Нестационарная фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой примесных уровней тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

1 Фотоиндуцированные явления в широкозонных полупроводниках

1.1 Динамика фотопроводимости в полупроводниках с мелкими ловушечными уровнями.

1.2 Запись решеток объемного заряда в фоторефрактивных кристаллах.

1.3 Эффект нестационарной фото-ЭДС.

1.4 Гомодинное детектирование фазомодулированного света

2 Методика экспериментов и физические свойства кристаллов Bii2Si(Ti)O20, SnS2, GaAs

2.1 Методика экспериментальных исследований.

2.2 Физические свойства исследуемых кристаллов и приготовление образцов.

3 Нестационарная фото-ЭДС в кристаллах со сложной структурой локальных уровней

3.1 Двухуровневая модель фотопроводника и методика расчета фототока.

3.2 Эффект нестационарной фото-ЭДС в отсутствие внешнего электрического поля.

3.3 Нестационарная фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах Bii2Si02o и Bii2Ti02o, выращенных в атмосфере аргона

3.4 Нестационарная фото-ЭДС в широкозонных полупроводниках, помещенных во внешнее электрическое поле

3.5 Температурная зависимость нестационарной фото-ЭДС и времени релаксации фотопроводимости в фоторефр активном кристалле Bi^SiC^o, выращенном в атмосфере аргона.

4 Нестационарный фототок в кристалле S11S

4.1 Экспериментальные результаты.

4.2 Теоретический анализ.

5 Адаптивные фотоприемники на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС

5.1 Измерение ультразвуковых колебаний пьезоэлектрических преобразователей.

5.2 Объемные и контактные токи в адаптивных фотоприемниках на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС: Теория.

5.3 Нестационарная фото-ЭДС в адаптивных фотоприемниках на основе GaAs.

Создание новых и совершенствование уже существующих оптических и оптоэлектронных приборов требует постоянного и всестороннего развития методов обработки и регистрации оптического излучения, изучения свойств новых полупроводниковых материалов и фотоиндуци-рованных явлений в них. В данной связи большой интерес представляют исследования фоторефрактивного эффекта, находящегося на стыке таких наук как физика твердого тела, оптика и квантовая электроника. В фоторефрактивных кристаллах уникальным образом сочетаются высокая чувствительность и реверсивность, позволяя создавать на их основе пространственно-временные модуляторы света, приборы для голографической интерферометрии и виброметрии, топографические запоминающие устройства [1]. Возможность динамической перезаписи информации и, как следствие, работа в масштабе реального времени характерна для большинства практических применений фоторефрактивного эффекта.

Исследования динамической голографической записи в фоторефрактивных кристаллах привели к обнаружению стационарных [2], а затем и нестационарных [3] голографических фототоков. Эффект нестационарной фото-ЭДС регистрируется в виде знакопеременного тока в короткозамкнутом фотопроводящем образце, освещаемом колеблющейся интерференционной картиной. Эффект был открыт в кристалле Bii2Si02o, а впоследствии и в ряде других фоторефрактивных материалов (Bii2TiO20, GaAs, Sr^Bai-^NbsOe, LiNb03).

Появление нестационарной фото-ЭДС в полупроводнике обусловлено совместным действием нескольких эффектов, а именно, фотогенерацией свободных носителей заряда, процессами их перераспределения (диффузия, дрейф, фотогальванический эффект) и захвата на уровни локальных центров. Таким образом, существует возможность исследования этих процессов путем измерения соответствующих зависимостей нестационарного фототока. Так например, по частотной передаточной характеристике можно определить время максвелловской релаксации тм и время жизни носителей заряда г, а из зависимости фототока от пространственной частоты - диффузионную длину переноса Ld и де-баевскую длину экранирования заряда [4].

Наиболее общие черты и возможности эффекта нестационарной фото-ЭДС к настоящему времени уже достаточно хорошо изучены (см. например [3]-[5]). Однако детального экспериментального и теоретического исследования данного эффекта в кристаллах, фотоэлектрические свойства которых в значительной степени определяются особенностями запрещенной зоны и зоны проводимости, проведено не было. Так, для фоторефрактивных силленитов [Bii2Si(Ti,Ge)02o] характерна сложная структура мелких ловушечных уровней, расположенных на различной глубине в запрещенной зоне [6]. Многие полупроводники имеют зонную структуру, предполагающую наличие носителей заряда с разными эффективными массами [7].

Цель работы. Основной целью работы является исследование эффекта нестационарной фото-ЭДС, возбуждаемой в широкозонных фо-топроводящих кристаллах, характеризуемых сложной структурой запрещенной зоны [Bii2Si(Ti,Ge)02o, SnS2, GaAs], при освещении светом разного спектрального состава, для случая диффузионного и дрейфового механизмов записи решетки объемного заряда.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Для диффузионного механизма записи частотная передаточная характеристика эффекта нестационарной фото-ЭДС в широкозонном полупроводнике, в запрещенной зоне которого присутствуют мелкие ловушечные уровни, имеет два частотно-независимых и два спадающих обратно пропорционально частоте фазовой модуляции участка. Второй частотно-независимый участок ограничен частотами сиз — Р и Ш4 - (1 + К2Ь2^т~1, т.е. скоростью тепловой генерации носителей с мелких ловушек и обратной величиной истинного времени жизни носителей. На частотной зависимости нестационарной фото-ЭДС, возбуждаемой в фоторефрактивном кристалле, помещенном во внешнее электрическое поле, может наблюдаться от одного до трех резонансных максимумов, причем положение третьего высокочастотного максимума определяется величиной истинной подвижности носителей заряда.

2. Амплитуда сигнала нестационарной фото-ЭДС (Л = 633 нм), фотопроводимость и время релаксации фотопроводимости в кристаллах Bii2Si02o, выращенных в атмосфере аргона, более чем на два порядка превосходят аналогичные параметры кристаллов, выращенных в обычных условиях.

3. В кристаллах, зонная структура которых предполагает наличие носителей заряда с различными эффективными массами и различными диффузионными длинами переноса, зависимость нестационарной фото-ЭДС от пространственной частоты определяется длиной волны записывающего света: возбуждение носителей двух или нескольких типов приводит к постоянству сигнала в широком диапазоне пространственных частот интерференционной картины.

4. Амплитуда контактного сигнала, снимаемого с адаптивного фотоприемника на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС, может быть сравнима с величиной объемного сигнала. Разделение объемной и контактной составляющих фототока осуществляется использованием дополнительной низкочастотной фазовой модуляции одного из лучей, образующих интерференционную картину, а также выбором определенных значений пространственной частоты интерференционной картины.

Научная новизна.

1. Впервые теоретически изучено влияние мелких ловушечных уровней на возбуждение нестационарной фото-ЭДС в кристаллах со структурой типа силленита.

2. Выполнены экспериментальные исследования эффекта нестационарной фото-ЭДС в фоторефрактивных силленитах, выращенных в атмосфере аргона. Обнаружена и объяснена в рамках модели фоторефр-активного полупроводника с мелким ловушечным уровнем температурная зависимость нестационарной фото-ЭДС и времени релаксации фотопроводимости, позволяющая определить величину энергии активации мелких ловушечных уровней.

3. Впервые выполнены исследования нестационарной фото-ЭДС в молекулярном кристалле SnS2- Проведен теоретический анализ эффекта для полупроводника, характеризуемого наличием носителей заряда с разными эффективными массами и диффузионными длинами переноса.

Практическая ценность.

1. Для кристаллов, в запрещенной зоне которых присутствуют мелкие ловушечные уровни, предсказана возможность использования эффекта нестационарной фото-ЭДС для измерения скорости генерации с мелких ловушек, а также истинных (и эффективных) значений времени жизни носителей, их дрейфовой подвижности и диффузионной длины.

2. Увеличение отношения сигнал-шум и расширение диапазона детектируемых частот достигнуто увеличением температуры кристалла Bii2Si02o, выращенного в атмосфере аргона. Данные особенности могут быть использованы при выборе оптимальных режимов работы лазерных виброметров на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС.

3. Проведены исследования адаптивных фотоприемников на основе полуизолирующего кристалла GaAs (А = 633 нм) и кристалла SnS2 (А = 442, 325 нм). Предложена методика, заключающаяся в выборе специальных значений пространственной частоты и амплитуды дополнительной низкочастотной фазовой модуляции, позволяющая эффективным образом подавить контактную составляющую сигнала и значительно улучшить стабильность работы устройства.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 12 печатных работах.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на III Международной конференции "Проблемы физической метрологии" (Санкт-Петербург, 1998 г.), VII Международной конференции "Фоторефрактивные материалы, эффекты и приборы" (Дания, Эльсинор, 1999 г.), I Международной конференции "Оптика лазеров для молодых ученых" (Санкт-Петербург, 2000 г.), Международной конференции "Интерферометрия в спек л свете: Теория и применения" (Швейцария, Лозанна, 2000 г.), XVI Международном конгрессе "IMEKO" (Австрия, Вена, 2000 г.), а также на научных семинарах в ИПМаш РАН и в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.

В 2000 году работа была поддержана персональным грантом Конкурсного Центра Фундаментального Естествознания.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы из 108 наименований. Работа содержит 47 рисунков, 3 таблицы; полный объем работы - 148 страниц.

Основные результаты диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Выполнен теоретический анализ эффекта нестационарной фото-ЭДС для модели полупроводника с мелким ловушечным уровнем. Рассмотрены диффузионный и дрейфовый механизмы записи.

2. Проведены экспериментальные исследования эффекта нестационарной фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах Bii2Si02o и Bii2Ti02o, выращенных в атмосфере аргона. Определены важнейшие фотоэлектрические параметры (Л = 633 нм) кристаллов BSO: SdNd — 2.1 х Ю20 Дж-1м-1, У = 4.2 х Ю-17 м3с-1, // = 2.5 х 10"6 м2В-1с~1. По положению второго резонансного максимума на частотной зависимости фототока, оценена эффективная дрейфовая подвижность электронов в BSO: // = 4.3 х Ю-6 м2В-1с-1.

3. Исследовано влияние температуры на поведение сигнала нестационарной фото-ЭДС в кристалле Bii2Si02o, выращенном в атмосфере аргона. Проведен теоретический анализ указанного эффекта для модели фоторефрактивного кристалла с мелким ловушечным уровнем, что позволило оценить энергию активации Ej* ~ 0.45 эВ. Дополнительные измерения температурной зависимости времени релаксации фотопроводимости дали аналогичную величину для энергии активации Ет ~ 0.56 эВ.

4. Исследованы особенности возбуждения нестационарной фото-ЭДС в молекулярных кристаллах SnS2 для различных длин волн света Л = 633, 442, 325 нм. Проведен анализ эффекта нестационарной фото-ЭДС для модели фотопроводника, в котором перенос заряда осуществляется двумя типами носителей одного знака с разными транспортными параметрами. Определены основные фотоэлектрические параметры кристал лов.

5. Предложена и реализована методика разделения объемного и контактного сигналов в адаптивных фотоприемниках на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС. Показано, что для значений амплитуд дополнительной низкочастотной фазовой модуляции, соответствующих нулям функции Бесселя первого рода нулевого порядка [Jo(A) = 0], и для значений пространственных частот, при которых на межэлектродном промежутке укладывается целое число интерференционных полос [К = 2&7rL1, к £ N], происходит подавление (> 20 дБ) контактной составляющей фототока на частоте основной фазовой модуляции.

В заключение диссертации я искренне благодарю к.ф.-м.н. И.А. Соколова и д.ф.-м.н., проф. С.А. Кукушкина, под непосредственным руководством которых была выполнена диссертационная работа, В.В. Куликова, Е.В. Мокрушину и к.ф.-м.н. А. А. Петрова за помощь в проведении экспериментальных и теоретических исследований, д.ф.-м.н. Г.Б. Дубровского за предоставленные образцы SnS2, а также всех сотрудников лаборатории Когерентной оптики и электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН и лаборатории Структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН за доброжелательное отношение и помощь в работе.

Заключение

1. Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. - С.-Петербург: Наука, 1992. -320 с.

2. Krumins A., Gunter P. Holographic currents in reduced КШЮз crystals // Phys. St. Sol. (a). 1981. - V. 63. - P. K111-K114.

3. Трофимов Г.С., Степанов С.И. Нестационарные топографические токи в фоторефрактивных кристаллах // ФТТ. 1986. - Т. 28, В. 9. - С. 2785-2789.

4. Petrov М.Р., Sokolov I.A., Stepanov S.I., Trofimov G.S. Non-steady-state photo-electro-motive force induced by dynamic gratings in partially compensated photoconductors //J. Appl. Phys. 1990.- V. 68, № 5. P. 2216-2225.

5. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Non-steady-state photoelectromotive force in crystals with long photocarrier lifetimes //J. Opt. Soc. Am. B. 1993. - V. 10, № 8. - P. 1483-1488.

6. Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фо-тоиндуцированные явления в силленитах. Новосибирск: Наука, 1990. - 160 с.

7. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников.- М.: Наука, 1990. 688 с.

8. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1963. 496 с.

9. Tayebati P., Mahgerefteh D. Theory of the photorefractive effect for Bii2Si02o and ВаТЮз with shallow traps // J. Opt. Soc. Am. B. -1991. V. 8, № 5. - P. 1053-1064.

10. Pauliat G., Roosen G. Photorefractive effect generated in sillenite crystals by picosecond pulses and comparison with the quasi-continuous regime // J. Opt. Soc. Am. B. 1990. - V. 7, № 12. - P. 2259-2267.

11. Ashkin A., Boyd G.D., Driedzic J.M. et al. Optically-induced refractive index inhomogeneities in LiNbOs and ЫТаОз // Appl. Phys. Lett. 1966. - V. 9, № 1. - P. 72-74.

12. Chen F.S., LaMacchia J.Т., Fraser D.B. Holographic storage in lithium niobate // Appl. Phys. Lett. 1968. - V. 13, № 7. - P. 223-225.

13. Kukhtarev N.V., Markov V.B., Odulov S.G. et al. Holographic storage in electrooptic crystals. 1.Steady state // Ferroelectrics. -1979. V. 22, № 3-4. - P. 949-960.

14. Степанов С.И. Особенности фоторефрактивного эффекта в кристаллах с биполярной фотопроводимостью // ЖТФ. 1982. - Т. 52, В. 10. - С. 2114-2116.

15. Strohkendl F.P., Jonathan J.M.С., Hellwarth R.W. Hole-electron competition in photorefractive gratings // Opt. Lett. 1986. - V. 11, № 5. - P. 312-314.

16. Valley G. C. Simultaneous electron-hole transport in photorefractive materials // J. Appl. Phys. 1986. - V. 59, № 10. - P. 3363-3366.

17. Delboulbe A., Fromont C., Herriau J.P., Mallick S., Huignard J.P. Quasi-nondestructive readout of holographically stored information in photorefractive Bii2Si02o crystals // Appl. Phys. Lett. 1989. -V. 55, № 8. - P. 713-715.

18. Ландау JI.Д., Лифшиц ЕМ. Электродинамика сплошных сред. -М.: Наука, 1992. 664 с.

19. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А., Фукс Б.И. Волны пространственной перезарядки и "термотоковая" неустойчивость в компенсированных полупроводниках // ФТП. 1973. - Т. 7, В. 1. - С. 149-158.

20. Strohkendl F.P. Light-induced dark decays of photorefractive gratings and their observation in Bii2Si02o //J- Appl. Phys. 1989. - V. 65, № 10. - P. 3773-3780.

21. Nouchi P., Partanen J.P., Hellwarth R. W. Temperature dependence of electron mobility in photorefractive Bii2Si02o //J- Opt. Soc. Am. B. 1992. - V. 9, № 8. - P. 1428-1431.

22. Mahgerefteh D., Feinberg J. Explanation of the apparent sublinear photoconductivity of photorefractive barium titanate // Phys. Rev. Lett. 1990. - V. 64, № 18. - P. 2195-2198.

23. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. -М.: Мир, 1973.-416 с.

24. Винецкий В.Л., Kyxmapee Н.В. Теория проводимости, наводимой при записи голографических решеток в неметаллических кристаллах // Препринт ИФ АН Укр. ССР. Киев. - 1975. - 20 с.

25. Трофимов Г. С. Нестационарная фотоЭДС на динамических решетках в фоторефрактивных кристаллах: Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, 1989. - 169 с.

26. Соколов И. А. Нестационарная фотоЭДС на динамических решетках в кристаллах с большими временами жизни носителей: Дисс. канд. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1992. - 134 с.

27. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Intensity-dependent non-steady-state photo-EMF in the crystals with long photoelectron lifetimes // Optik. 1993. - V. 93, № 4. - P. 175-182.

28. Haken U., Hundhausen M., Ley L. Analysis of the moving-photocarrier-grating technique for the determination of mobility and lifetime of photocarriers in semiconductors // Phys. Rev. B. 1995.- V. 51, № 16. P. 10579-10590.

29. Partanen J.P., Jonathan J.M.C., Hellwarth R.W. Direct determination of electron mobility in photorefractive Bii2Si02o by a holographic time-of-flight technique // Appl. Phys. Lett. -1990. V. 57, № 23. - P. 2404-2406.

30. Mansurova S., Stepanov S., Korneev N., Dibon C. Giant enhancement of low frequency non-steady-state photo-EMF signal in Bii2Si02o crystal under external DC bias // Opt. Commun. 1998.- V. 152, № 3. P. 207-214.

31. Степанов С.И., Трофимов Г. С. Нестационарная ЭДС в кристаллах с биполярной фотопроводимостью // ФТТ. 1989. - Т. 31, В. 1. - С. 89-92.

32. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Non-steady photovoltage in crystals with long relaxation time of photoconductivity // Electron. Lett. 1990.- V. 26, № 16. P. 1275-1277.

33. Петров М.П., Степанов С.И., Трофимов Г.С. Нестационарная ЭДС в неоднородно освещаемом фотопроводнике / / Письма в ЖТФ. 1986. - Т. 12, В. 15. - С. 916-921.

34. Sochava S.L., Buse К., Kratzig E. Photoinduced Hall-current measurements in photorefractive sillenites // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51, № 7. - P. 4684-4686.

35. Sochava S.L., Kulikov V.V., Sokolov I.A., Petrov M.P. Optical detection of non-steady-state photo-electromotive force in В^ТЮго // Opt. Commun. 1996. - V. 125, № 4-6. - P. 262-266.

36. Korneev N.A., Stepanov S.I. Non-steady-state photoelectromotive force in semiconductor crystals with high light absorption //J. Appl. Phys. 1993. - V. 74, № 4. - P. 2736-2741.

37. Korneev N., Mansurova S., Stepanov S. Nonstationary current in bipolar photoconductor with slow photoconductivity relaxation //J. Appl. Phys. 1995. - V. 78, № 5. - P. 2925-2931.

38. Korneev N.A., Mansurova S.S., Stepanov S.I. et al. Non-steady-state photoelectromotive force in semiconductor photorefractive crystals biased by dc field // J. Opt. Soc. Am. B. 1996. - V. 13, № 10. - P. 2278-2285.

39. Korneev N., Mansurova 5., Rodriguez P., Stepanov S. Fast and slow processes in the dynamics of near-surface space-charge grating formation in GaAs // J. Opt. Soc. Am. B. 1997. - V. 14, № 2. - P. 396-399.

40. Соколов И.А., Степанов С.И., Трофимов Г. С. Нестационарная фотоэдс при двухчастотном нелинейном режиме возбуждения / / ЖТФ. 1989. - Т. 59, В. 10. - С. 126-129.

41. Deferrari Н.А., Darby R.A., Andrews F.A. Vibration displacement and mode-shape measurement by a laser interferometer //J. Acost. Soc. Amer. 1967. - V. 42. - P. 982-990.

42. Forward R.L. Wideband laser-interferometer gravitational-radiation experiment // Phys. Rev. D. 1978. - V. 17, № 2. - P. 379-390.

43. Pernick B.J. Self-consistent and direct reading laser homodyne measurement technique // Appl. Opt. 1973. - V. 12. - P. 607-610.

44. Nokes M.A., Hill B.C., Barelli A.E. Fibre optic heterodyne interferometer for vibration measurements in biological systems / / Rev. Sci. Instrum. 1978. - V. 49. - P. 722-728.

45. Hamel de Monchenault G., Huignard J. P. Two-wave mixing with time-modulated signal in Bii2Si02o theory and application to homodyne wave-front detection //J. Appl. Phys. 1988. - V. 63, № 3. - P. 624-627.

46. Davidson F.M., Boutsikaris L. Homodyne detection using photorefractive materials as beamsplitters // Opt. Eng. 1990. - V. 29, № 4. - P. 369-377.

47. Барменков Ю.О., Зосимов В.В., Кожевников Н.М. и др. Исследование малых ультразвуковых колебаний методами оптической динамической голографии // ДАН СССР. 1986. - Т. 290, № 5. - С. 1095-1098.

48. Барменков Ю.О., Зосимов В.В., Кожевников Н.М. и др. Голо-графическая фильтрация низкочастотных помех в выходном сигнале измерительного интерферометра. // Оптика и спектроскопия. 1988. - Т. 64, В. 6. - С. 1339-1343.

49. Барменков Ю.О., Кожевников Н.М. Влияние сильной низкочастотной фазовой помехи на чувствительность адаптивного голо-графического интерферометра // Письма в ЖТФ. 1991. - Т. 17, В. 14. - С. 22-26.

50. Dewhurst R.J., Shan Q. Optical remote measurement of ultrasound 11 Meas. Sci. Technol. 1999. - V. 10. - P. R139-R168.

51. Кравцов Ю.А., Минченко A.M., Летчиков В.Г. Акустооптичес-кие преобразователи на основе волоконных световодов // Радиотехника. 1982. - Т. 37, № 10. - С. 3-15.

52. Jackson D.A., Priest R.; Dandridge A. Elimination of drift in a single-mode optical fiber interferometer using a piezoelectrically stretched coiled fiber // Appl. Opt. 1980. - V. 19, № 17. - P. 2926-2929.

53. Hall T.J., Fiddy M.A. Detector for an optical-fiber acoustic sensor using dynamic holographic interferometry // Opt. Lett. 1980. - V. 5. - P. 601-605.

54. Соколов И.А., Степанов С.И., Трофимов Г.С. Регистрация малых колебаний диффузнорассеивающих объектов с помощью адаптивных фотоприемников на основе GaAs:Cr // Акустический журнал. 1991. - Т. 37, В. 5. - С. 998-1005.

55. Sokolov I.A. Adaptive photodetectors: novel approach for vibration measurements // Measurement. 2000. - V. 27, № 1. - P. 13-19.

56. Nolte D.D., Coy J.A., Dunning G.J. et al. Enhanced responsivity of non-steady-state photoinduced electromotive force sensors using asymmetric interdigitated contacts // Opt. Lett. 1999. - V. 24, № 5. - P. 342-344.

57. Coy J. A., Nolte D.D., Dunning G.J. et al. Asymmetric interdigitated metal-semiconductor-metal contacts for improved adaptive photoinduced-electromotive-force detectors //J. Opt. Soc. Am. B. 2000. - V. 17, № 5. - P. 697-704.

58. Arroyo Carrasco M.L., Rodriguez Montero P., Stepanov S. Measurement of the coherence length of diffusely scattered laserbeams with adaptive photodetectors // Opt. Commun. 1998. -V. 157. - P. 105-110.

59. Ding Y., Lahiri I., Nolte D.D. et al. Electric field correlation of femtosecond pulses by use of a photoelectromotive-force detector // J. Opt. Soc. Am. B. 1998. - V. 15, № 7. - P. 2013-2017.

60. Акустические кристаллы. / Справочник, под ред. М.П. Шасколь-ской. М.: Наука, 1982. - 632 с.

61. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Svensson С. Crystal structure and absolute piezoelectric du coefficient in laevorotatory Bii2Si02o //J-Chem. Phys. 1979. - V. 71, № 2. - P. 788-792.

62. Шасколъская М.П. Кристаллография. M.: Высшая школа, 1976.- 392 с.

63. Efendiev Sh.M., Bagiev V.E., Zeinally A.Ch. et al. Optical properties of Bii2TiO20 single crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. - V. 63.- P. K19-K22.

64. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport processes of photoinduced carriers in Bii2Si02o //J- Appl. Phys. 1973. - V. 44, № 6. - P. 2652-2658.

65. Ballman A.A., Brown H., Tien P.K., Martin R.J. The growth of single crystalline waveguiding thin films of piezoelectric sillenites // J. Cryst. Growth. 1973. - V. 20, № 3. - P. 251-255.

66. Ballman A.A. The growth and properties of piezoelectric bismuth germanium oxide Bii2Ge02o // J• Cryst. Growth. 1967. - V. 1, № 1. - P. 37-40.

67. Aldrich R.E., Hou S.L., Harwill M.L. Electrical and optical properties of Bii2SiO20 // J. Appl. Phys.' 1971. - V. 42, № 1. -P. 493-494.

68. Fox A. J., Bruton T.M. Electro-optic effects in the optically active compounds Bii2Ti02o and Bi4oGa2063 // Appl. Phys. Lett. 1975. - V. 27, № 6. - P. 360-362.

69. Abrahams S.C., Svensson C., Tanguay A.R. Crystal chirality and optical rotation sense in isomorhous Bii2Si02o and Bii2Ge02o //J. Sol. St. Commun. 1979. - V. 30, № 5. - P. 293-295.

70. Lauer R.B. Electron effective mass and conduction-band effective density of states in Bii2Si02o //J- Appl. Phys. 1974. - V. 45, № 4. - P. 1794-1797.

71. Гудаев О.А., Детиненко В.А., Малиновский В.К. Энергетический спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута // ФТТ. 1981. - Т. 23, В. 1. - С. 195-201.

72. Гудаев О.А., Гусев В.А., Детиненко В.А. и др. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bii2Ge02o, Bii2Si02o // Автометрия. 1981. - № 5. - С. 38-47.

73. Березкин В. И. Оптические и термические переходы в силикате висмута // ФТТ. 1983. - Т. 25, В. 2. - С. 490-494.

74. Пенчева Т.Г., Степанов С.И. О знаке подвижных носителей тока в кубических фоторефрактивных кристаллах Bii2(Si,Ge,Ti)02o // ФТТ. 1982. - Т. 24, В. 4. - С. 1214-1216.

75. Huignard J.P., Micheron F. High-sensitivity read-write volume holographic storage in В^ЭЮго and Bii2Ge02o crystals // Appl. Phys. Lett. 1976. - V. 29, № 9. - P. 591-593.

76. Дубровский Г.Б. Кристаллическая структура и электронный спектр SnS2 // ФТТ. 1998. - Т. 40, В. 9. - С. 1712-1718.

77. Acharya S., Srivastava O.N. Electronic behaviour of SnS2 crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. - V. 65, № 2. - P. 717-723.

78. Domingo G., Itoga R.S., Kannewurf C.R. Fundamental optical absorption in SnS2 and SnSe2 // Phys. Rev. 1966. - V. 143, № 2. - P. 536-541.

79. Физические величины. / Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

80. Patil S.G., Tredgold R.H. Electrical and photoconductive properties of SnS2 crystals // J. Phys. D. 1971. - V. 4, № 5. - P. 718-722.

81. Nakata R., Yamaguchi M., Zembutsu S., Sumita M. Crystal growth and photoconductive effects of stannic chalcogenides //J. Phys. Soc. Jap. 1972. - V. 32, № 4. - P. 1153.

82. Shibata Т., Muranushi Y., Miura Т., Kishi T. Photoconductive properties of single-crystal 2H-SnS2 //J- Phys. Chem. Solids. 1990.- V. 51, № 11. P. 1297-1300.

83. Дубровский Г.Б., Шелых А.И. Фотоэлектрические свойства дисульфида олова // ФТТ. 1998. - Т. 40, В. 8. - С. 1426-1427.

84. Хи S., Miller С.С., Cao J. et al. Femtosecond photoemission study of electron relaxation in two-dimensional layered electron systems // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. - V. 15, № 3. - P. 1510-1514.

85. Xu S., Miller C.C., Diol S.J. et al. Ultrafast electron dynamics in two dimensional layered systems: two photon photoemission studies of SnS2 // Chem. Phys. Lett. 1997. - V. 272, № 3-4. - P. 209-218.

86. Mokrushina E.V., Bryushinin M.A., Kulikov V.V., Petrov A.A., Sokolov I.A. Photoconductive properties of photorefractive sillenites grown in an oxygen-free atmosphere //J. Opt. Soc. Am. B. 1999.- V. 16, № 1. P. 57-62.

87. Брыксин В.В., Петров М.П. Пространственное выпрямление полей фоторефрактивных волн // ФТТ. 2000. - Т. 42, В. 10. - С. 1808-1813.

88. Bryushinin M.A., Sokolov I.A. Theory of the non-steady-state photoelectromotive force for a two level model of a photoconductor // Phys. Rev. B. 2000. - V. 62, № 11. - P. 7186-7194.

89. Biaggio I., Hellwarth R.W., Partanen J.P. Band mobility of photoexcited electrons in Bii2Si02o // Phys. Rev. Lett. 1997. -V. 78, № 5. - P. 891-894.

90. Refregier Ph., Solymar L., Rajbenbach H., Huignard J.P. Two-beam coupling in photorefractive Bii2Si02o crystals with moving grating: Theory and experiments // J. Appl. Phys. 1985. - V. 58, № 1. - P. 45-57.

91. Брюшинин M.A., Соколов И.А. Нестационарный фототок в кристалле Bii2Si02o, выращенном в атмосфере аргона // Письма в ЖТФ. 1999. - Т. 25, В. 9. - С. 63-69.

92. Bryushinin M.A., Sokolov I.A. Resonant excitation of space-charge and photoconductivity waves in semiconductors with shallow energy levels // Phys. Rev. B. 2001. - V. 63, № 15. - P. 153203-1-4.

93. Брыксин В.В., Петров М.П. Теория фоторефрактивного резонанса // ФТТ. 1998. - Т. 40, В. 8. - С. 1450-1459.

94. Bryushinin M.A., Petrov A.A., Sokolov I.A. Temperature dependence of the non-steady-state photocurrents in Bii2Si02o grown in an oxygen-free atmosphere // Advances in photorefractive materials, effects, and devices. TOPS. 1999. - V. 27. - P. 67-71.

95. Korneev N., Mayorga-Cruz D., Sanchez-Mondragon J.J. Influence of shallow traps on holographic recording in Bii2SiO20 in the temperature range 200 350 К // Appl. Phys. B. - 1999. - V. 68, № 5. - P. 859-862.

96. Костюк B.X., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Фотоперенос в монокристаллах Bii2SiO20 и Bii2GeO20 // ФТТ. 1980. - Т. 22, В. 8. - С. 2454-2459.

97. Bryushinin М.А., Dubrovsky G.B., Sokolov I.A. Non-steady-state photocurrents in SnS2 crystals // Appl. Phys. B. 1999. - V. 68, № 5. - P. 871-875.

98. Бори M., Волъф Э. Основы оптики. / пер. с англ. под ред. Г.П. Мотулевич. М.: Наука, 1970. - 856 с.

99. Korneev N.A., Stepanov S.I. Nonsteady-state photo-EMF in thin photo conductive layers // IEEE J. Quantum Electron. 1994. - V. 30, № 11. - P. 2721-2725.

100. Трофимов Г.С., Степанов С.И., Петров М.П., Красинъкова М.В. Нестационарная фотоэде при пространственно неоднородном поверхностном возбуждении GaAs:Cr // Письма в ЖТФ. -1987. Т. 13, В. 5. - С. 265-269.