Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Квазиодномерные полупроводниковые структуры: особенности свойств экситонов.

§1. Экситоны в квазиодномерных полупроводниковых структурах.

Эффект диэлектрического ограничения экситонов.

§2. Методы получения полупроводниковых квазиодномерных структур.

§3. Нелинейные процессы в полупроводниковых квантовых нитях при высоких уровнях возбуждения.

Глава 2. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdSe) - диэлектрик (AI2O3).

§1. Описание экспериментальной установки и изучаемых образцов.

§2. Результаты эксперимента и их обсуждение.

Глава 3. Квазинульмерные полупроводниковые структуры: линейные и нелинейные оптические свойства.

§1. Эффект заполнения состояний в квантовых точках при высоких уровнях возбуждения.

§2. Методы получения самоорганизованных квантовых точек.

§3. Оптические свойства квантовых точек CdSe/ZnSe (обзор литературы).

Глава 4. Разрешенные во времени спектры люминесценции самоорганизованных квантовых точек CdSe/ZnSe.

§ 1. Описание экспериментальной установки и изучаемых образцов.

§2. Результаты экспериментов и их обсуждение.

Актуальность работы. В течение последних лет исследование оптических свойств полупроводниковых наноструктур является одним из наиболее быстро и успешно развивающихся направлений в физике твердого тела. Структуры пониженной размерности - квантовые ямы, нити и точки, в которых движение носителей ограниченно в одном, двух и трех направлениях соответственно, привлекают большой интерес исследователей благодаря своим уникальным физическим свойствам, отличным от свойств объемных материалов, а так же в связи с возможностью использования их в приборах квантовой и оптоэлектроники. В частности, электрооптические свойства квазиодномерных (ID) и квазинульмерных (0D) структур (дискретная плотность состояний электронов и дырок, увеличенное экситонное взаимодействие) дает возможность использования их в полупроводниковых лазерах и модуляторах, которые должны обладать желаемыми характеристиками, не достигнутыми в объемных и квазидвумерных структурах.

Влияние экситонов Ванье-Мотта на оптические свойства объемных полупроводников проявляется обычно только вблизи края зоны поглощения, а при комнатных температурах из-за малой энергии связи эти экситоны термически диссоциируют. В полупроводниковых квантовых нитях - структурах, в которых экситоны и электроны могут свободно двигаться только в одном направлении, экситонные переходы начинают доминировать в спектрах поглощения и люминесценции. В квантовых нитях, вследствие ограничения движения, уменьшается среднее расстояние между электроном и дыркой, что приводит к увеличению энергии их кулоновского взаимодействия, и значит, энергии связи экситонов. В случае полупроводниковых квантовых нитей с полупроводниковыми барьерами размерное квантование может приводить к увеличению энергии связи экситона в несколько раз по сравнению с соответствующим параметром в объемных полупроводниках.

Энергию связи экситона можно значительно увеличить, если заменить барьерный полупроводниковый материал квантовой нити на изолятор с малой диэлектрической проницаемостью. В такой системе "диэлектрическое усиление" экситонов связано с концентрацией кулоновской энергии взаимодействия электрона и дырки в диэлектрике (силовые линии электрического поля, соединяющие электрон и дырку, частично, а для тонких нитей в основном, проходят через диэлектрик). Диэлектрическая матрица, окружающая полупроводниковую наноструктуру, способна также существенно повлиять на процессы релаксации и рекомбинации носителей и экситонов в самой квантовой нити или точке из-за большого числа поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик.

Аналогичными причинами определяется существенная зависимость положения экситонных уровней в полупроводниковых квантовых точках (структурах, в которых движение носителей ограничено по всем возможным направлениям) от значения диэлектрической константы окружающей среды.

Таким образом, изучение полупроводниковых наноструктур, окруженных диэлектриком, привлекательно не только с точки зрения фундаментальных исследований особенностей электронных и экситонных свойств, но и из-за перспективности их прикладного использования в электронике и оптоэлектронике: подбирая материал полупроводниковой наноструктуры и окружающего ее барьера, возможно в широких пределах менять положение экситонных уровней энергии в наноструктурах - осуществлять "инженерию кулоновского взаимодействия".

Цель работы заключалась в исследовании линейных и нелинейных оптических свойств полупроводниковых (CdSe) квантовых нитей с диэлектрическими (А1203) барьерами и полупроводниковых (CdSe) квантовых точек с полупроводниковыми (ZnSe) барьерами, а также в изучении влияния барьера на эти свойства.

Процессы рекомбинации носителей и экситонов в полупроводниковых наноструктурах характеризуются короткими временами ~ 10"9 -ь 10"11 с. Времена, характеризующие процессы внутризонной релаксации, лежат в субпикосекундном диапазоне. Эти обстоятельства вызывают значительные трудности в исследовании таких процессов. Изучение свойств экситонной рекомбинации также осложнено из-за существенного влияния сильно развитой поверхности наноструктур (например, увеличение вероятности безизлучательной рекомбинации носителей через поверхностные состояния) на свойства электронной и экситонной систем. Кроме того, люминесценция, обусловленная свечением химических примесей, образовавшихся на поверхности, или связанная с поверхностными состояниями, и люминесценция, связанная с излучательной рекомбинацией экситонов и электрон-дырочных пар, могут лежать в близких или перекрывающихся спектральных диапазонах. Разделение этих каналов диссипации энергии можно осуществить при изучении их временных характеристик. В свете вышесказанного, в настоящей работе для изучения оптических свойств полупроводниковых наноструктур использовались, в частности, ультракороткие импульсы света для возбуждения образцов и применялись как спектральные, так и временные (в том числе с пикосекундным временным разрешением) методы исследования люминесценции.

Научная новизна результатов, полученных в диссертации: Впервые были исследованы развернутые во времени спектры люминесценции квантовых нитей CdSe с диэлектрическими барьерами (CdSe кристаллизован в полых каналах оксида алюминия), оценена величина энергии связи экситона в таких структурах и определены времена релаксации фотолюминесценции наноструктур различного поперечного размера.

Было зарегистрировано изменение формы спектра люминесценции (сдвиг максимума в область больших энергий за счет возрастания интенсивности люминесценции высокочастотного участка спектра) квантовых нитей CdSe, кристаллизованных в оксиде алюминия, при высоких уровнях возбуждения мощными наносекундными импульсами лазера и показано, что такое изменение спектра обусловлено эффектом заполнения фазового пространства экситонов.

Анализ развернутых во времени спектров люминесценции самоорганизованных квантовых точек CdSe/ZnSe позволил определить механизмы передачи возбуждения квантовым точкам. Изменение спектра люминесценции этой структуры (сдвиг максимума в область больших энергий за счет возрастания интенсивности люминесценции высокочастотного участка спектра), возникающее под действием лазерного возбуждения высокой плотности, объяснено доминирующим механизмом нелинейного поглощения в квантовых точках - эффектом заполнения состояний и/или замедлением скорости захвата носителей в точку по мере ее заполнения.

Научная и практическая значимость работы состоит в том, что в ней получен ряд новых результатов, важных для понимания процессов экситонной рекомбинации в наноструктурах полупроводник-диэлектрик, в частности влияния высокой мощности возбуждения на оптические свойства полупроводниковых наноструктур, а также проведены исследования относительно нового класса полупроводниковых наноструктур - самоорганизованных квантовых точек, выращенных на базе полупроводников AnBIv. Данные исследования приобретают дополнительное значение в свете возможного широкого применения наноструктур полупроводник -диэлектрик и самоорганизованных квантовых точек в приборах оптоэлектроники (активные среды лазеров, быстродействующие переключатели и т.д.) работающих, благодаря громадной энергии связи экситонов, при комнатной температуре.

Результаты исследований позволили оценить энергию связи экситонов в квантовых нитях CdSe, кристаллизованных в полых каналах А1203 матрицы. Показано, что энергия связи экситона в таких структурах увеличивается по сравнению с объемным CdSe за счет как размерного квантования, так и эффекта "диэлектрического усиления" экситонов - существенного увеличения силы кулоновского притяжения между электроном и дыркой из-за разницы диэлектрических проницаемостей полупроводника и диэлектрика. Получено, что спектр люминесценции квантовых нитей CdSe, кристаллизованных в каналах матрицы А1203 с диаметром 1(Н30 нм, имеет меньшее неоднородное уширение, связанное с дисперсией размеров нитей, по сравнению со спектром люминесценции квантовых нитей CdSe, кристаллизованных в каналах матрицы AI2O3 диаметром 6^8 нм. Этот результат не противоречит теоретическим расчетам [4], показавшим, что в области диаметров нитей >10 нм увеличение ширины одномерной запрещенной зоны при уменьшении диаметра квантовой нити компенсируется увеличением энергии связи экситонов, и энергия экситонного перехода практически не изменяется.

Результаты исследований спектров люминесценции и кинетики люминесценции квантовых точек CdSe/ZnSe позволили предложить следующую модель возбуждения люминесценции в квантовых точках (в случае межзонного возбуждения барьера): поглощение накачки и генерация носителей в барьере ZnSe, диффузия носителей в ZnSe, захват их в квантовые точки CdSe, релаксация носителей по энергии и их рекомбинация. Изменение спектров люминесценции квантовых нитей CdSe/АЬОз (квантовых точек CdSe/ZnSe) при возбуждении этих структур мощными лазерными импульсами (сдвиг спектров люминесценции в высокочастотную область) и нелинейная зависимость интенсивности люминесценции от уровня возбуждения объяснены доминирующим эффектом заполнения фазового пространства экситонов (эффектом заполнения состояний), возникающем в первую очередь в квантовых нитях (точках) большего размера из-за большего времени жизни носителей в них. Увеличение времени нарастания интенсивности люминесценции квантовых точек CdSe/ZnSe с ростом размера точек связано с существенным замедлением скорости захвата носителей в точку по мере её заполнения.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Зарегистрированные особенности спектров люминесценции образцов, содержащих CdSe, кристаллизованный в наноканалах матрицы А12Оз, -сдвиг спектров люминесценции в область больших энергий по сравнению с объемным полупроводником CdSe и зависимость интенсивности люминесценции от поляризации возбуждающего излучения - объяснены экситонной рекомбинацией в квантовых нитях полупроводник (CdSe) - диэлектрик (А1203). Энергии экситонных переходов соответствуют рассчитанным с учетом как размерного квантования, так и эффекта "диэлектрического усиления" экситонов -существенного увеличения силы кулоновского притяжения между электроном и дыркой (энергия связи экситонов превышает 100 мэВ) из-за разницы диэлектрических проницаемостей полупроводника и диэлектрика.

2. Обнаружено изменение формы спектра люминесценции квантовых нитей CdSe, кристаллизованных в полых каналах А12Оз, во времени и сдвиг максимума спектра в область меньших энергий при возбуждении образца слабыми (нелинейные эффекты отсутствуют) фемтосекундными лазерными импульсами (плотность энергии до 0,2 мкДж/см ). Такое изменение неоднородно уширенного из-за дисперсии поперечных размеров спектра связано с уменьшением времени рекомбинации экситонов в квантовых нитях меньшего диаметра по сравнению с нитями большего диаметра, обусловленным более высокой эффективностью безизлучательных процессов рекомбинации в структурах меньшего размера.

3. Экспериментально полученная нелинейная зависимость интенсивности люминесценции квантовых нитей CdSe, кристаллизованных в А120з матрице, от уровня возбуждения и сдвиг максимума спектра люминесценции в область больших энергий (за счет возрастания интенсивности люминесценции образца в высокочастотной области спектра) при возбуждении образцов мощными (плотность энергии до 0,2 Дж/см2) наносекундными (т = 14 не) импульсами второй гармоники Ш:УАЮ4-лазера объяснены нелинейным поглощением в таких структурах, возникающем из-за эффекта заполнения фазового пространства экситонов.

4. Зарегистрированные особенности развернутых во времени спектров люминесценции квантовых точек CdSe/ZnSe при возбуждении образца слабыми (нелинейные эффекты отсутствуют) фемтосекундными лазерными импульсами (плотность энергии до 0,2 мкДж/см2) позволяют предложить следующий механизм возбуждения люминесценции в таких структурах: поглощение накачки и генерация носителей в матрице ZnSe, диффузия и захват их из матрицы в квантовые точки CdSe, релаксация носителей по энергии и их излучательная рекомбинация в точках. Изменение во времени формы спектра люминесценции, неоднородно уширенного из-за дисперсии размеров спектра, объяснено различием времен рекомбинации носителей в квантовых точках различного размера: оно короче в квантовых точках меньшего размера из-за большей эффективности безизлучательных процессов рекомбинации. Увеличение времени нарастания интенсивности люминесценции с ростом размера квантовых точек CdSe связано с существенным замедлением захвата носителей в точки большего размера по мере её заполнения.

5. Полученная нелинейная зависимость интенсивности люминесценции от уровня возбуждения и сдвиг максимума спектра люминесценции в область больших энергий за счет возрастания интенсивности люминесценции образца в высокочастотной области при возбуждении квантовых точек CdSe/ZnSe мощными (до 0,2 Дж/см ) наносекундными (т = 14 не) импульсами третьей гармоники Nd:YA104-лазера объяснены нелинейным поглощением в таких структурах, обусловленным эффектом заполнения состояний в квантовых точках и/или замедлением скорости захвата носителей в точки большего размера по мере их заполнения, возникающими в первую очередь в квантовых точках большего размера.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Заключение.

1. Зарегистрированные особенности спектров поглощения и фотолюминесценции (ФЛ) образцов нанокристаллов CdSe, кристаллизованных в полых каналах матрицы AI2O3 со средним диаметром 6 нм и 30 нм (Т=300К), - сдвиг спектров в область больших энергий (максимумы 1,86 и 1,75 эВ) по сравнению с объемным полупроводником CdSe (1,72 эВ) и зависимость интенсивности поглощения и ФЛ от поляризации возбуждающего излучения (интенсивность поглощения и ФЛ при поляризации возбуждающего света, параллельной оси наноканалов матрицы, существенно превышала интенсивность ФЛ при перпендикулярной поляризации возбуждающего излучения (степень поляризации около 0,57)) - объяснены экситонными переходами в квантовых нитях полупроводник (CdSe) - диэлектрик (А120з). Сопоставление экспериментальных результатов с результатами теоретического расчета энергий экситонных переходов в квантовых нитях CdSe в оксиде алюминия, проведенных Е.А.Муляровым, позволило оценить энергию связи экситонов в квантовых нитях CdSe с диэлектрическими (А1203) барьерами. Она превышает 100 мэВ, что значительно больше энергии связи экситона в объемном CdSe (16 мэВ). Полуширина спектра ФЛ образца с квантовыми нитями большего диаметра (10+30 нм) имеет меньшее значение по сравнению со спектром ФЛ квантовых нитей меньшего диаметра (6н-8 нм) - для образца с квантовыми нитями большего диаметра неоднородное уширение частично подавлено. Данный результат не противоречит теоретическим расчетам, в которых показано, что энергия экситонного перехода не изменяется для квантовых нитей диаметром более 10 нм (увеличение ширины одномерной запрещенной зоны квантовой нити при уменьшении ее диаметра компенсируется увеличением энергии связи экситонов).

2. Обнаружено изменение во времени формы спектра ФЛ квантовых нитей CdSe с диэлектрическими (А120з) барьерами при возбуждении слабыми (нелинейные эффекты отсутствуют) фемтосекундными sy лазерными импульсами (плотность энергии до 0,2 мкДж/см): уменьшение интенсивности ФЛ высокочастотного участка спектра по сравнению с низкочастотным и сдвиг максимума спектра ФЛ в низкочастотную область. Такое изменение неоднородно уширенного из-за дисперсии поперечных размеров квантовых нитей спектра объяснено уменьшением времени рекомбинации экситонов в квантовых нитях меньшего диаметра (ii = 200 пс) по сравнению с нитями большего диаметра (т2 = 550 пс), обусловленным более высокой эффективностью безизлучательных процессов рекомбинации в структурах меньшего размера.

3. Зарегистрированная нелинейная зависимость интенсивности ФЛ квантовых нитей CdSe с диэлектрическими (А12Оз) барьерами от уровня возбуждения и возрастание интенсивности ФЛ высокочастотной части спектра относительно низкочастотной (с ростом уровня возбуждения максимум спектра ФЛ сдвигается в высокочастотную область) при возбуждении образцов мощными (до 0,2 Дж/см ) наносекундными (т= 14 нс) импульсами второй гармоники Ш:УА104-лазера объяснены нелинейным поглощением в таких структурах. Оно, по-видимому, обусловлено доминирующим эффектом заполнения фазового пространства экситонов, возникающим в первую очередь в квантовых нитях большего поперечного сечения - в квантовых нитях с большей эффективной длиной экситонов.

4. Получены развернутые во времени спектры ФЛ квантовых точек CdSe/ZnSe (островки CdSe со средним диаметром 20 нм и высотой 2-гЗ нм) при возбуждении образцов слабыми (нелинейные эффекты отсутствуют) фемтосекундными лазерными импульсами (плотность энергии до 0,2 мкДж/см ; Т=20К). Спектр представляет собой две полосы: в области 2,3 эВ и 2,8 эВ. Низкочастотная полоса обусловлена ФЛ квантовых точек CdSe и имеет значительное неоднородное уширение (полуширина спектра -60 мэВ), связанное, по-видимому, с дисперсией квантовых точек по размерам. Высокочастотная полоса обусловлена ФЛ матрицы ZnSe. Зарегистрированы следующие особенности развернутых во времени спектров ФЛ образцов:

- меньшая интенсивность ФЛ матрицы ZnSe по сравнению с интенсивностью ФЛ квантовых точек;

- изменение во времени формы спектра ФЛ квантовых точек CdSe/ZnSe: уменьшение интенсивности ФЛ высокочастотного участка спектра по сравнению с низкочастотным и сдвиг максимума спектра ФЛ в область меньших энергий;

- быстрое время релаксации ФЛ матрицы (т = 7 пс) по сравнению с объемным полупроводником ZnSe и временем релаксации ФЛ квантовых точек (от 20 пс для высокочастотного участка спектра ФЛ до 150 пс для низкочастотного);

- быстрое время нарастания ФЛ различных участков спектра ФЛ квантовых точек CdSe (от 7 пс для высокочастотного до 20 пс для низкочастотного).

Предложен следующий механизм возбуждения ФЛ в таких структурах: генерация носителей в матрице ZnSe, диффузия и захват их из матрицы в квантовые точки CdSe, релаксация носителей по энергии и их излучательная рекомбинация в точках.

Изменение во времени спектра ФЛ квантовых точек объяснено различием времен излучательной рекомбинации носителей в квантовых точках различного размера: в квантовых точках меньшего размера (высокочастотная область спектра) из-за большей эффективности безизлучательных процессов рекомбинации это время короче чем в квантовых точках большего размера (низкочастотная область спектра). Большее время нарастания интенсивности ФЛ квантовых точек большего размера по сравнению с точками меньшего размера объяснены замедлением скорости захвата носителей в квантовую точку (по мере заполнения носителями квантовой точки, на границе раздела квантовая точка/матрица ZnSe возрастает потенциальный барьер), что в первую очередь проявляется в квантовых точках большего размера из-за большего времени жизни носителей.

5. Нелинейная зависимость интенсивности ФЛ квантовых точек CdSe/ZnSe от уровня возбуждения и возрастание интенсивности ФЛ высокочастотной области спектра по сравнению с низкочастотной (с ростом уровня возбуждения максимум спектра ФЛ сдвигается в высокочастотную область) при возбуждении квантовых точек CdSe/ZnSe мощными (до 20мДж/см) наносекундными (т=14нс) импульсами третьей гармоники Nd:YA104-na3epa объяснены нелинейным поглощением в таких структурах. Оно, по-видимому, обусловлено эффектом заполнения состояний в квантовых точках и/или замедлением скорости захвата носителей в точку по мере ее заполнения носителями, возникающими в первую очередь в квантовых точках большего размера из-за большего времени жизни носителей.

В заключение хочу выразить глубочайшую благодарность своим научным руководителям доктору физико-математических наук, профессору Владимиру Самсоновичу Днепровскому и кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Евгению Алексеевичу Жукову за предоставление интересной и актуальной темы диссертации, помощь в работе, постоянную поддержку, внимание и плодотворные дискуссии. Также выражаю искреннюю благодарность Михаилу Виталисовичу Краевскому за неоценимую помощь в подготовке эксперимента и всему коллективу лаборатории за помощь в работе и внимание.

1. Ал. Л.Эфрос, А.Л.Эфрос, "Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре", Физика и Техника Полупроводников, т. 16, вып.7, стр. 1209-1214 (1982).

2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников, "Физика полупроводников", Наука Физматлит, 1977, стр.572.

3. Н.С.Рытова, "Кулоновское взаимодействие электронов в тонкой пленке", Доклады АН СССР, т. 163, вып.5, стр.1118-1120 (1995).

4. А.В.Чаплик, М.В.Эптин, "Заряженные примеси в очень тонких слоях", ЖЭТФ, т.61,2469-2475 (1971).

5. Л.В.Келдыш, "Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов", Письма ЖЭТФ, т.29, вып.11,стр. 176-719(1979).

6. В.С.Бабиченко, Л.В.Келдыш, А.П.Силин, "Кулоновское взаимодействие в тонких полупроводниковых и полуметаллических нитях", ФТТ, т.22, вып.4, стр.1238-1240 (1980).

7. П.К.Кашкаров, Б.В.Каменев, Е.А.Константинова, А.И.Ефимова, А.В.Павликов, В.Ю.Тимошенко, "Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях", УФН, т. 168, N5, стр.577-582 (1997).

8. T.Someya, H.Akiyama, H.Sakaki, "Enhances Binding Energy of One-Dimensional Excitons in Quantum Wires", Phys.Rev.Lett., v.76, no. 16, p.2965-2968 (1996).

9. W.Weigscheider, L.N.Pfeiffer, M.M.Dignam, A.Pinczuk, K.W.West, S.L.McCall, R.Hull, "basing from Excitons in Quantum Wires", Phys.Rev.Lett., v.71, no.24, p.4071-4074 (1993).

10. L.V.Keldysh, "Excitons in Semiconductor Dielectric Nanostructures", Phys.Stat.Sol. (a), v.164, no.l, p.3-12 (1997).

11. Е.А.Муляров, С.Г.Тиходеев, "Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях", ЖЭТФ, т.111, вып.1, стр.274282 (1997).

12. R.Zimmermann, "Excitonic Spectra in Semiconductor Nanostructures", JJournal of Appl.Phys., v.34, suppl.l, p.228-231 (1995).

13. S.Glutsch, D.S.Chemla, "Transition to one-dimensional behavior in the optical absorption of quantum-well wires", Phys.Rev. B, v.53, no.23, p.15902-15908 (1996-1).

14. S.Glutsch, F.Bechstedt, "Effects of the Coulomb interaction on the optical spectra of quantum wires", Phys.Rev.B, v.47, no.8, p.4315-4326 (1993-11).

15. T.Ogawa, T.Takagahara, "Optical absorption and Sommerfeld factors of one-dimensional semiconductors: an exact treatment of excitonic effects", Phys.Rev.B, v.44, no.15, p.8138-8156 (1991).

16. N.A.Gippius, S.G.Tikhodeev, J.Rubio, J.M.Calleja, P.Ils, A.Forchel, V.D.Kulakovskii, "Linear polarization of photoluminescence and Raman scattering iv open InGaAs/InP quantum well wires", Phys.Stat.Sol. (b), v.188, p.269 (1995).

17. P. lis, Ch. Greus, A. Forchel, V.D. Kulakovskii, N.A. Gippius, S.D. Tikhodeev, "Linear polarization of photoluminescence emission and absorption in quantum-well wire structures: Experiment ant theory", Phys. Rev.B, v.51, no.7, p.4272-4277 (1995).

18. N.A. Gippius, S.G. Tikhodeev, A. Forchel, V.D. Kulakovskii, "Polarization-Dependent Optical Properties in Open Quantum Well Wires", Superlattices and Microstructures, v. 16, no.2, p. 165-167 (1994).

19. A.I.Ekimov, Al.L.Efros, A.A.Onushchenco, "Quantum size effect in semiconductor microcrystals", Solid State Commun., v.56, n.ll, p.921-924 (1986).

20. C.Weisbuch, B.Vinter, "Quantum Semiconductor Structures: fundamental and applications", San Diego, Academic Press (1991).

21. H.Zaren, K.Vahala, A. Yariv, "Gain spectra of quantum wires with inhomogeneous droadening", IEEE J. Of Quantum Electronics, v.25, no.4, p.705-712 (1989).

22. N.G.Ferreira, D.Soltz, F.Decker, L.Cescato, "Evolution of surface textures on n-InP samples etched photoelectrochemically", J.Electrochem.Soc., v. 142, no.4, p. 1348-1352 (1995).

23. M.I.J.Beale, J.D.Benjamin, M.J.Uren, N.G.Chew, A.G.Gullis, "An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous Si", J.Cryst.Growth, v.73, no.3, p.622-636 (1975).

24. F.Vouiloz, D.Y.Oberli, M.A.Dupertuis, A.Gustafsson, F.Reinhardt, E.Kapon, "Effect of lateral confinement on valence-band mixing and polarization anisotropy in quantum wires", Phys.Rev.B, v.57, no. 19, p. 1237812387 (1998).

25. V.VPoborchii, M.S.Ivanova, I.A.Salamatina, "Cylindrical GaAs quantum wires incorporated within chrysotile asbestos nanotubes fabrications and polarized optical absorption spectra", Superlattices and Microstructures, 1995.

26. В.Н.Богомолов, Ю.А.Кумзеров, "Флуктуация в ртутных нитях пятиатомного диаметра", Письма в ЖЭТФ, т.21, вып.7, стр.434-438 (1975).

27. D. Routkevitch, T.Bigioni, M.Moskovits, J.M.Xu, "Electrochemical fabrication of CdS nanowire arrays in porous anodic aluminum oxide templates", J. Phys. Chem., v.100, p.14037-14047 (1996).

28. С.А.Гаврилов, В.В.Гусев, В.С.Днепровский, Е.А.Жуков, Е.А,Муляров, А.Н.Сырников, И.В.Яминский, "Оптический свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS) диэлектрик", Письма в ЖЭТФ, т.70, вып.З, стр.216-220 (1999).

29. D.A.Kleinman, R.C.Miller, "Band-gap renormalization in semiconductor quantum well containing carriers", Phys.Rev.B, v.32, no.4, p.2266-2272 (1985).

30. B.Tanatar, "Band-gap renormalization in quasi-one-dimensional systems", p. 179-189.

31. J.C.Ryan, T.L.Reinecke, Phys.Rev.B, v.47, p.9615 (1993).

32. S.Benner, H.Haug, "Plasma-density dependence of the optical spectra for quasi-one-dimensional quantum well wires", Europhys. Lett., v. 16, no.6, p.579-583 (1991).

33. K.H.Wang, M.Bayer, A.Forchel, P.Ils, S.Benner, H.Haug, Ph.Pagnod-Rossiaux, L.Goldstein, "Subband renormalization in dense electron-hole plasmas in Ino^Gao^As/InP quantum wires", Phys.Rev.B, v.53, no. 16, p.R10505-R10508 (1996).

34. H.M.Gibbs et.al, "Nonlinear Photonics", Springer-Verlag Berlin Heidelberg (1990).

35. R.Cingolani, H.Lage, L.Tapfer, H.Kalt, D.Heitmann, K.Ploog, "Quantum confined one-dimensional electron-hole plasma in semiconductor quantum wires", Phys.Rev.Lett.,v.67, no.7, p.891-894 (1991).

36. В.С.Днепровский, Е.А.Жуков, Е.А.Муляров, С.Г.Тиходеев, "Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице", ЖЭТФ, т.114, вып.2(8), стр.700-710 (1998).

37. В.Н.Богомолов, УФН 124,171 (1978)

38. V.Dneprovskii, E.Zhukov, V.Karavanskii, V.Poborchii, I.Salamatina, Superlattices and Microstructures 23, 1217 (1998)

39. P. lis, Ch. Greus, A. Forchel, V.D. Kulakovskii, N.A. Gippius, S.D. Tikhodeev, "Linear polarization of photoluminescence emission and absorption in quantum-well wire structures: Experiment ant theory", Phys. Rev.B, v.51, no.7, p.4272-4277 (1995).

40. S.G.Romanov, C.M.Sotomayor-Torres, H.M.Yates, M.E.Pemble, V.Butko, V.Tretijkov, J.Appl.Phys., 82,380 (1997)

41. V.I.Klimov, P.Haring-Bolivar, H.Kurz, V.A.Karavanskii, "Optical nonlinearities and carrier trapping dynamics in CdS and CuxS nanocrystals", Superlattices and Microstructures, v.20, no.3, p.395-404 (1996).

42. T.Okuno, H.-W.Ren, M.Sugisaki, K.Nishi, S.Sugou, Y.Masumoto, "Time-resolved luminescence of InP quantum dots in a Gao.5Ino.5P matrix: carrier injaction from matrix", Phys.Rew.B, v.57, n.3, p. 1386-1389 (1998-1).

43. C.Weisbuch, B.Vinter, "Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications", Academic, San Diego, CA, 1991.

44. P.Castrillo, D.Hessman, M.-E.Pistol, S.Anand, N.Carlsson, W.Seifert, L.Samuelson, "Band filling at low optical power density in semiconductor dots", Appl.Phys.Lett, v.67, n.13, p.1905-1907 (1995).

45. A.I.Ekimov, Al.L.Efros, A.A.Onushchenco, "Quantum size effect in semiconductor microcrystals", Solid State Commun., v.56, n.ll, p.921-924 (1986).

46. S.Hayashi, M.F.Fujh, K.Yamamoto, "Quantum size effects in Ge microcrystals embedded in Si02 thin Films", Jpn.J.Appl.Phys., v.28, n.8, p.L1564-L1566 (1989).

47. N.N.Ledentsov, "Submonolayer insertion in wide bandgap matrices: new principles for optoelectronic", Proc.Int.Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St.Peterburg, Russia, p.374-379 (1997).

48. L.M.Robinson, H.Rho, J.C.Kim, Howard EJackson, L.M.Smith, "Quantum dot exciton dynamics through a nanoaperture: evidence for two confined states", Phys.Rev.Lett., v.83, n.14, p.2797-2800 (1999).

49. M.C.Harris Liao, Y.H.Chang, Y.F.Chen, J.W.Hsu, J.M.Lin, W.C.Chou, "Fabrication of ZnSe quantum dots under Volmer-Weber mode by metalorganic chemical vapor deposition", Appl.Phys.Lett., v.'70, no. 17, p.2256-2258 (1997).

50. J.Temmyo, R.Notzel, T.Tamamura, "Semiconductor nanostructures formed by the Turing instability", Appl.Phys.Lett, v.71, no.8, p.1086-1088 (1997).

51. H.Kirmse, R.Schneider, M.Rabe, W.Neumann, F.Henneberger, " Transmission electron microscopy investigation of structural properties of self-assembled CdSe/ZnSe quantum dots", Appl.Phys.Lett., v.72, no. 11, p.1329-1331 (1998).

52. P.R.Kratzert, M.Rabe, F.Henneberger, Comment on "Dynamics of ripening of self-assembled II-VI semiconductor quantum dots", Phys.Rev.Lett., v.83, no.l, p.239-240 (1999).

53. J.C.Kim, H.Rho, L.Smith, H.E.Jackson, "Temperature-dependence micro-photoluminescence of individual CdSe self-assembled quamtum dots", Appl.phys.Lett., v.75, n.2, p.214-216 (1999).

54. S.Lee, J.C.Kim, H.Rho, C.S.Kim, L.M.Smith, H.E.Jackson, J.K.Furdyna, M.Dobrowolska, Phys.Rev.B, v.61, p.R24405 (2000).

55. H.Rho, L.M.Robinson, N.Mukolobwiez, L.M.Smith, H.E.Jackson, S.Lee, M.Dobrowolska, J.K.Furdyna, "Probing CdSe/ZnSe self-assembled quantum dots by cw and time-resolved photoluminescence", Physica E, v. 11, p.59-62 (2000).

56. D.Bimberg, M.Grundmann, N.N.Ledentsov, "Quantum Dot Heterostructures", Chichester, New York, "John Wiley&Sons".

57. H.M.Gibbs, G.Khitrova, N.Peyghambarian (Eds.), "Nonlinear Photonics", Springer-Verlag Berlin Heidelberg (1990).

58. О.Звелто, "Принципы лазеров", Москва, "Мир", 1984, стр.71-73.