Влияние внешних воздействий на релаксорные оксидные кристаллы тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

На правах рукописи

Лыу Тхи Ньян

ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА РЕЛАКСОРНЫЕ ОКСИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ

01.04.04 - Физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

8 АПР 2015

005566794

Волгоград-2015

005566794

Работа выполнена на кафедре «Физика» в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Волгоградский государственный технический университет» Министерства образования и науки РФ.

Научный руководитель доктор физико-математических наук, профессор

Шеин Александр Георгиевич.

Официальные оппоненты: Крючков Сергей Викторович,

доктор физико-математических наук, профессор, ФГБОУ ВПО «Волгоградский государственный социально-педагогический университет», кафедра «Общая физика», заведующий;

Лалетин Роман Алексеевич,

кандидат физико-математических наук, доцент, ФГБОУ ВПО «Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет», кафедры «Физика», доцент.

Ведущая организация федеральное государственное бюджетное образо-

вательное учреждение высшего профессионального образования «Воронежский государственный университет», г. Воронеж.

Защита состоится « 22 » мая 2015 г. в 10:00 на заседании диссертационного совета Д212.028.05, созданного на базе Волгоградского государственного технического университета, по адресу: 400005, г. Волгоград, пр. Ленина, 28, ауд. 209

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке и на сайте www.vstu.ru Волгоградского государственного технического университета.

Автореферат разослан «с^у» 03- 2015 г.

Учёный секретарь диссертационного совета

Авдеюк Оксана Алексеевна

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы исследования: В настоящее время наблюдается значительное расширение исследований электрофизических свойств релаксорных се-гнетоэлектриков, в силу перспективности их применения в современном приборостроении - для создания на их основе малогабаритных конденсаторов, пьезоэле-ментов, электроакустических преобразователей, фильтров, нелинейных ёмкостных элементов, позисторов, оптических устройств для записи, хранения и обработки информации.

Одним из перспективных в практическом отношении релаксорных сегнето-электриков являются твердые растворы ниобата бария стронция 8гхВа,.х№206 (SBN-x), обладающие значительными пьезоэлектрическим и пироэлектрическим эффектами, высокими электрооптическими коэффициентами при комнатной температуре, существенной оптической нелинейностью и фоторефракцией. SBN является не содержащим свинец материалом, в отличие, например, от цирконата-титаната свинца, что очень актуально в плане защиты окружающей среды и безопасности для здоровья при разработке, эксплуатации и утилизации новых приборов, использующих сегнето- и пьезоэлектрический эффекты.

Сегнетоэлектрический материал SBN достаточно давно привлекает внимание исследователей в качестве фоточувствительного сегнетоэлектрика [1,2]. В настоящее время изучение светочувствительных материалов особенно актуально. Например, фотовольтаический эффект в полярных средах может быть применен для неразрушающего считывания информации [2,3]. Исследование влияния облучения светом оптического диапазона (УФ, видимый свет, ИК) на сегнетоэлектри-ческие кристаллы LiNb03 и SBN позволяет считать эти соединения перспективными материалами для производства фотодетекторов, из-за их высокой надежности, хороших диэлектрических свойств и низкой стоимости. Несомненно, что практическое применение фотосегнетоэлектрических явлений (влияние фотоактивного освещения и соответственно неравновесных носителей на температуру Кюри, спонтанную поляризацию и другие макроскопические свойства сегнетоэлектрика) будет расширяться в связи с развитием оптоэлектроники, нелинейной оптики и смежных с ними дисциплин.

Поэтому поиск общих закономерностей влияния внешних воздействий, в том числе и облучения светом различных спектральных участков, на сегнетоэлектрические свойства кристаллов SBN представляется актуальным и перспективным.

Степень разработанности темы исследования: первые монокристаллы SBN-x (0.25 <*< 0.75) были выращены Ballman и Brown (Ballman & Brown, 1966). В 1970 году лаборатория Bell Telephone опубликовала результаты исследования оптических, электрических и структурных свойств кристаллов SBN. Исследование плёнок SBN было начато в Академии наук СССР в Новосибирске (Багин-ский и др., 1978) с использованием техники ВЧ распыления.

Исследованию доменной структуры и процессов переключения в кристаллах SBN посвящено довольно много работ, как российских, так и зарубежных авторов. В России это, прежде всего, работы Т.Р. Волк, Н.Р. Иванова, В.В. Гладкого.

Известны работы, связанные с непосредственным выявлением доменной структуры кристаллов SBN [4]; работы, где приводятся результаты исследования термо-индуцированных процессов переключения в примесных кристаллах SBN [5]. Большой интерес вызывает обнаруженная возможность записи в релаксорном се-гнетоэлектрике SBN регулярных 1D и 2D микродоменных структур, созданных путем приложения постоянных напряжений к зонду атомно-силового микроскопа [6,7]. Известны также исследования влияния примесей различного рода, [8], а также соотношения Sr/Ba на диэлектрические, сегнетоэлектрические и пироэлектрические свойства SBN [9], в т.ч. керамики [10]. Например, в ряде работ В.В. Гладкого с соавторами [11-13] приводятся результаты исследований влияния освещения на диэлектрические свойства фоточувствительного SBN-0.61:(La+Ce) в слабых и сильных электрических полях.

Большинство из этих исследований были проведены на монокристаллах. Работ по изучению свойств поликристаллического материала SBN-x значительно меньше, хотя керамические материалы применяется в технике шире, чем монокристаллы, из-за их низкой стоимости и простоты изготовления. Поэтому исследование влияния внешних воздействий, (температура, электрическое поле, излучение различных участков спектра) представляет интерес как в прикладном, так и фундаментальном аспектах, поскольку позволяют существенно расширить область применения активных диэлектриков в современных электронных приборах, а также уточнить и дополнить основные модели, касающиеся физических свойств сегнетоэлектрических материалов с размытыми фазовыми переходами.

Цель работы: Целью работы являлось исследование электрофизических свойств релаксорной керамики SrojsBao^sNbiOe (SBN-75) при воздействии ряда внешних факторов.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Изучение поведения инфранизкочастотного диэлектрического отклика в релаксорной керамике SBN-75, исследование диэлектрических свойств керамики SBN-75 в области размытого фазового перехода и сравнение полученных результатов с аналогичными параметрами в монокристалле SBN-75.

2. Изучение нелинейности диэлектрического отклика, т. е поведения керамического SBN-75 в сильных электрических полях (до 22.5 кВ/см) в области температур размытого фазового перехода.

3. Исследование влияния освещения белым светом на характер диэлектрического отклика в сильных переменных (синусоидальных) электрических полях (до 10 кВ/см) в диапазоне частот от 0.1 Гц до 10 Гц в области температур размытого фазового перехода.

4. Исследование процессов низко - и инфранизкочастотной релаксации поляризации и фотодиэлектрического эффекта в сегнетокерамике SBN-75 при воздействии на образец света малой интенсивности (до 0.15 мВт/см2).

5. Исследование поведения кинетики фототока и инфранизкочастотного диэлектрического отклика в релаксорной керамике SBN-75 при освещении излучением как видимого, так и ультрафиолетового диапазона в области температур размытого фазового перехода.

Объекты исследований: В качестве объектов исследований использовались керамические образцы SBN-75, приготовленные в институте физики твердого тела Латвийского университета методом реакции в твердой фазе.

Научная новизна:

1. Обнаружены особенности керамики SBN-75, связанные с существенно меньшими, по сравнению с монокристаллами, значениями диэлектрической проницаемости е', и особенно коэффициента диэлектрических потерь е", при температурах ниже температуры максимума е'(Т), и резкий рост этих параметров при температуре, выше данной.

2. Впервые обнаружено, что характер поведения действительной части комплексной диэлектрической проницаемости s'(E=) при влиянии смещающих электрических полей в исследуемой керамике и нелинейность диэлектрического отклика ближе к поведению нелинейности в обычных сегнетоэлектриках, чем в ре-лаксорах.

3. Установлено, что на инфранизких частотах диэлектрический отклик связан именно с наличием фотовольтаического эффекта.

4. Впервые проведены исследования поведения кинетики фототока и низко- и инфранизкочастотного диэлектрического отклика и фотодиэлектрического эффекта релаксорной керамики SBN-75 при воздействии освещения различного диапазона в области размытого фазового перехода и дано объяснение наблюдаемым эффектам

Теоретическая и практическая ценность работы:

Полученные в работе результаты и установленные закономерности по исследованию электрофизических свойств керамики SBN-75 могут быть использованы в научных центрах, занимающихся изучением сегнетоэлектриков, где они могут быть полезными при целенаправленном выборе составов в системе SrxBat. xNb206 для получения материалов с заданными физическими свойствами.

Результаты исследований изменения низко - и инфранизкочастотных диэлектрических параметров керамики SBN под влиянием внешних воздействий, представленные в диссертационной работе, позволяют расширить и пополнить имеющуюся информацию о процессах диэлектрической релаксации в материалах, обладающих размытыми фазовыми переходам. Это будет полезно как для разработчиков технических применений керамики SBN-75, так и для проверки существующих и разработки новых теоретических представлений об особенностях физических свойств релаксоров вообще.

Методология и методы исследования:

В работе использовались экспериментальные методики исследования электрофизических характеристик сегнетоэлектрических материалов. Диэлектрические свойства объекта на частотах 100 Гц и 1000 Гц исследовались при помощи измерителя иммитанса Е7-15, для инфранизких частот применялся емкостный лабораторный ИНЧ-мост. Петли переполяризации исследовались с помощью модернизированной схемы Сойера-Тауэра, в которой организованы оцифровка сигналов и их последующая компьютерная обработка.

Стабилизация температуры при проведении измерений осуществлялась прецизионным термостабилизирующими устройствами. При проведении диэлек-

трических измерений в области температур +20°С - +400°С погрешность поддержания температуры не превосходила ±0.3 К.

При проведении фотоэлектрических исследований в качестве источников излучения применялись светоизлучающие диоды малой мощности: источник белого света - 5034W2C-DSA-A с максимумом излучения на длине волны 550 нм; источник ультрафиолетового (УФ) излучения - UV-5 с максимумом излучения на длине волны 405 нм. Мощность излучения (интенсивность) составляла 0.15-0.2 мВт/см2.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные результаты, доказывающие релаксорные свойства и реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической керамики SBN-75.

2. Экспериментальное доказательство близости нелинейного отклика диэлектрической проницаемости в керамике SBN-75 при наличии смещающих полей поведению нелинейности в сегнетоэлектриках.

3. Совокупность экспериментальных результатов, показывающих влияние освещения на электрофизические свойства и на процессы низко - и инфранизко-частотной релаксации поляризации в сегнетокерамике SBN-75.

4. Результаты экспериментальных исследований, описывающих кинетику ин-франизкочастотного диэлектрического отклика в керамике SBN-75 при освещении видимым светом и излучением в ультрафиолетовом диапазоне и фотоэлектрические свойства релаксорной керамики SBN-75.

Достоверность полученных результатов обеспечивается применением комплекса надежных экспериментальных методов, обеспечивающих получение достоверных данных, высоким качеством образцов, хорошим согласием полученных в работе результатов с теоретическими выкладками по исследуемой тематике, а также докладами и обсуждением результатов на конференциях различного уровня.

Апробация результатов: Результаты диссертационного исследования докладывались на Международных, Всероссийских и других научных конференциях: Шестнадцатой Всероссийской научной конференции студентов - физиков и молодых ученых, 22-29 апреля, 2010 г. г. Волгоград, Россия; Международной конференции EURODIM 2010, 12-16 июля, 2010 г., г. Печ, Венгрия; Семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов - физиков и молодых ученых, 25 марта - 1 апреля, 2011 г., г. Екатеринбург, Россия; Международной научной конференции 18 - 21 октября 2011 г., г. Минск, Белоруссия; Международной конференции Functional Materials and Nanotechnologies (FM&NT-2011), 5-8 апреля 2011 г, г. Рига, Латвия; Седьмом Международном семинаре по физике сегнетоэласти-ков 2012 г. (ISFP7), г. Воронеж, Россия; Международном симпозиуме по Ферро -Доменам (ISFD - 11 - RCBJSF), 21-25 августа 2012 г., г. Екатеринбург, Россия; Международной конференции "Функциональные материалы и нанотехнологии" (FM&NT-2013 г.), г. Тарту, Эстония; Международном семинаре по сегнетоэлек-трикам, 1-6 июля 2013 г., г. Санкт - Петербург, Россия; Двадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых, 27 марта - 3 апреля

2014 г., г. Ижевск, Россия; 20-ой Всероссийской конференции по физике сегнето-электриков (ВКС-20), 18-22 августа 2014 г., г. Красноярск, Россия; 8-ой Международной конференции "Передовые оптические материалы и приборы" (AOMD-8), 25-27 августа 2014 г., г. Рига, Латвия; Международной конференции "Joint 12th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity and 9th International Conference Functional Materials and Nanotechnologies (RCBJSF - FM&NT 2014)", Институт физики твердого тела Латвийского университета, г. Рига, Латвия.

Соответствие паспорту научной специальности. Указанная область исследования соответствует пунктам 2 «Твердотельная электроника, в том числе СВЧ- электроника, полупроводниковая электроника, акустоэлектроника, сверхпроводниковая электроника, спиновая электроника, оптоэлектроника, криоэлек-троника» и 4 «Физические явления в твердотельных микро- и наноструктурах, молекулярных структурах и кластерах; проводящих, полупроводниковых и тонких диэлектрических пленках и покрытиях» паспорта научной специальности 01.04.04 - «Физическая электроника».

Личный вклад автора: В соответствии с задачами, поставленными научным руководителем, автор непосредственно участвовал в процесс экспериментальных исследований, сделал обработку результатов измерений и их анализ. В постановке задачи, обсуждении результатов и формулировке выводов участвовали доктор физ. - мат. наук Бурханов А.И. и кандидат физ.-мат. наук Медников C.B. В опубликованных в соавторстве работах автору принадлежат: проведены экспериментальное исследование влияния освещения на электрофизические свойства и на процессы низко - и инфранизкочастотной релаксации поляризации в се-гнегокерамике SBN-75 [1,2,4,6,7,8]; экспериментальное исследование электрофизических свойств керамики SBN-75 в широкой области температур и частот [3].

Публикации. Основные научные результаты работы опубликованы в журналах: «Ferroelectric», «Functional materials and Nanotechnologies», «SPIE -Society of Photo-optical Instrumentation Engineers», «Известия ВолгГТУ. Серия: Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь», «Изд-во МАРТ, Ростов-на-Дону», также в сборниках тезисов и материалов конференций. Всего - 20 печатных работ, из них 2 статьи в рецензируемом журнале из списка ВАК РФ, 3 статьи в международных рецензируемых журналах, индексируемых в базе Scopus, 3 статьи в других журналах.

Структура и объем диссертации: Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка используемой литературы. Общий объем составляет 105 страниц, включая 52 рисунков и 29 формул, 1 таблица. Список литературы содержит 106 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, степень ее разработанности, определены цель, задачи и объекты исследования, основные положения, выносимые на защиту. Представлена научная новизна и апробация работы, ее теоретиче-

екая и практическая значимость. Указан личный вклад автора. Приведены структура и объем диссертационной работы.

В первой главе приводится литературный обзор по релаксорным сегнето-электрикам. Представлены наиболее общеизвестные модели, описывающие формирование размытия фазового перехода в релаксорных соединениях. Рассмотрены основные электрофизические характеристики кристаллов БВЫ, как представителей релаксорных сегнетоэлектриков, и влияние внешних воздействий на эти характеристики.

Во второй главе представлено описание образцов, экспериментальных методик и установок для проведения исследований.

В третьей главе приведены и обсуждают экспериментальные результаты исследований электрофизических свойств релаксорной керамики ЗВ1Ч-75 в широкой области температур и частот. Анализ полученных температурных зависимостей е'(Т) и е"(Т) показал, что в широкой области температур от -120° С до +200 °С имеет место существенный сдвиг температур Тга (Тт - температура максимума диэлектрической проницаемости е'(Т)) соответствующих аномалиям в виде размытых максимумов е'(Т) на частотах 1000 Гц и 100 Гц, а на 1 Гц в виде излома кривой (Рисунок 1). Такое поведение частотно-температурных зависимостей е'(Т) указывает на релаксорный характер диэлектрического отклика исследуемой керамики 8ВМ-75, что согласуется с литературными данными по этому материалу, как для монокристаллов, так и для керамики.

с- е"

Рисунок ] - Температурные зависимости диэлектрической проницаемости е'(Т) и коэффициента диэлектрических потерь е"(Т) керамики 8В>}-75 на частотах ] Гц, 100 Гц и 1000 Гц

Следует отметить такую особенность диэлектрического отклика керамики 8ВЫ-75, как существенно меньшие, по сравнению с кристаллами 8ВТ<-75, значения е' и е" при температурах ниже температуры Тт. При этом аномалия в виде максимума на температурной зависимости диэлектрических потерь е"(Т) в области Тт практически не выделяется (Рисунок 1). Данное поведение диэлектрического отклика на керамике 8ВИ-75 хорошо согласуется с результатами [14], где

было показано, что значение диэлектрической проницаемости в максимуме е'(Т) в керамике ЗВМ-75 существенно ниже, чем это наблюдается в монокристаллах.

На рисунке 2 представлены результаты исследования частотных зависимостей е'О) и е"(\>) в керамике БВК-75 при температурах ниже Тт. Из рисунка 2 следует, что в исследуемой керамике 8ВЫ-75 имеет место протяженный частотный спектр е*(у).

Рисунок 2 - Частотные зависимости диэлектрической проницаемости с'(у) и коэффициента диэлектрических потерь е"(у) в керамике 5В>}-75 для трех температур ниже Тт

Проведено исследование нелинейного диэлектрического отклика в ре-лаксорной керамике 8В>1-75 в области температур размытого фазового перехода (РФП). Показано, что поведение реверсивных зависимостей е'(Е=) в керамике 5ВМ-75 более близко к поведению е'(Е=) в обычном сегнетоэлектрическом материале, чем в сегнетоэлектриках - релаксорах (Рисунок 3). Одной из вероятных причин этого является то, что в керамике 5ВЫ-75, в отличие от монокристалла 8ВЫ-75, существуют значительные механические напряжения [15]. Эти напряжения будут выключать из процесса релаксации поляризации наиболее "мягкие" полярные кластеры еще до приложения к керамике смешащего поля Е=. Отсюда и существенно низкие значения е' и е" в керамическом материале по сравнению с монокристаллами 8ВЫ-75, а также отсутствие характерных для релаксоров проявлений "замораживания", подобных дипольному стеклу.

МО- Т=80°С

яо- .,___»

330,

Vtît

М5

Т=40°С

335

гх

315

-30 -15

0 15 Е, кВ/см

е"

30

-зо

-15

О 15 Е, кВ/см

30

320 Т=23°С

У3 Р С\ч

/ Хзоо.

Jsï

* 390

ш

214 Т= -38°С

ИМ-

-30

-15

О 15 Е, кВ/см

30

-30

-15

30

О 15 Е, кВ/см

Рисунок 3 - Реверсивные зависимости е*(Е=) в керамике ЭВ№75 на частоте-1000 Гц для четырех температур в области РФП

В четвертой главе (раздел 4.1) представлены результаты исследований поведения инфранизкочастотного диэлектрического отклика в керамике 8В1Ч-75. Обнаружено и исследовано влияние облучения белым светом на характер диэлектрического отклика в сильных переменных полях в диапазоне частот от 0.1 Гц до 10 Гц в области РФП, а также влияния облучения на поляризационные процессы в исследуемом материале.

Рисунок 4 иллюстрирует поведение временных зависимостей е'(0 в керамике 8ВЫ-75 на частотах 1 Гц и 1000 Гц при комнатной температуре после включения белого света. Хорошо виден заметный рост г' на ин-франизких частотах (1 Гц), существенно превышающий возрастание е'(0 при измерениях на частоте 1000 Гц.

Возникающие при включении света неравновесные носители будут релаксировать в электромагнитном поле, и чем ниже частота, тем больше длительность релаксации, поэтому это явление более существенно на инфра-низкой частоте (1 Гц) по сравнению с более высокими частотами (1000 Гц в нашем случае). Такое поведение хорошо согласуется с результатами исследований фотодиэлект-

298

291-

284

277

270

-257

-254

-251

245

400

800

1600

1200

Рисунок 4 - Кинетика изменения диэлектрической проницаемости е' в керамике 8ВМ-75 при включении освещения белым светом

рического эффекта, приведеными в работе [16]. В этой работе изучалось воздей-

ствие света на диэлектрические свойства монокристалического 8В1чГ-75 с примесью Сг и было показано, что влияние освещения проявляется главным образом на инфранизких частотах.

В разделе 4.2 представлены результаты исследования влияние освещения белым светом светодиода на характер диэлектрического отклика в сильных переменных полях в диапазоне частот от 0.1 Гц до 10 Гц в области температур максимума диэлектрической проницаемости. Было установлено, что на частотах 0.1 Гц и 1 Гц освещение существенно образом уменьшает вклад проводимости. Особенно это заметно при высокой температуре.

Для определения количественных оценок по влиянию освещения на характер поляризационных процессов использовались так называемые эффективные параметры, получаемые при математической обработке петель поляризации (ПП): эффективная диэлектрическая проницаемость е'эфф, эффективные диэлектрические потери е"Эфф и эффективный тангенс угла диэлектрических потерь Полу-

ченные результаты представлены на Рисунке 5.

Из сравнения значений полученных эффективных параметров в неосвещенном и освещенном образце следует, что влияние освещения проявляется, в основном, на поведении 1§5эфф и е"эфф. Освещение приводит к понижению значений е"эфф и к сдвигу положения аномалий е'эфф(Е) и £"эФФ(Е) в сторону больших амплитуд Е. Поскольку основной вклад в релаксацию поляризации вносит объемный заряд вследствие повышенной проводимости при Т > Тшм, выявленное уменьшение диэлектрических потерь при освещении образца связано, наиболее вероятно, с влиянием данного типа освещения именно на проводимость материала.

Врезка иллюстрирует поведение относительное изменение Atg6>фф после освещения образца

Рисунок 5 - Полевые зависимости эффективного тангенса угла диэлектрических потерь '2<Ьфф(Е) на частоте 0.1 Гц при температуре Т = 62 °С

Согласно [1], при освещении сегнетоэлектрика появляются неравновесные носители, которые, в данном случае, будут приводить к уменьшению объемного заряда, что уменьшает его вклад в релаксации поляризации. Поскольку при боль-

ших амплитудах повышается вклад сквозной проводимости, появление носителей заряда в результате освещения практически не влияет на характер диэлектрического отклика материала.

В пятой главе представлены результаты исследования фототока и фотодп-электрического эффекта в керамике ЗВЫ-75 при освещении излучением как видимого, так и ультрафиолетового диапазона в области РФП. Рисунок 6 иллюстрирует кинетику фототока 1(1) в керамике 8ВМ-75 при трех различных температурах. Как видно, общий характер аналогичен кинетике тока для монокристаллов 5ВЫ-75 [1].

Появление максимума тока при включении освещения обычно связывают с вкладом пироэффекта в материале, обладающим высоким пирокоэффициентом, вследствие локального нагрева образца, а также с формированием объемного заряда при появлении неравновесных носителей в материале [17].

МО-12, А МО-12, А

\ 50 вкл

вкл - момент включения света, откл - момент отключения света Рисунок 6 - Кинетика фототока в керамике 5ВМ-75 при различных температурах Т=82 °С, Т=44

°С, Т=13 °С

Из Рисунка 6 видно, что при включении света интервал времени от появления максимума 1(1) и последующего резкого спада 1(1) составляет примерно одну минуту. Данная область характеризуется поведением, так называемого, переходного тока в отличие от установившегося фотовольтаического тока [1]. Он оценивался в виде соотношения Д1 = (1шах - Зтй)/ где 1тах - максимальное значение фототока и 1СПС1 - значения тока при окончании переходного процесса.

Температурная зависимость переходного тока Д.Г(Т) представлена на Рисунке 7.

Поведение переходного тока А1(Т) согласуется с положением о том, что фототок в переходной области температур действительно имеет составляю-о.2-,-,-г-т.°с щую пиротока, даже, несмотря на столь

о 40 80 120 малую мощность облучения материала.

Рисунок 7 - Температурная зависимость переходного тока ДДТ)

Закономерности релаксационных процессов поляризации, связанных с объемным зарядом в керамике 5ВЫ-75 иллюстрируют результаты исследования кинетики диэлектрического отклика, представленные на Рисунке 8, где представлено поведение временных зависимостей е'(0 и е"(1) при различных температурах для частоты 1 Гц. Характерное поведение кинетики е'^) и £"(1), проявляющееся только на инфранизких частотах, напрямую указывает на то, что главный вклад в релаксацию поляризации осуществляется объемным зарядом, возникающим в образце в процессе облучения. Частоты релаксации объемного заряда имеют тот же порядок, что, в данном случае, и переменное измерительное поле [17].

О 400 800 | i, с

вкл

400 800

0 400 , „ 800

л i, с

вкл - момент включения света, откл - момент отключения света Рисунок 8 - Временные зависимости диэлектрической проницаемости е'(')и коэффициента диэлектрических потерь е"(0 в керамике ЗВМ-75 на частоте 1 Гц при различных температурах Т=27 °С, Т=60 °С, Т=81 °С

Аппроксимация кривых £'(1) и £"(0 показала, что они могут быть описаны следующими экспоненциальными соотношениями: при воздействии света: е'трпст(1) = Е,апац+{е'й-£'стац)-^(ч1г[) (1)

С^Л'ЬСа, о-^)-ехр(-;/<) (2)

где т'] и тп1 представляют времена релаксации, полученные при аппроксимации £'(0 и £"(1), соответственно, а £'0, £"о - значения г', е" при 1=0 с; е"™ - значения е', е" при насыщении. Однако следует отметить, что, при относительно низких температурах, рост е'(0 и £"(0 достаточно хорошо аппроксимируется и степенной функцией типа е'—

При описании кинетики спада диэлектрических параметров после отключения света хорошо подходит только экспоненциальный закон как для е'(1), так для е"0)> соответственно:

Е'спад (0 = С'стаг, + " Ктац ) ' СХр(-г/^ ) (3)

£спаЛ0 = £стач +(^0 ~ К'пиг,)'(4)

где т'2 и т"2 - времена релаксации, полученные при аппроксимации е'(0 и е"(0, соответственно, а е'о, е"0 - значения е', Е"при 1=0 с; е"[тац - значения е', Е"'при насыщении.

Ход кривых и типы аппроксимирующих зависимостей указывают на определяющую роль объемного заряда, образующегося при воздействии излучения, в кинетике диэлектрических параметров.

Полученные значения времена релаксации представлено на температурное поведение т'ь г"1 и т'2, т"2 в области температур, соответствующих полярной фазе данного материала Т=27 °С, и почти до' температур максимума диэлектрической проницаемости Т=81 °С (Рисунок 9).

350

Т,°С

Т,°С

а) - во время воздействия света, б) - после отключения света Левая шкала - т из аппроксимации кривых е'(0-Правая шкала - т из аппроксимации кривых г"(0 Рисунок 9 - Температурные зависимости времени релаксации т(Т)

В этом разделе представлены также температурные зависимости относительного изменения диэлектрических параметров Де' = (е'ти - г'[=0с)/ е'ти и Де" = (е'тах - £"и)сУ е"тах при воздействии белого света на исследуемую керамику 5ВМ-75. Изменение диэлектрической проницаемости будет определять величину фотодиэлектрического эффекта в данном материале на частоте измерительного поля 1 Гц. Было установлено, что с приближением к температуре максимума диэлектрической проницаемости фотодиэлектрический эффект возрастает. Этот результат качественно совпадает с данными, приведенными в работе [11], где показано, что наибольшие изменение при воздейсвтии света на кристалл - релаксор БВМ-О.бЦЬа + Се) наблюдаются в области максимума е'(Т). Причиной этого авторы считают компенсацию неравновесными носителями внутренних полей в релаксо-ре, что приводит к увеличению вкладов различного типа релаксаторов в диэлек-

трический отклик. Однако, не исключая отмеченный в [11] фактор, все-таки, в нашем случае, при облучении сегнетокерамики, мы считаем релаксацию объемного заряда основным вкладом в релаксацию поляризации.

На Рисунке 10 представлены временные зависимости фототока J(t) при воздействии белого света (Рисунок 10а), ультрафиолетового (Рисунок 106), а также температурные зависимости AJ(T) (где AJ = (J^ - Jend)/ J^) как при белом свете, так и при ультрафиолетовом свете (УФ) (Рисунок 10в).

Т. °С

вкп

вкп

вкл - момент включения света; откл - момент отключения света Рисунок 10 - Временные зависимости фотоэлектрического тока J(t) в короткозамкнутом образце керамики SBN-75 при освещении белым светом (а) и ультрафиолетовым (б), а также температурные зависимости параметра ДДТ) (в) в керамике SBN-75.

Из Рисунка 10 видно, что величина максимума фототока .Тщах при воздействии УФ превышает стационарное значение ^ почти в три раза, а при белом свете такое превышение почти пятикратное. Однако значения установившегося тока примерно равны друг другу. Наиболее вероятной причиной такого поведения пиковых значений тока является то, что при УФ облучении рабочий слой материала в результате сильного поглощения и рассеяния будет значительно меньшим, чем при белом свете, поэтому пироэффект проявляется в меньшей степени. С другой стороны необходимо учитывать и то, что излучение падает не на "чистую" поверхность, а на ячеистый металлический электрод. Этот электрод также будет нагреваться тем сильнее, чем более длинноволновый диапазон излучения - в данном случае это белый свет.

Исследование температурной зависимости фототока в керамике 8ВЫ-75 показало, что параметр Д1 имеет немонотонную температурную зависимость (Рисунок 10в). При этом температуры максимумов Д1(Т) для белого света и для УФ существенно сдвинуты относительно друг друга на 20 К.

Максимум Д.Г(Т) может характеризовать граничную температуру, ниже которой в керамике 8В1Ч-75 начинает преобладать фотовольтаический эффект, связанный с взаимодействием излучения с полярной структурой материала. При УФ, как отмечено выше, проявление пироффекта незначительно. Это приводит к тому, что даже при небольшом превышении Тком стационарный ток 15, становится сравнимым по величине с ]тлх и, отсюда более существенное уменьшение Д], чем в

случае белого света, и такое выраженное отличие в температурах максимумов ДЛТ) для УФ и белого света.

Влияние фотопроводимости на диэлектрический отклик материала при воздействии облучения иллюстрируется исследованными в работе полевыми зависимостями эффективной диэлектрической проницаемости е'3фф(Е) (Рисунок 11).

е'эфф д оЛ

Врезка: Зависимости относительной разности Де',фф(Е) на частоте 1 Гц при Тком до и после освещения образца

А£эфф ~ (£эфф_ освещ ~ еэфф_без_освещ )/еэф4>_.ши-

; 3 - видимым светом, 4 - ультрафиолетовым светом

Рисунок 11 - Полевые зависимости е'эфф(Е) на частоте 1 Гц при Ткои для неосвещенного (кривая 1) и освещенного УФ облучением образца (кривая 2)

Видно, что нелинейность в ходе кривых е'эфф(Е) выражена слабо. При этом, сопоставляя зависимости £'эфф(Е) до (штриховая кривая 1) и после освещения УФ (сплошная кривая 2) можно сделать вывод о том, что значения £'эфф(Е) увеличились при облучении УФ, а сама зависимость £'эфф(Е) после облучения стала практически линейной. Уменьшение нелинейности наблюдается не только в области средних амплитуд (4-5 кВ/см), где нелинейность связана с началом процессов переключения поляризации в сегнетокерамике, но и в области полей 8-9 кВ/см, где подобные аномалии свидетельствуют о начале насыщения поляризации. Отметим, что при максимальных значениях Е вновь наблюдается рост £'Эфф(Е), но он обусловлен процессами релаксации поляризации, связанными с проявлением проводимости материала при столь низких частотах. Сглаживание аномалий на кривых £'Эфф(Е) после УФ облучения, вероятно, указывает на существенный вклад фотопроводимости в процессы релаксации поляризации.

Отличие в степени воздействия белого и УФ излучения на диэлектрический отклик иллюстрирует врезка на Рисунке 11. Видно, что изменения в значениях £'эфф(Е) при УФ излучении начинаются уже при относительно небольших амплитудах Е и заметно превышают те, которые наблюдаются при белом свете и при высоких значения поля Е.

Такое увеличение значений е'эФФ(Е) при УФ освещении материала можно объяснить более высокой концентрацией неравновесных носителей, которые могут существенным образом экранировать внутренние поля дефектов, препятствующих процессам переключения поляризации в сегнетокерамике. В тоже время не исключается и важная роль объемного заряда, возникающего одновременно с появлением неравновесных носителей. При этом, если в малых измерительных полях его влияние на процессы низко- и инфранизкочастотной релаксации поляризации выражено слабо, то в сильных полях оно может быть

существенным. Уменьшение нелинейности (исчезновение аномалий на кривых £'эфф(Е)) может являться подтверждением данного предположения.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. При исследовании диэлектрических свойств керамики SBN-75 в диапазоне низких и инфранизких частот выявлены такие особенности диэлектрического отклика керамики SBN-75, как существенно меньшие, по сравнению с монокристаллами SBN-75, значения диэлектрической проницаемости е', и особенно коэффициента диэлектрических потерь е", при температурах ниже температуры максимума е'(Т). В тоже время выше данной температуры отмечается резкий рост этих параметров, в отличие от монокристалла SBN-75.

2. Обнаружен сдвиг температур Тга, соответствующих аномалиям в виде размытых максимумов е'(Т) на частотах 1000 Гц и 100 Гц; на частоте 1 Гц аномалия проявляется в виде излома кривой.

3. Характер температурного поведения действительной части комплексной диэлектрической проницаемости е'(Е=) керамике SBN-75 указывает на то, что нелинейность диэлектрического отклика в данном материале более близка к поведению нелинейности в обычных сегнетоэлектриках, чем в релаксорах.

4. Влияние освещения проявляется, в основном, на поведении tgS3(W и £"эфф. Освещение приводит, во-первых, к уменьшению значений £"Эфф, во вторых, к сдвигу положения аномалии e'^(E) и £"Эфф(Е) в сторону больших амплитуд Е.

5. Общий характер поведений фототока J(t) в керамике SBN-75 аналогичен кинетике тока для монокристаллов SBN-75 (особенно при ультрафиолетовом облучении). Обнаружено появление максимума фототока при включении освещения, которое связывается с вкладом пироэффекта, а также с формированием объемного заряда при появлении в материале неравновесных носителей.

6. Обнаружено возрастание стационарного фототока в керамике SBN-75 при повышении температуры, что обусловлено возрастанием электропроводности.

7. Главный вклад в релаксацию поляризации осуществляется, вероятнее всего, объемным зарядом, формирующимся в образце в процессе освещения.

8. Обнаружен и исследован фотодиэлектрический эффект; величина тока, определяемого им, возрастает с приближением к температуре максимума диэлектрической проницаемости.

Благодарность: Выражаю глубочайшую признательность и благодарность научному руководителю профессору Шеину А.Г, а также профессору Бурханову А.И и доценту Медникову C.B.

СПИСОК РАБОТ, ОПУБЛИКОВАННЫХ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

1. Лыу Тхи Ньян. Влияние освещения на процессы низко- и инфранизкочастотной релаксации поляризации в сегнетокерамике SBN / Лыу Тхи Ньян, А.Г. Шеин, C.B. Медников, А.И. Бурхаяов // Известия ВолгГТУ. Серия «Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь». Вып. 7 : межвуз. сб. науч. ст. / ВолгГТУ. - Волгоград, 2013. - № 3 (IОб). - С. 7275.

2. Лыу Тхи Ньян. Фототоки в релаксорной сегнетоэлектрической керамике SBN-75 при воздействии ультрафиолетового облучения / Лыу Тхи Ньян, А.Г. Шеин, С.В. Медников, А.И. Бурханов // Известия ВолгГТУ. Серия «Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь». Вып. 10. - Волгоград, 2014. -№ 26 (153). - С. 47-50.

3. Bormanis, К. Relaxor properties of barium-strontium niobate ceramics / K. Bormanis, A.I. Bur-khanov, S.V. Mednikov, Luu Thl Nhan, A. Kalvane, and M. Antonova // Ferroelectrics. - 2011. - Vol. 417, Issue. 1 - P. 58-62. (БД Scopus)

4. Bormanis, K. Photoelectrical of the SBN relaxor ceramics in the range of the broad phase transition / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, A.G. Shein, S.V. Mednhikov // Ferroelectrics. -2014. - Vol. 469, №. 1. -P.79-84. (БД Scopus)

5. Bormanis, K. Relaxation of polarization at the broad phase transition in modified PMN ferroelectric ceramics / K. Botmanis, A.I. Burkhanov, I.E. Tumanov, S.V. Mednhikov, Luu Thi Nhan, A. Kalvane, M. Antonova // Ferroelectrics. - 2013. - Vol.442, №. 1. - P. 137-143. (БД Scopus)

Статьи в других журналах

6. Bormanis, К. Kinetics of dielectric response in SBN-75 ceramics at infra-low frequencies under illumination / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, , Luu Thi Nhan, S.V. Mednikov, M. Antonova // SPIE Proceedings. Vol. 9421: Eighth International Conference on Advanced Optical Materials and Devices (AOMD-8). - [USA], 2014. -(22 October, 2014). - P. [1-5].

7. Bormanis, K. Effects of illumination on the dielectric response of barium-strontium niobate ceramics [Электронный ресурс] / К. Bormanis, A.I. Burkhanov,, Luu Thi Nhan, S.V. Mednikov, M. Antonova // Functional materials and Nanotechnologies 2013 (FM&NT2-13), 21-24 April 2013. ЮР Conf. Series : Materials Science and Engineering. Vol. 49 / Institute of Physics, University of Tartu. - Tartu (Estonia), 2013. - P. 1-5. - URL : httD://:opscience.iop.org/l 757-899X/49/l/012027/pdf/1757-S99X 49 1 012027.pdf.

8. Bormanis, K. Dielectric and photoelectric properties of barium-strontium niobate ceramics under visible and ultraviolet irradiation / K. Bormanis, A. Sternberg, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, S.V. Mednikov, and M. Antonova. Proceedings of the International Meeting «Physics of Lead-Free Piezoactive and Relative Materials (Analysis of Current State and Prospects of Development)» LFPM- 2014, Rostov-on-Don - Tuapse, 2-6 September 2014. - Т. 1, №. 3. - P. 27-30.

Материалы конференций

9. Bormanis, К. Relaxor Properties of Barium-Strontium Niobate Ceramics / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, S.V. Mednhikov, Luu Thi Nhan, A. Kalvane // EURODIM 2010. 11th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials, Pecs, Hungary, 2010, 12-16 July: book of Abstracts / Research Institute for Solid State Physics and Optics (Budapest), Institute of Physics of the University of Pecs. - Pecs, 2010. - P. A2.

10. 10. Лыу Тхи Ньян. Исследование диэлектрических характеристик релаксорной керамики (SBN-75) / Лыу Тхи Ньян, А.И. Бурханов, С.В. Медников// ВНКСФ-16 : матер, шестнадцатой всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных (г. Волгоград, 22-29 апр. 2010 г.): информ. бюллетень / Ассоциация студ.-физиков и мол. учёных России [и др.]. -Екатеринбург; Волгоград, 2010. - С. 207-208.

11. Борманис, К. Реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости в керамике Sro.75Bao.25Nb206 / К. Бормание, М. Антонова, А.И. Бурханов, С.В. Медников, Лыу Тхи Ньян // Актуальные проблемы физики твёрдого тела. ФТТ-2011 : сб. докл. междунар. науч. конф., г. Минск, 18-21 окт. 2011 г. В 3 т. Т. 1 / Науч.-практ. центр НАН Беларуси по материаловедению (Ин-т физики твёрдого тела и полупроводников), Белорус, республ. фонд фундаментальных исследований. - Минск, 2011. - С. 329-331.

12. Лыу Тхи Ньян. Реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости в керамике Sro.75Bao.2sNb206 (SBN-75) / Лыу Тхи Ньян, А.И. Бурханов, С.В. Медников // Семнадцатая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-17), г.

Екатеринбург, 25 марта - 1 апреля 2011 г.': матер. : информ. бюллетень / Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, Ин-т электрофизики УрО РАН. - Екатеринбург 2011.-С. 192-193.

13. Bormanis, К. Behaviour of the reverse dielectric permeability in SBN-75 ceramics / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, S.V. Mednhikov, Luu Thi Nhan // Functional materials and nanotechnologies 2011 : book of abstracts of International Conference, Riga, 2011, April 5-8 / Institute of Solid State Physics, University of Latvia. -Riga, 2011. - S. 221.

14. Лыу Тхи Ньян. Влияние освещения на процессы низко- и инфранизкочастотной релаксации поляризации в сегнетокерамике SBN / Лыу Тхи Ньян, С.В. Медников, А.И. Бурханов, К. Борманис, М. Антонова // The Seventh Internanional Seminar on Ferroelastic Physics (Voronezh, Russia, September 10-13,2012): abstract book / RAS, Voronezh State Technical University. - Voronezh, 2012. - C. 86.

15. Bormanis, K. Effects of illumination on the dielectric response of barium-strontium niobate ceramics / K. Boimanis, M. Antonova, A.I. Burkhanov, S.V. Mednhikov, Luu Thi Nhan // Functional materials and nanotechnologies (FM&NT-2013) abstracts of International Conference (Tartu, Estonia, April, 21-24, 2013 / University of Tartu. - Tartu, 2013. - No. PO-132 (Poster Session).

16. Bormanis, K. The effect of light on low frequency relaxation of polarisation in ferroelectric barium-strontium ceramics / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, S.V. Mednhikov, Luu Thi Nhan, Antonova M. // Annual Report 2012 / Institute of Solid State Physics, University of Latvia. - Riga, 2013.-P. 35.

17. Bormanis, K. Photoelectrical properties on the SBN relaxor ceramics in the range of the broad phase transition / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, A.G. Shein, S.V. Mednhikov, M. Antonova // The International Workshop on Relaxor Ferroelectrics (IWRF), St. Petersburg, Russia, July 1-6, 2013 / Russian Academy of Science, Ioffe Institute, St. Petersburg Polytechnical University. - St. Petersburg, 2013. - С. 113-114.

18. Лыу Тхи Ньян. Влияние ультрафиолетового облучения на электрофизические свойства в релаксорной сегнетоэлектрической керамике SBN-75 / Лыу Тхи Ньян, А.Г. Шеин, А.И. Бурханов, С.В. Медников // Двадцатая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-20), г. Ижевск, 27 марта - 3 апреля 2014 г.: инф. бюллетень : матер, конф. (тез. докл.) / УрО РАН, Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, Ижевский гос. техн. ун-т им. М.Т. Калашникова [и др.]. - Ижевск, 2014. - С. 180-181.

19. Борманис, К. Фототоки и инфранизкочастотный диэлектрический отклик в релаксорной керамике SBN-75 при воздействии света / К. Борманис, А.И. Бурханов, Лыу Тхи Ньян, С.В. Медников, М. Антонова // XX всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-ХХ). Школа молодых учёных "Актуальные проблемы физики сегнетоэлектриков" (г. Красноярск, 18-22 авг. 2014 г.): сб. тр. / Научный совет РАН по физике конденсированных сред, Ин-т физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Сибирский федеральный ун-т [и др.]. -Красноярск, 2014. - С. 75-76.

20. Bormanis, К. Photoelectric current and dielectric properties of barium-strontium niobate ceramics under UV and visible irradiation / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, S.V. Mednhikov, M. Antonova // Joint 12th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity and 9th International Conference Functional Materials and Nanotechnologies (Riga, September 29 - October 2, 2014) / Institute of Solid State Physics, University of Latvia. - Riga (Latvia), 2014. - P. 190.

СПИСОК ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Фридкин, В.М. Фотосегнетоэлектрики / В.М. Фридкин. - М.: Наука, 1979. - 264 с.

2. Glass, A.M. Highvoltage bulk photovoltaik ettect and the photovoltaik ettect and the photorefractive process in LiNbOj / A.M. Glass, Von der Linbe, D. Nerren T.J // Appl. Phys. Lett. - 1974. -Vol. 25, №4.-P. 233-236.

3. Делимова, Л.А. Тонкопленочный конденсатор M/Pb(ZrTi)Oj/M как поляризационно-чувствительный фотоэлемент / Л.А. Делимова, B.C. Юферев, И.В. Грехов, А.А. Петров, К.А. Федоров, В.П. Афанасьев // ФТТ. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1149-1153.

4. Пшеничнов, Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов / Ю.П. Пшеничнов. - М.: Металлургия, 1974. - 528 с.

5. Большакова, Н.Н. Исследование процессов переключения кристаллов ниобата бария-стронция методом теплового эффекта Баркгаузена / Н.Н. Большакова, Т.О. Зазнобин, В.В. Иванов, Е.Б. Муравьева, Б.Б. Педько // ФТТ. - 2006. - Т. 48, вып. 6. - С. 967-968.

6. Лысова, О.В. Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических микро- и нанодоменных структур: автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук: 01.04.18 / О.А. Лысова. - М., 2011. - 24 с.

7. Simagina, L.V. Spesific features ID and 2D domains pattern stability recorded bin strontiumbarium niobate by atomic force microscope / L.V. Simagina, T.R. Volk, R.V. Gaynutdinov, O.A. Lysova, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva // Integrated Ferroelectrics. - 2009. - Vol. 109. - P. 36-47.

8. Ивлева, Л.И. Исследование температурной зависимости электропроводимости в кристаллах ниобата бария-стронция с различными примесями / Л.И. Ивлева, Н.С. Козлова, Е.В. Забелина // Кристаллография. - 2007. - Т. 52, № 2. - С. 344-347.

9. Cross, L.E. Relaxor Ferroelectrics / L.E. Cross // Ferroelectrics. - 1987. - V. 76, № 1. - P. 241267.

10. Jing Zhang. Influence of Sr/Ba ratio on the dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties of strontium barium niobate ceramics / Jing Zhang, Genshui Wang, Feng Gao, Chaoliang Mao, Fei Cao, Xianlin Dong// Ceramics International. - 2013. - Vol. 39. - P. 1971-1976.

11. Гладкий, В.В. О диэлектрической проницаемости фоточувствительного релаксорного се-гнетоэлектрика ниобата бария-стронция / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк//ФТТ.-2006.-Т. 48, вып. 10.-С. 1817-1819.

12. Гладкий, В.В. Реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк // ФТТ. - 2006. - Т. 48, вып. 11. - С. 2026-2029.

13. Гладкий, В.В. Процессы деполяризации в фоточувствительном релаксорном сегнетоэлектрике / В.В. Гладкий, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк // ФТТ. - 2007. - Т. 49, вып. II,-С. 2049-2054.

14. Povoa, J.M. Phase transition and dielectric characteristics of tungsten bronze relaxors / J.M. Povoa, E.N. Moreira, D. Garcia, D.U. P. Spinola, C.G.V. Docarmo, and J.A. Eiras // Journal of the Korean Physical Society. -1998. - Vol. 32. -P. S1046-S1047.

15. Бурханов, А.И. Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах: дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Бурханов Анвер Идрисович. - Воронеж, 2004. - 307 с.

16. Бурханов, А.И. Воздействие освещения на долговременную релаксацию поляризации в монокристалле SBN-75 + 0.01 ат. % Сг / А.И. Бурханов, К.П. Гужаковская, Л.И. Ивлева // Известия РАН. Серия Физическая. - 2010. - Т. 74, вып. 9. - С. 1292-1293.

17. Орешкин, П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П. Т Орешкин. - М.:«Высш. школа», 1977. - 448 с.

Подписано в печать 13.03.2015 г. Формат 60x84 1/16. Бумага офсетная. Печать трафаретная. Печ. л. 1,0. Тираж 100 экз. Заказ № 132.

Типография ИУНЛ Волгоградского государственного технического университета. 400005, г. Волгоград, просп. им. В.И. Ленина, 28, корп. №7.