Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Лабутин, Олег Анатольевич АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Санкт-Петербург МЕСТО ЗАЩИТЫ
1999 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.10 КОД ВАК РФ
Диссертация по физике на тему «Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP»
 
 
Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Лабутин, Олег Анатольевич

Введение

Глава 1. Обзор литературы

1.1. Толстые плёнки 1пР и твёрдых растворов на его основе

1.2. Изопериодичные квантово - размерные структуры на основе ШОаАэРЛпР

1.3. Напряжённые квантово - размерные структуры и сверхрешётки

1.4. Полупроводниковые лазеры на основе напряжённых квантово -размерных структур

1.5. Выводы по анализу литературы

Глава 2. Экспериментальное оборудование и методика экспериментов

2.1. Эпитаксиальное оборудование

2.2. Диагностическое оборудование

2.3. Экспериментальная процедура роста

Глава 3. Моделирование квантово - размерных структур для полупроводниковых лазеров, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм

3.1. Постановка задачи

3.2. Напряжение, квантово - размерный эффект и критическая толщина

3.3. Напряжённые гетероструктуры на основе 1пСаАзР/1пР для полупроводниковых лазеров, излучающих на длинах волн 1. и 1.55 мкм

3.4. Краткие выводы

Глава 4. Оптимизация условий МОС - гидридной эпитаксии и напряжений в слоях квантово - размерных структур на основе 1пОаАзР/1пР

4.1. Постановка задачи

4.2. Толстые слои твёрдых растворов

4.3. Влияние окружающих слоев и температуры эпитаксии на оптические свойства квантовых ям и сверхрешёток на

 
Введение диссертация по физике, на тему "Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP"

В настоящее время, полупроводниковые гетероструктуры на основе 1пОаАзР/1пР широко используются в оптоалектронных приборах для волоконно-оптических линий связи спектрального диапазона 1.3 - 1.55 мкм. Изопериодичные с подложкой 1пР четверные и тройные твёрдые растворы обладают достаточно высоким кристаллографическим и оптическим совершенством. Однако, характеристики приборов, создаваемых на их основе, практически достигли своих пределов и не отвечают высоким требованиям, предъявляемым современными оптоалектронными системами. Дальнейший прогресс в этой области связан с разработкой и оптимизацией новых эпитаксиальных структур и технологий их выращивания.

Напряжённые квантово-размерные гетероструктуры предоставляют широкие возможности для улучшения характеристик оптоалектронных приборов. Под действием напряжения и квантово-размерного эффекта энергетические зоны полупроводников в слоях таких гетероструктур претерпевают значительные изменения. В результате, например, в лазерных диодах снижается пороговая плотность тока, повышается дифференциальная квантовая эффективность и максимальная мощность излучения, уменьшается температурная чувствительность приборных характеристик. Правильный выбор условий эпитаксиального роста и напряжений в слоях гетероструктур обеспечивают высокий уровень параметров и надёжную работу приборов.

Одним из современных методов выращивания тонких плёнок является эпитаксия из металлорганических и гидридных источников (МОС-гидридная эпитаксия). МОС-гидридная эпитаксия обеспечивает точный контроль скорости роста, состава плёнок, а также возможность осаждения разных по составу слоёв с резкими гетерограницами. Благодаря этому напряжённые плёнки могут быть псевдоморфно выращены с величиной упругой деформации кристаллической решётки до нескольких процентов и толщиной в единицы молекулярных слоёв. Кроме того, этот метод позволяет осаждать однородные по составу и толщине эпитаксиальные плёнки на большой площади загрузки, что делает его очень привлекательным для промышленного производства оптоалектронных приборов.

МОС-гидридная эпитаксия напряженных квантово-размерных структур и сверхрешеток (СР) в системе 1пСаАзР/1пР интенсивно исследовалась в последнее время. Большая часть работ в этой области посвящена изучению свойств напряжённых гетероструктур и порога релаксации напряжений. Однако, данные по исследованию влияния условий МОС-гидридной эпитаксии и состава (величины деформации) слоёв напряженных гетероструктур на их свойства в литературе практически отсутствуют или остаются весьма ограниченными. В настоящий момент, также, трудно подобрать модель эпитаксиального роста, которая связала бы условия эпитаксии с качеством напряжённых квантово-размерных гетероструктур.

Таким образом, данная работа, посвящённая исследованию напряжённых квантово-размерных гетероструктур и условий их выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии, является актуальной как с научной, так и с практической точки зрения.

Цель работы заключалась в нахождении оптимальных режимов МОС-гидридной эпитаксии напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе 1пСаАзР/1пР и оптимизации величины напряжения в слоях этих гетероструктур для применений в полупроводниковых лазерах. Для этого необходимо было решить следующие основные задачи:

- на основе расчётов выбрать составы слоёв напряжённых квантово-размерных гетероструктур наиболее подходящие для полупроводниковых лазеров, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм;

- экспериментально исследовать влияние условий МОС-гидридной эпитаксии на свойства напряжённых квантово-размерных гетероструктур и определить оптимальные условия роста для получения высокого оптического и кристаллографического качества;

- теоретически определить границы оптимальных условий роста и сопоставить их с экспериментальными данными;

- экспериментально исследовать влияние величины напряжений в слоях гетероструктур на их свойства и определить оптимальные значения напряжений; опробовать оптимальным образом сконструированные напряженные квантово-размерные гетероструктуры, выращенные при оптимальных условиях, в полупроводниковых лазерах, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм.

Научная новизна и практическая ценность работы заключаются в том, что в ней впервые исследовано влияние температуры роста и отношения потоков У/Ш на свойства напряжённых квантово-размерных структур на основе различных тройных и четверных соединений: InxiGai-xiAs/In^Gai ^As/InP (1), InASyPi-y/In(GaAs)P (2) и InxjGai-xiAsyiPbyi/In^Ga^As^Pi-ya/InP (3). Анализ результатов диагностики структур методом оптической микроскопии, фотолюминесценции (ФЛ), рентгеновской дифракции (РД) и другими методами позволил найти оптимальные значения температуры роста и отношения потоков V/III. которые обеспечили высокое оптическое и кристаллографическое качество структур. С помощью термодинамического приближения трёхфазного равновесия на примере структур (2) и (3) установлены границы оптимальных режимов роста, определявшиеся возникновением жидкой фазы элемента III группы на поверхности напряжённого слоя в процессе его эпитаксиапьного выращивания. На базе экспериментальных данных о росте структуры (2) впервые проведено сравнение горизонтального реактора прямоугольного сечения и вертикального реактора с быстро вращающимся диском. Показано, что эффективное разложение фосфина в горизонтальном реакторе обеспечивает успешный рост при повышенных температурах (640 - 690°С). Впервые исследовано качество многослойных квантово-размерных структур (1) и (3) в зависимости от величины напряжения растяжения в барьерах. Увеличение деформации кристаллической решётки барьеров от 0 до - 2.3% позволило улучшить качество структуры (1), выращенной при пониженных температурах (590 - 605°С), и расширить, таким образом, диапазон оптимальных температур роста на 30°С. Максимально допустимая величина напряжения растяжения в барьерах структуры (3) - О. 5% найдена при напряжении сжатия в квантовой яме (КЯ) + 1.1%. Без релаксации напряжения с образованием дефектов количество КЯ увеличило от 5 в структурах с изопериодичными барьерами до 9 в структурах с барьерами с напряжением растяжения - 0.5%. Показано, что найденные в рамках данной работы оптимальные условия роста и величины напряжений могут быть использованы при создании полупроводниковых лазеров с улучшенными характеристиками, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Сужение спектров низкотемпературной ФЛ и увеличение интенсивности сателлитных пиков РД в образцах квантово-размерных InxiGalxlAs/!nP структур с напряжением сжатия + 1.2% наблюдается при использовании твёрдо!чз раствора In^Ga^As с напряжением растяжения от О до - 2.3% в качестве промежуточного слоя между InxiGai X|As КЯ и InP барьером, а также в качестве барьера многослойной структуры In^Gai^As/In^Gai^As/InF. Наиболее узкие спектры низкотемпературной ФЛ (около 4 мэВ) получены от многослойных структур (4 периода) с концентрацией Ga в барьере х2 = 0.7. Улучшение качества структур особенно значительно при пониженных температурах эпитаксии от 590 и 605°С.

2. Для достижения высокого кристаллического и оптического качества напряжённых квантово-размерных структур InAsP/InP минимальное отношение потоков V/III возрастает более чем в 6 раз при увеличении температуры роста от 6Ю°С до 650°С. При более высоких температурах 650-670°С, необходимых для роста барьерных слоёв четверного твёрдого раствора InGaAsP, достижение высокого совершенства структур возможно при экстремально высоком отношении потоков V/III (более 1000), и при использовании реактора с высокой эффективностью разложения фосфина.

3. Люминесцентные и структурные характеристики InAsyPiy/InP и InxGalxAsyPi-y/Ino.85Gao.i5Aso.3Po.7 КЯ, выращиваемых при температурах 650-670°С, ухудшаются при увеличении напряжения сжатия в КЯ более 0.5 и 1.1%, соответственно. Предельное напряжение растяжения в барьере IiîxiGai-xiAsyiPi-yi/InjûGai-jaASj^Pi-ja структур с напряжением сжатия в КЯ 1.1%, выращиваемых при тех же условиях, составляет - 0.5%. На основе термодинамического анализа установлено, что деградация структр связана с формированием жидкой фазы элемента третьей группы на поверхности напряжённых слоёв в процессе их роста.

В ходе работы над диссертацией получено авторское свидетельство, результаты диссертации докладывались на международных конференциях Materials Research Society 1996 Fall Meeting (США, 1996 г.) и Second Optoelectronics and Communications Conference (OECC'97) (P. Корея, 1997 г.), и опубликованы в следующих работах:

1. Голикова Е. Г., Горбылёв В. А., Дураев В. А., Лабутин О. А., Чельный А. А., Швейкин В. И., Авторское свидетельство на изобретение No 312529, 1988.

2. Голикова Е. Г., Дураев В. П., Козиков С. А., Кригель В. Г., Лабутин О. А., Швейкин В. И., Квантовая электроника т. 22, No 2, стр. 1, 1995.

3. Деноткин В. Л., Копылов С. М., Кригель В. Г., Лабутин О. А., Тарасов А. В., ФТГ1, т. 29, вып. 7, стр. 1329, 1995.

4. О. Laboutine, A. Choo, S. Kim, N. Kim, H. Park, Y. Park, T. Kim, MRS 1996 Fall Meeting, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 441, p. 113, 1997. 5

5. О. Laboutine, A. Choo, S. Kim, N. Kim, H. Park, Y. Park, T. Kim, J. Crystal Growth vol. 178, p. 431,1997.

6. S. H. Kim, 0. A. Laboutine, J. K. Ji, Y. C. Keh, H. S. Kim, Y. K. Oh, A. G. Choo, T. I. Kim, Second Optoelectronics and Communications Conference (OECC'97), Seoul, Korea, Technical Digest, p. 9C2-4,1997.

7. G. Choo, N. H. Kim, S. H. Kim, 0. A. Laboutine, J. S. Jee, B. S. Bang,, J. S. Yu, A., D. S. Shin, T. I. Kim, Second Optoelectronics and Communications Conference (OECC'97), Seoul, Korea, Technical Digest, p. 9C1-5, 1997.

Содержание и выводы работы изложены в пяти главах и заключении. В первой главе представлен обзор работ, посвящённых МОС-гидридной эпитаксии и свойствам напряжённых квантово-размерных структур на основе InGaAsP/InP. Во второй главе описаны МОС-гидридное оборудование, с помощью которого выращивались экспериментальные образцы гетероструктур, диагностическое оборудование для их исследования и экспериментальная процедура роста. Третья глава включает в себя теоретические расчёты энергии основного перехода в напряжённой КЯ и её критической толщины, определившие выбор геометрии и составов исследуемых структур. В четвёртой главе описаны результаты оптимизации условий МОС-гидридной эпитаксии и напряжений в гетероструктур ах на основе различных тройных и четверных соединений: InGaAs/In(GaAs)P, InAsP/In(GaAs)P и InGaAsP/InGaAsP. Проведено сравнение реакторов разной конструкции на примере роста напряжённых InAsP/In{GaAs)P КЯ. С помощью термодинамического подхода проанализированы результаты экспериментов. В пятой главе представлены результаты опробации оптимизированных в ходе работы структур в полупроводниковых лазерах, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм. В заключении приведены основные результаты и выводы диссертации.

 
Заключение диссертации по теме "Физика полупроводников"

Основные результаты и выводы диссертации:

1. Рассчитаны длины волн излучения основного перехода и критические толщины напряжённых КЯ на основе InGaAsP/InP. Определены составы и толщины напряжённых КЯ, которые представляют интерес для применения в полупроводниковых лазерах, излучающих на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм.

2. Исследованы эпитаксиальный рост и свойства напряжённых Gax,Ini-XlAs/In(GaAs}P КЯ. Ширина линии ФЛ при 5К КЯ почти не зависела от знака и величины деформации кристаллической решётки в диапазоне от - 1% (напряжение растяжения) до 1.2% (напряжение сжатия). КЯ высокого качества получены при температурах эпитаксии 620-650°С.

3. Для расширения диапазона температур эпитаксии напряжённых КЯ предложено использование промежуточного слоя GaX2Ini-X2As с высокой концентрацией Ga х2 в структуруре типа GaX]Ini-XlAs/GaX2Ini X2As/InP, где GaXllnb XjAs КЯ находилась в напряжении сжатия, а окружающие слои GaX2IniX2As - в напряжении растяжения. Установлено, что увеличение концентрации Ga в окружающих слоях и увеличение числа пар слоев в многослойной структуре приводит к сужению спектра ФЛ при 5К от 24 до 5 мэВ. Показано, что диапазон температур совершенного роста таких напряжённых КЯ может быть расширен в область низких температур до 590°С.

4. В широком диапазоне температур осаждения и отношений потоков V/III исследован эпитаксиальный рост и свойства напряжённых InASyPly/InP КЯ. Узкие спектры ФЛ при 300К, планарные гетерограницы и поверхности напряжённых структур продемонстрированы при низких температурах эпитаксии и высоких отношениях потоков V/III.

5. На примере напряжённых квантовых ям InAso.45Po.55/Gao.i6lno.84Aso.3Pa7 проведено сравнение двух типов реакторов: горизонтального с прямоугольным сечением и вертикального с быстро вращающимся диском. Установлено, что эффективность разложения РН3 была в два-три раза выше в горизонтальном реакторе чем в вертикальном, что обеспечивало рост КЯ высокого совершенства при меньших входных парциальных давлениях фосфина.

6. Оптимизированы условия роста и напряжения в слоях квантово-размерных структур GaXlIni-XlAsyPi-y/GaX2InX2Aso.3Po.7. Оптимальная температура эпитаксии была в диапазоне 670-690°С при отношении потоков V/III = 400. Продемонстрировано, что встраивание напряжения растяжения в барьеры

GaX2InX2Aso.3Po.7 увеличивает стабильность многослойной структуры при высокотемпературном отжиге. Увеличение напряжения сжатия в яме более 1.1% и напряжения растяжения в барьере более - 0.5% ухудшает оптическое и кристаллическое качество структуры.

7. Проведён термодинамический анализ МОС-гидридной эпитаксии напряжённых квантово-размерных структур в системе GalnAsP/InP на основе рассмотрения равновесия трёх фаз на поверхности роста. Рассчитаны границы нестабильности роста из-за формирования жидкой фазы на поверхности напряжённых слоёв в процессе эпитаксии. Показано, что в экспериментальных условиях данной работы ухудшение качества InASyPiy/InP КЯ при высоких температурах эпитаксии и низких отношениях потоков V/III, а также многослойных структур GaXlIni-XlASyPi-y/GaX2InX2Aso.3Po.7 при высоких напряжениях в КЯ и барьере, связано с образованием жидкой фазы.

8. Напряжённые квантово-размерные структуры GaXlIni-XlASyPi-y/GaX2InX2Aso.3Po.7 и GaXlIni-XlAs/Gao.23lno.77Aso.5Po.5 были использованы при создании полупроводниковых лазеров, излучавших на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм. Продемонстрированы характеристики лазерных диодов на уровне лучших результатов, известных из литературы. Таким образом подтверждено высокое совершенство напряжённых квантово-размерных структур, оптимизированных в рамках данной работы.

В заключение считаю приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя профессора П. С. Копьёва за постоянный интерес к работе и неоценимую помощь. Особую благодарность хочу выразить руководителю группы молекулярно-пучковой эпитаксии кандидату физ.-мат. наук С. В. Иванову за невероятную моральную поддержку и помощь в ходе работы над диссертацией. Искреннюю признательность хотел бы выразить техническому консультанту компании Samsung Electro-Mechanics доктору техн. наук Г. Т. Паку за полезные и результативные дискуссии на протяжении всей работы.

Также хочу поблагодарить моих коллег в ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Институте передовых технологий компании Samsung Electronics и НИИ"Полюс" за дружескую поддержку и помощь.

Заключение.

 
Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Лабутин, Олег Анатольевич, Санкт-Петербург

1. R. Didchenko, J. Е. Alix and R. H. Toeniskoetter, J. Inorg. Nucl. Chem. vol. 14, p.35, 1960.

2. H. M. Manasevit, Appl. Phys. Lett. vol. 12, p. 156,1968.

3. H. M. Manasevit, J. Electrochem. Soc. vol. 118, p. 647, 1971.

4. H. M. Manasevit, F. M. Erdmann and W. I. Simpson, J. Electrochem. Soc. vol. 118, p. 1864, 1971.

5. A. K. Chatteijee, M.M. Faktor, R. H. Moss and E. A. D. White, J. Physique v. 43, C5 491,1982.

6. M.J. Ludowise, С. B. Cooper, and R. R. Saxena, J. Electron. Mater, v. 10, p. 1051, 1981.

7. С. C. Hsu, R. M. Cohen, and G. B. Stringfellow, J. Crystal Growth v. 64, p. 8, 1983.

8. J. P. Duchemin, M. Bonnet, G. Beuchet, F. Koelsch, Proc. 7th Intern. Symp. On GaAs and Related Compaunds, St. Louis, 1978, Inst. Phys. Conf. Ser. 45, Ed. С. M. Wolfe (Inst. Phys., London -Bristol, 1979), pp. 10- 18.

9. M. Mpaskoutas, C. Morhaim, J. N. Patillon and J. P. Andre, J. Crystal Growth vol. 107, p. 192, 1991.

10. S. J. Bass, C. Peckering, and M. L. Young, J. Crystal Growth v. 64, p. 68, 1983.

11. H.A. Mircea, J. Electron. Mater, v. 13, p. 603, 1984.

12. R. H. Moss and J. S. Evans, J. Crystal Growth v. 55, p. 129, 1981.

13. K. Eguchi, Y. Ohba, M. Kushibe, M. Funamizu, and T. Nakanisi, J. Crystal Growth vol. 93, pp. 88 -92, 1988.

14. O. Aina, M. Mattingly, S. Steinhauser, R Mariella, Jr., A. Melas, J. Crystal Growth vol. 92, pp. 215 -221, 1988.

15. R. Meyer, D. Grutzmacher, H. Jurgensen, and P. Balk, J. Crystal Growth vol. 93, pp. 285 291, 1988.

16. C. G. Cureton, E. J. Thrush, and A. T. R. Briggs, J. Crystal Growth vol. 107, p. 549, 1991.

17. A. Mircea, A. Ougazzaden, P. Daste, Y. Gao, C. Kazmierski, J. C. Bouley, and A. Carenco, J. Crystal Growth vol. 93, pp. 235 241, 1988.

18. A. W. Nelson, P. C. Spurdens, S. Cole, R. H. Walling, R. H. Moss, S. Wong, M. J. Harding, D. M. Cooper, W. J. Devlin and M. J. Robertson, J. Crystal Growth v. 93, pp. 792 802, 1982.

19. R. S. Sillmon, N. Bottka, J. E. Butler, and D. K. Gaskill, J. Crystal Growth vol. 77, pp. 73 78, 1986.

20. H. Haspeklo and V. König, J. Crystal Growth vol. 77, pp.73 78, 1986.

21. Y. Miyamoto, K. Vesaka, M. Takadon, K. Furuya, and Y. Suematsu, J. Crystal Growth v. 93, pp. 353 -358, 1988.

22. C. R. Biber, С. A. Wang and S. Motakef, J. Crystal Growth vol. 123, p. 545, 1992.

23. E. J. Thrush, C. G. Cureton and A. T. R. Briggs, J. Crystal Growth vol. 93, p. 870, 1988.

24. E. O. Einset, K. F. Jensen and C. R. Kleijn, J. Crystal Growth vol. 132, p. 483, 1993.

25. K. Matsumoto, K. Itoh, T. Tabuchi and R. Tsunoda, J. Crystal Growth vol. 77, pp. 151 156, 1986.

26. M. Komo, S. Yamazaki, M. Sugawara, H. Okuda, K. Kato, and K. Nakajima, J. Crystal Growth vol. 93, pp. 376-381, 1988.

27. M. Ihikawa, I. J. Murgatroyd, T. Ijichi, N. Matsumoto, A. Nakai, and S. Kashiwa, J. Crystal Growth vol. 93, pp. 370-375, 1988

28. P. J. A. Thijs, T. van Dongen, P. I. Kuindersma, J. J. M. Binsrna, L. F. Tiemeyer, J. M. Lagemaat, D. Moroni, and W. Nijman, J. Crystal Growth vol. 93, pp. 863 869, 1988.

29. G. Landgren, P. Ojala, and O. Eksrom, J. Crystal Growth vol. 107, p. 573, 1991.

30. P. S. Spurdens, M. R. Taylor, M. Hockly, and Y. J. Yates, J. Crystal Growth v. 107, p. 215 220, 1991.

31. J. Hergeth, D. Grutzmacher, F. Reinhardt, and P. Bulk, J. Crystal Growth v. 107, pp. 537 542, 1991.

32. K. Streubel, J. Wallin, M. Amotti, andG. Landgren, J. Crystal Growth v. 124, pp. 541 546, 1992.

33. H. Kamei and H. Hayashi, J. Crystal Growth vol. 107, p. 567, 1991.

34. J. P. Wittgreffe, M. J. Yates, S. D. Perrin, and P. C. Spurdens, J. Crystal Growth vol. 130, pp. 51 -58, 1993.

35. R. Bhat, M. A. Koza, D. M. Hwang, K. Kash, C. Canean, and R. E. Nahory, J. Crystal Growth vol. 110, pp. 353-362, 1991.

36. R. Clawson, C. M. Hanson, J. Electronic Materials vol. 25, No 4, p. 739, 1996.

37. D. T. Emerson and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. vol. 69 (3), 383, 19%.

38. W. Seifert, N. Carlsson, M. E. Pistol, L. Samuelson, J. Crystal Growth vol. 145, p. 758, 1994.

39. R. E. Cavicci, D. V. Lang, D. Gershoni, A. M. Sergent, J. M. Vandenberg, S. N. G. Chu, and M. B. Panish, Appl. Phys. Lett. v. 54, No 8, p. 739, 1988.

40. C. Lugand, T. Benyattou, G. Guillot, T. Venet, M. Gendry, G. Hollinger and B. Sermage, Appl. Phys. Lett. v. 70, No 24, p. 3257, 1997.

41. T. Y. Wang and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. vol. 67, No 1, pp. 344 352, 1990.

42. V. Härle, H. Bolay, E. Lux, P. Michler, A. Moritz, T. Former, A. Hangleiter, and F. Scholz, J. Appl. Phys. vol. 75 (10), p. 5067, 1994.

43. M. Yamamoto, M. Oishi, H. Sudo, J. Nakano, and N. Tsuzuki, J. Crystal Growth vol. 107, pp. 796 -801, 1991.

44. T. Tsuchiya, M. Komori, R. Tsuneta, H. Kakibayashi, J. Crystal Growth vol. 145, pp. 371 375,1994.

45. U. Baugert, A. J.Harvey, C. Dieker, and H. Hardtdegen, J. Crystal Growth vol. 152, pp. 115 126,1995.

46. A. Kasukawa, T. Namegaya, T. Fukushima, N. Iwai, and T. Kikuta, IEEE J. Quantum Electronics vol.29, No 6, 1528, 1993.

47. Y. Imajo, A. Kasukawa, T. Namegaya, T. Kikuta, Appl. Phys. Lett. vol. 61 (21), p. 2506, 1992.

48. M. Yamamoto, N. Yamamoto and J. Nakano, IEEE J. Quantum Electronics vol. 30, No 2, p. 554, 1994.

49. R. P. Schneider, Jr. and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. v. 54, No 12, p. 1142 1144, 1989.

50. C. A. Tran, J. T. Graham, J. L. Brebner and R. A. Masut, J. Electron. Mater, v. 23, No 12, p. 1291, 1994.

51. D.J. Tweet, H. Matsuhata, R. Shioda, H. Oyanagi, and H. Kamei, Appl. Phys. Lett. vol. 67, No 9, p. 1286, 1995.

52. G. Patriarche, A. Ougazzaden and F. Glas, J. Appl. Phys. Lett. vol. 69 (15), p. 2279,1996.

53. A. Mathur, P. Grodzinski, J. S. Osinski, and P. D. Dapkus, J. Crystal Growth vol. 124, pp. 730 736, 1992.

54. A. Mircea, A. Ougazzaden, G. Primot, and C. Kazmierski, J. Crystal Growth vol. 124, pp. 737 740, 1992.

55. S. D. Perrin, C. P. Seltzer and P. C. Spurdens, J. Electron. Mater, vol. 23, No 2, p. 81, 1994.

56. K. Streubel, J. Wallin, G. Landgren, U. Ohlander, S. Lourdudess and O. Kjebon, J. Crystal Growth vol. 143, p. 7, 1994.

57. T. Takiguchi, K. Goto, M. Takemi, A. Takemoto, T. Aoyagi, H. Watanabe, Y. Mihashi, S. Takamia, and S. Mitsui, J. Crystal Growth vol. 145, pp. 892 897, 1994.

58. R. W. Glew, K. Scarrott, A. T. R. Briggs, A. D. Smith, V. A. Wilkinson, X. Zhou, and M. Silver, J. Crystal Growth vol. 145, pp. 764 770,1994.

59. C. SilfVenius, B. Stalnacke, G. Landgren, J. Crystal Growth vol. 170, p. 122 126,1997.

60. J. W.Mattews and A. E. Blakeslee, J. Crystal Growth, vol. 27, pp. 118- 125, 1974.

61. G. L. Price, Phys. Rev. Lett. vol. 66, No 4, p.469, 1994.

62. S. M. Wang, T. G. Andersson, and M. J. Ekenstedt, Appl. Phys. Lett. vol. 61 (26), p. 3138, 1992.

63. D. C. Houghton, M. Davies and M. Dion, Appl. Phys. Lett. vol. 64, No 4, p.505, 1994.

64. U. Baugert, A. J.Harvey, C. Dieker, H. Hardtdegen, L. Vescan, A. Smith, J. Appl. Phys. vol. 78 (2), pp. 811 -816, 1995.

65. J. Tersoff and F. K. LeGoues, Phys. Rev. Lett., vol. 72, No 22, p. 3570, 1994.

66. K. Mukai, M. Sugawara, S. Yamazaki, J. Crystal Growth vol. 145, pp. 752 757, 1994.

67. Y. Kobayashi and N. Kobayashi, J. Crystal Growth vol. 145, pp. 17 21, 1994.

68. K. Uomi, T. Tsuchiya, M. Komori, A. Oka, T. Kawano and A. Oishi, IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron, vol. 1, No 2, p. 203, 1995.

69. P. J. A. Thijs, L. F. Tiemeijer, J. J. M. Binsma, and T. van Dongen, IEEE J. Quantum Electron, vol. 30, No 2, p. 477, 1994.

70. M. Kito, N. Otsuka, M. Ishino and Y. Malsui, IEEE J. Quantum Electron, vol. 32, No 1, p. 38, 1996.

71. S. Seki, H. Oohashi, H. Sugiura, T. Hirono and K. Yokoyama, J. Quantum Electron, vol. 32, No 8, p.1478, 1996.

72. H. Temkin, D. Cobbentz, R. A. Logan, J. P. van der Ziel, Т. Tanbun Eh, R. D. Yadvish, and A. M. Sergent, J. Appl. Phys. Lett. vol. 82 (19), p. 2402, 1993.

73. T. Namegaya, N. Matsumoto, N. Yamanaka, N. Iwai, H. Nakayama and A. Kasukawa, IEEE J. Quantum Electron, vol. 30, No. 2, p. 578,1994.

74. M. Resenzweig, W. Ebert, D. Franke, N. Grote, В. Sartorius, and P. Felfram, J. Crystal Growth vol. 107, pp. 802-805, 1991.

75. N. Carr, J. Thomson, A. K. Wood, R. M. Ash, D. J. Robbins, A. J. Moseley and T. Reid, J. Crystal Growth vol. 124, p. 723, 1992.

76. A. Ougazzaden, A. Mircea and C. Kazmierski, Electron. Lett. vol. 31, No 10, p. 803, 1996.

77. C. P. Seltzer, S. D. Perrin, M. J. Harlow, R. Studd, and P. C. Spurdens, Electron. Lett. vol. 30, No3, p. 227, 1995.

78. C. G. Van de Walle and R. M. Martin, Phys. Rev. vol. В 34, p. 5621,1986.

79. T. Y. Wang, A. W. Kimball, G. S. Chen, D. Birkedal, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. vol. 68, No. 7, p. 3356,1990.

80. S. Adachi, J. Appl. Phys. vol. 53, No. 12, p. 8775, 1982.

81. G. Bastard and J. A. Brum, IEEE 3. Quantum Electronics vol. 22, No 9, pp. 1625 1644, 1986.

82. H. Kamai, K. Kaneko, and N. Watanabe, J. Appl. Phys vol. 56, No 2, pp. 463 467,1984.

83. M. B. Panish, H. Temkin, R. A. Hamm and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. vol. 49, p. 164, 1986.

84. H. Kawai, J. Appl. Phys. vol. 66, No. 4, p. 1739, 1989.

85. B. Mroziewicz, M. Bugajski and W. Nakwaski, Physics of Semiconductor Lasers, p. 189, North -Holland, 1991.

86. K. Streubel, J. Wallin, M. Amiotti, and G. Landgren, J. Crystal Growth vol. 124, pp. 541 546, 1992.

87. N. Agrawal, D. Franke, N. Grote, F. W. Reier, J. Crystal Growth vol. 124, pp. 610 615,1992.

88. J. Singh and К. K. Bajaj, J. Appl. Phys. vol. 57, Nol2, p. 5433, 1985.

89. G. B. Stringfellow, "Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice", p. 95, Academic Press, 1989.

90. ЭО.Горбылёв В. А., Залевский И. Д. Козиков С. А., Кригель В. Г., Чельный А. А., Тез. Докл. VIII Симпозиума по растровой электронной спектроскопии и аналитическим методам исследования твёрдых тел, Черноголовка, 1993 г., с. 78.

91. Деноткин В. Л., Копылов С. М., Кригель В. Г., Лабутин О. А., Тарасов А. В., Тез. Докл. XV Российской конф. по электронной микроскопии, Черноголовка, 1994 г.

92. Голикова Е. Г., Дураев В. П., Козиков С. А., Кригель В. Г., Лабутин О. А., Швейкин В. И., Квантовая электроника т. 22, No 2, стр. 1, 1995.

93. Деноткин В. JI., Копылов С. М., Кригель В. Г., Лабутин О. А., Тарасов А. В.,

94. ФТП, т. 29. выи. 7. стр. 1329, 1995. 94.0. Laboutine, A. Choo, S. Kim, N. Kim, Н. Park, Y. Park, Т. Kim, J. Crystal Growth vol. 178, p. 431, 1997.

95. M. Nacano, H. Oohashi, T. Hirono, H. Kamada, and H. Sugiura, J. Appl. Phys. v. 88, p. 3462, 1995.

96. G. Choo, N. H. Kim, S. H. Kim, O. A. Laboutine, J. S. Jee, B. S. Bang,, J. S. Yu, A., D. S. Shin, Т. I. Kim, Second Optoelectronics and Communications Conference (OECC'97), Seoul, Korea, Technical Digest, p. 9C1-5, 1997.

97. S. Yu. Karpov, Yu. V. Kovalchuk, V. E. Myachin and Yu. V. Pogorelskii, J. Crystal Growth vol. 129, p. 563, 1993.

98. P. S. Kop'ev, N. N. Lcdentsov, Soviet Phys. Semicond., vol. 22, p. 1093, 1988.

99. G. B. Stringfellow, J. Crystal Growth vol. 62, p. 225, 1983.

100. H. Seki, A. Koukitu, J. Crystal Growth vol. 74, p. 172, 1986.

101. F. Turco, J. C. Guillaume, and J. Massies, J. Crystal Growth vol. 88, pp. 282 290,1988.

102. F. A. Kroger "The chemistry of Imperfect Crystals", (North Holland, Amsterdam, 1964).

103. S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, J. Crystal Growth vol. 111, p. 151, 1991.

104. D. T. J. Hurle, J. Phys. Chem. Solids, v. 40, p. 613, 1979.

105. I. Barin and O. Knacke, Thermochemical Properties of Inorganic Substances, Springer, Berlin, 1973.

106. D. W. Shaw, J. Phys. Chem. Solids, v. 36, p. 111, 1975.

107. А. Стрельченко, С. Лебедев, "Соединения AmBv", Москва, 1982.

108. М. Harrous, L. Chaput, A. Bendraoui, M. Cadoret, C. Pariset and R. Cadoret, J. Crystal Growth vol. 92, pp. 423-431, 1988.

109. V. S. Bans and M. Ettenberg, J. Phys. Chem. Solids, vol. 34, p. 1119, 1973.

110. K. Tillmann, D. Gerthsen, P. Pfundstein, A. Foster, and K. Urban, J. Appl. Phys. vol. 78, p. 3824, 1995.

111. Голикова E. Г., Горбылёв В. А., Дураев В. А., Лабутин О. А., Чельный А. А., Швейкин В. И., Авторское свидетельство на изобретение No 312529, 1988.

112. S. Н. Kim, О. A. Laboutine, J. К. Ii, Y. С. Keh, Н. S. Kim, Y. К. Oh, A. G. Choo, Т. I. Kim, Second Optoelectronics and Communications Conference (OECC'97), Seoul, Korea, Technical Digest, p. 9C2-4, 1997.

113. A. R. Clawson and С. M. Hanson, J. Electron. Mater, vol. 25, p. 739,1995.