоких Ее (>20 эВ) практически совпадают [115,116].

Для дезактивации возбужденных частиц азота и рекомбинации атомарного азота при давлениях в разряде <10 Topp вклад гомогенных процессов не превышает 5% от общей константы дезактивации [12] и, следовательно, ее величина будет определяться гетерогенными процессами взаимодействия активированных частиц азота с поверхностью. В случае колебательно-возбужденных состояний молекула азота в силу ее гомоядерной природы процесс дезактивации характеризуется невысокими значениями у, зависящим от типа поверхности, способа ее обработки и температуры. Для кварца, молибденового стекла, пирекса значения у« 10"4 -10"3, а для металлов - на порядок выше (1.4-10"2) [12]. Для электронно-возбужденных молекул N2(A) в литературе сообщаются с э противоречивые сведения о величине у [117]. При низких давлениях азота у—3* 10" и 3-10" для пирекса и платины, соответственно. Но при повышении давления значение у достигает 1 (причины снижения у с понижением давления не ясны). В случае гетерогенной рекомбинации атомов на поверхности стали и нитрида бора сообщается о значениях

7n=8'10"3 и 910"4 соответственно [118]. Однако, для процессов рекомбинации атомов, в отличие от процессов дезактивации молекул, практически всегда наблюдается снижение у с повышением давления, что связывается с заполнением поверхностных активных центров физически сорбированными молекулами [12]. Отметим, что при пониженных давлениях рекомбинация протекает главным образом по механизму Лэнгмюра-Хиншвулда (1.13е) [119]. Поскольку экзотермический эффект для данной реакции составляет несколько эВ, то это может приводить к десорбции молекулы с поверхности.

При ионизации молекул азота электронами высокой энергии (Ее»Е;=15.6 эВ) сечение реакций (1.14а.) и (1.14Ь) практически равны [120] и это вызывает интенсивное излучение первой отрицательной серии (1": N2+(B2 £u+,v) ->N2+(X 2SUV) : 391.4, 427.8, 478 нм) [121]. Кроме того, при высоких Ее (>24 эВ) становится существенным процесс диссоциативной ионизации (1.13Ь) [113]. И, в заключении, отметим практически единичную вероятность гетерогенной рекомбинации ионов (у>0.9 [122]) для любой поверхности.

1.4.2 Типы активаторов азота, используемых в технологии МПЭ

Классификационная схема различных активаторов азота, используемых в МПЭ ПА представлена в таблице. 1.4. Самыми распространенными в настоящее время являются активаторы с ВЧИ-разрядом цилиндрической конфигурации, с использованием которых получены лучшие результаты по р-легированию соединений А2Вб [64] и необходимые (=1 мкм -ч"1) скорости роста эпитаксиальных слоев A3N высокого качества [96,97]. Также распространены, но несколько уступают по достигнутым результатам активаторы с СВЧ-разрядом с электронным циклотронным резонансом (ЭЦР) [28,38]. Разработки других типов активаторов носят единичный характер [29,32,54,122-125].

В зависимости от способа возбуждения электромагнитного поля активаторы можно различить по давлению в разрядном объеме pd." в ВЧИ-активаторах используются, как правило, относительно высокие pd~l Topp, в то время как для ЭЦР, ВЧЕ и геликоновых активаторов характерны pd<0.1 Topp. Это приводит к существенному различию внутренних параметров плазмы,- в первую очередь средней Ее и концентрации электронов

12 3

Пе). Для первой группы активаторов характерны высокие Пе~10 см" и низкие Ее<5 эВ, в

11 3 то время как для второй группы типично обратное- более низкие пе<10 см" и относительно высокие Ее~10эВ. С другой стороны, относительно высокие pd в ВЧИ-активаторах требуют установки апертур с более низкой вакуумной проводимостью, что вызывает повышенную вероятность гибели активированных частиц при их транспорте к

Различные типы ^-активаторов, использующихся в МПЭ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе выполнения диссертационной работы получены следующие основные результаты:

1. Определены основные требования к активированным пучкам азота (АПА), необходимым для р-легирования широкозонных полупроводниковых соединений А2В6 и роста нитридных соединений А N методом МПЭ. Предложено использовать для активации азота коаксиальные магнетронные разряды с возбуждением, как постоянной, так и высокочастотной мощностью. Разработаны и изготовлены несколько конструкций активаторов (DC-VAS, RF-CCM), обеспечивающих генерацию АЛА с плотностью потока активных частиц у подложки 101°-1015 см"2с"1 и варьируемым составом частиц (атомов азота, возбужденных молекул и ионов).

2. При разработке способов активации азота для р-легирования соединений

А2В6: исследованы особенности возбуждения и структура магнетронного разряда постоянного тока с вакуумным анодным слоем при сверхнизких значениях давления азота (-10"4 Topp) и электрической мощности (-1 Вт), что позволяет исключить из конструкции активатора DC-VAS выходную апертурную диафрагму, дополнительные внешние сепарирующие электрические и/или магнитные поля и использовать стандартную для МПЭ магнито-разрядную откачку ростовой камеры;

- установлено, что DC-VAS характеризуется высокими значениями энергий электронов в разряде (-100 эВ), и как следует из анализа прямых электрон-молекулярных реакций активации азота в разрядном промежутке и гетерогенных реакций дезактивации при транспорте к подложке, данный активатор позволяет формировать АПА, состоящий преимущественно из атомарного азота с плотностью потока вблизи подложки не менее 10й атомовсм^с"1, которая может линейно регулироваться расходом азота. Магнетронный характер разряда обеспечивает сепарацию ионов азота из выходного пучка;

- с целью расширения диапазона изменения состава АПА предложено использовать высокочастотный коаксиальный емкостный магнетронный разряд, характеризуемый преобладанием а-механизма размножения носителей заряда. Данный разряд в разработанном активаторе RF-CCM характеризуется существенно более низкими энергиями электронов по сравнению с разрядом в DC-VAS. Определено, что изменение давления и ВЧ-мощности позволяет регулировать среднюю энергию электронов в аразряде RF-CCM и, следовательно, содержание электронно-возбужденных метастабильных молекул в выходном АПА, максимальная плотность потока которых реализуется при давлении в разряде ~0.1 Topp.

3. Исследования электрических и оптических свойств р-легированных соединений А2В6 показали, что

- диссоциативная адсорбция метастабильных молекул азота на атомах Zn обеспечивает более стабильное поведение акцепторной примеси ZnSe во внешних электрических полях вследствие селективного встраивания атомов азота в подрешетку Se. Электрическая нестабильность р-легирования при использовании DC-VAS или RF-CCM в высокоэнергетичном а-режиме возбуждения (при низких давлениях в разряде) связана с прямым встраиванием атомарного азота, диссоциированного в разряде, в различные места кристаллической решетки с последующим образованием дефектов с участием междоузельных атомов. На основании исследования фотолюминесцентных свойств слоев ZnSe:N обнаружена связь междоузельного дефекта с мелким донорным уровнем; оптимизация технологических условий роста (температура подложки ~250°С, единичное соотношение потоков атомов II и VI групп) и параметров разрядов в активаторах азота DC-VAS и RF-CCM позволяет достичь концентрации электрически активной акцепторной примеси Nse(Te) до р=5х1019 см"3 в слоях ZnTe:N, р=8х1017 см"3 в ZnSe, и до р=2х1017 см"3 в ZnMgSSe:N с £g=2.94 эВ при 77 К;

4. Поиски путей повышения плотности потока активированного азота для роста соединений A3N методом МПЭ ПА привели к тому, что были:

- определены условия возбуждения асимметричного у-разряда в т.н. протяженной моде (ПМ), при которой высокоэнергетичный слой пространственного заряда концентрируется в торцевой части центрального ВЧ-электрода RF-CCM, в то время как распространение низкоэнергетичной плазмы отрицательного свечения происходит в ростовую камеру МПЭ ПА установки при сохранении в ней молекулярных режимов пучков ростовых материалов. Данный режим обеспечивает наибольшую плотность потока АПА (до ~1х1015 см"2-с1) и характеризуется возможностью линейного управления интенсивностью всех компонент АПА при постоянном расходе азота (~7 sccm) за счет варьирования величины ВЧ мощности от 100 до 200 Вт;

-130- разработаны методики in situ контроля стехиометрических условий роста A3N соединений при использовании ПМ у-разряда путем измерения оптических эмиссионных спектров плазмы в ростовой камере МПЭ ПА установки, обнаруживающих наряду с обычными азотно-связанными пиками (1-ой отрицательной, и 2-ой и 1-ой положительных серий) линии излучения электронно-возбужденных атомов Ga*(417.1 нм), 1п*(451.1 нм) и А1*(396.2 нм);

5. Оптимизация основных параметров процесса роста методом МПЭ ПА эпитаксиальных слоев GaN на с- сапфире, влияющих на их структурные и оптические свойства, позволили: продемонстрировать возможность эпитаксиального роста A3N соединений с необходимой для практики скоростью роста (~1 мкм-ч"1 для GaN) при использовании "протяженной" моды у-разряда в RF-CCM;

- определить, что основное влияние на характеристики слоев оказывают точность поддержания единичного соотношения потоков Ga:N в процессе роста при достаточно высокой температуре подложки (720-750°С) и параметры проведения начальных стадий роста GaN, включающих в себя температуру отжига и нитридизации подложки с-сапфира (780°С и 730°С, соответственно), продолжительность стадии нитридизации (10 минут) и параметры АПА при росте буферного слоя, в качестве которого предложено использовать AlxGai.xN (х=0.1) толщиной 10 нм, выращенный при высокой температуре (720°С);

- получить эпитаксиальные слои GaN относительно высокого структурного и оптического качества с полушириной симметричного рентгеновского дифракционного максимума GaN(0002) 240 и 35 угл. сек. для © и ©-2© режимов сканирования соответственно при полуширине асимметричного пика GaN(lOlO) равной 1670 угл. сек. и с доминированием в спектрах ФЛ экситонных линий (в т.ч. и свободных экситонов) с минимальной полушириной ~8 мэВ при 15 К, что позволило изготовить высокосовершенные квантоворазмерные гетероструктуры AlGaN/GaN с одиночными и множественными квантовыми ямами.

1. R.N. Bhargawa, Blue and UV light emitting diodes and lasers // Optoelect. Dev. Technol., 1992, v.7, No.l, pp. 19-47.

2. I. Akasaki, Renaissance and progress in nitride semiconductors // Proc.of Int.Workshop on nitide semiconductors, Nagoja, Japan, September 24-27, 2000, pp.35-37.

3. E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, A. Ishibashi, Significant progress in П-VI blue-green laser diode lifetime // Electron.Lett., 1998, v.34, No.3, pp.282-285.

4. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode // Springer, Berlin, 1997, 340 p.

5. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, T. Mukai, Ultraviolet GaN single quantum well laser diodes // Jpn.J.Appl.Phys., 2001, v.40, P.2, N0.8A, pp.L785-L787.

6. M.S. Shur, M.A. Khan, GaN/AlGaN heterostructure devices: photodetectors and field-effect transistors // MRS Bulletin, 1997, Febrary, pp.44-50.

7. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, Пер. с англ. // Под ред.Л.Ченга, К.Плога, М.: Мир; 1989, 584с.

8. R.M. Park, М.В. Troffer, С.М. Rouleau, J.M. DePuydt, M.A.Haase, p-type ZnSe by nitrogen atom beam doping during molecular beam epitaxial growth // Appl. Phys. Lett.,1990, v.57, No.20, pp.2127-2129.

9. K. Ohkawa, T. Karasawa, T. Mitsuyu, Characteristics of p-type ZnSe layers grown by MBE with radical doping // Jpn. J. Appl. Phys.,1991, v.30, Part 2, No.2A, pp.L152-L155.

10. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, Blue-Green laser diodes // Appl.Phys.Lett,1991, v.59, No.l 1, pp. 1272-1274.

11. Д.И. С ловецкий,.Механизмы химических реакций в плазме // М.: Наука, 1980, с.ЗЮ.

12. В.С.Войценя, С.К.Гужов, В.И.Титов, Воздействие низкотемпературной плазмы и электромагнитного излучения на материалы // М.: Энергоатомиздат, 1991, 224с.

13. В.Т. Барченко, Ю.А. Быстров, Е.А. Колгин, Ионно-плазменные технологии в электронном производстве // Под.ред. Ю.А. Быстрова, СПб.: Энергоатомиздат, Санкт-Петербургское отделение, 2001.-332 с.

14. Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров, Ионно-плазменная обработка материалов // М.: Радио и связь, 1986, 232с.

15. Э. Зенгуил, Физика поверхности, пер.с англ.// М.: Мир, 1990, 536с.

16. С. Моррисон, Химическая физика поверхности твердого тела // М.: Мир, 1980, 498с.

17. A. Keudell, Surface processes during thin-film growth // Plasma Sources Sci.Technol., 2000, v.9, No.3, pp.455-467.

18. В. Экштайн, Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела, пер.с англ. // М.: Мир, 1995, 321 с.

19. Н. Akazawa, Y. Murata, Resonance-like phenomena in activated dissociative adsorption: N2+ on Ni(100) and Ni(l 11) // J.Chem.Phys., 1988, v.88, No.5, pp.3317-3321.

20. Y. Lifshitz, S.R. Kasi, J.W. Rabalais, W. Ekstein, Subplantation model for film growth from hyperthermal species // Phys.Rev.B, 1990, v.41, No. 15 ,рр.10468-10480.

21. R. Ditchfield, E.G. Seebauer, Semiconductor surface diffusion: Effects of low-energy ion bombardment // Phys.Rev.B., 2001, v.63, No. 12, pp.125317-125325.

22. H.F. Winters, Ionic adsorption and dissociation cross-section for nitrogen // J.Chem.Phys., 1966, v.44, No.4, pp.1472-1476.

23. G. Tibbets, Electronically activated chemosorption of nitrogen on a copper (100) surface // J.ChemJPhys., 1979, v.70, No.8, pp.3600-3603.

24. T. Nakao, T. Uenoyama, Adsorption and dissociation mechanism of excited N2 on ZnSe surface // JpnJ.Appl.Phys., 1993, v.32 Part I, No.IB, pp.660-662.

25. T. Uenoyama, T. Nakao, M. Suzuki, Interaction between N2 and stabilized ZnSe surface // J.Cryst.Growth, 1994 v.138, pp.301-304.

26. W.A. Goddard, Quantum chemical studies of wurtzite GaN growth and reconstruction // in Proc. of 45th International Symposium of the AVS, Baltimore, MD, 2-6 November, 1998.

27. R.J. Molnar, T.D. Moustakas, Growth of gallium nitride by electron-cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy:The role of charged species // J.Appl.Phys., 1994, v. 76, N0.8 , pp.4587-4595.

28. A. Anders, N. Newman, M. Rubin, M. Dickinson, E. Jones, P. Phatak, A. Gassmann, Hollow-anode plasma source for molecular beam epitaxy of gallium nitride // Rev.Sci.Instrum., 1996, v.67, No.3, pp.905-907.

29. A.J. Ptak, K.S. Ziemer, L.J. Holbert, C.D. Stinespring, and Т.Н. Myers, Formation of BN and A1BN during nitridation of saphire using RF plasma source // MRS Internet J.Nitride Semicond.Res., 1999, v.4Sl, art. W3.33.

30. S. Strite, H. Morcoc, Thin film deposition and dopant incorporation by energetic particle sources // Handbook of Thin Film Process Technology, 1995, IOP Publishing Ltd., pp.A2.4.1-A2.4.25.

31. T.D. Fu, N. Newman, E. Jones, J.S. Chan, X. Liu, M.D. Rubin, N.W. Cheung, E.R. Weber, The Influence of Nitrogen Ion Energy on the Quality of GaN Films Grown with Molecular Beam Epitaxy // J.Electron. Mater., 1995, v.24, No.4, p.249-255.

32. Y. Zhang, W. Liu, В J. Skromme, H. Cheng, S.M. Shibli, M.C. Tamargo, Systematic investigation of shallow acceptor levels in ZnSe // J.Cryst.Growth, 1994, v.138, pp.310317.

33. Физические величины:Справочник / Под ред.И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова.-М.; Энергоатомиздат, 1991, 1232с.

34. К. Ohkawa, Т. Mitsuyu, Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy with ion and radical-beam doping techniques // J.of Luminescence, 1992, v.52, No.l, pp.9-15.

35. J. Qui, J.M. DePuydt, H. Cheng, M.A. Haase, Heavily doped p-ZnSe:N grown by molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 1991, v.59, No.23, pp.2992-2994.

36. M. Moldovan, L.S.Hirsch, A.J. Ptak, C.D. Stinespring, T.H.Myers, and N.C.Giles, Nitrogen doping of ZnSe and CdTe Epilayers: a comparison of two rf sources // J.Electron. Mater., 1998,v.27, No. 10, pp. 756-762.

37. S. Ito, M. Ikeda, K. Akimoto, Plasma doping of nitrogen in ZnSe using Electron Cyclotron Resonance // Jpn.J.Appl.Phys., 1992, v.31 Part 2, pp.L1316-L1318.

38. S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger, A phenomenological model for systematization and prediction of doping limits in II-VI and I-III-VI2 compounds // J.Appl.Phys., 1998, v.83, N0.6, pp.3192-3195.

39. C.G. Van de Walle, D.B. Laks, G.F. Neumark, S.T. Pantelides, First principle calculations of solubilities and doping limits:Li, Na, and N in ZnSe // Phys.Rev.B, 1993, v.47, No. 15, pp.9425-9434.

40. B.H. Cheong, C.H. Park, K.J. Chang, First principles study of the compensation mechanism for nitrogen acceptors in ZnSe // Phys.Rev. B, 1995, v.51, pp.10610-10614.

41. A. Garcia, J.E. Northrup, Compensation of p-type doping in ZnSe: the role of impurity-native defect complexes // Phys.Rev.Lett. v.74, No.7, 1995, pp.1131-1134.

42. M. Ichimura, T. Wada, Sz. Fujita, A defect model for photoirradiated semiconductors suppression of the self-compensation in II-VI materials // Jpn.J.Appl.Phys., 1991, v.30 Part I, No. 12a ,pp.3475-3481.

43. K.A. Prior, B. Murdin, C. Pidgeon, S.Y. Wang, I. Hauksson, J.T. Mullins, G. Horsburgh, B.C. Cavenett, Compensation processes in molecular beam epitaxially grown zinc selenide doped with nitrogen // J.Cryst.Growth, 1994, v. 138, pp.94-98.

44. DJ. Chadi, Acceptor and donor states of impurities in wide band gap semiconductors // J.Cryst.Growth, 1994, v.138, pp.295-300.

45. W. Walukiewicz, Mechanism of Schottky barrier formation: The role of amphoteric native defects // J.Vac.Sci.Technol. B, 1987, v.5, No.4, pp.1062-1067.

46. W. Faschinger, J. Nürnberger, M. Kom, Doping limits in widegap II-VI and III-V compounds // in Proc. 1-st Int.Symp.on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba Univ., Japan, March 5-7, 1996, pp.161-166.

47. K.A.Prior, Review of compensation centers in ZnSe:N // Phys.Status Solidi B, 1995, v.187, pp.379-384.

48. Z. Zhu, T. Yao, B.C. Cavenett, K.A. Prior, Characterization of compensating centers in nitrogen-doped ZnSe // in Proc. 2-nd Int.Symp.on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba Univ., Japan, Sept.29-Oct.2,1998, pp.69-73.

49. П.В. Ковтуненко, Физическая химия твердого тела . Кристаллы с дефектами / М.:Высш.шк., 1993. 352с.

50. D.J. Chadi, Acceptor and donor states of impurities in wide band gap II-VI semiconductors //J. Cryst. Growth, 1994, v.138, pp.295-300.

51. I.S. Hauksson, J. Simpson, S.Y. Wang, K.A. Prior, B.C. Cavenett, Compensation processes in nitrogen doped ZnSe // Appl.Phys.Lett., 1992, v.61, No.18, pp.2208-2210.

52. D.J. Chadi, Column V acceptors in ZnSe: Theory and experiment // Appl.Phys.Lett., 1991, v.59, No.27, pp.3589-3591.

53. T. Yao, Z. Zhu, Y.H. Wu, C.D. Song, F. Nishiyama, K. Kimura, H. Kajiyama, S. Miwa, T. Yasuda, Nitrogen doping and carrier compensation in p-ZnSe // J.Cryst. Growth, 1996, v.159, pp.214-220.

54. T.L. Ren, J.L. Zhu, Z. Zhu, T. Yao, Compensation introduced by defect complexes in p-type ZnSe // J.Appl. Phys., 1999, v.86, No.3, pp.1439-1442.

55. D.J. Chadi, N. Troullier, // Physica B, 1993, v.185, pp. 128-132.

56. S. Gundel, D. Albert, J. Nürnberger, W. Faschinger, Stability of nitrogen in ZnSe and its role in the degradation of ZnSe lasers // Phys.Rev.B, 1999, v.60, No.24, pp.14785-14788.

57. Z. Zhu, G. Brownlie, P.J. Thompson, K.A. Prior, B.C. Cavenett, A compensating donor with a binding energy of 57 meV in nitrogen-doped ZnSe // Appl.Phys.Lett., 1995, v.67, pp.3762-3765.

58. J. Petruzzello, J. Gaines, P. van der Sluis, D. Olego, C. Ponzoni, Effect of N doping on the structural properties of ZnSe epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy //Appl.Phys.Lett., 1993, v.62, No. 13, pp. 1496-1498.

59. S.D. Setzler, M. Moldovan, Z. Yu, T.H. Myers, N.C. Giles, L.E. Halliburton, Observation of singly ionized selenium vacancies in ZnSe grown by molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 1997, v.70, No.17, pp.2274-2276.

60. M. Kubo, Study of nitrogen location on ZnSe surface using ion scattering and recoiling spectrometry // J.Appl. Phys., 1995, v.78, No. 12, pp.7088-7090.

61. H. Kobayashi, K. Kimura, F. Nishiyama, S. Miwa, T. Yao, Nitrogen dopant site within the ZnSe lattice as studied by ion beam analysis // J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, pp.475479.

62. E. Tournie, C. Morhain, G. Neu, and J.-P. Faurie, The nitrogen-related shallow donor in ZnSe:N epitaxial layers // J. Cryst. Growth, 1998, v.184/185, pp.520-524.

63. K. Kimura, S. Miwa, C.G.Jin, L.H. Kuo, T. Yasuda, A. Ohtake, K. Tanaka, T. Yao, H. Kobayashi, Atomic nitrogen doping in p-ZnSe with high activation ratio using a highpower plasma source // J. Cryst. Growth, 1998, v.184/185, pp.411-414.

64. I.S. Hauksson, S.Y. Wang, J. Simpson, K.A. Prior, B.C. Cavenett, W. Liu, B.J. Skromme, Deep-center photoluminescence in nitrogen-doped ZnSe // Phys.Rev. B, 1995, v.52, No.24, pp.17184-17190.

65. T. Lei, M. Faniulli, R.J. Molnar, T.D. Moustakas, R.J. Graham, J. Scanlon, Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon // Appl.Phys.Lett., 1991, v. 59, No.8 , pp.944-946.

66. N. Newman, J. Ross, and M. Rubin, Thermodynamic and kinetic processes involved in the growth of epitaxial GaN thin films // Appl.Phys.Lett., 1993, v.62, No.l 1, pp.1242-1244.

67. N. Newman, The energetics of the GaN MBE reaction: a case study of meta-stable growth // J. Crystall Growth, 1997, v. 178, pp. 102-112.

68. D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, W.J. DeSisto, R.J. Gorman, Growth model for GaN with comparison to structural, optical, and electrical properties // J. Appl.Phys., 1998, v.84, No.4, pp. 1998-2009.

69. S. Krukowski, Z. Romanowski, I. Grzegory, S. Porowski, Interaction of N2 molecule with liquid Ga surface- quantum mechanical calculations (DFT) // J.Crystal Growth, 1998, v. 189/190, pp. 159-162.

70. D.C.Jordan, I.S.T. Tsong, D.J.Smith, B.J. Wilkens, R.B. Doak, III-N semiconductor growth with activated nitrogen: state-specific study of metastable N2 molecules // Appl.Phys.Lett., 2000, v.77, No. 19, pp.3030-3032.

71. C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.E. Hooper, L.C. Jenkins, J.W. Orton, D.E. Lacklison, S.V. Novikov, T.B. Popova, V.V. Tret'yakov, Molecular beam epitaxy growth kinetics for group III nitrides // J.Vac.Sci.Technol. B, 1996, v.14, No.3, pp.2346-2348.

72. W.C.Hughes, W.H. Rowaland, Jr., M.A.L. Johnson, S. Fujita, J.W.Cook, Jr., J.F. Schetzina, J. Ren, J.A. Edmond, Molecular beam epitaxy growth and properties of GaN films on GaN/SiC substrates // J.Vac.Sci.Technol. B, 1995, v. 13, No.4, pp. 15711577.

73. R.C. Powell, N.E. Lee, Y.-W. Kim, J.E. Greene, Heteroepitaxial wurtzite and zinc-blende structure GaN grown by reactive-ion molecular-beam epitaxy: Growth kinetics, microstructure, and properies // J. Appl.Phys., 1993, v.73, No.l, pp. 189-204.

74. Y. Shimizu T. Tominary,S. Hokuto, Y. Chiba,Y. Nanishi, Structural dependence of GaN/Al2C>3 on eletric bias during electron-cyclotron-resonance plasma-excited molecular-beam epitaxy // Jpn.J.Appl.Phys. P.2,1998, v.37, N0.6B, pp.L700-L702.

75. R. Beresford, A. Ohtani, K.S. Stewens and M. Kinniburgh, Influence of substrate electrical bias on the growth of GaN in plasma-assisted epitaxy // J.Vac.Sci.Technol. B, 1995, v.13, No.2, pp.792-795.

76. R.E. Honig, D.A. Kramer, RCA Rev., 1969, v.30, p.265.

77. O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog, Phys.Rev.B., Surface kinetics of zinc-blende (001) GaN // Phys.Rev.B, 1996, v.54, No.7, pp.4432-4435.

78. P. Hacke, G. Feuillet, H. Okumura, S. Yoshida, Monitoring surface stoichiometry with the (2 x 2) reconstruction during growth of hexagonal-phase GaN by molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett, 1996, v.69, No. 17 , pp. 2507-2509.

79. S. Guha, N.A. Bojarczuk, D.W. Kisker, Surface lifetimes of Ga and growth behavior on GaN (0001) surfaces during molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 1996, v.69, No. 19, pp.2879-2881.

80. J. H. Neave, P. J. Dobson, B. A. Joyce, J. Zhang, Reflection high-energy electron diffraction oscillations from vicinal surfaces—a new approach to surface diffusion measurements // Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, No.2 , pp. 100-102.

81. K. Kim, M.C. Yoo, K.H. Shim, and J.T. Verdeyen, Growth and characterization of GaN on sapphire (0001) using plasma-assisted ionized source beam epitaxy // J.Vac.Sci.Technol. B, 1995, v.13, No.2 , pp.796-799.

82. B. Heying, R. Averbeck, L.F. Chen, E. Haus, H. Riechert, J.S. Speck, Control of GaN surface morphologies using plasma-assisted molecular beam epitaxy // J. Appl.Phys., 2000, v.88, No.4, pp.1855-1860.

83. A.J. Ptak, K.S. Ziemer, M.R. Millecchia, C.D. Stnespring, T.H. Myers, Influence of active nitrogen species on the nitridation rate of sapphire // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1999, v.4Sl, art.G3.10.

84. O. Zsebok, J.V. Thordson, T.G. Andersson, The formation of nitridation damage during the growth of GaN on GaAs(OOl) // Jpn.J.Appl.Phys. P.l, 2001, v.40, No.2A, pp.472-475.

85. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, J.L. Rouviere, Stranski-Krastanov growth mode during the molecular beam epitaxy of highly strained GaN // Phys.Rev.B., 1997, v.56, No.12, pp.R7069-R7072.

86. A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve, M.S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, J.E. Northrup, Determination of wurtzite GaN lattice polarity based on surface reconstruction // Appl.Phys.Lett., 1998, v.72, No.17 , pp.2114-2116.

87. C.T. Foxon, C.S. Davis, S.V. Novikov, O.H. Hughes, T.S. Cheng, D. Korakakis, N.J. Jeffs, I. Grzegory, S. Porovski, RHEED studies of group III-Nitides grown by MBE // phys.stat.sol. (a), 1999, v. 176, pp.723-726.

88. E.J. Tarsa, B. Heying, H.H. Wu, P. Fini, S.P. DenBaars, J.S. Speck, Homoepitaxial growth of GaN under Ga-stable and N-stable conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy // J.Appl.Phys., 1997, v.82, No.l 1 , pp.5472-5479.

89. J.M. VanHove, G.J. Cosimini, E. Nelson. A.M. Wowchak, P.P. Chow, GaN growth by a controllable RF-excited nitrogen source // J. of Crystal Growth, 1995, v.150, pp.908-911.

90. Y. Chiba, Y. Shimizu, T. Tominari, S. Hokuto, Y. Nanishi, Optical emission spectroscopy as the monitoring tool in ECR-MBE growth of GaN // J.of Crystal Growth, 1998, v. 189/190, pp.317-320.

91. R.F. Davis, M.J. Paisley, Z. Sitar, D.J. Kester, K.S. Ailey, K. Linthicum, L.B. Rowland, S. Tanaka, R.S. Kern, Gas-source molecular beam epitaxy of III-V nitrides // J. Crystal Growth, 1997, v.178, pp.87-101.

92. S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten, Ill-nitrides: Growth, characterization, and properties // J.Appl.Phys., 2000, v.87, No.3, pp.965-1006.

93. EPIMBE Products Group, The EPI UNI-BulbTM nitrogen plasma source: characterization and application // Application note, 1997, Note No.97-3.

94. A.V. Blant, O.H. Hughes, T.S. Cheng, S.V. Novikov, C.T. Foxon, Nitrogen species from radio frequency plasma sources used for molecular beam epitaxy growth of GaN // Plasma Sources Sci. Technol., 2000, v.9, No.l, pp.12-17.

95. J. Cui, A. Sun, M. Reshichkov, F. Yun, A. Baski, H. Morko?, Preparation of Sapphire for High Quality Ill-Nitride Growth // MRS Internet J.Nitride Semicond.Res., 2000, v.5,art.7.

96. F. Widmann, G. Feuilet, B. Daudin, J.L. Rouiere, Low temperature sapphire nitridation: a clue to optimize GaN layers grown by molecular beam epitaxy // J.Appl.Phys., 1999, v.85, No.3, pp.1550-1555.

97. M. Lozurdo, P. Capezzuto, G.Bruno, Plasma cleaning and nitridation of sapphire (a-AI2O3) surfaces: new evidence from in situ real time ellipsometry // J.Appl.Phys., 2000, v.88, No.4, pp.2138-2145.

98. E.C. Piquette, P.M. Bridger, R.A. Beach, T.C. McCill, Effect of buffer layer and III/V ratio on the surface morphology of GaN grown by MBE // MRS Internet J.Nitride Semicond.Res., 1999, v.4Sl,art. W3.77.

99. D.Huang, P. Visconti, K.M.Jones, M.A. Reshnicov, F. Yun, A.A. Baski, T.King, H. Morcoc, Dependence of GaN polarity on the parameters of the buffer layer grown by molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 2001, v.78, No.26, pp.4145-4147.

100. Bo Monemar, Luminescence in III-N nitrides // Materials Science and Engineering, 1999, v.B59, pp.122-132.

101. E. Calleja, M.A. Sanches-Garcia, F.J. Sanchez, F. Calle, F.B. Naranjo, E. Munoz, U. Jahn, K. Ploog, Luminescence properties and defects in GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy // Phys. Rev. B., v.62 No.24 (2000) pp. 16826-16834

102. S. Straub, P. Michler, J. Gutovski, H. Selke, U. Birkle, S. Einfeldt, D. Hommel // J. Crystal Growth, 1998, v. 189/190, pp.556-560.

103. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkof, Dynamics of a band-edge transition in GaN grown by molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 1995, v.66, No.25, pp. 3474-3476.

104. D.C. Look, Z.Q. Fang, W.Kim, O.Aktas, A. Botchkarev, A.Salvador, H.Morkoc, Thermally stimulated current trap in GaN // Appl.Phys.Lett., 1996, v.68, No.26, pp.37753777.

105. F.A. Ponce, Defects and interfaces in GaN epitaxy // MRS Bulletin/February, 1997, pp.5157.

106. V. Ratnikov, R. Kyutt, T. Shubina, T. Paskova, E. Valcheva, B.Monemar, Bragg and Laue x-ray diffraction study of dislocations in thick hydride vapor phase epitaxy films // J.Appl.Phys., 2000, v.88, No.l 1, pp.6252-6259.

107. JI.C. Полак, Д.И. Словецкий, А.С.Соколов, Диссоциация молекул азота из электронно-возбужденных состояний // Хим.выс.энергий, 1972, т.6, вып.5, сс.396-402.

108. D. Rapp, P. Englander-Golden, D.D. Brigila, Cross-sections for dissociative ionization of molecules by electron impact // J.Chem.Phys., 1965, v.42, No.12, pp.4081-4085.

109. D.C. Cartwright, S. Trajmar, A. Chutjian, W. Williams, Electron impact excitation of the electronic states of N2 // Phys.Rev. A, 1977, v.16, No.3, pp.1041-1051.

110. О.А. Иванов, С.Ф. Лирин, Возбуждение электронных уровней азота в газовом разряде низкого давления в сверхсильном СВЧ поле // Физика плазмы, 1992, т. 18, вып.1, сс. 124-127.

111. Н. Brunei, P.Vincent, Predicted electron transport coefficients at high E/N values. П. Nitrogen // J.Appl.Phys., 1979, v.50, No.7, pp.4708-4713.

112. А.А. Табачник, Б.Р. Шуб, Гетерогенная релаксация электронно-возбужденного азота на поверхности кварца // Хим.Физика, 1983, Вып.9, сс.1242-1246.

113. S.F. Adams, Т.А. Miller, Surface and volume loss of atomic nitrogen in a parallel plate rf discharge reactor // Plasma Sources Sci.Technol., 2000, v.9, pp.248-255.

114. N. Newman, Thermochemestry of III-N semiconductors // in Semiconductors and Semimetals, 50, 1998, Academic, New York, pp.55-101.

115. Y. Itikava, M. Hayashi, A. Ichimura // J.Chem.Phys.Ref.Data, 1986, v.15, pp.985-997.

116. R.W. Pearse, A.G. Gaydon, The identification of molecular spectra // Chapman&Hall Ltd., 1963, 347pp.

117. И. Мак-Даниэль, Процессы столкновений в ионизованных газах // М., Мир, 1967, 816с.

118. B.A. Ferguson, A. Sellidj, В.В. Doris, С.В. Mullins, Supersonic-jet-assisted groth of GaN and GaAs films // J.Vac.Sci.Technol. A, 1996, v. 14, No.3, pp.825-830.

119. S.O. Ferreira, H. Sitter, W. Faschinger, G. Brunthaler, Growth of highly doped p-type ZnTe on GaAs using a nitrogen DC plasma cell // J.Cryst. Growth, 1994, v.140, pp.282286.

120. Z.Q. He, X.M. Ding, X.Y. Hou, X. Wang, Molecular beam epitaxy of GaN on GaAs(lOO) by using reactive nitrogen source // Appl.Phys.Lett., 1994, v.64, No.3, pp.315-317.

121. Атомные и молекулярные процессы // пер.с англ., под ред. Д.Бейтса, М., Мир, 1965, 777с.

122. Д.И. Словецкий, Диссоциация молекул электронным ударом // В кн.: Химия плазмы, под ред.Б.М. Смирнова, М., Атомиздат, 1974, вып.1, сс.156-202.

123. A. Catherinot, A. Sy, Quenching of the 3p4S° atomic-nitrogen state in a low-pressure nitrogen glow discharge // Phys.Rev., 1979, v.20, No.4, pp.1511-1520.

124. K. Kimura, S. Miwa, H. Kajiyama, T. Yasuda, l.H. Kuo, C.G. Jin, K. Tanaka, T. Yao, The effect of nitrogen ions emitted from a plasma source on molecular beam epitaxial growth of p-ZnSe:N // Appl.Phys.Lett. 1997, v.71, No.4, pp.485-487.

125. Y. Saeki, T. Akitsu, T. Kato and T. Matsumoto, Molecular beam epitaxy of h- and c-GaN on GaAs substrates with a CapacitiveCoupled Transverse Type Nitrogen Exciter // Int.Symp.on Blue Laser and LED, Chiba Univ., Japan., March 5-7, 1996, pp.390-392.

126. С.А.Гришин, Л.В.Лесков, Н.П.Козлов, Плазменные ускорители // М.Машиностроение, 1983.-231с.

127. P.A. Redhead, Instabilities in crossed-field disharges at low pressures // Vacuum, 1988, v.8-10, pp.901-906.

128. H.A. Кервалишвили, A.B. Жаринов, Характеристики разряда низкого давления в поперечном магнитном поле // ЖТФ, 1965, т.35, Вып.12, сс.2194-2201.

129. Ю.С. Попов ,Разряд Пеннинга с холодным катодом при низком давлении // ЖТФ, 1967, т.37, вып.1, сс. 118-126.

130. В.К. Калашников, Ю.В. Саночкин, К теории самостоятельного разряда низкого давления с замкнутым дрейфом электронов // ЖТФ, 1974, т.44, вып. 12, сс.2504-2511.

131. W. Knauer, Structure of Penning discharge// J.Appl.Phys., 1962, v.33, No. 11, pp.20932098.

132. Z.Wang, S.A. Cohen, Hollow cathode magnetron // J.Vac.Sci.Technol.A, 1999, v.17, No.l, pp.77-82.

133. W.J. Meng, G.L.Doll, Ion energy effects in A1N thin films grown on Si(lll) // J.Appl.Phys., 1996, v.79, No.3, pp.1788-1793.

134. Ю.П. Райзер, M.H. Шнейдер, H.A. Яценко Высокочастотный емкостной разряд: Физика.Техника эксперимента.Приложения. М.: Изд-во Моск.физ.-техн.ин-та, Наука, Физматлит. 1995.-320с.

135. Б.С. Данилин, Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок // М., Энергоатомиздат, 1989, 328с.

136. A. Grill, Cold Plasma in Material Fabrication, from Fundamental to Applications // 1994, New York: IEEE Press.

137. G.Y. Yeom, J.A. Thornton, M.J. Kushner, Cylindrical magnetron discharge. I.Current-voltage characteristics for dc- and rf-driven discharge sources, // J.Appl.Phys., 1989, v.65, No. 10, pp.3816-3824.

138. А. А. Турин, Н.И.Чернова, Динамика приэлектродного слоя ВЧ-разряда в скрещенных элеткрическом и магнитных полях // Физика плазмы, 1985, т. 11, вып.2, сс.244-249.

139. А.В. Лукьянова, А.Т. Рахимов, Н.В. Суетин, Высокочастотный разряд в магнитном поле. Численная модель // Физика плазмы, 1990, т.16, вып.11, сс.1367-1374.

140. Л.Н. Розанов, Вакуумная техника // М., Высшая школа 1990. 340 с.

141. А.ИПипко В.Я. Плисковский, Е.А. Печко, Конструирование и расчет вакуумных систем //М.,Энергия 1970. 504 с.

142. Л.А. Саркисян, Аналитические методы расчета стационарных магнитных полей // М., Энергоатомиздат, 1993, 288с.

143. N. Hershkovitz, Langmur probe diagnostics // Handbook of Thin Film Process Technology // 1995 IOP Publishing Ltd., D3.01-D.3.09.

144. Ю.П. Райзер Физика газового разряда. М.Наука, 1987, 592с.

145. H.A. Кервалишвили, В.П. Кортхонджия, О механизме разряда низкого давления в поперечном магнитном поле // ЖТФ, 1973, т.43, в.9, се.1905-1908.

146. H.A. Кервалишвили, Нелинейные регулярные структуры в заряженной электронной плазме в скрещенных ЕхН полях // ЖТФ, 1990, т.60, в.1, сс.78-84.

147. H.A. Кервалишвили, В.П. Кортхонджия, Г.З. Мачабели, Движение электронов и структура анодного слоя при нарушении перпендикулярности ЕхН полей // ЖТФ, 1975, t.XLV, в.4, сс.811-814.

148. L. Schachter, S. Dobrescu, A. Badescu-Singureanu, N. Baltateanu, High secondary electron emission for an enhanced electron density in electron cyclotron resonance plasma // Rev.Sci.Instrum., 1994, v.69, No.2, pp.706-708.

149. В.Л.Ковалевский, В.П.Савинов, Экспериментальное обоснование модели физического механизма емкостного ВЧ-разряда низкого давления // Физика плазмы, 1994, т.20, в.З, сс.322-334.

150. V.A. Godyak, A.S. Khanneh, ШЕЕ Trans.Plasma Science, 1986, v.14, No.l, pp.112-120.

151. Ph. Belenguer, J.P. Boeuf, Transition between different regimes of rf glow discharges // Phys.Rev. A., 1990, v.41, pp.4447-4459.

152. K. Kohler, J.W.Coburn, D.E. Ноше, E. Kay, J.H. Keller, Plasma potentials of 13.56-MHz rf argon glow discharges in a planar system // J.AppLPhys., 1985, v.57, No.l, pp.59-66.

153. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop^ev, J.R. Kim, H.D.Jung, H.S.Park, Composition, Stoichiometry and Growth Rate Control in MBE of ZnSe Based Ternary and Quaternary Alloys // J.Crystal Growth, 1996, v. 15 9, pp.16-20.

154. T.V. Shubina, S.V. Ivanov, N.M. Shmidt, S.V. Sorokin, A.E. Toropov, I.S. Krestnikov, G. Pozina, B. Monemar, P.S. Kop'ev, // Workbook IX European Workshop on MBE, 610th April 1997, St.-John's College, Oxford, p.37.

155. J.R. Haynes, Experimental Proof of the Existence of a New Electronic Complex in Silicon //Phys.Rev.Lett., 1960,v.4, No.7, pp.361-363.

156. S. Matsumoto, H. Tosaka, T. Yoshida, M. Kobayashi, Y. Yoshikawa, Planar-doping of molecular beam epitaxy grown ZnSe with plasma-excited nitrogen // Jpn.J.Appl.Phys. v.32 (1993) P.2, No.2B, pp.L229-232.

157. M. Moldovan, S.D. Setzler, Т.Н. Myers, L.E.Halliburton, N.C.Giles, Compensating defects in heavily nitrogen-doped zinc selenide: A photoluminescence study // Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, No.17, pp.1724-1726.

158. Z. Zhu, T. Ebisutani, K. Takebayashi, K. Tanaka, T. Yao, Nitrogen-doped ZnSe grown on 4°-misoriented GaAs(lOO) and GaAs(211) by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, pp.1833-1835.

159. A.A. Toropov, S.V. Ivanov, H.S.Park, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, S.V. Sorokin, N.D. Il'inskaya, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Electroabsorption and laser generation in ZnCdSe/ZnSeS quantum well diodes // Semiconductors, 1996, v.30, No.4, pp.656-660.

160. H. Okuyama, Y. Kishita, T. Miyajima, A. Ishibashi, Epitaxial growth of p-type ZnMgSSe //Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, No.7, pp.904-906.

161. J. Saraie, K. Yamawaki, N. Matsumura, A. Ikehara, Nitrogen-doped ZnSe(lOO) films grown by molecular beam epitaxy using a capacitevely coupled plasma cell // J.Crystal Growth, 1996, v.159, pp.334-337.

162. E. Kurtz, D.Albert, J. Kraus, D. Hommel, G. Landwehr, The properties of shallow and deep nitrogen related donors in ZnSe:N // in Proc. 1-st Int.Symp.on Blue Laser and Light Emitting Diodes, ChibaUniv., Japan, March 5-7, 1996, pp.429-432.

163. H. Okumura, K. Ohta, G. Feuillet, K. Balakrishnan, S. Chichibu, H. Hamaguchi, P. Hacke, S. Yoshida, Growth and characterization of cubic GaN // J.of Crystall Growth, 1997, v.178, pp.113-133.

164. S.Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, T.J. Drummond, M. Hafich, S. R. Lee Microstructure of GaN layers grown on (001) GaAs by plasma assisted molecular-beam epitaxy// Appl.Phys. Letters, 1997, V.71, No. 20, pp. 2931-2933.

165. A. Ohtani, K.S. Stewens, M. Kinniburgh, and R. Beresford, Analysis and optimization of the electron cyclotron resonance plasma for nitride epitaxy // J. Crystal Growth 150 (1995) pp.902-907.

166. U. Birkle, M. Fehrer, V. Kirchner, S. Einfeldt, D. Hommel, S. Strauf, P. Michler, J. Gutovski, Studies on carbon as alternative p-type dopant for gallium nitride // MRS Internet J.Nitride Semicond.Res., 1999, v.4Sl,art. G5.6.

167. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laugt, J.Massies, Gas source molecular beam epitaxy of wurtzite GaN on sapphire substrates using GaN buffer layers // Appl.Phys. Lett., 1997, V.71, No.2, pp.240-242.

168. T. Mattila and R. M. Nieminen, Point-defect complexes and broadband luminescence in GaN and A1N // Phys.Rev.B, 1997, v.55, No.15, pp.9571-9576.

169. J. Neugebauer, C. G. Van de Walle, Atomic geometry and electronic structure of native defects in GaN // Phys. Rev. B, 1994, v.50, No.l 1, pp.8067-8070.

170. O. Lagerstedt, B. Monermar, // JAppl.Phys., 1974, v.45, pp.2266-2271.

171. H. Liu, J.G. Kim, M.H. Ludwig, R.M. Park, On the kinetics of growth of highly defective GaN epilayers and the origin of the deep trap responsible for yellow-band luminescence // Appl.Phys. Lett., 1997, V.71, No. 3, pp. 347-349.

172. C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.E. Hooper, L.C. Jenkins, J.W. Orton, D.E. Lacklison, S.V. Novikov, T.B. Popova, V.V. Tret'yakov, Molecular beam epitaxy growth kinetics for group III nitrides // J.Vac.Sci.Technol. B, 1996, v.14, No.3,pp.2346-2348.

173. Z.Yu, S.L. Buczkowski, N.C.Giles, T.H.Myers, M.R. Richards-Babb, The effect of atomic hydrogen on the growth of gallium nitride by molecular beam epitaxy // Appl.Phys. Lett., 1996, V.69, No.18, pp. 2731-2733.

174. A.H. Зайдель, B.K. Прокофьев, C.M. Райский, B.A. Славный, Е.Я. Шрейдер, Таблицы спектральных линий // М., Наука, 1969.

175. J. Neugebauer, C.G. Van de Walle, Gallium vacancies and the yellow luminescence in GaN // Appl.Phys. Lett., 1997, V.69, No.4, pp. 503-505.

176. Y. Okamoto, S. Hashiguchi, Y. Okada, M. Kawabe, Effect of atomic hydrogen on the growth of GaN by RF-MBE // in Proc.2nd Int.Symp.on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, 1998, pp.82-85.

177. X.Q. Shen, T. Ide, M. Shimizu, H. Okumura, High-quality InGaN/GaN multiple quantum wells grown on Ga-polarity GaN by plasma-assisted molecular-beam epitaxy // J.Appl.Phys., 2001, V.89, No.10, pp.5731-5733.

178. K. Kim, S.-H. Kim, D.R. Lee, Structures of nitridated layers on sapphire studied by x-ray reflectivity and diffraction // Appl.Phys.Lett., 2000, v.76, No.12, pp. 1552-1554.

179. C. Heinlein, J. Grepstad, T. Berge, H. Riechert, Preconditioning of c-plane sapphire for GaN epitaxy by radio-frequency plasma nitridation // Appl.Phys.Lett., 1997, v.71, No.3 , pp.341-343.

180. O. Zsebok, J.V. Thordson, Q.X. Zhao, and T.G. Andersson, Effects of small amounts of A1 in GaN grown on sapphire (0001) by molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys., 2001, V.89, No.3, pp. 1954-1958.

181. K. Nozawa, N. Maeda, Y. Hirayama, N. Kobayashi, Growth of AlxGal-xN (0<x<0.2) and fabrication of AlGaN/GaN superlattice by Rf-source MBE // J.Cryst.Growth, 1998, v.189/190, pp.114-118.

182. M. Smith, J.Y. Lin, H.X. Jiang, A. Salvador, A. Botchkarev, W. Kim, H. Morcoc, Optical transition in GaN/AlxGal-xN multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett., 1996, v.69, No.l 1, pp.2453-2455.

183. G. H. Gainer, Y. H. Kwon, J. B. Lam, S. Bidnyk, A. Kalashyan, J.J. Song, S.C. Choi, and G. M. Yang, Well-thickness dependence of emission from GaN/AlGaN separate confinement heterostructures // Appl.Phys.Lett., 2001, v.78, No.24, pp.3890-3892.

184. Работы вошедшие в диссертацию:

185. В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, М. В. Максимов, В. М. Кузнецов, Н. Н. Леденцов,

186. С. В. Сорокин, С. Н. Домрачев, Н. М. Шмидт, И. Л. Крестников, П. С. Копьев, Легирование ZnSe с помощью высокоэффективного источника активного азота в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 1996, т.ЗО, вып.6, сс.568-574.

187. S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, V. М. Kuznetsov, S. V. Sorokin, M. V. Maximov,

188. S. V. Drozdov, G. D. Kipshidze, V. B. Lebedev, S. V. Novikov, L. V. Sharonova, A. Ya. Shik, V. N. Jmerik, V. M. Kuznetsov, A. V. Andrianov, A. V. Gurevich,

189. S. V. Drozdov, G. D. Kipshidze, V. B. Lebedev, S. V. Novikov, L. V. Sharonova, A. Ya. Shik, V. N. Zhmerik, V. M. Kuznetsov, A. V. Andrianov, A. V. Gurevich,

190. N. N. Zinov'ev, С. T. Foxon, T. S. Cheng, Plasma Source for Nitrogen Activation in Crossed Electric and Magnetic Fields for MBE Growth of Group-Ш Nitrides //, Proceeding of the First European Gallium Nitride Workshop, Rigi, Switherland, June 2-4, 1996.

191. С. В. Дроздов, Г. Д. Кипшидзе, В. Б. Лебедев, С. В. Новиков, Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, В. Н. Жмерик, В. М. Кузнецов, А. В. Андрианов, А. М. Гуревич,

192. Н. Н. Зиновьев, С.Т. Foxon, T.S. Cheng, Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-лучевой эпитаксии GaN // ФТП, 1996, т.ЗО, вып.7, сс.1313-1319.

193. S. V. Novikov, G. D. Kipshidze, V. В. Lebedev, L. V. Sharonova, A. Ya. Shik,

194. В. В. Мамутин, В. Н. Жмерик, Т. В. Шубина, А. А. Торопов, А. В. Лебедев,

195. В. А. Векшин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Получение GaN молекулярно-пучковой эпитаксией с активацией азота ВЧ-емкостным магнетронным разрядом // ПЖТФ, 1998, т.24, вып. 12, рр.30-35.

196. V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, V. N. Jmerik, Т. V. Shubina, A. A. Toropov, А. V. Lebedev, N. A. Sadchikov, N. F. Kartenko, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, A. Wagner, W. Strupinski,

197. A. Jelenski, GaN grown on (101) neodim gallate by MBE with RF plasma source // Proceeding of the 6th Int.Symp."Nanostructures:Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 22-26,1998, pp.300-303.

198. V. N. Jmerik, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, Т. V. Shubina, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, Coaxial rf-magnetron nitrogen activator for GaN MBE growth // Materials Science and Engineering B, 1999, v.59, pp.60-64.

199. V. N. Jmerik, S. V. Ivanov, Generation of atomic nitrogen beam for molecular beam epitaxial growth of ZnSe:N using ExH discharge with a vacuum anode sheath // J.Tech. Phys., 1999, v.40, No. 1, pp. 217-220.

200. V. N. Jmerik, S. V. Sorokin, Т. V. Shubina, N. M. Shmidt, I. V. Sedova, S. V. Ivanov,

201. P. S. Kop'ev, Electrically Stable p-Type Doping of ZnSe Grown by Molecular Beam Epitaxy with Different Nitrogen Activators // J. Cryst. Growth, 2000, v. 1-4, pp.214-215.-148

202. V. N. Jmerik, V. V. Mamutin, Т. V. Shubina, M. G. Tkachman, V. A. Vekshin,

203. V. V. Ratnikov, A. V. Lebedev, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, GaN/АЬОз Epilayers Grown by MBE with a Controllable Nitrogen Plasma Composition // Proceedings of 8th Int.Symposium "Nanostructures: Physics and Technology, St. Peterburg, Russia, 125 (2000).

204. V. N. Jmerik, V. A. Vekshin, V. Yu. Davydov, V. V. Ratnikov, M. G. Tkachman,

205. Т. V. Shubina, S. V. Ivanov, Optical Control of Group in and N Flux Intensities in Plasma Assisted MBE with RF Capacitively-Coupled Magnetron Nitrogen Activator // phys. stat. sol. (a), 2001, v.188, No.1,2.

206. B. А. Векшин, В. H. Жмерик, В. Ю. Давыдов, В. В. Ратников, М. Г. Ткачман,

207. Т. В. Шубина, С. В. Иванов, Получение квантоворазмерных гетероструктур GaN/AlGaN методом МПЭ с плазменной активацией // Материалы Всероссийской Конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия- структуры и приборы", ^Москва, 01-02 ноября 2001, с. 8.