Низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства кристаллов-релаксоров семейства SBN тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом (релаксоры). литературный обзор.

§1.1. Общие черты объектов с размытым фазовым переходом и некоторые модели, описывающие процессы релаксации диэлектрической поляризации в области размытого фазового перехода.

1.1.1. Суперпараэлектрическая модель и модель дипольного стекла.

1.1.2. Стекольный характер поведения поляризации.

1.1.3. Доменное состояние, индуцированное случайным полем.

§ 1.2. Характеристика 8ВЫ как объекта с размытым фазовым переходом.

1.2.1. Кристаллическая структура.

1.2.2. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов семейства 8ВЫ.

1.2.3. Диэлектрические свойства кристаллов БВЫ.

Выводы.

Глава 2. Измерительная аппаратура, методика диэлектрических измерений и подготовки образцов.

§2.1. Экспериментальные установки.

§ 2.2. Методика диэлектрических измерений.

2.2.1. Частотно-температурные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости в*(у,Т).

2.2.2. Влияние механического напряжения на диэлектрические свойства 8ВМ в области РФП.

2.2.3. Временные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости е*.

2.2.4. Измерения токов поляризации и деполяризации в исследуемых монокристаллах.

2.2.5. Влияние постоянных электрических полей на диэлектрический отклик монокристаллов 8ВТЧ.

2.2.6. Измерения реверсивных зависимостей диэлектрической проницаемости е*(Е=).

2.2.7. Измерение диэлектрических характеристик переключения в средних (промежуточных) и сильных гармонических электрических полях.

§ 2.3. Подготовка образцов для диэлектрических измерений.

Глава 3. Низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства кристаллов 8вгч-75 и 8в1ч-61 в ультраслабых измерительных полях.

§3.1. Частотно-температурные зависимости монокристаллов 8ВЫ.

§ 3.2. Обсуждение результатов.

§ 3.3. Дисперсия в* в релаксорном сегнетоэлектрике БВИ.

§ 3.4. Обсуждение результатов.

§ 3.5. Влияние механического напряжения на диэлектрические свойства SBN в области РФП.

§ 3.6. Обсуждение результатов.

§ 3.7. Долговременные релаксационные явления в монокристалле 8ВИ.

3.7.1. Эффект термической памяти (ЭТП) релаксоров БВЫ.

§ 3.8. Обсуждение результатов.

§ 3.9. Сравнение поведения диэлектрических параметров с поведением токов поляризации и деполяризации в монокристалле SBN.

§ 3.10. Обсуждение результатов.

Выводы.

Глава 4. Диэлектрические свойства системы SBN при воздействии постоянного (смещающего) и переменного полей различных напряженности и амплитуды.

§4.1. Влияние постоянных электрических полей на диэлектрический отклик монокристаллов SBN.

§ 4.2. Обсуждение результатов.

§ 4.3. Эффект полевой памяти в монокристалле SBN.

§ 4.4. Обсуждение результатов.

§ 4.5. Поляризационные и переполяризационные процессы в SBN.

4.5.1. Влияние предыстории на характер поляризационных и переполяризационных процессов монокристаллов SBN.

§ 4.6. Обсуждение результатов.

Выводы.

Актуальность темы Сегнетоэлектричество является одним из интенсивно развивающихся разделов физики твердого тела. В работах А.Г. Смоленского и В.А. Исупова при изучении физических свойств поликристаллических твердых растворов Ва(Т1,8п)Оз [1,2] было показано, что наряду с сег-нетоэлектриками (СЭ), обладающими четким (точечным) фазовым переходом (ФП), существует особый вид СЭ, у которых наблюдается существенное размытие максимума диэлектрической проницаемости (е') при ФП (размытый фазовый переход - РФП). Этими же авторами была предложена модель, позволяющая достаточно наглядно и физически обосновано объяснить причины, приводящие к РФП. Дальнейшие исследования, проведенные авторами [1, 2], привели к выделению в отдельное направление раздела сегнетоэлек-тричества, связанного с изучением свойств материалов с РФП - релаксоров. В последнее время эти материалы привлекают к себе особенно пристальное внимание, вызванное, с одной стороны, все возрастающим интересом к фундаментальной стороне проблемы РФП и, с другой, - стремительным расширением возможностей практического использования сегнетоэлектрических материалов во многих областях современной техники: гидроакустике, радиотехнике, квантовой электронике, нелинейной оптике, вычислительной технике и др.

Одной из некоторых особенностей СЭ с РФП как разупорядоченных систем является проявление стеклоподобных свойств, наличие полярных микро- и наноструктур, которые существенным образом влияют на диэлектрические, оптические, акустические и др. свойства релаксорных сегнето-электриков (РСЭ). Однако, несмотря на большое количество работ, посвященных проблеме исследования РСЭ, вопрос о природе их физических свойств до сих пор остается открытым. В частности, крайне недостаточна информация, касающаяся явлений, происходящих при РФП, влияния дефектов на процессы, имеющие место в области РФП, а также влияния степени упорядочения на характер РФП в этих веществах.

Вследствие того, что процессы релаксации физических свойств СЭ и родственных им материалов во многом определяются их дефектной структурой (см. например [3, 4]) и, как правило, протекают достаточно медленно, применение низко- (НЧ) инфранизкочастотной (ИНЧ) диэлектрической спектроскопии является наиболее адекватной методикой при изучении таких объектов (в частности монокристаллов семейства SBN).

Тематика диссертационной работы соответствует "Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований", утвержденных Президиумом РАН, а работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики Волгоградской архитектурно-строительной академии по грантам Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 95-02-06366-а по теме "Влияние доменных и фазовых границ, а также дефектов недоменной природы на макроскопические физические свойства некоторых пьезо-сегнетоэлектрических монокристаллов и керамик" и проект № 98-02-16146 по теме "Долговременные релаксационные процессы в сегне-тоэлектриках и родственных материалах в связи с их реальной структурой") и грантов конкурсного центра Минобразования России [проект № 97-0-7.143 по теме "Медленные электрофизические процессы в неоднородных (неупорядоченных) структурах на основе сегнетоэлектриков и родственных материалов (высокоомных полупроводников)"].

Цель работы заключалась в исследовании низко- и инфранизкоча-стотного диэлектрического отклика монокристаллов ниобата бария-стронция (SBN) с различным соотношением Sr и Ва в зависимости от внешних воздействий различной природы в широкой области температур. В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Изучение НЧ-ИНЧ диэлектрических спектров комплексной диэлектрической проницаемости 8* в широком интервале температур, охватывающем окрестности РФП, в ультраслабых, слабых, средних и сильных измерительных полях.

2. Исследование влияния механических напряжений различной величины, а также воздействия постоянного (смещающего) и переменного полей различной напряженности и амплитуды на НЧ-ИНЧ диэлектрические свойства релаксорного сегнетоэлектрика 8ВЫ в широкой области температур при различной предыстории материала.

3. Исследование кинетики сверхмедленных релаксационных процессов диэлектрической поляризации, происходящих в монокристаллах 8ВЫ в области РФП .

Научная новизна Впервые проведены систематические исследования НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств, пиротоков и токов деполяризации кристаллов 8ВМ-61 и 8ВМ-75 в зависимости от предыстории в широком интервале температур, охватывающем область фазового перехода. В частности:

- показано, что в области РФП НЧ-ИНЧ дисперсия в* описывается уравнением Коула-Коула с глубиной дисперсии, испытывающей аномалии в области характерных температур Тт и Tf (Тт - температура максимума диэлектрической проницаемости, - температура "замораживания" диэлектрических релаксаторов - "полярных кластеров");

- обнаружено, что воздействие механического напряжения на монокристаллы 8ВЫ приводит к уменьшению глубины НЧ-ИНЧ дисперсии в* в области Т>Тт.

- установлено существование пороговых полей Еп, определяющих характер реверсивных зависимостей е'г(Е=) и особенности проявления эффекта памяти поля для £г ;

- изучена частотно-амплитудная эволюция петель поляризации (1111) и переполяризационных характеристик (ПХ), обнаружены новые низкотемпературные аномалии этих характеристик;

- показано, что в окрестности Тт в области полей насыщения имеются скачки поляризации, свидетельствующие о возникновении в релаксорной фазе метастабильных состояний, аналогичных электретным;

- установлено существование токов поляризации и деполяризации, величина которых зависит от предыстории образцов, что подтверждает возможность возникновения квазиэлектретнош состояния ("естественной унипо-лярности" в релаксорной фазе).

Практическая значимость. Новые результаты, установленные закономерности, а также предложенные модели для описания изменения НЧ-ИНЧ диэлектрических параметров монокристаллов семейства 8ВМ при влиянии внешних воздействий различной природы, представленные в диссертационной работе, позволяют значительно пополнить имеющуюся информацию о процессах диэлектрической релаксации в материалах, обладающих РФП, что будет полезно как для разработчиков технических применений кристаллов 8В1Ч, так и для проверки существующих и разработки новых теоретических представлений об особенностях физических свойств релаксоров вообще.

В качестве объектов исследований выбраны сегнетоэлектрические твердые растворы монокристаллов ниобата бария-стронция 8ВЫ (общей формулой 8гхВа1-х№>20б) с различным соотношением Бг и Ва: х = 0,75 ат. % и х=0,61 ат. % (далее 8ВЫ-75 и 8ВМ-61, соответственно). Данные растворы были выращены Ивлевой Л.И. в НЦЛМиТ ИОФ РАН и представляют собой прозрачные кристаллы, которые имеют важное практическое применение. По ряду физических свойств, в зависимости от соотношения 8г и Ва в составе монокристалла, эти материалы относятся к сегнетоэлектрикам с сильно размытым фазовым переходом, вследствие чего они представляют большой интерес как с точки зрения фундаментальных исследований, так и в связи с перспективностью применения их в технике.

Положения, выносимые на защиту:

1. В монокристаллах БВИ в области РФП имеет место значительная НЧ-ИЫЧ дисперсия е*, описываемая уравнением Коула-Коула. Глубина (Дб) данной дисперсии с* испытывает аномалии в области двух характерных температур: Тт - температуры максимума диэлектрической проницаемости и Тг - температуры "замораживания", получаемой из соотношения Фогеля-Фулчера, которое выполняется для релаксора 8 ВЫ как в НЧ, так и ИНЧ диапазонах.

2. Длительная выдержка ("старение") материала 8ВЫ при температуре Тв, лежащей в интервале (Тт ч- Т<-), приводит к появлению в температурной зависимости эффективной глубины дисперсии Ав'(Т) в области Тв - "плато", являющегося следствием эффекта термической памяти. Протяженность "плато" зависит от значений смещающего поля Е=, подаваемого на образец.

3. Пороговые поля Еп, определяющие ход реверсивных зависимостей в'(Е=) в области полей длительного воздействия и, тем самым, определяющие характер проявления эффекта полевой памяти, существенно зависят как от времени воздействия смещающего поля, так и от амплитуды измерительного поля Е().

4. В термически деполяризованном монокристалле 8ВК существуют токи поляризации и деполяризации, свидетельствующие об изначальной (не вызванной внешним поляризующим полем) униполярности релаксора 8ВМ. Данная униполярность увеличивается с течением времени при старении релаксора 8ВЫ в температурной области Т < Тт.

5. В низкотемпературной области у монокристалла 8ВЫ существует аномальное поведение температурных зависимостей таких переполяризационных характеристик как нормированная остаточная поляризация Р (Т), тангенс угла диэлектрических потерь tg5(T) и полуширина петли

I шах поляризации (\/2(Ер=0 + Ер=0)={(Т)). Такое поведение ПХ дает основание предполагать существование в системе БВЫ низкотемпературного фазового перехода.

Апробация результатов работы Основные результаты, изложенные в диссертационной работе, докладывались на: VI Международном семинаре по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 1994 г.), I и II Межвузовской научно-практической конференции студентов и молодых ученых (Волгоград, 1994 и 1995 гг.), VI Международном семинаре "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1995), XIV Всероссийской конференции по физике сегнето-электриков (Иваново, 1995 г.), Международной конференции по исследованию и применению оптических материалов (Рига, Латвия, 1996 г.), Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриков "Диэлектрики-97" (Санкт-Петербург, 1997 г.), IX Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Сеул, Южная Корея, 1997 г.), VII Международном семинаре по физике сегнетоэластиков (Казань, 1997 г.), XI Международном симпозиуме по применению сегнетоэлектриков и VI Европейской конференции по применению полярных диэлектриков (Монтре, Швейцария, 1998 г.).

Публикации

Содержание диссертации опубликовано в 18 печатных работах (из них 6 статей в реферируемых научных журналах).

Структура и объем

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 165 страниц, включая 28 рисунков, 8 таблиц. Список литературы содержит 175 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Комплексное исследование НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика монокристаллов SBN в широкой температурной области, в интервале измерительных полей от ультраслабых до сильных, а также изучение влияния предыстории материала на диэлектрические свойства исследуемых составов позволили выявить новые и получить дополнительные сведения о свойствах релаксорных сегнетоэлектриков семейства калий-вольфрамовых бронз (SBN). Основные из этих результатов и выводы можно сформулировать следующим образом:

1. В монокристаллах SBN в области размытого фазового перехода существует значительная НЧ-ИНЧ дисперсия £*, описываемая уравнением Коула-Коула. Температурное поведение таких параметров как глубина дисперсии (Ае), наиболее вероятная частота релаксации (vr), энергия активации процесса поляризации (Ua) позволили сделать вывод о том, что вклад в данную дисперсию в области температур Т > Тт обусловливается релаксацией отдельных полярных нанообластей (или полярных кластеров, размеры которых составляют несколько нанометров), в области Tf -f- Tm - релаксацией полярных фрактокластеров-микроэлектретов и их границ, в области Т < Tf релаксацией как межфазных границ между микродоменами, так и релаксацией доменных стенок микро- и макродоменов.

2. Длительная выдержка ("старение") материала SBN при температуре Тв, лежащей в интервале (Тт ч- Tf) приводит к появлению в температурной зависимости эффективной глубины дисперсии Ае'(Т) в области Тв - "плато", являющегося следствием эффекта диэлектрической памяти. Протяженность "плато" зависит от значений смещающего поля Е=, подаваемого на образец. Это связывается с тем, что как при "старении", так и при воздействии смещающего поля образуются полярные фрактокластеры-микроэлектреты за счет существенного взаимодействия между соседними ПНО и возникающей, вследствие этого, сонаправленности между их Р5. Последнее, в свою очередь, приводит к появлению внутреннего "микроэлек-третного" поля соответствующим образом модулирующего диэлектрический отклик системы.

3. Обнаружены пороговые поля Еп, определяющие ход реверсивных зависимостей е'(Е=) в области полей длительного воздействия и, тем самым, определяющие характер проявления эффекта диэлектрической полевой памяти. Величина этих пороговых полей существенно зависит как от времени воздействия смещающего поля (Еп — растет с течением времени, так как с течением времени растет кластер-микроэлектрет), так и от амплитуды измерительного поля Е0 (Еп уменьшаются с ростом Е0), так как достаточно сильные переменные поля постепенно нарушают сонаправленность ПНО в микроэлектрете.

4. В термически деполяризованном монокристалле БВИ существуют пирото-ки, свидетельствующие об "изначальной" униполярности образцов БВК. Причинами такой униполярности могут быть следующие: во-первых, это появление фрактокластеров-микроэлектретов при охлаждении от Т > Тт, во-вторых, конечная скорость охлаждения, при которой такая неупорядоченная система, как релаксор, всегда остается в существенно неравновесном состоянии, что определяет возможность замораживания большего количества диполей с Рн одного знака направленности, чем другого; и, в-третьих, наличие дефектов в исследуемых материалах. Поведение токов поляризации свидетельствуют об увеличении униполярности с течением времени, когда релаксор 8В1Ч стареет при Т < Тт, что подтверждает предположение о росте кластеров-микроэлектретов с течением времени. Рост токов при нагреве образца до Т > Тт связан с наложением на пиротоки то

146 ков деполяризации, которые возникают при распаде микроэлектретного состояния в веществе. 5. В низкотемпературной области у монокристалла 8 ВЫ существует аномальное поведение температурных зависимостей таких переполяризационных характеристик как нормированная остаточная поляризация Р

Т)), тангенс угла диэлектрических потерь (^8) и полуширина петита* ли поляризации (\/2(Ер=0 + Ер=0)={(Т)). Данное поведение переполяризационных характеристик согласуется с поведением физических свойств в других релаксорных материалах и могут быть связаны с эволюцией фазовых состояний в неупорядоченных системах.

147

БЛАГОДАРНОСТИ

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научным руководителям Шильникову A.B. и Бурханову А.И. за постановку задачи, постоянную помощь и внимание к работе, Попову Э.С., Галия-ровой Н.М. и Надолинской Е.Г. за полезные замечания и советы по содержанию диссертационной работы, а также Ивлевой Л.И. за предоставление и высокое качество образцов.

1. Смоленский Г.А., Исупов В.А. - Фазовые переходы в некоторых твердыхрастворах, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами. // ДАН СССР. 1954. т. 9, № 1. с. 653-654.

2. Смоленский Г.А., Исупов В.А. Сегнетоэлектрические свойства твердыхрастворов станната-титаната бария. // ЖТФ. 1954. т. 24, № 8. с. 1375— 1386.

3. Шильников А.В. Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическаяспектроскопия некоторых сегнетоэлектрических кристаллов и керамик. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. т.51, №10. с.1726-1735.

4. Багаутдинов Б.Ш., Шмытько И.М. Дифракционные свидетельстваобразования волн плотности дефектов в несоразмерных модулированных структурах. // Письма в ЖЭТФ. 1994, т. 59, в. 3, с. 171-175.

5. Исупов В.А. Сегнетоэлектрики со слабо размытыми фазовымипереходами. // ФТТ. 1986. т.28, №7. с. 2235-2238.

6. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрические и родственные им материалы.

7. Москва.: "Мир", 1981, 316 с.

8. Доценко B.C.- Физика спин-стекольного состояния. // УФН, 1993, т. 163,6, с. 1-37.

9. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управлениялазерным излучением. //М.: Наука. 1982, с. 100-175.

10. Дубовик М.Ф., Дрогайцев Е.А., Теплицкая Т.С. //В сб. Монокристаллы итехника.// Харьков. ВНИИ монокристаллов, 1975, В.5 с.23.

11. Ainger Frank W. Ferroelectrics electro-optic materials. // Electro-Opt. and Nonlinear Opt. Mater.: Proc. Symp. Electro-Opt. and Nonlinear Opt., Anaheim, Calif., Oct. 31-Nov. 1989. - Westerville (Ohio), 1990. c. 3-20.

12. Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б., Дудник О.Ф. Пьезо- и сегнетоматериалы и их применение. // М.: МДНТП им. Ф.Э.Дзержинского, 1978, 86 с.

13. Иванова Л.А., Веневцев Ю.Н. Научно-технические прогнозы в областисегнетоэлектриков. // Сегнето— и антисегнетоэлектрические соединения. М, НИИТЭХИМ. 1984. 75 с.

14. Круминь А.Э. Прозрачная сегнетокерамика в качестве объекта физических исследований, оптические и электрические свойства. Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках. Сб. научн. трудов. Рига. ЛГУ. 1984. с.3-24.

15. Смоленский Г.А., Крайник Н.Н., Бережной А.А., Мыльникова И.Е. -Электрооптический эффект в кристаллах PbMgi/3Nb2/303. // ФТТ. 1968, т. 10, вып. 2, с. 467-471.

16. Исупов В.А. Физические явления в сегнетоэлектрических сложных перовскитах. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983, т.,47, №3. с.559-585.

17. Штернберг А.Р. Современное состояние в технологии получения в исследовании и применении электрооптической сегнетокерамики. (Обзор). // В сб. "Электрооптическая сегнетокерамика". Рига, 1977, с. 5104.

18. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics. // Ferroelectrics 1987, v76, nl/2. pp.241267.

19. Reineke Т., Ngai K. Disorder in ferroelectrics. // Solid State Communs. -1976, v.18, № 18—P, pp. 1543-1547.

20. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics: an overview. // Ferroelectrics, 1994,vol. 151, pp. 305-320.

21. Glinchuk M.D., Laguta V.V., Bykov I.P., Nokhrin S., Bovtun V.P., Leschenko M.A., Rosa J., Jastrabi'k L. Nuclear magnetic resonance study of ion ordering and ion shifts in relaxor ferroelectrics. // J. Appl. Phys. 1997, v.81, №8, Ptl. p. 3561-3569.

22. Bykov A.A., Rayevskii I.P., Smotrakov V.G., and Prokopalo O.I. Kinetics of compositional ordering in Pb2B'B"06 crystals. // Phys. stat. sol. (a), 1986,v. 93,pp. 411-417.

23. Раевский И.П., Еремкин B.B., Смотраков В.Г., Гагарина Е.С., Малицкая М.А. -Диэлектрические свойства монокристаллов твердых растворов скандониобата свинца-бария.//Письма в ЖТФ, 1999, т. 25, вып. 5, с. 47-52.

24. Малиновский В.К., Стурман Б.И. О релаксационных токах в твердых телах. // ЖЭТФ. 1980, т. 79, № 17, с. 207-215.

25. Бородин В.З., Литвин А.Ф., Пикалев М.М. Релаксационные явления в пьезокерамике при изменении температуры и амплитуды внешнего воздействия. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. т.48, №6. с. 1090-1093.

26. Толстоусов C.B. Исследование процессов переключения и релаксационных явлений в структурах тонкая пленка сегнетоэлектрика -кремниевая подложка. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. т.48, № 6. с. 1103— 1106.

27. Богомолов A.A., Дабижа Т.А., Сергеева О.Н. Процессы переполяризации термического происхождения в монокристаллах группы ТГС. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. т.48, №6. с.1184-1188.

28. Карпов А.И., Поплавко Ю.М. Гармонический анализ процессов переполяризации монокристаллов ТГС в синусоидальном электрическом поле. // ИзвАН СССР. Сер.физ. 1984. т.48, №6. с.1193-1196.

29. Каменцев В.П., Рудяк В.М. Процессы переключения монокристаллов ниобата лития в глубокой сегнетофазе. //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. т.48, №6. с. 1204-1208.

30. Глизер A.A. Роль диэлектрической вязкости в процессах переключениясегнетоэлектриков при различных частотах внешнего воздействия. // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Калинин, ун-т, Калинин, 1987. с.135-139.

31. Камышева Л.Н., Сердюк О.М. Релаксация макроскопической поляризации в чистых и примесных кристаллах ТГС. // Тезисы докл. 11 Всесоюзн. конф. по физике сегнетоэлектриков; Черновцы, 1986.: Киев. 1986. т. 2, с. 146.

32. Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б. Размытый сегнетоэлектрический фазовый переход в монокристаллах (Sr,Ba,Ca)Nb2C>6. // ФТТ, 1981, т.23, в.8, с.2394-2400.

33. Ищук В.М., Завадский Э.А., Гулиш O.K., Размытые фазовые переходы в твердых растворах ЦТС, обусловленные сосуществованием сегнетоэлекгрической и антисегнетоэлектрической фаз // ФТТ, 1986, т. 28, в. 5, с. 1502-1504.

34. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрики с размытыми фазовыми переходами. // В кн. Проблемы современной физики. Л., 1980, с. 185-197.

35. Смоленский Г.А., Крайник Н.Н., Кузнецова Л.А., Камзина Л.С., Шмидт Г., Арндт X. Фазовые переходы в кристаллах магнониобата свинца. // ФТТ, 1981, т.23, вып. 5, с. 1341-1346.

36. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Сегнетоэлектрические фазовые переходы, индуцированные дипольными дефектами. // Изв. АН СССР, Сер. физ. 1983, т. 47, №3, 582-586.

37. Prater R.L., Chase L.L., Boatner L.A. Raman Scattering Studies of the Impurity-Induced Ferroelectric Phase Transition in Kta03:Li. // Phys. Rev. B, 1981, vol. 23, p. 5904-5915.

38. Стенли Г. Фазовые переходы и критические явления. // М.: Мир, 1973,419 с.

39. Фрицберг В.Я., Звиргздс Ю.А., Шебанов JI.A. О механизме фазового перехода в ВаТЮ3. // Изв. АН СССР, Сер. физ., 1983, т.47, №4, с. 696-701.

40. Фрицберг В.Я., Борман К.Я. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках со структурой перовскита. // Рига, 1974, с. 99-149.

41. Смоленский Г.А., Тарутин Н.П., Трудцин Н.П. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов цирконата бария в титанате бария. // ЖТФ. 1954. т. 24, вып. 9, с. 1584-1593.

42. Смоленский Г.А., Исупов В.А., Аграновская А.И., Попов С.Н. -Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом. // ФТТ. 1960, т. 2, вып. 11, с.2906-2918.

43. Боков В.А., Мыльникова И.Е. Электрические и оптические свойства монокристаллов-сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. // ФТТ, 1961, т. 3, вып. 3, с. 841-855.

44. Смоленский Г.А, Боков В.А, Исупов В.А и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. // Д.: Наука, 1985, 396 с.

45. Кириллов В.В., Исупов В.А. Исследование диэлектрической поляризации PbMgi/3Nb2/303 в диапазоне частот 10 2^-105 Гц. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1969, т. 33, № 2, с.313.

46. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник H.H., Пасынков P.E.,

47. Соколов А.И., Юшин Н.К. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука, 1985,396 с.

48. Кириллов В.В., Исупов В.А. Релаксационная поляризация сегнетоэлектрика PbMgi/3Nb2/3 с размытым фазовым переходом. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т.35. №12. с. 2602-2606.

49. Viehland D, Jang S.J, Cross L.E, Wuttig M. Deviation from Curie-Weiss behavior in relaxor ferroelectrics. // Phys. Rev. B. 1992, v. 46, №13, pp. 80038006.

50. Бурханов А.И. Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах типа ЦТС Л и (l-x)PMN-xPSN. // Диссертация., кан. физ.-мат., Воронеж, 1989, 125 с.

51. Ищук В.М., Галкин А.А., Завадский Э.А. и др. Аномальное размытие фазовых переходов в ЦТСЛ // ФТТ. 1984. т.24, №12. с. 3684-3688.

52. Kirillov V.V., Isupov V.A. Relaxation polarization of PbMgi/3Nb2/303 - aferroelectric with a diffused phase transition. // Ferroelectrics. 1973. v. 5, №1/2, p. 3-9.

53. Надолинская Е.Г., Крайник H.H., Шильников A.B. и др. Низкочастотнаядисперсия диэлектрической проницаемости магнониобата свинца. // ФТТ, 1987, т. 29, № 11, с. 3368-3374.

54. Завадский Э.А., Ищук B.M. Метастабильные состояния в сегнетоэлектриках. // Киев, Наукова думка. 1987, 240 с.

55. Штернберг А., Фрицберг В. и др. Комплексное исследование особенностей структуры и фазовых переходов в ЦТСЛ состава Х/65/35. //

56. Сб. Научных трудов "Электрооптическая сегнетокерамика" -Рига, изд-во Латв. Гос. ун-та, 1977 , с. 138-167.

57. Фрицберг В.Я. Роль фазовых флуктуаций при сегнетоэлектрических фазовых переходах в твердых растворах со структурой типа перовскита. // ФТТ. 1968. т. 10, в. 2, с. 385-390.

58. Fischer Е. Dielectric and thermal properties of relaxation ferroelectrics at low temperature. // Phys. Status solidi. 1986. v.A97, №1. p. 121-128.

59. Ролов Б.Н., Юркевич В.Э. Физика размытых фазовых переходов. //Ростов-на-Дону, РГУ. 1983. 320с.

60. Zuo-Guang Ye. Relaxor ferroelectric Pb(Mgi/3Nb2/3)03: properties and present understanding. // Ferroelectrics. 1996. v. 184, pp. 193-208.

61. Надолинская Е.Г. Инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия монокристаллов танталата калия, легированных литием, магнониобата свинца и сегнетовой соли. // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Воронеж, 1987, 167 с.

62. Wang Р.С., Chen Z.L., Не X.W. et al. ТЕМ Study of PLZT ceramics. // FeiToeiec. Lett. Sec. 1985, v. 4, № 2, p. 47-51.

63. Glasse F. Ein Nukleationsmodell der diffusen Phasen Umwandlung. // Wiss. Beitr. M.-Luter-Univ.: Halle-Wittenberg. 1985, v. 2, № 16, s. 46-50.

64. Bell A.J. Calculations of dielectric properties from the superparaelectric model of relaxors. // J. Phys.: Condens. Matter, 1993, 5, №46, pp. 8773-8792.

65. Viehland D., Jang S.J., Cross E. Freezing of the polarization fluctuation in lead magnesium niobate relaxors. // J. Appl. Phys., 1990, v. 68, n. 6 pp. 29162921.

66. Viehland D., Li J.F, Jang S.J., Cross L.E. Glassy polarization behavior of relaxor ferroelectrics. // Phys. Rev. B, 1991, v.46, №13, pp.8013-8017.

67. Levstik A., Kutnjak Z., Filipic C. and Pirc R. Glass-like freezing in PMN and

68. PLZT relaxor systems. // J. of the Kor. Phys. Soc. v. 32, Feb. 1998, pp. S957-959.

69. Tagantsev A. K. Vogel-Fulcher Relationship for the Dielectric Permittivity of

70. Relaxor Ferroelectrics. // Phys. Rev. Letters, 1994, v.72, №7, p. 1100-1103.

71. Colla E.V., Okuneva N.M., Koroleva E.Yu., Vakhrushev S.B. Low frequency dielectric response of PbMg1/3Nb2/303 // J. Phys. Condensed Matter, 1992, v. 4, pp. 3671-3677.

72. Colla E.V., Koroleva E.Yu., Okuneva N.M., Vakhrushev S.B. Long-time relaxation of the dielectric response in lead magnoniobate. // Phys. Rev. Lett., 1995,v. 4, n. 9, pp. 1681-1684.

73. Burns G., Dacol F.N., Glassy polarization behavior in ferroelectric compounds Pb(Mg./3Nb2/3)03 and Pb(Zn1/3Nb2/3)03. // Solid State Commun., 1983, v.48, n. 10, pp. 853-856.

74. Burns E., Dacol F.H. Crystalline ferroelectrics with glassy polarization behavior. // Phys. Rev. B, 1983, vol. 28, № 5, p. 2527-2530.

75. Вахрушев С.Б. Процессы микроскопической перестройки структуры в сегнетоэлектриках с размытыми фазовыми переходами и родственных материалах. // Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Санкт-Петербург, 1998, 86 с.

76. Kleeman W., Random-field induced antiferromagnetic, ferrolectric and structural domains states. //Int. J. Mod. Phys. B, 1993, v. 7, n.3,pp. 2469-2507.

77. Westphal V., Kleeman W. and Glinchuk M.D. Diffuse phase transition and random-field-induced domain states of the "relaxor" ferroelectric PbMgi/3Nb2/303

78. Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, №6, pp.847-850.

79. Кривоглаз M.A. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. -М.: Наука, 1967, 336с.

80. Bruce A.D., Cowley R.A. Structural phase transitions. // London: Taylor and Francis, 1981, 407 p.

81. Pirc R., Blinc R., Wiotte W. Correlated random bonds and random fields in proton glasses. // Physica В., 1988, v.182, №2, pp. 137-144.

82. Круминь А.Э. Прозрачная сегнетокерамика в качестве объектафизических исследований, оптические и электронные свойства. // В кн.:

83. Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках.

84. ЛГУ им. П. Стучки. Рига. 1984.С. 3-62.

85. Tagantsev А.К. and Glazunov А.Е. Mechanism of polarization response in the ergodic phase of a relaxor ferroelectric. // Phys. Rev. В., 1998, v. 57, № 1, pp. 18-21.

86. Glazounov A.E., Bell A.J., Tagantsev A.K. Relaxors as superparaelectrics with distributions of the local transition temperature. // J. Phys.: Condens. Matter, 1995, №7, p4145-4168.

87. Glazounov A.E., Tagantsev A.K., Bell A.J. Evidence for domain-type dynamics in ergodic phase of PbMgi/3Nb2/303 relaxor ferroelectric. // Phys. Rev. B, 1996, v.53, pp. 11281-1128.

88. Бурханов А.И., Шильников A.B., Сопит A.B., Лучанинов А.Г.

89. Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики (l-x)PMN-xPZT. // ФТТ, 2000, т. 42, вып. 5, с. 910-916.

90. Шильников А.В. Роль доменных и фазовых границ в процессах низко- иинфранизкочастотной поляризации и переполяризации модельныхсегнетоэлектриков. // Дисс. д-ра физ.-мат. наук. 1988. 319с.

91. Bonneau P., Gamier P., Hunsson Е., Morel А. Structural study of PMN ceramics by X-ray diffraction between 297 К and 1023 K. // Mat. Res. Bui., 1989, v. 24, n.2, pp. 201-206.

92. Egami T. et. al. Real structure of mixed ferroelectric solids. // Ferroeiectrics, 1992, v. 136, n. 1, pp. 15-25.

93. Rosefeld H.D., Egami T. A model of short and intermediate range atomic structure in the relaxor ferroelectric PbMgi/3Nb2/303. // Ferroeiectrics, 1994, v.l58,n.3/4, pp.351-356.

94. Lenzo P.V, Spencer E.G., Ballmann F.F. Electrooptic coefficients of ferroelectric strontium barium niobates. // Appl. Phys. Lett. 1967, v. 11, # 1, pp. 23-24.

95. Glass A.M. Investigation of the electrical properties of SrixBaxNb206 with reference to pyroelectric detection. // J.Appl.Phys., 1969, v.40, p.4699-4713.

96. Филипьев B.C., Чернер Я.Е., Бондаренко 3.B., Фесенко Е.Г. Фазовыепереходы в сегнетоэлектриках A2Pb4Nbio03o со структурой типа тетрагональной вольфрамовой бронзы. // ФТТ. 1986, т. 28, в. 5, с. 13381343.

97. Volk Т, Woike Th., Doerfler U., Pankrath R., Ivleva L. and Woehlecke M. -Ferroelectric phenomena in holographie properties of strontium-barium niobate crystals doped with rare-earth elements. // Ferroelectrics, 1997, vol. 203, pp. 457-470.

98. Bhalla A.S., Gou R., Cross L.E., Neurgaonkar R.R., Burns G., Ducol F.H. -Glassy polarization in the ferroelectric tungsten bronze (Ba,Sr)Nb2C>6. // J. Appl. Phys. 1992, v 71. № 11, pp. 5591-5595.

99. Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б. Размытые сегнетоэлектрические фазовые переходы в монокристаллах (Sr,Ba,Ca)Nb206- // ФТТ. 1981, т. 23, вып. 8, с. 2394-2399.

100. Savenko B.N., Sangaa D., Prokert F. Neutron diffraction studies on SrxBaixNb206 single crystals. // Ferroelectrics. 1990, v. 107, pp. 207-212.

101. Смоленский Г.А., Ксендзов Я.И., Аграновская А.И., Попов С.Н. -Диэлектрическая поляризация твердых растворов метаниобатов двух- и трехвалентных металлов. // В кн.: Физика диэлектриков, т. 2, М.-Л., Изд-во АН СССР, 1959, с. 244 -250.

102. Bursill L.A., Lin Pang Ju. Chaotic states observed in strontium barium niobate. // Phil. Mag. 1986. B54, № 2, p. 157-170.

103. Ballmann A. A., Brown H. The growth and properties of strontium barium metaniobate, Sr, xBaxNb206, a tungsten bronze structure ferroelectric. // J. Cryst. Growth. 1967. v. 1, p. 311-314.

104. Дудник О.Ф., Кравченко В.Б., Громов А.К., Копылов Ф.Л. Рост и исследования монокристаллов некоторых сегнетоэлектриков со структурой калий-вольфрамовой бронзы. // В кн.: Рост кристаллов, т. 9. М., "Наука", 1972, с. 130-134.

105. Wittier N., Greten G., Kapphan S., Pankrath R., Seglins J. Dielectric measurements on SBN:Ce. // Phys. status solidi. B. 1995, v. 189, № 1, p. k37-k40.

106. Murthy S. Narayana, Umakantham K., Murthy K.Y. et al. Effect of different cations on the ferroelectric properties of modified strontium barium niobate ceramics. // J. Mater Sci. Lett. 1992, v. 11, № 9, p. 607-609.

107. Копылов Ю.С. Ниобат и танталат лития - материалы для нелинейной оптики. -М.: Наука, 1975.

108. Белоус А.Г., Демьянов В.В., Дубовик М.Ф. Исследование кинетики сегнетоэлектрического размытого фазового перехода в барий стронциевых ниобатах. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1978, т. 14, №6, с. 1132-1137.

109. Воронов В.В., Десяткова С.М., Ивлева Л.И., Кузьминов Ю.С. и др. Электрические и электрооптические свойства монокристаллов стехиометрического ниобата бария-стронция. // ФТТ. 1973. т. 15, вып.7, с. 2198-2200.

110. Вайвод В.В., Воронов В.В., Ивлева Л.И., Кузьминов Ю.С. -Диэлектрические и электрооптические свойства сегнетоэлектрика Ba0.54Sr0.46Nb2O6, легированного Y, La, Тт. // ФТТ, 1977, т.19, № 10, с. 3163-3165.

111. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы: Пер. с англ. Фейгина Л.А. и Севастьянова Б.К.; Под. ред. Шувалова Л.А. -М.: Мир, 1965, 555 с.

112. Воронов В.В., Десяткова С.М., Ивлева Л.И., Кузьминов Ю.С., Осико В.В. -Электрические свойства монокристаллов ниобата стронция-бария, выращенных из стехиометрического расплава состава Ba0.25Sr0.75Nb2O6. //

113. Кристаллография, 1974, т. 19, вып. 2, с. 401^402.

114. Abrahams S.C., Kurtz S.K., Jamieson Р.В. Atomic displacement relationship to Curie temperature and spontaneous polarization in displacive ferroelectrics. //Phys. Rev., 1968, vol. 172, № 2, p. 551-553.

115. AS TM-D 150-70. Методы определения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь твердых электроизоляционных материалов при переменном токе. // Сборник стандартов США. -М. 1979. с. 188-207 / ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ №25.

116. Нестеров В.Н. Динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектрических твердых растворах на основе цирконата-титаната свинца. (Компьютерный анализ). // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Волгоград, 1997, 168 с.

117. Балденков А.В., Бузин И.М., Морозов Н.А., Рукавишников А.И. -Диэлектрические спектры монокристаллического ниобата бария-стронция. // ФТТ. 1981, т. 23, в. 8, с. 2376-2383.

118. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Соколов А.И., Юшин Н.К. Физика сегнетоэлектрических явлений. JL: Наука, 1985,396 с.

119. Коренблит И.Я., Шендер Е.Ф. Спиновые стекла и неэргодичность. // Успехи физических наук. 1989, т. 157, вып. 2, с. 267-310.

120. Galiyarova N.M. Infralow frequency dispersion on dielectric permittivity due to irreversible domain walls motion near phase transition point in triglycine sulfate. // Ferroelectrics, 1990, vol. 111, pp. 171-179.

121. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. // Изд. Высшая школа. 1977, 448 с.

122. Bokov A.A., Leschenko М.А., Malitskaya М.А. and Raevski I.P Dielectric spectra and Vogel-Fulcher scaling in РЬ(ПчГо.5Мэо.5)Оз relaxor ferroelectric. // J. Phys.: Condens. Matter, 1999, v. 11, pp. 4899-4911.

123. Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V., Shishlov S.Yu., Sternberg A. Low and infralow dielectric response of у and n-irradiation PLZT ceramics. // Ferroelectrics. 1996, v. 186, pp. 145-149.

124. Исупов В.A. Поляризационно-деформационные состояния сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. // ФТТ, 1996, т. 38, №5, с. 1326-1330.

125. Веневцев Ю.Н. и др. // Сб. Физика и химия твердого тела., 1978, с. 168.

126. Шильников А.В., Бурханов А.И. Долговременные процессы релаксации поляризации и эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ-Х/65/35. // Изв. РАН Сер. физ. 1993. т. 57, №3. С. 101-107.

127. Бурханов А.И., Шильников А.В. Влияние постоянного электрического поля на эффект механической памяти в прозрачной керамике ЦТС-8, легированной европием. // Изв. АН СССР. сер. физ. т. 61, № 5, с. 903905.

128. Rossetti G.A., Jr. and Nishimura T. X-ray and phenomenological study of lanthanum-midified lead zirconate—titanates in the vicinity of the phase transition region. // J. Appl. Phys. 1991, v. 70, # 3, pp. 1630-1637.

129. Бурханов А.И., Шильников A.B., Узаков Р.Э. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле Sr0.75Ba0.25Nb2O6. // Кристаллография. 1997, т. 42, № 6, с. 1069-1075.

130. Borchardt G., J. von Cieminski, Schmidt G. Aging of strontium barium niobate and PLZT ceramic. // Phys. Status Solidi. 1980, v. 59a, № 2, pp. 749754.

131. Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V., Uzakov R.E. Long-term effect of bias field on dielectric properties of SBN optical crystal with diffuse phase transition. // SPIE, 1997, v. 2967, p. 199-201.

132. Uzakov R.E., Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V. The influence of the thermal and electrical prehistory on physical properties of relaxor SBN. // J. of the Korean Phys. Soc. February 1998, pp. S1016-S1018.

133. Kohlrausch R. // Ann. Phys. Leipzig. 1847. v. 12, p. 393.

134. Pan W.Y., Shrout T.R., Cross L.E. Modeling the aging phenomena in 0.9PMN-0.1PT relaxor ferroelectric ceramics. // J. Mater. Sci. Lett., 1989, v. 8, pp. 771-776.

135. Шильников A.B., Бурханов А.И., Бирке Э. Эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ. //ФТТ. 1987, т.29, №3,с.899.

136. Шильников А.В., Бурханов А.И., Узаков Р.Э. Доменные процессы в кристалле SrxBa1xNb206 в широком интервале амплитуд низко- и инфранизкочастотных полей. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1994, т. 59, №9, с. 65-68.

137. Yoshida М., Mori S., Yamamoto N., Uesu Y., Kiat J.M. Transmission electron microscope observation of relaxor ferroelectric Pb(Mgi/3Nb2/3)03. // J. of Kor. Phys. Soc. February 1998, v. 32, pp. 993-995.

138. Бурханов А.И. Сверхмедленные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах с размытыми фазовыми переходами. // Труды междунар. семинара "Релаксационные явления в твердых телах". Воронеж, 5-8 сентября 1995 г, ч. I, с.89-110.

139. Unruh Н. -G. On the influence of crystal defects upon ferroelectric properties. //Europ. Meet. On ferroel. Saarbrücken; Stuttgart, 1970. p. 167180.

140. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. // М.: Наука. 1983, 240 с.

141. Bagautdinov B.Sh., Shmyt'ko I.M. Defect density waves and anomalous structure reconstructions in thiourea. // 2-nd International symposium on domain structure of ferroelectrics and related materials, Nantes, 1992, p. 113

142. Влох О.Г., Каминский Б.В., Китых Л.В. и др. Эффект термической памяти в кристаллах группы А2ВХ4. // ФТТ, 1985, т. 27, № 11, с. 34363439.

143. Bagautdinov B.Sh., Shmit'ko I.M., Shekhtman V.Sh. Superposition of multiwave states in incommensurate structures. // The eighth international meeting on ferroelectricity, Maryland, 1993, p. 203.

144. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. Москва.: 1968, 403с.

145. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. // Изд. Мир.: М. 1955, 555 с.

146. Uzakov R.E., ShiFnikov A.V., Burkhanov A.I. Low -and infralow frequency polarization processes in SrxBai.xNb206 relaxor single crystal. // Abstract book of ISRF-2, Dubna, Russia, June 23-26, 1998. p. 101

147. ShiFnikov A.V., Sopit A.V., Burkhanov A.I., and Luchaninov A.G. The dielectric response of electrostrictive (l-x)PMN-xPZT ceramics. // J. of Kor. Phys. Soc. 1999, v. 19, pp. 1295-1297.

148. Николис Г., Пригожин И. Познание сложного. // М.: Мир. 1990. 342 с.

149. Mulvihill M.L., Cross L.E., and Uchino К. -Dynamic motion of the domain configuration in relaxor ferroelectric single crystals as a function of temperature and electric field. // Abstract book, Nijmegen, The Netherlands, 1995, P16-08.

150. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.A. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных диэлектриков и полупроводников. //-М.: Наука, 1991,248с.

151. Zuo-Guang Ye and Hans Schmid Optical, dielectric and polarization studies of the electric field-induced phase transition in Pb(Mgi/3Nb2/3)03 PMN. // Ferroelectrics. 1993, v. 145, pp. 83-108.

152. Prokert F., Sangaa D., Savenko B.N. Neutron diffraction study of SrxBa!xNb206 crystals. // Abstr. IMF-8 Gaithersburg, Maryland (USA). 1993. p. 338.

153. Бикяшев Э.А. Синтез, фазовые состояния и электрострикция керамики на основе магнониобата свинца. // Автореферат на соискание ученой степени канд. хим. наук. Ростов-на-Дону, 1999. 22с.

154. Colla E.V., Koroleva E.Yu., Nabereznov A.A., and Okuneva N.M. The lead magnoniobate behavior in applied electric field. // Ferroelectrics, 1994, vol. 151, pp. 337-342.

155. Цоцорин А.Н. Диэлектрическая релаксация и размытые фазовые переходы в твердом растворе PMN-PZT. // Автореф. дисс. на соискание ученой степени к. ф.-м. н. Воронеж 1999. 16 с.

156. Viehland D., Kim M.Y., Xu Z., and Jie-Fang Li. Effect of quenched impurities on ferroelectric phase transitions in the Pb(Mgi/3Nb2/3)03-PbTi03 system. // "Electroceramics V". El. Cer. Soc. Portugal. September 2-4, 1996, pp. 108.

157. Исупов В.А. В кн.: Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. // Под ред. Г.А. Смоленского. JI. 1971, Гл. 16, 476 с.

158. Shil'nikov А.V., Burkhanov A.I., Sternberg A.R. et. al. Dielectric memory effect in ferroelectric ceramics of PLZT and PMN. // Ferroelectrics, 1988, v. 81, p.317-321.

159. Шильников A.B., Бурханов А.И. Новые эффекты диэлектрической памяти в керамике ЦТСЛ. // ЖТФ. 1988, т. 58, № 5, с.792-793.

160. Бурханов А.И., Шильников А.В. Комплексное исследование эффектов диэлектрической памяти в ЦТСЛ в области размытого фазового перехода. // В кн.: Тез. док. III Междувед. сем. - выставки. Рига: ЛГУ. 1988, т. 1, с. 116-118.

161. Шильников А.В., Бурханов А.И. Новые эффекты диэлектрической памяти в керамике ЦТСЛ. // ЖТФ. 1988, т. 58, №5, с. 792-793.

162. Mitsui Т., Furuichi Y. Domain structure of Roshelle salt and KH2P04 // Phys. Rev. 1953. v. 90,- № 2. p. 193-202.

163. Robel U., Schneider-Stormann and Arlt G. Dielectric aging and its temperature dependence in ferroelectric ceramic. // Ferroelectrics, 1995, v. 168, pp. 301-311.

164. ShiFnikov A.V., Otsarev I.V., Nesterov V.N., Burkhanov A.I., and Uzakov R.H. Low and infralow frequency dielectric properties of ferro-piezoelectric Ge02 doped PZT ceramics. // J. of the Korean Phys. Soc. v. 32, Feb. 1998, pp. S305-S305.

165. ShiFnikov A.V., Uzakov R.E., Burkhanov A.I. The processes of polarization and repolarization in relaxors with the tungsten bronze structure. // Ferroelectrics, 1999, v. 223, pp. 119-126.

166. Kapenieks A., Stumpe R. Simple model of SBN single crystal - electrode interfacial layer. //Ferroelectrics, 1992, v. 131, pp. 147-154.

167. Исупов В.A. Новый подход к анализу фазовых переходов в керамике цирконата-титаната свинца, модифицированного лантаном. // Сб. научных трудов Тверского гос. ун-та. "Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики" Тверь. 1998. с. 8-15.

168. Шильников А.В., Галиярова Н.М., Горин С.В., Васильев Д.Г., Вологирова Л.Х. Простейшая классификация механизмов движения доменных стенок в низко- и инфранизкочастотных электрических полях. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991, т.55, №3. с.578-582.

169. Glazounov А.Е., and Tagantsev А.К. A "breathing" model for the polarization response of relaxor ferroelectrics. // Ferroelectrics. 1999. v. 221, pp. 55-66.