Одержання та фiзичнi властивостi легованих епiтаксiйних шарiв телуридiв свинцо-олова-германiю тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

П 6 од

черн1вецший державний УН1ВЕРСЖЕТ 1М. В.ФЕДЬКОВИЧЛ

На правах руиопнсу

ВОДОП'ЯНОВ Володимир Миколайович

одермання ТА Ф13№Ш1 власгивосг! ■ леговших еп1таксших шар1в телур1щ1в св1м1$-олова-гершш1:ю

01.04.10 - фйзика нап1впров!дник1в та д1олектршив

А в т о р о ф а р а т днсертацг? на эдобуттл наукового ступени кандидата фтзино-математичния наук

Чернгвц! - 1993

Дисертац1ею е рукопис

Робота В1*конана в Черн1вецькому рхддхленнх 1нституту проблем иатер1алознавства АН Укратни

Науковий керхвник.1 кандидат фхпикочлатеыатпчних наук,

старший науковий сп!вроб1тник Слинько ед.

0ф1ц1()н1 олоненти: доктор фЬико-математичних наук,

професор Лашкарьов Г.В.

доктор фхаико-математичних наук, головний науковий сп1вроб1тник Заячук Д.И.

Праздна аргангаац!л: 1нститут фхэики нагивпровхдникхв

АН Укра5ни, м.Ки?в

Захмс* в1дбудеться " ^ а р^г^ря. 1993 р> на з'асхдсщн! спец1ал1аована¥ пченот ради Д 068.16.01 Черн1вець кого доркавного ун1в'ерситету 1м. Ю.Федыовича.

3 дисертацхсю можна ознайомитися в б1бл!отец! даржун1вер-ситету М. Черн1вц1, гул. Л.Укра¥нки, 23/.

Вхдгуии на автореферат прохаиня вхдпрасляти за адресов: 274032, ц. Чарн1вц1, вул. Кодой'инського, 2. Вченому секретарю.

Автореферат розЬлашй " а&улж-шъ

Курганецький М.В.

Вчений секретар спец1ал1зовано? ради

ЗАГМЬНЛ ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальнхоть теми. Сполуки типу А4Вб та твердх роэчини на IX основ! анаходять широке застосування при створоннх ефективних фотоприймачхв та шпромгнювачгв, як1 працюють в тнфрачервоному дгапазонг спектру олектромагнхтного випром1нк>Еання. Великий на-уковмй 1нтерес до твердих розчин!в цього класу обумовлений тим, що тх елактроф1зичнх, оптичм та фотоелектриедх властивостх зм1-нюготьсл в |"Цроких межах в залежносй вхд складу I легугачих дом1-шок. истаннхм часом набув розвитку новий напрямок а ф1зиц1 вузь-козонних нап1впровгдник1в, лов'язаний з вивченчям дефоктних та домшкових стан1в, як1 е эг1ДНо сучасних уявлень глибокими центрами, втд яких залежать тип пров!дност1 та концентрац1.ч ноыт'в заряду. ^

Особливий 1нтервс викликають дослхдження енерготичного ■ спектру дом1Шок Шг^/пи, таких, як та Скх , що пов'язачо э ви-явленням. в логопаних ними материалах незвичайних властиоостей, таких як стабхл1зац1я р1вня Ферм!, можлив1сть одёркання надзви-чайно низьких концентраций носггв заряду, аномально великг часи релаксант нер1ЕНовакних носх¥в заряду, як1 с^проводжуються аномально високою фоточутлив1стю. Легування кадшем дач можливхоть збхлъ'шувати квантовий еих1д фотолюм1несцеицт:г, „

■ ' Сучаснх досягнення 1ч опто'електронхки, э також прогрес в розвитку 1цет галузг технхки пов'язаж з розробкога та удоскона-ленням технолог^' одержання.х легування вузькозонних нап1впров1д-никових матерхалхв типу А^В . исобливий ¿нтерёс и цьому план1 яв-ляють собою егитаксхйн! шари на 1золюючих пхдкладках.' Ццним э перспективних методтв вирощувяння епхтаксхйних шар1в е метод га-■¿ячот стхнки, який являв собой р1зновиднхсть вакуумнот еттакм?. Розробка технолог.!? вирощування та легування еттакетйних шар1в в.рамках цього методу з метою одержяння однорхдних по ф1зичним властивостгм шар1в, як1 дозволяють стандартными методами планар-нот технолог!? створовати Л1нхйки I матрящ фотоприймачгв,.мае велико лрактичне яначэння в розв'язуванш актуальной задачх на-пхвпровхдниково" оптоелектроихки - сТЕорюванш Аотоприймальних Пристротв НОВОГО ПОКОЛТ"НЯ.

0птим1за1пя умов' вирощуеання та легування еп1такс1йних ша-ртв твердях' роз чти в А4Ь° з вхд'творюваними параметрами пов'язаьа

- г -

з необххднхстю комплексних досл1джень едектрофхэичних, оптичних та фотоелектричних властивостей, якг стЕорюють науновх передумо-ви для роэрсбки фхзичних моделей, що пояснюють унлкальш явища, якх спооторхгаються в цкх материалах. . '

Тому поставлен! в дисертацхйнх?! робот: мета х завдання з актуальними х важливими як з точки зору вивчвння природи I стану домгаок, так I а точки эору практично? реалхзацхт одержаних результате.

Достт1дкення, якх иод анх в дисертац1йн1й робот1, виконакх у вхдпоа1дност1 а планом науково-дослхдницьких роб1т Черн1вецького в1дд1лення .Институту проблем матерхалознавства АН Украхни, а само э планом 1,3.7.5 "Розробка фхзико-ххмхчних основ технолог!? одермання нових напхвпровхдникових матер!ал^в", затвврджещм Првзидхзю АН Укратни 27 груцня 1985 р. № 474 /номер державно? ре-есТраихт 01.86.0.0606674/. V

Мета роботи. Роэробка принцип!в технолог!? вирсмцування та легування багаток'АШОнентних твердих роэчинхв I сполук А^В в кваз1заыкненому об'ем1 методом гарячот от1нки, а також комплекс-нв дослхдкення фгзичних властивостей цих матерхалхв з метою »держания епхтаксхйних шархв, як! придатнх для використання як приймач1 I випром1нювач! в 1нфрачервонхй област1 спектру.

Основн! завдання.

I. Удооконалювання методу гарячот еттки з метою одержання однор1дних_за елёктричними властивостяш вп1таксхйних шархв велико? площх.

0птим1зац1я глхнологгчних'умов вирощування епхтаксхйних шар1в багатокомпонентних твердих розчин1в х сполук типу А В .

3.Розробка способхв легування багатокомпонентних тверцих розчин1в х сполук типу

4. Дослтдження електррфхзичних, оптичних' I фотоелектричних властивостей та фотол*шнесценг1? оп1таксхйних шар1в.

Ь. Дослхдкення впливу легуючих домхшок на параметри зонно! структури твердих розчинхв х сполук т^пу Л^Ь^.

6. Доблхдження стаб1льностх електроф1зичних властивостей еги-такс!йних шархв тведоих розчинхв лагованих кадием та

хццхем.

Наукова новизна роботи,

1. Розроблений комплекс твхнологхчних методик вирощування на Iзолюючих пгдклодках одномдних за ел е кт рофх зимними власти-востяш■ емтаксгйних шархв А велико? площг з високою однородности за складом I товщиною, якх придатнх для формування на них лш1йок 1 матряць фоточутливих елементтв методами планарно'г технолог!?. Новизна ряду технологхчних методик П1дтвврц)хена авюрсь-кими свхдоцтвеми СРСР № 31203ь, 1567964, 1771219, 318721.

2. Розроблена методика дифузгИного вгдпалу легованих кадмхем та нелегованих еп1т&кс!йних йаргв. Новизна методики гидтверджена авторським свтдоцтвом СРСР № 17538В1,

3. Розроблена методика вирощування ега:таксз:йних шартв легованих хндгем бЕ.^атокомпонентних твердих розчинхв А4В , якх мають високу фоточутливгсть при температурах Т^25 К, що дав можливхсть створювати фотоприймаЛьн! пристро?, як! працюють в режимг накогш-чення фртонос1?в ! маять ^исоку питому виявну здатшсть Ь >, 10 см^Гц^Вт-''". Новизна пхдтверджена позитивними ргшеннями на вида-чу-патент в СРСР №№ 154Ьб, 1Ь4Ь7 вхд 18.10. 19У1 р.

4. Розроблена методика вирощування епхтако1йних шаргв свинець-олово-телур, легованих кадм1ем, як! мають пгдвтцений квантовий виххд фотолгомгнесиенц!! пор1вняно з нолегованими. Новизна пхд-тверджена авторським свхдоцтвом СРСР № 1625067.

Ь. Ьстановлено, що при легуваннх ештаксхйних шар1в свинець-олово-телур кадмхем спостерхгаеться розширення областг гомоген-ност1 о боку металевкх компонент!в, до дас можлив!сть одержувати . стаб1льн1'за електричними параметрами зразки п-типу пров1дност1.

6. ВстаноБлент залежностх швидкостей росту легованих Г: д!ям,

галхсм I кадмхем та нелегованих еш:такс1{?них шаргв сполук I твер-4 о

дих розчинхв типу А В , а такок концентрац1Н I рухливостей нос1?в заряду В1Д технологхчних режим!в вирощування.

7. Ьизначен1 температурит .'¡алежност1 вхдноше'ннр рухливостей електронхв I дхрок та Бласно? конпентрацхт нос1т'в заряду в легованих кадмхсм епттаксхкних шарах _Т<2' ' ••

0(4

и. 3 темнерптурних залежноете;' коефхц!ента Холла I Питомого опору г- легоиллих хндт^.М епггакс!йни>с шарах РЪ. % (эе ^л^Д^ •

визначен1 eHepri'í активашх ян-теллер1веького центру i розрахо-ванг floro параметри.

У. Встановлен! аалежност! ширини заборонено? зони, високочас-tothoí дхелектрично? проникливост1 та величкни квантового виходу фоте ч)неспени.*¥ в легованих кадм!ем eniTaKcjйних шарах Pbog8vi0 Те вхд концентрац!¥ домшки в джерелх Пари.

10. Вотановлено, що г легованих кадм!ем еттакетйних шарах РЬ„ .Svv Те утворюються комплекси, як! складаються з домшкових

С, о 0(2. -

атomíв i власних дефектхв, визначена-темиоратурна залэяшеть енергетичного положения локального ргвня, який угворений цныи йомплековми. ' ,

11. Вперше одержан! ештакс1ЙН1 шари халькогенидхв оиинцю i олова п-типу пров1дносп^ з вмхетом телуриду олова б1льше як

30 ыоп.%, якг волод1ють фоточутл1тстю при HÍMHe';HÍй температур! в fliana30Hi довжин хвиль В - 10 мкм. -

12. В легованих гал1ем епхтакийних шарах PtT«- i Pb^Ga^Te. виявлеН1 енергетичнх pibhí в эаборонен!й 3ohi. Визначена залеж-HiCTb ix енергетичного положения В1д температуря.

Практична щннхеть роботи.

Розроблений комплекс оптимальних технолопечних методик виро-щування i легуганнл багатокомпонентних твердих розчингв i сполук типу А^В^, якт дають можпивхсть вирощувати ештакс1йн1 шари велико? площ1 з високою однор1дн1стг е^ектрофхзичних властивостей, придатнх для виготовлення гетероструктур, лхнГйок i матриць фсто-чутлипих елементтв, якх працшть в тн^рачервонхй облаетi спектру.

Розроблений cnoci6 одержання легованих 1нд1вм багатокомпонентних твердих розчин1в А'*йь, hkí маютц аномально високу фо*о-чутливхсть при Т4 25 К, що дае моюшб1сть виготовляти з них фото-приймальн: пристрой, як! прапшть на принцищ накопиченнл фото-hocííb.

Розроблений cnoci6 одержання легованих кздшеы ештакийних шар1в твердих розчинхв свиНець-олоьо-телур, як1 мають педвищен-ний к..антовий виххд фотолюмхнесиенщ? г-эр1вняно з пелогованими матер1алаыИу" придатних для створення випрог.шщвачхв в ¿нфрачер-вонему дтапазон! спектру. . ' ~

- Ь -

Розроблений комплгчс технолопчних методик оДеркання висо-костаб1Льних за олектричними параметрами легованих кадмюм еп1-такмйних шар1в твердого розчнну РЬ^^и^Те.

Одержат рзэультати досл1джень фгзичних властивостей I параметр! в ештакохйних иаргв багатокомпонентних творднх розчинхв I сполук , а такой ?х з^пежкгсть вгд технологгчних умов ви-рошування (т ваилнвим для оцли^эвц!? к пгдвитення фотоелектрич-них характеристик тонкошипкових фотопрлймальних пристрог в.

На лахнет виногяться

"' " ~ *" 1 ' I " •

1. Комплекс технолог!чннх методик вирошуваннп легованих багатокомпонентних епхтаксхйнчх шаргв А^В^ з одного ддерела пари.

2. исоблнвост1 залежностей параметр!в легованих еш:такс1й-них шархв в!д технол'ог!чних умов виропування. :

3. Результати дослхдаень впливу домшок на .електрофгзичнг

1 оптнчнг властивостг та енергетичний спектр опхтаксхйних шар1в багатокомпонентних твердих розчшпв х сполук А^В®.

4. Результата досл1джень впливу логуючих домшок , ^ , Со1 на фотоелектричш I фс голи.шюсцентн! властивостх багатокомпонентних твердих розчинхв 1 сполук типу

Апробацтя роботи.

Основнх результати днеертащ? допов1далчсь I обговорювались на Ь Бсесоюзнхй конференцх? з ххм1?, ф1зики I техн!чному засто-суванню халькогенхд1в /Баку, 1979/, 4 Укратнськ1й республхкансь-"хй конференщт з фгзики х технолог!? тонких гшвок складних на-п!впровхднтав /Ужгород, 19Ь1/, Нарацх з фхзики вузькозонних на-п!впровхдник1в /Москва, ГЭЬЬД 3 Всесоюзнхй конференщ? "Стан 1 перспективи розвитку метод!в однртйння монокристал1в'* /Ларк1в, 19ВЬ/, Ь Всесоюзна конФеренц1? "Потрхйнх нап1впров1дш»ки та хх застосування" /Ктинхв, 1У87/, 7 Всесошн1Й конференцт1 "Ахмтя, фхзика та технхчне застосування халькогеН1Дгв" /Ужгород, 19УУ/,

2 Уральськ1й конференц!? "Синтез х Досл1джекня халькогетдних плх.вокп /Свердловськ, 19«В/, 2 Всесоюзному сем1нарх "»йзика I XI-мхя нап1впров{дник1в" /Павлодар, 19ДО/, 3 Всесогозн1Й конференц-?

3 ф1я'1ки х технолр:'Хт тонких та напхвпровхдникових плгвок Двано-Фрпнкгвсь'к, 19У0/, Всесоюзному пауковому семхнарг "к>агатошаров1

структури на основ! вузькозонних нагпвпров^дникхв" /Нукус,19У0/, Всесоюзному семинар! "Кнергетйчна структура Нсмоталхчних криста-л!в з рхзним типом хтьичного зв*язку" /Ужгород, 1901/, I Мгжву-эхвськ!й к^нференцтт "Матерталоонавство т фхзика нап1впров1дни- . ^ових фаз зм1нного складу" /Н!жин, 1991/, В Всесоюзному симпоз!-ум! "Нап1впров!дники з вузькою забороненою-зоною тл нап!вметали" /Чьв!в, 1991/,(3 13сесоюзн!й конференц!¥ "Матер!алознавство халь-коген!дних нап!впров!дник!вп /Чернгвц!, 1991/, а також на науко-вих сем!нарах Чернхвецького в!дд!лёння 1нституту проблем матор!-алознавства АН Укра?ни.

Публ!кац!¥. На основ1 провецених досл!джень опубл!ковано 40 роб!т, з них 6 авторських св!доцтв на винах!д х 2 позитивних р!шення на видачу патент!в.

Структура ! об'см дксертап!?. Й1сертац!я складасться з вступу, п'яти розд!л!в, висновк!в, списку цитовано¥ л!тератури з 20В найменувань, додатк!в. Об'ем дисертацИг 186 стор!нок мши-нописного токсту, включаючи 46 малюнк!в та 7 таблиць.

КОРОТКИЙ"ЗМ1СГ РОБОТИ

У вступ! ос' 'рунтована актуальн!сть вибранот теми, мета ! завдання роботи, наукова новиана ! практична ц!ин!сть. Сфор-мульован! положения, як! виносятьсл на захист, наведен! дат про апробац!ю роботи, к!льк!сть публ!кац!й та короткий зм!ст ди-сертац!йно? роботй. -''..'■

У первому розд!л! Наведений огляд л!тературмих даних, в якому подан! результат» доол!джень механ!зм!в пходжемня дом!шок !нд!ю, гал!ю та кадм!ю в кристал!чну гратку сполук ! тпердих розчин!в типу та ¥х вплив на ф!зичн! властивост! монокрис-тал!в ! еп!таКс!йних шпр!в. Вкаэано, що легування спилук ! гпер-дих розчин!в е^ементлми третьо? групи приводить до таких

явищ, як стаб!л!аац!я р!вняФерм!, можлип1сть одоржамня надпвичай-но ниэьких концентрац!йМос!?в заряду, довгочасов! релаксации! процоси перет!калня нер!вноважних нос!?в зпряду, як! супроводжу-ються високою фоточут. ив!стю 1 мають певний практичний !нторес, можлив!сть спостереження переходу метал-д!елсктрик.

Роэглядшоться хснуючг те^ретичнх моделх, jmi пояснюитъ ni явища.

Зггдно з л1тературними даними, легуюча д!я иказаних дом^ок icTojnö залежить вХд способа ix ппровццження в кристал1чну грат-ку, чим.пояснюються "супоречлиг^ данг, ян! трапллвтьсл в л1тера-■i'ypi, про вплив легуючих дом!шок на фхзичн! властивост1 дослЦ-жуваних об'екмв. >

3 аиалхзу лхтературних даних видно, що вирощування оп!так-с!йних шар!в сполук i творднх розчин!п чипу А. Б ticho пов'язано з вивченням ф!зико-х!м1чних аспект!в логуваннл точки зору ро-зумхння стану домшок та тх взпемодГх п пласними точковими дефектами п межах певного способу оировдуипния. -

На птдстав! огляду Л1тературних даних сформульоваш завдан-ня досл1дження стану домЬюк в еп!такс!йних шарах, як! вирощува-лись л кваз1эомкненому об'ем! в вакуум! на сколах фториду 6apim мсзтодом гарячоТ ctihku.

У другому ропд1лх роаглянутх особливост1 вирощуиання ehi-таксхйних uiapia сполук i тпердих роачинхв типу А^В^ методом га-рлчот стхнки на сколах (ill).фг.ориду бар!ю J ниливу на ¥х плас-TUBpcTi тохнолог!чних умов пирощуипння i складу матор1алхв дже-рол пари. Конструкция, то розроблена для раал!зацХ1 методу гаря-чот ст!пки з орш'хнальними лристроями перемхшупання napiß основного i додаткового, в лкому, як правило, м!ститься легуючий, або компенсуючмй матер!ал, дяерел пари, дозволила одержувати легошш! i нолегопанх еп!такс!йн1тари задансго х!мхчного складу, велико? площ! з високою однор1днхстю по топщинх та електроф!зичним Параметрам, як1 придатн! для стандартних мотодin пленарной техноло-г±т формупання багатоелементних л!н1йок i матриць фоточутлииих елсмпнт!п.

■'■' Проведено досл!дження впливу технологхчних фаКтор1в на швнд-к!сть росту i електрофхаичт паргшетри легонаних t нелегованих еп!такс!йних lunpip fVTe , , Ph^GaJe (ж = 0,0015,

0,003, 0,0l) , РЬи.л]6е*6а„Те я 0,12, У,* 0,002, 0,0l), (РЬ,.,.^^4), г ЦТ* 0,12, if- 0,2, 2- 0,01 тй*=0,14, SJ -.0,25, 2 - 0,01), (*.. 0,2, У »-0,001, 0,001,

0,0l). Остановлено, що пхдхиленнг ßifl стех4ометр1У в матор!ал! джерела пари, або введения легуючо? дом!шки приводить до зменшен-нл шпидкост! росту enitauciИного шару, та змхненнп його електро-

фхэичних влаотивостей. .. ■

На основ! проведеного анал1зу взаемозв'яэку таких параметров, як швидкхсть росту i електроф1зичнх властивост! еп!такс!й-них mapiB в эалежност! в1д в!дхилення в!д cTexiojjeTpi?, наявнос-. tí легуючих дом!шон, температур джерела пари Т , стхнки Тс i пхдкладки Тп в розро^леному при ст рот для вирощування методом гарячот стхнки встановлен! оптимальн1 дхапазони Т , Т , Т для вирощування нелегованих i .иеговами,. еп^акийних шархв вищевка-• заних crio лук i тверцих розчин1в.

Зроблений висновок про необх1дн1сть, з метою одержання за-, даних електрофхзичних-властивостей, проводите випаровування з одного, джерела пари, а матер1ал джерела пари; як легований, так i нелегований, виготовляти за спецхальними методиками.

Встановлен1 з ,'лежност1 концентрац!? носхтв заряду i типу пров1дност1 вхд Тп, Тс, T^ для епхгаксхйних iimpiB вищеприведених матирхалхв. Сл1д в1дм1тити, що eniTaKcitfui шари &Syvc¿íe. , легованх кадм1ем вхд 0,1 до I ат.% були одержан! лише р-типу ripoBiflHocTÍ на вхдм!ну вхд хнших дослхдженлх íHaTepiaflÍB, як! ли одержан! як р-, так i п-тип1в провхдноет! в ycix досл!джених хнтервалах температур Т , Т , Т

4Ь0°С ¿T^ 560°С, 490°C¿Tcé Ь70°С), що моке бути пов'яэано з рходженн'ям кадмхю в кристал1чну гратку в основному по тетраед-ричних пустотах падгратки телуру i частково по ваканс1ях метал1ч-них Тшмпонент1в. Атоми кадмию, як1 розташован! в тетраедричних пустотах утворюють разом э ваканс!ями металу нейтраль« комплек-си типу мхжвуэольний атом-ваканс!я металу; Шдтвердженням цього положения може бути виявлене зб!льшення параптру кристал!чнох гратки при легуваян! .'верцого розчину Pbg^Sv^fé кадм!ем. Для одержання нелегованих i легованих кадм1ем зразкхв

п-типу пр0в!дност1 був використаний дифуз!йний -в!д-_ пал еп1такс!йних шар!в в пар!, збагачен!й металевимн компонентами. Це дало можлив!сть уточните координати Jiítiif contp.ycn нелего-ваного MaTepia.""*, одержаного в умовах кг'ла^эшкненого об'ек.у i визначити межу облает! гомогенност! з боку метпчевих компонент легованого кадм!ем матер!алу. При зниженн! температуря !зоте{Шч-ного в!дпалу нклегованого матер!ада при Т = 773 К спостер!гаеть-ся зм!на типу пров!дност! з р на И . При подальшому понижение температуря в!дбуваеться ам!на типу пров!дност! з П на р при

703 К. В Ma-repiafli, легованому кадм!ем, iHBepcifl типу провХднос-Ti э р на п в!дбуваеться лри Т = 798 К. При подальшому пог.и-женн1 температури в!дпалу аж до 6J3 К зразки одержуютьоя п-типу пров1дност1 i'tpyra !нвврохя типу проп!дноот! не спостер1гавться. Легування кадм!ем приводить до розширення облает! гомогенноотг з боку метал1чних "компонента.

У третьому роздал! приведенi результат« досл1даень, температурних залежностей ефекту Холла та електропров1днрстх нелегованих i легованих надмхйм i !нд!ем еп!тано!йних uiapiu типу А4Вб. До-слхдження електропровхдност! t ефекту Холла проводились на постному струм! в постхйному магн!тному пол1 (ii<40 кЕ) в интервал! температур для легованих надкаем эразк!в 77 - 450 К i легованих 1нд1ек 4,2 - 300 К.

3 пор1вняння температурних залежностей коеф!ц!ента Холла легованих кадмгем i нелегованих еп1таксхйних иар!в р-^гипу пров1дност1 виходить, ща при концентрац!ях Hociiв заряду (при'Т а 77 К) бМьше як 10™ см""^ для одних i тих же значень концентрац1й HociiB заряду у легованих кадм!ем еп!такс!'Лннх ша~ р!в максимальне значения коеф1ц1ента Холла у в^'емнхй област1 бхльше, Hi« у нелегованих зразкхв, причому хз зростанням концен-Tpauii HociiB заряду р1эниця в ¥х величинах эб!льшуеться. Це св1дчить про б!льш сильну температурну залежн1сть вхдношения ру-рухливостей електрохйв i дхрок S = при рисоких темпера-

турах в легованих еп!такс1йних шарах пор!вняно э нелегованиыи. Розрахунок температурних залежностей й (/Г ) в легованих кадмхем i нелегованих еп1таксхйних шарах показуе, що при температурах Т > 350 К це мае Micqe. Використавши одержану лалежнхсть була розрахована температурна залежнхсть власно? концентрац!? Н; (Т) для легованих кадм!ем еп1такс1йних шар!в,

Дослхдження ефекта Хол..а в еп1таксгйних шарах, як! були ви-рощфг з джерела пари складу Те. де * =■ 0,12,

/ nj я 0,20, Z = 0,01, показали, що при вЦсутност! заев!тки зраз-ка при пониженнх температури спостер!гаеться ргст коеф!ц1ента Холла, а в штервал! температур 30 - 120 Н цей pic? в!дбуваеться за експонентою. Дх ¿кслоненц!йн1 частини температурной'залежноо-т! коеф!ц1ента Холла мають pisHi RHepri? активац!?, як1 залежать в!д концентрацИ hoci?b заряду i змхнюються вгд 25 меВ до 45меВ при зменшенн! концентрац!5 електронхв при Т = 77 К в!д

- 10 -

16 3 14 3

1,6-10 см" до 2-Ю а,Г , Прт: температурах нижче 30 К вим1-

ри ера Холла утруднен! в ов'яаку а великою неекв1потенц1альн1стю, яка викликана виоокими значениями питомого опору, який досягае величин 10* - Ю12 0«-см. Якщо охолоджен! до 4,2 К эраэки оав1-тити фоновим випром!нюванням э Тф - 300 К, то ¥х питсш опори !стотно эм!нюються, а в^дношення питомих опор!в при вtдoyтнocтi засв1тки та при их.. досягають величин 10® - 10** в залежност! в1д конкретких умов вирощування епгтакстПнт шархв. Якщо охолод-жений до температури р!дкого гел!ю эраэок э концентрате» елек-трон!в при 77 К 1,6*10 ^ осв!тити фоновим випром!июванняы э Тф = 300 К, а шшм нагр!вати, то в температурному !нтервалх 4,2 - 12 К коеф!ц1ент Холла не эмхнюеться, а в хнтервал! температур 12 - 30 К в1дбуваетьоя його рхст по експонент1 з енергхею активацх? 12 меВ. При подальшому збхльшеннх температури ххд ко-ефхц1ента Холла сп!впадао э таким, що не мав эасвхтки.

Ькспериментальих температурн1 залежностх коеф!ц1снта Холла пояснюються, виходячи з представлень ян-теллер1вськох нест1йкос-Т1 кристалхчного оточення точкових дефект1в I утворення ян-^гел-лер1йоьких центров в легованих !нд!ем матер!алах А4Вб, эг!дно яких ян-теллер1вським центром мрже буги вакансхя телура, яка утво-рюе рхвень, розмщений в зон* ппов!дност1 з енерг!ею в незбурено-му стан1 £© • Використавши експериментальнх данх для эразка а концентрац!ею електрон^в при 77 К 1,6'10 розра^ован! па-'

раметри ян-теллер!вського центру: а 66 меВ, енерНя тершчного збудження центру -25 меВ, енергхя оптичного эбуджчння електрон!в з ян-'хвлг.ергвского центру 116 меВ.

Досл1дженастаб1льн1сТь:електричних параметрхв нелегованих I легованих кадмхем та !нд1ем еп!такс*йних шар1з А4Е6. Наведен! дан!, ям показують, що на протяз! двох ромв лкгован! эраэки р- 1 п-типхв пров!дностх практично не змхнкли значень концентра-ц!5 та рухливост1 нос!1в заряду.

У четвертому роадхл! наведен! результати доолХджень оптич-них властивостей еп1такс!йних шар!в Рь^йи/Ге, легованих кад-м!ем, бе^Зи^Те , легованих !нд!ем, а також РьТе , ле-

гованих гал!ем. ВюЛри оптичного пропускали,; проводились в Интервал! температур 80'-. 300 К в монохроматмчному пучку випрсшню-вання.

3 !нтерференц!йних спектр!в оптичного пропускания еп!такс!й-

' >

них шархв легованих кадмхем в1д 0,1 до I ат.%, ви-

эн.аченг значения показнина заломлення та внсоиочастотно? дхелсгк-трично? проникливост1 £ с/> . нУстановлено, що збхлыденням вм!с-ту надьию £ оо зменшуеться вхд 40 до 34,5 в указаному ЫтервалХ концентраций дом1шки. Для нелегованих оп1таксхйнмх шар!в одержа-не значения = 40,7.

3 вим1р1в спектр1в оптичного ноглннання легованих

кадмхем еп1таксхйних шархв встшшвлено, що спек-

тральн1 залежност! характерна для прямих дозволених пере- -

ходхв. Для иерироджених эраэк1н значения ширини заборонено? зо-ни Е^ визначались ектралоллцхою эалежностой

до значень

=0. Одержан! значения Е^ показують, що легування кадм1ем до 0,5 ат,% практично не зм1нюе ширкни заборонено? зони (Е^ = 0,2 еВ), в той час як при нонцен?рацх? домхшки I ат.5? Е^ =0,212 еВ. В спектрах оптичного поглинання епхтаксхйних шар1в р-типу пров1дностх спостер1гаютьсп полоси додаткового поглинакня в частинх спектру, де вЭДбуваеться поглинання в^ьними носхями заряду. Несиметрична форма полос , наявн1сть ч!тког чер-

вонох границ?, зменшення эбхдьшенням концентрац1й нос11в

заряду х дом1шкй св1дчать про наявн!сть в забороненхй эонх локального г^вня, яинй пов'яааний з комплексом типу "дсшшка-влас-ний°дефект". Визначена температурив заяежн£с$ть його енерге-

тичного полокення оНЕе4 _ | ¿.'ю-^ аВ.К~* . <1 Г

Щдтвердженням. попущения про ухрорення комплексу типу "до-м1шка - вдасний дефект" 6 експерименти по дг? лазерного випромг-нювання э довжиною хвил1 10,6 мкм на легован1 кадм!еи в к4ль-кост1 0,13 вге.% монопристали РЦд • П1сля опрошнення -

лазерним випром!нюванням зраэкхв р-типу провхдностх вони перехо-дять в п-тип пров!дност1 ! додаткове поглинання в них не спосте-р1га^ться, що по^зуеться з руйнуванням вищавказяних комплекс!в, 'якх можугь бур и непроэорими для випром!нюваиня лазера.

Наведенх досл1дження оптичного поглинання багатокомпонентно-го твердого роэчину, який був вироцений з матер1алу джерела пари складу ((^^.^беу^Ку^.г , де - 0,12, У = 0,20,

2 = 0,01, & = 0,0001. Залежной характерна для прямих

дозволених переход!в. Екстраполяц1ею залежноотей доV =0

..чначен! значения ширини эаборонвп-? '»пни при Т = 300 К, якх ви-

явилиоь р1вними = 0,221 еВ для зраз^в як р-, так 1 пигитв пров1днист±. Використовуючи в!домх зал'жностх вхд окладу Р^-х^вцТ4 * , ааотосувавши лШйну ^нтерпаляц!»

оц!нений ьмгёот телуриду герма^ю в епхтакохйних шарах, який ьи-явився р1внш И**- 0,04, Вианачення параметру гратки еп!тано!йних шар!в виявило, що в!н в!дпов!дае окладу ^ ~ 0,038. Сд!д в*дм1тй-ти, шо склад еп±тр'<с1йних шар!в дооягае вищевказаного значения пгсля 12 - 15 вирощувань в одного 4 того ж джерела пари, пхоля чого практично не п/?нюеться.

В спектральних аалежностгх (¿(^и^ эразк1в п-типу провзднос-т± за краем оптичного поглинання в окол! малих енерг1й виявлена полоса додаткового поглинання, яка мае форму дзвона. Така форма полоси додаткового поглинання обумовлена'оптичнимн переходами м1ж р1внем 1нд1ю, який роз^ашований поблизу дна зони провхднос-тх I резонансними станами Бакане!й халькогену. Оцхнка енергетич-ного лоложення цих стан1в при 'Г = 300 К дае значения 140 меВ вище дна зони провхдност!.

В спектральних залежностях оптичного поглинання легованих гал!ем епхтакс1йних шар!в РьТе р- та п~тип!в- пров!дноет! при температурах ВО та 300 К виявленх полоси додаткового поглинання за краем фундаментального поглинання в дхапазонх довжин хвиль проэорост! матер1алу, як! пов'ялан! э оптичними переходами мхж глибокими рхвнями в эабороненхй зон1 х зонами дозволених енер-г!й. В зразках п-типу пров1дност1 темлературна залежнють енер-гвтитого положения р!вня, пов'яэаного з легуклаю дхею галхю, близ?-ка до темлературно? залежностх ширини заборонено? зони, а в зразках р-типу провгдностх положения рхвня не заложить в1д температуря.

У п'ятому роздхл1 доол!джен! фотолюмхнесцентн1 властивос-т1 легованих кадм!ем еп!такс!йних шар! в Р'Ця'Ц, ■ I легованих гал1ем шар1в , а також фотоелектричнх властивост1 легова-

них галхем <-п!такс1йних шархв РЬ^у&еДе., легованих хнд1ем

Спектральне розпод!лення фотолюм1несценц1? при Т =80 К являв собою поодинок! вузькх лЫ5г,. то свхдчить про однор!дний роэподхл домики. Максимуми 5х розташован! при енерг1ях, що в1д~ пов1дають ширин1 заборонено? зони материалу. Введения в еп1так-схйнх шари домики кедм!ю у к!лькостях до 0,5 ат.% приводить до

зб!ль'шення квантового виходу фотолюмхнесцеицх? порхвняно з келе-гованими зразканн. При подальшому збхльшеннх концентрацх? кадШю гнтенсивнхсть фотолкшнесценцх? зменшуеться, а максимум спектрального розподхлу фотолкшнесценц!? зсуваеться в короткохвильо-ву частину спектру, що зб!гаеться з'данщи дослгджень оптичних властивостей. .

При зб1льшеннх концентрац!? гал1ю вхд 0,15 ат.% до 0,3 ат.% в ештаксШшх шарах слостерхгасться зсув максимуму фо~

толшхнесценцхх в короткохвильову частину спектру, розширення спектрально? Л1н!х I зменшення 1нтенсивностх фотэлюм1несц8нцХх, що пов'язувться з невипромйкюваною ренсмб!нац!ею на домхшкових центрах, якх утворшть локальний рхвень в забароненхй зоих.

В спектральннх заленноотях фотопроехдиостх епхтаксхйних ша-р!в РЬТо- , легованих галхем, в облает! дог.ишковох фотопровгд-ностх при Т = 80 К споетер!гаеться п1я, енергетичне положения якого зб1гаеться з результатами дослхджень спектраяьних зален-ностей кобфхц1вята олтичиого поглиьання. Це дав моялив!сть при. пустити, що домхщкова фотопров1дн!сть пов'язана э фотозбуджеиням електро!ив з рхшя, я кий розташований у заборонен! ¡4 зон1 в зону пров1Дностг. При переход! в!д РЬТе до твердого розчциу РЬ^б^Те. спостерхгаеться зсув довгохеильового краю власно? фотопровхднос-Т1 в короткохвильову частину спектра I зсув полоси домхшково? фотопров1дност! у б1к бхльших довжин хвнль. Температурив залеж-ихсть поло-кення дом!шкового рхвня гал!ю в бе^огДе-

= 1,2-Ю"4 еВ-КЛ, в той час як в Р^Те =4,2-10^8.Н с! V а 1

Спектралы1Г аалешост! фотоиров1днрст1 легованих 1нд1ем ■ епхтаксхйних шархв РЦ.*,^ ба^ЯНуТе вшйрювались при температурах 10 I 80 К. Спектр фотоправ!дност!, яний був вкмхрений при Т = 80 К, визначаеться зон-зоиними переходами г положения черво-ног границ! фотопровхдиост! чалежить в!д складу епхтакотйних ша-рхв. На снектральн!й залежност! фогопровгдност: при Т = 10 К максимум фоточутливост! спостер!газться'при значениях енерг1? ПО - 120.меВ, що добре зб!гаеться з величиною енергхх оптично? ективацтг електрои1п з ян-теллер!воького центру, яка була визна-чена з аналхзу результат^ доелгджень ефекту Холла на основ! по-локень ыоделх лн-теллерхвського центру. Л!к фотопровгдностх, який спостерхгасться на т|й же спектралън1й залежное?! ! роэташований при значениях енерг!? 130 - 140 меВ, може бути пов'язаний з зон-

аонними пороходими фотоэбуджемих електронгн, tío енергетичне положения цього пхку приблионо зб!гаоться з розрахогишою шириною заборононоУ эони, яки дорхвнюе приблизно 130 меВ при Т = О К. Якщо д1лти на арааок модульопаними ирлмокутними хмпульсами овглово-го потоку при Т <К, то споотерггадгьсл поликт часи нлростаннн i спаду фотопромдноот!. Шеля перокриття свгтлсшого потоку, п залежност! в!д inTencmniocTi иипромЬиопаннп, uto подцло на зразок, часи рол ак caí (i У фотостр.уму, який имтпюсться зп оксшопонцхольним законом, оиладають п!д б до Ь00 сокупд. Часи релаксац!? фотоструму екслоненц!йно амоншуються. !з■ 3<ífльшпннлм температури. Велик! часи житТл мльцих hocíib заряду i, як |;асл1док, дош'очасоп! ро-лаксац!? фотопроввдтот!, як! супроподжуютьол аномально аисокою фоточутлив!сты, дають мож«ип!сть пикориотовупати вирощен1 шари для виготовлоннл г> них фотоприймачН !нфрачервонпго вилромхнюван-. ня,' як! працшть и режим i наиопичвпия фотоносх'^п. Питома нинина здгхтн!сть фотоопору досягал воличиии Ъ* v Ю1,3 при

температур! абсолютно чорного tí л а 300 К, частот! модуляц!? 13 Гц i температур! эразка Т 2Ь К.

<Дослгджен! спектральнг зплпжностх фотопров!д11ост1 легона-них ÍHflicM опхтпкохйних шархв i РЦг^ч ¡J^ts^6«,*«:

р- i л-типхъ пров!дн6ст1, bkí п0лп"Дют|> пом!тною фоточутливхотю при 300 К з максимумом в диапазон! довжин хвиль 7 - 10 мкм.

оснойн! геадьтлти 1 нюювки

.1. Розроблений комплекс тохнологхчних методик ви рощу пани л !'логування eriivaKciflHHX mapin сполук i тпорних розчинхв' який дозволяв одержу чти инаоку поиторюи ш i i ст i > •еле кт рофх оичичх параметр!в.

2, Рсзроблона Тбхнолог!я пирощуляння легованих СА , I и , GkX сполук и тпердих розчйн!» А В° п пикористаннлм одного дже-рела пари, яка дозволяв одержувати спттакстйн! шари э визначе-нйми параметрами.

3. Виэнпчон! оптимальн! умови пиротупання легованих íh,u!cm еп!такс!алы|их шар!в, як! мшоть апомаг чо високу |ото^утлив!сть при Т ^ К а питомою вияппою здатпхетю D > Ю см Гц ' Вт" . На основ! таких шар!в можуть бути cTnopeni фотоприймпч! нового покол!ння, як! пойудован! на принцип! накопичпннп фотонос!¥в.

4. Гизроблона тох1,олог!л пиротуваннл леготинх !ндггм eut— Taifciflnux innpin тмердих розчинтв фоточутлипих при кгмипт—

нтО температур! » дгапапонг доижип хпиль 7 - 10 мкм. .

■ .!>. ДослТджсння краю облает! гомогенност! in стироии митпл1ч-них коммонентги твердого рзчин.у РЬ6^и01Т<* покапало, що при л«гу-ваннi кодм1см п!дбуоаотьсн с розширенпм i лЬин сол!дуса при по-HHKeiiHi темнератури з«лишаетьсл п п-тим* npout.nnocTi. Використо-пуючи це япище були одержан! ci'atíi льнг за електричними параметрами легопан! кпдм1ом en i такс! Пит шари п-типу пронздюет! .

»>. Встиновлено, що логунання кадмгем епггнкс!йннх iiiapin тпердого розчину Je у процесг пиршцушиит зб!льшуо киан-

толий лих1д фотолюм!несценц!т у 5 разi и норЬшямо з мелеголаними, що робить ïx перспещчшшми дли пиготоплпши пнпромпионнч! n 14 д!апазону спектру. -

7. Визначепп температурна зшюмиоть eiioprefнчного положения pi пни комплексу "домткочий атом-пласний дефект", лка и лего-ишшх кпдмгом eniTàKciflMMx ш'рах Pbûj( Зчаг7е. дор!внюс I.b-KT4 cli-ir1. '

Ч. Випвлена р!зницл у логуртйп д!У домюнки гал1ю н еп5так-■' с!йних шарах РЬТе а електроннот i д!.рко|»ога îiponinHÎCTw. В п- РЬ Тк томпорптурна залежи! сть епергетичного положения pi finit, нпп'язаного з легуючою дЫю raniio, близька до температурно? залсжност! тирини заборонено? пони, а и р- p^Tt. положения pin-ня но заложить п!д темпе ра'^ури.

Оснопн! результат« дисерт.дцИг опубл!копан! п роботах:

1. Водопьянов В.П., Кондратенко М.М., Матмхигт Л.Л., Орлецкий В.В. Влияние лазерного излучения на аномалышй ход коэффициента Холла п твердом растноре Pl>o,j->И0Дв // Электронная техника. Материплм. - I97fi. -п.7. -С.П2-НЗ.

id. Бахтинов Д.П., Водопьппоп H.H., Тцач 1ЧЛ. Ншоиольтннй пред-усилитоль с мальм входным сопротивлением// Физическая электр. - 1U79. n.I'J. -С.УИ-ü-t.

3. Вахтииов А.Л., Водопьпмои U.U., Гуцуллк>Ь.Г'., Орлецкий В.Б. Оптические и •ллоктричпекие сиойстиа монокристаллол Pb,..G«J¿S« // •Украинский физический журнал. «WUT. ¡Л.

4. Бахтинов Л.П., Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М., Орлец-кий В.Б., Товстюк Н.Д. Долговременные релаксации фотопроводимости в эпитаксиальных Ьлоях PkSe.// Письма в ЖГ§. -1983. -9, 1? In. -C.I0ÖI-I0Q5, '

5. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Ткач Р.Л., Орлецкий В.Б. Установка для автоматического измерения спектров фотопроводимости в инфракрасной области спектра// Физическая электроника. -1984. -28. -С.80-83.

6. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М., Лаврен-чук А.П., Орлецкий 8.Б. Исследование твердого раствора PbogjSv\0jjte, легированного германием// Ред. журн. "Известия вузов. $изика". 1984 -Томск. -Деп. в ВИНИТИ 4 мал 1984.

-iß 2866. -II с.

7. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Лавренчук А.П., Кондратенко М.М., (Ьанчуковская Й.В., Орлецкий В.Б. Легирование твердого раствора теллуридов свинца и олова германием// Извест. АН СССР*. Неорган, матер. 1985. -2, 1Г» 2. -С.228-230.

8. Бахтинов А.П., Водопьянов В,Н., Кондратенко М.М., Орлецкий В.Б. Влияние перераспределения примесей на оптическое поглощение в твердом растворе РЬ<.к£и£'Те // Электронная техника. Материал,!. -1987. -5 ДСП. ~С.71-73.

9. Водопьянов В.Ц., Кондратенко М.М., Летюченко С.Д., Копыл ^.И. • Отклонение от стехиометрии в эпитаксиальных пленках твердого раствора Тез. докл. Уральской конф. "Синтез и иослед. халькогенидных пленок" 12-14 окт. 1988. -Свердловск, 1988. -C.I0.

Ю. Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М. Точечные дефекты в твердом растворе Д4В6// В сб. научи, трудов "Материаловедение узкозонных и слоистых полупроводников" -Киев: Наукрва ■'.умка, 1989. -С.96-99.

II. Водопьянов В.Н,,-Кондратенко М.М.i Копыл А.И., Летюченко С.Д. Слдаько Е.И. Собственные дефекты и облагть хюмогенности \ твердых растворов РЬ,.1(&е<Те и Pb^SvujTe // Тез. докл. 2 Всесоюзн. семинара "Примеси и дефекты в узкозон. полупрол.". -Павлодар.- 1989. -С.58-71. ' \

1?. Вахтиной А.П., Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М. Копыл А.И. Особенности, легирующего действия кадмия в эпитаксиальных слоях твердых растворов теллурида свинца и олова// Тез. докл. 2 Всеооюэн. семинара "Примеси и дефекты в узк:>зон. полупров." -Павлодар. -1989. -ч.З. -С.87-88. ■

13. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Юнович А.Э., Белогорохова Л.И. Способ получения эпитаксиальных слоев тверд fix растворов типа tV^S^Te // A.C. № 1625067. 0^.10.1990. ~~

14. Водопьянов В.П., Кондратенко М.М., Копыл А.И., Летюченко С.Д., Слынько Е.И. Способ получения епитаксиальных слоев РЦ.у^Тс// A.C. № 312035.'"-02.04.1990.

15. Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М,, Копыл А.И,.Летюченко С.Д., Устройство для взращивания эпитакоиальных слоев полупро од~ никовых материалов// A.C. № 1587064. -22.04.1990.

16. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Копыл А.И., Летюченко С.Д., Слынько Е.И. Способ получения монокристаллических пластин твердого раствора Je// A.C. № 3I872I. -03.09.1990.

17. Водопьянов В.Н., Касаткин И.А., Осипов В.В., Попов С.А., Слынько Е.И., Смолин О.В , Третиник В.В., Чишко З.Ф.'Фото-олектрические свойства эпитаксиальных пленок РЬ^и^ТеОи)// Тез. докл. Всесоюэн. научи, семинара "Многослойные структуры на основе узкозон. полупр." -Нукус. -1990. -С.32.

18. Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М., Копыл А.Н..Летюченко С.Д., Слынько Е.И. Способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4В^// Заявка на изобретение №4541291, положительное решение от 18.10.1991.

19. Водопьяноь В.Н., Кондратенко М.М., Копыл А.И,,Летюченко С.Д., Слынько Е.И. Способ получения фоточупствительных слоев типа А4В° для оптоэлектронных устройств// Заявка на изобретете

№ 4542434, положительное решение от 18.10.1991.

20. Бахтинов А.II., Водопьянов В.Ц., Кондратенко М.М. Влияние примеси кадмия на электрофиэйч'есгие и оптические . свойства эпитаксиальных слоев твердого; рлст,врра;;теллурада/;свиьща;>и олова// Тез. докл. 8 Всесоюзн..симпоз. "Полупр,. Ci узкой-аа-ütlpfetncHHoS "зоноЧ и полуметаллып..'!-*ЯьЕов;. /-193,1. -чЛ'. 'J "'.'. .

-С. 51-63.

21. Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М. Влияние примеси кадмия

на электрофизические свойства эпитаксиальных слоевJ<?// Ред. журн. "Известия вузов. Физика" -Томск, 1991. цДеп в" ВИНИТИ 31.05,1991. 2290 - B9I. -14 с.

22. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М. Энергетическая структура Pbo^HojTe , легированного кадмием//Тез.докл. 3 Всесоюзн.конф. "Материаловед; халькогенидных и кислородсодержащих полупр.", окт. 1991. -Черновцы.-1991. -Ч.1.-С.227.

23. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М.,Копыл А.И., Летюченко С.Д., Слынько Е.И. Фотопроводимость эпитаксиальных слоев // Там же. -С.98.

24. Бахтинов А,П., Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М., Копыл А.И., Летьченко С.Д., Слынько Е.И. Особенности получения и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов А4В6// Тез .докл. I Межвузовск. конф. "Материаловедение и физ. полупр. фаз переменного состава" ~ -сент. 1991. -Нежин. -1991. -С.10.

25. Бахтинов А.П.,Водопьянов В.Н.,Кондратенко М.М., Копыл А.И., Летюченко С.Д., Слынько Е.И. Фотопроводимость в монокристал-

. лах и эпитаксиальных слоях твердых растворов Pb_„G«.,.Те , легированных аллием// Там же. -С.52.

26. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., !'чграненко Ю.К.,Копыл А.И., Летюченко С.Д., Слынько Е.И. Примесная фотопроводимость в твердом растворе it^G^Te. , легированном галлием// Тез.докл. ' семин. "Энергетич. структ. неметал, кристаллов с разным типом хим. связи", июнь 1991. -Ужгород. -1991. -С. 12-13.

27. Водопьянов В.Н., Кондратенко М.М., Копыл А.И., Слынько Е.И. Способ получения эпитаксиальных слоев-твердых растворов fb^Sv^Te// A.C. № 1753861. -08.04:92.

28. Водопьянов В.Н., Кондратенко M.iVi., Слынько Е.И. Устройство ■• для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов// A.C. № 17712.19. -22.06.Ж2.