Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава I. Краткий литературный обзор по исследованию висмута и сплавов висмут-сурьма.

1.1. Кристаллическая структура висмута и сплавов висмут-сурьма.

1.2. Зона Бриллюэна и энергетический спектр висмута.

1.3. Поверхность Ферми носителей заряда в висмуте и дополнительные экстремумы в валентной зоне.

1.4. Перестройка энергетического спектра сплавов висмут-сурьма при изменении состава.

1.5. Законы дисперсии носителей заряда в висмуте и сплавах висмут-сурьма.

1.5.1. Закон дисперсии носителей заряда в точках L ЗБ.

1.5.2. Закон дисперсии носителей заряда в точках Т ЗБ.

1.6. Исследование сплавов висмут-сурьма с помощью явлений переноса в температурном интервале 4+80 К.

1.7. Фононный спектр и теплоёмкость висмута.

Глава II. Некоторые вопросы теории явлений переноса.

2.1. Феноменологическая теория явлений переноса в кристаллах типа висмута.

2.2. Электронная теория явлений переноса в кристаллах типа висмута.

2.3. Методы определения эффективной массы плотности состояний электронов (дырок).

2.4. Механизмы рассеяния носителей заряда в твердых телах.

2.4.1. Рассеяние носителей заряда на ионах примеси.

2.4.2. Рассеяние носителей заряда на акустических фононах.

2.4.3. Рассеяние носителей заряда на нейтральной примеси.

2.4.4. Рассеяние на точечных дефектах.

2.5. Фононная теплопроводность и механизмы релаксации фононов.

Глава III. Методика эксперимента.

3.1. Технология выращивания монокристаллических слитков сплавов на основе висмута и приготовление образцов.

3.2. Прибор для исследования явлений переноса при низких температурах.

3.3. Измерительная схема.

3.4. Гальваномагнитные измерения.

3.5. Термоэлектрические и термомагнитные измерения.

3.6. Измерение теплопроводности и температуры.

Глава IV. Экспериментальные результаты и их обсуждение.

4.1. Гальваномагнитные явления.

4.2. Фононная теплопроводность висмута слаболегированного донорной примесью теллура при Т<30 К.

4.3. Фононная теплопроводность сплавов BiixSbx (0.01<х<0.17) при Т<20 К.

4.4. Фононная теплопроводность сплавов BiixSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К.

4.5. Фононная термоэдс Bi слаболегированного Те при Т<30 К.

4.6. Электрон-фононное увлечение в сплавах Bii-xSbxTe (0.13<х<0.15).

4.7. Влияние классически сильного магнитного поля на термоэдс фононного увлечения в полупроводниковых сплавах Bi-Sb.

4.8.Термоэлектрическая добротность сплавов висмут-сурьма.

Висмут и его бинарные сплавы с сурьмой являются наиболее типичными представителями полуметаллов и узкозонных полупроводников. Уникальные физические свойства, связанные с особенностями энергетического спектра носителей заряда и возможностью его плавной перестройки, обуславливают практический интерес к изучению этих материалов.

Сплавы Bix-xSbx с ростом концентрации сурьмы переходят из полуметаллического состояния (0<х<0.07) в полупроводниковое (0.07<х<0.22). Малые характерные энергии и эффективные массы плотности состояний носителей заряда в зоне проводимости и валентной зоне висмута и сплавов Bi-Sb позволяют при легировании их электрически активными примесями значительно смещать по энергии уровень Ферми, что позволяет менять вклады актуальных энергетических экстремумов в явления переноса. Эти факторы обуславливают необычную чувствительность висмута и его сплавов к внешним воздействиям: изменению температуры, давления, магнитного и электрического полей и т.д. При этом представляет практический интерес исследование механизмов рассеяния носителей заряда и фононов в сплавах со сложным энергетическим и фононным спектром, что является фундаментальной проблемой физики Bi и сплавов Bi-Sb.

Одним из наиболее широко применяющихся методов воздействия на свойства висмута и его сплавов висмут-сурьма является легирование активной примесью, которое позволяет изучать зонную структуру в широком энергетическом интервале и оптимизировать параметры чувствительных элементов приборов. Висмут и его сплавы с сурьмой находят практическое применение в качестве чувствительных болометров, тензометров и измерителей магнитных полей, а также используются для создания рабочих элементов термоэлектрических и анизотропных преобразователей энергии. Сплавы висмут-сурьма n-типа дают высокое значение термоэлектрической добротности для n-ветви в интервале температур 40<Т<130 К.

Экспериментальному исследованию явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма способствует технологичность материала: низкие температуры плавления, хорошо отработанные методы очистки от примесей и выращивания совершенных монокристаллов.

Важность и фундаментальность проблемы физики Bi и сплавов Bi-Sb и определяют актуальность темы диссертационной работы как с научной, так и с практической точки зрения.

Целью диссертационной работы являлось изучение взаимодействия электронов и фононов при низких температурах в сплавах на основе висмута методом совместного анализа явлений теплопроводности и термоэдс. Для этого были решены следующие основные задачи:

1. В висмуте два сорта носителей электроны и дырки, поэтому представляет интерес исследование влияния раскомпенсации системы носителей заряда на величину и характер температурных зависимостей фононной составляющей термоэдс и фононной теплопроводности электронного висмута.

2. Выяснение влияния перенормировки времени релаксации фононов N-процессами на температурные зависимости фононной теплопроводности и термоэдс висмута слабо легированного теллуром при Т<30 К.

3. Проведение совместного анализа температурных зависимостей фононной теплопроводности и фононной термоэдс сплавов на основе висмута в зависимости от концентрации примесных электронов.

4. Определение термоэлектрической добротности сплавов Bi-Sb для п-ветви.

Объектамиисследования являлись монокристаллы Bi слаболегированного электрически активной примесью теллура (с концентрацией теллура до 0.2 ат%) и сплавы Bi]xSbx состава 0<х<0.19 как чистые, так и легированные донорными (Те) и акцепторными (Sn) примесями. Легирование контролируемой примесью полупроводниковых сплавов Bi-Sb приводило к увеличению концентрации носителей заряда от = 1014 см"3 до =1019 см"3, а в Bi от 3-Ю17 см"3 до ^1019 см"3. Используя современные методы выращивания, были приготовлены монокристаллические слитки сплавов заданного состава, из которых вырезались электроэрозионным способом образцы с гранями, ориентированными вдоль основных кристаллографических осей (С\, С2, Сз).

В работе использовался метод комплексного исследования анизотропных свойств сплавов с помощью измерения кинетических явлении переноса заряда и тепла: электрических и гальваномагнитных (на постоянном токе в стационарных магнитных полях), теплопроводности, термоэлектрических и термомагнитных эффектов (при стационарном тепловом потоке и в постоянных магнитных полях) в широком интервале температур и магнитных полей. Висмут (в природе состоит из одного стабильного изотопа 209Bi) и сплавы Bi-Sb являются хорошими объектами для исследования закономерностей фононной теплопроводности в зависимости от концентрации изовалентной примеси сурьмы, температуры и концентрации примесных носителей заряда.

Научная новизна работы заключается в том, что впервые проведен совместный комплексный анализ явлений переноса электронов и фононов на кристаллах Bi-Te и кристаллах сплавов Bii-xSbx в широких интервалах Щ легирования как изовалентной Sb (0<х<0.15), так и электрически активной примесью Те до 0.3 ат%. Из совместного анализа температурных зависимостей фононной теплопроводности и фононной термоэдс установлены концентрационные рамки двухступенчатого и одноступенчатого эффектов увлечения электронов фононами в кристаллах Bi-Te, а также наличие неполного одноступенчатого увлечения электронов фононами в сплавах Bi-Sb легированных теллуром.

Установлены две экспоненциальные закономерности в температурной зависимости для фононной теплопроводности сплавов Bi-Sb с различной концентрации носителей заряда.

Практическая ценность заключается в том, что достигнутое понимание поведения фононной термоэдс и теплопроводности в сплавах Bi-Te и Bi-Sb позволяет надежно оценить термоэлектрическую эффективность этого

7 1 материала в интервале 40<Т<80 К (Zmax«5 •10 К"') в плане практического применения, и предсказать поведение явлений переноса (аф и хф) в других кристаллах при постановке научных исследований и решении задач практического характера.

На защиту выносятся следующие результаты диссертационной работы:

1. Установлено, что в сплавах Bi-Te, при малых уровнях легирования, существует переходная область увлечения электронов фононами от двухступенчатого к одноступенчатому, а температурные зависимости 0Сф(Т) и Иф(Т) определяются одной и той же частотой релаксации импульсов фононов, перенормированной N-процессами. При этом температурные зависимости фононной теплопроводности и фононной термоэдс при увеличении вклада фонон-примесного рассеяния переходят из экспоненциальных в степенные. В сильнолегированных теллуром сплавах, где преобладает фонон-примесное рассеяние, увлечение электронов осуществляется тепловыми фононами и носит одноступенчатый характер.

2. Показано, что в сплавах Bi]xSbxTe (0.13<х<0.15) увлечение электронов фононами носит одноступенчатый характер и является неполным. При малых уровнях легирования теллуром, увлечение электронов осуществляется дотепловыми фононами, класс которых сравнивается с тепловыми при больших уровнях легирования.

3. Установлено, что фононная термоэдс в сильном магнитном поле имеет значительную величину по сравнению с фононной термоэдс в нулевом магнитном поле и определяется степенью вырождения системы носителей заряда. Показано, что циклическое движение электронов в магнитном поле расширяет класс фононов взаимодействующих с электронами до тепловых, и это позволяет объяснить наблюдаемые температурные зависимости а^(Т) в сплавах Bii-xSbx (х=0.135±0.015) с различной концентрацией примесных носителей заряда.

4. Для всех сплавов BiixSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К на температурных зависимостях фононной теплопроводности наблюдаются два экспоненциальных участка, наличие которых предположительно обусловлено вымораживанием U-процессов с участием акустических (9^=43 К) и оптических (0опт=13О К) фононов. Независимо от кристаллографической ориентации образца, фононную теплопроводность таких сплавов можно описать зависимостями Хф(Т)~Т'ехр43/Т (20<Т<40 К) и щ{Т)~Т1ехр\30/\.25Т (45<Т<95 К).

Выводы:

1. На образцах сплавов BiixSbx (0.13<х<0.15) с концентрацией теллура СТе>0.005 ат% увлечение электронов осуществляется тепловыми фононами.

2. Большие значения электронных температур Дебая 0е на образцах сплавов Bi-Sb с Сте>0.005 ат%, требуют учета в теории увлечения электронов тепловыми фононами фонон-примесного, фонон-фононного и фонон-электронного рассеяния. Предполагается, что учет фонон-электронного рассеяния позволит теоретически объяснить наблюдаемые экспериментально А Q Off зависимости ai~T и ai~T справа от максимума фононной термоэдс в исследуемых образцах.

3. На образцах сплавов BiixSbxTe в области температур начала проявления эффекта увлечения электронов тепловыми фононами, наблюдаемая экспериментально зависимость ai~T~4 объясняется преимущественным рассеянием тепловых фононов на дефектах, создаваемых атомами Sb.

Таким образом, проведенный в данном разделе качественный анализ эффекта увлечения электронов фононами на образцах сплавов Bii-xSbx (0.13<х<0.15), сильно легированных Те, показывает, что для однозначного объяснения наблюдаемых экспериментально температурных зависимостей фононной термоэдс (ai~T 4, ai~T17 и ai~T-085), необходима дальнейшая разработка теории увлечения электронов фононами с учетом смешанного механизма рассеяния для фононной и электронной подсистем.

4.7. Влияние классически сильного магнитного поля на термоэдс фононного увлечения в полупроводниковых сплавах Bi-Sb

Одним из способов воздействия на взаимодействие электронной и фононной подсистем является изменение температуры. В процессе такого воздействия на смену одним доминирующим механизмам рассеяния приходят другие, происходит изменение вкладов диффузии и увлечения в термоэдс. Поэтому анализ зависимостей а(Т) на предмет разделения этих вкладов сложен из-за температурной динамики процесса.

Известно, что диффузионная термоэдс в классически сильном магнитном поле не зависит от механизмов рассеяния носителей заряда [113], что позволяет более надежно разделить диффузионную и фононную составляющие в температурной области проявления эффекта увлечения. Температурная зависимость, выделенной таким образом фононной термоэдс в классически сильном магнитном поле, будет определяться только изменением интенсивности взаимодействия электронной и фононной подсистем.

Рассмотрим влияние магнитного поля на релаксацию импульса в электрон-фононной системе. В скрещенных электрических и магнитных полях заряженная частица в отсутствии рассеяния движется на трохоиде в направлении перпендикулярном векторам Е и Н. Скорость дрейфа не зависит ни от величины, ни от знака заряда частицы и целиком определяется величиной и направлением полей Е и Н: d^ = ^-[Е • Н]. При рассеянии носителя заряда на фононах, он вначале передает свой импульс фонону, а затем фонон возвращает этот импульс обратно в электронную подсистему, что не приводит к возникновению столкновительного тока. Поэтому дрейфовое движение электрона сохраняется, как и при полном отсутствии процессов рассеяния. Таким образом, в изолированной электрон-фононной системе время свободного пробега электрона конечно и определяется частотой электрон-фононных столкновений. Однако, время свободного пробега с сохранением импульса равно бесконечности. В сильном магнитном поле, при наличии анизотропии электронного и фононного спектра, частота рассеяния электронов на фононах существенно возрастает, так как расширяется объем фазового пространства фононов взаимодействующих с электронами. Кроме этого, происходит усреднение процессов релаксации, поэтому фононная термоэдс, в отличие от диффузионной, является интегральной характеристикой и ее исследование представляет значительный научный интерес.

Влияние увлечения электронов фононами на термомагнитные эффекты в полупроводниках впервые учли Гуревич и Образцов [160]. Натадзе и Эфрос [161] решали эту задачу для вырожденных полупроводников в сильном поле. Приближенное решение системы кинетических уравнений для вырожденных полупроводников в классических магнитных полях с учетом взаимного увлечения электронов и фононов найдены в нулевом приближении по параметру вырождения в работах [162, 163]. Взаимное увлечение электронов и фононов в магнитных полях рассмотрено в работе [164], где система интегральных уравнений решена в линейном по параметру вырождения приближении с учетом всех членов вносящих вклады в увлечение.

Для сравнения с экспериментом необходима дальнейшая конкретизация теоретических выражений полученных в этих работах, посредством принятия определенных предположений о зависимости времен релаксации от волновых чисел электронов и фононов. Поэтому, с этой точки зрения, экспериментальный материал по особенностям электрон-фононного увлечения в сильном магнитном поле в полупроводниках сплавах висмут-сурьма представляет значительный научный интерес.

Исследование температурных зависимостей термоэдс, в области примесной проводимости, однозонных с L-зоной дырок (электронов) образцов с j,VT||Ci, проводилось на полупроводниковых сплавах BiixSbxSn(Te) (х=0.135±0.015) в магнитных полях 0<Н<18 кЭ. Концентрация примесных носителей зарядов находилась из результатов исследования эффекта Холла: pL (nL ) = ——, при Н || Сз. eRao

Электрофизические параметры исследованных образцов представлены в таблице 4.8.

Расчет параметров представленных в таблице для образцов 1 и 2 проводился по экспериментальным данным с использованием соотношений, справедливых для модели Лэкса [113]:

4.6)

4.7) где r| = EF/kT, Р = кТ/Ед - фактор неквадратичности, md(0) - масса плотности состояния у потолка зоны дырок (для электронов на дне зоны), 1™к- двухпараметрический интеграл Ферми-Дирака.

Система данных уравнений решалась численно, где значение диффузионной термоэдс для образцов 1 и 2, соответственно, принималось равным аоо=330 мкВ/К (Т=10.3 К) и 0^=220 мкВ/К (Т=14.5 К).

Расчет параметров для образца 3 проводился по формулам для вырожденной системы носителей заряда:

-fc2. mdL(EF) = ^

3n

V л ) kT mdL(0)=1 7onB/FJ = Е L{(А-0.5) + [(А-0.5)2 + А]^}, l + (2EF/EgLJ где A=7l2k2T/2eEgLaoo и a»:=74 мкВ/К (Т=21 К). Значение EgL брались из литературных данных.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Была проведена работа по изучению литературы, обработке экспериментальных данных, проведению математических расчетов, позволяющая сделать вывод о том, что поставленные цели достигнуты практически полностью, а также показано, что данное направление работы имеет перспективу, разработка которой может принести немалую пользу для глубокого изучения особенностей кинетики фононных систем и электрон-фононных взаимодействий.

В данной работе впервые проведен анализ релаксации фононов при совместном рассмотрении температурных зависимостей фононной теплопроводности и термоэдс в области фонон-электронного увлечения. Только такой подход позволяет дать теоретическое объяснение особенностям эффекта увлечения электронов фононами в сплавах висмут-сурьма и висмут-сурьма-теллур.

Результатами работы являются нижеследующие выводы, количественные и качественные оценки, многие из которых сделаны впервые, а остальные приведены с некоторыми уточняющими фактами, позволяющими по-новому взглянуть как на теорию фононных систем в общем случае, так и на эффект увлечения электронов фононами в частности.

• Проведена обработка результатов экспериментального исследования комплекса явлений переноса в сплавах Bi-Te и Bi-Sb-Te при широком варьировании содержания Те. Определены электрофизические параметры исследованных образцов. Выделены фононная теплопроводность и фононная составляющая термоэдс, и проведен их совместный теоретический анализ.

• В сплавах Bi-Te при концентрациях легирующей примеси Те СТе<0.005 ат% наблюдаемые в температурном интервале ТМ<Т<12 К экспоненциальные зависимости Иф(Т), хорошо описываются соотношением

Иф~Т3ехр(41±2)/Т, что объясняется вымораживанием акустических фононов с температурой Дебая 6ак=(43±4) К. Расчеты времени релаксации фононов в U-процессах, хорошо согласуются с литературными данными.

• Сильная зависимость частоты фонон-примесного рассеяния от частоты фонона приводит к более интенсивному рассеянию тепловых фононов, по сравнению с дотепловыми. Взаимодействие тепловых и дотепловых фононов посредством N-процессов увеличивает вклад последних в фононную теплопроводность настолько, что этот вклад начинает определять ее температурную зависимость на образцах с содержанием Те (0.005<СТе<0.05 ат%). Поэтому для объяснения дробных степенных зависимостей фононной теплопроводности таких образцов можно использовать выводы теории «грязных» диэлектриков. Температурная зависимость времени релаксации на таких составах близка к температурной зависимости времени релаксации фонон-примесного рассеяния.

• В сплавах Bi-Te с Ст<>0-05 ат% при низких температурах преобладает фонон-примесное рассеяние, поэтому температурная зависимость фононной теплопроводности близка к теоретической Иф~Т~\ В образцах с меньшей концентрацией Те такая зависимость наблюдается в интервале 16<Т<30 К.

• Анализ температурных и концентрационных зависимостей фононной теплопроводности сплавов BiixSbx (0.01<х<0.17) с различной концентрацией примесных носителей заряда (электронов и дырок) при Т<20 К показал, что закономерности поведения фононной теплопроводности являются общими и выполняются при легировании сплавов Bi-Sb как акцепторной (Sn), так и донорной (Те) примесями.

• Различие концентрационных зависимостей фононной теплопроводности, даваемых теорией «грязных» диэлектриков и наблюдаемых экспериментально, а также характер температурных зависимостей фононной теплопроводности исследованных образцов сплавов

Bi-Sb с концентрацией примесных носителей заряда п, р>1017 см 3 можно объяснить наличием вклада в общее время релаксации фононов времени рассеяния фононов на носителях заряда. Этот вывод подтверждается наличием эффекта увлечения электронов фононами при Т<20 К.

• Для всех сплавов Bii.xSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К на температурных зависимостях фононной теплопроводности наблюдается два экспоненциальных участка, наличие которых обусловлено вымораживанием U-процессов с участием акустических (9ак=43 К) и оптических (Оопт^ЗО К) фононов. Независимо от кристаллографической ориентации образца, фононную теплопроводность таких сплавов можно описать зависимостями иф(Т)~Т1ехр43/Т (20<Т<40 К) и ^(T>T'expl30/1.25T (45<Т<95 К).

• Теория «грязных» диэлектриков хорошо описывает фононную теплопроводность чистых полупроводниковых сплавов Bi-Sb для двух предельных случаев: Т«:9 и Т»0, где 6=120 К температура Дебая висмута. Согласно теории и экспериментальным данным в интервале температур ТМ<Т<20 К Кф~Т4/3, для Т>120 К иф~Т1/3. В промежуточной области температур при смене механизмов релаксации фононов с участием фонон-примесного и фонон-фононного рассеяния, согласно экспериментальным данным, фононная теплопроводность определяется вымораживанием U-процессов. Поэтому для описания наблюдаемых экспоненциальных зависимостей фононной теплопроводности слабо легированных сплавов Bi-Sb, необходима дальнейшая разработка теории «грязных» диэлектриков для интервала температур 20<Т<120 К.

• Показано, что в сплавах Bi-Te, при малых уровнях легирования, увлечение электронов фононами ещё можно трактовать как двухступенчатое, а температурные зависимости аф(Т) и иф(Т) определяются одной и той же эффективной частотой релаксации импульса фононов, перенормированной

N-процессами. При выполнении этого условия и преобладании фонон-фононного рассеяния наблюдаются экспоненциальные температурные зависимости фононной термоэдс, которые при увеличении вклада фонон-примесного рассеяния переходят в степенные. В сильнолегированных теллуром сплавах Bi-Te (Сте>0.05 ат%) увлечение электронов осуществляется тепловыми фононами и носит одноступенчатый характер.

• Установлено, что в сплавах Bii.xSbxTe (0.13<х<0.15) увлечение электронов фононами носит одноступенчатый характер и является неполным. При малых уровнях легирования теллуром, увлечение электронов осуществляется электронными длинноволновыми фононами, класс которых сравнивается с тепловыми при больших уровнях легирования. Обнаружено влияние непараболичности L-зоны электронов на величину фононной термоэдс увлечения, и влияние фонон-электронного рассеяния на характер температурных зависимостей а.ф(Т).

• Для образцов сплавов Bii.xSbxSn(Te) (х=0.135±0.015) проведен расчет диффузионной составляющей термоэдс в классически сильном магнитном поле и выделена фононная составляющая. Установлено, что фононная термоэдс в сильном поле имеет значительную величину по сравнению с термоэдс в нулевом поле и определяется степенью вырождения системы носителей заряда. Показано, что циклическое движение электронов в магнитном поле расширяет класс «электронных» фононов до тепловых, чем можно объяснить наблюдаемые температурные зависимости а* (т).

• Отмеченные выше особенности фононной термоэдс в сплавах на основе висмута установлены впервые, за счет развитого в данной работе метода совместного анализа температурных зависимостей фононной теплопроводности и фононной составляющей термоэдс. Приведенные в работе экспериментальные данные по фононной термоэдс и их теоретический анализ в рамках существующих теорий показал, что теория увлечения электронов фононами не является законченной и нуждается в дальнейшей разработке.

• По измеренным компонентам тензоров: термоэдс осп(Т), теплопроводности Xii(T) и удельного сопротивления Pii(T) рассчитан температурный ход термоэлектрической добротности Zjj(T) сплавов Bi) xSbx (0<х<0.16) в интервале 4^90 К. Показано, что наибольшие величины термоэлектрической добротности в интервале температур 40<Т<80 К получены в полуметаллическом сплаве Bi-Sb с малым перекрытием L- и Т-зон

Л 1

Z33«5-10 К ). Установлено, что легирование полупроводниковых сплавов приводит к увеличению термоэлектрической добротности при Т<90 К, и в полупроводниковом сплаве Bio.g4Sbo.i6 легированном 0.001 ат% Те имеет наибольшую величину Z33«5. 6-10"3 К"1.

В заключение выражаю искреннюю благодарность ведущему сотруднику ФТИ им. А.Ф. Иоффе, доктору физ.-мат. наук, профессору Редько Николаю Андреевичу, а также кандидату физ.-мат. наук, доценту Родионову Николаю Антоновичу и кандидату физ.-мат. наук, доценту Польшину Василию Ивановичу за предоставленные мне результаты экспериментальных исследований при низких температурах, обработка и теоретический анализ которых проведены в диссертационной работе.

1. Фальковский Л. А. Физические свойства висмута//УФН. 1968. - Т.94. -№1. - С.3-41.

2. Абрикосов А.А., Фальковский Л.А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой типа висмута//ЖЭТФ. —1962. Т.43. - №9. - С. 1089-1101.

3. Абрикосов А.А. Некоторые вопросы теории полуметаллов//ЖЭТФ. -1973. Т.65. - №11. - С.2063-2074.

4. Mase S. Electronic Structure of Bismuth Type Crystals//.!. Phys. Soc. Japan. -1958. V.13. - № 5. - P.434-445.

5. Boyle W.S. and Smit G.E. Bismuth//Progress In Semiconductors. London.1963. V.7. - P.1-44.

6. Григорович В.К. Периодический закон Менделеева и электронное строение металлов. М.: Наука, 1966. - 224 с.

7. Cucka D., Barret C.S. The Crystal of Bismuth and Solid Solutions Pb, Sn, Sb and Те in Bi//Ada Cryst. 1962. - V.15. - №9. - P.865-872.

8. Barret C.S., Cucka P., Haefner K. The crystal structure of antimony at 4.2, 78 and 298 K//Ada Cryst. 1963. - V.16. - №6. - P.451-453.

9. Jain A.L. Temperature Dependence of the Electrical Properties of Bismuth-Antimony Alloy/ZPhys. Rev. 1959. - V.l 14. - №6. - P.1518-1528.

10. Соше Х.П. Физическая химия полупроводников. M.: Металлургиздат, 1955.-332 с.

11. Юм-Розери В. Атомная теория для металлургов. М.: Металлургиздат, 1955.-332 с.

12. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М.: Физматгиз, 1962, - Т.2. - 982 с.

13. Нечаева В.В., Соколов А.И. О взаимодействии Р, As, Sb и Bi/ТНеорганич. мат. 1971. - Т.7. - №7. - С.868-869.

14. Шахтахтинская М.И., Томтиев Д.С., Загарова М.И. Твердые растворы в системе Bi-Sb-Аз//Неорганич. мат. 1971. - Т.7. - №7. - С. 1157-1159.

15. Jones Н. Applications of the Bloche Theory to the study of Alloys and of the Properties of Bismuth//Proc. Roy. Soc. A. 1934. - V.147. - №86. -P.396-417.

16. Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. -М.: Мир, 1968.-197 с.

17. Mase S. Electronic Structure of Bismuth Type Crystals//.!. Phys. Soc. Japan. 1959. V.14. -№5. -P.584-589.

18. Ferreira L.C. Relativistic band structure calculation for bismuth//J. Phys. Chem. Sol. 1967. - Y.28. -№10. -P.1891-1902.

19. Jain A.L., Koenig S.H. Electrons and holes in bismuth//Phys. Rev. 1962. -V.127. -№2. -P.442-446.

20. Koenig S.H., Lopez A.A., Smith D.B., Yamell J.L. Location of the valence-band maximum in bismuth//Phys. Rev. Lett. 1968. - V.20. - №2. - P.48-50.

21. Zitter R.H. Small-field galvanomagnetic tensor of Bi at 4.2 КУ/Phys.Rev. -1962. V.127. - №5. -P.1471-1480.

22. Ferreira L.C. Band Structure Calculation for Bismuth: Comparison with Experiment//! Phys. Chem. Solids. 1968. - V.29. - №2. - P.357-365.

23. Golin S. Band structure of bismuth: Pseudopotential approach//Phys. Rev. -1968. V. 166. -№3. P.643-651.

24. Фальковский Л. А., Разина Г. С. Электроны и дырки в висмуте//ЖЭТФ. -1965. Т.49. - №7. - С.265-274.

25. Fallkov L.M., Lin P.J. Band structure and Fermi Surface of Antimony: Pseudopotential Approach//Phys. Rev. 1966. - V.141. - №2. - P.562-567.

26. Windmiller L.R. De Baas-van Alphen Effect and Fermi surface in Antimony//Phys. Rev. 1966. - V.149. - №2. - P.472-484.

27. Брандт Н.Б., Минина Н.Я., Чжу-Чжень-Чан. Исследование эффекта де Гааза-ван Альфена у сурьмы//ЖЭТФ. 1966. - Т.51. - №7. - С. 106-117.

28. Cohen М.Н., Blount E.I. The g-factor and de Haas-van Alphen Effect of Electrons in Bismuth//Phil. Mag. 1960. - V.5. - №50. - P.l 15-126.

29. Эдельман B.C. Свойства электронов в висмуте//УФН. 1977. - Т.123 -№.2. - С.68-109.

30. Эдельман B.C. Исследование свойств электронов в висмуте: Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. М., 1975. - 23 с.

31. Эдельман B.C. Форма электронной поверхности Ферми висмута//ЖЭТФ. 1973. - Т.64. - №. - С.1734-1745.

32. Брандт Н.Б. О дырочной теории поверхности Ферми у висмута//Письма в ЖЭТФ. 1960. - Т.38. - №4. - С.1355-1356.

33. Вольский Е.П. Квантовые осцилляции квазистатической проводимости висмута в магнитном поле//ЖЭТФ. 1964. - Т.46. - №6. - С.2065-2041.

34. Shoenberg D. The Magnetic Properties of Bismuth//Proc. Roy. Soc. 1939. -V. 170. - №942. - P.341 -364.

35. Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах. М.: Мир, 1966. - 678 с.

36. Эдельман B.C., Хайкин М.С. Исследование поверхности висмута методом циклотронного резонанса//ЖЭТФ. 1965. - Т.49. - №7. -С.107-116.

37. Dinger R.J., Lawson A.W. Cyclotron resonance and the Cohen nonellipsoidal nonparabolic model for bismuth. III. Experimental results//Phys. Rev. B. -1973. V.7. - №12. - P.5215-5227.

38. Bhargava R.N. De Baas-van Alphen and galvanomagnetic effect in Bi and Bi-Pb alloys//Phys. Rev. 1967. - V.156. -№3. -P.785-797.

39. Королюк А. П. Исследование осцилляции поглощения ультразвука в висмуте. I. Геометрический резонанс // ЖЭТФ. 1965. - Т.49. - №10. -С.1009-1018.

40. Herrmann R., Bess S., Muller B.-V. Radio frequency size effect in bismuth//Phys. Stat. Sol. (b). 1971. -V.48. -P.l51-153.

41. Takaoka S., Kawamura В., Murase K., Takano S. Electron band model of bismuth by magnetic surface resonance//Phys. Rev. B. 1976. - V.13. - №4. -P.1428-1433.

42. Голик A.B., Королюк A.H., Белецкий В.И., Хоткевич В.И. Магнитоакустические резонансы в висмуте//ЖЭТФ. 1978. - Т.71. -№7. - С.330-340.

43. Цой B.C. Исследование взаимодействия электронов с границей при помощи поперечной фокусировки//ЖЭТФ. 1975. - Т.68. - № 5. -С.1849-1858.

44. Мюллер Р. Исследование закона дисперсии носителей тока в висмуте: Дис. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1978. - 163 с.

45. Brown R.H., Mavroldes J.G., Lax В. Magnetoreflectlon in bismuth//Phys. Rev. 1963. - V.129. -№5. -P.2055-2061.

46. Esaki L., Chang L.L., Stiles P.J., O'Kane D.F., Wiser N. Phonon-Asslsted Tunneling In Bismuth Tunnel Junction//Phys. Rev. 1968. - V.167. - №3. -P.637-639.

47. Noothoven van Goor J.M. Charge-carrier densities and mobilities in bismuth doped with tin//Phys. Lett. 1966. - V.21. - №6. - P.603-604; 1968. -V.26A. -№10. -P.490-491.

48. Malgrange J.L. Proprietes galvanomagnetiques des alliages bismuth-etain a 4 К et a faible champ magnetique//Phys. Stat. Sol. 1969. - V.35. - №1. -P.405-420.

49. Брандт Н.Б., Долголенко Т.Ф., Студоченко H.H. Исследование эффекта де Гааза-ван Альфена у висмута при сверхнизких температурах//ЖЭТФ. -1963. Т.45. -№11.- С.1319-1335.

50. Брандт Н.Б., Ястребова В.А., Пономарев Я.Г. Электронные фазовые переходы И.М. Лифшица у Bi/ADTT. 1974. - Т. 16. - № 1. - С.102-109.

51. Пономарев Я.Г. Электронные переходы под действием давления в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных примесью акцепторного типа: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1968.- 18 с.

52. Giura М., Marcon R. Band Structure of the Holes in Bismuth//Phys. Rev. B. -1970. V.l. -№4. -P.1528-1532.

53. Giura M., Marcon R., Presutti E., Scacclatelll E. New kind of magnetoacoustic oscillations in Sn-doped Bi//Sol. St. Comm. 1972. - V.10. -№12. -P.1281-1283.

54. Bate R.T., Einspruch N.G. Galvanomagnetic studies of Sn-doped Bi//J.Phys. Soc. Japan. 1966. - V.21. - P.673-677.

55. Bodiul P.P., Fedorko A.S., Gitsu D.V. Thermo- and magnetothermo-e.m.f. in Bi-Sn alloys//Phys. Stat. Sol. 1970. - V.l A. - №2. - P.77-80.

56. Суровцев A.H. Сравнение влияния олова и свинца на магнитную восприимчивость и явления переноса висмута: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Ленинград, 1974. 128 с.

57. Golin S. Band Model for Bismuth-Antimony Alloy//Phys. Rev. 1968. -V.176. - №3. - P.830-832.

58. Брандт Н.Б., Чудинов C.M., Караваев В.Г. Исследование бесщелевого состояния индуцированного магнитным полем в сплавах висмут-сурьма//ЖЭТФ. 1976. - Т.70. - №6. - С.2296-2317.

59. Tichovolsky E.J., Mavroides J.G. Magnetoreflection studies on the band structure of bismuth-antimony alloy//Sol. St. Comm. 1969. - V.7. - №13. -P.927-931.

60. Миронова Г.А., Судакова M.B., Пономарев Я.Г. Исследование зонной структуры полупроводниковых сплавов BibxSbxZ/ЖЭТФ. 1980. - Т.78. -№5. - С. 1832-1851.

61. Лифшиц Т.М., Ормонт А.Б., Чиркова Е.Г., Шульман А .Я. Оптическое пропускание полупроводникового твердого раствора В11.Х8ЬХ//ЖЭТФ.1977. Т.72. - №3. - С. 1130-1139.

62. Алексеева В.Г., Заец Н.Ф., Кудряшев А.А., Ормонт А.Б. Зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниковых твердых растворах Bi-Sb от концентрации сурьмы//ФТП. 1976. - Т. 10. - №12. -С.2243-2246.

63. Брандт Н.Б., Свистова Е.А., Семенов М.В. Электронные переходы у сплавов висмут-сурьма в сильных магнитных полях//ЖЭТФ. 1970. -Т.59. - №2. - С.434-444.

64. Oelgart G., Schneider С., Kraak W., Herrmann R. The Semiconductor-Semimetal Transition in BibxSbx Alloy//Phys. Stat. Sol.(b). 1976. - V.74. -№1. -P.75-77.

65. Kraak W., Oelgart G., Schneider G., Herrmann R. The Semiconductor-Semimetal Transition in BiixSbx alloy with x>0.22//Phys. Stat. Sol.(b).1978. V.88. -№1. -P.105-110.

66. Миронова Г.А., Судакова M.B., Пономарев Я.Г. Закон дисперсии носителей в сплавах Bii.xSbx/APTT. 1980. - Т.22. - №12. - С.3628-3634.

67. Lemers L.S., Cuff K.F., Williams L.H. Energy-Band Parameters and Relative Band-Edge Motions in the Bi-Sb Alloy System near the Semimetal-Semiconductor Transition//Rev. Mod. Phys. 1968. - V.40. - № 4. - P.770-775.

68. Брандт Н.Б., Корчак Б.А., Чесноков A.M., Чудинов C.M. Переходы полупроводник-полуметалл у сплавов BiSb с высокой концентрацией сурьмы//ФТТ. 1977. - Т.19. - №7. - С.2107-2115.

69. Брандт Н.Б., Германн Р., Голышева Г.И., Девяткова Л.И., Кусник Д., Краак В., Пономорев Я.Г. Электронная поверхность Ферми у полуметаллических сплавов Bi,.xSbx 0.23<х<0.56//ЖЭТФ. 1982. - Т.83. - №6. - С.2152-2169.

70. Lax В., Mavroides J.G., Zeiger H.J., Keyes R.J. Infrared magnetoreflexion in bismuth. High fields//Phys. Rev. Lett. 1960. - V.5. - №6. - P.241-261.

71. Maltz M., Dresselhaus M.S. Magnetoreflection Studies in Bismuth//Phys. Rev.B. 1970. - V.2. - №8. - P.2877-2887.

72. Брандт Н.Б., Любутина Л.Г., Крюкова H.A. Исследование энергетического спектра электронов в BiSb/УЖЭТФ. 1977. - Т.53. -№1. - С.134-141.

73. ChuH.T., KaoY.-H. Shubnikov-de Haas effect in dilute bismuth-antimony alloy. I.Quantum oscillations in low magnetic fields//Phys. Rev.B. 1970. -V. 1. - №6. - P.2369-2376.

74. Cohen M.H. Energy Bands in Bismuth Structure. I.A Nonellipsoidal Model for Electrons in Bi//Phys. Rev. 1961. - V.121. - №2. - P.3 87-395.

75. Беловолов М.И., Брандт Н.Б., Вавилов B.C., Пономарев Я.Г. Исследование оптических осцилляционных и гальваномагнитных эффектов у легированных полупроводниковых сплавов BiixSbx//)K3TO. 1977. - Т.73. - №8. - С.721-731.

76. Брандт Н.Б., Чан Тхи Нгок Бик, Пономарев Я.Г. Изменение анизотропии поверхностей Ферми у полупроводникового сплава Bio.9Sbo.i р-типа при переходе в бесщелевое состояние под действием давления//ЖЭТФ. -1977. Т.72. - № 3. - С.989-1000.

77. Oelgart G., Herrmann R. Cyclotron resonance and quantum oscillations of p-type semiconducting BiixSbx alloys//Phys. Stat, sol.(b). 1974. - V.61. -№1- P.137-146.

78. McClure J.W., Choi K.N. Energy Band Model and Properties of Electrons in Bismuth//Sol. State Commun. 1977. - V.21. - № 11. - P. 1015-1018.

79. McClure J.W. The energy band model for Bismuth: Resolution of a theoretical discrepancy//!. Low Temp. Phys. 1976. - V.25. - №5/6. -P.527-540.

80. Ancliffe G.A. Band structure of Bi88Sbi2//Phys. Lett. 1969. - V.28A. - №9. -P.601-602.

81. Буянова Е.П., Евсеев B.B., Иванов Г.А., Миронова Г.А., Пономарев Я.Г. Определение параметров закона дисперсии носителей у полупроводниковых сплавов BiixSbx п-типа//ФТТ. 1978. - Т.20. - №7.- С.1937-1946.

82. Волков Б.А., Фальковский JI.A. Электронная структура полуметаллов группы У//ЖЭТФ. 1983. - Т.85. - №6. - С.2135-2151.

83. Дорофеев Е.А., Фальковский JI.A. Электронная структура висмута. Теория и эксперимент//ЖЭТФ. 1984. - Т.87. - №6. - С.2202-2213.

84. Smith В.Т., Sievers A.J. Determinations of the hole band gap in bismuth by far-infrared magnet-transmission//Phys. Lett. 1975. - V.51A. - №5. -P.273-274.

85. Isaacson R.T., Williams G.A. AlfVen-Wave Propagation in Solid State Plasmas. III. Quantum Oscillations of the Fermi Surface of Bismuth//Phys. Rev. 1969. - V. 185. - №2. - P.682-688.

86. Чудинов C.M., Акимов Б.А, Мощалков В.В. Эффективный g-фактор дырок в полуметаллических сплавах висмут-сурьма//ФТТ. 1975. -Т.17. - №8. - С.2301-2305.

87. Панарин А.Ф. Физические принципы оптимизации термоэлектрических параметров сплавов на основе висмута и сурьмы: Дис. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1976. - 144 с.

88. Грабов В.М. Исследование теплопроводности и термоэдс висмута и его сплавов: Дис. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1967. - 203 с.

89. Худякова И.И. Изучение валентной зоны сплавов висмут-сурьма методом варьирования уровня химпотенциала: Дис. канд. физ.-мат. наук.- Ленинград, 1970. 160 с.

90. Иванов Г.А., Грабов В.М. О поведении дифференциальной термоэдс в сплавах висмута//ФТТ. 1966. - Т.8. - №8. - С.2460-2461.

91. Кузнецов М.Е. Некоторые аспекты фонон-электронного и фонон-фононного взаимодействия в висмуте: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Ленинград, 1969. 224 с.

92. Uher С., Goldsmid H.J., Drabble J.R. Thermomagnetic Effects in Tin-Doped Bismuth//Phys. Stat. Sol.(b). 1975. - V.68. - №2. - P.709-717.

93. Schneider G., Trommer R. Transporteigenschaften und Quantenosczillationnen von Те- und Sn- dotiertem Bi94Sb6//Z. Naturforsch. -1975. №30A. - S.1071-1083.

94. Brown D., Silverman S.J. Electrons In Bi-Sb Alloys//Phys. Rev. 1964. -V.136. - №1 A. - P.290-299.

95. Lehnefinke W., Schneider G. Die elektrischen Transportgro|3en von dotiertem Bi88Sb12//Z. Naturforsch. 1969. - B.24A - №10. - S.1594-1601.

96. MacFarlane R.E. Lattice dynamics of bismuth//J. Phys. Chem. SoL. 1971. V.32. - Supplement № 1. - P.289-295.

97. Eckstein Y., Lawson A.W., Reneker D.H. Elastic Constants of Bismuth//J.Appl. Phys. 1960. - V.31. - №9. - P. 1534-1538.

98. Smith G.S., Wolfe R. Thermoelectric Properties of Bismuth-Antimony Alloys//J.Appl. Phys. 1962. - V.33. - №3. - P.841-846.

99. Chaudhuri K.D., Dey Т.К. Heat Conduction in Bismuth-Antimony Alloy Single Crystals Between 4.2 and 300 K//J. Low Temp. Phys. 1975. - V.20. - №3/4. - P.397-405.

100. Yarnell J.L., Warren J.L., Wenzel R.G., Koenig S.H. Phonon Dispersion Curves in Bismuth//IBM J. Res. Dev. 1964. - V.8. - № 3. - P.234-240.

101. Федоров Ф.И. Теория упругих волн в кристалле. М.: Наука, 1965. - 200с.

102. Ландау Л.Д. и Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. - 202с.

103. Калинкина И.Н., Стрелков П.Г. Теплоемкость висмута между 0.3 и 4.4 К //ЖЭТФ. 1958. - Т.34. - №3. - С.616-621.

104. Phillips N.E. Nuclear Quadrupole and Electronic Heat Capacities of Bismuth//Phys. Rev. 1960. - V.l 18. - № 3. - P.644-647.

105. Franzosini P., Clusius K. Low Temperature Research//Z. Naturforschg. -1964. B.19a. -H.12. - S.1430-1431.

106. Schneider D. Shubnikow-de Haas Effect undo Bandstruktur-Untersuchungen an Bi-Sb Legierungen//Z. Naturforschung. 1972. - B.27A. - H.2. - S.250-270.

107. Редько H.A., Польшин В.И., Косарев B.B., Иванов Г.А. Плотность состояний и масса плотности состояний электронов в сплавах BiixSbx //ФТТ. 1983. - Т.25. - №10. - С.3138-3146.

108. Редько Н.А., Польшин В.И., Иванов Г.А. Механизмы рассеяния электронов в сплавах n-Bii.xSbx (0<х<0.16) при низких температурах//ФТТ. 1984. - Т.26. - №1. - С.10-13.

109. Okada Т. The Phenomenological Theory of the Galvanomagnetic Effects// Memoirs of the Faculty of Science, Kyus'yn University, 1955. - Ser.B, -V.l -№5.-P.157-168.

110. Гицу Д.В., Иванов Г.А. К расчету анизотропии гальваномагнитных свойств монокристаллов висмута//Изв. АН МССР. 1962. - №5. - С.83-91.

111. Гицу Д.В., Иванов Г.А. Электрические свойства монокристаллов висмута и его сплавов//ФТТ. 1960. - Т. 2. - №7. - С.1464-1476.

112. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. Л.: Гостехиздат, 1957. - 335 с.

113. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1970.-303 с.

114. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Иностр. литература, 1960.-385 с.

115. Akdoz Y.C., Saunders G.A. Space-time symmetry restrictions on the form of transport tensors: I Galvanomagnetic effects//Phys. C. 1975. - V.8. - №9. -P.1387-1396.

116. Akdoz Y.C., Saunders G.A. Space-time symmetry restrictions on the form of transport tensors: II Thermomagnetic effects//Phys. C. 1975 - V.8. - №18. - P.2962-2970.

117. Jones H., Wills H.H. The Theory of the Galvanomagnetic Effects in Bismuth//Proc. Roy. Soc. 1936. - V.155. - №886. - P.653-663.

118. Иванов Г.А. Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов (твердые растворы) в широком температурном интервале. -Дис. докт. физ.-мат. наук. JL, 1965. - 261 с.

119. Zawarski W. Kolodziejczak J. Kowaiczyk R. The Generalized Fermi-Dirac Integrals//Phys. Stat. Sol. 1965. - V.10. -№2.-P.513-518.

120. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978.-328 с.

121. Равич Ю.И. Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. - 383 с.

122. Житинская М.К., Кайданов В.И., Черник И.А. О непараболичности зоны проводимости теллурида свинца//ФТТ. 1966. - Т.8. - №1. - С.295-297.

123. Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В., Коломоец П.И. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. Киев.: Наукова Думка, 1977. - 269 с.

124. Блатт Дж. Теория подвижностей в твердых телах. М.: Физматгиз, 1963. — 224 с.

125. Рыжик М.И., Градштейн И.С. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Физматгиз, 1948. - 400 с.

126. Грязнов О.С., Тамарченко В.И. Неупругое межзонное рассеяние на фононах в явлениях переноса//ФТП. 1976. - Т. 10. - №9. - С.1664-1669.

127. Берман Р. Теплопроводность твердых тел М.: Мир, 1979. - 286с.

128. Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. - 536 с.

129. Пфан У.Г. Зонная плавка. М.: Мир, 1970. - 336 с.

130. Колпачников Г.Н., Налетов B.JI. Выращивание монокристаллов Bi-Sb методом зонной перекристаллизации//Полуметаллы: Сб. научн. статей. -Л.: ЛГПИ, 1968. С.3-6.

131. Иванов К.Г., Крылов А.С., Калугина И.К. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма//Приб. и техн. эксп. 1975. - №2. - С.225-226.

132. Иванов К.Г., Крылов А.С. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма высокого качества//Полуметаллы и полупроводники: Сб. научн. статей. Л.: ЛГПИ, 1975. - С.24-28.

133. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Долинская Н.Ю., Марычев В.В. Исследование условий получения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьмаУ/Изв. АН СССР (металлы). 1973. - №6. - С.57-63.

134. Иванов К.Г., Крылов А.С., Налетов В.Л. О преимущественном направлении роста гомогенных монокристаллов системы висмут-сурьмаУ/Полупроводники и диэлектрики: Л.: ЛГПИ, 1974. - С.43-46.

135. Иванов Г.А., Клещинский Л.И., Николаев В.И. Рентгенографические исследования твердых растворов в области малых концентраций//Полуметаллы: Сб. научн. статей. Л.: ЛГПИ, 1968. -С.17-20.

136. Полыпин В.И. Коэффициент отдачи Те в сплавах висмут-сурьма при гелиевых температурах//Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб. научн. статей. Л.: ЛГПИ, 1977. -С.113-115.

137. Гуржи Р.Н. Гидродинамические эффекты в твердых телах при низких температурах//УФН. 1968. - Т.94. - №4. - С.689-718.

138. Оскотский B.C., Смирнов И.А. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. Л.: Наука, 1972. - 160 с.

139. Копылов В.Н., Межов-Деглин Л.П. Исследование кинетических коэффициентов висмута при гелиевых температурах//ЖЭТФ. 1973. -Т.65. - №2(8). - С.720-734.

140. Кузнецов М.Е., Оскотский B.C., Польшин В.И., Шалыт С.С. Роль нормальных процессов в фононной теплопроводности Bi/УЖЭТФ. -1969. Т.57. - №4(10). - С.1112-1117.

141. Кулеев И.Г. Влияние нормальных процессов фонон-фононного рассеяния на взаимное увлечение электронов и фононов и кинетические эффекты в вырожденных полупроводниках//ФТТ. 2000. - Т.42. -№11. - С.1952-1960.

142. Кулеев И.Г. Нормальные процессы рассеяния квазичастиц и кинетические эффекты в полупроводниках с вырожденной статистикой носителей тока//ФТТ. 2002. - Т.44. - №2. - С.215-225.

143. Коренблит И.Я., Кузнецов М.Е., Муждаба В.М., Шалыт С.С. Электронная теплопроводность и соотношение Видемана-Франца для В1//ЖЭТФ. 1969. -Т.57. -№6. -С.1867-1876.

144. Редько Н.А., Каган В.Д. Влияние электрон-фононного взаимодействия на фононную теплопроводность полупроводниковых сплавов Bi-Sb/ADTT. 1994. - Т.36. - №7. - С.1978-1993.

145. Pratt W.P., Uher С. Thermal conductivity of bismuth at ultralow temperatures//Physics Letters. 1978. - V. 68A. - №1. - P.74-76.

146. Lopez A.A. Electron-Hole Recombination in Bismuth//Phys. Rev. 1968. -V.175. -№3.-P.823-840.

147. Редько H.A., Каган В.Д. Пуазейлево течение фононного газа висмута вусловиях размерного эффекта//ФТТ. 1991. - Т.ЗЗ. - №8. - С.2413-2417.

148. Каган В.Д., Редько Н.А. Фононные времена релаксации в висмуте//ФТТ. 1993. - Т.35. - №6. - С. 1686-1697.

149. Каган В,Д., Редько Н.А. Особенности фононной теплопроводности сплавов на основе висмута//ЖЭТФ. -1991. Т.100. - №10. - С.1205-1218.

150. Бойко М.П., Родионов Н.А., Редько Н.А., Полыиин В.И. Примесный фазовый переход Лифшица в висмуте/ЯТисьма в ЖЭТФ. 1986. - Т.43. -№1. - С.41-43.

151. Смирнов И.А., Тамарченко В.И. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках. Л.: Наука, 1977. - 152 с.

152. Коренблит И.Я., Кузнецов М.Е., Шалыт С.С. Термоэдс и термомагнитные свойства висмута при низких температурах//ЖЭТФ. -1969. Т.56. - №1. - С.8-20.

153. Коренблит И.Я. Теория термоэлектрических и термомагнитных свойств висмута при низких температурах//ФТП. 1968. -Т.2. - №10.1. С.1425-1435.

154. Козлов В.А., Лидоренко И.С., Нагаев Э.Л. Двухступенчатое увлечение электронов фононами и экспоненциально большие термоэдс//ФТТ. -1973. Т.15. - №5. - С.1458-1467.

155. Бельчик А.А., Козлов В.А. Фонон-фононное увлечение в полупроводниках//ФТП. 1986. - Т.20. - №1. - С.53-58.

156. Редько Н.А., Родионов Н.А. Топологические фазовые переходы в сплавах Bii-xSbx и положение тяжелой зоны дырок от состава//Письма в ЖЭТФ. 1985. - Т.42. - №6. - С.246-249.

157. Полыыин В.И. Явления переноса в сплавах BiixSbx (0<х<0.16) п-типа при низких температурах: Дис. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1983.- 186 с.

158. Козлов В.А. Нагаев Э.Л. Аномалии термоэдс при фонон-фононном увлечении// Письма в ЖЭТФ. 1971. - Т. 13. - №11. - С.639-643.

159. Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука, 1985.-320 с.

160. Гуревич В.Л., Образцов Ю.Н. Влияние увлечения электронов фононами на термомагнитные эффекты в полупроводниках//ЖЭТФ. 1957. - Т.32.- С.390.

161. Натадзе A.JI., Эфрос А.Л. Влияние взаимного увлечения электронов и фононов на термоэдс и эффект Нернста//ФТТ. 1962. - Т.4. - №10. -С.2931-2939.

162. Гуревич Л.Э., Коренблит И.Я. Влияние увлечения электронов фононами и их взаимного увлечения на кинетические коэффициенты полуметаллов//ФТТ. 1964. - Т.6. - №3. - С.856-863.

163. Ланг И.Г., Павлов С.Т. Теория увлечения электронов фононами в магнитном поле//ЖЭТФ. 1972. - Т.63. - №10. - С.1495-1503.

164. Кулеев И.Г. Влияние взаимного увлечения электронов и фононов на термомагнитные и термоэлектрические явления в проводниках с вырожденной статистикой носителей тока//ФТТ. 2000. - Т.42. - №6. -С.979-985.

165. Yim W.M., Amith A.A. Bi-Sb alloys for magneto-thermoelectric and thermomagnetic cooling//Solld-State Electronics. 1972. - V.15. - №10. -P.1141-1165.

166. Иванов Г.А., Куликов В.А., Налетов В.Л., Панарин А.Ф., Регель А.Р. Термоэлектрическая добротность чистых и легированных сплавов висмут-сурьма//ФТП. 1972. - Т.6. - №7. - С. 1296-1299.

167. Родионов Н.А., Иванов Г.А., Редько Н.А. Термоэлектрическая добротность сплавов Bii.xSbx (0.12<х<0.14) р-типа при низких температурах//ФТТ. 1982. - Т.24. - №6. - С. 1881-1884.

168. Грабов В.М. Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма: Автореф. дис. док. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 1999. - 32 с.

169. Red'ko N.A. Thermoelectric efficiency of semikonducting Bi-Sb Alloys. Fourteenth International Confereneon Thermoelectris. St. Peterburg A.F.Ioffe Physical-Technical Institute, 1995. -82 p.

170. Редько Н.А., Белицкий В.И., Косарев В.В., Родионов Н.А., Польшин В.И. Зоны тяжелых дырок и знак термоэдс в сплавах Bi-Sb//<3>TT. 1986. -Т.28. - №12. - С.37-46.

171. Редько Н.А., Каган В.Д., Родионов Н.А., Польшин В.И. Влияние магнитного поля на фононную термоэдс в полупроводниковых сплавах n-Bi-SbZ/ЖЭТФ. 2003.- Т.124. - В.1. - С. 130-141.

172. Зотова О.В., Польшин В.И., Родионов Н.А. Фононная теплопроводность сплавов BiixSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К//Деп. в ВИНИТИ. 29.10.03, №1884-В 2003. - 9 с.

173. Зотова О.В. Электрон-фононное взаимодействие в сплавах на основе висмута//Тез. докл. Первая межвуз. науч.-практич. конф. «Молодежь XXI века: шаг в будущее». Благовещенск: БГПУ, 2001. - С. 164-165.

174. Зотова О.В., Польшин В.И., Редько Н.А., Родионов Н.А. Теплопроводность и электрон-фононное увлечение в сплавах BiTe// Материалы 53-ей науч.-практич. конф. преподавателей и студентов. -Благовещенск: БГПУ, 2003. -Ч. III. С.20-26.

175. Родионов Н.А., Польшин В.И., Зотова О.В. Фононная теплопроводность и особенности увлечения электронов фононами в Bi легированном донорной примесью Те//Деп. в ВИНИТИ. 29.10.03, №1883-В 2003. - 14 с.

176. Зотова О.В., Редько Н.А., Родионов Н.А., Польшин В.И. Влияние электрон-фононного увлечения на термоэдс сплавов BigsSbn п-типа// Тез. докл. Регион, конф. студентов, аспирантов и молодых ученых по физике. Владивосток: ДВГУ, 2000. - С.56.